JP2019125896A - Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, and manufacturing method - Google Patents
Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, and manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019125896A JP2019125896A JP2018004658A JP2018004658A JP2019125896A JP 2019125896 A JP2019125896 A JP 2019125896A JP 2018004658 A JP2018004658 A JP 2018004658A JP 2018004658 A JP2018004658 A JP 2018004658A JP 2019125896 A JP2019125896 A JP 2019125896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight film
- piezoelectric vibrating
- vibrating reed
- piezoelectric
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 111
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002889 sympathetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02023—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、圧電振動片、圧電振動子、及び製造方法に係り、詳細には、音叉型水晶を用いた技術に関する。 The present invention relates to a piezoelectric vibrating reed, a piezoelectric vibrator, and a manufacturing method, and more particularly to a technology using a tuning fork-type crystal.
例えば、携帯電話や携帯情報端末機器等の電子機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等に用いられるデバイスとして音叉型に形成した圧電振動片を使用した圧電振動子が用いられる。
このような音叉型の圧電振動片では、振動腕部の先端部分に金属の重り膜を形成し、この膜をトリミングすることで周波数調整を行っている(例えば、特許文献1)。すなわち、パッケージにマウントした圧電振動片を発振させ、周波数を測定しながら、パルス幅がナノ〜ピコ秒でレーザを照射して重り膜を溶融除去することで、その質量を減らすようにトリミングすることで、周波数調整を行っている(特許文献1)。
このレーザによりトリミングを行う場合、溶融させる重り膜の面を下向きにし、圧電振動片の上面側(重り膜と反対側)からレーザを当てることで溶融除去した重り膜をパッケージ底面に設けた凹み部分で受けるようにしている。
For example, in electronic devices such as mobile phones and portable information terminal devices, a piezoelectric vibrator using a piezoelectric vibrating reed formed in a tuning fork shape as a device used as a time source, timing source such as control signal, reference signal source, etc. Used.
In such a tuning fork type piezoelectric vibrating reed, a metal weight film is formed on the tip end portion of a vibrating arm portion, and frequency adjustment is performed by trimming this film (for example, Patent Document 1). That is, the piezoelectric vibrating reed mounted on a package is oscillated, and while measuring the frequency, trimming is performed to reduce its mass by melting and removing the weight film by irradiating the laser with a pulse width of nano to picoseconds. Then, frequency adjustment is performed (patent document 1).
When trimming with this laser, the concave part has the weight film melted and removed by applying the laser from the top side (opposite side of the weight film) of the piezoelectric vibrating piece with the surface of the weight film to be melted facing downward In order to receive
図7は、従来のレーザにより重り膜を溶融除去した後の振動腕部先端の状態を表したものである。
従来のレーザによる周波数調整では、レーザLnを照射した領域の重り膜750全体が溶融除去されるため、さらなる周波数調整精度を向上させることはできなかった。
特に、3mm×2mm以下といった小型の圧電振動片の場合には、トリミング対象となる重り膜の面積が小さくなるため、より細かく精度が高いトリミングが周波数調整に必要とされている。
FIG. 7 shows the state of the tip of the vibrating arm after melting and removing the weight film by a conventional laser.
In the frequency adjustment by the conventional laser, since the
In particular, in the case of a small piezoelectric vibrating reed such as 3 mm × 2 mm or less, since the area of the weight film to be trimmed is reduced, trimming with higher precision is required for frequency adjustment.
また、従来の周波数調整では、図7に示すように、レーザLnにより重り膜750を溶融除去させているため、溶融除去後に残った重り膜750の周囲には、主面や側面にデブリ751、752が発生していた。
そして、例えば図7(a)に示すように、残った重り膜750の端面にデブリが発生する。このデブリの発生幅w1は、例えばレーザLnのスポット径が20μmであれば、ほぼ同程度のばらつき幅w1=20μmと大きいため、長手方向の中心線Pに対する左右のバランスが崩れる原因となっていた。図7(a)に示した例では、長手方向の中心線Pに対して、左側に発生したデブリ量が右側よりも多くなっている。
デブリ751、752は、振動腕部の中心線Pの左右だけでなく、両振動腕部での発生量が異なることで、振動腕のバランスが崩れてしまい、振動漏れによる悪影響を及ぼしてしまうという課題がある。
Further, in the conventional frequency adjustment, as shown in FIG. 7, since the
Then, for example, as shown in FIG. 7A, debris is generated on the end face of the
更に、重り膜750が下向きの状態で溶融するため、図7(a)に示すように、主面に形成されたデブリ751はめくれた状態となり、振動により・がれ落ちる可能性があった。デブリが振動によって落ちると、振動腕部の左右のバランスが崩れると共に、重さの変化で周波数に影響する可能性がある。
一般に、圧電振動片が小型化するほど、重量を確保するために重り膜750を厚くする必要があるため、レーザLnで重り膜750を溶融除去した際によりデブリ751が発生し易くなる。このため小型の圧電振動片ほど、デブリによる左右バランスの崩れや振動漏れといった課題も大きかった。
Furthermore, since the
Generally, as the size of the piezoelectric vibrating reed becomes smaller, it is necessary to make the
本発明は、音叉型の圧電振動片において、より高い周波数精度を実現することを目的とする。 An object of the present invention is to realize higher frequency accuracy in a tuning fork type piezoelectric vibrating reed.
(1)請求項1に記載の発明では、内側に実装部を備えたパッケージ内に実装される、水晶で音叉型に形成された圧電振動片であって、基部と、前記基部から並んで延設された1対の振動腕部と、前記1対の振動腕部に形成された2系統の電極と、前記振動腕部における先端部に金属で形成された周波数調整用の重り膜と、を備え、前記重り膜は、隣接する2つの領域の厚さが異なることで段差が形成されている、ことを特徴とする圧電振動片を提供する。
(2)請求項2に記載の発明では、前記重り膜は、前記振動腕部における先端部の少なくとも一方の主面に形成され、長さ方向で隣接する2つの領域の厚さが異なることで段差が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片を提供する。
(3)請求項3に記載の発明では、前記重り膜は、前記振動腕部の先端部側ほど薄く形成されている、ことを特徴とする請求項2に記載の圧電振動片を提供する。
(4)請求項4に記載の発明では、前記重り膜は、前記振動腕部における主面と直交する先端面に形成され、隣接する2つの領域の厚さが異なることで段差が形成されている、ことを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の圧電振動片を提供する。
(5)請求項5に記載の発明では、前記基部から前記振動腕部の外側に延出して形成された支持腕部で前記実装部に実装されるサイドアーム型、前記基部から前記振動腕部の間に延出して形成された支持単腕部で前記実装部に実装されるセンターアーム型、又は、前記基部が前記実装部に実装される片持ち型、であることを特徴とする請求項1から請求項4のうちの何れか1の請求項に記載の圧電振動片を提供する。
(6)請求項6に記載の発明では、内側に実装部を備えたパッケージと、前記実装部に実装された、請求項1から請求項5のうちの何れか1の請求項に記載の圧電振動片と、前記実装部から前記パッケージの外部まで形成された外部電極部と、を有することを特徴とする圧電振動子を提供する。
(7)請求項7に記載の発明では、少なくとも基部と前記基部から並んで延設された1対の振動腕部を有する音叉型の圧電振動片の外形を形成する外形形成工程と、前記振動腕部に2系統の電極を形成する電極形成工程と、前記振動腕部の先端側の主面に周波数調整用の重り膜を形成する重り膜形成工程と、前記重り膜を除去することで周波数を調整する周波数調整工程と、を備え、前記周波数調整工程は、前記重り膜の厚さ方向の一部を除去することにより、長さ方向に隣接する2領域に対して異なる厚さにすることで段差を形成する、ことを特徴とする圧電振動片の製造方法を提供する。
(8)請求項8に記載の発明では、前記周波数調整工程は、フェムト秒レーザを直接照射することで、前記重り膜の厚さ方向の一部を除去する、ことを特徴とする請求項7に記載の圧電振動片の製造方法を提供する。
(9)請求項9に記載の発明では、前記周波数調整工程は、前記振動腕部の先端側の第1領域に対して粗調整を行い、その後、前記第1領域よりも前記基部側の第2領域で微調整を行う、ことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の圧電振動片の製造方法を提供する。
(10)請求項10に記載の発明では、請求項7、請求項8、又は請求項9の各工程により圧電振動片を製造する工程と、前記圧電振動片を、パッケージ内に形成された実装部に実装する実装工程と、前記パッケージを封止する封止工程と、を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法を提供する。
(11)請求項11に記載の発明では、前記実装工程と封止工程の間に、前記実装した圧電振動片の前記重り膜に対してイオンリミングを行う最終周波数調整工程、を有することを特徴とする請求項10に記載の圧電振動子の製造方法を提供する。
(1) In the invention according to claim 1, a piezoelectric vibrating reed formed in a tuning fork shape with quartz, mounted in a package having a mounting portion inside, which extends from a base and the base in a row A pair of vibrating arms provided, two systems of electrodes formed on the pair of vibrating arms, and a weight film for frequency adjustment formed of metal at the tip of the vibrating arms; The piezoelectric vibrating reed may be characterized in that the weight film has a step formed by the difference in thickness between two adjacent regions.
