JP2019219464A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 自己容量方式による駆動電極の駆動時における寄生容量を軽減すること。【解決手段】 実施形態によれば、表示装置は、基板上の複数の電極のうちの選択された電極にタッチ検出のための駆動信号を供給し、選択された電極からの信号を受信すると共に、非選択の複数の電極に対して寄生容量を減らすためのガード信号を出力するタッチ検出回路と、表示部に延在する複数の走査線に対して走査信号を供給する走査線駆動回路とを備え、画像の表示のために複数の走査線に対して走査信号が供給される表示期間と、複数の電極を用いたセンシングに係るタッチ検出期間とからなる１フレーム期間は、第１および第２フレームを含み、第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に走査信号が供給される走査線の数は、第１フレームに含まれるタッチ検出期間の電位と、第２フレームに含まれるタッチ検出期間の電位とが一致するように調整される。【選択図】図１６

Description

本発明の実施形態は入力機能を有する表示装置に関する。

スマートフォン、タブレットパーソナルコンピュータ及びノート型パーソナルコンピュータ等の携帯端末が普及している。携帯端末は液晶又は有機ＥＬ素子などを用いた平面型の表示装置を備える。表示装置は、画素データやコマンド等を出力するホスト装置と接続され、表示パネルとコマンドを処理し表示パネルを駆動するドライバとを備える。

表示装置では、表示パネルに２次元配列された画素が共通電極と画素電極を備え、共通電極と画素電極との間に液晶又は有機ＥＬ素子が配置される。ドライバが表示パネルの画素に画素信号を書き込むと、共通電極及び画素電極との間の液晶又は有機ＥＬ素子が制御され、画像が表示される。

一方、画面に指やタッチペン（スタイラスペンとも称する）等の入力物体が近接又は接触していることを検出する表示装置が広く使用されている。画面に入力物体を近接又は接触させる動作をタッチ動作又はタッチと称し、入力物体の位置検出をタッチ検出と称する。タッチ検出方式には光学式、抵抗式、静電容量方式、電磁誘導方式等の種々の方式がある。静電容量方式は一対の電極（駆動電極と検出電極と称する）間の静電容量が入力物体の近接又は接触により変化することを利用する検出方式であり、比較的単純な構造であることと、消費電力が少ない利点がある。

特開２０１４−８１９３５号公報

上述したタッチ検出機能を備える表示装置では、静電容量方式の検出方式として、検出電極の対地容量が物体の近接又は接触によって変化することを利用して検出する方式、いわゆる自己容量方式がある。この自己容量方式では、駆動電極が、物体の近接又は接触を検出する検出電極の機能を兼ねている。

例えば、複数の駆動電極が、表示パネルの縦方向に沿って延在し、横方向に沿って並列して配置されている場合、表示領域の周辺の周辺領域における縦方向の下側領域には、映像信号線を選択する選択回路、自己容量検出用配線、映像信号線に信号を供給するドライバチップの並びで配置されている。

このような配置において、自己容量検出用配線は横方向に沿って延在して形成され、一方、映像信号線に信号を供給する接続配線は縦方向に沿って延在して形成されている。このため、自己容量検出用配線と、映像信号線に信号を供給する接続配線とが交差しており、この交差による寄生容量が、自己容量方式による駆動時の負荷となっている。特に、自己容量方式では、相互容量方式よりも、寄生容量の負荷が検出に与える影響が大きい。

本発明の目的は、自己容量方式による駆動電極の駆動時における寄生容量を軽減することができる表示装置を提供することにある。

実施形態によれば、表示装置は、基板上に２次元的に配列された複数の電極を備える表示部と、前記複数の電極のうちの選択された電極にタッチ検出のための駆動信号を供給し、前記選択された電極からの信号を受信すると共に、非選択の複数の電極に対して寄生容量を減らすためのガード信号を出力するタッチ検出回路と、前記表示部に延在する複数の走査線に対して走査信号を供給する走査線駆動回路とを具備し、画像の表示のために前記複数の走査線に対して前記走査信号が供給される表示期間と、前記複数の電極を用いたセンシングに係るタッチ検出期間とからなる１フレーム期間は、第１および第２フレームを含み、前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記走査信号が供給される走査線の数は、前記第１フレームに含まれるタッチ検出期間の電位と、前記第２フレームに含まれるタッチ検出期間の電位とが一致するように調整される。

図１は実施形態の表示装置の一例の概略構成を示す斜視図である。 図２は表示装置の一例を示す平面図である。 図３は表示装置の共通電極ＣＥの配置の一例を示す平面図である。 図４は表示装置の画素Ｐｘの一例の回路図である。 図５は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す図である。 図６は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す図である。 図７は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す図である。 図８は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す図である。 図９は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す回路図である。 図１０は自己容量方式のタッチ検出の一例を示す信号波形図である。 図１１は走査線駆動回路の回路構成を示す図である。 図１２は表示期間およびタッチ検出期間における走査線駆動回路の状態を示す図である。 図１３は表示期間およびタッチ検出期間における表示装置の各部の状態を示すタイミングチャートである。 図１４はガード信号の一例を示す信号波形図である。 図１５はクロック信号の電位の変化の一例を示す図である。 図１６はクロック信号の電位の変化の一例を示す図である。 図１７はクロック信号の電位の変化の一例を示す図である。 図１８はクロック信号の電位の変化の一例を示す図である。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実物通りではなく変更して模式的に表す場合もあるし、構造物を区別するために付したハッチングを省略する場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して詳細な説明を省略する場合もある。

タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置とタッチ機能を実現するタッチパネルを別々に製造し、表示装置の画面にタッチパネルを貼り付けるオンセルタイプ（外付けタイプとも称する）及び表示装置とタッチパネルが一体となっているインセルタイプ（内蔵タイプとも称する）を含む。インセルタイプの表示装置は、タッチ検出機能を有する部品の一部又は全部が表示機能を有する部品の一部又は全部と兼用される装置や、タッチ検出機能を有する部品と表示機能を有する部品とが互いに兼用されない装置を含む。インセルタイプの表示装置では、例えばカラーフィルタと偏光板の間に検出電極が形成され、ＴＦＴ基板上に形成される共通電極が駆動電極としても使用される。インセルタイプの表示装置は、外付けタッチパネルが無いので、全体が薄型・軽量化されるとともに、表示の視認性も向上する。実施形態はインセルタイプの表示装置を説明する。しかし、本発明はオンセルタイプの表示装置にも適用可能である。

タッチ検出方式には光学式、抵抗式、静電容量方式、電磁誘導方式等の種々の方式がある。静電容量方式は一対の電極（駆動電極と検出電極と称する）間の静電容量が入力物体の近接又は接触により変化することを利用する検出方式であり、比較的単純な構造であることと、消費電力が少ない利点がある。実施形態として、静電容量方式のタッチ検出機能付きの表示装置を説明する。しかし、本発明は静電容量方式のタッチ検出に限らず、電磁誘導方式等の他の方式のタッチ検出にも適用可能である。

静電容量方式は、互いに離間した状態で対向配置された２つの検出電極の間の静電容量を検出する相互容量方式（Mutual Capacitive Sensing）及び１つの検出電極と例えば接地電位等の基準電位との間の静電容量を検出する自己容量方式（Self Capacitive Sensing）を含む。一例として自己容量方式を説明するが、本発明は相互容量方式のタッチ検出を行う表示装置にも適用可能である。自己容量方式においては、基準電位が供給される電極は、検出電極との間で検出可能な静電容量を形成できる程度の離間距離で検出電極の周囲に配置される導体パターンであって、固定電位の供給経路が接続されていればよく、形状等は特に限定されない。タッチ検出機能を有する表示装置は、入力装置の一態様であって、指、タッチペン等の入力器具がタッチ面に近づく又は接触すると入力信号を検出すると共にタッチ位置を算出する。タッチ位置はタッチ面の入力信号を検出した点の座標である。

表示装置は液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ表示装置等を利用することができるが、ここでは一例として、液晶表示装置を用いた実施形態を説明する。なお、本発明は有機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ表示装置等にも適用可能である。液晶表示装置の表示モードは、表示機能層である液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により大きく２つに分類される。第１は表示装置の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される所謂縦電界モードである。縦電界モードは、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertical Alignment）モード等を含む。第２は表示装置の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される所謂横電界モードである。横電界モードは、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードや、ＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等を含む。以下で説明する技術は縦電界モードおよび横電界モードのいずれにも適用できるが、実施形態としては、横電界モードの表示装置を説明する。

