JP2019102605A - Liquid processing device and liquid processing method - Google Patents

Liquid processing device and liquid processing method Download PDF

Info

Publication number
JP2019102605A
JP2019102605A JP2017230767A JP2017230767A JP2019102605A JP 2019102605 A JP2019102605 A JP 2019102605A JP 2017230767 A JP2017230767 A JP 2017230767A JP 2017230767 A JP2017230767 A JP 2017230767A JP 2019102605 A JP2019102605 A JP 2019102605A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
resist solution
liquid
processing
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017230767A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7073691B2 (en
Inventor
上田 健一
Kenichi Ueda
健一 上田
アルノ アライン ジャン ダウエンドルファー
Alain Jean Dauendorffer Arnaud
アルノ アライン ジャン ダウエンドルファー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017230767A priority Critical patent/JP7073691B2/en
Publication of JP2019102605A publication Critical patent/JP2019102605A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7073691B2 publication Critical patent/JP7073691B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

To suppress the number of components provided in piping with supply of a process liquid and further to suppress deterioration in quality of the process liquid and dispersion of the process liquid to the surroundings when performing liquid processing by supplying the process liquid from a nozzle to a substrate.SOLUTION: A resist liquid in a resist liquid storage part 4 is directly sucked by a resist liquid nozzle 6 and then supplied to a wafer. Therefore, the number of components for supplying the resist liquid from an intermediate tank to the resist liquid nozzle 6 and discharging the resist liquid from the resist liquid nozzle 6 is reduced. An opening 42 which is opened/closed by rotating a main body part 40 around a vertical axis is provided in the resist liquid storage part 4, and a bellows 61 is provided to enclose a distal end of a nozzle part 60 in the resist liquid nozzle 6. Thus, a distal end of the bellows is locked to a lid part 41, the distal end of the resist liquid nozzle 6 and a hole part are separated from outside air of the bellows 61, and the opening 42 is opened/closed.SELECTED DRAWING: Figure 18

Description

本発明は、基板に処理液を供給するための液処理装置及び液処理方法に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a substrate.

半導体製造工程の中には、基板に対して処理液をノズルから供給して液処理する工程があり、例えばレジストパターン形成システムにおけるレジスト液や反射防止膜形成用の処理液の塗布、あるいは絶縁膜形成用の処理液の塗布などが挙げられる。このような塗布膜の形成は、処理液をノズルから基板に吐出させて、基板の回転により塗布膜を形成するスピンコーティングが用いられている。このような液処理装置においては、ノズルアームの先端のノズルまで処理液供給路を引き回し、処理液供給路を介して処理液供給源に貯留されている処理液をノズルに供給するように構成し、処理液供給路に介設されたポンプやバルブにより処理液の給断を行うように構成している。   In the semiconductor manufacturing process, there is a process of supplying a processing liquid to a substrate from a nozzle and performing liquid processing, for example, coating a resist liquid or a processing liquid for forming an antireflective film in a resist pattern forming system, or an insulating film Application | coating of the process liquid for formation, etc. are mentioned. In forming such a coating film, spin coating is used in which a treatment liquid is discharged from a nozzle onto a substrate and the coating film is formed by rotation of the substrate. In such a liquid processing apparatus, the processing liquid supply path is routed to the nozzle at the tip of the nozzle arm, and the processing liquid stored in the processing liquid supply source is supplied to the nozzle through the processing liquid supply path. The processing liquid is supplied and disconnected by a pump and a valve provided in the processing liquid supply path.

一方、デザインルールの微細化が進んでいることから、基板に付着するパーティクルの許容サイズが厳しくなっており、処理液供給路にて発生するパーティクルの低減が重要な課題になってきている。処理液供給路の主な発塵源はバルブやポンプでありであり、特にディスペンスバルブなどと呼ばれている、処理液の供給停止を行う吐出バルブの発塵が多い問題がある。またノズルアーム付近の部品の数が増えることから構成が複雑になる問題がある。   On the other hand, as design rules are becoming finer, the allowable size of particles adhering to the substrate becomes strict, and reduction of particles generated in the processing liquid supply path has become an important issue. The main dust source of the processing liquid supply path is a valve or a pump, and in particular, there is a problem of many dust generation of a discharge valve, which is called a dispensing valve, for stopping supply of the processing liquid. There is also a problem that the structure becomes complicated because the number of parts near the nozzle arm increases.

このような問題に対して、特許文献1、2には、レジスト液貯留部に貯留されたレジスト液をシリンジ式のノズルにより吸引し、基板に供給する装置が記載されている。しかしながらレジスト液をレジスト液貯留部に進入させる必要があるためレジスト液貯留部の上方が開放されており、液処理装置内におけるミストの飛散や、貯留されたレジスト液の品質の劣化などの問題がある。   With respect to such a problem, Patent Documents 1 and 2 describe an apparatus for suctioning a resist solution stored in a resist solution storage unit by a syringe-type nozzle and supplying the suctioned solution to a substrate. However, since it is necessary to allow the resist solution to enter the resist solution storage section, the upper side of the resist solution storage section is opened, and problems such as mist scattering in the liquid processing apparatus and deterioration of the quality of the stored resist solution occur. is there.

特許第4227171号公報Patent No. 4227171 特許第4328658号公報Patent No. 4328658

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ノズルから処理液を基板に供給して液処理を行うにあたって、処理液の供給に伴い配管に設けられる部品点数を抑え、さらに処理液の品質の劣化及び周囲への飛散を抑制する技術を提供することにある。   The present invention has been made under the circumstances described above, and an object thereof is to suppress the number of parts provided in piping along with the supply of the processing liquid when the processing liquid is supplied from the nozzle to the substrate to perform the liquid processing. Another object of the present invention is to provide a technology for suppressing the deterioration of the quality of the processing solution and the scattering to the surroundings.

本発明の液処理装置は、基板に対して処理液により液処理を行う装置において、
処理液を貯留し、上面に処理液の取り出し口が設けられた処理液タンクと、
処理液の吸い上げ及び吐出の機能を備えたノズルと、
前記ノズルを、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置との間で移動させるノズル移動機構と、
前記取り出し口を開閉する開閉機構と、
前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構と、を備えたことを特徴とする。
A liquid processing apparatus according to the present invention is an apparatus for performing liquid processing on a substrate with a processing liquid,
A processing solution tank for storing the processing solution and provided with a processing solution outlet on the top surface,
A nozzle having a function of suction and discharge of treatment liquid;
A nozzle moving mechanism for moving the nozzle between a position inserted into the outlet and a position discharged onto the substrate;
An opening and closing mechanism for opening and closing the outlet;
And a blocking mechanism for blocking the inside of the processing liquid tank from the open air when the nozzle is inserted into the takeout port.

本発明の液処理方法は、前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を備えた上述の液処理装置を用い、前記ノズルを、前記取り出し口に挿入し、当該ノズルにより処理液タンク内の処理液を吸い上げる吸引工程と、
次いで前記ノズルから基板に処理液を供給する吐出工程と、
前記補充用貯留部に貯留された処理液を前記流路を介して、前記処理液タンクに補充する補充工程と、
前記処理液を前記ポンプ部により循環路内を循環させる循環工程と、を含み、
前記循環工程は、前記吸引工程、吐出工程及び補充工程の内の少なくとも一つの実行時に重複するように実行されることを特徴とする。
The liquid processing method according to the present invention is provided between a replenishment storage unit in which the treatment liquid to be replenished in the treatment liquid tank is stored, and between the replenishment storage unit and the treatment liquid tank, and a pump unit is interposed. A suction step of inserting the nozzle into the outlet and using the nozzle to suction the treatment liquid in the treatment liquid tank, using the above-described liquid treatment apparatus including the treatment liquid supply path including the circulation path;
Then, a discharge step of supplying a processing liquid to the substrate from the nozzle;
A replenishing step of replenishing the treatment liquid tank stored in the replenishment storage unit to the treatment liquid tank via the flow path;
And D. a circulating step of circulating the processing solution in a circulation path by the pump unit,
The circulating process may be performed to overlap at least one of the suction process, the discharging process, and the refilling process.

本発明は、ノズルが処理液タンクから処理液を直接吸引して基板に吐出するようにしている。そのためノズルに接続される配管系を短く抑えると共に配管に設けられる部品点数を抑えることができる。そして処理液タンクの上面に開閉自在に構成された処理液の取り出し口を設け、前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構を設けている。そのため処理液の品質の劣化及び周囲への飛散を抑制することができる。
また本発明は、さらに前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を設けることで処理液を循環させる循環工程を行うことで処理液中の成分の析出を抑制することができる。さらにノズルに処理液を吸引し、ノズルから処理液を吐出する吸引吐出工程と、補充用貯留部の圧力を高めて補充用貯留部から処理液タンクに処理液を補充する補充工程と、を処理液を循環させる動作と、同時に実行することができる。従って処理液中の成分の析出をより確実に抑制することができる。
According to the present invention, the nozzle sucks the processing liquid directly from the processing liquid tank and discharges it onto the substrate. Therefore, the piping system connected to the nozzle can be kept short and the number of parts provided in the piping can be reduced. An opening for opening and closing the processing liquid is provided on the upper surface of the processing liquid tank, and a blocking mechanism for shielding the inside of the processing liquid tank from the open air when the nozzle is inserted into the opening is provided. Therefore, deterioration of the quality of the treatment liquid and scattering to the surroundings can be suppressed.
Further, according to the present invention, there is further provided a replenishment storage unit in which a treatment liquid to be replenished in the treatment liquid tank is stored, a circulation provided between the replenishment storage unit and the treatment liquid tank, and a pump unit interposed therebetween. By providing a treatment liquid supply passage including a passage, precipitation of components in the treatment liquid can be suppressed by performing a circulation step of circulating the treatment liquid. Furthermore, the suction and discharge process of suctioning the treatment liquid to the nozzle and discharging the treatment liquid from the nozzle, and the replenishment process of increasing the pressure of the replenishment storage unit and replenishing the treatment liquid from the replenishment storage unit to the treatment liquid tank It can be performed simultaneously with the operation of circulating the fluid. Therefore, the precipitation of the components in the treatment liquid can be suppressed more reliably.

液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a substrate processing system including a coating, a developing device and an exposure device provided with a liquid processing apparatus. 液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a substrate processing system including a coating, developing apparatus and exposure apparatus provided with a liquid processing apparatus. 前記液処理装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the said liquid processing apparatus. 前記液処理装置に設けられるノズルユニットを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the nozzle unit provided in the said liquid processing apparatus. 前記ノズルユニットに設けられるレジスト液ノズルを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the resist solution nozzle provided in the said nozzle unit. 前記レジスト液ノズルを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the said resist solution nozzle. 前記液処理装置に設けられるレジスト液貯留部の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the resist liquid storage part provided in the said liquid processing apparatus. 前記液処理装置に設けられるレジスト液貯留部の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the resist liquid storage part provided in the said liquid processing apparatus. 前記レジスト液貯留部の開口部の開閉を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining opening and closing of the opening part of the said resist liquid storage part. 前記レジスト液貯留部の開口部の開閉を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining opening and closing of the opening part of the said resist liquid storage part. 前記レジスト液貯留部を含むレジスト液供給系を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the resist solution supply system containing the said resist solution storage part. 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the rotation mechanism which rotates the main-body part of the said resist solution storage part. 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the rotation mechanism which rotates the main-body part of the said resist solution storage part. 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す平面図である。It is a top view which shows the rotation mechanism which rotates the main-body part of the said resist solution storage part. 洗浄液貯留部及び乾燥タンクを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a washing | cleaning-liquid storage part and a drying tank. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the approach operation | movement of the resist solution nozzle to a resist solution storage part. レジスト液ノズルを保持するノズル保持部の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of the nozzle holding part holding a resist solution nozzle. レジスト液ノズルを保持するノズル保持部のさらに他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the further another example of the nozzle holding part holding a resist solution nozzle. 塗布、現像装置に設けられる処理液供給系を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process liquid supply system provided in a coating and a developing device. 本体部を加熱する加熱部の他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other example of the heating part which heats a main-body part. 開閉機構の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of an opening-and-closing mechanism. 開閉機構の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of an opening-and-closing mechanism. 開閉機構の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of an opening-and-closing mechanism. 開閉機構の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of an opening-and-closing mechanism. ノズルユニットの他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of a nozzle unit.

