JP2019203694A - 半導体ウエーハのx線測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハに対してX線測定が可能なX線測定方法を提供する。【解決手段】規格外大形半導体ウエーハWを移動できる範囲で試料ステージ40を移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する。その後、搬送装置60により、規格外大形半導体ウエーハを試料ステージから方向調整装置50まで搬送し、方向調整装置によって、規格外大形半導体ウエーハをあらかじめ設定した回転角度だけ回転する。そして、搬送装置により、規格外大形半導体ウエーハを再び試料ステージへ搬送して、あらかじめ設定した回転角度だけ回転した状態で当該試料ステージへ配置し、同様にX線測定を実施する。【選択図】図1
Description
この発明は、X線を用いた半導体ウエーハの測定方法に関し、特に測定対象となる半導体ウエーハの測定可能サイズが仕様によりあらかじめ規定されたX線測定装置を利用して実施するX線測定方法の改良に関する。
X線を用いて半導体ウエーハを測定するX線測定装置は、従来から広く知られている(例えば、特許文献1参照)。それらのX線測定装置は、あらかじめ測定対象となる半導体ウエーハのサイズが仕様によって規定されている。したがって、既存のX線測定装置に規定されたサイズを超える半導体ウエーハを測定対象としたい場合は、その半導体ウエーハを測定できるX線測定装置を新たに導入する必要があった。
しかし、X線測定装置は高価格であり、設備コストの観点から簡単に新規の装置を導入できない事情もあり、既存のX線測定装置で、あらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを測定することができる方法の開発が望まれていた。
本発明は上述した事情に鑑みなされたもので、X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを測定することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のX線測定方法は、
測定対象となる半導体ウエーハの向きを回転調整する方向調整装置と、方向調整装置から半導体ウエーハを搬出して試料ステージへ配置する搬送装置と、試料ステージに配置された半導体ウエーハの表面にX線を照射するX線源と、半導体ウエーハから現れたX線を検出するX線検出器と、を備えたX線測定装置を利用し、
X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを、試料ステージに配置して、X線測定を実施することを特徴とする。
測定対象となる半導体ウエーハの向きを回転調整する方向調整装置と、方向調整装置から半導体ウエーハを搬出して試料ステージへ配置する搬送装置と、試料ステージに配置された半導体ウエーハの表面にX線を照射するX線源と、半導体ウエーハから現れたX線を検出するX線検出器と、を備えたX線測定装置を利用し、
X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを、試料ステージに配置して、X線測定を実施することを特徴とする。
また、本発明のX線測定方法は、
規格外大形半導体ウエーハのあらかじめ設定した被測定部位に対し、X線を照射してX線測定を実施し、
次いで、規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する方法とすることもできる。
規格外大形半導体ウエーハのあらかじめ設定した被測定部位に対し、X線を照射してX線測定を実施し、
次いで、規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する方法とすることもできる。
さらに、本発明のX線測定方法は、
規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施し、
その後、搬送装置により、規格外大形半導体ウエーハを試料ステージから方向調整装置まで搬送し、
方向調整装置によって、規格外大形半導体ウエーハをあらかじめ設定した回転角度だけ回転し、
次に、搬送装置により、規格外大形半導体ウエーハを再び試料ステージへ搬送して、あらかじめ設定した回転角度だけ回転した状態で当該試料ステージへ配置し、
続いて、規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する方法とすることもできる。
規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施し、
その後、搬送装置により、規格外大形半導体ウエーハを試料ステージから方向調整装置まで搬送し、
方向調整装置によって、規格外大形半導体ウエーハをあらかじめ設定した回転角度だけ回転し、
次に、搬送装置により、規格外大形半導体ウエーハを再び試料ステージへ搬送して、あらかじめ設定した回転角度だけ回転した状態で当該試料ステージへ配置し、
続いて、規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する方法とすることもできる。
