JP2019102611A - Interface unit and semiconductor device - Google Patents

Interface unit and semiconductor device

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隆洋 田岡
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Abstract

To provide an interface unit which can easily mount a sensor thereon with less space.SOLUTION: An interface unit includes: a plate-like bus bar that forms a cross-sectional shape sandwiching an U-shaped portion specified by opposite first and second erected portions 37d1 and 37d2 in its center, of which each flat surface portion on both ends are used as bus bar connection parts connected to a semiconductor unit; a support part 30b that seals the inside of the first and second erected parts with a resin, has a rectangular parallelepiped portion of which two surfaces parallel to the first and second erected portions are used as side surfaces, and has a cavity part 40b for sensor provided in the resin along the first erected portion; a sensor 60 inserted into the cavity part 40b for sensor; a flexible printed board having the sensor provided on the end; a wire 60a for sensor which is provided on the flexible printed board and is connected to the sensor; and a circuit board 70 for sensor arranged on the bottom surface side of the support part 30b.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、複数の半導体モジュールが並列接続された半導体装置と外部機器とをインターフェースユニットを介して接続する技術に関する。   The present invention relates to a technique for connecting a semiconductor device in which a plurality of semiconductor modules are connected in parallel and an external device through an interface unit.

半導体装置、特に電力用半導体装置(パワー半導体装置)は、例えば汎用インバータ等の外部機器に、外部機器側に設けられたプリント板やバスバー(bus bar)等を介して、はんだ付けやねじ締め等により接続される。半導体装置と外部機器とを接続する技術として、特許文献1には、インターフェースユニットが開示されている。   Semiconductor devices, particularly power semiconductor devices (power semiconductor devices), are soldered or screwed to an external device such as a general-purpose inverter via a printed board or a bus bar provided on the external device side. Connected by As a technology for connecting a semiconductor device and an external device, Patent Document 1 discloses an interface unit.

また、半導体モジュールの主電流が流れるバスバーの電流測定に関する技術として、特許文献2には、複数のバスバーと、当該複数のバスバーに対してそれぞれ配設された複数の電流センサと、電流センサの出力を受けて対応するバスバーに流れる電流値を検知する処理部と、当該処理部と電流センサとを電気的に接続する配線が設けられたフレキシブル基板と、を備える電流検出装置が開示されている。電流センサとして、磁性体コアを有しないコアレス電流センサを用いることで、電流を高精度に測定することができる。   In addition, as a technique related to current measurement of a bus bar through which a main current of a semiconductor module flows, Patent Document 2 discloses a plurality of bus bars, a plurality of current sensors respectively provided for the plurality of bus bars, and an output of a current sensor A current detection device is disclosed that includes a processing unit that receives a current value flowing to a corresponding bus bar and a flexible substrate provided with a wire that electrically connects the processing unit and the current sensor. The current can be measured with high accuracy by using a coreless current sensor having no magnetic core as the current sensor.

さらに、特許文献3には、並列して設置された複数の電流路と、各電流路に対応して設けられ、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を有する磁気検出部とが複数の電流路の一部とともにモールドパッケージに収納された電流検出装置が開示されている。   Furthermore, Patent Document 3 includes a plurality of current paths installed in parallel, and a magnetic detection element provided corresponding to each current path and detecting the strength of the magnetic field generated by the current flowing through each current path. A current detection device is disclosed in which a magnetic detection unit and a part of a plurality of current paths are housed in a mold package.

特願2017−075243号公報Japanese Patent Application No. 2017-075243 特開2006−112968号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-1929 特開2016−99292号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-99292

しかしながら、特許文献1に開示された技術では、電流センサの搭載について考慮されていなかった。一方、特許文献2には、バスバーを流れる電流を測定する電流センサが開示されているが、半導体モジュールへの電流センサの配置や具体的な構造が考慮されていなかった。また、特許文献3に開示された技術では、半導体モジュールとモータ等の接続機器との間に電流検出装置を接続する必要があるが、主電流配線に加え、センサ用配線などの配線の引き回しが困難で、電流検出装置の配置スペースが必要となる。これにより、設置工数が増加するなどの問題があった。   However, in the technique disclosed in Patent Document 1, mounting of the current sensor has not been considered. On the other hand, although the current sensor which measures the current which flows through a bus bar is indicated by patent documents 2, arrangement of the current sensor to a semiconductor module, and the concrete structure were not considered. In addition, in the technology disclosed in Patent Document 3, it is necessary to connect a current detection device between the semiconductor module and the connecting device such as a motor, but in addition to the main current wiring, wiring of sensor wiring etc. It is difficult and requires space for the current detection device. This causes problems such as an increase in the number of installation steps.

本発明は上記課題に着目してなされたものであって、省スペースでセンサを容易に搭載可能なインターフェースユニット及びこのインターフェースユニットを用いた半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention was made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an interface unit capable of easily mounting a sensor with a small space and a semiconductor device using the interface unit.

上記課題を解決するために、本発明に係るインターフェースユニットの第1の態様は、半導体ユニットに接続されるインターフェースユニットであって、(a)対向する第1及び第2の立上部分によって規定されるU字部分を中央に挟み、該U字部分に接続された両端が同一平面上を反対方向に延在する断面形状をなし、両端の平面部分のそれぞれを、半導体ユニットに接続されるバスバー接続部とする板状のバスバーと、(b)第1及び第2の立上部分を内部に樹脂で封止し、第1及び第2の立上部分に平行な2面をそれぞれ側面とした直方体部分を有し、該直方体部分の第1の立上部分に沿って樹脂中にセンサ用空洞部を設けた支持部と、(c)センサ用空洞部に挿入されたセンサ、該センサを端部に設けたフレキシブルプリント基板、及び該フレキシブルプリント基板上にパターニングされセンサに電気的に接続されたセンサ用配線を有し、支持部の底面側に配置されるセンサ用回路基板と、を備えることを要旨とする。   In order to solve the above problems, a first aspect of an interface unit according to the present invention is an interface unit connected to a semiconductor unit, wherein (a) defined by opposing first and second rising portions The U-shaped part is held in the center, and both ends connected to the U-shaped part have a cross-sectional shape extending in the same plane in the opposite direction, and each of the planar parts of the both ends is connected to the semiconductor unit A rectangular bus-bar having a plate-like bus bar as a part, and (b) the first and second rising portions are internally sealed with a resin, and two sides parallel to the first and second rising portions are side surfaces A support portion having a portion, and a sensor cavity portion provided in a resin along the first rising portion of the rectangular parallelepiped portion; (c) a sensor inserted into the sensor cavity portion; an end portion of the sensor Flexible printed circuit board provided in Has a wiring electrically connected to a sensor is patterned sensor fine the flexible printed circuit board, and summarized in that and a circuit board for sensor disposed on the bottom side of the support portion.

本発明に係る半導体装置の第1の態様は、半導体チップを搭載し、並列された複数の半導体ユニットと、複数の半導体ユニットに接続される第1の態様に係るインターフェースユニットと、を備えることを要旨とする。   According to a first aspect of a semiconductor device of the present invention, a semiconductor chip is mounted, and a plurality of parallel semiconductor units and an interface unit according to the first aspect connected to the plurality of semiconductor units are provided. It is a summary.

本発明に係るインターフェースユニット及びこのインターフェースユニットを用いた半導体装置によれば、省スペースでセンサを容易に搭載することができる。   According to the interface unit of the present invention and the semiconductor device using the interface unit, the sensor can be easily mounted in a space-saving manner.

図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に示す斜視図(鳥瞰図)である。FIG. 1 is a perspective view (bird's-eye view) schematically showing an outline of a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing the outline of the configuration of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention. 図3は、本発明の実施の形態に係るインターフェースユニットの構成の上面の概略を模式的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing the top of the configuration of the interface unit according to the embodiment of the present invention. 図4は、本発明の実施の形態に係るインターフェースユニットの下面に配置されるフレキシブル基板の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the configuration of the flexible substrate disposed on the lower surface of the interface unit according to the embodiment of the present invention. 図5は、本発明の実施の形態に係るインターフェースユニットの下面にフレキシブル基板が配置された状態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which the flexible substrate is disposed on the lower surface of the interface unit according to the embodiment of the present invention. 図6は、図3のVI−VI線方向から見た断面図である。6 is a cross-sectional view as viewed from the direction of the line VI-VI in FIG.

以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimension, the ratio of the thickness of each device and each member, and the like are different from actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios among the drawings are included.

また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本発明の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を90度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を180度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。   Further, the directions of “left and right” and “upper and lower” in the following description are merely definitions for convenience of description, and do not limit the technical idea of the present invention. Thus, for example, if the paper is rotated 90 degrees, "left and right" and "up and down" are read interchangeably, and if the paper is rotated 180 degrees, "left" is "right" and "right" is "left". Of course it will be.