［概略構成］
図１は実施形態によるタッチ検出機能付きの表示装置の一例の全体的な概略構成を示す斜視図である。表示装置はタッチ検出機構を有する表示パネルＰＮＬとタッチ検出チップＴＳＣとドライバチップＤＲＣと備える。表示パネルＰＮＬは、ガラスや樹脂等の透明な第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置されたガラスや樹脂等の透明な第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置された液晶層（図示せず）とを備える。第１基板ＳＵＢ１には画素（図４に示す）がＸ方向およびＹ方向に２次元アレイ状（マトリクス状とも称する）に配置されるので、第１基板ＳＵＢ１は画素基板又はアレイ基板とも称する。第２基板ＳＵＢ２は対向基板とも称する。表示パネルＰＮＬは第２基板ＳＵＢ２側から観察される。このため、第２基板ＳＵＢ２は上側基板、第１基板ＳＵＢ１は下側基板と称することもある。

表示パネルＰＮＬは矩形の平板形状であり、短辺が沿う方向をＸ方向、長辺が沿う方向をＹ方向とする。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は短辺のサイズは略同じであるが、長辺のサイズは異なる。第１基板ＳＵＢ１の長辺は第２基板ＳＵＢ２の長辺より長い。長辺が沿うＹ方向において第１基板ＳＵＢ１の一端と第２基板ＳＵＢ２の一端の位置が揃っているので、第１基板ＳＵＢ１の他端は第２基板ＳＵＢ２の他端より突出する。Ｙ方向において第２基板ＳＵＢ２より突出している第１基板ＳＵＢ１の部分には表示パネルＰＮＬを画像表示のために駆動するドライバチップＤＲＣが搭載される。ドライバチップＤＲＣはドライバＩＣ又は表示コントローラＩＣとも称する。画素が２次元アレイ状に配置される領域は表示領域又はアクティブエリアＤＡと称し、表示領域ＤＡ以外の非表示領域ＮＤＡは額縁領域とも称する。

表示装置はホスト装置ＨＯＳＴに接続され得る。表示パネルＰＮＬとホスト装置ＨＯＳＴとは２つのフレキシブル配線基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２を介して接続される。ホスト装置ＨＯＳＴはフレキシブル配線基板ＦＰＣ１を介して第１基板ＳＵＢ１に接続される。タッチ検出を制御するタッチ検出チップＴＳＣはフレキシブル配線基板ＦＰＣ１上に配置されるＣＯＦ（Chip on Film）チップである。タッチ検出チップＴＳＣはタッチ検出ＩＣ又はタッチコントローラＩＣとも称する。タッチ検出チップＴＳＣはフレキシブル配線基板ＦＰＣ１上ではなく、第１基板ＳＵＢ１上に配置されるＣＯＧ（Chip on Glass）チップでもよい。

ドライバチップＤＲＣとタッチ検出チップＴＳＣはタイミングパルス等で互いに電気的に接続され、動作タイミングが連携している。ドライバチップＤＲＣとタッチ検出チップＴＳＣは別々のＩＣではなく、同一のＩＣとして構成されても良い。この場合、単一のＩＣは第１基板ＳＵＢ１上に配置しても良いし、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１上に配置しても良い。ドライバチップＤＲＣも第１基板ＳＵＢ１上ではなく、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１上に配置しても良い。

第１基板ＳＵＢ１の裏側（つまり、表示パネルＰＮＬの背面側）には表示パネルＰＮＬを照明する照明装置としてのバックライトユニットＢＬが設けられる。ホスト装置ＨＯＳＴはフレキシブル配線基板ＦＰＣ２を介してバックライトユニットＢＬに接続される。バックライトユニットＢＬとして、種々の形態のバックライトユニットが利用可能であり、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したもの及び冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したもの等がある。バックライトユニットＢＬとしては、表示パネルＰＮＬの背面側に配置される導光板とその側面側に配置されるＬＥＤ又は冷陰極管を用いた照明装置が使用可能であるし、表示パネルＰＮＬの背面側に発光素子を平面的に配列した点状光源を用いた照明装置も使用可能である。照明装置としては、バックライトに限らず、表示パネルＰＮＬの表示面側に配置されるフロントライトも使用可能である。表示装置が反射型の表示装置である場合、又は表示パネルＰＮＬが有機ＥＬを用いる場合、照明装置を備えない構成でも良い。図示していないが、表示装置は２次電池と電源回路等を備える。

なお、図１の例はＹ方向の長さがＸ方向の長さより長く、Ｘ方向を左右方向とした場合の縦長の画面を説明したが、Ｘ方向の長さがＹ方向の長さより長い横長の画面に応用しても良い。

［回路構成］
図２は実施形態の表示装置の一例を示す平面図である。図３は共通電極の配置の一例を示す平面図である。見易さのため表示パネルＰＮＬの構成部材を図２と図３に分けて記載する。
図２に示すように、ドライバチップＤＲＣは表示パネルＰＮＬを駆動する信号線駆動回路ＳＤを備える。タッチ検出チップＴＳＣは静電容量方式でタッチ検出する機能を有する検出部ＳＥを備える。検出部ＳＥはタッチ検出動作を制御するとともに検出電極Ｒｘ（図３に示す）から出力された信号を処理する検出回路ＤＣＰ（図３）を備える。タッチ検出回路としての検出部ＳＥの構成及び検出部ＳＥによる検出方法については後述する。図示は省略するが、表示装置は表示パネルＰＮＬの外部に設けられた制御モジュール等を備え、制御モジュールがフレキシブル配線基板ＦＰＣ１を介して表示パネルＰＮＬと電気的に接続されても良い。検出回路ＤＣＰはドライバチップＤＲＣの内部に配置されても良い。

図３に示すように、表示パネルＰＮＬは表示領域ＤＡ内においてＸ方向およびＹ方向に２次元アレイ状に配置された複数の検出電極Ｒｘを備える。詳細は後述するが、検出部ＳＥは複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を検出する。複数の検出電極Ｒｘが表示パネルＰＮＬの内部に設けられているので、実施形態はインセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置である。検出電極Ｒｘの平面形状の一例は正方形であるが、正方形の角が若干切り取られた８角形、正方形の角が円弧状にされた形状等でもよい。

図２に示すように、ドライバチップＤＲＣは第１基板ＳＵＢ１上の表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの外側の領域である非表示領域ＮＤＡに設けられる。ドライバチップＤＲＣは信号線配線ＳＣＬと信号線ＳＬを介して電気光学層である図示せぬ液晶層を駆動する信号線駆動回路ＳＤ等を備える。信号線駆動回路ＳＤは図４に示すように、信号線配線ＳＣＬと信号線ＳＬを介して画素ＰＸが備える画素電極ＰＥに映像信号Ｓｐｉｃを供給する。

表示領域ＤＡにおいて、ｍ×ｎ個の画素ＰＸはＸ方向およびＹ方向に２次元アレイ状に配列される。ただし、ｍおよびｎは任意の正整数である。Ｙ方向に延びる複数の信号線ＳＬはＸ方向に互いに間隔を空けて配列される。ｍ本の信号線ＳＬ１、ＳＬ２、…ＳＬｍ（ＳＬと総称することもある）が、ＳＬ１、ＳＬ２、…ＳＬｍの順で、Ｘ方向の一方の側から他方の側に向かって配列される。複数の信号線ＳＬの一端は表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出され、接続配線（引き出し配線とも称する）としての信号用接続配線ＳＣＬを介してドライバチップＤＲＣと電気的に接続される。

信号線ＳＬおよび信号用接続配線ＳＣＬは映像信号を伝送する映像信号配線であるが、信号線ＳＬと信号用接続配線ＳＣＬとは以下のように区別することができる。ドライバチップＤＲＣに接続され、複数の画素ＰＸに映像信号を供給する信号伝送経路のうち、表示領域ＤＡ内に配置されるものを信号線ＳＬと称し、表示領域ＤＡの外側にあるものを信号用接続配線ＳＣＬと称する。複数の信号線ＳＬはＹ方向に直線的に互いに平行に延びる。信号用接続配線ＳＣＬは信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣとを接続する配線なので、信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣとの間に全体として扇状の屈曲部を含む。

