JP2019149092A - 電流出力回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】負荷からの信号又はノイズ等の入力にかかわらず安定に動作しうる電流出力回路を提供する。【解決手段】電流出力回路100は、出力電圧を制御するDC−DC電源部110と、DC−DC電源部100の出力電圧で動作し、制御指示に基づく電流信号を生成し、負荷200に出力する電流出力部120と、負荷200の電圧をピークホールドし、DC−DC電源部110に電圧信号として出力する電圧検出部130とを備え、DC−DC電源部110は、電圧信号に基づいて、出力電圧を制御する。【選択図】図4

Description

本発明は、電流出力回路に関する。
従来、負荷に対して制御指示に基づく電流信号を出力する電流出力回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許4207114号公報
電流出力回路には、負荷から信号又はノイズ等が入力されることがある。一方で、電流出力回路は、負荷の電圧に基づいて、電源電圧の大きさを制御しうる。電流出力回路が電源電圧の大きさを制御している場合において、負荷からの信号又はノイズ等は、制御結果に影響を及ぼすことがある。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、負荷からの信号又はノイズ等の入力にかかわらず安定に動作しうる電流出力回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の一実施形態に係る電流出力回路は、出力電圧を制御するDC−DC電源部と、前記DC−DC電源部の出力電圧で動作し、制御指示に基づく電流信号を生成し、負荷に出力する電流出力部と、前記負荷の電圧をピークホールドし、前記DC−DC電源部に電圧信号として出力する電圧検出部とを備え、前記DC−DC電源部は、前記電圧信号に基づいて、前記出力電圧を制御する。
本発明の一実施形態に係る電流出力回路において、前記電圧検出部は、入力部と出力部とを有し、前記入力部は、前記負荷の電圧を取得する第1状態と、前記負荷の電圧を遮断する第2状態とのいずれか一方に、前記負荷の電圧に基づいて遷移し、前記出力部は、前記入力部が第1状態である場合、前記入力部が取得した電圧をホールドして出力し、前記入力部が第2状態である場合、前記入力部が第1状態である間にホールドした電圧を出力してよい。
本発明の一実施形態に係る電流出力回路において、前記出力部は、前記負荷に対して並列に接続するRC並列回路を有してよい。
本発明の一実施形態に係る電流出力回路において、前記RC並列回路の時定数は、前記負荷の電圧が変動する周期より大きくてよい。
本発明の一実施形態に係る電流出力回路において、前記入力部は、整流素子を有してよい。
本発明の一実施形態に係る電流出力回路において、前記入力部は、スイッチング素子を有してよい。
本発明の一実施形態によれば、負荷からの信号又はノイズ等の入力にかかわらず安定に動作しうる電流出力回路が提供されうる。
一実施形態に係る電流出力回路の概略構成例を示すブロック図である。 電流出力部の構成例を示す回路図である。 負荷電圧と印加電圧との関係の一例を示すグラフである。 電圧検出部の構成例を示す回路図である。 電流出力回路とテスト回路との接続例を示す回路図である。 電圧検出部の入力電圧と出力電圧との関係の一例を示すグラフである。 比較例に係る電流出力回路を示すブロック図である。 比較例に係る電流出力回路における入力電圧と出力電圧との関係を示すグラフである。 電圧検出部の他の構成例を示す回路図である。
図1に示されるように、一実施形態に係る電流出力回路100は、測定装置10と接続する。電流出力回路100は、測定装置10に含まれてもよい。電流出力回路100は、外部装置の負荷200と接続し、負荷200に電流信号を出力する。負荷200は、一端において電流出力回路100と接続し、他端において接地しているものとする。
測定装置10は、電流出力回路100に測定結果に対応づけられる電流信号を生成させる。電流出力回路100は、測定結果に対応づけられる電流信号を負荷200に出力することによって、外部装置に測定結果を通知しうる。つまり、測定装置10は、電流出力回路100によって測定結果を電流信号に変換して外部装置の負荷200に出力する。電流出力回路100は、測定装置10からの制御指示に基づいて、負荷200に出力する電流の大きさを所定範囲内で制御するともいえる。電流出力回路100は、所定範囲内で可変な所定値の電流を出力するともいえる。
