KR102075679B1 - Substrate treating apparatus and chemical recycling method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판 상의 이물을 세정하는 세정 챔버; 물을 포함하고 상기 기판의 세정에 사용된 혼합액을 회수하여 재생하는 재생 유닛; 및 상기 재생 유닛을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 재생 유닛은, 상기 세정 챔버에서 회수된 상기 혼합액을 가열 하여 상기 물을 분리하는 분리 유닛; 상기 분리 유닛과 상기 세정 챔버를 연결하며, 상기 혼합액이 상기 분리 유닛으로 유입되도록 하는 회수라인; 일측이 상기 분리 유닛과 연결되고, 상기 분리 유닛에서 증발된 물이 배출되는 감압라인; 상기 감압라인에 설치되고, 상기 분리 유닛의 배부 공간의 압력을 낮추어 주는 감압 유닛을 포함하되, 상기 제어부는 상기 분리 유닛의 하우징의 내부 공간이 설정 압력으로 감압된 후 상기 혼합액이 가열되도록 상기 감압 유닛 및 상기 분리 유닛을 제어할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a cleaning chamber for cleaning a foreign material on the substrate; A regeneration unit containing water and recovering and regenerating the mixed liquid used for cleaning the substrate; And a control unit for controlling the regeneration unit, wherein the regeneration unit comprises: a separation unit for heating the mixed liquid recovered from the cleaning chamber to separate the water; A recovery line connecting the separation unit and the cleaning chamber and allowing the mixed liquid to flow into the separation unit; A pressure reducing line having one side connected to the separation unit and discharging water evaporated from the separation unit; A pressure reducing unit installed in the pressure reducing line and lowering a pressure of a distribution space of the separation unit, wherein the control unit is configured to heat the mixed liquid after the internal space of the housing of the separation unit is reduced to a set pressure; And the separation unit.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a chemical liquid regeneration method.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에서 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on a substrate. In order to remove contaminants and particles generated in each process, a cleaning process is performed to clean the substrate before or after the process.
일반적으로 세정공정으로는 기판 상에 약액을 공급하여 기판을 세정 처리한다. 약액은 기판 상에 부착된 이물을 제거한 후 외부로 배출되어 버려진다. 또는, 사용된 약액은 끓는 점의 차이를 이용하여 분리된 후 재생된다. 사용된 약액은 대기압에서 가열하여 분리될 수 있다. 대기압에서는 약액이 끓는점에 도달하도록 하기 위해 약액을 고온으로 가열하여야 하므로, 약액의 재생에 소비되는 에너지가 커서, 효율이 떨어진다.In general, the cleaning process is performed by supplying a chemical solution onto the substrate. The chemical liquid is discarded after being discharged to the outside after removing the foreign matter attached to the substrate. Alternatively, the used chemicals are separated using the difference in boiling point and then regenerated. The chemical liquid used can be separated by heating at atmospheric pressure. At atmospheric pressure, the chemical liquid must be heated to a high temperature in order to reach the boiling point, so the energy consumed for regeneration of the chemical liquid is large, resulting in poor efficiency.
본 발명은 기판의 세정에 사용된 약액을 재생하는 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a chemical liquid regeneration method for regenerating a chemical liquid used for cleaning a substrate.
또한, 본 발명은 약액의 재생에 소요되는 시간이 단축되는 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid regeneration method that the time required for regeneration of the chemical liquid is shortened.
또한, 본 발명은 약액의 재생에 소요되는 비용이 절감되는 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법을 제공하기 위한 것이다. In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid regeneration method that the cost of regeneration of the chemical liquid is reduced.
또한, 본 발명은 혼합액을 효과적을 가열할 수 있는 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is providing the substrate processing apparatus and chemical liquid regeneration method which can heat a mixed liquid effectively.
