JP2019145834A - Method for manufacturing multilayer ceramic capacitor - Google Patents

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Abstract

To provide: a multilayer ceramic capacitor of which humidity resistance can be ensured even if a side margin part is made thin; and a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor.SOLUTION: A multilayer ceramic capacitor comprises a lamination part and a side margin part. The lamination part has: a plurality of ceramic layers stacked in a first direction; and a plurality of internal electrodes each disposed between the plurality of ceramic layers. The side margin part covers the lamination part from a second direction orthogonal to the first direction, of which porosity is 1% or less.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、サイドマージン部が後付けされる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor having a side margin portion retrofitted and a method for manufacturing the same.

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化等の要望がますます強くなってきている。この要望に応えるためには、積層セラミックコンデンサの内部電極の交差面積を極力大きくすることが有効である。   In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices, there has been an increasing demand for miniaturization and large capacity of multilayer ceramic capacitors used in electronic devices. In order to meet this demand, it is effective to increase the crossing area of the internal electrodes of the multilayer ceramic capacitor as much as possible.

例えば、特許文献1及び2には、内部電極を側面に露出させた積層チップに、内部電極の周囲の絶縁性を確保するためのサイドマージン部を後付けで形成する手法が記載されている。これにより、サイドマージン部を薄くすることが可能となり、内部電極の交差面積を相対的に大きくとることができる。   For example, Patent Documents 1 and 2 describe a method in which a side margin portion for ensuring insulation around the internal electrode is formed later on a laminated chip with the internal electrode exposed on the side surface. As a result, the side margin portion can be made thin, and the crossing area of the internal electrodes can be made relatively large.

特開2012−191159号公報JP 2012-191159 A 特開2014−204116号公報JP 2014-204116 A

しかしながら、積層チップの側面にサイドマージン部が後付けされる手法では、サイドマージン部の厚みが薄いと、厚みが薄いサイドマージン部を介して外界から積層チップへ水分等が侵入しやすい。このため、積層セラミックコンデンサの耐湿性が低下するおそれがある。   However, in the method in which the side margin portion is retrofitted to the side surface of the multilayer chip, when the side margin portion is thin, moisture or the like easily enters the multilayer chip from the outside through the thin side margin portion. For this reason, there exists a possibility that the moisture resistance of a multilayer ceramic capacitor may fall.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、サイドマージン部の厚みを薄くしても、耐湿性が確保される積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor in which moisture resistance is ensured even when the thickness of the side margin portion is reduced, and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミックコンデンサは、積層部と、サイドマージン部と、を具備する。
上記積層部は、第1の方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する。
上記サイドマージン部は、上記積層部を上記第1の方向と直交する第2の方向から覆い、ポア率が1%以下である。
In order to achieve the above object, a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention includes a multilayer portion and a side margin portion.
The stacked unit includes a plurality of ceramic layers stacked in a first direction, and a plurality of internal electrodes arranged between the plurality of ceramic layers.
The side margin portion covers the stacked portion from a second direction orthogonal to the first direction and has a pore ratio of 1% or less.

この構成によれば、サイドマージン部のポア率が1%以下である。これにより、サイドマージン部の緻密性が高いため、サイドマージン部の厚みを薄くしても、サイドマージン部を介して外界から積層部へ水分等が侵入しにくくなる。
従って、本発明により、サイドマージン部の厚みを薄くしても、耐湿性が確保される積層セラミックコンデンサを製造することが可能となる。
According to this configuration, the pore ratio of the side margin portion is 1% or less. Thereby, since the density of the side margin portion is high, even if the thickness of the side margin portion is reduced, it becomes difficult for moisture or the like to enter the laminated portion from the outside through the side margin portion.
Therefore, according to the present invention, it is possible to manufacture a multilayer ceramic capacitor in which moisture resistance is ensured even if the thickness of the side margin portion is reduced.

上記サイドマージン部は、上記第2の方向の寸法が5μm以上であってもよい。
これにより、積層セラミックコンデンサの耐湿性をより向上させることが可能となる。
The side margin portion may have a dimension in the second direction of 5 μm or more.
Thereby, the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor can be further improved.

上記複数の内部電極は、上記サイドマージン部に隣接し、上記第2の方向の寸法が0.4μm以上である酸化領域を有していてもよい。
酸化領域の第2の方向の寸法を0.4μm以上とすることにより、積層セラミックコンデンサにおける内部電極間の短絡不良やIR不良を抑制することができる。
The plurality of internal electrodes may have an oxidized region adjacent to the side margin portion and having a dimension in the second direction of 0.4 μm or more.
By setting the size of the oxidized region in the second direction to 0.4 μm or more, it is possible to suppress short-circuit failure between the internal electrodes and IR failure in the multilayer ceramic capacitor.

上記サイドマージン部は、上記第2の方向の寸法が15μm以下であってもよい。
これにより、積層セラミックコンデンサの耐湿性が確保される。
The side margin portion may have a dimension in the second direction of 15 μm or less.
Thereby, the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor is ensured.

上記サイドマージン部は、上記第2の方向の寸法が10μm以下であってもよい。
これにより、積層部からサイドマージン部が剥離しているか否かを、光学顕微鏡等を使用することによって、積層セラミックコンデンサを破壊することなく検出することができる。
The side margin portion may have a dimension in the second direction of 10 μm or less.
Thereby, it is possible to detect whether or not the side margin portion is peeled from the laminated portion without destroying the laminated ceramic capacitor by using an optical microscope or the like.

上記積層部は、上記第1の方向の寸法が上記サイドマージン部の上記第2の方向の寸法以上であるカバー部を有してもよい。   The laminated part may include a cover part having a dimension in the first direction equal to or larger than a dimension in the second direction of the side margin part.

これにより、外界から積層部へ水分等が侵入しにくくなり、積層セラミックコンデンサの耐湿性の低下を抑制することができる。   This makes it difficult for moisture and the like to enter the multilayer portion from the outside, and suppresses a decrease in moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor.

本発明の一形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、第1の方向に積層された複数のセラミック層、及び上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極を有する容量形成部と、絶縁性セラミックスからなり、上記第1の方向から上記容量形成部を覆うカバー部と、を有する未焼成の積層チップが作製され、
絶縁性セラミックスからなるサイドマージン部で、上記第1の方向と直交する第2の方向から上記積層チップを覆うことにより、未焼成の素体が作製され、
上記未焼成の素体を焼成することにより、焼成後の上記サイドマージン部のポア率が1%以下である素体が作製される。
例えば、上記積層セラミックコンデンサの製造方法は、未焼成の内部電極が形成された複数のセラミックシートを第1の方向に積層して圧着することで、上記第1の方向に積層された複数のセラミック層、及び上記複数のセラミック層の間に配置された上記複数の内部電極を有する容量形成部と、絶縁性セラミックスからなり、上記第1の方向から上記容量形成部を覆う未焼成のカバー部と、をそれぞれ有する複数の未焼成の積層チップを得るための未焼成の積層シートが作製され、
上記未焼成の積層シートを切断することで、上記未焼成の積層チップが作製され、
絶縁性セラミックスからなる未焼成のサイドマージン部で、上記第1の方向と直交する第2の方向から上記積層チップを覆うことにより、未焼成の素体が作製され、
上記未焼成の素体に静水圧加圧が施され、
静水圧加圧を施した上記未焼成の素体を焼成することにより、焼成後の上記サイドマージン部のポア率が1%以下である素体が作製される。
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to an aspect of the present invention includes a plurality of ceramic layers stacked in a first direction, and a capacitor forming unit including a plurality of internal electrodes disposed between the plurality of ceramic layers. A non-fired laminated chip made of insulating ceramics and having a cover portion covering the capacitance forming portion from the first direction,
By covering the laminated chip from a second direction orthogonal to the first direction at a side margin portion made of insulating ceramic, an unfired element body is produced,
By firing the unfired element body, an element body having a pore ratio of 1% or less in the side margin after firing is produced.
For example, in the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor, a plurality of ceramic sheets laminated in the first direction are formed by laminating and pressing a plurality of ceramic sheets on which unfired internal electrodes are formed in the first direction. And a capacitor forming part having the plurality of internal electrodes arranged between the plurality of ceramic layers, an unfired cover part made of insulating ceramics and covering the capacitor forming part from the first direction; In order to obtain a plurality of unfired laminated chips each having an unfired laminated sheet,
By cutting the unfired laminated sheet, the unfired laminated chip is produced,
By covering the laminated chip from a second direction orthogonal to the first direction with an unfired side margin made of insulating ceramic, an unfired element body is produced,
Hydrostatic pressure is applied to the green body,
By firing the unfired element body that has been subjected to hydrostatic pressure, an element body having a pore ratio of 1% or less in the side margin after firing is produced.

上記製造方法によれば、焼成後のサイドマージン部のポア率が1%以下である。これにより、焼成後のサイドマージン部の緻密性が高いためサイドマージン部の厚みを薄くしても、サイドマージン部を介して外界から容量形成部へ水分等が侵入しにくくなる。従って、上記製造方法により、サイドマージン部の厚みを薄くしても、耐湿性が確保される積層セラミックコンデンサを製造することができる。   According to the manufacturing method, the pore ratio of the side margin after firing is 1% or less. Thereby, since the denseness of the side margin part after baking is high, even if the thickness of the side margin part is reduced, it becomes difficult for moisture or the like to enter the capacitance forming part from the outside through the side margin part. Therefore, even if the thickness of the side margin portion is reduced by the above manufacturing method, it is possible to manufacture a multilayer ceramic capacitor in which moisture resistance is ensured.

上記カバー部の上記第1の方向の寸法が、上記サイドマージン部の上記第2の方向の寸法以上であってもよい。
これにより、外界から積層チップへ水分等が侵入しにくくなり、積層セラミックコンデンサの耐湿性の低下を抑制することができる。
The dimension of the cover part in the first direction may be greater than or equal to the dimension of the side margin part in the second direction.
This makes it difficult for moisture and the like to enter the multilayer chip from the outside, and suppresses a decrease in moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor.

上記サイドマージン部は、上記第2の方向の寸法が20μm以下であってもよい。   The side margin portion may have a dimension in the second direction of 20 μm or less.

これにより、未焼成の素体の焼成時において、サイドマージン部を介して内部電極に酸素が供給されやすくなり、内部電極の端部に酸化領域が良好に形成される。
従って、製造過程で、内部電極の端部が露出した積層チップの側面に異物等が付着したとしても、焼成後の素体の側面おける異物等を介した内部電極同士の導通が抑制される。よって、内部電極間の短絡不良やIR不良等が効果的に抑制される。
This facilitates the supply of oxygen to the internal electrode through the side margin when firing the unfired element body, and an oxidized region is favorably formed at the end of the internal electrode.
Therefore, even if foreign matter or the like adheres to the side surface of the laminated chip where the end portion of the internal electrode is exposed in the manufacturing process, conduction between the internal electrodes through the foreign matter or the like on the side surface of the element body after firing is suppressed. Therefore, short-circuit failure between internal electrodes, IR failure, and the like are effectively suppressed.

