CN116721960B - 一种晶圆位置校准方法及设备 - Google Patents
一种晶圆位置校准方法及设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116721960B CN116721960B CN202311011509.1A CN202311011509A CN116721960B CN 116721960 B CN116721960 B CN 116721960B CN 202311011509 A CN202311011509 A CN 202311011509A CN 116721960 B CN116721960 B CN 116721960B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- ultrasonic
- blocked
- offset
- controlling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 305
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请提供一种晶圆位置校准方法及设备,晶圆放置于晶圆载台,方法包括:控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,由于超声波发生器、超声波接收器和晶圆部分交叠,因此第一声波具有未被晶圆阻挡的部分,可以控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,就可以根据偏移方向和偏移值定位晶圆在晶圆载台上的位置,实现利用超声波对晶圆的精准定位。在对晶圆定位之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,对机械手臂抓取晶圆的位置进行校准,从而实现晶圆在传输过程中进行稳定且高精度的定位和校准。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种晶圆位置校准方法及设备。
背景技术
在半导体集成电路的制造工艺中,晶圆在多个腔室之间的传输需要通过机械手臂。例如,进行晶圆的抓取,并将晶圆运输到下一工艺制程的加工机台上。为保证工艺制程中工艺数据的统一和稳定性,会要求晶圆在加工机台的位置和方位保持一致。这就要求晶圆在传输过程中需要进行稳定且高精度的定位和校准。
因此,现在亟需一种晶圆位置校准方法。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种晶圆位置校准方法及设备,能够提高晶圆位置校准的准确率,实现晶圆位置精准定位和校准。
本申请提供了一种晶圆位置校准方法,晶圆放置于晶圆载台,超声波发生器和超声波接收器相对设置,在垂直于所述晶圆所在平面的方向上,所述超声波发生器和所述晶圆部分交叠;
所述方法包括:
控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波;
根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值;
控制机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息。
可选地,所述位置信息包括所述机械手臂的中心位置,所述控制所述机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息包括:
控制所述机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的中心位置,以控制所述机械手臂和所述晶圆的中心位置重合。
可选地,所述根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值包括:
根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到声波面积;
根据所述声波面积确定所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值。
可选地,所述方法还包括:
旋转所述晶圆载台以旋转所述晶圆;
所述控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波包括:
在晶圆旋转的过程中,控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波。
可选地,所述晶圆包括边缘缺口位置和边缘切边位置;
所述方法还包括:
从所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波中确定声波特征点,所述声波特征点为所述第一声波经过所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的声波特征;
根据所述声波特征点确定所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的当前方向,并将所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
本申请提供了一种晶圆位置校准设备,所述设备包括晶圆载台、超声波发生器、超声波接收器、控制器和处理器;
所述晶圆载台用于放置晶圆,所述超声波发生器和所述超声波接收器相对设置,在垂直于所述晶圆所在平面的方向上,所述超声波发生器和所述晶圆部分交叠;
所述控制器用于控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波;
所述处理器用于根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值;
所述控制器用于控制机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息。
可选地,所述设备还包括校准固定台;
所述超声波发生器和所述超声波接收器设置于所述校准固定台。
可选地,所述校准固定台包括多个位置标记,所述位置标记用于显示不同晶圆尺寸对应的所述超声波发生器和所述超声波接收器的放置位置。
可选地,所述设备还包括载台驱动结构;
所述载台驱动结构用于驱动所述晶圆载台旋转。
可选地,所述晶圆包括边缘缺口位置和边缘切边位置;
所述处理器还用于根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波确定声波特征点,根据所述声波特征点确定所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的当前方向,所述声波特征点为所述第一声波经过所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的声波特征;