또한, 본 발명은 작은 용량의 응축기를 사용할 수 있는 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid regeneration method which can use a small capacity condenser.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상의 이물을 세정하는 세정 챔버; 물을 포함하고 상기 기판의 세정에 사용된 혼합액을 회수하여 재생하는 재생 유닛; 및 상기 재생 유닛을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 재생 유닛은, 상기 세정 챔버에서 회수된 상기 혼합액을 가열 하여 상기 물을 분리하는 분리 유닛; 상기 분리 유닛과 상기 세정 챔버를 연결하며, 상기 혼합액이 상기 분리 유닛으로 유입되도록 하는 회수라인; 일측이 상기 분리 유닛과 연결되고, 상기 분리 유닛에서 증발된 물이 배출되는 감압라인; 상기 감압라인에 설치되고, 상기 분리 유닛의 배부 공간의 압력을 낮추어 주는 감압 유닛을 포함하되, 상기 제어부는 상기 분리 유닛의 하우징의 내부 공간이 설정 압력으로 감압된 후 상기 혼합액이 가열되도록 상기 감압 유닛 및 상기 분리 유닛을 제어하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the cleaning chamber for cleaning the foreign matter on the substrate; A regeneration unit containing water and recovering and regenerating the mixed liquid used for cleaning the substrate; And a control unit for controlling the regeneration unit, wherein the regeneration unit comprises: a separation unit for heating the mixed liquid recovered from the cleaning chamber to separate the water; A recovery line connecting the separation unit and the cleaning chamber and allowing the mixed liquid to flow into the separation unit; A pressure reducing line having one side connected to the separation unit and discharging water evaporated from the separation unit; A pressure reducing unit installed in the pressure reducing line and lowering a pressure of a distribution space of the separation unit, wherein the control unit is configured to heat the mixed liquid after the internal space of the housing of the separation unit is reduced to a set pressure; And a substrate processing apparatus for controlling the separation unit.
또한, 상기 분리 유닛은, 상기 내부 공간으로 돌출되도록 상기 하우징에 고정되는 히터를 더 포함할 수 있다.In addition, the separation unit may further include a heater fixed to the housing to protrude into the internal space.
또한, 상기 히터는 그 길이가 동일하고, 상기 하우징에 탈착 가능 하게 고정될 수 있다.In addition, the heater is the same length, it can be fixed to the housing detachably.
또한, 상기 하우징은 원통 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the housing may be provided in a cylindrical shape.
또한, 상기 하우징은 구 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the housing may be provided in a spherical shape.
또한, 상기 하우징의 상부 또는 측면에는 상기 회수라인이 연결되는 제 1 라인 및 상기 감압라인과 연결되는 제 2 라인이 제공되고, 상기 하우징의 하부에는 상기 물이 분리된 후 재사용 될 상기 혼합액이 배출되는 제 3 라인이 제공될 수 있다.In addition, a first line connected to the recovery line and a second line connected to the decompression line are provided on an upper side or a side of the housing, and a lower portion of the housing discharges the mixed liquid to be reused after the water is separated. A third line can be provided.
또한, 상기 혼합액은 황산을 포함할 수 있다.In addition, the mixed solution may include sulfuric acid.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판의 세정에 사용된 혼합액을 분리 유닛으로 회수한 후 상기 혼합액에 포함된 물을 분리하여, 상기 혼합액을 재사용 가능 하도록 처리하는 약액 재생 방법에 있어서, 상기 분리 유닛의 내부 공간을 설정 압력으로 감압한 후 상기 내부 공간에 수용된 상기 혼합액을 가열하여, 상기 혼합액에 포함된 상기 물을 분리하는 약액 재생 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, after recovering the mixed liquid used for cleaning the substrate to the separation unit, the water contained in the mixed liquid is separated, the chemical liquid regeneration method for treating the mixed liquid to be reusable, A chemical liquid regeneration method may be provided in which an internal space is decompressed to a set pressure and the mixed liquid contained in the internal space is heated to separate the water contained in the mixed liquid.
또한, 상기 혼합액은 황산을 포함할 수 있다.In addition, the mixed solution may include sulfuric acid.
본 발명에 의하면, 기판의 세정에 사용된 약액을 재생할 수 있다.According to the present invention, the chemical liquid used for cleaning the substrate can be regenerated.
또한, 본 발명에 의하면, 기판의 세정에 사용된 약액을 재생하는데 소요되는 시간이 단축될 수 있다.Further, according to the present invention, the time required for regenerating the chemical liquid used for cleaning the substrate can be shortened.
또한, 본 발명에 의하면, 기판의 세정에 사용된 약액을 재생하는데 소요되는 비용이 절감될 수 있다.In addition, according to the present invention, the cost of regenerating the chemical liquid used for cleaning the substrate can be reduced.
또한, 본 발명에 의하면, 혼합액이 효과적으로 가열될 수 있다.In addition, according to the present invention, the mixed liquid can be effectively heated.
또한, 본 발명에 의하면, 응축기의 용량이 작게 제공될 수 있다.In addition, according to the present invention, the capacity of the condenser can be provided small.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 3은 도 1의 세정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 4는 재생유닛의 구성을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4의 분리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 분리 유닛의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 다른 실시 예에 따른 분리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 분리 유닛의 단면도이다.1 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating the cleaning chamber of FIG. 1.
4 is a diagram showing the configuration of a playback unit.
5 is a view showing the separation unit of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of the separation unit of FIG. 5.