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、金属製のベースプレート100上に並設され対をなす2個で1組の半導体ユニット10及び20と、半導体ユニット10及び20の上側に跨って設けられたインターフェースユニット30と、を備える。   The semiconductor device according to the embodiment of the present invention is, as shown in FIG. 1, a pair of two semiconductor units 10 and 20 arranged in parallel on a metal base plate 100, and semiconductor units 10 and 20. And an interface unit 30 provided across the upper side of the above.

図2の分解斜視図から分かるように、図2の上側に位置するインターフェースユニット30は、図2の下側に位置する半導体ユニット10と半導体ユニット20のそれぞれ対応する端子どうしを並列接続する。図1に示す半導体装置は、インターフェースユニット30を介して、汎用インバータ等の外部機器側に設けられている機器側バスバーとのネジ(ボルト)接続が可能である。   As can be seen from the exploded perspective view of FIG. 2, the interface unit 30 located on the upper side of FIG. 2 connects the corresponding terminals of the semiconductor unit 10 located on the lower side of FIG. 2 and the semiconductor unit 20 in parallel. The semiconductor device shown in FIG. 1 is capable of screw (bolt) connection with an apparatus-side bus bar provided on the external apparatus side such as a general-purpose inverter via the interface unit 30.

一対の半導体ユニット10及び20は、いずれも直方体状であって、それぞれパワー半導体チップを搭載した半導体モジュールが封止樹脂10aにより内側に密封されている。図2に示すように、一対の半導体ユニット10及び20は、矩形の長辺を平行に隣接させ、それぞれの短辺方向に沿って並設されている。一対の半導体ユニット10及び20間では、同名の部材は同じ構造及び機能を有するため、以下、図2中で左側に示す半導体ユニット10を代表例として主に説明し、重複説明を適宜省略する。   Each of the pair of semiconductor units 10 and 20 has a rectangular parallelepiped shape, and the semiconductor modules on which the power semiconductor chips are mounted are sealed inside by the sealing resin 10 a. As shown in FIG. 2, the pair of semiconductor units 10 and 20 has the long sides of the rectangle adjacent in parallel, and are arranged in parallel along the short side direction of each. Since members of the same name have the same structure and function between the pair of semiconductor units 10 and 20, hereinafter, the semiconductor unit 10 shown on the left side in FIG. 2 will be mainly described as a representative example, and the overlapping description will be appropriately omitted.

図示を省略しているが、半導体ユニット10の封止樹脂10aの内部には、プラス極側の上アームを構成するパワー半導体チップと、マイナス極側の下アームを構成するパワー半導体チップを備える。半導体ユニット10は、所謂「2in1タイプ」である。ただし、本実施の形態の半導体ユニットは、2in1タイプの半導体ユニットに限らず、1in1タイプや6in1タイプなどであってもよい。
パワー半導体チップは、電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのトランジスタが採用される。トランジスタは、縦型構造であっても横型構造であってもよい。更に、フリーホイールダイオード(FWD)などのダイオードを備えてもよい。
以下、半導体ユニット10として、MOSFETを採用した2in1タイプの場合について説明する。
Although illustration is omitted, inside the sealing resin 10a of the semiconductor unit 10, a power semiconductor chip forming an upper arm on the positive electrode side and a power semiconductor chip forming a lower arm on the negative electrode side are provided. The semiconductor unit 10 is a so-called "2 in 1 type". However, the semiconductor unit of the present embodiment is not limited to the 2 in 1 type semiconductor unit, and may be a 1 in 1 type, a 6 in 1 type, or the like.
The power semiconductor chip employs a transistor such as a field effect transistor (MOSFET) or an insulated gate bipolar transistor (IGBT). The transistor may have a vertical structure or a horizontal structure. Furthermore, a diode such as a freewheeling diode (FWD) may be provided.
Hereinafter, the case of 2 in 1 type which employ | adopted MOSFET as the semiconductor unit 10 is demonstrated.

図2に示すように、半導体ユニット10の封止樹脂10aの上面の中央には、いずれも平面パターンで、矩形で板状のプラス極端子15c、マイナス極端子17c及び出力用端子19cが等間隔で、それぞれの長手方向が半導体ユニット10の短辺方向に沿って延びるように設けられている。   As shown in FIG. 2, at the center of the upper surface of the sealing resin 10a of the semiconductor unit 10, rectangular flat plate-like positive electrode terminals 15c, negative electrode terminals 17c and output terminals 19c are equally spaced in a plane pattern. The respective longitudinal directions are provided to extend along the short side direction of the semiconductor unit 10.

プラス極端子15c、マイナス極端子17c及び出力用端子19cは、いずれも銅(Cu)やアルミニウム(Al)等で作製され導電性を有している。プラス極端子15c、マイナス極端子17c及び出力用端子19cのそれぞれの中央には、下側の封止樹脂10aの上部に配置されている、ナットの孔とほぼ同心の貫通孔が設けられている。   The positive electrode terminal 15c, the negative electrode terminal 17c, and the output terminal 19c are all made of copper (Cu), aluminum (Al) or the like and have conductivity. At the center of each of the positive electrode terminal 15c, the negative electrode terminal 17c, and the output terminal 19c, a through hole concentric with the hole of the nut, which is disposed above the lower sealing resin 10a, is provided. .

また、プラス極端子15c、マイナス極端子17c、及び出力用端子19cは、それぞれの下面側の両端において、ドレイン接続端子15a、ソース接続端子17a及び出力側接続端子19aと接合されている。ドレイン接続端子15a、ソース接続端子17a及び出力側接続端子19aのそれぞれは、半導体ユニット10の封止樹脂10aの内部に封止されている半導体モジュールから延びる棒状の端子である。   The positive electrode terminal 15c, the negative electrode terminal 17c, and the output terminal 19c are joined to the drain connection terminal 15a, the source connection terminal 17a, and the output connection terminal 19a at both ends on the lower surface side. Each of the drain connection terminal 15a, the source connection terminal 17a, and the output side connection terminal 19a is a rod-like terminal extending from the semiconductor module sealed inside the sealing resin 10a of the semiconductor unit 10.

ドレイン接続端子15aは封止樹脂10a上のプラス極端子15cと溶接又ははんだ付け等により接合される。同様に、ソース接続端子17aは封止樹脂10a上のマイナス極端子17cと、出力側接続端子19aは封止樹脂10a上の出力用端子19cと、溶接又ははんだ付け等によりそれぞれ接合される。ドレイン接続端子15aは、半導体モジュールに搭載されている上アームのパワー半導体チップのドレイン電極に電流を供給する。ソース接続端子17aは下アームのパワー半導体チップのソース電極から電流を外部に流す。出力側接続端子19aは上アームのパワー半導体チップのソース電極と下アームのパワー半導体チップのドレイン電極と電気的に接続され、出力電流を流す。   The drain connection terminal 15a is joined to the positive electrode terminal 15c on the sealing resin 10a by welding or soldering. Similarly, the source connection terminal 17a is joined to the negative electrode terminal 17c on the sealing resin 10a, and the output side connection terminal 19a is joined to the output terminal 19c on the sealing resin 10a by welding or soldering. The drain connection terminal 15a supplies a current to the drain electrode of the power semiconductor chip of the upper arm mounted on the semiconductor module. The source connection terminal 17a allows current to flow from the source electrode of the power semiconductor chip of the lower arm to the outside. The output-side connection terminal 19a is electrically connected to the source electrode of the power semiconductor chip of the upper arm and the drain electrode of the power semiconductor chip of the lower arm to flow an output current.

半導体ユニット10の封止樹脂10aの上面上において長手方向の両端には、半導体ユニット10を他の部材や装置等に取り付けるためのネジ等が挿し込まれる取付孔が設けられている。この取付孔の周囲には、封止樹脂10aの上面上から上方に起立する側壁が設けられている。側壁は、平面パターンで壁面が取付孔を囲むようにU字型に円弧を描く袴部16及び18をなす。   On the upper surface of the sealing resin 10a of the semiconductor unit 10, at both ends in the longitudinal direction, mounting holes into which screws or the like for mounting the semiconductor unit 10 to other members or devices are inserted are provided. Around the mounting hole, there is provided a side wall which rises upward from the upper surface of the sealing resin 10a. The side walls form U-shaped ridges 16 and 18 so that the wall surfaces surround the mounting holes in a planar pattern.

