CN113441842A - 一种晶圆片激光打标方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种晶圆片激光打标方法，其包括如下步骤：S100、将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台，完成装片；S200、识别晶圆片的多个特征点；S300、沿晶圆片的切割道将晶圆片划分多个打标区域，每个打标区域包含至少一个特征点；S400、对晶圆片检测定位，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点相对激光束的位置偏差值；根据特征点的位置偏差值，对包含该特征点且未打标的打标区域进行位置调整；S500、获取晶圆片的mapping图，并根据mapping图对该打标区域进行激光打标；S600、返回步骤S400，获取另一个打标区域的特征点，直至所有打标区域完成打标。采用特征点定位和分区打标的方式，实现对晶圆片的全部芯片打标，克服整片定位打标方式存在的打标精度较低的问题。

Description

一种晶圆片激光打标方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆片激光打标方法。

背景技术

传统的半导体的芯片封装方式主要经过Die bond（贴芯片）、Wire bond（焊线）、塑封、切割、测试、打印标记（简称：打标）等工序，这种传统的芯片封装方式比较繁琐，每个工序涉及的设备比较多，成本比较高，且封装后产品体积至少比原芯片大20%以上。

随着整个半导体工艺水平的发展，晶圆片级芯片规模封装（Wafer Level ChipScale Packaging，简称：WLCSP) 应运而生，WLCSP的封装方式不仅明显地缩小内存模块尺寸，而符合行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。

不同于传统的芯片封装方式，WLCSP的封装方式是先在整片晶圆片上进行封装和测试，再对整片晶圆片进行切割；由于在晶圆片制造阶段，基于衬底并在其上形成了阵列排布的芯片，这些芯片之间的间隙为切割道，沿着切割道切割成一个个的IC颗粒（或IC芯片），最后对整个晶圆片进行定位打印标记（也即定位打标），因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。这种封装技术不需要Die Bond、Wire Bond、塑封，成本上相对传统的方式有较大的优势。

目前，应用于晶圆片打标工序的激光打标机，包括晶圆片传送盒、自动取放机械手、打标平台、vision定位检测组件和激光机，其中，晶圆片传送盒内存放有多个晶圆片，自动取放机械手将晶圆片传送盒内的晶圆片取出，并放置于打标平台上，完成装片工作；打标平台具有位置调整功能，能够沿X/Y方向直线移动，并且能够绕Z方向旋转，从而调节晶圆片的位置和角度；vision定位检测组件包括均带摄像头的标前检测装置和标后检测装置，标前检测装置位于打标平台的上方，摄像头向下对准晶圆片的正面，进行位置偏差检测，为晶圆片的背面打标提供准确位置，标后检测装置位于打标平台的下方，摄像头向上对准晶圆片的背面，进行打标质量检测。激光打标机获取mapping图，并根据mapping图上的测试结果，控制激光机进行晶圆片打标。

然而，目前这种封装技术最大的瓶颈就是晶圆片普遍采用整片定位打印标记的方式，其打标精度不太理想。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆片激光打标方法，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。

为解决上述技术问题所采用的技术方案：

本发明提供一种晶圆片激光打标方法，包括如下步骤：S100、将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台上，完成装片；S200、识别晶圆片上的多个特征点；S300、沿着晶圆片上的切割道将晶圆片划分出多个打标区域，每个打标区域包含至少一个所述的特征点；S400、对晶圆片检测定位，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点相对激光束的位置偏差值；根据特征点的位置偏差值，对包含该特征点且未打标的打标区域进行位置调整；S500、获取晶圆片的mapping图，并根据mapping图对该打标区域进行激光打标；S600、返回步骤S400，获取另外一个打标区域的特征点，直至所有打标区域完成打标工作。

