JP2019161674A - Imaging unit and imaging apparatus - Google Patents

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寛信 村田
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Abstract

To densely provide photoelectric converters in an imager comprising a differential comparator for comparing a reference level with the signal level of an analog image signal.SOLUTION: An imaging unit comprises: the imager which comprises a pixel part including the plural photoelectric converters; a signal processor for processing a digital signal outputted from the imager; and the differential comparator which is disposed in the imager, compares the reference level with the signal level of an output signal generated in accordance with an electric charge amount photoelectrically converted by the pixel part, and outputs a digital signal.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、撮像ユニットおよび撮像装置に関する。   The present invention relates to an imaging unit and an imaging apparatus.

従来、デジタルピクセルセンサチップ(Digital Pixel Sensor Chip)において、フォトダイオードを含むセンサ部、センサ部からの出力信号とランプ電圧とを比較する比較部、および、比較部からの出力を記録するメモリ部が設けられていた(例えば、非特許文献1参照)。
[先行技術文献]
[特許文献]
[非特許文献1] IEEE JOURNAL OF SOLID−STATE CIRCUITS, VOL. 36, NO. 12, DECEMBER 2001,A 10000 Frames/s CMOS Digital Pixel Sensor,Stuart Kleinfelder,SukHwan Lim,Xinqiao Liu,and Abbas El Gamal,Fellow,IEEE
Conventionally, in a digital pixel sensor chip (Digital Pixel Sensor Chip), a sensor unit including a photodiode, a comparison unit that compares an output signal from the sensor unit and a lamp voltage, and a memory unit that records an output from the comparison unit are provided. (For example, refer nonpatent literature 1).
[Prior art documents]
[Patent Literature]
[Non-Patent Document 1] IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 36, NO. 12, DECEMBER 2001, A 10000 Frames / s CMOS Digital Pixel Sensor, Stuart Kleinfelder, SukHwan Lim, Xinqiao Liu, and Abbas El Gamal, FELOW, IE

上述のデジタルピクセルセンサチップにおいては、各画素は、センサ部の他に、比較部とメモリ部とを有する。それゆえ、1つの画素は多数のトランジスタにより構成される。よって、デジタルピクセルセンサチップにおいて、画素を高密度に設けることは困難であった。   In the above-described digital pixel sensor chip, each pixel includes a comparison unit and a memory unit in addition to the sensor unit. Therefore, one pixel is composed of a large number of transistors. Therefore, it has been difficult to provide pixels with high density in the digital pixel sensor chip.

本発明の第1の態様においては、複数の光電変換部を含む画素部を有する撮像部と、撮像部から出力されるデジタル信号を処理する信号処理部と、撮像部に配置され、参照レベルと、画素部において光電変換された電荷量に応じて生成される出力信号の信号レベルとを比較してデジタル信号を出力する差動コンパレータと、を備える撮像ユニットを提供する。   In the first aspect of the present invention, an imaging unit having a pixel unit including a plurality of photoelectric conversion units, a signal processing unit that processes a digital signal output from the imaging unit, and a reference level disposed in the imaging unit An imaging unit is provided that includes a differential comparator that outputs a digital signal by comparing the signal level of an output signal that is generated according to the amount of charge photoelectrically converted in a pixel portion.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

一眼レフカメラ400の断面図である。2 is a cross-sectional view of a single-lens reflex camera 400. FIG. 撮像ユニット200の構成例を示すブロック図である。3 is a block diagram illustrating a configuration example of an imaging unit 200. FIG. 第1の実施形態における、撮像ユニット200の画素部11および信号処理回路22の回路模式図である。FIG. 2 is a circuit schematic diagram of a pixel unit 11 and a signal processing circuit 22 of the imaging unit 200 in the first embodiment. 撮像ユニット200の動作を説明するタイムチャート図である。5 is a time chart illustrating the operation of the imaging unit 200. FIG. 画素部11の素子レイアウトを示す図である。2 is a diagram illustrating an element layout of a pixel unit 11. FIG. 画素部11における、光電変換部31および光電変換部33とマイクロレンズ50との位置関係を示す図である。3 is a diagram illustrating a positional relationship between a photoelectric conversion unit 31, a photoelectric conversion unit 33, and a microlens 50 in a pixel unit 11. FIG. 画素部11における、光電変換部31および光電変換部33とマイクロレンズ50との位置関係の変形例を示す図である。6 is a diagram illustrating a modification of the positional relationship between the photoelectric conversion unit 31, the photoelectric conversion unit 33, and a microlens 50 in the pixel unit 11. FIG. 第2の実施形態における、撮像ユニット300の画素部12および信号処理回路22の回路模式図である。FIG. 6 is a circuit schematic diagram of a pixel unit 12 and a signal processing circuit 22 of an imaging unit 300 in a second embodiment. 第2の実施形態における、撮像ユニット300の動作を説明するタイムチャート図である。It is a time chart figure explaining operation of image pick-up unit 300 in a 2nd embodiment. 第3の実施形態における、撮像ユニット310の画素部13および信号処理回路22の回路模式図である。FIG. 10 is a circuit schematic diagram of a pixel unit 13 and a signal processing circuit 22 of an imaging unit 310 in a third embodiment.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、一眼レフカメラ400の断面図である。撮像装置の一例としての一眼レフカメラ400は、撮像ユニット200、レンズユニット500およびカメラボディ600を備える。カメラボディ600には、レンズユニット500が装着される。レンズユニット500は、その鏡筒内に、光軸410に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ600の撮像ユニット200へ導く。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a single-lens reflex camera 400. A single-lens reflex camera 400 as an example of an imaging apparatus includes an imaging unit 200, a lens unit 500, and a camera body 600. A lens unit 500 is attached to the camera body 600. The lens unit 500 includes an optical system arranged along the optical axis 410 in the lens barrel, and guides an incident subject light flux to the imaging unit 200 of the camera body 600.

本例においては、撮像装置として一眼レフカメラ400を例に説明するが、カメラボディ600を撮像装置と捉えてもよい。また、撮像装置は、ミラーユニットを備えるレンズ交換式カメラに限らず、ミラーユニットを持たないレンズ交換式カメラ、ミラーユニットの有無に関わらずレンズ一体式カメラであってもよい。また、本例において光軸410に沿って被写体光束が進む方向を第3方向とする。第3方向に対して垂直であって、かつ、互いに垂直な方向を、第1方向および第2方向とする。   In this example, a single-lens reflex camera 400 will be described as an example of an imaging apparatus, but the camera body 600 may be regarded as an imaging apparatus. Further, the imaging device is not limited to an interchangeable lens camera provided with a mirror unit, but may be an interchangeable lens camera without a mirror unit, or a lens integrated camera regardless of the presence or absence of the mirror unit. In this example, the direction in which the subject luminous flux travels along the optical axis 410 is defined as the third direction. The directions perpendicular to the third direction and perpendicular to each other are defined as a first direction and a second direction.

カメラボディ600には、レンズマウント550が結合される。カメラボディ600は、ボディマウント660よりも第3方向の側にミラー672を備える。ミラー672は、レンズユニット500から第3方向に入射する被写体光束に対して傾けて設けられる斜設位置と、被写体光束から退避する退避位置との間で回転可能であるように軸に固定される。   A lens mount 550 is coupled to the camera body 600. The camera body 600 includes a mirror 672 on the third direction side of the body mount 660. The mirror 672 is fixed to the shaft so as to be rotatable between an oblique position provided to be inclined with respect to the subject light beam incident in the third direction from the lens unit 500 and a retracted position for retreating from the subject light beam. .

ミラー672が斜設位置にある場合、レンズユニット500を通じて入射した被写体光束の多くはミラー672に反射されてピント板652に導かれる。ピント板652は、撮像ユニット200の受光面と共役な位置に配されて、レンズユニット500の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板652に形成された被写体像は、ペンタプリズム654およびファインダ光学系656を通じてファインダ650から観察される。   When the mirror 672 is in the oblique position, most of the subject light beam incident through the lens unit 500 is reflected by the mirror 672 and guided to the focus plate 652. The focus plate 652 is arranged at a position conjugate with the light receiving surface of the imaging unit 200 to visualize the subject image formed by the optical system of the lens unit 500. The subject image formed on the focus plate 652 is observed from the viewfinder 650 through the pentaprism 654 and the viewfinder optical system 656.

ピント板652、ペンタプリズム654、ミラー672は、構造体としてのミラーボックス670に支持される。撮像ユニット200は、ミラーボックス670に取り付けられる。ミラー672が退避位置に退避し、シャッタユニット340の先幕および後幕が開状態となれば、レンズユニット500を透過する被写体光束は、撮像ユニット200の受光面に到達する。   The focus plate 652, the pentaprism 654, and the mirror 672 are supported by a mirror box 670 as a structure. The imaging unit 200 is attached to the mirror box 670. When the mirror 672 is retracted to the retracted position and the front curtain and the rear curtain of the shutter unit 340 are in the open state, the subject luminous flux that passes through the lens unit 500 reaches the light receiving surface of the imaging unit 200.

撮像ユニット200に対してシャッタユニット340とは逆側には、ボディ基板620および背面表示部634が順次配置される。液晶パネル等が採用される背面表示部634は、カメラボディ600の背面に位置する。ボディ基板620には、CPU622、画像処理部624等の電子回路が実装される。撮像ユニット200の出力は、画像処理部624へ引き渡される。   On the side opposite to the shutter unit 340 with respect to the imaging unit 200, a body substrate 620 and a rear display unit 634 are sequentially arranged. A rear display unit 634 employing a liquid crystal panel or the like is located on the rear surface of the camera body 600. Electronic circuits such as a CPU 622 and an image processing unit 624 are mounted on the body substrate 620. The output of the imaging unit 200 is delivered to the image processing unit 624.

図2は、撮像ユニット200の構成例を示すブロック図である。撮像ユニット200は、撮像部10および信号処理部20を備える。なお、撮像部10は撮像部10の機能を有するチップであってよく、信号処理部20は信号処理部20の機能を有するチップであってよい。撮像部10には、第3方向から光束が入射する。撮像部10と信号処理部20とは、光軸410の方向において少なくとも一部が重ねて設けられる。本例においては、撮像部10の全体が、信号処理部20に対してほぼ完全に重ねて設けられる。撮像部10と信号処理部20とは、バンプ15を通じて互いに電気的に接続される。   FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the imaging unit 200. The imaging unit 200 includes an imaging unit 10 and a signal processing unit 20. The imaging unit 10 may be a chip having the function of the imaging unit 10, and the signal processing unit 20 may be a chip having the function of the signal processing unit 20. A light beam enters the imaging unit 10 from the third direction. The imaging unit 10 and the signal processing unit 20 are provided so as to overlap at least partially in the direction of the optical axis 410. In this example, the entire imaging unit 10 is provided so as to be almost completely overlapped with the signal processing unit 20. The imaging unit 10 and the signal processing unit 20 are electrically connected to each other through the bump 15.

撮像部10は、画素部11を有する。画素部11は、第1方向および第2方向において2次元に配列された複数の光電変換部を有する。複数の光電変換部の各々は入射光を光電変換する。つまり、複数の光電変換部の各々は、第3方向から入射する光束の光量に応じて電荷を生成する。よって、画素部11は、光電変換された電荷量に応じてアナログの画像信号を生成する。さらに画素部11は、アナログの画像信号をデジタル信号に変換する。その後、画素部11は、変換したデジタル信号を信号処理部20の信号処理回路22へ出力する。   The imaging unit 10 includes a pixel unit 11. The pixel unit 11 has a plurality of photoelectric conversion units arranged two-dimensionally in the first direction and the second direction. Each of the plurality of photoelectric conversion units photoelectrically converts incident light. That is, each of the plurality of photoelectric conversion units generates an electric charge according to the amount of light flux incident from the third direction. Therefore, the pixel unit 11 generates an analog image signal in accordance with the photoelectrically converted charge amount. Further, the pixel unit 11 converts an analog image signal into a digital signal. Thereafter, the pixel unit 11 outputs the converted digital signal to the signal processing circuit 22 of the signal processing unit 20.

信号処理部20は、信号処理回路22および焦点検出部26を有する。信号処理回路22は、デジタル信号を処理する。信号処理回路22は、ラッチ部24を含む。ラッチ部24は、カウンタ回路を有する。ラッチ部24は、撮像部10から出力されるデジタル信号をカウンタ回路によりカウントすることにより、アナログの画像信号に応じた画素値を生成する。生成された画素値は、ラッチ部24から焦点検出部26および画像処理部624に出力される。   The signal processing unit 20 includes a signal processing circuit 22 and a focus detection unit 26. The signal processing circuit 22 processes a digital signal. The signal processing circuit 22 includes a latch unit 24. The latch unit 24 includes a counter circuit. The latch unit 24 counts the digital signal output from the imaging unit 10 with a counter circuit, thereby generating a pixel value corresponding to the analog image signal. The generated pixel value is output from the latch unit 24 to the focus detection unit 26 and the image processing unit 624.

焦点検出部26は、入射光が通過した光学系の焦点位置を検出する。具体的には、焦点検出部26は、デジタルの画像信号に基づいて、一対の像の像ズレ量を検出する。さらに、焦点検出部26は、像ズレ量に応じた演算を行い、予定結像面に対する現在の結像面の偏差であるデフォーカス量を算出する。当該デフォーカス量を調整するべく、一眼レフカメラ400のレンズユニット500内におけるレンズの位置が調整される。   The focus detection unit 26 detects the focus position of the optical system through which the incident light has passed. Specifically, the focus detection unit 26 detects the image shift amount of the pair of images based on the digital image signal. Further, the focus detection unit 26 performs a calculation according to the image shift amount, and calculates a defocus amount that is a deviation of the current image formation plane from the planned image formation plane. In order to adjust the defocus amount, the position of the lens in the lens unit 500 of the single-lens reflex camera 400 is adjusted.

画像処理部624は、画像処理ASIC625および記録部626を有する。画像処理ASIC625は、記録部626をワークスペースとして種々の画像処理を施し、画像データを生成する。画像処理ASIC625は、JPEGファイル形式の画像データを生成する場合は、ホワイトバランス処理、ガンマ処理等を施した後に圧縮処理を実行する。生成された画像データは、記録部626に記録される。また、背面表示部634は、当該記録部626に記録された画像データに応じた画像を予め設定された時間の間表示する。   The image processing unit 624 includes an image processing ASIC 625 and a recording unit 626. The image processing ASIC 625 performs various image processing using the recording unit 626 as a work space, and generates image data. When generating image data in the JPEG file format, the image processing ASIC 625 executes compression processing after performing white balance processing, gamma processing, and the like. The generated image data is recorded in the recording unit 626. The rear display unit 634 displays an image corresponding to the image data recorded in the recording unit 626 for a preset time.

図3は、第1の実施形態における、撮像ユニット200の画素部11および信号処理回路22の回路模式図である。なお、本例において特に断らない限り、各トランジスタはn型のMOSトランジスタである。n型のMOSトランジスタのゲート以外の2端子において、高電位の端子をドレインと称し、低電位の端子をソースと称する。これに対し、p型のMOSトランジスタのゲート以外の2端子において、高電位の端子をソースと称し、低電位の端子をドレインと称する。   FIG. 3 is a circuit schematic diagram of the pixel unit 11 and the signal processing circuit 22 of the imaging unit 200 in the first embodiment. Note that each transistor is an n-type MOS transistor unless otherwise specified in this example. Of the two terminals other than the gate of the n-type MOS transistor, the high potential terminal is referred to as the drain, and the low potential terminal is referred to as the source. On the other hand, in two terminals other than the gate of the p-type MOS transistor, a high potential terminal is referred to as a source, and a low potential terminal is referred to as a drain.

まず、画素部11および信号処理回路22の構成について説明する。画素部11は、複数の画素共有部48を有する。なお、図3では、第2方向に隣接する第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2のみを示すが、画素共有部48は第1方向および第2方向にさらに複数設けられる。各画素共有部48には共通の電圧VDDが印加される。   First, the configuration of the pixel unit 11 and the signal processing circuit 22 will be described. The pixel unit 11 includes a plurality of pixel sharing units 48. In FIG. 3, only the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 adjacent to each other in the second direction are shown, but the pixel sharing unit 48 is further arranged in the first direction and the second direction. A plurality are provided. A common voltage VDD is applied to each pixel sharing unit 48.

1つの画素共有部48は、第1から第4の光電変換部31‐L、31‐R、33‐Lおよび33‐R、第1から第4の転送トランジスタ32‐L、32‐R、34‐Lおよび34‐R、第1および第2の切替トランジスタ38‐Lおよび38‐R、ならびに、差動コンパレータ49を有する。本例では、撮像部10中の画素部11が差動コンパレータ49を有する。つまり、撮像部10および差動コンパレータ49は、同じ半導体チップに設けられる。前述のように、信号処理回路22はラッチ部24および信号源25を有し、ラッチ部24は複数のカウンタ回路28を有する。   One pixel sharing unit 48 includes first to fourth photoelectric conversion units 31-L, 31-R, 33-L, and 33-R, and first to fourth transfer transistors 32-L, 32-R, and 34. -L and 34-R, first and second switching transistors 38-L and 38-R, and a differential comparator 49. In this example, the pixel unit 11 in the imaging unit 10 includes a differential comparator 49. That is, the imaging unit 10 and the differential comparator 49 are provided on the same semiconductor chip. As described above, the signal processing circuit 22 includes the latch unit 24 and the signal source 25, and the latch unit 24 includes a plurality of counter circuits 28.

第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2における第1の転送トランジスタ32‐Lのゲートには、共通の端子Tx1_Lが接続される。同様に、第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2における第2の転送トランジスタ32‐Rのゲートには、共通の端子Tx1_Rが接続される。また、第3の転送トランジスタ34‐Lのゲートには、共通の端子Tx2_Rが接続され、第4の転送トランジスタ34‐Rのゲートには、共通の端子Tx2_Lが接続される。   A common terminal Tx1_L is connected to the gate of the first transfer transistor 32-L in the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2. Similarly, a common terminal Tx1_R is connected to the gates of the second transfer transistors 32-R in the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2. The common terminal Tx2_R is connected to the gate of the third transfer transistor 34-L, and the common terminal Tx2_L is connected to the gate of the fourth transfer transistor 34-R.

さらに、第2方向に連続する他の複数の画素共有部48において、第1の転送トランジスタ32‐Lのゲートには共通の端子Tx1_Lが、第2の転送トランジスタ32‐Rのゲートには共通の端子Tx1_Rが、第3の転送トランジスタ34‐Lのゲートには共通の端子Tx2_Lが、第4の転送トランジスタ34‐Rのゲートには共通の端子Tx2_Rが、それぞれ接続される。なお、第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2が位置する行と異なる行では、異なる端子Tx1_L、端子Tx1_R、端子Tx2_Lおよび端子Tx2_Rがそれぞれ設けられる。   Furthermore, in the other plurality of pixel sharing units 48 that are continuous in the second direction, the common terminal Tx1_L is shared by the gate of the first transfer transistor 32-L, and the common gate T of the second transfer transistor 32-R is shared. The common terminal Tx2_L is connected to the gate of the third transfer transistor 34-L, and the common terminal Tx2_R is connected to the gate of the fourth transfer transistor 34-R. Note that a different terminal Tx1_L, a terminal Tx1_R, a terminal Tx2_L, and a terminal Tx2_R are provided in different rows from the row in which the first pixel sharing portion 48-1 and the second pixel sharing portion 48-2 are located.

また、ラッチ部24は、第2方向に連続する複数の画素共有部48に対応して、1組の複数のカウンタ回路28を有する。図3においては、1組の複数のカウンタ回路28を構成するカウンタ回路28‐1から28‐4を示す。カウンタ回路28‐1は第2出力部44に接続され、カウンタ回路28‐1は第1出力部43に接続される。1つの画素共有部48につき、2つのカウンタ回路28が設けられる。ラッチ部24は、第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2が位置する行と異なる行に対応して、前述の1組の複数のカウンタ回路28とは異なる複数のカウンタ回路28を有する。   The latch unit 24 includes a set of a plurality of counter circuits 28 corresponding to the plurality of pixel sharing units 48 that are continuous in the second direction. In FIG. 3, counter circuits 28-1 to 28-4 constituting a set of a plurality of counter circuits 28 are shown. The counter circuit 28-1 is connected to the second output unit 44, and the counter circuit 28-1 is connected to the first output unit 43. Two counter circuits 28 are provided for each pixel sharing unit 48. The latch unit 24 corresponds to a row different from the row in which the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 are located, and is different from the set of counter circuits 28. Counter circuit 28.

差動コンパレータ49は、第1入力部41、第2入力部42、第1出力部43、および、第2出力部44は、を備える。差動コンパレータ49は、ゲートが第1入力部41であるトランジスタ35‐L、および、ゲートが第2入力部42であるトランジスタ35‐Rを有する。トランジスタ35‐Lおよび35‐Rのソースは短絡されて、トランジスタ30のドレインに接続される。トランジスタ30のソースは定電流源に接続される。トランジスタ30のソースに接続された定電流源は、差動コンパレータ49に流れる電流を規定する定電流源である。   The differential comparator 49 includes a first input unit 41, a second input unit 42, a first output unit 43, and a second output unit 44. The differential comparator 49 includes a transistor 35 -L whose gate is the first input unit 41 and a transistor 35 -R whose gate is the second input unit 42. The sources of transistors 35 -L and 35 -R are shorted and connected to the drain of transistor 30. The source of the transistor 30 is connected to a constant current source. The constant current source connected to the source of the transistor 30 is a constant current source that regulates the current flowing through the differential comparator 49.

差動コンパレータ49は、p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rを有する。p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rのソースには、電圧VDDが印加される。また、p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rのゲートは互いに短絡され、p型のトランジスタ39のドレインに接続される。p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rは、差動コンパレータ49の負荷として機能する。p型のトランジスタ39およびp型のトランジスタ39に接続された定電流源により、各々のp型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rのゲートには、所定の定電圧が印加される。また、p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rのソースとドレインの間には所定の電圧が印加される。これにより、p型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rを飽和領域で動作させる。このような構成により、各々のp型のトランジスタ36‐Lおよび36‐Rは高抵抗の負荷として機能する。   The differential comparator 49 includes p-type transistors 36-L and 36-R. The voltage VDD is applied to the sources of the p-type transistors 36-L and 36-R. The gates of the p-type transistors 36 -L and 36 -R are short-circuited to each other and connected to the drain of the p-type transistor 39. The p-type transistors 36 -L and 36 -R function as a load of the differential comparator 49. A predetermined constant voltage is applied to the gates of the p-type transistors 36 -L and 36 -R by the p-type transistor 39 and the constant current source connected to the p-type transistor 39. A predetermined voltage is applied between the sources and drains of the p-type transistors 36-L and 36-R. As a result, the p-type transistors 36-L and 36-R are operated in the saturation region. With such a configuration, each of the p-type transistors 36-L and 36-R functions as a high-resistance load.

p型のトランジスタ36‐Lのドレインは、トランジスタ37のソースおよびドレインの一方、および、トランジスタ35‐Lのドレインに接続する。同様に、p型のトランジスタ36‐Rのドレインは、トランジスタ37のソースおよびドレインの他方、および、トランジスタ35‐Rのドレインに接続する。   The drain of the p-type transistor 36 -L is connected to one of the source and drain of the transistor 37 and the drain of the transistor 35 -L. Similarly, the drain of the p-type transistor 36-R is connected to the other of the source and the drain of the transistor 37 and the drain of the transistor 35-R.

P型のトランジスタ37におけるソースおよびドレインの一方は、第1出力部43に接続する。また、P型のトランジスタ37におけるソースおよびドレインの他方は、第2出力部44に接続する。P型のトランジスタ37をオンにすることにより、第1出力部43と第2出力部44とは電気的に導通する。これにより、第1出力部43と第2出力部44との電圧レベルを等しくすることができる。   One of the source and the drain in the P-type transistor 37 is connected to the first output unit 43. The other of the source and the drain of the P-type transistor 37 is connected to the second output unit 44. By turning on the P-type transistor 37, the first output unit 43 and the second output unit 44 are electrically connected. Thereby, the voltage level of the 1st output part 43 and the 2nd output part 44 can be made equal.