7 and 8 are views illustrating a separation unit according to another exemplary embodiment.
9 is a cross-sectional view of the separation unit of FIG. 8.
이하 이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면, 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, FIGS. 1 to 7. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures has been exaggerated to emphasize clearer explanations.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 세정챔버(10), 재생유닛(20) 그리고 약액공급유닛(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the
약액공급유닛(30)은 공급라인(31)으로 세정챔버(10)에 연결된다. 약액공급유닛(30)은 공급라인(31)을 통해서 세정챔버(10)로 혼합액을 공급한다. 혼합액은 제 1 약액 및 제 2 약액을 포함한다. 제 1 약액은 산성용액일 수 있다. 예를 들어 제 1 약액은 황산, 암모니아 또는 질산일 수 있다. 제 2 약액은 과산화수소 또는 순수 일 수 있다. 이하에서는, 혼합액은 제 1 약액이 황산이고, 제 2 약액이 과산화수소인 경우를 예로 들어 설명한다.The chemical
세정챔버(10)는 약액공급유닛(30)에서 혼합액을 공급받아 기판을 세정한다. 기판의 세정에 사용된 혼합액은 회수되어 재생유닛(20)으로 공급된다. 혼합액에 포함된 과산화수소의 일부는 세정챔버(10)에 공급되는 과정 및 기판의 세정에 사용된 후 회수되는 과정에서 물이 된다. 따라서, 재생유닛(20)으로 공급되는 혼합액에는 황산, 과산화수소 또는 물이 포함된다.The
재생유닛(20)은 회수된 혼합액에서 황산을 분리한다. 재생유닛(20)은 혼합액에서 황산이 설정 순도를 가지도록 분리한 후 약액공급유닛(30)으로 공급한다.The
약액공급유닛(30)은 재생유닛(20)에서 공급받은 황산을 공급라인(31)을 통해서 세정챔버(10)에 공급한다.The chemical
세정챔버(10), 재생유닛(20) 및 약액공급유닛(30)는 제어부(미도시)로 제어된다. 세정챔버(10), 재생유닛(20) 및 약액공급유닛(30)를 제어하는 제어부는 하나로 제공될 수 있다. 또한, 세정챔버(10), 재생유닛(20) 및 약액공급유닛(30) 은 제어부가 각각 따로 제공될 수 있다.The
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.2 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 재생된 황산이 재생유닛(21)에서 세정챔버(11)로 바로 공급되도록 제공될 수 있다. 즉, 재생유닛(21)에서 재생된 황산이 배출되는 라인은 공급라인(32)에 연결될 수 있다. 따라서, 황산은 약액공급유닛(31)에서 세정챔버(11)로 공급되거나, 재생유닛(21)에서 세정챔버(11)로 공급될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
도 3은 도 1의 세정 챔버를 나타내는 도면이다.3 is a view illustrating the cleaning chamber of FIG. 1.
도 3을 참조하면, 세정 챔버(10)의 내부에는 지지부재(110), 용기(120), 승강유닛(200), 노즐부(300) 및 백노즐부(400)가 제공된다. 지지부재(110)는 기판(S)을 지지하고, 용기(120)는 기판(S)으로부터 비산되는 약액들을 모은다. 승강유닛(200)는 스핀 헤드(111)에 대한 상대 높이가 조절되도록 용기(120)를 상하방향으로 이동시키고, 노즐부(300)는 기판(S)의 상면으로 혼합액을 공급한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.Referring to FIG. 3, the
지지부재(110)는 공정 처리시 기판(S)을 지지한다. 지지부재(110)는 스핀 헤드(111), 지지핀(112), 척킹핀(113), 지지축(114) 그리고 지지축 구동기(115)를 포함한다.The
스핀 헤드(111)는 기판(S)을 지지한다. 스핀 헤드(111)의 상면은 대체로 원형으로 제공되며, 기판(S)보다 큰 직경을 가진다. 스핀 헤드(111)의 하면은 상면보다 작은 직경을 가진다. 그리고, 스핀 헤드(111)의 측면은 상면에서 하면으로 갈수록 점점 직경이 작아지도록 경사지게 제공된다.The
스핀헤드(111)의 상면에는 지지핀(112)과 척킹핀(113)이 제공된다. 지지핀(112)은 스핀헤드(111)의 상면으로부터 상부로 돌출되며, 상단에 기판(S)이 놓인다. 지지핀(112)은 스핀헤드(111)의 상면에 서로 이격하여 복수개 제공된다. 지지핀(112)은 적어도 3개 이상 제공되며, 서로 조합되어 대체로 링 형상으로 배치된다. The
척킹핀(113)은 스핀 헤드(111)의 상면으로부터 상부로 돌출되며, 기판(S)의 측부을 지지한다. 척킹핀(113)들은 스핀 헤드(111)가 회전될 때, 원심력에 의해 기판(S)이 스핀 헤드(111)로부터 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 척킹핀(113)은 스핀 헤드(111)의 상면 가장자리영역을 따라 서로 이격하여 복수개 제공된다. 척킹핀(113)들은 적어도 3개 이상 제공되며, 서로 조합되어 링 형상으로 배치된다. 척킹핀(113)들은 스핀 헤드(111)의 중심을 기준으로 지지핀(112)들보다 직경이 큰 링 형상을 이루도록 배치된다. 척킹핀(113)들은 스핀 헤드(111)의 반경 방향을 따라 직선 이동되도록 제공될 수 있다. 척킹핀(113)들은 기판(S)의 로딩 또는 언로딩시 기판(S)의 측면과 이격 또는 접촉되도록 반경방향을 따라 직선이동한다.The
지지축(114)은 스핀 헤드(111)의 하부에 위치하며 스핀 헤드(111)를 지지한다. 지지축(114)은 중공 축(hollow shaft) 형상으로 제공되며, 지지축 구동기(115)에서 발생한 회전력을 스핀 헤드(111)에 전달한다. 지지축(114)의 하단에는 지지축 구동기(115)가 제공된다. 지지축 구동기(115)는 지지축(114)을 회전시킬 수 있는 회전력을 발생시킨다.The
용기(120)는 공정에 사용된 처리액 또는 공정시 발생됨 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 용기(120)는 상부가 개방되고 기판(S)이 처리되는 공간을 내부에 가진다.The
실시 예에 의하면, 용기(120)는 공정에 사용된 처리액들을 분리하여 회수할 수 있는 복수의 회수통들(120a, 120b, 120c)을 가진다. 각각의 회수통(120a, 120b, 120c)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(120)는 3개의 회수통들을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(120a), 중간 회수통(120b), 그리고 외부 회수통(120c)이라 칭한다. According to the embodiment, the
내부 회수통(120a)은 스핀 헤드(111)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(120b)은 내부 회수통(120a)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(120c)은 중간 회수통(120b)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(120a, 120b, 120c)은 용기(120) 내 공간과 통하는 유입구(121a, 121b, 121c)를 가진다. 각각의 유입구(121a, 121b, 121c)는 스핀 헤드(111) 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판처리에 제공된 처리액들은 기판(S)의 회전력에 의해 비산되어 유입구(121a, 121b, 121c)를 통해 회수통(120a, 120b, 120c)으로 유입된다. 외부 회수통(120c)의 유입구(121c)는 중간 회수통(120b)의 유입구(121b)의 수직 상부에 제공되고, 중간 회수통(120b)의 유입구(121b)는 내부 회수통(120a)의 유입구(121a)의 수직 상부에 제공된다. 즉, 내부 회수통(120a), 중간 회수통(120b), 그리고 외부 회수통(120c)의 유입구(121a, 121b, 121c)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다. 회수통(120a, 120b, 120c)들의 바닥벽(122a, 122b, 122c)에는 배출관(125a, 125b, 125c)이 각각 결합된다. 각각의 회수통(120a, 120b, 120c)들로 유입된 처리액들은 배출관(125a, 125b, 125c)들을 통해 분리되어 회수된다. 그리고, 외부 회수통(120c)의 바닥벽(122c)에는 배기관(127)이 설치된다. 배기관(127)은 회수통(120a, 120b, 120c)들로 유입된 처리액에서 발생된 가스를 외부로 배기한다.The