本発明の実施の形態に係る液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムについて図1及び図2を参照しながら説明する。このシステムは、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックS3には、更に露光ステーションS4が接続されている。
キャリアブロックS1は、同一のロットの円形の基板である半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wを複数枚含むキャリアCを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置台11と、開閉部12と、開閉部12を介してキャリアCからウエハWを搬送するための搬送機構13とを備えている。
A substrate processing system including a coating, developing apparatus and exposure apparatus including a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. This system is configured by linearly connecting a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3. An exposure station S4 is further connected to the interface block S3.
The carrier block S1 has a role of carrying a carrier C including a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as "wafers") W which are circular substrates of the same lot into and out of the apparatus. An opening / closing unit 12 and a transfer mechanism 13 for transferring the wafer W from the carrier C via the opening / closing unit 12 are provided.

処理ブロックS2はウエハWに液処理を行うための第1〜第6の単位ブロックB1〜B6が下から順に積層されて構成され、各単位ブロックB1〜B6は、概ね同じ構成である。図1において各単位ブロックB1〜B6に付したアルファベット文字は、処理種別を表示しており、COTはレジスト膜形成処理、DEVは現像処理を表している。この例では、4層のレジスト膜形成処理を行う層COTが積層され、さらに2層の現像処理を行う層DEVが積層されている。   The processing block S2 is formed by stacking first to sixth unit blocks B1 to B6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom, and the unit blocks B1 to B6 have substantially the same configuration. In FIG. 1, alphabetic characters attached to the unit blocks B1 to B6 indicate the process type, COT indicates a resist film formation process, and DEV indicates a development process. In this example, four layers of resist film formation processing COT are stacked, and two layers of development processing DEV are stacked.

図2は、代表して第3の単位ブロックB3を示す平面図である。単位ブロックB3には、キャリアブロックS1からインターフェイスブロックS3へ向かう直線状の搬送領域R3を移動するメインアームA3と、液処理装置であるレジスト塗布モジュール10と、ウエハWを加熱、冷却するための熱系モジュールを積層した棚ユニットU1〜U6とを備えている。   FIG. 2 is a plan view showing the third unit block B3 as a representative. The unit block B3 includes a main arm A3 moving a linear transfer area R3 from the carrier block S1 to the interface block S3, a resist coating module 10 which is a liquid processing apparatus, and heat for heating and cooling the wafer W. And shelf units U1 to U6 in which system modules are stacked.

搬送領域R3のキャリアブロックS1側には、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている棚ユニットU7が設けられている。搬送機構13とメインアームA3との間のウエハWの受け渡しは、棚ユニットU7のモジュールと受け渡しアーム30とを介して行なわれる。
インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2と露光ステーションS4との間でウエハWの受け渡しを行うためのものであり複数のモジュールが互いに積層された棚ユニットU8、U9、U10を備えている。図2中の3A、3Bは、棚ユニットU8、U9、U10の間でウエハWの受け渡しを行うための搬送アームであり、3Cは、インターフェイスブロックS3と、露光ステーションS4との間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームである。
On the carrier block S1 side of the transport area R3, a shelf unit U7 configured of a plurality of modules stacked one on another is provided. Delivery of the wafer W between the transport mechanism 13 and the main arm A3 is performed via the module of the shelf unit U7 and the delivery arm 30.
The interface block S3 is for transferring the wafer W between the processing block S2 and the exposure station S4, and includes shelf units U8, U9, U10 in which a plurality of modules are stacked on one another. In FIG. 2, 3A and 3B denote transfer arms for transferring the wafer W between the shelf units U8, U9 and U10, and 3C denotes a wafer W between the interface block S3 and the exposure station S4. It is a transfer arm that performs delivery.

この基板処理システムでは、キャリアCにより搬送されたウエハWは受け渡しアーム30により、処理ブロックS2に搬送され、レジスト膜形成処理COTを行う単位ブロックB1(B2〜B4)に搬送され、インターフェイスブロックS3を介して露光ステーションS4へと搬送され露光処理が行われる。露光後のウエハWはインターフェイスブロックS3を介して現像処理DEVを行う単位ブロックB5(B6)へと搬送されて現像処理が行われ、棚ユニットU7、受け渡しアーム30を介してキャリアブロックS1のキャリアCへと戻される。   In this substrate processing system, the wafer W transported by the carrier C is transported by the delivery arm 30 to the processing block S2, transported to the unit block B1 (B2 to B4) where the resist film forming process COT is performed, and the interface block S3 is The wafer W is conveyed to the exposure station S4 to perform an exposure process. Wafer W after exposure is transported to unit block B5 (B6) which performs development processing DEV via interface block S3 to be subjected to development processing, and carrier C of carrier block S1 via shelf unit U7 and delivery arm 30. It is returned to.

レジスト塗布モジュール10について、図3も参照して説明する。処理液であるレジスト液をウエハWに供給する液処理装置であるレジスト塗布モジュール10は、図2に示すように例えば一列に横並びに配列されたカップモジュール1と、複数のカップモジュール1に共通化され、カップモジュール1の並ぶ方向に移動自在に設けられたノズルが設けられたノズルユニット5を備えている。   The resist coating module 10 will be described with reference to FIG. The resist coating module 10, which is a liquid processing apparatus for supplying a resist liquid, which is a processing liquid, to the wafer W is common to, for example, a plurality of cup modules 1 and a plurality of cup modules 1 arranged side by side as shown in FIG. The nozzle unit 5 is provided with a nozzle provided movably in the direction in which the cup modules 1 are arranged.

カップモジュール1は、図3に示すようにウエハWの裏面中央部を吸着して水平に保持して鉛直軸周りに回転させるスピンチャック11を備えている。スピンチャック21の周囲にはスピンチャック21上のウエハWを囲むようにして、上方側に開口部を備えたカップ体(詳しくはカップ組立体)22が設けられている。カップ体22はウエハWから振り切られた溶剤を受け止め、排出すると共に、下部の排気路から排気してミストが処理雰囲気に飛散しないように構成されている。   As shown in FIG. 3, the cup module 1 includes a spin chuck 11 that sucks the central portion of the back surface of the wafer W, holds it horizontally, and rotates it around a vertical axis. A cup body (specifically, a cup assembly) 22 having an opening on the upper side is provided around the spin chuck 21 so as to surround the wafer W on the spin chuck 21. The cup body 22 receives and discharges the solvent shaken off from the wafer W, and is evacuated from the lower exhaust passage so that the mist does not scatter in the processing atmosphere.

ノズルユニット5は、図3に示すように水平方向に進退自在に構成されたアーム55、移動体53、昇降機構56及び基台100上に設けられたガイドレール54を含む移動機構により、昇降自在、移動自在に構成されている。
図4に示すようにノズルユニット5は、シンナーノズル57と、レジスト液ノズル6とを備えている。シンナーノズル57は、ノズルユニット5の先端部下面に設けられ、下方に向けてシンナーを吐出するように構成されている。シンナーノズル57の基端側は、ノズルユニット5内に形成されたシンナー供給路58の一端に接続されており、シンナー供給路58の他端側は、例えば流量調整部M58及びバルブV58を介して、シンナー供給源59に接続されている。
The nozzle unit 5 can be moved up and down by a moving mechanism including an arm 55 configured to be movable forward and backward in a horizontal direction as shown in FIG. 3, a moving body 53, a lifting mechanism 56, and a guide rail 54 provided on the base 100. , Is configured to be movable.
As shown in FIG. 4, the nozzle unit 5 includes a thinner nozzle 57 and a resist solution nozzle 6. The thinner nozzle 57 is provided on the lower surface of the tip end portion of the nozzle unit 5 and configured to discharge thinner downward. The base end side of the thinner nozzle 57 is connected to one end of a thinner supply path 58 formed in the nozzle unit 5, and the other end side of the thinner supply path 58 is connected via, for example, a flow rate adjusting unit M58 and a valve V58. , Thinner supply source 59 is connected.

またレジスト液ノズル6は、ノズルユニット5の先端部下面に設けられたノズル保持部7を介して着脱自在に設けられている。レジスト液ノズル6は、ノズルユニット5の先端側にシンナーノズル57と並んでも配置されている。図4、図5に示すようにレジスト液ノズル6は筒状のノズル部60と、ノズル部60の周囲を囲むように設けられたベローズ(ベローズ体)61とを備えている。ノズル部6は、下方側(先端側)が吐出吸引口62となっていると共に、上端側(基端側)が、ノズル保持部7に保持される保持端63になっている。ベローズ61は、上下方向に伸縮するように構成され、上端部の内面が、ノズル部60の保持端63の下方側に固定され、下端部は、ノズル部60の断面よりも広く開口し、ノズル部60の先端よりも下方に位置する自由端になっている。従って図6に示すようにベローズ61を縮ませたときに、ベローズ61の下端は、ノズル部60に接触せずにノズル部60に沿って上昇するように構成されている。またベローズ61の下端はリング状の突起部64となっており、突起部64は、後述するレジスト液貯留部4、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91の各々の蓋部41の孔部46の周囲に形成された段部48に係止されるように構成されている。   Further, the resist solution nozzle 6 is detachably provided via a nozzle holding portion 7 provided on the lower surface of the tip end portion of the nozzle unit 5. The resist solution nozzle 6 is also arranged on the front end side of the nozzle unit 5 along with the thinner nozzle 57. As shown in FIGS. 4 and 5, the resist solution nozzle 6 includes a cylindrical nozzle portion 60 and a bellows (bellows body) 61 provided so as to surround the periphery of the nozzle portion 60. The nozzle portion 6 has a discharge suction port 62 on the lower side (tip end side) and a holding end 63 to be held by the nozzle holding portion 7 on the upper end side (base end side). The bellows 61 is configured to expand and contract in the vertical direction, the inner surface of the upper end portion is fixed to the lower side of the holding end 63 of the nozzle portion 60, and the lower end portion opens wider than the cross section of the nozzle portion 60 It is a free end located below the tip of the portion 60. Therefore, as shown in FIG. 6, when the bellows 61 is contracted, the lower end of the bellows 61 is configured to rise along the nozzle portion 60 without contacting the nozzle portion 60. The lower end of the bellows 61 is a ring-shaped projection 64, and the projection 64 is around the hole 46 of the lid 41 of the resist solution storage 4, the cleaning liquid reservoir 90, and the drying tank 91, which will be described later. It is comprised so that it may be latched by the step part 48 formed in this.

