JP2019197669A

JP2019197669A - Light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device

Info

Publication number: JP2019197669A
Application number: JP2018091126A
Authority: JP
Inventors: 田中　洋平; Yohei Tanaka; 洋平田中
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2018-05-10
Filing date: 2018-05-10
Publication date: 2019-11-14
Anticipated expiration: 2038-05-10
Also published as: JP7202786B2

Abstract

To shield an OLED structure with high reliability.SOLUTION: A light-emitting device 10 contains a substrate 100, an OLED structure 140, a first layer 210, a second layer 220 and a third layer 230. The OLED structure 140 is positioned on the substrate 100. The OLED structure 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The first layer 210 covers the OLED structure 140, and contains a first inorganic material. The second layer 220 is laminated onto the first layer 210, and contains a first organic material. The third layer 230 is laminated on the second layer 220, and includes a second inorganic material. A thickness T of the second layer 220 is 10 μm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）構造を有する発光装置が開発されている。ＯＬＥＤ構造は、第１電極、有機層及び第２電極を含んでいる。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により発光可能な発光層（ＥＭＬ）を含んでいる。有機層は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。ＯＬＥＤ構造の製造プロセスにおいては、有機層の各層が順次積層される。 In recent years, light emitting devices having an organic light emitting diode (OLED) structure have been developed. The OLED structure includes a first electrode, an organic layer, and a second electrode. The organic layer includes a light emitting layer (EML) capable of emitting light by organic electroluminescence (EL) by a voltage between the first electrode and the second electrode. The organic layer may appropriately include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). In the manufacturing process of the OLED structure, the organic layers are sequentially stacked.

特許文献１には、ＯＬＥＤ構造を封止層で覆うことが記載されている。封止層は、無機層、樹脂層及び無機層を含んでいる。特許文献１には、樹脂層をインクジェットによって形成することが記載されている。 Patent Document 1 describes that an OLED structure is covered with a sealing layer. The sealing layer includes an inorganic layer, a resin layer, and an inorganic layer. Patent Document 1 describes that a resin layer is formed by inkjet.

特許文献２には、ＯＬＥＤ構造を有機層で覆い、有機層を保護層で覆うことが記載されている。特許文献２には、ＯＬＥＤ構造上に異物が存在する場合があることが記載されており、この場合、ＯＬＥＤ構造を有機層で覆っても、異物の周辺に隙間（有機層が存在しない領域）が形成され得ることが記載されている。特許文献２では、有機層をこの有機層のガラス転移点以上の温度に加熱して、異物の周辺の隙間を有機層で埋めている。 Patent Document 2 describes that the OLED structure is covered with an organic layer, and the organic layer is covered with a protective layer. Patent Document 2 describes that foreign matter may exist on the OLED structure. In this case, even if the OLED structure is covered with an organic layer, a gap (region where no organic layer is present) is formed around the foreign matter. Can be formed. In Patent Document 2, the organic layer is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point of the organic layer, and the gap around the foreign matter is filled with the organic layer.

特開２０１７−１７４６０７号公報JP 2017-174607 A 特開２００８−１０８６２８号公報JP 2008-108628 A

特許文献１に記載されているように、ＯＬＥＤ構造を封止することがある。本発明者は、ＬＥＤ構造を高い信頼性をもって封止することを検討した。 As described in Patent Document 1, an OLED structure may be sealed. The inventor has studied to seal the LED structure with high reliability.

本発明が解決しようとする課題としては、ＯＬＥＤ構造を高い信頼性をもって封止することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to seal an OLED structure with high reliability.

請求項１に記載の発明は、
基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有するＯＬＥＤ構造と、
前記ＯＬＥＤ構造を覆い、第１無機材料を含む第１層と、
前記第１層上に積層され、第１有機材料を含む第２層と、
前記第２層上に積層され、第２無機材料を含む第３層と、
を含み、
前記第２層の厚さは、１０μｍ以下である、発光装置である。 The invention described in claim 1
A substrate,
An OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first layer covering the OLED structure and including a first inorganic material;
A second layer stacked on the first layer and including a first organic material;
A third layer laminated on the second layer and comprising a second inorganic material;
Including
The thickness of the second layer is a light emitting device having a thickness of 10 μm or less.

請求項９に記載の発明は、
基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有するＯＬＥＤ構造と、
前記ＯＬＥＤ構造を覆い、第１無機材料を含む第１層と、
前記第１層上に積層され、第１有機材料を含む第２層と、
前記第２層上に積層され、第２無機材料を含む第３層と、
を含み、
前記第２層は、蒸着層である、発光装置である。 The invention according to claim 9 is:
A substrate,
An OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first layer covering the OLED structure and including a first inorganic material;
A second layer stacked on the first layer and including a first organic material;
A third layer laminated on the second layer and comprising a second inorganic material;
Including
The second layer is a light emitting device which is a vapor deposition layer.

請求項１０に記載の発明は、
基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有するＯＬＥＤ構造を、第１無機材料を含む第１層で覆う工程と、
前記第１層上に、第１有機材料を含む第２層を積層する工程と、
前記第２層上に、第２無機材料を含む第３層を積層する工程と、
前記第１有機材料を前記第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。 The invention according to claim 10 is:
Covering the OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode with a first layer comprising a first inorganic material;
Laminating a second layer containing a first organic material on the first layer;
Laminating a third layer containing a second inorganic material on the second layer;
Heating the first organic material to a temperature above the glass transition point of the first organic material and below the melting point;
Is a method for manufacturing a light emitting device.

実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 第１層、第２層及び第３層のそれぞれの端部の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of each edge part of a 1st layer, a 2nd layer, and a 3rd layer. 図１の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device 10 according to an embodiment.

図１を用いて、発光装置１０の概要を説明する。発光装置１０は、基板１００、ＯＬＥＤ構造１４０、第１層２１０、第２層２２０及び第３層２３０を含んでいる。ＯＬＥＤ構造１４０は、基板１００上に位置している。ＯＬＥＤ構造１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。第１層２１０は、ＯＬＥＤ構造１４０を覆っており、第１無機材料を含んでいる。第２層２２０は、第１層２１０上に積層されており、第１有機材料を含んでいる。第３層２３０は、第２層２２０上に積層されており、第２無機材料を含んでいる。第２層２２０の厚さＴは、１０μｍ以下となっている。 An outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, an OLED structure 140, a first layer 210, a second layer 220, and a third layer 230. The OLED structure 140 is located on the substrate 100. The OLED structure 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The first layer 210 covers the OLED structure 140 and includes a first inorganic material. The second layer 220 is stacked on the first layer 210 and includes a first organic material. The third layer 230 is stacked on the second layer 220 and includes a second inorganic material. The thickness T of the second layer 220 is 10 μm or less.

上述した構成によれば、ＯＬＥＤ構造１４０を高い信頼性をもって封止することができる。具体的には、上述した構成においては、第１層２１０、第２層２２０及び第３層２３０は、ＯＬＥＤ構造１４０を封止するための封止層として機能している。ＯＬＥＤ構造１４０上に異物（例えば、図１に示す異物Ｐ）が存在しても、第１層２１０によって異物を覆うことができ、第１層２１０によって覆われた異物の移動を第２層２２０によって抑えることができ、ＯＬＥＤ構造１４０を劣化させる物質（例えば、水又は酸素）の第２層２２０を経由しての透過を第３層２３０によって抑えることができる。本発明者は、第２層２２０の厚さＴが一定の厚さを超えると、第２層２２０の応力によって第１層２１０又は第３層２３０の破壊が生じ得ることを見出した。本発明者は、第１層２１０又は第３層２３０の破壊を抑えることを検討し、その結果、第２層２２０の厚さＴを抑えて、第２層２２０の応力を抑えることを想到した。上述した構成によれば、第２層２２０の厚さＴは、１０μｍ以下となっている。したがって、第２層２２０の応力を抑えることができる。このようにして、ＯＬＥＤ構造１４０を高い信頼性をもって封止することができる。 According to the above-described configuration, the OLED structure 140 can be sealed with high reliability. Specifically, in the configuration described above, the first layer 210, the second layer 220, and the third layer 230 function as a sealing layer for sealing the OLED structure 140. Even if foreign matter (for example, the foreign matter P shown in FIG. 1) exists on the OLED structure 140, the foreign matter can be covered by the first layer 210, and the movement of the foreign matter covered by the first layer 210 can be moved to the second layer 220. The third layer 230 can suppress the transmission of a substance (for example, water or oxygen) that deteriorates the OLED structure 140 through the second layer 220. The inventor has found that when the thickness T of the second layer 220 exceeds a certain thickness, the stress of the second layer 220 may cause the first layer 210 or the third layer 230 to break. The present inventor studied to suppress the breakage of the first layer 210 or the third layer 230, and as a result, conceived of suppressing the stress of the second layer 220 by suppressing the thickness T of the second layer 220. . According to the configuration described above, the thickness T of the second layer 220 is 10 μm or less. Therefore, the stress of the second layer 220 can be suppressed. In this way, the OLED structure 140 can be sealed with high reliability.

本発明者は、第２層２２０の厚さＴを抑える方法を検討し、その結果、第１有機材料を蒸着することで第２層２２０を形成することを想起した。言い換えると、第２層２２０は、蒸着層であり、第１有機材料を蒸着させることを経ている。一般に、薄い層の形成には、塗布プロセスよりも蒸着プロセスの方が有利である。特に、１０μｍ以下の厚さの第２層２２０の形成には、塗布プロセスよりも蒸着プロセスの方が大いに有利となる。 The present inventor has studied a method of suppressing the thickness T of the second layer 220 and, as a result, recalled that the second layer 220 is formed by vapor-depositing the first organic material. In other words, the second layer 220 is a vapor deposition layer and has undergone vapor deposition of the first organic material. In general, a vapor deposition process is more advantageous than a coating process for forming a thin layer. In particular, the vapor deposition process is much more advantageous than the coating process for forming the second layer 220 having a thickness of 10 μm or less.

本発明者は、第２層２２０の厚さＴを抑えた場合であっても、第２層２２０が途切れないようにすることを検討し、その結果、第１有機材料を第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱することを想起した。第２層２２０の厚さＴを抑えると、第１層２１０の表面の凹凸（図１に示す例では、異物Ｐによって第１層２１０の表面に生じた凹凸）によって第２層２２０が途切れる可能性が高くなる。第１有機材料を第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱することで、第２層２２０が異物Ｐを埋め込むように第２層２２０を変形させることができる。 The present inventor has considered that the second layer 220 is not interrupted even when the thickness T of the second layer 220 is suppressed, and as a result, the first organic material is made of the first organic material. I recalled heating to the glass transition point or higher and below the melting point. When the thickness T of the second layer 220 is suppressed, the second layer 220 may be interrupted by the irregularities on the surface of the first layer 210 (in the example shown in FIG. 1, the irregularities generated on the surface of the first layer 210 by the foreign matter P). Increases nature. By heating the first organic material to a temperature equal to or higher than the glass transition point of the first organic material and lower than the melting point, the second layer 220 can be deformed so that the second layer 220 embeds the foreign matter P therein.

図１を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。 Details of the light-emitting device 10 will be described with reference to FIG.

発光装置１０は、基板１００、ＯＬＥＤ構造１４０、第１層２１０、第２層２２０及び第３層２３０を含んでいる。ＯＬＥＤ構造１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。 The light emitting device 10 includes a substrate 100, an OLED structure 140, a first layer 210, a second layer 220, and a third layer 230. The OLED structure 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。ＯＬＥＤ構造１４０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。 The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The OLED structure 140 is located on the first surface 102 side of the substrate 100. The second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.

基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は有していなくてもよい。基板１００は、透光性を有していてもよいし、又は有していなくてもよい。 The substrate 100 is made of, for example, glass or resin. The substrate 100 may or may not have flexibility. The substrate 100 may or may not have a light-transmitting property.

第１電極１１０は、陽極として機能している。第１電極１１０は、透光性を有していてもよいし、又は透光性を有していなくてもよい。 The first electrode 110 functions as an anode. The first electrode 110 may have a light-transmitting property or may not have a light-transmitting property.

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により発光可能な発光層（ＥＭＬ）を含んでいる。有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。有機層１２０は、電荷発生層（ＣＧＬ）をさらに含んでいてもよい。 The organic layer 120 includes a light emitting layer (EML) capable of emitting light by organic electroluminescence (EL). The organic layer 120 may appropriately include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). The organic layer 120 may further include a charge generation layer (CGL).

第２電極１３０は、陰極として機能している。第２電極１３０は、透光性を有していてもよいし、又は透光性を有していなくてもよい。 The second electrode 130 functions as a cathode. The second electrode 130 may have a light-transmitting property or may not have a light-transmitting property.

一例において、第１電極１１０が透光性を有し、第２電極１３０が遮光性、特に光反射性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射される。 In one example, the first electrode 110 may have a light-transmitting property, and the second electrode 130 may have a light-blocking property, particularly light-reflecting property. In this example, light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100.

他の例において、第１電極１１０が遮光性を有し、第２電極１３０が透光性、特に光反射性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０、第１層２１０、第２層２２０及び第３層２３０を透過して基板１００の第２面１０４の反対側から出射される。 In another example, the first electrode 110 may have a light shielding property, and the second electrode 130 may have a light transmitting property, particularly a light reflecting property. In this example, the light emitted from the organic layer 120 passes through the second electrode 130, the first layer 210, the second layer 220, and the third layer 230 and is emitted from the opposite side of the second surface 104 of the substrate 100. The

さらに他の例において、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透光性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光の一部は、第１電極１１０及び基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射され、有機層１２０から発せられた光の他の一部は、第２電極１３０を透過して基板１００の第２面１０４の反対側から出射される。 In still another example, both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be translucent. In this example, a part of the light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100, and other light emitted from the organic layer 120. A part of the light passes through the second electrode 130 and is emitted from the opposite side of the second surface 104 of the substrate 100.

一例において、第１電極１１０が透光性導電材料を含む場合、第１電極１１０は、透光性を有することができる。透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ））又はＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、カーボンナノチューブ又は導電性高分子（例えば、ＰＥＤＯＴ）である。他の例において、第１電極１１０が金属薄膜（例えば、Ａｇ）又は合金薄膜（例えば、ＡｇＭｇ）からなる場合、第１電極１１０は、透光性を有することができる。第２電極１３０についても同様である。 In one example, when the first electrode 110 includes a light-transmitting conductive material, the first electrode 110 can have a light-transmitting property. The transparent conductive material is, for example, a metal oxide (for example, Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Tungsten Zinc Oxide (IWZO), ZnO (Zinc Oxide)) or IGZO (Indium Galium Zinc Oxide). A carbon nanotube or a conductive polymer (for example, PEDOT). In another example, when the first electrode 110 is formed of a metal thin film (for example, Ag) or an alloy thin film (for example, AgMg), the first electrode 110 may have a light transmitting property. The same applies to the second electrode 130.

一例において、第１電極１１０が遮光性導電材料、特に光反射性導電材料を含む場合、第１電極１１０は、遮光性、特に光反射性を有することができる。一例において、遮光性導電材料は、金属又は合金であり、より具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される少なくとも１つの金属又はこの群から選択される金属の合金である。第２電極１３０についても同様である。 In one example, when the first electrode 110 includes a light-blocking conductive material, particularly a light-reflective conductive material, the first electrode 110 can have a light-blocking property, particularly a light-reflecting property. In one example, the light-shielding conductive material is a metal or an alloy, and more specifically, at least one metal selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or An alloy of metals selected from this group. The same applies to the second electrode 130.

第１層２１０は、ＯＬＥＤ構造１４０を劣化させる物質（例えば、水又は酸素）がＯＬＥＤ構造１４０、特に有機層１２０に侵入することを防ぐために設けられている。第１層２１０は、第１無機材料を含んでいる。第１層２１０は、第１無機材料をＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｓｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって堆積させて形成させている。 The first layer 210 is provided to prevent a substance (eg, water or oxygen) that degrades the OLED structure 140 from entering the OLED structure 140, particularly the organic layer 120. The first layer 210 includes a first inorganic material. The first layer 210 is formed by depositing a first inorganic material by ALD (Atomic Layer Deposition).

第２層２２０は、第１層２１０によって覆われた異物（例えば、図１に示す異物Ｐ）を固定するために設けられている。第２層２２０は、第１有機材料を含んでいる。第２層２２０は、第１有機材料を蒸着させることによって形成させている。第１有機材料は、例えば、樹脂材料である。第１層２１０をＡＬＤによって形成する前に、ＯＬＥＤ構造１４０上に異物が存在している場合、この異物は、第１層２１０の形成後、第１層２１０によって覆われる。第１層２１０は、この異物の移動によって割れることがある。第２層２２０は、このような異物を固定するために設けられている。 The second layer 220 is provided to fix the foreign matter (for example, the foreign matter P shown in FIG. 1) covered by the first layer 210. The second layer 220 includes a first organic material. The second layer 220 is formed by evaporating the first organic material. The first organic material is, for example, a resin material. If foreign matter is present on the OLED structure 140 before the first layer 210 is formed by ALD, the foreign matter is covered by the first layer 210 after the first layer 210 is formed. The first layer 210 may be broken by the movement of the foreign matter. The second layer 220 is provided to fix such foreign matter.

一例において、第２層２２０には、金属酸化物がドープされていてもよい。金属酸化物は、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯ_ｘ）、より具体的には、三酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）である。金属酸化物のドープによって、第１層２１０と第２層２２０の層間密着及び第２層２２０と第３層２３０の層間密着を向上させることができる。他の例において、第２層２２０には、金属酸化物がドープされていなくてもよい。 In one example, the second layer 220 may be doped with a metal oxide. The metal oxide is, for example, molybdenum oxide (MoO _x ), more specifically, molybdenum trioxide (MoO ₃ ). By the metal oxide doping, the interlayer adhesion between the first layer 210 and the second layer 220 and the interlayer adhesion between the second layer 220 and the third layer 230 can be improved. In another example, the second layer 220 may not be doped with a metal oxide.

第３層２３０は、ＯＬＥＤ構造１４０を劣化させる物質（例えば、水又は酸素）が第２層２２０を経由してＯＬＥＤ構造１４０、特に有機層１２０に侵入することを防ぐために設けられている。第３層２３０は、第２無機材料を含んでいる。第３層２３０は、第２無機材料をＡＬＤによって堆積させて形成させている。 The third layer 230 is provided to prevent a substance (eg, water or oxygen) that degrades the OLED structure 140 from entering the OLED structure 140, particularly the organic layer 120, via the second layer 220. The third layer 230 includes a second inorganic material. The third layer 230 is formed by depositing a second inorganic material by ALD.

図２は、図１に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、発光装置１０は、以下のようにして製造される。 FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIG. In this example, the light emitting device 10 is manufactured as follows.

まず、基板１００上にＯＬＥＤ構造１４０を形成する。図１及び図２に示す例では、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に形成してＯＬＥＤ構造１４０を形成させる。 First, the OLED structure 140 is formed on the substrate 100. In the example shown in FIGS. 1 and 2, the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are sequentially formed to form the OLED structure 140.

次いで、第２電極１３０を第１層２１０で覆う。第１層２１０は、第１無機材料をＡＬＤによって堆積させて形成させている。 Next, the second electrode 130 is covered with the first layer 210. The first layer 210 is formed by depositing a first inorganic material by ALD.

図２に示す例では、ＯＬＥＤ構造１４０を第１層２１０で覆う前、ＯＬＥＤ構造１４０を大気に曝している。例えば、第２電極１３０を形成するためのチャンバから第１層２１０を形成するためのチャンバへ基板１００を移動させる期間にＯＬＥＤ構造１４０が大気に曝される。図２に示す例では、大気内に存在した異物ＰがＯＬＥＤ構造１４０に付着している。異物Ｐの大きさは、例えば、１０μｍ以下である。 In the example shown in FIG. 2, before the OLED structure 140 is covered with the first layer 210, the OLED structure 140 is exposed to the atmosphere. For example, the OLED structure 140 is exposed to the atmosphere during the period in which the substrate 100 is moved from the chamber for forming the second electrode 130 to the chamber for forming the first layer 210. In the example shown in FIG. 2, the foreign matter P existing in the atmosphere is attached to the OLED structure 140. The size of the foreign matter P is, for example, 10 μm or less.

図２に示す例では、異物Ｐが第１層２１０によって覆われている。一般に、ＡＬＤにより形成された層は、段差被覆性に優れている。したがって、図２に示すように、第１層２１０は、異物Ｐにより形成された凹凸に沿って形成させることができる。この場合、図２に示すように、第１層２１０の表面にも異物Ｐに沿って凹凸が形成されることがある。図２に示す例では、第１層２１０のうちのＯＬＥＤ構造１４０に沿った部分と第１層２１０のうちの異物Ｐに沿った部分の間に隙間（例えば、図２に示す隙間Ｇ）が形成されている。 In the example shown in FIG. 2, the foreign matter P is covered with the first layer 210. In general, a layer formed by ALD is excellent in step coverage. Therefore, as shown in FIG. 2, the first layer 210 can be formed along the unevenness formed by the foreign matter P. In this case, irregularities may be formed along the foreign matter P on the surface of the first layer 210 as shown in FIG. In the example illustrated in FIG. 2, a gap (for example, a gap G illustrated in FIG. 2) is formed between a portion of the first layer 210 along the OLED structure 140 and a portion of the first layer 210 along the foreign matter P. Is formed.

次いで、第１層２１０上に第２層２２０を積層する。第２層２２０は、第１有機材料を蒸着させることで形成させている。蒸着プロセスによれば、薄い層の形成が容易である。したがって、第２層２２０の厚さＴは、薄くすることができ、例えば、１０μｍ以下にすることができる。 Next, the second layer 220 is stacked on the first layer 210. The second layer 220 is formed by evaporating the first organic material. According to the vapor deposition process, it is easy to form a thin layer. Therefore, the thickness T of the second layer 220 can be reduced, for example, 10 μm or less.

図２に示す例では、第２層２２０が異物Ｐの周辺において途切れている。一般に、蒸着により形成された層は、段差被覆性にあまり優れていない。このため、第２層２２０は、異物Ｐを埋め込むことができず、異物Ｐの周辺において途切れることがある。特に第２層２２０の厚さＴが薄いと、第２層２２０の途切れの可能性が高くなる。図２に示す例では、隙間Ｇに第２層２２０が埋め込まれていない。 In the example shown in FIG. 2, the second layer 220 is interrupted around the foreign matter P. In general, a layer formed by vapor deposition is not very excellent in step coverage. For this reason, the second layer 220 cannot be embedded with the foreign matter P and may be interrupted around the foreign matter P. In particular, when the thickness T of the second layer 220 is thin, the possibility of the second layer 220 being interrupted increases. In the example shown in FIG. 2, the second layer 220 is not embedded in the gap G.

次いで、第１有機材料を第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱する。第１有機材料を加熱することで、図１に示すように、第２層２２０が異物Ｐを埋め込むように第２層２２０を容易に変形させることができる。特に図１に示す例では、図２に示す隙間Ｇに第２層２２０の一部が入り込んでいる。 Next, the first organic material is heated to the glass transition point or higher and lower than the melting point of the first organic material. By heating the first organic material, the second layer 220 can be easily deformed so that the second layer 220 embeds the foreign matter P as shown in FIG. In particular, in the example shown in FIG. 1, a part of the second layer 220 enters the gap G shown in FIG.

第２層２２０は、第１有機材料を第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱することを経ている。一例において、第１有機材料のガラス転移点は、ＯＬＥＤ構造１４０（有機層１２０）に含まれるいずれの有機材料（例えば、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ又はＥＩＬ）のガラス転移点よりも低くすることができる。この例においては、第１有機材料を第１有機材料のガラス転移点以上ＯＬＥＤ構造１４０に含まれるいずれの有機材料のガラス転移点未満に加熱することができ、加熱によるＯＬＥＤ構造１４０内の有機材料の変質を抑えることができる。 The second layer 220 undergoes heating the first organic material to a temperature higher than the glass transition point of the first organic material and lower than the melting point. In one example, the glass transition point of the first organic material should be lower than the glass transition point of any organic material (eg, HIL, HTL, EML, ETL, or EIL) included in the OLED structure 140 (organic layer 120). Can do. In this example, the first organic material can be heated above the glass transition point of the first organic material to less than the glass transition point of any organic material contained in the OLED structure 140, and the organic material in the OLED structure 140 by heating. Can be prevented.

第２層２２０を加熱する方法は、特定の方法に限定されない。一例において、第２層２２０は、フラッシュランプによって加熱させてもよい。この例においては、第２層２２０を選択的に加熱することができる。したがって、ＯＬＥＤ構造１４０が第１有機材料のガラス転移点よりも低いガラス転移点を有する有機材料を含んでいても、ＯＬＥＤ構造１４０のこの有機材料の変質を抑えることができる。 The method for heating the second layer 220 is not limited to a specific method. In one example, the second layer 220 may be heated by a flash lamp. In this example, the second layer 220 can be selectively heated. Therefore, even if the OLED structure 140 includes an organic material having a glass transition point lower than the glass transition point of the first organic material, alteration of the organic material of the OLED structure 140 can be suppressed.

次いで、第２層２２０上に第３層２３０を積層する。第３層２３０は、第２無機材料をＡＬＤによって堆積させて形成させている。 Next, the third layer 230 is stacked on the second layer 220. The third layer 230 is formed by depositing a second inorganic material by ALD.

このようにして、発光装置１０が製造される。 In this way, the light emitting device 10 is manufactured.

図１及び図２に示す例では、発光装置１０は、第１層２１０に埋め込まれた異物（異物Ｐ）を含むことになる。言い換えると、異物Ｐの全周に亘って、第１層２１０が異物Ｐに接触している。当然のことながら、発光装置１０は、異物を含まなくてもよく、ＯＬＥＤ構造１４０を形成した後に異物がＯＬＥＤ構造１４０に付着しない場合、発光装置１０は、第１層２１０に埋め込まれた異物を含まない。 In the example illustrated in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 10 includes a foreign matter (foreign matter P) embedded in the first layer 210. In other words, the first layer 210 is in contact with the foreign matter P over the entire circumference of the foreign matter P. As a matter of course, the light emitting device 10 may not include foreign matters, and if the foreign matter does not adhere to the OLED structure 140 after the OLED structure 140 is formed, the light emitting device 10 may remove the foreign matter embedded in the first layer 210. Not included.

図３は、第１層２１０、第２層２２０及び第３層２３０のそれぞれの端部の一例を説明するための図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining an example of each end portion of the first layer 210, the second layer 220, and the third layer 230.

図３に示す例では、第１層２１０の端部及び第３層２３０の端部は、第２層２２０の端部の外側で互いに接している。したがって、第２層２２０の端部が第１層２１０及び第３層２３０から露出していない。このため、ＯＬＥＤ構造１４０を劣化させる物質（例えば、水又は酸素）の第２層２２０の端部を経由しての透過を抑えることができる。 In the example shown in FIG. 3, the end of the first layer 210 and the end of the third layer 230 are in contact with each other outside the end of the second layer 220. Therefore, the end portion of the second layer 220 is not exposed from the first layer 210 and the third layer 230. For this reason, permeation | transmission through the edge part of the 2nd layer 220 of the substance (for example, water or oxygen) which degrades the OLED structure 140 can be suppressed.

図３に示す例においては、第２層２２０の端部が第１層２１０の端部の外側に広がらないように第２層２２０を形成することが容易となっている。具体的には、上述したように、第２層２２０は、第１有機材料を蒸着することにより形成されている。一般に、層の端部の位置の制御には、塗布プロセスよりも蒸着プロセスの方が有利である。塗布プロセスにおいては、塗布された溶液が広がりやすく、層の端部の位置を制御することが難しい。これに対して、蒸着プロセスにおいては、蒸着させた材料の端部の位置の制御は容易である。したがって、図３に示す例においては、第２層２２０の端部が第１層２１０の端部の外側に広がらないように第２層２２０を形成することが容易となっている。 In the example shown in FIG. 3, it is easy to form the second layer 220 so that the end of the second layer 220 does not spread outside the end of the first layer 210. Specifically, as described above, the second layer 220 is formed by vapor-depositing a first organic material. In general, the deposition process is more advantageous than the coating process for controlling the position of the edge of the layer. In the coating process, the applied solution tends to spread and it is difficult to control the position of the end of the layer. On the other hand, in the vapor deposition process, it is easy to control the position of the end of the deposited material. Therefore, in the example shown in FIG. 3, it is easy to form the second layer 220 so that the end of the second layer 220 does not spread outside the end of the first layer 210.

以上、本実施形態によれば、ＯＬＥＤ構造１４０を高い信頼性をもって封止することができる。 As described above, according to the present embodiment, the OLED structure 140 can be sealed with high reliability.

（変形例）
図４は、図１の変形例を示す図である。変形例に係る発光装置１０は、第１層２１０と第２層２２０の間にモリブデン酸化物層２４０が設けられている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。 (Modification)
FIG. 4 is a diagram showing a modification of FIG. The light emitting device 10 according to the modification is the same as the light emitting device 10 according to the embodiment except that a molybdenum oxide layer 240 is provided between the first layer 210 and the second layer 220.

モリブデン酸化物層２４０は、モリブデン酸化物（ＭｏＯ_ｘ）、より具体的には、三酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を含んでいる。図４に示す例では、モリブデン酸化物が層（モリブデン酸化物層２４０）を形成しているが、他の例において、モリブデン酸化物は、層を形成する厚さに堆積されていなくてもよく、第１層２１０と第２層２２０の界面に存在していてもよい。 The molybdenum oxide layer 240 contains molybdenum oxide (MoO _x ), more specifically, molybdenum trioxide (MoO ₃ ). In the example shown in FIG. 4, molybdenum oxide forms a layer (molybdenum oxide layer 240), but in other examples, molybdenum oxide does not have to be deposited to a thickness that forms the layer. , It may be present at the interface between the first layer 210 and the second layer 220.

モリブデン酸化物層２４０は、第１層２１０を形成した後第２層２２０を形成する前に第１層２１０上に形成される。モリブデン酸化物層２４０を形成するための方法は、特定の方法に限定されない。一例において、モリブデン酸化物層２４０は、モリブデン酸化物をＡＬＤによって堆積させて形成させてもよい。一般に、ＡＬＤにより形成された層は、段差被覆性に優れている。したがって、ＡＬＤによれば、図４に示すように、第１層２１０の表面の凹凸に沿ってモリブデン酸化物層２４０を形成することができる。 The molybdenum oxide layer 240 is formed on the first layer 210 after forming the first layer 210 and before forming the second layer 220. A method for forming the molybdenum oxide layer 240 is not limited to a specific method. In one example, the molybdenum oxide layer 240 may be formed by depositing molybdenum oxide by ALD. In general, a layer formed by ALD is excellent in step coverage. Therefore, according to ALD, as shown in FIG. 4, the molybdenum oxide layer 240 can be formed along the unevenness of the surface of the first layer 210.

モリブデン酸化物層２４０によって、第１層２１０と第２層２２０の層間密着を向上させることができる。したがって、第１有機材料（第２層２２０）を第１有機材料のガラス転移点以上融点未満に加熱して第１有機材料をゴム状態に遷移させても、第１有機材料の一部の領域への凝集を抑えることができる。仮に、第１層２１０と第２層２２０の層間密着が低いと、ゴム状態の第１有機材料（第２層２２０）が一部の領域に凝集しやすくなる。これに対して、第１層２１０と第２層２２０の間にモリブデン酸化物層２４０が存在すると、第１有機材料の凝集を抑えることができる。 The molybdenum oxide layer 240 can improve the interlayer adhesion between the first layer 210 and the second layer 220. Therefore, even if the first organic material (second layer 220) is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point of the first organic material and lower than the melting point to cause the first organic material to transition to the rubber state, a partial region of the first organic material. Aggregation into the can be suppressed. If the interlayer adhesion between the first layer 210 and the second layer 220 is low, the rubber-like first organic material (second layer 220) tends to aggregate in a part of the region. On the other hand, when the molybdenum oxide layer 240 exists between the first layer 210 and the second layer 220, aggregation of the first organic material can be suppressed.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１０４第２面
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１４０ＯＬＥＤ構造
２１０第１層
２２０第２層
２３０第３層
２４０モリブデン酸化物層 10 light emitting device 100 substrate 102 first surface 104 second surface 110 first electrode 120 organic layer 130 second electrode 140 OLED structure 210 first layer 220 second layer 230 third layer 240 molybdenum oxide layer

Claims

A substrate,
An OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first layer covering the OLED structure and including a first inorganic material;
A second layer stacked on the first layer and including a first organic material;
A third layer laminated on the second layer and comprising a second inorganic material;
Including
The thickness of the said 2nd layer is a light-emitting device which is 10 micrometers or less.

The light-emitting device according to claim 1.
The light emitting device, wherein the second layer is doped with a metal oxide.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light emitting device further includes a molybdenum oxide positioned between the first layer and the second layer.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
The light emitting device, wherein the glass transition point of the second layer is lower than the glass transition point of any organic material included in the OLED structure.

In the light-emitting device as described in any one of Claim 1 to 4,
The second layer is a light emitting device through which the first organic material is deposited.

In the light-emitting device as described in any one of Claim 1-5,
The second layer is a light emitting device through which the first organic material is heated to a glass transition point or higher and lower than a melting point of the first organic material.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
A light emitting device further comprising a foreign matter present on the OLED structure and covered with the first layer.

The light-emitting device according to claim 7.
A part of the second layer enters a gap between a portion of the first layer along the OLED structure and a portion of the first layer along the foreign matter.

A substrate,
An OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first layer covering the OLED structure and including a first inorganic material;
A second layer stacked on the first layer and including a first organic material;
A third layer laminated on the second layer and comprising a second inorganic material;
Including
The light emitting device, wherein the second layer is a vapor deposition layer.

Covering the OLED structure located on the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode with a first layer comprising a first inorganic material;
Laminating a second layer containing a first organic material on the first layer;
Laminating a third layer containing a second inorganic material on the second layer;
Heating the first organic material to a temperature above the glass transition point of the first organic material and below the melting point;
A method for manufacturing a light emitting device, comprising:

In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 10,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the thickness of the second layer is 10 μm or less.

In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 10 or 11,
Laminating the second layer includes vapor-depositing the first organic material.

In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claim 10-12,
A method of manufacturing a light emitting device, further comprising forming a molybdenum oxide on the first layer after forming the first layer and before forming the second layer.

In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claim 10-13,
A method for manufacturing a light emitting device, further comprising the step of exposing the OLED structure to the atmosphere before covering the OLED structure with the first layer.