上記積層チップが絶縁性セラミックスを主成分とするサイドマージンシートを打ち抜くことにより、上記サイドマージン部で上記未焼成の素体を覆ってもよい。   The laminated chip may cover the unfired element body with the side margin portion by punching a side margin sheet whose main component is an insulating ceramic.

上記未焼成の素体に静水圧加圧が施されてもよい。   Hydrostatic pressure may be applied to the green body.

上記未焼成の素体に脱バインダ処理を施し、
脱バインダ処理が施された上記サイドマージン部にセラミックスを堆積させてもよい。
Binder removal treatment is applied to the green body.
Ceramics may be deposited on the side margin portion subjected to the binder removal treatment.

脱バインダ処理が施された上記サイドマージン部にセラミックスの粉体を吹き付けてもよい。   Ceramic powder may be sprayed onto the side margin portion that has been subjected to the binder removal treatment.

脱バインダ処理が施された上記サイドマージン部にセラミックスをスパッタリングしてもよい。   Ceramics may be sputtered on the side margin portion that has been subjected to the binder removal treatment.

脱バインダ処理が施された上記サイドマージン部にセラミックスを真空蒸着してもよい。   Ceramics may be vacuum-deposited on the side margin portion that has been subjected to binder removal processing.

サイドマージン部の厚みを薄くしても、耐湿性が確保される積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することができる。   Even if the thickness of the side margin portion is reduced, it is possible to provide a multilayer ceramic capacitor in which moisture resistance is ensured and a method for manufacturing the same.

本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention. 上記積層セラミックコンデンサの図1のA−A'線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA 'line of FIG. 1 of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの図1のB−B'線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the BB 'line | wire of FIG. 1 of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの図3の領域Pを拡大して示す模式図である。FIG. 4 is an enlarged schematic view showing a region P of FIG. 3 of the multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。It is a top view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。It is a top view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 従来の積層セラミックコンデンサの素体の側面図である。It is a side view of the base body of the conventional multilayer ceramic capacitor. 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the manufacturing process of the said multilayer ceramic capacitor. 本発明の実施例に係る積層セラミックコンデンサの評価結果を示すグラフである。It is a graph which shows the evaluation result of the multilayer ceramic capacitor which concerns on the Example of this invention. 上記積層セラミックコンデンサの評価結果を示すグラフである。It is a graph which shows the evaluation result of the said multilayer ceramic capacitor.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するX軸、Y軸、及びZ軸が示されている。X軸、Y軸、及びZ軸は全図において共通である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the drawing, an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other are shown as appropriate. The X axis, Y axis, and Z axis are common in all drawings.

[積層セラミックコンデンサ10の全体構成]
図1〜3は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10を示す図である。図1は、積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、積層セラミックコンデンサ10の図1のA−A'線に沿った断面図である。図3は、積層セラミックコンデンサ10の図1のB−B'線に沿った断面図である。
[Overall Configuration of Multilayer Ceramic Capacitor 10]
1 to 3 are views showing a multilayer ceramic capacitor 10 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor 10. 2 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor 10 taken along the line AA ′ of FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor 10 taken along line BB ′ of FIG.

積層セラミックコンデンサ10は、素体11と、第1外部電極14と、第2外部電極15と、を具備する。
素体11は、典型的には、Y軸方向を向いた2つの側面と、Z軸方向を向いた2つの主面と、を有する。素体11の各面を接続する稜部は面取りされている。なお、素体11の形状はこのような形状に限定されない。例えば、素体11の各面は曲面であってもよく、素体11は全体として丸みを帯びた形状であってもよい。
第1及び第2外部電極14,15は、素体11のX軸方向両端面を覆い、X軸方向両端面に接続する4つの面に延出している。これにより、第1及び第2外部電極14,15のいずれにおいても、X−Z平面に平行な断面及びX−Y軸に平行な断面の形状がU字状となっている。
The multilayer ceramic capacitor 10 includes an element body 11, a first external electrode 14, and a second external electrode 15.
The element body 11 typically has two side surfaces facing the Y-axis direction and two main surfaces facing the Z-axis direction. The ridges connecting the surfaces of the element body 11 are chamfered. The shape of the element body 11 is not limited to such a shape. For example, each surface of the element body 11 may be a curved surface, and the element body 11 may have a rounded shape as a whole.
The first and second external electrodes 14 and 15 cover the both end surfaces in the X-axis direction of the element body 11 and extend to four surfaces connected to the both end surfaces in the X-axis direction. Thereby, in any of the first and second external electrodes 14 and 15, the shape of the cross section parallel to the XZ plane and the cross section parallel to the XY axis is U-shaped.

素体11は、積層部16と、サイドマージン部17と、を有する。
積層部16は、X−Y平面に沿って延びる平板状の複数のセラミック層がZ軸方向に積層された構成を有する。
The element body 11 includes a stacked portion 16 and a side margin portion 17.
The stacked unit 16 has a configuration in which a plurality of flat ceramic layers extending along the XY plane are stacked in the Z-axis direction.

積層部16は、容量形成部18と、カバー部19と、を有する。
容量形成部18は、複数の第1内部電極12と、複数の第2内部電極13と、を有する。第1及び第2内部電極12,13は、複数のセラミック層の間に、Z軸方向に沿って交互に配置されている。第1内部電極12は、第1外部電極14に接続され、第2外部電極15から絶縁されている。第2内部電極13は、第2外部電極15に接続され、第1外部電極14から絶縁されている。
The stacked unit 16 includes a capacitance forming unit 18 and a cover unit 19.
The capacitance forming unit 18 includes a plurality of first internal electrodes 12 and a plurality of second internal electrodes 13. The first and second internal electrodes 12, 13 are alternately arranged between the plurality of ceramic layers along the Z-axis direction. The first internal electrode 12 is connected to the first external electrode 14 and insulated from the second external electrode 15. The second internal electrode 13 is connected to the second external electrode 15 and insulated from the first external electrode 14.

第1及び第2内部電極12,13は、それぞれ導電性材料からなり、積層セラミックコンデンサ10の内部電極として機能する。当該導電性材料としては、例えばニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)、金(Au)、又はこれらの合金を含む金属材料を用いることができ、典型的にはニッケル(Ni)を主成分とする金属材料が採用される。   The first and second internal electrodes 12 and 13 are each made of a conductive material and function as internal electrodes of the multilayer ceramic capacitor 10. As the conductive material, for example, a metal material containing nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), gold (Au), or an alloy thereof is used. Typically, a metal material mainly composed of nickel (Ni) is employed.

容量形成部18は、セラミックスによって形成されている。容量形成部18では、第1内部電極12と第2内部電極13との間の各セラミック層の容量を大きくするため、セラミック層を構成する材料として高誘電率の材料が用いられる。容量形成部18を構成する材料としては、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO)系材料の多結晶体、つまりバリウム(Ba)及びチタン(Ti)を含むペロブスカイト構造の多結晶体を用いることができる。 The capacity forming part 18 is formed of ceramics. In the capacitance forming portion 18, a high dielectric constant material is used as a material constituting the ceramic layer in order to increase the capacitance of each ceramic layer between the first internal electrode 12 and the second internal electrode 13. As a material constituting the capacitance forming portion 18, for example, a polycrystal of barium titanate (BaTiO 3 ) -based material, that is, a perovskite structure polycrystal including barium (Ba) and titanium (Ti) can be used. .

また、容量形成部18を構成する材料は、チタン酸バリウム(BaTiO)系以外にも、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)系、チタン酸カルシウム(CaTiO)系、チタン酸マグネシウム(MgTiO)系、ジルコン酸カルシウム(CaZrO)系、チタン酸ジルコン酸カルシウム(Ca(Zr,Ti)O)系、ジルコン酸バリウム(BaZrO)系又は酸化チタン(TiO)系材料等の多結晶体であってもよい。 In addition to the barium titanate (BaTiO 3 ) system, the material forming the capacitance forming unit 18 is not limited to the strontium titanate (SrTiO 3 ) system, the calcium titanate (CaTiO 3 ) system, and the magnesium titanate (MgTiO 3 ) system. A polycrystal such as calcium zirconate (CaZrO 3 ), calcium zirconate titanate (Ca (Zr, Ti) O 3 ), barium zirconate (BaZrO 3 ) or titanium oxide (TiO 2 ) There may be.

カバー部19は、X−Y平面に沿って延びる平板状であり、容量形成部18のZ軸方向上下面をそれぞれ覆っている。カバー部19には、第1及び第2内部電極12,13が設けられていない。   The cover portion 19 has a flat plate shape extending along the XY plane, and covers the upper and lower surfaces of the capacitance forming portion 18 in the Z-axis direction. The cover portion 19 is not provided with the first and second internal electrodes 12 and 13.

サイドマージン部17は、図3に示すように、容量形成部18及びカバー部19のY軸方向を向いた両側面S1,S2に形成されている。   As shown in FIG. 3, the side margin portion 17 is formed on both side surfaces S <b> 1 and S <b> 2 of the capacitance forming portion 18 and the cover portion 19 facing the Y-axis direction.

このように、素体11において、容量形成部18の第1及び第2外部電極14,15が設けられたX軸方向両端面以外の面がサイドマージン部17及びカバー部19によって覆われている。サイドマージン部17及びカバー部19は、主に、容量形成部18の周囲を保護し、第1及び第2内部電極12,13の絶縁性を確保する機能を有する。   As described above, in the element body 11, the surfaces other than the both end surfaces in the X-axis direction where the first and second external electrodes 14 and 15 of the capacitance forming portion 18 are provided are covered with the side margin portion 17 and the cover portion 19. . The side margin portion 17 and the cover portion 19 mainly have a function of protecting the periphery of the capacitance forming portion 18 and ensuring the insulation of the first and second internal electrodes 12 and 13.

サイドマージン部17及びカバー部19も、セラミックスによって形成されている。サイドマージン部17及びカバー部19を形成するセラミックスは、容量形成部18の主相と同種の組成系を主相とする誘電体の多結晶体であることが好ましい。これにより、素体11における内部応力が抑制される。   The side margin part 17 and the cover part 19 are also formed of ceramics. The ceramic forming the side margin portion 17 and the cover portion 19 is preferably a dielectric polycrystal having the same composition system as the main phase of the capacitance forming portion 18 as a main phase. Thereby, the internal stress in the element body 11 is suppressed.

サイドマージン部17は、ポア率が1%以下である。これにより、サイドマージン部17を構成するセラミックスの緻密性が高くなっているため、サイドマージン部17を介して外界から容量形成部18へ水分が侵入しにくくなる。よって、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性が確保される。   The side margin portion 17 has a pore ratio of 1% or less. As a result, the density of the ceramics constituting the side margin portion 17 is high, so that it is difficult for moisture to enter the capacitance forming portion 18 from the outside through the side margin portion 17. Therefore, the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10 is ensured.

さらに、サイドマージン部17のポア率が1%以下であることから、サイドマージン部17は物理的な衝撃に対する高い剛性を有する。これにより、積層セラミックコンデンサ10も外界から物理的な衝撃が加えられることに対する剛性が向上している。   Further, since the pore ratio of the side margin portion 17 is 1% or less, the side margin portion 17 has high rigidity against physical impact. As a result, the multilayer ceramic capacitor 10 also has improved rigidity against a physical impact from the outside.

なお、本実施形態のポア率は、例えば以下の手順により算出される。まず、サイドマージン部17の断面をSEM(Scanning Electron Microscope)によって所定の倍率で撮像する。次いで、サイドマージン部17の断面を撮像した画像に写っているポアを複数個選択してポアの断面積を測定し、その平均値を算出する。そして、撮像されたサイドマージン部17の断面積に対する当該平均値の割合を算出する。   Note that the pore ratio of the present embodiment is calculated by the following procedure, for example. First, the cross section of the side margin portion 17 is imaged at a predetermined magnification using a scanning electron microscope (SEM). Next, a plurality of pores appearing in an image obtained by imaging the cross section of the side margin portion 17 are selected, the cross sectional area of the pores is measured, and an average value thereof is calculated. And the ratio of the said average value with respect to the cross-sectional area of the imaged side margin part 17 is calculated.

本実施形態では、サイドマージン部17のY軸方向の寸法D1を小さくすることが好ましい。寸法D1を小さくすることで、内部電極12,13の交差面積を極力大きくすることでき、積層セラミックコンデンサ10の容量を大きくすることができる。
しかしながら、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性を確保する観点から、寸法D1は5μm以上であることが好ましい。
In the present embodiment, it is preferable to reduce the dimension D1 of the side margin portion 17 in the Y-axis direction. By reducing the dimension D1, the crossing area of the internal electrodes 12, 13 can be increased as much as possible, and the capacitance of the multilayer ceramic capacitor 10 can be increased.
However, from the viewpoint of ensuring the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10, the dimension D1 is preferably 5 μm or more.

また、本実施形態では、サイドマージン部17の寸法D1を10μm以下とすることが好ましい。これにより、積層部16とサイドマージン部17との間に隙間がある場合に、この隙間を、サイドマージン部17の表面を光学顕微鏡等で観察することによって検出することが可能となる。
従って、積層部16とサイドマージン部17との間の隙間を、積層セラミックコンデンサ10の断面を観察せずに検出することができる。
即ち、積層部16からサイドマージン部17が剥離しているか否かを、光学顕微鏡等を使用することによって、積層セラミックコンデンサ10を破壊することなく検出することができる。
In the present embodiment, it is preferable that the dimension D1 of the side margin portion 17 is 10 μm or less. Thereby, when there is a gap between the stacked portion 16 and the side margin portion 17, this gap can be detected by observing the surface of the side margin portion 17 with an optical microscope or the like.
Therefore, the gap between the multilayer part 16 and the side margin part 17 can be detected without observing the cross section of the multilayer ceramic capacitor 10.
That is, it is possible to detect whether or not the side margin portion 17 is peeled from the multilayer portion 16 by using an optical microscope or the like without destroying the multilayer ceramic capacitor 10.

本実施形態に係るサイドマージン部17、容量形成部18及びカバー部19は、バリウム(Ba)及びチタン(Ti)以外に、例えば、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ケイ素(Si)、ホウ素(B)、イットリウム(Y)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、リチウム(Li)、カリウム(K)又はナトリウム(Na)等の金属元素を一種又は複数種更に含有してもよい。   The side margin portion 17, the capacitance forming portion 18, and the cover portion 19 according to the present embodiment include, for example, magnesium (Mg), manganese (Mn), aluminum (Al), calcium, in addition to barium (Ba) and titanium (Ti). (Ca), vanadium (V), chromium (Cr), zirconium (Zr), molybdenum (Mo), tungsten (W), tantalum (Ta), niobium (Nb), silicon (Si), boron (B), yttrium (Y), europium (Eu), gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), ytterbium (Yb), lithium (Li), potassium (K) or sodium (Na), etc. One or more metal elements may be further contained.

上記の構成により、積層セラミックコンデンサ10では、第1外部電極14と第2外部電極15との間に電圧が印加されると、第1内部電極12と第2内部電極13との間の複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ10では、第1外部電極14と第2外部電極15との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。   With the above configuration, in the multilayer ceramic capacitor 10, when a voltage is applied between the first external electrode 14 and the second external electrode 15, a plurality of pieces between the first internal electrode 12 and the second internal electrode 13 are provided. A voltage is applied to the ceramic layer. As a result, in the multilayer ceramic capacitor 10, charges corresponding to the voltage between the first external electrode 14 and the second external electrode 15 are stored.

なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10は、積層部16及びサイドマージン部17を備えていればよく、その他の構成について適宜変更可能である。例えば、第1及び第2内部電極12,13の枚数は、積層セラミックコンデンサ10に求められるサイズや性能に応じて、適宜決定可能である。
また、図2,3では、第1及び第2内部電極12,13の対向状態を見やすくするために、第1及び第2内部電極12,13の枚数をそれぞれ4枚に留めている。しかし、実際には、積層セラミックコンデンサ10の容量を確保するために、より多くの第1及び第2内部電極12,13が設けられている。
Note that the multilayer ceramic capacitor 10 according to the present embodiment only needs to include the multilayer portion 16 and the side margin portion 17, and other configurations can be appropriately changed. For example, the number of the first and second internal electrodes 12 and 13 can be appropriately determined according to the size and performance required for the multilayer ceramic capacitor 10.
2 and 3, the number of the first and second internal electrodes 12 and 13 is limited to four to make it easier to see the facing state of the first and second internal electrodes 12 and 13. However, in practice, more first and second internal electrodes 12 and 13 are provided to ensure the capacity of the multilayer ceramic capacitor 10.

図4は、図3に示した領域Pを拡大して示す模式図であり、第1及び第2内部電極12,13の端部を拡大して示す模式図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the region P shown in FIG. 3 in an enlarged manner, and is a schematic diagram showing the end portions of the first and second internal electrodes 12 and 13 in an enlarged manner.

第1及び第2内部電極12,13は図4に示すように、積層部16の側面S2に露出した端部に、酸化領域Eが形成されている。酸化領域Eは酸化により導電性が低下した領域である。また、酸化領域Eは、同図に示すように、サイドマージン部17に隣接するように内部電極12,13の端部に形成されている。   As shown in FIG. 4, the first and second internal electrodes 12, 13 have an oxidation region E formed at the end exposed at the side surface S <b> 2 of the stacked portion 16. Oxidized region E is a region where conductivity is reduced by oxidation. In addition, as shown in the figure, the oxidized region E is formed at the end portions of the internal electrodes 12 and 13 so as to be adjacent to the side margin portion 17.

一例として、酸化領域Eは、サイドマージン部17、カバー部19及び容量形成部18に含まれている金属元素と、内部電極12,13を構成する金属元素とを含む複合酸化物(例えば、3元系酸化物)を主成分として構成されている。   As an example, the oxidation region E is a complex oxide (for example, 3) including a metal element included in the side margin portion 17, the cover portion 19, and the capacitance forming portion 18 and a metal element constituting the internal electrodes 12 and 13. (Elementary oxide) as a main component.

また、酸化領域Eは、第1及び第2内部電極12,13の端部の全てに形成されていることが好ましいが、一部に形成されていなくてもよい。   Further, the oxidized region E is preferably formed on all of the end portions of the first and second internal electrodes 12 and 13, but may not be formed on a part thereof.

酸化領域EのY軸方向の寸法D2は、例えば数百〜数千nm程度とすることができ、400nm以上とすることが好ましい。本実施形態では、酸化領域Eの寸法D2を400nm以上とすることにより、積層セラミックコンデンサ10における内部電極12,13間の短絡不良やIR(Insulation Resistance)不良を抑制することができる。   The dimension D2 of the oxidation region E in the Y-axis direction can be, for example, about several hundred to several thousand nm, and is preferably 400 nm or more. In the present embodiment, by setting the dimension D2 of the oxidized region E to 400 nm or more, it is possible to suppress a short circuit failure between the internal electrodes 12 and 13 and an IR (Insulation Resistance) failure in the multilayer ceramic capacitor 10.

図4では、説明の便宜上、複数の酸化領域Eの寸法D2を等しく示している。しかし、本実施形態では、酸化領域Eごとに寸法D2がそれぞれ異なっていてもよい。この場合、酸化領域Eの寸法D2は、全ての内部電極12,13の端部に形成されている酸化領域Eの平均値とすることができる。   In FIG. 4, the dimension D2 of the plurality of oxidized regions E is equally shown for convenience of explanation. However, in this embodiment, the dimension D2 may be different for each oxidation region E. In this case, the dimension D2 of the oxidized region E can be an average value of the oxidized regions E formed at the end portions of all the internal electrodes 12 and 13.

[積層セラミックコンデンサ10の製造方法]
図5は、積層セラミックコンデンサ10の製造方法を示すフローチャートである。図6〜16は積層セラミックコンデンサの製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサの製造方法について、図5に沿って、図6〜16を適宜参照しながら説明する。
[Method of Manufacturing Multilayer Ceramic Capacitor 10]
FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor 10. 6 to 16 are views showing a manufacturing process of the multilayer ceramic capacitor. Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor will be described with reference to FIGS.

(ステップS01:セラミックシート準備工程)
ステップS01では、容量形成部18を形成するための第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102と、カバー部19を形成するための第3セラミックシート103と、を準備する。セラミックシート101,102,103は、絶縁性セラミックスを主成分とし、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。セラミックシート101,102,103は、例えば、ロールコーターやドクターブレードを用いてシート状に成形される。
(Step S01: Ceramic sheet preparation process)
In step S01, a first ceramic sheet 101 and a second ceramic sheet 102 for forming the capacitance forming portion 18 and a third ceramic sheet 103 for forming the cover portion 19 are prepared. The ceramic sheets 101, 102, and 103 are mainly composed of insulating ceramics and are configured as unfired dielectric green sheets. The ceramic sheets 101, 102, and 103 are formed into a sheet shape using, for example, a roll coater or a doctor blade.

図6は、セラミックシート101,102,103の平面図である。この段階では、セラミックシート101,102,103は各積層セラミックコンデンサ10ごとに切り分けられていない。図6には、各積層セラミックコンデンサ10ごとに切り分ける際の切断線Lx,Lyが示されている。切断線LxはX軸に平行であり、切断線LyはY軸に平行である。   FIG. 6 is a plan view of the ceramic sheets 101, 102, 103. At this stage, the ceramic sheets 101, 102, 103 are not cut for each multilayer ceramic capacitor 10. FIG. 6 shows cutting lines Lx and Ly when cutting each multilayer ceramic capacitor 10. The cutting line Lx is parallel to the X axis, and the cutting line Ly is parallel to the Y axis.

図6に示すように、第1セラミックシート101には第1内部電極12に対応する未焼成の第1内部電極112が形成され、第2セラミックシート102には第2内部電極13に対応する未焼成の第2内部電極113が形成されている。なお、カバー部19に対応する第3セラミックシート103には内部電極が形成されていない。   As shown in FIG. 6, the first ceramic sheet 101 is formed with unfired first internal electrodes 112 corresponding to the first internal electrodes 12, and the second ceramic sheet 102 is not yet formed corresponding to the second internal electrodes 13. A fired second internal electrode 113 is formed. Note that no internal electrode is formed on the third ceramic sheet 103 corresponding to the cover portion 19.

第1及び第2内部電極112,113は、例えば、ニッケル(Ni)を含む導電性ペーストを用いて形成することができる。導電性ペーストによる第1及び第2内部電極112,113の形成には、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。   The first and second internal electrodes 112 and 113 can be formed using, for example, a conductive paste containing nickel (Ni). For example, a screen printing method or a gravure printing method can be used to form the first and second internal electrodes 112 and 113 using a conductive paste.

第1及び第2内部電極112,113は、切断線Lyによって仕切られたX軸方向に隣接する2つの領域にわたって配置され、Y軸方向に帯状に延びている。第1内部電極112と第2内部電極113とでは、切断線Lyによって仕切られた領域1列ずつX軸方向にずらされている。つまり、第1内部電極112の中央を通る切断線Lyが第2内部電極113の間の領域を通り、第2内部電極113の中央を通る切断線Lyが第1内部電極112の間の領域を通っている。   The first and second internal electrodes 112 and 113 are disposed over two regions adjacent to each other in the X-axis direction that are partitioned by the cutting line Ly, and extend in a band shape in the Y-axis direction. The first internal electrode 112 and the second internal electrode 113 are shifted in the X-axis direction by one row of regions partitioned by the cutting line Ly. That is, the cutting line Ly passing through the center of the first internal electrode 112 passes through the region between the second internal electrodes 113, and the cutting line Ly passing through the center of the second internal electrode 113 passes through the region between the first internal electrodes 112. Passing through.

(ステップS02:積層工程)
ステップS02では、ステップS01で準備したセラミックシート101,102,103を積層することにより積層シート104を作製する。
(Step S02: Lamination process)
In step S02, the laminated sheet 104 is produced by laminating the ceramic sheets 101, 102, 103 prepared in step S01.

図7は、ステップS02で得られる積層シート104の分解斜視図である。図7では、説明の便宜上、セラミックシート101,102,103を分解して示している。しかし、実際の積層シート104では、セラミックシート101,102,103が静水圧加圧や一軸加圧などにより圧着されて一体化される。これにより、高密度の積層シート104が得られる。   FIG. 7 is an exploded perspective view of the laminated sheet 104 obtained in step S02. In FIG. 7, for convenience of explanation, the ceramic sheets 101, 102, and 103 are shown in an exploded manner. However, in the actual laminated sheet 104, the ceramic sheets 101, 102, and 103 are integrated by being crimped by hydrostatic pressure or uniaxial pressure. Thereby, the high-density laminated sheet 104 is obtained.

積層シート104では、容量形成部18に対応する第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102がZ軸方向に交互に積層されている。
また、積層シート104では、交互に積層された第1及び第2セラミックシート101,102のZ軸方向上下面にカバー部19に対応する第3セラミックシート103が積層される。なお、図7に示す例では、第3セラミックシート103がそれぞれ3枚ずつ積層されているが、第3セラミックシート103の枚数は適宜変更可能である。
In the laminated sheet 104, the first ceramic sheets 101 and the second ceramic sheets 102 corresponding to the capacitance forming unit 18 are alternately laminated in the Z-axis direction.
In the laminated sheet 104, the third ceramic sheet 103 corresponding to the cover portion 19 is laminated on the upper and lower surfaces in the Z-axis direction of the first and second ceramic sheets 101 and 102 that are alternately laminated. In the example shown in FIG. 7, three third ceramic sheets 103 are laminated, but the number of third ceramic sheets 103 can be changed as appropriate.

(ステップS03:切断工程)
ステップS03では、ステップS02で得られた積層シート104を回転刃や押し切り刃などによって切断することにより未焼成の積層チップ116を作製する。
(Step S03: Cutting process)
In step S03, an unfired laminated chip 116 is produced by cutting the laminated sheet 104 obtained in step S02 with a rotary blade or a push cutting blade.

図8は、ステップS03の後の積層シート104の平面図である。積層シート104は、保持部材Cに固定された状態で、切断線Lx,Lyに沿って切断される。これにより、積層シート104が個片化され、積層チップ116が得られる。このとき、保持部材Cは切断されておらず、各積層チップ116は保持部材Cによって接続されている。   FIG. 8 is a plan view of the laminated sheet 104 after step S03. The laminated sheet 104 is cut along the cutting lines Lx and Ly while being fixed to the holding member C. Thereby, the lamination sheet 104 is separated into pieces and the lamination chip 116 is obtained. At this time, the holding member C is not cut, and the laminated chips 116 are connected by the holding member C.

図9は積層シート104が切断されている状態を示す図である。図9では、説明の便宜上、内部電極112,113の枚数を合計で4枚とし、セラミックシート101,102,103の枚数を合計で5枚としている。
積層シート104は、押し切り刃等の切断刃Fにより切断される際に、積層シート104を切断中の切断刃Fが内部電極112,113を引き摺り、内部電極112,113の端部が図9に示すようにZ軸方向に引き延ばされる場合がある。これにより、積層チップ116の側面S3,S4において、引き延ばされた部分を介して内部電極112,113同士が接触することがある。
FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which the laminated sheet 104 is cut. In FIG. 9, for convenience of explanation, the total number of internal electrodes 112 and 113 is four, and the total number of ceramic sheets 101, 102, and 103 is five.
When the laminated sheet 104 is cut by a cutting blade F such as a push cutting blade, the cutting blade F that is cutting the laminated sheet 104 drags the internal electrodes 112 and 113, and the end portions of the internal electrodes 112 and 113 are shown in FIG. As shown, it may be stretched in the Z-axis direction. Thereby, in side surface S3, S4 of the lamination | stacking chip | tip 116, internal electrodes 112 and 113 may contact each other via the extended part.

しかしながら、本実施形態に係る内部電極112,113は後述する焼成工程により、図4に示すように、端部に酸化領域Eが良好に形成される。従って、積層シート104の切断時に内部電極112,113が引き延ばされ、引き延ばされた部分を介して内部電極112,113の端部同士が接触していたとしても内部電極112,113間の短絡不良が抑制される。   However, in the internal electrodes 112 and 113 according to the present embodiment, the oxidized region E is satisfactorily formed at the ends as shown in FIG. Therefore, even when the internal electrodes 112 and 113 are extended when the laminated sheet 104 is cut and the ends of the internal electrodes 112 and 113 are in contact with each other through the extended portions, The short circuit failure is suppressed.

図10は、ステップS03で得られる積層チップ116の斜視図である。積層チップ116には、未焼成の容量形成部118及びカバー部119が形成されている。積層チップ116では、切断面であるY軸方向を向いた両側面S3,S4に未焼成の第1及び第2内部電極112,113が露出している。   FIG. 10 is a perspective view of the multilayer chip 116 obtained in step S03. On the multilayer chip 116, an unfired capacitance forming portion 118 and a cover portion 119 are formed. In the multilayer chip 116, the unfired first and second internal electrodes 112 and 113 are exposed on both side surfaces S3 and S4 facing the Y-axis direction that are cut surfaces.

(ステップS04:サイドマージン部形成工程)
ステップS04では、積層チップ116の側面S3,S4に未焼成のサイドマージン部117を設けることにより、未焼成の素体111を作製する。
(Step S04: Side margin portion forming step)
In step S04, an unfired element body 111 is manufactured by providing unfired side margin portions 117 on the side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116.

ステップS04では、積層チップ116の両側面S3,S4にサイドマージン部117を設けるために、テープなどの保持部材の貼り替えなどにより積層チップ116の向きが適宜変更される。
特に、ステップS04では、ステップS03における積層チップ116の切断面であるY軸方向を向いた両側面S3,S4にサイドマージン部117が設けられる。このため、ステップS04では、予め保持部材Cから積層チップ116を剥がし、積層チップ116の向きを90度回転させておくことが好ましい。
In step S04, in order to provide the side margin portions 117 on the both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116, the orientation of the multilayer chip 116 is appropriately changed by reattaching a holding member such as a tape.
In particular, in step S04, side margin portions 117 are provided on both side surfaces S3 and S4 facing the Y-axis direction, which is a cut surface of the laminated chip 116 in step S03. For this reason, in step S04, it is preferable to peel the laminated chip 116 from the holding member C in advance and rotate the direction of the laminated chip 116 by 90 degrees.

図11〜図13は、ステップS04のプロセスを示す模式図であり、積層チップ116にサイドマージンシート117sが打ち抜かれる様子を示す図である。以下、ステップS04のプロセスについて順を追って説明する。   FIGS. 11 to 13 are schematic diagrams showing the process of step S04, and show how the side margin sheet 117s is punched into the laminated chip 116. FIG. Hereinafter, the process of step S04 will be described in order.

先ず、サイドマージン部117を形成するためのサイドマージンシート117sが準備される。サイドマージンシート117sは、ステップS01で準備されるセラミックシート101,102,103と同様に、絶縁性セラミックスを主成分とし、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。
サイドマージンシート117sは、例えばロールコーターやドクターブレードが用いられることによりシート状に成形される。また、サイドマージンシート117sは、Y軸方向の厚みが薄くなるように調整される。
First, a side margin sheet 117s for forming the side margin portion 117 is prepared. The side margin sheet 117s is composed of an insulating ceramic as a main component and is formed as an unfired dielectric green sheet, similarly to the ceramic sheets 101, 102, and 103 prepared in step S01.
The side margin sheet 117s is formed into a sheet shape by using, for example, a roll coater or a doctor blade. Further, the side margin sheet 117s is adjusted so that the thickness in the Y-axis direction is thin.

次いで、図11に示すように、平板状の弾性体400の上にサイドマージンシート117sが配置される。そして、積層チップ116の側面S4とサイドマージンシート117sがY軸方向に対向するように、積層チップ116が配置される。ステップS04では、積層チップ116の向きがテープ等の保持部材の貼り替え工程によって適宜変更されることにより、図11に示すように、積層チップ116の側面S3がテープTに保持されている。   Next, as shown in FIG. 11, the side margin sheet 117 s is disposed on the flat elastic body 400. Then, the multilayer chip 116 is arranged so that the side surface S4 of the multilayer chip 116 and the side margin sheet 117s face each other in the Y-axis direction. In step S04, the side surface S3 of the laminated chip 116 is held by the tape T as shown in FIG. 11 by appropriately changing the direction of the laminated chip 116 by the attaching process of a holding member such as a tape.

続いて、積層チップ116をサイドマージンシート117sに向かってY軸方向に移動させることにより、積層チップ116の側面S4をサイドマージンシート117sに押し付ける。   Subsequently, the side surface S4 of the multilayer chip 116 is pressed against the side margin sheet 117s by moving the multilayer chip 116 in the Y-axis direction toward the side margin sheet 117s.

この際、図12に示すように、積層チップ116がサイドマージンシート117sと共に弾性体400に食い込む。これに伴い、積層チップ116から弾性体400に加わるY軸方向の押圧力によって、弾性体400がY軸方向に隆起してサイドマージンシート117sを押し上げる。
これにより、弾性体400からサイドマージンシート117sにせん断力が加わり、側面S4とY軸方向に対向するサイドマージンシート117sが切り離される。そして、このサイドマージンシート117sが側面S4に貼り付く。
At this time, as shown in FIG. 12, the laminated chip 116 bites into the elastic body 400 together with the side margin sheet 117s. Accordingly, the elastic body 400 rises in the Y-axis direction and pushes up the side margin sheet 117s by the pressing force in the Y-axis direction applied to the elastic body 400 from the multilayer chip 116.
Thereby, a shearing force is applied from the elastic body 400 to the side margin sheet 117s, and the side margin sheet 117s facing the side surface S4 in the Y-axis direction is cut off. The side margin sheet 117s is attached to the side surface S4.

次いで、積層チップ116が弾性体400と離間するように積層チップ116をY軸方向に移動させると、図13に示すように、側面S4に貼り付いたサイドマージンシート117sのみが弾性体400と離間する。これにより、積層チップ116の側面S4にサイドマージン部117が形成される。   Next, when the laminated chip 116 is moved in the Y-axis direction so that the laminated chip 116 is separated from the elastic body 400, only the side margin sheet 117s attached to the side surface S4 is separated from the elastic body 400 as shown in FIG. To do. As a result, the side margin portion 117 is formed on the side surface S4 of the multilayer chip 116.

ここで、積層チップ116の側面S3,S4がサイドマージンシート117sを打ち抜く際の打ち抜き条件を調整することで、後述の焼成工程後のサイドマージン部17のセラミックスの緻密性を向上させることが可能である。
具体的には、積層チップ116がサイドマージンシート117sを打ち抜く際のスピードや、積層チップ116がサイドマージンシート117sにかける打ち抜き圧力が調整されることで、焼成工程後のサイドマージン部17のセラミックスの緻密性を向上させることが可能である。
Here, by adjusting the punching conditions when the side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116 punch the side margin sheet 117s, it is possible to improve the ceramic density of the side margin portion 17 after the firing step described later. is there.
Specifically, the speed at which the multilayer chip 116 punches the side margin sheet 117s and the punching pressure that the multilayer chip 116 applies to the side margin sheet 117s are adjusted, so that the ceramic of the side margin portion 17 after the firing process is adjusted. It is possible to improve the density.

続いて、テープTに保持されている積層チップ116を別のテープに保持させることにより、積層チップ116の側面S3を露出させ、側面S3とサイドマージンシート117sとをY軸方向に対向させる。そして、側面S4にサイドマージン部117を形成する上記工程と同様の工程を経て、側面S3にもサイドマージン部117を形成する。
これにより、積層チップ116の両側面S3,S4に、サイドマージン部117が形成された未焼成の素体111が得られる。本実施形態では、未焼成の素体111に静水圧加圧等を施すことによっても、焼成後のサイドマージン部17のセラミックスの緻密性が向上する。
Subsequently, by holding the laminated chip 116 held on the tape T on another tape, the side surface S3 of the laminated chip 116 is exposed, and the side surface S3 and the side margin sheet 117s are opposed to each other in the Y-axis direction. Then, the side margin part 117 is formed also on the side surface S3 through the same process as the above process for forming the side margin part 117 on the side surface S4.
As a result, an unfired element body 111 in which side margin portions 117 are formed on both side surfaces S3 and S4 of the laminated chip 116 is obtained. In the present embodiment, the ceramic density of the side margin portion 17 after firing is also improved by applying hydrostatic pressure to the unfired element body 111.

図14は、ステップS04によって得られる未焼成の素体111の斜視図である。
未焼成の素体111は、側面S3,S4に露出している内部電極112,113の端部がサイドマージン部117に覆われ、内部電極112,113のX軸方向の端部がX軸方向端面S5に露出する構成をとる。
FIG. 14 is a perspective view of the unfired element body 111 obtained in step S04.
In the unfired element body 111, the end portions of the internal electrodes 112 and 113 exposed on the side surfaces S3 and S4 are covered with the side margin portion 117, and the end portions in the X-axis direction of the internal electrodes 112 and 113 are in the X-axis direction. The structure exposed to end surface S5 is taken.

図15は、従来の積層セラミックコンデンサの素体の製造過程を示す図であり、この素体の側面図である。図15を参照して、サイドマージンシート117sの厚みが調整されることによる作用を説明する。   FIG. 15 is a view showing a manufacturing process of a conventional multilayer ceramic capacitor element body, and is a side view of the element body. With reference to FIG. 15, the effect | action by adjusting the thickness of the side margin sheet | seat 117s is demonstrated.

従来の積層セラミックコンデンサでは、製造過程で、サイドマージン部を形成するためのサイドマージンシートが厚いと、積層チップ316がサイドマージンシートを打ち抜く際のサイドマージンシートの切断性が悪い場合がある。
これにより、サイドマージンシートの打ち抜きによってサイドマージン部317が形成された積層チップ316の側面S7において、図15に示すように内部電極312の端部312aが露出することがある。
In the conventional multilayer ceramic capacitor, if the side margin sheet for forming the side margin portion is thick in the manufacturing process, the cutability of the side margin sheet may be poor when the multilayer chip 316 punches the side margin sheet.
As a result, the end portion 312a of the internal electrode 312 may be exposed on the side surface S7 of the multilayer chip 316 where the side margin portion 317 is formed by punching the side margin sheet, as shown in FIG.

内部電極312の端部312aが絶縁性を有するサイドマージン部317に被覆されずに、側面S7に露出してしまうと、製造過程でサイドマージン部317に被覆されていない側面S7に異物等が付着した場合に、焼成後の積層セラミックコンデンサにおいて、この異物を介して内部電極312の端部312a同士が導通し合い、短絡不良を引き起こすおそれがある。
また、サイドマージン部317が内部電極312の端部312aを被覆していないことから、端部312aが水分等から保護されにくくなるため、焼成後の積層セラミックコンデンサの耐湿性が低下するおそれもある。
If the end 312a of the internal electrode 312 is exposed to the side surface S7 without being covered with the insulating side margin portion 317, foreign matter or the like adheres to the side surface S7 that is not covered with the side margin portion 317 during the manufacturing process. In such a case, in the fired multilayer ceramic capacitor, the end portions 312a of the internal electrode 312 are electrically connected to each other through the foreign matter, which may cause a short circuit failure.
Further, since the side margin portion 317 does not cover the end portion 312a of the internal electrode 312, the end portion 312a is not easily protected from moisture and the like, and thus the moisture resistance of the fired multilayer ceramic capacitor may be reduced. .

これに対し、本実施形態に係るサイドマージンシート117sは厚みが薄くなるように調整される。これにより、これまでのサイドマージンシートよりも、サイドマージンシート117sは積層チップ116に打ち抜かれる際の切断性が向上している。   On the other hand, the side margin sheet 117s according to the present embodiment is adjusted to be thin. As a result, the side margin sheet 117s is more easily cut than the conventional side margin sheet when the laminated chip 116 is punched.

よって、積層チップ116がサイドマージンシート117sを打ち抜くことにより形成された未焼成の素体111は、図14に示すように、内部電極112,113の端部が側面S3,S4に露出していない構成となる。
従って、側面S3,S4に内部電極112,113の端部が露出することに起因する積層セラミックコンデンサ10の短絡不良と耐湿性の低下が抑制される。
Therefore, the unfired element body 111 formed by punching the side margin sheet 117s by the laminated chip 116 does not expose the end portions of the internal electrodes 112 and 113 to the side surfaces S3 and S4 as shown in FIG. It becomes composition.
Therefore, short circuit failure and a decrease in moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10 due to the exposure of the end portions of the internal electrodes 112 and 113 on the side surfaces S3 and S4 are suppressed.

なお、積層チップ116の両側面S3,S4にサイドマージン部117を形成する方法は、上記のサイドマージンシート117sを打ち抜く方法に限定されるものではない。
例えば、予め切断されているサイドマージンシート117sを積層チップ116の両側面S3,S4に貼り付けることによって、サイドマージン部117を形成してもよい。
あるいは、セラミックスからなるペースト材に積層チップ116の両側面S3,S4を浸漬させて、引き上げるディップ法によって、積層チップ116の両側面S3,S4にサイドマージン部117を形成してもよい。
Note that the method of forming the side margin portion 117 on both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116 is not limited to the method of punching the side margin sheet 117s.
For example, the side margin sheet 117s may be formed by pasting side margin sheets 117s that have been cut in advance to both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116.
Alternatively, the side margin portions 117 may be formed on both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116 by dipping the both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116 in a paste material made of ceramics.

(ステップS05:バレル研磨工程)
ステップS05では、ステップS04で得られた未焼成の素体111にバレル研磨を施すことにより、素体111を面取りする。
(Step S05: barrel polishing process)
In step S05, the base body 111 is chamfered by barrel-polishing the unfired base body 111 obtained in step S04.

上述のステップS04では、積層チップ116の両側面S3,S4にシート状のサイドマージン部117が形成されることにより、未焼成の素体111が形成される。このため、素体111には、図14に示すように、素体111の各面を接続する稜部(2つの面が交わる箇所)や角部(3つの面が交わる箇所)が存在する。   In the above-described step S04, the unfired element body 111 is formed by forming sheet-like side margin portions 117 on both side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116. For this reason, as shown in FIG. 14, the element body 111 has ridges (locations where two surfaces intersect) and corners (locations where three surfaces intersect) connecting each surface of the element body 111.

素体111に稜部と角部が存在していると、製造過程で素体111同士が衝突することにより、素体111に割れや欠けが生じてしまう。従って、このような割れや欠けを抑制するため、素体111は稜部と角部が面取りされる。   If the element body 111 has ridges and corners, the element bodies 111 collide with each other in the manufacturing process, so that the element body 111 is cracked or chipped. Accordingly, in order to suppress such cracks and chips, the ridges and corners of the element body 111 are chamfered.

素体111の稜部と角部を面取りする加工方法としては、製造効率を向上させる上で、バレル研磨が有効である。バレル研磨は、例えば、複数の未焼成の素体111と研磨媒体と液体とをバレル容器に封入し、バレル容器に回転運動や振動を与えることにより実行可能である。   As a processing method for chamfering the ridges and corners of the element body 111, barrel polishing is effective in improving manufacturing efficiency. Barrel polishing can be performed, for example, by enclosing a plurality of unfired element bodies 111, a polishing medium, and a liquid in a barrel container, and applying a rotational motion or vibration to the barrel container.

図16は、バレル研磨後の未焼成の素体111の拡大断面図であり、容量形成部118の稜部R付近を拡大して示す図である。   FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of the unfired element body 111 after barrel polishing, and is an enlarged view showing the vicinity of the ridge portion R of the capacitance forming portion 118.

一般的に、積層チップと、サイドマージン部とから構成される未焼成の素体は、バレル研磨等により稜部や角部が面取りされると、容量形成部の稜部付近のサイドマージン部の厚みが過剰に薄くなりやすい。
このため、サイドマージン部の過剰に薄くなった箇所を介して、外界から積層チップへ水分等が侵入しやくなり、積層セラミックコンデンサの耐湿性が低下するおそれがある。
In general, an unfired element body composed of a laminated chip and a side margin portion has a side margin portion near the ridge portion of the capacitance forming portion when the ridge portion and the corner portion are chamfered by barrel polishing or the like. The thickness tends to be excessively thin.
For this reason, moisture or the like tends to enter the multilayer chip from the outside through the excessively thinned portion of the side margin portion, and the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor may be reduced.

そこで、本実施形態では、素体111において、カバー部119のZ軸方向の寸法D4が、サイドマージン部117のY軸方向の寸法D3以上となるように、サイドマージンシート117sの厚みが調整される。これにより、バレル研磨後の素体111において、容量形成部118の稜部R付近のサイドマージン部117の寸法D5が過剰に小さくなることが抑制される。   Therefore, in the present embodiment, in the element body 111, the thickness of the side margin sheet 117s is adjusted so that the dimension D4 of the cover portion 119 in the Z-axis direction is equal to or larger than the dimension D3 of the side margin portion 117 in the Y-axis direction. The Thereby, in the element body 111 after barrel polishing, the dimension D5 of the side margin portion 117 near the ridge portion R of the capacitance forming portion 118 is suppressed from being excessively reduced.

ステップS05では、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性を確保する観点から、バレル研磨後の素体111において、サイドマージン部117の寸法D3が、稜部R付近のサイドマージン部117の寸法D5と同程度となることが好ましい。具体的には、バレル研磨後の素体111では、サイドマージン部117の寸法D3,D5が10μm以上となるのが好ましい。   In step S05, from the viewpoint of ensuring the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10, the dimension D3 of the side margin part 117 is approximately the same as the dimension D5 of the side margin part 117 near the ridge R in the element body 111 after barrel polishing. It is preferable that Specifically, in the base body 111 after barrel polishing, the dimensions D3 and D5 of the side margin portion 117 are preferably 10 μm or more.

また、ステップS05では、バレル研磨後の素体111において、カバー部119の寸法D4がサイドマージン部117の寸法D3以上となることが好ましい。これにより、後述の焼成工程後のカバー部19のZ軸方向の寸法がサイドマージン部17のY軸方向の寸法以上となる。
これにより、容量形成部18の稜部R付近のサイドマージン部17を介して、外界から積層チップ16へ水分等が侵入しにくくなり、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性の低下を抑制することができる。
In step S05, in the element body 111 after barrel polishing, the dimension D4 of the cover part 119 is preferably equal to or larger than the dimension D3 of the side margin part 117. Thereby, the dimension of the cover part 19 in the Z-axis direction after the baking process described later becomes equal to or larger than the dimension of the side margin part 17 in the Y-axis direction.
This makes it difficult for moisture and the like to enter the multilayer chip 16 from the outside through the side margin portion 17 in the vicinity of the ridge portion R of the capacitor forming portion 18, and suppresses a decrease in moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10. .

(ステップS06:焼成工程)
ステップS06では、ステップS05で得られた未焼成の素体111を焼成することにより、図1〜3に示す積層セラミックコンデンサ10の素体11を作製する。
つまり、ステップS06により第1及び第2内部電極112,113が第1及び第2内部電極12,13になり、積層チップ116が積層部16になり、サイドマージン部117がサイドマージン部17になる。
(Step S06: Firing step)
In step S06, the unfired element body 111 obtained in step S05 is fired to produce the element body 11 of the multilayer ceramic capacitor 10 shown in FIGS.
That is, in step S06, the first and second internal electrodes 112 and 113 become the first and second internal electrodes 12 and 13, the laminated chip 116 becomes the laminated portion 16, and the side margin portion 117 becomes the side margin portion 17. .

焼成後のサイドマージン部17は、上述のステップS04において、積層チップ116がサイドマージンシート117sを打ち抜く際の打ち抜き圧力やスピード等が調整されたり、素体111に静水圧加圧が施されたり、サイドマージンシート117sに含まれるガラス等の含有量が調整されたりすることで、ポア率が1%以下となる。   In the side margin portion 17 after firing, the punching pressure and speed when the laminated chip 116 punches the side margin sheet 117s is adjusted in step S04 described above, or the element body 111 is subjected to hydrostatic pressure. By adjusting the content of glass or the like contained in the side margin sheet 117s, the pore ratio becomes 1% or less.

ステップS05における素体111の焼成温度は、積層チップ116及びサイドマージン部117の焼結温度に基づいて決定することができる。例えば、セラミックスとしてチタン酸バリウム(BaTiO)系材料を用いる場合には、素体111の焼成温度は1000〜1300℃程度とすることができる。また、焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができ、本実施形態においては低酸素分圧雰囲気下(4.0×10−9ppm)にて行われる。 The firing temperature of the element body 111 in step S05 can be determined based on the sintering temperature of the laminated chip 116 and the side margin portion 117. For example, when a barium titanate (BaTiO 3 ) -based material is used as the ceramic, the firing temperature of the element body 111 can be about 1000 to 1300 ° C. The firing can be performed, for example, in a reducing atmosphere or a low oxygen partial pressure atmosphere. In the present embodiment, the firing is performed in a low oxygen partial pressure atmosphere (4.0 × 10 −9 ppm).

ここで、本実施形態では、素体111におけるサイドマージン部117のY軸方向の厚みを20μm以下とすることにより、焼成時において、サイドマージン部117を介して内部電極112,113に酸素が供給されやすくなり、内部電極112,113の端部に酸化領域Eが良好に形成される。
従って、製造過程で、内部電極112,113の端部が露出した積層チップ116の側面S3,S4に異物等が付着したとしても、焼成後の素体11の側面S1,S2おける異物等を介した内部電極12,13同士の導通が抑制される。よって、内部電極12,13間の短絡不良やIR不良が効果的に抑制される。
Here, in this embodiment, by setting the thickness of the side margin portion 117 of the element body 111 in the Y-axis direction to 20 μm or less, oxygen is supplied to the internal electrodes 112 and 113 via the side margin portion 117 during firing. As a result, the oxidized region E is favorably formed at the end portions of the internal electrodes 112 and 113.
Therefore, even if foreign matter or the like adheres to the side surfaces S3 and S4 of the laminated chip 116 where the end portions of the internal electrodes 112 and 113 are exposed during the manufacturing process, the foreign matter or the like on the side surfaces S1 and S2 of the element body 11 after firing is interposed. The conduction between the internal electrodes 12, 13 is suppressed. Therefore, short circuit failure and IR failure between the internal electrodes 12 and 13 are effectively suppressed.

(ステップS07:外部電極形成工程)
ステップS07では、ステップS06で得られた素体11に第1及び第2外部電極14,15を形成することにより、図1〜3に示す積層セラミックコンデンサ10を作製する。
(Step S07: External electrode forming step)
In step S07, the first and second external electrodes 14 and 15 are formed on the element body 11 obtained in step S06, whereby the multilayer ceramic capacitor 10 shown in FIGS.

ステップS07では、まず、素体11の一方のX軸方向端面を覆うように未焼成の電極材料を塗布し、素体11の他方のX軸方向端面を覆うように未焼成の電極材料を塗布する。塗布された未焼成の電極材料を、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において焼き付け処理を行って、素体11に下地膜を形成する。そして、素体11に焼き付けられた下地膜の上に、中間膜及び表面膜を電解メッキなどのメッキ処理で形成して、第1及び第2外部電極14,15が完成する。   In step S07, first, an unfired electrode material is applied so as to cover one X-axis direction end face of the element body 11, and an unfired electrode material is applied so as to cover the other X-axis direction end face of the element body 11. To do. The applied unfired electrode material is baked, for example, in a reducing atmosphere or a low oxygen partial pressure atmosphere to form a base film on the element body 11. Then, an intermediate film and a surface film are formed on the base film baked on the element body 11 by a plating process such as electrolytic plating, and the first and second external electrodes 14 and 15 are completed.

なお、上記のステップS07における処理の一部を、ステップS06の前に行ってもよい。例えば、ステップS06の前に未焼成の素体111のX軸方向両端面S5に未焼成の電極材料を塗布し、ステップS06において、未焼成の素体111を焼結させると同時に、未焼成の電極材料を焼き付けて第1及び第2外部電極14,15の下地膜を形成してもよい。   Note that part of the processing in step S07 may be performed before step S06. For example, before step S06, an unfired electrode material is applied to both end surfaces S5 in the X-axis direction of the unfired element body 111. In step S06, the unfired element body 111 is sintered and simultaneously fired. The base film for the first and second external electrodes 14 and 15 may be formed by baking an electrode material.

(変形例)
積層セラミックコンデンサ10の製造方法は、上述の製造方法に限定されず、製造工程の変更や追加等が適宜行われてもよい。
例えば、焼成前の素体111に脱バインダ処理を施すことにより、素体111からバインダ成分や溶剤成分を除去してもよい。
(Modification)
The manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor 10 is not limited to the above-described manufacturing method, and a change or addition of a manufacturing process may be appropriately performed.
For example, the binder component and the solvent component may be removed from the element body 111 by performing a binder removal process on the element body 111 before firing.

素体111に脱バインダ処理を施す方法としては、例えば、アルミナ製のサヤに収容した素体111について、還元雰囲気の電気炉内で、350〜600℃の温度で1時間〜8時間の熱処理を行なう方法等が挙げられる。この場合、電気炉の昇温速度は、例えば、1〜10℃/minとすることができる。   As a method of performing a binder removal process on the element body 111, for example, the element body 111 accommodated in an alumina sheath is subjected to heat treatment at a temperature of 350 to 600 ° C. for 1 hour to 8 hours in an electric furnace in a reducing atmosphere. The method of performing etc. are mentioned. In this case, the temperature rising rate of the electric furnace can be set to 1 to 10 ° C./min, for example.

また、本実施形態では、脱バインダ処理が施されたサイドマージン部117にセラミックスを堆積させてもよい。これにより、脱バインダにより生じたセラミック粒子の空隙にセラミックスが充填され、焼成工程後のサイドマージン部17のセラミックスの緻密性が向上する。
脱バインダ処理が施されたサイドマージン部117に堆積させるセラミックスとしては、典型的には、サイドマージンシート117sの主成分である絶縁性セラミックスと同様の組成系のセラミックスが採用される。
In the present embodiment, ceramics may be deposited on the side margin portion 117 that has been subjected to the binder removal process. Thereby, ceramics are filled in the voids of the ceramic particles generated by the binder removal, and the ceramic density of the side margin portion 17 after the firing process is improved.
As the ceramic deposited on the side margin portion 117 that has been subjected to the binder removal processing, typically, a ceramic having the same composition as the insulating ceramic that is the main component of the side margin sheet 117s is employed.

脱バインダ処理が施されたサイドマージン部117にセラミックスを堆積させる方法としては、例えば、サイドマージン部117にセラミックスの粉体を吹き付けるスプレードライ法や、サイドマージン部117にセラミックスを構成する粒子を付着させるスパッタ法や真空蒸着法等が採用される。   As a method for depositing ceramics on the side margin part 117 subjected to the binder removal process, for example, a spray drying method in which ceramic powder is sprayed on the side margin part 117, or particles constituting ceramics are attached to the side margin part 117. A sputtering method, a vacuum deposition method, or the like is employed.

以下、本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described below.

[未焼成の素体の作製]
実施例1〜8及び比較例1〜6に係る未焼成の素体のサンプルを、上記製造方法にしたがってそれぞれ200個作製した。実施例1〜8及び比較例1〜6に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みと、サイドマージン部を構成するセラミックスの緻密性がそれぞれ異なるが、これ以外は共通する製造条件により作製した。
[Preparation of unfired body]
According to the said manufacturing method, 200 each of the sample of the unbaking element | base_body which concerns on Examples 1-8 and Comparative Examples 1-6 was produced. The samples according to Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 were manufactured under common manufacturing conditions except for the thickness of the side margin portion and the denseness of the ceramics constituting the side margin portion.

(実施例1)
実施例1に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが2μmである。
(Example 1)
In the sample according to Example 1, the thickness of the side margin portion 117 is 2 μm.

(実施例2)
実施例2に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが5μmである。
(Example 2)
In the sample according to Example 2, the thickness of the side margin portion 117 is 5 μm.

(実施例3)
実施例3に係るサンプルは、厚みが9μmであるサイドマージンシート117sを用いることにより、サイドマージン部117が形成されたサンプルである。
(Example 3)
The sample according to Example 3 is a sample in which the side margin portion 117 is formed by using the side margin sheet 117s having a thickness of 9 μm.

(実施例4)
実施例4に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが10μmである。
Example 4
In the sample according to Example 4, the thickness of the side margin portion 117 is 10 μm.

(実施例5)
実施例5に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが15μmである。
(Example 5)
In the sample according to Example 5, the side margin portion 117 has a thickness of 15 μm.

(実施例6)
実施例6に係るサンプルは、厚みが19μmであるサイドマージンシート117sを用いることにより、サイドマージン部117が形成されたサンプルである。
(Example 6)
The sample according to Example 6 is a sample in which the side margin portion 117 is formed by using the side margin sheet 117s having a thickness of 19 μm.

(実施例7)
実施例7に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが20μmである。
(Example 7)
In the sample according to Example 7, the thickness of the side margin portion 117 is 20 μm.

(実施例8)
実施例8に係るサンプルは、サイドマージン部117の厚みが25μmである。
(Example 8)
In the sample according to Example 8, the thickness of the side margin portion 117 is 25 μm.

(比較例1)
比較例1に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが2μmである。
(Comparative Example 1)
The sample according to Comparative Example 1 has a side margin portion thickness of 2 μm.

(比較例2)
比較例2に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが5μmである。
(Comparative Example 2)
The sample according to Comparative Example 2 has a side margin portion thickness of 5 μm.

(比較例3)
比較例3に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが10μmである。
(Comparative Example 3)
The sample according to Comparative Example 3 has a side margin portion thickness of 10 μm.

(比較例4)
比較例4に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが15μmである。
(Comparative Example 4)
The sample according to Comparative Example 4 has a side margin portion thickness of 15 μm.

(比較例5)
比較例5に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが20μmである。
(Comparative Example 5)
The sample according to Comparative Example 5 has a side margin portion thickness of 20 μm.

(比較例6)
比較例6に係るサンプルは、サイドマージン部の厚みが25μmである。
(Comparative Example 6)
The sample according to Comparative Example 6 has a side margin portion thickness of 25 μm.

[未焼成の素体の評価]
(サイドマージン部が剥離しているサンプルの検出)
実施例2,4,5,7,8に係る200個のサンプルにおいて、光学顕微鏡を使用して、積層チップ116からサイドマージン部117が剥離しているサンプルを検出可能か否か評価した。表1はこの結果をまとめた表である。
表1に示す「剥離長」とは、積層チップ116とサイドマージン部117との間の隙間の寸法である。
[Evaluation of green body]
(Detection of samples with side margin peeling)
Of the 200 samples according to Examples 2, 4, 5, 7, and 8, an optical microscope was used to evaluate whether or not the sample from which the side margin portion 117 was peeled off from the multilayer chip 116 could be detected. Table 1 summarizes the results.
The “peeling length” shown in Table 1 is the dimension of the gap between the laminated chip 116 and the side margin portion 117.

Figure 2019145834
Figure 2019145834

表1を参照すると、実施例5,7,8では、剥離長が50μm以上のサンプルは検出可能であるが、50μm未満であると検出できないことがわかる。一方、実施例2,4では、剥離長に関係なく、いずれのサンプルにおいても検出可能であることが確認された。
このことから、未焼成の素体111におけるサイドマージン部の厚みを10μm以下とすることにより、積層チップ116とサイドマージン部117との間に隙間が発生しているサンプルを剥離長に関係なく検出可能であることが実験的に確認された。
Referring to Table 1, it can be seen that in Examples 5, 7, and 8, samples with a peel length of 50 μm or more can be detected, but cannot be detected when the length is less than 50 μm. On the other hand, in Examples 2 and 4, it was confirmed that detection was possible in any sample regardless of the peeling length.
Therefore, by setting the thickness of the side margin portion in the unfired element body 111 to 10 μm or less, a sample in which a gap is generated between the multilayer chip 116 and the side margin portion 117 can be detected regardless of the peeling length. It was experimentally confirmed that this was possible.

(素体露出幅の測定)
実施例3,6に係る200個のサンプルから20個選択し、選択された20個のサンプルの素体露出幅をそれぞれ測定した。図17はこの結果をまとめたグラフである。
なお、図17に示す「端面側領域の素体露出幅」とは、サイドマージン部117が形成されている積層チップ116の側面S3,S4において、サイドマージン部117と、X軸方向端面S5との間の領域におけるX軸方向の寸法である。
また、「主面側領域の素体露出幅」とは、サイドマージン部117が形成されている積層チップ116の側面S3,S4において、サイドマージン部117と、Z軸方向主面S6との間の領域におけるZ軸方向の寸法である(図14参照)。
(Measurement of element exposed width)
Twenty samples were selected from the 200 samples according to Examples 3 and 6, and the element body exposure widths of the selected 20 samples were measured. FIG. 17 is a graph summarizing the results.
Note that “element body exposed width in the end face side region” shown in FIG. 17 means that the side margin portion 117 and the X-axis direction end face S5 in the side surfaces S3 and S4 of the laminated chip 116 on which the side margin portion 117 is formed. It is a dimension of the X-axis direction in the area | region between.
In addition, the “element body exposed width of the main surface side region” is the distance between the side margin portion 117 and the Z-axis direction main surface S6 on the side surfaces S3 and S4 of the multilayer chip 116 where the side margin portion 117 is formed. Is the dimension in the Z-axis direction in the region (see FIG. 14).

図17を参照すると、実施例6より実施例3のほうが、端面側領域及び主面側領域の素体露出幅が平均的に小さいことがわかる。この結果から、サイドマージンシート117sの厚みを薄くすることによって、端面側領域及び主面側領域の素体露出幅を小さくすることが可能であることが実験的に確認された。   Referring to FIG. 17, it can be seen that in Example 3, the element body exposed widths of the end face side region and the main surface side region are smaller on average than Example 6. From this result, it was experimentally confirmed that the exposed width of the element body in the end face side region and the main surface side region can be reduced by reducing the thickness of the side margin sheet 117s.

[積層セラミックコンデンサの作製]
実施例1,2,4,5,7,8及び比較例1〜6に係る未焼成の素体を用いて、上記製造方法にしたがい、実施例1,2,4,5,7,8及び比較例1〜6に係る積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。
[Production of multilayer ceramic capacitors]
Examples 1, 2, 4, 5, 7, 8 and Examples 1, 2, 4, 5, 7, 8, and 8 according to the above production method using the unfired element bodies according to Comparative Examples 1 to 6 and Samples of multilayer ceramic capacitors according to Comparative Examples 1 to 6 were produced.

[積層セラミックコンデンサの評価]
(耐湿性の評価)
実施例1,2,4,5,7,8及び比較例1〜6に係る積層セラミックコンデンサのサンプルについて、耐湿性の評価を行った。
具体的には、実施例1,2,4,5,7,8及び比較例1〜6について200個のサンプルを、温度45℃、湿度95%、10Vの定格電圧を印加した状態で保持する吸湿性試験を行った。そして、吸湿性試験後の各サンプルについて電気抵抗値を測定し、電気抵抗値が10MΩ未満のサンプルを故障と判断した。表2は、各サンプルについて、サイドマージン部の厚みと、ポア率と、故障数をまとめた表である。
[Evaluation of multilayer ceramic capacitors]
(Evaluation of moisture resistance)
The samples of the multilayer ceramic capacitors according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated for moisture resistance.
Specifically, 200 samples of Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8 and Comparative Examples 1 to 6 are held in a state where a rated voltage of 45 ° C., 95% humidity, and 10V is applied. A hygroscopic test was conducted. And the electrical resistance value was measured about each sample after a hygroscopic test, and the sample whose electrical resistance value was less than 10 MΩ was judged to be a failure. Table 2 is a table summarizing the thickness of the side margin, the pore rate, and the number of failures for each sample.

Figure 2019145834
Figure 2019145834

表2を参照すると、比較例5,6に係るサンプルでは故障があるサンプルは確認されなかったものの、比較例1〜4に係るサンプルでは故障があるサンプルが確認された。比較例1〜6に係るサンプルはポア率が1%より大きい。   Referring to Table 2, although samples with failures were not confirmed in the samples according to Comparative Examples 5 and 6, samples with failures were confirmed with the samples according to Comparative Examples 1 to 4. The samples according to Comparative Examples 1 to 6 have a pore ratio larger than 1%.

比較例1〜4に係るサンプルに故障が確認された要因としては、サイドマージン部の厚みが比較的薄く且つサイドマージン部に含まれるポアの数が多いことにより、このサイドマージン部を介して外界から積層チップへ水分が侵入したことにあると推察される。   The reason for the failure confirmed in the samples according to Comparative Examples 1 to 4 is that the thickness of the side margin portion is relatively thin and the number of pores included in the side margin portion is large. It is inferred that moisture has penetrated into the multilayer chip.

この結果から、サイドマージン部のポア率が1%より大きい場合に、サイドマージン部の厚みを15μm以下にすると、積層セラミックコンデンサの耐湿性を確保することが困難となることが確認された。   From this result, it was confirmed that when the pore ratio of the side margin portion is larger than 1%, it is difficult to ensure the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor if the thickness of the side margin portion is 15 μm or less.

一方、実施例1,2,4,5,7,8に係るサンプルにおいては、実施例1に係るサンプルに故障があるサンプルが確認されたものの、実施例2,4,5,7,8に係るサンプルでは、故障しているサンプルは確認されなかった。実施例1,2,4,5,7,8に係るサンプルは、ポア率が1%以下である。   On the other hand, in the samples according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8, although the sample according to Example 1 was confirmed to have a failure, the samples according to Examples 2, 4, 5, 7, and 8 were In such samples, no failed sample was confirmed. The samples according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8 have a pore ratio of 1% or less.

この結果から、サイドマージン部17のポア率を1%以下とすることにより、サイドマージン部17の厚みを15μm以下としても、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性が確保されることが確認された。そして、サイドマージン部17のポア率が1%以下であり、厚みが5μm以上であれば、積層セラミックコンデンサ10の耐湿性がより有効に確保されることが確認された。   From this result, it was confirmed that the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10 was ensured by setting the pore ratio of the side margin portion 17 to 1% or less even when the thickness of the side margin portion 17 was set to 15 μm or less. Then, it was confirmed that the moisture resistance of the multilayer ceramic capacitor 10 is more effectively ensured when the pore ratio of the side margin portion 17 is 1% or less and the thickness is 5 μm or more.

(IR不良率の算出)
実施例1,2,4,5,7,8に係るサンプルのIR不良率を算出した。この際、IR不良率が10%以下のサンプルを合格と判定した。
表3及び図18は、実施例1,2,4,5,7,8に係る未焼成の素体111のサンプルのサイドマージン部117の厚みと、実施例1,2,4,5,7,8に係る積層セラミックコンデンサ10のサンプルの酸化領域Eの寸法D2と、IR不良率をまとめた表及びグラフである。
(Calculation of IR failure rate)
The IR failure rate of the samples according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8 was calculated. At this time, a sample having an IR defect rate of 10% or less was determined to be acceptable.
Table 3 and FIG. 18 show the thickness of the side margin portion 117 of the sample of the unfired element body 111 according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8, and Examples 1, 2, 4, 5, 7 8 is a table and a graph summarizing the dimension D2 of the oxidation region E of the sample of the multilayer ceramic capacitor 10 according to FIGS.

表3及び図18に示す酸化領域の寸法D2は、実施例1,2,4,5,7,8に係る200個のサンプルに形成されている酸化領域Eの寸法D2の平均値である。
また、表3及び図18に示すIR不良率とは、実施例1,2,4,5,7,8に係る200個のサンプルのうちIR不良が発生したサンプルの割合を示している。前述のIR不良が発生しているサンプルとは、6Vの定格電圧を印加する条件下において、CR積が1MΩ未満となるサンプルである。
The dimension D2 of the oxidation region shown in Table 3 and FIG. 18 is an average value of the dimension D2 of the oxidation region E formed in 200 samples according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8.
Further, the IR failure rate shown in Table 3 and FIG. 18 indicates the proportion of samples in which IR failure occurs among the 200 samples according to Examples 1, 2, 4, 5, 7, and 8. The sample in which the above-mentioned IR failure has occurred is a sample in which the CR product is less than 1 MΩ under the condition where a rated voltage of 6 V is applied.

Figure 2019145834
Figure 2019145834

表3及び図18を参照すると、実施例8に係るサンプルはIR不良率が10%より大きいが、実施例1,2,4,5,7に係るサンプルはIR不良率が10%以下であった。
実施例8に係るサンプルのIR不良率が10%より大きい要因としては、未焼成の素体111のサイドマージン部117の厚みが20μmより厚いことにより、内部電極112,113の端部の酸化が促進されず、内部電極112,113の端部に酸化領域Eが十分に形成されなかったために、内部電極112,113間の絶縁抵抗が低下したことにあると推察される。
Referring to Table 3 and FIG. 18, the sample according to Example 8 has an IR defect rate of greater than 10%, but the samples according to Examples 1, 2, 4, 5, and 7 have an IR defect rate of 10% or less. It was.
The reason why the IR defect rate of the sample according to Example 8 is larger than 10% is that the thickness of the side margin portion 117 of the unfired element body 111 is greater than 20 μm, and thus oxidation of the end portions of the internal electrodes 112 and 113 is caused. It is presumed that the insulation resistance between the internal electrodes 112 and 113 was lowered because the oxidation region E was not sufficiently formed at the ends of the internal electrodes 112 and 113 without being promoted.

この結果から、サイドマージン部117の厚みが20μm以下である場合に、酸化領域Eの寸法D2が0.4μm以上確保されることにより、積層セラミックコンデンサ10におけるIR不良を抑制可能であることが実験的に確認された。   From this result, when the thickness of the side margin portion 117 is 20 μm or less, it is experimentally confirmed that the IR defect in the multilayer ceramic capacitor 10 can be suppressed by ensuring that the dimension D2 of the oxidized region E is 0.4 μm or more. Confirmed.

[その他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
[Other Embodiments]
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Of course, a various change can be added.

例えば、積層セラミックコンデンサ10では、容量形成部18がZ軸方向に複数に分割して設けられていてもよい。この場合、各容量形成部18において第1及び第2内部電極12,13がZ軸方向に沿って交互に配置されていればよく、容量形成部18が切り替わる部分において第1内部電極12又は第2内部電極13が連続して配置されていてもよい。   For example, in the multilayer ceramic capacitor 10, the capacitance forming portion 18 may be divided into a plurality of pieces in the Z-axis direction. In this case, it is sufficient that the first and second internal electrodes 12 and 13 are alternately arranged along the Z-axis direction in each capacitance forming portion 18, and the first internal electrode 12 or the first internal electrode 12 is switched at the portion where the capacitance forming portion 18 is switched. Two internal electrodes 13 may be arranged continuously.

10…積層セラミックコンデンサ
11…素体
12…第1内部電極
13…第2内部電極
14…第1外部電極
15…第2外部電極
16…積層部
17…サイドマージン部
18…容量形成部
19…カバー部
111…未焼成の素体
116…未焼成の積層チップ
E…酸化領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer ceramic capacitor 11 ... Element body 12 ... 1st internal electrode 13 ... 2nd internal electrode 14 ... 1st external electrode 15 ... 2nd external electrode 16 ... Multilayer part 17 ... Side margin part 18 ... Capacitance formation part 19 ... Cover Part 111 ... Unfired element body 116 ... Unfired multilayer chip E ... Oxidized region

Claims (8)

未焼成の内部電極が形成された複数のセラミックシートを第1の方向に積層して圧着することで、前記第1の方向に積層された複数のセラミック層、及び前記複数のセラミック層の間に配置された前記複数の内部電極を有する容量形成部と、絶縁性セラミックスからなり、前記第1の方向から前記容量形成部を覆う未焼成のカバー部と、をそれぞれ有する複数の未焼成の積層チップを得るための未焼成の積層シートを作製し、
前記未焼成の積層シートを切断することで、前記未焼成の積層チップを作製し、
絶縁性セラミックスからなる未焼成のサイドマージン部で、前記第1の方向と直交する第2の方向から前記積層チップを覆うことにより、未焼成の素体を作製し、
前記未焼成の素体に静水圧加圧を施し、
静水圧加圧を施した前記未焼成の素体を焼成することにより、焼成後の前記サイドマージン部のポア率が1%以下である素体を作製する
積層セラミックコンデンサの製造方法。
By laminating a plurality of ceramic sheets on which unfired internal electrodes are formed in the first direction and press-bonding, the plurality of ceramic layers laminated in the first direction, and between the plurality of ceramic layers A plurality of unsintered laminated chips each having a capacitor forming part having the plurality of internal electrodes arranged and an unsintered cover part made of insulating ceramics and covering the capacitor forming part from the first direction. To produce an unfired laminated sheet to obtain
By cutting the unfired laminated sheet, the unfired laminated chip is produced,
An unfired element body is produced by covering the laminated chip from a second direction orthogonal to the first direction with an unfired side margin portion made of insulating ceramics,
Applying hydrostatic pressure to the green body,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, wherein an unfired element body subjected to hydrostatic pressure is fired to produce an element body having a pore ratio of 1% or less in the side margin after firing.
請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記未焼成のカバー部の前記第1の方向の寸法が、前記未焼成のサイドマージン部の前記第2の方向の寸法以上である
積層セラミックコンデンサの製造方法。
It is a manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to claim 1,
The method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, wherein a dimension of the unfired cover portion in the first direction is equal to or greater than a dimension of the unfired side margin portion in the second direction.
請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記未焼成のサイドマージン部は、前記第2の方向の寸法が20μm以下である
積層セラミックコンデンサの製造方法。
A method for producing a multilayer ceramic capacitor according to claim 1 or 2,
The method for producing a multilayer ceramic capacitor, wherein the unfired side margin portion has a dimension in the second direction of 20 μm or less.
請求項1から3のいずれか1つに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記積層チップが絶縁性セラミックスを主成分とするサイドマージンシートを打ち抜くことにより、前記未焼成のサイドマージン部で前記未焼成の素体を覆う
積層セラミックコンデンサの製造方法。
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to any one of claims 1 to 3,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, wherein the multilayer chip is formed by punching a side margin sheet mainly composed of an insulating ceramic to cover the unfired element body with the unfired side margin portion.
請求項1から4のいずれか1つに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記未焼成の素体に脱バインダ処理を施し、
脱バインダ処理が施された前記未焼成のサイドマージン部にセラミックスを堆積させる
積層セラミックコンデンサの製造方法。
A method for producing a multilayer ceramic capacitor according to any one of claims 1 to 4,
A binder removal treatment is performed on the green body.
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, comprising depositing ceramics on the unfired side margin portion subjected to binder removal processing.
請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
脱バインダ処理が施された前記未焼成のサイドマージン部にセラミックスの粉体を吹き付ける
積層セラミックコンデンサの製造方法。
It is a manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to claim 5,
A method for producing a multilayer ceramic capacitor, wherein ceramic powder is sprayed onto the unfired side margin portion that has been subjected to binder removal processing.
請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
脱バインダ処理が施された前記未焼成のサイドマージン部にセラミックスをスパッタリングする
積層セラミックコンデンサの製造方法。
It is a manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to claim 5,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, comprising sputtering ceramics on the unfired side margin portion subjected to binder removal processing.
請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
脱バインダ処理が施された前記未焼成のサイドマージン部にセラミックスを真空蒸着する
積層セラミックコンデンサの製造方法。
It is a manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor according to claim 5,
A method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor, comprising: vacuum-depositing ceramics on the unfired side margin portion subjected to binder removal processing.
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