所述控制器还用于将所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
本申请提供了一种晶圆位置校准方法,晶圆放置于晶圆载台,超声波发生器和超声波接收器相对设置,在垂直于晶圆所在平面的方向上,超声波发生器和晶圆部分交叠,相应地,超声波接收器也和晶圆部分交叠,这样就方便后续利用超声波发生器和超声波接收器对晶圆的位置进行确定。方法包括:控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,由于超声波发生器、超声波接收器和晶圆部分交叠,因此第一声波具有未被晶圆阻挡的部分,可以控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,就可以根据偏移方向和偏移值定位晶圆在晶圆载台上的位置,实现利用超声波对晶圆的精准定位。在对晶圆定位之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,对机械手臂抓取晶圆的位置进行校准,从而实现晶圆在传输过程中进行稳定且高精度的定位和校准。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了本申请实施例提供的一种晶圆位置校准方法的流程示意图;
图2示出了本申请实施例提供的一种晶圆位置校准设备的侧面结构示意图;
图3示出了本申请实施例提供的一种晶圆位置校准设备的俯视结构示意图;
图4示出了本申请实施例提供的一种晶圆位置校准的信号传输示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请,但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
本申请结合示意图进行详细描述,在详述本申请实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本申请保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
在半导体集成电路的制造工艺中,晶圆在多个腔室之间的传输需要通过机械手臂。例如,进行晶圆的抓取,并将晶圆运输到下一工艺制程的加工机台上。为保证工艺制程中工艺数据的统一和稳定性,会要求晶圆在加工机台的位置和方向保持一致。这就要求晶圆在传输过程中需要进行稳定且高精度的定位和校准。
目前普遍采用的是通过激光光束发射源与激光光束接受源,通过激光光束接受源接收未被晶圆遮挡的光线对晶圆进行定位。也可以采用图像传感器(Charge CoupledDevice,CCD)对晶圆进行定位。但是激光光束接受源和CCD都是依靠光线对晶圆进行定位。在检测透明晶圆时,由于晶圆不能完全阻挡光线,和晶圆交叠的光线也会穿透晶圆对激光光束接受源和CCD接收光线产生干扰,影响对晶圆的定位。以上两种晶圆定位方式对透光度高的晶圆会出现定位和校准错误。这样会导致晶圆在加工机台的位置和方向不统一,从而影响量产工艺结果。如果晶圆定位不准确,还会存在碎片风险。
由于半导体集成电路的生产加工对产能要求非常高,因此晶圆传输的时间和稳定性非常重要,稳定高效的传输系统可保证生产加工的产能需求。透光度较高的晶圆进行定位和校准时,晶圆的透光度会影响光线接收,导致定位和校准失败,进而影响晶圆传输,最终影响半导体集成电路的生产产能。
因此,现在亟需一种晶圆位置校准方法。
基于此,本申请提供了一种晶圆位置校准方法,晶圆放置于晶圆载台,超声波发生器和超声波接收器相对设置,在垂直于晶圆所在平面的方向上,超声波发生器和晶圆部分交叠,相应地,超声波接收器也和晶圆部分交叠,这样就方便后续利用超声波发生器和超声波接收器对晶圆的位置进行确定。方法包括:控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,由于超声波发生器、超声波接收器和晶圆部分交叠,因此第一声波具有未被晶圆阻挡的部分,可以控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,就可以根据偏移方向和偏移值定位晶圆在晶圆载台上的位置,实现利用超声波对晶圆的精准定位。在对晶圆定位之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,对机械手臂抓取晶圆的位置进行校准,从而实现晶圆在传输过程中进行稳定且高精度的定位和校准。
为了更好地理解本申请的技术方案和技术效果,以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
参见图1,该图为本申请实施例提供的一种晶圆位置校准方法的流程示意图。
在本申请的实施例中,参考图2所示,晶圆101可以放置于晶圆载台110上。超声波发生器121和超声波接收器122相对设置,以便超声波发生器121发射的声波能够被超声波接收器122接收。具体的,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121和超声波接收器122的位置可以重合。
参考图3所示,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121和晶圆101部分交叠,由于超声波发生器121和超声波接收器122相对设置,因此,超声波接收器122也和晶圆101部分交叠。也就是说,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,晶圆101设置于超声波发生器121和超声波接收器122之间,晶圆101能够阻挡一部分声波,从而实现利用超声波发生器121和超声波接收器122对晶圆进行定位。
作为一种示例,参考图2所示,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121位于晶圆101的下方,超声波接收器122位于晶圆101的上方,这样声波方向就是由下至上。
本实施例提供的晶圆位置校准方法包括以下步骤:
S101,控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。
在本申请的实施例中,由于晶圆位于超声波发生器和超声波接收器之间,可以控制超声波发生器向晶圆发射第一声波。晶圆和超声波发生器在垂直于晶圆所在平面的方向上部分交叠,也就是第一声波中的一部分被晶圆阻挡,未被晶圆阻挡的第一声波可以被超声波接收器接收。
即使晶圆材质不同,声波也会被不同材质的晶圆阻挡,这样晶圆的透明度较高时,声波依旧会被晶圆阻挡,超声波接收器接收到的声波不会受到晶圆透明度的影响,这样能够辅助后续的晶圆的精准定位和校准。