信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣとは信号用接続配線ＳＣＬを介して直接的に接続されても良いし、信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣとの間に他の回路が配置されても良い。例えば信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣとの間に、赤色の映像信号、緑色の映像信号、あるいは青色の映像信号を選択するＲＧＢ選択スイッチが介在しても良い。ＲＧＢ選択スイッチは例えばマルチプレクサ回路であり、赤色の映像信号、緑色の映像信号、青色の映像信号が多重化された信号を入力し、入力された映像信号を各色用の信号線ＳＬに選択的に出力する。この場合、ＲＧＢ選択スイッチとドライバチップＤＲＣとを接続する信号用接続配線ＳＣＬの数は信号線ＳＬの数より少ない。

複数の走査線ＧＬに対して走査信号を順次出力する走査信号出力回路としての走査線駆動回路ＧＤは第１基板ＳＵＢ１上の非表示領域ＮＤＡに設けられる。ドライバチップＤＲＣは配線Ｗ１を介して走査線駆動回路ＧＤに接続され、詳細については後述するが、配線Ｗ１を介してクロック信号やイネーブル信号等の制御信号を走査線駆動回路ＧＤに供給する。Ｘ方向に延びる複数の走査線ＧＬはＹ方向に互いに間隔を空けて配列される。ｎ本の走査線ＧＬ１、ＧＬ２、…ＧＬｎ（ＧＬと総称することもある）が、ＧＬ１、ＧＬ２、…ＧＬｎの順で、Ｙ方向の一方の側から他方の側に向かって配列される。複数の走査線ＧＬの一端は表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出され、走査線駆動回路ＧＤに接続される。複数の走査線ＧＬは複数の信号線ＳＬと互いに交差する。

図２は、Ｘ方向において一方の側に走査線駆動回路ＧＤが配置され、他方の側には走査線駆動回路ＧＤが配置されない例を示すが、走査線駆動回路ＧＤのレイアウトには種々の変形例が可能である。例えばＸ方向において一方の側および他方の側にそれぞれ走査線駆動回路ＧＤが配置され、２つの走査線駆動回路ＧＤの間に表示領域ＤＡが配置されても良い。ドライバチップＤＲＣと走査線駆動回路ＧＤとの間に、制御信号の波形を整形するバッファ回路が接続されても良い。

図３に示すように、複数の共通電極ＣＥはＸ方向およびＹ方向に２次元アレイ状に配列される。複数の共通電極ＣＥのそれぞれにはコモン線ＣＭＬが接続される。共通電極ＣＥはコモン線ＣＭＬを介してスイッチ回路部ＳＷＣに接続される。画像表示の際共通電極ＣＥを駆動する共通電極駆動回路ＣＤ（共通電位回路とも称する）は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１上に配置され、コモン電位供給線ＶＣＤＬとスイッチ回路部ＳＷＣとコモン線ＣＭＬとを介して複数の共通電極ＣＥと電気的に接続される。

実施形態では、共通電極ＣＥが自己容量方式のタッチ検出用の検出電極Ｒｘを兼ねる。このため、複数のコモン線ＣＭＬは検出電極Ｒｘで検出された信号を検出部ＳＥに伝送する検出信号伝送用の配線としての機能も含む。

詳細は後述するが、検出電極Ｒｘを利用して自己容量方式によるタッチ検出が行われるため、複数のコモン線ＣＭＬは複数の検出電極Ｒｘに対して、書き込み信号である駆動波形を入力するための信号伝送用の配線としての機能も含む。

共通電極ＣＥの数は図２に示す画素ＰＸの数と同じでも良いし、画素ＰＸより少なくても良い。検出電極Ｒｘとして動作する共通電極ＣＥの数が画素ＰＸの数と同じである場合、タッチ検出の解像度が表示画像の解像度と同程度になる。共通電極ＣＥの数が画素ＰＸの数より少ない場合、タッチ検出の解像度は表示画像の解像度より低いが、コモン線ＣＭＬの数を少なくすることができる。一般に、表示画像の解像度はタッチ検出の解像度と比較して高い。したがって、共通電極ＣＥの数は画素ＰＸの数より少なくても良い。例えば検出電極Ｒｘ一個分の平面積が、４ｍｍ２〜３６ｍｍ２程度であった場合、１つの検出電極Ｒｘは数十個〜数百個程度の画素ＰＸと重なる。

詳細は後述するが、複数のコモン線ＣＭＬが接続されるスイッチ回路部ＳＷＣはドライバチップＤＲＣの外部に配置される。スイッチ回路部ＳＷＣは第１基板ＳＵＢ１上の非表示領域ＮＤＡに配置される。スイッチ回路部ＳＷＣに制御パルス発生回路ＣＰＧが接続される。

制御パルス発生回路ＣＰＧはスイッチ回路部ＳＷＣが有する複数のスイッチを選択的にオン、オフする回路である。制御パルス発生回路ＣＰＧはドライバチップＤＲＣの外部、例えば第１基板ＳＵＢ１上の非表示領域ＮＤＡに配置される。制御パルス発生回路ＣＰＧがドライバチップＤＲＣの外部に配置される場合、ドライバチップＤＲＣの汎用性が向上する。制御パルス発生回路ＣＰＧはドライバチップＤＲＣの内部に配置されても良い。

走査線駆動回路ＧＤ（図２）や共通電極駆動回路ＣＤ（図３）の配置は図２や図３に示す態様に限られない。例えば走査線駆動回路ＧＤおよび共通電極駆動回路ＣＤのうちのいずれか一方又は両方がドライバチップＤＲＣに配置されても良い。共通電極駆動回路ＣＤが図２に示す第１基板ＳＵＢ１上に配置されても良い。共通電極駆動回路ＣＤが非表示領域ＮＤＡに配置されても良い。共通電極駆動回路ＣＤが表示パネルＰＮＬの外部に配置され、フレキシブル配線板ＦＰＣ１を介して表示パネルＰＮＬに接続されても良い。

図４に示すように、各画素ＰＸは画素スイッチＰＳＷと画素電極ＰＥを備える。複数の画素ＰＸが１つの共通電極ＣＥを共有してもよい。画素スイッチＰＳＷは例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を備える。画素スイッチＰＳＷは走査線ＧＬおよび信号線ＳＬと電気的に接続される。画素スイッチＰＳＷの半導体層は例えば多結晶シリコン（ポリシリコン）からなるが、アモルファスシリコンからなるものでも良い。

画素電極ＰＥは画素スイッチＰＳＷに電気的に接続される。画素電極ＰＥは図示せぬ絶縁膜を介して共通電極ＣＥと対向する。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に液晶層ＬＱが配置される。

映像信号に基づいて表示画像を形成する表示期間に各電極に印加される駆動信号に基づいて画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成される。電気光学層である液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界により駆動される。横電界モードを利用する表示装置では、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは第１基板ＳＵＢ１に設けられる。液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界（例えばフリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を利用して回転される。

表示期間に画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥのそれぞれは電気光学層である液晶層ＬＱを駆動する駆動電極として動作する。複数の画素電極ＰＥは電気光学層を駆動する第１駆動電極とも称する。複数の共通電極ＣＥは電気光学層を駆動する第２駆動電極とも称する。上述したように、共通電極ＣＥは自己容量方式のタッチ検出用の検出電極Ｒｘを兼ねるため、複数の検出電極Ｒｘは電気光学層を駆動する第２駆動電極とも称する。以下において、格別に説明する場合を除き、検出電極Ｒｘは共通電極ＣＥ又は電気光学層を駆動する駆動電極と同義である。

［タッチ検出］
表示パネルＰＮＬが検出電極Ｒｘを利用して指、タッチペン等の入力物体の位置、すなわち入力位置を検出する方法について説明する。表示パネルＰＮＬは自己容量方式を用いて検出電極Ｒｘにて検出した静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断することができる。これにより、表示パネルＰＮＬのタッチ検出面に指が接触する又は近接することを検出することができる。