승강 유닛(200)은 스핀 헤드(111)에 대한 상대 높이가 조절되도록 용기(120)를 상하방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(200)은 브라켓(210), 이동 축(220), 그리고 구동기(230)를 가진다. 브라켓(210)은 용기(120)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(210)에는 구동기(230)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(220)이 고정결합된다. 승강 유닛(200)은 기판(S)이 스핀 헤드(111)에 로딩되거나, 스핀 헤드(111)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(111)가 용기(120)의 상부로 돌출되도록 용기(120)를 하강시킨다. 또한, 공정의 진행시에는 기판(S)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(120a,120b,120c)으로 유입될 수 있도록 용기(120)의 높이를 조절한다. 상술한 바와 달리, 승강 유닛(200)은 스핀 헤드(111)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The
노즐부(300)는 기판의 상면으로 혼합액을 분사한다. 노즐부(300)는 혼합액 분사노즐(312), 노즐 이동부(320)를 포함한다.The
혼합액 분사노즐(312)은 분사헤드(316)의 저면에 각각 설치된다. 혼합액 분사노즐(312)은 세정액 라인(41)에 연결되어, 기판(S)의 상면으로 혼합액을 공급한다. The mixed
이동부(320)는 노즐부(300)에서 분사되는 유체가 기판(W)의 중심영역에서부터 가장자리영역까지 균일하게 공급될 수 있도록 혼합액 분사노즐(312)을 이동시킨다. 이동부(320)는 아암(322), 지지축(324) 그리고 구동모터(326)를 포함한다. 아암(322)은 그 일단에 분사헤드(316)가 설치되며, 분사헤드(316)를 지지한다. 아암(322)의 타단에는 지지축(324)이 연결된다. 지지축(324)은 구동모터(326)로부터 회전력을 전달받으며, 회전력을 이용하여 아암(322)에 연결된 분사헤드(310)를 이동시킨다. The moving
이동부(320)에 의해 혼합액 분사노즐(312)을 이동시키는 방법은 직선 운동 방식과 회전 운동 방식이 있으며, 두 가지 방식을 각각 사용하거나, 혼용하여 사용할 수 있다.As a method of moving the mixed
또한, 도시되지 않았지만, 노즐부(300)는 HF(Hydrofluoric Acid) 용액 등 식각액(etchant)을 분사하는 노즐, 기판 건조를 위한 유기용제를 분사하는 유기용제 노즐 또는 건조가스 분사하는 노즐을 더 포함할 수 있다. 식각액 분사 노즐, 유기용제 노즐 및 건조가스 노즐은 별도의 분사헤드에 각각 제공될 수 있다.In addition, although not shown, the
백노즐부(400)는 스핀헤드(111)에 설치된다. 백노즐부(400)는 기판의 저면으로 초순수 또는 질소가스 등의 유체를 분사하기 위한 것이다. 백노즐부(400)는 스핀헤드(111)의 중앙부에 위치된다.The
도 4는 재생유닛의 구성을 나타낸 도면이다.4 is a diagram showing the configuration of a playback unit.
도 4를 참조하면, 재생유닛(20)은 분리유닛(500), 감압 유닛(600), 그리고 예비 가열 유닛(620) 을 포함한다.Referring to FIG. 4, the
분리유닛(500)은 회수라인(700), 감압라인(710), 그리고 제 1 배출라인(720)의 일측과 각각 연결된다. 회수라인(700)의 타측은 세정챔버(10)와 연결된다. 예를 들어 회수라인(700)은 배출관(125a, 125b, 125c)들 중 하나와 연결될 수 있다. 따라서, 세정챔버(10)에서 기판의 세정에 사용된 혼합액은 회수라인(700)을 통해서 분리유닛(500)으로 유입된다. 분리유닛(500)은 설정량의 혼합액이 내부로 유입되면, 혼합액을 가열한다. 혼합액의 가열을 계속하면, 혼합액에 포함된 과산화수소 및 물이 증발된다. 또한, 혼합액에 포함된 황산의 일부도 흄으로 증발될 수 있다.
감압 유닛(600)은 감압라인(710)에 설치된다. 감압 유닛(600)은 감압라인(710)을 통해서 분리유닛(500)에 흡입압력을 제공한다. 따라서, 분리유닛(500) 내부에 있는 기체 및 증발된 혼합액은 감압라인(710)을 통해서 배기되고, 분리유닛(500) 내부의 압력은 떨어진다. 분리유닛(500) 내부의 압력이 떨어지면, 혼합액의 끓는 점이 낮아진다. 일 예로 감압 유닛(600)은 분리유닛(500) 내부의 압력이 0.005~0.025bar로 형성되도록 압력을 제공하고, 분리유닛(500)은 혼합액을 150~170℃로 가열할 수 있다.The
그리고, 감압라인(710)에는 분리유닛(500)과 감압 유닛(600)사이에 후술할 응축기(610)가 설치된다.In addition, a
제 1 배출라인(720)에는 배출밸브(721), 그리고 배출펌프(722)가 설치된다. 혼합액을 가열하는 동안 배출밸브(721)는 혼합액이 제 1 배출라인(720)으로 유동하는 것을 차단한다. 또한, 분리유닛(500)에서 설정량의 혼합액으로부터 황산을 분리하는 동안, 혼합액은 추가적으로 분리유닛(500)에 유입되지 않는다. 혼합액은 가열되는 과정에서, 과산화 수소 및 물이 주로 증발된다. 따라서, 혼합액의 가열 과 증발된 혼합액의 배출을 계속하면, 혼합액에 포함된 황산의 순도가 증가된다. 분리유닛(500)에 남아있는 황산의 순도가 설정 순도가 되면, 배출밸브(721)는 개방되고, 배출펌프(722)가 동작하여, 황산은 제 1 배출라인(720)으로 배출된다.The
예비 가열 유닛(620)은 회수라인(700)에 설치된다. 분리유닛(500)에서 혼합액에 포함된 황산을 분리하는 동안, 회수라인(700)을 통해서 추가적으로 공급되는 혼합액은 예비 가열 유닛(620)에서 가열된다. 분리유닛(500)에서 분리된 황산이 제 1 배출라인(720)을 통해서 배출되면, 예비 가열 유닛(620)에 저장된 혼합액 또는 세정챔버(10)로부터 공급되는 혼합액이 분리유닛(500)으로 공급된다. 따라서, 예비 가열 유닛(620)이 설치되면, 분리유닛(500)으로 공급되는 혼합액의 온도는 상승하게 되어, 혼합액이 증발온도까지 도달하는데 소요되는 시간이 감소된다.The preheating
예비 가열 유닛(620)과 분리유닛(500)을 연결하는 회수라인(700)에는 순환라인(730)이 분기되고, 순환라인(730)의 다른 한 쪽은 예비 가열 유닛(620)에 연결된다. 회수라인(700)에서 순환라인(730)이 분기되는 곳에는 제 1 삼방밸브(731)가 설치된다.The circulation line 730 is branched to the
제 1 삼방밸브(731)는 분리유닛(500)으로 유입되는 유로 또는 순환라인(730)으로 연결되는 유로를 선택적으로 개폐하게 제어된다. 따라서, 예비 가열 유닛(620)에서 배출된 혼합액은 분리유닛(500)으로 유입되거나 순환라인(730)을 통해서 예비 가열 유닛(620)으로 다시 유입된다. 분리유닛(500)에서 혼합액에 포함된 황산을 분리하는 동안, 제 1 삼방밸브(731)는 분리유닛(500)으로 유입되는 회수라인(700)은 차단하고 순환라인(730)은 개방하도록 제어되어, 혼합액은 하우징(501) 내부에서 유동하게 된다. 따라서, 혼합액이 예비 가열 유닛(620)에서 열교환 되는 면적이 증가되어, 혼합액이 가열되는 시간이 단축된다. 일 예로 예비 가열 유닛(620)은 혼합액을 100~160℃로 가열할 수 있다.The first three-
그리고, 예비 가열 유닛(620)에서 혼합액이 배출되는 쪽의 회수라인(700)에는 펌프(703)가 설치된다. 펌프(703)는 분리유닛(500) 또는 순환라인(730)으로 유입되는 혼합액의 유동을 원활히 한다.In addition, a
회수라인(700)에는 세정챔버(10)와 예비 가열 유닛(620) 사이에 제 2 삼방밸브(741) 및 필터(705)가 설치될 수 있다. 제 2 삼방밸브(741)가 설치된 곳에는 회수라인(700)에서 폐기라인(740)이 분지된다. 제 2 삼방밸브(741)는 혼합액이 폐기라인(740) 또는 예비 가열 유닛(620)과 연결되는 회수라인(700)을 선택적으로 개폐한다. 폐기라인(740)으로 유입된 혼합액은 폐기된다. 따라서, 사용자는 제 2 삼방밸브(741)를 제어하여 혼합액을 재생하거나 폐기할 수 있다. 일 예로 황산 및 과산화수소를 1:1 내지 1:4의 비율로 혼합하여 사용한 혼합액은 폐기하고, 1:5 내지 1:7의 비율로 혼합하여 사용한 혼합액은 재생되도록 선택할 수 있다. 필터(705)는 예비 가열 유닛(620)으로 유입되는 혼합액에서 이물을 걸러낸다.In the
또 다른 실시 예로 재생 유닛은 응축기(610)가 생략될 수 있다. In another embodiment, the
또 다른 실시 예로 재생 유닛은 순환라인(730)이 생략될 수 있다.In another embodiment, the circulation unit 730 may be omitted.
또 다른 실시 예로 재생 유닛은 예비 가열 유닛(620)이 생략될 수 있다.In another embodiment, the
도 5는 도 4의 분리 유닛을 나타내는 도면이고 도 6은 도 5의 분리 유닛의 단면도이다.5 is a view showing the separation unit of FIG. 4 and FIG. 6 is a cross-sectional view of the separation unit of FIG. 5.
도 5 및 도 6을 참조하면, 분리유닛(500)은 하우징(510) 및 히터(520)를 포함한다.5 and 6, the
하우징(510)은 설정량의 혼합액이 저장되는 내부 공간을 형성하도록 제공된다. 하우징(510)은 원통 형상으로 제공될 수 있다. 따라서, 하우징(510)은 내부 공간의 압력이 증가 하여도, 변형 또는 파손이 방지될 수 있다. 또한, 하우징(510)은 다각형으로 형성될 때 보다 얇게 제공될 수 있어, 하우징(510)의 제조 단가가 절감될 수 있다. 하우징(510)에는 제 1 라인(511), 제 2 라인(512) 및 제 3 라인(513)이 제공된다. 제 1 라인(511) 및 제 2 라인(512)은 하우징(510)의 상부에 제공되고, 제 3 라인(513)은 하우징(510)의 하부에 제공된다. 예를 들어, 제 1 라인(511) 및 제 2 라인(512)은 하우징(510)의 상면에 형성되고, 제 3 랑인(513)은 하우징(510)의 하면에 형성될 수 있다. 제 1 라인(511), 제 2 라인(512) 및 제 3 라인(513)은 각각 회수라인(700), 감압라인(710) 및 제 1 배출라인(720)에 각각 연결된다.The
히터(520)는 내부 공간에 돌출 되도록 제공된다. 히터(520)는 하우징(510)에 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 예를 들어 그 길이가 동일하게 제공되는 히터(520)들은 하우징(510)의 하면에 삽입될 수 있다. 따라서, 모듈화된 히터(520)를 하우징(510)에 부착하여 분리 유닛을 간단히 형성할 수 있다. 또한, 히터(520)의 유지, 보수 또는 교체가 간단히 이루어 질 수 있다.The
이하, 분리유닛(500)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the
혼합액은 회수 라인(700)과 연결된 제 1 라인(511)을 통해 내부 공간으로 유입된다. 제어부(미도시)는 혼합액이 유입되는 동안 닫혀 있도록 배출 밸브(721)를 제어한다. 설정량의 혼합액이 유입되면, 제어부는 감압 유닛(600)이 동작하도록 제어하여, 내부 공간의 압력을 설정 압력까지 감압시킨다. 내부 공간의 압력이 설정 압력으로 감압된 후, 제어부는 히터(520)를 동작시켜 내부 공간의 혼합액을 가열한다. 히터(520)들은 내부 공간으로 돌출되게 제공되어, 혼합액과 열교환 되는 면적이 크게 제공된다. 따라서, 혼합액은 히터(520)들에 의해 효율적으로 가열될 수 있다. 혼합액이 가열되면, 혼합액에 포함된 과산화수소 또는 물은 증발되어 제 2 라인(512)과 연결된 감압라인(710)으로 배출된다. 혼합액은 설정 압력으로 감압된 후 히터(520)로 가열되므로, 증발되는 과산화수소 또는 물의 양이 일정 범위 내에서 유지될 수 있다. 따라서, 응축기는 증발된 과산화수소 또는 물의 양이 급격히 증가되는 경우에 대비할 필요가 없어, 필요 이상의 큰 용량이 필요 없다.The mixed liquid is introduced into the internal space through the
혼합액에 포함 된 과산화수소 또는 물이 증발되어, 혼합액에 포함된 황산이 설정비 이상이 되면, 혼합액은 제 3 라인(513)으로 배출된다.When hydrogen peroxide or water contained in the mixed liquid is evaporated, and sulfuric acid contained in the mixed liquid becomes more than the set ratio, the mixed liquid is discharged to the
도 7은 다른 실시 예에 따른 분리 유닛을 나타내는 도면이다.7 is a view showing a separation unit according to another embodiment.
도 7을 참조하면, 분리 유닛(501)의 제 1 라인(531)은 하우징(530)의 측면에 제공될 수 있다. 또한, 제 2 라인(532)도 하우징(530)의 측면에 제공될 수 있다.Referring to FIG. 7, a
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 분리 유닛을 타나내는 도면이고, 도 9는 도 8의 분리 유닛의 단면도이다.8 is a view illustrating a separation unit according to another embodiment, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the separation unit of FIG. 8.
도 8 및 도 9를 참조하면, 분리 유닛(503)의 하우징(540)은 구 형상으로 제공될 수 있다. 따라서, 하우징(540)은 그 단면의 형상이 항상 원을 이루게 되어, 내부 공간의 압력이 증가 하여도 변형이나 파손이 방지될 수 있다.8 and 9, the
히터(550)들은 하우징(540)의 중심을 지나는 선을 기준으로 한 원상에 위치될 수 있다. 따라서, 하우징(540)에 삽입되는 히터(550)들은 그 길이가 동일하게 제공될 수 있다.The
하우징(540), 히터(550), 하우징(540)에 제공되는 제 1 라인(541), 제 2 라인(542) 및 제 3 라인(543)의 동작은 도 5 및 도 6의 분리 유닛과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.The operation of the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
10: 세정 챔버 20: 재생 유닛
30: 약액 공급 유닛 110: 지지부재
120: 용기 200: 승강유닛
300: 노즐부 400: 백노즐부
500: 분리 유닛 510: 하우징
600: 감압 유닛 620: 예비 가열 유닛10: cleaning chamber 20: regeneration unit
30: chemical liquid supply unit 110: support member
120: container 200: lifting unit
300: nozzle portion 400: back nozzle portion
500: separation unit 510: housing
600: pressure reduction unit 620: preheating unit
Claims (9)
물을 포함하고 상기 기판의 세정에 사용된 혼합액을 회수하여 재생하는 재생 유닛; 및
상기 재생 유닛을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 재생 유닛은,
상기 세정 챔버에서 회수된 상기 혼합액을 가열 하여 상기 물을 분리하는 분리 유닛;
상기 분리 유닛과 상기 세정 챔버를 연결하며, 상기 혼합액이 상기 분리 유닛으로 유입되도록 하는 회수라인;
일측이 상기 분리 유닛과 연결되고, 상기 분리 유닛에서 증발된 물이 배출되는 감압라인;
상기 감압라인에 설치되고, 상기 분리 유닛의 배부 공간의 압력을 낮추어 주는 감압 유닛을 포함하되,
상기 제어부는 상기 분리 유닛의 내부 공간이 설정 압력으로 감압된 후 상기 혼합액이 가열되도록 상기 감압 유닛 및 상기 분리 유닛을 제어하며,
상기 분리 유닛은
상기 혼합액이 저장되는 내부 공간을 형성하는 하우징;
상기 내부 공간으로 돌출되도록 상기 하우징의 하면으로부터 삽입되어 고정되는 히터들을 포함하고,
상기 히터들은 그 길이가 동일하고, 상기 하우징에 탈착 가능하게 고정되는 기판 처리 장치.A cleaning chamber for cleaning foreign matter on the substrate;
A regeneration unit containing water and recovering and regenerating the mixed liquid used for cleaning the substrate; And
A control unit for controlling the reproduction unit,
The regeneration unit,
A separation unit for separating the water by heating the mixed liquid recovered from the cleaning chamber;
A recovery line connecting the separation unit and the cleaning chamber and allowing the mixed liquid to flow into the separation unit;
A pressure reducing line having one side connected to the separation unit and discharging water evaporated from the separation unit;
Is installed in the decompression line, including a decompression unit for lowering the pressure of the distribution space of the separation unit,
The control unit controls the decompression unit and the separation unit so that the mixed liquid is heated after the internal space of the separation unit is decompressed to a set pressure,
The separation unit
A housing forming an inner space in which the mixed liquid is stored;
Heaters inserted into and fixed from a lower surface of the housing to protrude into the inner space,
And the heaters have the same length and are detachably fixed to the housing.
상기 하우징은 원통 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the housing is provided in a cylindrical shape.
상기 하우징은 구 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the housing is provided in a spherical shape.
상기 하우징의 상부 또는 측면에는 상기 회수라인이 연결되는 제 1 라인 및 상기 감압라인과 연결되는 제 2 라인이 제공되고, 상기 하우징의 하부에는 상기 물이 분리된 후 재사용 될 상기 혼합액이 배출되는 제 3 라인이 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A first line connected to the recovery line and a second line connected to the decompression line are provided on an upper side or a side of the housing, and a third outlet on the lower side of the housing to discharge the mixed solution to be reused after the water is separated. Substrate processing apparatus provided with a line.
상기 혼합액은 황산을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The mixed solution includes sulfuric acid.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001163697A (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Method of recovering quartz crucible after growing single crystal and device for growing cz-single crystal |
JP2002085943A (en) | 2000-09-14 | 2002-03-26 | Sony Corp | Wafer dryer |
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KR101308273B1 (en) * | 2007-05-17 | 2013-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method of manufacturing recycled chemical solution and equipment for manufacturing the recycled chemical solution |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001163697A (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Method of recovering quartz crucible after growing single crystal and device for growing cz-single crystal |
JP2002085943A (en) | 2000-09-14 | 2002-03-26 | Sony Corp | Wafer dryer |
JP2012080048A (en) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
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