袴部16の両側であって中央寄り位置には、半導体モジュールから上方に直線状に延びる上アーム用のソース信号用端子11及び下アーム用のソース信号用端子13のそれぞれの上端が示されている。上アーム用のソース信号用端子11及び下アーム用のソース信号用端子13は、袴部16を中心に一対の半導体ユニット10及び20の並設方向に沿った同一直線上に対称的に設けられている。上アーム用のソース信号用端子11及び下アーム用のソース信号用端子13はそれぞれのソース電圧を検出する。   The upper ends of the source signal terminal 11 for the upper arm and the source signal terminal 13 for the lower arm, which extend linearly from the semiconductor module, are shown on both sides of the flange portion 16 and at the center position. There is. The source signal terminal 11 for the upper arm and the terminal 13 for the source signal for the lower arm are provided symmetrically on the same straight line along the direction in which the pair of semiconductor units 10 and 20 are arranged centering on the ridge portion 16 ing. The upper arm source signal terminal 11 and the lower arm source signal terminal 13 detect respective source voltages.

また、袴部16の両側の端部寄り位置には、半導体モジュールから上方に直線状に延びる、左側のゲート信号用端子12及び右側のゲート信号用端子14のそれぞれの上端が示されている。左側のゲート信号用端子12及び右側のゲート信号用端子14は、袴部16を中心に一対の半導体ユニット10及び20の並設方向に沿った同一直線上に対称的に設けられている。左側のゲート信号用端子12及び右側のゲート信号用端子14はパワー半導体チップのON/OFFを制御する。   Further, the upper end of each of the gate signal terminal 12 on the left side and the terminal 14 for the gate signal on the right side extending linearly from the semiconductor module is shown at positions closer to the end portions on both sides of the flange portion 16. The left gate signal terminal 12 and the right gate signal terminal 14 are symmetrically provided on the same straight line along the direction in which the pair of semiconductor units 10 and 20 are arranged around the ridge portion 16. The left gate signal terminal 12 and the right gate signal terminal 14 control ON / OFF of the power semiconductor chip.

<インターフェースユニット>
図1〜図3に示すように、インターフェースユニット30は収納部30a及び直方体部分を有する支持部30bにより、平面パターンで逆T字に類似した形状である。「逆T字」は図3において収納部30aの長手方向(水平方向)の中央において、直交する方向に、支持部30bの長手方向の下端が取り付けられて構成されている。収納部30aは、図3の上面図では、直方体状の部分の下に2つの半円アーチ状の切欠き30a1,30a2が結合した2重橋のような形状をなしているが、図2の斜視図から分かるように、全体としては箱状をなしている。
<Interface unit>
As shown in FIGS. 1 to 3, the interface unit 30 has a shape similar to an inverted T-shape in a plane pattern by a storage portion 30 a and a support portion 30 b having a rectangular parallelepiped portion. The “inverted T-shaped” is configured by attaching the lower end in the longitudinal direction of the support portion 30b in the direction orthogonal to the center in the longitudinal direction (horizontal direction) of the storage portion 30a in FIG. The storage portion 30a is shaped like a double bridge in which two semicircular arch-shaped notches 30a1 and 30a2 are joined below the rectangular parallelepiped portion in the top view of FIG. As can be seen from the perspective view, it has a box-like shape as a whole.

−収納部−
収納部30aの平坦な上面上の中央には、第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34が等間隔で密集するように近接配置されている。第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34は、平面パターンで正方形の4隅に位置するように配置されている。第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34は、図2に示したように、それぞれ棒状で、収納部30aの上面に対して上側に垂直に延びている。
-Storage unit-
The first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34 are concentrated at equal intervals at the center of the flat upper surface of the housing portion 30a. It is arranged close. The first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34 are disposed so as to be positioned at four corners of a square in a plane pattern. The first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34 are bar-shaped as shown in FIG. It extends vertically upward to the

第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34は、それぞれ収納部30aの内部に差し込まれている。第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34は収納部30aのそれぞれの下端は収納部30aの内側に設けられた対応する内部配線にそれぞれ接続されている。第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34は、外部接続用制御端子を構成する。   The first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34 are respectively inserted into the housing 30a. In the first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34, the lower end of the storage portion 30a is provided inside the storage portion 30a. Connected to the internal wiring. The first source signal terminal 31, the first gate signal terminal 32, the second source signal terminal 33, and the second gate signal terminal 34 constitute an external connection control terminal.

第1ソース信号用端子31は、一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの上アーム用のソース信号用端子11と、収納部30aの内側で対応する内部配線を介して同時に接続する。第1ゲート信号用端子32は、一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの左側のゲート信号用端子12と、収納部30aの内側で対応する内部配線を介して同時に接続する。第2ソース信号用端子33は、一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの下アーム用のソース信号用端子13と、収納部30aの内側で対応する内部配線を介して同時に接続する。第2ゲート信号用端子34は、一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの右側のゲート信号用端子14と、収納部30aの内側で対応する内部配線を介して同時に接続する。   The first source signal terminal 31 is simultaneously connected to the source signal terminal 11 for the upper arm of each of the pair of semiconductor units 10 and 20 via the corresponding internal wiring inside the storage portion 30a. The first gate signal terminals 32 are simultaneously connected to the gate signal terminals 12 on the left side of each of the pair of semiconductor units 10 and 20 via the corresponding internal wiring inside the storage portion 30a. The second source signal terminal 33 is simultaneously connected to the source signal terminal 13 for the lower arm of each of the pair of semiconductor units 10 and 20 via the corresponding internal wiring inside the storage portion 30a. The second gate signal terminal 34 is simultaneously connected to the gate signal terminal 14 on the right side of each of the pair of semiconductor units 10 and 20 via the corresponding internal wiring inside the housing portion 30a.

図3に示すように、収納部30aの半円アーチ状の2つの切欠き30a1,30a2の間には、ほぼ矩形とみなせる中央の領域が設けられている。この中央の領域の上面に、第1ソース信号用端子31、第1ゲート信号用端子32、第2ソース信号用端子33及び第2ゲート信号用端子34が設けられている。収納部30aの切欠き30a1,30a2の半円アーチ状の形状は、半導体ユニット10の封止樹脂10aの袴部16の円弧に沿う。図3に示すように、半円アーチの直上部で上下方向に測った幅が最も狭くなっている。即ち、図3の水平方向に沿って端部間を見ると、切欠き30a1,30a2が設けられることにより、収納部30aの短辺方向に沿った幅が最も狭くなる領域が中央の領域を挟んで形成されている。   As shown in FIG. 3, a central region that can be regarded as substantially rectangular is provided between the two semicircular arch-shaped notches 30a1 and 30a2 of the storage portion 30a. A first source signal terminal 31, a first gate signal terminal 32, a second source signal terminal 33, and a second gate signal terminal 34 are provided on the upper surface of the central region. The semicircular arched shape of the notches 30a1 and 30a2 of the storage portion 30a is along the arc of the ridge portion 16 of the sealing resin 10a of the semiconductor unit 10. As shown in FIG. 3, the width measured in the vertical direction at the top of the semicircular arch is the narrowest. That is, when looking between the end portions along the horizontal direction in FIG. 3, by providing the notches 30a1 and 30a2, the region where the width along the short side direction of the storage portion 30a becomes the narrowest sandwiches the central region It is formed of

図2に示すように、収納部30aのそれぞれの切欠き30a1の両側には凹部が左右対称的に設けられている。同様に切欠き30a2の両側にも凹部が左右対称的に設けられている。左側の切欠き30a1の左側の凹部の内側には、第1のソース信号用内部配線91及び第1のゲート信号用内部配線92のそれぞれの端部が露出している。   As shown in FIG. 2, concave portions are provided symmetrically on both sides of each notch 30 a 1 of the storage portion 30 a. Similarly, concave portions are provided symmetrically on both sides of the notch 30a2. The respective end portions of the first source signal internal interconnection 91 and the first gate signal internal interconnection 92 are exposed inside the concave portion on the left side of the left notch 30a1.

図3から分かるように、左側の切欠き30a1の右側の凹部の内側においても、第1のソース信号用内部配線91の別の端部及び別の第1のゲート信号用内部配線92の別の端部が、同様に露出している。同様に、右側の切欠き30a2の左側の凹部の内側には、第2のソース信号用内部配線93及び第2のゲート信号用内部配線94のそれぞれの端部が露出している。またこの右側の切欠き30a2の右側の凹部の内側には、第2のソース信号用内部配線93の別の端部及び第2のゲート信号用内部配線94の別の端部がそれぞれ露出して設けられている。   As can be seen from FIG. 3, another end of the first source signal interconnection 91 and another of the first gate signal interconnection 92 are also provided inside the recess on the right side of the left notch 30a1. The ends are exposed as well. Similarly, the respective end portions of the second source signal internal wiring 93 and the second gate signal internal wiring 94 are exposed inside the recess on the left side of the right notch 30a2. Further, the other end of the second internal wiring for source signal 93 and the other end of the second internal wiring for gate signal 94 are exposed inside the recess on the right side of the notch 30a2 on the right side. It is provided.

図2から分かるように、第1のソース信号用内部配線91及び第1のゲート信号用内部配線92が設けられた凹部の下部には、高低差を有する段差が設けられている。切欠き30a1の左側の凹部に設けられた段差の下段に第1のソース信号用内部配線91の端部が配置されるとともに、段差の上段に第1のゲート信号用内部配線92の端部が配置されている。段差上のそれぞれの端部には、貫通孔(スルーホール)が設けられている。第1のソース信号用内部配線91の貫通孔には、図2の下側の半導体ユニット10から延びる上アーム用のソース信号用端子11が挿し込まれる。また、第1のゲート信号用内部配線92の貫通孔には、左側のゲート信号用端子12の上端が挿し込まれることになる。   As can be seen from FIG. 2, in the lower part of the recess provided with the first source signal internal interconnection 91 and the first gate signal internal interconnection 92, a step having a height difference is provided. The end portion of the first source signal internal wiring 91 is disposed below the step provided in the recess on the left side of the notch 30a1, and the end portion of the first gate signal internal wiring 92 is disposed above the step. It is arranged. A through hole (through hole) is provided at each end of the step. An upper arm source signal terminal 11 extending from the lower semiconductor unit 10 in FIG. 2 is inserted into the through hole of the first source signal internal wiring 91. Further, the upper end of the left gate signal terminal 12 is inserted into the through hole of the first gate signal internal wiring 92.

図示を省略しているが、収納部30aの内側には、それぞれの端部に接続される第1のソース信号用内部配線91、第1のゲート信号用内部配線92、第2のソース信号用内部配線93及び第2のゲート信号用内部配線94が配置される。   Although not shown, the first source signal internal wiring 91, the first gate signal internal wiring 92, and the second source signal are connected to the inside of the housing portion 30a at each end. An internal wiring 93 and a second internal wiring for gate signal 94 are arranged.

収納部30aの内側で、第1のソース信号用内部配線91、第1のゲート信号用内部配線92、第2のソース信号用内部配線93及び第2のゲート信号用内部配線94は、それぞれ互いに上下に離間して積段されている。半導体ユニット10の上アーム用のソース信号用端子11、左側のゲート信号用端子12、下アーム用のソース信号用端子13及び右側のゲート信号用端子14は、いずれもCu等の金属を用いた導電性材料で作製できる。   The first source signal internal wiring 91, the first gate signal internal wiring 92, the second source signal internal wiring 93, and the second gate signal internal wiring 94 are mutually connected inside the storage portion 30a. They are stacked vertically separated. The source signal terminal 11 for the upper arm of the semiconductor unit 10, the terminal 12 for the gate signal on the left side, the terminal 13 for the source signal for the lower arm, and the terminal 14 for the gate signal on the right all use metal such as Cu. It can be made of a conductive material.

第1のソース信号用内部配線91、第1のゲート信号用内部配線92、第2のゲート信号用内部配線94及び第2のソース信号用内部配線93は、この順で、収納部30aの内側で下から上に向かって配置されている。第1のソース信号用内部配線91、第1のゲート信号用内部配線92、第2のソース信号用内部配線93及び第2のゲート信号用内部配線94のそれぞれの間には絶縁性の樹脂等が充填されている。   The first source signal internal interconnection 91, the first gate signal internal interconnection 92, the second gate signal internal interconnection 94, and the second source signal internal interconnection 93 are arranged in this order on the inner side of the housing portion 30a. Are arranged from the bottom to the top. An insulating resin or the like is provided between each of the first source signal internal interconnection 91, the first gate signal internal interconnection 92, the second source signal internal interconnection 93, and the second gate signal internal interconnection 94. Is filled.

収納部30aの下部には、下側から延びる上アーム用のソース信号用端子11、左側のゲート信号用端子12、下アーム用のソース信号用端子13及び右側のゲート信号用端子14のそれぞれの位置に対応して貫通孔が設けられている。図5に示す貫通孔91h及び92hは、それぞれ、第1のソース信号用内部配線91及び第1のゲート信号用内部配線92の端部にそれぞれ設けられている貫通孔と上下で同心位置に設けられている。図5に示す貫通孔93h及び94hは、それぞれ、第2のソース信号用内部配線93及び第2のゲート信号用内部配線94の端部にそれぞれ設けられている貫通孔と上下で同心位置に設けられている。   In the lower part of the housing portion 30a, the source signal terminal 11 for the upper arm, the terminal 12 for the gate signal on the left side, the terminal 13 for the source signal for the lower arm, and the terminal 14 for the gate signal on the right Through holes are provided corresponding to the positions. Through holes 91 h and 92 h shown in FIG. 5 are provided concentrically with the through holes respectively provided at the end portions of first source signal internal interconnection 91 and first gate signal internal interconnection 92. It is done. Through holes 93 h and 94 h shown in FIG. 5 are provided concentrically with the through holes respectively provided at the end portions of second source signal internal wiring 93 and second gate signal internal wiring 94, respectively. It is done.

左右一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの上アーム用のソース信号用端子11及び21は、収納部30aの第1のソース信号用内部配線91の左側枝部及び右側枝部によってまとめて連結される。また、上アーム用のソース信号用端子11及び21は、第1のソース信号用内部配線91の中央枝部を介して収納部30aの外側で上方に延びる第1ソース信号用端子31と電気的に接続される。   The source signal terminals 11 and 21 for the upper arms of the pair of left and right semiconductor units 10 and 20 are collectively connected by the left branch portion and the right branch portion of the first source signal internal wiring 91 of the storage portion 30a. Ru. In addition, the source signal terminals 11 and 21 for the upper arm are electrically connected to the first source signal terminal 31 extending upward outside the storage portion 30 a via the central branch portion of the first source signal internal wiring 91. Connected to

また、左右一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの左側のゲート信号用端子12及び22は、収納部30aの第1のゲート信号用内部配線92の左側枝部及び右側枝部によってまとめて連結される。また、左側のゲート信号用端子12及び22は、第1のゲート信号用内部配線92の中央枝部を介して収納部30aの外側で上方に延びる第1ゲート信号用端子32と電気的に接続される。   The left side gate signal terminals 12 and 22 of the pair of left and right semiconductor units 10 and 20 are collectively connected by the left side branch portion and the right side branch portion of the first gate signal internal wiring 92 of the storage portion 30a. Ru. Further, the left gate signal terminals 12 and 22 are electrically connected to the first gate signal terminal 32 extending upward outside the housing portion 30a via the central branch portion of the first gate signal internal wiring 92. Be done.

また、左右一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの下アーム用のソース信号用端子13及び23は、収納部30aの第2のソース信号用内部配線93の左側枝部及び右側枝部によってまとめて連結される。また、下アーム用のソース信号用端子13及び23は、第2のソース信号用内部配線93の中央枝部を介して収納部30aの外側で上方に延びる第2ソース信号用端子33と電気的に接続される。   In addition, the source signal terminals 13 and 23 for the lower arms of the pair of left and right semiconductor units 10 and 20 are grouped together by the left branch portion and the right branch portion of the second source signal internal wiring 93 of the storage portion 30a. It is connected. In addition, the source signal terminals 13 and 23 for the lower arm are electrically connected to the second source signal terminal 33 extending upward outside the housing portion 30a via the central branch portion of the second source signal internal wiring 93. Connected to

また、左右一対の半導体ユニット10及び20のそれぞれの右側のゲート信号用端子14及び24は、収納部30aの第2のゲート信号用内部配線94の左側枝部及び右側枝部によってまとめて連結される。また、右側のゲート信号用端子14及び24は、第2のゲート信号用内部配線94の中央枝部を介して収納部30aの外側で上方に延びる第2ゲート信号用端子34と電気的に接続される。   The right side gate signal terminals 14 and 24 of the pair of left and right semiconductor units 10 and 20 are collectively connected by the left side branch portion and the right side branch portion of the second gate signal internal wiring 94 of the storage portion 30a. Ru. The right side gate signal terminals 14 and 24 are electrically connected to the second gate signal terminal 34 extending upward outside the housing portion 30 a through the central branch portion of the second gate signal internal wiring 94. Be done.

−支持部−
図1〜図3に示したように、インターフェースユニット30の支持部30bには、いずれもCu等の導電性の板状部材で作製されたプラス極バスバー35、マイナス極バスバー37及び出力用バスバー39が設けられている。プラス極バスバー35、マイナス極バスバー37及び出力用バスバー39は、図6の断面図に示すように、4箇所の直角に曲がる屈曲部4a、4b、4c及び4dのそれぞれを介して曲がった左右対称な直角オーム(Ω)型である。Ω型は水平な第1領域と垂直な第2領域の間に屈曲部4a、第2領域と水平な第3領域の間に屈曲部4b、第3領域と垂直な第4領域の間に屈曲部4c第4領域と水平な第5領域の間に屈曲部4dを介して構成される。直角からなるΩ型の両端に位置する第1領域と第5領域が同一平面内を反対方向に延びている。図6に示すように、第1の立上部分となる第2領域、第1の立上部分に対向する第2の立上部分となる第4領域が第3領域を挟んで逆U字型(U字部分)を構成している。第2領域〜第4領域で構成するU字部分を中央に挟み、両端に位置する第1領域と第5領域が同一平面内を反対方向に延在し、4つの直角部で規定されたΩ型の断面形状になっている。なお、図6には、一例として、マイナス極バスバー37の断面図を示しているが、プラス極バスバー35及び出力用バスバー39についても、マイナス極バスバー37と同様の断面形状を有する。なお、屈曲部4a、4b、4c及び4dが4箇所の直角に曲がった左右対称な直角Ω型として説明しているが、断面形状は限定されない。例えば、第2領域及び第4領域は、水平な第1領域及び第5領域に対して鋭角又は鈍角で立ち上がっていてもよく、左右対称でなくてもよい。また、第2領域及び第4領域の一部又は全部が曲面で構成されてもよい。即ち、第1領域及び第5領域がほぼ同一平面上にあり、第1領域及び第5領域に対して、第3領域がほぼ水平で、上方の異なる面に位置していればよい。
-Support part-
As shown in FIGS. 1 to 3, in the support portion 30 b of the interface unit 30, the positive electrode bus bar 35, the negative electrode bus bar 37, and the output bus bar 39 each made of a conductive plate member such as Cu. Is provided. As shown in the cross-sectional view of FIG. 6, the plus pole bus bar 35, the minus pole bus bar 37, and the output bus bar 39 are laterally symmetrical bent through four bending portions 4a, 4b, 4c and 4d bent at right angles. Right angle ohm (Ω) type. The Ω type is bent between the horizontal first region and the vertical second region, between the second region and the horizontal third region, the bending portion 4b, and between the third region and the vertical fourth region. It is comprised via the bending part 4d between the part 4c 4th area | region and the horizontal 5th area | region. The first area and the fifth area located at both ends of the right angle Ω-shape extend in the same plane in opposite directions. As shown in FIG. 6, the second region serving as the first rising portion and the fourth region serving as the second rising portion opposite to the first rising portion are inverted U-shaped with the third region interposed therebetween. (U-shaped part) is composed. A U-shaped portion composed of the second to fourth regions is held at the center, and the first and fifth regions located at both ends extend in the same plane in the opposite direction, and the Ω defined by the four right angles It has a cross-sectional shape of the mold. Although FIG. 6 shows a cross-sectional view of negative pole bus bar 37 as an example, positive pole bus bar 35 and output bus bar 39 also have the same cross-sectional shape as negative pole bus bar 37. In addition, although the bending parts 4a, 4b, 4c, and 4d are demonstrated as a right-angled symmetrical right angle omega type which bent at four right angles, cross-sectional shape is not limited. For example, the second area and the fourth area may rise at an acute angle or an obtuse angle with respect to the horizontal first area and the fifth area, and may not be symmetrical. In addition, part or all of the second area and the fourth area may be formed of a curved surface. That is, the first area and the fifth area may be substantially on the same plane, and the third area may be substantially horizontal to the first area and the fifth area, and may be located on different upper surfaces.

Ω型の左端において主面が支持部30bから水平に延びる第1領域は、半導体モジュール10に設けられているマイナス極端子17cと固定され電気的に接合されるマイナス極バスバー接続部37aである。Ω型の右端において主面が支持部30bから水平に延びる第5領域は、半導体モジュール20に設けられているマイナス極端子17cと固定され電気的に接合されるマイナス極バスバー接続部37bである。また、マイナス極バスバー37のΩ型の天井部となる第3領域は、外部機器の機器側バスバーとネジ等により固定されることで電気的に接続されるマイナス極外部接続部37cである。   A first region in which the main surface extends horizontally from the support portion 30b at the left end of the Ω type is a negative electrode bus bar connection portion 37a fixed and electrically joined to the negative electrode terminal 17c provided in the semiconductor module 10. A fifth region in which the main surface extends horizontally from the support portion 30b at the right end of the Ω shape is a negative electrode bus bar connection portion 37b fixed and electrically joined to the negative electrode terminal 17c provided in the semiconductor module 20. Further, a third region which is an Ω-type ceiling portion of the negative pole bus bar 37 is a negative pole external connection portion 37 c electrically connected by being fixed to the device side bus bar of the external device by a screw or the like.

マイナス極外部接続部37cは支持部30bの上面上に露出し、主面の中央には外部機器との接続用の貫通孔を有する。また、左右のマイナス極バスバー接続部37a及び37bは、支持部30bの外側面から外側に水平に延び、主面の中央には半導体ユニット10との接続用の貫通孔が設けられている。   The negative pole external connection portion 37c is exposed on the upper surface of the support portion 30b, and has a through hole for connection to an external device at the center of the main surface. The left and right negative pole bus bar connecting portions 37a and 37b extend horizontally outward from the outer surface of the support portion 30b, and a through hole for connection with the semiconductor unit 10 is provided at the center of the main surface.

図6に示すように、マイナス極バスバー接続部37a(第1領域)とマイナス極外部接続部37cとの間には、支持部30bの直方体部分の側面と平行に第1の立上部分である側壁領域37d1(第2領域)が設けられている。側壁領域37d1は、支持部30bの本体の樹脂30dの中に樹脂封止されて一体的に固定されている。マイナス極バスバー接続部37aと側壁領域37d1との境界は、屈曲部4aにおいてマイナス極バスバー接続部37aの主面に対して約90度屈曲している。マイナス極外部接続部37c(第3領域)と側壁領域37d1との境界は、屈曲部4bにおいて側壁領域37d1の主面に対して約90度、屈曲部4aとは反対側に屈曲している。側壁領域37d1は、支持部30bの本体の樹脂30dの中に樹脂封止されて一体的に固定されている。   As shown in FIG. 6, between the negative pole bus bar connecting portion 37a (first region) and the negative pole external connecting portion 37c, the first rising portion is parallel to the side surface of the rectangular parallelepiped portion of the support portion 30b. A sidewall region 37d1 (second region) is provided. The sidewall region 37d1 is resin-sealed in the resin 30d of the main body of the support portion 30b and integrally fixed. The boundary between the negative pole bus bar connecting portion 37a and the side wall region 37d1 is bent about 90 degrees with respect to the main surface of the negative pole bus bar connecting portion 37a in the bending portion 4a. The boundary between the negative pole external connection portion 37c (third region) and the sidewall region 37d1 is bent at about 90 degrees with respect to the main surface of the sidewall region 37d1 in the bent portion 4b, on the opposite side to the bent portion 4a. The sidewall region 37d1 is resin-sealed in the resin 30d of the main body of the support portion 30b and integrally fixed.

マイナス極バスバー接続部37bとマイナス極外部接続部37cとの間には、支持部30bの直方体部分の側面と平行に、第2の立上部分である側壁領域37d2(第4領域)が設けられている。側壁領域37d2も、支持部30bの本体の樹脂30dの中に樹脂封止されて一体的に固定されている。マイナス極バスバー接続部37b(第5領域)と側壁領域37d2との境界は、屈曲部4dにおいてマイナス極バスバー接続部37bの主面に対して約90度屈曲している。マイナス極外部接続部37cと側壁領域37d2との境界は、屈曲部4cにおいて側壁領域37d2の主面に対して約90度、屈曲部4dとは反対側に屈曲している。   A side wall region 37d2 (fourth region) which is a second rising portion is provided between the negative pole bus bar connection portion 37b and the negative pole external connection portion 37c in parallel with the side surface of the rectangular parallelepiped portion of the support portion 30b. ing. The side wall region 37d2 is also resin-sealed in the resin 30d of the main body of the support portion 30b and integrally fixed. The boundary between the negative pole bus bar connection portion 37b (fifth region) and the side wall region 37d2 is bent about 90 degrees with respect to the main surface of the negative pole bus bar connection portion 37b in the bending portion 4d. The boundary between the negative pole external connection portion 37c and the side wall region 37d2 is bent to the opposite side of the bent portion 4d by about 90 degrees with respect to the main surface of the side wall region 37d2 in the bent portion 4c.

同様に、プラス極バスバー35の両端にはプラス極バスバー接続部35a及び35bが設けられ、中央にはプラス極外部接続部35cが設けられ、プラス極バスバー接続部35aとプラス極外部接続部35cの間、及びプラス極バスバー接続部35bとプラス極外部接続部35cの間には、それぞれ支持部30bの直方体部分の側面と平行に側壁領域が設けられている。また、出力用バスバー39の両端には出力用バスバー接続部39a及び39bが設けられ、中央には出力用外部接続部39cが設けられ、出力用バスバー接続部39aと出力用外部接続部39cとの間、及び出力用バスバー接続部39bと出力用外部接続部39cとの間には、それぞれ支持部30bの直方体部分の側面と平行に側壁領域が設けられている。プラス極バスバー35及び出力用バスバー39のそれぞれの構造は、マイナス極バスバー37と等価であるため、重複説明を省略する。   Similarly, plus pole bus bar connecting parts 35a and 35b are provided at both ends of plus pole bus bar 35, plus pole external connecting part 35c is provided at the center, plus pole bus bar connecting part 35a and plus pole external connecting part 35c. Side wall regions are provided between and between the plus pole bus bar connecting portion 35b and the plus pole external connecting portion 35c in parallel with the side surface of the rectangular parallelepiped portion of the support portion 30b. Further, output busbar connection portions 39a and 39b are provided at both ends of the output busbar 39, an output external connection portion 39c is provided at the center, and the output busbar connection portion 39a and the output external connection portion 39c are provided. Between and between the output bus bar connection portion 39b and the output external connection portion 39c, side wall regions are provided in parallel with the side surfaces of the rectangular parallelepiped portion of the support portion 30b. The respective structures of the positive electrode bus bar 35 and the output bus bar 39 are equivalent to those of the negative electrode bus bar 37, and therefore redundant description will be omitted.

図6に示すように、マイナス極バスバー37の屈曲部4aの近傍に、第1の立上部分である側壁領域37d1(第2領域)の少なくとも一部に沿って支持部30b下面側の樹脂30d中に開口端を露出するセンサ用空洞部40bを有する。同様に、図5に示すように、支持部30b下面側から見て、出力用バスバー39の屈曲部4aの近傍に、立上部分である側壁領域の少なくとも一部に沿って、センサ用空洞部40aの開口端を有する。更に支持部30b下面側から見て、プラス極バスバー35の屈曲部4aの近傍に、側壁領域の少なくとも一部に沿って、センサ用空洞部40cの開口端を有する。なお、図示はしないが、各バスバーの左右の側壁領域間における支持部30bの本体には、ナットを収納するナットグローブの空間が設けられている。   As shown in FIG. 6, resin 30 d on the lower surface side of support portion 30 b along at least a part of sidewall region 37 d 1 (second region) which is a first rising portion in the vicinity of bent portion 4 a of negative pole bus bar 37. It has a sensor cavity 40b that exposes the open end inside. Similarly, as shown in FIG. 5, the hollow portion for sensor along at least a part of the side wall region which is a rising portion in the vicinity of the bent portion 4a of the output bus bar 39 when viewed from the lower surface side of the support portion 30b. It has an open end of 40a. Furthermore, when viewed from the lower surface side of the support portion 30b, the open end of the sensor hollow portion 40c is provided along at least a part of the side wall region in the vicinity of the bent portion 4a of the positive electrode bus bar 35. Although not shown, a space of a nut glove for accommodating a nut is provided in the main body of the support portion 30b between the left and right side wall regions of each bus bar.

支持部30bの下面に設けられた回路基板収納部50には、図5に示すように、センサ用回路基板70が配置される。センサ用回路基板70は、図4に示すように、帯状をなし、その一端に電流センサ60を搭載し、他端には複数の接続端子を有する外部接続部71を搭載している。また、電流センサ60と外部接続部71とを電気的に接続する複数のセンサ用配線60aがセンサ用回路基板70の長手方向に沿って形成されている。センサ用配線60aは、支持部30bの直方体部分の長手方向に沿ったパターンを主要部とする。センサ用回路基板70は、ポリイミド等の可撓性を有する絶縁材料からなるフレキシブルプリント基板に銅等の金属箔によってセンサ用配線60aが形成された構造となっており、例えば50μm〜60μmの厚さを有する。   As shown in FIG. 5, the sensor circuit board 70 is disposed in the circuit board storage portion 50 provided on the lower surface of the support portion 30 b. As shown in FIG. 4, the sensor circuit board 70 is in the shape of a band, the current sensor 60 is mounted at one end thereof, and the external connection portion 71 having a plurality of connection terminals is mounted at the other end. In addition, a plurality of sensor wires 60 a that electrically connect the current sensor 60 and the external connection portion 71 are formed along the longitudinal direction of the sensor circuit board 70. The sensor wiring 60a mainly includes a pattern along the longitudinal direction of the rectangular parallelepiped portion of the support portion 30b. The sensor circuit board 70 has a structure in which the sensor wiring 60a is formed of metal foil such as copper on a flexible printed board made of flexible insulating material such as polyimide, and has a thickness of, for example, 50 μm to 60 μm. Have.

センサ用空洞部40a、40b及び40cのそれぞれにはセンサ用回路基板70の電流センサ60が収容可能である。例えば、センサ用空洞部40b内に電流センサ60が差し込まれ、折り曲げ部61で折り曲げられる。折り曲げ部61での折り曲げによってセンサ用回路基板70を構成しているフレキシブルプリント基板の復元力(弾性力)が側壁領域37d1に対して作用する。これにより、図6に示すように、電流センサ60が側壁領域37d1に押し付けられ、固定される。側壁領域37d1に押圧して固定された電流センサ60により、マイナス極バスバー37に流れる電流が測定される。なお、折り曲げ部61の近傍にバネやゴム等の弾性体を設け、復元力を補強するようにしてもよい。   The current sensor 60 of the sensor circuit board 70 can be accommodated in each of the sensor cavity portions 40a, 40b and 40c. For example, the current sensor 60 is inserted into the sensor cavity 40 b and bent at the bending portion 61. By the bending at the bending portion 61, the restoring force (elastic force) of the flexible printed circuit constituting the sensor circuit board 70 acts on the side wall region 37d1. As a result, as shown in FIG. 6, the current sensor 60 is pressed against and fixed to the side wall region 37d1. The current flowing in the negative pole bus bar 37 is measured by the current sensor 60 pressed and fixed to the sidewall region 37d1. An elastic body such as a spring or rubber may be provided in the vicinity of the bent portion 61 to reinforce the restoring force.

なお、図5及び図6では、マイナス極バスバー37に対応するセンサ用空洞部40bに電流センサ60が配置された例を示しているが、センサ用空洞部40a又は40cに電流センサを配置するようなフレキシブルプリント基板を採用してもよい。また図6では、電流センサ60がマイナス極バスバー37の側壁領域37d1に接触して固定された状態が例示されているが、測定対象のバスバーに対して電流センサによる所望の測定が可能である限り、電流センサの配置状態はこれに限定されない。例えば電流センサ60及び側壁領域37d1間に僅かな隙間が開けられ、この隙間を介して電流センサ60が側壁領域37d1に近接配置されてもよい。或いは側壁領域37d1の表面に、封止樹脂等が設けられ、この封止樹脂の表面に電流センサ60が接触して配置されてもよい。   5 and 6 show an example in which the current sensor 60 is disposed in the sensor cavity 40b corresponding to the negative pole bus bar 37, but it is preferable to dispose the current sensor in the sensor cavity 40a or 40c. Flexible printed circuit board may be adopted. Further, FIG. 6 exemplifies a state in which the current sensor 60 is fixed in contact with the sidewall region 37d1 of the negative pole bus bar 37, as long as desired measurement by the current sensor is possible for the bus bar to be measured. The arrangement state of the current sensor is not limited to this. For example, a slight gap may be opened between current sensor 60 and sidewall region 37d1, and current sensor 60 may be disposed close to sidewall region 37d1 via the gap. Alternatively, a sealing resin or the like may be provided on the surface of sidewall region 37d1, and current sensor 60 may be disposed in contact with the surface of the sealing resin.

電流センサとしては、異方性磁気抵抗(AMR)素子、巨大磁気抵抗(GMR)素子、又はトンネル磁気抵抗(TMR)素子等の高感度の磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗センサが採用される。   As the current sensor, a magnetoresistive sensor using a high sensitivity magnetoresistive element such as an anisotropic magnetoresistive (AMR) element, a giant magnetoresistive (GMR) element, or a tunnel magnetoresistive (TMR) element is employed.

図6に示すように、底面カバー30cが支持部30bの下面側に嵌め込まれることにより、センサ用空洞部40a、40b及び40c、並びにセンサ用回路基板70が被覆される。被覆手段としては、ノイズ除去フィルムを用いたり、又は樹脂封止手段を採用したりしてもよい。   As shown in FIG. 6, the bottom cover 30c is fitted on the lower surface side of the support portion 30b, whereby the sensor cavity portions 40a, 40b and 40c, and the sensor circuit board 70 are covered. As a covering means, a noise removing film may be used, or a resin sealing means may be employed.

本実施の形態のインターフェースユニット30には電流センサ60を配置可能なセンサ用空洞部40a、40b及び40cを設けているので、使用目的に応じて電流センサ60の搭載の有無を選択することができる。支持部30bの下面に挿入するセンサ用回路基板70のパターンを仕様に応じて設計することにより、使用目的に応じて電流センサ60を搭載するセンサ用空洞部40a、40b及び40cの位置を選択することができる。電流センサ60が不要な場合、電流センサ60をインターフェースユニット30に搭載せずに、支持部30bの下面を底面カバー30cで被覆すればよい。   Since sensor cavity portions 40a, 40b and 40c in which current sensor 60 can be arranged are provided in interface unit 30 of the present embodiment, whether or not current sensor 60 can be mounted can be selected according to the purpose of use. . By designing the pattern of the sensor circuit board 70 inserted into the lower surface of the support portion 30b according to the specification, the positions of the sensor cavity portions 40a, 40b and 40c on which the current sensor 60 is mounted are selected according to the purpose of use. be able to. When the current sensor 60 is not necessary, the lower surface of the support portion 30b may be covered with the bottom cover 30c without mounting the current sensor 60 on the interface unit 30.

また、電流センサ60の搭載により、短絡保護機能及び過電流保護機能を有する半導体装置を実現できる。例えば、半導体装置の異常電流検出を安定的に行うことができ、過電流等の誤動作時に瞬時に半導体装置をソフトシャットダウンすることができる。   Further, by mounting the current sensor 60, a semiconductor device having a short circuit protection function and an overcurrent protection function can be realized. For example, the abnormal current detection of the semiconductor device can be stably performed, and the soft shutdown of the semiconductor device can be instantaneously at the time of a malfunction such as an overcurrent.

さらに、電流センサ60及びそのセンサ用配線60aを搭載したセンサ用回路基板70をインターフェースユニット30内に収納することができるため、インターフェースユニット30を大きくする必要がなく、小型化された半導体装置を実現することができる。   Furthermore, since the sensor circuit board 70 on which the current sensor 60 and the sensor wiring 60a are mounted can be housed in the interface unit 30, there is no need to enlarge the interface unit 30, and a miniaturized semiconductor device is realized. can do.

また、センサ用空洞部40a、40b及び40cを出力用バスバー39、マイナス極バスバー37、及びプラス極バスバー35のそれぞれの屈曲部4aの近傍に設けて、各バスバーに流れる電流を高感度に電流センサ60で検知することができる。   In addition, sensor hollow portions 40a, 40b and 40c are provided in the vicinity of the bent portions 4a of the output bus bar 39, the negative pole bus bar 37, and the positive pole bus bar 35 to make the current flowing through each bus sensitive. 60 can be detected.

さらに、電流センサ60のセンサ用配線60aを搭載したセンサ用回路基板70は、支持部30bの下面の回路基板収納部50に配置されるため、インターフェースユニット30を大きくすることなく、センサ用配線60aを搭載したセンサ用回路基板70を配置する空間を確保することができる。また、支持部30bの上面にある主電流配線と下面に形成されたセンサ用配線60aとの間で一定の距離を確保することができ、出力用バスバー39、マイナス極バスバー37、及びプラス極バスバー35からの電磁ノイズを受ける可能性が低くなる。さらに外部機器の主電流配線からも遠ざけることもできるため、外部機器からの電磁ノイズを受ける可能性が低くなる。また、電流センサ60及びセンサ用配線60aは、底面カバー30cやノイズ除去フィルム等の被覆手段により被覆されるため、電磁ノイズが比較的大きい環境下においても誤動作をすることがなくなる。   Furthermore, since the sensor circuit board 70 on which the sensor wire 60a of the current sensor 60 is mounted is disposed in the circuit board storage portion 50 on the lower surface of the support portion 30b, the sensor wire 60a is not enlarged. A space for disposing the sensor circuit board 70 mounted thereon can be secured. In addition, a constant distance can be secured between the main current wire on the upper surface of the support portion 30b and the sensor wire 60a formed on the lower surface, and the output bus bar 39, the negative electrode bus bar 37, and the positive electrode bus bar It is less likely to receive electromagnetic noise from 35. Furthermore, since it is possible to keep away from the main current wiring of the external device, the possibility of receiving electromagnetic noise from the external device is reduced. Further, since the current sensor 60 and the sensor wiring 60a are covered by the bottom cover 30c and the covering means such as the noise removing film, malfunction does not occur even in an environment where the electromagnetic noise is relatively large.

また、センサ用回路基板70は、支持部30bの下面の長手方向に沿って、外部接続用制御端子31、32、33、34が設けられた側に外部接続部71が配置されるように形成される。これにより、センサ用回路基板70のセンサ用配線60aが出力用バスバー39の主電流配線を不必要に横切ることがない。このような構成により、出力用バスバー39を流れるスイッチング電流によるノイズを受けないため、電流センサの誤動作が引き起こされる可能性が低くなる。なお、マイナス極バスバー37及びプラス極バスバー35には直流電流が流れるので、センサ用配線60aが横切っても問題はない。   Further, the sensor circuit board 70 is formed such that the external connection portion 71 is disposed on the side on which the external connection control terminals 31, 32, 33, 34 are provided along the longitudinal direction of the lower surface of the support portion 30b. Be done. Thus, the sensor wiring 60 a of the sensor circuit board 70 does not unnecessarily cross the main current wiring of the output bus bar 39. With such a configuration, since the noise due to the switching current flowing through the output bus bar 39 is not received, the possibility of causing the malfunction of the current sensor is reduced. Since direct current flows through the negative pole bus bar 37 and the positive pole bus bar 35, there is no problem even if the sensor wiring 60a crosses.

さらに、電流センサとして、AMR素子、GMR素子、又はTMR素子等の高感度の磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗センサを採用することで、磁束を集束して感度を高めるための大きな磁気コアを設けることなくインターフェースユニット30内に収納することができる。   Furthermore, by adopting a magnetoresistive sensor using a high sensitivity magnetoresistive element such as an AMR element, a GMR element, or a TMR element as a current sensor, a large magnetic core is provided to focus the magnetic flux and enhance the sensitivity. It can be stored in the interface unit 30 without.

以上のとおり本発明は、上記に記載していない様々な実施の形態等を含むとともに、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention includes various embodiments and the like which are not described above, and the technical scope of the present invention is defined only by the invention specific matters according to the scope of claims appropriate from the above description. It is a thing.

4a,4b,4c,4d 屈曲部
10 半導体ユニット
10a 封止樹脂
11 上アーム用のソース信号用端子
12 左側のゲート信号用端子
13 下アーム用のソース信号用端子
14 右側のゲート信号用端子
15a ドレイン接続端子
15c プラス極端子
16 袴部
18 袴部
17a ソース接続端子
17c マイナス極端子
19a 出力側接続端子
19c 出力用端子
20 半導体ユニット
21 上アーム用のソース信号用端子
22 左側のゲート信号用端子
23 下アーム用のソース信号用端子
24 右側のゲート信号用端子
30 インターフェースユニット
30a 収納部
30b 支持部
30c 底面カバー
30d 樹脂
31 第1ソース信号用端子
32 第1ゲート信号用端子
33 第2ソース信号用端子
34 第2ゲート信号用端子
35 プラス極バスバー
35a,35b プラス極バスバー接続部
35c プラス極外部接続部
37 マイナス極バスバー
37a,37b マイナス極バスバー接続部
37c マイナス極外部接続部
37d1,37d2 側壁領域
39 出力用バスバー
39a,39b 出力用バスバー接続部
39c 出力用外部接続部
40a,40b,40c センサ用空洞部
50 回路基板収納部
60 電流センサ
60a センサ用配線
61 折り曲げ部
70 センサ用回路基板
71 外部接続部
91 第1のソース信号用内部配線
92 第1のゲート信号用内部配線
93 第2のソース信号用内部配線
94 第2のゲート信号用内部配線
91h,92h,93h,94h 貫通孔
100 ベースプレート
4a, 4b, 4c, 4d bent portion 10 semiconductor unit 10a sealing resin 11 source signal terminal 12 for upper arm terminal for left gate signal 13 terminal for lower arm source signal terminal 14 right gate signal terminal 15a drain Connection terminal 15c Plus pole terminal 16 collar portion 18 Rod portion 17a Source connection terminal 17c Minus pole terminal 19a Output side connection terminal 19c Output terminal 20 Semiconductor unit 21 Source signal terminal for upper arm 22 Bottom gate signal terminal 23 Source signal terminal for arm 24 Gate signal terminal 30 on the right Interface unit 30a Housing 30b Support 30c Bottom cover 30d Resin 31 First source signal terminal 32 First gate signal terminal 33 Second source signal terminal 34 Second gate signal terminal 35 plus pole bus bar 35a, 35b Positive pole bus bar connecting portion 35c Positive pole external connecting portion 37 Negative pole bus bar 37a, 37b Negative pole bus bar connecting portion 37c Negative pole external connecting portion 37d1, 37d2 Side wall region 39 Output bus bar 39a, 39b Output bus bar connecting portion 39c Output external Connection part 40a, 40b, 40c Sensor cavity 50 Circuit board storage part 60 Current sensor 60a Sensor wiring 61 Bent part 70 Sensor circuit board 71 External connection part 91 1st source signal internal wiring 92 1st gate signal For internal wiring 93 second internal wiring for source signal 94 internal wiring for second gate signal 91 h, 92 h, 93 h, 94 h through hole 100 base plate

Claims (9)

半導体ユニットに接続されるインターフェースユニットであって、
対向する第1及び第2の立上部分によって規定されるU字部分を中央に挟み、該U字部分に接続された両端が同一平面上を反対方向に延在する断面形状をなし、前記両端の平面部分のそれぞれを、前記半導体ユニットに接続されるバスバー接続部とする板状のバスバーと、
前記第1及び第2の立上部分を内部に樹脂で封止し、前記第1及び第2の立上部分に平行な2面をそれぞれ側面とした直方体部分を有し、該直方体部分の前記第1の立上部分に沿って前記樹脂中にセンサ用空洞部を設けた支持部と、
前記センサ用空洞部に挿入されたセンサ、該センサを端部に設けたフレキシブルプリント基板、及び該フレキシブルプリント基板上にパターニングされ前記センサに電気的に接続されたセンサ用配線を有し、前記支持部の底面側に配置されるセンサ用回路基板と、
を備えることを特徴とするインターフェースユニット。
An interface unit connected to the semiconductor unit,
A U-shaped portion defined by opposing first and second rising portions is held in the center, and both ends connected to the U-shaped portion have a cross-sectional shape extending in the same plane in the opposite direction, Plate-shaped bus bars each of which is a bus bar connecting portion connected to the semiconductor unit;
The first and second rising portions are internally sealed with a resin, and a rectangular parallelepiped portion having two sides parallel to the first and second rising portions as side surfaces is provided. A supporting portion provided with a sensor cavity in the resin along a first rising portion;
The sensor includes a sensor inserted into the sensor cavity, a flexible printed circuit board provided with the sensor at an end, and a sensor wiring patterned on the flexible printed circuit and electrically connected to the sensor, the support A sensor circuit board disposed on the bottom side of the housing;
An interface unit comprising:
前記センサは、前記バスバーに流れる電流を測定する電流センサであることを特徴とする請求項1に記載のインターフェースユニット。   The interface unit according to claim 1, wherein the sensor is a current sensor that measures a current flowing through the bus bar. 前記センサ用配線は、前記支持部の前記直方体部分の長手方向に沿ったパターンを主要部とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のインターフェースユニット。   The interface unit according to claim 1 or 2, wherein the sensor wiring mainly includes a pattern along a longitudinal direction of the rectangular parallelepiped portion of the support portion. 前記フレキシブルプリント基板は、折り曲げによって前記センサを前記センサ用空洞部に挿入するための折り曲げ部を有し、
前記折り曲げ部で前記フレキシブルプリント基板を折り曲げて前記センサが前記センサ用空洞部に挿入されている状態において、前記フレキシブルプリント基板の復元力によって前記センサが前記第1の立上部分に押圧されて固定されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のインターフェースユニット。
The flexible printed circuit board has a bent portion for inserting the sensor into the sensor cavity by bending.
In a state where the flexible printed circuit board is bent at the bent portion and the sensor is inserted into the sensor cavity, the sensor is pressed against the first rising portion by the restoring force of the flexible printed circuit board and fixed The interface unit according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
それぞれが前記バスバーと同一の構成を有する複数のバスバーを備え、
前記複数のバスバーは前記直方体部分の長手方向に並んで配置され、
前記複数のバスバーのそれぞれは、それぞれの長手方向が前記直方体部分の短手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のインターフェースユニット。
A plurality of bus bars each having the same configuration as the bus bar;
The plurality of bus bars are arranged side by side in the longitudinal direction of the rectangular parallelepiped portion,
The interface unit according to any one of claims 1 to 4, wherein the longitudinal direction of each of the plurality of bus bars is arranged along the short direction of the rectangular parallelepiped portion.
前記センサ用空洞部は、前記複数のバスバーのそれぞれに対して設けられていることを特徴とする請求項5に記載のインターフェースユニット。   The interface unit according to claim 5, wherein the sensor cavity is provided for each of the plurality of bus bars. 前記複数のバスバーのうちの1つは、前記支持部の前記長手方向における一端側に配置されてスイッチング電流が流れるバスバーであり、
前記センサ用回路基板は、前記一端側とは反対の他端側に配置される外部接続部を更に有し、前記センサ用配線は前記センサと前記外部接続部との間を接続することを特徴とする請求項5又は6に記載のインターフェースユニット。
One of the plurality of bus bars is a bus bar disposed at one end side in the longitudinal direction of the support portion and through which a switching current flows,
The sensor circuit board further includes an external connection portion disposed on the other end side opposite to the one end side, and the sensor wiring connects the sensor and the external connection portion. The interface unit according to claim 5 or 6.
前記センサ用空洞部及び前記センサ用回路基板を覆う被覆部を更に備えることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のインターフェースユニット。   The interface unit according to any one of claims 1 to 7, further comprising a covering portion covering the sensor hollow portion and the sensor circuit board. 半導体チップを搭載し、並列された複数の半導体ユニットと、
前記複数の半導体ユニットに接続されるインターフェースユニットと、
を備え、該インターフェースユニットは、
対向する第1及び第2の立上部分によって規定されるU字部分を中央に挟み、該U字部分に接続された両端が同一平面上を反対方向に延在する断面形状をなし、前記両端の平面部分のそれぞれを、前記半導体ユニットに接続されるバスバー接続部とする板状のバスバーと、
前記第1及び第2の立上部分を内部に樹脂で封止し、前記第1及び第2の立上部分に平行な2面をそれぞれ側面とした直方体部分を有し、該直方体部分の前記第1の立上部分に沿って前記樹脂中にセンサ用空洞部を設けた支持部と、
前記センサ用空洞部に挿入されたセンサ、該センサを端部に設けたフレキシブルプリント基板、及び該フレキシブルプリント基板上にパターニングされ前記センサに電気的に接続されたセンサ用配線を有し、前記支持部の底面側に配置されるセンサ用回路基板と、
を有することを特徴とする半導体装置。
A plurality of semiconductor units mounted and paralleled with semiconductor chips;
An interface unit connected to the plurality of semiconductor units;
And the interface unit comprises
A U-shaped portion defined by opposing first and second rising portions is held in the center, and both ends connected to the U-shaped portion have a cross-sectional shape extending in the same plane in the opposite direction, Plate-shaped bus bars each of which is a bus bar connecting portion connected to the semiconductor unit;
The first and second rising portions are internally sealed with a resin, and a rectangular parallelepiped portion having two sides parallel to the first and second rising portions as side surfaces is provided. A supporting portion provided with a sensor cavity in the resin along a first rising portion;
The sensor includes a sensor inserted into the sensor cavity, a flexible printed circuit board provided with the sensor at an end, and a sensor wiring patterned on the flexible printed circuit and electrically connected to the sensor, the support A sensor circuit board disposed on the bottom side of the housing;
The semiconductor device characterized by having.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003299364A (en) * 2002-04-04 2003-10-17 Hitachi Ltd Power converter
JP2016070771A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 日置電機株式会社 measuring device
JP2016173306A (en) * 2015-03-17 2016-09-29 株式会社デンソー Busbar module
US20170343586A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Fuji Electric Co., Ltd. Current detector
JP2017215200A (en) * 2016-05-31 2017-12-07 富士電機株式会社 Current detector

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003299364A (en) * 2002-04-04 2003-10-17 Hitachi Ltd Power converter
JP2016070771A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 日置電機株式会社 measuring device
JP2016173306A (en) * 2015-03-17 2016-09-29 株式会社デンソー Busbar module
US20170343586A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Fuji Electric Co., Ltd. Current detector
JP2017215200A (en) * 2016-05-31 2017-12-07 富士電機株式会社 Current detector
CN107449952A (en) * 2016-05-31 2017-12-08 富士电机株式会社 Current detector

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