以下、自己容量方式を用いたタッチ検出の原理および方法について説明する。ただし、表示パネルＰＮＬは相互容量方式を用いて検出電極Ｒｘにて検出した静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断してもよい。自己容量方式の検出と相互容量方式の検出が交互に実施されてもよい。表示装置が自己容量方式用の検出電極と相互容量方式用の検出電極をそれぞれ独立して有する場合、自己容量方式と相互容量方式が同時に実施されてもよい。自己容量方式によるタッチ検出は、検出電極Ｒｘ自身に駆動信号を入力し、検出電極Ｒｘ自身から出力される信号の変化に基づいて行われる。

自己容量方式を用いたタッチ検出方法の原理を説明する。自己容量方式は検出電極Ｒｘが有する容量Ｃｘ１及び検出電極Ｒｘにタッチする利用者の指等により生じる容量Ｃｘ２を利用する。図５〜図８は自己容量方式によるタッチ検出の回路動作を模式的に示す説明図である。

図５および図６は表示パネルＰＮＬのタッチ検出面に利用者の指がタッチしていない状態を示す。この状態では、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合は生じていない。図５はスイッチＳＷ１により検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄに接続された状態を示す。図６はスイッチＳＷ１により検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄとは分離され、検出電極Ｒｘがコンデンサとしての容量Ｃｙ１に接続された状態を示す。

図５に示す状態において、電源Ｖｄｄから容量Ｃｘ１に向かって電荷Ｑ１が流れ、容量Ｃｘ１は充電される。図６に示す状態において、容量Ｃｘ１から容量Ｃｙ１に向かって電荷Ｑ２が流れ、容量Ｃｘ１は放電される。容量Ｃｘ１が充電されることは検出電極Ｒｘに対して書込み信号が書込まれることを意味する。容量Ｃｘ１が放電されることは検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることを意味する。

図７および図８は表示パネルＰＮＬのタッチ検出面に利用者の指がタッチしている状態を示す。この状態では、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合が生じている。図７はスイッチＳＷ１により検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄに接続された状態を示す。図８はスイッチＳＷ１により検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄから遮断され、検出電極Ｒｘが容量Ｃｙ１に接続された状態を示す。

図７に示す状態において、電源Ｖｄｄから容量Ｃｘ１に向かって電荷Ｑ３が流れ、容量Ｃｘ１は充電される。図８に示す状態において、容量Ｃｘ１から容量Ｃｙ１に向かって電荷Ｑ４が流れ、容量Ｃｘ１は放電される。

図６に示す容量Ｃｘ１の放電時に容量Ｃｙ１に充電される電圧の時間依存性と、図８に示す容量Ｃｘ１の放電時に容量Ｃｙ１に充電される電圧の時間依存性とは、図８の状態は容量Ｃｘ２が存在するために異なる。したがって、自己容量方式では容量Ｃｙ１の電圧の時間依存性が容量Ｃｘ２の有無により異なることを利用して、入力位置情報（例えば操作入力の有無）を判断する。

自己容量方式を実現する回路の例について説明する。図９は自己容量方式を実現する回路の一例を示す。図１０は図９に示す回路において、電源Ｖｄｄから出力される交流矩形波、検出電極Ｒｘの電圧及び検出器ＤＥＴの出力としての電圧の時間依存性の例を示す。図９では検出電極Ｒｘの容量を容量Ｃｘ１と称する。図３に示すスイッチ回路部ＳＷＣが検出部ＳＥと検出電極Ｒｘとの間の検出信号線ＤＳＬの途中に接続される。

図９に示すように、スイッチＳＷ１をオン、オフすることにより、検出電極Ｒｘは電源Ｖｄｄとの電気的な接続状態がオン、オフされる。スイッチＳＷ２をオン、オフすることにより、検出電極Ｒｘは検出器ＤＥＴ（例えば電圧検出器）との電気的な接続状態がオン、オフされる。検出器ＤＥＴは積分回路であって、例えばオペアンプＯＰｄと容量ＣｄとスイッチＳＷ３を備える。オペアンプＯＰｄの非反転入力端子はスイッチＳＷ２を介して検出電極Ｒｘと接続される。オペアンプＯＰｄの反転入力端子には参照信号Ｖｒｅｆが入力される。

図１０に示すように、電源Ｖｄｄは時刻Ｔ０１と時刻Ｔ０２との時間差を周期とし、電圧Ｖｄｒの波形高さを有する交流矩形波Ｓｇを出力する。交流矩形波Ｓｇは例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する。検出器ＤＥＴは交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖｄｅｔ０と波形Ｖｄｅｔ１）に変換する。波形Ｖｄｅｔ０と波形Ｖｄｅｔ１は波形Ｖｄｅｔと総称する。

図９を用いて説明したように、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２をオン、オフすることにより検出電極Ｒｘと電源Ｖｄｄおよび検出器ＤＥＴとの電気的な接続状態を切り替えることができる。図１０において、時刻Ｔ０１で交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖｄｒ分だけ上昇する。時刻Ｔ０１でスイッチＳＷ１をオンし、スイッチＳＷ２をオフする。このため、時刻Ｔ０１で検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘも電圧Ｖｄｒ分だけ上昇する。時刻Ｔ１１より前にスイッチＳＷ１をオフする。このとき、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２の両方がオフであれば、検出電極Ｒｘは電気的に浮遊した状態、すなわちフローティング状態である。しかし、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（図５）又は検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１に指等のタッチにより追加された容量Ｃｘ２（図７）を加えた容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２によって、検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘは電圧Ｖｄｒの上昇が維持された電圧である。さらに、時刻Ｔ１１より前にスイッチＳＷ３をオンし、その後時刻Ｔ１１より前にスイッチＳＷ３をオフする。この動作により、検出器ＤＥＴの出力としての電圧Ｖｄｅｔがリセットされる。このリセット動作を行った後、検出器ＤＥＴの電圧Ｖｄｅｔは参照信号Ｖｒｅｆと略等しい電圧となる。

続いて、時刻Ｔ１１でスイッチＳＷ２をオンする。これにより、検出器ＤＥＴの非反転入力端子に入力される電圧は検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘに等しくなる。その後、検出器ＤＥＴの反転入力部の電圧は検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（又は上記した容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）及び検出器ＤＥＴに含まれる容量Ｃｄに起因した時定数に応じた応答速度で参照信号Ｖｒｅｆと同程度の値まで低下する。検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（又は容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が検出器ＤＥＴに含まれる容量Ｃｄに移動するので、検出器ＤＥＴの電圧Ｖｄｅｔが上昇する。電圧Ｖｄｅｔは検出電極Ｒｘに指等の物体がタッチしていないときは実線で示す波形Ｖｄｅｔ０となる。Ｖｄｅｔ０＝Ｃｘ１×Ｖｄｒ／Ｃｄである。電圧Ｖｄｅｔは指等の物体がタッチしてその物体の影響による容量が付加されたときは破線で示す波形Ｖｄｅｔ１となる。Ｖｄｅｔ１＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖｄｒ／Ｃｄである。

その後、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（又は容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）の電荷が容量Ｃｄに十分移動した後の時刻Ｔ３１でスイッチＳＷ２をオフし、スイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ３をオンする。この動作により、検出電極Ｒｘの電圧は交流矩形波Ｓｇのローレベル、すなわち矩形波のうち相対的に低い方の電圧レベルと等しい電圧になる。スイッチＳＷ２をオフしスイッチＳＷ３をオンするリセット動作により、検出器ＤＥＴからの出力としての電圧はリセットされる。なお、スイッチＳＷ１をオンするタイミングはスイッチＳＷ２をオフした後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングはスイッチＳＷ２をオフした後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングでもよい。

タッチ検出を行う期間では図３に示す複数の検出電極Ｒｘのそれぞれに対して図５〜図１０を用いて説明した動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖｄｅｔ０と波形Ｖｄｅｔ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部からタッチ検出面にタッチした物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。