続いてノズル保持部7について説明する。ノズル保持部7は、例えば公知の絞り機構により開口径を縮小拡大できるように構成され、内部にノズル部60の保持端63を挿入し、絞り機構により開口径を狭めることにより挿入されたレジスト液ノズル6の保持端63が保持される。これによりノズル保持部7の中心軸と、レジスト液ノズル6の中心軸とが揃うように固定される。また絞り機構により開口径を広げることでノズルユニット5からレジスト液ノズル6が取り外される。   Subsequently, the nozzle holding unit 7 will be described. The nozzle holding portion 7 is configured to be capable of reducing and enlarging the aperture diameter by, for example, a known aperture mechanism, and the resist solution inserted by inserting the holding end 63 of the nozzle portion 60 inside and narrowing the aperture diameter by the aperture mechanism. The holding end 63 of the nozzle 6 is held. Thus, the central axis of the nozzle holding portion 7 and the central axis of the resist solution nozzle 6 are fixed so as to be aligned. Further, the resist solution nozzle 6 is removed from the nozzle unit 5 by widening the opening diameter by the throttling mechanism.

また図4に戻ってノズルユニット5には、ガス流路65が形成されており、ガス流路86の一端側がノズル保持部7により保持されるレジスト液ノズル6の基端に接続されるように構成されている。ガス流路65の他端側は、2本に分岐しており、一方の端部からガスを吸引する吸引部66が接続されていると共に、他方の端部には、例えば窒素ガスを注入するガス供給部67が接続されている。なお図4中のV66及びV67はバルブである。そしてノズルユニット5にてレジスト液ノズル6を保持し、レジスト液ノズル6におけるノズル部60の先端をレジスト液に浸して、吸引部66により吸引することにより、レジスト液ノズル6の先端から所定量のレジスト液が吸引される。また吸引部66は、吸引流量を調整する流量調整部を備えており、レジスト液ノズル6内に吸引するレジスト液の量を調整できるように構成されている。さらにレジスト液を吸引した後、ガス供給部67によりガスを供給することで、レジスト液ノズル6の先端からレジストと液が吐出される。   Referring back to FIG. 4, the gas passage 65 is formed in the nozzle unit 5, and one end of the gas passage 86 is connected to the base end of the resist solution nozzle 6 held by the nozzle holding unit 7. It is configured. The other end side of the gas flow path 65 is branched into two, and a suction part 66 for drawing gas from one end is connected, and for example, nitrogen gas is injected into the other end. A gas supply unit 67 is connected. V66 and V67 in FIG. 4 are valves. Then, the resist solution nozzle 6 is held by the nozzle unit 5, and the tip of the nozzle portion 60 in the resist solution nozzle 6 is immersed in the resist solution and suctioned by the suction unit 66. The resist solution is aspirated. Further, the suction unit 66 is provided with a flow rate adjustment unit that adjusts the suction flow rate, and is configured to be able to adjust the amount of the resist solution sucked into the resist solution nozzle 6. Further, after suctioning the resist solution, the gas supply unit 67 supplies a gas, whereby the resist and the solution are discharged from the tip of the resist solution nozzle 6.

また図3に示すように基台100上にはレジスト液ノズル6が載置されているノズルホルダー8が設けられている。ノズルホルダー8は、箱状に形成され、上面に各レジスト液ノズル6に対応する複数の孔部81が一列に並んで形成されている。レジスト液ノズル6は、例えば処理を行う種別により容量や材質などが異なる複数種のレジスト液ノズル6が配置されている。これらレジスト液ノズル6は、各々先端の吐出吸引口62を下方に向けた姿勢で各孔部81に挿入された状態で保持されている。ノズルホルダー8においては、ノズルユニット5のノズル保持部7によりノズルホルダー8に載置されたレジスト液ノズル6の保持端63を保持し、ノズルユニット5を上昇させることにより、ノズルホルダー8に載置されたレジスト液ノズル6の内、ノズルユニット5に保持されたレジスト液ノズル6が引き抜かれる。   Further, as shown in FIG. 3, a nozzle holder 8 on which a resist solution nozzle 6 is mounted is provided on the base 100. The nozzle holder 8 is formed in a box shape, and a plurality of holes 81 corresponding to the respective resist solution nozzles 6 are formed in a line on the upper surface. The resist solution nozzle 6 is, for example, a plurality of types of resist solution nozzles 6 having different capacities, materials, and the like depending on the type of processing. The resist solution nozzles 6 are held in a state of being inserted into the holes 81 with the discharge suction ports 62 at the front end directed downward. In the nozzle holder 8, the holding end 63 of the resist solution nozzle 6 placed on the nozzle holder 8 is held by the nozzle holder 7 of the nozzle unit 5, and the nozzle unit 5 is raised to place the nozzle unit 8 on the nozzle holder 8. Among the resist solution nozzles 6 thus obtained, the resist solution nozzle 6 held by the nozzle unit 5 is pulled out.

また図3に示すように基台100上にはレジスト液貯留部4(レジスト液タンク)が設けられている。レジスト液貯留部4は、図7、図8に示すように本体部40と、蓋部41とを備ええている。本体部40は、円筒形状の部材で構成され、天板部における中心部から外れた位置に第1の開口部である円形の開口部42が形成されている。また本体部40はその底面が、すり鉢状に構成されており、底面部の中心部には、排液管43が接続されている。排液管43は、本体部40を回転させたときに本体部40が排液管43に対して独立して鉛直軸周りに回転できるように構成されたコネクタ44を介して接続されている。また本体部40の周囲には、例えば加熱部であるリボンヒータ49が設けられ、本体部40が所定の温度に加熱されるように構成されている。   Further, as shown in FIG. 3, a resist solution reservoir 4 (resist solution tank) is provided on the base 100. The resist solution reservoir 4 includes a main body 40 and a lid 41 as shown in FIGS. 7 and 8. The main body portion 40 is formed of a cylindrical member, and a circular opening 42 which is a first opening portion is formed at a position deviated from the central portion of the top plate portion. Further, the bottom surface of the main body portion 40 is formed in a mortar shape, and the drainage pipe 43 is connected to the central portion of the bottom surface portion. The drainage pipe 43 is connected via a connector 44 configured to allow the main body 40 to rotate independently of the drainage pipe 43 around the vertical axis when the main body 40 is rotated. Further, a ribbon heater 49 which is, for example, a heating unit is provided around the main body 40, and the main body 40 is configured to be heated to a predetermined temperature.

さらに本体部40には、後述するレジスト液供給管401の下流側端部が天板部を貫通するように接続されている。また天板部には、本体部40内に洗浄液を供給する洗浄液供給管23、本体部40内に例えば乾燥空気を導入し、本体部40内の圧力を高め洗浄液を前記排液管43から排液し、本体部40内を乾燥させるためのガス供給管24が天板部を貫通するように接続されている。また本体部40に貯留されたレジスト液に含まれる溶剤の揮発を抑制するために本体部40内に溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給管25が天板部を貫通するように接続されている。レジスト液供給管401、洗浄液供給管23、ガス供給管24及び溶剤雰囲気供給管25は、本体部40の中心軸Cを中心とした同じ円周上に並んで配置されている。   Furthermore, a downstream end of a resist solution supply pipe 401 described later is connected to the main body 40 so as to penetrate the top plate. Further, in the top plate portion, the cleaning liquid supply pipe 23 for supplying the cleaning liquid into the main body 40, for example, dry air is introduced into the main body 40, the pressure in the main body 40 is increased, and the cleaning liquid is drained from the drainage pipe 43. A gas supply pipe 24 for fluidizing and drying the inside of the main body 40 is connected to penetrate the top plate. Further, in order to suppress evaporation of the solvent contained in the resist solution stored in the main body 40, a solvent atmosphere supply pipe 25 for supplying a solvent atmosphere into the main body 40 is connected so as to penetrate the top plate. The resist solution supply pipe 401, the cleaning liquid supply pipe 23, the gas supply pipe 24, and the solvent atmosphere supply pipe 25 are arranged side by side on the same circumference centering on the central axis C of the main body 40.

本体部40の上部には、蓋部41が設けられる。蓋部41は、下面が開口した扁平な円筒形状に構成され、本体部40の上部を覆い、本体部40の回転を妨げないようにごくわずかな隙間を介して配置される。蓋部41には、本体部40の開口部42と対応する位置に第2の開口部である円形の孔部46が形成され、本体部40を鉛直軸周りに回転させ、図9に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が互いにずらしたがいに重ならない位置とすることで、開口部42の上方が塞がれる。また図10に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置を揃い互いに重なる位置となるように回転させることで、本体部40の開口部42と、蓋部41の孔部46とが連通して、レジスト液貯留部4の取り出し口が開口する。   A lid 41 is provided on the top of the main body 40. The lid portion 41 is formed in a flat cylindrical shape whose lower surface is opened, covers the upper portion of the main body portion 40, and is disposed with a very small gap so as not to prevent the rotation of the main body portion 40. As shown in FIG. 9, the cover 41 has a circular opening 46 which is a second opening at a position corresponding to the opening 42 of the main body 40, and rotates the main body 40 around the vertical axis. By setting the positions of the opening 42 of the main body 40 and the hole 46 of the lid 41 so as not to overlap with each other, the upper side of the opening 42 is closed. Further, as shown in FIG. 10, by aligning the positions of the opening 42 of the main body 40 and the hole 46 of the lid 41 and rotating them so as to overlap each other, the opening 42 of the main body 40 and the lid In communication with the hole 46 of 41, the outlet of the resist solution reservoir 4 is opened.

また蓋部41には、本体部40を回転させて、本体部40の開口部42が開口する位置と、本体部40の開口部42が塞がれる位置との間で切り替えたときに、レジスト液供給管401、洗浄液供給管23、ガス供給管24及び溶剤雰囲気供給管25が移動する移動路に沿って形成され、本体部40の回転を妨げないように円弧状の溝部47が形成されている。また蓋部41における孔部46の周囲には、リング状の段部48が設けられている。そして既述のレジスト液ノズル6に設けられたベローズ61の先端の突起部64を段部48に係止することにより、ベローズ61の位置ずれを防ぎベローズ61の下方側における隙間の形成を抑制すると共に、ベローズ61の下降が規制されるように構成されている。ベローズ61及びベローズ61を下降させる昇降機構、さらに蓋部41に形成され、ベローズ61の突起部64が係止される段部48は遮断機構を構成する。   In addition, when the main body 40 is rotated to switch between the position where the opening 42 of the main body 40 is opened and the position where the opening 42 of the main body 40 is closed, the lid 41 is a resist The liquid supply pipe 401, the cleaning liquid supply pipe 23, the gas supply pipe 24, and the solvent atmosphere supply pipe 25 are formed along moving paths, and an arc-shaped groove 47 is formed so as not to prevent the rotation of the main body 40. There is. A ring-shaped step 48 is provided around the hole 46 in the lid 41. Then, the projection 64 of the tip of the bellows 61 provided in the resist solution nozzle 6 described above is engaged with the step 48 to prevent the displacement of the bellows 61 and to suppress the formation of the gap on the lower side of the bellows 61. In addition, the descent of the bellows 61 is regulated. The elevating mechanism for lowering the bellows 61 and the bellows 61, and the step portion 48 formed on the lid 41 and to which the projection 64 of the bellows 61 is engaged constitute a blocking mechanism.

続いてレジスト液貯留部4にレジスト液を供給するレジスト供給系について説明する。レジスト供給系400Aは、図11に示すように補充用貯留部であるメインタンク410からレジスト液貯留部4にレジスト液を供給する処理液供給路の一部を構成するレジスト液供給管401を備え、レジスト液供給管401には、レジスト液をろ過して異物を除去するためのフィルタ402及びチューブバルブ403が上流側からこの順に設けられている。   Subsequently, a resist supply system for supplying the resist solution to the resist solution reservoir 4 will be described. As shown in FIG. 11, the resist supply system 400A includes a resist solution supply pipe 401 which constitutes a part of a processing solution supply path for supplying a resist solution to the resist solution storage unit 4 from the main tank 410 which is a replenishment storage unit. In the resist solution supply pipe 401, a filter 402 and a tube valve 403 for filtering the resist solution to remove foreign matter are provided in this order from the upstream side.

またフィルタ402の二次側であってチューブバルブ403の一次側の部位からは戻り流路をなす戻り管路404が分岐され、この戻り管路404はフィルタ402の一次側に接続されている。戻り管路404の途中には、例えばベアリングレスポンプなどのポンプ405が介設されている。メインタンク410の上部には、不活性ガス例えば図示しない窒素(N)ガスの供給源と接続された気体供給管路407が設けられている。なお図11中のV401、V404、V405はバルブである。またV407はメインタンク410に供給されるNガスを給断するためのバルブである。 Further, a return pipe 404 which is a return flow path is branched from a portion on the primary side of the tube valve 403 on the secondary side of the filter 402, and the return pipe 404 is connected to the primary side of the filter 402. A pump 405 such as, for example, a bearingless pump is interposed in the middle of the return conduit 404. Above the main tank 410, a gas supply line 407 connected to a supply source of an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas not shown is provided. V401, V404, and V405 in FIG. 11 are valves. Further, V 407 is a valve for supplying and disconnecting the N 2 gas supplied to the main tank 410.

続いて本体部40を回転させて、開口部42を開閉する回転機構について図12〜図14を参照して説明する。本体部40の側面における本体部40を介して対向する位置には、水平方向に伸び出す水平突片31が設けられ、各水平突片31の下方には、本体部40の側面の形状に沿って湾曲した支持部32が接続されている。支持部32は、下方が台部33に固定されており、台部33は、基台100の表面に形成され、レジスト液貯留部4の中心軸Cを中心とした円周上に配置された環状のガイドレール34に沿って移動できるように構成されている。
一方の支持部32の外周面には、本体部40の周方向に沿ってギアが並べて配置されたギア部35が設けられている。またギア部35のギアに対応するように駆動ギア部36が設けられ、駆動ギア部36は基台100の上面に設けられた回転機構38に回転軸37を介して接続されている。
Subsequently, a rotation mechanism for opening and closing the opening 42 by rotating the main body 40 will be described with reference to FIGS. 12 to 14. Horizontal protrusions 31 extending in the horizontal direction are provided at positions opposite to each other on the side surface of the main body 40 via the main body 40, and below the horizontal protrusions 31 along the shape of the side surface of the main body 40. A curved support portion 32 is connected. The lower part of the support part 32 is fixed to the base part 33, and the base part 33 is formed on the surface of the base 100 and arranged on the circumference of the resist solution storage part 4 around the central axis C. It is configured to be movable along the annular guide rail 34.
On an outer peripheral surface of one of the support portions 32, a gear portion 35 in which gears are arranged in line along the circumferential direction of the main body portion 40 is provided. Further, a drive gear portion 36 is provided to correspond to the gear of the gear portion 35, and the drive gear portion 36 is connected to a rotation mechanism 38 provided on the upper surface of the base 100 via a rotation shaft 37.

また蓋部41の側面には、水平方向に並行して伸び出し、互いに並んで配置された2枚の板状体で構成される突起部29が蓋部41の中心を介して対向する位置に各々設けられている。各突起部29に対応する位置には、基台100から上方に向かって伸びる支柱27が配置され、突起部29の2枚の板状体を、支柱27を挟み、支柱27の上方寄りの位置に設けられた梁部28に係止するように配置することで、蓋部41の高さ位置が固定されると共に蓋部41の鉛直軸周りの回転が規制される。
このような構成により、駆動ギア部36を回転させることにより本体部40の周方向にギア部35が移動し、支持部32がガイドレール34に沿って回転する。これにより本体部40に中心軸Cを中心に回転する力が加わる。この時蓋部41は支柱27により回転が規制されるため、蓋部41が固定された状態で本体部40が鉛直軸周りに回転する。
Further, on the side surface of the lid portion 41, a projection portion 29 which is formed of two plate-like members which extend in parallel in the horizontal direction and which are arranged side by side are opposed to each other through the center of the lid portion 41. Each is provided. A column 27 extending upward from the base 100 is disposed at a position corresponding to each projection 29. The two plate-like members of the projection 29 are held between the column 27 and the position of the column 27 near the upper side By arranging so as to be locked to the beam portion 28 provided on the upper surface of the cover 41, the height position of the cover 41 is fixed and the rotation of the cover 41 around the vertical axis is restricted.
With such a configuration, by rotating the drive gear portion 36, the gear portion 35 moves in the circumferential direction of the main body portion 40, and the support portion 32 rotates along the guide rail 34. As a result, a force rotating about the central axis C is applied to the main body 40. At this time, the rotation of the lid portion 41 is restricted by the columns 27, so that the main body portion 40 rotates around the vertical axis with the lid portion 41 fixed.

また図3に示すように本発明の液処理装置は、洗浄液貯留部(洗浄液タンク)90と乾燥タンク91とを備えている。図14に示すように洗浄液貯留部90は、内部に洗浄液が供給されることを除いて、レジスト液貯留部4とほぼ同様に構成された本体部40と蓋部41とを備えている。なお洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91においてレジスト液貯留部4とほぼ同じ構造の部位については、レジスト液貯留部4と同じ符号を付している。洗浄液貯留部90における本体部40の底面には、本体部40に貯留された洗浄液を排液する排液管43が接続されると共に、本体部40の天井面には、洗浄液を供給する洗浄液供給管92が接続されている。洗浄液供給管92には、洗浄液供給源93が接続されている。洗浄液供給管92は、本体部40の側面を貫通し、本体部に進入したレジスト液ノズル6に向けてレジスト液を吐出するように設けられていてもよい。   Further, as shown in FIG. 3, the liquid processing apparatus of the present invention includes a cleaning liquid storage unit (cleaning liquid tank) 90 and a drying tank 91. As shown in FIG. 14, the cleaning liquid reservoir 90 includes a main body 40 and a lid 41 configured substantially the same as the resist liquid reservoir 4 except that the cleaning liquid is supplied to the inside. The parts of the cleaning liquid storage unit 90 and the drying tank 91 that have substantially the same structure as the resist liquid storage unit 4 are given the same reference numerals as the resist liquid storage unit 4. A drainage pipe 43 for draining the cleaning liquid stored in the main body 40 is connected to the bottom surface of the main body 40 in the cleaning liquid storage 90, and a cleaning liquid is supplied to the ceiling surface of the main body 40 to supply the cleaning liquid. The pipe 92 is connected. A cleaning solution supply source 93 is connected to the cleaning solution supply pipe 92. The cleaning liquid supply pipe 92 may be provided to pierce the side surface of the main body 40 and discharge the resist liquid toward the resist liquid nozzle 6 which has entered the main body.

また乾燥タンク91もレジスト液貯留部4とほぼ同様に構成された本体部40と蓋部41とを備えている。乾燥タンク91の本体部40には、乾燥タンク91内にレジスト液ノズル6が挿入されたときにレジスト液ノズル6の先端に向けて、例えば乾燥空気を吹き付ける乾燥ガスノズル94が設けられていると共に、本体部の底板部には、乾燥タンク91内に零れ落ちた洗浄液を排液する排液管43が接続されている。乾燥ガスノズル94は、例えばガス供給管95を介して乾燥ガス供給源96に接続されている。   The drying tank 91 also has a main body 40 and a lid 41 which are configured substantially the same as the resist solution reservoir 4. The main body 40 of the drying tank 91 is provided with a drying gas nozzle 94 for blowing dry air, for example, toward the tip of the resist solution nozzle 6 when the resist solution nozzle 6 is inserted into the drying tank 91. A drain pipe 43 for draining the cleaning liquid that has fallen into the drying tank 91 is connected to the bottom plate of the main body. The dry gas nozzle 94 is connected to a dry gas supply source 96 via, for example, a gas supply pipe 95.

また洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91においても各々本体部40を鉛直軸周りに回転させる図示しない回転機構が設けられ、本体部40を回転させて蓋部41の孔部46と本体部40の開口部42とを揃えることにより、本体部40の開口部42が開口するように構成されている。洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91の回転機構は、レジスト液貯留部の回転機構と同様に構成すればよい。   A rotating mechanism (not shown) for rotating the main body 40 around the vertical axis is also provided in the cleaning liquid storage 90 and the drying tank 91, and the main body 40 is rotated to open the hole 46 of the lid 41 and the opening of the main body 40. By aligning with the part 42, the opening 42 of the main body 40 is configured to be opened. The rotation mechanism of the cleaning solution storage unit 90 and the drying tank 91 may be configured in the same manner as the rotation mechanism of the resist solution storage unit.

また図3に示すように本発明の液処理装置は、制御部101を備えている。制御部101には、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されたプログラムがインストールされる。インストールされたプログラムは、レジスト塗布モジュール10の各部に制御信号を送信してその動作を制御するように命令(各ステップ)群が組み込まれている。   Further, as shown in FIG. 3, the liquid processing apparatus of the present invention includes a control unit 101. A program stored in a storage medium such as, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), and a memory card is installed in the control unit 101. The installed program incorporates a group of instructions (steps) to transmit control signals to each part of the resist application module 10 to control the operation thereof.

本発明の実施の形態の作用について説明する。先ずウエハWの処理を開始する前に、レジスト液貯留部4にレジスト液を貯留しておく。例えばバルブV407まずメインタンク410にNガスを供給し、メインタンク410内の圧力が高める。さらにチューブバルブ403を閉じた状態でバルブV401、V404、V405を開く。これによりメインタンク410に貯留されているレジスト液がレジスト液供給管401を介してフィルタ402を通過し、戻り管路404に流れ込む。次いでバルブV401を閉じ、ポンプ405を駆動し、レジスト液を循環路に通流させ、フィルタ402を繰り返し通過させて清浄度を高める。 The operation of the embodiment of the present invention will be described. First, before starting processing of the wafer W, the resist solution is stored in the resist solution storage unit 4. For example, valve V 407 first supplies N 2 gas to the main tank 410, and the pressure in the main tank 410 is increased. Further, with the tube valve 403 closed, the valves V401, V404, and V405 are opened. Thereby, the resist solution stored in the main tank 410 passes through the filter 402 via the resist solution supply pipe 401 and flows into the return pipe 404. Then, the valve V401 is closed, the pump 405 is driven, the resist solution is allowed to flow through the circulation path, and the filter 402 is repeatedly passed to increase the cleanliness.

その後バルブV404、V405を閉じ及びバルブV401及びチューブバルブ403を開く。これにより清浄度の高められたレジスト液がレジスト液貯留部4に供給される。この動作を繰り返し、レジスト液を清浄化して順次レジスト液貯留部4に貯留していく。この時レジスト液貯留部4においては、本体部40の開口部42が蓋部41により塞がれた状態となっており、さらに溶剤雰囲気供給管25から溶剤雰囲気が本体部40内に供給された状態で待機している。またレジスト液貯留部4にレジスト液を貯留して待機するときには、チューブバルブ403、V401を閉じV404、V405を開いた状態でポンプ405を駆動しておくことで、レジスト液供給系400A内のレジスト液に液流を形成しておく。これによりレジスト液中の成分の析出によるパーティクルの発生を抑制する。   Thereafter, the valves V404 and V405 are closed and the valve V401 and the tube valve 403 are opened. As a result, the resist solution having a high degree of cleanliness is supplied to the resist solution reservoir 4. This operation is repeated to clean the resist solution and sequentially store it in the resist solution storage unit 4. At this time, in the resist solution storage unit 4, the opening 42 of the main body 40 is closed by the lid 41, and the solvent atmosphere is supplied from the solvent atmosphere supply pipe 25 into the main body 40. I am waiting in the state. In addition, when the resist solution is stored in the resist solution storage unit 4 and kept on standby, the resist in the resist solution supply system 400A is operated by driving the pump 405 with the tube valve 403 and V401 closed and V404 and V405 opened. Make a liquid flow in the liquid. This suppresses the generation of particles due to the precipitation of components in the resist solution.

続いてウエハWへのレジスト供給処理について説明する。例えば被処理基板であるウエハWがスピンチャック21に受け渡されると、次いでノズルユニット5がノズルホルダー8の上方に移動する。さらにノズルユニット5を下降させ、ノズル保持部7により、当該ウエハWに液処理を行うためのレジスト液ノズル6を保持して上昇する。続いてレジスト液ノズル6は洗浄液貯留部90におけるレジスト液ノズル6の洗浄、乾燥タンク91におけるレジスト液ノズル6の乾燥を行う。その後レジスト液ノズル6は、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液を吸引する。洗浄液貯留部90、乾燥タンク91及びレジスト液貯留部4の各々において、本体部40内にノズル部60を進退させる時の動作は、同じであるため、ここでは、レジスト液貯留部4にレジスト液ノズル6を進退させる例について説明する。   Subsequently, a resist supply process to the wafer W will be described. For example, when the wafer W, which is a substrate to be processed, is delivered to the spin chuck 21, the nozzle unit 5 then moves above the nozzle holder 8. The nozzle unit 5 is further lowered, and the nozzle holding unit 7 holds and raises the resist solution nozzle 6 for performing the liquid process on the wafer W. Subsequently, the resist solution nozzle 6 cleans the resist solution nozzle 6 in the cleaning solution reservoir 90 and dries the resist solution nozzle 6 in the drying tank 91. Thereafter, the resist solution nozzle 6 sucks the resist solution stored in the resist solution storage unit 4. In each of the cleaning solution storage unit 90, the drying tank 91, and the resist solution storage unit 4, since the operation when advancing and retracting the nozzle unit 60 in the main body unit 40 is the same, the resist solution in the resist solution storage unit 4 is here An example of advancing and retracting the nozzle 6 will be described.

例えばレジスト液貯留部4においては、図16に示すようにレジスト液ノズル6がレジスト液貯留部4の上方に待機しており、図17に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が揃っておらず、本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との間の角度θ分離間している。
次いで図18に示すようにレジスト液ノズル6を降下させて、ベローズ61の先端の突起部64を段部48に係止させる。これにより孔部46の上方及びノズル部60の先端がベローズ61により密閉された状態になる。この時図19に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が揃っていない状態のままである。
For example, in the resist solution reservoir 4, as shown in FIG. 16, the resist solution nozzle 6 stands by above the resist solution reservoir 4, and as shown in FIG. The positions of the holes 46 are not aligned, and the angle θ between the opening 42 of the main body 40 and the hole 46 of the lid 41 is separated.
Next, as shown in FIG. 18, the resist solution nozzle 6 is lowered, and the projection 64 at the tip of the bellows 61 is engaged with the step 48. As a result, the upper portion of the hole 46 and the tip of the nozzle portion 60 are sealed by the bellows 61. At this time, as shown in FIG. 19, the positions of the opening 42 of the main body 40 and the hole 46 of the lid 41 are not aligned.

続いて図20、図21に示すように本体部40を上方から見て反時計回りに、鉛直軸周りに角度θ回転させる。これにより図21に示すように蓋部41の孔部46と、本体部40の開口部42の位置とを揃える。これによりレジスト液ノズル6のノズル部60の下方に本体部40の開口部42が位置する。
そして図22、図23に示すように蓋部41の孔部46と、本体部40の開口部42の位置とを揃えた状態でノズルユニット5を下降させると、ベローズ61は、先端の突起部64が孔部46の周囲の段部48に係止されているため下降が規制されて縮み、ノズル部60のみがレジスト液貯留部4に進入する。そして例えば吸引部66によりノズル部60を陰圧にして、レジスト液を吸引する。その後レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の外部に退出させるにあたっては、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4に進入させたときと逆の順番で操作を行い、ベローズ61により密閉された状態で開口部42を閉じ、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の外部に退出させる。
Subsequently, as shown in FIGS. 20 and 21, the main body 40 is rotated counterclockwise around the vertical axis by an angle θ as viewed from above. Thereby, as shown in FIG. 21, the positions of the hole 46 of the lid 41 and the opening 42 of the main body 40 are aligned. Thus, the opening 42 of the main body 40 is located below the nozzle 60 of the resist solution nozzle 6.
When the nozzle unit 5 is lowered with the hole 46 of the lid 41 aligned with the position of the opening 42 of the main body 40 as shown in FIGS. Since 64 is engaged with the step 48 around the hole 46, the descent is restricted and contracted, and only the nozzle 60 enters the resist solution reservoir 4. Then, for example, the nozzle unit 60 is made negative pressure by the suction unit 66 to suction the resist solution. Thereafter, when the resist solution nozzle 6 is withdrawn to the outside of the resist solution reservoir 4, the resist solution nozzle 6 is operated in the reverse order to that when the resist solution nozzle 6 is advanced to the resist solution reservoir 4. Then, the opening 42 is closed, and the resist solution nozzle 6 is retracted to the outside of the resist solution reservoir 4.

従って上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6は、まず洗浄液貯留部90の上方に移動し、洗浄液貯留部90に進入する。そして洗浄液貯留部90にて、レジスト液ノズル6に洗浄液を吸引し、続けて吸引した洗浄液を洗浄液貯留部90内に吐出する。この洗浄液の吸引と洗浄液の吐出とを交互に複数回繰り返す。これによりノズル部60に付着していたパーティクル等が洗い流されて除去される。   Therefore, in the above-described embodiment, the resist solution nozzle 6 first moves above the cleaning liquid reservoir 90 and enters the cleaning liquid reservoir 90. Then, the cleaning solution is sucked into the resist solution nozzle 6 in the cleaning solution storage unit 90, and the suctioned cleaning solution is discharged into the cleaning solution storage unit 90. The suction of the cleaning liquid and the discharge of the cleaning liquid are alternately repeated a plurality of times. As a result, particles and the like adhering to the nozzle unit 60 are washed away and removed.

次いでレジスト液ノズル6を乾燥タンク91の上方に移動させ、既述のようにノズル部60を洗浄液貯留部90に挿入したときと同様の操作を行って、ノズル部60を乾燥タンク91の内部に進入させる。そしてノズル部60にエアーを吹き付けて乾燥させる。さらに洗浄液貯留部90からノズル部60を引き抜いたときと同様にノズル部60を乾燥タンク91から引き抜き、さらにベローズ61の突起部64を段部48から引き離す。   Next, the resist solution nozzle 6 is moved to the upper side of the drying tank 91, and the same operation as when the nozzle unit 60 is inserted into the cleaning liquid storage unit 90 as described above is performed to bring the nozzle unit 60 into the drying tank 91. Let in. Then, air is blown to the nozzle unit 60 to dry it. Furthermore, the nozzle portion 60 is pulled out of the drying tank 91 in the same manner as when the nozzle portion 60 is pulled out of the cleaning liquid storage portion 90, and the projection 64 of the bellows 61 is pulled away from the step 48.

続いてレジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の上方に移動させ、既述のようにノズル部60をレジスト液貯留部4に進入させ、ノズル部60の先端をレジスト液に浸す。さらに吸引部66によりレジスト液ノズル6の内部を陰圧にすることにより、レジスト液ノズル6の内部に所定量のレジスト液が吸引される。
その後既述のようにノズルユニット5を上昇させ、ノズル部60をレジスト液貯留部4から引き抜き、さらにノズルユニット5を上昇させて、ベローズ61の突起部64を段部48から引き離す。次いでスピンチャック21に保持されたウエハWの上方に移動させ、例えば回転するウエハWに向けてレジスト液ノズル6内のすべてのレジスト液を吐出して、液処理を行う。
Subsequently, the resist solution nozzle 6 is moved to the upper side of the resist solution storage unit 4, the nozzle unit 60 is made to enter the resist solution storage unit 4 as described above, and the tip of the nozzle unit 60 is immersed in the resist solution. Further, a negative pressure is applied to the inside of the resist solution nozzle 6 by the suction unit 66, whereby a predetermined amount of resist solution is sucked into the resist solution nozzle 6.
Thereafter, as described above, the nozzle unit 5 is raised, the nozzle unit 60 is pulled out from the resist solution storage unit 4, and the nozzle unit 5 is further raised to separate the projection 64 of the bellows 61 from the step 48. Then, the wafer W is moved above the wafer W held by the spin chuck 21 and, for example, all the resist liquid in the resist liquid nozzle 6 is discharged toward the rotating wafer W to perform liquid processing.

さらにレジスト液を吐出した後、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の上方に移動させ、同様にノズル部60をレジスト液貯留部4に挿入して、レジスト液を吸引する。そしてカップモジュール1においては、処理済みのウエハWを搬出し、後続のウエハWをカップモジュール1に受け渡す。続いてレジスト液ノズルをカップモジュール1の上方に移動させ、ウエハWにレジスト液の供給を行う。   Further, after the resist solution is discharged, the resist solution nozzle 6 is moved to the upper side of the resist solution storage unit 4, and similarly, the nozzle unit 60 is inserted into the resist solution storage unit 4 to suck the resist solution. Then, in the cup module 1, the processed wafer W is unloaded, and the subsequent wafer W is delivered to the cup module 1. Subsequently, the resist solution nozzle is moved to the upper side of the cup module 1 to supply the resist solution to the wafer W.

このようにウエハWの処理を行い、例えば当該ロットのウエハWの処理を終えると、ノズルユニット5をノズルホルダー8の上方に移動させ、ノズルユニット5に装着しているレジスト液ノズル6が保持されていた孔部81にて、当該レジスト液ノズル6を取り外す。その後ノズルユニット5は、後続のロットに使用するレジスト液ノズル6を保持し、同様に処理を行う。   When the processing of the wafer W is performed as described above, for example, processing of the wafer W of the lot is completed, the nozzle unit 5 is moved above the nozzle holder 8 and the resist solution nozzle 6 mounted on the nozzle unit 5 is held. At the hole 81, the resist solution nozzle 6 is removed. Thereafter, the nozzle unit 5 holds the resist solution nozzle 6 used for the subsequent lot and performs the same process.

上述の実施の形態によれば、レジスト液ノズル6により、レジスト液貯留部4内のレジスト液を直接吸引し、次いでウエハWに供給するようにしている。そのため中間タンクから、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給すると共にレジスト液ノズル6からレジスト液を吐出するための機器であるディスペンスバルブ等が不要となり、配管に設けられる部品点数を少なくすることができる。従ってレジスト液中のパーティクルの発生を抑制することができ、膜中に取り込まれて欠陥となる、パーティクルを起点としたポリマーの凝集を抑制することができる。またレジスト液を貯留しておく中間タンクであるレジスト液貯留部4から、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給するための配管がなくなることで、配管中のレジスト液の滞留によるレジスト液中の成分の析出のリスクが低減する。   According to the above-described embodiment, the resist solution in the resist solution reservoir 4 is directly suctioned by the resist solution nozzle 6 and then supplied to the wafer W. Therefore, it is unnecessary to supply the resist solution to the resist solution nozzle 6 from the intermediate tank and dispense the dispense valve etc., which is a device for discharging the resist solution from the resist solution nozzle 6, and the number of parts provided in the piping can be reduced. . Accordingly, the generation of particles in the resist solution can be suppressed, and the aggregation of the polymer starting from the particles, which is taken into the film and becomes a defect, can be suppressed. In addition, since there is no pipe for supplying the resist liquid to the resist liquid nozzle 6 from the resist liquid reservoir 4 which is an intermediate tank for storing the resist liquid, the components in the resist liquid due to the retention of the resist liquid in the pipe Risk of precipitation of

そしてレジスト液貯留部4に、本体部40を鉛直軸周りに回転させることにより開閉する開口部42を設けると共に、レジスト液ノズル6にノズル部60の先端部の周囲を囲むようにベローズ61を設けている。これにより蓋部41にベローズの先端を係止させて、レジスト液ノズル6の先端及び孔部46をベローズ61の外気と区画し、開口部42を開閉させることができる。従ってレジスト液貯留部4の内部がレジスト液貯留部4及びベローズ61の外部の雰囲気にさらされず外気へのミストの放出や、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液の変質を防ぐことができる。またミストの飛散を防ぐことができるため、ダウンフローの効かない場所に設けることができる効果がある。   The resist solution reservoir 4 is provided with an opening 42 which is opened and closed by rotating the main body 40 around a vertical axis, and the resist solution nozzle 6 is provided with a bellows 61 so as to surround the tip of the nozzle 60. ing. As a result, the tip of the bellows is locked to the lid 41, and the tip of the resist solution nozzle 6 and the hole 46 are partitioned from the outside air of the bellows 61, and the opening 42 can be opened and closed. Therefore, the inside of the resist solution reservoir 4 can be prevented from being exposed to the atmosphere outside the resist solution reservoir 4 and the bellows 61 without releasing the mist to the outside air and preventing the deterioration of the resist solution stored in the resist solution reservoir 4. . Further, since it is possible to prevent the mist from scattering, there is an effect that it can be provided in a place where the downflow is not effective.

また例えばレジスト液貯留部4のバルブV43を開く。さらにレジスト液貯留部4内にNガスを供給してレジスト液貯留部4内の圧力を高めて、レジスト液を押し流す。さらにレジスト液貯留部4内に洗浄液を供給してレジスト液貯留部4内を洗浄することができる。
また本発明はレジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液がウエハWに供給されるまでに、レジスト液が接触する部材が少なくなる。そのためレジスト液が接触する部材に含まれる成分のレジスト液中への溶出を抑制でき、さらに部品の洗浄の時間を短くすることができる。
Further, for example, the valve V43 of the resist solution reservoir 4 is opened. Furthermore, N 2 gas is supplied into the resist solution storage unit 4 to increase the pressure in the resist solution storage unit 4 and the resist solution is flushed away. Furthermore, the cleaning liquid can be supplied into the resist solution reservoir 4 to clean the inside of the resist solution reservoir 4.
Further, according to the present invention, the number of members in contact with the resist solution decreases until the resist solution stored in the resist solution storage unit 4 is supplied to the wafer W. Therefore, it is possible to suppress the elution of the component contained in the member in contact with the resist solution into the resist solution, and it is possible to shorten the time for cleaning the parts.

またレジスト液をフィルタ402に通過させて清浄化するにあたって、効率よくフィルタ402により不純物を除去するためには、フィルタ402を通過させる時のレジスト液の流速を遅くする必要がある。そのためレジスト液ノズル6と、フィルタ402とが一体的に構成された処理液供給系の場合には、レジスト液の吐出速度となるようにレジスト液を通流させたときにフィルタ402が効率よく不純物を除去できないことがある。上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6と、レジスト液を通流させフィルタリングを行う系とが互いに独立した構成となっている。そのためレジスト液の吐出速度によりフィルタ402による不純物の除去効率が制限されることがない。   Further, when the resist solution is passed through the filter 402 for cleaning, in order to efficiently remove the impurities by the filter 402, it is necessary to slow the flow rate of the resist solution when passing the filter 402. Therefore, in the case of the processing liquid supply system in which the resist liquid nozzle 6 and the filter 402 are integrally configured, the filter 402 efficiently generates impurities when the resist liquid is caused to flow so as to achieve the discharge speed of the resist liquid. Can not be removed. In the above-described embodiment, the resist solution nozzle 6 and the system for passing the resist solution to perform filtering are independent of each other. Therefore, the removal efficiency of impurities by the filter 402 is not limited by the discharge speed of the resist solution.

また複数の液処理部に対して共通の処理液を供給するノズルを設けた構成の場合には、レジスト液ノズル6に処理液供給管を接続して、レジスト液を供給する構成にすると、レジスト液ノズル6が移動するカップモジュール1の位置によって、処理液供給管の撓みや処理液供給管内のレジスト液の移動により、レジスト液ノズル6先端の液量が変動してしまうことがある。本発明の実施の形態によれば、レジスト液ノズル6の先端からレジスト液を吸引して、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給する。そのため、カップモジュール1間において、移動したカップモジュール1の位置に寄らずノズルから吐出する処理液の量の差が生じにくくなる。そのため装置のレイアウトの制限が少なくなる。   Further, in the case of a configuration in which a nozzle for supplying a common processing liquid to a plurality of liquid processing units is provided, if a processing liquid supply pipe is connected to the resist liquid nozzle 6 to supply a resist liquid, the resist Depending on the position of the cup module 1 at which the liquid nozzle 6 moves, the amount of liquid at the tip of the resist liquid nozzle 6 may fluctuate due to the deflection of the processing liquid supply pipe or the movement of the resist liquid in the processing liquid supply pipe. According to the embodiment of the present invention, the resist solution is sucked from the tip of the resist solution nozzle 6 to supply the resist solution to the resist solution nozzle 6. Therefore, it becomes difficult to produce the difference of the quantity of the process liquid discharged from a nozzle regardless of the position of the moved cup module 1 between the cup modules 1. As shown in FIG. This reduces the limitations of the device layout.

またレジスト液ノズル6に吐出する量のレジスト液のみをレジスト液ノズル内に吸引し、レジスト液ノズル6に吸引したすべての量のレジスト液をウエハWに供給することができる。そのためレジスト液ノズル6にレジスト液を送液する配管内のたわみや、バルブを閉じるときの液切れの差によるレジスト液ノズル6の吐出量の差が生じにくくなる効果がある。また本発明は、レジスト液ノズル6の内部に吸引されたレジスト液を例えばカメラにより撮像し、吸引量が所定の量であるかを確認して、ウエハWに吐出するようにしてもよい。さらにダミーディスペンスを行うための配管等を設ける必要がないためスペースを削減できる。   Further, only the amount of resist solution to be discharged to the resist solution nozzle 6 can be sucked into the resist solution nozzle, and all amounts of resist solution sucked to the resist solution nozzle 6 can be supplied to the wafer W. Therefore, there is an effect that the difference in the discharge amount of the resist solution nozzle 6 due to the deflection in the pipe for sending the resist solution to the resist solution nozzle 6 and the difference in the liquid shortage when closing the valve hardly occurs. In the present invention, the resist solution sucked into the resist solution nozzle 6 may be imaged by, for example, a camera, and may be discharged onto the wafer W after confirming whether the suction amount is a predetermined amount. Furthermore, since there is no need to provide piping or the like for performing dummy dispensing, space can be reduced.

また本発明はレジスト液ノズル6をノズルユニット5に着脱自在に構成すると共にノズルホルダー8に吐出容量や材質が異なる複数種のノズルを配置している。そのため、ウエハWのレシピごとに、レジスト液ノズル6を簡単に交換を行うことができる。またレジスト液ノズル6が汚れたときには、速やかに交換することができる。   Further, according to the present invention, the resist solution nozzle 6 is configured to be removable from the nozzle unit 5 and, in addition to the nozzle holder 8, plural types of nozzles having different discharge volumes and different materials are disposed. Therefore, the resist solution nozzle 6 can be easily replaced for each recipe of the wafer W. Also, when the resist solution nozzle 6 becomes dirty, it can be replaced quickly.

また本発明の実施の形態に係る液処理装置は、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液に液流を形成して、パーティクルの析出を抑える液流形成機構を設けるようにしてもよい。例えばレジスト液貯留部4の下方に本体部40を左右に搖動させて液流を形成する搖動機構を設ける。このように構成することで、レジスト液貯留部4にレジスト液を貯留している間に貯留させたレジスト液を搖動させ液流を形成することができるためパーティクルの析出を抑制することができる。また搖動機構に代えて、本体部40内に投入された磁石性の撹拌子を磁力により回転させて液流を形成するスターラーを設けてもよい。   In the liquid processing apparatus according to the embodiment of the present invention, a liquid flow may be formed in the resist liquid stored in the resist liquid storage unit 4 to form a liquid flow forming mechanism that suppresses the deposition of particles. For example, a peristaltic mechanism is provided below the resist solution storage unit 4 to oscillate the main body 40 laterally to form a liquid flow. With this configuration, the resist solution stored in the resist solution storage portion 4 can be shaken to form a liquid flow, and therefore, the deposition of particles can be suppressed. Moreover, it may replace with a peristaltic mechanism and may provide the stirrer which rotates a magnetic stirring element thrown in in the main-body part 40 by magnetic force, and forms a liquid flow.

またノズル保持部7の他の例について説明する。図24に示すように、ノズル保持部7に、ノズルユニット5の前方及び後方に伸びるガイド70に沿って、移動する駆動ガイド部71を前後に並べて設ける。そして、レジスト液ノズル6の基端を前方及び後方から挟み込んで固定するように構成してもよい。   Moreover, the other example of the nozzle holding part 7 is demonstrated. As shown in FIG. 24, in the nozzle holding portion 7, drive guide portions 71 that move along the guides 70 extending forward and backward of the nozzle unit 5 are provided side by side in the front-rear direction. Then, the base end of the resist solution nozzle 6 may be configured to be sandwiched and fixed from the front and the back.

また図25に示すようにノズルユニット5の下面にガス流路65と連通する管状突起部72を設け、管状突起部72をノズル部60の基端側から挿入することにより、管状突起部72の外周と、ノズル部60の内周面との摩擦力により、レジスト液ノズル6がノズルユニット5に保持されるように構成してもよい。さらにこのような構成の場合には、管状突起部72の周囲を囲むように、管状突起部72に挿入されたレジスト液ノズル6を下方に押し下げて、取り外すための押し出し部73ノズルユニット5に突没自在に設ける。このように構成した場合にも同様の効果がある。また図25に示すような管状突起部72をレジスト液ノズル6に挿入し、さらに図24に示すような駆動ガイド部71、あるいは、実施の形態にて示した絞り機構よりレジスト液ノズル6を固定するようにしてもよい。   Further, as shown in FIG. 25, the lower surface of the nozzle unit 5 is provided with a tubular projection 72 communicating with the gas flow passage 65, and the tubular projection 72 is inserted from the proximal end side of the nozzle 60. The resist solution nozzle 6 may be configured to be held by the nozzle unit 5 by the frictional force between the outer periphery and the inner peripheral surface of the nozzle unit 60. Furthermore, in the case of such a configuration, the resist solution nozzle 6 inserted in the tubular projection 72 is pushed downward to project around the periphery of the tubular projection 72, and the nozzle unit 5 protrudes for removal. It's possible to sink it. The same effect is obtained when configured in this way. Further, a tubular projection 72 as shown in FIG. 25 is inserted into the resist solution nozzle 6, and the resist solution nozzle 6 is fixed by the drive guide 71 as shown in FIG. 24 or the throttling mechanism shown in the embodiment. You may do it.

また本発明はレジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液をレジスト液供給管401に戻して清浄度を高めるようにしてもよい。例えば排液管43と共に、戻り管路404におけるポンプ405の二次側に液を戻す配管を設ければよい。このように構成し、例えばレジスト液ノズル6により、レジスト液貯留部4に貯留したレジスト液を吸引し、ウエハWに液処理を行う間に、レジスト液貯留部4に貯留されていたレジスト液を戻り管路404に戻す。その後ポンプ405を駆動してレジスト液を循環させて、繰り返しフィルタ402を通過させ、レジスト液供給管401からレジスト液貯留部4に戻すようにすればよい。またフィルタ402を備えている、備えていないに関わらず、レジスト液をレジスト液供給管401と戻り管路404を循環させ続けることで、滞留によるレジスト液成分の析出を抑制する効果がある。   In the present invention, the resist solution stored in the resist solution storage unit 4 may be returned to the resist solution supply pipe 401 to increase the degree of cleanliness. For example, a pipe for returning the liquid to the secondary side of the pump 405 in the return pipe 404 may be provided together with the drainage pipe 43. The resist solution stored in the resist solution reservoir 4 is suctioned by the resist solution nozzle 6, for example, and the resist solution stored in the resist solution reservoir 4 is processed while the wafer W is processed. It returns to the return line 404. After that, the pump 405 may be driven to circulate the resist solution, and the filter solution may be repeatedly passed, and the resist solution supply pipe 401 may be returned to the resist solution reservoir 4. Further, regardless of whether or not the filter 402 is provided, the resist solution is continuously circulated through the resist solution supply pipe 401 and the return pipe 404, thereby suppressing the deposition of the resist solution component due to the retention.

さらに上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6内にレジスト液を吸引すると共に吐出する吸引吐出機構を構成する配管系と、レジスト液を循環させておく配管系とが、互いに独立した構成となっている。従って、レジスト液ノズル6にレジスト液を充填し、レジスト液ノズル6からレジスト液を吐出する動作と、レジスト液を循環させておく動作と、が互いに干渉せず影響を及ぼしあわず、同時に実行することができる。またレジスト液貯留部4にレジスト液を補充するにあたっては、メインタンク410の気相にNガスを供給して、メインタンク410内の圧力を高めることで、メインタンク410からレジスト液貯留部4にレジスト液を補充することができる。従ってレジスト液貯留部4へのレジスト液補充動作に影響を与えずに、レジスト液供給管401と戻り管路404を循環させ続けることが可能である。従ってレジスト液の吐出吸引動作や、レジスト液貯留部4へのレジスト液の補充の間においてもレジスト液を循環させておくことができ、よりレジスト液中の成分の析出を抑制することができる。 Further, in the above-described embodiment, the piping system constituting the suction and discharge mechanism for sucking and discharging the resist solution into the resist solution nozzle 6 and the piping system for circulating the resist solution are independent of each other. ing. Therefore, the resist solution is filled in the resist solution nozzle 6, and the operation of discharging the resist solution from the resist solution nozzle 6 and the operation of circulating the resist solution do not interfere with each other and are performed simultaneously. be able to. In addition, when replenishing the resist solution to the resist solution storage unit 4, the N 2 gas is supplied to the gas phase of the main tank 410 to increase the pressure in the main tank 410. Can be replenished with the resist solution. Therefore, it is possible to keep circulating the resist solution supply pipe 401 and the return pipe 404 without affecting the resist solution replenishment operation to the resist solution storage part 4. Therefore, the resist solution can be circulated even during the discharge suction operation of the resist solution and the replenishment of the resist solution to the resist solution storage part 4, and the deposition of the component in the resist solution can be further suppressed.

またレジスト液供給系400Aは、循環路を備えていなくてもよい。この場合にもメインタンク410にガスを供給し、内部の圧力を高めてレジスト液貯留部4に供給することができるため。パーティクルの混入を抑制することができる効果がある。
また複数のカップモジュール1を設けた構成において、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91は、各カップモジュール1ごとに設けられていてもよく、あるいはすべてのカップモジュール1に共通するように設けられていてもよい
The resist solution supply system 400A may not have a circulation path. Also in this case, the gas can be supplied to the main tank 410 to increase the internal pressure and supply it to the resist solution reservoir 4. There is an effect that the mixing of particles can be suppressed.
Further, in the configuration in which a plurality of cup modules 1 are provided, the cleaning solution storage unit 90 and the drying tank 91 may be provided for each of the cup modules 1 or provided common to all the cup modules 1 Also good

またベローズ61は、ノズル部60側ではなく、レジスト液貯留部4、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91側の蓋部41の孔部46の周りに設けられていてもよい。この場合には、ノズル部60をベローズ61に挿入し、その後開口部42を開くようにすることで同様の効果を得ることができる。あるいは、ベローズ61は、ノズル部60側及び蓋部41側との両方に設けられていてもよい。この場合にはノズル部60側及び蓋部41側の双方のベローズ同士が係合し、気密になるように構成すればよい。
またシンナーノズル57についても、レジスト液ノズル6を同様の構成とすると共に、液処理装置にレジスト液貯留部4と同様の構成のシンナー貯留部を設けるようにしてもよい。
Further, the bellows 61 may be provided around the hole 46 of the lid 41 on the resist liquid storage 4, the cleaning liquid storage 90, and the drying tank 91 side, not on the nozzle 60 side. In this case, the same effect can be obtained by inserting the nozzle portion 60 into the bellows 61 and opening the opening 42 thereafter. Alternatively, the bellows 61 may be provided on both the nozzle portion 60 side and the lid portion 41 side. In this case, both the bellows on the nozzle portion 60 side and the bellows on the lid portion 41 side may be engaged to be airtight.
In addition, with regard to the thinner nozzle 57, the resist solution nozzle 6 may be configured in the same manner, and a thinner storage portion having the same configuration as the resist solution reservoir 4 may be provided in the liquid processing apparatus.

さらに上述の実施の形態では、図26に示すように各レジスト膜形成処理COTを行う単位ブロックB1〜B4毎にレジスト液供給系400Aが設けられ、各レジスト液供給系400Aに共通のメインタンク410を設けられている。また2層の現像処理DEVを行う単位ブロックB5、B6ごとにレジスト液供給系400Aとほぼ同じ構成の現像液供給系400Bが設けられ、共通の現像液のメインタンク411が設けられている。また各層ごとにメインタンク410、411を設けるようにしてもよい。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 26, the resist solution supply system 400A is provided for each of the unit blocks B1 to B4 for performing each resist film formation process COT, and the main tank 410 common to each resist solution supply system 400A. Is provided. Further, a developing solution supply system 400B having substantially the same configuration as that of the resist solution supply system 400A is provided for each of the unit blocks B5 and B6 performing the developing process DEV of two layers, and a main tank 411 of common developing solution is provided. Further, main tanks 410 and 411 may be provided for each layer.

また図27に示すようにレジスト液貯留部4を加熱する加熱部は、本体部40の周囲に光吸収体490を設け、例えば赤外ランプにより光吸収体に赤外線を照射して、光吸収体を発熱させて、レジスト液貯留部を加熱する構成でも良い。また本体部40の周囲に加熱機構に加えてペルチェなどにより冷却された冷却水を通流させるための冷却管を設けてもよい。   Further, as shown in FIG. 27, the heating unit for heating the resist solution storage unit 4 is provided with a light absorber 490 around the main unit 40, for example, the light absorber is irradiated with infrared light by an infrared lamp Alternatively, the resist solution reservoir may be heated by generating heat. Further, in addition to the heating mechanism, a cooling pipe may be provided around the main body 40 for passing cooling water cooled by a peltier or the like.

またレジスト液貯留部4の開口部42を開閉する開閉機構は、蓋部41を鉛直軸周りに回転させるように構成してもよい。あるいは、開閉機構は、例えば平板をスライドさせて開口部42を塞ぐように構成してもよい。また絞り機構により開口部を開閉するようにしてもよい。例えば図28に示すように図7に示したレジスト液貯留部4における蓋部41を除き、開口部42に絞り機構420を設けて構成する。なお開口部42の周囲には、突起部64を係止するための段部48が形成されている。このような構成において、例えばレジスト液ノズル6によりレジスト液を吸引する前には、レジスト液貯留部4は、レジスト液を貯留し、絞り機構を閉じた状態で待機している。   The opening and closing mechanism for opening and closing the opening 42 of the resist solution reservoir 4 may be configured to rotate the lid 41 around the vertical axis. Alternatively, the opening and closing mechanism may be configured to slide the flat plate, for example, to close the opening 42. Further, the opening may be opened and closed by a diaphragm mechanism. For example, as shown in FIG. 28, except for the cover 41 in the resist solution storage 4 shown in FIG. 7, the aperture mechanism 420 is provided in the opening 42. A step 48 for locking the projection 64 is formed around the opening 42. In such a configuration, for example, before the resist solution is suctioned by the resist solution nozzle 6, the resist solution storage unit 4 stores the resist solution and stands by in a state where the throttling mechanism is closed.

そして図29に示すようにレジスト液ノズル6を下降させて、絞り機構420を閉じた状態で、突起部64を段部48に係止させる。次いで図30に示すように突起部64を段部48に係止させたまま、絞り機構420を開く。その後図31に示すようにレジスト液ノズル6を下降させて、ノズル部60を本体部40内に進入させるように構成すればよい。
このような構成においても同様の効果を得ることができるが、蓋部41と、本体部40と、を相対的に鉛直軸周りに回転させて開口部42を開閉する構成にすることで、開口部42の上方に駆動する機構を配置させる必要がないため、レジスト液貯留部4内に駆動機構により生じるパーティクルが混入するおそれが少なくなる効果が得られる。
Then, as shown in FIG. 29, the resist solution nozzle 6 is lowered, and the projection 64 is engaged with the step 48 in a state where the throttling mechanism 420 is closed. Next, as shown in FIG. 30, the throttling mechanism 420 is opened while the projection 64 is locked to the step 48. Thereafter, as shown in FIG. 31, the resist solution nozzle 6 may be lowered to allow the nozzle portion 60 to enter the main body portion 40.
Although the same effect can be obtained also in such a configuration, the opening 42 is opened and closed by relatively rotating the lid 41 and the main body 40 around the vertical axis. Since there is no need to arrange a mechanism for driving above the portion 42, an effect of reducing the possibility of particles generated by the driving mechanism in the resist solution storage portion 4 can be obtained.

また本発明の実施の形態の他の例に係るノズルユニット5について説明する。図32に示すようにノズルユニット5は、レジスト液ノズル206を備え、レジスト液ノズル206の先端寄りの位置には、レジスト液供給管203の一端が接続されている。レジスト液供給管203の他端側はフィルタ204及びバルブV203をこの順で介してメインボトル401に接続されている。またレジスト液ノズル206におけるレジスト液供給管203の接続位置よりも基端側におけるレジスト液ノズル206の内部には、ピストン202が設けられ、ピストンは、ピストン202を昇降させる昇降機構201が接続されている。このピストンを上昇させることにより、レジスト液ノズル206内が陰圧になると共に、ピストンを下降させることにより、レジスト液ノズル206の先端からレジスト液が吐出される。   Moreover, the nozzle unit 5 which concerns on the other example of embodiment of this invention is demonstrated. As shown in FIG. 32, the nozzle unit 5 includes a resist solution nozzle 206, and one end of a resist solution supply pipe 203 is connected to a position near the tip of the resist solution nozzle 206. The other end of the resist solution supply pipe 203 is connected to the main bottle 401 via a filter 204 and a valve V203 in this order. Further, a piston 202 is provided inside the resist solution nozzle 206 on the base end side of the connection position of the resist solution supply pipe 203 in the resist solution nozzle 206, and the piston is connected with an elevation mechanism 201 for moving the piston 202 up and down. There is. By raising the piston, the inside of the resist solution nozzle 206 becomes negative pressure, and by lowering the piston, the resist solution is discharged from the tip of the resist solution nozzle 206.

またレジスト液ノズル6の先端を覆うように蓋部20が設けられており、蓋部208におけるレジスト液が吐出される方向の面に開閉機構209が設けられ、開閉自在に構成されている。開閉機構209には、絞り機構を用いた構成を採用することができる。なお図中の207がレジスト液ノズル206に吸引された液量を測定するためのカメラである。またレジスト液ノズル206におけるレジスト液供給管203の接続位置よりも先端側にバルブを設けてもよい。   Further, a lid 20 is provided so as to cover the tip of the resist solution nozzle 6, and an opening / closing mechanism 209 is provided on the surface of the lid 208 in the direction in which the resist solution is discharged. The opening / closing mechanism 209 can adopt a configuration using a throttling mechanism. Note that reference numeral 207 in the figure denotes a camera for measuring the amount of liquid sucked into the resist liquid nozzle 206. Further, a valve may be provided on the tip side of the connection position of the resist solution supply pipe 203 in the resist solution nozzle 206.

このように構成し、ピストン202を上昇させてメインタンク410側のレジスト液を吸引してレジスト液ノズル206に供給する。その後レジスト液ノズル206をウエハWの上方に移動させ、開閉機構209を開き、ノズルユニット5を下降させてウエハWにレジスト液を供給する。このように構成することでレジスト液ノズル106にレジスト液を供給するにあたって、ピストン202によりレジスト液を吸引してレジスト液ノズル206にレジスト液を供給することができる。そのためレジスト液供給管203にポンプを設けなくてもよいため、レジスト液中へのパーティクルの混入を抑制することができる。   In this configuration, the piston 202 is raised to suck the resist solution on the main tank 410 side and supply it to the resist solution nozzle 206. Thereafter, the resist solution nozzle 206 is moved above the wafer W, the opening / closing mechanism 209 is opened, and the nozzle unit 5 is lowered to supply the resist solution to the wafer W. With this configuration, when the resist solution is supplied to the resist solution nozzle 106, the resist solution can be sucked by the piston 202 and the resist solution can be supplied to the resist solution nozzle 206. Therefore, since it is not necessary to provide the resist solution supply pipe 203 with a pump, it is possible to suppress the mixing of particles into the resist solution.

1 カップ体
4 レジスト液貯留部
6 レジスト液ノズル
10 レジスト塗布ユニット
40 本体部
41 蓋部
42 開口部
48 段部
60 ノズル部
61 ベローズ
64 突起部
90 洗浄液貯留部
91 乾燥タンク
404 戻り管路
410 メインタンク
Reference Signs List 1 cup body 4 resist solution reservoir 6 resist solution nozzle 10 resist application unit 40 main body 41 lid 42 opening 48 step 48 step 60 nozzle 61 bellows 64 protrusion 90 cleaning fluid reservoir 91 drying tank 404 return pipeline 410 main tank

Claims (8)

基板に対して処理液により液処理を行う装置において、
処理液を貯留し、上面に処理液の取り出し口が設けられた処理液タンクと、
処理液の吸い上げ及び吐出の機能を備えたノズルと、
前記ノズルを、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置との間で移動させるノズル移動機構と、
前記取り出し口を開閉する開閉機構と、
前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構と、を備えたことを特徴とする処理液供給装置。
In an apparatus for processing a substrate with a processing liquid,
A processing solution tank for storing the processing solution and provided with a processing solution outlet on the top surface,
A nozzle having a function of suction and discharge of treatment liquid;
A nozzle moving mechanism for moving the nozzle between a position inserted into the outlet and a position discharged onto the substrate;
An opening and closing mechanism for opening and closing the outlet;
And a blocking mechanism for blocking the inside of the processing liquid tank from the open air when the nozzle is inserted into the takeout port.
前記処理液タンクは、処理液タンクの中心から外れた上面の位置に第1の開口部が形成されているタンク本体と、前記タンク本体の上面側に設けられ、前記第1の開口部と重なったときに当該第1の開口部と共に前記取り出し口を構成する第2の開口部が形成された蓋部と、を備え、
前記開閉機構は、前記タンク本体と蓋部とを、前記第1の開口部及び第2の開口部が互に重なる位置と重ならない位置との間で相対的に回転させるための機構を備えていることを特徴とする請求項1に記載の処理液供給装置。
The processing liquid tank is provided on a tank main body having a first opening at a position of an upper surface off the center of the processing liquid tank, and is provided on the upper surface side of the tank main body, and overlaps the first opening. A lid having a first opening and a second opening forming the take-out port when the second opening is formed;
The opening and closing mechanism includes a mechanism for relatively rotating the tank body and the lid between a position where the first opening and the second opening overlap each other and a position where the first opening and the second opening do not overlap each other. The processing liquid supply apparatus according to claim 1, wherein
前記開閉機構は、前記蓋部を固定する機構と、前記タンク本体を回転させる機構と、を備えたことを特徴とする請求項2記載の処理液供給装置。   The processing liquid supply apparatus according to claim 2, wherein the opening and closing mechanism includes a mechanism for fixing the lid and a mechanism for rotating the tank body. 前記遮断機構は、ノズル及び前記処理液タンクの少なくとも一方に、ノズルが前記取り出し口に挿入されるときに、当該取り出し口を囲むようにかつその上端部がノズルの根本部位に密着するように構成されたべローズ体により構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の処理液供給装置。   The blocking mechanism is configured to surround at least one of the nozzle and the processing liquid tank such that the upper end thereof is in close contact with the root portion of the nozzle when the nozzle is inserted into the outlet. The processing liquid supply apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing liquid supply apparatus is configured by a bellows body. 前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、
前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の液処理装置。
A replenishment storage unit in which the processing liquid to be replenished to the processing liquid tank is stored;
5. A treatment liquid supply passage including a circulation passage provided between the replenishment storage unit and the treatment liquid tank and including a pump unit interposed therein. The liquid processing apparatus as described in a term.
前記処理液貯留部内に貯留された処理液に液流を形成する液流形成機構を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising a liquid flow forming mechanism that forms a liquid flow in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit. 洗浄液を貯留し、上面にノズルが進退する進入口が設けられた洗浄液タンクを備え、
前記ノズル移動機構は、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置と前記進入口との間でノズルを移動させ、
前記ノズルを進入口を介して洗浄液タンクに進入させてノズルを洗浄することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の液処理装置。
It has a cleaning solution tank that stores the cleaning solution and has an entrance on the top side where the nozzle moves back and forth.
The nozzle moving mechanism moves the nozzle between a position inserted into the outlet, a position discharged onto the substrate, and the entrance.
The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the nozzle is made to enter the cleaning liquid tank through the inlet and the nozzle is cleaned.
請求項5に記載の液処理装置を用い、前記ノズルを、前記取り出し口に挿入し、当該ノズルにより処理液タンク内の処理液を吸い上げる吸引工程と、
次いで前記ノズル部から基板に処理液を供給する吐出工程と、
前記補充用貯留部に貯留された処理液を前記流路を介して、前記処理液タンクに補充する補充工程と、
前記処理液を前記ポンプ部により循環路内を循環させる循環工程と、を含み、
前記循環工程は、前記吸引工程、吐出工程及び補充工程の内の少なくとも一つの実行時に重複するように実行されることを特徴とする液処理方法。
A suction process in which the nozzle is inserted into the outlet using the liquid processing apparatus according to claim 5, and the processing liquid in the processing liquid tank is sucked by the nozzle.
Subsequently, a discharge step of supplying a processing liquid to the substrate from the nozzle portion
A replenishing step of replenishing the treatment liquid tank stored in the replenishment storage unit to the treatment liquid tank via the flow path;
And D. a circulating step of circulating the processing solution in a circulation path by the pump unit,
The liquid processing method according to claim 1, wherein the circulating step is performed to overlap at least one of the suction step, the discharging step, and the refilling step.
JP2017230767A 2017-11-30 2017-11-30 Liquid treatment equipment and liquid treatment method Active JP7073691B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230767A JP7073691B2 (en) 2017-11-30 2017-11-30 Liquid treatment equipment and liquid treatment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230767A JP7073691B2 (en) 2017-11-30 2017-11-30 Liquid treatment equipment and liquid treatment method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019102605A true JP2019102605A (en) 2019-06-24
JP7073691B2 JP7073691B2 (en) 2022-05-24

Family

ID=66977160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017230767A Active JP7073691B2 (en) 2017-11-30 2017-11-30 Liquid treatment equipment and liquid treatment method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7073691B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04271867A (en) * 1991-02-28 1992-09-28 Banbuu:Kk High-viscosity fluid packing device
JP4227171B2 (en) * 2003-02-20 2009-02-18 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. Method and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions using a multi-syringe fluid dispensing system
JP4328658B2 (en) * 2004-04-09 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 Coating apparatus and coating method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04271867A (en) * 1991-02-28 1992-09-28 Banbuu:Kk High-viscosity fluid packing device
JP4227171B2 (en) * 2003-02-20 2009-02-18 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. Method and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions using a multi-syringe fluid dispensing system
JP4328658B2 (en) * 2004-04-09 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 Coating apparatus and coating method

Also Published As

Publication number Publication date
JP7073691B2 (en) 2022-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4616007B2 (en) Apparatus and method for delivering fluid from a rotatable delivery arm
US8216390B2 (en) Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
US7431038B2 (en) Wet processing device and wet processing method
US8739729B2 (en) Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same
JP5454407B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5867462B2 (en) Liquid processing equipment
CN108803257B (en) Liquid supply unit, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR102232635B1 (en) Developing apparatus
KR20050008643A (en) Substrate processing device, substrate processing method, and developing device
TWI813112B (en) Substrate treating apparatus and method for the same
KR102593787B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium for computer
TWI395622B (en) Treating liquid supplying unit and substrate treating apparatus and method using the same
KR102357066B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102570394B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102288984B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP2019102605A (en) Liquid processing device and liquid processing method
JP5258999B2 (en) Nozzle cleaning method and apparatus for liquid treatment
KR102606575B1 (en) Liquid supply apparatus, and substrate processing apparatus including the same
KR102616521B1 (en) Substrate processing apparatus, treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
JP6123880B2 (en) Liquid processing equipment
JP2002164278A (en) Coating apparatus
KR102596506B1 (en) A home pot and an apparatus for treating a substrate
KR102347975B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP7324810B2 (en) Degassing apparatus, substrate processing apparatus, and process liquid degassing method
JP7441906B2 (en) Liquid supply equipment and substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20181029

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20211020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220425

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7073691

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150