JP2019201068A - Cleaning method, cleaning device and semiconductor wafer holding device - Google Patents

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JP2019201068A JP2018093736A JP2018093736A JP2019201068A JP 2019201068 A JP2019201068 A JP 2019201068A JP 2018093736 A JP2018093736 A JP 2018093736A JP 2018093736 A JP2018093736 A JP 2018093736A JP 2019201068 A JP2019201068 A JP 2019201068A
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Abstract

To enable cleaning of the front side surface and the rear side surface of an object to be cleaned with efficiency.SOLUTION: Cleaning liquid containing microbubble is supplied to the front side surface 1 of an object W to be cleaned from a first injection nozzle 11 and to the rear side surface 2 of the object W to be cleaned from a second injection nozzle 12. The object W to be cleared (for example, semiconductor wafer) arranged on a turntable 51 in a horizontal state is held by a holding mechanism 60 provided on the turntable 51. In addition to an oscillating part 63, each holding mechanism 60 includes: a pressing part (small diameter part 64b) held by the oscillating part 63; a weight part (pin part 65); and a support part (large diameter parts 64a, 65a). The greater the number of revolution of the turntable 51, the greater the centrifugal force acting on the weight part (65). Then, the pressing force (pressure contact force) onto the side end surface 3 by the pressing part (64b) is increased.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、洗浄方法、洗浄装置および半導体ウエハの保持装置に関するものである。   The present invention relates to a cleaning method, a cleaning apparatus, and a semiconductor wafer holding apparatus.

例えば半導体ウエハ等の洗浄対象物にあっては、付着したパーティクルや有機物等を除去するための洗浄が行われる。特許文献1には、洗浄液としてオゾン水を用いるものが開示されている。また、特許文献2には、例えば半導体ウエハの洗浄のために、オゾンが溶解された洗浄液が通過された際にマイクロバルブを生成して、マイクロバルブを含む洗浄液を噴射する噴射ノズルが開示されている。   For example, in the case of an object to be cleaned such as a semiconductor wafer, cleaning for removing attached particles, organic substances, and the like is performed. Patent Document 1 discloses one that uses ozone water as a cleaning liquid. Patent Document 2 discloses an injection nozzle that generates a microvalve when a cleaning solution in which ozone is dissolved is passed, for example, for cleaning a semiconductor wafer, and injects the cleaning solution including the microvalve. Yes.

特開2010−177535号公報JP 2010-177535 A 特開2017−191855号公報JP 2017-191855 A

ところで、洗浄対象物が薄物である場合、例えば半導体ウエハのように薄葉状である場合、その表側面と裏側面とを共に洗浄することが望まれるが、その洗浄をいかに効率的に行うかが重要となる。   By the way, when the object to be cleaned is a thin object, for example, when it is a thin leaf like a semiconductor wafer, it is desirable to clean the front side surface and the back side surface, but how to perform the cleaning efficiently. It becomes important.

また、例えば半導体ウエハのように薄葉状のものを水平状態で回転させつつ洗浄する場合、その表側面と裏側面とを洗浄するために、半導体ウエハをその側端面で保持することが望まれることになる。この一方、半導体ウエハの厚さが薄くなるにつれて、その側端面での保持力、特に径方向内方側に向かうような保持力が大きくなりすぎると、半導体ウエハを損傷(座屈)させてしまう可能性が高くなるという問題を生じる。   In addition, for example, when cleaning a thin wafer like a semiconductor wafer while rotating in a horizontal state, it is desirable to hold the semiconductor wafer on its side end surface in order to clean the front side surface and the back side surface. become. On the other hand, as the thickness of the semiconductor wafer becomes thinner, if the holding force at the side end surface thereof, particularly the holding force toward the radially inner side becomes too large, the semiconductor wafer is damaged (buckled). The problem is that the possibility increases.

本発明は以上のような事情を勘案してなされたもので、その第1の目的は、薄物とされた洗浄対象物の表側面と裏側面とを効率よく洗浄できるようにした洗浄方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a cleaning method capable of efficiently cleaning the front side surface and the back side surface of a thin object to be cleaned. There is to do.

本発明の第2の目的は、上記洗浄方法を実施するために用いて好適な洗浄装置を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide a cleaning apparatus suitable for use in carrying out the above cleaning method.

本発明の第3の目的は、薄葉状物としての半導体ウエハをその側端面で保持させる場合に、半導体ウエハが保持力を受けて不用意に損傷してしまう事態を防止できるようにした半導体ウエハの保持装置を提供することにある。   The third object of the present invention is to prevent a semiconductor wafer from being accidentally damaged by receiving a holding force when a semiconductor wafer as a thin leaf is held on its side end face. It is in providing a holding device.

前記第1の目的を達成するため、本発明にあっては次のような第1の解決手法を採択してある。すなわち、請求項1に記載のように、
薄物とされた洗浄対象物の表側面に対して第1噴射ノズルからマイクロバルブを含む洗浄液を供給して該洗浄対象物の表側面を洗浄すると共に、該洗浄対象物の裏側面に対して第2噴射ノズルからマイクロバルブを含む洗浄液を供給して該洗浄対象物の裏側面を洗浄する、
ようにしてある。上記解決手法によれば、洗浄対象物の表側面と裏側面とを同時に洗浄できるので、表側面と裏側面とを別工程で洗浄する場合に比して、洗浄効率のよいものとなる。また、マイクロバルブを含む洗浄液でもって洗浄することから、マイクロバルブを含まない洗浄液でもって洗浄する場合に比して、洗浄効果を高めて洗浄時間を短くすることができ、より一層洗浄効率を高めることができる。
In order to achieve the first object, the following first solution is adopted in the present invention. That is, as described in claim 1,
A cleaning liquid including a microvalve is supplied from the first injection nozzle to the front side surface of the thinned cleaning object to clean the front side surface of the cleaning target object, and the back side surface of the cleaning target object is (2) A cleaning liquid containing a microvalve is supplied from the spray nozzle to clean the back side of the cleaning object.
It is like that. According to the above solution, since the front side surface and the back side surface of the object to be cleaned can be cleaned at the same time, the cleaning efficiency is improved as compared with the case where the front side surface and the back side surface are cleaned in separate steps. In addition, since cleaning is performed with a cleaning solution that includes a microvalve, the cleaning effect can be increased and cleaning time can be shortened, and cleaning efficiency can be further improved compared to cleaning with a cleaning solution that does not include a microvalve. be able to.

上記第1の解決手法を前提とした好ましい態様は、請求項2〜請求項9に記載のとおりである。すなわち、
前記洗浄対象物が薄葉状とされ、
前記洗浄対象物を上下方向に延びる所定の回転軸線を中心にして回転させつつ、前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液をそれぞれ該洗浄対象物の回転中心付近に供給する、
ようにしてある(請求項2対応)。この場合、洗浄対象物に供給されたマイクロバルブを含む洗浄液を、洗浄対象物の回転中心付近から外周縁部方向へと流すようにして、洗浄対象物の表側面と裏側面との広い面積範囲を均一に洗浄することができる。
A preferable aspect based on the first solution is as described in claims 2 to 9. That is,
The object to be cleaned is a thin leaf,
While rotating the object to be cleaned around a predetermined rotation axis extending in the vertical direction, the cleaning liquid including the microvalves from the first injection nozzle and the second injection nozzle is respectively brought near the rotation center of the object to be cleaned. Supply,
(Corresponding to claim 2). In this case, the cleaning liquid including the microvalve supplied to the object to be cleaned is allowed to flow from the vicinity of the rotation center of the object to be cleaned toward the outer peripheral edge, so that a wide area range between the front side surface and the back side surface of the object to be cleaned Can be washed uniformly.

前記洗浄対象物が、半導体ウエハとされている、ようにしてある(請求項3対応)。この場合、半導体ウエハの洗浄について、前述した効果を得ることができる。   The object to be cleaned is a semiconductor wafer (corresponding to claim 3). In this case, the effects described above can be obtained for the cleaning of the semiconductor wafer.

前記洗浄対象物を、あらかじめ、前記回転軸線を中心として回転されるターンテーブルに設けられた複数の保持機構によって保持させ、
その後、前記ターンテーブルを回転させることによって前記洗浄対象物を回転させつつ、前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルとからマイクロバルブを含む洗浄液が該洗浄対象物に供給される、
ようにしてある(請求項4対応)。この場合、マイクロバルブを含む洗浄液を洗浄対象物の回転中心付近へ供給するための具体的な態様が提供される。
The object to be cleaned is held in advance by a plurality of holding mechanisms provided on a turntable rotated around the rotation axis,
Then, while rotating the object to be cleaned by rotating the turntable, a cleaning liquid including a micro valve is supplied to the object to be cleaned from the first injection nozzle and the second injection nozzle.
(Corresponding to claim 4). In this case, a specific mode for supplying the cleaning liquid including the microvalve to the vicinity of the rotation center of the cleaning target is provided.

前記複数の保持機構は、前記洗浄対象物の外周縁部を下方から支持しつつ、前記ターンテーブルが回転されたときの遠心力の作用によって該ターンテーブル上の洗浄対象物の側端面を押圧する、ようにしてある(請求項5対応)。この場合、ターンテーブルの回転によって生じる遠心力を有効に利用して、洗浄対象物の側端面に対する保持用の押圧力を適切に得ることができる。また、洗浄対象物の側端面を不用意に強く押圧してしまう事態も防止されて、洗浄対象物が損傷されるのを防止する上でも好ましいものとなる。   The plurality of holding mechanisms press the side end surface of the cleaning object on the turntable by the action of centrifugal force when the turntable is rotated while supporting the outer peripheral edge of the cleaning object from below. (Corresponding to claim 5). In this case, the centrifugal force generated by the rotation of the turntable can be effectively used to appropriately obtain a pressing force for holding the side end surface of the object to be cleaned. Moreover, the situation which carelessly presses the side end surface of the cleaning target object is prevented, which is preferable in preventing the cleaning target object from being damaged.

