JP2019121790A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.
従来、ＬＥＤアレイパネルにおいて、同じ構造のＬＥＤ素子が規則的に配置された場合、パネルに搭載されているＬＥＤ素子から出射される光の強度分布に一定のパターンがあると、集光した際に一定のパターンがそろったまま重ね合わされ、照度ムラが生じ、さらに、スクリーンに照度ムラを持った映像が投影されることがある。
これに対して、光照射面における光の強度分布を均一にするために、発光素子をその光軸の回りに９０°異なる角度で配置し、個々の発光素子から出力される一定のパターンの強度分布をもつ光を重ね合わせて平均化する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
Conventionally, in the LED array panel, when the LED elements of the same structure are regularly arranged, if there is a certain pattern in the intensity distribution of the light emitted from the LED elements mounted on the panel, the light is collected. Certain patterns may be superimposed on one another and superimposed, resulting in uneven illuminance, and an image with uneven illuminance may be projected on the screen.
On the other hand, in order to make the light intensity distribution on the light irradiation surface uniform, the light emitting elements are arranged at an angle different by 90 ° around the optical axis, and the intensity of the constant pattern outputted from each light emitting element A method of superposing and averaging light having a distribution has been proposed (for example, Patent Document 1).
一方、直下型バックライト光源では、発光素子が等ピッチで多数行列状に配列されていることから、１つの発光素子の周辺で輝度ムラが発生すると、それが行又は列状に連続して続くため、バックライト光源の光出射面においてその輝度ムラが視認されることがあった。このバックライト光源の光出射面に視認される輝度ムラは、液晶パネルなどの光照射面に引き継がれる傾向にある。
本願発明は、特定の立体形状を有し、特定の配光特性を有する発光素子が等ピッチで複数行列状に配列された発光装置において、連続した輝度ムラが視認されない又は視認されにくい発光装置を提供することを目的とする。
On the other hand, in the direct backlight type light source, since the light emitting elements are arranged in a matrix form with equal pitches, when uneven brightness occurs around one light emitting element, it continues continuously in rows or columns. Therefore, the luminance unevenness may be visually recognized on the light emitting surface of the backlight source. The luminance unevenness visually recognized on the light emission surface of the backlight source tends to be taken over to the light irradiation surface such as a liquid crystal panel.
The present invention relates to a light emitting device having a specific three-dimensional shape and light emitting elements having specific light distribution characteristics arranged in a plurality of matrices at equal pitches, in which continuous luminance unevenness is not visible or hardly visible. Intended to be provided.
本願は以下の発明を含む。
配線を有し、光反射性を有する配線基板と、
下面に対して傾斜した一対の第１側面と、前記下面に対して垂直な一対の第２側面とを有するサファイア基板と、前記サファイア基板の下面に設けられた半導体積層体とを有し、前記配線基板の上面に行列状に実装された複数の発光素子と、
該発光素子の上面に配置された光反射膜と、
前記複数の発光素子の上方に配置された光拡散部材とを備え、
前記複数の発光素子のうち所定の領域内に配置された複数の発光素子は、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子の前記第１側面と前記第２側面とが向かい合って配置されている発光装置。
The present application includes the following inventions.
A wiring substrate having a wiring and light reflectivity,
A sapphire substrate having a pair of first side surfaces inclined with respect to the lower surface, and a pair of second side surfaces perpendicular to the lower surface, and a semiconductor laminate provided on the lower surface of the sapphire substrate, A plurality of light emitting elements mounted in a matrix on the upper surface of the wiring substrate;
A light reflecting film disposed on the top surface of the light emitting element;
A light diffusing member disposed above the plurality of light emitting elements;
Among the plurality of light emitting elements, the plurality of light emitting elements disposed in a predetermined region are the first side surface and the second side surface of the light emitting elements that are close to each other in at least one of the row direction and the column direction. Light emitting devices arranged facing each other.
本願発明の発光装置によれば、発光素子における電極パターンにかかわらず、特定の立体形状を有する特定の配光特性を有する発光素子が等ピッチで複数行列状に配列された発光装置において、連続した輝度ムラの視認を効果的に防止することができる。 According to the light emitting device of the present invention, regardless of the electrode pattern of the light emitting element, the light emitting device in which the light emitting elements having the specific three-dimensional shape and the specific light distribution characteristic are arranged in a plurality of matrices at equal pitch is continuous It is possible to effectively prevent visual recognition of uneven brightness.
以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。 The form shown below is an illustration for embodying the technical thought of the present invention, and does not limit the present invention to the following. In addition, the size and positional relationship of members shown in each drawing may be exaggerated for the sake of clarity. Furthermore, as for the same name and reference numeral, in principle, the same or the same member is shown, and the duplicated explanation is appropriately omitted.
〔発光装置〕
本願における一実施形態の発光装置１０は、図１Ａに示すように、複数の発光素子１２が配線基板１１の上面に行列状に配置されて構成される。この発光装置１０では、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、配線基板１１は、基板１１ｂ上に配線１１ａを有し、光反射性を有する。発光素子１２の上面には、光反射膜１３が配置されており、複数の発光素子１２の上方に光拡散部材１４が配置されている。発光素子１２は、サファイア基板２１と、半導体積層体２２とを有し、サファイア基板２１は、その下面２１ｃに対して傾斜した一対の第１側面２１ａと、下面２１ｃに対して垂直な一対の第２側面２１ｂとを有する。そして、複数の発光素子１２のうち所定の領域内、例えば、図１における領域Ｍに配置された複数の発光素子１２は、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子１２のサファイア基板２１の第１側面２１ａと第２側面２１ｂとが向かい合って配置されている。ここで、向かい合ってとは、側面が互いに実質的に平行に対面する状態でもよいし、一方の側面が他方の側面に対して傾斜して対向していてもよい（例えば、図４等参照）ことを含む。
このような構成を有することにより、サファイア基板の劈開面に起因する傾斜する一対の第１側面によって影響を受ける発光素子の出射光の光の向きを、行又は列方向に隣接する発光素子において異ならせることができる。これによって、上方から見て相対的に明るい又は暗い辺を有する１つの発光素子を、複数規則正しく並べる場合に表れる、発光装置の光出射面における連続する明るい又は暗いパターンを効果的に回避することができる。その結果、発光装置において、光出射面における光の強度分布を均一とすることができ、輝度ムラの視認をなくすことができる。このような効果は、特に発光素子の上面に光反射膜を有することで、その上面に対して垂直方向にはほとんど光を通さない発光素子を大量に配置する用途、特に直下型のバックライト光源として用いる場合に顕著である。
[Light-emitting device]
As shown in FIG. 1A, the light emitting device 10 according to the embodiment of the present application is configured by arranging a plurality of light emitting elements 12 on the upper surface of the wiring board 11 in a matrix. In the light emitting device 10, as shown in FIGS. 1B and 1C, the wiring substrate 11 has the wiring 11a on the substrate 11b and has light reflectivity. The light reflecting film 13 is disposed on the top surface of the light emitting element 12, and the light diffusion member 14 is disposed above the plurality of light emitting elements 12. The light emitting element 12 has a sapphire substrate 21 and a semiconductor laminate 22. The sapphire substrate 21 has a pair of first side surfaces 21a inclined with respect to the lower surface 21c and a pair of first surfaces 21c perpendicular to the lower surface 21c. And two side surfaces 21b. The plurality of light emitting elements 12 disposed in a predetermined region of the plurality of light emitting elements 12, for example, in the area M in FIG. 1 are adjacent to each other in at least one of the row direction and the column direction. The first side surface 21a and the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 are disposed to face each other. Here, facing may be a state in which the side surfaces face substantially in parallel with each other, or one side surface may be inclined and opposed to the other side surface (for example, see FIG. 4 etc.) Including.
By having such a configuration, the directions of light emitted from the light emitting elements affected by the pair of inclined first side surfaces due to the cleavage plane of the sapphire substrate are different between the light emitting elements adjacent in the row or column direction. You can By this, it is possible to effectively avoid a continuous bright or dark pattern on the light emitting surface of the light emitting device, which appears when arranging one light emitting element having relatively bright or dark sides viewed from the upper side regularly in a plurality. it can. As a result, in the light emitting device, the intensity distribution of light on the light emitting surface can be made uniform, and visual recognition of uneven brightness can be eliminated. Such an effect is, in particular, an application where a large number of light emitting elements which hardly transmit light in the vertical direction with respect to the upper surface are disposed by providing a light reflecting film on the upper surface of the light emitting element, especially a direct backlight light source It is remarkable when used as
（配線基板１１）
配線基板１１は、少なくともその一面（例えば、上面）に配線１１ａを有する。配線１１ａは、発光素子の正負電極に対応した一対のパターンを複数含む。これらの正負電極に対応したパターンは、それぞれ、配線基板１１の一面、内部及び／又は一面とは反対側の他面（例えば、下面）において、それぞれ電気的に接続され、外部からの電流（電力）を供給することができる。
(Wiring board 11)
The wiring substrate 11 has a wiring 11 a on at least one surface (for example, the upper surface) of the wiring substrate 11. The wiring 11 a includes a plurality of pairs of patterns corresponding to the positive and negative electrodes of the light emitting element. The patterns corresponding to these positive and negative electrodes are respectively electrically connected on one surface, the inside, and / or the other surface (for example, the lower surface) opposite to the one surface of the wiring substrate 11, respectively, and an external current (power) ) Can be supplied.
（配線１１ａ）
配線１１ａは、基板１１ｂとして用いられる材料、その製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基板１１ｂの材料としてセラミックスを用いる場合は、配線１１ａは、セラミックスシートの焼成温度に耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属が挙げられる。また、その上に鍍金、スパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀など他の金属材料が被覆されたものでもよい。
(Wiring 11a)
The wiring 11a can be appropriately selected according to the material used as the substrate 11b, the manufacturing method thereof, and the like. For example, in the case of using ceramic as the material of the substrate 11b, the wiring 11a is preferably a material having a high melting point that can withstand the sintering temperature of the ceramic sheet, and examples thereof include metals of high melting point such as tungsten and molybdenum. In addition, other metal materials such as nickel, gold, silver and the like may be coated thereon by plating, sputtering, vapor deposition or the like.
基板１１ｂの材料としてガラスエポキシ樹脂等の樹脂を用いる場合は、配線１１ａは、加工し易い材料が好ましい。配線１１ａは、基板の一面又は両面に、蒸着、スパッタ、めっき等の方法によって形成することができる。プレスにより金属箔を貼着してもよいし、印刷法又はフォトリソグラフィー等を用いてマスキングし、エッチング工程によって、所定の形状にパターニングしてもよい。例えば、銅、銀、金、ニッケル等の金属又は合金等が挙げられる。 In the case of using a resin such as glass epoxy resin as the material of the substrate 11b, the wiring 11a is preferably a material that can be easily processed. The wiring 11a can be formed on one surface or both surfaces of the substrate by a method such as vapor deposition, sputtering, plating or the like. The metal foil may be attached by pressing, or may be masked using a printing method, photolithography or the like, and patterned into a predetermined shape by an etching step. For example, metals or alloys such as copper, silver, gold, nickel and the like can be mentioned.
（基板１１ｂ）
基板１１ｂは、例えば、セラミックス、ガラスエポキシ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂、金属等によって形成することができる。
基板１１ｂの厚さは適宜選択することができる。
(Substrate 11b)
The substrate 11b can be formed of, for example, a resin such as ceramics, glass epoxy resin, phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, BT resin, polyphthalamide (PPA), polyethylene terephthalate (PET), metal or the like.
The thickness of the substrate 11 b can be selected as appropriate.
セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系（例えば、ＡｌＮ）、炭化物系（例えば、ＳｉＣ）、ＬＴＣＣ等が挙げられる。
樹脂を用いる場合は、ガラス繊維、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。
金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金等が挙げられる。
Examples of the ceramic include alumina, mullite, forsterite, glass ceramics, nitrides (eg, AlN), carbides (eg, SiC), LTCC and the like.
In the case of using a resin, an inorganic filler such as glass fiber, SiO 2 , TiO 2 or Al 2 O 3 is mixed with the resin to improve the mechanical strength, reduce the coefficient of thermal expansion, improve the light reflectance, etc. You can also.
Examples of the metal include copper, iron, nickel, chromium, aluminum, silver, gold, titanium or alloys thereof.
（被覆層１１ｃ）
配線基板１１は、光反射性を有するが、この光反射性は、配線基板１１に形成された配線１１ａによって付与されるものであってもよいし、基板１１ｂ自体を構成する材料が光反射性を有するものであってもよいし、発光素子と電気的に接続される配線以外の配線基板１１の上面における領域が、光反射性の被覆層１１ｃによって被覆されたものであってもよい。なかでも、光反射性の被覆層１１ｃによって被覆されたものが好ましい。
(Covering layer 11c)
Although the wiring substrate 11 has light reflectivity, the light reflectivity may be imparted by the wiring 11a formed on the wiring substrate 11, and the material of the substrate 11b itself is light reflective. The region on the top surface of the wiring board 11 other than the wiring electrically connected to the light emitting element may be covered with the light reflective covering layer 11 c. Among them, those coated with the light reflective covering layer 11 c are preferable.
配線基板１１を被覆する被覆層１１ｃの材料としては、上述した樹脂に、光反射材が含まれたもの、絶縁性を有するレジスト等を用いることが好ましい。光反射材としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の白色顔料が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。樹脂における光反射材の含有量は、光反射性及び流動状態における粘度などの観点から、１０〜７０ｗｔ％が好ましく、３０〜６０ｗｔ％がより好ましい。 As a material of the covering layer 11c which covers the wiring board 11, it is preferable to use a material in which a light reflecting material is contained in the above-mentioned resin, a resist having insulation, or the like. As a light reflection material, titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate, barium titanate, barium sulfate, barium sulfate, aluminum hydroxide, aluminum oxide, oxide White pigments such as zirconium can be mentioned. These can be used singly or in combination of two or more. The content of the light reflecting material in the resin is preferably 10 to 70 wt%, and more preferably 30 to 60 wt% from the viewpoint of light reflectivity and viscosity in a fluid state.
（発光素子１２及び光反射膜１３）
発光素子１２は、図１Ｃに示すように、サファイア基板２１と、その下面２１ｃに積層された半導体積層体２２とを有する。半導体積層体２２の下面には、一対の正負の電極２３、２４が形成されている。また、サファイア基板２１の下面２１ｃとは反対側の面に光反射膜１３が配置されている。
発光素子１２は、平面視、四角形又はこの四角形の角が丸みを帯びるなどの四角形に近似した形状であるものが挙げられるが、その他の種々の平面形状とすることができる。
(Light-emitting element 12 and light reflecting film 13)
The light emitting element 12 has the sapphire substrate 21 and the semiconductor laminated body 22 laminated | stacked on the lower surface 21c, as shown to FIG. 1C. A pair of positive and negative electrodes 23 and 24 are formed on the lower surface of the semiconductor stack 22. In addition, the light reflection film 13 is disposed on the surface of the sapphire substrate 21 opposite to the lower surface 21 c.
The light emitting element 12 may have a plan view, a quadrangle or a shape close to a quadrangle such as a rounded corner of the quadrangle, but may have other various planar shapes.
（サファイア基板２１）
サファイア基板２１は、その下面２１ｃに対して傾斜した一対の第１側面２１ａと、下面２１ｃに対して垂直な一対の第２側面２１ｂとを有する。つまり、下面２１ａと一対の第１側面２１ａとを通る断面において、一対の第１側面２１ａの一方は下面２１ａと鋭角をなし、他方は下面２１ａと鈍角をなす。これらの側面を有する限り、例えば、六方晶のＡｌ2Ｏ3からなる基板、つまり、Ｃ面、Ａ面、Ｒ面、Ｍ面のいずれか又はこれらの面から±５°でオフ角を有する面を主面とするサファイアによる基板を用いることができる。例えば、下面２１ｃは、Ｃ面（０００１）又はＣ面に対して±５°のオフ角を有する面であるものが挙げられる。なお、サファイアは完全には六方晶ではないが、近似的に六方晶（六方晶系）として理解されている。
(Sapphire substrate 21)
The sapphire substrate 21 has a pair of first side surfaces 21 a inclined with respect to the lower surface 21 c and a pair of second side surfaces 21 b perpendicular to the lower surface 21 c. That is, in a cross section passing the lower surface 21a and the pair of first side surfaces 21a, one of the pair of first side surfaces 21a forms an acute angle with the lower surface 21a, and the other forms an obtuse angle with the lower surface 21a. As long as it has these side surfaces, for example, a substrate made of hexagonal Al 2 O 3 , that is, a surface having an off angle of ± 5 ° from any of C surface, A surface, R surface, M surface or these surfaces It is possible to use a sapphire substrate having a main surface. For example, the lower surface 21c is a surface having an off angle of ± 5 ° with respect to the C plane (0001) or the C plane. Although sapphire is not completely hexagonal, it is approximately understood as hexagonal (hexagonal).
下面２１ｃをＣ面（０００１）とする場合、第１側面２１ａは、例えば、（１−１００）面、（０１−１０）面、（−１０１０）面等とすることができ、［０００１］方向のＣ面側からみて、それぞれ［−１１００］方向、［−１１００］方向、［０−１１０］方向に傾斜したものが挙げられる。第１側面２１ａの傾斜は、例えば、１〜２０°であるものが挙げられ、２〜１０°であるものが好ましい。図１Ｃにおいては、第１側面２１ａは、例えば、下面２１ｃに対して９０±７°傾斜しており、一対の第１側面２１ａは、互いに略平行である。つまり、一方の第１側面２１ａは、下面２１ｃに対して鋭角（例えば、８３°）で交わり、他方の第１側面２１ａは、下面２１ｃに対して鈍角（例えば、９７°）で交わっている。 When the lower surface 21c is a C surface (0001), the first side surface 21a can be, for example, a (1-100) surface, a (01-10) surface, a (-1010) surface or the like, and the [0001] direction What was inclined in the [-1100] direction, the [-1100] direction, and the [0-110] direction, respectively, as viewed from the C surface side of The inclination of the first side surface 21 a is, for example, 1 to 20 °, preferably 2 to 10 °. In FIG. 1C, the first side surface 21a is, for example, inclined at 90 ± 7 ° with respect to the lower surface 21c, and the pair of first side surfaces 21a are substantially parallel to each other. That is, one first side surface 21a intersects the lower surface 21c at an acute angle (for example, 83 °), and the other first side surface 21a intersects the lower surface 21c at an obtuse angle (for example, 97 °).
（半導体積層体２２）
半導体積層体２２は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いることができる。用いる発光素子の大きさ、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
(Semiconductor laminate 22)
The semiconductor laminate 22 can be selected to have any wavelength. For example, the blue, the green light-emitting element, it is possible to use a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1- xy N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1). The size, the number, and the like of light emitting elements to be used can be appropriately selected according to the purpose.
一対の電極２３、２４はアノード及びカソードに対応するものであり、それぞれ１つのみでもよいし、複数配置されていてもよい。図１Ｂにおいては、１つの発光素子１２において、アノード及びカソードに対応する電極２３、２４がそれぞれ１つずつ配置されている。
電極２３、２４は、導電材料によって任意の形状で形成することができる。
一対の電極２３、２４は、図１Ｃに示すように、接合部材を介して配線基板１１の上面の配線１１ａに接続されている。つまり、発光素子１２が、一対の配線１１ａに跨るようにフリップチップ実装されている。
接合部材としては、金、銀、銅などのバンプ、これらの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系等の半田、低融点金属等のろう材等を用いることができる。
The pair of electrodes 23 and 24 correspond to the anode and the cathode, respectively, and may be only one or plural. In FIG. 1B, in one light emitting element 12, one each of electrodes 23 and 24 corresponding to an anode and a cathode is disposed.
The electrodes 23, 24 can be formed in any shape by a conductive material.
As shown in FIG. 1C, the pair of electrodes 23 and 24 are connected to the wiring 11 a on the top surface of the wiring board 11 via a bonding member. That is, the light emitting element 12 is flip chip mounted so as to straddle the pair of wires 11 a.
As the joining member, bumps of gold, silver, copper etc., metal pastes containing these metal powders and resin binders, solders of tin-bismuth type, tin-copper type etc., brazing materials such as low melting point metal etc. Can.
（光反射膜１３）
光反射膜１３は、発光素子１２において、サファイア基板２１の下面２１ｃとは反対側の上面に形成されている。光反射膜１３は、発光素子１２から出射される光に対して、光透過率が入射角依存性を有する膜であることが好ましい。この光反射膜１３の光透過率の入射角依存特性は、図２Ａに示すように、発光素子１２の上面に対して垂直方向には殆ど光を通さないが、垂直方向から傾斜した光は、その透過率が増加する。例えば、光の入射角が、−３０°〜３０°の範囲内では透過率が１０％程度であるのに対して、光の入射角が−３０°より小さくなると徐々に透過率が大きくなり、−５０°より小さくなると急激に透過率が大きくなる。同様に、光の入射角が３０°より大きくなると徐々に透過率が大きくなり、５０°より大きくなると急激に透過率が大きくなる。つまり、光反射膜１３の発光素子１２からの光に対する光透過率は、入射角の絶対値が大きくなるにしたがって高くなる。従って、光反射膜１３を備える発光素子１２のサファイア基板２１の第２側面２１ｂに実質的に平行な方向（図１Ｃの発光素子１２Ｔの紙面に実質的に平行な方向）においては、図２Ｂに示すようなバットウイング配光特性を有し、第２側面２１ｂに垂直な方向（図１Ｃの発光素子１２Ｑの紙面に実質的に平行な方向）においては、図２Ｃに示すような、バットウイング配光特性を有する。
(Light reflection film 13)
The light reflection film 13 is formed on the upper surface of the light emitting element 12 opposite to the lower surface 21 c of the sapphire substrate 21. The light reflection film 13 is preferably a film having light transmittance dependent on the incident angle with respect to the light emitted from the light emitting element 12. The incident angle dependence characteristic of the light transmittance of the light reflecting film 13 is, as shown in FIG. 2A, substantially impervious to light in a direction perpendicular to the top surface of the light emitting element 12, but light inclined from the vertical direction is The transmittance increases. For example, the transmittance is about 10% when the incident angle of light is in the range of -30 ° to 30 °, while the transmittance gradually increases when the incident angle of light becomes smaller than -30 °, When it becomes smaller than -50 °, the transmittance rapidly increases. Similarly, when the incident angle of light is greater than 30 °, the transmittance gradually increases, and when it is greater than 50 °, the transmittance rapidly increases. That is, the light transmittance of the light reflection film 13 with respect to the light from the light emitting element 12 becomes higher as the absolute value of the incident angle becomes larger. Therefore, in the direction substantially parallel to the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12 provided with the light reflection film 13 (the direction substantially parallel to the paper surface of the light emitting element 12T in FIG. 1C), In the direction perpendicular to the second side face 21b (the direction substantially parallel to the plane of the drawing of the light emitting element 12Q in FIG. 1C), the bat wing arrangement has a bat wing distribution as shown in FIG. 2C. It has light characteristics.
図２Ｂでは、サファイア基板２１の第１側面２１ａの傾斜に伴い、視野角０°の左右において、非対称な配光特性が得られる。一方、図２Ｃでは、サファイア基板２１の第２側面２１ｂが垂直であるために、視野角０°の左右において、対称な配光特性が得られる。
なお、バットウイング配光特性とは、配光角が９０°以下の第１領域に配光角が９０°のときの強度より大きい強度の第１ピークを有し、配光角が９０°以上の第２領域に配光角が９０°のときの強度より大きい強度の第２ピークを有するような配光特性を指す。
このようなバットウイング配光特性の光を採用することにより、発光装置における発光素子の行列方向のピッチを大きくすることができ、用いる発光素子数を低減等することができる。
In FIG. 2B, with the inclination of the first side surface 21a of the sapphire substrate 21, asymmetric light distribution characteristics are obtained on the left and right of the viewing angle 0 °. On the other hand, in FIG. 2C, since the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 is vertical, symmetrical light distribution characteristics can be obtained on the left and right of the viewing angle 0 °.
The bat wing light distribution characteristic has a first peak with an intensity greater than the intensity when the light distribution angle is 90 ° in the first region where the light distribution angle is 90 ° or less, and the light distribution angle is 90 ° or more The light distribution characteristic is such that it has a second peak whose intensity is greater than the intensity when the light distribution angle is 90 ° in the second region of
By adopting light with such a bat wing light distribution characteristic, the pitch of the light emitting elements in the light emitting device in the matrix direction can be increased, and the number of light emitting elements used can be reduced.
光反射膜１３は、少なくとも発光素子１２から出射される光を反射する材料であればよく、例えば、金属、白色フィラー含有樹脂、誘電体多層膜等によって形成することができる。
誘電体多層膜を用いる場合には、吸収の少ない反射膜を得ることができ、膜の設計で反射率を任意に調整することが容易となる。また、光の入射角度により反射率を精度よく制御することができる。特に、光取り出し面に垂直方向（光軸方向ともいう）の反射率を上げ、光軸に対して角度が大きくなるところで反射率を下げる、すなわち透過率を上げることにより、上述したバットウイング配光特性を制御よく得ることができる。
The light reflection film 13 may be made of any material that reflects at least light emitted from the light emitting element 12, and can be formed of, for example, a metal, a white filler-containing resin, a dielectric multilayer film, or the like.
When a dielectric multilayer film is used, a reflective film with little absorption can be obtained, and it becomes easy to adjust the reflectance arbitrarily in the design of the film. In addition, the reflectance can be accurately controlled by the incident angle of light. In particular, the bat wing light distribution described above is achieved by increasing the reflectance in the direction perpendicular to the light extraction surface (also referred to as the optical axis direction) and decreasing the reflectance when the angle increases with respect to the optical axis. The characteristics can be obtained with good control.
この実施形態における発光素子１２は、上述したようにサファイア基板２１に第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂを有する。つまり、サファイア基板２１の劈開面に起因する傾斜した一対の第１側面２１ａによって出射光の配光特性が影響を受け、これによって、上方から見て相対的に明るい辺と暗い辺とを有することとなる。
このような発光素子１２は、図１Ａに示すように、配線基板１１の上面に、複数行及び／又は列状に実装されているが、複数の発光素子１２のうち所定の領域内（例えば、領域Ｍ内）に配置された複数の発光素子１２は、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子１２のサファイア基板２１の第１側面２１ａと第２側面２１ｂとが向かい合って配置されている。特に、行方向および列方向の双方向に互いに近接する発光素子のサファイア基板の第１側面２１ａと第２側面２１ｂとが向かい合って配置されていることが好ましい。
The light emitting element 12 in this embodiment has the first side 21a and the second side 21b on the sapphire substrate 21 as described above. That is, the light distribution characteristics of the emitted light are affected by the pair of inclined first side surfaces 21 a caused by the cleavage plane of the sapphire substrate 21, and thereby, they have relatively bright sides and dark sides when viewed from above. It becomes.
Such light emitting elements 12 are mounted in a plurality of rows and / or columns on the upper surface of the wiring board 11 as shown in FIG. 1A, but a predetermined area (for example, In the plurality of light emitting elements 12 arranged in the region M, the first side surface 21a and the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12 adjacent to each other in at least one of the row direction and the column direction face each other Are arranged. In particular, it is preferable that the first side surface 21a and the second side surface 21b of the sapphire substrate of the light emitting element adjacent to each other in both the row direction and the column direction be disposed to face each other.
例えば、図１Ｂ及び１Ｃに示すように、複数の発光素子１２が行列方向に規則的に配置されており、そのうちの所定の領域Ｍ内において、例えば、発光素子１２Ｔのサファイア基板２１の第１側面２１ａは、それに対して行方向（図１ＢのＸ方向）に隣接する発光素子１２Ｑのサファイア基板２１の第２側面２１ｂと向かい合って配置されている。また、発光素子１２Ｑのサファイア基板２１の第２側面２１ｂは、それに対して行方向に隣接する発光素子１２Ｗのサファイア基板２１の第１側面２１ａと向かい合って配置されている。ただし、発光素子１２Ｔと発光素子１２Ｗとは、サファイア基板２１の一対の第１側面２１ａが同じ方向に傾斜するのではなく、反対の方向に傾斜している（図１Ｃ参照）。言い換えると、行方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、右回りに９０°ずつ回転するように配置されている。 For example, as shown in FIGS. 1B and 1C, a plurality of light emitting elements 12 are regularly arranged in the matrix direction, and in a predetermined region M among them, for example, the first side surface of sapphire substrate 21 of light emitting element 12T. 21a is disposed to face the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12Q adjacent thereto in the row direction (X direction in FIG. 1B). Further, the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12Q is disposed to face the first side surface 21a of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12W adjacent thereto in the row direction. However, the light emitting element 12T and the light emitting element 12W are not inclined in the same direction, but in the opposite direction, as the pair of first side surfaces 21a of the sapphire substrate 21 are inclined (see FIG. 1C). In other words, the light emitting elements 12 adjacent in the row direction are arranged to rotate clockwise by 90 °, for example, when focusing on one side surface of the pair of first side surfaces 21 a.
同様に、発光素子１２Ｐのサファイア基板２１の第１側面２１ａは、それに対して列方向に隣接する発光素子１２Ｒのサファイア基板２１の第２側面２１ｂと向かい合って配置されている。また、発光素子１２Ｒサファイア基板２１の第２側面２１ｂは、それに対して列方向に隣接する発光素子１２Ｓのサファイア基板の第１側面２１ａと向かい合って配置されている。発光素子１２Ｓのサファイア基板２１の第１側面２１ａは、それに対して列方向に隣接する発光素子１２Ｔのサファイア基板２１の第２側面２１ｂと向かい合って配置されている。ただし、発光素子１２Ｐと発光素子１２Ｓとは、サファイア基板の第１側面２１ａが同じ方向に傾斜するのではなく、反対の方向に傾斜している。言い換えると、列方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、左回りに９０°ずつ回転するように配置されている。 Similarly, the first side surface 21a of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12P is disposed to face the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12R adjacent thereto in the column direction. The second side surface 21b of the light emitting element 12R sapphire substrate 21 is disposed to face the first side surface 21a of the sapphire substrate of the light emitting element 12S adjacent thereto in the column direction. The first side surface 21a of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12S is disposed to face the second side surface 21b of the sapphire substrate 21 of the light emitting element 12T adjacent thereto in the column direction. However, the light emitting element 12P and the light emitting element 12S are not inclined in the same direction as the first side surface 21a of the sapphire substrate, but are inclined in the opposite direction. In other words, when focusing on one side surface of the pair of first side surfaces 21 a, the light emitting elements 12 adjacent to each other in the column direction are arranged to rotate counterclockwise by 90 °, for example.
このような配置によって、上述したような、上方から見て相対的に明るい辺及び暗い辺を有する１つの発光素子を複数規則正しく並べる場合に表れる、発光装置の光出射面における連続する明るい又は暗いパターンを効果的に回避することができる。その結果、光出射面における光の強度分布を均一とすることができ、輝度ムラの視認をなくすことができる。
特に、特定の領域内の発光素子のみでなく、配線基板１１上に配置される全領域の発光素子が上述したような配置により、より顕著に、光出射面における光の強度分布を均一とすることができ、輝度ムラの視認をなくすことが可能となる。
With such an arrangement, a continuous bright or dark pattern on the light emitting surface of the light emitting device appears when one light emitting element having a relatively bright side and a dark side as viewed from above as described above is regularly arranged. Can be effectively avoided. As a result, the intensity distribution of light on the light emitting surface can be made uniform, and visual recognition of uneven brightness can be eliminated.
In particular, not only the light emitting elements in the specific area but also the light emitting elements in the entire area disposed on the wiring substrate 11 are more prominently uniformed in the light intensity distribution on the light emitting surface. It is possible to eliminate the visual recognition of the luminance unevenness.
なお、複数の発光素子１２の配置は、図３に示すように、行方向に隣接する発光素子１２は、第１側面２１ａの一方に着目すると、例えば、左回りに９０°ずつ回転するように配置され、列方向に隣接する発光素子１２は、第１側面２１ａの一方に着目すると、例えば、右回りに９０°ずつ回転するように配置されていてもよい。 In the arrangement of the plurality of light emitting elements 12, as shown in FIG. 3, the light emitting elements 12 adjacent in the row direction rotate, for example, by 90.degree. Counterclockwise, focusing on one of the first side surfaces 21a. The arranged light emitting elements 12 adjacent to each other in the column direction may be arranged to rotate clockwise by 90 °, for example, when focusing on one of the first side surfaces 21 a.
また、複数の発光素子１２の配置は、図４に示すように、行方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、右回りに４５°ずつ回転するように配置され、列方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、左回りに４５°ずつ回転するように配置されていてもよい。同様に列方向が右回り、行方向が左回りでもよい。 The arrangement of the plurality of light emitting elements 12 is, as shown in FIG. 4, for example, 45 ° clockwise when the light emitting elements 12 adjacent in the row direction are focused on one of the pair of first side surfaces 21 a. The light emitting elements 12 adjacent to each other in the column direction are disposed so as to rotate one by one, and are disposed so as to rotate 45.degree. Counterclockwise, for example, when focusing on one of the pair of first side faces 21a. Good. Similarly, the column direction may be clockwise and the row direction may be counterclockwise.
さらに、複数の発光素子１２の配置は、図５に示すように、行方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、右回りに４５°ずつ回転するように配置され、列方向に隣接する発光素子１２は、一対の第１側面２１ａのうち一方の側面に着目すると、例えば、左回り又は右回りに１８０°ずつ回転するように配置されていてもよい。この場合、行方向にのみ、隣接する発光素子の第１側面２１ａと第２側面２１ｂとが向かい合って配置される。 Furthermore, as shown in FIG. 5, the arrangement of the plurality of light emitting elements 12 is, for example, 45 ° clockwise when the light emitting elements 12 adjacent in the row direction are focused on one side surface of the pair of first side surfaces 21a. The light emitting elements 12 adjacent to each other in the column direction are arranged to rotate, for example, 180.degree. Counterclockwise or clockwise, focusing on one of the pair of first side surfaces 21a. It may be In this case, the first side surface 21a and the second side surface 21b of the adjacent light emitting elements are disposed to face each other only in the row direction.
図４及び５には図示しないが、このような発光素子１２の配列に応じて、配線基板１１における配線１１ａを配線基板の上面、内部及び／又は下面において任意に配置すればよい。
また、４５°、９０°、１８０°等の発光素子の回転に限らず、任意の角度で回転させて規則的に又はランダムに配置してもよい。
Although not shown in FIGS. 4 and 5, in accordance with the arrangement of the light emitting elements 12, the wirings 11a in the wiring substrate 11 may be arbitrarily disposed on the upper surface, the inside, and / or the lower surface of the wiring substrate.
Further, the light emitting element may be rotated at an arbitrary angle and arranged regularly or randomly, not limited to the rotation of the light emitting element such as 45 °, 90 °, and 180 °.
これらの配置によっても、連続する明るい又は暗いパターンを効果的に回避することができ、光出射面における光の強度分布を均一とすることができ、輝度ムラの視認をなくすことができる。 Also by these arrangements, a continuous bright or dark pattern can be effectively avoided, the light intensity distribution on the light emitting surface can be made uniform, and the visual recognition of the luminance unevenness can be eliminated.
（アンダーフィル材料１５）
配線基板１１の上面に実装された発光素子１２は、その周辺及び／又は発光素子１２と配線基板１１との間に、アンダーフィル材料１５が形成されていることが好ましい。アンダーフィル材料１５は、熱膨張率を発光素子に近づけることと、発光素子１２からの光が配線基板１１で散乱反射することを防止すること、発光素子１２からの光を配線基板１１とは反対側に効率的に取り出すことを目的として、フィラー、色素、光反射材等が含有されていてもよい。
アンダーフィル材料１５は、発光素子からの光による劣化が少ない材料であればよい。例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。フィラー及び色素としては、発光波長の光を吸収するものであれば光がより反射されにくくなり、光の散乱を防ぐことができる。また、光による劣化を防ぐため、光吸収材料には無機化合物を用いるのが好ましい。
(Underfill material 15)
It is preferable that the underfill material 15 be formed around the light emitting element 12 mounted on the upper surface of the wiring board 11 and / or between the light emitting element 12 and the wiring board 11. The underfill material 15 makes the coefficient of thermal expansion close to the light emitting element, prevents the light from the light emitting element 12 from being scattered and reflected by the wiring board 11, and reverses the light from the light emitting element 12 to the wiring board 11. Fillers, dyes, light reflecting materials, etc. may be contained for the purpose of efficiently taking out to the side.
The underfill material 15 may be any material that is less deteriorated by light from the light emitting element. For example, epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, urethane resin, oxetane resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, etc. can be used. As the filler and the pigment, if the light of the emission wavelength is absorbed, the light is less likely to be reflected, and the scattering of the light can be prevented. Further, in order to prevent deterioration due to light, it is preferable to use an inorganic compound as the light absorbing material.
（封止部材１６）
配線基板１１の上面に実装された発光素子１２は、封止部材１６によって封止されていることが好ましい。
封止部材１６は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はそれらを混合させた樹脂、ガラスなどの透光性材料を用いて形成することができる。なかでも、耐光性及び成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を用いることが好ましい。
(Sealing member 16)
The light emitting element 12 mounted on the upper surface of the wiring board 11 is preferably sealed by a sealing member 16.
The sealing member 16 can be formed using, for example, a translucent material such as an epoxy resin, a silicone resin, a resin in which they are mixed, and glass. Among them, it is preferable to use a silicone resin in consideration of light resistance and easiness of molding.
封止部材１６の形状は、ドーム型又は椀型等でもよいし、これらの形状において、発光素子１２の中心部分が凹んだ形状としてもよい。いわゆるバットウイング配向特性を有するレンズの形状としてもよい。また、その配線基板１１上における形状は円形であってもよいし、六角形又は八角形等であってもよい。
封止部材１６は、発光素子１２を被覆するように圧縮成型、射出成型等によって形成することができる。また、封止部材１６の材料の粘度を最適化して、発光素子１２の上に滴下又は描画するなどして、材料自体の表面張力によって、形状を制御することもできる。
The shape of the sealing member 16 may be a dome shape, a bowl shape, or the like, and in these shapes, the central portion of the light emitting element 12 may be recessed. It may be in the shape of a lens having so-called bat wing orientation characteristics. Further, the shape on the wiring board 11 may be circular or may be hexagonal or octagonal.
The sealing member 16 can be formed by compression molding, injection molding or the like so as to cover the light emitting element 12. The shape can also be controlled by the surface tension of the material itself by optimizing the viscosity of the material of the sealing member 16 and dropping or drawing the light emitting element 12 or the like.
（光拡散部材１４）
複数の発光素子１２の上方には、光拡散部材１４が配置されている。光拡散部材１４は、例えば、複数の発光素子１２群ごとに複数配置されてもよいし、発光装置を構成する全ての発光素子１２の上方に１つのみ配置されていてもよい。光拡散部材１４は、発光素子１２の上面と略平行に配置することが好ましい。このような光拡散部材により、複数の発光素子１２から出射された光を、より拡散させながら透過させ、輝度ムラを低減することができる。
特に、上述した第１側面２１ａを有するサファイア基板を備えた発光素子１２を用いた場合には、光拡散部材１４を用いると、発光素子を上方から見て相対的に明るい辺と暗い辺とのコントラストが強調される傾向があるが、この実施形態では、行列状の発光素子の配置を、隣接する発光素子において、第１側面２１ａと第２側面２１ｂとが向かい合うように配置されることにより、発光装置の光出射面における連続する明るい又は暗いパターンを均一として、効果的に回避することができる。
光拡散部材１４は、例えば、ポリカーボネイト樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料であればよい。光を拡散させる方法としては、光拡散部材１４中に屈折率の異なる材料を含有させる方法、表面の形状を加工して光を散乱させる方法等を採用することができる。
(Light diffusing member 14)
A light diffusion member 14 is disposed above the plurality of light emitting elements 12. For example, a plurality of light diffusion members 14 may be disposed for each of the plurality of light emitting elements 12, or only one light diffusing member 14 may be disposed above all the light emitting elements 12 constituting the light emitting device. The light diffusion member 14 is preferably disposed substantially parallel to the upper surface of the light emitting element 12. With such a light diffusion member, light emitted from the plurality of light emitting elements 12 can be transmitted while being diffused further, and luminance unevenness can be reduced.
In particular, in the case of using the light emitting element 12 provided with the sapphire substrate having the first side face 21a described above, when the light diffusion member 14 is used, the light emitting element can be viewed from above with a relatively bright side and a dark side. Although the contrast tends to be enhanced, in this embodiment, the matrix-like arrangement of the light emitting elements is arranged such that the first side surface 21a and the second side surface 21b face each other in the adjacent light emitting elements. A continuous bright or dark pattern on the light exit surface of the light emitting device can be effectively avoided.
The light diffusion member 14 may be made of, for example, a material such as polycarbonate resin, polystyrene resin, acrylic resin, polyethylene resin, or the like, which has little light absorption with respect to visible light. As a method of diffusing light, it is possible to employ a method of including materials having different refractive indexes in the light diffusion member 14, a method of processing the shape of the surface, and scattering the light.
この実施形態における発光装置では、発光素子１２から出射される光に対して、光拡散部材１４の前又は後に、波長変換部材が配置されていてもよい。波長変換部材は、例えば、公知の蛍光体の何れかが含有された透光性の樹脂によって形成されたものでもよいし、蛍光体が焼結されたもの等でもよい。 In the light emitting device in this embodiment, a wavelength conversion member may be disposed before or after the light diffusion member 14 with respect to the light emitted from the light emitting element 12. The wavelength conversion member may be formed of, for example, a translucent resin containing any of known phosphors, or may be a sintered phosphor.
このように、サファイア基板２１の下面２１ｃに対して傾斜した一対の第１側面２１ａと、垂直な一対の第２側面２１ｂとを有する発光素子を、光反射性を有する基板上に行列方向に配置し、反射膜１３及び光拡散部材１４とを組み合わせて用いた場合においても、一般に、強調される連続する明るい又は暗いパターンを、発光素子の行列方向の配置を変更するという簡便な方法によって、効果的に回避することができる。その結果、光出射面における光の強度分布を均一とすることができ、輝度ムラの視認をなくすことができる。 Thus, the light emitting elements having the pair of first side surfaces 21a inclined with respect to the lower surface 21c of the sapphire substrate 21 and the pair of second side surfaces 21b perpendicular to each other are arranged in the matrix direction on the light reflective substrate. Even in the case where the reflective film 13 and the light diffusion member 14 are used in combination, generally, the continuous bright or dark pattern to be emphasized is effective by a simple method of changing the arrangement of the light emitting elements in the matrix direction. Can be avoided. As a result, the intensity distribution of light on the light emitting surface can be made uniform, and visual recognition of uneven brightness can be eliminated.
本発明の発光装置は、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置、レーザディスプレイ、内視鏡、車載用ヘッドライト、バーコードスキャナ等に好適に利用することができる。 The light emitting device of the present invention includes various display devices, lighting devices, displays, back light sources of liquid crystal displays, image reading devices such as copiers and scanners, projector devices, laser displays, endoscopes, headlights for vehicles. And bar code scanner etc. can be used suitably.
１０ 発光装置
１１ 配線基板
１１ａ 配線
１１ｂ 基板
１１ｃ 被覆層
１２、１２Ｐ、１２Ｑ、１２Ｒ、１２Ｓ、１２Ｔ、１２Ｗ、１２Ｖ 発光素子
１３ 光反射膜
１４ 光拡散部材
１５ アンダーフィル材料
１６ 封止部材
２１ サファイア基板
２１ａ 第１側面
２１ｂ 第２側面
２１ｃ 下面
２２ 半導体積層体
２３、２４ 電極
Ｍ 領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light emitting device 11 Wiring substrate 11a Wiring 11b Substrate 11c Covering layer 12, 12P, 12Q, 12R, 12S, 12T, 12W, 12V Light emitting element 13 Light reflection film 14 Light diffusion member 15 Underfill material 16 Sealing member 21 Sapphire substrate 21a First side surface 21b Second side surface 21c Lower surface 22 Semiconductor stacked body 23, 24 electrode M region
Claims (7)
下面に対して傾斜した一対の第１側面と、前記下面に対して垂直な一対の第２側面とを有するサファイア基板と、前記サファイア基板の下面に設けられた半導体積層体とを有し、前記配線基板の上面に行列状に実装された複数の発光素子と、
該発光素子の上面に配置された光反射膜と、
前記複数の発光素子の上方に配置された光拡散部材とを備え、
前記複数の発光素子のうち所定の領域内に配置された複数の発光素子は、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子の前記第１側面と前記第２側面とが向かい合って配置されていることを特徴とする発光装置。 A wiring substrate having a wiring and light reflectivity,
A sapphire substrate having a pair of first side surfaces inclined with respect to the lower surface, and a pair of second side surfaces perpendicular to the lower surface, and a semiconductor laminate provided on the lower surface of the sapphire substrate, A plurality of light emitting elements mounted in a matrix on the upper surface of the wiring substrate;
A light reflecting film disposed on the top surface of the light emitting element;
A light diffusing member disposed above the plurality of light emitting elements;
Among the plurality of light emitting elements, the plurality of light emitting elements disposed in a predetermined region are the first side surface and the second side surface of the light emitting elements that are close to each other in at least one of the row direction and the column direction. A light emitting device characterized in that it is disposed facing each other.
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