上述した本発明のX線測定方法によれば、X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを測定することが可能となる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
〔第1実施形態〕
図1は本発明の各実施形態に係るX線測定方法の実施に用いられるX線測定装置の概要を示す平面図である。
X線測定装置は、ゴニオメータ10の第1旋回アーム11に搭載されたX線源20と、第2旋回アーム12に搭載されたX線検出器30を備えている。X線源20とX線検出器30に挟まれた位置には試料ステージ40が設けてあり、この試料ステージ40の上面に測定対象となる半導体ウエーハWが配置される。測定点Pは、試料ステージ40の上面における所定位置にあらかじめ設定してあり、試料ステージ40の上面に配置された半導体ウエーハWに対し、その測定点PにX線源20からX線を照射するとともに、半導体ウエーハWの表面から反射してきたX線をX線検出器30で検出する構成となっている。
〔第1実施形態〕
図1は本発明の各実施形態に係るX線測定方法の実施に用いられるX線測定装置の概要を示す平面図である。
X線測定装置は、ゴニオメータ10の第1旋回アーム11に搭載されたX線源20と、第2旋回アーム12に搭載されたX線検出器30を備えている。X線源20とX線検出器30に挟まれた位置には試料ステージ40が設けてあり、この試料ステージ40の上面に測定対象となる半導体ウエーハWが配置される。測定点Pは、試料ステージ40の上面における所定位置にあらかじめ設定してあり、試料ステージ40の上面に配置された半導体ウエーハWに対し、その測定点PにX線源20からX線を照射するとともに、半導体ウエーハWの表面から反射してきたX線をX線検出器30で検出する構成となっている。
半導体ウエーハWに対するX線測定の種類には、例えば、X線回折測定、蛍光X線測定、X線反射率測定、ロッキングカーブ測定、逆格子マップ測定などがある。
半導体ウエーハWは、方向調整装置50(アライナともいう)によりオリフラ又はノッチを基準とする向きが回転調整され、その後に搬送装置60により搬送されて、試料ステージ40の上面に配置される。
試料ステージ40は、水平面上で横方向(X方向)と前後方向(Y方向)へ移動できるとともに、面内回転(φ回転)もできる構成となっている。これらの移動や面内回転により、上面に配置された半導体ウエーハWにおける任意の部位(被測定部位)を測定点Pに位置決めして、その被測定部位に対するX線測定が実施される。
試料ステージ40は、水平面上で横方向(X方向)と前後方向(Y方向)へ移動できるとともに、面内回転(φ回転)もできる構成となっている。これらの移動や面内回転により、上面に配置された半導体ウエーハWにおける任意の部位(被測定部位)を測定点Pに位置決めして、その被測定部位に対するX線測定が実施される。
しかし、X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハWを試料ステージ40に配置した場合は、当該半導体ウエーハWの一部が試料ステージ40からはみ出してしまい、試料ステージ40の水平移動や面内回転に伴い、その周囲にある各種の部材と衝突(干渉)するおそれがある。
そこで、本実施形態に係るX線測定方法は、次の手順をもって規格外大形半導体ウエーハWに対するX線測定を実現している。
図2及び図3(a)(b)は本実施形態に係るX線測定方法を説明するための平面図である。
本実施形態に係るX線測定方法によれば、例えば、6インチまでの半導体ウエーハWを測定できるX線測定装置を利用して、8インチの半導体ウエーハWに対しX線測定を実施することが可能となる。
図2及び図3(a)(b)は本実施形態に係るX線測定方法を説明するための平面図である。
本実施形態に係るX線測定方法によれば、例えば、6インチまでの半導体ウエーハWを測定できるX線測定装置を利用して、8インチの半導体ウエーハWに対しX線測定を実施することが可能となる。
本実施形態では、例えば、図2に示すように、規格外大形半導体ウエーハWの表面における9箇所の被測定部位S1〜S9に対してX線測定を実施する。
そのために、図3(a)に示すように、規格外大形半導体ウエーハWの表面を適宜の領域に分割し、試料ステージ40の移動をもって測定可能な測定領域を決めておく。同図(a)では、規格外大形半導体ウエーハWの表面を4分割し、そのうちの1/4を測定領域H1としてある。この測定領域H1の境界線上に被測定部位S1〜S5が存在する。
この測定領域H1を、試料ステージ40の水平面上での移動可能範囲M内に配置する。図3(a)では、試料ステージ40の水平面上での移動可能範囲Mにおける中心(移動原点Os)に測定点Pを位置決めしてある。試料ステージ40は、移動原点Osを中心として、左右方向にそれぞれX0の距離を移動でき、前後方向にもそれぞれY0の距離だけ移動することができる。
この状態で、試料ステージ40を移動させて、測定領域H1の境界線上にある被測定部位S1〜S5を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S1〜S5に対して、X線測定を実施していく。