(2) In the invention according to
(3) In the invention according to
(4) In the invention according to claim 4, the weight film is formed on the end face orthogonal to the main surface of the vibrating arm, and a step is formed by the difference in thickness between two adjacent regions. The piezoelectric vibrating reed according to
(5) In the invention according to claim 5, a side arm type mounted on the mounting portion by a support arm formed extending from the base to the outside of the vibrating arm, the vibrating arm from the base A center arm type mounted on the mounting portion by a supporting single arm portion formed extending between the two or a cantilever type mounted on the mounting portion at the base portion. A piezoelectric vibrating reed according to any one of claims 1 to 4 is provided.
(6) In the invention according to claim 6, the package according to any one of claims 1 to 5, wherein the package has a mounting portion inside, and is mounted on the mounting portion. A piezoelectric vibrator comprising: a vibrating reed; and an external electrode portion formed from the mounting portion to the outside of the package.
(7) In the invention according to
(8) In the invention according to claim 8, the frequency adjustment step is characterized in that a part of the thickness direction of the weight film is removed by direct irradiation with a femtosecond laser. The present invention provides a method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to the above.
(9) In the invention as set forth in claim 9, in the frequency adjustment step, rough adjustment is performed on the first region on the tip end side of the vibrating arm portion, and thereafter, the second region on the base side with respect to the first region 9. The method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to
(10) In the invention according to
(11) The invention according to
本発明によれば、圧電振動片の両振動腕部の先端部に形成した重り膜に、長さ方向の隣接する2つの領域の厚さが異なることで段差が形成されているので、より高い周波数精度を得ることができる。 According to the present invention, the weight film formed at the tip of both vibrating arms of the piezoelectric vibrating reed is formed to have a difference in level due to the difference in thickness between the two adjacent regions in the length direction. Frequency accuracy can be obtained.
以下、本発明の好適な実施形態について、図1から図6を参照して詳細に説明する。
(1)実施形態の概要
本実施形態の圧電振動片は、振動腕部7(7a、7b)の先端部に設けた重り膜75の所定領域全体(全厚さ分)を溶融除去するのではなく、その長手方向に沿って段差が生じるように、重り膜75の表面側から厚さ方向の一部を薄く除去することにより、段差を設けるようにしたものである。
重り膜75の除去は、レーザによるが、従来のようにパルス幅がナノ〜ピコ秒のレーザLnではなく、パルス幅がピコ〜フェムト秒のフェムト秒レーザLfを、直接重り膜75に照射することで、非熱的加工を行う。このフェムト秒レーザLfにより、重り膜75の厚さNμmに対して、厚さnμm(n<N)を除去することで、重り膜75に段差が形成され、精度の高い周波数調整が可能になる。
振動腕部7の主面に形成した重り膜75に対し、長手方向にn箇所の領域(例えば、先端側からA、B、Cの3領域)に分け、各領域の面積や、加工厚(削る厚さ)を周波数の調整量に応じて調整することで、段差を設ける。この際、先端側の領域ほど薄くなるように段差を形成することで、より精度の高い圧電振動片6を得ることができる。
除去する厚さは、当該領域をフェムト秒レーザLfでスキャンする回数及び/又はパルス幅により調整する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6.
(1) Outline of the Embodiment In the piezoelectric vibrating reed of this embodiment, the entire predetermined region (full thickness) of the
The removal of the
The
The thickness to be removed is adjusted by the number of times the area is scanned with the femtosecond laser Lf and / or the pulse width.
このように、フェムト秒レーザLfを用いて非熱的加工により、周波数調整用の重り膜75の一部の厚さを薄くする加工をして段差を設けることで、圧電振動片6の周波数精度を高くすることができる。
また、非熱的加工をフェムト秒レーザLfにより行うので、溶融除去によるデブリの発生をなくすことができる。これにより、振動腕部7毎のバランスだけで無く、両振動腕部7a、7b間のバランスもとれた周波数調整を行うことができ、振動漏れを押さえることができる。
また、周波数調整後の重り膜75にデブリが存在しないため、振動によってデブリが取れて周波数が変化してしまう、ということが防止される。
As described above, the frequency accuracy of the piezoelectric vibrating reed 6 is obtained by providing the step by processing to reduce the thickness of a part of the
Further, since non-thermal processing is performed by the femtosecond laser Lf, generation of debris due to melting and removal can be eliminated. Thus, not only the balance of each vibrating
In addition, since debris is not present in the
(2)実施形態の詳細
本実施形態は、水晶を使用した音叉型の圧電振動片6であり、その詳細は図5で後述するが、基部8から1対の振動腕部7(7a、7b)が延設されると共に、圧電振動片6をパッケージ2内で支持するための支持腕部9(9a、9b)が形成されている。
1対の振動腕部7の長手方向には、その主面(裏表面)に一定幅の溝部72が形成されている。振動腕部7の外周面を構成する側面と主面、溝部72内には、第1励振電極、第2励振電極として機能する、異なる2系統の励振電極91、92が形成されている。
そして、振動腕部7の長手方向の先端部(溝部72よりも先端側)には、周波数調整用の重り膜75が形成されている。
(2) Details of the Embodiment This embodiment is a tuning fork type piezoelectric vibrating reed 6 using quartz crystal, the details of which will be described later with reference to FIG. 5, from the base 8 to a pair of vibrating arms 7 (7a, 7b And a support arm 9 (9a, 9b) for supporting the piezoelectric vibrating reed 6 in the
In the longitudinal direction of the pair of vibrating
Then, a
図1は、本実施形態の圧電振動片における、振動腕部7の先端形状を表したものである。なお、図1〜3では、1対の振動腕部7のうちの一方の先端部について表している。
図1(a)(b)に示すように、振動腕部7の先端部には、周波数調整用の重り膜75が主面全体に形成されている。この重り膜75は、Au等の金属材料が使用され、真空蒸着等の各種方法により形成される。なお、本実施形態では一方の主面だけに重り膜75が形成されているが、重り膜75に直接フェムト秒レーザLfを照射するので、両面や側面に形成することも可能である。
本実施形態による振動腕部7の先端の重り膜75は、図1(a)に示すように、長手方向に先端からA、B、Cの領域が形成されている。図1(a)では、A〜Cの各領域は長さ方向に三等分されているが、実際には、周波数の調整量に対応して削除する体積(重量)により異なる。また、調整する周波数の状況に応じて、3以上の領域としてもよく、また2領域としてもよい。
FIG. 1 shows the tip shape of the vibrating
As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), a
As shown in FIG. 1A, in the
圧電振動子は各種サイズに形成されるが、特に、圧電振動片を収容する圧電振動子が、2.0mm×1.2mm、1.6mm×10mm、1.2mm×1.0mm、といった小型の圧電振動子ほど、本実施形態の効果が得られる。
そして、圧電振動片は圧電振動子のサイズに応じて形成されるが、例えば、1.6mm×10mmサイズの圧電振動子の場合、圧電振動片は、概略長さ1mm×幅0.5mm、厚さ0.1mに形成される。
一方、振動腕部7先端部には、フェムト秒レーザLfによる周波数調整前の状態では、重り膜75の厚さN=3μmに形成され、各領域に対する必要な調整量に応じて、削り取る重り膜75の面積と厚さが決められる。削り取る厚さについては、同一領域に対するスキャンの回数で調整される。
Piezoelectric vibrators are formed in various sizes, but in particular, the piezoelectric vibrators accommodating piezoelectric vibrating reeds are as small as 2.0 mm × 1.2 mm, 1.6 mm × 10 mm, and 1.2 mm × 1.0 mm. As the piezoelectric vibrator is, the effect of the present embodiment can be obtained.
The piezoelectric vibrating reed is formed according to the size of the piezoelectric vibrator. For example, in the case of a piezoelectric vibrator having a size of 1.6 mm × 10 mm, the piezoelectric vibrating reed is approximately 1 mm long × 0.5 mm wide and thick It is formed in 0.1 m.
On the other hand, the thickness N = 3 μm of the
音叉型の圧電振動片は、振動腕部7の根元側から先端側にいくにつれて周波数感度が大きくなる。
従って、周波数調整では、領域A、Bを対象として粗調整が、領域B、Cを対象として微調整が行われる。領域Bは、調整量に応じて粗調整、微調整の対象となる。
本実施形態では、各領域A〜Cにおける重り膜75の厚さは、図1(b)に示すように、先端側の領域Aが最も薄く、一番手前側(基部8側)の領域Cが最も厚く、中間の領域Bはその間の厚さになっている。これにより、領域Aと領域Bの境界面と、領域Bと領域Cの境界面で段差が形成されている。具体的には、図1(b)に示した振動腕部7では、最先端の領域Aで粗調整量を多くし、中央の領域Bで微調整を少し行った状態で調整が完了した状態であり、領域Cは元の厚さのままの状態になっている。
The tuning fork type piezoelectric vibrating reed has a higher frequency sensitivity as it goes from the root side to the tip side of the vibrating
Therefore, in the frequency adjustment, the rough adjustment is performed on the areas A and B, and the fine adjustment is performed on the areas B and C. Region B is subject to rough adjustment and fine adjustment according to the adjustment amount.
In the present embodiment, the thickness of the
但し、各領域A〜Cの領域内での削除量は各圧電振動片毎に、必要な周波数調整量に応じた削除面積と厚さが決められる。
このため、各領域A〜Cは粗調整〜微調整の目安範囲であり、同一領域内であっても、同一の粗、中、微調整内に収まった境界部分で段差が形成される場合もある。
従って、例えば図(c)〜(e)に示すように、先端側よりも根元側の方が薄くなる場合もある。
例えば、図1(c)に示した振動腕部7では、比較的調整幅が小さかった場合で、最先端の領域Aは元の厚さのままで、領域Bに対して粗調整が行われ、C領域で微調整が行われた状態である。
図1(d)に示した振動腕部7も、比較的調整幅が小さかった場合で、A領域とB領域で粗調整を行い、更にB領域で微調整を行った状態で、領域Cは元の厚さのままである。
図1(e)に示した振動腕部7は、領域Aに対して粗調整を行い、C領域に対して微調整を行った状態で、領域Bは元の厚さのままである。
However, the deletion area and thickness of each of the areas A to C are determined for each piezoelectric vibrating reed according to the necessary frequency adjustment quantity.
For this reason, each area A to C is a standard range of rough adjustment to fine adjustment, and even in the same area, even when the same rough, middle, or fine step is formed in the boundary portion that is within the fine adjustment. is there.
Therefore, for example, as shown in the figures (c) to (e), the root side may be thinner than the tip side.
For example, in the case of the vibrating
In the vibrating
The vibrating
次に、本実施形態による振動腕部7先端部の加工方法について説明する。
図2は、フェムト秒レーザLfによる重り膜の削除方法についての説明図である。
図2(a)、(b)に示すように、振動腕部7の先端部には、所定厚さN(=3μm)の重り膜75が形成される。なお、図2で示した本実施形態の重り膜75は、振動腕部7における一方の主面に形成されるが、両面に形成する場合や、側面を含めた全周囲に形成するようにしてもよい。
この重り膜75を上側に向け、図2(c)に示すように、フェムト秒レーザLfを重り膜75に直接(振動腕部7を透過させることなく)照射することで、非熱的加工により所定厚さ分の重り膜75を削り取る。
このトリミング加工では、各領域において、フェムト秒レーザLfをスキャンすることで、重り膜75の厚さNμmに対して、厚さnμm(n<N)だけ削り取ることで、周波数調整を行い、スキャンした領域の端部に段差が形成される。
Next, a method of processing the tip of the vibrating
FIG. 2 is an explanatory view of a method of removing a weight film by the femtosecond laser Lf.
As shown in FIGS. 2A and 2B, a
By directing the
In this trimming process, frequency adjustment is performed by scanning off the thickness N μm of the
本実施形態で使用するフェムト秒レーザLfは、例えば、波長515nm、スポット径p1=10μm、パルス幅100fsである。
このフェムト秒レーザLfを、幅方向に往復方向及び長さ方向に、移動ピッチp2(例えば、p2=p1/2=5μm)でスキャンすることで、所定面積の重り膜75を除去する。
上述したように音叉型の圧電振動片は、振動腕部7の根元側から先端側にいくほど周波数感度が大きくなるので、先に先端側の領域から粗調整を行い、その後に根元側の領域で微調整を行う。すなわち、所望周波数(狙い周波数)からのズレ量が大きい場合には、先端側の領域(領域A、B)を削って粗調整を行う。粗調整によって狙い周波数に近づいた後は、根元に近い領域(領域B、C)を除去することで微調整を行い、これにより効果的かつ最終追い込みを精度良く調整することができる。
The femtosecond laser Lf used in the present embodiment has, for example, a wavelength of 515 nm, a spot diameter p1 of 10 μm, and a pulse width of 100 fs.
The
As described above, since the tuning fork-type piezoelectric vibrating reed becomes higher in frequency sensitivity as it goes from the root side to the tip side of the vibrating
粗調整、微調整は、周波数の調整幅に応じて、除去する領域や、除去する厚さを変更する。除去する厚さは、当該領域をフェムト秒レーザLfでスキャンする回数及び/又はパルス幅により調整する。
具体的には、圧電振動片の周波数を測定し、所望の周波数からのズレ量に応じて、フェムト秒レーザLfを重り膜75に照射することで、所定周波数内に合わせ込む。
フェムト秒レーザLfは、図2(c)に示すように、p1のスポットの一部が重なるように、移動ピッチp2で幅方向に往復移動しながら、長手方向に移動することで所定領域の重り膜75を除去する。
Coarse adjustment and fine adjustment change the area to be removed and the thickness to be removed according to the adjustment range of the frequency. The thickness to be removed is adjusted by the number of times the area is scanned with the femtosecond laser Lf and / or the pulse width.
