JP2019186100A - Electric resistor, honeycomb structure, and electrically heated catalyst device - Google Patents

Electric resistor, honeycomb structure, and electrically heated catalyst device Download PDF

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剛大 徳野
Takehiro Tokuno
剛大 徳野
平田 和希
Kazuki Hirata
和希 平田
泰史 ▲高▼山
泰史 ▲高▼山
Yasushi Takayama
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Abstract

To provide an electric resistor capable of improving thermal shock resistance, a honeycomb structure using the same, and an electrically heated catalyst device using the same.SOLUTION: An electric resistor 1 includes: borosilicate 10; Si-containing particles 11; a β-spodumene solid solution; and at least one kind 12 of β-quartz solid solutions. A coefficient of thermal expansion of the electric resistor 1 can be 0.5 ppm/K or more and 3 ppm/K or less. A honeycomb structure 2 includes the electric resistor 1. An electrically heated catalyst device 3 has the honeycomb structure 2.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置に関する。   The present invention relates to an electrical resistor, a honeycomb structure, and an electrically heated catalyst device.

従来、様々な分野において、通電加熱に電気抵抗体が用いられている。例えば、車両分野では、アルミノケイ酸塩、シリコン等を含む電気抵抗体から構成したハニカム構造体に触媒を担持させ、これを通電加熱によって発熱させる電気加熱式触媒装置が公知である。   Conventionally, electric resistors are used for energization heating in various fields. For example, in the vehicle field, an electrically heated catalyst device is known in which a catalyst is supported on a honeycomb structure composed of an electrical resistor containing aluminosilicate, silicon and the like, and heat is generated by energization heating.

なお、先行する特許文献1には、アルミノケイ酸塩とガラス成分を主成分とする耐熱性絶縁材45〜95重量%に導電材としてのSiまたはFeSiが5〜60重量%含有されている電気抵抗体をハニカム構造体に適用する技術が記載されている。   In addition, in prior patent document 1, an electrical resistance containing 5 to 60% by weight of Si or FeSi as a conductive material in 45 to 95% by weight of a heat-resistant insulating material mainly composed of an aluminosilicate and a glass component. Techniques for applying the body to a honeycomb structure are described.

特開平2−144874号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2-144874

通電加熱に用いられる電気抵抗体は、加熱と冷却が繰り返される。そのため、それに伴う膨張・収縮によって電気抵抗体にクラックが生じ、破壊が起こりやすい。特に、内燃機関の排ガス浄化装置に用いられる電気加熱式触媒装置のハニカム構造体は、内燃機関の後部に配置されて非常に過酷な加熱・冷却環境下に曝されるため、上記の問題が顕著である。   The electrical resistor used for energization heating is repeatedly heated and cooled. Therefore, cracks are generated in the electric resistor due to the expansion / contraction associated therewith, and the breakdown is likely to occur. In particular, the honeycomb structure of an electrically heated catalyst device used in an exhaust gas purification device for an internal combustion engine is disposed at the rear of the internal combustion engine and is exposed to a very severe heating / cooling environment. It is.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、耐熱衝撃性を向上させることが可能な電気抵抗体、当該電気抵抗体を用いたハニカム構造体、当該ハニカム構造体を用いた電気加熱式触媒装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such problems, and an electric resistor capable of improving thermal shock resistance, a honeycomb structure using the electric resistor, and an electric heating type using the honeycomb structure A catalytic device is to be provided.

本発明の一態様は、ホウケイ酸塩(10)と、
Si含有粒子(11)と、
β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも1種(12)と、
を含む、電気抵抗体(1)にある。
One aspect of the present invention provides a borosilicate (10),
Si-containing particles (11);
At least one (12) of β-spodumene solid solution and β-quartz solid solution,
In the electrical resistor (1).

本発明の他の態様は、上記電気抵抗体を含んで構成されている、ハニカム構造体(2)にある。   Another aspect of the present invention resides in a honeycomb structure (2) configured to include the electric resistor.

本発明のさらに他の態様は、上記ハニカム構造体を有する、電気加熱式触媒装置(3)にある。   Yet another embodiment of the present invention resides in an electrically heated catalyst device (3) having the above honeycomb structure.

上記電気抵抗体は、上記構成を有している。そのため、上記電気抵抗体は、熱膨張率を低減することができる。それ故、上記電気抵抗体によれば、耐熱衝撃性を向上させることができる。   The electric resistor has the above configuration. Therefore, the electrical resistor can reduce the thermal expansion coefficient. Therefore, according to the electric resistor, the thermal shock resistance can be improved.

上記ハニカム構造体は、上記電気抵抗体を含んで構成されている。そのため、上記ハニカム構造体は、通電加熱や熱環境下での使用による加熱と冷却とが繰り返された場合でも、それに伴う膨張収縮を抑制することができる。そのため、上記ハニカム構造体によれば、構造信頼性を高めることができる。   The honeycomb structure includes the electric resistor. For this reason, the honeycomb structure can suppress expansion and contraction associated therewith even when heating and cooling due to current heating or use in a thermal environment are repeated. Therefore, according to the honeycomb structure, the structural reliability can be improved.

上記電気加熱式触媒装置は、上記ハニカム構造体を有している。そのため、上記電気加熱式触媒装置は、加熱と冷却とが繰り返された場合でもハニカム構造体が割れ難く、信頼性を向上させることができる。   The electrically heated catalyst device has the honeycomb structure. For this reason, in the above electrically heated catalyst device, the honeycomb structure is hardly broken even when heating and cooling are repeated, and the reliability can be improved.

なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。   In addition, the code | symbol in the parenthesis described in the means to solve a claim and a subject shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later, and limits the technical scope of this invention. It is not a thing.

実施形態1の電気抵抗体の微構造を模式的に示した説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing a microstructure of the electric resistor according to the first embodiment. 実施形態2のハニカム構造体を模式的に示した説明図である。6 is an explanatory view schematically showing a honeycomb structure of Embodiment 2. FIG. 実施形態3の電気加熱式触媒装置を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the electric heating type catalyst apparatus of Embodiment 3. FIG. 実験例における、試料1の電気抵抗体についての結晶構造解析結果である。It is a crystal structure analysis result about the electrical resistor of sample 1 in an experimental example. 実験例における、試料1の電気抵抗体および試料1Cの電気抵抗体の温度と膨張による変位(%)との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the displacement (%) by the temperature of the electrical resistor of the sample 1, and the electrical resistor of the sample 1C in an experiment example, and expansion. 実験例における、試料1の電気抵抗体および試料1Cの電気抵抗体の温度と電気抵抗率との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the temperature of the electrical resistor of the sample 1, and the electrical resistor of the sample 1C, and an electrical resistivity in an experiment example.

(実施形態1)
実施形態1の電気抵抗体について、図1を用いて説明する。図1に例示されるように、本実施形態の電気抵抗体1は、ホウケイ酸塩10と、Si含有粒子11と、β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも1種12と、を含んで構成されている。
(Embodiment 1)
The electrical resistor according to Embodiment 1 will be described with reference to FIG. As illustrated in FIG. 1, the electrical resistor 1 according to the present embodiment includes at least one of a borosilicate 10, a Si-containing particle 11, a β-spodumene solid solution, and a β-quartz solid solution 12. , Including.

ホウケイ酸塩10は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。ホウケイ酸塩10は、B(ホウ素)、Si(シリコン)、O(酸素)等の原子以外にも、例えば、Al(アルミニウム)原子を含むことができる。この場合、ホウケイ酸塩10は、アルミノホウケイ酸塩となる。この構成によれば、熱膨張率の低減による耐熱衝撃性の向上が図られた電気抵抗体1を確実なものとすることができる。また、ホウケイ酸塩10は、他にも、Na(ナトリウム)、K(カリウム)等のアルカリ金属原子、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)等のアルカリ土類金属原子を含むことができる。これらは1種または2種以上含まれていてもよい。なお、図1では、ホウケイ酸塩10は、粒子状とされている。   The borosilicate 10 may be amorphous or crystalline. The borosilicate 10 can contain, for example, Al (aluminum) atoms in addition to atoms such as B (boron), Si (silicon), and O (oxygen). In this case, the borosilicate 10 is an aluminoborosilicate. According to this configuration, it is possible to ensure the electrical resistor 1 in which the thermal shock resistance is improved by reducing the thermal expansion coefficient. In addition, the borosilicate 10 may contain alkali metal atoms such as Na (sodium) and K (potassium), and alkaline earth metal atoms such as Mg (magnesium) and Ca (calcium). One or more of these may be contained. In FIG. 1, the borosilicate 10 is in the form of particles.

電気抵抗体1は、ホウケイ酸塩10を含んでいることから、Bを含有している。ホウケイ酸塩10におけるB含有量は、0.1質量%以上5質量%以下とすることができる。この構成によれば、電気抵抗率の温度依存性を小さくしやすくなる。   Since the electrical resistor 1 contains the borosilicate 10, it contains B. B content in the borosilicate 10 can be 0.1 mass% or more and 5 mass% or less. According to this configuration, the temperature dependence of the electrical resistivity can be easily reduced.

上記B含有量は、電気抵抗体1の低電気抵抗化を図りやすくなるなどの観点から、好ましくは、0.2質量%以上、より好ましくは、0.3質量%以上、さらに好ましくは、0.5質量%以上、さらにより好ましくは、0.6質量%以上、さらに一層好ましくは、0.8質量%以上、さらにより一層好ましくは、電気抵抗率の温度依存性が小さく、かつ、電気抵抗率がPTC特性(温度が高くなるにつれて電気抵抗率が増加する特性)を示しやすい等の観点から、1質量%以上とすることができる。また、上記B含有量は、ケイ酸塩へのドープ量に限界があり、ドープされない場合は絶縁体であるBとして材料中に偏在して導電性低下の原因となるなどの観点から、好ましくは、4質量%以下、より好ましくは、3.5質量%以下、さらに好ましくは、3質量%以下とすることができる。なお、上記B含有量については、誘導結合プラズマ(ICP)分析装置を用いて測定される。もっとも、ICP分析によると、電気抵抗体1全体におけるB含有量が測定されるため、得られた測定結果は、ホウケイ酸塩10におけるB含有量に換算される。 The B content is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and still more preferably 0%, from the viewpoint of easily reducing the electrical resistance of the electrical resistor 1. 0.5% by mass or more, still more preferably 0.6% by mass or more, still more preferably 0.8% by mass or more, and even more preferably, the temperature dependence of the electrical resistivity is small, and the electrical resistance From the viewpoint of easily exhibiting PTC characteristics (characteristics in which electrical resistivity increases as temperature increases), the ratio can be set to 1% by mass or more. In addition, the B content is limited in the amount of doping to the silicate, and if not doped, it is unevenly distributed in the material as B 2 O 3 which is an insulator and causes a decrease in conductivity. Preferably, it is 4 mass% or less, More preferably, it is 3.5 mass% or less, More preferably, it can be 3 mass% or less. The B content is measured using an inductively coupled plasma (ICP) analyzer. However, according to the ICP analysis, since the B content in the entire electrical resistor 1 is measured, the obtained measurement result is converted into the B content in the borosilicate 10.

Si含有粒子11は、Si原子を含有する電子伝導性の粒子である。したがって、Si含有粒子11には、SiO粒子などは含まれない。Si含有粒子としては、具体的には、Si粒子、Si−Fe系粒子(FeSi粒子、FeSi粒子等)、Si−Ti系粒子(TiSi粒子等)、Si−Ta系粒子(TaSi粒子等)、Si−Cr系粒子(CrSi粒子等)、Si−V系粒子(VSi粒子等)、Si−Mo系粒子(MoSi粒子等)、Si−W系粒子(WSi粒子等)、Si−C系粒子(SiC粒子等)などを例示することができる。これらは1種または2種以上含まれていてもよい。この構成によれば、電子伝導性の粒子であるSi含有粒子がホウケイ酸塩10間を電気的に橋渡ししやすくなるなどの利点がある。 The Si-containing particles 11 are electron conductive particles containing Si atoms. Accordingly, the Si-containing particles 11 do not include SiO 2 particles. Specifically, the Si-containing particles include Si particles, Si—Fe based particles (FeSi particles, FeSi 2 particles, etc.), Si—Ti based particles (TiSi 2 particles, etc.), Si—Ta based particles (TaSi 2 particles, etc.). Etc.), Si-Cr based particles (CrSi 2 particles etc.), Si-V based particles (VSi 2 particles etc.), Si-Mo based particles (MoSi 2 particles etc.), Si-W based particles (WSi 2 particles etc.) And Si—C-based particles (SiC particles and the like). One or more of these may be contained. According to this configuration, there is an advantage that the Si-containing particles that are electron conductive particles can easily bridge the borosilicate 10 electrically.

これらSi含有粒子11のうち、融点が比較的低い、ペスト現象が起こり難いなどの観点から、好ましくは、Si−Fe系粒子、Si−Ti系粒子、Si−Ta系粒子、Si−Cr系粒子、Si−V系粒子などであるとよい。なお、上記ペスト現象とは、MoSiやWSiで観察される500℃程度の比較的低温において酸化により多結晶体が粉化する現象のことである。Si含有粒子11は、より好ましくは、300℃〜800℃の温度域での体積膨張が少なく、電気抵抗体1の構造強度を確保しやすいなどの観点から、TiSi粒子、TaSi粒子、CrSi粒子、および、VSi粒子からなる群より選択される少なくとも1種より構成することができる。 Of these Si-containing particles 11, from the viewpoint of a relatively low melting point and difficulty of the plague phenomenon, Si—Fe-based particles, Si—Ti-based particles, Si—Ta-based particles, and Si—Cr-based particles are preferable. And Si-V-based particles. The plague phenomenon is a phenomenon in which a polycrystalline body is pulverized by oxidation at a relatively low temperature of about 500 ° C. observed with MoSi 2 or WSi 2 . The Si-containing particles 11 are more preferably TiSi 2 particles, TaSi 2 particles, CrSi from the viewpoint that the volume expansion in the temperature range of 300 ° C. to 800 ° C. is small and the structural strength of the electrical resistor 1 is easily secured. 2 particles, and may be composed of at least one selected from the group consisting of VSi 2 particles.

電気抵抗体1は、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体のうち、いずれか一方、または、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体の両方を含むことができる。β−スポジュメン固溶体は、具体的には、LiO−Al−nSiO(8≧n≧4)で表すことができる。なお、本明細書では、β−スポジュメン固溶体は、β−スポジュメン(LiO−Al−4SiO)を含むものとする。一方、β−石英固溶体は、具体的には、LiO−Al−nSiO(4>n≧2)で表すことができる。なお、電気抵抗体1は、n数の異なるβ−スポジュメン固溶体を2種以上含むことができ、また、n数の異なるβ−石英固溶体を2種以上含むことができる。 The electrical resistor 1 can include either a β-spodumene solid solution or a β-quartz solid solution, or both a β-spodumene solid solution and a β-quartz solid solution. Specifically, the β-spodumene solid solution can be represented by Li 2 O—Al 2 O 3 —nSiO 2 (8 ≧ n ≧ 4). In the present specification, the β-spodumene solid solution includes β-spodumene (Li 2 O—Al 2 O 3 -4SiO 2 ). On the other hand, the β-quartz solid solution can be specifically represented by Li 2 O—Al 2 O 3 —nSiO 2 (4> n ≧ 2). The electrical resistor 1 can include two or more types of β-spodumene solid solutions having different n numbers, and can include two or more types of β-quartz solid solutions having different n numbers.

電気抵抗体1は、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体のうち、少なくとも1種を含んでいることから、Li(リチウム)を含有している。電気抵抗体1におけるLi含有量は、0.1質量%以上4質量%以下とすることができる。この構成によれば、β−スポジュメン固溶体やβ−石英固溶体の確保による膨張収縮の低減を確実なものとすることができる。   The electrical resistor 1 contains Li (lithium) because it contains at least one of a β-spodumene solid solution and a β-quartz solid solution. Li content in the electrical resistor 1 can be 0.1 mass% or more and 4 mass% or less. According to this configuration, it is possible to reliably reduce expansion and contraction by securing a β-spodumene solid solution or a β-quartz solid solution.

電気抵抗体1におけるLi含有量は、β−スポジュメン固溶体等の確保などの観点から、好ましくは、0.2質量%以上、より好ましくは、0.5質量%以上、さらに好ましくは、1質量%以上とすることができる。また、電気抵抗体1におけるLi含有量は、β−スポジュメン固溶体が多量に含有されると導電性を低下させる傾向が見られるなどの観点から、好ましくは、3質量%以下、より好ましくは、2質量%以下、さらに好ましくは、1.5質量%以下とすることができる。なお、電気抵抗体1に含まれるLiの含有量は、上述したB含有量と同様に、ICP分析装置を用いて測定することができる。   The Li content in the electrical resistor 1 is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and further preferably 1% by mass from the viewpoint of securing a β-spodumene solid solution or the like. This can be done. In addition, the Li content in the electrical resistor 1 is preferably 3% by mass or less, more preferably 2% from the viewpoint that, when a large amount of β-spodumene solid solution is contained, the electric conductivity tends to decrease. It can be set to not more than mass%, more preferably not more than 1.5 mass%. In addition, content of Li contained in the electrical resistor 1 can be measured using an ICP analyzer similarly to B content mentioned above.

電気抵抗体1は、上記以外にも、例えば、フィラー、熱膨張率を低下させる材料、熱伝導率を上昇させる材料、強度を向上させる材料、カオリンなどを必要に応じて1種または2種以上含むことができる。   In addition to the above, the electrical resistor 1 may be, for example, a filler, a material that lowers the coefficient of thermal expansion, a material that increases the thermal conductivity, a material that improves the strength, kaolin, or the like, if necessary. Can be included.

また、電気抵抗体1は、図1に例示されるように、気孔13を含む多孔質に構成することができる。この構成によれば、ホウケイ酸塩10、Si含有粒子11、β−スポジュメン固溶体12等の間に形成された気孔13がガラスで塞がれている電気抵抗体に比べ、嵩密度および熱容量を低減することができる。また、この構成によれば、気孔13によって電気抵抗体1の表面に凹凸が形成されるため、排ガス浄化触媒等の触媒の担持性を向上させることができる。   Moreover, the electrical resistor 1 can be comprised by the porous containing the pore 13, as illustrated in FIG. According to this configuration, the bulk density and the heat capacity are reduced as compared with an electric resistor in which pores 13 formed between borosilicate 10, Si-containing particles 11, β-spodumene solid solution 12 and the like are closed with glass. can do. Moreover, according to this structure, since the unevenness | corrugation is formed in the surface of the electrical resistor 1 by the pore 13, the carrying | support property of catalysts, such as an exhaust gas purification catalyst, can be improved.

電気抵抗体1は、25℃〜500℃までの温度範囲において、電気抵抗率が0.0001Ω・m以上1Ω・m以下、かつ、電気抵抗上昇率が0/K以上5.0×10−4/K以下であるとよい。この構成によれば、電気抵抗体1の温度依存性が小さいため、通電加熱時に内部に温度分布が生じ難く、熱膨収縮によるクラックが生じ難い電気抵抗体1が得られる。また、上記構成によれば、通電加熱時に、電気抵抗体1を、より低温で早期に発熱させることができるので、触媒の早期活性化のために早期に温めることが求められるハニカム構造体の材料として有用である。 The electrical resistor 1 has an electrical resistivity of 0.0001 Ω · m to 1 Ω · m and an electrical resistance increase rate of 0 / K to 5.0 × 10 −4 in a temperature range of 25 ° C. to 500 ° C. / K or less. According to this configuration, since the temperature dependency of the electrical resistor 1 is small, it is difficult to generate a temperature distribution in the interior during energization heating, and it is possible to obtain the electrical resistor 1 that is less susceptible to cracking due to thermal expansion and contraction. Further, according to the above configuration, the material of the honeycomb structure that is required to be warmed early for early activation of the catalyst because the electric resistor 1 can be heated earlier at a lower temperature during energization heating. Useful as.

電気抵抗体1の電気抵抗率は、電気抵抗体1を用いるシステムの要求仕様等によっても異なるが、電気抵抗体1の低電気抵抗化などの観点から、例えば、好ましくは、0.5Ω・m以下、より好ましくは、0.1Ω・m以下、さらに好ましくは、0.05Ω・m以下とすることができる。電気抵抗体1の電気抵抗率は、通電加熱時の発熱量増大などの観点から、好ましくは、0.0002Ω・m以上、より好ましくは、0.0005Ω・m以上、さらに好ましくは、0.001Ω・m以上とすることができる。   The electrical resistivity of the electrical resistor 1 varies depending on the required specifications of the system using the electrical resistor 1, but from the viewpoint of reducing the electrical resistance of the electrical resistor 1, for example, preferably 0.5 Ω · m In the following, it is more preferably 0.1 Ω · m or less, and still more preferably 0.05 Ω · m or less. The electrical resistivity of the electrical resistor 1 is preferably 0.0002 Ω · m or more, more preferably 0.0005 Ω · m or more, and still more preferably 0.001 Ω from the viewpoint of increasing the amount of heat generated during energization heating. -It can be set to m or more.

電気抵抗体1の電気抵抗上昇率は、通電加熱による温度分布の抑制を図りやすくなるなどの観点から、好ましくは、0.001×10−6/K以上、より好ましくは、0.01×10−6/K以上、さらに好ましくは、0.1×10−6/K以上とすることができる。電気抵抗体1の電気抵抗上昇率は、電気回路において通電加熱に最適な電気抵抗値が存在するという観点からは、電気抵抗上昇率は変化しないことが理想的であり、好ましくは、100×10−6/K以下、より好ましくは、10×10−6/K以下、さらに好ましくは、1×10−6/K以下とすることができる。 The rate of increase in electrical resistance of the electrical resistor 1 is preferably 0.001 × 10 −6 / K or more, more preferably 0.01 × 10 6 from the viewpoint of facilitating suppression of temperature distribution due to current heating. −6 / K or more, and more preferably 0.1 × 10 −6 / K or more. The electrical resistance increase rate of the electrical resistor 1 is ideal from the viewpoint that there is an optimal electrical resistance value for energization heating in the electrical circuit, and it is ideal that the electrical resistance increase rate does not change. −6 / K or less, more preferably 10 × 10 −6 / K or less, and even more preferably 1 × 10 −6 / K or less.

なお、電気抵抗体1の電気抵抗率は、四端子法により測定される測定値(n=3)の平均値である。また、電気抵抗体1の電気抵抗上昇率は、上記方法により電気抵抗体1の電気抵抗率を測定した後、次の計算方法によって算出することができる。先ず、50℃、200℃、400℃の3点で電気抵抗率を測定する。400℃の電気抵抗率から50℃の電気抵抗率を引き算して導出した値を、400℃と50℃の温度差350℃で割り算して電気抵抗上昇率を算出する。   In addition, the electrical resistivity of the electrical resistor 1 is an average value of measured values (n = 3) measured by the four probe method. Moreover, the electrical resistance increase rate of the electrical resistor 1 can be calculated by the following calculation method after measuring the electrical resistivity of the electrical resistor 1 by the above method. First, the electrical resistivity is measured at three points of 50 ° C., 200 ° C., and 400 ° C. The value obtained by subtracting the electrical resistivity at 50 ° C. from the electrical resistivity at 400 ° C. is divided by a temperature difference of 350 ° C. between 400 ° C. and 50 ° C. to calculate the electrical resistance increase rate.

電気抵抗体1の熱膨張率は、0.5ppm/K以上3ppm/K以下であるとよい。この構成によれば、電気抵抗体1の耐熱衝撃性の向上を確実なものとすることができる。また、この構成によれば、内燃機関の排ガス浄化装置に用いられる電気加熱式触媒装置のハニカム構造体の材料として使用した場合に、繰り返しの加熱、冷却によってハニカム構造体にクラックが生じ難くなる。   The coefficient of thermal expansion of the electrical resistor 1 is preferably 0.5 ppm / K or more and 3 ppm / K or less. According to this configuration, it is possible to reliably improve the thermal shock resistance of the electrical resistor 1. Also, according to this configuration, when used as a material for a honeycomb structure of an electrically heated catalyst device used in an exhaust gas purification apparatus for an internal combustion engine, cracks are hardly generated in the honeycomb structure due to repeated heating and cooling.

電気抵抗体1の熱膨張率は、導電性確保などの観点から、好ましくは、0.6ppm/K以上、より好ましくは、0.7ppm/K以上、さらに好ましくは、0.8ppm/K以上とすることができる。また、電気抵抗体1の熱膨張率は、耐熱衝撃性向上などの観点から、好ましくは、2.9ppm/K以下、より好ましくは、2.8ppm/K以下、さらに好ましくは、2.7ppm/K以下とすることができる。   The thermal expansion coefficient of the electrical resistor 1 is preferably 0.6 ppm / K or more, more preferably 0.7 ppm / K or more, and still more preferably 0.8 ppm / K or more from the viewpoint of ensuring conductivity. can do. The thermal expansion coefficient of the electrical resistor 1 is preferably 2.9 ppm / K or less, more preferably 2.8 ppm / K or less, and still more preferably 2.7 ppm / K from the viewpoint of improving thermal shock resistance. K or less.

なお、電気抵抗体1の熱膨張率は、室温から400℃までの温度範囲で試験片(5mm×5mm×10mm)を加温したときに、温度が1ケルビン上昇した際に試験片が膨張した長さ(変位)を求めることにより測定することができる。   The thermal expansion coefficient of the electrical resistor 1 is such that when the test piece (5 mm × 5 mm × 10 mm) is heated in the temperature range from room temperature to 400 ° C., the test piece expands when the temperature rises by 1 Kelvin. It can be measured by determining the length (displacement).

本実施形態の電気抵抗体1は、ホウケイ酸塩10と、Si含有粒子11と、β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも1種12と、を含んでいる。そのため、本実施形態の電気抵抗体1は、熱膨張率を低減することができる。それ故、本実施形態の電気抵抗体1によれば、耐熱衝撃性を向上させることができる。   The electrical resistor 1 of the present embodiment includes borosilicate 10, Si-containing particles 11, a β-spodumene solid solution, and at least one 12 of β-quartz solid solution. Therefore, the electrical resistor 1 of this embodiment can reduce a thermal expansion coefficient. Therefore, according to the electrical resistor 1 of the present embodiment, the thermal shock resistance can be improved.

(実施形態2)
実施形態2のハニカム構造体について、図2を用いて説明する。なお、実施形態2以降において用いられる符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
(Embodiment 2)
The honeycomb structure of Embodiment 2 will be described with reference to FIG. Of the reference numerals used in the second and subsequent embodiments, the same reference numerals as those used in the above-described embodiments represent the same components as those in the above-described embodiments unless otherwise indicated.

図2に例示されるように、本実施形態のハニカム構造体2は、実施形態1の電気抵抗体1を含んで構成されている。本実施形態では、具体的には、ハニカム構造体2は、実施形態1の電気抵抗体1より構成されている。図2では、具体的には、ハニカム構造体2の中心軸に垂直なハニカム断面視で、互いに隣接する複数のセル20と、セル20を形成するセル壁21と、セル壁21の外周部に設けられてセル壁21を一体に保持する外周壁22と、を有する構造が例示されている。なお、ハニカム構造体2には、公知の構造を適用することができ、図2の構造に限定されるものではない。図2は、セル20を断面四角形状とした例であるが、他にもセル20を断面六角形状等にすることもできる。   As illustrated in FIG. 2, the honeycomb structure 2 of the present embodiment includes the electric resistor 1 of the first embodiment. In the present embodiment, specifically, the honeycomb structure 2 is constituted by the electric resistor 1 of the first embodiment. In FIG. 2, specifically, in a honeycomb cross-sectional view perpendicular to the central axis of the honeycomb structure 2, a plurality of cells 20 adjacent to each other, a cell wall 21 forming the cell 20, and an outer peripheral portion of the cell wall 21. The structure which has the outer peripheral wall 22 which is provided and hold | maintains the cell wall 21 integrally is illustrated. In addition, a well-known structure can be applied to the honeycomb structure 2, and it is not limited to the structure of FIG. FIG. 2 shows an example in which the cell 20 has a quadrangular cross section, but the cell 20 may have a hexagonal cross section.

本実施形態のハニカム構造体2は、実施形態1の電気抵抗体1を含んで構成されている。そのため、本実施形態のハニカム構造体2は、通電加熱や熱環境下での使用による加熱と冷却とが繰り返された場合でも、それに伴う膨張収縮を抑制することができる。そのため、本実施形態のハニカム構造体2によれば、構造信頼性を高めることができる。   The honeycomb structure 2 of the present embodiment is configured to include the electrical resistor 1 of the first embodiment. Therefore, the honeycomb structure 2 of the present embodiment can suppress the expansion and contraction associated therewith even when heating and cooling due to current heating or use in a thermal environment are repeated. Therefore, according to the honeycomb structure 2 of the present embodiment, the structural reliability can be improved.

(実施形態3)
実施形態3の電気加熱式触媒装置について、図3を用いて説明する。図3に例示されるように、本実施形態の電気加熱式触媒装置3は、実施形態3のハニカム構造体2を有している。本実施形態では、具体的には、電気加熱式触媒装置3は、ハニカム構造体2と、ハニカム構造体2のセル壁21に担持された排ガス浄化触媒(不図示)と、ハニカム構造体2の外周壁22に対向配置された一対の電極31、32と、電極31、32に電圧を印加する電圧印加部33とを有している。なお、電気加熱式触媒装置3には、公知の構造を適用することができ、図3の構造に限定されるものではない。
(Embodiment 3)
The electrically heated catalyst device of Embodiment 3 will be described with reference to FIG. As illustrated in FIG. 3, the electrically heated catalyst device 3 of the present embodiment includes the honeycomb structure 2 of the third embodiment. In the present embodiment, specifically, the electrically heated catalyst device 3 includes a honeycomb structure 2, an exhaust gas purification catalyst (not shown) supported on the cell walls 21 of the honeycomb structure 2, and the honeycomb structure 2. A pair of electrodes 31, 32 disposed opposite to the outer peripheral wall 22, and a voltage application unit 33 that applies a voltage to the electrodes 31, 32 are provided. In addition, a well-known structure can be applied to the electrically heated catalyst device 3, and is not limited to the structure of FIG.

本実施形態の電気加熱式触媒装置3は、実施形態2のハニカム構造体2を有している。そのため、本実施形態の電気加熱式触媒装置3は、例えば、内燃機関の排ガス浄化装置に適用されて加熱と冷却とが繰り返された場合でもハニカム構造体2が割れ難く、信頼性を向上させることができる。   The electrically heated catalyst device 3 of the present embodiment has the honeycomb structure 2 of the second embodiment. Therefore, the electrically heated catalyst device 3 of the present embodiment is applied to an exhaust gas purification device of an internal combustion engine, for example, and the honeycomb structure 2 is not easily broken even when heating and cooling are repeated, thereby improving reliability. Can do.

<実験例>
(試料の作製)
−試料1−
ペタライトとスポジュメン(原料段階でβ型に調製されたもの、以下省略)とホウ酸(粉砕品、以下省略)とシリコン粒子とを26.5:26.5:6:41の質量比で混合した。なお、ペタライト、スポジュメンは、いずれもリチウム含有鉱物である。その他のリチウム含有鉱物としては、ユークリプタイト等を用いることもできる。次いで、この混合物にバインダーとしてメチルセルロースを2質量%添加し、水を加え、混練した。次いで、得られた混合物を押し出し成形機にてペレット状に成形し、一次焼成した。一次焼成の条件は、焼成温度700度、昇温時間100℃/時間、保持時間1時間、大気雰囲気・常圧とした。次いで、一次焼成した焼成体を二次焼成した。二次焼成の条件は、Nガス雰囲気下・常圧、焼成温度1250℃、焼成時間30分、昇温速度200℃/時間とした。これにより、5mm×5mm×18mmの形状を有する試料1の電気抵抗体を得た。
<Experimental example>
(Sample preparation)
-Sample 1-
Petalite, spodumene (prepared in β-type at the raw material stage, omitted below), boric acid (ground product, omitted below) and silicon particles were mixed at a mass ratio of 26.5: 26.5: 6: 41. . Both petalite and spodumene are lithium-containing minerals. As other lithium-containing minerals, eucryptite or the like can also be used. Next, 2% by mass of methylcellulose as a binder was added to the mixture, and water was added and kneaded. Next, the obtained mixture was formed into pellets by an extrusion molding machine and subjected to primary firing. The primary firing conditions were a firing temperature of 700 ° C., a heating time of 100 ° C./hour, a holding time of 1 hour, an atmospheric atmosphere and a normal pressure. Next, the fired body subjected to primary firing was subjected to secondary firing. The conditions for the secondary firing were an N 2 gas atmosphere and normal pressure, a firing temperature of 1250 ° C., a firing time of 30 minutes, and a heating rate of 200 ° C./hour. As a result, an electric resistor of Sample 1 having a shape of 5 mm × 5 mm × 18 mm was obtained.

−試料2−
ペタライトとホウ酸とシリコン粒子とを53:6:41の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料1と同様にして、試料2の電気抵抗体を得た。
-Sample 2-
An electric resistor of Sample 2 was obtained in the same manner as Sample 1 except that a mixture of petalite, boric acid, and silicon particles mixed at a mass ratio of 53: 6: 41 was used.

−試料3−
カオリンとスポジュメンとホウ酸とシリコン粒子とを26.5:26.5:6:41の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料1と同様にして、試料3の電気抵抗体を得た。
-Sample 3-
The electrical resistor of sample 3 is the same as sample 1 except that a mixture of kaolin, spodumene, boric acid and silicon particles mixed at a mass ratio of 26.5: 26.5: 6: 41 is used. Obtained.

−試料4−
スポジュメンとホウ酸とシリコン粒子とを53:6:41の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料1と同様にして、試料4の電気抵抗体を得た。
-Sample 4-
An electrical resistor of Sample 4 was obtained in the same manner as Sample 1 except that a mixture of spodumene, boric acid and silicon particles mixed at a mass ratio of 53: 6: 41 was used.

−試料1C−
カオリンとホウ酸とシリコン粒子とを53:6:41の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料1と同様にして、試料1Cの電気抵抗体を得た。なお、試料1Cの電気抵抗体は、リチウム含有鉱物であるペタライト、スポジュメンを用いず、リチウム含有鉱物ではないカオリンを用いた比較試料である。
-Sample 1C-
An electric resistor of Sample 1C was obtained in the same manner as Sample 1, except that a mixture in which kaolin, boric acid, and silicon particles were mixed at a mass ratio of 53: 6: 41 was used. In addition, the electrical resistor of sample 1C is a comparative sample using kaolin which is not lithium-containing mineral without using petalite and spodumene which are lithium-containing minerals.

(結晶構造解析)
試料1の電気抵抗体について、XRDによる結晶構造解析を行った。その結果を、図4に示す。図4に示されるように、試料1の電気抵抗体には、β−スポジュメン固溶体が生成していることが確認された。なお、試料2〜4の電気抵抗体についても、同様に、β−スポジュメン固溶体が生成していた。
(Crystal structure analysis)
With respect to the electric resistor of Sample 1, a crystal structure analysis by XRD was performed. The result is shown in FIG. As shown in FIG. 4, it was confirmed that a β-spodumene solid solution was generated in the electric resistor of sample 1. In addition, the β-spodumene solid solution was similarly generated for the electrical resistors of Samples 2 to 4.

(B含有量、Li含有量の測定)
ICP分析装置(日立ハイテクサイエンス社製、「SPS−3520UV」)を用い、試料1の電気抵抗体について、B含有量、Li含有量を測定した。その結果、試料1の電気抵抗体は、ホウケイ酸塩におけるB含有量が0.68%であった。また、試料1の電気抵抗体におけるLi含有量は1.3%であった。
(Measurement of B content and Li content)
An ICP analyzer (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd., “SPS-3520UV”) was used to measure the B content and Li content of the electrical resistor of Sample 1. As a result, the electrical resistor of Sample 1 had a B content of 0.68% in the borosilicate. Further, the Li content in the electric resistor of Sample 1 was 1.3%.

(熱膨張率の測定)
試料1の電気抵抗体、試料1Cの電気抵抗体について、上述した方法により熱膨張率を測定した。熱膨張率の測定には、NETZSCH社製、「TMA4000」を用いた。その結果を、図5、表1に示す。図5、表1に示されるように、試料1Cの電気抵抗体は、熱膨張率が3.4ppm/Kであったのに対し、試料1の電気抵抗体は、熱膨張率が1.4ppm/Kであった。この結果から、電気抵抗体中にβ−スポジュメン固溶体を含むことにより、熱膨張率を低減できることが確認された。また、表1に、試料2〜試料4の電気抵抗体の熱膨張率を併せて示す。試料2〜試料4の電気抵抗体も、試料1の電気抵抗体と同様に、試料1Cの電気抵抗体に比べ、熱膨張率が低減された。
(Measurement of thermal expansion coefficient)
Regarding the electric resistor of sample 1 and the electric resistor of sample 1C, the thermal expansion coefficient was measured by the method described above. For the measurement of the coefficient of thermal expansion, “TMA4000” manufactured by NETZSCH was used. The results are shown in FIG. As shown in FIG. 5 and Table 1, the electrical resistance of sample 1C had a coefficient of thermal expansion of 3.4 ppm / K, whereas the electrical resistance of sample 1 had a coefficient of thermal expansion of 1.4 ppm. / K. From this result, it was confirmed that the thermal expansion coefficient can be reduced by including the β-spodumene solid solution in the electric resistor. Table 1 also shows the coefficient of thermal expansion of the electrical resistors of Samples 2 to 4. Similarly to the electrical resistor of sample 1, the thermal resistance of samples 2 to 4 was also reduced as compared with the electrical resistor of sample 1C.

(電気抵抗率の測定)
試料1の電気抵抗体、試料1Cの電気抵抗体について、電気抵抗率を測定した。なお、電気抵抗率は、5mm×5mm×18mmの角柱サンプルについて、熱電特性評価装置(アルバック理工社製、「ZEM−2」)を用い、四端子法で測定した。その結果を、図6に示す。図6に示されるように、試料1の電気抵抗体は、試料1Cの電気抵抗体と同様に、電気抵抗率の温度依存性が小さく、PTC特性を維持していることがわかる。また、試料1の電気抵抗体は、試料1Cの電気抵抗体に比べ、25℃〜500℃までの温度範囲において電気抵抗率が小さく、電気抵抗率は0.0001Ω・m以上1Ω・m以下であった。また、試料1の電気抵抗体は、上述の算出方法による電気抵抗上昇率が5.0×10−4/K以下であることが確認された。また、表1に、試料1〜4の電気抵抗体の室温(25℃)における電気抵抗率を示す。なお、試料2〜4の電気抵抗体も、試料1の電気抵抗体と同様に、25℃〜500℃までの温度範囲において、電気抵抗率が0.0001Ω・m以上1Ω・m以下、かつ、電気抵抗上昇率が5.0×10−4/K以下であった。
(Measurement of electrical resistivity)
The electrical resistivity of the electrical resistor of sample 1 and the electrical resistor of sample 1C was measured. In addition, the electrical resistivity was measured by a four-terminal method using a thermoelectric property evaluation apparatus (“ZEM-2” manufactured by ULVAC-RIKO, Inc.) for a prism sample of 5 mm × 5 mm × 18 mm. The result is shown in FIG. As shown in FIG. 6, it can be seen that the electrical resistor of sample 1 has a small temperature dependency of the electrical resistivity and maintains the PTC characteristics, like the electrical resistor of sample 1C. Moreover, the electrical resistance of sample 1 is smaller in the temperature range from 25 ° C. to 500 ° C. than the electrical resistance of sample 1C, and the electrical resistivity is 0.0001Ω · m or more and 1Ω · m or less. there were. Moreover, it was confirmed that the electrical resistance body of the sample 1 has an electrical resistance increase rate of 5.0 × 10 −4 / K or less by the above-described calculation method. Table 1 shows the electrical resistivity of the electrical resistors of Samples 1 to 4 at room temperature (25 ° C.). In addition, the electrical resistors of Samples 2 to 4 also have an electrical resistivity of 0.0001 Ω · m to 1 Ω · m in the temperature range from 25 ° C. to 500 ° C., similar to the electrical resistor of Sample 1, and The rate of increase in electrical resistance was 5.0 × 10 −4 / K or less.

Figure 2019186100
Figure 2019186100

本発明は、上記各実施形態、各実験例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、各実施形態、各実験例に示される各構成は、それぞれ任意に組み合わせることができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and experimental examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Moreover, each structure shown by each embodiment and each experiment example can be combined arbitrarily, respectively.

10 ホウケイ酸塩
11 Si含有粒子
12 β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも1種
2 ハニカム構造体
3 電気加熱式触媒装置
10 Borosilicate 11 Si-containing particle 12 β-spodumene solid solution and β-quartz solid solution, at least one kind 2 Honeycomb structure 3 Electric heating type catalyst device

Claims (9)

ホウケイ酸塩(10)と、
Si含有粒子(11)と、
β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも1種(12)と、
を含む、電気抵抗体(1)。
Borosilicate (10),
Si-containing particles (11);
At least one (12) of β-spodumene solid solution and β-quartz solid solution,
An electrical resistor (1) comprising:
上記ホウケイ酸塩は、アルミノホウケイ酸塩である、請求項1に記載の電気抵抗体。   The electrical resistor according to claim 1, wherein the borosilicate is an aluminoborosilicate. 25℃〜500℃までの温度範囲において、電気抵抗率が0.0001Ω・m以上1Ω・m以下、かつ、電気抵抗上昇率が0/K以上5.0×10−4/K以下である、請求項1または2に記載の電気抵抗体。 In a temperature range from 25 ° C. to 500 ° C., the electrical resistivity is 0.0001 Ω · m to 1 Ω · m and the electrical resistance increase rate is 0 / K to 5.0 × 10 −4 / K, The electrical resistor according to claim 1 or 2. 上記電気抵抗体におけるLi含有量が0.1質量%以上4質量%以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電気抵抗体。   The electrical resistor according to any one of claims 1 to 3, wherein the Li content in the electrical resistor is 0.1 mass% or more and 4 mass% or less. 熱膨張率が0.5ppm/K以上3ppm/K以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電気抵抗体。   The electrical resistor according to any one of claims 1 to 4, wherein the coefficient of thermal expansion is 0.5 ppm / K or more and 3 ppm / K or less. 上記ホウケイ酸塩におけるB含有量が0.1質量%以上5質量%以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電気抵抗体。   The electrical resistor according to any one of claims 1 to 5, wherein a B content in the borosilicate is 0.1 mass% or more and 5 mass% or less. 電気加熱式触媒装置におけるハニカム構造体に使用されるように構成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電気抵抗体。   The electrical resistor according to claim 1, wherein the electrical resistor is configured to be used for a honeycomb structure in an electrically heated catalyst device. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の電気抵抗体を含んで構成されている、ハニカム構造体(2)。   A honeycomb structure (2) configured to include the electrical resistor according to any one of claims 1 to 6. 請求項8に記載のハニカム構造体を有する、電気加熱式触媒装置(3)。   An electrically heated catalyst device (3) comprising the honeycomb structure according to claim 8.
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