上記では自己容量方式の動作原理及び自己容量方式を実現する回路の代表的な例を説明した。しかし、自己容量方式を実現する方法には種々の変形例がある。例えば上記した自己容量方式によるタッチ検出に代えて、あるいは上記した自己容量方式によるタッチ検出に加えて、以下のような変形例のタッチ検出を実施してもよい。指等の物体がタッチ検出面にタッチしていない場合には検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘの波形は実線で示す波形Ｖｘ０となる。指等の物体がタッチしてその物体の影響による容量Ｃｘ２が付加されたときは検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘの波形は破線で示す波形Ｖｘ１となる。このため、波形Ｖｘ０と波形Ｖｘ１がそれぞれ図１０に二点鎖線を用いて例示的に示す閾値電圧Ｖｔｈまで下がる時間を測定し比較すれば、外部からタッチ検出面にタッチした物体の有無（タッチの有無）を判定できる。

［走査線駆動回路の回路構成］
次に、図１１を参照して、走査線駆動回路ＧＤの回路構成について説明する。図１１は走査線駆動回路ＧＤの回路構成を示す図である。走査線駆動回路ＧＤは、図１１に示すように、複数のシフトレジスタ回路ＳＲ１、ＳＲ２、…ＳＲｎ（ＳＲと総称することもある）と、各シフトレジスタ回路ＳＲに接続されたゲート選択スイッチ群ＳＷＧ１、ＳＷＧ２、…ＳＷＧｎ（ＳＷＧと総称することもある）とを備える。各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧは、複数のゲート選択スイッチＳＷを含んでおり、ここでは、各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧが４つのゲート選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を含んでいる場合を想定する。ゲート選択スイッチＳＷは、制御信号に基づいてオン、オフが切り替えられ、対応する走査線ＧＬとの接続／非接続が切り替えられる。なお、ここでは、各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧに４つのゲート選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ４が含まれている場合を想定するが、各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧに含まれるゲート選択スイッチＳＷの数はこれに限定されるものでない。例えば、各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧに含まれるゲート選択スイッチＳＷの数は２つであっても良い。あるいは、８つであっても良い。

図２の説明にて既述したように、走査線駆動回路ＧＤは、配線Ｗ１を介してドライバチップＤＲＣに接続される。配線Ｗ１は、図１１に示す配線Ｗ１１〜Ｗ１３からなる配線であり、既述した図２においては説明を簡略化するために、１本の配線Ｗ１として示している。ドライバチップＤＲＣは、配線Ｗ１１〜Ｗ１３を介してクロック信号ＣＫＶ４やスタートパルス信号ＳＴＶ、イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ４といった制御信号を走査線駆動回路ＧＤに供給する。

各シフトレジスタ回路ＳＲは、各シフトレジスタ回路ＳＲにクロック信号ＣＫＶ４を供給するための配線Ｗ１１と、スタートパルス信号ＳＴＶを供給するための配線Ｗ１２と、ゲート選択スイッチＳＷのオン、オフを切り替えるための信号を供給可能な配線Ｗ１４とに接続される。

より詳しくは、各シフトレジスタ回路ＳＲは、図１１に示すように、クロック信号ＣＫＶ４を供給するための配線Ｗ１１により縦列に（Ｙ軸方向に並ぶように）接続されている。なお、以下では、シフトレジスタ回路ＳＲ１を初段のシフトレジスタ回路ＳＲ１と称し、所定のシフトレジスタ回路ＳＲの次に位置するシフトレジスタ回路ＳＲを次段のシフトレジスタ回路ＳＲと称する。各シフトレジスタ回路ＳＲは、クロック信号ＣＫＶ４に基づき、他のシフトレジスタ回路ＳＲと同期している。初段のシフトレジスタ回路ＳＲ１は、スタートパルス信号ＳＴＶを供給するための配線Ｗ１２に接続される。また、各シフトレジスタ回路ＳＲは、縦方向に隣接する他のシフトレジスタ回路ＳＲ（次段のシフトレジスタ回路ＳＲ）に対してスタートパルス信号ＳＴＶを転送するための配線Ｗ１２ａにより接続されている。各シフトレジスタ回路ＳＲは、配線Ｗ１４を介して、対応するゲート選択スイッチ群ＳＷＧに接続される。

各ゲート選択スイッチ群ＳＷＧは、上述したように、４つのゲート選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を含み、これらゲート選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ４のうちのゲート選択スイッチＳＷ１の一端はイネーブル信号ＥＮ１を供給するための配線Ｗ１３ａに接続され、他端は対応する走査線ＧＬに接続される。また、ゲート選択スイッチＳＷ２の一端はイネーブル信号ＥＮ２を供給するための配線Ｗ１３ｂに接続され、他端は対応する走査線ＧＬに接続される。さらに、ゲート選択スイッチＳＷ３の一端はイネーブル信号ＥＮ３を供給するための配線Ｗ１３ｃに接続され、他端は対応する走査線ＧＬに接続される。ゲート選択スイッチＳＷ４の一端はイネーブル信号ＥＮ４を供給するための配線Ｗ１３ｄに接続され、他端は対応する走査線ＧＬに接続される。

走査線駆動回路ＧＤは、クロック信号ＣＫＶ４及びスタートパルス信号ＳＴＶに基づきシフトレジスタ回路ＳＲおよびゲート選択スイッチ群ＳＷＧを選択し、イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ４に基づき、選択されたゲート選択スイッチ群ＳＷＧ内からゲート選択スイッチＳＷを選択する。選択されたゲート選択スイッチＳＷはオフからオンに切り替えられ、当該ゲート選択スイッチＳＷに対応する走査線ＧＬには走査信号が供給される。

［表示期間およびタッチ検出期間］
次に、図１２を参照して、表示期間およびタッチ検出期間における走査線駆動回路ＧＤの状態について説明する。図１２は、表示期間およびタッチ検出期間における走査線駆動回路ＧＤの状態を示す図である。なお、表示期間は、画素書込み期間または映像信号書込み期間と称されても良いし、タッチ検出期間は、タッチ期間または非表示期間と称されても良い。

図１２に示すように、１ディスプレイフレームは、第１フレーム及び第２フレームを含み、第１及び第２フレームは共に、走査信号が走査線ＧＬに供給される表示期間と、検出電極Ｒｘを用いたセンシングに係るタッチ検出期間とを含む。この表示期間とタッチ検出期間とは交互に繰り返される。なお、１ディスプレイフレームは例えば１６．７ｍｓｅｃであり、この場合、第１及び第２フレームは共に８．３ｍｓｅｃとなる。また、第１フレームは前半フレームと称しても良いし、第２フレームは後半フレームと称しても良い。また、第１及び第２フレームは共に、タッチフレームと称しても良い。１ディスプレイフレームが終了すると（換言すると、第１および第２フレームが終了すると）、次のディスプレイフレームが開始される。つまり、現在のディスプレイフレームに含まれる第２フレームから次のディスプレイフレームに含まれる第１フレームへと遷移する。

図１３は、表示期間およびタッチ検出期間におけるタッチ検出機能付きの表示装置の各部の状態を示すタイミングチャートである。表示期間中においては、シフトレジスタ回路ＳＲは、ドライバチップＤＲＣから配線Ｗ１２を介してスタートパルス信号ＳＴＶの供給を受けると、同様にドライバチップＤＲＣから配線Ｗ１１を介して供給されるクロック信号ＣＫＶ４と同期されたタイミングで、順次位相シフトして、ゲート選択スイッチ群ＳＷＧに制御信号（選択信号）を出力する。

ここでは、クロック信号ＣＫＶ４は、図１３（ａ）に示すように、４ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とが交互に繰り返される交流矩形波信号であり、イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ４は、図１３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、クロック信号ＣＫＶ４の電位がハイレベルからローレベルまたはローレベルからハイレベルに変化するまでの間に配線Ｗ１３ａ〜Ｗ１３ｄを介して順次出力される。これによれば、シフトレジスタ回路ＳＲから出力される制御信号によって選択されたゲート選択スイッチ群ＳＷＧに含まれるスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオン、オフが順次切り替えられ、対応する走査線ＧＬに走査信号を出力可能な状態となる。

具体的には、初段のシフトレジスタ回路ＳＲ１にドライバチップＤＲＣから配線Ｗ１２を介してスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、クロック信号ＣＫＶ４にしたがって、対応するゲート選択スイッチ群ＳＷＧであるゲート選択スイッチ群ＳＷＧ１に制御信号が出力される。これにより、初段のシフトレジスタ回路ＳＲ１に対応するゲート選択スイッチ群ＳＷＧとして、ゲート選択スイッチ群ＳＷＧ１が選択される。この状態で、イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ４がドライバチップＤＲＣから配線Ｗ１３ａ〜Ｗ１３ｄを介して順次供給されることによって、選択されたゲート選択スイッチ群ＳＷＧ１に含まれるスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオン、オフが順次切り替えられ、対応する走査線ＧＬに走査信号を出力可能な状態となる。クロック信号ＣＫＶ４の電位がハイレベルからローレベルに変化すると、初段のシフトレジスタ回路ＳＲ１から次段のシフトレジスタ回路ＳＲ２に対して配線Ｗ１２ａを介してスタートパルス信号ＳＴＶが転送され、次段のシフトレジスタ回路ＳＲ２においても、同様な動作が実行される。

なお、表示期間中においては、共通電極ＣＥには、図１３（ｆ）に示すように、コモン電位供給線ＶＣＤＬとスイッチ回路部ＳＷＣとコモン線ＣＭＬとを介して、共通電位ＶＣＯＭＤＣが表示用の駆動電位として供給される。

タッチ検出期間中においては、選択された検出電極Ｒｘには駆動信号が供給される共に、選択されていない（非選択の）他の検出電極Ｒｘには、図１３（ｆ）に示すように、駆動信号と同じ波形の信号がガード信号として供給される。一般に、選択された検出電極Ｒｘに駆動電位が供給されると、選択されなかった検出電極Ｒｘと選択された検出電極Ｒｘとの間に電位差が生じ、寄生容量が発生してしまうことがある。しかしながら、非選択の検出電極Ｒｘに対して、駆動信号と同じ波形のガード信号が入力されることにより、寄生容量の影響を低減することができる。なお、図１３（ａ）〜（ｅ）に示すように、ガード信号は、配線Ｗ１１〜Ｗ１３を介して、走査線駆動回路ＧＤに含まれる各部にも供給される。

［ガード信号（ガード駆動）］
図１３にて説明したように、タッチ検出期間においては、選択された検出電極Ｒｘ以外には、当該選択された検出電極Ｒｘに供給される駆動信号と同じ波形のガード信号が供給される。これをガード駆動と呼ぶ。しかしながら、このガード信号の波形は、ベースラインの電位（電位の状態）に影響を受けるといった特徴がある。具体的には、ガード信号の入力波形が図１４（ａ）に示す形状であって、ベースラインの電位がハイレベルの場合、ガード信号の出力波形は図１４（ｂ）に示す形状となる。すなわち、ガード信号の出力波形は、入力波形に比べて、弱く訛った波形となる。一方で、ガード信号の入力波形が図１４（ａ）に示す形状であって、ベースラインの電位がローレベルの場合、ガード信号の出力波形は図１４（ｃ）に示す形状となる。すなわち、ガード信号の出力波形は、入力波形と比べると訛るものの、図１４（ｂ）に示す出力波形と比べると強く訛りの少ない波形となる。

走査線駆動回路ＧＤに供給される各種信号のうち、スタートパルス信号ＳＴＶやイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ４は、タッチ検出期間においては、ベースラインの電位が常にローレベルとなる信号である。一方で、走査線駆動回路ＧＤに供給される各種信号のうち、クロック信号ＣＫＶ４は、４ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とが交互に繰り返され、表示期間の電位を保持したままタッチ検出期間に遷移する交流矩形波信号であるので、一度の表示期間における書込みライン数によっては、タッチ検出期間におけるベースラインの電位が変化する可能性のある信号である。

これによれば、第１フレームの所定のタッチ検出期間におけるベースラインの電位と、当該第１フレームの所定のタッチ検出期間に対応する第２フレームのタッチ検出期間におけるベースラインの電位とに差が生じ、ガード信号の出力波形にまで差が生じてしまう可能性がある。これは、本願発明者が検討した所によると、ノイズの要因となり得る事項であり、あまり好ましいことではない。

図１５は、１２０ライン（本）の走査線ＧＬを有するタッチ検出機能付き表示装置であって、一度の表示期間における書込みライン数が１０ライン（本）である表示装置におけるクロック信号ＣＫＶ４の電位の変化を示す図である。なお、ここでは、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位がハイレベルから開始される場合を想定する。また、ここでは、第１および第２フレームが共に１２分割されている場合、つまり、第１および第２フレームには、表示期間およびタッチ検出期間が共に６回ずつ含まれている場合を想定する。

上述したように、クロック信号ＣＫＶ４は、４ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とが交互に繰り返される交流矩形波信号であるので、図１５に示すように、第１フレームの最初の表示期間ＤＰ１１におけるクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。上述したように、クロック信号ＣＫＶ４は、表示期間の電位のままタッチ検出期間に遷移するため、第１フレームの最初の表示期間ＤＰ１１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ１１の電位もまたハイレベルとなる。

同様に、第１フレームの２回目の表示期間ＤＰ１２においてはクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は、図１５に示すように、「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベル」の順に遷移し、最終的な電位はローレベルとなる。このため、第１フレームの２回目の表示期間ＤＰ１２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２の電位もまたローレベルとなる。

以降同様に遷移し、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１１〜ＴＰ１６の各電位は、順に、「（ＴＰ１１）ハイレベル、（ＴＰ１２）ローレベル、（ＴＰ１３）ローレベル、（ＴＰ１４）ハイレベル、（ＴＰ１５）ハイレベル、（ＴＰ１６）ローレベル」となる。

一方で、図１５に示すように、第１フレームの最後のタッチ検出期間ＴＰ１６に続く第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１におけるクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ローレベル、ハイレベル、ローレベル」の順に遷移し、最終的な電位はローレベルとなる。このため、第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ２１の電位もまたローレベルとなる。

同様に、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２においてはクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は、図１５に示すように、「ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２の電位もまたハイレベルとなる。

以降同様に遷移し、第２フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ２１〜ＴＰ２６の各電位は、順に、「（ＴＰ２１）ローレベル、（ＴＰ２２）ハイレベル、（ＴＰ２３）ハイレベル、（ＴＰ２４）ローレベル、（ＴＰ２５）ローレベル、（ＴＰ２６）ハイレベル」となる。

つまり、第１フレームに含まれる最初のタッチ検出期間ＴＰ１１の電位と、これに対応する第２フレームの最初のタッチ検出期間ＴＰ２１の電位とは「不一致」となる。また、第１フレームに含まれる２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２の電位と、これに対応する第２フレームの２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２の電位ともまた「不一致」となる。同様に、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１３〜ＴＰ１６の電位と、これらに各々対応する第２フレームのタッチ検出期間ＴＰ２３〜ＴＰ２６の電位ともまた各々「不一致」となる。

これによれば、第１フレームと第２フレームとの間でベースラインの電位に差が生じてしまうので、上述したように、ガード信号の出力波形にまで差が生じてしまう可能性がある。これは、ノイズの要因となり得る事項であり、あまり好ましいことではない。

［第１実施例］
そこで、本実施形態では、一度の表示期間における書込みライン数を一律８ラインに調整する。この場合の様子を図１６に示す。図１６は、図１５の場合と同様に、１２０ラインの走査線ＧＬを有するタッチ検出機能付き表示装置であって、一度の表示期間における書込みライン数が８ラインである表示装置におけるクロック信号ＣＫＶ４の電位の変化を示す図である。なお、ここでは図１５の場合と同様に、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位がハイレベルから開始される場合を想定する。

上述したように、クロック信号ＣＫＶ４は、４ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とが交互に繰り返される交流矩形波信号であるので、図１６に示すように、第１フレームの最初の表示期間ＤＰ１１におけるクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。上述したように、クロック信号ＣＫＶ４は、表示期間の電位のままタッチ検出期間に遷移するため、第１フレームの最初の表示期間ＤＰ１１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ１１の電位もまたハイレベルとなる。

同様に、第１フレームの２回目の表示期間ＤＰ１２においてはクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は、図１６に示すように、「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第１フレームの２回目の表示期間ＤＰ１２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２の電位もまたハイレベルとなる。

以降同様に遷移し、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１１〜ＴＰ１６の各電位は、順に、「（ＴＰ１１）ハイレベル、（ＴＰ１２）ハイレベル、（ＴＰ１３）ハイレベル、（ＴＰ１４）ハイレベル、（ＴＰ１５）ハイレベル、（ＴＰ１６）ハイレベル」、つまり全てハイレベルとなる。

一方で、図１６に示すように、第１フレームの最後のタッチ検出期間ＴＰ１６に続く第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１におけるクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ２１の電位もまたハイレベルとなる。

同様に、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２においてはクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は、図１６に示すように、「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２の電位もまたハイレベルとなる。

以降同様に遷移し、第２フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ２１〜ＴＰ２６の各電位は、順に、「（ＴＰ２１）ハイレベル、（ＴＰ２２）ハイレベル、（ＴＰ２３）ハイレベル、（ＴＰ２４）ハイレベル、（ＴＰ２５）ハイレベル、（ＴＰ２６）ハイレベル」、つまり全てハイレベルとなる。

但し、ここでは、表示期間およびタッチ検出期間が、各フレームに６回ずつ含まれている場合を想定しているので、第１および第２フレームでは、１２０ラインの走査線ＧＬのうちの９６ライン（＝８（ライン）×６（回）×２）の走査線ＧＬに対して走査信号が供給される。このため、残りの２４ラインの走査線ＧＬに対しては、図１６に示すように、第２フレームが終了した後に設けられる表示期間において走査信号が順次供給される。なお、ここでは、上述したように表示期間およびタッチ検出期間が、各フレームに６回ずつ含まれている場合を想定したが、各フレームに含まれる表示期間およびタッチ検出期間の数はこれに限定されない。例えば、表示期間およびタッチ検出期間は、各フレームに７回ずつ含まれているとしても良い（換言すると、１４分割であっても良い）。この場合、第１および第２フレームでは、１２０ラインの走査線ＧＬのうちの１１２ライン（＝８（ライン）×７（回）×２）の走査線ＧＬに対して走査信号が供給され、第２フレームが終了した後に別途設けられる表示期間において残りの８ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給される。

以上説明した図１６の場合によれば、一度の表示期間における書込みライン数を全て同じ８の倍数にすることによって、第１フレームに含まれる最初のタッチ検出期間ＴＰ１１のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの最初のタッチ検出期間ＴＰ２１のベースラインの電位とは「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１１、ＴＰ２１のベースラインの電位は共にハイレベル）。また、第１フレームに含まれる２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２のベースラインの電位ともまた「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１２、ＴＰ２２のベースラインの電位は共にハイレベル）。同様に、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１３〜ＴＰ１６のベースラインの電位と、これらに各々対応する第２フレームのタッチ検出期間ＴＰ２３〜ＴＰ２６のベースラインの電位ともまた各々「一致」する。

つまり、第１フレームと第２フレームとの間でベースラインの電位に差が生じてしまうことを防ぐことができ、ガード信号の出力波形にまで差が生じてしまう可能性を低減させることができる。つまり、ノイズの発生を低減させることができる。
また、図１６に示す場合によれば、一度の表示期間における書込みライン数を一律同じにし、第２フレームの最後に別途設けられる表示期間において残りの走査線ＧＬに対して走査信号を供給するので、例えば走査線ＧＬの数が１２０ラインでない、第１および第２フレームが共に１２分割でない、等の場合であっても、同様に動作可能であるという利点を得ることができる。

［第２実施例］
図１７は、図１５および図１６の場合と同様に１２０ラインの走査線ＧＬを有するタッチ検出機能付き表示装置であって、第１フレームにおいては一度の表示期間における書込みライン数が一律８ラインであって、第２フレームにおいては一度の表示期間における書込みライン数が８ラインまたは１６ラインである表示装置におけるクロック信号ＣＫＶ４の電位の変化を示す図である。なお、ここでも図１５および図１６の場合と同様に、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位がハイレベルから開始される場合を想定する。また、ここでも図１５および図１６の場合と同様に、第１および第２フレームが共に１２分割されている場合、つまり、第１および第２フレームには、表示期間およびタッチ検出期間が共に６回ずつ含まれている場合を想定する。

第１フレームにおいては、上述した図１６の場合と同様であるので、ここではその詳しい説明を省略する。つまり、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１１〜ＴＰ１６の各電位は、順に「（ＴＰ１１）ハイレベル、（ＴＰ１２）ハイレベル、（ＴＰ１３）ハイレベル、（ＴＰ１４）ハイレベル、（ＴＰ１５）ハイレベル、（ＴＰ１６）ハイレベル」、つまり全てハイレベルとなる。

一方で、図１７に示すように、第１フレームの最後のタッチ検出期間ＴＰ１６に続く第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１においては８ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ２１の電位もまたハイレベルとなる。

また、第２フレームに含まれる２回目の表示期間ＤＰ２２と、３回目の表示期間ＤＰ２３とにおいても、最初の表示期間ＤＰ２１と同様に８ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は共に「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２と、表示期間ＤＰ２３に続く３回目のタッチ検出期間ＴＰ２３との電位もまたハイレベルとなる。

さらに、第２フレームに含まれる３回目のタッチ検出期間ＴＰ２３に続く４回目の表示期間ＤＰ２４においては１６ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの４回目の表示期間ＤＰ２４に続く４回目のタッチ検出期間ＴＰ２４の電位もまたハイレベルとなる。

また、第２フレームに含まれる５回目の表示期間ＤＰ２５と、６回目の表示期間ＤＰ２６とにおいても、４回目の表示期間ＤＰ２４と同様に１６ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は共に「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの５回目の表示期間ＤＰ２５に続く５回目のタッチ検出期間ＴＰ２５と、表示期間ＤＰ２６に続く６回目のタッチ検出期間ＴＰ２６との電位もまたハイレベルとなる。

以上のように、第２フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ２１〜ＴＰ２６の各電位は、順に「（ＴＰ２１）ハイレベル、（ＴＰ２２）ハイレベル、（ＴＰ２３）ハイレベル、（ＴＰ２４）ハイレベル、（ＴＰ２５）ハイレベル、（ＴＰ２６）ハイレベル」、つまり全てハイレベルとなる。

以上説明した図１７の場合によれば、一度の表示期間における書込みライン数を全て８の倍数にすることによって、第１フレームに含まれる最初のタッチ検出期間ＴＰ１１のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの最初のタッチ検出期間ＴＰ２１のベースラインの電位とは「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１１、ＴＰ２１のベースラインの電位は共にハイレベル）。また、第１フレームに含まれる２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２のベースラインの電位ともまた「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１２、ＴＰ２２のベースラインの電位は共にハイレベル）。同様に、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１３〜ＴＰ１６のベースラインの電位と、これらに各々対応する第２フレームのタッチ検出期間ＴＰ２３〜ＴＰ２６のベースラインの電位ともまた各々「一致」する。

したがって、図１７に示す場合においても、第１フレームと第２フレームとの間でベースラインの電位に差が生じてしまうことを防ぐことができ、ガード信号の出力波形にまで差が生じてしまう可能性を低減させることができる。つまり、ノイズの発生を低減させることができる。
また、図１７に示す場合によれば、一度の表示期間における書込みライン数を一律同じにしている訳ではないので、図１６に示した場合とは異なり、第２フレームの最後に別途表示期間を設ける必要がないという利点を得ることができる。

［第３実施例］
図１８は、図１５〜図１７の場合と同様に１２０ラインの走査線ＧＬを有するタッチ検出機能付き表示装置であって、第１フレームにおいては一度の表示期間における書込みライン数が４ラインまたは１２ラインであって、第２フレームにおいては一度の表示期間における書き込みライン数が一律１２ラインである表示装置におけるクロック信号ＣＫＶ４の電位の変化を示す図である。なお、ここでも図１５〜図１７の場合と同様に、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位がハイレベルから開始される場合を想定する。また、ここでも図１５〜図１７の場合と同様に、第１および第２フレームが共に１２分割されている場合、つまり、第１および第２フレームには、表示期間およびタッチ検出期間が共に６回ずつ含まれている場合を想定する。なお、本実施例は、第１および第２フレームが偶数分割されている場合に適用可能である。

図１８に示すように、第１フレームに含まれる最初の表示期間ＤＰ１１においては４ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル」の順に遷移し、最終的な電位はローレベルとなる。このため、第１フレームの最初の表示期間ＤＰ１１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ１１の電位もまたハイレベルとなる。

また、第１フレームに含まれる２回目の表示期間ＤＰ１２と、３回目の表示期間ＤＰ１３とにおいても、図１８に示すように、最初の表示期間ＤＰ１１と同様に４ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は各々「（ＤＰ１２）ローレベル、ハイレベル」と、「（ＤＰ１３）ハイレベル、ローレベル」との順に遷移する。つまり、最終的な電位は、表示期間ＤＰ１２はハイレベルとなり、表示期間ＤＰ１３はローレベルとなる。このため、第１フレームに含まれる２回目の表示期間ＤＰ１２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２の電位はハイレベルとなり、表示期間ＤＰ１３に続く３回目のタッチ検出期間ＴＰ１３の電位はローレベルとなる。

さらに、第１フレームに含まれる３回目のタッチ検出期間ＴＰ１３に続く４回目の表示期間ＤＰ１４においては、図１８に示すように、１２ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移する。つまり、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第１フレームに含まれる４回目の表示期間ＤＰ１４に続く４回目のタッチ検出期間ＴＰ１４の電位はハイレベルとなる。

また、第１フレームに含まれる５回目の表示期間ＤＰ１５と、６回目の表示期間ＤＰ１６とにおいても、図１８に示すように、４回目の表示期間ＤＰ１４と同様に１２ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は各々「（ＤＰ１５）ハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベル」と、「（ＤＰ１６）ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」との順に遷移する。つまり、最終的な電位は、表示期間ＤＰ１５はローレベルとなり、表示期間ＤＰ１６はハイレベルとなる。このため、第１フレームに含まれる５回目の表示期間ＤＰ１５に続く５回目のタッチ検出期間ＴＰ１５の電位はローレベルとなり、表示期間ＤＰ１６に続く６回目のタッチ検出期間ＴＰ１６の電位はハイレベルとなる。

以上のように、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１１〜ＴＰ１６の各電位は、順に「（ＴＰ１１）ローレベル、（ＴＰ１２）ハイレベル、（ＴＰ１３）ローレベル、（ＴＰ１４）ハイレベル、（ＴＰ１５）ローレベル、（ＴＰ１６）ハイレベル」となる。

一方で、図１８に示すように、第１フレームの最後のタッチ検出期間ＴＰ１６に続く第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１においては１２ラインの走査線ＧＬに対して走査信号が順次供給され、クロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は「ハイレベル、ローレベル、ハイレベル、ローレベル」の順に遷移し、最終的な電位はローレベルとなる。このため、第２フレームの最初の表示期間ＤＰ２１に続く最初のタッチ検出期間ＴＰ２１の電位もまたローレベルとなる。

同様に、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２においてはクロック信号ＣＫＶ４のベースラインの電位は、図１８に示すように、「ローレベル、ハイレベル、ローレベル、ハイレベル」の順に遷移し、最終的な電位はハイレベルとなる。このため、第２フレームの２回目の表示期間ＤＰ２２に続く２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２の電位もまたハイレベルとなる。

以降においても順に遷移し、第２フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ２１〜ＴＰ２６の各電位は、順に「（ＴＰ２１）ローレベル、（ＴＰ２２）ハイレベル、（ＴＰ２３）ローレベル、（ＴＰ２４）ハイレベル、（ＴＰ２５）ローレベル、（ＴＰ２６）ハイレベル」となる。

以上説明した図１８の場合によれば、一度の表示期間における書込みライン数を全て４の倍数であって、８の倍数でない数にすることによって、第１フレームに含まれる最初のタッチ検出期間ＴＰ１１のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの最初のタッチ検出期間ＴＰ２１のベースラインの電位とは「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１１、ＴＰ２１のベースラインの電位は共にローレベル）。また、第１フレームに含まれる２回目のタッチ検出期間ＴＰ１２のベースラインの電位と、これに対応する第２フレームの２回目のタッチ検出期間ＴＰ２２のベースラインの電位ともまた「一致」する（上述したように、タッチ検出期間ＴＰ１２、ＴＰ２２のベースラインの電位は共にハイレベル）。同様に、第１フレームに含まれるタッチ検出期間ＴＰ１３〜ＴＰ１６のベースラインの電位と、これらに各々対応する第２フレームのタッチ検出期間ＴＰ２３〜ＴＰ２６のベースラインの電位ともまた各々「一致」する。

したがって、図１８に示す場合においても、第１フレームと第２フレームとの間でベースラインの電位に差が生じてしまうことを防ぐことができ、ガード信号の出力波形にまで差が生じてしまう可能性を低減させることができる。つまり、ノイズの発生を低減させることができる。
また、図１８に示す場合においては、図１７に示した場合と同様に、一度の表示期間における書込みライン数を一律同じにしている訳ではないので、第２フレームの最後に別途表示期間を設ける必要がないという利点を得ることができる。

なお、本実施形態では、走査線ＧＬの数が１２０ラインである場合を想定して説明したが、走査線ＧＬの数はこれに限定されず、任意のライン数であっても良い。また、本実施形態では、クロック信号が４ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とを交互に繰り返す交流矩形波信号であるとしたが、これに限定されず、クロック信号はＮ（但し正の整数）ライン毎にハイレベルの電位とローレベルの電位とを交互に繰り返す交流矩形波信号であっても良い。

以上説明した一実施形態によれば、自己容量方式による駆動電極の駆動時における規制容量を軽減することができる表示装置を提供することが可能となる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

ＣＫＶ４…クロック信号、ＤＲＣ…ドライバチップ、ＥＮ１〜ＥＮ４…イネーブル信号、ＧＤ…ゲート駆動回路、ＧＬ…ゲート線、ＳＲ…シフトレジスタ、ＳＴＶ…スタートパルス信号、ＳＷＧ…ゲート選択スイッチ群、Ｗ１１〜Ｗ１４…配線。

Claims (8)

1. 基板上に２次元的に配列された複数の電極を備える表示部と、
   前記複数の電極のうちの選択された電極にタッチ検出のための駆動信号を供給し、前記選択された電極からの信号を受信すると共に、非選択の複数の電極に対して寄生容量を減らすためのガード信号を出力するタッチ検出回路と、
   前記表示部に延在する複数の走査線に対して走査信号を供給する走査線駆動回路と
   を具備し、
   画像の表示のために前記複数の走査線に対して前記走査信号が供給される表示期間と、前記複数の電極を用いたセンシングに係るタッチ検出期間とからなる１フレーム期間は、第１および第２フレームを含み、
   前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記走査信号が供給される走査線の数は、前記第１フレームに含まれるタッチ検出期間の電位と、前記第２フレームに含まれるタッチ検出期間の電位とが一致するように調整される、表示装置。
2. 前記第１および第２フレームは、複数の表示期間と複数のタッチ検出期間とを含み、前記表示期間と前記タッチ検出期間とは交互に繰り返される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１および第２フレームに含まれる各タッチ検出期間の電位は、直前の表示期間の電位と同一である、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記走査信号が供給される走査線の数は、全て同一の８の倍数になるよう調整され、
   前記走査線駆動回路は、
   前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記調整された８の倍数分の走査線に対して前記走査信号を供給し、かつ前記第２フレームの最後に別途設けられる表示期間にて残りの走査線に対して前記走査信号を供給する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１および第２フレームに含まれる表示期間中に前記走査信号が供給される走査線の数は、８の倍数であるｘ、または８の倍数であり、前記ｘとは異なるｙになるよう調整され、
   前記走査線駆動回路は、
   前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記ｘ本または前記ｙ本の走査線に対して前記走査信号を供給する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１および第２フレームに含まれる表示期間中に前記走査信号が供給される走査線の数は、４の倍数であって８の倍数でないＸ、または４の倍数であり８の倍数でない数であって、前記Ｘとは異なるＹになるよう調整され、
   前記走査線駆動回路は、
   前記第１および第２フレームに含まれる各表示期間中に前記Ｘ本または前記Ｙ本の走査線に対して前記走査信号を供給する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記走査線駆動回路は、
   制御信号を出力可能なドライバチップと接続され、
   前記ドライバチップから出力される前記制御信号の一つであるクロック信号は、走査線４本毎に、ハイレベルの電位とローレベルの電位とを交互に繰り返す交流矩形波信号である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記走査線駆動回路は、
   前記ドライバチップから出力される前記制御信号の一つであるスタートパルス信号の入力を受けると動作を開始する、請求項７に記載の表示装置。

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