前記ターンテーブルの回転中心部に、貫通孔が形成され、
前記第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液が、前記貫通孔を通して上方へ向けて噴射される、
ようにしてある(請求項6対応)。この場合、下方からのマイクロバルブを含む洗浄液の具体的な供給態様を提供することができる。
A through hole is formed in the rotation center of the turntable,
A cleaning liquid including a micro valve from the second injection nozzle is injected upward through the through-hole.
(Corresponding to claim 6). In this case, a specific supply mode of the cleaning liquid including the microvalve from below can be provided.

前記洗浄対象物が、薄葉状でかつ長尺とされ、
前記洗浄対象物をロール・ツー・ロールでもって搬送される搬送経路途中の所定位置でもって、前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルとからマイクロバルブを含む洗浄液が供給される、
ようにしてある(請求項7対応)。この場合、洗浄対象物が、薄葉状でかつ長尺の場合に、請求項1に対応した効果と同様の効果を得ることができる。
The object to be cleaned is thin and long,
A cleaning liquid including a micro valve is supplied from the first injection nozzle and the second injection nozzle at a predetermined position in the conveyance path where the object to be cleaned is conveyed by roll-to-roll.
(Corresponding to claim 7). In this case, when the object to be cleaned is thin and long, the same effect as the effect corresponding to claim 1 can be obtained.

前記洗浄対象物は、前記所定位置を通過した直後に下方に向かうように傾斜された状態で搬送される、ようにしてある(請求項8対応)。この場合、洗浄対象物に供給されたマイクロバルブを含む洗浄液を、傾斜している部位でもって効果的に排出することができる。   The cleaning object is transported in an inclined state so as to be directed downward immediately after passing through the predetermined position (corresponding to claim 8). In this case, the cleaning liquid including the microvalve supplied to the object to be cleaned can be effectively discharged at the inclined portion.

前記洗浄液が、オゾンが溶解された純水とされている、ようにしてある(請求項9対応)。この場合、オゾンをマイクロバルブ化して、強力な洗浄効果を得ることができる。   The cleaning liquid is pure water in which ozone is dissolved (corresponding to claim 9). In this case, ozone can be converted into a microvalve to obtain a strong cleaning effect.

前記第2の目的を達成するため、本発明にあっては次のような第2の解決手法を採択してある。すなわち、請求項10に記載のように、
薄葉状の洗浄対象物の表側面と裏側面とを洗浄する洗浄装置であって、
上下方向に延びる回転軸線を中心に回転駆動されるターンテーブルと、
前記ターンテーブルに設けられ、前記洗浄対象物をその表側面と裏側面とのいずれか一方を上方に向けた水平状態で保持するための保持機構と、
前記保持機構によって保持された前記洗浄対象物の上方に配設され、該洗浄対象物の上面でかつ該洗浄対象物の回転中心付近に指向された第1噴射ノズルと、
前記保持機構によって保持された前記洗浄対象物の下方に配設され、該洗浄対象物の下面でかつ該洗浄対象物の回転中心付近に指向された第2噴射ノズルと、
洗浄用ガスが溶解された洗浄液を貯溜する溶解タンクと、
前記溶解タンク内の洗浄液を前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルに圧送するポンプと、
を備え、
前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルはそれぞれ、前記溶解タンクから圧送される洗浄液が通過される過程でマイクロバルブを生成して、該マイクロバルブを含む洗浄液を噴射する、
ようにしてある。上記第2の解決手法によれば、請求項4、請求項5に記載の洗浄方法を実行するための洗浄装置を提供することができる。
In order to achieve the second object, the following second solution is adopted in the present invention. That is, as described in claim 10,
A cleaning device for cleaning the front side and the back side of a thin object to be cleaned,
A turntable that is driven to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction;
A holding mechanism provided on the turntable for holding the object to be cleaned in a horizontal state in which either one of the front side surface and the back side surface is directed upward;
A first injection nozzle disposed above the object to be cleaned held by the holding mechanism and directed to the upper surface of the object to be cleaned and near the center of rotation of the object to be cleaned;
A second injection nozzle disposed below the object to be cleaned held by the holding mechanism and directed to the lower surface of the object to be cleaned and near the rotation center of the object to be cleaned;
A dissolution tank for storing a cleaning liquid in which the cleaning gas is dissolved;
A pump for pumping the cleaning liquid in the dissolution tank to the first injection nozzle and the second injection nozzle;
With
Each of the first injection nozzle and the second injection nozzle generates a microvalve in the process of passing the cleaning liquid pumped from the dissolution tank, and injects the cleaning liquid including the microvalve;
It is like that. According to the second solution technique, it is possible to provide a cleaning apparatus for executing the cleaning method according to claims 4 and 5.

上記第2の解決手法を前提とした好ましい態様は、請求項11〜請求項14に記載のとおりである。すなわち、
前記ターンテーブルは、前記回転軸線上において貫通孔を有し、
前記第2噴射ノズルが、前記貫通孔に向けて指向されて、該第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液が該貫通孔を通して前記洗浄対象物の下面に供給される、
ようにしてある(請求項11対応)。この場合、請求項6に記載の洗浄方法を実行するための洗浄装置を提供することができる。
Preferred embodiments based on the second solution are as described in claims 11 to 14. That is,
The turntable has a through hole on the rotation axis,
The second spray nozzle is directed toward the through hole, and a cleaning liquid including a microvalve from the second spray nozzle is supplied to the lower surface of the object to be cleaned through the through hole.
(Corresponding to claim 11). In this case, a cleaning apparatus for executing the cleaning method according to claim 6 can be provided.

前記ターンテーブルの回転軸が、中空状とされて、前記貫通孔と整合されており、
前記第2噴射ノズルが、前記回転軸内に配設されている、
ようにしてある(請求項12対応)。この場合、回転軸内のスペースを有効に利用して、第2噴射ノズルを配設することができる。
The rotating shaft of the turntable is hollow and aligned with the through hole,
The second injection nozzle is disposed in the rotating shaft;
This is done (corresponding to claim 12). In this case, the second injection nozzle can be disposed by effectively using the space in the rotation shaft.

前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルがそれぞれ、ノズル本体部と誘導ノズル部とを有し、
前記ノズル本体部が、洗浄用のガスが溶解された洗浄液が通過される過程でマイクロバルブを生成して、該マイクロバルブ含む洗浄液を前記誘導ノズル内に吐出するようにされ、
前記誘導ノズルが、前記ノズル本体部から吐出されるマイクロバルブを含む洗浄液の急激な圧力の低下を抑制して、該マイクロバルブを含む洗浄液を勢いよく噴射させる、
ようにしてある(請求項13対応)。この場合、洗浄対象物へ向けて十分な勢いでマイクロバルブを含む洗浄液を噴射することができる。また、噴射ノズルを洗浄対象物からかなり離間させた位置に配設することが可能となり、噴射ノズル配設の自由度を高める上でも好ましいものとなる。
Each of the first injection nozzle and the second injection nozzle has a nozzle body portion and a guide nozzle portion,
The nozzle body generates a microvalve in the process of passing a cleaning liquid in which a cleaning gas is dissolved, and discharges the cleaning liquid including the microvalve into the induction nozzle.
The induction nozzle suppresses a rapid pressure drop of the cleaning liquid including the microvalve discharged from the nozzle body, and jets the cleaning liquid including the microvalve vigorously.
(Corresponding to claim 13). In this case, the cleaning liquid including the microvalve can be ejected toward the object to be cleaned with sufficient momentum. Moreover, it becomes possible to arrange | position the injection | spray nozzle in the position considerably spaced apart from the washing | cleaning target object, and it becomes preferable also from raising the freedom degree of injection | spray nozzle arrangement | positioning.

前記保持機構が、前記ターンテーブルの外周縁部において周方向に略等間隔に3個以上設けられ、
前記複数の保持機構はそれぞれ、前記ターンテーブルに対して上下方向に延びる揺動軸線を中心に揺動可能に保持された揺動部と、該揺動部に設けられて前記洗浄対象物の外周縁部が着座される支持部と、前記揺動部のうち前記揺動軸線と偏心した位置に設けられると共に該揺動部の揺動に応じて前記洗浄対象物の側端面に対して接近・離間される押圧部と、該揺動部のうち前記揺動軸線を挟んで前記押圧部とは反対側に設けられた重錘部と、を有し、
前記ターンテーブルが回転されたときに、前記重錘部に作用する遠心力によって前記揺動部が揺動されることにより、前記押圧部が前記洗浄対象物の側端面を押圧する、
ようにしてある(請求項14対応)。この場合、遠心力を利用して適切な押圧力を得るための具体的な構成が提供される。
Three or more holding mechanisms are provided at substantially equal intervals in the circumferential direction at the outer peripheral edge of the turntable,
Each of the plurality of holding mechanisms includes a swinging part that is swingably held around a swinging axis that extends in the vertical direction with respect to the turntable, and is provided on the swinging part so as to be outside the object to be cleaned. A support portion on which a peripheral edge portion is seated; and provided at a position eccentric to the swing axis of the swing portion, and approaches the side end surface of the object to be cleaned according to the swing of the swing portion. A pressing portion that is spaced apart, and a weight portion provided on the opposite side of the pressing portion across the swing axis of the swinging portion,
When the turntable is rotated, the oscillating portion is oscillated by a centrifugal force acting on the weight portion, so that the pressing portion presses a side end surface of the object to be cleaned.
(It corresponds to claim 14). In this case, a specific configuration for obtaining an appropriate pressing force using centrifugal force is provided.