本发明至少具有如下的有益效果：本发明采用特征点定位和分区打标的方式，以实现对晶圆片上全部的芯片打标，能够克服传统的整片定位打标方式所存在的打标精度较低的技术问题。晶圆片粘固在膜上，能得到较好的支撑作用，而且方便后续通过扩膜机将晶圆片上已切割的芯片取出；通过识别晶圆片上的多个特征点，根据特征点并沿着晶圆片上的切割道划分多个打标区域，有利于保证每一颗芯片完全位于其中一个打标区域，划分清楚以避免出现漏打标或重复打标问题，同时，由于激光打标的区域越小，累积误差越小，打标精度越高，采取分区打标方式，有利于减少打标精度受累积误差的影响，提升芯片的打标合格率；在识别特征点和划分打标区域后，对晶圆片进行检测定位，以获取打标区域中的特征点相对激光束的位置偏差值，方便后续根据位置偏差值，并通过打标平台的运动，调整待打标的打标区域相对激光束的位置，然后根据所获取的晶圆片的mapping图，对该打标区域内的芯片依次激光打标。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S100之前包括如下步骤：S10、测量晶圆片的重心点；在步骤S100中，根据重心点对晶圆片进行装片，促使晶圆片的重心与打标平台的中心对应。获取晶圆片的重心点后，在将晶圆片放置于打标平台时，根据晶圆片的重心点调整晶圆片相对打标平台的位置，保证晶圆片的重心与打标平台的中心重合，以使得晶圆片受到来自打标平台的作用力较为均匀，有利于降低破片率。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S10之前包括如下步骤：S1、将晶圆片粘固在膜上，将膜粘固在晶圆环上；S2、往晶圆片传送盒内沿高度方向放置多个承载晶圆片的晶圆环，且在多个晶圆环中，晶圆片完全重叠；S3、机械手将晶圆片传送盒内的晶圆环取出并转移晶圆环。

晶圆环为晶圆片和膜提供支撑作用，并且，晶圆片传送盒内沿上下放置多个晶圆环，方便利用机械手对多个晶圆环逐一进行转运操作，将晶圆片从晶圆片传送盒转移至打标平台，实现自动装片；而且，在多个晶圆环中，晶圆片完全重叠，在机械手将晶圆片转运至打标平台后，晶圆片相对打标平台的位置基本一致，有利于缩短检测定位的时间，进而提升打标效率。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S300中，将晶圆片以十字划分成四个打标区域。沿着晶圆片上相邻芯片之间的切割道进行划分，且采用十字划分法，将晶圆片划分成四个打标区域，设计合理，操作容易，有效避免在晶圆片上制造过多的特征点而影响晶圆片制造效率。

作为上述技术方案的进一步改进，在步骤S300中，四个所述打标区域的相交点位于晶圆片的圆心。由于晶圆片基本为圆形，以晶圆片的圆心作为原点，沿着晶圆片的切割道十字划分出四个打标区域，能保证每个打标区域内的芯片数量基本一致，进而确保每个打标区域的位置误差基本相同，有利于减少打标不合格的芯片数量。

作为上述技术方案的进一步改进，所述步骤S500包括如下步骤：S501、预打标：对位于其中一个打标区域内的一颗未打标的芯片进行打标；S502、打标质量检测：对步骤S501中的已打标的芯片进行打标精度检测，并判断打标精度是否在误差范围内；S503、若打标精度在误差范围内，则对位于所述打标区域内的其余芯片进行打标，然后执行步骤S600；S504、若打标精度超出误差范围，则返回执行步骤S10。

在进行任一打标区域内的全部芯片打标工作前，对该打标区域内的其中一颗芯片进行打标，并通过检测打标精度，判断打标精度是否在误差范围内；若是，则对该打标区域内的其余芯片打标，因此可确保后续芯片的打标工作基本合格；反之，则返回前面步骤S10，因此能防止后续全部芯片的打标工作均不合格而造成芯片浪费，有效降低打标区域内全部芯片打标不合格的风险。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S100中，在晶圆片粘固于膜后，沿着晶圆片上的切割道对晶圆片进行切割处理，以切割出一颗颗芯片。

对于打标前已切割出芯片的晶圆片，采用特征点定位和分区打标的方式，能够克服芯片位置因切割形成的切缝存在不确定性、进而造成打标精度较低的技术问题。晶圆片与膜连接，在切割处理后晶圆片仍与膜连接，能避免因芯片发生较大的位移造成位置误差增大而导致打标精度降低；而且，通过识别晶圆片上的多个特征点，根据特征点并沿晶圆片的切割道划分多个打标区域，由于激光打标的区域越小，累积误差越小，打标精度越高，采取分区打标方式，能有效减少位置误差和累积误差，从而有利于提升打标精度和芯片打标合格率。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S500中，在对晶圆片上的每一颗芯片激光打标时，通过位置调整保证每颗芯片相对激光束的位置和角度是一致。在对芯片打标时，调整该芯片相对激光束的位置和角度一致，促使每一颗芯片的打标位置一致，有利于提高打标质量。

