JP2019101013A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】還元性ガスの存在下で機能するセンサ素子の感度を維持できるガスセンサを提供する。【解決手段】ガスセンサ1は、被測定ガスに含まれる第1ガス成分を第2ガス成分に変換する触媒と、触媒が配置された第1ケーシング2Aとを有する触媒ユニット2と、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の第2ガス成分を検知するセンサ素子3Aと、センサ素子を格納する第2ケーシング3Bとを有するセンサユニット3と、第1ケーシング内の被測定ガスを第2ケーシング内に供給する流通路4と、流通路とは別に設けられると共に、還元性を有し、かつ第1ガス成分及び第2ガス成分とは異なる補助ガスを第2ケーシング内に供給する還元ユニット5と、触媒ユニットとセンサユニットとを加熱する少なくとも1つのヒータ6とを備える。【選択図】図1
Description
本開示は、ガスセンサに関する。
被測定ガス中の特定成分の濃度を測定するガスセンサとして、触媒を用いてガス中の成分を化学変化させた後に、センサ素子によってガス成分濃度を測定するものが公知である(特許文献1参照)。
特許文献1のガスセンサでは、触媒によって測定対象のガス成分を化学変化によってセンサ素子が検知可能な成分に変換すると共に、被測定対象に含まれる雑ガス成分を燃焼等の化学変化によって除去する。
特許文献1のガスセンサでは、金属酸化物半導体からなるセンサ素子が適用されているが、ガスセンサの種別には固体電解質体に電極を設けたセンサ素子、いわゆる固体電解質型のセンサ素子が適用されるものもある。
この固体電解質型のセンサ素子は、還元性ガス共存下において、特に数ppbから数百ppbレベルの極低濃度のNOxを含むガス成分の測定を可能とする感度が得られる。しかし、固体電解質型のセンサ素子は、還元性ガスが減少することで、感度が低下する。
本開示の一局面は、還元性ガスの存在下で機能するセンサ素子の感度を維持できるガスセンサを提供することを目的とする。
本開示の一態様は、被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサは、触媒ユニットと、センサユニットと、流通路と、還元ユニットと、少なくとも1つのヒータと、を備える。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる第1ガス成分を第2ガス成分に変換する触媒と、触媒が配置された第1ケーシングとを有する。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の第2ガス成分を検知するセンサ素子と、センサ素子を格納する第2ケーシングとを有する。流通路は、第1ケーシング内の被測定ガスを第2ケーシング内に供給するように構成される。還元ユニットは、流通路とは別に設けられると共に、還元性を有し、かつ第1ガス成分及び第2ガス成分とは異なる補助ガスを第2ケーシング内に供給するように構成される。少なくとも1つのヒータは、触媒ユニットとセンサユニットとを加熱するように構成される。
このような構成によれば、センサ素子が配置された第2ケーシング内に補助ガスが供給されることで、センサ素子における電極反応が活性化される。その結果、センサ素子の感度を維持できる。
また、還元ユニットが被測定ガスの流通路とは別に設けられるので、補助ガスの供給量の調整がし易い。また、補助ガスの供給源の交換又は追加も比較的容易に行うことができる。
本開示の一態様では、第1ケーシングと第2ケーシングとは隣接して配置されてもよい。流通路は、第1ケーシングと第2ケーシングとを貫通する貫通孔によって構成されてもよい。このような構成によれば、第1ケーシングと第2ケーシングとを連通する配管が不要となるため、ガスセンサのサイズとコストとを低減することができる。
本開示の一態様では、還元ユニットは、加熱により補助ガスを発生させる供給成分と、供給成分を格納するタンクと、補助ガスをタンク内から第2ケーシング内に供給するように構成された補助ガス供給路と、を有してもよい。このような構成によれば、センサ素子を加熱するための熱を利用して、第2ケーシング内に補助ガスを安定して供給することができる。
本開示の一態様では、還元ユニットは、タンク内に配置されると共に、供給成分が含浸した多孔質体をさらに有してもよい。このような構成によれば、補助ガスを容易かつ確実に第2ケーシングに供給でき、かつ還元ユニットの製造及び取り扱いが容易になる。
本開示の一態様では、タンクは、第2ケーシングに螺合された中空状のネジ部を有してもよい。ネジ部の内部空間は、補助ガス供給路を構成してもよい。このような構成によれば、タンクを容易かつ確実に第2ケーシングに取り付けられる。また、タンクの交換が容易に行えるので、メンテナンス性が向上する。さらに、補助ガス供給路がネジ部によって形成されるため、製造コストが低減される。
本開示の一態様では、還元ユニットは、加熱により補助ガスを発生させる固体の供給成分を有してもよい。供給成分は、第2ケーシング内に配置されてもよい。このような構成によっても、センサ素子を加熱するための熱を利用して、容易かつ確実に第2ケーシング内に補助ガスを供給することができる。また、還元ユニットの部品を低減できるので、ガスセンサのサイズとコストとを低減することができる。
本開示の一態様では、第2ケーシングは、還元ユニットに接続されると共に、第2ケーシング内における流通路の開口近傍に補助ガスを供給するように構成された内部供給路を有してもよい。このような構成によれば、補助ガスが第2ケーシング内に拡散する前に被測定ガスと補助ガスとを混合できるので、補助ガスを均質に、かつ安定して被測定ガスに混合できる。
本開示の一態様では、第2ケーシングは、還元ユニットに接続されると共に、流通路内に補助ガスを供給するように構成された内部供給路を有してもよい。このような構成によれば、より安定して補助ガスを被測定ガスに混合できる。
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
[1.第1実施形態]
[1−1.構成]
図1に示すガスセンサ1は、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサ1の測定対象のガス成分としては、窒素酸化物(NOx)、二酸化炭素等が挙げられる。
[1.第1実施形態]
[1−1.構成]
図1に示すガスセンサ1は、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサ1の測定対象のガス成分としては、窒素酸化物(NOx)、二酸化炭素等が挙げられる。
ガスセンサ1は、環境管理、プロセス管理、医療等の分野に使用できる。ガスセンサ1は、特に数ppbから数百ppbレベルの極低濃度のNOxを含むガスの測定、具体的には喘息診断に好適に使用できる。
ガスセンサ1は、図1に示すように、触媒ユニット2と、センサユニット3と、流通路4と、還元ユニット5と、1つのヒータ6と、導入路7と、排出路8と、を備える。
<触媒ユニット>
触媒ユニット2は、被測定ガスGが含む第1ガス成分を化学変化させるための触媒(図示省略)と、触媒が配置された第1ケーシング2Aとを有する。
触媒ユニット2は、被測定ガスGが含む第1ガス成分を化学変化させるための触媒(図示省略)と、触媒が配置された第1ケーシング2Aとを有する。
上記触媒による化学変化には、ある成分を他の成分に変換することや、ある成分を燃焼させることが含まれる。具体的には、上記触媒は、被測定ガスGに含まれる第1ガス成分を第2ガス成分に変換する。また、上記触媒は、ガスセンサ1が濃度を測定しない雑ガス成分を燃焼する。例えば、喘息診断の場合では、上記触媒は、測定対象であるNOをNO2に変換すると共に、COを燃焼させる。つまり、本実施形態では、第1ガス成分はNOであり、第2ガス成分はNO2である。
第1ケーシング2Aには、第1ケーシング2Aの内部空間と外部とをそれぞれ連通する導入口2B及び排出口2Cが設けられている。導入口2Bには、導入路7が接続されている。排出口2Cは、後述する流通路4を構成している。導入口2Bから第1ケーシング2A内に導入された被測定ガスGは、触媒に接触しながら、排出口2Cから第1ケーシング2Aの外(具体的には第2ケーシング3B内)に排出される。
第1ケーシング2Aの材質は特に限定されないが、第1ケーシング2Aは例えばセラミックを主成分とする。ここで、「主成分」とは、80質量%以上含有される成分を意味する。
触媒ユニット2の触媒は、例えば第1ケーシング2Aの内面や、第1ケーシング2A内に配置された基体部に配置されている。触媒ユニット2は、基体部によって形成されたガス流路を有してもよい。
例えば、触媒ユニット2のガス流路は、貫通孔又は切欠きをそれぞれ異なる位置に設けた複数のセラミック基板を積層することで形成されてもよい。各セラミック基板の平面パターンの設計により、立体的なジグザグ状のガス流路、複数の流路が並列に配置されたガス流路等が実現できる。
触媒ユニット2は、例えば、複数のセラミックグリーンシートを重ね合わせて焼成することで基体部を形成し、この基体部に触媒スラリーを注入し、触媒スラリーを乾燥及び焼成することで得られる。また、各セラミック基板に触媒スラリーを塗布又は印刷し、触媒スラリーを乾燥及び焼成した後、ガラス等で複数のセラミック基板を接着してもよい。さらに、ペレット状の多孔質体に触媒を担持させたものを基体部の内部に挿入してもよいし、基体部の内部にテンプレート法によって網目状の多孔質部を形成し、触媒スラリーを注入、乾燥及び焼成してもよい。
触媒ユニット2の触媒は、用途や温度に応じて適宜選択される。触媒としては、例えば白金、ロジウム、金等の貴金属、又は、例えば酸化マンガン、酸化コバルト、酸化錫等の金属酸化物が使用される。
触媒によって、被測定ガスGに含まれる還元性のガスは燃焼し、失われる。そのため、例えば喘息の測定では、触媒ユニット2を通過後の被測定ガスGの成分は、実質的にN2、O2、H2O、CO2、及びNOxのみとなる。
<センサユニット>
センサユニット3は、触媒ユニット2を通過した被測定ガスG中の第2ガス成分を検知するための固体電解質型のセンサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング3Bとを有する。
センサユニット3は、触媒ユニット2を通過した被測定ガスG中の第2ガス成分を検知するための固体電解質型のセンサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング3Bとを有する。
センサ素子3Aは、第2ガス成分と内部の酸素イオンとによる電極反応が生じる混成電位式の素子である。混成電位式のセンサ素子3Aは、公知であるため詳述はしないが、例えば、セラミック基板に積層された酸素イオン伝導性の固体電解質体上に異なる材料からなる2つの電極を設け、これら2つの電極間の電位差をセンサ信号として出力する構成を有する。なお、セラミック基板と固体電解質体との間の熱膨張差に起因する応力を緩和するために、セラミック基板又は固体電解質体に添加物を添加するとよい。
第2ケーシング3Bは、基材部3Cと、蓋部3Dとを有する。
基材部3Cは、センサ素子3Aが配置される底面を有する。また、基材部3Cには、第2ケーシング3Bの内部空間と外部とを連通する導入口3Eが底面に設けられている。センサ素子3Aは、基材部3Cの底面に、例えばガラスや無機系接着剤によって固定されている。基材部3Cの材質は特に限定されないが、基材部3Cは例えばセラミックを主成分とする。
基材部3Cは、センサ素子3Aが配置される底面を有する。また、基材部3Cには、第2ケーシング3Bの内部空間と外部とを連通する導入口3Eが底面に設けられている。センサ素子3Aは、基材部3Cの底面に、例えばガラスや無機系接着剤によって固定されている。基材部3Cの材質は特に限定されないが、基材部3Cは例えばセラミックを主成分とする。
基材部3Cは、その表面又は内部に配置された配線を有する。この配線は、センサ素子3A及びヒータ6と外部回路とを接続するためのものであり、電極パッドを有する。この電極パッドには、センサ素子3A及びヒータ6が、抵抗溶接、ボンディング等によって電気的に接続されている。また、基材部3Cは、外面の一部が第1ケーシング2Aと接合されている。
蓋部3Dは、基材部3Cの底面を覆うように配置されている。換言すれば、蓋部3Dと基材部3Cとによって、センサ素子3Aが配置される内部空間が画定されている。この内部空間を被測定ガスGが通過する。蓋部3Dは、例えばアルミニウム、ステンレス(SUS)等の金属で形成される。基材部3Cと蓋部3Dとは、例えば、無機系接着剤又はガラスによって接着される。
蓋部3Dには、第2ケーシング3Bの内部空間と外部とを連通する排出口3F及びネジ穴3Gが設けられている。排出口3Fには、排出路8が接続されている。ネジ穴3Gの内部にはネジ溝が設けられている。ネジ穴3Gには、後述する還元ユニット5のネジ部5Dが螺合されている。
導入口3E(つまり流通路4)から第2ケーシング3B内に導入された被測定ガスGは、センサ素子3Aに接触しながら、排出口3Fから第2ケーシング3Bの外(具体的にはガスセンサ1の系外)に排出される。
第1ケーシング2Aと第2ケーシング3Bとは、隣接して配置されている。具体的には、第1ケーシング2Aの排出口2Cが設けられた壁と、第2ケーシング3Bの基材部3Cの導入口3Eが設けられた壁(つまりセンサ素子3Aが配置された壁)とが、ガラスや無機系接着剤等によって接合されている。
<流通路>
流通路4は、第1ケーシング2A内の被測定ガスGを、第2ケーシング3B内に供給する。
流通路4は、第1ケーシング2A内の被測定ガスGを、第2ケーシング3B内に供給する。
流通路4は、第1ケーシング2Aの排出口2Cと、第2ケーシング3Bの導入口3Eとが連結されることで構成されている。つまり、流通路4は、第1ケーシング2Aと第2ケーシング3Bとを貫通する貫通孔である。
流通路4の上流側の内面は第1ケーシング2Aで構成され、流通路4の下流側の内面は第2ケーシング3Bによって構成されている。このように、触媒ユニット2とセンサユニット3とは、配管を介さず、直接接続されている。
<還元ユニット>
還元ユニット5は、第2ケーシング3B内に、還元性を有し、かつ第1ガス成分及び第2ガス成分とは異なる補助ガスを供給する。還元ユニット5は、流通路4とは別に設けられている。
還元ユニット5は、第2ケーシング3B内に、還元性を有し、かつ第1ガス成分及び第2ガス成分とは異なる補助ガスを供給する。還元ユニット5は、流通路4とは別に設けられている。
還元ユニット5は、加熱により補助ガスを発生させる供給成分としての化合物と、この化合物を格納するタンク5Aと、上記化合物が含浸した多孔質体5Bと、補助ガスをタンク5A内から第2ケーシング3B内に供給する補助ガス供給路5Cとを有する。
本実施形態では、供給成分としての上記化合物は、ガスセンサ1の非使用時、つまり非加熱状態において液体であり、ヒータ6からの伝熱によって気化し、補助ガスとなる。この化合物としては、例えば、γーブチロラクトン、アセトフェノン等が好適である。
タンク5Aは、上記化合物を格納するための容器である。タンク5Aは、ネジ部5Dを有する。ネジ部5Dは、タンク5Aの内部と外部とに連通する内部空間を有する。ネジ部5Dは、外周にネジ山を有し、第2ケーシング3Bのネジ穴3Gに螺合されている。タンク5Aは、例えばアルミニウム、ステンレス(SUS)等の金属で形成される。
多孔質体5Bは、上記化合物を保持するための部材であり、上記化合物が含浸している。多孔質体5Bは、タンク5Aの内部に配置されている。多孔質体5Bは、例えばセラミックを主成分とする。
補助ガス供給路5Cは、上記化合物から発生した補助ガスをタンク5A内から第2ケーシング3B内に供給する。これにより、ガスセンサ1の使用時における第2ケーシング3B内には、被測定ガスGと補助ガスとが共存する。本実施形態では、ネジ部5Dの内部空間が、補助ガス供給路5Cの一部を構成している。なお、補助ガス供給路5Cは、第2ケーシング3B内のガスの流れにおける上流側、つまり導入口3Eに近づけて配置することが好ましい。
<ヒータ>
ヒータ6は、触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱する。本実施形態では、ヒータ6は、センサ素子3A内に配置されている。つまり、センサ素子3Aとヒータ6とは一体化されている。ヒータ6をセンサ素子3A内に配置することで、触媒ユニット2よりも高温かつ高精度で温度制御を行う必要のあるセンサ素子3Aの温度制御が可能となる。
ヒータ6は、触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱する。本実施形態では、ヒータ6は、センサ素子3A内に配置されている。つまり、センサ素子3Aとヒータ6とは一体化されている。ヒータ6をセンサ素子3A内に配置することで、触媒ユニット2よりも高温かつ高精度で温度制御を行う必要のあるセンサ素子3Aの温度制御が可能となる。
本実施形態では、1つのヒータ6で触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱できるため、ガスセンサ1の消費電力を低減できる。また、ガスセンサ1の構造を簡素化することができる。また、ヒータ6による加熱によって、還元ユニット5において補助ガスを安定して発生させることができる。
ヒータ6は、例えば白金等の金属配線(つまり抵抗)によって構成される。ヒータ6は、第2ケーシング3Bの基材部3Cに形成された配線に電気的に接続され、外部から電力が供給されることで発熱する。
<導入路及び排出路>
導入路7は、触媒ユニット2に被測定ガスGを導入及び供給する。排出路8は、センサユニット3を通過した被測定ガスGを排出する。導入路7及び排出路8は、それぞれ、配管等によって構成される。
導入路7は、触媒ユニット2に被測定ガスGを導入及び供給する。排出路8は、センサユニット3を通過した被測定ガスGを排出する。導入路7及び排出路8は、それぞれ、配管等によって構成される。
導入路7及び排出路8は、例えばステンレス等の金属で構成される。導入路7と第1ケーシング2Aとの接続、及び排出路8と第2ケーシング3Bとの接続には、例えばロウ付けを用いることができる。
[1−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)センサ素子3Aが配置された第2ケーシング3B内に補助ガスが供給されることで、センサ素子3Aにおける電極反応が活性化される。その結果、センサ素子3Aの感度を維持できる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)センサ素子3Aが配置された第2ケーシング3B内に補助ガスが供給されることで、センサ素子3Aにおける電極反応が活性化される。その結果、センサ素子3Aの感度を維持できる。
また、還元ユニット5が流通路4とは別に設けられるので、補助ガスの供給量の調整がし易い。また、補助ガスの供給源である化合物の交換又は追加も比較的容易に行うことができる。
(1b)流通路4が第1ケーシング2Aと第2ケーシング3Bとを貫通する貫通孔によって構成されるため、第1ケーシング2Aと第2ケーシング3Bとを連通する配管が不要となる。その結果、ガスセンサ1のサイズとコストとを低減することができる。
(1c)加熱により補助ガスを発生させる化合物を格納するタンク5Aを用いることで、センサ素子3Aを加熱するための熱を利用して、第2ケーシング3B内に補助ガスを安定して供給することができる。
(1d)タンク5A内に液体状の化合物が含浸した多孔質体5Bを配置することで、補助ガスを容易かつ確実に第2ケーシング3Bに供給でき、かつ還元ユニット5の製造及び取り扱いが容易になる。
(1e)タンク5Aが第2ケーシング3Bにネジ部5Dによって固定されるので、タンク5Aを容易かつ確実に第2ケーシング3Bに取り付けられる。また、タンク5Aの交換が容易に行えるので、メンテナンス性が向上する。さらに、補助ガス供給路5Cがネジ部5Dによって形成されるため、製造コストが低減される。
[2.第2実施形態]
[2−1.構成]
図2に示すガスセンサ11は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
[2−1.構成]
図2に示すガスセンサ11は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
ガスセンサ11は、触媒ユニット2と、センサユニット13と、流通路4と、還元ユニット15と、1つのヒータ6と、導入路7と、排出路8と、を備える。
触媒ユニット2、流通路4、ヒータ6、導入路7、及び排出路8は、図1のガスセンサ1と同じものであるため、同一符号を付して説明を省略する。また、センサユニット13は、蓋部3Dがネジ穴3Gを有していない点を除いて、図1のセンサユニット3と同じものである。
触媒ユニット2、流通路4、ヒータ6、導入路7、及び排出路8は、図1のガスセンサ1と同じものであるため、同一符号を付して説明を省略する。また、センサユニット13は、蓋部3Dがネジ穴3Gを有していない点を除いて、図1のセンサユニット3と同じものである。
還元ユニット15は、加熱により補助ガスを発生させる固体の化合物15A(固体の供給成分である化合物15A)と、化合物15Aを保持する少なくとも1つの保持部15Bとを有する。
化合物15Aは、ヒータ6によってセンサ素子3Aを加熱した際にセンサ素子3Aと共に加熱され、徐々に揮発して補助ガスとなる有機物である。化合物15Aは、ガスセンサ11の非使用時、つまり非加熱状態において揮発しないような蒸気圧を有する。化合物15Aとしては、例えば、受熱することにより補助ガスを発生可能な、フッ素を含有する高分子材料が使用できる。
保持部15Bは、化合物15Aを第2ケーシング3B内に保持している。保持部15Bとしては、例えば板バネ、ネジ等が使用できる。本実施形態では、化合物15Aは、2つの板バネによって、蓋部3Dの内面(つまりセンサ素子3Aと対向する面)に固定されている。
[2−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(2a)センサ素子3Aを加熱するための熱を利用して、容易かつ確実に第2ケーシング3B内に補助ガスを供給することができる。また、図1に示す第1実施形態の還元ユニット5に比して、図2に示す第2実施形態の還元ユニット15は単純な構成であるため、ガスセンサ11のサイズとコストとを第1実施形態のガスセンサ1よりも低減することができる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(2a)センサ素子3Aを加熱するための熱を利用して、容易かつ確実に第2ケーシング3B内に補助ガスを供給することができる。また、図1に示す第1実施形態の還元ユニット5に比して、図2に示す第2実施形態の還元ユニット15は単純な構成であるため、ガスセンサ11のサイズとコストとを第1実施形態のガスセンサ1よりも低減することができる。
[3.第3実施形態]
[3−1.構成]
図3に示すガスセンサ21は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
[3−1.構成]
図3に示すガスセンサ21は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
ガスセンサ21は、触媒ユニット2と、センサユニット23と、流通路4と、還元ユニット25と、1つのヒータ6と、導入路7と、排出路8と、を備える。触媒ユニット2、流通路4、ヒータ6、導入路7、及び排出路8は、図1のガスセンサ1と同じものであるため、同一符号を付して説明を省略する。
<センサユニット>
センサユニット23は、センサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング23Bとを有する。センサ素子3Aは、図1のガスセンサ1と同じものである。第2ケーシング23Bは、基材部23Cと、蓋部23Dと、内部供給路23Hとを有する。
センサユニット23は、センサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング23Bとを有する。センサ素子3Aは、図1のガスセンサ1と同じものである。第2ケーシング23Bは、基材部23Cと、蓋部23Dと、内部供給路23Hとを有する。
基材部23Cは、第2ケーシング23Bの内部空間を形成する凹部23Iを有する。また、基材部23Cには、内部供給路23Hの一部を構成する第1通路231が設けられている。
凹部23Iの底面には、センサ素子3Aが配置されると共に、第2ケーシング23Bの内部空間と外部とを連通する導入口23Eが設けられている。また、凹部23Iの側面には、第1通路231(つまり、内部供給路23H)の出口が設けられている。第1通路231の入口は、基材部23Cの表面に設けられ、後述する第2通路232と接続されている。
蓋部23Dは、基材部23Cの凹部23Iを覆うように配置されている。換言すれば、蓋部23Dと基材部23Cとによって、センサ素子3Aが配置される内部空間が画定されている。この内部空間を被測定ガスGが通過する。
蓋部23Dには、第2ケーシング23Bの内部空間と外部とを連通する排出口23Fと、内部供給路23Hの一部を構成する第2通路232とが設けられている。排出口23Fは、凹部23Iが構成する内部空間と連通する位置に設けられている。排出口23Fには、排出路8が接続されている。
第2通路232は、凹部23Iが構成する内部空間と連通しない位置に設けられている。第2通路232は、蓋部23Dを貫通しており、後述する還元ユニット25の補助ガス供給路25Cと、基材部23Cの第1通路231とに連結されている。
内部供給路23Hは、基材部23Cの第1通路231と蓋部23Dの第2通路232とから構成されている。内部供給路23Hは、還元ユニット25に接続されると共に、第2ケーシング23B内における流通路4の開口(つまり、導入口23E)近傍に補助ガスを供給する。
具体的には、内部供給路23Hは、被測定ガスGの流れ方向において、触媒ユニット2より下流側かつセンサ素子3Aよりも上流側の位置に補助ガスを供給する。つまり、内部供給路23Hの出口は、凹部23I内において、センサ素子3Aに対して流通路4よりも離れた位置に設けられている。
したがって、内部供給路23Hによって還元ユニット25から供給される補助ガスは、流通路4から凹部23I内に供給された被測定ガスGがセンサ素子3Aに到達する前に、被測定ガスGと混合される。
基材部23Cは、センサ素子3Aがガラスや無機系接着剤によって固定される底面を有する形態をなしており、材質は特に限定されないが、例えばセラミックを主成分として構成される。また、蓋部23Dは、例えば、アルミニウム、ステンレス(SUS)等の金属で構成されている。
特に、基材部23Cは、形状の異なる開口を設けた複数のセラミック基板を積層することで形成できる。例えば、基材部23Cは、図4に示す開口S1,S2,S3がそれぞれ設けられた4枚のセラミックグリーンシート101〜104を重ね合わせて焼成することで形成できる。
セラミックグリーンシート101〜104における第1開口S1は、凹部23Iに対応する。第2開口S2は、第1通路231に対応する。第3開口S3は、流通路4に対応する。
基材部23Cと蓋部23Dとは、例えば、無機系接着剤又はガラスによって接着される。また、排出路8と第2ケーシング23Bとの接続には、例えばロウ付けを用いることができる。
<還元ユニット>
還元ユニット25は、加熱により補助ガスを発生させる供給成分としての化合物と、この化合物を格納するタンク25Aと、上記化合物が含浸した多孔質体25Bと、補助ガスをタンク25A内から第2ケーシング3Bの内部供給路23Hに供給する補助ガス供給路25Cとを有する。
還元ユニット25は、加熱により補助ガスを発生させる供給成分としての化合物と、この化合物を格納するタンク25Aと、上記化合物が含浸した多孔質体25Bと、補助ガスをタンク25A内から第2ケーシング3Bの内部供給路23Hに供給する補助ガス供給路25Cとを有する。
タンク25Aは、ネジ部5Dを有しない点を除いて、図1のガスセンサ1における還元ユニット5のタンク5Aと同様のものである。多孔質体25Bは、図1の還元ユニット5の多孔質体5Bと同様のものである。補助ガス供給路25Cは、例えば、金属又は樹脂製の管により構成される。
なお、タンク25Aは、第2ケーシング23Bに直接取り付けられていてもよい。例えば、タンク25Aは、図1のタンク5Aと同様のネジ部5Dによって第2ケーシング23Bに螺合されてもよい。
[3−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(3a)内部供給路23Hによって補助ガスが第2ケーシング23B内に拡散する前に被測定ガスGと補助ガスとを混合できるので、補助ガスを均質に、かつ安定して被測定ガスGに混合できる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(3a)内部供給路23Hによって補助ガスが第2ケーシング23B内に拡散する前に被測定ガスGと補助ガスとを混合できるので、補助ガスを均質に、かつ安定して被測定ガスGに混合できる。
[4.第4実施形態]
[4−1.構成]
図5に示すガスセンサ31は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
[4−1.構成]
図5に示すガスセンサ31は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
ガスセンサ31は、触媒ユニット2と、センサユニット33と、流通路4と、還元ユニット25と、1つのヒータ6と、導入路7と、排出路8と、を備える。触媒ユニット2、流通路4、ヒータ6、導入路7、及び排出路8は、図1のガスセンサ1と同じものであり、還元ユニット25は、図3のガスセンサ21と同じものであるため、それぞれ同一符号を付して説明を省略する。
センサユニット33は、センサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング33Bとを有する。センサ素子3Aは、図1のガスセンサ1と同じものである。第2ケーシング33Bは、基材部33Cと、蓋部23Dと、内部供給路33Hとを有する。蓋部23Dは、図3のガスセンサ21と同じものである。
基材部33Cは、第2ケーシング33Bの内部空間を形成する凹部33Iを有する。また、基材部33Cには、内部供給路33Hの一部を構成する第1通路331が設けられている。第1通路331は、流通路4の中間点と、蓋部23Dの第2通路232とに接続されている。
凹部33Iの底面には、センサ素子3Aが配置されている。さらに、凹部33Iの側面には、第2ケーシング33Bの内部空間と外部とを連通する導入口33Eが設けられている。
内部供給路33Hは、基材部33Cの第1通路331と蓋部23Dの第2通路232とから構成されている。内部供給路33Hは、還元ユニット25に接続されると共に、流通路4内に補助ガスを供給する。
内部供給路33Hによって還元ユニット25から供給される補助ガスは、流通路4において被測定ガスGと混合され、その後、導入口33Eから第2ケーシング33B内に被測定ガスGと共に供給される。
基材部33Cは、センサ素子3Aがガラスや無機系接着剤によって固定される底面を有する形態をなしており、材質は特に限定されないが、例えばセラミックを主成分として構成される。特に、基材部33Cは、形状の異なる開口を設けた複数のセラミック基板を積層することで形成できる。例えば、基材部33Cは、図6に示す開口S1,S2,S3がそれぞれ設けられた4枚のセラミックグリーンシート201〜204を重ね合わせて焼成することで形成できる。
セラミックグリーンシート201〜204における第1開口S1は、凹部33Iに対応する。第2開口S2は、第1通路331に対応する。第3開口S3は、流通路4に対応する。
[4−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(4a)流通路4が内部供給路33Hに接続されることで、より安定して補助ガスを被測定ガスに混合できる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(4a)流通路4が内部供給路33Hに接続されることで、より安定して補助ガスを被測定ガスに混合できる。
[5.他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
(5a)上記実施形態のガスセンサ1,11,21において、第1ケーシング2Aと第2ケーシング3B,23Bとは、必ずしも隣接して配置されなくてもよい。また、第1ケーシング2Aと第2ケーシング3B,23Bとを配管で接続してもよい。つまり、流通路4を第1ケーシング2A及び第2ケーシング3B,23Bの外部に設けられた配管で構成してもよい。
(5b)上記実施形態のガスセンサ1,21,31において、還元ユニット5,25のタンク5A,25A内に、加熱により補助ガスを発生させる固体の供給成分である化合物15Aを配置してもよい。
また、上記実施形態のガスセンサ1において、タンク5Aは、ネジ部5Dを必ずしも有する必要はなく、ネジ以外の方法で第2ケーシング3Bに固定されてもよい。補助ガス供給路5Cは、ネジ部5Dとは別に設けられた配管で構成されてもよい。
さらに、上記実施形態のガスセンサ1,21,31において、図7に示すように、加熱により補助ガスを発生させる固体の化合物(例えば、フッ素ゴム、フルオロエラストマー等のフッ素を含有する高分子材料)35Aと、センサユニット3に接続された配管35Cとを有する還元ユニット35を用いてもよい。還元ユニット35では、化合物35Aは、配管35C内に栓として挿入されている。
(5c)上記実施形態のガスセンサ11において、第2ケーシング3B内に液体の化合物を配置してもよい。この場合、図1のガスセンサ1の多孔質体5Bを第2ケーシング3B内に配置してもよい。
(5d)上記実施形態のガスセンサにおいて、ヒータ6は、センサ素子3Aと基材部3C,23C,33Cとの間、第2ケーシング3B,23B,33Bの壁の内部、第1ケーシング2Aの壁の内部、又は第1ケーシング2Aの内側に配置されてもよい。また、ガスセンサは、触媒ユニット2を加熱する第1ヒータと、センサユニット3,13,23,33を加熱する第2ヒータとを備えてもよい。
(5e)上記実施形態のガスセンサ1,11において、第1ケーシング2A及び第2ケーシング3Bは、それぞれ配管によって構成されてもよい。つまり、触媒及びセンサ素子3Aは、それぞれ配管の内部に配置されてもよい。
(5f)上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
1,11,21,31…ガスセンサ、2…触媒ユニット、2A…第1ケーシング、
2B…導入口、2C…排出口、3,13,23,33…センサユニット、
3A…センサ素子、3B,23B,33B…第2ケーシング、
3C,23C,33C…基材部、3D,23D…蓋部、
3E,23E,33E…導入口、3F,23F…排出口、3G…ネジ穴、4…流通路、
5,15,25,35…還元ユニット、5A,25A…タンク、
5B,25B…多孔質体、5C,25C,35C…補助ガス供給路、5D…ネジ部、
6…ヒータ、7…導入路、8…排出路、15A,35A…化合物、15B…保持部、
23H,33H…内部供給路、23I,33I…凹部、231,331…第1通路、
232…第2通路。
2B…導入口、2C…排出口、3,13,23,33…センサユニット、
3A…センサ素子、3B,23B,33B…第2ケーシング、
3C,23C,33C…基材部、3D,23D…蓋部、
3E,23E,33E…導入口、3F,23F…排出口、3G…ネジ穴、4…流通路、
5,15,25,35…還元ユニット、5A,25A…タンク、
5B,25B…多孔質体、5C,25C,35C…補助ガス供給路、5D…ネジ部、
6…ヒータ、7…導入路、8…排出路、15A,35A…化合物、15B…保持部、
23H,33H…内部供給路、23I,33I…凹部、231,331…第1通路、
232…第2通路。
Claims (8)
- 被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサであって、
被測定ガスに含まれる第1ガス成分を第2ガス成分に変換する触媒と、前記触媒が配置された第1ケーシングとを有する触媒ユニットと、
前記触媒ユニットを通過した前記被測定ガス中の前記第2ガス成分を検知するセンサ素子と、前記センサ素子を格納する第2ケーシングとを有するセンサユニットと、
前記第1ケーシング内の前記被測定ガスを前記第2ケーシング内に供給するように構成された流通路と、
前記流通路とは別に設けられると共に、還元性を有し、かつ前記第1ガス成分及び前記第2ガス成分とは異なる補助ガスを前記第2ケーシング内に供給するように構成された還元ユニットと、
前記触媒ユニットと前記センサユニットとを加熱するように構成された少なくとも1つのヒータと、
を備える、ガスセンサ。 - 前記第1ケーシングと前記第2ケーシングとは隣接して配置され、
前記流通路は、前記第1ケーシングと前記第2ケーシングとを貫通する貫通孔によって構成される、請求項1に記載のガスセンサ。 - 前記還元ユニットは、
加熱により前記補助ガスを発生させる供給成分と、
前記供給成分を格納するタンクと、
前記補助ガスを前記タンク内から前記第2ケーシング内に供給するように構成された補助ガス供給路と、
を有する、請求項1又は請求項2に記載のガスセンサ。 - 前記還元ユニットは、前記タンク内に配置されると共に、前記供給成分が含浸した多孔質体をさらに有する、請求項3記載のガスセンサ。
- 前記タンクは、前記第2ケーシングに螺合された中空状のネジ部を有し、
前記ネジ部の内部空間は、前記補助ガス供給路を構成する、請求項3又は請求項4に記載のガスセンサ。 - 前記還元ユニットは、加熱により前記補助ガスを発生させる固体の供給成分を有し、
前記供給成分は、前記第2ケーシング内に配置される、請求項1又は請求項2に記載のガスセンサ。 - 前記第2ケーシングは、前記還元ユニットに接続されると共に、前記第2ケーシング内における前記流通路の開口近傍に前記補助ガスを供給するように構成された内部供給路を有する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記第2ケーシングは、前記還元ユニットに接続されると共に、前記流通路内に前記補助ガスを供給するように構成された内部供給路を有する、請求項2に記載のガスセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017231607 | 2017-12-01 | ||
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JP2018115307A Pending JP2019101013A (ja) | 2017-12-01 | 2018-06-18 | ガスセンサ |
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JP (1) | JP2019101013A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019235174A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 触媒ユニット及び呼気センサ |
-
2018
- 2018-06-18 JP JP2018115307A patent/JP2019101013A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2019235174A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 触媒ユニット及び呼気センサ |
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