JP2019140316A - 有機半導体結晶層と導電性ポリマー配向膜を有する積層体、それを含むデバイス及びそれらの製造方法 - Google Patents
有機半導体結晶層と導電性ポリマー配向膜を有する積層体、それを含むデバイス及びそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019140316A JP2019140316A JP2018024144A JP2018024144A JP2019140316A JP 2019140316 A JP2019140316 A JP 2019140316A JP 2018024144 A JP2018024144 A JP 2018024144A JP 2018024144 A JP2018024144 A JP 2018024144A JP 2019140316 A JP2019140316 A JP 2019140316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- bp2t
- formula
- layer
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 79
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 50
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 47
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 23
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- -1 etc.) Chemical group 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QMDFJHAAWUGVKQ-UHFFFAOYSA-N 2h-thiopyran Chemical group C1SC=CC=C1 QMDFJHAAWUGVKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDEDJRHULYIJOR-UHFFFAOYSA-N 4-ethynylpyridine Chemical group C#CC1=CC=NC=C1 FDEDJRHULYIJOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- MABNMNVCOAICNO-UHFFFAOYSA-N selenophene Chemical group C=1C=C[se]C=1 MABNMNVCOAICNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- WBSMVAWETYTHTA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-phenylphenyl)thiophene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)SC=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 WBSMVAWETYTHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- LQHZJYFIRFRDKF-UHFFFAOYSA-N gold magnesium Chemical compound [Mg].[Au] LQHZJYFIRFRDKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
そのために、有機半導体層が電極上に形成される。電極上に有機半導体層を形成する一般的な方法として、蒸着、スピンコート、ドロップキャスト等を例示できる。これらの方法を使用して電極上に形成される有機半導体層は、通常アモルファスまたはアモルファスライクである。例えば、特許文献1は、電極上に有機半導体のアモルファス層が配置された積層体及びそれを含む有機EL素子を開示する。
[1] (A)有機半導体結晶を含む層;
(B)導電性ポリマーを含む配向膜;及び
(C)電極層
を含み、
(A)層と(C)層の間に(B)膜を有する積層体。
[2] 有機半導体結晶は、有機半導体微結晶を含む、[1]に記載の積層体。
[3] 有機半導体微結晶は、少なくとも1軸配列している、[2]に記載の積層体。
[4] 有機半導体は、式(I)に示す化合物:
式(I):(X)m−(Y)n
[ここで、
Xは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい6員環であり、
mは、0〜30であり、
Yは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい5員環であり、
nは、0〜30であり、
m+nは、2以上30以下であり、
XとYは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよく、
XとYは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよく、
X同士は、縮環してもよい。]
から選択される少なくとも1種を含む、[1]〜[3]のいずれかに記載の積層体。
[5] 導電性ポリマーは、式(XI)に示す化合物:
式(XI):(X)p−(Y)q−(Z)r
[ここで、
Xは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい6員環であり、
pは、0以上であり、
Yは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい5員環であり、
qは、0以上であり、
Zは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい単結合、二重結合又は三重結合であり、
rは、0以上であり、
p+q+rは、30より大きく、
X、Y及びZは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよく、
X、Y及びZは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよく、
X同士は、縮環してもよい。]
から選択される少なくとも1種を含む、[1]〜[4]のいずれかに記載の積層体。
[6] [1]〜[5]のいずれかに記載の積層体を含むデバイス。
[7] (i)導電性ポリマーを電極上に配置して導電性ポリマーを含む配向膜層を製造すること;
(ii)導電性ポリマーを含む配向膜層に有機半導体を堆積させて、有機半導体を含む層を製造すること;
(iii)有機半導体を含む層に結晶化処理を施して、有機半導体結晶を含む層を製造すること
を含む、[1]〜[5]のいずれかに記載の積層体の製造方法。
(A)有機半導体結晶を含む層;
(B)導電性ポリマーを含む配向膜;及び
(C)電極層
を含み、
(A)層と(C)層の間に(B)膜を有する積層体を提供する。
有機半導体の結晶が、多結晶である場合、製造工程が単結晶よりも容易であるという、効果がある。
「微結晶」とは、その集合体(単結晶の集合体)に対し、X線回折測定を行った場合、少なくともX線回折パターンが得られる程度の大きさを有する単結晶であることをいう。
有機半導体の結晶が、微結晶である場合、アモルファス膜より種々の特性、例えば伝導性や発光強度が高いという効果がある。
有機半導体の結晶が、一軸配列している場合、一軸配列していない多結晶よりも、導電性や発光強度、発光の偏光性に優れる、という効果がある。
そのような有機半導体として、例えば、式(I)に示す化合物:
式(I):(X)m−(Y)n
[ここで、
Xは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素、セレン及びテルル等のヘテロ原子を有してよく、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等)、ハロゲン、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アルケニル基(例えば、エテニル基等)、シアノ基、フッ素化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基等)等の置換基を有してよい6員環であり、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、p−ピリジルビニレン、ピラン、チオピラン環等であり、ベンゼン環がより好ましい。
mは、0〜30が好ましく、0〜20がより好ましく、1〜8が更により好ましい。
Yは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素、セレン及びテルル等のヘテロ原子を有してよく、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等)、ハロゲン、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アルケニル基(例えば、エテニル基等)、シアノ基、フッ素化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基等)等の置換基を有してよい5員環であり、好ましくは、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環であり、チオフェン環がより好ましい。
nは、0〜30が好ましく、0〜20がより好ましく、1〜8が更により好ましい。
m+nは、2以上30以下が好ましく、3以上20以下がより好ましい、4以上10以下が更により好ましい。
XとYは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよい。 XとYは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよい。
X同士は、縮環してもよい。
XとYは、単結合で結合し、XとYが交互に結合することが好ましい。]
を例示することができる。
式(II):(X)m
[式(II)は、式(I)のn=0の化合物であり、X及びmは、式(I)に記載した通りであり、X同士は、縮環した、又は単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、テトラセン(参照:化1)、ペンタセン(参照:化2)、クアテル−フェニル(参照:化3)、キンクエ−フェニル(参照:化4)、セキシ−フェニル(参照:化5)を例示できる。
式(III):(Y)n
[式(III)は、式(I)のm=0の化合物であり、Y及びnは、式(I)に記載した通りであり、Y同士は単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、クアテル−チオフェン(参照:化6)、セクシ−チオフェン(参照:化7)及びオクチ−チオフェン(参照:化8)を例示できる。
式(IV):(X)m1−(Y)n−(X)m2
[式(IV)は、式(I)において(Y)nが分子中央部にブロックとして存在し、その両側に(X)m1のブロックと(X)m2のブロックが存在し得る化合物であり、式(IV)のm1+m2は、式(I)のmであり、X、Y及びnは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
n=1〜3の場合、m1又はm2=2であることが更により好ましく、m1=m2=2であることもより好ましい。n=4以上の場合、m1又はm2=1であることが更により好ましく、m1=m2=1であることもより好ましい。n=1〜5であることが特に好ましい。
式(V):(X)m1−(Y)n1−(X)m2−(Y)n2−(X)m3
[式(V)は、式(I)のn=2(即ち、n1=n2=1)、及び式(I)のm=m1+m2+m3であって、m2=1の化合物であり、X及びYは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、AC5(参照:化22)及びAC5−CF3(参照:化23)を例示することができる。
式(VI):(X)m1−(Y)n1−(X)m2−(Y)n2−(X)m3−(Y)n3−(X)m4
[式(VI)は、式(I)のn=3(即ち、n1=n2=n3=1)、及び式(I)のm=m1+m2+m3+m4であって、m2=m3=1の化合物であり、X及びYは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、AC′7(参照:化24)を例示することができる。
式(VII):(Y)n1−(X)m−(Y)n2
[式(VII)は、式(I)において(X)mが分子中央部にブロックとして存在し、その両側に(Y)n1のブロックと(Y)n2のブロックが存在し得る化合物であり、式(VII)のn1+n2は、式(I)のnであり、X、Y及びmは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
m=1〜3の場合、n1又はn2=2であることが更により好ましく、n1=n2=2であることもより好ましい。m=4以上の場合、n1又はn2=1であることが更により好ましく、n1=n2=1であることもより好ましい。m=1〜5であることが特に好ましい。
式(VIII):(Y)n1−(X)m1−(Y)n2−(X)m2−(Y)n3
[式(VIII)は、式(I)のm=2(即ち、m1=m2=1)、及び式(I)のn=n1+n2+n3であって、n2=1の化合物であり、X及びYは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、AC’5(参照:化26)を例示することができる。
式(IX):(Y)n1−(X)m1−(Y)n2−(X)m2−(Y)n3−(X)m3−(Y)n4
[式(IX)は、式(I)のm=3(即ち、m1=m2=m3=1)、及び式(I)のn=n1+n2+n3+n4であって、n2=n3=1の化合物であり、X及びYは、式(I)に記載した通りであり、XとYは単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、AC7(参照:化27)を例示することができる。
そのような導電性ポリマーとして、例えば、式(XI)に示す化合物を例示できる。
[ここで、
Xは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素、セレン及びテルル等のヘテロ原子を有してよく、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等)、ハロゲン、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アルケニル基(例えば、エテニル基等)、シアノ基、フッ素化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基等)等の置換基を有してよい6員環であり、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、p−ピリジルビニレン、ピラン、チオピラン環等であり、ベンゼン環がより好ましい。
pは、0以上が好ましく、100以上がより好ましく、1000以上が更に好ましい。
Yは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素、セレン及びテルル等のヘテロ原子を有してよく、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等)、ハロゲン、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アルケニル基(例えば、エテニル基等)、シアノ基、フッ素化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基等)等の置換基を有してよい5員環であり、好ましくは、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環であり、チオフェン環がより好ましい。
qは、0以上が好ましく、100以上がより好ましく、1000以上が更に好ましい。
Zは、各々独立して、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等)、ハロゲン、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アルケニル基(例えば、エテニル基等)、シアノ基、フッ素化アルキル基(例えば、トリフルオロメチル基等)等の置換基を有してよい、炭素原子間単結合、炭素原子間二重結合又は炭素原子間三重結合であり、上記の炭素原子は、窒素、酸素、硫黄等のヘテロ原子で置き換えられてもよい。
rは、0以上が好ましく、100以上がより好ましく、1000以上が更に好ましい。
p+q+rは、30より大きいことが好ましく、100以上がより好ましい、1000以上が更により好ましい。
X、Y及びZは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよい。X、Y及びZは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよい。
X同士は、縮環してもよい。
XとYは、単結合で結合し、XとYが交互に結合することが好ましい。]
を例示することができる。
式(XII):(X)p
[式(XII)は、式(XI)のq=r=0の化合物であり、X及びpは、式(XI)に記載した通りであり、X同士は、縮環した、又は単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、例えば、ポリ−パラ−フェニルを例示できる。
式(XIII):(Y)q
[式(XIII)は、式(XI)のp=r=0の化合物であり、Y及びqは、式(XI)に記載した通りであり、Y同士は単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、例えば、ポリチオフェン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)等を例示できる。
式(XIV):(Z)r
[式(XIV)は、式(XI)のp=q=0の化合物であり、Z及びrは、式(XI)に記載した通りであり、Z同士は単結合で結合した化合物]が好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、例えば、ポリアセチレン、その誘導体等を例示できる。
式(XV):(X)p−(Z)r
[式(XV)は、式(XI)においてq=0の化合物であり、X及びZは、式(XI)に記載した通りであり、XとZは、ランダムに結合、ブロックに結合、又は交互に結合した化合物]が好ましい。
Xは置換基を有してよいベンゼン環であり、Zは炭素原子間二重結合である化合物がより好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、ポリパラフェニレンビニレン、その誘導体等を例示できる。
式(XVI):(Y)q−(Z)r
[式(XVI)は、式(XI)においてp=0の化合物であり、Y及びZは、式(XI)に記載した通りであり、YとZは、ランダムに結合、ブロックに結合、又は交互に結合した化合物]が好ましい。
Yは、置換基を有してよいチオフェン環であり、Zは炭素原子間二重結合である化合物がより好ましい。
そのような化合物として、より具体的には、ポリチオフェンビニレン、およびその誘導体等を例示できる。
(C)電極層は、5nm〜100μmであることが好ましく、10nm〜20μmであることがより好ましく、100nm〜2μmであることが更に好ましい。
(i)導電性ポリマーを電極層上に配置して導電性ポリマーを含む配向膜を製造すること;
(ii)導電性ポリマーを含む配向膜層に有機半導体を堆積させて、有機半導体を含む層を製造すること;
(iii)有機半導体を含む層に結晶化処理を施して、有機半導体結晶を含む層を製造すること
を含む、積層体の製造方法。
積層体の製造方法は、(i)導電性ポリマーを電極層上に配置して導電性ポリマーを含む配向膜を製造することを含む。導電性ポリマーを含む配向膜を得られる限りその方法は特に制限されることはないが、例えば、導電性ポリマーを電極上に配置して、配置した導電性ポリマーの表面に配向処理をして配向膜を製造してもよいし、導電性ポリマーを電極上に配置しながら一軸配向させて配向膜を製造してもよい。
そのような方法は、有機半導体を含む層を得ることができる限り、特に制限されることはない。例えば、有機半導体を配向膜に蒸着する方法、配向膜に有機半導体をキャスト(例えば、ドロップキャスト及びスピンコート等)する方法等を例示できる。
そのような方法は、有機半導体結晶を得ることができる限り、特に制限されることはない。例えば、ホットプレート、レーザー、赤外線(マイクロ波)、ハロゲンランプ等を用いて加熱する方法、メタノール、アセトアルデヒド、トルエン等の溶媒に入れる方法等が例示でき、その他、力を加える方法等が例示でき、および、これらの方法の複数を同時に用いて有機半導体に結晶化エネルギーを与える方法を例示することができる。
そのようなデバイスは、本発明の実施形態の積層体を含む限り制限されることはないが、例えば、光−電気変換素子としては太陽電池、光電素子等を、発光素子としては、有機レーザー、有機EL素子等を、アクティブ素子としてはトランジスタ、ダイオード等を例示できる。
実施例1の電極上の有機微結晶配列を含む層の作製
実験に用いるITOを、アセトン、2−プロパノール、エタノール、蒸留水の順に、各溶媒で5分間2回ずつ、溶媒を交換しながら超音波で洗浄した。基板に残った蒸留水滴を窒素ブローで取り除いた後、紫外線ランプ(波長185nmと254nm)によるオゾン照射を10−15分間施してさらに基板表面を洗浄した。
基板温度:200℃
圧力:約6.3kgf/cm2
掃引速度:500mm/min
掃引回数:1回
基板の中央に3mm×15mm程度の摩擦転写膜を製膜した。
作製したPT摩擦転写膜の偏光顕微鏡観察を行った。観察にはEclipse LV100 POL(NIKON社製)を用いた。クロスニコルの条件下で、作製した薄膜をステージ上で回転させ、薄膜の膜質および、配向状態を評価した。消光位において、真っ黒だった像が、45度回転させた対角位(図1)で筋状の線が確認できた。45度ごとに消光位と対角位が入れ替わり観察されることから、摩擦転写を行った部分での筋状のPT膜の高い配向性が示された。一部に膜の厚い部分があるものの、摩擦転写を行ったほとんどの部分に薄くPTが一軸方向に製膜されている。
ITO基板上に作製したPT摩擦転写膜の吸収スペクトルを測定した。測定には分光光度計UV−3600(島津製作所製)を用いた。大気中で、波長300−800nmの範囲で、基板面に垂直に光線が入射する配置で測定した。摩擦転写方向と偏光子の方位関係を図2に示す。入射光源と試料の間、および試料とディテクターの間に偏光方向を揃えた偏光板を一枚ずつ設置し、偏光吸収スペクトル測定を行った。
PT摩擦転写膜の膜厚を測定した。測定には段差膜厚計DektakXT(ブルカー・エイエックス社製)を用いた。先端の尖った針で表面をなぞり、膜がある部分とない部分の段差をナノメートルオーダーで測定した。
ITO基板上のPT摩擦転膜上からBP2Tを直接、0.02nm/sの蒸着レートで100nm真空蒸着した(試料名:PT−BP2T非加熱)。さらにBP2Tの蒸着後に大気中でヒーターを用いて基板を30分間150℃で加熱した(以後、アニールとも言う)試料を作製した(試料名:PT−BP2T加熱)。
各試料のPT摩擦転写膜の有無、アニールの有無を表1に示す。
Eclipse LV100 POL(NIKON社製)を用いてBP2T膜試料を観察した。
試料PT−BP2T非加熱の対角位の偏光顕微鏡像を図5に、試料PT−BP2T加熱のそれを図6に示す。
どちらの試料も共に、消光位において、真っ黒だった像が、45度回転させた対角位で筋状の膜が確認できた。クロスニコル下で基板を回転させたとき、45度ごとに消光位と対角位が観察されることから、BP2T層が配向していることが分かった。
リガク社製のX線回折計装置Rint2500(Cu−Kα、X線波長:0.15418nm)を用い2θ=2−40度の範囲で角度を変えてθ/2θ測定を行った。回折ピークとBP2Tの格子定数から面間隔とミラー指数を計算し、基板上の分子の配向状態を評価した。
また、試料BP2T非加熱のX線回折測定の結果を図8(a)に、試料BP2T加熱のX線回折測定の結果を図8(b)に、それぞれ示す。
図7、図8のグラフで、横軸は回折角度2θを、縦軸は回折したX線のカウント数を表す。PT摩擦転写膜のない試料X線回折のグラフを作成する際は、回折ピークを見やすくするため、縦軸の個々の値に関して、前後2つのデータと合わせて5つのデータの隣接平均をとって表した。
BP2T結晶において、分子長軸が基板に立って配向した場合の面間隔が2.63nm、基板に平行に配向した場合の面間隔が0.380nmや0.285nmである。グラフ中で、面間隔2.63nmに関する回折ピークに*を、面間隔0.380nmに関する回折ピークに〇をつけた。
なお、ピークの帰属は、粉末X線回折の結果を参考にして行った。回折ピークの散乱角2θからBragg式を用いて面間隔を計算した。
(002)面に由来する弱いピークは、摩擦転写PT膜の無いITOの部分に直接BP2Tが蒸着されたところがあり、この部分でのBP2Tの立った配向した分子が反映していると考えられる。なお図9のグラフにおいて観察される21.5度付近のピークはITOのピークである。
分光光度計UV−3600(島津製作所製)を用いて、試料PT−BP2T非加熱および試料PT−BP2T加熱の吸収スペクトルを測定した。
試料PT−BP2T非加熱および試料PT−BP2T加熱ともに、入射光と出射光の偏光方向により、吸光度の大きさとスペクトル形状に大きな差があった。入射光と出射光の偏光方向が摩擦転写方向に平行なときの吸収スペクトル(A//)では、極大をもつピークが見られたが、垂直なときの吸収スペクトル(A⊥)では、このピークが消失し、強度も大きく減衰している。入射光と出射光が偏光していないときの吸収スペクトルを示すA(non polarized)は、A//とA⊥の間となった。
日本電子社製の走査型電子顕微鏡(SEM)JIB−4600F、またはJSE−7001を用いて試料の表面を観察した。
試料PT−BP2T非加熱では、幅50nm程度、長さ250nm程度の大きさの無数の微結晶が、お互いに融着した個所を見せつつ、微結晶の長手方向がおおむね転写方向に垂直になるように配列している様子が見える。
BP2Tの結晶は、BP2Tの分子の長軸と垂直方向に成長しやすい。BP2T分子は細長い微結晶の長手方向に垂直に並んでいると考えられるので、BP2T分子の多くは、摩擦転写方向に平行に配列しているものと考えられる。
試料BP2T加熱ではBP2T分子が小さな結晶子を構成して基板上に多結晶薄層を形成していると考えられる。
これは、PT摩擦転写膜がないため、ITO上に均等にBP2Tが付着したためだと考えられる。アニールによる分子の凝集もあまり顕著ではないことが示唆される。
有機太陽電池の試作
PT摩擦転写膜の有無によるデバイス特性への影響を調べるため、2つのデバイスを作製した。デバイスの構造を図14に示す。
BP2T微結晶配列層を用いた太陽電池のBP2T微結晶の実際の層厚は図12からおよそ100から500nmの間であると見積もった。図12は微結晶配列構造を基板に垂直に観測した図であるが、BP2Tの結晶成長において結晶a、b軸方向の成長速度に大きな違いがないため微結晶の高さ(図12の結晶の垂直方向の長さ)をこのように見積もった。
太陽電池の作製に、厚さ150nmのITOがパターニングされたガラス基板(寸法15mm×15mm、厚さ0.7mm)を用いた。1枚の基板中にはエッチングにより6.5mm×2mmおよび2mm×2mmの大きさにパターニングされたITO層が各4個ずつ、図15に示すように配置されている。
太陽電池は真空蒸着装置(VPE−1200、VIC International社製)で作製した。
有機膜用のマスクを金属用のものに交換するために、基板を蒸着室からロードロック室を介してグローブボックスに移動させた。グローブボックス内で金属電極蒸着用の7mm×2mmの大きさの窓が4つ開いたステンレス製のマスクに交換したのち、再びロードロック室を経由して蒸着室に基板を戻した。
完成した太陽電池デバイスを、ロードロック室を介して窒素雰囲気下にあるグローブボックスに移した。この時のグローブボックス内の酸素濃度は87.5ppm、露点は−43.3℃であった。ITO電極を正極、Al電極を負極(接地)としてKEITHLEY 2400 SourceMeterを用いて電流−電圧測定を行った。
暗時と光照射時におけるPT付BP2T微結晶太陽電池、PT無BP2T薄層太陽電池の電流−電圧特性をそれぞれ図17、図18に示す。図17、図18のグラフ中、1(点線)はPT無BP2T薄層太陽電池の特性を示し、2(実線)はPT付BP2T微結晶太陽電池の特性を示す。それぞれのデバイスの暗時における整流比(±1.0Vで計算)、疑似太陽光照射下の短絡電流密度(JSC)、開放電圧(VOC)、フィルファクター(FF)、変換効率(PCE)を表6に示す。
1 BP2T微結晶配列層
2 ポリチオフェン摩擦転写膜
3 ITO電極層
4 ガラス基板
5 フラーレンC70層
6 BCP層
7 アルミニウム電極層
11 比較例に係る有機太陽電池
8 BP2T蒸着層
Claims (7)
- (A)有機半導体結晶を含む層;
(B)導電性ポリマーを含む配向膜;及び
(C)電極層
を含み、
(A)層と(C)層の間に(B)膜を有する積層体。 - 有機半導体結晶は、有機半導体微結晶を含む、請求項1に記載の積層体。
- 有機半導体微結晶は、少なくとも1軸配列している、請求項2に記載の積層体。
- 有機半導体は、式(I)に示す化合物:
式(I):(X)m−(Y)n
[ここで、
Xは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい6員環であり、
mは、0〜30であり、
Yは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい5員環であり、
nは、0〜30であり、
m+nは、2以上30以下、
XとYは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよく、 XとYは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよく、
X同士は、縮環してもよい。]
から選択される少なくとも1種を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の積層体。 - 導電性ポリマーは、式(XI)に示す化合物:
式(XI):(X)p−(Y)q−(Z)r
[ここで、
Xは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい6員環であり、
pは、0以上であり、
Yは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい5員環であり、
qは、0以上であり、
Zは、各々独立して、ヘテロ原子を有してよく、置換基を有してよい単結合、二重結合又は三重結合であり、
rは、0以上であり、
p+q+rは、30より大きく、
X、Y及びZは、ブロックで結合しても、ランダムに結合しても、交互に結合してもよく、
X、Y及びZは、単結合で結合しても、二重結合で結合しても、三重結合で結合してもよく、
X同士は、縮環してもよい。]
から選択される少なくとも1種を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の積層体。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の積層体を含むデバイス。
- (i)導電性ポリマーを電極上に配置して導電性ポリマーを含む配向膜を製造すること;
(ii)導電性ポリマーを含む配向膜層に有機半導体を堆積させて、有機半導体を含む層を製造すること;
(iii)有機半導体を含む層に結晶化処理を施して、有機半導体結晶を含む層を製造すること
を含む、請求項1〜5のいずれかに記載の積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018024144A JP2019140316A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 有機半導体結晶層と導電性ポリマー配向膜を有する積層体、それを含むデバイス及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018024144A JP2019140316A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 有機半導体結晶層と導電性ポリマー配向膜を有する積層体、それを含むデバイス及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019140316A true JP2019140316A (ja) | 2019-08-22 |
Family
ID=67695505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018024144A Pending JP2019140316A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | 有機半導体結晶層と導電性ポリマー配向膜を有する積層体、それを含むデバイス及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019140316A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040020197A (ko) * | 2002-08-30 | 2004-03-09 | 최종선 | 편광 유기 전기 발광 소자 및 그 제조 방법과, 이를이용한 액정 디스플레이 장치 |
JP2005093955A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子及びその製造方法 |
JP2007059457A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Univ Of Tsukuba | 有機半導体分子の配向制御方法及び有機薄膜太陽電池 |
US20070170844A1 (en) * | 1996-06-25 | 2007-07-26 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control |
KR20110129704A (ko) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 국민대학교산학협력단 | 유기 감광 광전소자 |
JP2012222314A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機薄膜太陽電池 |
JP2013179158A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku | 光電変換装置を生産する方法、光電変換装置及び光電変換装置の生産装置 |
-
2018
- 2018-02-14 JP JP2018024144A patent/JP2019140316A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070170844A1 (en) * | 1996-06-25 | 2007-07-26 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control |
KR20040020197A (ko) * | 2002-08-30 | 2004-03-09 | 최종선 | 편광 유기 전기 발광 소자 및 그 제조 방법과, 이를이용한 액정 디스플레이 장치 |
JP2005093955A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子及びその製造方法 |
JP2007059457A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Univ Of Tsukuba | 有機半導体分子の配向制御方法及び有機薄膜太陽電池 |
KR20110129704A (ko) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 국민대학교산학협력단 | 유기 감광 광전소자 |
JP2012222314A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機薄膜太陽電池 |
JP2013179158A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku | 光電変換装置を生産する方法、光電変換装置及び光電変換装置の生産装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhou et al. | Photodetectors based on organic–inorganic hybrid lead halide perovskites | |
Zhao et al. | Accessing highly oriented two-dimensional perovskite films via solvent-vapor annealing for efficient and stable solar cells | |
Han et al. | Controllable growth of lead-free all-inorganic perovskite nanowire array with fast and stable near-infrared photodetection | |
Cao et al. | Fullerene derivative-modified SnO2 electron transport layer for highly efficient perovskite solar cells with efficiency over 21% | |
Cheng et al. | High-performance planar-type ultraviolet photodetector based on high-quality CH3NH3PbCl3 perovskite single crystals | |
US9812660B2 (en) | Method for single crystal growth of photovoltaic perovskite material and devices | |
Zhu et al. | Crystallization, Properties, and Challenges of Low‐Bandgap Sn–Pb Binary Perovskites | |
Chen et al. | Magnetron sputtered Sb2Se3-based thin films towards high performance quasi-homojunction thin film solar cells | |
Li et al. | Recent advances toward environment-friendly photodetectors based on lead-free metal halide perovskites and perovskite derivatives | |
JP5013571B2 (ja) | 有機半導体分子の配向制御方法及び有機薄膜太陽電池 | |
Zhan et al. | Boosting the performance of self-powered CsPbCl3-based UV photodetectors by a sequential vapor-deposition strategy and heterojunction engineering | |
Fu et al. | Large-scale growth of ultrathin low-dimensional perovskite nanosheets for high-detectivity photodetectors | |
Wang et al. | Monocrystalline perovskite wafers/thin films for photovoltaic and transistor applications | |
TW201123578A (en) | Bulk heterojunction organic photovoltaic cells made by glancing angle deposition | |
Thote et al. | High-working-pressure sputtering of ZnO for stable and efficient perovskite solar cells | |
TW201917905A (zh) | 鈣鈦礦太陽能電池模組及其製備方法 | |
Zheng et al. | Ultrasensitive perovskite photodetectors by Co partially substituted hybrid perovskite | |
Zhang et al. | FAPbI3 perovskite films prepared by solvent self-volatilization for photovoltaic applications | |
US9985230B2 (en) | Fluorine-modification process and applications thereof | |
KR101819954B1 (ko) | 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법 및 이에 의해 제조된 광흡수층을 포함하는 태양전지 | |
Zhu et al. | Solution‐Processed Compact Sb2S3 Thin Films by a Facile One‐Step Deposition Method for Efficient Solar Cells | |
Tang et al. | Rubidium chloride doping TiO2 for efficient and hysteresis-free perovskite solar cells with decreasing traps | |
WO2016123399A1 (en) | Systems and methods for fabricating single crystal photovoltaic perovskite materials and devices incorporating the same | |
KR101541205B1 (ko) | 질서화된 결정질 유기 막의 성장 방법 | |
Zhao et al. | Fabrications of halide perovskite single-crystal slices and their applications in solar cells, photodetectors, and leds |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220524 |