S102,根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值。
在本申请的实施例中,未被晶圆阻挡的第一声波被超声波接收器接收,可以根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,这样就可以通过偏移方向和偏移值实现对晶圆的定位,即通过偏移方向和偏移值实现对晶圆位置的确定。
具体的,可以根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到声波面积,根据声波面积确定晶圆的中心位置,进而通过对比晶圆的中心位置和晶圆载台的中心位置确定晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值。也就是说,对晶圆的定位是根据超声波接收器接收的未被晶圆阻挡的第一声波计算得到的声波面积进行确定的。
在实际应用中,为实现对晶圆的定位,作为一种可能的实现方式,可以在晶圆的四周都设置超声波发生器和超声波接收器,从而通过未被晶圆阻挡的第一声波确定位于晶圆四周的完整的声波面积,从而通过声波面积确定晶圆的边缘,进而确定晶圆的中心位置,最终确定晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值。
但是在晶圆的四周都设置超声波发生器和超声波接收器可能会不方便后续机械手臂对晶圆的抓取,因此可以仅在晶圆的四周设置少量超声波发生器和少量超声波接收器,此时少量的超声波发生器和少量的超声波接收器不会完全围绕晶圆,留有机械手臂抓取晶圆的空间。少量超声波发生器和少量超声波接收器可以指的是1-2个超声波发生器以及和超声波发生器同数量的超声波接收器。
为实现对晶圆的定位,作为另一种可能的实现方式,可以旋转晶圆载台以旋转晶圆,使得晶圆在旋转的过程中,控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的所述第一声波。这样通过晶圆的旋转就能够实现利用声波对整个晶圆进行扫描,从而通过旋转的晶圆得到晶圆四周的声波面积,无需在晶圆的四周都设置超声波发生器和超声波接收器,只需要设置1个超声波发生器和1个超声波接收器,节省空间,也方便机械手臂抓取晶圆。
S103,控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息。
在本申请的实施例中,在根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,机械手臂在得知晶圆的位置之后,可以根据晶圆的位置对机械手臂在抓取晶圆时的位置进行调整。
具体的,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的中心位置,以控制机械手臂和晶圆的中心位置重合。这样能够保证机械手臂在抓取晶圆时,晶圆在机械手臂的中心,从而保证经过机械手臂传输的晶圆在传输至加工机台的位置相同,实现晶圆在加工机台的位置的一致性。
由此可见,本申请实施例提供的晶圆位置校准方法采用声波这种非光学定位和校准的方式,对不同规格和不同材质的晶圆,例如透光度较高的晶圆,也能够进行精准定位和校准,兼容性和稳定性更高。
在本申请的实施例中,晶圆包括边缘缺口位置(notch)和边缘切边位置(flat),也就是说,晶圆的边缘具有边缘缺口位置和边缘切边位置,边缘缺口位置和边缘切边位置可以作为晶圆方向的标记,通过边缘缺口位置和边缘切边位置的朝向可以确定晶圆的方向,可以将晶圆的边缘缺口位置和边缘切边位置调整至预设方向,从而保证经过机械手臂传输的晶圆在传输至加工机台的方向相同,实现晶圆在加工机台的方向的一致性。
由于在向晶圆发射第一声波的过程中,第一声波经过边缘缺口位置或边缘切边位置的声波特征和晶圆其他位置的声波特征不同,因此可以将第一声波经过边缘缺口位置或边缘切边位置的声波特征标记为声波特征点,后续就可以从未被晶圆阻挡的第一声波中确定声波特征点,根据声波特征点确定边缘缺口位置或边缘切边位置的当前方向,并将边缘缺口位置或边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
由此可见,通过利用未被晶圆阻挡的第一声波就能够实现对晶圆的定位、机械手臂抓取校准和晶圆方向校准,能够对任何材质和不同尺寸的晶圆进行定位检测,不受晶圆透明度影响,可以实现对透明度较高的晶圆的精准判定。解决了激光光束接受源和CCD因透光率问题检测不准的缺陷,兼容性强,实现较为精准的晶圆定位和校准。
本申请提供了一种晶圆位置校准方法,晶圆放置于晶圆载台,超声波发生器和超声波接收器相对设置,在垂直于晶圆所在平面的方向上,超声波发生器和晶圆部分交叠,相应地,超声波接收器也和晶圆部分交叠,这样就方便后续利用超声波发生器和超声波接收器对晶圆的位置进行确定。方法包括:控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,由于超声波发生器、超声波接收器和晶圆部分交叠,因此第一声波具有未被晶圆阻挡的部分,可以控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,就可以根据偏移方向和偏移值定位晶圆在晶圆载台上的位置,实现利用超声波对晶圆的精准定位。在对晶圆定位之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,对机械手臂抓取晶圆的位置进行校准,从而实现晶圆在传输过程中进行稳定且高精度的定位和校准。
基于以上实施例提供的一种晶圆位置校准方法,本申请实施例还提供了一种晶圆位置校准设备,下面结合附图来详细说明其工作原理。
参见图2和图3,图2和图3为本申请实施例提供的一种晶圆位置校准设备的结构示意图。
本实施例提供的晶圆位置校准设备100包括:晶圆载台110、超声波发生器121、超声波接收器122、控制器130和处理器140。
在本申请的实施例中,晶圆101可以放置于晶圆载台110上。超声波发生器121和超声波接收器122相对设置,以便超声波发生器121发射的声波能够被超声波接收器122接收。具体的,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121和超声波接收器122的位置可以重合。
参考图3所示,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121和晶圆101部分交叠,由于超声波发生器121和超声波接收器122相对设置,因此,超声波接收器122也和晶圆101部分交叠。也就是说,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,晶圆101设置于超声波发生器121和超声波接收器122之间,晶圆101能够阻挡一部分声波,从而实现利用超声波发生器121和超声波接收器122对晶圆进行定位。
作为一种示例,参考图2所示,在垂直于晶圆101所在平面的方向上,超声波发生器121位于晶圆101的下方,超声波接收器122位于晶圆101的上方,这样声波方向就是由下至上。
在本申请的实施例中,控制器130可以控制超声波发生器121向晶圆101发射第一声波,控制超声波接收器122接收未被晶圆101阻挡的第一声波。
在本申请的实施例中,参考图4所示,处理器140可以获取超声波接收器122接收的未被晶圆101阻挡的第一声波,后续根据未被晶圆101阻挡的第一声波计算得到晶圆101的中心位置偏移晶圆载台110的中心位置的偏移方向和偏移值,以便控制器130通过控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆101的位置信息。
在本申请的实施例中,晶圆位置校准设备100还包括:校准固定台150。超声波发生器121和超声波接收器122可以设置于校准固定台,从而实现超声波发生器121和超声波接收器122可以稳定的发射声波和接收声波。
参考图3所示,晶圆载台110被校准固定台150围绕,从而实现设置在校准固定台150上的超声波发生器121和超声波接收器122能够设置在晶圆101周围。
在实际应用中,可以在校准固定台150上设置至少1个超声波发生器121和至少1个超声波接收器122。
在本申请的实施例中,校准固定台150包括多个位置标记151,位置标记151可以显示不同晶圆尺寸对应的超声波发生器121和超声波接收器122的放置位置。
作为一种示例,晶圆101的尺寸可以为4寸、6寸、8寸和12寸,则位置标记151可以分别显示4寸、6寸、8寸和12寸的晶圆对应的超声波发生器121和超声波接收器122的放置位置。
在本申请的实施例中,晶圆位置校准设备100还包括:载台驱动结构160载台驱动结构160可以驱动晶圆载台110旋转,以带动晶圆101旋转,从而实现利用声波面积对晶圆101进行定位和校准。
在本申请的实施例中,晶圆101包括边缘缺口位置和边缘切边位置,也就是说,晶圆101的边缘具有边缘缺口位置和边缘切边位置,边缘缺口位置和边缘切边位置可以作为晶圆方向的标记,通过边缘缺口位置和边缘切边位置的朝向可以确定晶圆101的方向,可以将晶圆101的边缘缺口位置和边缘切边位置调整至预设方向,从而保证经过机械手臂传输的晶圆101在传输至加工机台的方向相同,实现晶圆在加工机台的方向的一致性。
由于在向晶圆101发射第一声波的过程中,第一声波经过边缘缺口位置或边缘切边位置的声波特征和晶圆其他位置的声波特征不同,因此可以将第一声波经过边缘缺口位置或边缘切边位置的声波特征标记为声波特征点,后续处理器140就可以从未被晶圆101阻挡的第一声波中确定声波特征点,并且根据声波特征点确定边缘缺口位置或边缘切边位置的当前方向,利用控制器130将边缘缺口位置或边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
在本申请的实施例中,参考图4所示,利用控制器130输入发射声波的信号,超声波发生器121根据发射声波的信号向晶圆101发射第一声波,超声波接收器122接收未被晶圆101阻挡的第一声波的信号,将未被晶圆101阻挡的第一声波的信号传输至处理器140,处理器140计算未被晶圆101阻挡的第一声波的声波面积以及确定声波特征点,得到晶圆101的中心位置偏移晶圆载台110的中心位置的偏移方向和偏移值以及晶圆101的当前方向,将上述信息传输至控制器130,以便控制器130根据偏移方向和偏移值对机械手臂的位置信息进行调整以及将晶圆101由当前方向调整至预设方向。处理器140还可以将偏移方向和偏移值以及晶圆101的当前方向传输至显示模块进行显示。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于设备实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元及模块可以是或者也可以不是物理上分开的。另外,还可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元和模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下,即可以理解并实施。
以上所述仅是本申请的优选实施方式,虽然本申请已以较佳实施例披露如上,然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本申请技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本申请技术方案的内容,依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本申请技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种晶圆位置校准方法,其特征在于,晶圆放置于晶圆载台,超声波发生器和超声波接收器相对设置,在垂直于所述晶圆所在平面的方向上,所述超声波发生器和所述晶圆部分交叠;
所述方法包括:
控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波;
根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值;
控制机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述位置信息包括所述机械手臂的中心位置,所述控制所述机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息包括:
控制所述机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的中心位置,以控制所述机械手臂和所述晶圆的中心位置重合。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值包括:
根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到声波面积;
根据所述声波面积确定所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
旋转所述晶圆载台以旋转所述晶圆;
所述控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波包括:
在晶圆旋转的过程中,控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶圆包括边缘缺口位置和边缘切边位置;
所述方法还包括:
从所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波中确定声波特征点,所述声波特征点为所述第一声波经过所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的声波特征;
根据所述声波特征点确定所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的当前方向,并将所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
6.一种晶圆位置校准设备,其特征在于,所述设备包括晶圆载台、超声波发生器、超声波接收器、控制器和处理器;
所述晶圆载台用于放置晶圆,所述超声波发生器和所述超声波接收器相对设置,在垂直于所述晶圆所在平面的方向上,所述超声波发生器和所述晶圆部分交叠;
所述控制器用于控制所述超声波发生器向所述晶圆发射第一声波,控制所述超声波接收器接收未被所述晶圆阻挡的所述第一声波;
所述处理器用于根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波计算得到所述晶圆的中心位置偏移所述晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值;
所述控制器用于控制机械手臂根据所述偏移方向和所述偏移值调整抓取所述晶圆的位置信息。
7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于,所述设备还包括校准固定台;
所述超声波发生器和所述超声波接收器设置于所述校准固定台。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述校准固定台包括多个位置标记,所述位置标记用于显示不同晶圆尺寸对应的所述超声波发生器和所述超声波接收器的放置位置。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的设备,其特征在于,所述设备还包括载台驱动结构;
所述载台驱动结构用于驱动所述晶圆载台旋转。
10.根据权利要求6-8任意一项所述的设备,其特征在于,所述晶圆包括边缘缺口位置和边缘切边位置;
所述处理器还用于根据所述未被所述晶圆阻挡的所述第一声波确定声波特征点,根据所述声波特征点确定所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的当前方向,所述声波特征点为所述第一声波经过所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置的声波特征;
所述控制器还用于将所述边缘缺口位置或所述边缘切边位置由当前方向调整至预设方向。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311011509.1A CN116721960B (zh) | 2023-08-11 | 2023-08-11 | 一种晶圆位置校准方法及设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311011509.1A CN116721960B (zh) | 2023-08-11 | 2023-08-11 | 一种晶圆位置校准方法及设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116721960A CN116721960A (zh) | 2023-09-08 |
CN116721960B true CN116721960B (zh) | 2023-10-24 |
Family
ID=87866515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311011509.1A Active CN116721960B (zh) | 2023-08-11 | 2023-08-11 | 一种晶圆位置校准方法及设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116721960B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117219554B (zh) * | 2023-11-08 | 2024-01-30 | 迈为技术(珠海)有限公司 | 一种晶圆自动机械对中装置及方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206249A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 位置合わせ装置 |
US5540098A (en) * | 1993-02-16 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Limited | Transfer device |
US5783834A (en) * | 1997-02-20 | 1998-07-21 | Modular Process Technology | Method and process for automatic training of precise spatial locations to a robot |
KR19990084235A (ko) * | 1998-05-01 | 1999-12-06 | 신덕교 | 웨이퍼 검사 시스템 |
JP2000349134A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2006269915A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nitto Denko Corp | 支持板付き半導体ウエハの位置決め方法およびこれを用いた半導体ウエハの製造方法並びに支持板付き半導体ウエハの位置決め装置 |
JP2019075510A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハの位置検出装置および半導体ウエハの位置検出方法、並びに、半導体ウエハの位置決め装置および半導体ウエハの位置決め方法 |
CN111261565A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法 |
CN112975112A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 株式会社迪思科 | 检测装置 |
JP2022035849A (ja) * | 2020-08-21 | 2022-03-04 | 株式会社東京精密 | ワーク在荷検出装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9685362B2 (en) * | 2014-02-19 | 2017-06-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for centering substrates on a chuck |
-
2023
- 2023-08-11 CN CN202311011509.1A patent/CN116721960B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206249A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 位置合わせ装置 |
US5540098A (en) * | 1993-02-16 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Limited | Transfer device |
US5783834A (en) * | 1997-02-20 | 1998-07-21 | Modular Process Technology | Method and process for automatic training of precise spatial locations to a robot |
KR19990084235A (ko) * | 1998-05-01 | 1999-12-06 | 신덕교 | 웨이퍼 검사 시스템 |
JP2000349134A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2006269915A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nitto Denko Corp | 支持板付き半導体ウエハの位置決め方法およびこれを用いた半導体ウエハの製造方法並びに支持板付き半導体ウエハの位置決め装置 |
JP2019075510A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハの位置検出装置および半導体ウエハの位置検出方法、並びに、半導体ウエハの位置決め装置および半導体ウエハの位置決め方法 |
CN112975112A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 株式会社迪思科 | 检测装置 |
CN111261565A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法 |
JP2022035849A (ja) * | 2020-08-21 | 2022-03-04 | 株式会社東京精密 | ワーク在荷検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116721960A (zh) | 2023-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN116721960B (zh) | 一种晶圆位置校准方法及设备 | |
TWI443767B (zh) | 利用經由一系列之晶圓移動所獲得之補償值的晶圓動態對準 | |
CN107883884B (zh) | 一种光学测量装置和方法 | |
US20040195530A1 (en) | Apparatus for measuring gap between mask and substrate using laser displacement sensor, and method thereof | |
TWI739093B (zh) | 用於半導體加工的無線基板狀教學感測器 | |
JP2008053552A (ja) | ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体 | |
CN105807576B (zh) | 曝光装置和制造设备的方法 | |
CN112908887A (zh) | 晶圆调节装置及方法、晶圆传送系统 | |
EP4231340A1 (en) | Bonding system and bonding compensation method | |
US7823295B2 (en) | Method for calibration of a measuring table of a coordinate measuring machine | |
CN115881575A (zh) | 晶圆校正装置及晶圆校正方法 | |
CN210668297U (zh) | 晶圆调节装置及晶圆传送系统 | |
JPH07221010A (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置 | |
KR20130091534A (ko) | 미세선폭을 갖는 바이오센서 제조를 위한 레이저 위치보정 장치 및 방법 | |
JPH11243131A (ja) | ウエファの位置決め方法 | |
JP2997360B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP2003254918A (ja) | 単結晶体の方位測定装置、この装置におけるガイド部材の角度誤差の検出方法及び単結晶体の方位測定方法 | |
CN115597510A (zh) | 量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法 | |
KR20210107300A (ko) | 더미 웨이퍼 | |
KR100411617B1 (ko) | 씨씨디카메라에 의한 문자열 인식기능을 갖춘 반도체웨이퍼정렬장치 | |
JPH05206249A (ja) | 位置合わせ装置 | |
US7072441B2 (en) | Alignment diffractometer | |
CN116093001A (zh) | 相对于基座校准硅片的位置的装置、方法及外延设备 | |
JP3625013B2 (ja) | 基板搬送装置の位置決め方法およびその装置 | |
CN113441842A (zh) | 一种晶圆片激光打标方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |