JP2019135821A - パワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム - Google Patents

パワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム Download PDF

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Abstract

【課題】システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができるパワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システムを提供する。【解決手段】メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cとは一対となって一つの半導体パッケージP11,P12,P13にそれぞれされる。また、半導体パッケージP11,P12,P13それぞれにおいて、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cの電源線12A,12B,12Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cの電源線22A,22B,22Cとは、互いに異なる負荷LA,LB,LCに接続するように設けられる。【選択図】図1

Description

本発明は、自動車などの車両に搭載され、電源線の短絡又は開放を切り替えるパワー半導体素子を有するパワー半導体デバイス、及びこのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システムに関する。
自動車などの車両に搭載される車両用電源供給システムとしては、電源と負荷との間に回路保護機構(ヒューズ、リレー回路)として短絡又は開放を切り替える開閉スイッチを設け、この開閉スイッチを、例えば従来のリレー回路に代えてパワーMOSFETなどの半導体素子で構成されるパワー半導体デバイスで設けるものが知られる(例えば、特許文献1参照)。このパワー半導体デバイスは、並列して接続された複数の半導体素子から構成される。このように、車両の電装においてパワー半導体デバイスの導入が検討されており、また、この採用により、電源箱など装置や機器の高機能化や軽量化が期待されている。
特開2017−114303号公報
その一方で、この種のパワー半導体デバイスの車両への採用については、ISO26262(機能安全)を考慮しなければならない。すなわち、採用するシステムによっては、このISO26262の機能安全の要件を満たすためにシステムの冗長性に配慮した設計を行う必要がある。
ここで、図7を参照して、システムの冗長性に配慮した、従来の、パワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム(以下、従来例とも言う。)7について説明する。図7は、従来の車両用電源供給システム7を説明する回路概略図である。
なお、図7では、模式的にパワーMOSFET73A,73B,73C,83A,83B,83Cを表現して示しているが、制御装置(不図示)からそれぞれオンオフ制御可能なように、これらパワーMOSFET73A,73B,73C,83A,83B,83Cそれぞれには所定の電圧を印加するための電気回路(不図示)も設けられている。
図7に示すように、従来例の車両用電源供給システム7は、第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに電気供給するため、メインの蓄電池71を電源として含むメインの電源系70と、サブの蓄電池81を電源として含むサブの電源系80と、を有する。メイン及びサブの電源系70,80は、第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに対し両方から電気供給可能なように配設される。サブの電源系80は、メインの電源系70とは別系統で設けられており、バックアップ的に用いられる。
なお、例えば、第1の負荷LAは、電子式燃料噴射装置や電子制御ユニットなどに該当する。第2の負荷LBは、アンチロック・ブレーキ・システムなどに該当する。第3の負荷LCは、エンジン点火装置などに該当する。
メインの電源系70は、電源線として、第1、第2及び第3の電源線72A,72B,72Cを有する。メインの電源系70の第1の電源線72Aは、メインの蓄電池71と第1の負荷LAとを接続する。第2の電源線72Bは、メインの蓄電池71と第2の負荷LBとを接続する。第3の電源線72Cは、メインの蓄電池71と第3の負荷LCとを接続する。
また、サブの電源系80も同様に、電源線として、第1、第2及び第3の電源線82A,82B,82Cを有する。サブの電源系80の電源線82A,82B,82Cは、サブの蓄電池71と負荷LA,LB,LCとをそれぞれ並列に接続し、メインの電源系70のバックアップとして機能する。
そして、メインの電源系70の第1、第2及び第3の電源線72A,72B,72Cには第1、第2及び第3のパワーMOSFET73A,73B,73Cがそれぞれ配設される。サブの電源系80でも同様に、サブの電源系80の第1、第2及び第3の電源線82A,82B,82Cには第1、第2及び第3のパワーMOSFET83A,83B,83Cがそれぞれ配設される。
これらパワーMOSFET73A,73B,73C、83A,83B,83Cは、不図示の信号線を介して不図示の制御装置に接続されており、制御装置によりそれぞれオンオフ制御される。すなわち、これらパワーMOSFET73A,73B,73C、83A,83B,83Cは、スイッチング素子として機能し、制御装置によりオンオフ制御されて短絡又は開放して、メイン又はサブの蓄電池71,81からの電気を各電源線72A,72B,72C,82A,82B,82Cに通過させたり遮断したりする。
このように、従来の、パワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム7では、第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに対し、メインの電源系70での一部故障に備えて別の系統(経路)すなわちサブの電源系80からでも電気供給可能にしている。これにより、機能安全性を向上させることが可能となる。
しかしながら、前述したようにシステムの冗長性を実現できるものの、サブの電源系80の電源線82A,82B,82CにもパワーMOSFET83A,83B,83Cなどのパワー半導体素子をさらに設けることになり、パワー半導体素子などの部品点数が増え、製造コストの増加に繋がる可能性がある。また、近年、自動運転システムなどの実装が進展しており、機能安全性を要求する装置や機器(負荷)が増大傾向にあり、これら負荷の機能安全性の確保を踏まえると、かかる半導体素子の部品点数の増加傾向は顕著である。
そこで、本発明者らは、かかる状況においてパワー半導体素子の導入に伴う部品点数や導入コストの増加を抑制すべく鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、複数のパワー半導体素子においてハードフェア構成として共通する部分を共有化して1つの回路基板に構築する(パッケージ化)ことに着目し、部品点数や導入コストの増加を抑制できる可能性を見出した。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができるパワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システムを提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) メインの電源と複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線と、
前記複数のメインの電源線とは別に設けられ、サブの電源と前記複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線と、
前記複数のメインの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子と、
前記複数のサブの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子と、
を備え、
前記複数のメイン及び前記複数のサブのパワー半導体素子のうち少なくとも一部において、当該一部に含まれる、前記メインのパワー半導体素子と、前記サブのパワー半導体素子とは一対となって一つの半導体パッケージとされ、
当該半導体パッケージにおいて、当該メインのパワー半導体素子のメインの電源線と、当該サブのパワー半導体素子のサブの電源線とは、互いに異なる前記負荷に接続される、
ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
(2) 前記複数のメインのパワー半導体素子の他部において、当該他部に含まれる前記メインのパワー半導体素子は、当該他部に含まれる他の前記メインのパワー半導体素子のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージとされ、
前記複数のサブのパワー半導体素子の他部において、当該他部に含まれる前記サブのパワー半導体素子は、当該他部に含まれる他の前記サブのパワー半導体素子のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージとされる、
ことを特徴とする上記(1)に記載のパワー半導体デバイス。
(3) メインの電源と複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線と、
前記複数のメインの電源線とは別に設けられ、サブの電源と前記複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線と、
前記複数のメインの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子と、
前記複数のサブの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子と、
を備え、
前記複数のサブのパワー半導体素子のうち少なくとも2つは、一組となって一つの半導体パッケージとされる、
ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
(4) 検知された前記半導体パッケージの故障状況に応じて、前記複数のサブのパワー半導体素子をそれぞれオンオフ制御する制御部をさらに有する、
ことを特徴とする上記(1)〜(3)の何れか1つに記載のパワー半導体デバイス。
(5) 上記(1)〜(4)の何れか1つに記載のパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム。
上記(1)のパワー半導体デバイスの構成によれば、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができる。
上記(2)のパワー半導体デバイスの構成によれば、メイン及びサブの電源系内それぞれにおいても半導体パッケージを設けるので、各電源系で近接する配線同士を繋げるなどして回路構造の複雑化を避け、導入コストの増加をより抑制することができる。
上記(3)のパワー半導体デバイスの構成によれば、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができる。また、サブの電源系内で半導体パッケージを設けるので、メインの電源系内で設けるのと比べて半導体パッケージが故障した場合、その故障が与える影響を小さく抑えることができる。また、当該電源系で近接する配線同士を繋げるなどして回路構造の複雑化を避け、導入コストの増加をより抑制することができる。
上記(4)のパワー半導体デバイスの構成によれば、メインの電源系で故障が発生してこのメインの電源系から電気供給が不能になっても、サブの電源系の電源線から電気を迅速且つ適切に供給することができる。
上記(5)の車両用電源供給システムの構成によれば、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数を削減することができる車両用電源供給システムを提供することができる。
本発明のパワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システムによれば、複数のパワー半導体素子を1つの回路基板に搭載して、これら複数のパワー半導体素子においてハードフェア構成として共通する部分を共有化する。これにより、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができる。
以上、本発明について簡潔に説明した。さらに、以下に説明される発明を実施するための形態(以下、「実施形態」という。)を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細はさらに明確化されるだろう。
図1は、本発明に係る第1実施形態の車両用電源供給システムを説明する概略回路構成図である。 図2は、図1に示す第1の半導体パッケージで故障が発生した場合の電気の経路を説明する概略回路構成図である。 図3は、本発明に係る第2実施形態の車両用電源供給システムを説明する概略回路構成図である。 図4は、図3に示す第1の半導体パッケージで故障が発生した場合の電気の経路を説明する概略回路構成図である。 図5は、本発明に係る第3実施形態の車両用電源供給システムを説明する概略回路構成図である。 図6は、図5に示すメインの電源系の第1のパワーMOSFETで故障が発生した場合の電気経路を説明する概略回路構成図である。 図7は、従来の車両用電源供給システムを説明する概略回路構成図である。
本発明の車両用電源供給システムに関する具体的な複数の実施形態について、各図を参照しながら以下に説明する。
(第1実施形態)
図1及び図2を参照して、本発明に係る第1実施形態の車両用電源供給システム1について説明する。
<車両用電源供給システムの回路構成について>
まず図1を参照して、本実施形態の車両用電源供給システム1の回路構成について説明する。図1は、本実施形態に係る車両用電源供給システム1を説明する概略回路構成図である。
なお、図1では、模式的にパワーMOSFET(パワー半導体素子)13A,13B,13C,23A,23B,23Cを表現して示しているが、制御装置(制御部)CUからそれぞれオンオフ制御可能なように、これらパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cそれぞれには所定の電圧を印加するための電気回路(不図示)も設けられている。図2〜図6についても同様である。また、図1〜図6中の白抜きの矢印は、蓄電池11,21,31,41,51,61からの電気の経路(流れ)を意味している。
図1に示すように、本実施形態の車両用電源供給システム1は、メインの電源系10とサブの電源系20とを有して構成されており、第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに電気を供給するために用いられる。また、車両用電源供給システム1は、後述するパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cをオンオフ制御する制御装置(制御部)CUをさらに有する。
第1の負荷LAは、機能安全の要求が最も高い装置や機器に該当し、電子式燃料噴射装置、電子制御ユニット、レーダー装置などが例示される。第2の負荷LBは、次に機能安全の要求が高い装置や機器に該当し、アンチロック・ブレーキ・システムなどが例示される。第3の負荷LCは、さらに次に機能安全の要求が高い装置や機器に該当し、エンジン点火装置やクリアランスソナー装置などが例示される。
なお、本実施形態では、負荷LA,LB,LCを3つとしたがこの数量に限定されない。負荷が3つ以外の複数個である場合には、この数量に応じて後述する電源線12A,12B,12C,22A,22B,22CやパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cが適宜設けられることになる。
メインの電源系10は、メインの蓄電池11を電源として含み、また電源線として第1、第2及び第3の電源線12A,12B,12Cを有する。メインの電源系10の電源線12A,12B,12Cは電気回路が互いに並列に設けられており、メインの蓄電池11と負荷LA,LB,LCとをそれぞれ並列に接続する。
具体的には、メインの電源系10の第1の電源線12Aは、メインの蓄電池11と第1の負荷LAとを接続する。第2の電源線12Bは、メインの蓄電池11と第2の負荷LBとを接続する。第3の電源線12Cは、メインの蓄電池11と第3の負荷LCとを接続する。すなわち、メインの電源系10では、メインの蓄電池11の下流回路に第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCが接続され、第1、第2及び第3の電源線12A,12B,12Cを介してメインの蓄電池11から第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに電気が供給される。
なお、メインの電源系10が通常に使用される電気系統とされる。
サブの電源系20は、メインの電源系10とは別の電気系統(バックアップ系統)として設けられており、サブの蓄電池21を電源として含み、また電源線として、第1、第2及び第3の電源線22A,22B,22Cを有する。サブの電源系20の電源線22A,22B,22Cは、電気回路が互いに並列に設けられており、サブの蓄電池21と負荷LA,LB,LCとをそれぞれ並列に接続する。
サブの電源系20でも同様に、サブの電源系20の第1の電源線22Aは、サブの蓄電池21と第1の負荷LAとを接続する。第2の電源線22Bは、サブの蓄電池21と第2の負荷LBとを接続する。第3の電源線22Cは、サブの蓄電池21と第3の負荷LCとを接続する。すなわち、サブの蓄電池21の下流回路に第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCが接続される。また、サブの電源系20では、例えばメインの電源系10の何れかの電源線12A,12B,12Cで故障が発生して機能不全となった際に、それを補完するように、第1、第2及び第3の電源線22A,22B,22Cを介してサブの蓄電池21から第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCに電気が供給されることになる。
なお、本実施形態では、メイン及びサブの蓄電池11,21は鉛バッテリであり、バッテリ容量が低下しないように、オルタネータなどの発電機により充電される。また、メイン及びサブの蓄電池11,21、第1、第2及び第3の負荷LA,LB,LCはその負極側でそれぞれ接地(グランド)される。また、本実施形態では、電源として鉛バッテリの蓄電池11,21を用いるが、電源の機能を有するものであれば限定されず、例えば、その他、発電機などの電源や、リチウムイオンバッテリなどの蓄電池などを適宜用いることが可能である。
そして、メインの電源系10において第1の電源線12Aには第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)13Aが、第2の電源線12Bには第2のパワーMOSFET13Bが、第3の電源線12Cには第3のパワーMOSFET13Cがそれぞれ設けられる。これらパワーMOSFET13A,13B,13Cは、メインの電源線12A,12B,12Cの短絡又は開放をそれぞれ切り替える。
同様に、サブの電源系20においても第1の電源線22Aには第1のパワーMOSFET23Aが、第2の電源線22Bには第2のパワーMOSFET23Bが、第3の電源線22Cには第3のパワーMOSFET23Cがそれぞれ設けられる。これらパワーMOSFET23A,23B,23Cは、サブの電源線22A,22B,22Cの短絡又は開放をそれぞれ切り替える。
制御装置CUは、ハードウェアとして演算回路、インタフェース回路及びメモリ回路などを含むコンピュータシステムで構成され、不図示の信号線を介してメイン及びサブの電源系10,20のパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cをそれぞれオンオフ制御する。
これにより、パワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cは、制御装置CUの指示に従ってオンオフ制御されてスイッチング素子として機能する。すなわち、パワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cそれぞれは、制御装置CUによりオン(短絡)制御されたときに電源線12A,12B,12C,22A,22B,22Cを短絡して、蓄電池11,21からの電気を通過させる。その一方で、パワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cは、制御装置CUによりオフ(開放)制御されたときに電源線12A,12B,12C,22A,22B,22Cを開放して、蓄電池11,21からの電気を遮断する。
そして、本実施形態では、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cとは一対となって一つの半導体パッケージP11,P12,P13にそれぞれされる。また、半導体パッケージP11,P12,P13それぞれにおいて、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cの電源線12A,12B,12Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cの電源線22A,22B,22Cとは、互いに異なる負荷LA,LB,LCに接続するように設けられる。
具体的には、メインの電源系10の第1のパワーMOSFET13Aは、サブの電源系20の第2のパワーMOSFET23Bと一対となって半導体パッケージP11とされる。メインの電源系10の第2のパワーMOSFET13Bは、サブの電源系20の第3のパワーMOSFET23Cと一対となって半導体パッケージP12とされる。メインの電源系10の第3のパワーMOSFET13Cは、サブの電源系20の第1のパワーMOSFET23Aと一対となって半導体パッケージP13とされる。
すなわち、メインの電源系10の第1のパワーMOSFET13Aとサブの電源系20の第2のパワーMOSFET23Bとのユニット(組み合わせ)、メインの電源系10の第2のパワーMOSFET13Bとサブの電源系20の第3のパワーMOSFET23Cとのユニット、及びメインの電源系10の第3のパワーMOSFET13Cとサブの電源系20の第1のパワーMOSFET23Aとのユニットで、1つの回路基板上に一対のパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cがそれぞれ搭載されており、ハードウェアとして共通している部分は共有化されて構成される。
また、半導体パッケージP11,P12,P13では、一方のパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cが故障すると半導体パッケージP11,P12,P13全体として故障してしまい、その結果、他方のパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cも同時に使用不能となる場合がある。
そのため、本実施形態では、前述したように、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cの電源線12A,12B,12Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cの電源線22A,22B,22Cとは、互いに異なる負荷LA,LB,LCに接続するように設けられる。これにより、半導体パッケージP11,P12,P13が故障しても、負荷LA,LB,LCに電気供給が一切不能になるのを防止することが可能となる。
また、制御装置CUには、車両用電源供給システム1の異常を検知するための各種センサ(不図示)からの検知信号が入力される。この検知信号には、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cや当該パワーMOSFET13A,13B,13Cを含む半導体パッケージP11,P12,P13の何れかが故障したのかを報知する信号も含まれる。
制御装置CUは、当該検知信号に応じて、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cをそれぞれオンオフ制御する。このような制御装置CUのオンオフ制御により、所定の負荷LA,LB,LCへの電気供給をメインの電源系10からサブの電源系20へと電気の経路を切り替える。
なお、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cの何れも故障してない通常状態では、制御装置CUは、サブの電源系20のパワーMOSFET23A,23B,23Cを常時オフ(開放)状態に設定して、その機能を停止する。その一方で、制御装置CUは、メインの電源系10のパワーMOSFET13A,13B,13Cをオン(短絡)状態に設定する。これにより、サブの電源系20の電源線22A,22B,22Cには蓄電池21からの電気は通過せず、サブの電源系20の電源線22A,22B,22Cを介して負荷LA,LB,LCに電気は供給されない。メインの電源系10からの電気供給のみとなる。
<制御装置のオンオフ制御による電気の経路について>
次に図2を参照して、本実施形態において第1の半導体パッケージP11が故障した場合の電気の経路について説明する。図2は、第1の半導体パッケージP11で故障が発生した場合の電気の経路を説明する概略回路構成図である。
図2に示すように、本ケースでは第1の半導体パッケージP11において故障が発生している。この場合には、第1の半導体パッケージP11を構成するメインの電源系10の第1のパワーMOSFET13A及びサブの電源系20の第2のパワーMOSFET23Bの両方が故障し、機能不能となっている。そのため、このままでは第1の負荷LAへ電気が供給されなくなってしまう。
そこで、制御装置CUは、センサ(不図示)により検知された第1の半導体パッケージP11のかかる故障状況に応じて、第3の半導体パッケージP13を構成する、サブの電源系20の第1のパワーMOSFET23Aをオン状態に設定する。これにより、第1の負荷LAには、サブの電源系20の蓄電池21から、サブの電源系20の第1の電源線22A及び第1のパワーMOSFET23Aを通じて電気が供給されることになる。
<本実施形態の車両用電源供給システムの利点について>
以上説明したように本実施形態の車両用電源供給システム1によれば、メインの電源系10のパワーMOSFET(パワー半導体素子)13A,13B,13Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET(パワー半導体素子)23A,23B,23Cとは一対となって一つの半導体パッケージP11,P12,P13にそれぞれされる。このため、複数のパワーMOSFET(パワー半導体素子)13A,13B,13C,23A,23B,23Cを1つの回路基板に搭載して、これら複数のパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23Cにおいてハードフェア構成として共通する部分を共有化する。これにより、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができる。
また、本実施形態の車両用電源供給システム1によれば、半導体パッケージP11,P12,P13それぞれにおいて、メインの電源系10のパワーMOSFET(パワー半導体素子)13A,13B,13Cの電源線12A,12B,12Cと、サブの電源系20のパワーMOSFET(パワー半導体素子)23A,23B,23Cの電源線22A,22B,22Cとは、互いに異なる負荷LA,LB,LCに接続するように設けられる。このため、半導体パッケージP11,P12,P13が故障してそのパワーMOSFET13A,13B,13C,23A,23B,23C全部が機能不能になったとしても、負荷に電気供給が一切不能になるのを防止することができる。
また、本実施形態の車両用電源供給システム1によれば、検知された半導体パッケージP11,P12,P13の故障状況に応じて、サブの電源系20のパワーMOSFET(パワー半導体素子)23A,23B,23Cをそれぞれオンオフ制御する制御装置(制御部)CUをさらに有するため、メインの電源系10で故障が発生してこのメインの電源系10から電気供給が不能になっても、サブの電源系20の電源線22A,22B,22Cから電気を迅速且つ適切に供給することができる。
(第2実施形態)
次に、図3及び図4を参照して、本発明に係る第2実施形態の車両用電源供給システム3について説明する。
なお、上記第1実施形態と同一又は同等部分については、図面に同一或いは同等符号を付してその説明を省略或いは簡略化する。
<車両用電源供給システムの回路構成について>
まず図3を参照して、本実施形態の車両用電源供給システム3の回路構成について説明する。図3は、本実施形態に係る車両用電源供給システム3を説明する概略回路構成図である。
図3に示すように、本実施形態では、メイン及びサブの電源系30,40のパワーMOSFET33A,33B,33C,43A,43B,43Cの一組(一部)において、この一組の、メインの電源系30の第3のパワーMOSFET33Cと、サブの電源系40の第2のパワーMOSFET43Bとが一対となって一つの半導体パッケージP32とされる。
そして、メインの電源系30のパワーMOSFET33A,33B,33Cの残り(他部)において、この残りの、メインの電源系30の第1のパワーMOSFET33Aは、その第2のパワーMOSFET33Bと一対となって一つの半導体パッケージP31とされる。
サブの電源系40でも同様に、サブの電源系40のパワーMOSFET43A,43B,43Cの残り(他部)において、この残りの、サブの電源系40の第1のパワーMOSFET43Aは、その第3のパワーMOSFET43Cと一対となって一つの半導体パッケージP33とされる。
それ他の構成については、上記第1実施形態と同様である。
<制御装置のオンオフ制御による電気の経路について>
次に図4を参照して、本実施形態において第1の半導体パッケージP31が故障した場合の電気の経路について説明する。図4は、第1の半導体パッケージP31で故障が発生した場合の電気の経路を説明する概略回路構成図である。
図4に示すように、本ケースでは第1の半導体パッケージP31において故障が発生している。この場合には、第1の半導体パッケージP31を構成するメインの電源系10の第1及び第2のパワーMOSFET33A,33Bの両方が故障し、機能不能となっている。そのため、このままでは第1及び第2の負荷LA,LBへ電気が供給されなくなってしまう。
そこで、制御装置CUは、センサ(不図示)により検知された第1の半導体パッケージP31のかかる故障状況に応じて、第2の半導体パッケージP32を構成する、サブの電源系40の第2のパワーMOSFET43B、及び第3の半導体パッケージP33を構成する、サブの電源系40の第1のパワーMOSFET43Aをオン状態に設定する。これにより、第1の負荷LAには、サブの電源系40の蓄電池41から、サブの電源系40の第1の電源線42A及び第1のパワーMOSFET43Aを通じて電気が供給される。また、第2の負荷LBには、サブの電源系40の第2の電源線42B及び第2のパワーMOSFET43Bを通じて電気が供給される。
<本実施形態の車両用電源供給システムの利点について>
以上説明したように本実施形態の車両用電源供給システム3によれば、メインの電源系30のパワーMOSFET(パワー半導体素子)33A,33B,33Cの残り(他部)において、当該他部に含まれるメインの電源系30の第1のパワーMOSFET33Aは、その第2のパワーMOSFET33Bと一対となって一つの半導体パッケージP31とされ、サブの電源系40のパワーMOSFET43A,43B,43Cの残り(他部)において、当該他部に含まれるサブの電源系40の第1のパワーMOSFET43Aは、その第3のパワーMOSFET43Cと一対となって一つの半導体パッケージP33とされる。このため、メイン及びサブの電源系30,40内それぞれにおいても半導体パッケージP31,P33を設けるので、各電源系30,40で近接する配線同士を繋げるなどして回路構造の複雑化を避け、導入コストの増加をより抑制することができる。
それ他の作用効果については、上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
次に、図5及び図6を参照して、本発明に係る第3実施形態の車両用電源供給システム5について説明する。
なお、上記第1及び第2実施形態と同一又は同等部分については、図面に同一或いは同等符号を付してその説明を省略或いは簡略化する。
<車両用電源供給システムの回路構成について>
まず図5を参照して、本実施形態の車両用電源供給システム5の回路構成について説明する。図5は、本実施形態に係る車両用電源供給システム5を説明する概略回路構成図である。
図5に示すように、本実施形態では、サブの電源系60のパワーMOSFET(パワー半導体素子)63A,63B,63Cの全部が、一組となって一つの半導体パッケージP51とされる。すなわち、サブの電源系60において、第1、第2及び第3のパワーMOSFET63A,63B,63Cの3つが一つの半導体パッケージP51にされる。その一方で、メインの電源系50では、パワーMOSFET(パワー半導体素子)53A,53B,53Cの何れもユニットが組まれず、半導体パッケージが設けられない。
その他の構成については、上記第1及び第2実施形態と同様である。
<制御装置のオンオフ制御による電気の経路について>
次に図6を参照して、本実施形態において第1の半導体パッケージP51が故障した場合の電気の経路について説明する。図6は、第1の半導体パッケージP51で故障が発生した場合の電気の経路を説明する概略回路構成図である。
図6に示すように、本ケースではメインの電源系50の第1のパワーMOSFET53Aが故障して機能不能となっている。そのため、このままでは第1の負荷LAへ電気が供給されなくなってしまう。
そこで、制御装置CUは、センサ(不図示)により検知されたメインの電源系50の第1のパワーMOSFET53Aのかかる故障状況に応じて、半導体パッケージP51を構成する、サブの電源系60の第1のパワーMOSFET63Aをオン状態に設定する。これにより、第1の負荷LAには、サブの電源系60の蓄電池61から、サブの電源系60の第1の電源線62A及び第1のパワーMOSFET63Aを通じて電気が供給されることになる。
<本実施形態の車両用電源供給システムの利点について>
以上説明したように本実施形態の車両用電源供給システム5によれば、サブの電源系60のパワーMOSFET(パワー半導体素子)63A,63B,63Cの全部が、一組となって一つの半導体パッケージP51とされるため、システムの電源冗長性を向上させながらも、半導体素子の部品点数や導入コストの増加を抑制することができる。また、サブの電源系60内で半導体パッケージP51を設けるので、メインの電源系50内で設けるのと比べて半導体パッケージが故障した場合、その故障が与える影響を小さく抑えることができる。また、当該電源系60で近接する配線同士を繋げるなどして回路構造の複雑化を避け、導入コストの増加をより抑制することができる。
それ他の作用効果については、上記第1及び第2実施形態と同様である。
また、以上説明したように第1、第2及び第3実施形態の車両用電源供給システム1,3,5における回路構成をパワー半導体デバイスとして車両用に限らず、様々な分野で使用される電源供給システムに広く適用することができる。このような電源供給システムは、上述した車両用電源供給システムと同様な作用効果を得ることができる。
以上で具体的実施形態の説明を終えるが、本発明の態様はこれら実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良などが可能である。
ここで、上述した本発明に係るパワー半導体デバイス、及びそのパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム1,3,5の実施形態の特徴をそれぞれ以下[1]〜[5]に簡潔に纏めて列記する。
[1] メインの電源(メインの蓄電池、11,31)と複数の負荷(LA,LB,LC)とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線(第1の電源線、12A,32A:第2の電源線、12B,32B:第3の電源線、12C,32C)と、
前記複数のメインの電源線(第1の電源線、12A,32A:第2の電源線、12B,32B:第3の電源線、12C,32C)とは別に設けられ、サブの電源(サブの蓄電池、21,41)と前記複数の負荷(LA,LB,LC)とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線(第1の電源線、22A,42A:第2の電源線、22B,42B:第3の電源線、22C,42C)と、
前記複数のメインの電源線(第1の電源線、12A,32A:第2の電源線、12B,32B:第3の電源線、12C,32C)にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線(第1の電源線、12A,32A:第2の電源線、12B,32B:第3の電源線、12C,32C)の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、13A,33A:第2のパワーMOSFET、13B,33B:第3のパワーMOSFET、13C,33C)と、
前記複数のサブの電源線(第1の電源線、22A,42A:第2の電源線、22B,42B:第3の電源線、22C,42C)にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線(第1の電源線、22A,42A:第2の電源線、22B,42B:第3の電源線、22C,42C)の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、23A,43A:第2のパワーMOSFET、23B,43B:第3のパワーMOSFET、23C,43C)と、
を備え、
前記複数のメイン及び前記複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、13A,33A:第2のパワーMOSFET、13B,33B:第3のパワーMOSFET、13C,33C/第1のパワーMOSFET、23A,43A:第2のパワーMOSFET、23B,43B:第3のパワーMOSFET、23C,43C)のうち少なくとも一部において、当該一部に含まれる、前記メインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、13A:第2のパワーMOSFET、13B:第3のパワーMOSFET、13C,33C)と、前記サブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、23A:第2のパワーMOSFET、23B,43B:第3のパワーMOSFET、23C)とは一対となって一つの半導体パッケージ(P11,P12,P13,P32)とされ、
当該半導体パッケージ(P11,P12,P13,P32)において、当該メインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、13A:第2のパワーMOSFET、13B:第3のパワーMOSFET、13C,33C)のメインの電源線(第1の電源線、12A:第2の電源線、12B:第3の電源線、12C,32C)と、当該サブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、23A:第2のパワーMOSFET、23B,43B:第3のパワーMOSFET、23C)のサブの電源線(第1の電源線、22A:第2の電源線、22B,42B:第3の電源線、22C)とは、互いに異なる前記負荷(LA,LB,LC)に接続される、
ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
[2] 前記複数のメインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、33A:第2のパワーMOSFET、33B:第3のパワーMOSFET、33C)の他部において、当該他部に含まれる前記メインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、33A:第2のパワーMOSFET、33B)は、当該他部に含まれる他の前記メインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、33A:第2のパワーMOSFET、33B)のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージ(P31)とされ、
前記複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、43A:第2のパワーMOSFET、43B:第3のパワーMOSFET、43C)の他部において、当該他部に含まれる前記サブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、43A:第3のパワーMOSFET、43C)は、当該他部に含まれる他の前記サブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、43A:第3のパワーMOSFET、43C)のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージ(P33)とされる、
ことを特徴とする[1]に記載のパワー半導体デバイス。
[3] メインの電源(メインの蓄電池、51)と複数の負荷(LA,LB,LC)とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線(第1の電源線、52A:第2の電源線、52B:第3の電源線、52C)と、
前記複数のメインの電源線(第1の電源線、52A:第2の電源線、52B:第3の電源線、52C)とは別に設けられ、サブの電源(サブの蓄電池、61)と前記複数の負荷(LA,LB,LC)とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線(第1の電源線、62A:第2の電源線、62B:第3の電源線、62C)と、
前記複数のメインの電源線(第1の電源線、52A:第2の電源線、52B:第3の電源線、52C)にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線(第1の電源線、52A:第2の電源線、52B:第3の電源線、52C)の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、53A:第2のパワーMOSFET、53B:第3のパワーMOSFET、53C)と、
前記複数のサブの電源線(第1の電源線、62A:第2の電源線、62B:第3の電源線、62C)にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線(第1の電源線、62A:第2の電源線、62B:第3の電源線、62C)の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、63A:第2のパワーMOSFET、63B:第3のパワーMOSFET、63C)と、
を備え、
前記複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、63A:第2のパワーMOSFET、63B:第3のパワーMOSFET、63C)のうち少なくとも2つは、一組となって一つの半導体パッケージ(P51)とされる、
ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
[4] 検知された前記半導体パッケージ(P11,P12,P13,P31,P32,P33,P51)の故障状況に応じて、前記複数のサブのパワー半導体素子(第1のパワーMOSFET、23A,43A,63A:第2のパワーMOSFET、23B,43B,63B:第3のパワーMOSFET、23C,43C,63C)をそれぞれオンオフ制御する制御部(制御装置、CU)をさらに有する、
ことを特徴とする[1]〜[3]の何れか1つに記載のパワー半導体デバイス。
[5] [1]〜[4]の何れか1つに記載のパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム(1,3,5)。
1 車両用電源供給システム
10 メインの電源系
11 メインの蓄電池(メインの電源)
12A 第1の電源線
12B 第2の電源線
12C 第3の電源線
13A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
13B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
13C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
20 サブの電源系
21 サブの蓄電池(サブの電源)
22A 第1の電源線
22B 第2の電源線
22C 第3の電源線
23A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
23B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
23C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
3 車両用電源供給システム
30 メインの電源系
31 メインの蓄電池(メインの電源)
32A 第1の電源線
32B 第2の電源線
32C 第3の電源線
33A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
33B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
33C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
40 サブの電源系
41 サブの蓄電池(サブの電源)
42A 第1の電源線
42B 第2の電源線
42C 第3の電源線
43A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
43B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
43C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
5 車両用電源供給システム
50 メインの電源系
51 メインの蓄電池(メインの電源)
52A 第1の電源線
52B 第2の電源線
52C 第3の電源線
53A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
53B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
53C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
60 サブの電源系
61 サブの蓄電池(サブの電源)
62A 第1の電源線
62B 第2の電源線
62C 第3の電源線
63A 第1のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
63B 第2のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
63C 第3のパワーMOSFET(パワー半導体素子)
7 車両用電源供給システム
70 メインの電源系
71 メインの蓄電池
72A 第1の電源線
72B 第2の電源線
72C 第3の電源線
73A 第1のパワーMOSFET
73B 第2のパワーMOSFET
73C 第3のパワーMOSFET
80 サブの電源系
81 サブの蓄電池
82A 第1の電源線
82B 第2の電源線
82C 第3の電源線
83A 第1のパワーMOSFET
83B 第2のパワーMOSFET
83C 第3のパワーMOSFET
P11 第1の半導体パッケージ
P12 第2の半導体パッケージ
P13 第3の半導体パッケージ
P31 第1の半導体パッケージ
P32 第2の半導体パッケージ
P33 第3の半導体パッケージ
P51 第1の半導体パッケージ
LA 第1の負荷
LB 第2の負荷
LC 第3の負荷
CU 制御装置(制御部)

Claims (5)

  1. メインの電源と複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線と、
    前記複数のメインの電源線とは別に設けられ、サブの電源と前記複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線と、
    前記複数のメインの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子と、
    前記複数のサブの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子と、
    を備え、
    前記複数のメイン及び前記複数のサブのパワー半導体素子のうち少なくとも一部において、当該一部に含まれる、前記メインのパワー半導体素子と、前記サブのパワー半導体素子とは一対となって一つの半導体パッケージとされ、
    当該半導体パッケージにおいて、当該メインのパワー半導体素子のメインの電源線と、当該サブのパワー半導体素子のサブの電源線とは、互いに異なる前記負荷に接続される、
    ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
  2. 前記複数のメインのパワー半導体素子の他部において、当該他部に含まれる前記メインのパワー半導体素子は、当該他部に含まれる他の前記メインのパワー半導体素子のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージとされ、
    前記複数のサブのパワー半導体素子の他部において、当該他部に含まれる前記サブのパワー半導体素子は、当該他部に含まれる他の前記サブのパワー半導体素子のうち1つと一対となって一つの半導体パッケージとされる、
    ことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイス。
  3. メインの電源と複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のメインの電源線と、
    前記複数のメインの電源線とは別に設けられ、サブの電源と前記複数の負荷とをそれぞれ接続し、電気回路が互いに並列に設けられる複数のサブの電源線と、
    前記複数のメインの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のメインの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のメインのパワー半導体素子と、
    前記複数のサブの電源線にそれぞれ設けられ、前記複数のサブの電源線の短絡又は開放をそれぞれ切り替える複数のサブのパワー半導体素子と、
    を備え、
    前記複数のサブのパワー半導体素子のうち少なくとも2つは、一組となって一つの半導体パッケージとされる、
    ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
  4. 検知された前記半導体パッケージの故障状況に応じて、前記複数のサブのパワー半導体素子をそれぞれオンオフ制御する制御部をさらに有する、
    ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のパワー半導体デバイス。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載のパワー半導体デバイスを備える車両用電源供給システム。
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