画素部11は、第1入力部41および第2入力部42の一方に、光電変換部31または33において光電変換された電荷量に応じて生成される出力信号を入力する。また、画素部11は、第1入力部41および第2入力部42の他方に、DAC46から参照レベルの信号を入力する。本例の差動コンパレータ49は、当該参照レベルと第1入力部41および第2入力部42に入力される電圧信号の信号レベルとを比較して、第1出力部43および第2出力部44のいずれか一方から比較結果に応じたデジタル信号を出力する。   The pixel unit 11 inputs an output signal generated according to the amount of charge photoelectrically converted in the photoelectric conversion unit 31 or 33 to one of the first input unit 41 and the second input unit 42. In addition, the pixel unit 11 inputs a reference level signal from the DAC 46 to the other of the first input unit 41 and the second input unit 42. The differential comparator 49 of this example compares the reference level with the signal level of the voltage signal input to the first input unit 41 and the second input unit 42, and compares the first output unit 43 and the second output unit 44. A digital signal corresponding to the comparison result is output from either one of the above.

本例において、DAC46は、第2方向に連続する複数の画素共有部48につき1つ設けられる。つまり、第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2が位置する行と異なる行では、異なるDAC46が設けられる。端子Tx1_L、端子Tx1_R、端子Tx2_Lおよび端子Tx2_Rも同様に、第2方向に連続する複数の画素共有部48につき1つ設けられる。つまり、第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2が位置する行と異なる行では、異なる端子Tx1_L、端子Tx1_R、端子Tx2_Lおよび端子Tx2_Rが設けられる。なお、変形例として、DAC46を一つだけ設けてよい。この場合、セレクタまたはデコーダを用いて、DAC46の出力が行毎に提供される。   In this example, one DAC 46 is provided for a plurality of pixel sharing units 48 that are continuous in the second direction. That is, a different DAC 46 is provided in a row different from the row where the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 are located. Similarly, one terminal Tx1_L, one terminal Tx1_R, one terminal Tx2_L, and one terminal Tx2_R are provided for a plurality of pixel sharing units 48 that are continuous in the second direction. That is, different terminals Tx1_L, terminals Tx1_R, terminals Tx2_L, and terminals Tx2_R are provided in different rows from the row where the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 are located. As a modification, only one DAC 46 may be provided. In this case, the output of the DAC 46 is provided for each row using a selector or a decoder.

ラッチ部24のカウンタ回路28‐2には、第1の光電変換部31‐Lまたは第3の光電変換部33‐Lの信号レベルとDAC46から入力される参照レベルとを比較した結果である第1のデジタル信号が入力される。また、ラッチ部24のカウンタ回路28‐1には、第2の光電変換部31‐Rまたは第4の光電変換部33‐Rの信号レベルとDAC46から入力される参照レベルとを比較した結果である第2のデジタル信号が入力される。なお、第1のデジタル信号が、第1出力部43からカウンタ回路28‐2に入力されるときは、第2のデジタル信号は利用しなくてよい。逆に、第2のデジタル信号が、第2出力部44からカウンタ回路28‐1に入力されるときは、第1のデジタル信号は利用しなくてよい。つまり、ラッチ部24には、第1のデジタル信号と第2のデジタル信号とが、切り替えて入力されるとしてよい。   The counter circuit 28-2 of the latch unit 24 is the result of comparing the signal level of the first photoelectric conversion unit 31 -L or the third photoelectric conversion unit 33 -L and the reference level input from the DAC 46. 1 digital signal is input. The counter circuit 28-1 of the latch unit 24 has a result of comparing the signal level of the second photoelectric conversion unit 31 -R or the fourth photoelectric conversion unit 33 -R and the reference level input from the DAC 46. A second digital signal is input. When the first digital signal is input from the first output unit 43 to the counter circuit 28-2, the second digital signal may not be used. Conversely, when the second digital signal is input from the second output unit 44 to the counter circuit 28-1, the first digital signal may not be used. That is, the first digital signal and the second digital signal may be switched and input to the latch unit 24.

本例では、第1入力部41に入力される信号の電圧値が第2入力部42に入力される信号の電圧値よりも低い場合には、第1出力部43からカウンタ回路28‐2にハイ電圧信号が出力される。一方、第1入力部41に入力される電圧値が第2入力部42に入力される電圧値よりも高い場合には、第1出力部43からからカウンタ回路28‐2にロー電圧信号が出力される。   In this example, when the voltage value of the signal input to the first input unit 41 is lower than the voltage value of the signal input to the second input unit 42, the first output unit 43 supplies the counter circuit 28-2. A high voltage signal is output. On the other hand, when the voltage value input to the first input unit 41 is higher than the voltage value input to the second input unit 42, a low voltage signal is output from the first output unit 43 to the counter circuit 28-2. Is done.

同様に、第2入力部42に入力される電圧値が第1入力部41に入力される電圧値よりも低い場合には、第2出力部44からカウンタ回路28‐1にハイ電圧信号が出力される。一方、第2入力部42に入力される電圧値が第1入力部41に入力される電圧値よりも高い場合には、第2出力部44からカウンタ回路28‐1にロー電圧信号を出力する。   Similarly, when the voltage value input to the second input unit 42 is lower than the voltage value input to the first input unit 41, a high voltage signal is output from the second output unit 44 to the counter circuit 28-1. Is done. On the other hand, when the voltage value input to the second input unit 42 is higher than the voltage value input to the first input unit 41, a low voltage signal is output from the second output unit 44 to the counter circuit 28-1. .

信号源25は、各カウンタ回路28に一定周期のパルス信号を供給する。本例では、当該一定周期のパルス信号を用いて、第1入力部41または第2入力部42の電圧値とDAC46のランプ波形の参照信号における電圧値との大小関係が変化するタイミングが特定される。当該パルス信号の一定周期は、DAC46が出力するランプ波形における電圧値の最小ステップ幅に対応する時間幅であってよい。   The signal source 25 supplies a pulse signal having a constant cycle to each counter circuit 28. In this example, the timing at which the magnitude relationship between the voltage value of the first input unit 41 or the second input unit 42 and the voltage value in the reference signal of the ramp waveform of the DAC 46 changes is specified using the pulse signal of the fixed period. The The fixed period of the pulse signal may be a time width corresponding to the minimum step width of the voltage value in the ramp waveform output from the DAC 46.

カウンタ回路28‐2は、第2入力部42に単調増加のランプ波形が入力されたタイミングから第2入力部42の電圧値が第1入力部41の電圧値以上となるタイミングまでの期間における信号源25のパルス数をカウントする。当該期間を便宜的に第1カウント期間と称する。第1カウント期間においてカウントされたパルス数が、光電変換部31または33におけるリセットレベルとして扱われる。また、カウンタ回路28‐2は、第2入力部42に単調減少のランプ波形が入力されたタイミングから第2入力部42の電圧値が第1入力部41の電圧値以下となるタイミングまでの期間における信号源25のパルス数をカウントする。当該期間を便宜的に第2カウント期間と称する。第2カウント期間においてカウントされたパルス数が、光電変換部31または33における出力レベルとして扱われる。出力レベルからリセットレベルを差し引いた値が、デジタルの画像信号における画素値として扱われる。なお、光電変換部31または33に蓄積された電荷量が多いほど第2カウント期間は長くなるので、第2カウント期間においてカウントされるパルス数が多くなる。   The counter circuit 28-2 is a signal in a period from the timing when the monotonically increasing ramp waveform is input to the second input unit 42 to the timing when the voltage value of the second input unit 42 becomes equal to or higher than the voltage value of the first input unit 41. The number of pulses of the source 25 is counted. This period is referred to as a first count period for convenience. The number of pulses counted in the first count period is handled as a reset level in the photoelectric conversion unit 31 or 33. In addition, the counter circuit 28-2 is a period from the timing when the monotonously decreasing ramp waveform is input to the second input unit 42 to the timing when the voltage value of the second input unit 42 is equal to or lower than the voltage value of the first input unit 41. The number of pulses of the signal source 25 is counted. This period is referred to as a second count period for convenience. The number of pulses counted in the second count period is handled as an output level in the photoelectric conversion unit 31 or 33. A value obtained by subtracting the reset level from the output level is treated as a pixel value in the digital image signal. Note that the second count period becomes longer as the amount of charge accumulated in the photoelectric conversion unit 31 or 33 increases, so that the number of pulses counted in the second count period increases.

第1の光電変換部31‐Lのカソードは、第1の転送トランジスタ32‐Lのソースに接続される。第1の転送トランジスタ32‐Lのドレインは、第1入力部41に接続される。第1の転送トランジスタ32‐Lは、第1の光電変換部31‐Lを第1入力部41に接続するか否かを切り替える。第2の光電変換部31‐Rのカソードは、第2の転送トランジスタ32‐Rのソースに接続される。第2の転送トランジスタ32‐Rのドレインは、第2入力部42に接続される。第2の転送トランジスタ32‐Rは、第2の光電変換部31‐Rを第2入力部42に接続するか否かを切り替える。   The cathode of the first photoelectric conversion unit 31-L is connected to the source of the first transfer transistor 32-L. The drain of the first transfer transistor 32-L is connected to the first input unit 41. The first transfer transistor 32-L switches whether the first photoelectric conversion unit 31-L is connected to the first input unit 41 or not. The cathode of the second photoelectric conversion unit 31-R is connected to the source of the second transfer transistor 32-R. The drain of the second transfer transistor 32-R is connected to the second input unit. The second transfer transistor 32-R switches whether the second photoelectric conversion unit 31-R is connected to the second input unit 42 or not.

第3の光電変換部33‐Lのカソードは、第3の転送トランジスタ34‐Lのソースに接続される。第3の転送トランジスタ34‐Lのドレインは、第1入力部41に接続される。第3の転送トランジスタ34‐Lは、第3の光電変換部33‐Lを第1入力部41に接続するか否かを切り替える。第4の光電変換部33‐Rのカソードは、第4の転送トランジスタ34‐Rのソースに接続される。第4の転送トランジスタ34‐Rのドレインは、第2入力部42に接続される。第4の転送トランジスタ34‐Rは、第4の光電変換部33‐Rを第2入力部42に接続するか否かを切り替える。   The cathode of the third photoelectric conversion unit 33-L is connected to the source of the third transfer transistor 34-L. The drain of the third transfer transistor 34 -L is connected to the first input unit 41. The third transfer transistor 34 -L switches whether to connect the third photoelectric conversion unit 33 -L to the first input unit 41. The cathode of the fourth photoelectric conversion unit 33-R is connected to the source of the fourth transfer transistor 34-R. The drain of the fourth transfer transistor 34 -R is connected to the second input unit 42. The fourth transfer transistor 34 -R switches whether or not the fourth photoelectric conversion unit 33 -R is connected to the second input unit 42.

デジタルアナログ変換部であるDAC46は、撮像ユニット200に設けられる。第1の切替トランジスタ38‐Lのドレインと第2の切替トランジスタ38‐Rのドレインとは、ともにDAC46に接続される。第1の切替トランジスタ38‐Lのゲートは端子R_Lに接続され、第2の切替トランジスタ38‐Rのゲートは端子R_Rに接続される。第1の切替トランジスタ38‐Lのソースは第1入力部41に接続され、第2の切替トランジスタ38‐Rのソースは第2入力部42に接続される。   The DAC 46 that is a digital-analog conversion unit is provided in the imaging unit 200. The drain of the first switching transistor 38 -L and the drain of the second switching transistor 38 -R are both connected to the DAC 46. The gate of the first switching transistor 38-L is connected to the terminal R_L, and the gate of the second switching transistor 38-R is connected to the terminal R_R. The source of the first switching transistor 38 -L is connected to the first input unit 41, and the source of the second switching transistor 38 -R is connected to the second input unit 42.

DAC46は、ランプ波形を有する参照レベルおよびパルス波形を有するリセットレベルを順次生成する。例えば、第1入力部41に蓄積されている電荷をリセットする場合、DAC46はパルス波形を有するリセットレベルの信号を生成する。そして、端子R_Lはハイ電圧を出力して第1の切替トランジスタ38‐Lをオン状態にする。これにより、第1の切替トランジスタ38‐Lは、第1入力部41に第1の光電変換部31‐Lを接続する前に、第1入力部41と第1の転送トランジスタ32‐Lとの間の配線にリセットレベルの信号を入力することができる。これにより、第1入力部41に蓄積された電荷が除去される。   The DAC 46 sequentially generates a reference level having a ramp waveform and a reset level having a pulse waveform. For example, when the charge accumulated in the first input unit 41 is reset, the DAC 46 generates a reset level signal having a pulse waveform. The terminal R_L outputs a high voltage to turn on the first switching transistor 38-L. Thus, the first switching transistor 38-L is connected between the first input unit 41 and the first transfer transistor 32-L before the first photoelectric conversion unit 31-L is connected to the first input unit 41. A reset level signal can be input to the wiring between them. Thereby, the electric charge accumulated in the first input unit 41 is removed.

同様に、第2入力部42に蓄積されている電荷をリセットする場合、DAC46はパルス波形を有するリセットレベルの信号を生成する。そして、端子R_Rはハイ電圧を出力して第2の切替トランジスタ38‐Rをオン状態にする。これにより、第2の切替トランジスタ38‐Rは、第2入力部42に第2の光電変換部31‐Rを接続する前に、第2入力部42と第2の転送トランジスタ32‐Rとの間の配線にリセットレベルの信号を入力することができる。これにより、第2入力部42に蓄積された電荷が除去される。   Similarly, when resetting the electric charge accumulated in the second input section 42, the DAC 46 generates a reset level signal having a pulse waveform. The terminal R_R outputs a high voltage to turn on the second switching transistor 38-R. Thus, the second switching transistor 38-R is connected between the second input unit 42 and the second transfer transistor 32-R before connecting the second photoelectric conversion unit 31-R to the second input unit 42. A reset level signal can be input to the wiring between them. Thereby, the electric charge accumulated in the second input unit 42 is removed.

第1の切替トランジスタ38‐Lはまた、DAC46の参照レベルを第1入力部41に入力するか否かを切り替える。同様に、第2の切替トランジスタ38‐Rは、DAC46の参照レベルを第2入力部42に入力するか否かを切り替える。例えば、第1入力部41にランプ波形の参照レベルを入力する場合、DAC46が当該ランプ波形の信号を生成する。そして、端子R_Lはハイ電圧を出力して、第1の切替トランジスタ38‐Lをオン状態にする。なお、端子R_Lがロー電圧を出力する場合、第1の切替トランジスタ38‐Lはオフ状態となる。   The first switching transistor 38 -L also switches whether to input the reference level of the DAC 46 to the first input unit 41. Similarly, the second switching transistor 38 -R switches whether to input the reference level of the DAC 46 to the second input unit 42. For example, when a ramp waveform reference level is input to the first input unit 41, the DAC 46 generates a signal having the ramp waveform. The terminal R_L outputs a high voltage to turn on the first switching transistor 38-L. When the terminal R_L outputs a low voltage, the first switching transistor 38-L is turned off.

本例では、ラッチ部24は、撮像部10ではなく信号処理部20にある信号処理回路22に設けられる。これにより、撮像部10において、ラッチ部24に相当する面積を画素共有部48に充当することができる。加えて、画素共有部48においては、第1から第4の光電変換部31‐Lから33‐Rに対して1つの差動コンパレータ49が設けられる。これにより、1つのフォトダイオードに対して1つの比較部を設ける従来例と比較して、画素部11における光電変換部31および33の専有面積を大きくすることができる。したがって、差動コンパレータ49を有する画素部11において、従来よりも高密度に光電変換部31および33を設けることができる。   In this example, the latch unit 24 is provided not in the imaging unit 10 but in the signal processing circuit 22 in the signal processing unit 20. Thereby, in the imaging unit 10, an area corresponding to the latch unit 24 can be allocated to the pixel sharing unit 48. In addition, in the pixel sharing unit 48, one differential comparator 49 is provided for the first to fourth photoelectric conversion units 31-L to 33-R. Accordingly, the exclusive area of the photoelectric conversion units 31 and 33 in the pixel unit 11 can be increased as compared with the conventional example in which one comparison unit is provided for one photodiode. Therefore, in the pixel unit 11 having the differential comparator 49, the photoelectric conversion units 31 and 33 can be provided at a higher density than in the past.

なお本例では、p型のトランジスタ39のドレインに接続される定電流源およびトランジスタ30のソースに接続される定電流源は、画素部11の構成要素として記載した。しかし、定電流源は、撮像ユニット200に設けられればよく、必ずしも画素部11に設けなくともよい。また、1つの画素共有部48に1つの定電流源を設けて、p型のトランジスタ39のドレインおよびトランジスタ30のソースに共通に接続してもよい。   In this example, the constant current source connected to the drain of the p-type transistor 39 and the constant current source connected to the source of the transistor 30 are described as components of the pixel portion 11. However, the constant current source may be provided in the imaging unit 200 and may not be provided in the pixel unit 11. Further, one constant current source may be provided in one pixel sharing unit 48 and connected in common to the drain of the p-type transistor 39 and the source of the transistor 30.

次に、差動コンパレータ49の動作について説明する。本例の差動コンパレータ49は、第1入力部41に入力されるアナログの画像信号の電圧値と、第2入力部42に入力されるDAC46のランプ電圧の電圧値とを比較する。本明細書において、当該比較動作を第1比較動作と称する。第1比較動作において、差動コンパレータ49は、例えば第1の光電変換部31‐Lの信号レベルをランプ波形の参照レベルと比較する。この場合、画素部11は、第1入力部41に第1の光電変換部31‐Lの出力信号を入力し、かつ、第2入力部42にランプ波形の参照レベルを入力する。   Next, the operation of the differential comparator 49 will be described. The differential comparator 49 of this example compares the voltage value of the analog image signal input to the first input unit 41 with the voltage value of the ramp voltage of the DAC 46 input to the second input unit 42. In this specification, the comparison operation is referred to as a first comparison operation. In the first comparison operation, the differential comparator 49 compares, for example, the signal level of the first photoelectric conversion unit 31-L with the reference level of the ramp waveform. In this case, the pixel unit 11 inputs the output signal of the first photoelectric conversion unit 31 -L to the first input unit 41 and inputs the reference level of the ramp waveform to the second input unit 42.

第1比較動作において、第1の光電変換部31‐Lおよび第3の光電変換部33‐Lのいずれか一方から、第1入力部41にアナログの画像信号が入力される。第1の転送トランジスタ32‐Lは、第1の光電変換部31‐Lに蓄積された電荷を第1入力部41に出力する。同様に、第3の転送トランジスタ34‐Lは、第3の光電変換部33‐Lに蓄積された電荷を第1入力部41に出力する。異なるタイミングにおいて端子Tx1_LおよびTx2_Lを選択的にハイ電圧にすることにより、第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第3の転送トランジスタ34‐Lを選択的にオン状態にすることができる。これにより、第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第3の転送トランジスタ34‐Lは、第1の光電変換部31‐Lおよび第3の光電変換部33‐Lに蓄積された電荷を互いに異なるタイミングで第1入力部41に出力する。よって、第1の光電変換部31‐Lおよび第3の光電変換部33‐Lから、第1入力部41に異なるタイミングでアナログの画像信号が入力される。   In the first comparison operation, an analog image signal is input to the first input unit 41 from one of the first photoelectric conversion unit 31-L and the third photoelectric conversion unit 33-L. The first transfer transistor 32-L outputs the charge accumulated in the first photoelectric conversion unit 31-L to the first input unit 41. Similarly, the third transfer transistor 34 -L outputs the charge accumulated in the third photoelectric conversion unit 33 -L to the first input unit 41. By selectively setting the terminals Tx1_L and Tx2_L to a high voltage at different timings, the first transfer transistor 32-L and the third transfer transistor 34-L can be selectively turned on. As a result, the first transfer transistor 32-L and the third transfer transistor 34-L cause the charges accumulated in the first photoelectric conversion unit 31-L and the third photoelectric conversion unit 33-L to have different timings. To the first input unit 41. Therefore, analog image signals are input to the first input unit 41 from the first photoelectric conversion unit 31-L and the third photoelectric conversion unit 33-L at different timings.

第1比較動作において、DAC46から、第2入力部42にランプ波形の参照信号が入力される。ランプ波形の参照信号の電圧値は、時間に応じて電圧値が単調に増加または減少する。本例のDAC46は、第1比較動作において、ハイ電圧値からロー電圧値まで単調に減少する参照信号を第2入力部42に入力する。また他の動作において、DAC46は、一定時間においてハイ電圧の参照信号を第2入力部42に入力する。さらにまた他の動作において、DAC46は、ロー電圧値からハイ電圧値まで単調に減少する参照信号を第2入力部42に入力する。   In the first comparison operation, a ramp waveform reference signal is input from the DAC 46 to the second input unit 42. The voltage value of the ramp waveform reference signal monotonously increases or decreases with time. In the first comparison operation, the DAC 46 of this example inputs a reference signal that monotonously decreases from a high voltage value to a low voltage value to the second input unit 42. In another operation, the DAC 46 inputs a high voltage reference signal to the second input unit 42 for a predetermined time. In yet another operation, the DAC 46 inputs a reference signal that monotonously decreases from a low voltage value to a high voltage value to the second input unit 42.

なお、第1比較動作を行わない場合に、端子R_Lがハイ電圧を出力して第1の切替トランジスタ38‐Lをオン状態とし、かつ、DAC46がハイ電圧を出力することにより、第1入力部41をDAC46のハイ電圧にすることができる。これにより、第1入力部41へ出力された電荷を除去することができるので、第1入力部41に出力される電荷は、以前に出力された電荷の影響を受けない。   When the first comparison operation is not performed, the terminal R_L outputs a high voltage to turn on the first switching transistor 38-L, and the DAC 46 outputs a high voltage, whereby the first input unit 41 can be the high voltage of the DAC 46. Thereby, since the electric charge output to the 1st input part 41 can be removed, the electric charge output to the 1st input part 41 is not influenced by the electric charge output previously.

また、本例の差動コンパレータ49は、第2入力部42に入力されるアナログの画像信号の電圧信号と、第1入力部41に入力されるDAC46のランプ波形の参照信号とを比較する。本明細書において、当該比較動作を第2比較動作と称する。例えば第2比較動作において、差動コンパレータ49が第2の光電変換部31‐Rの信号レベルを参照レベルと比較する。この場合、画素部11は、第2入力部42に第2の光電変換部31‐Rの出力信号を入力し、かつ、第1入力部41に参照レベルを入力する。   Further, the differential comparator 49 of this example compares the voltage signal of the analog image signal input to the second input unit 42 with the reference signal of the ramp waveform of the DAC 46 input to the first input unit 41. In this specification, the comparison operation is referred to as a second comparison operation. For example, in the second comparison operation, the differential comparator 49 compares the signal level of the second photoelectric conversion unit 31-R with the reference level. In this case, the pixel unit 11 inputs the output signal of the second photoelectric conversion unit 31 -R to the second input unit 42 and inputs the reference level to the first input unit 41.

第2比較動作において、第2の光電変換部31‐Rおよび第4の光電変換部33‐Rのいずれか一方から、第2入力部42にアナログの画像信号が入力される。第2の転送トランジスタ32‐Rは、第2の光電変換部31‐Rに蓄積された電荷を第2入力部42に出力する。同様に、第4の転送トランジスタ34‐Rは、第4の光電変換部33‐Rに蓄積された電荷を第2入力部42に出力する。異なるタイミングにおいて端子Tx1_RおよびTx2_Rを選択的にハイ電圧にすることにより、第2の転送トランジスタ32‐Rおよび第4の転送トランジスタ34‐Rを選択的にオン状態にすることができる。これにより、第2の転送トランジスタ32‐Rおよび第4の転送トランジスタ34‐Rは、第2の光電変換部31‐Rおよび第4の光電変換部33‐Rに蓄積された電荷を互いに異なるタイミングで第2入力部42に出力する。よって、第2の光電変換部31‐Rおよび第4の光電変換部33‐Rから、第2入力部42に異なるタイミングでアナログの画像信号が入力される。   In the second comparison operation, an analog image signal is input to the second input unit 42 from one of the second photoelectric conversion unit 31-R and the fourth photoelectric conversion unit 33-R. The second transfer transistor 32-R outputs the charge accumulated in the second photoelectric conversion unit 31-R to the second input unit 42. Similarly, the fourth transfer transistor 34 -R outputs the charge accumulated in the fourth photoelectric conversion unit 33 -R to the second input unit 42. By selectively setting the terminals Tx1_R and Tx2_R to the high voltage at different timings, the second transfer transistor 32-R and the fourth transfer transistor 34-R can be selectively turned on. As a result, the second transfer transistor 32-R and the fourth transfer transistor 34-R cause the charges accumulated in the second photoelectric conversion unit 31-R and the fourth photoelectric conversion unit 33-R to have different timings. Is output to the second input unit 42. Therefore, analog image signals are input to the second input unit 42 from the second photoelectric conversion unit 31-R and the fourth photoelectric conversion unit 33-R at different timings.

第2比較動作において、DAC46から、第1入力部41にランプ電圧が入力される。第2比較動作におけるDAC46の電圧信号は、第1比較動作と同様である。なお、第2比較動作を行わない場合に、端子R_Rがハイ電圧を出力して第2の切替トランジスタ38‐Rをオン状態とし、かつ、DAC46がハイ電圧を出力することにより、第2入力部42をDAC46のハイ電圧にすることができる。これにより、第2入力部42へ出力された電荷を除去することができる。したがって、第2入力部42に出力される電荷は、以前に出力された電荷の影響を受けない。   In the second comparison operation, the ramp voltage is input from the DAC 46 to the first input unit 41. The voltage signal of the DAC 46 in the second comparison operation is the same as that in the first comparison operation. When the second comparison operation is not performed, the terminal R_R outputs a high voltage to turn on the second switching transistor 38-R, and the DAC 46 outputs a high voltage, whereby the second input unit 42 can be the high voltage of the DAC 46. Thereby, the electric charge output to the 2nd input part 42 can be removed. Therefore, the charge output to the second input unit 42 is not affected by the previously output charge.

図4は、撮像ユニット200の動作を説明するタイムチャート図である。横軸は時刻を示す。各信号の縦軸は電圧値を示す。Tx1_LおよびTx1_Rは、図3の端子Tx1_LおよびTx1_Rから出力される電圧値をそれぞれ示す。Tx2_LおよびTx2_Rは、図3の端子Tx2_LおよびTx2_Rから出力される電圧値をそれぞれ示す。R_LおよびR_Rは、図3の端子R_LおよびR_Rから出力される電圧値をそれぞれ示す。R_cは、図3におけるP型のトランジスタ37のゲートの電圧値を示す。DACは、図3におけるDAC46が出力する電圧値を示す。また図4には、図3の第1入力部41、第2入力部42、第1出力部43および第2出力部44の電圧値をそれぞれ示す。   FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the imaging unit 200. The horizontal axis indicates time. The vertical axis of each signal indicates the voltage value. Tx1_L and Tx1_R indicate voltage values output from the terminals Tx1_L and Tx1_R in FIG. 3, respectively. Tx2_L and Tx2_R respectively indicate voltage values output from the terminals Tx2_L and Tx2_R in FIG. R_L and R_R indicate voltage values output from terminals R_L and R_R in FIG. 3, respectively. R_c represents the voltage value of the gate of the P-type transistor 37 in FIG. DAC indicates a voltage value output from the DAC 46 in FIG. 4 shows voltage values of the first input unit 41, the second input unit 42, the first output unit 43, and the second output unit 44 of FIG.

時刻t1からt9において、第1の光電変換部31‐Lにおいて光電変換された電荷が、デジタル信号としてカウンタ回路28‐2に出力される。時刻t1からt9までに時間は、第1比較動作に対応する。時刻t9からt10においては第2の光電変換部31‐Rにおいて光電変換された電荷が、デジタル信号としてカウンタ回路28‐1に出力される。時刻t9からt10までに時間は、第2比較動作に対応する。   From time t1 to time t9, the electric charge photoelectrically converted by the first photoelectric conversion unit 31-L is output as a digital signal to the counter circuit 28-2. Time from time t1 to t9 corresponds to the first comparison operation. From time t9 to t10, the charge photoelectrically converted by the second photoelectric conversion unit 31-R is output to the counter circuit 28-1 as a digital signal. Time from time t9 to t10 corresponds to the second comparison operation.

時刻t10からt11においては第3の光電変換部33‐Lにおいて光電変換された電荷が、カウンタ回路28‐2に出力される。時刻t11以降においては第4の光電変換部33‐Rにおいて光電変換された電荷が、カウンタ回路28‐1に出力される。なお、時刻t9以降の動作については、時刻t1からt9までの動作の繰り返しであるので、下記では時刻t1からt9までの動作についてのみ説明する。また、時刻t1からt9までにおいて、第2出力部44の出力はカウンタ回路28‐1で利用しないので、ロー電圧として図示する。他の期間においても同様に、カウンタ回路28で利用しない出力はロー電圧として図示する。   From time t10 to t11, the charge photoelectrically converted by the third photoelectric conversion unit 33-L is output to the counter circuit 28-2. After time t11, the charge photoelectrically converted by the fourth photoelectric conversion unit 33-R is output to the counter circuit 28-1. Since the operation after time t9 is a repetition of the operation from time t1 to t9, only the operation from time t1 to t9 will be described below. Also, from time t1 to t9, the output of the second output unit 44 is not used by the counter circuit 28-1, and is illustrated as a low voltage. Similarly in other periods, the output not used in the counter circuit 28 is illustrated as a low voltage.

時刻t1において、端子R_Lがハイ電圧となる。また、時刻t1において、DAC46はリセット電圧を出力する。これにより、第1の切替トランジスタ38‐Lがオンするので、第1入力部41の電荷はリセットされる。また時刻t1において、R_cがロー電圧となる。これにより、P型のトランジスタ37がオン状態になり、第1入力部41と第2入力部42とは同電位となる。端子R_LおよびDAC46のハイ電圧は時刻t2まで続く。R_cは、時刻t2より前にハイ電圧に変わる。時刻t1からt2において第1入力部41は、ハイ電圧となる。   At time t1, the terminal R_L becomes a high voltage. At time t1, the DAC 46 outputs a reset voltage. As a result, the first switching transistor 38-L is turned on, and the charge of the first input unit 41 is reset. At time t1, R_c becomes a low voltage. As a result, the P-type transistor 37 is turned on, and the first input unit 41 and the second input unit 42 have the same potential. The high voltage at terminal R_L and DAC 46 continues until time t2. R_c changes to a high voltage before time t2. From time t1 to t2, the first input unit 41 becomes a high voltage.

時刻t2において、端子R_LおよびDAC46がロー電圧となる。これにより、第1の切替トランジスタ38‐Lはオフする。また時刻t2において、端子R_Rがハイ電圧となる。これにより、第2の切替トランジスタ38‐Rはオンする。第2の切替トランジスタ38‐Rがオンしている間、第2入力部42の電位はDAC46の電位に追従してハイ電圧とすることができる。DAC46は時刻t3までロー電圧である。なお、リセット動作が完了したので、端子R_Lはt2からt9までロー電圧となり、第1の切替トランジスタ38‐Lをオフする。   At time t2, the terminals R_L and the DAC 46 become low voltage. As a result, the first switching transistor 38-L is turned off. At time t2, the terminal R_R becomes a high voltage. As a result, the second switching transistor 38-R is turned on. While the second switching transistor 38 -R is turned on, the potential of the second input unit 42 can follow the potential of the DAC 46 to be a high voltage. The DAC 46 is at a low voltage until time t3. Since the reset operation is completed, the terminal R_L becomes a low voltage from t2 to t9, and the first switching transistor 38-L is turned off.

時刻t3において、第2の切替トランジスタ38‐Rがオン状態である。また、DAC46は単調増加のランプ電圧を入力する。端子R_Rはハイ電圧を維持しているので、単調増加のランプ電圧が第2入力部42に入力される。なお、DAC46が出力するランプ電圧の最大値は、時刻t1においてDAC46が出力するリセット電圧よりも大きい。   At time t3, the second switching transistor 38-R is in the on state. The DAC 46 inputs a monotonically increasing ramp voltage. Since the terminal R_R maintains a high voltage, a monotonically increasing ramp voltage is input to the second input unit 42. Note that the maximum value of the ramp voltage output by the DAC 46 is greater than the reset voltage output by the DAC 46 at time t1.

時刻t3の後かつ時刻t4よりも前においては、第1入力部41の電位が第2入力部42に入力される参照電圧よりも高い。よって、第1出力部43はロー電圧を出力する。しかし、時刻t4において、第1入力部41の電位が第2入力部42に入力される参照電圧よりも低くなる。これにより、第1出力部43はハイ電圧を出力する。なお、第2入力部42に単調増加のランプ波形が入力されたタイミングであるt3から第2入力部42の電圧値が第1入力部41の電圧値以上となるタイミングであるt4までの期間が図3の説明で述べた第1カウント期間に対応する。   After the time t3 and before the time t4, the potential of the first input unit 41 is higher than the reference voltage input to the second input unit 42. Therefore, the first output unit 43 outputs a low voltage. However, at time t <b> 4, the potential of the first input unit 41 becomes lower than the reference voltage input to the second input unit 42. As a result, the first output unit 43 outputs a high voltage. Note that a period from t3 when the monotonously increasing ramp waveform is input to the second input unit 42 to t4 when the voltage value of the second input unit 42 becomes equal to or higher than the voltage value of the first input unit 41 is a period. This corresponds to the first count period described in the description of FIG.

時刻t5において、端子Tx1_Lがハイ電圧となる。これにより、第1の光電変換部31‐Lから第1入力部41に電荷の転送が開始される。時刻t5から時刻t6の間、端子Tx1_Lがハイ電圧を維持する。これにより、第1入力部41の電位は、時刻t5から時刻t6の間、蓄積電荷量に応じた電圧に相当する分、電位が低下する。   At time t5, the terminal Tx1_L becomes a high voltage. Thereby, charge transfer from the first photoelectric conversion unit 31 -L to the first input unit 41 is started. From time t5 to time t6, the terminal Tx1_L maintains the high voltage. As a result, the potential of the first input unit 41 decreases from time t5 to time t6 by the amount corresponding to the voltage corresponding to the amount of accumulated charge.

時刻t6からt7において、DAC46はハイ電圧を維持する。時刻t7において、DAC46は単調減少のランプ電圧の入力を開始する。また、時刻t7において、端子R_Rはオン状態である。これにより、第2の切替トランジスタ38‐Rがオンされて、単調減少のランプ電圧が第2入力部42に入力される。   From time t6 to t7, the DAC 46 maintains a high voltage. At time t7, the DAC 46 starts to input a monotonically decreasing ramp voltage. At time t7, the terminal R_R is on. As a result, the second switching transistor 38 -R is turned on, and a monotonically decreasing ramp voltage is input to the second input unit 42.

時刻t8において、第1入力部41の電位が第2入力部42に入力される参照電圧よりも高くなる。よって、第1出力部43はロー電圧を出力する。なお、第2入力部42に単調減少のランプ波形が入力されたタイミングであるt7から第2入力部42の電圧値が第1入力部41の電圧値以下となるタイミングであるt8までの期間が図3の説明で述べた第2カウント期間に対応する。   At time t8, the potential of the first input unit 41 becomes higher than the reference voltage input to the second input unit 42. Therefore, the first output unit 43 outputs a low voltage. A period from t7 when the monotonously decreasing ramp waveform is input to the second input unit 42 to t8 when the voltage value of the second input unit 42 is equal to or lower than the voltage value of the first input unit 41 is set. This corresponds to the second count period described in the description of FIG.

図5は、画素部11の素子レイアウトを示す図である。図3と同様に第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2を点線枠で示す。第1の画素共有部48‐1および第2の画素共有部48‐2は、同一の構成である。第1の光電変換部31‐Lと第3の光電変換部33‐Lとは、第1方向に並んで設けられる。第2の光電変換部31‐Rと第4の光電変換部33‐Rとは同様に、第1方向に並んで設けられる。第1の光電変換部31‐Lと第3の光電変換部31‐Rとは、第1方向に垂直な第2方向に並んで設けられる。第3の光電変換部33‐Lと第4の光電変換部33‐Rとは同様に、第2方向に並んで設けられる。   FIG. 5 is a diagram illustrating an element layout of the pixel unit 11. As in FIG. 3, the first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 are indicated by dotted line frames. The first pixel sharing unit 48-1 and the second pixel sharing unit 48-2 have the same configuration. The first photoelectric conversion unit 31-L and the third photoelectric conversion unit 33-L are provided side by side in the first direction. Similarly, the second photoelectric conversion unit 31-R and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are provided side by side in the first direction. The first photoelectric conversion unit 31-L and the third photoelectric conversion unit 31-R are provided side by side in a second direction perpendicular to the first direction. Similarly, the third photoelectric conversion unit 33-L and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are provided side by side in the second direction.

第1の光電変換部31‐Lの領域には、第1の転送トランジスタ32‐Lが重ねて設けられる。また、第2の光電変換部31‐Rの領域には、第2の転送トランジスタ32‐Rが重ねて設けられる。さらに、第3の光電変換部33‐Lの領域には、第3の転送トランジスタ34‐Lが重ねて設けられる。加えて、第4の光電変換部33‐Rの領域には、第4の転送トランジスタ34‐Rが重ねて設けられる。   In the region of the first photoelectric conversion unit 31-L, the first transfer transistor 32-L is provided so as to overlap. In addition, the second transfer transistor 32-R is provided to overlap the region of the second photoelectric conversion unit 31-R. Further, the third transfer transistor 34 -L is provided in an overlapping manner in the region of the third photoelectric conversion unit 33 -L. In addition, a fourth transfer transistor 34-R is provided to overlap the region of the fourth photoelectric conversion unit 33-R.

差動コンパレータ49は、第1の光電変換部31‐Lと第2の光電変換部31‐Rとの間、および、第3の光電変換部33‐Lと第4の光電変換部33‐Rとの間に設けられる。差動コンパレータ49を点線枠で示す。第1入力部41および第2入力部42は、第1方向と平行な長辺を有するように設けられる。第1入力部41は第2方向において、第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第3の転送トランジスタ34‐Lと隣接する。同様に、第2入力部42は第2方向において、第2の転送トランジスタ32‐Rおよび第4の転送トランジスタ34‐Rと隣接する。   The differential comparator 49 is provided between the first photoelectric conversion unit 31-L and the second photoelectric conversion unit 31-R, and between the third photoelectric conversion unit 33-L and the fourth photoelectric conversion unit 33-R. Between. The differential comparator 49 is indicated by a dotted frame. The 1st input part 41 and the 2nd input part 42 are provided so that it may have a long side parallel to the 1st direction. The first input unit 41 is adjacent to the first transfer transistor 32-L and the third transfer transistor 34-L in the second direction. Similarly, the second input unit 42 is adjacent to the second transfer transistor 32-R and the fourth transfer transistor 34-R in the second direction.

当該構成により、第1入力部41と第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第3の転送トランジスタ34‐Lとを近接して設けることができる。また、第2入力部42と第2の転送トランジスタ32‐Rおよび第4の転送トランジスタ34‐Rとを近接して設けることもできる。よって、入力部と転送トランジスタ32および34との間の配線長を短くすることができる。したがって、転送トランジスタ32および34と入力部との間の信号遅延、および、転送トランジスタ32および34と入力部との間で生じるノイズを低減することができる。   With this configuration, the first input unit 41, the first transfer transistor 32-L, and the third transfer transistor 34-L can be provided close to each other. In addition, the second input unit 42, the second transfer transistor 32-R, and the fourth transfer transistor 34-R can be provided close to each other. Therefore, the wiring length between the input unit and the transfer transistors 32 and 34 can be shortened. Therefore, signal delay between the transfer transistors 32 and 34 and the input unit, and noise generated between the transfer transistors 32 and 34 and the input unit can be reduced.

図6は、画素部11における、光電変換部31および光電変換部33とマイクロレンズ50との位置関係を示す図である。第1の光電変換部31‐L、第2の光電変換部31‐R、第3の光電変換部33‐Lおよび第4の光電変換部33‐Rは、図5と同じである。簡易的に、各光電変換部31および33を正方形で示す。マイクロレンズ50は円で示す。マイクロレンズ50ならびに光電変換部31および光電変換部33は、第3方向において、マイクロレンズ50と光電変換部31または光電変換部33との順に設けられる。被写体から入射する光束は、各マイクロレンズ50を通過して、光電変換部31および光電変換部33に入射する。   FIG. 6 is a diagram illustrating a positional relationship between the photoelectric conversion unit 31, the photoelectric conversion unit 33, and the microlens 50 in the pixel unit 11. The first photoelectric conversion unit 31-L, the second photoelectric conversion unit 31-R, the third photoelectric conversion unit 33-L, and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are the same as those in FIG. For simplicity, the photoelectric conversion units 31 and 33 are indicated by squares. The microlens 50 is indicated by a circle. The microlens 50, the photoelectric conversion unit 31, and the photoelectric conversion unit 33 are provided in the order of the microlens 50, the photoelectric conversion unit 31, or the photoelectric conversion unit 33 in the third direction. A light beam incident from the subject passes through each microlens 50 and enters the photoelectric conversion unit 31 and the photoelectric conversion unit 33.

図7は、画素部11における、光電変換部31および光電変換部33とマイクロレンズ50との位置関係の変形例を示す図である。本例においては、1つのマイクロレンズ50に対応して、第1の光電変換部31‐Lおよび第2の光電変換部31‐Rまたは第3の光電変換部33‐Lおよび第4の光電変換部33‐Rが設けられる点が図6の例と異なる。例えば、1つのマイクロレンズ50は、第1の光電変換部31‐Lと第2の光電変換部31‐Rとに共通に設けられる。   FIG. 7 is a diagram illustrating a modification of the positional relationship between the photoelectric conversion unit 31, the photoelectric conversion unit 33, and the microlens 50 in the pixel unit 11. In this example, corresponding to one microlens 50, the first photoelectric conversion unit 31-L and the second photoelectric conversion unit 31-R or the third photoelectric conversion unit 33-L and the fourth photoelectric conversion. 6 is different from the example of FIG. 6 in that the portion 33-R is provided. For example, one microlens 50 is provided in common to the first photoelectric conversion unit 31-L and the second photoelectric conversion unit 31-R.

第1の光電変換部31‐Lおよび第2の光電変換部33‐Lは第1方向において隣接する。第2の光電変換部31‐Rおよび第4の光電変換部33‐Rも第1方向において隣接する。また、第1の光電変換部31‐Lおよび第2の光電変換部31‐Rは第2方向において隣接する。第3の光電変換部33‐Lおよび第4の光電変換部33‐Rも第2方向において隣接する。   The first photoelectric conversion unit 31-L and the second photoelectric conversion unit 33-L are adjacent in the first direction. The second photoelectric conversion unit 31-R and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are also adjacent in the first direction. Further, the first photoelectric conversion unit 31-L and the second photoelectric conversion unit 31-R are adjacent in the second direction. The third photoelectric conversion unit 33-L and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are also adjacent in the second direction.

焦点検出ライン70は、第2方向に隣接する第1の光電変換部31‐Lおよび第2の光電変換部31‐Rを、第2方向において複数個含む。焦点検出ライン70における複数の第1の光電変換部31‐Lにおいて光電変換された電荷から一の像が生成される。また、焦点検出ライン70における複数の第2の光電変換部31‐Rにおいて光電変換された電荷から他の像が生成される。当該一の像と他の像とを比較することにより、前述した一対の像の像ズレ量が算出される。よって、焦点検出ライン70を用いて光学系の焦点を検出することができる。   The focus detection line 70 includes a plurality of first photoelectric conversion units 31-L and second photoelectric conversion units 31-R adjacent in the second direction in the second direction. One image is generated from the charges photoelectrically converted by the plurality of first photoelectric conversion units 31 -L in the focus detection line 70. Further, another image is generated from the charges photoelectrically converted by the plurality of second photoelectric conversion units 31 -R in the focus detection line 70. By comparing the one image with another image, the image shift amount of the pair of images described above is calculated. Therefore, the focus of the optical system can be detected using the focus detection line 70.

図8は、第2の実施形態における、撮像ユニット300の画素部12および信号処理回路22の回路模式図である。第1の実施形態との相違点は、画素共有部58の構成である。本例の画素共有部58は、第1の実施形態における画素共有部48の構成に加えて、第5の転送トランジスタ82‐Lおよび第6の転送トランジスタ82‐Rと、第1のダイオード81‐Lおよび第2のダイオード81‐Rと、第7の転送トランジスタ84‐Lおよび第8の転送トランジスタ84‐Rと、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rとを更に有する。   FIG. 8 is a circuit schematic diagram of the pixel unit 12 and the signal processing circuit 22 of the imaging unit 300 in the second embodiment. The difference from the first embodiment is the configuration of the pixel sharing unit 58. In addition to the configuration of the pixel sharing unit 48 in the first embodiment, the pixel sharing unit 58 of this example includes a fifth transfer transistor 82-L, a sixth transfer transistor 82-R, and a first diode 81- It further includes L and a second diode 81-R, a seventh transfer transistor 84-L and an eighth transfer transistor 84-R, and a third diode 83-L and a fourth diode 83-R.

第5の転送トランジスタ82‐Lは、第1の転送トランジスタ32‐Lと第1入力部41との間に設けられる。第6の転送トランジスタ82‐Rは、第2の転送トランジスタ32‐Rと第2入力部42との間に設けられる。同様に、第7の転送トランジスタ84‐Lは、第3の転送トランジスタ34‐Lと第1入力部41との間に設けられ、第8の転送トランジスタ84‐Rは、第4の転送トランジスタ34‐Rと第2入力部42との間に設けられる。   The fifth transfer transistor 82 -L is provided between the first transfer transistor 32-L and the first input unit 41. The sixth transfer transistor 82 -R is provided between the second transfer transistor 32-R and the second input unit 42. Similarly, the seventh transfer transistor 84-L is provided between the third transfer transistor 34-L and the first input unit 41, and the eighth transfer transistor 84-R is the fourth transfer transistor 34-L. -R is provided between the second input section 42 and the second input section 42.

第1のダイオード81‐Lのカソードは、第1の転送トランジスタ32‐Lのドレインと第5の転送トランジスタ82‐Lのソースとの間に設けられる。第1のダイオード81‐Lのアノードは、接地される。第2のダイオード81‐Rのカソードは、第2の転送トランジスタ32‐Rのドレインと第6の転送トランジスタ82‐Rのソースとの間に設けられる。第3のダイオード83‐Lのカソードは、第3の転送トランジスタ34‐Lのドレインと第7の転送トランジスタ84‐Lのソースとの間に設けられる。第4のダイオード83‐Rのカソードは、第4の転送トランジスタ34‐Rのドレインと第8の転送トランジスタ84‐Rのソースとの間に設けられる。第2のダイオード81‐R、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rのアノードは設置される。   The cathode of the first diode 81-L is provided between the drain of the first transfer transistor 32-L and the source of the fifth transfer transistor 82-L. The anode of the first diode 81-L is grounded. The cathode of the second diode 81-R is provided between the drain of the second transfer transistor 32-R and the source of the sixth transfer transistor 82-R. The cathode of the third diode 83-L is provided between the drain of the third transfer transistor 34-L and the source of the seventh transfer transistor 84-L. The cathode of the fourth diode 83-R is provided between the drain of the fourth transfer transistor 34-R and the source of the eighth transfer transistor 84-R. The anodes of the second diode 81-R, the third diode 83-L, and the fourth diode 83-R are installed.

第5の転送トランジスタ82‐Lは、第1の転送トランジスタ32‐Lから転送された電荷を第1入力部41に出力するか否かを切り替える。同様に、第7の転送トランジスタ84‐Lは、第3の転送トランジスタ34‐Lから転送された電荷を第1入力部41に出力するか否かを切り替える。また、第6の転送トランジスタ82‐Rは、第2の転送トランジスタ32‐Rから転送された電荷を第2入力部42に出力するか否かを切り替える。同様に、第8の転送トランジスタ84‐Rは、第4の転送トランジスタ34‐Rから転送された電荷を第2入力部42に出力するか否かを切り替える。   The fifth transfer transistor 82 -L switches whether to transfer the charge transferred from the first transfer transistor 32-L to the first input unit 41. Similarly, the seventh transfer transistor 84 -L switches whether to output the charge transferred from the third transfer transistor 34 -L to the first input unit 41. The sixth transfer transistor 82-R switches whether to output the charge transferred from the second transfer transistor 32-R to the second input unit 42. Similarly, the eighth transfer transistor 84-R switches whether to output the charge transferred from the fourth transfer transistor 34-R to the second input unit 42.

第1の転送トランジスタ32‐Lから第1のダイオード81‐Lのカソードに転送された電荷は、予め定められた期間、第1のダイオード81‐Lのカソードにおいて保持される。第1のダイオード81‐Lの特性を適宜調整することにより、第1のダイオード81‐Lのpn接合界面が完全に空乏化する。これにより、第1のダイオード81‐Lのカソードに転送されて保持されるので、電荷が接地に流れて消失するのを防ぐ。第2のダイオード81‐R、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rも同様に、カソードに転送された電荷を保持する。   The charge transferred from the first transfer transistor 32-L to the cathode of the first diode 81-L is held at the cathode of the first diode 81-L for a predetermined period. By appropriately adjusting the characteristics of the first diode 81-L, the pn junction interface of the first diode 81-L is completely depleted. As a result, the charge is transferred to and held by the cathode of the first diode 81-L, thereby preventing the charge from flowing to the ground and disappearing. Similarly, the second diode 81-R, the third diode 83-L, and the fourth diode 83-R hold the charge transferred to the cathode.

図9は、第2の実施形態における、撮像ユニット300の動作を説明するタイムチャート図である。本例は、いわゆるグローバルシャッタ(Global Shutter)方式である。グローバルシャッタ方式においては、画素部12における全ての画素共有部58の全ての第1の転送トランジスタ32‐L、第2の転送トランジスタ32‐R、第3の転送トランジスタ34‐Lおよび第4の転送トランジスタ34‐Rを、同時にオン状態にする。これにより、第1の光電変換部31‐L、第2の光電変換部31‐R、第3の光電変換部33‐Lおよび第4の光電変換部33‐Rに蓄積された電荷は、同時に第1の転送トランジスタ32‐L、第2の転送トランジスタ32‐R、第3の転送トランジスタ34‐Lおよび第4の転送トランジスタ34‐Rから、第1のダイオード81‐L、第2のダイオード81‐R、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rのカソードに、それぞれ転送される。これにより、第1方向に連続して設けられる複数の光電変換部31または複数の光電変換部33毎に電荷転送を行うローリングシャッタ方式と比較して、動きのある被写体を撮像する場合の画像の歪みを改善することができる。   FIG. 9 is a time chart for explaining the operation of the imaging unit 300 in the second embodiment. This example is a so-called global shutter system. In the global shutter system, all the first transfer transistors 32-L, the second transfer transistors 32-R, the third transfer transistors 34-L, and the fourth transfers of all the pixel sharing units 58 in the pixel unit 12 are used. The transistor 34-R is turned on at the same time. Accordingly, the charges accumulated in the first photoelectric conversion unit 31-L, the second photoelectric conversion unit 31-R, the third photoelectric conversion unit 33-L, and the fourth photoelectric conversion unit 33-R are simultaneously From the first transfer transistor 32-L, the second transfer transistor 32-R, the third transfer transistor 34-L, and the fourth transfer transistor 34-R, the first diode 81-L, the second diode 81 -R, transferred to the cathodes of the third diode 83-L and the fourth diode 83-R, respectively. As a result, compared with a rolling shutter system in which charge transfer is performed for each of the plurality of photoelectric conversion units 31 or the plurality of photoelectric conversion units 33 that are continuously provided in the first direction, Distortion can be improved.

本例においては、第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第2の転送トランジスタ32‐R、ならびに、第3の転送トランジスタ34‐Lおよび第4の転送トランジスタ34‐Rは、時刻t1からt2において同時にオンされる。なお、図示されている画素共有部58以外の画素共有部58においても、第1の転送トランジスタ32‐Lおよび第2の転送トランジスタ32‐R、ならびに、第3の転送トランジスタ34‐Lおよび第4の転送トランジスタ34‐Rは、時刻t1からt2において同時にオンされる。   In this example, the first transfer transistor 32-L and the second transfer transistor 32-R, and the third transfer transistor 34-L and the fourth transfer transistor 34-R are simultaneously operated from time t1 to time t2. Turned on. In the pixel sharing unit 58 other than the pixel sharing unit 58 shown in the figure, the first transfer transistor 32-L and the second transfer transistor 32-R, and the third transfer transistor 34-L and the fourth transfer transistor 34-L are also included. The transfer transistors 34-R are simultaneously turned on from time t1 to t2.

第1の転送トランジスタ32‐L、第2の転送トランジスタ32‐R、第3の転送トランジスタ34‐Lおよび第4の転送トランジスタ34‐Rから転送された電荷は、一旦、第1のダイオード81‐L、第2のダイオード81‐R、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rのカソードにそれぞれ保持される。その後の動作は、図4における第1の実施形態の動作と同じである。なお、図4のTxが、図9のTsに対応する。つまり、第1のダイオード81‐L、第2のダイオード81‐R、第3のダイオード83‐Lおよび第4のダイオード83‐Rの各カソードに保持された電荷は、第5の転送トランジスタ82‐L、第6の転送トランジスタ82‐R、第7の転送トランジスタ84‐Lおよび第8の転送トランジスタ84‐Rを順にオンすることにより、第1入力部41または第2入力部42に順次転送される。例えば、端子Ts1_Lをハイ電圧にすることにより第5の転送トランジスタ82‐Lをオンにして、第1のダイオード81‐Lのカソードに保持された電荷を第1入力部41に出力する。   The charges transferred from the first transfer transistor 32-L, the second transfer transistor 32-R, the third transfer transistor 34-L, and the fourth transfer transistor 34-R are temporarily transferred to the first diode 81-. L, the second diode 81-R, the third diode 83-L, and the fourth diode 83-R are respectively held at the cathodes. The subsequent operation is the same as that of the first embodiment in FIG. Note that Tx in FIG. 4 corresponds to Ts in FIG. That is, the charges held at the cathodes of the first diode 81-L, the second diode 81-R, the third diode 83-L, and the fourth diode 83-R are transferred to the fifth transfer transistor 82- By sequentially turning on L, the sixth transfer transistor 82-R, the seventh transfer transistor 84-L, and the eighth transfer transistor 84-R, the data is sequentially transferred to the first input unit 41 or the second input unit 42. The For example, the fifth transfer transistor 82-L is turned on by setting the terminal Ts1_L to a high voltage, and the charge held at the cathode of the first diode 81-L is output to the first input unit 41.

第1および第2の実施形態では、1つの差動コンパレータ49において、2つの光電変換部31‐Lおよび33‐Lの出力が第1入力部41に接続され、他の2つの光電変換部31‐Rおよび33‐Rの出力が第2入力部42に接続される形態を示した。しかし、1つの差動コンパレータ49には、さらに複数の光電変換部が設けられてもよい。つまり、4つの光電変換部の出力が第1入力部41に接続され、他の4つの光電変換部の出力が第2入力部42に接続される構成としてもよい。また、8つの光電変換部の出力が第1入力部41に接続され、他の8つの光電変換部の出力が第2入力部42に接続される構成としてもよい。各光電変換部から第1入力部41または第2入力部42への出力は、第1の実施形態のように各行のゲートに共通の端子Txを用いて制御してよいし、第2の実施形態のように各行のゲートに共通の端子Txおよび端子Tsを用いて制御してもよい。1つの差動コンパレータ49に、8つ以上の光電変換部の出力を接続させることで、4つの光電変換部の出力を接続させる場合よりも、1つの差動コンパレータ49に対する光電変換部の数は増加する。1つの差動コンパレータ49を構成するために一定の占有面積が必要であるので、当該構成により1つの光電変換部に対する差動コンパレータ49の占有面積の割合を下げることができる。   In the first and second embodiments, in one differential comparator 49, the outputs of the two photoelectric conversion units 31-L and 33-L are connected to the first input unit 41, and the other two photoelectric conversion units 31 are connected. The form in which the outputs of -R and 33-R are connected to the second input unit 42 is shown. However, one differential comparator 49 may further include a plurality of photoelectric conversion units. That is, the outputs of the four photoelectric conversion units may be connected to the first input unit 41, and the outputs of the other four photoelectric conversion units may be connected to the second input unit 42. Alternatively, the outputs of the eight photoelectric conversion units may be connected to the first input unit 41, and the outputs of the other eight photoelectric conversion units may be connected to the second input unit 42. The output from each photoelectric conversion unit to the first input unit 41 or the second input unit 42 may be controlled using the terminal Tx common to the gates of each row as in the first embodiment, or the second implementation. As in the embodiment, control may be performed by using the terminal Tx and the terminal Ts common to the gates of the respective rows. By connecting the outputs of eight or more photoelectric conversion units to one differential comparator 49, the number of photoelectric conversion units for one differential comparator 49 is smaller than when connecting the outputs of four photoelectric conversion units. To increase. Since a certain occupied area is required to configure one differential comparator 49, the ratio of the occupied area of the differential comparator 49 to one photoelectric conversion unit can be reduced by this configuration.

図10は、第3の実施形態における、撮像ユニット310の画素部13および信号処理回路22の回路模式図である。第1の実施形態との相違点は、画素共有部68の構成である。本例の画素共有部68は、第1の光電変換部31‐L、第1の転送トランジスタ32‐L、第1の切替トランジスタ38‐Lおよび第2の切替トランジスタ38‐R、ならびに、差動コンパレータ49を有する。ラッチ部24は、1つの画素共有部68に対して1つのカウンタ回路28を有する。   FIG. 10 is a circuit schematic diagram of the pixel unit 13 and the signal processing circuit 22 of the imaging unit 310 in the third embodiment. The difference from the first embodiment is the configuration of the pixel sharing unit 68. The pixel sharing unit 68 of this example includes a first photoelectric conversion unit 31-L, a first transfer transistor 32-L, a first switching transistor 38-L, a second switching transistor 38-R, and a differential A comparator 49 is provided. The latch unit 24 has one counter circuit 28 for one pixel sharing unit 68.

本例においては、第1の光電変換部31‐Lにおいて光電変換された電荷量に応じて生成される出力信号の信号レベルが第1入力部41に入力される。また、DAC46の参照レベルが第2入力部42に入力される。そして、出力信号の信号レベルとDAC46の参照レベルとが比較される。比較の動作は、第1の実施形態と同様である。比較結果は、第1出力部43からカウンタ回路28‐2に出力される。   In this example, the signal level of the output signal generated according to the amount of charge photoelectrically converted in the first photoelectric conversion unit 31 -L is input to the first input unit 41. Further, the reference level of the DAC 46 is input to the second input unit 42. Then, the signal level of the output signal and the reference level of the DAC 46 are compared. The comparison operation is the same as in the first embodiment. The comparison result is output from the first output unit 43 to the counter circuit 28-2.

本例の構成により、ラッチ部24は、撮像部10ではなく信号処理部20の信号処理回路22に設けられる。これにより、撮像部10において、ラッチ部24に相当する面積を画素共有部68に充当することができる。これにより、1つのフォトダイオードに対して1つの差動コンパレータ49を設ける従来例と比較して、画素部13における光電変換部31および33の専有面積を大きくすることができる。したがって、差動コンパレータ49を有する画素部13において、従来よりも高密度に光電変換部31および33を設けることができる。なお、第1の実施形態においては1つの差動コンパレータ49に対して4つの光電変換部31および33を設ける。したがって、第1の実施形態においては、第3の実施形態の場合よりも、1つの光電変換部に対する差動コンパレータ49の占有面積の割合を下げることができる。   With the configuration of this example, the latch unit 24 is provided not in the imaging unit 10 but in the signal processing circuit 22 of the signal processing unit 20. Thereby, in the imaging unit 10, an area corresponding to the latch unit 24 can be allocated to the pixel sharing unit 68. Thus, the area occupied by the photoelectric conversion units 31 and 33 in the pixel unit 13 can be increased as compared with the conventional example in which one differential comparator 49 is provided for one photodiode. Therefore, in the pixel portion 13 having the differential comparator 49, the photoelectric conversion portions 31 and 33 can be provided at a higher density than conventional. In the first embodiment, four photoelectric conversion units 31 and 33 are provided for one differential comparator 49. Therefore, in the first embodiment, the ratio of the occupied area of the differential comparator 49 to one photoelectric conversion unit can be reduced as compared with the case of the third embodiment.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順序で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Even if the operation flow in the claims, the description, and the drawings is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 撮像部、11 画素部、12 画素部、13 画素部、15 バンプ、20 信号処理部、22 信号処理回路、24 ラッチ部、25 信号源、26 焦点検出部、28 カウンタ回路、30 トランジスタ、31 光電変換部、32 転送トランジスタ、33 光電変換部、34 転送トランジスタ、35 トランジスタ、36 トランジスタ、37 トランジスタ、38 切替トランジスタ、39 トランジスタ、41 第1入力部、42 第2入力部、43 第1出力部、44 第2出力部、46 DAC、48 画素共有部、49 差動コンパレータ、50 マイクロレンズ、58 画素共有部、68 画素共有部、70 焦点検出ライン、81 ダイオード、82 転送トランジスタ、83 ダイオード、84 転送トランジスタ、200 撮像ユニット、300 撮像ユニット、310 撮像ユニット、340 シャッタユニット、410 光軸、400 一眼レフカメラ、500 レンズユニット、550 レンズマウント、600 カメラボディ、620 ボディ基板、622 CPU、624 画像処理部、625 画像処理ASIC、626 記録部、634 背面表示部、650 ファインダ、652 ピント板、654 ペンタプリズム、656 ファインダ光学系、660 ボディマウント、670 ミラーボックス、672 ミラー DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image pick-up part, 11 pixel part, 12 pixel part, 13 pixel part, 15 bump, 20 signal processing part, 22 signal processing circuit, 24 latch part, 25 signal source, 26 focus detection part, 28 counter circuit, 30 transistor, 31 Photoelectric conversion unit, 32 transfer transistor, 33 photoelectric conversion unit, 34 transfer transistor, 35 transistor, 36 transistor, 37 transistor, 38 switching transistor, 39 transistor, 41 first input unit, 42 second input unit, 43 first output unit , 44 Second output unit, 46 DAC, 48 pixel sharing unit, 49 differential comparator, 50 microlens, 58 pixel sharing unit, 68 pixel sharing unit, 70 focus detection line, 81 diode, 82 transfer transistor, 83 diode, 84 Transfer transistor, 200 300, imaging unit, 310 imaging unit, 340 shutter unit, 410 optical axis, 400 single lens reflex camera, 500 lens unit, 550 lens mount, 600 camera body, 620 body substrate, 622 CPU, 624 image processing unit, 625 image Processing ASIC, 626 Recording unit, 634 Rear display unit, 650 finder, 652 Focus plate, 654 Pentaprism, 656 Finder optical system, 660 Body mount, 670 Mirror box, 672 Mirror

Claims (12)

複数の光電変換部を含む画素部を有する撮像部と、
前記撮像部から出力されるデジタル信号を処理する信号処理部と、
前記撮像部に配置され、参照レベルと、前記画素部において光電変換された電荷量に応じて生成される出力信号の信号レベルとを比較して前記デジタル信号を出力する差動コンパレータと
を備える撮像ユニット。
An imaging unit having a pixel unit including a plurality of photoelectric conversion units;
A signal processing unit for processing a digital signal output from the imaging unit;
An imaging device that is disposed in the imaging unit and includes a reference level and a differential comparator that outputs the digital signal by comparing a signal level of an output signal generated according to the amount of charge photoelectrically converted in the pixel unit. unit.
前記差動コンパレータは、
第1入力部および第2入力部を有し、
前記差動コンパレータは、前記第1入力部および前記第2入力部に入力される信号の信号レベルの比較結果に応じた前記デジタル信号を出力し、
前記画素部は、前記第1入力部および前記第2入力部の一方に前記出力信号を入力し、他方に前記参照レベルの信号を入力する、請求項1に記載の撮像ユニット。
The differential comparator is
Having a first input part and a second input part,
The differential comparator outputs the digital signal according to a comparison result of signal levels of signals input to the first input unit and the second input unit,
The imaging unit according to claim 1, wherein the pixel unit inputs the output signal to one of the first input unit and the second input unit, and inputs the signal of the reference level to the other.
前記画素部は、前記出力信号の信号レベルが、前記差動コンパレータにおいて前記参照レベルと比較される、第1の光電変換部および第2の光電変換部を有し、
前記差動コンパレータが前記第1の光電変換部の信号レベルを前記参照レベルと比較する場合、前記画素部は、前記第1入力部に前記第1の光電変換部の出力信号を入力し、かつ、前記第2入力部に参照レベルを入力し、
前記差動コンパレータが前記第2の光電変換部の信号レベルを前記参照レベルと比較する場合、前記画素部は、前記第2入力部に前記第2の光電変換部の出力信号を入力し、かつ、前記第1入力部に参照レベルを入力する、請求項2に記載の撮像ユニット。
The pixel unit includes a first photoelectric conversion unit and a second photoelectric conversion unit in which a signal level of the output signal is compared with the reference level in the differential comparator,
When the differential comparator compares the signal level of the first photoelectric conversion unit with the reference level, the pixel unit inputs the output signal of the first photoelectric conversion unit to the first input unit, and , Input a reference level to the second input unit,
When the differential comparator compares the signal level of the second photoelectric conversion unit with the reference level, the pixel unit inputs the output signal of the second photoelectric conversion unit to the second input unit, and The imaging unit according to claim 2, wherein a reference level is input to the first input unit.
前記画素部は、
前記第1の光電変換部を前記第1入力部に接続するか否かを切り替える、第1の転送トランジスタと、
前記第2の光電変換部を前記第2入力部に接続するか否かを切り替える、第2の転送トランジスタと、
前記参照レベルを前記第1入力部に入力するか否かを切り替える、第1の切替トランジスタと、
前記参照レベルを前記第2入力部に入力するか否かを切り替える、第2の切替トランジスタと
を更に有する、請求項3に記載の撮像ユニット。
The pixel portion is
A first transfer transistor for switching whether to connect the first photoelectric conversion unit to the first input unit;
A second transfer transistor for switching whether or not to connect the second photoelectric conversion unit to the second input unit;
A first switching transistor for switching whether to input the reference level to the first input unit;
The imaging unit according to claim 3, further comprising: a second switching transistor that switches whether to input the reference level to the second input unit.
ランプ波形を有する参照レベルおよびパルス波形を有するリセットレベルを順次生成するデジタルアナログ変換部を更に備え、
前記第1の切替トランジスタは、前記第1入力部に前記第1の光電変換部を接続する前に、前記第1入力部と前記第1の転送トランジスタとの間の配線に前記リセットレベルを入力し、
前記第2の切替トランジスタは、前記第2入力部に前記第2の光電変換部を接続する前に、前記第2入力部と前記第2の転送トランジスタとの間の配線に前記リセットレベルを入力する、請求項4に記載の撮像ユニット。
A digital-to-analog converter that sequentially generates a reference level having a ramp waveform and a reset level having a pulse waveform;
The first switching transistor inputs the reset level to a wiring between the first input unit and the first transfer transistor before connecting the first photoelectric conversion unit to the first input unit. And
The second switching transistor inputs the reset level to a wiring between the second input unit and the second transfer transistor before connecting the second photoelectric conversion unit to the second input unit. The imaging unit according to claim 4.
前記画素部は、
前記出力信号の信号レベルが、前記差動コンパレータにおいて前記参照レベルと比較される、第3の光電変換部および第4の光電変換部と、
前記第3の光電変換部に蓄積された電荷を前記第1入力部に出力する第3の転送トランジスタと、
前記第4の光電変換部に蓄積された電荷を前記第2入力部に出力する第4の転送トランジスタと
を更に有する請求項5に記載の撮像ユニット。
The pixel portion is
A third photoelectric conversion unit and a fourth photoelectric conversion unit, wherein a signal level of the output signal is compared with the reference level in the differential comparator;
A third transfer transistor that outputs the charge accumulated in the third photoelectric conversion unit to the first input unit;
The imaging unit according to claim 5, further comprising: a fourth transfer transistor that outputs the electric charge accumulated in the fourth photoelectric conversion unit to the second input unit.
前記画素部は、
前記第1の転送トランジスタと前記第1入力部との間に設けられ、前記第1の転送トランジスタから転送された電荷を前記第1入力部に出力するか否かを切り替える第5の転送トランジスタと、
前記第2の転送トランジスタと前記第2入力部との間に設けられ、前記第2の転送トランジスタから転送された電荷を前記第2入力部に出力するか否かを切り替える第6の転送トランジスタと
を更に有し、
前記第1の転送トランジスタと前記第2の転送トランジスタとは同時にオンされる、請求項4に記載の撮像ユニット。
The pixel portion is
A fifth transfer transistor, which is provided between the first transfer transistor and the first input unit, and switches whether to transfer the charge transferred from the first transfer transistor to the first input unit; ,
A sixth transfer transistor which is provided between the second transfer transistor and the second input unit and switches whether to transfer the charge transferred from the second transfer transistor to the second input unit; Further comprising
The imaging unit according to claim 4, wherein the first transfer transistor and the second transfer transistor are simultaneously turned on.
前記第1の光電変換部と前記第3の光電変換部とは、第1方向に並んで設けられ、
前記第2の光電変換部と前記第4の光電変換部とは、前記第1方向に並んで設けられ、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とは、前記第1方向に垂直な第2方向に並んで設けられ、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とに共通に設けられるマイクロレンズをさらに有する、請求項6に記載の撮像ユニット。
The first photoelectric conversion unit and the third photoelectric conversion unit are provided side by side in the first direction,
The second photoelectric conversion unit and the fourth photoelectric conversion unit are provided side by side in the first direction,
The first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit are provided side by side in a second direction perpendicular to the first direction,
The imaging unit according to claim 6, further comprising a microlens provided in common to the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit.
前記差動コンパレータは、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部との間に設けられる、請求項3から8のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   The imaging unit according to claim 3, wherein the differential comparator is provided between the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit. 前記信号処理部は、
前記第1の光電変換部の信号レベルと前記参照レベルとを比較した結果である第1のデジタル信号と、前記第2の光電変換部の信号レベルと前記参照レベルとを比較した結果である第2のデジタル信号とが切り替えて入力されるラッチ部を有する、請求項3から9のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
The signal processing unit
The first digital signal, which is the result of comparing the signal level of the first photoelectric conversion unit and the reference level, and the result of comparing the signal level of the second photoelectric conversion unit and the reference level. The imaging unit according to any one of claims 3 to 9, further comprising a latch unit that is switched and inputted with two digital signals.
前記撮像部と前記信号処理部とは、光軸方向において少なくとも一部が重ねて設けられ、バンプを通じて互いに電気的に接続される、請求項1から10のいずれか一項に記載の撮像ユニット。   11. The imaging unit according to claim 1, wherein at least a part of the imaging unit and the signal processing unit are provided to overlap in the optical axis direction and are electrically connected to each other through a bump. 請求項1から11のいずれか一項に記載の撮像ユニットを備える撮像装置。   An imaging device comprising the imaging unit according to any one of claims 1 to 11.
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