電流出力回路100と外部装置の負荷200とは、例えば4線式で接続してよい。配線が4線式の場合、4本の配線のうち2本1組の配線は、電源を供給するために用いられる。他の2本1組の配線は、信号を伝達するために用いられる。電流出力回路100と外部装置の負荷200とは、例えば2線式で接続してもよい。配線が2線式の場合、2本1組の配線は、電源電流の供給と、電流信号の伝達との両方を兼ねて用いられる。本実施形態に係る電流出力回路100の構成は、配線が4線式であるか2線式であるかにかかわらず、適用されうる。
測定装置10が外部装置に対して測定結果を通知するために用いる信号は、計装用標準信号ともいう。計装用標準信号は、例えば、4mA以上20mA以下の大きさの電流を含む。つまり、計装用標準信号は、所定範囲内で電流の大きさが制御された電流信号である。測定装置10は、例えば、pH測定装置であってよい。この場合、pH測定装置の測定結果を計装用標準信号に変換する構成は、液変換器ともいう。測定装置10は、pH測定装置に限られず、他の種々の装置であってよい。測定装置10の測定結果を計装用標準信号に変換する構成は、変換器又は伝送器等ともいう。つまり、電流出力回路100は、変換器又は伝送器等で用いられうる。電流出力回路100は、PLC(Programmable Logic Controller)又はDCS(Distributed Control System)等で用いられてもよい。
図1に示されるように、一実施形態に係る電流出力回路100は、DC−DC電源部110と、電流出力部120と、電圧検出部130とを備える。電流出力回路100の各部は、接地しているものとする。電流出力部120及び電圧検出部130は、節点141を介して負荷200の一端と接続している。負荷200は、一端において節点141と接続し、他端において接地している。電流出力部120は、負荷200と直列に接続しており、負荷200に電流を出力する。電圧検出部130は、負荷200と並列に接続しており、負荷200の電圧を取得する。
電流出力部120は、DC−DC電源部110から印加される電圧によって動作する。電流出力部120は、測定装置10から、出力する電流の大きさに関する制御指示を取得する。測定装置10からの制御指示は、測定装置10の測定結果に関する情報を含んでよいし、測定結果に対応づけられる電流信号の大きさに関する情報を含んでもよい。電流出力部120は、制御指示に基づいて電流信号を生成する。つまり、電流出力部120は、測定装置10の測定結果に対応づけられる電流信号を生成する。電流出力部120は、生成した電流信号を負荷200に出力する。
電圧検出部130は、負荷200の電圧を取得する。電圧検出部130は、負荷200の電圧に基づく電圧信号を、DC−DC電源部110に出力する。負荷200の電圧は、節点141と接地点との間の電位差に対応する。
DC−DC電源部110は、電流出力部120に電圧を印加する。DC−DC電源部110は、スイッチングレギュレータであってよい。DC−DC電源部110が電流出力部120に印加する電圧は、出力電圧ともいう。DC−DC電源部110は、電圧検出部130から負荷200の電圧に基づく電圧信号を取得する。DC−DC電源部110は、電圧信号に基づいて、出力電圧の大きさを制御する。DC−DC電源部110は、例えば商用電源から受電して動作してもよい。DC−DC電源部110は、測定装置10から受電して動作してもよい。DC−DC電源部110は、負荷200を備える外部装置から受電して動作してもよい。
図2に例示されるように、一実施形態に係る電流出力部120は、オペアンプA1及びA2、トランジスタT1及びT2、並びに、抵抗R1、R2及びR3を備える。オペアンプA1と、トランジスタT1と、抵抗R1とは、ローサイド部を構成する。オペアンプA2と、トランジスタT2と、抵抗R2及びR3とは、ハイサイド部を構成する。電流出力部120は、VAVDDと表される電圧入力端子を有する。DC−DC電源部110は、電流出力部120のVAVDDに電圧を印加する。電流出力部120は、Ioutと表される電流出力端子を有する。電流出力部120は、生成した電流信号を、Ioutから負荷200に出力する。
電流出力部120は、DAC(Digital Analog Converter)と表される信号入力端子を備える。DACは、測定装置10からデジタル信号を制御指示として取得し、アナログ信号に変換してオペアンプA1の+入力端子に出力する。測定装置10から取得するデジタル信号は、例えば12ビット又は16ビット等のデジタル信号であってよい。デジタル信号は、パルス幅変調(PWM:Pulse Width Modulation)信号であってもよい。ローサイド部は、DACから入力された信号を電流信号に変換する。DACから入力されたアナログ信号の電圧がVDACで表される場合、オペアンプA1の+入力端子と−入力端子とが仮想ショートしているという前提で、ローサイド部のトランジスタT1に流れる電流は、例えば、VDAC/R1と表される。
ローサイド部に流れる電流は、ハイサイド部に伝達する。つまり、オペアンプA2の+入力端子に入力される電圧は、VAVDDに印加されている電圧と、ローサイド部に流れる電流と、抵抗R2とで決定される。ハイサイド部は、オペアンプA2の+入力端子に入力された電圧に基づいて、計装用標準信号を生成し、Ioutで表される端子から負荷200に出力する。オペアンプA2の+入力端子と−入力端子とが仮想ショートしているという前提で、負荷200に出力される電流は、例えば、(R2/R3)×(VDAC/R1)で表される。
電流出力部120が電流信号を出力する場合、抵抗R3及びトランジスタT2に電圧がかかる。トランジスタT2にかかる電圧は、トランジスタT2のドレインとソースとの間にかかる電圧を含みうる。電流出力部120が制御指示に基づく電流信号を出力する場合に抵抗R3及びトランジスタT2にかかる電圧と負荷200の電圧との和は、動作電圧ともいう。DC−DC電源部110の出力電圧は、動作電圧以上である必要がある。出力電圧が動作電圧より小さい場合、電流出力部120は、電圧の不足によって、電流信号を負荷200に出力できない。外乱等に起因する出力電圧の変動、及び、負荷200の電圧の変動を考慮すると、出力電圧は、動作電圧に余裕分の電圧を加えた電圧とされる。余裕分の電圧は、ヘッドルームともいう。出力電圧がヘッドルームを含むことによって、出力電圧の変動にかかわらず、電流出力部120が安定して電流信号を出力しうる。
電流出力部120の、VAVDDとIoutとの間には、VAVDDへの印加電圧と負荷電圧との差に相当する電圧がかかる。つまり、VAVDDへの印加電圧が大きいほど、電流出力部120にかかる電圧が大きくなる。結果として、印加電圧が大きいほど、電流出力部120の消費電力が大きくなりうる。これは、発熱的にも限られた電力を有効に使う点から好ましくない。一方で、電流出力部120が安定に電流信号を出力するために、ヘッドルームの確保が必要とされる。
図3のグラフは、負荷200の電圧と、VAVDDへの印加電圧との関係の一例を示している。負荷200の電圧は、負荷電圧ともいう。VAVDDへの印加電圧は、単に印加電圧ともいう。横軸及び縦軸はそれぞれ、負荷電圧及び印加電圧を表している。破線は、印加電圧が負荷電圧と等しい場合の関係を表している。実際にDC−DC電源部110が電流出力部120に印加する電圧は、負荷電圧に対して、Voffsetで表されるオフセット電圧を加えた電圧とされる。オフセット電圧は、抵抗R3及びトランジスタT2にかかる電圧と、ヘッドルームに相当する電圧との和とされうる。負荷電圧が0に近づく場合、印加電圧は、オフセット電圧にかかわらず、電流出力部120の動作に必要とされる最低限の電圧(Vmin)以上に維持されうる。DC−DC電源部110が負荷電圧の変動に追従するように印加電圧を決定することによって、ヘッドルームの確保と安定な電流信号の出力とが両立しうる。
図4に示されるように、一実施形態に係る電圧検出部130は、入力部150と出力部160とを備える。入力部150は、負荷200と接続する端子151を有する。出力部160は、DC−DC電源部110と接続する端子161を有する。入力部150と出力部160との間には、端子158が位置するものとする。
入力部150は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)152を有する。入力部150は、端子151とMOSFET152との間に直列に接続されている抵抗153と、負荷200に対して並列に接続されている容量154とを有する。抵抗153と容量154とは、負荷電圧の入力に対してローパスフィルタとして機能しうる。DC−DC電源部110から電流出力部120と節点141と電圧検出部130の端子151とを通り、DC−DC電源部110に戻る経路は、正帰還回路を構成している。つまり、節点141に入力される負荷200の電圧が高くなる場合、電圧検出部130からDC−DC電源部110に高い電圧が入力され、電流出力部120への印加電圧が高くなる。ローパスフィルタが高周波数成分をカットすることによって、正帰還回路が発振しにくくなりうる。言い換えれば、入力部150が有するローパスフィルタのカットオフ周波数は、正帰還回路が発振しにくいように決定されうる。
MOSFET152は、ゲートで抵抗153及び容量154で構成されるローパスフィルタと接続し、ドレインでDC−DC電源部110と接続し、ソースで端子158と接続している。MOSFET152は、ゲート電圧とソース電圧との差が閾値電圧以上となった場合にオンの状態となる。
出力部160は、負荷200に対して並列に接続する容量162と抵抗163とを有する。出力部160は、負荷200に対して並列に接続するRC並列回路を有するともいえる。
負荷電圧が所定値以上となった場合、MOSFET152は、オンの状態となる。MOSFET152がオンの状態となっている間、出力部160の容量162は、DC−DC電源部110からの印加電圧によって充電される。容量162が充電されることによって、端子158の電圧が高くなる。つまり、MOSFET152のソース電圧が高くなる。容量162の充電によって端子158の電圧が高くなった場合、又は、負荷電圧が低下した場合、ゲート電圧とソース電圧との差が閾値電圧未満となる。この場合、MOSFET152がオフの状態となる。MOSFET152がオフの状態となっている場合、容量162は、抵抗163に対して放電する。放電によって容量162の電圧は低下していく。容量162の放電によって端子158の電圧が低くなった場合、又は、負荷電圧が上昇した場合、ゲート電圧とソース電圧との差が閾値電圧以上となる。この場合、再び、MOSFET152がオンの状態となる。このように、MOSFET152がオンの状態とオフの状態との間で遷移しつつ、出力部160の容量162が充電と放電とを繰り返す。
図5に示されるように、電流出力回路100がテスト回路300に接続されるものと仮定する。テスト回路300は、負荷200として機能しうる。テスト回路300は、直流電源310と、交流電源320と、制御部330と、抵抗340とを備える。
テスト回路300は、電流出力回路100に対して、HART(Highway Addressable Remote Transducer)信号等の信号又はノイズを仮定した電圧信号を出力しうる。テスト回路300は、直流電源310と交流電源320とによって、電流出力回路100に出力する電圧信号を生成しうる。
一方で、電流出力回路100は、テスト回路300に対して、計装用標準信号を出力するとともに、HART信号等の信号を重畳した電流信号を出力しうる。テスト回路300は、電流出力回路100から出力される電流信号を、抵抗340の電圧として制御部330で検出する。
ここで、テスト回路300がHART信号による通信に関する試験に用いられる電圧信号を電流出力回路100に出力すると仮定する。試験に用いられる電圧信号は、直流電圧成分と交流電圧成分とを含む電圧信号であるものとする。
図6のグラフは、図5のテスト回路300から電圧検出部130の端子151に印加される電圧信号と、電圧信号に基づく端子158の電圧の変動とを示している。図6のグラフの横軸及び縦軸はそれぞれ、時刻及び電圧を表している。端子151に印加される電圧信号の波形は、破線で例示されている。端子158の電圧の変動は、実線で例示されている。
端子151に印加される電圧が最初に高くなる場合(図6のP1)、MOSFET152のゲート電圧がソース電圧よりも高くなるので、MOSFET152はオンの状態となる。MOSFET152がオンの状態であることによって、容量162が充電される。結果として、端子158の電圧は、端子151の電圧に近づく。
続いて、端子151に印加される電圧が低くなった場合(図6のP2)、MOSFET152のゲート電圧がソース電圧よりも低くなるので、MOSFET152はオフの状態となる。この場合、容量162が抵抗163に対して放電する。端子158の電圧は、容量162からの放電によって低下していく。
端子151に印加される電圧が再び高くなり、端子158の電圧よりも高くなった場合(図6のP3)、MOSFET152がオンの状態となる。MOSFET152がオフの状態であった間、容量162の電圧は、放電によって低下するが、MOSFET152がオンの状態に遷移することによって、充電によって上昇する。RC並列回路の時定数が大きいほど、容量162の電圧の低下速度は遅い。つまり、時定数が適宜定められることによって、MOSFET152がオフの状態である間、容量162の電圧は、ピーク電圧に近い電圧でホールドされうる。
続いて、端子151に印加される電圧が低くなった場合(図6のP4)、MOSFET152がオフの状態となる。端子158の電圧は、図6のP2における状態と同様に、容量162の放電によって低下していくものの、ピーク電圧に近い電圧でホールドされうる。
図6に例示されているように、本実施形態に係る電圧検出部130は、端子151に入力された電圧信号を、電圧信号のピーク値又はピーク値に近い値でホールドする。言い換えれば、端子158の電圧は、出力部160によってピークホールドされた電圧である。電圧検出部130は、端子158の電圧を、端子161からDC−DC電源部110に出力する。つまり、電圧検出部130がDC−DC電源部110に出力する電圧信号は、端子151に印加された電圧信号をピークホールドした電圧信号である。電圧検出部130は、端子151に入力された電圧信号をピーク値の近傍で平滑化しているともいえる。電圧検出部130が端子151に印加された電圧信号をピークホールドすることによって、ローパスフィルタのカットオフ周波数が高くても、正帰還回路が発振しにくくなりうる。
MOSFET152がオンの状態である場合、入力部150は、端子151に印加される電圧信号を取得する状態であるともいえる。入力部150が電圧信号を取得する状態は、第1状態ともいう。入力部150が第1状態である場合、出力部160は、入力部150から端子151に入力される電圧信号を、容量162の充電電圧としてホールドし、DC−DC電源部110に出力する。
MOSFET152がオフの状態である場合、入力部150は、端子151に印加される電圧信号を遮断する状態であるともいえる。入力部150が電圧信号を遮断する状態は、第2状態ともいう。入力部150が第2状態である場合、出力部160は、入力部150が第1状態である間に容量162でホールドした電圧を、DC−DC電源部110に出力する。つまり、出力部160は、端子151に印加された電圧信号をピークホールドし、DC−DC電源部110に出力する。
入力部150は、端子151に印加される電圧に基づいて、第1状態及び第2状態のいずれか一方に遷移するといえる。入力部150が第1状態と第2状態との間で遷移することによって、出力部160は、入力部150に印加される電圧信号をピークホールドし、DC−DC電源部110に出力しうる。
出力部160のRC並列回路の時定数は、容量162からの放電によって、容量162の電圧が1/e(e:自然対数)にまで減少する時間に対応する。出力部160のRC並列回路の時定数は、例えば、負荷電圧が変動する周期より大きくなるように設定されてよい。時定数が負荷電圧が変動する周期より大きいことによって、入力部150が第2状態に遷移している状態において、容量162の電圧が低下しにくくなる。結果として、端子158の電圧がピーク電圧に近い電圧にホールドされやすくなる。
端子158の電圧がピーク電圧そのものではなく、ピーク電圧に近い電圧にホールドされる場合、電圧検出部130からDC−DC電源部110にフィードバックされる電圧は、負荷電圧よりも低い電圧となりうる。オフセット電圧は、電圧検出部130においてピークホールドされた電圧と、負荷電圧との差を考慮して決定されてよい。
図7に示される比較例に係る電圧検出部190は、負荷200と接続する端子191と、DC−DC電源部110と接続する端子192と、ローパスフィルタとして機能する抵抗193及び容量194とを有する。端子191に印加される電圧信号が図6の例と同様に変動する場合、端子191に印加される電圧信号の高周波数成分は、ローパスフィルタによってカットされる。
比較例に係る電圧検出部190は端子191に印加される電圧信号をピークホールドしない。比較例に係る電圧検出部190のローパスフィルタは、正帰還回路が発振しにくくなるように、より低い周波数をカットする必要がある。つまり、比較例に係る電圧検出部190のローパスフィルタのカットオフ周波数は、本実施形態に係る電圧検出部130のローパスフィルタのカットオフ周波数よりも低くされる必要がある。結果として、比較例に係る電圧検出部190が端子192から出力する電圧の周波数成分は、本実施形態に係る電圧検出部130が端子161から出力する電圧の周波数成分と比較して、より低い周波数成分に限定される。
低い周波数成分に限定された電圧は、直流電圧に近くなる。つまり、比較例においてDC−DC電源部110にフィードバックされる電圧は、直流成分に近くなり、負荷電圧の変動に追従しきれなくなる。結果として、DC−DC電源部110の出力電圧は、端子191に印加される電圧に追従しきれなくなる。
例えば図8のグラフは、比較例に係る電圧検出部190にテスト回路300から図6の例と同様の信号が入力された場合における、電流出力回路100の出力を示している。横軸及び縦軸はそれぞれ、時刻及び電圧を表している。Viで表されている破線のグラフは、テスト回路300の直流電源310と交流電源320とから印加される電圧信号を表している。一方で、Vsで表されている実線のグラフは、電流出力回路100からテスト回路300に出力される電流信号によってテスト回路300の抵抗340にかかる電圧を表している。本来、Vsは、Viに追従することが期待される。しかし、図8の例において、Viがピーク電圧に達しているとき、Vsは、飽和してしまっている。つまり、電流出力回路100から出力される電流信号がViの変化に追従できていない。VsがViに追従できない原因は、比較例に係る電圧検出部190がViの高周波数成分をカットしてしまい、直流電圧に近い電圧をDC−DC電源部110にフィードバックしていることにある。
一方で、本実施形態に係る電流出力回路100は、負荷電圧をピークホールドした電圧をDC−DC電源部110にフィードバックする電圧検出部130を備える。電圧検出部130が負荷電圧をピークホールドすることによって、入力部150が有するローパスフィルタのカットオフ周波数が比較的高くされうる。つまり、負荷電圧が高周波数成分を有する場合であっても、DC−DC電源部110にフィードバックされる電圧が負荷電圧に追従しやすくなる。結果として、DC−DC電源部110の出力電圧は、十分なヘッドルームを有しうる。
図9に示されるように、一実施形態に係る電流出力回路100において、電圧検出部130の入力部150は、ダイオード155を備えてよい。ダイオード155は、抵抗153と並列に、端子151と端子158との間に接続する。ダイオード155は、図4のMOSFET152と類似に機能しうる。結果として、端子151の電圧と端子158の電圧は、図6に示される例と類似に変化しうる。
端子151に印加される電圧が最初に高くなる場合(図6のP1)、ダイオード155の端子151側の電圧は、端子158側の電圧よりも高い。この場合、ダイオード155はオンの状態となる。ダイオード155がオンの状態であることによって、容量162が充電される。結果として、端子158の電圧は、端子151の電圧に近づく。
続いて、端子151に印加される電圧が低くなった場合(図6のP2)、ダイオード155の端子151側の電圧が端子158側の電圧よりも低くなるので、ダイオード155はオフの状態となる。この場合、容量162が抵抗163に対して放電する。端子158の電圧は、容量162からの放電によって低下していくものの、ピーク電圧に近い電圧でホールドされうる。
ダイオード155は、ローパスフィルタとして機能する抵抗153及び容量154と並列に接続している。抵抗153及び容量154は、端子151に印加される電圧の直流成分を主に通過させる。一方で、ダイオード155は、端子151に印加される電圧の交流成分を主に通過させる。結果として、入力部150は、端子151に印加される電圧の交流成分を通過させつつ、出力部160においてピークホールドしうる。
電圧検出部130は、MOSFET152及びダイオード155の一方を備えてよいし、両方を備えてもよい。ダイオード155は、整流素子ともいう。MOSFET152は、スイッチング素子ともいう。スイッチング素子は、MOSFET152に限られず、スイッチIC(Integrated Circuit)等であってもよい。スイッチング素子は、MOSFET以外のトランジスタであってもよい。MOSFETは、ゲートにおけるリーク電流が少ない点において、JFET(Junction Field Effect Transistor)等よりも用いられやすい。スイッチング素子のリーク電流が少ないことによって、電流信号の精度が向上しうるとともに、消費電力が低減されうる。
DC−DC電源部110は、降圧型のスイッチングレギュレータであってもよいし、昇圧型のスイッチングレギュレータであってもよい。DC−DC電源部110が降圧型のスイッチングレギュレータである場合、DC−DC電源部110は、電源電圧を、電圧検出部130から入力される電圧に基づいて決定される出力電圧に降圧し、電流出力部120に印加する。DC−DC電源部110が昇圧型のスイッチングレギュレータである場合、DC−DC電源部110は、電源電圧を、電圧検出部130から入力される電圧に基づいて決定される出力電圧に昇圧し、電流出力部120に印加する。DC−DC電源部110が昇圧型のスイッチングレギュレータである場合、電源電圧より高い電圧を電流出力部120に印加できる。結果として、DC−DC電源部110が電流出力部120に印加する電圧の自由度が高められうる。
図2に例示している電流出力部120は、非反転アンプ型の定電流回路であるが、反転アンプ型の定電流回路であってもよい。図2に例示している電流出力部120は、カレントミラーを有しない定電流回路であるが、カレントミラーを有する定電流回路であってもよい。図2に例示している電流出力部120は、ハイサイド部で電流を検出する定電流回路であるが、ローサイド部で電流を検出する定電流回路であってもよい。
本実施形態に係る電流出力回路100において、負荷電圧をピークホールドした電圧がDC−DC電源部110にフィードバックされる。これによって、正帰還される信号に含まれる高周波数成分が減少する。結果として、電流出力回路100に含まれる回路が発振しにくくなる。また、本実施形態に係る電流出力回路100において、負荷電圧の交流成分が単にカットされた電圧がフィードバックされるのではなく、負荷電圧のピーク値に近い電圧で平滑化された電圧がフィードバックされる。これによって、負荷電圧が高周波数成分を含む場合であっても、DC−DC電源部110の出力電圧が動作電圧を下回りにくくなる。
また、電圧検出部130の出力部160は、端子161においてトランジスタを介してDC−DC電源部110に電圧を出力してよい。この場合、DC−DC電源部110から端子161と接続するトランジスタを通り、DC−DC電源部110に戻る経路が設けられうる。この経路は、負帰還回路を構成しうる。つまり、本実施形態に係る電流出力回路100は、多重ループ回路を含みうる。電流出力回路100が多重ループ回路を含む場合であっても、DC−DC電源部110にフィードバックされる電圧がピークホールドされていることによって、発振又は不安定動作が発生しにくくなる。
負荷200は、電流出力回路100からの電流信号を電圧として検出するための抵抗を含む。負荷200は、電圧を検出する抵抗だけでなく、他の種々の回路を含んでよい。例えば、負荷200は、電流出力部120における発熱を分散するためのトランジスタを有する熱分散回路を含んでよい。負荷200は、電流出力回路100から電流信号を伝達するための配線にサージ電圧が入力される場合に備える、サージ対策回路を含んでよい。負荷200は、負荷200に含まれる各部における異常を検出するための異常検出回路を含んでよい。これらの回路は、負荷200のインピーダンスを増大させうる。オフセット電圧は、これらの回路にかかる電圧を考慮して決定されてよい。
本開示に係る実施形態について、諸図面及び実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形又は修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形又は修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部に含まれる機能などは論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部を1つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。
10 測定装置
100 電流出力回路
110 DC−DC電源部
120 電流出力部
130 電圧検出部
141 節点
150 入力部
151 端子
152 MOSFET
153 抵抗
154 容量
155 ダイオード
158 端子
160 出力部
161 端子
162 容量
163 抵抗
200 負荷
300 テスト回路
310 直流電源
320 交流電源
330 制御部
340 抵抗

Claims (6)

  1. 出力電圧を制御するDC−DC電源部と、
    前記DC−DC電源部の出力電圧で動作し、制御指示に基づく電流信号を生成し、負荷に出力する電流出力部と、
    前記負荷の電圧をピークホールドし、前記DC−DC電源部に電圧信号として出力する電圧検出部と
    を備え、
    前記DC−DC電源部は、前記電圧信号に基づいて、前記出力電圧を制御する
    電流出力回路。
  2. 前記電圧検出部は、入力部と出力部とを有し、
    前記入力部は、前記負荷の電圧を取得する第1状態と、前記負荷の電圧を遮断する第2状態とのいずれか一方に、前記負荷の電圧に基づいて遷移し、
    前記出力部は、前記入力部が第1状態である場合、前記入力部が取得した電圧をホールドして出力し、前記入力部が第2状態である場合、前記入力部が第1状態である間にホールドした電圧を出力する、請求項1に記載の電流出力回路。
  3. 前記出力部は、前記負荷に対して並列に接続するRC並列回路を有する、請求項2に記載の電流出力回路。
  4. 前記RC並列回路の時定数は、前記負荷の電圧が変動する周期より大きい、請求項3に記載の電流出力回路。
  5. 前記入力部は、整流素子を有する、請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電流出力回路。
  6. 前記入力部は、スイッチング素子を有する、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の電流出力回路。
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