次に、試料ステージ40に配置してある規格外大形半導体ウエーハWを、搬送装置60によって取り出し、方向調整装置50まで搬送して同装置に装填する。そして、方向調整装置50によって、規格外大形半導体ウエーハWをあらかじめ設定した回転角度だけ回転して、向きを変更する。その後に、搬送装置60により、規格外大形半導体ウエーハWを再び試料ステージ40へ搬送して、あらかじめ設定した回転角度だけ回転した状態で試料ステージ40へ配置する。
例えば、方向調整装置50により規格外大形半導体ウエーハWを180゜回転して、図3(b)に示すように、測定領域H1の対角線上にある別の測定領域H2を、試料ステージ40の水平面上での移動可能範囲M内に配置する。この測定領域H2の境界線上に被測定部位S6〜S9が存在する。
この状態で、試料ステージ40を移動させて、測定領域H2の境界線上にある被測定部位S6〜S9を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S6〜S9に対して、X線測定を実施していく。
このようにして、図2に示した規格外大形半導体ウエーハWの表面における9箇所の被測定部位S1〜S9に対し、X線測定が完了する。
なお、上述したS1〜S9以外であっても、各測定領域H1、H2の内部にある任意の部位を被測定部位に設定して、X線測定を実施することができる。ただし、試料ステージ40の周囲に存在する各種部材と干渉しないことが条件となる。
このようにして、図2に示した規格外大形半導体ウエーハWの表面における9箇所の被測定部位S1〜S9に対し、X線測定が完了する。
なお、上述したS1〜S9以外であっても、各測定領域H1、H2の内部にある任意の部位を被測定部位に設定して、X線測定を実施することができる。ただし、試料ステージ40の周囲に存在する各種部材と干渉しないことが条件となる。
〔第2実施形態〕
図4〜図7は本発明の第2実施形態に係るX線測定方法を説明するための平面図である。
試料ステージ40の周囲にある各種部材との距離が近く、試料ステージ40を大きく移動できない場合は、測定領域をさらに細かく分割して、試料ステージ40の少ない移動で、あらかじめ設定した被測定部位に対するX線測定を実施できるようにする。
図4〜図7は本発明の第2実施形態に係るX線測定方法を説明するための平面図である。
試料ステージ40の周囲にある各種部材との距離が近く、試料ステージ40を大きく移動できない場合は、測定領域をさらに細かく分割して、試料ステージ40の少ない移動で、あらかじめ設定した被測定部位に対するX線測定を実施できるようにする。
例えば、図4〜図6に示すように、測定領域H1をさらに小さな測定領域H1a(長さLa、幅Daの矩形領域)、測定領域H1b(長さLb、幅Dbの矩形領域)、H1c(長さLc、幅Dcの矩形領域)に分割する。
そして、試料ステージ40を移動させて、まず測定領域H1aの境界線上にある被測定部位S1〜S3を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S1〜S3に対して、X線測定を実施していく。
そして、試料ステージ40を移動させて、まず測定領域H1aの境界線上にある被測定部位S1〜S3を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S1〜S3に対して、X線測定を実施していく。
次に、試料ステージ40を90゜の角度だけ図5の時計方向に面内回転(φ回転)させ、同図に示す向きに規格外大形半導体ウエーハWを配置する。
そして、試料ステージ40を移動させて、測定領域H1bの境界線上にある被測定部位S4とS5を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S4とS5に対して、X線測定を実施していく。
そして、試料ステージ40を移動させて、測定領域H1bの境界線上にある被測定部位S4とS5を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S4とS5に対して、X線測定を実施していく。
続いて、試料ステージ40を45゜の角度だけ図6の反時計方向に面内回転(φ回転)させ、同図に示す向きに規格外大形半導体ウエーハWを配置する。
そして、試料ステージ40を移動させて、測定領域H1cの内部にある被測定部位S6とS7を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S6とS7に対して、X線測定を実施していく。
このようにして、規格外大形半導体ウエーハWの表面における7箇所の被測定部位S1〜S7に対し、X線測定が完了する。
なお、被測定部位S7は、測定領域H1a又はH1bの内部にも含まれるため、それらの測定領域H1a又はH1bにおいて、X線測定を実施することもできる。
また、上述したS1〜S7以外であっても、各測定領域H1a、H1b、H1cの内部にある任意の部位を被測定部位に設定して、X線測定を実施することができる。ただし、試料ステージ40の周囲に存在する各種部材と干渉しないことが条件となる。
そして、試料ステージ40を移動させて、測定領域H1cの内部にある被測定部位S6とS7を、順番に測定点Pへ位置決めし、各々の被測定部位S6とS7に対して、X線測定を実施していく。
このようにして、規格外大形半導体ウエーハWの表面における7箇所の被測定部位S1〜S7に対し、X線測定が完了する。
なお、被測定部位S7は、測定領域H1a又はH1bの内部にも含まれるため、それらの測定領域H1a又はH1bにおいて、X線測定を実施することもできる。
また、上述したS1〜S7以外であっても、各測定領域H1a、H1b、H1cの内部にある任意の部位を被測定部位に設定して、X線測定を実施することができる。ただし、試料ステージ40の周囲に存在する各種部材と干渉しないことが条件となる。
また、試料ステージ40に配置してある規格外大形半導体ウエーハWを、搬送装置60によって方向調整装置50まで搬送し、方向調整装置50によって向きを変更して、その向きで再び試料ステージ40へ配置することで、例えば、図7に示す新たな測定領域H2に対して、上述したと同様に小さな測定領域に分割してX線測定を実施することも可能である。この手順を繰り返すことで、規格外大形半導体ウエーハWの全領域に対してX線測定を実施することも可能となる。
10:ゴニオメータ、
11:第1旋回アーム、
12:第2旋回アーム、
20:X線源、
30:X線検出器、
40:試料ステージ、
50:方向調整装置、
60:搬送装置
11:第1旋回アーム、
12:第2旋回アーム、
20:X線源、
30:X線検出器、
40:試料ステージ、
50:方向調整装置、
60:搬送装置
Claims (3)
- 測定対象となる半導体ウエーハの向きを回転調整する方向調整装置と、方向調整装置から前記半導体ウエーハを搬出して試料ステージへ配置する搬送装置と、前記試料ステージに配置された半導体ウエーハの表面にX線を照射するX線源と、前記半導体ウエーハから現れたX線を検出するX線検出器と、を備えたX線測定装置を利用し、
前記X線測定装置の仕様によりあらかじめ規定された測定可能サイズよりも大きい規格外大形半導体ウエーハを、前記試料ステージに配置して、X線測定を実施する半導体ウエーハのX線測定方法。 - 前記規格外大形半導体ウエーハのあらかじめ設定した被測定部位に対し、X線を照射してX線測定を実施し、
次いで、前記規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で前記試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する請求項1に記載した半導体ウエーハのX線測定方法。 - 前記規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で前記試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施し、
その後、前記搬送装置により、前記規格外大形半導体ウエーハを前記試料ステージから前記方向調整装置まで搬送し、
前記方向調整装置によって、前記規格外大形半導体ウエーハをあらかじめ設定した回転角度だけ回転し、
次に、前記搬送装置により、前記規格外大形半導体ウエーハを再び前記試料ステージへ搬送して、前記あらかじめ設定した回転角度だけ回転した状態で当該試料ステージへ配置し、
続いて、前記規格外大形半導体ウエーハを移動できる範囲で前記試料ステージを移動又は面内回転させることにより、当該規格外大形半導体ウエーハの被測定部位を変更し、その変更した被測定部位にX線を照射してX線測定を実施する請求項1に記載した半導体ウエーハのX線測定方法。
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---|---|---|---|
JP2018096763A JP2019203694A (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 半導体ウエーハのx線測定方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023243197A1 (ja) * | 2022-06-13 | 2023-12-21 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析装置 |
-
2018
- 2018-05-21 JP JP2018096763A patent/JP2019203694A/ja active Pending
Cited By (2)
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WO2023243197A1 (ja) * | 2022-06-13 | 2023-12-21 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析装置 |
JP7458658B2 (ja) | 2022-06-13 | 2024-04-01 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析装置 |
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