JP2019145760A - Interposer and printed circuit board including the same - Google Patents

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Abstract

To minimize an area occupied by an interposer and a printed circuit board including the same, in an electronic apparatus.SOLUTION: An interposer 300 connecting a first board 100 mounting multiple first electronic elements E1 on one face 110 and a second board 200 mounting multiple second electronic elements E2 on one face 210 includes: an isolating layer 310 placed between the first and second boards, so that one face faces one face of the first board, and the other face faces one face of the second board, multiple first cavities 320 opening to one face and receiving the first electronic elements, multiple second cavities 330 opening to the other face and receiving the second electronic elements, and a via 340 penetrating from one face to the other face of the isolating layer, and electrically connecting the first and second boards. The via passes between the multiple first cavities, and between the multiple second cavities.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、インタポーザ(interposer)及びこれを含むプリント回路基板(printed circuit board)に関する。   The present invention relates to an interposer and a printed circuit board including the interposer.

各種電子機器の使用が爆発的に増加するとともにデジタル技術や半導体技術等の発達により、精密かつ複雑な電子機器応用分野が広範囲になっている。電子機器の内部部品の密集度が高くなることにより、個々の部品(active、passive)を接続するために必要なPCB面積が大きくなっている。一方、バッテリーの大きさは大きくなる傾向にあり、このため、電子機器の限定された空間内でPCBを効率的に配置、装着する必要がある。   The use of various electronic devices has increased explosively, and with the development of digital technology and semiconductor technology, the application fields for precise and complex electronic devices have become widespread. Due to the high density of internal parts of electronic devices, the PCB area required to connect individual parts (active, passive) is increased. On the other hand, the size of the battery tends to increase. For this reason, it is necessary to efficiently arrange and mount the PCB in a limited space of the electronic device.

韓国登録特許第10−1324595号公報Korean Registered Patent No. 10-1324595

本発明の一側面によれば、一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板と、を接続するインタポーザにおいて、一面が上記第1基板の一面と対向し、他面が上記第2基板の一面と対向するように、上記第1基板と上記第2基板との間に配置される絶縁層と、上記一面に開放されて上記第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、上記他面に開放されて上記第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、上記絶縁層の一面から他面に貫通され、上記第1基板と上記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、上記ビアは、上記複数の第1キャビティの間及び上記複数の第2キャビティの間を通過するインタポーザが提供される。   According to one aspect of the present invention, in an interposer for connecting a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface and a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface, An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate so that the other surface faces one surface of the first substrate and the other surface faces one surface of the second substrate; A plurality of first cavities for accommodating the first electronic elements, a plurality of second cavities open to the other surface for accommodating the second electronic elements, and penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface. And vias electrically connecting the first substrate and the second substrate, the vias being provided by an interposer that passes between the plurality of first cavities and between the plurality of second cavities. Is done.

本発明の一側面によれば、一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板とを接続するインタポーザにおいて、一面が上記第1基板の一面と対向し、他面が上記第2基板の一面と対向するように、上記第1基板と上記第2基板との間に配置される絶縁層と、上記一面に開放されて上記第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、上記他面に開放されて上記第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、上記絶縁層の一面から他面に貫通され、上記第1基板と上記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、上記絶縁層は、複数層で構成され、上記ビアは、上記絶縁層の複数層のそれぞれに上下にスタック(stack)されるように形成されるビア導体を含むインタポーザが提供される。   According to one aspect of the present invention, in an interposer for connecting a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface and a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface, the one surface has An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate is opened to the one surface so as to face one surface of the first substrate and the other surface face one surface of the second substrate. A plurality of first cavities accommodating the first electronic elements, a plurality of second cavities opened to the other surface and accommodating the second electronic elements, and penetrated from one surface of the insulating layer to the other surface, Vias that electrically connect the first substrate and the second substrate, the insulating layer is composed of a plurality of layers, and the vias are stacked vertically on each of the plurality of layers of the insulating layer ( interposer including via conductors formed to be stacked There is provided.

本発明の一側面によれば、一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板と、上記第1基板と上記第2基板とを接続するインタポーザと、を含み、上記インタポーザは、一面が上記第1基板の一面と対向し、他面が上記第2基板の一面と対向するように、上記第1基板と上記第2基板との間に配置される絶縁層と、上記一面に開放されて上記第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、上記他面に開放されて上記第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、上記絶縁層の一面から他面に貫通され、上記第1基板と上記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、上記ビアは、上記複数の第1キャビティの間及び上記複数の第2キャビティの間を通過するプリント回路基板が提供される。   According to one aspect of the present invention, a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface, a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface, the first substrate, and the first substrate An interposer for connecting two substrates, wherein the interposer has one surface facing one surface of the first substrate and the other surface facing one surface of the second substrate. An insulating layer disposed between the two substrates, a plurality of first cavities open to the one surface to accommodate the first electronic element, and a plurality of open to the other surface to accommodate the second electronic element. A second cavity and a via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate, wherein the via includes the plurality of first cavities. Printed circuit board passing between and between the plurality of second cavities There is provided.

本発明の一側面によれば、一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板と、上記第1基板と上記第2基板とを接続するインタポーザと、を含み、上記インタポーザは、一面が上記第1基板の一面と対向し、他面が上記第2基板の一面と対向するように、上記第1基板と上記第2基板との間に配置される絶縁層と、上記一面に開放されて上記第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、上記他面に開放されて上記第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、上記絶縁層の一面から他面に貫通され、上記第1基板と上記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、上記絶縁層は、複数層で構成され、上記ビアは、上記絶縁層の複数層のそれぞれに上下にスタック(stack)されるように形成されるビア導体を含むプリント回路基板が提供される。   According to one aspect of the present invention, a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface, a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface, the first substrate, and the first substrate An interposer for connecting two substrates, wherein the interposer has one surface facing one surface of the first substrate and the other surface facing one surface of the second substrate. An insulating layer disposed between the two substrates, a plurality of first cavities open to the one surface to accommodate the first electronic element, and a plurality of open to the other surface to accommodate the second electronic element. A second cavity and a via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate, and the insulating layer is composed of a plurality of layers. The vias are stacked up and down (sta) on each of the plurality of layers of the insulating layer. Printed circuit board comprising a via conductor formed so as to be k) is provided.

プリント回路基板が装着された電子機器を示す図である。It is a figure which shows the electronic device with which the printed circuit board was mounted | worn. 本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。It is a figure which shows the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るインタポーザを示す図である。It is a figure which shows the interposer which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るインタポーザを示す図である。It is a figure which shows the interposer which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るインタポーザの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the interposer based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るインタポーザの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the interposer based on the Example of this invention. 本発明の様々な実施例に係るインタポーザを示す図である。FIG. 3 illustrates an interposer according to various embodiments of the present invention. 本発明の様々な実施例に係るインタポーザを示す図である。FIG. 3 illustrates an interposer according to various embodiments of the present invention. 本発明の様々な実施例に係るインタポーザを示す図である。FIG. 3 illustrates an interposer according to various embodiments of the present invention.

本発明に係るインタポーザ及びこれを含むプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。   DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of an interposer and a printed circuit board including the interposer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A duplicate description is omitted.

また、以下で使用する第1、第2等の用語は、同一または相応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または相応する構成要素が第1、第2等の用語により限定されることはない。   In addition, the first and second terms used in the following are merely identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are limited by the first and second terms. It will never be done.

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味することではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。   In addition, the term “coupled” does not mean that each component is in direct physical contact with each other in the contact relationship between the components, but other configurations are interposed between the components, It is used as a concept that encompasses all cases where components are in contact with other components.

図1は、プリント回路基板が装着されている電子機器を示す図であり、図2は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図であり、図3及び図4は、本発明の実施例に係るインタポーザを示す図である。   FIG. 1 is a view showing an electronic device on which a printed circuit board is mounted, FIG. 2 is a view showing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are views of the present invention. It is a figure which shows the interposer which concerns on an Example.

スマートフォンや様々な電子機器にはプリント回路基板が装着される。プリント回路基板には電子機器に必要な部品が実装され、プリント回路基板により部品間の電気的接続が可能になり、これにより、電子機器の機能を実現することができる。このプリント回路基板は、メインボード(main board)であり得る。   Smartphones and various electronic devices are equipped with printed circuit boards. Components necessary for the electronic device are mounted on the printed circuit board, and the electrical connection between the components is enabled by the printed circuit board, thereby realizing the function of the electronic device. The printed circuit board may be a main board.

図1に示すように、特に携帯用電子機器1には、メインボードであるプリント回路基板10、バッテリー20等が電子機器ハウジング内に装着されるが、ディスプレイの大きさが大きくなり、カメラが高解像度の機能を有する等、電子機器1の仕様が高くなると、それに応ずる電力消費量が増加するため、バッテリー20の容量や大きさも大きくなる必要がある。バッテリー20の大きさが大きくなると、相対的にプリント回路基板10が占めることのできる面積が減少することになる。逆に、プリント回路基板10が占める面積を小さくすると、バッテリー20に割り当てられる面積が大きくなるので、バッテリー20の大型化が可能になる。   As shown in FIG. 1, especially in the portable electronic device 1, a printed circuit board 10 and a battery 20 as main boards are mounted in the electronic device housing, but the size of the display is increased and the camera is expensive. When the specification of the electronic device 1 becomes high, such as having a resolution function, the power consumption corresponding to the specification increases, so the capacity and size of the battery 20 also need to be increased. As the size of the battery 20 increases, the area that the printed circuit board 10 can occupy relatively decreases. Conversely, when the area occupied by the printed circuit board 10 is reduced, the area allocated to the battery 20 is increased, so that the battery 20 can be increased in size.

本発明の実施例に係るプリント回路基板10は、図2に示すように、複層構造、スタック(stack)構造またはサンドイッチ(sandwich)構造を有し、これにより、プリント回路基板10が電子機器内で占める面積が最小化され、さらに、バッテリー20が占める面積を大きくすることができる。   The printed circuit board 10 according to the embodiment of the present invention has a multilayer structure, a stack structure, or a sandwich structure as shown in FIG. The area occupied by the battery 20 can be minimized, and the area occupied by the battery 20 can be increased.

図2を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板10は、第1基板100、第2基板200及びインタポーザ300を含む。   Referring to FIG. 2, the printed circuit board 10 according to the embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a second substrate 200, and an interposer 300.

第1基板100及び第2基板200は、電子素子が実装され、プリント回路基板としての実質的な役割を担い、インタポーザ300は、第1基板100及び第2基板200を支持するとともに第1基板100と第2基板200との電気的接続を担う。   The first substrate 100 and the second substrate 200 are mounted with electronic elements and play a substantial role as a printed circuit board. The interposer 300 supports the first substrate 100 and the second substrate 200 and the first substrate 100. And the second substrate 200 is electrically connected.

第1基板100と第2基板200は、互いに上下に離隔して配置され、複層構造、スタック構造、サンドイッチ構造を形成する。具体的に、第1基板100の一面110と第2基板200の一面210とが対向するように、第1基板100と第2基板200とが離隔して配置される。   The first substrate 100 and the second substrate 200 are spaced apart from each other and form a multilayer structure, a stack structure, and a sandwich structure. Specifically, the first substrate 100 and the second substrate 200 are spaced apart so that the one surface 110 of the first substrate 100 and the one surface 210 of the second substrate 200 face each other.

第1基板100及び第2基板200のそれぞれは、板状であり、複数の絶縁材層と複数の回路層とで構成された多層基板であり得、回路層を基準にして8層または10層基板であり得る。   Each of the first substrate 100 and the second substrate 200 is plate-shaped, and may be a multilayer substrate composed of a plurality of insulating material layers and a plurality of circuit layers, and may be 8 layers or 10 layers based on the circuit layers. It can be a substrate.

第1基板100及び第2基板200の絶縁材層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)等の絶縁物質で形成された層である。回路層は、銅(Cu)等の金属等の伝導性物質で形成され、特定パターンを有するように設計される。回路層は、絶縁材層の片面または両面に形成され、互いに異なる層の回路層は、絶縁材層を貫通する接続導体を介して電気的に接続可能になる。   The insulating material layers of the first substrate 100 and the second substrate 200 are layers formed of an insulating material such as epoxy resin, polyimide resin, BT resin, LCP (Liquid Crystal Polymer). The circuit layer is formed of a conductive material such as a metal such as copper (Cu) and is designed to have a specific pattern. The circuit layer is formed on one side or both sides of the insulating material layer, and circuit layers of different layers can be electrically connected via a connection conductor penetrating the insulating material layer.

第1基板100の一面110には、複数の第1電子素子E1が実装される。ここで、第1電子素子E1は、能動素子、受動素子、集積回路等を含むことができるが、種類に制限はない。また、第1基板100の他面120には複数の第3電子素子E3が実装されることができる。   A plurality of first electronic elements E1 are mounted on one surface 110 of the first substrate 100. Here, the first electronic element E1 may include an active element, a passive element, an integrated circuit, or the like, but there is no limitation on the type. A plurality of third electronic elements E3 may be mounted on the other surface 120 of the first substrate 100.

第1基板100の一面110には、第1パッド130が備えられる。第1パッド130は、回路層を介して第1電子素子E1及び/または第3電子素子E3と電気的に接続可能になる。特に、第1パッド130と第3電子素子E3とは、回路層だけではなく、第1基板100を貫通して形成されるビアを介して接続される。   A first pad 130 is provided on one surface 110 of the first substrate 100. The first pad 130 can be electrically connected to the first electronic element E1 and / or the third electronic element E3 through the circuit layer. In particular, the first pad 130 and the third electronic element E3 are connected not only via the circuit layer but also via vias formed through the first substrate 100.

第1パッド130は、第1基板100の一面110側から最外層に位置した回路層の一部であり得る。具体的に、第1パッド130は、第1基板100の最外層の絶縁材層に形成され、ソルダーレジストによりカバーされた回路層の一部であってもよく、第1パッド130は、ソルダーレジストの開口を介して露出することができる。   The first pad 130 may be a part of a circuit layer located on the outermost layer from the side 110 of the first substrate 100. Specifically, the first pad 130 may be a part of a circuit layer formed on the outermost insulating material layer of the first substrate 100 and covered with a solder resist. The first pad 130 may be a solder resist. It can be exposed through the opening.

第1パッド130は、複数形成されることができる。   A plurality of first pads 130 may be formed.

第2基板200の一面210には、複数の第2電子素子E2が実装される。ここで、第2電子素子E2は、能動素子、受動素子、集積回路等を含むことができ、種類に制限はない。   A plurality of second electronic elements E2 are mounted on the one surface 210 of the second substrate 200. Here, the second electronic element E2 may include an active element, a passive element, an integrated circuit, and the like, and the type is not limited.

また、第2基板200の一面210には、第2パッド230が備えられる。第2パッド230は、回路層を介して第2電子素子E2と電気的に接続可能になる。   In addition, a second pad 230 is provided on one surface 210 of the second substrate 200. The second pad 230 can be electrically connected to the second electronic element E2 through the circuit layer.

第2パッド230は、第2基板200の一面側から最外層に位置した回路層の一部であり得る。具体的に、第2パッド230は、第2基板200の最外層の絶縁材層に形成され、ソルダーレジストにカバーされた回路層の一部であってもよく、第2パッド230は、ソルダーレジストの開口を介して露出することができる。   The second pad 230 may be a part of a circuit layer located on the outermost layer from the one surface side of the second substrate 200. Specifically, the second pad 230 may be a part of a circuit layer formed on the outermost insulating material layer of the second substrate 200 and covered with a solder resist. The second pad 230 may be a solder resist. It can be exposed through the opening.

第2パッド230は、複数形成されることができる。   A plurality of second pads 230 may be formed.

第1基板100の一面110と第2基板200の一面210とが互いに向かい合い、第1パッド130と第2パッド230とが互いに向かい合う。ここで、第1パッド130と第2パッド230の位置は、互いに対応しており、具体的には、第1パッド130から第2パッド230に(またはその逆に)連結される線(例えば、第1パッド130と第2パッド230との各中心を連結した線)が第1基板100及び第2基板200のそれぞれと垂直をなすことができる。ただし、第1パッド130と第2パッド230との位置が正確に一致しなく、互いに連結可能な範囲内で第1パッド130と第2パッド230との位置がずれることがある。すなわち、第1パッド130から第2パッド230に(またはその逆に)連結される線(例えば、第1パッド130と第2パッド230の各中心を連結した線)が第1基板100及び第2基板200に対して斜線となり得る。   One surface 110 of the first substrate 100 and one surface 210 of the second substrate 200 face each other, and the first pad 130 and the second pad 230 face each other. Here, the positions of the first pad 130 and the second pad 230 correspond to each other, and specifically, a line (for example, a line) connected from the first pad 130 to the second pad 230 (or vice versa) A line connecting the centers of the first pad 130 and the second pad 230 may be perpendicular to each of the first substrate 100 and the second substrate 200. However, the positions of the first pad 130 and the second pad 230 do not exactly match each other, and the positions of the first pad 130 and the second pad 230 may be shifted within a range where they can be connected to each other. That is, a line (for example, a line connecting the centers of the first pad 130 and the second pad 230) connected from the first pad 130 to the second pad 230 (or vice versa) is the first substrate 100 and the second pad 230. It can be diagonal to the substrate 200.

一方、第1パッド130及び第2パッド230のそれぞれは、複数形成されることができ、複数の第1パッド130と複数の第2パッド230は1つずつ互いに対応して形成されることができる。   Meanwhile, a plurality of first pads 130 and a plurality of second pads 230 may be formed, and a plurality of first pads 130 and a plurality of second pads 230 may be formed corresponding to each other. .

インタポーザ300は、第1基板100と第2基板200との間に介在される。すなわち、インタポーザ300は、第1基板100の一面110及び第2基板200の一面210の全てに結合され、第1基板100と第2基板200との離隔状態はインタポーザ300により維持できる。   The interposer 300 is interposed between the first substrate 100 and the second substrate 200. That is, the interposer 300 is coupled to all of the one surface 110 of the first substrate 100 and the one surface 210 of the second substrate 200, and the separation state between the first substrate 100 and the second substrate 200 can be maintained by the interposer 300.

図2及び図3を参照すると、インタポーザ300は、絶縁層310、第1キャビティ320、第2キャビティ330、ビア340を含む。   Referring to FIGS. 2 and 3, the interposer 300 includes an insulating layer 310, a first cavity 320, a second cavity 330, and a via 340.

絶縁層310は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂等の絶縁物質で形成された板状の層であって、具体的には、PPG(prepreg)、build up film(ex. Ajinomoto Build up Film)等が挙げられる。   The insulating layer 310 is a plate-like layer formed of an insulating material such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a BT resin. Specifically, the insulating layer 310 includes PPG (prepreg), build up film (ex. Ajinomoto Build up Film). Etc.

絶縁層310は、一面が第1基板100の一面と対向し、他面が第2基板200の一面と対向して、第1基板100と第2基板200との間に配置される。   The insulating layer 310 is disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200 with one surface facing one surface of the first substrate 100 and the other surface facing one surface of the second substrate 200.

絶縁層310は、複数層311、312、313で構成されることができる。例えば、図2に示すように、絶縁層310は、3つの層311、312、313で構成されることができる。3つの層311、312、313は、互いに同一または異なる材質で形成可能である。互いに異なる材質で形成される場合、中層311と両2つの層312、313とが互いに異なる材質で形成されることができる。   The insulating layer 310 can include a plurality of layers 311, 312, and 313. For example, as shown in FIG. 2, the insulating layer 310 can be composed of three layers 311, 312, and 313. The three layers 311, 312, and 313 can be formed of the same or different materials. When formed from different materials, the middle layer 311 and the two layers 312, 313 can be formed of different materials.

絶縁層310の一面及び他面には、ソルダーレジストSRを形成することができ、ソルダーレジストSRは、ビア340及びビアパッド350の周辺に形成可能である。   A solder resist SR can be formed on one surface and the other surface of the insulating layer 310, and the solder resist SR can be formed around the via 340 and the via pad 350.

第1キャビティ320は、絶縁層310の一面に開放されるように形成されて第1基板100と対向し、第2キャビティ330は、絶縁層310の他面に開放されるように形成されて第2基板200と対向する。第1キャビティ320は、第1電子素子E1を収容し、第2キャビティ330は、第2電子素子E2を収容する。すなわち、第1キャビティ320及び第2キャビティ330の位置は、第1電子素子E1及び第2電子素子E2の位置によって決まることができる。第1電子素子E1及び第2電子素子E2の大部分が直方体に近い形状を有するため、第1キャビティ320及び第2キャビティ330は、直方体形状を有することができるが、これに制限されない。   The first cavity 320 is formed on one surface of the insulating layer 310 so as to be opposed to the first substrate 100, and the second cavity 330 is formed on the other surface of the insulating layer 310 so as to be opened. It faces the two substrates 200. The first cavity 320 accommodates the first electronic element E1, and the second cavity 330 accommodates the second electronic element E2. That is, the positions of the first cavity 320 and the second cavity 330 can be determined by the positions of the first electronic element E1 and the second electronic element E2. Since most of the first electronic element E1 and the second electronic element E2 have a shape close to a rectangular parallelepiped, the first cavity 320 and the second cavity 330 can have a rectangular parallelepiped shape, but are not limited thereto.

第1キャビティ320は、複数形成される。第1基板100に実装される第1電子素子E1も複数個である。第1キャビティ320の1つは、第1電子素子E1の1つを収容することができる。しかし、これに制限されず、第1キャビティ320の1つが複数の第1電子素子E1のうちの2つ以上を収容することもできる。この場合、第1キャビティ320の1つは、隣接した第1電子素子E1を収容することになる。   A plurality of first cavities 320 are formed. There are also a plurality of first electronic elements E1 mounted on the first substrate 100. One of the first cavities 320 can accommodate one of the first electronic elements E1. However, the present invention is not limited to this, and one of the first cavities 320 may accommodate two or more of the plurality of first electronic elements E1. In this case, one of the first cavities 320 accommodates the adjacent first electronic element E1.

第1キャビティ320の深さ(高さ)は、収容される2つ以上の第1電子素子のうちの最大のものによって決まることができる。または、第1キャビティ320の形状を、収容される第1電子素子の高さに対応して形成することができる。例えば、高さの大きい電子素子(電子素子Aとする)と高さの小さい電子素子(電子素子Bとする)がともに第1キャビティ320内に収容される場合、第1キャビティ320は、電子素子AとBに対応して、深さが相対的に深い部分と相対的に浅い部分とをすべて含むことができる。   The depth (height) of the first cavity 320 may be determined by the maximum of the two or more first electronic elements that are accommodated. Alternatively, the shape of the first cavity 320 can be formed corresponding to the height of the first electronic element to be accommodated. For example, when an electronic element having a large height (referred to as electronic element A) and an electronic element having a small height (referred to as electronic element B) are both accommodated in the first cavity 320, the first cavity 320 may be Corresponding to A and B, all of a relatively deep portion and a relatively shallow portion can be included.

第2キャビティ330は、複数形成される。第2基板200に実装される第2電子素子E2も複数個である。第2キャビティ330の1つは、第2電子素子E2の1つを収容することができる。しかし、これに制限されず、第2キャビティ330の1つが複数の第2電子素子E2のうちの2つ以上を収容することができる。この場合、第2キャビティ330の1つは、隣接した第2電子素子E2を収容することになる。   A plurality of second cavities 330 are formed. There are also a plurality of second electronic elements E2 mounted on the second substrate 200. One of the second cavities 330 can accommodate one of the second electronic elements E2. However, the present invention is not limited thereto, and one of the second cavities 330 can accommodate two or more of the plurality of second electronic elements E2. In this case, one of the second cavities 330 accommodates the adjacent second electronic element E2.

第2キャビティ330の深さ(高さ)は、収容される2つ以上の第2電子素子のうちの最大のものによって決まることができる。または、第2キャビティ330の形状を、収容する第2電子素子の高さに対応して形成することができる。例えば、高さの大きい電子素子(電子素子Cとする)と高さの小さい電子素子(電子素子Dとする)がともに第2キャビティ330内に収容される場合、第2キャビティ330は、電子素子CとDに対応して、深さが相対的に深い部分と相対的に浅い部分とをすべて含むことができる。   The depth (height) of the second cavity 330 may be determined by the largest of the two or more second electronic elements accommodated. Or the shape of the 2nd cavity 330 can be formed corresponding to the height of the 2nd electronic element to accommodate. For example, when an electronic element having a large height (referred to as electronic element C) and an electronic element having a small height (referred to as electronic element D) are accommodated in the second cavity 330, the second cavity 330 is Corresponding to C and D, all of a relatively deep portion and a relatively shallow portion can be included.

第1キャビティ320と第2キャビティ330は、絶縁層310の両面に形成されるが、第1キャビティ320と第2キャビティ330が必ずしも互いに対応する必要はない。ただし、第1キャビティ320と第2キャビティ330が互いに対応する場合、第1キャビティ320と第2キャビティ330との間には加工されていない絶縁層310が残留し、第1キャビティ320と第2キャビティ330とが互いに併合されなくてもよい。   Although the first cavity 320 and the second cavity 330 are formed on both surfaces of the insulating layer 310, the first cavity 320 and the second cavity 330 do not necessarily correspond to each other. However, when the first cavity 320 and the second cavity 330 correspond to each other, the unprocessed insulating layer 310 remains between the first cavity 320 and the second cavity 330, and the first cavity 320 and the second cavity 330. 330 may not be merged with each other.

第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面に金属層400を形成することができる。第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面は、第1キャビティ320及び第2キャビティ330の底面と内壁面を意味し、これにより、第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面の全体が金属層400によりカバーされる。この金属層400は、EMI(電磁波干渉)遮蔽役割を担うことができる。金属層400は、銅(Cu)等の金属で形成可能である。   The metal layer 400 may be formed on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330. The inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330 refer to the bottom surface and inner wall surface of the first cavity 320 and the second cavity 330, and thus the entire inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330 are formed. Covered by a metal layer 400. The metal layer 400 can play an EMI (electromagnetic interference) shielding role. The metal layer 400 can be formed of a metal such as copper (Cu).

第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面に形成された金属層400は、グラウンドに接続可能であり、グラウンドビアを介してグラウンドに接続することができる。すなわち、金属層400は、EMI遮蔽機能、グラウンド機能を担い、金属の熱伝導率が大きいため、放熱機能もともに担うことができる。特に電子素子から発生した熱を金属層400を介してグラウンドに分散することができる。   The metal layer 400 formed on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330 can be connected to the ground, and can be connected to the ground through a ground via. That is, the metal layer 400 has an EMI shielding function and a ground function, and since the metal has a high thermal conductivity, it can also have a heat dissipation function. In particular, heat generated from the electronic device can be dispersed to the ground through the metal layer 400.

一方、第1キャビティ320及び第2キャビティ330内に放熱部材500が収容されることができる。よって、第1キャビティ320と第1電子素子E1との間に放熱部材500が介在され、第2キャビティと第2電子素子E2との間に放熱部材500が介在されることができる。特に、第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面に金属層400が形成された場合、金属層400と第1電子素子E1との間、金属層400と第2電子素子E2との間に放熱部材500を形成することができる。放熱部材500は、ヒートスプレッダ(heat spreader)機能をするものであって、熱伝導性の高い物質で形成されることができる。   Meanwhile, the heat dissipation member 500 may be accommodated in the first cavity 320 and the second cavity 330. Therefore, the heat dissipation member 500 may be interposed between the first cavity 320 and the first electronic element E1, and the heat dissipation member 500 may be interposed between the second cavity and the second electronic element E2. In particular, when the metal layer 400 is formed on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330, between the metal layer 400 and the first electronic element E1, and between the metal layer 400 and the second electronic element E2. The heat radiating member 500 can be formed. The heat radiating member 500 functions as a heat spreader and may be formed of a material having high thermal conductivity.

絶縁層310が複数層311、312、313で構成される場合、第1キャビティ320または第2キャビティ330の深さは、絶縁層310を構成する上記各層の厚さとは無関係に決まることができる。すなわち、第1キャビティ320または第2キャビティ330の深さは、絶縁層310の1つの層の厚さより深くて、絶縁層310の2つの層の厚さよりは浅くてもよい。また、第1キャビティ320または第2キャビティ330の深さは、絶縁層310の1つの層の厚さより浅くてもよい。   When the insulating layer 310 includes a plurality of layers 311, 312, and 313, the depth of the first cavity 320 or the second cavity 330 can be determined regardless of the thickness of each of the layers constituting the insulating layer 310. That is, the depth of the first cavity 320 or the second cavity 330 may be deeper than the thickness of one layer of the insulating layer 310 and shallower than the thickness of the two layers of the insulating layer 310. Further, the depth of the first cavity 320 or the second cavity 330 may be shallower than the thickness of one layer of the insulating layer 310.

ビア340は、絶縁層310の一面から他面に貫通され、第1基板100と第2基板200とを電気的に接続する。具体的に、ビア340は、第1パッド130及び第2パッド230と接合することにより第1基板100と第2基板200とを電気的に接続する。   The via 340 penetrates from one surface of the insulating layer 310 to the other surface, and electrically connects the first substrate 100 and the second substrate 200. Specifically, the via 340 is electrically connected to the first substrate 100 and the second substrate 200 by bonding to the first pad 130 and the second pad 230.

ビア340は、複数の第1キャビティ320の間を通過し、複数の第2キャビティ330の間を通過する。すなわち、ビア340は、第1キャビティ320及び第2キャビティ330に隣接した領域に形成される。このビア340は、第1基板100と第2基板200とを電気的に接続するとき、経路(path)を低減して信号の損失(loss)を低減することができる。   The via 340 passes between the plurality of first cavities 320 and passes between the plurality of second cavities 330. That is, the via 340 is formed in a region adjacent to the first cavity 320 and the second cavity 330. When the first substrate 100 and the second substrate 200 are electrically connected to each other, the via 340 can reduce a path and reduce a signal loss.

絶縁層310が複数層で構成される場合、ビア340は各層ごとにスタック(stack)されるように形成されるビア導体341、342、343を含むことができる。ここで「スタックされるように」とは、ビア導体341、342、343が上下に接続されるという意味であり、具体的には、隣接した2つのビア導体(下部にビア導体A、上部にビア導体Bが位置すると仮定する)において、ビア導体Aの上面とビア導体Bの下面とが垂直方向に重なる部分が存在することを意味する。ただし、ビア導体Aの上面にビアパッドが形成される場合は、ビア導体Aの上面とビア導体Bの下面とが垂直方向に重なる部分が明確に存在しなくても、ビア導体Bがビアパッドを介してビア導体Aに接続する範囲内に位置すると、それはスタックされたことになる。   When the insulating layer 310 includes a plurality of layers, the via 340 may include via conductors 341, 342, and 343 formed to be stacked for each layer. Here, “to be stacked” means that the via conductors 341, 342, and 343 are connected vertically, specifically, two adjacent via conductors (the via conductor A at the bottom and the via conductor A at the top). This means that there is a portion where the upper surface of the via conductor A and the lower surface of the via conductor B overlap in the vertical direction. However, in the case where a via pad is formed on the upper surface of the via conductor A, the via conductor B passes through the via pad even if the upper surface of the via conductor A and the lower surface of the via conductor B do not exist clearly in the vertical direction. If it is located within the range connecting to the via conductor A, it is stacked.

一方、絶縁層310が3つの層311、312、313で構成された場合、外側に位置する2つの層312、313のそれぞれに形成されたビア導体342、343の横断面積は、内側に行くほど小さくなってもよい。この場合、図2に基づいて、中央に位置した層311よりも上側にある層312に形成されたビア導体342の縦断面は逆台形であり、下側にある層313に形成されたビア導体343の縦断面は(正)台形である。   On the other hand, when the insulating layer 310 is composed of the three layers 311, 312, and 313, the cross-sectional areas of the via conductors 342 and 343 formed in the two layers 312 and 313 located on the outer side are closer to the inner side. It may be smaller. In this case, based on FIG. 2, the vertical cross section of the via conductor 342 formed in the layer 312 above the center layer 311 is an inverted trapezoid, and the via conductor formed in the layer 313 below. The vertical cross section of 343 is a (positive) trapezoid.

絶縁層310が複数層311、312、313で構成された場合、ビア340が各層311、312、313ごとにスタックされたビア導体341、342、343を含むので、絶縁層310の全厚さにかかわらずにビア340の形成が容易である。   When the insulating layer 310 includes a plurality of layers 311, 312, and 313, the via 340 includes via conductors 341, 342, and 343 stacked in each layer 311, 312, 313, so that the total thickness of the insulating layer 310 is increased. Regardless, the via 340 can be easily formed.

絶縁層310が単一層で形成された場合は、ビア340が絶縁層310の全厚さだけ上下に長くなり、このビア340を完全にフィル(fill)メッキすることは容易ではない。これに対して、絶縁層310が複数層311、312、313で構成されると、各ビア導体341、342、343の上下の長さが相対的に小さくなり、フィルメッキする体積が減少するので、フィルメッキが容易になり、さらに、ビア340の信頼性が向上する。   When the insulating layer 310 is formed as a single layer, the via 340 is elongated vertically by the entire thickness of the insulating layer 310, and it is not easy to completely fill the via 340. On the other hand, when the insulating layer 310 is composed of a plurality of layers 311, 312, and 313, the upper and lower lengths of the via conductors 341, 342, and 343 are relatively small, and the volume of fill plating is reduced. Fill plating is facilitated, and the reliability of the via 340 is improved.

ビア340の両端にはビアパッド350が形成される。ビア340の両端に形成されたビアパッド350は、それぞれ第1パッド130及び第2パッド230と向かい合う。   Via pads 350 are formed at both ends of the via 340. Via pads 350 formed at both ends of the via 340 face the first pad 130 and the second pad 230, respectively.

ビア340の第1基板100側のビアパッド350は、第1パッド130と接合され、ビア340の第2基板200側のビアパッド350は、第2パッド230と接合される。   A via pad 350 on the first substrate 100 side of the via 340 is bonded to the first pad 130, and a via pad 350 on the second substrate 200 side of the via 340 is bonded to the second pad 230.

ビア340の第1基板100側のビアパッド350は、ソルダーにより第1パッド130と接合され、ビア340の第2基板200側のビアパッド350は、ソルダーにより第2パッド230と接合されることができる。   The via pad 350 on the first substrate 100 side of the via 340 may be joined to the first pad 130 by a solder, and the via pad 350 on the second substrate 200 side of the via 340 may be joined to the second pad 230 by a solder.

本発明の実施例に係るインタポーザ300は、第2ビア360をさらに含むことができる。   The interposer 300 according to the embodiment of the present invention may further include a second via 360.

図2から図4には絶縁層310の縁に形成された第2ビア360が示されている。   2 to 4 show the second via 360 formed at the edge of the insulating layer 310.

第2ビア360は、絶縁層310の一面から他面に貫通されて、第1基板100及び上記第2基板200と電気的に接続される。すなわち、第2ビア360の両端は、ソルダー等により第1パッド130及び第2パッド230と接合される。   The second via 360 penetrates from one surface of the insulating layer 310 to the other surface and is electrically connected to the first substrate 100 and the second substrate 200. That is, both ends of the second via 360 are joined to the first pad 130 and the second pad 230 by solder or the like.

第2ビア360は、ビア340と同じ機能、すなわち、第1基板100と第2基板200とを電気的に接続する機能を担うことができる。   The second via 360 may have the same function as the via 340, that is, a function of electrically connecting the first substrate 100 and the second substrate 200.

または、複数で構成された第2ビア360のうちの一部は、上述したビア340と同じ機能を担い、他の一部は、グラウンド(ground)に接続するグラウンドビアであってもよい。グラウンドビアとして用いられる第2ビア360は、上述した第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面の金属層400に電気的に接続されることができる。   Alternatively, a part of the plurality of second vias 360 may have the same function as the above-described via 340, and the other part may be a ground via connected to the ground. The second via 360 used as a ground via can be electrically connected to the metal layer 400 on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330 described above.

第2ビア360と金属層400は、絶縁層310の一面及び/または他面に形成される回路400'を介して接続可能になる。また、上記第2ビア360には、ビアパッド370が形成されることができ、回路400'は、ビアパッド370と接触することができる。これにより、電子素子E1、E2から発生した熱が、放熱部材500、金属層400、第2ビア360及びグラウンドに移動されて、分散及び放出されることができる。   The second via 360 and the metal layer 400 can be connected via a circuit 400 ′ formed on one surface and / or the other surface of the insulating layer 310. In addition, a via pad 370 may be formed on the second via 360, and the circuit 400 ′ may be in contact with the via pad 370. Thereby, the heat generated from the electronic elements E1 and E2 can be moved to the heat dissipation member 500, the metal layer 400, the second via 360, and the ground, and can be dispersed and released.

一方、第2ビア360は、絶縁層310の各層ごとにスタックされるように形成されるビア導体361、362、363を含むことができる。第2ビア360において、ビア340と同様に、ビア導体361、362、363の各中心線は一致するか、または若干ずれるようにスタックされることができる。   Meanwhile, the second via 360 may include via conductors 361, 362, and 363 formed to be stacked for each layer of the insulating layer 310. In the second via 360, like the via 340, the center lines of the via conductors 361, 362, 363 may be stacked so as to match or slightly shift.

以下、インタポーザ300を形成する方法について説明する。   Hereinafter, a method for forming the interposer 300 will be described.

図5及び図6は、本発明の実施例に係るインタポーザ300の製造方法を示す図である。図5及び図6は、絶縁層310が3つの層311、312、313で構成された場合を示している。   5 and 6 are diagrams showing a method for manufacturing the interposer 300 according to the embodiment of the present invention. 5 and 6 show the case where the insulating layer 310 is composed of three layers 311, 312, and 313.

図5を参照すると、先ず、両面銅張積層板を準備する(図5の(a)参照)。   Referring to FIG. 5, first, a double-sided copper-clad laminate is prepared (see FIG. 5A).

両面銅張積層板は、PPGなどで形成された絶縁材311の両面に銅箔Mが積層されたものであって、インタポーザ300を製造するとき、必ずしも銅張積層板を用いる必要はなく、銅箔の代わりに他の金属箔を用いることもできる。   The double-sided copper-clad laminate is obtained by laminating copper foils M on both sides of an insulating material 311 made of PPG or the like. When manufacturing the interposer 300, it is not always necessary to use a copper-clad laminate. Other metal foils can be used instead of the foil.

準備した銅張積層板に一番目のビア導体341、361を形成する(図5の(b)参照)。銅張積層板の両面の銅箔は、ビア導体341、361と接触するビアパッドにパターニングされる。ここで形成されるビア導体341、361は、ビア340及び第2ビア360のためのものである。   First via conductors 341 and 361 are formed on the prepared copper-clad laminate (see FIG. 5B). The copper foils on both sides of the copper clad laminate are patterned into via pads that are in contact with the via conductors 341 and 361. The via conductors 341 and 361 formed here are for the via 340 and the second via 360.

図5の(c)で、絶縁材311の両面に片面銅張積層板が積層される。ここで、絶縁材311の上下にまた他の絶縁材312、313がそれぞれ積層される。ただし、この段階で片面銅張積層板が積層されず、先ず絶縁材312、313が積層された後に、銅箔または金属箔Mを順次積層してもよい。   In FIG. 5C, single-sided copper-clad laminates are laminated on both sides of the insulating material 311. Here, other insulating materials 312 and 313 are laminated on the upper and lower sides of the insulating material 311, respectively. However, the single-sided copper-clad laminate is not laminated at this stage, and after the insulating materials 312 and 313 are first laminated, the copper foil or the metal foil M may be laminated sequentially.

図5の(d)で、絶縁材312にビアホールVHを加工する。ビアホールVHは、レーザ等により加工される。図5の(d)で加工されるビアホールVHは、図5の(b)で形成されたビア導体341、361とスタックされるようにビアパッドと接して形成される。   In FIG. 5D, the via hole VH is processed in the insulating material 312. The via hole VH is processed by a laser or the like. The via hole VH processed in FIG. 5D is formed in contact with the via pad so as to be stacked with the via conductors 341 and 361 formed in FIG.

図5の(e)で、第1キャビティ320が形成される。第1キャビティ320は、レーザ、ルータ、CNCドリル等により加工することができる。   In FIG. 5E, the first cavity 320 is formed. The first cavity 320 can be processed by a laser, a router, a CNC drill, or the like.

第1キャビティ320の幅は、収容される第1電子素子E1の幅により決まり、第1キャビティ320の深さは、収容される第1電子素子E1の高さにより決まる。   The width of the first cavity 320 is determined by the width of the first electronic element E1 accommodated, and the depth of the first cavity 320 is determined by the height of the first electronic element E1 accommodated.

第1キャビティ320は、複数形成される。   A plurality of first cavities 320 are formed.

図6の(a)で、ビアホールVH及び第2キャビティ330が形成される。ビアホールVHは、図5の(d)で加工されたビアホールVHと同じ方式により形成可能である。すなわち、ビアホールVHは、図5の(b)で形成されたビア導体341、361とスタックされるように、ビアパッドと接して形成される。   In FIG. 6A, the via hole VH and the second cavity 330 are formed. The via hole VH can be formed by the same method as the via hole VH processed in FIG. That is, the via hole VH is formed in contact with the via pad so as to be stacked with the via conductors 341 and 361 formed in FIG.

第2キャビティ330は、レーザ、ルータ、CNCドリル等により加工することができる。第2キャビティ330の幅は、収容される第2電子素子E2の幅により決まり、第2キャビティ330の深さは、収容される第2電子素子E2の高さにより決まる。   The second cavity 330 can be processed by a laser, a router, a CNC drill, or the like. The width of the second cavity 330 is determined by the width of the accommodated second electronic element E2, and the depth of the second cavity 330 is determined by the height of the accommodated second electronic element E2.

第2キャビティ330は、複数形成される。   A plurality of second cavities 330 are formed.

図6の(b)で、第1キャビティ320及び第2キャビティ330の内部表面、絶縁層310の一面及び他面上に金属層400が形成される。金属層400は、メッキ方式により形成可能である。また、この段階でビアホールVHは、フィルメッキされてビア導体342、343、362、363を形成する。ビア導体342、343、362、363が形成されることにより、ビア340及び第2ビア360が完成される。金属層400とビア導体342、343、362、363は、湿式メッキ方式により同時にメッキされることができる。   In FIG. 6B, the metal layer 400 is formed on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330, one surface of the insulating layer 310, and the other surface. The metal layer 400 can be formed by a plating method. Further, at this stage, the via hole VH is fill-plated to form via conductors 342, 343, 362, and 363. By forming the via conductors 342, 343, 362, 363, the via 340 and the second via 360 are completed. The metal layer 400 and the via conductors 342, 343, 362, 363 can be simultaneously plated by a wet plating method.

図6の(c)で、金属層400はパターニングされて、回路400'及びビアパッド350、370を形成する。ただし、第1キャビティ320、第2キャビティ330の内部表面には金属層400が維持される。その結果、金属層400は、ビア340とは絶縁され、第2ビア360とは回路400'を介して接続可能になる。   In FIG. 6C, the metal layer 400 is patterned to form a circuit 400 ′ and via pads 350, 370. However, the metal layer 400 is maintained on the inner surfaces of the first cavity 320 and the second cavity 330. As a result, the metal layer 400 is insulated from the via 340 and can be connected to the second via 360 via the circuit 400 ′.

図6の(d)で、金属層400のパターニングにより金属層400が除去された位置にソルダーレジストSRが塗布される。ソルダーレジストSRにより、ビア340のビアパッド350は金属層400と完全に絶縁することができる。   In FIG. 6D, the solder resist SR is applied at a position where the metal layer 400 is removed by patterning of the metal layer 400. With the solder resist SR, the via pad 350 of the via 340 can be completely insulated from the metal layer 400.

以下では、本発明のインタポーザ300に関する様々な実施例について説明する。   In the following, various embodiments relating to the interposer 300 of the present invention will be described.

図7から図9は、本発明の様々な実施例に係るインタポーザ300を示す図である。   7-9 illustrate an interposer 300 according to various embodiments of the present invention.

図7を参照すると、本発明の実施例に係るインタポーザ300において、ビア340のビア導体341、342、343はスタックされ、上述したように、各ビア導体341、342、343の中心線がずれても、上下に隣接したビア導体は垂直に重なる部分を有するか、ビアパッドを介して互いに接続されることができる。   Referring to FIG. 7, in the interposer 300 according to the embodiment of the present invention, the via conductors 341, 342, and 343 of the via 340 are stacked, and the center lines of the via conductors 341, 342, and 343 are shifted as described above. Alternatively, the via conductors adjacent to each other may have a vertically overlapping portion or may be connected to each other via a via pad.

電子素子とキャビティの位置、大きさの影響によりビア340が上下に一直線に形成されない場合、すなわち、第1パッド130の中心と第2パッド230の中心とが垂直に一致せず、第1パッド130の中心と第2パッド230の中心が互いにずれている場合、ビア導体341、342、343の各中心線が少しずつずれてスタックされると、第1パッド130と第2パッド230とを斜線に接続されることができる。   When the via 340 is not formed in a straight line due to the influence of the position and size of the electronic element and the cavity, that is, the center of the first pad 130 and the center of the second pad 230 do not coincide with each other vertically. If the center of each of the via pads 341, 342, and 343 is slightly shifted and stacked, the first pad 130 and the second pad 230 are hatched. Can be connected.

すなわち、第1パッド130と第2パッド230の位置が互いにずれる場合にも、ビア導体341、342、343のスタック関係を用いると、第1基板100と第2基板200との電気的接続を容易に実現することができる。   That is, even when the positions of the first pad 130 and the second pad 230 are shifted from each other, the electrical connection between the first substrate 100 and the second substrate 200 is facilitated by using the stack relationship of the via conductors 341, 342, and 343. Can be realized.

図8を参照すると、本発明の実施例に係るインタポーザ300において、第1キャビティ320と第2キャビティ330は互いに併合されることができる。すなわち、第1キャビティ320と第2キャビティ330が互いに上下に対応して形成され、第1電子素子E1の高さ及び第2電子素子E2の高さが高くて第1キャビティ320と第2キャビティ330との間に絶縁層310を残留させにくい場合、第1キャビティ320と第2キャビティ330とが併合されることができる。この場合、金属層400も、第1キャビティ320の内壁及び第2キャビティ330の内壁に一体に形成される。   Referring to FIG. 8, in the interposer 300 according to the embodiment of the present invention, the first cavity 320 and the second cavity 330 may be merged with each other. That is, the first cavity 320 and the second cavity 330 are formed to correspond to each other, and the height of the first electronic element E1 and the height of the second electronic element E2 are high, so that the first cavity 320 and the second cavity 330 are high. If it is difficult to leave the insulating layer 310 between the first cavity 320 and the second cavity 330, the first cavity 320 and the second cavity 330 may be merged. In this case, the metal layer 400 is also integrally formed on the inner wall of the first cavity 320 and the inner wall of the second cavity 330.

図8では、第1キャビティ320の大きさと第2キャビティ330の大きさが異なって示されているが、第1キャビティ320の大きさと第2キャビティ330の大きさは同一であってもよく、この場合、インタポーザ300の製造過程において、第1キャビティ320と第2キャビティ330を同時に加工することができる。   In FIG. 8, the size of the first cavity 320 is different from the size of the second cavity 330, but the size of the first cavity 320 and the size of the second cavity 330 may be the same. In this case, the first cavity 320 and the second cavity 330 can be processed simultaneously in the manufacturing process of the interposer 300.

図9を参照すると、図8と同様に、第1キャビティ320と第2キャビティ330が併合されているが、第1キャビティ320が2つの第2キャビティ330と併合されている。このキャビティの併合は、電子素子の大きさ、位置によって様々に実現されることができる。   Referring to FIG. 9, as in FIG. 8, the first cavity 320 and the second cavity 330 are merged, but the first cavity 320 is merged with the two second cavities 330. This merging of cavities can be realized in various ways depending on the size and position of the electronic device.

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。   Although one embodiment of the present invention has been described above, addition and modification of constituent elements are within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the scope of claims for those skilled in the art. The present invention can be modified and changed in various ways by deletion, addition, etc., and this is also included in the scope of the right of the present invention.

100 第1基板
110 一面
120 他面
130 第1パッド
E1 第1電子素子
E3 第3電子素子
200 第2基板
210 一面
220 他面
230 第2パッド
E2 第2電子素子
300 インタポーザ
310 絶縁層
311、312、313 層
320 第1キャビティ
330 第2キャビティ
340 ビア
341、342、343 ビア導体
350 ビアパッド
360 第2ビア
361、362、363 ビア導体
370 ビアパッド
400 金属層
400' 回路
500 放熱部材
100 First substrate 110 One side 120 Other side 130 First pad E1 First electronic element E3 Third electronic element 200 Second substrate 210 One side 220 Other side 230 Second pad E2 Second electronic element 300 Interposer 310 Insulating layer 311, 312, 313 layer 320 first cavity 330 second cavity 340 via 341, 342, 343 via conductor 350 via pad 360 second via 361, 362, 363 via conductor 370 via pad 400 metal layer 400 ′ circuit 500 heat dissipation member

Claims (25)

一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板とを接続するインタポーザにおいて、
一面が前記第1基板の一面と対向し、他面が前記第2基板の一面と対向するように、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される絶縁層と、
前記一面に開放されて前記複数の第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、
前記他面に開放されて前記複数の第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、
前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、
前記ビアは、前記複数の第1キャビティの間及び前記複数の第2キャビティの間を通過するインタポーザ。
In an interposer for connecting a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface and a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface,
An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate such that one surface faces one surface of the first substrate and the other surface faces one surface of the second substrate;
A plurality of first cavities open to the one side and containing the plurality of first electronic elements;
A plurality of second cavities open to the other surface and containing the plurality of second electronic elements;
A via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate;
The via is an interposer that passes between the plurality of first cavities and between the plurality of second cavities.
前記絶縁層は、複数層で構成される請求項1に記載のインタポーザ。   The interposer according to claim 1, wherein the insulating layer includes a plurality of layers. 前記ビアは、前記複数層に上下にスタック(stack)されるように形成されたビア導体を含む請求項2に記載のインタポーザ。   The interposer according to claim 2, wherein the via includes a via conductor formed so as to be stacked vertically on the plurality of layers. 前記絶縁層は、3つの層で構成され、
前記3つの層のうちの外側に位置する2つの層にそれぞれ形成されたビア導体の横断面積は、内側に行くほど小さくなる請求項3に記載のインタポーザ。
The insulating layer is composed of three layers,
4. The interposer according to claim 3, wherein the cross-sectional area of the via conductor formed in each of the two layers located on the outer side of the three layers becomes smaller toward the inner side.
前記ビアの両端には、前記第1基板の一面に形成された第1パッド、前記第2基板の一面に形成された第2パッドとそれぞれ接合されるビアパッドが形成された請求項1から4のいずれか一項に記載のインタポーザ。   5. The via pad to be bonded to the first pad formed on one surface of the first substrate and the second pad formed on one surface of the second substrate is formed at both ends of the via. Interposer as described in any one. 前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板及び前記第2基板と電気的に接続され、前記絶縁層の縁に形成される第2ビアをさらに含む請求項1から5のいずれか一項に記載のインタポーザ。   6. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a second via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface, electrically connected to the first substrate and the second substrate, and formed at an edge of the insulating layer. The interposer as described in 前記複数の第1キャビティの内部表面、前記複数の第2キャビティの内部表面に金属層が形成され、
前記金属層は、前記第2ビアに電気的に接続される請求項6に記載のインタポーザ。
A metal layer is formed on an inner surface of the plurality of first cavities and an inner surface of the plurality of second cavities;
The interposer according to claim 6, wherein the metal layer is electrically connected to the second via.
前記複数の第1キャビティの内部表面、前記複数の第2キャビティの内部表面に金属層が形成される請求項1から6のいずれか一項に記載のインタポーザ。   The interposer according to any one of claims 1 to 6, wherein a metal layer is formed on an inner surface of the plurality of first cavities and an inner surface of the plurality of second cavities. 前記複数の第1キャビティのうちの少なくとも1つは、前記複数の第1電子素子のうちの少なくとも2つを収容する請求項1から8のいずれか一項に記載のインタポーザ。   The interposer according to any one of claims 1 to 8, wherein at least one of the plurality of first cavities accommodates at least two of the plurality of first electronic elements. 前記複数の第1キャビティのうちの少なくとも1つは、前記複数の第2キャビティのうちの少なくとも1つと上下に併合される請求項1から9のいずれか一項に記載のインタポーザ。   The interposer according to any one of claims 1 to 9, wherein at least one of the plurality of first cavities is vertically merged with at least one of the plurality of second cavities. 一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板とを接続するインタポーザにおいて、
一面が前記第1基板の一面と対向し、他面が前記第2基板の一面と対向するように、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される絶縁層と、
前記一面に開放されて前記複数の第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、
前記他面に開放されて前記複数の第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、
前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、
前記絶縁層は、複数層で構成され、
前記ビアは、前記絶縁層の複数層のそれぞれに上下にスタック(stack)されるように形成されるビア導体を含むインタポーザ。
In an interposer for connecting a first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface and a second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface,
An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate such that one surface faces one surface of the first substrate and the other surface faces one surface of the second substrate;
A plurality of first cavities open to the one side and containing the plurality of first electronic elements;
A plurality of second cavities open to the other surface and containing the plurality of second electronic elements;
A via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate;
The insulating layer is composed of a plurality of layers,
The via may include a via conductor formed so as to be stacked vertically on each of the plurality of layers of the insulating layer.
一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、
一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを接続するインタポーザと、を含み、
前記インタポーザは、
一面が前記第1基板の一面と対向し、他面が前記第2基板の一面と対向するように、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される絶縁層と、
前記一面に開放されて前記複数の第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、
前記他面に開放されて前記複数の第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、
前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、
前記ビアは、前記複数の第1キャビティの間及び前記複数の第2キャビティの間を通過するプリント回路基板。
A first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface;
A second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface;
An interposer for connecting the first substrate and the second substrate;
The interposer is
An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate such that one surface faces one surface of the first substrate and the other surface faces one surface of the second substrate;
A plurality of first cavities open to the one side and containing the plurality of first electronic elements;
A plurality of second cavities open to the other surface and containing the plurality of second electronic elements;
A via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate;
The via is a printed circuit board that passes between the plurality of first cavities and between the plurality of second cavities.
前記絶縁層は、複数層で構成された請求項12に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 12, wherein the insulating layer includes a plurality of layers. 前記ビアは、前記複数層に上下にスタック(stack)されるように形成されたビア導体を含む請求項13に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 13, wherein the via includes a via conductor formed so as to be stacked up and down in the plurality of layers. 前記絶縁層は、3つの層で構成され、
前記3つの層のうちの外側に位置する2つの層にそれぞれ形成されたビア導体の横断面積は、内側に行くほど小さくなる請求項14に記載のプリント回路基板。
The insulating layer is composed of three layers,
The printed circuit board according to claim 14, wherein the cross-sectional areas of via conductors formed in two layers located outside the three layers are smaller toward the inner side.
前記第1基板の一面に第1パッドが形成され、
前記第2基板の一面に第2パッドが形成され、
前記ビアの両端にビアパッドが形成され、
前記ビアパッドは、前記第1パッド及び前記第2パッドと接合される請求項12から15のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
A first pad is formed on one surface of the first substrate;
A second pad is formed on one surface of the second substrate;
Via pads are formed at both ends of the via,
The printed circuit board according to claim 12, wherein the via pad is bonded to the first pad and the second pad.
前記ビアパッドと前記第1パッドとの間、及び前記ビアパッドと前記第2パッドとの間にソルダーが介在される請求項16に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 16, wherein solder is interposed between the via pad and the first pad and between the via pad and the second pad. 前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板及び前記第2基板と電気的に接続され、前記絶縁層の縁に形成される第2ビアをさらに含む請求項12から17のいずれか一項に記載のプリント回路基板。   18. The semiconductor device according to claim 12, further comprising a second via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface, electrically connected to the first substrate and the second substrate, and formed at an edge of the insulating layer. A printed circuit board according to claim 1. 前記複数の第1キャビティの内部表面、前記複数の第2キャビティの内部表面に金属層が形成され、
前記金属層は、前記第2ビアと電気的に接続される請求項18に記載のプリント回路基板。
A metal layer is formed on an inner surface of the plurality of first cavities and an inner surface of the plurality of second cavities;
The printed circuit board according to claim 18, wherein the metal layer is electrically connected to the second via.
前記複数の第1キャビティの内部表面、前記複数の第2キャビティの内部表面に金属層が形成される請求項12から18のいずれか一項に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to any one of claims 12 to 18, wherein a metal layer is formed on an inner surface of the plurality of first cavities and an inner surface of the plurality of second cavities. 前記金属層と前記複数の第1電子素子との間、前記金属層と前記複数の第2電子素子との間に放熱部材が介在される請求項20に記載のプリント回路基板。   21. The printed circuit board according to claim 20, wherein a heat dissipation member is interposed between the metal layer and the plurality of first electronic elements, and between the metal layer and the plurality of second electronic elements. 前記複数の第1キャビティのうちの少なくとも1つは、前記複数の第1電子素子のうちの少なくとも2つを収容する請求項12から21のいずれか一項に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 12, wherein at least one of the plurality of first cavities accommodates at least two of the plurality of first electronic elements. 前記複数の第1キャビティのうちの少なくとも1つは、前記複数の第2キャビティのうちの少なくとも1つと上下に併合される請求項12から22のいずれか一項に記載のプリント回路基板。   23. The printed circuit board according to claim 12, wherein at least one of the plurality of first cavities is vertically merged with at least one of the plurality of second cavities. 前記第1基板の他面に実装される第3電子素子をさらに含む請求項12から23のいずれか一項に記載のプリント回路基板。   The printed circuit board according to claim 12, further comprising a third electronic element mounted on the other surface of the first substrate. 一面に複数の第1電子素子が実装された第1基板と、
一面に複数の第2電子素子が実装された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを接続するインタポーザと、を含み、
前記インタポーザは、
一面が前記第1基板の一面と対向し、他面が前記第2基板の一面と対向するように、前記第1基板と前記第2基板の間に配置される絶縁層と、
前記一面に開放されて前記複数の第1電子素子を収容する複数の第1キャビティと、
前記他面に開放されて前記複数の第2電子素子を収容する複数の第2キャビティと、
前記絶縁層の一面から他面に貫通され、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続するビアと、を含み、
前記絶縁層は、複数層で構成され、
前記ビアは、前記絶縁層の複数層のそれぞれに上下にスタック(stack)されるように形成されるビア導体を含むプリント回路基板。
A first substrate having a plurality of first electronic elements mounted on one surface;
A second substrate having a plurality of second electronic elements mounted on one surface;
An interposer for connecting the first substrate and the second substrate;
The interposer is
An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate such that one surface faces one surface of the first substrate and the other surface faces one surface of the second substrate;
A plurality of first cavities open to the one side and containing the plurality of first electronic elements;
A plurality of second cavities open to the other surface and containing the plurality of second electronic elements;
A via penetrating from one surface of the insulating layer to the other surface and electrically connecting the first substrate and the second substrate;
The insulating layer is composed of a plurality of layers,
The via includes a via conductor formed so as to be stacked vertically on each of the plurality of layers of the insulating layer.
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