前記第3の目的を達成するため、本発明にあっては次のような第3の解決手法を採択してある。すなわち、請求項15に記載のように、
半導体ウエハを水平状態で回転可能に保持するための保持装置であって、
上下方向に延びる回転軸線を中心に回転駆動されるターンテーブルと、
前記ターンテーブルの外周縁部に設けられ、前記半導体ウエハを水平状態で保持するための保持機構と、
を備え、
前記保持機構が、前記ターンテーブルの外周縁部において周方向に略等間隔に3個以上設けられ、
前記複数の保持機構はそれぞれ、前記ターンテーブルに対して上下方向に延びる揺動軸線を中心に揺動可能に保持された揺動部と、該揺動部に設けられて前記半導体ウエハの外周縁部が着座される支持部と、前記揺動部のうち前記揺動軸線と偏心した位置に設けられると共に該揺動部の揺動に応じて前記半導体ウエハの側端面に対して接近・離間される押圧部と、該揺動部のうち該揺動軸線を挟んで該押圧部とは反対側に設けられた重錘部と、を有し、
前記ターンテーブルが回転されたときに、前記重錘部に作用する遠心力によって前記揺動部が揺動されることにより、前記押圧部が前記半導体ウエハの側端面を押圧する、
ようにしてある.上記解決手法によれば、薄葉状物としての半導体ウエハを回転保持させるための好ましい保持装置が提供される。特に、請求項5の場合と同様に、ターンテーブルの回転によって生じる遠心力を有効に利用して、半導体ウエハの側端面に対する保持用の押圧力を適切に得ることができる。また、半導体ウエハの側端面を不用意に強く押圧してしまう事態も防止されて、半導体ウエハが損傷されるのを防止する上でも好ましいものとなる。
In order to achieve the third object, the following third solution is adopted in the present invention. That is, as described in claim 15,
A holding device for rotatably holding a semiconductor wafer in a horizontal state,
A turntable that is driven to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction;
A holding mechanism for holding the semiconductor wafer in a horizontal state, provided on an outer peripheral edge of the turntable;
With
Three or more holding mechanisms are provided at substantially equal intervals in the circumferential direction at the outer peripheral edge of the turntable,
Each of the plurality of holding mechanisms includes a swinging part that is swingably held around a swinging axis extending in the vertical direction with respect to the turntable, and an outer peripheral edge of the semiconductor wafer provided on the swinging part. A support portion on which a portion is seated, and a portion of the oscillating portion that is eccentric from the oscillating axis, and is moved toward and away from the side end surface of the semiconductor wafer according to the oscillating portion of the oscillating portion. And a weight portion provided on the side opposite to the pressing portion across the swing axis of the swing portion,
When the turntable is rotated, the pressing portion presses a side end surface of the semiconductor wafer by the swinging portion being swung by a centrifugal force acting on the weight portion;
It is like that. According to the above solution, a preferable holding device for rotating and holding a semiconductor wafer as a thin leaf is provided. In particular, as in the case of the fifth aspect, it is possible to appropriately obtain the holding pressing force against the side end surface of the semiconductor wafer by effectively utilizing the centrifugal force generated by the rotation of the turntable. In addition, a situation in which the side end surface of the semiconductor wafer is carelessly strongly pressed can be prevented, which is preferable in preventing the semiconductor wafer from being damaged.

本発明によれば、洗浄対象物を効率よく洗浄することができ、また洗浄対象物や半導体ウエハを損傷させることなく適切な押圧力でもって保持させることができる。   According to the present invention, an object to be cleaned can be efficiently cleaned and can be held with an appropriate pressing force without damaging the object to be cleaned and the semiconductor wafer.

洗浄対象物が半導体ウエハである場合の実施形態を示す全体システム図。The whole system figure which shows embodiment in case a washing | cleaning target object is a semiconductor wafer. 図1に示す半導体ウエハを回転可能に保持するターンテーブルを示す平面図。The top view which shows the turntable which hold | maintains the semiconductor wafer shown in FIG. 1 rotatably. 半導体ウエハを保持している部分を示す要部斜視図。The principal part perspective view which shows the part holding the semiconductor wafer. ターンテーブル停止時での保持部の状態を示す平面図。The top view which shows the state of the holding | maintenance part at the time of a turntable stop. ターンテーブル回転時での保持部の状態を示す平面図。The top view which shows the state of the holding | maintenance part at the time of turntable rotation. ターンテーブルの下方に配設された第2噴射ノズルの配設例を示す要部断面図。The principal part sectional drawing which shows the example of arrangement | positioning of the 2nd injection nozzle arrange | positioned under the turntable. 噴射ノズルの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of an injection nozzle. 洗浄対象物が薄い長尺物である場合の実施形態を示す簡略側面図。The simplified side view which shows embodiment in case a washing | cleaning target object is a thin elongate object.

図1において、Wは、薄物の洗浄対象物である。洗浄対象物Wは、薄葉状とされて、実施形態では円板状の半導体ウエハとされている。洗浄対象物Wは、水平方向に延びる姿勢状態とされて、その上面が符号1で示され、その下面が符号2で示され、その側端面が符号3で示される。   In FIG. 1, W is a thin object to be cleaned. The object to be cleaned W has a thin leaf shape, and is a disk-shaped semiconductor wafer in the embodiment. The cleaning object W is in a posture extending in the horizontal direction, its upper surface is denoted by reference numeral 1, its lower surface is denoted by reference numeral 2, and its side end surface is denoted by reference numeral 3.

洗浄対象物Wの上方には、第1噴射ノズル11が配設されている。また、洗浄対象物Wの下方には、第2噴射ノズル12が配設されている。各噴射ノズル11、12は、洗浄対象物Wのうち、回転中心付近に向けて指向されている。そして、第1噴射ノズル11、第2噴射ノズルからは、マイクロバルブを含む洗浄液が、洗浄対象物Wの回転中心付近に向けて噴射される。   Above the object to be cleaned W, the first injection nozzle 11 is disposed. A second spray nozzle 12 is disposed below the cleaning target W. Each of the spray nozzles 11 and 12 is directed toward the vicinity of the rotation center in the cleaning target W. Then, the cleaning liquid including the micro valve is sprayed from the first spray nozzle 11 and the second spray nozzle toward the vicinity of the rotation center of the cleaning target W.

各噴射ノズル11、12に対しては、洗浄用ガス(実施形態ではオゾン)が溶解された洗浄液が圧送される。洗浄液が噴射ノズル11、12を通過する過程で、マイクロバルブが生成される。マイクロバルブを含む洗浄液が第1噴射ノズル11、第2噴射ノズル12から同時に噴射されて、洗浄対象物Wの上面1と下面2とが同時に洗浄される。   A cleaning liquid in which a cleaning gas (ozone in the embodiment) is dissolved is pumped to the spray nozzles 11 and 12. In the process in which the cleaning liquid passes through the injection nozzles 11 and 12, a microvalve is generated. The cleaning liquid including the microvalve is simultaneously sprayed from the first spray nozzle 11 and the second spray nozzle 12, and the top surface 1 and the bottom surface 2 of the cleaning target W are cleaned simultaneously.

次に、洗浄用ガス(実施形態ではオゾン)が溶解された洗浄液を生成する部分の構成について説明する。まず、20は、密閉された混合タンクである。この混合タンク20には、配管39を介して、洗浄用ガスとしてのオゾンを生成するためのるオゾン生成装置22が、接続されている。配管39には、調整弁40(実施形態ではエア作動弁で、オン、オフ式に開閉される)が接続されている。調整弁40によって、混合タンク20へ供給されるオゾン量が調整される。配管39は、混合タンク20内に配設されると共に下方に向けて開口されたカップ部材41内に開口されている。   Next, a configuration of a portion that generates the cleaning liquid in which the cleaning gas (ozone in the embodiment) is dissolved will be described. First, 20 is a sealed mixing tank. An ozone generating device 22 for generating ozone as a cleaning gas is connected to the mixing tank 20 via a pipe 39. The piping 39 is connected to a regulating valve 40 (in the embodiment, an air operating valve that is opened and closed in an on / off manner). The amount of ozone supplied to the mixing tank 20 is adjusted by the adjustment valve 40. The piping 39 is disposed in the mixing tank 20 and is opened in a cup member 41 that is opened downward.

混合タンク20には、配管24を介して、洗浄液供給装置25が接続されている。洗浄液は、実施形態では純水とされている。配管24には、調整弁26(実施形態ではエア作動弁で、オン、オフ式に開閉される)が接続されている。調整弁26によって、混合タンクは供給される洗浄液の量が調整される。   A cleaning liquid supply device 25 is connected to the mixing tank 20 via a pipe 24. The cleaning liquid is pure water in the embodiment. The piping 24 is connected to an adjustment valve 26 (in the embodiment, an air operation valve that is opened and closed in an on / off manner). The amount of cleaning liquid supplied to the mixing tank is adjusted by the adjusting valve 26.

混合タンク20には、その外部に位置されてその上部と下部とを連通する連通管27a
が接続されている。この連通管27aに液面センサ27bが付設されている。液面センサ27bは、連通管27a内での液面高さ位置を検出するものである。液面センサ27bで検出される液面高さ位置が、所定高さ範囲となるように、調整弁26が制御される。なお、液面センサ27bとしては、混合タンク20内に配設されるもの等、適宜のものを用いることができる。
The mixing tank 20 has a communication pipe 27a that is located outside and communicates with the upper part and the lower part.
Is connected. A liquid level sensor 27b is attached to the communication pipe 27a. The liquid level sensor 27b detects the liquid level height position in the communication pipe 27a. The adjustment valve 26 is controlled so that the liquid level height position detected by the liquid level sensor 27b falls within a predetermined height range. As the liquid level sensor 27b, an appropriate one such as one disposed in the mixing tank 20 can be used.

図中、30は、密閉構造とされた溶解タンクである。この溶解タンク30は、配管31を介して、混合タンク20に対して接続されている。配管31は、混合タンク20内においては、前述したカップ部材41内に開口されている。配管31には、圧送用ポンプ32が接続されている。圧送用ポンプ32によって、混合タンク20内の洗浄ガスを含む洗浄液が、溶解タンク30に圧送される。圧送用ポンプ32は、実施形態では容積式ポンプを用いてあるが、非容積式ポンプを用いる等、適宜の形式のポンプを用いることができる。なお、容積式ポンプとしては、例えばダイヤフラムポンプ、ギアポンプ、ピストンポンプ、プランジャポンプ等を用いることができる。   In the figure, 30 is a dissolution tank having a sealed structure. The dissolution tank 30 is connected to the mixing tank 20 via a pipe 31. The piping 31 is opened in the cup member 41 described above in the mixing tank 20. A pressure-feed pump 32 is connected to the pipe 31. The cleaning liquid containing the cleaning gas in the mixing tank 20 is pumped to the dissolution tank 30 by the pump 32 for pumping. Although the positive displacement pump 32 uses a positive displacement pump in the embodiment, an appropriate type of pump such as a non-positive displacement pump can be used. In addition, as a positive displacement pump, a diaphragm pump, a gear pump, a piston pump, a plunger pump etc. can be used, for example.

溶解タンク30内には、上下方向に延ばして、噴射パイプ33が配設されている。上記配管31は、噴射パイプ33の下端に接続されている。また、噴射パイプ33の上端は,閉塞されている。そして、噴射パイプ33の上部には、周方向に間隔をあけて複数の噴射孔33aが開口されている。複数の噴射孔33aの少なくとも一部は、溶解タンク30の内壁の近くに位置される。噴射パイプ33内に圧送された洗浄液は、噴射孔33aから溶解タンク30内に噴射されて、洗浄用ガス(オゾン)が、洗浄液(純水)に対して十分に溶解される。   An injection pipe 33 is disposed in the dissolution tank 30 so as to extend in the vertical direction. The pipe 31 is connected to the lower end of the injection pipe 33. Further, the upper end of the injection pipe 33 is closed. A plurality of injection holes 33a are opened at an upper portion of the injection pipe 33 at intervals in the circumferential direction. At least some of the plurality of injection holes 33 a are located near the inner wall of the dissolution tank 30. The cleaning liquid pumped into the injection pipe 33 is injected into the dissolution tank 30 from the injection hole 33a, and the cleaning gas (ozone) is sufficiently dissolved in the cleaning liquid (pure water).

溶解タンク30には、その外部に位置されてその上部と下部とを連通する連通管34a
が接続されている。この連通管34aに液面センサ34bが付設されている。液面センサ34bは、連通管34a内での液面高さ位置を検出するものである。なお、液面センサ34bとしては、溶解タンク30内に配設されるもの等、適宜のものを用いることができる。
The dissolution tank 30 has a communication pipe 34a that is located outside and communicates with the upper part and the lower part.
Is connected. A liquid level sensor 34b is attached to the communication pipe 34a. The liquid level sensor 34b detects the liquid level height position in the communication pipe 34a. As the liquid level sensor 34b, an appropriate one such as one disposed in the dissolution tank 30 can be used.

溶解タンク30内の上部には、常時空間35を有するようにされる。この空間35によって、溶解タンク30内における洗浄液の脈動が低減される。溶解タンク30には、空間35に連通させて、外部に延びる配管36が接続されている。この配管36には、2つの調整弁37、調整弁38が直列に接続されている。調整弁37はエア作動弁とされて、オン、オフ式に開閉される。調整弁38は、例えば電磁式とされて、その開度が微調整可能とされている。   An upper space in the dissolution tank 30 is always provided with a space 35. This space 35 reduces the pulsation of the cleaning liquid in the dissolution tank 30. The dissolution tank 30 is connected with a pipe 36 that communicates with the space 35 and extends to the outside. Two adjustment valves 37 and 38 are connected to the pipe 36 in series. The regulating valve 37 is an air operated valve and is opened and closed in an on / off manner. The adjustment valve 38 is, for example, an electromagnetic type, and its opening degree can be finely adjusted.

上記液面センサ34bで検出される液面高さ位置が、所定高さ範囲となるように(少なくとも空間35が所定高さ範囲となるように)、調整弁37、38が制御される。また、空間35内の圧力が0.2〜0.6MPa程度に維持されるように制御される。   The adjustment valves 37 and 38 are controlled so that the liquid level height detected by the liquid level sensor 34b falls within a predetermined height range (at least the space 35 falls within the predetermined height range). Further, the pressure in the space 35 is controlled so as to be maintained at about 0.2 to 0.6 MPa.

溶解タンク30の底部に対して配管42の一端部が接続されている。この配管42の他端部は、第1噴射ノズル11に接続されている。配管42から分岐された分岐配管42aが、第2噴射ノズル12に接続されている。これにより、溶解タンク30内で高圧とされたオゾンを含む洗浄液が、各噴射ノズル11、12に供給される。   One end of a pipe 42 is connected to the bottom of the dissolution tank 30. The other end of the pipe 42 is connected to the first injection nozzle 11. A branch pipe 42 a branched from the pipe 42 is connected to the second injection nozzle 12. As a result, the cleaning liquid containing ozone having a high pressure in the dissolution tank 30 is supplied to the spray nozzles 11 and 12.

配管42には、分岐配管42aよりも溶解タンク30側において、ヒータ45(例えば電気式ヒータ)が接続されている。これにより、噴射ノズル11、12に供給される洗浄液が適切な温度(例えば40℃〜60℃)に管理される。   A heater 45 (for example, an electric heater) is connected to the pipe 42 on the melting tank 30 side of the branch pipe 42a. Thereby, the cleaning liquid supplied to the injection nozzles 11 and 12 is managed at an appropriate temperature (for example, 40 ° C. to 60 ° C.).

配管42には、分岐配管42aよりも第1噴射ノズル11側において、調整弁46(実施形態ではエア作動弁で、オン、オフ式に開閉される)が接続されている。また、分岐配管42aには、調整弁47(実施形態ではエア作動弁で、オン、オフ式に開閉される)が接続されている。各調整弁46、47を制御することによって、第1噴射ノズル11と第2噴射ノズル12の両方から洗浄液を噴射する第1噴射態様と、第1噴射ノズル11からのみ洗浄液を噴射させる第2噴射態様と、第2噴射ノズル12からのみ洗浄液を噴射させる第3噴射態様と、を選択することが可能である。勿論、噴射ノズル11と12の両方からの洗浄液の噴射を停止した噴射停止状態も選択される。なお、本実施形態では、洗浄液を噴射する噴射態様としては、両方の噴射ノズル11と12の両方から同時に洗浄液を噴射する第1噴射態様を行うようになっている。   The piping 42 is connected to a regulating valve 46 (in the embodiment, an air operating valve that is opened and closed in an on / off manner) on the first injection nozzle 11 side with respect to the branch piping 42a. The branch pipe 42a is connected with a regulating valve 47 (in the embodiment, it is an air-operated valve that is opened and closed in an on / off manner). A first injection mode in which the cleaning liquid is injected from both the first injection nozzle 11 and the second injection nozzle 12 by controlling the adjustment valves 46 and 47, and a second injection in which the cleaning liquid is injected only from the first injection nozzle 11. It is possible to select the mode and the third spray mode in which the cleaning liquid is sprayed only from the second spray nozzle 12. Of course, an injection stop state in which the injection of the cleaning liquid from both the injection nozzles 11 and 12 is also selected. In the present embodiment, as a spraying mode for spraying the cleaning liquid, a first spraying mode in which the cleaning liquid is sprayed simultaneously from both the spray nozzles 11 and 12 is performed.

各噴射ノズル11、12に圧送されたオゾンを含む洗浄液は、各噴射ノズル11、12内を通過する過程でマイクロバルブを生成して、マイクロバルブを含む洗浄液が各噴射ノズル11、12から噴射されることになる。なお、各噴射ノズル11、12でのマイクロバルブの生成に関する事項については、後述する。   The cleaning liquid containing ozone pressure-fed to each injection nozzle 11, 12 generates a micro valve in the process of passing through each injection nozzle 11, 12, and the cleaning liquid including the micro valve is injected from each injection nozzle 11, 12. Will be. In addition, the matter regarding the production | generation of the microvalve in each injection nozzle 11 and 12 is mentioned later.

次に、洗浄対象物Wを回転可能に保持する保持装置50の一例について、図2〜図5を参照しつつ説明する。まず、図2に示すように、保持装置50は、水平方向に延びるターンテーブル51と、ターンテーブル51に保持された保持機構60と、を有する。ターンテーブル51は、その下面中央に、中空状(実施形態では円筒状)の回転軸52が固定されている(図6参照)。回転軸52は、上下方向に延びて、回転軸52の軸線が、ターンテーブル51の回転軸線αとなる。   Next, an example of the holding device 50 that rotatably holds the cleaning target W will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 2, the holding device 50 includes a turntable 51 extending in the horizontal direction and a holding mechanism 60 held by the turntable 51. The turntable 51 has a hollow (cylindrical in the embodiment) rotating shaft 52 fixed at the center of the lower surface (see FIG. 6). The rotation shaft 52 extends in the vertical direction, and the axis of the rotation shaft 52 becomes the rotation axis α of the turntable 51.

ターンテーブル51の中央には、貫通孔51aが形成されている。この貫通孔51aは、回転軸52と同心状とされて、回転軸52内に連通されている(回転軸52内に臨んでいる)。中空の回転軸52内には、回転軸52に対して径方向に離間させた状態で、第2噴射ノズル12が固定配置されている(図6参照)。   A through hole 51 a is formed in the center of the turntable 51. The through hole 51 a is concentric with the rotation shaft 52 and communicates with the rotation shaft 52 (facing the rotation shaft 52). In the hollow rotating shaft 52, the 2nd injection nozzle 12 is fixedly arranged in the state spaced apart to the rotating shaft 52 in radial direction (refer FIG. 6).

回転軸52は、図示を略すギア、ベルト等を介して、駆動モータ53が連結されている。コントローラUによって、モータ53を駆動制御することにより、ターンテーブル51(したがってターンテーブル51に保持された洗浄対象物W)が回転駆動される。なお、コントローラUは、前述した圧送用ポンプ32や各調整弁26、37、38、40、46、47を制御する(このため、コントローラUには、液面センサ27b、34bからの信号が入力されるようになっている)。   The rotary shaft 52 is connected to a drive motor 53 via a gear, a belt, etc. (not shown). By driving and controlling the motor 53 by the controller U, the turntable 51 (and hence the cleaning object W held on the turntable 51) is rotationally driven. The controller U controls the aforementioned pressure pump 32 and the regulating valves 26, 37, 38, 40, 46, and 47 (for this reason, the signals from the liquid level sensors 27b and 34b are input to the controller U). Is supposed to be).

保持機構60は、ターンテーブル51の外周縁部に設けられている。実施形態では、ターンテーブル51の周方向180度間隔で、合計3個の保持機構60が保持されている。   The holding mechanism 60 is provided on the outer peripheral edge of the turntable 51. In the embodiment, a total of three holding mechanisms 60 are held at intervals of 180 degrees in the circumferential direction of the turntable 51.

保持機構60は、ターンテーブル51に固定されたベース部61を有する。ベース部61には、連結ピン62を介して、水平方向に揺動可能として揺動部63が保持されている。連結ピン62の軸線が、上下方向に延びる揺動軸線βを構成する。   The holding mechanism 60 has a base portion 61 fixed to the turntable 51. The base portion 61 holds a swinging portion 63 via a connecting pin 62 so as to be swingable in the horizontal direction. The axis of the connecting pin 62 constitutes a swing axis β that extends in the vertical direction.

揺動部63の一端部には、上方に向けて短く延びる第1ピン部64が固定されている。第1ピン部64は、大小異型の円柱状とされていて、下部が大径部64aとされ、上部が小径部64bとされている。   A first pin portion 64 that extends short upward is fixed to one end portion of the swinging portion 63. The first pin portion 64 has a large and small atypical columnar shape, and a lower portion is a large diameter portion 64a and an upper portion is a small diameter portion 64b.

揺動部63の他端部には、上方に向けて短く延びる第2ピン部65が固定されている。第2ピン部65は、大小異型の円柱状とされていて、下部が大径部65aとされ、上部が小径部65bとされている。   A second pin portion 65 extending short upward is fixed to the other end portion of the swinging portion 63. The second pin portion 65 has a large and small atypical columnar shape, the lower portion is a large diameter portion 65a, and the upper portion is a small diameter portion 65b.

第2ピン部65は、連結ピン62を挟んで第1ピン部64とは反対側に位置されている。この第2ピン部65は、第1ピン部64に比して、十分に重い重錘部を構成している。   The second pin portion 65 is located on the opposite side of the first pin portion 64 with the connecting pin 62 interposed therebetween. The second pin portion 65 forms a weight portion that is sufficiently heavier than the first pin portion 64.

各ピン部64、65の大径部64aと65aとの上面が、洗浄対象物Wの外周縁部を下方から支持する支持部を構成する。各小径部64b、65bは、大径部64a、65aに支持された洗浄対象物Wよりも、ターンテーブル51の径方向外方側に位置される。そして、第1ピン部64の小径部64b(の側面)が、揺動部63の揺動に応じて、洗浄対象物Wの側端面3に当接、離間可能とされている。つまり、小径部64bが、押圧部(圧接部)を構成している。なお、ベース部61の端部には、揺動部63が所定以上揺動するのを規制するストッパ部61aが上方に向けて突出形成されている。   The upper surfaces of the large-diameter portions 64a and 65a of the pin portions 64 and 65 constitute a support portion that supports the outer peripheral edge portion of the cleaning object W from below. Each of the small diameter portions 64b and 65b is located on the radially outer side of the turntable 51 with respect to the cleaning target W supported by the large diameter portions 64a and 65a. The small-diameter portion 64 b (the side surface) of the first pin portion 64 can be brought into contact with and separated from the side end surface 3 of the cleaning target object W according to the swinging of the swinging portion 63. That is, the small diameter part 64b constitutes a pressing part (pressure contact part). A stopper portion 61a that restricts the swinging portion 63 from swinging more than a predetermined amount is formed at the end of the base portion 61 so as to protrude upward.

図4は、ターンテーブル51が停止状態のときである。この図4に示す状態で、洗浄対象物Wの外周縁部が、支持部としての大径部64a、65aの上面に対して着座される(下方から支持される)。この状態で、ターンテーブル51を、例えば図5矢印γで示す方向に回転駆動させると、回転に伴う遠心力によって、重錘部となる第2ピン部65がターンテーブル51の径方向側に向かう外力を受けることになる。この結果、揺動部63が、図5中時計方向に揺動されて、押圧部としての第1ピン部64の小径部64b(の側面)が、洗浄対象物Wの側端面3を押圧する(圧接される)。小径部634bからの押圧力は、ターンテーブル51の回転数が大きくなるほど大きくされる。   FIG. 4 is when the turntable 51 is in a stopped state. In the state shown in FIG. 4, the outer peripheral edge portion of the cleaning target W is seated (supported from below) on the upper surfaces of the large-diameter portions 64a and 65a as the support portions. In this state, when the turntable 51 is rotationally driven in the direction indicated by the arrow γ in FIG. 5, for example, the second pin portion 65 serving as the weight portion is directed toward the radial direction of the turntable 51 due to the centrifugal force accompanying the rotation. You will receive external force. As a result, the oscillating portion 63 is oscillated clockwise in FIG. 5, and the small diameter portion 64 b (the side surface) of the first pin portion 64 as the pressing portion presses the side end surface 3 of the cleaning object W. (Press contact). The pressing force from the small diameter portion 634b is increased as the rotation number of the turntable 51 is increased.

ターンテーブル51の回転により生じる小径部64bの押圧力は、洗浄対象物Wの径方向内方側に向かう方向となる。この一方、洗浄対象物Wには、ターンテーブル51の回転に応じて、径方向外方側に向かう力を受けることになる。したがって、小径部64bからの押圧力と洗浄対象物Wが受ける径方向側に向かう力とが相対向されることになる。   The pressing force of the small diameter portion 64b generated by the rotation of the turntable 51 is a direction toward the radially inner side of the cleaning target W. On the other hand, the cleaning object W receives a force directed radially outward in accordance with the rotation of the turntable 51. Therefore, the pressing force from the small-diameter portion 64b and the force toward the radial direction received by the cleaning target W are opposed to each other.

したがって、ターンテーブル51の回転数が大きくなって、小径部64bの押圧力が大きくなっても、洗浄対象物Wが径方向において座屈されてしまう事態が防止される。このように、小径部64bの応圧力は、手手摺部51の回転数に応じて適切なものとされる。ちなみに、ターンテーブル51を回転させることなく、小径部64bの応圧力のみを大きくした場合は、洗浄対象物Wが座屈等によって損傷(破損)されてしまう可能性が高いものとなる。   Therefore, even if the rotation speed of the turntable 51 is increased and the pressing force of the small diameter portion 64b is increased, a situation in which the cleaning target W is buckled in the radial direction is prevented. Thus, the response pressure of the small diameter portion 64 b is appropriate according to the rotation speed of the handrail 51. Incidentally, when only the applied pressure of the small diameter portion 64b is increased without rotating the turntable 51, there is a high possibility that the cleaning object W is damaged (broken) due to buckling or the like.

図5の状態から図4の状態に復帰させるには、例えば、ターンテーブル51の回転が停止する直前に、ターンテーブル51を逆転(矢印γとは反対方向へ回転させる)させることによって行うことができる。また、例えば連結ピン62を取り巻くリターンスプリングを利用して、図4に示す位置に復帰させることもできる。   To return to the state of FIG. 4 from the state of FIG. 5, for example, it is performed by rotating the turntable 51 reversely (rotating in the direction opposite to the arrow γ) immediately before the rotation of the turntable 51 stops. it can. Further, for example, a return spring surrounding the connecting pin 62 can be used to return to the position shown in FIG.

洗浄対象物Wのターンテーブル51への設置と除去とは、図4の状態で、例えば搬送ロボット等によって行うことができる。   The installation and removal of the cleaning object W on the turntable 51 can be performed, for example, by a transfer robot in the state shown in FIG.

次に、図7を参照しつつ、各噴射ノズル11、12の一例について説明する。なお、両噴射ノズル11と12とは同一構造とされているので、第1噴射ノズル11に着目して説明する。   Next, an example of each of the injection nozzles 11 and 12 will be described with reference to FIG. Since both the injection nozzles 11 and 12 have the same structure, the description will be given focusing on the first injection nozzle 11.

第1噴射ノズル11は、大別して、ノズル本体部70と、誘導ノズル部80とによって構成されている。ノズル本体部70は、特許文献2に記載のものと同様なものを用いてあるので、簡単に説明する。ノズル本体部70における洗浄液の流路71内には、オリフィス74、フィルタ75a〜75c、分離スペーサ76a〜76c、および固定スペーサ77が配置されている。その配設順は、洗浄液の流入側から順次、オリフィス74、分離スペーサ76a、フィルタ75a、分離スペーサ76b、フィルタ75b、分離スペーサ76c、フィルタ75c、固定スペーサ77の順とされている。これの部品は、ノズル本体部70から取外して交換することも可能である。   The 1st injection nozzle 11 is divided roughly and is comprised by the nozzle main-body part 70 and the guidance nozzle part 80. FIG. Since the nozzle body 70 is similar to that described in Patent Document 2, it will be briefly described. An orifice 74, filters 75 a to 75 c, separation spacers 76 a to 76 c, and a fixed spacer 77 are disposed in the cleaning liquid flow path 71 in the nozzle body 70. The arrangement order is the order of the orifice 74, the separation spacer 76a, the filter 75a, the separation spacer 76b, the filter 75b, the separation spacer 76c, the filter 75c, and the fixed spacer 77 from the cleaning liquid inflow side. These parts can be removed from the nozzle body 70 and replaced.

オリフィス74は、所定の厚みを有する円板であり、その中心には円形の孔が開けられている。オリフィス74の厚みは、例えば3mmである。オリフィス74の中心に開けられた孔の直径は、例えば0.5mmである。   The orifice 74 is a disc having a predetermined thickness, and a circular hole is formed at the center thereof. The thickness of the orifice 74 is, for example, 3 mm. The diameter of the hole opened at the center of the orifice 74 is, for example, 0.5 mm.

フィルタ75a〜75cは、複数の小孔が開けられた円板である。複数の小孔の直径は、例えば0.5mmである。複数の小孔のピッチは、例えば1.5mmである。フィルタ75a〜75cの厚みは、例えば3mmである。   The filters 75a to 75c are discs having a plurality of small holes. The diameter of the plurality of small holes is, for example, 0.5 mm. The pitch of the plurality of small holes is, for example, 1.5 mm. The thickness of the filters 75a to 75c is, for example, 3 mm.

分離スペーサ76a〜76cは、所定の厚みを有する円板であり、その中心には円形の孔が開けられている。分離スペーサ76a〜76cの厚みは、例えば0.4mmである。分離スペーサ76a〜76cの中心に開けられた孔の直径は、例えば8.0mmである。   The separation spacers 76a to 76c are discs having a predetermined thickness, and a circular hole is formed at the center thereof. The thickness of the separation spacers 76a to 76c is, for example, 0.4 mm. The diameter of the hole opened in the center of the separation spacers 76a to 76c is, for example, 8.0 mm.

固定スペーサ77は、所定の厚みを有する円板であり、その中心には円形の孔が開けられている。固定スペーサ77の厚みは、例えば3.2mmである。固定スペーサ77の中心に開けられた孔の直径は、例えば8.0mmである。   The fixed spacer 77 is a disc having a predetermined thickness, and a circular hole is formed in the center thereof. The thickness of the fixed spacer 77 is, for example, 3.2 mm. The diameter of the hole opened in the center of the fixed spacer 77 is, for example, 8.0 mm.

洗浄用ガスが溶解された洗浄液がノズル本体部70を通過することにより、ノズル本体部70からはマイクロバルブを含む洗浄液が噴射される。すなわち、洗浄用ガスが溶解された洗浄液は、オリフィス74、フィルタ75a〜75c、分離スペーサ76a〜76cおよび固定スペーサ77を通過することにより気泡が生成される。この気泡のうち、30〜90%がマイクロバルブ(実施形態では粒径が例えば1〜50μm)とされる。なお、マイクロバルブの粒径は、小さいほど好ましく(粒径の下限値はなし)、100μm以下とするのが好ましい。   When the cleaning liquid in which the cleaning gas is dissolved passes through the nozzle main body 70, the cleaning liquid including the microvalves is ejected from the nozzle main body 70. That is, the cleaning liquid in which the cleaning gas is dissolved passes through the orifice 74, the filters 75a to 75c, the separation spacers 76a to 76c, and the fixed spacer 77, thereby generating bubbles. 30 to 90% of the bubbles are microvalves (in the embodiment, the particle size is 1 to 50 μm, for example). The particle diameter of the microvalve is preferably as small as possible (there is no lower limit of the particle diameter), and is preferably 100 μm or less.

ノズル本体部70からの吐出圧力は、例えば約0.1MPaとすることができる(大気圧よりもやや高い圧力)。ノズル本体部70を用いることによって、オゾンを含む洗浄液中により多くのマイクロバブルを発生させることが可能であり、洗浄液の洗浄力をより高めることが可能である。   The discharge pressure from the nozzle main body 70 can be set to, for example, about 0.1 MPa (pressure slightly higher than atmospheric pressure). By using the nozzle body 70, more microbubbles can be generated in the cleaning liquid containing ozone, and the cleaning power of the cleaning liquid can be further increased.

誘導ノズル部80は、ノズル本体部70の外周に密に嵌合されている。誘導ノズル部80は、小容積部81と、小容積部81から延びる細長いノズル部82と、を有する。ノズル本体部70から噴射されるマイクロバルブを含む洗浄液は、小容積部81に吐出されるが、径方向側に向けて広く拡散されるのが防止される。これにより、マイクロバルブを含む洗浄液の圧力が急激に低下されてしまうことが防止あるいは抑止される。そして、ある程度の圧力を有するマイクロバルブを含む洗浄液が、細長いノズル部82を通ることにより、ノズル82の先端から勢いよく噴射されることになる。   The guide nozzle part 80 is closely fitted to the outer periphery of the nozzle body part 70. The guide nozzle portion 80 includes a small volume portion 81 and an elongated nozzle portion 82 extending from the small volume portion 81. The cleaning liquid including the microvalve ejected from the nozzle main body portion 70 is discharged to the small volume portion 81, but is prevented from being diffused widely toward the radial side. Thereby, it is prevented or suppressed that the pressure of the cleaning liquid including the microvalve is rapidly decreased. Then, the cleaning liquid including the microvalve having a certain pressure is ejected vigorously from the tip of the nozzle 82 by passing through the elongated nozzle portion 82.

第1噴射ノズル11と洗浄対象物Wとの離間距離が小さい場合や大きな噴射圧力を必要としないときは、誘導ノズル部80を有しないものとすることができる。ただし、誘導ノズル部80を設けることによって、噴射の勢いを高めたり、その指向性を高めることができる。   When the separation distance between the first spray nozzle 11 and the cleaning target W is small or when a large spray pressure is not required, the guide nozzle portion 80 may not be provided. However, by providing the guide nozzle portion 80, the momentum of injection can be increased or the directivity thereof can be increased.

図8は、本発明の第2の実施形態を示すものである。本実施形態では、洗浄対象物WBが、例えばフレキシブル半導体等の長尺の薄膜とされている。洗浄対象物WBは、多数のローラ91によって、図中左方側から右方側へと搬送される(ロール・ツー・ロール方式での搬送)。   FIG. 8 shows a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the cleaning target WB is a long thin film such as a flexible semiconductor. The object to be cleaned WB is conveyed from the left side to the right side in the figure by a large number of rollers 91 (conveyance in a roll-to-roll system).

洗浄対象物WBは、搬送過程において、第1部位L1、第2部位L2、第3部位L3、第4部位L4、第5部位L5を順次通過する。洗浄対象物WBは、第1部位L1では水平状態とされ、第2部位L2では斜め下方に向かう傾斜状態とされ、第3部位L3では再び水平状態とされ、第4部位L4では斜め上方に向かう傾斜状態とされ、第5部位L5では再び水平状態とされる。   The cleaning object WB sequentially passes through the first part L1, the second part L2, the third part L3, the fourth part L4, and the fifth part L5 in the transport process. The cleaning object WB is in a horizontal state in the first part L1, in a state inclined obliquely downward in the second part L2, in a horizontal state again in the third part L3, and obliquely upward in the fourth part L4. The inclined state is set, and the fifth portion L5 is set to the horizontal state again.

上記第1部位L1において、洗浄対象物WBの上方に第1噴射ノズル11が配設されると共に、洗浄対象物WBの下方に第2噴射ノズル12が配設される。各噴射ノズル11、12はそれぞれ、搬送方向に直列に複数配設されると共に、洗浄対象物WBの幅方向(紙面直角方向)においても並列に複数配設されている。   In the first portion L1, the first injection nozzle 11 is disposed above the cleaning object WB, and the second injection nozzle 12 is disposed below the cleaning object WB. Each of the spray nozzles 11 and 12 is disposed in series in the transport direction, and is also disposed in parallel in the width direction of the cleaning object WB (the direction perpendicular to the paper surface).

各噴射ノズル11と12とから同時にマイクロバルブを含む洗浄液が噴射されて、洗浄対象物WBの上面と下面とが同時に洗浄される。噴射されたマイクロバルブを含む洗浄液は、下方に向けて傾斜された第2部位L2の位置でもって、下方に滴下される。滴下されたマイクロバルブを含む洗浄液は、各部位L1、〜L4の下方に配設された回収ボックス92内に回収される。   The cleaning liquid including the micro valve is simultaneously sprayed from the spray nozzles 11 and 12, and the upper surface and the lower surface of the cleaning target WB are cleaned simultaneously. The cleaning liquid including the ejected microvalve is dropped downward at the position of the second portion L2 inclined downward. The cleaning liquid including the dropped microvalve is collected in a collection box 92 disposed below each of the portions L1 to L4.

ここで、マイクロバルブを含む洗浄液と、マイクロバルブを含まない洗浄液との洗浄効果の相違について実験を行った。実験は、図1のような洗浄システムでもって行った。洗浄対象物Wとしては、半導体ウエハを用いた。洗浄効果を示す指標としては、半導体ウエハに塗布されたi線用フォトレジストの溶解速度を用いた。洗浄液として純水を用い、洗浄用ガスとしてオゾン(オゾン水で、濃度は50mg/L)を用いた。   Here, an experiment was conducted on the difference in cleaning effect between a cleaning solution including a microvalve and a cleaning solution not including a microvalve. The experiment was performed with a cleaning system as shown in FIG. As the cleaning object W, a semiconductor wafer was used. As an index indicating the cleaning effect, the dissolution rate of the i-line photoresist applied to the semiconductor wafer was used. Pure water was used as the cleaning liquid, and ozone (ozone water, concentration was 50 mg / L) was used as the cleaning gas.

室温20℃での実験では、i線用フォトレジストの溶解速度が、マイクロバルブを含む洗浄液を使用した場合は120nm/minであり、マイクロバルブを含まない洗浄液(純水のみ)の場合は40nm/minであった(マイクロバルブを含む洗浄液を使用する洗浄効果が3倍)。   In an experiment at room temperature of 20 ° C., the dissolution rate of the i-line photoresist is 120 nm / min when a cleaning solution containing a microvalve is used, and 40 nm / min when the cleaning solution does not contain a microvalve (only pure water). min (the cleaning effect using the cleaning liquid containing the microvalve was tripled).

室温50℃での実験では、i線用フォトレジストの溶解速度が、マイクロバルブを含む洗浄液を使用した場合は360nm/minであり、マイクロバルブを含まない洗浄液(純水のみ)の場合は80nm/minであった(マイクロバルブを含む洗浄液を使用する洗浄効果が4.5倍)。   In the experiment at a room temperature of 50 ° C., the dissolution rate of the i-line photoresist is 360 nm / min when a cleaning solution containing a microvalve is used, and 80 nm / min when the cleaning solution does not contain a microvalve (only pure water). min (the cleaning effect using the cleaning liquid containing the microvalve is 4.5 times).

上記の実験結果から明らかなように、マイクロバルブを含む洗浄液を用いた洗浄を行うことにより、洗浄効果(洗浄効率)を飛躍的に高めることができる。   As is clear from the above experimental results, the cleaning effect (cleaning efficiency) can be remarkably improved by performing the cleaning using the cleaning liquid containing the microvalve.

以上実施形態について説明したが、本発明は、実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載された範囲において適宜の変更が可能である。
(1)洗浄用ガスを含む洗浄液が通過(接触する)経路内は、例えばフッ素樹脂によって構成するか、フッ素樹脂によるコーティングを行っておくのが好ましい。特に、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)によって形成またはコーティングすることが好ましい。
(2)洗浄用ガスとしては、オゾンの他に、酸素、アルゴン、窒素、水素等適宜のものを使用することができる。
(3)洗浄液としては、純水以外に、有機溶媒、硫酸水溶液、アンモニア水溶液、スラリー等、適宜の洗浄用の液体を用いることができる。
(4)洗浄対象物Wとしての半導体ウエハを回転可能に保持する装置は、図2〜図6に示すものに限らず、適宜のものを使用することができる。
(5)保持機構60は、4以上であってもよい。また、ベース部61を有しないで、揺動部63を直接ターンテーブル51に揺動可能に保持させるようにしてもよい。
(6)第1ピン部64および第2ピン部65の形状はそれぞれ、円柱以外の適宜の形状に設定することができる。もっとも、洗浄対象物Wの側端面3を押圧する押圧部位(小径部64b)の形状は、極力小さい面積での接触(押圧)となるように、洗浄対象物Wと接触する面が円柱面となるように設定するのが好ましい。
(7)ターンテーブル51に設けられる保持機構60によって保持される対象物は、洗浄以外の用途でもって保持されるものであってもよい。
(8)本発明による洗浄対象物は、高度の洗浄が要求される半導体ウェハ、液晶基板、太陽電池基板、ガラス基板、マスクブランクなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、本発明は、例えば、電子産業分野における各種部品の洗浄や、医療分野(内臓洗浄等)にも適用でき、この他、各種の金属製品(例えば機械部品)や合成樹脂製品等にも適用できる。
(9)マイクロバルブを含む洗浄液は、噴射ノズル11、12で生成する場合に限らず、例えば溶解タンク30内であらかじめ生成することもできる。この場合、例えば、溶解タンク30内で洗浄液が循環される循環経路を構成して、この循環経路の吐出側端部に噴射ノズル11(12)に対応した噴射ノズルを接続することにより、溶解タンク30内でマイクロバルブを含む洗浄液を生成することができる。
(10)本発明の目的は、明記されたものに限らず、実質的に好ましいあるいは利点として表現されたものを提供することをも暗黙的に含むものである。
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the embodiments, and appropriate modifications can be made within the scope of the claims.
(1) The path through which the cleaning liquid containing the cleaning gas passes (contacts) is preferably made of, for example, fluororesin or coated with fluororesin. In particular, it is preferable to form or coat with PCTFE (polychlorotrifluoroethylene).
(2) As the cleaning gas, an appropriate gas such as oxygen, argon, nitrogen, or hydrogen can be used in addition to ozone.
(3) As the cleaning liquid, in addition to pure water, an appropriate cleaning liquid such as an organic solvent, an aqueous sulfuric acid solution, an aqueous ammonia solution, or a slurry can be used.
(4) The apparatus for rotatably holding the semiconductor wafer as the cleaning object W is not limited to that shown in FIGS. 2 to 6, and an appropriate apparatus can be used.
(5) The holding mechanism 60 may be four or more. Further, the swing part 63 may be directly held on the turntable 51 so as to be swingable without the base part 61.
(6) The shapes of the first pin portion 64 and the second pin portion 65 can each be set to an appropriate shape other than a cylinder. However, the shape of the pressing portion (small diameter portion 64b) that presses the side end surface 3 of the cleaning target W is a cylindrical surface so that the surface in contact with the cleaning target W is a contact (pressing) in an area as small as possible. It is preferable to set so that
(7) The object held by the holding mechanism 60 provided on the turntable 51 may be held for an application other than cleaning.
(8) Examples of the object to be cleaned according to the present invention include, but are not limited to, a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate, a solar cell substrate, a glass substrate, and a mask blank that require high-level cleaning. In addition, the present invention can be applied to, for example, cleaning of various parts in the field of electronic industry, medical field (such as cleaning of internal organs), and also to various metal products (for example, machine parts) and synthetic resin products. it can.
(9) The cleaning liquid including the microvalve is not limited to being generated by the injection nozzles 11 and 12, but can be generated in advance in the dissolution tank 30, for example. In this case, for example, by forming a circulation path through which the cleaning liquid is circulated in the dissolution tank 30 and connecting an injection nozzle corresponding to the injection nozzle 11 (12) to the discharge side end of the circulation path, the dissolution tank A cleaning liquid containing microvalves can be generated within 30.
(10) The objects of the present invention are not limited to those specified, but implicitly include providing what is substantially preferred or expressed as an advantage.

本発明は、例えば半導体ウエハの洗浄を効率よく行う上で好ましいものとなる。   The present invention is preferable, for example, for efficiently cleaning a semiconductor wafer.

W:洗浄対象物(半導体ウエハ)
U:コントローラ
α:回転軸線
β:揺動軸線
γ:回転方向
1:上面
2:下面
3:側端面
11:第1噴射ノズル
12:第2噴射ノズル
20:混合タンク
22:オゾン生成装置
30:溶解タンク
32:圧送用ポンプ
50:保持装置
51:ターンテーブル
51a:貫通孔
52:回転軸
53駆動モータ
60:保持機構
61:ベース部
62:連結ピン(揺動中心)
63:揺動部
64:第1ピン部
64a:大径部(支持部)
64b:小径部(圧接部)
65:第2ピン部(重錘部)
65a:大径部(支持部)
65b:小径部
70:ノズル本体部
80:誘導ノズル部
81:小容積部
82:ノズル部
WB:洗浄対象物(図8)
L1:第1部位(図8)
L2:第2部位(図8)
91:ローラ(図8)
92:回収ボックス(図8)
W: Object to be cleaned (semiconductor wafer)
U: Controller α: Rotation axis β: Swing axis γ: Direction of rotation 1: Upper surface 2: Lower surface 3: Side end surface 11: First injection nozzle 12: Second injection nozzle 20: Mixing tank 22: Ozone generator 30: Melting Tank 32: Pressure pump 50: Holding device 51: Turntable 51a: Through hole 52: Rotating shaft 53 Drive motor 60: Holding mechanism 61: Base portion 62: Connecting pin (swing center)
63: oscillating part 64: first pin part 64a: large diameter part (supporting part)
64b: Small diameter part (pressure contact part)
65: 2nd pin part (weight part)
65a: Large diameter part (support part)
65b: Small diameter part 70: Nozzle body part 80: Guide nozzle part 81: Small volume part 82: Nozzle part WB: Object to be cleaned (FIG. 8)
L1: 1st part (FIG. 8)
L2: 2nd site | part (FIG. 8)
91: Roller (Fig. 8)
92: Collection box (Figure 8)

Claims (15)

薄物とされた洗浄対象物の表側面に対して第1噴射ノズルからマイクロバルブを含む洗浄液を供給して該洗浄対象物の表側面を洗浄すると共に、該洗浄対象物の裏側面に対して第2噴射ノズルからマイクロバルブを含む洗浄液を供給して該洗浄対象物の裏側面を洗浄する、ことを特徴とする洗浄方法。   A cleaning liquid including a microvalve is supplied from the first injection nozzle to the front side surface of the thinned cleaning object to clean the front side surface of the cleaning target object, and the back side surface of the cleaning target object is 2. A cleaning method, comprising: supplying a cleaning liquid including a microvalve from a jet nozzle to clean the back side of the object to be cleaned. 請求項1において、
前記洗浄対象物が薄葉状とされ、
前記洗浄対象物を上下方向に延びる所定の回転軸線を中心にして回転させつつ、前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液をそれぞれ該洗浄対象物の回転中心付近に供給する、
ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 1,
The object to be cleaned is a thin leaf,
While rotating the object to be cleaned around a predetermined rotation axis extending in the vertical direction, the cleaning liquid including the microvalves from the first injection nozzle and the second injection nozzle is respectively brought near the rotation center of the object to be cleaned. Supply,
A cleaning method characterized by the above.
請求項2において、
前記洗浄対象物が、半導体ウエハとされている、ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 2,
A cleaning method, wherein the object to be cleaned is a semiconductor wafer.
請求項2または請求項3において、
前記洗浄対象物を、あらかじめ、前記回転軸線を中心として回転されるターンテーブルに設けられた複数の保持機構によって保持させ、
その後、前記ターンテーブルを回転させることによって前記洗浄対象物を回転させつつ、前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルとからマイクロバルブを含む洗浄液が該洗浄対象物に供給される、
ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 2 or claim 3,
The object to be cleaned is held in advance by a plurality of holding mechanisms provided on a turntable rotated around the rotation axis,
Then, while rotating the object to be cleaned by rotating the turntable, a cleaning liquid including a micro valve is supplied to the object to be cleaned from the first injection nozzle and the second injection nozzle.
A cleaning method characterized by the above.
請求項4において、
前記複数の保持機構は、前記洗浄対象物の外周縁部を下方から支持しつつ、前記ターンテーブルが回転されたときの遠心力の作用によって該ターンテーブル上の洗浄対象物の側端面を押圧する、ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 4,
The plurality of holding mechanisms press the side end surface of the cleaning object on the turntable by the action of centrifugal force when the turntable is rotated while supporting the outer peripheral edge of the cleaning object from below. The cleaning method characterized by the above-mentioned.
請求項4または請求項5において、
前記ターンテーブルの回転中心部に、貫通孔が形成され、
前記第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液が、前記貫通孔を通して上方へ向けて噴射される、
ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 4 or claim 5,
A through hole is formed in the rotation center of the turntable,
A cleaning liquid including a micro valve from the second injection nozzle is injected upward through the through-hole.
A cleaning method characterized by the above.
請求項1において、
前記洗浄対象物が、薄葉状でかつ長尺とされ、
前記洗浄対象物をロール・ツー・ロールでもって搬送される搬送経路途中の所定位置でもって、前記第1噴射ノズルと前記第2噴射ノズルとからマイクロバルブを含む洗浄液が供給される、
ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 1,
The object to be cleaned is thin and long,
A cleaning liquid including a micro valve is supplied from the first injection nozzle and the second injection nozzle at a predetermined position in the conveyance path where the object to be cleaned is conveyed by roll-to-roll.
A cleaning method characterized by the above.
請求項7において、
前記洗浄対象物は、前記所定位置を通過した直後に下方に向かうように傾斜された状態で搬送される、ことを特徴とする洗浄方法。
In claim 7,
The cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning object is conveyed in an inclined state so as to be directed downward immediately after passing through the predetermined position.
請求項1ないし請求項8のいずれか1項において、
前記洗浄液が、オゾンが溶解された純水とされている、ことを特徴とする洗浄方法。
In any one of Claims 1 thru | or 8,
A cleaning method, wherein the cleaning liquid is pure water in which ozone is dissolved.
薄葉状の洗浄対象物の表側面と裏側面とを洗浄する洗浄装置であって、
上下方向に延びる回転軸線を中心に回転駆動されるターンテーブルと、
前記ターンテーブルに設けられ、前記洗浄対象物をその表側面と裏側面とのいずれか一方を上方に向けた水平状態で保持するための保持機構と、
前記保持機構によって保持された前記洗浄対象物の上方に配設され、該洗浄対象物の上面でかつ該洗浄対象物の回転中心付近に指向された第1噴射ノズルと、
前記保持機構によって保持された前記洗浄対象物の下方に配設され、該洗浄対象物の下面でかつ該洗浄対象物の回転中心付近に指向された第2噴射ノズルと、
洗浄用ガスが溶解された洗浄液を貯溜する溶解タンクと、
前記溶解タンク内の洗浄液を前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルに圧送するポンプと、
を備え、
前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルはそれぞれ、前記溶解タンクから圧送される洗浄液が通過される過程でマイクロバルブを生成して、該マイクロバルブを含む洗浄液を噴射する、
ことを特徴とする洗浄装置。
A cleaning device for cleaning the front side and the back side of a thin object to be cleaned,
A turntable that is driven to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction;
A holding mechanism provided on the turntable for holding the object to be cleaned in a horizontal state in which either one of the front side surface and the back side surface is directed upward;
A first injection nozzle disposed above the object to be cleaned held by the holding mechanism and directed to the upper surface of the object to be cleaned and near the center of rotation of the object to be cleaned;
A second injection nozzle disposed below the object to be cleaned held by the holding mechanism and directed to the lower surface of the object to be cleaned and near the rotation center of the object to be cleaned;
A dissolution tank for storing a cleaning liquid in which the cleaning gas is dissolved;
A pump for pumping the cleaning liquid in the dissolution tank to the first injection nozzle and the second injection nozzle;
With
Each of the first injection nozzle and the second injection nozzle generates a microvalve in the process of passing the cleaning liquid pumped from the dissolution tank, and injects the cleaning liquid including the microvalve;
A cleaning apparatus characterized by that.
請求項10において、
前記ターンテーブルは、前記回転軸線上において貫通孔を有し、
前記第2噴射ノズルが、前記貫通孔に向けて指向されて、該第2噴射ノズルからのマイクロバルブを含む洗浄液が該貫通孔を通して前記洗浄対象物の下面に供給される、
ことを特徴とする洗浄装置。
In claim 10,
The turntable has a through hole on the rotation axis,
The second spray nozzle is directed toward the through hole, and a cleaning liquid including a microvalve from the second spray nozzle is supplied to the lower surface of the object to be cleaned through the through hole.
A cleaning apparatus characterized by that.
請求項11において、
前記ターンテーブルの回転軸が、中空状とされて、前記貫通孔と整合されており、
前記第2噴射ノズルが、前記回転軸内に配設されている、
ことを特徴とする洗浄装置。
In claim 11,
The rotating shaft of the turntable is hollow and aligned with the through hole,
The second injection nozzle is disposed in the rotating shaft;
A cleaning apparatus characterized by that.
請求項10ないし請求項12のいずれか1項において、
前記第1噴射ノズルおよび前記第2噴射ノズルがそれぞれ、ノズル本体部と誘導ノズル部とを有し、
前記ノズル本体部が、洗浄用のガスが溶解された洗浄液が通過される過程でマイクロバルブを生成して、該マイクロバルブ含む洗浄液を前記誘導ノズル内に吐出するようにされ、
前記誘導ノズルが、前記ノズル本体部から吐出されるマイクロバルブを含む洗浄液の急激な圧力の低下を抑制して、該マイクロバルブを含む洗浄液を勢いよく噴射させる、
ことを特徴とする洗浄装置。
In any one of Claims 10 to 12,
Each of the first injection nozzle and the second injection nozzle has a nozzle body portion and a guide nozzle portion,
The nozzle body generates a microvalve in the process of passing a cleaning liquid in which a cleaning gas is dissolved, and discharges the cleaning liquid including the microvalve into the induction nozzle.
The induction nozzle suppresses a rapid pressure drop of the cleaning liquid including the microvalve discharged from the nozzle body, and jets the cleaning liquid including the microvalve vigorously.
A cleaning apparatus characterized by that.
請求項10ないし請求項13のいずれか1項において、
前記保持機構が、前記ターンテーブルの外周縁部において周方向に略等間隔に3個以上設けられ、
前記複数の保持機構はそれぞれ、前記ターンテーブルに対して上下方向に延びる揺動軸線を中心に揺動可能に保持された揺動部と、該揺動部に設けられて前記洗浄対象物の外周縁部が着座される支持部と、前記揺動部のうち前記揺動軸線と偏心した位置に設けられると共に該揺動部の揺動に応じて前記洗浄対象物の側端面に対して接近・離間される押圧部と、該揺動部のうち前記揺動軸線を挟んで前記押圧部とは反対側に設けられた重錘部と、を有し、
前記ターンテーブルが回転されたときに、前記重錘部に作用する遠心力によって前記揺動部が揺動されることにより、前記押圧部が前記洗浄対象物の側端面を押圧する、
ことを特徴とする洗浄装置。
14. In any one of claims 10 to 13,
Three or more holding mechanisms are provided at substantially equal intervals in the circumferential direction at the outer peripheral edge of the turntable,
Each of the plurality of holding mechanisms includes a swinging part that is swingably held around a swinging axis that extends in the vertical direction with respect to the turntable, and is provided on the swinging part so as to be outside the object to be cleaned. A support portion on which a peripheral edge portion is seated; and provided at a position eccentric to the swing axis of the swing portion, and approaches the side end surface of the object to be cleaned according to the swing of the swing portion. A pressing portion that is spaced apart, and a weight portion provided on the opposite side of the pressing portion across the swing axis of the swinging portion,
When the turntable is rotated, the oscillating portion is oscillated by a centrifugal force acting on the weight portion, so that the pressing portion presses a side end surface of the object to be cleaned.
A cleaning apparatus characterized by that.
半導体ウエハを水平状態で回転可能に保持するための保持装置であって、
上下方向に延びる回転軸線を中心に回転駆動されるターンテーブルと、
前記ターンテーブルの外周縁部に設けられ、前記半導体ウエハを水平状態で保持するための保持機構と、
を備え、
前記保持機構が、前記ターンテーブルの外周縁部において周方向に略等間隔に3個以上設けられ、
前記複数の保持機構はそれぞれ、前記ターンテーブルに対して上下方向に延びる揺動軸線を中心に揺動可能に保持された揺動部と、該揺動部に設けられて前記半導体ウエハの外周縁部が着座される支持部と、前記揺動部のうち前記揺動軸線と偏心した位置に設けられると共に該揺動部の揺動に応じて前記半導体ウエハの側端面に対して接近・離間される押圧部と、該揺動部のうち該揺動軸線を挟んで該押圧部とは反対側に設けられた重錘部と、を有し、
前記ターンテーブルが回転されたときに、前記重錘部に作用する遠心力によって前記揺動部が揺動されることにより、前記押圧部が前記半導体ウエハの側端面を押圧する、
ことを特徴とする半導体ウエハの保持装置。
A holding device for rotatably holding a semiconductor wafer in a horizontal state,
A turntable that is driven to rotate about a rotation axis extending in the vertical direction;
A holding mechanism for holding the semiconductor wafer in a horizontal state, provided on an outer peripheral edge of the turntable;
With
Three or more holding mechanisms are provided at substantially equal intervals in the circumferential direction at the outer peripheral edge of the turntable,
Each of the plurality of holding mechanisms includes a swinging part that is swingably held around a swinging axis extending in the vertical direction with respect to the turntable, and an outer peripheral edge of the semiconductor wafer provided on the swinging part. A support portion on which a portion is seated, and a portion of the oscillating portion that is eccentric from the oscillating axis, and is moved toward and away from the side end surface of the semiconductor wafer according to the oscillating portion of the oscillating portion. And a weight portion provided on the side opposite to the pressing portion across the swing axis of the swing portion,
When the turntable is rotated, the pressing portion presses a side end surface of the semiconductor wafer by the swinging portion being swung by a centrifugal force acting on the weight portion;
A semiconductor wafer holding device.
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