Specifically, the frequency of the piezoelectric vibrating reed is measured, and the femtosecond laser Lf is irradiated to the
As shown in FIG. 2C, the femtosecond laser Lf moves in the longitudinal direction while reciprocating in the width direction at the movement pitch p2 so that a part of the spots of p1 overlaps, thereby achieving the weight of the predetermined area. The
図3は、フェムト秒レーザLfにより重り膜75の一部を除去した状態について、(a)は側断面を(b)は上面を表したものである。
従来のナノ〜ピコ秒のパルス幅のレーザLnでは、照射領域の重り膜全体を熱により溶融除去しているため、図7に示すように、照射領域の境界面にデブリが発生し、より小型化した圧電振動片の周波数調整が困難であると共に、デブリによった振動腕間のバランスが崩れて振動漏れの可能性がある。
これに対して本実施形態によるフェムト秒レーザLfは、フェムト秒単位のパルスレーザを重り膜75表面に照射することで、固体構成物質が原子、分子、プラズマ状態となって爆発的に放出され(アブレーション)、非熱的加工により除去している。
これにより、図3(a)に示すように、フェムト秒レーザLfの照射領域において重り膜75の厚さ方向の一部を除去し、段差dを形成することが可能になる。その結果、より小型化した圧電振動片に対しても、精度の高い周波数調整が可能である。
3A shows a side cross section and FIG. 3B shows an upper surface in a state where a part of the
In the conventional nano-picosecond pulse width laser Ln, the entire weight film in the irradiation area is melted and removed by heat, so as shown in FIG. While it is difficult to adjust the frequency of the piezoelectric vibrating reed, it is possible that the balance between the vibrating arms due to debris may be lost and vibration leakage may occur.
On the other hand, the femtosecond laser Lf according to the present embodiment irradiates the surface of the
As a result, as shown in FIG. 3A, in the irradiation region of the femtosecond laser Lf, a part of the
また、図3(b)に示すように、フェムト秒レーザLfの照射領域の境界におけるデブリの発生がないため、段差dを形成している幅方向の境界面の粗さ(中心線Pと直交する幅方向の仮想直線に対する、フェムト秒レーザLfの照射による加工端のばらつき幅)は、ほぼフェムト秒レーザLfのスポット径の1/2程度に抑制されている。
本実施形態では、上述したようにスポット径が10μmのフェムト秒レーザLfを使用しているため、実際の段差dでのばらつき幅w2=5μm程度に抑制され、図7で示した従来の幅w1=20μmに比べて大きく抑制されている。
このように、本実施形態によれば、デブリの発生をなくすと共に、振動腕部7の中心線Pに対する左右のバランスや、両振動腕部7のバランスを取ることができる。
この圧電振動片を使用することで、より振動漏れが小さい圧電振動子を形成することができる。
なお、境界面のばらつき幅は、フェムト秒レーザLfのスポット径や移動ピッチp2によるが、振動腕部7のバランス精度の向上や振動漏れの抑制の観点から、腹付き幅w2は10μm以下、好ましくは5μm以下とする。
Further, as shown in FIG. 3B, since there is no generation of debris at the boundary of the irradiation region of the femtosecond laser Lf, the roughness of the boundary surface in the width direction forming the step d (perpendicular to the center line P) The variation width of the processing end due to the irradiation of the femtosecond laser Lf with respect to the virtual straight line in the width direction) is suppressed to about half of the spot diameter of the femtosecond laser Lf.
In this embodiment, since the femtosecond laser beam Lf having a spot diameter of 10 μm is used as described above, the variation width w2 of the actual step d is suppressed to about 5 μm, and the conventional width w1 shown in FIG. It is greatly suppressed compared to = 20 μm.
As described above, according to the present embodiment, it is possible to eliminate the generation of debris and to balance the left and right of the vibrating
By using this piezoelectric vibrating reed, it is possible to form a piezoelectric vibrator with smaller vibration leakage.
The variation width of the interface depends on the spot diameter and moving pitch p2 of the femtosecond laser Lf, but the belly width w2 is preferably 10 μm or less from the viewpoint of improving the balance accuracy of the vibrating
なお、本実施形態では、重り膜75を厚さ方向の一部を除去する(薄くする)が、フェムト秒レーザLfによるスキャンを複数回行うことで、厚さ方向の全体を除去し振動腕部7を露出させるようにしてもよい。
この場合、振動腕部7を露出させるので、異なる厚さを残すことで段差を形成することによる微細な除去量を調整することはできない。
しかし、隣接する領域間に重り膜75同士の段差は形成されないが、振動腕部7が露出した側の重り膜75の端面は、図3(b)に示すように、ほぼ直線状態であり、共感面の粗さはフェムト秒レーザLfのスポット径の1/2程度(=5μm程度)に抑制されている。従って、重り膜75を振動腕部7が露出するまで削除する場合であっても、デブリの発生をなくすと共に、振動腕部7の中心線Pに対する左右のバランスや、両振動腕部7のバランスを取ることができる。また、この圧電振動片を使用することで、より振動漏れが小さい圧電振動子を形成することができる。
In the present embodiment, the
In this case, since the vibrating
However, although no step is formed between the
次に本実施形態の重り膜75の変形例について説明する。
図4は、フェムト秒レーザLfによる重り膜75を除去する変形例について表したものである。
図1〜3で説明した実施形態では、振動腕部7の先端部の主面に形成した所定厚さの重り膜75の形成面に対し、直交する方向(上方)からフェムト秒レーザLfを照射することで異なる厚さに形成されている。
これに対してこの変形例では、図4(a)に示すように、振動腕部7の先端部に形成した重り膜75と連続して主面と直交する先端面にも重り膜76を形成したものである。
そして図4(b)に示すように、実施形態と同様に主面と直交する方向(上方)からフェムト秒レーザLfを照射するが、重り膜76は主面と直交する端面に形成されているため、フェムト秒レーザLfは圧電振動片6に対して平行に照射される。
これにより、圧電振動片6には、振動腕部7の厚さ方向の溝77と、この溝77による段差が形成される。
この図4(c)に示す例では、溝77が2本形成されているが、粗調整の必要量に応じて1本又は3本以上形成するようにしてもよい。但し、振動腕部7における長手方向にのびる中心線に対して左右対称になる位置に形成する。
この変形例においても、必要に応じ、主面に形成した重り膜75に実施形態で説明した段差を形成することで、更なる粗調整、微調整を行うようにしてもよい。
Next, a modification of the
FIG. 4 shows a modification in which the
In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3, the femtosecond laser Lf is irradiated from the direction (upward) orthogonal to the surface on which the
On the other hand, in this modification, as shown in FIG. 4A, the
Then, as shown in FIG. 4B, the femtosecond laser Lf is irradiated from the direction (upward) orthogonal to the main surface as in the embodiment, but the
Thereby, in the piezoelectric vibrating reed 6, the
In the example shown in FIG. 4C, two
Also in this modification, further rough adjustment and fine adjustment may be performed by forming the step described in the embodiment on the
以上、本実施形態、変形例における圧電振動片の先端に形成した重り膜75、76の形状とその形成について説明した。
次に、このように形成された圧電振動片、及び、圧電振動片を収容した圧電振動子について説明する。
図5は、圧電振動片を収容した圧電振動子の分解斜視図である。
図5に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、内部に気密封止されたキャビティCを有するパッケージ2と、キャビティC内に収容された圧電振動片6と、を備えたセラミックパッケージタイプの表面実装型振動子とされている。
なお、本実施形態の圧電振動子1は左右対称な構造となっているため、振動腕部7aと振動腕部7bというように、対称配置された両部分を同一の数字で表すと共に、両部分を区別するため、一方に区別符合a、A、他方に区別符合b、Bを付して説明する。ただし、区別符号を適宜省略して説明するが、この場合にはおのおのの部分を指しているものとする。
Heretofore, the shapes of the
Next, the piezoelectric vibrating reed formed in this manner and the piezoelectric vibrator containing the piezoelectric vibrating reed will be described.
FIG. 5 is an exploded perspective view of a piezoelectric vibrator containing a piezoelectric vibrating reed.
As shown in FIG. 5, the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment is a ceramic package including a
In addition, since the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment has a symmetrical structure, as in the vibrating
圧電振動片6は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された、いわゆる音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。本実施形態では、圧電材料として水晶を使用して形成した圧電振動片のうちの、いわゆるサイドアーム型の圧電振動片6を例に説明する。
圧電振動片6は、基部8から平行に延びる振動腕部7a、7bと、この振動腕部7a、7bの外側に同方向に基部8から延びる支持腕部9a、9bを備え、この支持腕部9a、9bによりキャビティC内に保持される。
The piezoelectric vibrating reed 6 is a so-called tuning fork type vibrating reed formed of a piezoelectric material such as quartz crystal, lithium tantalate, lithium niobate, etc., and vibrates when a predetermined voltage is applied. In the present embodiment, among the piezoelectric vibrating reeds formed using quartz as a piezoelectric material, a so-called side arm type piezoelectric vibrating reed 6 will be described as an example.
The piezoelectric vibrating reed 6 includes vibrating
一対の振動腕部7a、7bは、互いに平行となるように配置されており、基部8側の端部を固定端とし、先端が自由端として振動する。
一対の振動腕部7a、7bの先端側には、全長のほぼ中央部分よりも両側に広くなるように形成された拡幅部71a、71bを備えている。この振動腕部7a、7bに形成した拡幅部71a、71bは、振動腕部7a、7bの重量及び振動時の慣性モーメントを増大する機能を有している。これにより、振動腕部7a、7bは振動し易くなり、振動腕部7a、7bの長さを短くすることができ、小型化が図られている。
そして、この拡幅部71a、71b主面には、図1で説明した、厚さが異なる重り膜75が形成されている。
なお、本実施形態の圧電振動片6は、振動腕部7a、7bに拡幅部71a、71bを形成し、この拡幅部71a、71bに段差付きの重り膜75が形成されるが、振動腕部7の先端部の幅を略中央部分と同じ幅に形成した、拡幅部71a、71bがない圧電振動片を使用することも可能である。
The pair of vibrating
On the tip side of the pair of vibrating
Then,
In the piezoelectric vibrating reed 6 of the present embodiment, the widened
振動腕部7a、7bの両主面には、基部8側から拡幅部71a、71bの手前まで伸びる溝部72a、72bが形成されている。その結果、振動腕部7a、7bの断面形状やH型となっている。
一対の振動腕部7a、7bの外表面上(外周面)には、振動腕部7aの外側の両側面と、振動腕部7bの溝部72bに形成された第1系統と、振動腕部7bの外側の両側面と、振動腕部7aの溝部72aに形成された第2系統からなる、一対の(2系統の)励振電極(図示しない)が形成されている。
また図示しないが、第1系統の励振電極に接続する第1マウント電極が、基部8から支持腕部9aの外表面上(外周面)まで形成され、第2系統の励振電極に接続する第2マウント電極が、基部8から支持腕部9bの外表面上(外周面)まで形成されている。
なお、励振電極とマウント電極は、1層目のクロム(Cr)層と2層目の金(Au)層からなる積層膜で、電極スパッタ等で形成されている。
On the outer surface (peripheral surface) of the pair of vibrating
Although not shown, a first mount electrode connected to the first system of excitation electrodes is formed from the base 8 to the outer surface (outer peripheral surface) of the
The excitation electrode and the mount electrode are a laminated film including a first chromium (Cr) layer and a second gold (Au) layer, and are formed by electrode sputtering or the like.
パッケージ2は、概略直方体状に形成され、パッケージ本体3と、パッケージ本体3に対して接合されるとともに、パッケージ本体3との間にキャビティCを形成する封口板4と、を備えている。
パッケージ本体3は、互いに重ね合わされた状態で接合された第1ベース基板10および第2ベース基板11と、第2ベース基板11上に接合されたシールリング12と、を備えている。
The
The
第1ベース基板10の上面は、キャビティCの底面に相当する。
第2ベース基板11は、第1ベース基板10に重ねられており、第1ベース基板10に対して焼結などにより結合されている。すなわち、第2ベース基板11は、第1ベース基板10と一体化されている。
なお、第1ベース基板10と第2ベース基板11の間には、両ベース基板10、11に挟まれた状態で接続電極(図示せず)が形成されている。
The top surface of the
The
A connection electrode (not shown) is formed between the
第2ベース基板11には、キャビティCの側壁の一部を構成する貫通部11aが形成されている。
貫通部11aの短手方向で対向する両側の内側面には、内方に突出する実装部14A、14Bが設けられている。
この実装部14A、14Bの上面には、圧電振動片6との接続電極である一対の電極パッド(電極部)20A、20Bが形成されている。また、第1ベース基板10の下面には、一対の外部電極21A、21Bがパッケージ2の長手方向に間隔をあけて形成されている。電極パッド20A、20Bおよび外部電極21A、21Bは、例えば蒸着やスパッタ等で形成された単一金属による単層膜、または異なる金属が積層された積層膜である。
電極パッド20A、20Bと外部電極21A、21Bとは、第2ベース基板11の実装部14A、14Bに形成された第2貫通電極(図示せず)、第1ベース基板10と第2ベース基板11の間に形成された接続電極(図示せず)、及び、第1ベース基板10に形成された第1貫通電極(図示せず)を介して互いにそれぞれ導通している。
一方、電極パッド20A、20B上には、導電性接着剤51が塗布され、支持腕部9a、9bのマウント電極と接合している。
The
Inward projecting mounting
A pair of electrode pads (electrode portions) 20A and 20B, which are connection electrodes to the piezoelectric vibrating reed 6, are formed on the top surfaces of the mounting
The
On the other hand, the
シールリング12は、第1ベース基板10および第2ベース基板11の外形よりも一回り小さい導電性の枠状部材であり、第2ベース基板11の上面に接合されている。具体的には、シールリング12は、銀ロウ等のロウ材や半田材等による焼付けによって第2ベース基板11上に接合、あるいは、第2ベース基板11上に形成(例えば、電解メッキや無電解メッキの他、蒸着やスパッタ等により)された金属接合層に対する溶着等によって接合されている。
The
封口板4は、シールリング12上に重ねられた導電性基板であり、シールリング12に対する接合によってパッケージ本体3に対して気密に接合されている。そして、封口板4、シールリング12、第2ベース基板11の貫通部11a、および第1ベース基板10の上面により画成された空間が、気密に封止されたキャビティCとして機能する。
The sealing plate 4 is a conductive substrate superimposed on the
図1に示した圧電振動子1は次の各工程で形成される。
(1)圧電振動片6の製造
(a)外形形成工程では、水晶を使用して振動腕部を有する音叉型の圧電振動片の外形を形成する。
(b)電極形成工程では、2系統の励振電極とマウント電極を形成する。
(c)重り形成工程では、振動腕部7の先端側の主面に重り膜75を形成する。この重り形成工程は、電極形成工程の前後いずれでも、同時にでもよい。
(d)周波数調整工程では、フェムト秒レーザLfを重り膜75に直接照射し、周波数の調整幅に応じた領域と厚さ分を除去することで、段差を形成する。周波数調整工程では、先端側を除去する粗調整と、基部8側を除去する微調整を行う。
The piezoelectric vibrator 1 shown in FIG. 1 is formed in the following steps.
(1) Manufacturing of Piezoelectric Vibrating Piece 6 (a) In the outer shape forming step, an outer shape of a tuning fork type piezoelectric vibrating piece having a vibrating arm portion is formed using quartz crystal.
(B) In the electrode formation step, two systems of excitation electrodes and mount electrodes are formed.
(C) In the weight forming step, the
(D) In the frequency adjustment step, the step is formed by directly irradiating the
(2)圧電振動子1の製造
(e)圧電振動片製造工程では、(1)の各工程により圧電振動片6を製造する。
(f)実装工程では、製造した圧電振動片6を、パッケージ本体3に形成された実装部14の電極パッド20に導電性接着剤51で支持腕部9を接着することで実装する。
(g)封止工程では、圧電振動片6を実装したパッケージ本体3に封口板4により封止する。
(2) Manufacturing of Piezoelectric Vibrator 1 (e) In the Piezoelectric Vibrating Reed manufacturing process, the piezoelectric vibrating reed 6 is manufactured by each process of (1).
(F) In the mounting step, the manufactured piezoelectric vibrating reed 6 is mounted by adhering the support arm 9 to the electrode pad 20 of the mounting portion 14 formed on the
(G) In the sealing step, the
なお、圧電振動子1を製造する場合、実装工程と封止工程の間に、最終周波数調整工程を行うようにしてもよい。
(f2)最終周波数調整では、実装した圧電振動片6の重り膜75に対してイオンリミングを行う。
すなわち、実装後の圧電振動片6の周波数を計測し、所望周波数となるように、段差が形成された重り膜75全体の表面をイオンリミングすることで周波数の最終調整を行う。
なお、イオンリミングでは、重り膜75以外の部分をマスクし、数KVに加速した収束させないアルゴンイオンを照射し、スパッタリング現象を利用して重り膜75の表面を研磨(薄く削除)する。
When the piezoelectric vibrator 1 is manufactured, the final frequency adjustment process may be performed between the mounting process and the sealing process.
(F2) In final frequency adjustment, ion trimming is performed on the
That is, the frequency of the piezoelectric vibrating reed 6 after mounting is measured, and the final adjustment of the frequency is performed by ion-rimming the entire surface of the
In the ion rimming, portions other than the
本実施形態では、主面に形成した重り膜75を、厚さ方向の全体を溶融除去するのではなく、フェムト秒レーザLfを照射して厚さ方向の一部を薄く削除することで段差部を形成している。即ち、(c)重り形成工程で主面に形成した重り膜75は、その領域に応じて厚さが薄くなっているが、主面上における面積は同じである。
このため、イオンリミングにより研磨する対象面積が大きい(当所の形成面積のままである)ため、短い時間のイオンミリングにより、所定重量分の重り膜75を削除することが可能になる。
In the present embodiment, the
For this reason, since the target area to be polished by ion rimming is large (it remains the formation area at this site), it is possible to delete the
以上、サイドアーム型の圧電振動片6と、この圧電振動片6を使用した圧電振動子1の構成について説明したが、音叉型であれば他の形式の圧電振動片に段差付きの重り膜75を形成することも可能である。
図6は他の型の圧電振動片について、(a)が片持ち型の圧電振動片61、(b)がセンターアーム型の圧電振動片62を表した説明図である。
図6(a)に示す圧電振動片61は、基部8から長手方向に平行に延出する振動腕部7a、7bが形成され、支持腕部は存在しない。一方、図6(b)に示す圧電振動片62は、基部8から長手方向に平行に延出する振動腕部7a、7bの間に、支持単腕部9cが形成されている。
The configuration of the side arm type piezoelectric vibrating reed 6 and the piezoelectric vibrator 1 using the piezoelectric vibrating reed 6 has been described above, but in the case of a tuning fork type, another type of piezoelectric vibrating reed has a stepped
FIG. 6 is an explanatory view showing another type of piezoelectric vibrating reed, in which (a) shows a cantilever type
In the piezoelectric vibrating
両圧電振動片61、62における、一対の振動腕部7a、7bの両主面には、図5で説明した圧電振動片6と同様に、溝部72a、72bが形成されている。
また振動腕部7aの外側の両側面と、振動腕部7bの溝部72bに形成された第1系統の励振電極92と、振動腕部7bの外側の両側面と、振動腕部7aの溝部72aに形成された第2系統の励振電極91が形成されている。
Further, the first and
そして、圧電振動片61は、図6(a)に示すように、第1系統の励振電極92に接続する第1マウント電極92mと、第2系統の励振電極91に接続する第2マウント電極91mが、基部8に形成されている。そして、この基部8に形成されたマウント電極92m、91mが形成されている。
一方、圧電振動片62は、図6(b)に示すように、第1系統の励振電極92に接続する第1マウント電極92mが基部8から支持単腕部9cの先端部まで形成され、第2系統の励振電極91に接続する第2マウント電極91mが基部8から支持単腕部9cの中央部まで形成されている。
The piezoelectric vibrating
On the other hand, in the piezoelectric vibrating
圧電振動片61、62は、共に、図3で説明した圧電振動片6と同様に、パッケージ2内に収容されることで、圧電振動子が構成される。
なお、この場合のパッケージ2には、圧電振動片61の場合には基部8の位置に、圧電振動片62の場合には支持単腕部9cの位置に、図3で説明した実装部14A、14Bに対応する実装部が形成され、この実装部に形成されている2系統の電極パットに導電性接着剤で接着、固定されている。
The piezoelectric vibrating
The
そして、図6(a)の片持ち型の圧電振動片61では、振動腕部7の先端に拡幅部71が存在せず、(b)のセンターアーム方の圧電振動片62は、振動腕部71先端に振動腕部71が形成されている。いずれの圧電振動片61、62においても、振動腕部7の先端部には重り膜75が形成され、その長手方向に沿った断面は、図1で説明したように、フェムト秒レーザLfの照射により周波数帳性が行われる。これによって重り膜75は、領域によって異なる厚さに形成され、その結果段差が形成されている。
Then, in the cantilever type
以上説明した実施形態及び変形例から、以下の各構成を得ることもできる。
(1)構成201
少なくとも基部と前記基部から並んで延設された1対の振動腕部を有する音叉型の圧電振動片の外形を形成する外形形成工程と、
前記振動腕部に2系統の電極を形成する電極形成工程と、
前記振動腕部の先端側の主面に周波数調整用の重り膜を形成する重り膜形成工程と、
前記重り膜を除去することで周波数を調整する周波数調整工程と、を備え、
前記周波数調整工程は、前記重り膜の一部を非熱加工により除去する、
ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
(2)構成202
前記周波数調整工程は、フェムト秒レーザを直接照射することで前記重り膜の一部を除去する、
ことを特徴とする構成201に記載の圧電振動片の製造方法。
(3)構成203
前記周波数調整工程は、前記振動腕部の先端側の第1領域に対して粗調整を行い、その後、前記第1領域よりも前記基部側の第2領域で微調整を行う、
ことを特徴とする構成201又は構成202に記載の圧電振動片の製造方法。
(4)構成204
前記外形形成工程は、
前記基部から前記振動腕部の外側に延出して形成された支持腕部で前記実装部に実装されるサイドアーム型、
前記基部から前記振動腕部の間に延出して形成された支持単腕部で前記実装部に実装されるセンターアーム型、又は、
前記基部が前記実装部に実装される片持ち型、
の圧電振動片の外形を形成する、
ことを特徴とする構成201から構成203のうちのいずれか1の構成に記載の圧電振動片の製造方法。
(5)構成205
構成201、構成202、構成203、又は構成204の各工程により圧電振動片を製造する工程と、
前記圧電振動片を、パッケージ内に形成された実装部に実装する実装工程と、
前記パッケージを封止する封止工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
(6)構成206
内側に実装部を備えたパッケージ内に実装される、水晶で音叉型に形成された圧電振動片であって、
基部と、
前記基部から並んで延設された1対の振動腕部と、
前記1対の振動腕部に形成された2系統の電極と、
前記振動腕部における先端部に金属で形成された周波数調整用の重り膜と、を備え、
前記重り膜は、前記周波数調整による加工端には溶融によるデブリが存在しない、
ことを特徴とする圧電振動片。
(7)構成207
内側に実装部を備えたパッケージ内に実装される、水晶で音叉型に形成された圧電振動片であって、
基部と、
前記基部から並んで延設された1対の振動腕部と、
前記1対の振動腕部に形成された2系統の電極と、
前記振動腕部における先端部に金属で形成された周波数調整用の重り膜と、を備え、
前記重り膜は、前記振動腕の長手方向と直交する方向の仮想直線に対する、周波数調整による幅方向の加工端のばらつき幅が10μm以下である、
ことを特徴とする圧電振動片。
(8)構成208
前記幅方向の加工端のばらつき幅が5μm以下である、
ことを特徴とする構成207に記載の圧電振動片。
(9)構成209
内側に実装部を備えたパッケージと、
前記実装部に実装された、構成206、構成207、又は、構成208に記載の圧電振動片と、
前記実装部から前記パッケージの外部まで形成された外部電極部と、
を有することを特徴とする圧電振動子。
The following configurations can also be obtained from the embodiment and the modification described above.
(1) Configuration 201
An outer shape forming step of forming an outer shape of a tuning fork type piezoelectric vibrating reed having at least a base and a pair of vibrating arms extending side by side from the base;
An electrode forming step of forming two systems of electrodes on the vibrating arm portion;
A weight film forming step of forming a weight film for frequency adjustment on the main surface on the tip side of the vibrating arm portion;
A frequency adjustment step of adjusting the frequency by removing the weight film,
In the frequency adjustment step, a part of the weight film is removed by non-thermal processing.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed characterized in that.
(2) Configuration 202
The frequency adjustment step removes a part of the weight film by direct irradiation with a femtosecond laser.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to a configuration 201, characterized in that
(3) Configuration 203
In the frequency adjustment step, rough adjustment is performed on a first area on the tip side of the vibrating arm, and then fine adjustment is performed on a second area on the base side with respect to the first area.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to the configuration 201 or the configuration 202 characterized in that
(4) Configuration 204
The outer shape forming step is
A side arm type mounted on the mounting portion by a support arm formed extending from the base to the outside of the vibrating arm;
A center arm type mounted on the mounting portion with a supporting single arm portion formed extending from the base to the vibrating arm portion, or
Cantilever type, wherein the base is mounted on the mounting portion;
Form the outer shape of the piezoelectric vibrating reed
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to any one of the structures 201 to 203, wherein the method comprises the steps of:
(5) Configuration 205
Manufacturing the piezoelectric vibrating reed according to each of the steps of the configuration 201, the configuration 202, the configuration 203, or the configuration 204;
A mounting step of mounting the piezoelectric vibrating reed on a mounting portion formed in a package;
A sealing step of sealing the package;
A manufacturing method of a piezoelectric vibrator characterized by having.
(6) Configuration 206
A piezoelectric vibrating reed formed in a quartz tuning fork shape mounted in a package having a mounting portion inside,
The base,
A pair of vibrating arms extending side by side from the base;
Two electrodes formed on the pair of vibrating arms;
A weight film for frequency adjustment made of metal at a tip end of the vibrating arm;
The said weight film has no debris by melting at the processing end by the frequency adjustment,
Piezoelectric vibrating reed characterized in that.
(7) Configuration 207
A piezoelectric vibrating reed formed in a quartz tuning fork shape mounted in a package having a mounting portion inside,
The base,
A pair of vibrating arms extending side by side from the base;
Two electrodes formed on the pair of vibrating arms;
A weight film for frequency adjustment made of metal at a tip end of the vibrating arm;
The weight film has a variation width of 10 μm or less at the processing end in the width direction by frequency adjustment with respect to a virtual straight line in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the vibrating arm.
Piezoelectric vibrating reed characterized in that.
(8) Configuration 208
The variation width of the machined end in the width direction is 5 μm or less
The piezoelectric vibrating reed of the structure 207 characterized by the above-mentioned.
(9) Configuration 209
A package with a mounting on the inside,
The piezoelectric vibrating reed according to the configuration 206, the configuration 207, or the configuration 208 mounted on the mounting unit;
An external electrode portion formed from the mounting portion to the outside of the package;
The piezoelectric vibrator characterized by having.
1 圧電振動子
2 パッケージ
3 パッケージ本体
4 封口板
6 圧電振動片
7、7a、7b 振動腕部
8 基部
9、9a、9b 支持腕部
9c 支持単腕部
10 第1ベース基板
11 第2ベース基板
14、14A、14B 実装部
20、20A、20B 電極パッド
21、21A、21B 外部電極
51 導電性接着剤
61、62、 圧電振動片
72 溝部
75 重り膜
91、92 励振電極
91m、92m マウント電極
C キャビティ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (11)
基部と、
前記基部から並んで延設された1対の振動腕部と、
前記1対の振動腕部に形成された2系統の電極と、
前記振動腕部における先端部に金属で形成された周波数調整用の重り膜と、を備え、
前記重り膜は、隣接する2つの領域の厚さが異なることで段差が形成されている、
ことを特徴とする圧電振動片。 A piezoelectric vibrating reed formed in a quartz tuning fork shape mounted in a package having a mounting portion inside,
The base,
A pair of vibrating arms extending side by side from the base;
Two electrodes formed on the pair of vibrating arms;
A weight film for frequency adjustment made of metal at a tip end of the vibrating arm;
The weight film has a step formed by the difference in thickness between two adjacent regions.
Piezoelectric vibrating reed characterized in that.
ことを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片。 The weight film is formed on at least one of the main surfaces of the tip of the vibrating arm, and a step is formed by the difference in thickness between two regions adjacent in the length direction.
The piezoelectric vibrating reed according to claim 1, wherein
ことを特徴とする請求項2に記載の圧電振動片。 The weight film is formed to be thinner toward the tip end of the vibrating arm.
The piezoelectric vibrating reed according to claim 2, wherein
ことを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3に記載の圧電振動片。 The weight film is formed on an end surface orthogonal to the main surface of the vibrating arm, and a step is formed by the difference in thickness between two adjacent regions.
The piezoelectric vibrating reed according to claim 1, 2, or 3.
前記基部から前記振動腕部の間に延出して形成された支持単腕部で前記実装部に実装されるセンターアーム型、又は、
前記基部が前記実装部に実装される片持ち型、
であることを特徴とする請求項1から請求項4のうちの何れか1の請求項に記載の圧電振動片。 A side arm type mounted on the mounting portion by a support arm formed extending from the base to the outside of the vibrating arm;
A center arm type mounted on the mounting portion with a supporting single arm portion formed extending from the base to the vibrating arm portion, or
Cantilever type, wherein the base is mounted on the mounting portion;
The piezoelectric vibrating reed according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
前記実装部に実装された、請求項1から請求項5のうちの何れか1の請求項に記載の圧電振動片と、
前記実装部から前記パッケージの外部まで形成された外部電極部と、
を有することを特徴とする圧電振動子。 A package with a mounting on the inside,
The piezoelectric vibrating reed according to any one of claims 1 to 5, mounted on the mounting portion,
An external electrode portion formed from the mounting portion to the outside of the package;
The piezoelectric vibrator characterized by having.
前記振動腕部に2系統の電極を形成する電極形成工程と、
前記振動腕部の先端側の主面に周波数調整用の重り膜を形成する重り膜形成工程と、
前記重り膜を除去することで周波数を調整する周波数調整工程と、を備え、
前記周波数調整工程は、前記重り膜の厚さ方向の一部を除去することにより、長さ方向に隣接する2領域に対して異なる厚さにすることで段差を形成する、
ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。 An outer shape forming step of forming an outer shape of a tuning fork type piezoelectric vibrating reed having at least a base and a pair of vibrating arms extending side by side from the base;
An electrode forming step of forming two systems of electrodes on the vibrating arm portion;
A weight film forming step of forming a weight film for frequency adjustment on the main surface on the tip side of the vibrating arm portion;
A frequency adjustment step of adjusting the frequency by removing the weight film,
In the frequency adjustment step, a step is formed by removing a part in the thickness direction of the weight film to have different thicknesses with respect to two regions adjacent in the length direction.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed characterized in that.
ことを特徴とする請求項7に記載の圧電振動片の製造方法。 In the frequency adjustment step, a part of the thickness direction of the weight film is removed by direct irradiation with a femtosecond laser.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to claim 7, characterized in that.
ことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の圧電振動片の製造方法。 In the frequency adjustment step, rough adjustment is performed on a first area on the tip side of the vibrating arm, and then fine adjustment is performed on a second area on the base side with respect to the first area.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to claim 7 or 8 characterized in that.
前記圧電振動片を、パッケージ内に形成された実装部に実装する実装工程と、
前記パッケージを封止する封止工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。 A process of manufacturing a piezoelectric vibrating reed according to each process of claim 7, claim 8 or claim 9;
A mounting step of mounting the piezoelectric vibrating reed on a mounting portion formed in a package;
A sealing step of sealing the package;
A manufacturing method of a piezoelectric vibrator characterized by having.
を有することを特徴とする請求項10に記載の圧電振動子の製造方法。 A final frequency adjustment step of performing ion trimming on the weight film of the mounted piezoelectric vibrating reed between the mounting step and the sealing step;
The method of manufacturing a piezoelectric vibrator according to claim 10, comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018004658A JP7079607B2 (en) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | Piezoelectric vibrating pieces, piezoelectric vibrators, and manufacturing methods |
CN201910039917.5A CN110048689A (en) | 2018-01-16 | 2019-01-16 | Piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibrator and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018004658A JP7079607B2 (en) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | Piezoelectric vibrating pieces, piezoelectric vibrators, and manufacturing methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019125896A true JP2019125896A (en) | 2019-07-25 |
JP7079607B2 JP7079607B2 (en) | 2022-06-02 |
Family
ID=67274158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018004658A Active JP7079607B2 (en) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | Piezoelectric vibrating pieces, piezoelectric vibrators, and manufacturing methods |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7079607B2 (en) |
CN (1) | CN110048689A (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7419842B2 (en) * | 2020-01-30 | 2024-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | Method of manufacturing a vibration device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164759A (en) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Daishinku Corp | Frequency adjusting device for tuning fork oscillator and its method and fork oscillator whose frequency is adjusted by the same method |
JP2006311444A (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric vibration chip, its manufacturing method, and piezoelectric device utilizing the piezoelectric vibration chip element |
WO2011043357A1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | Irradiation method of laser, frequency adjustment method of piezoelectric vibrator using same, and frequency-adjusted piezoelectric device using same |
JP2013165396A (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Seiko Instruments Inc | Piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment, and radio clock |
JP2016032195A (en) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 日本電波工業株式会社 | Piezoelectric vibration piece, manufacturing method of the same, and piezoelectric device |
JP2016220118A (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | Manufacturing method of piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibration piece, and piezoelectric transducer |
-
2018
- 2018-01-16 JP JP2018004658A patent/JP7079607B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-16 CN CN201910039917.5A patent/CN110048689A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164759A (en) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Daishinku Corp | Frequency adjusting device for tuning fork oscillator and its method and fork oscillator whose frequency is adjusted by the same method |
JP2006311444A (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric vibration chip, its manufacturing method, and piezoelectric device utilizing the piezoelectric vibration chip element |
WO2011043357A1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | Irradiation method of laser, frequency adjustment method of piezoelectric vibrator using same, and frequency-adjusted piezoelectric device using same |
JP2013165396A (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Seiko Instruments Inc | Piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment, and radio clock |
JP2016032195A (en) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 日本電波工業株式会社 | Piezoelectric vibration piece, manufacturing method of the same, and piezoelectric device |
JP2016220118A (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | Manufacturing method of piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibration piece, and piezoelectric transducer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7079607B2 (en) | 2022-06-02 |
CN110048689A (en) | 2019-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106169917B (en) | Method for manufacturing piezoelectric vibrating reed, and piezoelectric vibrator | |
JP2010118784A (en) | Method of manufacturing piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator, and electronic component | |
CN105978526B (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator | |
JP3714228B2 (en) | Piezoelectric vibrator and method for manufacturing piezoelectric device | |
JP2006311444A (en) | Piezoelectric vibration chip, its manufacturing method, and piezoelectric device utilizing the piezoelectric vibration chip element | |
JP2024015390A (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator | |
JP2019125897A (en) | Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, and manufacturing method | |
TWI722267B (en) | Tuning-fork vibrator and manufacturing method of tuning-fork vibrator | |
JP2011193436A (en) | Tuning fork crystal resonator chip, tuning fork crystal resonator, and method of manufacturing the tuning fork crystal resonator chip | |
JP7079607B2 (en) | Piezoelectric vibrating pieces, piezoelectric vibrators, and manufacturing methods | |
JP7232574B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece and method for manufacturing piezoelectric vibrator | |
JP2017152834A (en) | Piezoelectric vibration piece and piezoelectric vibrator | |
TWI724249B (en) | Frequency adjustment method of piezoelectric vibrating element | |
JP2006229283A (en) | Piezoelectric device | |
WO2018142789A1 (en) | Tuning fork type vibrator | |
TWI841691B (en) | Piezoelectric vibrating element, piezoelectric vibrator, method of manufacturing piezoelectric vibrating element, and method of manufacturing piezoelectric vibrator | |
CN105827212B (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator | |
JP7419842B2 (en) | Method of manufacturing a vibration device | |
JP2007288331A (en) | Manufacturing method of piezoelectric vibration reed, the piezoelectric vibration reed, and piezoelectric vibrator | |
JP2021073787A (en) | Tuning fork type vibration piece and tuning fork type vibrator | |
JP2007067788A (en) | Piezoelectric device | |
JP5250075B2 (en) | Piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator and electronic component | |
JP2006033354A (en) | Frequency adjustment method of piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator, and electronic apparatus | |
JP7327930B2 (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator | |
JP7300256B2 (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220318 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220318 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220407 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7079607 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |