JP2019197834A - 光検出素子 - Google Patents
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Abstract
Description
[第1実施形態]
[第2実施形態]
Claims (6)
- 第1面を有する半導体部と、前記第1面上に設けられ、前記半導体部との間にショットキー接合を形成する接合体と、を備える光検出素子であって、
前記第1面は、前記ショットキー接合が形成された接合エリアと、金属との接合が形成されていない非接合エリアと、を含み、
前記接合体は、前記ショットキー接合を形成する第1金属層と、前記第1金属層上に積層された誘電体層と、前記誘電体層上に積層された第2金属層と、を有する、
光検出素子。 - 前記第1面に沿って直線状に延在する複数の前記接合体を備え、
前記接合体は、前記第1面に交差する方向からみて、互いの間に前記非接合エリアが介在するように、延在方向に交差する方向に沿って配列されている、
請求項1に記載の光検出素子。 - 前記第1面に沿って円環状に延在する複数の前記接合体を備え、
前記接合体は、前記第1面に交差する方向からみて、互いの間に前記非接合エリアが介在するように、同心円状に配列されている、
請求項1に記載の光検出素子。 - 前記接合体は、少なくとも1つの方向について一定のピッチで配列されている、
請求項2又は3に記載の光検出素子。 - 前記接合体は、互いに同一の断面形状を有している、
請求項2〜4のいずれか一項に記載の光検出素子。 - 前記半導体部は、シリコンを含む、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の光検出素子。
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