作为上述技术方案的进一步改进，在所述步骤S500中，激光打标所采用的激光器的波长为355nm，脉宽为10至14ns。采用特定波长和脉宽的激光器，对晶圆片的热影响最小且透膜打标效果佳。

作为上述技术方案的进一步改进，在步骤S200中，多个所述特征点沿着晶圆片的边缘间隔设置且位于晶圆片的边缘与芯片区域之间的区域，所述芯片区域为所有打标区域所组成。在晶圆片的边缘和芯片区域之间的区域设置特征点，制造简易，可避免芯片和晶圆片因特征点的形成而损坏，而且，多个特征点沿晶圆片的边缘间隔设置，防止特征点扎堆而导致划分的打标区域数量少甚至无法划分打标区域。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明；

图1是本发明所提供的晶圆片激光打标方法中，划分打标区域的示意图；

图2是本发明实施例一所提供的晶圆片激光打标方法的流程图；

图3是本发明实施例二所提供的晶圆片激光打标方法的部分流程图；

图4是本发明实施例三所提供的晶圆片激光打标方法的部分流程图；

图5是本发明实施例四所提供的晶圆片激光打标方法的部分流程图。

附图中标记如下：100、晶圆片；110、直边；200、蓝膜；300、圆心；400、芯片；500、特征点；610、第一划分线；620、第二划分线。

具体实施方式

本部分将详细描述本发明的具体实施例，本发明之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本发明的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本发明保护范围的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，如果具有“若干”之类的词汇描述，其含义是一个或者多个，多个的含义是两个及以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二、第三只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

参照图1至图5，下面对本发明的晶圆片激光打标方法举出若干实施例。

如图1和图2所示，本发明实施例一提供一种晶圆片激光打标方法，能应用于晶圆片100在切割出芯片400前的打标工作中，具体包括如下步骤：

首先执行步骤S100，将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台上，完成装片。整个晶圆片100是粘固在蓝膜200上，蓝膜200为晶圆片100提供支撑和保护作用，完成打标后，对晶圆片100进行切割工序时，蓝膜200能保持晶圆片100在切割时位置的稳定性，同时蓝膜200还能作为后续扩膜工艺中芯片400的承载物，通过扩膜机将蓝膜200拉伸，以使得芯片400（或称晶粒）之间的间隙增大，便于将芯片400取出。打标平台可以是激光打标机的真空吸附平台，不仅能通过吸附作用固定住晶圆片100，而且能够沿 X方向、Y方向直线移动，而且能够绕Z方向旋转，进而可实现调整晶圆片100相对激光束的位置和角度。

接着执行步骤S200，通过激光打标机的vision定位检测组件，vision定位检测组件利用其摄像头对打标平台上的晶圆片100进行拍摄，识别晶圆片100上的多个特征点500，特征点500会在晶圆片100生成时形成，以作为打标和切割的基准，多个特征点500沿着晶圆片100的边缘间隔设置且位于晶圆片100的边缘与芯片区域之间的区域，芯片区域是指包含所有芯片400的区域。比如特征点500只有两个，则可以将晶圆片100划分出两个打标区域。特征点500在晶圆片100生产时制造出来，且特征点500的数量和位置可根据加工需求设置，比如可以沿着晶圆片100的边缘间隔设置两个、三个或以上，只需满足划分的打标区域包含至少一个特征点500。

然后执行步骤S300，沿着晶圆片100上的切割道将晶圆片100划分出多个打标区域，每个打标区域包含至少一个特征点500，有利于保证每一颗芯片400完全位于其中一个打标区域，即芯片400不会同时属于两个打标区域，划分清楚以避免出现漏打标或重复打标问题，同时，由于激光打标的区域越小，累积误差越小，打标精度越高，利用打标区域内的特征点500进行定位校准，并采取分区打标方式，有利于减少打标精度受累积误差的影响，大大增加晶圆片100上芯片的打标合格数量。所有打标区域组成所述芯片区域。

如图1所示，虚线表示划分线，与晶圆片100的直边110相平行的划分线为第一划分线610，与晶圆片100的直边110相垂直的划分线为第二划分线620，而且，第一划分线610与沿X轴延伸的切割道相平行，第二划分线620与沿Y轴延伸的切割道相平行。通过第一划分线610和第二划分线620将晶圆片100以十字划分成四个打标区域，如此划分，有效避免在晶圆片100上制造过多的特征点500而影响晶圆片100制造效率。

在本实施例中，四个打标区域的相交点位于晶圆片100的圆心300上，也即第一划分线610和第二划分线620的交点与圆心300重合，同时，特征点500有四个，分别位于以第一划分线610、第二划分线620和圆心300所形成的坐标系中的四个象限。由于晶圆片100基本为圆形，以晶圆片100的圆心300作为原点，十字划分出四个打标区域，能保证每个打标区域内的芯片400数量基本一致，进而确保每个打标区域的位置误差基本相同，有利于减少打标不合格的芯片400数量。

当然，在其他一些实施例中，第一划分线610与第二划分线620的交点不与圆心300重合。此外，也可以只采用第一划分线610或第二划分线620对晶圆片100进行打标区域划分。另外，第一划分线610和第二划分线620的数量不限于一根，第一划分线610和第二划分线620的数量根据实际设置。

紧接着执行步骤S400，在识别特征点500和划分打标区域后，对晶圆片100检测定位，具体的，通过打标平台（即具有X/Y/θ调整功能的平台）的移动，调整晶圆片100的位置和角度，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点500相对激光器所发出的激光束的位置偏差值。

在获取特征点500的位置偏差值后，根据特征点500的位置偏差值，对包含该特征点500且未打标的打标区域进行位置调整。在本实施例中，特征点500设有四个，在划分好打标区域后，根据其中一个特征点500的位置偏差值，控制打标平台的运动，将包含该特征点500且未打标的打标区域移动至激光机的打标工作区域内，有利于实现激光机所发出的激光束对该打标区域内的全部芯片打标。通过位置调整保证每颗芯片400相对激光机所发出的激光束的位置和角度是一致，从而确保位于每颗芯片400的同一位置均具有激光束所打印的标记，呈现较好的统一性。

随后执行步骤S500，在完成晶圆片100的测试后，通过电脑配置的JMP软件得到晶圆片100的mapping地图信息（或称晶圆图），晶圆图是以芯片400为单位的，将测试完成的结果用不同颜色、形状或代码标示在各个芯片400的位置上。获取晶圆片100的mapping图，并根据mapping图对打标区域进行激光打标。

在对晶圆片100上的每一颗芯片400激光打标时，通过位置调整保证每颗芯片400相对激光束的位置和角度是一致，从而确保位于每颗芯片400的同一位置均具有标记，呈现较好的统一性。

在本实施例中，激光打标所采用的激光器（或称激光机）的波长为355nm，脉宽为10至14ns。采用这个特定波长和脉宽的激光器，激光输出功率稳定性好，打标深度一致性高，线条均匀性好，热效应小，对晶圆片100的热影响最小且透膜打标效果佳。

最后执行步骤S600，在完成其中一个打标区域内的全部芯片打标工作后，则返回步骤S400，获取另外一个打标区域的特征点500，对剩余未打标的打标区域进行打标，直至所有打标区域完成打标工作。

另外，如图1、图2和图3所示，本发明实施例二提供一种晶圆片激光打标方法，其与实施例一的区别在于：在所述步骤S100之前包括如下步骤：S10、测量晶圆片的重心点。并且，在步骤S100中，根据重心点对晶圆片进行装片，促使晶圆片的重心与打标平台的中心对应，最终形成步骤S110。

由于晶圆片100在切割前都有一定的翘曲，翘曲后会使晶圆片100的重心发生变化，装片前需要利用机械手将晶圆片100转移至重心调整校准器上以确认晶圆片100的重心点，确认重心后通过机械手把晶圆片100送到打标平台，由于目前打标平台是真空吸附平台，晶圆片100置于打标平台后，会因真空吸附作用相固定。

在本实施例中，通过增加重心校准的环节可以保证晶圆片100在真空吸附平台上的放置位置精度及吸附的均匀性，有利于降低破片率。

此外，如图1至图4所示，本发明实施例三提供一种晶圆片激光打标方法，其与实施例一和实施例二的区别在于：在所述步骤S10之前包括如下步骤：

执行步骤S1，将晶圆片粘固在膜上，将膜粘固在不锈钢空心的晶圆环上。膜一般采用蓝膜200，且蓝膜200为一层软胶纸，将蓝膜200粘在晶圆环上，由晶圆环对晶圆片100提供稳定的支撑作用，方便机械手取放晶圆片100并转移。

执行步骤S2，往晶圆片传送盒内沿高度方向放置多个承载晶圆片的晶圆环，且在多个晶圆环中，晶圆片完全重叠，在本实施例中，多个晶圆片100的直边110位置一致且统一向外，即远离机械手的方向。因此，当利用机械手将晶圆片100转运至打标平台后，晶圆片100相对打标平台的位置一致，保证机械手送到打标平台上的晶圆片100方向准确无误，有利于缩短检测定位的时间，进而提升打标效率，且大大提高打标质量。

执行步骤S3，机械手将晶圆片传送盒内的晶圆环取出并转移晶圆环。通过机械手自动转移晶圆环，将晶圆环从晶圆片传送盒处转移至重心调整校准器和打标平台。

另外，如图1至图5所示，本发明实施例四提供一种晶圆片打标方法，其与实施例二和实施例三的区别在于：所述步骤S500具体包括如下步骤：

步骤S501、预打标：对位于其中一个打标区域内的一颗未打标的芯片400进行打标。具体的，在晶圆片100经过vision定位检测组件对特征点500进行检测定位后，通过打标平台将晶圆片100的其中一个打标区域移动至激光机的打标工作区域内，激光机会根据晶圆片100的mapping图对该打标区域内的某一芯片400进行打标。

步骤S502、打标质量检测：对步骤S501中的已打标的芯片进行打标精度检测，并判断打标精度是否在误差范围内。具体的，在该打标区域的某一芯片400完成打标工作后，通过控制打标平台的运动，将该芯片400移动至vision定位检测组件处，进行激光打标精度检测。

步骤S503、若打标精度在误差范围内，则对位于所述打标区域内的其余芯片400进行打标，然后执行步骤S600。若打标精度符合误差范围，则利用打标平台调整该打标区域在激光打标工作区域内的位置，由于芯片呈阵列排布，可以先沿X轴调整，然后沿Y轴调整，促使激光机能够对该打标区域内的其余芯片400逐一进行激光打标。当该打标区域的全部芯片400完成打标，则轮到晶圆片100内的下一个打标区域，直到所有芯片400都完成打标工序。

步骤S504、若打标精度超出误差范围，则返回执行步骤S10，因此能防止后续全部芯片400的打标工作均不合格而造成芯片400浪费。若确认打标精度超过误差范围，则暂时退出打标工序，重新依次执行步骤S10至步骤S600。然后，若打标精度仍超出误差范围，则仍然返回执行步骤S10。

在本实施例中，增加预打标和打标质量检测的步骤，有效降低打标区域内全部芯片400打标不合格的风险，减少晶圆片100上打标不合格的芯片400数量。

此外，本发明实施例五提供一种晶圆片激光打标方法，能对已完成切割的晶圆片100进行打标，其与上述的实施例一至四的区别在于：在步骤S100中，在晶圆片100粘固于膜后，沿着晶圆片100上的切割道对晶圆片100进行激光切割处理，以切割出一颗颗芯片400。

在本实施例中，晶圆片粘固在蓝膜200上，蓝膜200为晶圆片100提供支撑和保护的作用，保持晶圆片100在切割时位置的稳定性，且使所切割出的芯片400仍与蓝膜200粘连，能避免因芯片400发生较大的位移造成位置误差增大而导致打标精度降低。

由于蓝膜200是一层软胶纸，在完成晶圆片100切割工序后，蓝膜200往往会崩开，导致相邻两颗芯片400之间的间隙稍增大，最终引致每颗芯片400的位置存在不确定性，也即存在位置误差，若采用整片定位打标，则位置误差不断累积，造成打标精度严重低下，导致芯片400的不合格率上升。

为了克服这个技术问题，识别晶圆片100上的多个特征点，并对晶圆片100检测定位，从而获取每个特征点500相对激光束的位置偏差值；然后将晶圆片100划分出多个打标区域，每个打标区域包含至少一个特征点500；由于激光打标的区域越小，累积误差越小，打标精度越高，因此，通过采用特征点定位和分区打标的方法，能有效减少累积误差，避免打标精度受切割后的芯片400位置误差的影响，从而有利于提升打标精度和芯片打标合格率。

进一步作为优选的实施例，对晶圆片100的重心点进行测量，并根据重心点对晶圆片100进行装片，促使晶圆片100的重心与打标平台的中心对应。由于晶圆片100切割后都有一定的翘曲，翘曲后会使晶圆片100的重心发生变化，装片前需要利用机械手将晶圆片100转移至重心调整校准器上以确认晶圆片100的重心点，确认重心后通过机械手把晶圆片100送到打标平台，由于目前打标平台是真空吸附平台，晶圆片100置于打标平台后，会因真空吸附作用相固定。

在本实施例中，通过增加重心校准的环节可以保证晶圆片100在真空吸附平台上的放置位置精度及吸附的均匀性，有利于降低破片率，而且有利于保证晶圆片100保持较好的平整状态，避免相邻两颗芯片400之间的间隙变化而引起较大的位置误差，进而提升打标精度。

本发明所提供的晶圆片激光打标方法，对6寸至12寸的晶圆片均兼容，采用特征点定位和分区打标方式，相对于传统的整片定位打标，其打标精度不受累积误差和晶圆片切割后产生的位置误差影响，因此，即使是针对在蓝膜上的切割前或切割后的晶圆片，都可以实现高精度打标。

以上对本发明的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.一种晶圆片激光打标方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100、将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台上，完成装片；

S200、识别晶圆片上的多个特征点；

S300、沿着晶圆片上的切割道将晶圆片划分出多个打标区域，每个打标区域包含至少一个所述的特征点；

S400、对晶圆片检测定位，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点相对激光束的位置偏差值；

根据特征点的位置偏差值，对包含该特征点且未打标的打标区域进行位置调整；

S500、获取晶圆片的mapping图，并根据mapping图对该打标区域进行激光打标；

S600、返回步骤S400，获取另外一个打标区域的特征点，直至所有打标区域完成打标工作。

2.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S100之前包括如下步骤：

S10、测量晶圆片的重心点；

在步骤S100中，根据重心点对晶圆片进行装片，促使晶圆片的重心与打标平台的中心对应。

3.根据权利要求2所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S10之前包括如下步骤：

S1、将晶圆片粘固在膜上，将膜粘固在晶圆环上；

S2、往晶圆片传送盒内沿高度方向放置多个承载晶圆片的晶圆环，且在多个晶圆环中，晶圆片完全重叠；

S3、机械手将晶圆片传送盒内的晶圆环取出并转移晶圆环。

4.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S300中，将晶圆片以十字划分成四个打标区域。

5.根据权利要求4所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在步骤S300中，四个所述打标区域的相交点位于晶圆片的圆心。

6.根据权利要求2所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，所述步骤S500包括如下步骤：

S501、预打标：对位于其中一个打标区域内的一颗未打标的芯片进行打标；

S502、打标质量检测：对步骤S501中的已打标的芯片进行打标精度检测，并判断打标精度是否在误差范围内；

S503、若打标精度在误差范围内，则对位于所述打标区域内的其余芯片进行打标，然后执行步骤S600；

S504、若打标精度超出误差范围，则返回执行步骤S10。

7.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S100中，在晶圆片粘固于膜后，沿着晶圆片上的切割道对晶圆片进行切割处理，以切割出一颗颗芯片。

8.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S500中，在对晶圆片上的每一颗芯片激光打标时，通过位置调整保证每颗芯片相对激光束的位置和角度是一致。

9.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在所述步骤S500中，激光打标所采用的激光器的波长为355nm，脉宽为10至14ns。

10.根据权利要求1所述的晶圆片激光打标方法，其特征在于，在步骤S200中，多个所述特征点沿着晶圆片的边缘间隔设置且位于晶圆片的边缘与芯片区域之间的区域，所述芯片区域为所有打标区域所组成。

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