JP2019096853A - Ｌｅｄチップ及びそのｌｅｄチップが適用されたｌｅｄモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】ＬＥＤモジュールを提供する。【解決手段】本発明のＬＥＤモジュールは、電極を含むマウント基板と、半導体積層構造、半導体積層構造の外表面を覆うパッシベーション層、及びパッシベーション層に形成された開口部を介して半導体積層構造の外表面に連結された電極パッドを含むＬＥＤチップと、電極パッドと電極とを連結し、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは金属）材料で形成されたソルダーバンプと、を備え、電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディー及びマルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーを含み、コンタクトボディーは、開口部の外表面側でパッシベーション層に接触する表面コンタクトパート及び開口部を介して半導体積層構造に接触するオーミックコンタクトパートを含み、パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートにより、ソルダーバンプのＳｎ成分が開口部を介してオーミックコンタクトパートに到逹することを遮断する。【選択図】図４

Description

本発明は、ＬＥＤチップ及びそのＬＥＤチップが適用されたＬＥＤモジュールに関し、より詳しくは、ＬＥＤチップの電極パッドを構成する金属成分とソルダーを構成する金属成分との間の結合力を強化させ、半導体層と金属層との間のオーミック接合力を強化させるＬＥＤモジュールに関する。
ＬＥＤモジュールは、マウント基板と、そのマウント基板上に実装されたＬＥＤチップとを含む。このようなＬＥＤモジュールとしては、ＬＥＤチップに形成された電極パッドとマウント基板上の電極パターンとの間にソルダーを介在させることによってこれらを連結するタイプのＬＥＤモジュールがある。また、このようなタイプのＬＥＤモジュールには、互いに異なる極性を有する一対の電極パッドが全てソルダーバンプによってマウント基板の一対の電極パターンに連結されるフリップチップ型ＬＥＤチップを用いるもの、又は、底面に備えられた一つの電極パッドがソルダーによってマウント基板の電極パターンに連結され、上面に他の極性を有する電極パッドが備えられるバーチカル型ＬＥＤチップを用いるものがある。
図１は、ＬＥＤチップに備えられた電極パッドとマウント基板上の電極パターンとをソルダーで連結した構造の従来技術の一例を示す図である。図１を参照すると、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む半導体積層構造１の上端面及び／又は側壁面を覆うようにパッシベーション層３が形成され、パッシベーション層３には、半導体積層構造１の表面のうち、第１導電型半導体層の表面又は第２導電型半導体層の表面を部分的に露出させる開口部３ａが形成され、この開口部３ａを介して半導体積層構造１の表面に電極パッド４が形成される。電極パッド４は、開口部３ａの内側で半導体積層構造１に接するパッド胴体４ａの基底面にオーミックコンタクト層４ｂを備える。ソルダーペーストによって形成されたソルダーバンプ５は、電極パッド４とマウント基板６上の電極パターン６ａとの間を連結する。ソルダーバンプ５は、電極パッド４の先端部の表面のみならず、電極パッド４の側面を覆うようになる。ソルダーバンプは、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｕ系合金などのように共通的にＳｎを含むソルダーペーストによって形成され、電極パッド４は、パッド胴体４ａの先端部の表面がソルダーに対する接合力及び酸化防止性の良いＡｕで形成され、全体の厚さの４０％以上がＡｕ層で構成されている。
しかし、従来技術は、電極パッド内のＡｕ層のＡｕの含量が一定以上である場合、図２の（ａ）に示す写真のように正常に見えるボンディング状態とは異なり、図２の（ｂ）に示す写真の矢印で示すように、ソルダーを構成するＳｎ成分と電極パッドを構成するＡｕ成分との不要な結合によって不純物が発生し、これは、電極パッドとマウント基板の電極パターンとの結合力を低下させる原因となり、結果的に、微点灯又は弱点灯などの製品不良の原因となる。
特に、化学結合が少ないほど有利な電極パッド４の側面において、ソルダーのＳｎ成分とＡｕ成分との間の化学結合が電極パッド４の内側に比べて過度に多くなり、信頼性を低下させる。これにより、電極パッド４がマウント基板の電極パターンから剥離（Ｐｅｅｌｉｎｇ）されるなどの問題が発生すると、点灯しない場合がある。また、ソルダーバンプ５の形成時、ソルダー材料が上述した開口部３ａ内に入り込み、オーミックコンタクト層４ｂの性能を低下させる。特に、ＧａＡｓ系列ＬＥＤチップの場合、電極パッドの基底面側のオーミックコンタクト層には、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、ＰｄＧｅＡｕなどのようにＡｕ成分を含む合金材料が用いられるが、ソルダーのＳｎ成分が上述した開口部３ａを介してオーミックコンタクト層がある領域まで浸透し、ＡｕとＳｎとの化学結合により、オーミックコンタクト層４ｂの電気的特性を低下させるおそれが高い。
図３は、従来技術の問題を示す写真図であり、電極パッドの基底面側のオーミックコンタクト層に浸透したＳｎによって生じた金属化合物が観察される顕微鏡写真である。
特開２００６−１２１０８４号公報 特開２００６−３５２０６１号公報
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ＬＥＤチップの電極パッドを構成する金属成分とソルダーを構成する金属成分との間の結合力を強化させ、半導体層と金属層との間のオーミック接合力を強化させたＬＥＤチップ及びＬＥＤモジュールを提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるＬＥＤチップは、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の一領域上に形成された活性層、及び前記活性層上に形成された第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の外表面を覆うように形成され、第１開口部及び第２開口部を含むパッシベーション層と、前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に連結された第１電極パッドと、前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に連結された第２電極パッドと、を備え、前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、それぞれ複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーとを含み、前記第１電極パッドのコンタクトボディーは、前記第１開口部の外表面側で前記パッシベーション層と接触する表面コンタクトパートと、前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートとを含み、前記第２電極パッドのコンタクトボディーは、前記第２開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートと、を含むことを特徴とする。
前記マルチ層ボディーは、互いに異なる金属層が交互に積層された構造を含み得る。
前記表面コンタクトパートは、前記パッシベーション層及び前記オーミックコンタクトパートに接触する共通接触金属層を含み得る。
前記共通接触金属層が前記パッシベーション層に接触する面と、前記共通接触金属層が前記オーミックコンタクトパートに接触する面とは互いに異なる高さにあることが好ましい。
前記オーミックコンタクトパートは、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触するオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含み得る。
前記表面コンタクトパートの末端部にはＡｕ末端層が形成されていることが好ましい。
前記Ａｕ末端層の厚さは１５００Å未満であり、前記Ａｕ末端層の厚さを含むＡｕ層の総厚さは前記マルチ層ボディーの厚さの１５％以下であることが好ましい。
前記マルチ層ボディーは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕで構成されるグループの中から選ばれた２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造を含み得る。
前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記第１開口部又は前記第２開口部の面積の比は０．１〜０．３であることが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるＬＥＤチップは、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の下部面の一部を露出させる開口部を含むパッシベーション層と、前記半導体積層構造の上部面に連結された上部電極パッドと、前記開口部を介して前記半導体積層構造の下部面に連結された下部電極パッドと、を備え、前記下部電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーとを含み、前記コンタクトボディーは、前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、前記開口部を介して前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートとを含むことを特徴とする。
前記マルチ層ボディーは、互いに異なる金属層が交互に積層された構造を含み得る。
前記表面コンタクトパートは、前記パッシベーション層及び前記オーミックコンタクトパートと接触する共通接触金属層を含み得る。
前記共通接触金属層が前記パッシベーション層に接触する面と、前記共通接触金属層が前記オーミックコンタクトパートに接触する面とは互いに異なる高さにあることが好ましい。
前記オーミックコンタクトパートは、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触するオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含み得る。
前記表面コンタクトパートの末端部にはＡｕ末端層が形成されていることが好ましい。
前記Ａｕ末端層の厚さは１５００Å未満であり、前記Ａｕ末端層の厚さを含むＡｕ層の総厚さは前記マルチ層ボディーの厚さの１５％以下であることが好ましい。
前記マルチ層ボディーは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕで構成されるグループの中から選ばれた２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造を含み得る。
前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記第１開口部又は前記第２開口部の面積の比は０．１〜０．３であることが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるＬＥＤモジュールは、電極を含むマウント基板と、半導体積層構造、前記半導体積層構造の外表面を覆うパッシベーション層、及び前記パッシベーション層に形成された開口部を介して前記半導体積層構造の外表面に連結された電極パッドとを含むＬＥＤチップと、前記電極パッドと前記電極とを連結し、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは金属）材料で形成されたソルダーバンプと、を備え、前記電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディー及び前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーを含み、前記コンタクトボディーは、前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパート及び前記開口部を介して前記半導体積層構造に接触するオーミックコンタクトパートを含み、前記パッシベーション層に接触する前記表面コンタクトパートにより、前記ソルダーバンプのＳｎ成分が前記開口部を介して前記オーミックコンタクトパートに到逹することを遮断することを特徴とする。
前記オーミックコンタクトパートは、Ａｕを含む金属化合物を含み得る。
前記オーミックコンタクトパートは、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、ＰｄＧｅＡｕで構成されるグループの中から選ばれた金属化合物で形成されたオーミックコンタクト層を含み得る。
前記半導体積層構造はＧａＡｓ系列半導体層を含み得る。
前記ソルダーバンプは、前記電極パッドの側面を部分的に覆い、前記電極パッドには、２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造が形成され、前記金属積層構造においては、前記ソルダーバンプによって覆われる側面部分にＡｕ層がないことが好ましい。
前記マルチ層ボディーは、Ａｕ末端層と、前記Ａｕ末端層に接する拡散防止層と、前記拡散防止層と接する接着層とを含み得る。
前記拡散防止層はＰｔ層であり、前記接着層はＴｉ層であることが好ましい。
前記マルチ層ボディーはＡｕ末端層を含み、前記Ａｕ末端層と前記オーミックコンタクトパートとの間にＡｌ層とＴｉ層とを交互に積層した金属積層構造を含み、前記Ａｌ層の厚さは前記Ｔｉ層の厚さの２倍以上であることが好ましい。
前記Ａｕ末端層の厚さは、前記金属積層構造内の他の金属層のそれぞれの厚さより小さいことが好ましい。
本発明によれば、ＬＥＤチップの電極パッドを構成する金属成分中のＡｕとソルダーを構成する成分との不要な化学結合でマウント基板の電極パターンとＬＥＤチップとの結合力が低下したり、それによって、ＬＥＤチップが弱く点灯したり、点灯しないことから製品の信頼性が低下するという問題を解決することができる。
ＬＥＤチップに備えられた電極パッドとマウント基板上の電極パターンとをソルダーで連結した構造の従来技術の一例を示す図である。 従来技術の問題を示す写真図であり、（ａ）は正常なボンディング状態を示す写真図であり、（ｂ）は異常なボンディング状態を示す写真図である。 従来技術の問題を示す写真図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップが適用されたＬＥＤモジュールの断面図である。 図４に示すＬＥＤモジュールの第１電極パッド及び第２電極パッドの積層構造の好ましい例を示す概略図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。 本発明の他の実施形態によるバーチカルＬＥＤチップを含むＬＥＤモジュールを示す断面図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。後述する各実施形態は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するための例として提供されるものである。よって、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、他の形態でも具体され得る。また、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜上、誇張して表現する場合がある。明細書全体にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
図４は、本発明の一実施形態によるＬＥＤチップが適用されたＬＥＤモジュールの断面図である。図４を参照すると、本発明の一実施形態によるＬＥＤモジュールは、マウント基板６０と、マウント基板６０上に実装されたＬＥＤチップ１０とを含む。ＬＥＤチップ１０がマウント基板６０上に実装されるとき、ＬＥＤチップ１０の電極パッド（１５、１６）とマウント基板６０の電極（６５、６６）とはソルダーバンプ（７５、７６）によって連結される。
ＬＥＤチップ１０は、半導体積層構造Ｓを基板１１上に含み、半導体積層構造Ｓは、第１導電型半導体層１２の外表面の一領域上に順次形成された活性層１３及び第２導電型半導体層１４を含む。ここで、第１導電型はｎ型又はｐ型であり、第２導電型は第１導電型と反対の導電型としてｐ型又はｎ型である。
半導体積層構造Ｓは、基板１１から最も遠い位置に第２導電型半導体層１４の外表面を有し、第２導電型半導体層１４の外表面から第２導電型半導体層１４と活性層１３との総厚さと、第１導電型半導体層１２の一部の厚さとを含む部分がエッチングなどによって除去されて形成されたグルーブの底面に第１導電型半導体層１２の外表面が露出される。半導体積層構造Ｓの横断面は、このグルーブを基準にして相対的に大きい第１発光部の横断面と、相対的に小さい第２発光部の横断面とに分離される。
本明細書において、「外表面」という用語は、製造工程中に及び／又は製造工程後に、外側に露出する表面のうちの、側面でない上面又は底面である表面を意味するものと定義する。
一方、ＬＥＤチップ１０は、第１導電型半導体層１２の外表面の一領域に、一定の厚さ及び一定の幅を有する第１オーミックコンタクト層１５１１が第１電極パッド１５の一部として形成され、第２導電型半導体層１４の外表面の一領域に、一定の厚さ及び一定の幅を有する第２オーミックコンタクト層１６１１が第２電極パッド１６の一部として形成される。
また、ＬＥＤチップ１０は、基板１１と、半導体積層構造Ｓの外表面及び側面を覆う電気絶縁性のパッシベーション層１７とを含む。第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１は、半導体積層構造Ｓの外表面の一部に直接形成されて存在するので、パッシベーション層１７によって覆われている。
パッシベーション層１７は、第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面を領域的に露出させる第１開口部１７１（図９参照）と、第２オーミックコンタクト層１６１１の外表面を領域的に露出させる第２開口部１７２（図９参照）とを含む。第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面の表面積Ａ１に対する第１開口部１７１（図９参照）の面積ａ１の比と、第２オーミックコンタクト層１６１１の外表面の表面積Ａ２に対する第２開口部１７２（図５）の面積ａ２の比は、下記の式のように表される。
ａ１／Ａ１≒０．１〜０．３、 ａ２／Ａ２≒０．１〜０．３
このとき、電流拡散のために、第１開口部１７１（図９参照）の面積は、第２開口部１７２（図９参照）の面積より大きいことが好ましい。
上述した半導体積層構造ＳがＧａＮ系半導体層で構成された場合、第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、又はＴｉなどが有利に適用される。また、上述した半導体積層構造ＳがＧａＡｓ系半導体層で構成された場合は、第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１には、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、ＰｄＧｅＡｕなどのＡｕ成分を含む含金材料が有利に利用される。
第１電極パッド１５は、複数の金属層を含むマルチ層ボディー１５３と、マルチ層ボディー１５３に連結されたコンタクトボディーとを含み、コンタクトボディーは、第１開口部１７１の外表面側でパッシベーション層１７に接触する表面コンタクトパート１５２と、第１開口部１７１を介して第１導電型半導体層１２に接触するオーミックコンタクトパート１５１とを含む。
マルチ層ボディー１５３は、以下で詳細に説明するように、互いに異なる複数の金属層が交互に積層された構造を含み、表面コンタクトパート１５２は、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１５１に共に接触する共通接触金属層を含む。表面コンタクトパート１５２が一つの金属層からなる場合、表面コンタクトパート１５２と共通接触金属層とは同一のものである。また、表面コンタクトパート１５２が２層以上の金属層を含む場合、表面コンタクトパート１５２には、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１５１に共に接触する共通接触金属層の他に、共通接触金属層とマルチ層ボディー１５３との間に介在する一つ以上の金属層がさらに提供される。
表面コンタクトパート１５２に含まれる共通接触金属層とパッシベーション層とが接触する面は、共通接触金属層とオーミックコンタクトパート１５１とが接触する面とは異なる高さ（第１導電型半導体層１２の外表面に対して）にあり、これは、ＳｉＮで形成されたパッシベーション層１７及び金属で形成されたオーミックコンタクトパート１５１に対する表面コンタクトパート１５２の接合力をさらに高めることができる。
オーミックコンタクトパート１５１は、第１導電型半導体層１２に直接接触する第１オーミックコンタクト層１５１１と、第１オーミックコンタクト層１５１１上に形成されて、第１オーミックコンタクト層１５１１と表面コンタクトパート１５２との間に介在する一つ以上の金属層１５１２とを含む。
このとき、第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面の面積の７０％〜９０％がパッシベーション層１７によって覆われており、パッシベーション層１７に形成された第１開口部１７１（図９参照）によって第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面の面積の１０％〜３０％のみが第１開口部１７１（図９参照）の外側に露出する。そして、表面コンタクトパート１５２は、パッシベーション層１７に接する絶縁性接触領域から突出し、第１開口部１７１（図９参照）を介してオーミックコンタクトパート１５１に接する通電接触領域を含む突起部を含む。従って、絶縁接触領域の内側に通電接触領域が置かれ、絶縁接触領域の表面積が通電接触領域の表面積より大きくなる。このような構成により、第１電極パッド１５は、突起部を備えることによって略「Ｔ」字状の断面を有するようになる。
第２電極パッド１６は、複数の金属層を含むマルチ層ボディー１６３と、マルチ層ボディー１６３に連結されたコンタクトボディーとを含み、コンタクトボディーは、第２開口部１７２の外表面側でパッシベーション層１７に接触する表面コンタクトパート１６２と、第２開口部１７２を介して第２導電型半導体層１４に接触するオーミックコンタクトパート１６１とを含む。
マルチ層ボディー１６３は、以下で詳細に説明するように、互いに異なる複数の金属層が交互に積層された構造を含み、表面コンタクトパート１６２は、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１６１に共に接触する共通接触金属層を含む。表面コンタクトパート１６２が一つの金属層からなる場合、表面コンタクトパート１６２と共通接触金属層とは同一のものである。また、表面コンタクトパート１６２が２層以上の金属層を含む場合、表面コンタクトパート１６２には、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１６１に共に接触する共通接触金属層以外に、共通接触金属層とマルチ層ボディー１６３との間に介在する一つの以上の金属層がさらに提供される。
表面コンタクトパート１６２に含まれる共通接触金属層とパッシベーション層とが接触する面は、共通接触金属層とオーミックコンタクトパート１６１とが接触する面とは異なる高さ（第２導電型半導体層１４の外表面に対して）にあり、これは、ＳｉＮで形成されたパッシベーション層１７及び金属で形成されたオーミックコンタクトパート１６１に対する表面コンタクトパート１６２の接合力をさらに高めることができる。
オーミックコンタクトパート１６１は、第２導電型半導体層１４に直接接触する第２オーミックコンタクト層１６１１と、第２オーミックコンタクト層１６１１上に形成されて、第２オーミックコンタクト層１６１１と表面コンタクトパート１６２との間に介在する一つ以上の金属層１６１２とを含む。
このとき、第２オーミックコンタクト層１６１１の外表面の面積の７０％〜９０％がパッシベーション層１７によって覆われており、パッシベーション層１７に形成された第２開口部１７２（図９参照）によって第２オーミックコンタクト層１６１１の外表面の面積の１０％〜３０％のみが第２開口部１７２（図９参照）の外側に露出する。そして、表面コンタクトパート１６２は、パッシベーション層１７に接する絶縁性接触領域から突出し、第２開口部１７２（図９参照）を介してオーミックコンタクトパート１６１に接する通電接触領域を含む突起部を含む。従って、絶縁接触領域の内側に通電接触領域が置かれ、絶縁接触領域の表面積が通電接触領域の表面積より大きくなる。このような構成により、第２電極パッド１６は、突起部を備えることによって略「Ｔ」字状の断面を有するようになる。
一方、第１ソルダーバンプ７５は、マウント基板６０上の第１電極６５に上述した第１電極パッド１５を連結し、第２ソルダーバンプ７６は、マウント基板６０上の第２電極６６に上述した第２電極パッド１６を連結する。このとき、第１ソルダーバンプ７５及び第２ソルダーバンプ７６のそれぞれは、第１電極パッド１５の末端部の表面及び第２電極パッド１６の末端部の表面に接することはもちろん、圧力によって広がり、第１電極パッド１５の側面及び第２電極パッド１６の側面も覆う。
第１電極パッド１５及び第２電極パッド１６のそれぞれは、第１ソルダーバンプ７５及び第２ソルダーバンプ７６に対する接合力の向上及び酸化防止を目的として、Ａｕをめっき又は蒸着して形成されたＡｕ末端層（１５３９、１６３９）を末端部に備えている。このとき、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）は１５００Å未満の厚さを有する。Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）の厚さが１５００Å以上である場合、ソルダーバンプのＳｎとＡｕ成分との過度な化学結合を引き起こし、これによって、第１電極パッド１５及び第２電極パッド１６の半導体積層構造Ｓに対する結合能力が低下する。従って、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）の厚さは１５００Å未満に管理する。
図５は、図４に示すＬＥＤモジュールの第１電極パッド及び第２電極パッドの積層構造の好ましい例を示す概略図である。図５に示すように、第１電極パッドのマルチ層ボディー１５３は、Ａｕ末端層１５３９と表面コンタクトパート１５２との間に２種以上の金属層を積層して形成された中間金属積層構造を含み、この中間金属積層構造は、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕを含むグループの中から選ばれた２種以上の金属層を積層して形成される。これと同様に、第２電極パッドのマルチ層ボディー１６３は、Ａｕ末端層１６３９と表面コンタクトパート１６２との間に２種以上の金属層を積層して形成された中間金属積層構造を含み、この中間金属積層構造は、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕを含むグループの中から選ばれた２種以上の金属層を積層して形成される。
本実施形態では、第１電極パッド及び第２電極パッドのマルチ層ボディー（１５３、１６３）は、いずれもＡｕ末端層（１５３９、１６３９）と表面コンタクトパート（１５２、１６２）との間の中間金属積層構造内にＡｕ層が含まれないことによって、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｂから選ばれた金属）ソルダーバンプ（７５、７６）（図４参照）が、第１電極パッド１５又は第２電極パッド１６の側面を覆う場合も（図４参照）、そのソルダーバンプのＳｎ成分と、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）以外の金属積層構造内の金属成分との化学結合が発生することを抑制する。また、Ａｕからなる層がＡｕ末端層（１５３９、１６３９）とコンタクトボディーとの間の中間金属積層構造内に含まれる場合も、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）を含むＡｕ層の総厚さが第１マルチ層ボディー１５３又は第２マルチ層ボディー１６３の総厚さの１５％以下に制限されることで、ＡｕとＳｎとの間の化学結合が最小化される。
また、中間金属積層構造内にＡｕ層が含まれる場合、ソルダーバンプが第１電極パッド１５又は第２電極パッド１６の側面を覆う部分を避けて、ソルダーバンプによって覆われない高さの位置にＡｕ層を形成することが好ましい。
第１又は第２電極パッドのマルチ層ボディー（１５３又は１６３）は、ソルダー性を向上させ、酸化防止層としての役割を果たすＡｕ末端層（１５３９、１６３９）に接するＰｔ層（１５３８、１６３８）と、そのＰｔ層（１５３８、１６３８）に接するＴｉ層（１５３７、１６３７）とを含み、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ積層構造は、オーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）から最も遠い位置に備えられることが好ましい。このとき、Ｔｉ層（１５３７、１６３７）は接着層として機能し、Ｐｔ層（１５３８、１６３８）は、ソルダーのＳｎ成分とパッドを構成する金属材料との化学結合を防止する拡散防止層としての役割を果たす。また、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）以外にＡｕ層の利用を排除するか、又はＡｕ層を最小化する代わりに、Ａｌ層とＴｉ層とを交互に積層した金属積層構造をＰｔ層１５３８とオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）との間に介在させる。このとき、Ａｌ層の厚さがＴｉ層の厚さの２倍以上であることが好ましい。オーミックコンタクト層を除いた個別金属層のうち、Ａｕ末端層（１５３９、１６３９）の厚さが最も小さいことが好ましい。
再び図４を参照すると、本実施形態によるＬＥＤモジュールは、第１導電型半導体層１２及び／又は第２導電型半導体層１４の外表面に第１電極パッド１５又は第２電極パッド１６の一部を構成するオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）を先に形成した後、そのオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）と、第１導電型半導体層１２及び第２導電型半導体層１４とを覆うパッシベーション層１７を形成し、その次に、パッシベーション層１７にオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）を露出させる開口部（１５２１、１６２１）を形成し、その開口部（１５２１、１６２１）内でオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）に接する領域と、開口部（１５２１、１６２１）の外表面側でパッシベーション層１７に接する領域とを全て含むように第１電極パッド１５及び第２電極パッド１６の残りの部分を形成し、第１ソルダーバンプ７５及び第２ソルダーバンプ７６でそれぞれ第１電極パッド１５及び第２電極パッド１６をマウント基板６０上の電極に連結する過程でソルダーのＳｎ成分がオーミックコンタクトパート（１５１、１６１）のオーミックコンタクト層（１５１１、１６１１）に到逹する可能性を完全に遮断することができる。
以下、図６〜図１０を参照して、本発明の一実施形態によるＬＥＤモジュールの製造方法を説明する。
ＬＥＤモジュールの製造方法は、大きく分けて、ＬＥＤチップ準備工程と、ソルダーバンプを用いてＬＥＤチップをマウント基板に実装するＬＥＤチップ実装工程とを含む。
図６〜図１０は、本発明の一実施形態によるＬＥＤチップの製造工程を示す断面図である。
ＬＥＤチップ準備工程は、図６〜図１０に示すように、第１導電型半導体層１２、活性層１３、及び第２導電型半導体層１４を順次含み、第１導電型半導体層１２の外表面１２１及び第２導電型半導体層１４の外表面１４１が露出した半導体積層構造を基板１１上に形成する段階（図６に示す）と、第１導電型半導体層１２の外表面の一領域及び前記第２導電型半導体層１４の外表面の一領域のそれぞれに第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１を形成する段階（図７に示す）と、第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１を覆うように半導体積層構造の外表面にパッシベーション層１７を形成する段階（図８に示す）と、第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面を領域的且つ部分的に露出させる第１開口部１７１、及び第２オーミックコンタクト層１６１１の外表面を領域的且つ部分的に露出させる第２開口部１７２を形成する段階（図９に示す）と、第１及び２開口部（１７１、１７２）（図９参照）内で第１オーミックコンタクト層１５１１及び第２オーミックコンタクト層１６１１（図４参照）に接するオーミックコンタクトパートの一部である金属層（１５１２、１６１２）（図４参照）、表面コンタクトパート（１５２、１６２）（図４参照）、及びマルチ層ボディー（１５３、１６３）（図４参照）を含む第１及び第２電極パッド（１５、１６）の残りの部分を形成する段階と、を含む。
以上、フリップチップボンディングによってＬＥＤチップがマウント基板に実装されたＬＥＤモジュールについて主に説明した。
図１１は、本発明の他の実施形態によるバーチカルＬＥＤチップを含むＬＥＤモジュールを示す断面図である。以下、このＬＥＤモジュールについて説明する。
図１１を参照すると、本発明の他の実施形態によるＬＥＤモジュールは、マウント基板６０と、マウント基板６０上に実装されたバーチカル型ＬＥＤチップ１０とを含む。ＬＥＤチップ１０がマウント基板６０上に実装されるとき、ＬＥＤチップ１０の電極パッド１５とマウント基板６０の電極６５とはソルダーバンプ７５によって連結される。
ＬＥＤチップ１０は、第１導電型半導体層１２、活性層１３、及び第２導電型半導体層１４を順次含む半導体積層構造を含む。ここで、第１導電型はｎ型又はｐ型であり、第２導電型は第１導電型と反対の導電型としてｐ型又はｎ型である。
また、半導体積層構造の下部の外表面の一領域には、一定の厚さ及び一定の幅を有する下部オーミックコンタクト層１５１１が下部電極パッド１５の一部として形成され、半導体積層構造Ｓの上部の外表面の一領域には、上部オーミックコンタクト層１６１１が上部電極パッド１６の一部として形成される。
また、ＬＥＤチップ１０は、少なくとも半導体積層構造の下部の外表面を覆う電気絶縁性パッシベーション層１７を含む。下部オーミックコンタクト層１５１１は、半導体積層構造の下部の外表面の一部に直接形成されて存在するので、パッシベーション層１７によって覆われている。
パッシベーション層１７は、下部オーミックコンタクト層１５１１の外表面を領域的に露出させる開口部１７１を含む。下部オーミックコンタクト層１５１１の外表面の表面積Ａに対する開口部１７１の面積ａの比は、以下の式のように表される。
ａ／Ａ≒０．１〜０．３
このとき、電流拡散のために、半導体積層構造は、赤色光を発光するＧａＡｓ系半導体層で構成されることが好ましく、下部オーミックコンタクト層１５１１には、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、ＰｄＧｅＡｕなどのようにＡｕ成分を含む含金材料が有利に利用される。
下部電極パッド１５は、複数の金属層を含むマルチ層ボディー１５３と、マルチ層ボディー１５３に連結されたコンタクトボディーとを含み、コンタクトボディーは、開口部１７１の外表面側でパッシベーション層１７に接触する表面コンタクトパート１５２と、開口部１７１を介して第１導電型半導体層１２に接触するオーミックコンタクトパート１５１とを含む。
マルチ層ボディー１５３は、以下で詳細に説明するように、互いに異なる複数の金属層が交互に積層された構造を含み、表面コンタクトパート１５２は、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１５１に共に接触する共通接触金属層を含む。表面コンタクトパート１５２が一つの金属層からなる場合、表面コンタクトパート１５２と共通接触金属層とは同一のものである。また、表面コンタクトパート１５２が２層以上の金属層を含む場合、表面コンタクトパート１５２には、パッシベーション層１７及びオーミックコンタクトパート１５１に共に接触する共通接触金属層以外にも、共通接触金属層とマルチ層ボディー１５３との間に介在する一つ以上の金属層がさらに提供される。
表面コンタクトパート１５２に含まれる共通接触金属層とパッシベーション層とが接触する面は、共通接触金属層とオーミックコンタクトパート１５１とが接触する面とは異なる高さにあり、これは、ＳｉＮで形成されたパッシベーション層１７及び金属で形成されたオーミックコンタクトパート１５１に対する表面コンタクトパート１５２の接合力をさらに高めることができる。
オーミックコンタクトパート１５１は、第１導電型半導体層１２に直接接触するオーミックコンタクト層１５１１と、オーミックコンタクト層１５１１上に形成されて、オーミックコンタクト層１５１１と表面コンタクトパート１５２との間に介在する一つ以上の金属層１５１２とを含む。
このとき、オーミックコンタクト層１５１１の外表面の面積の７０％〜９０％がパッシベーション層１７によって覆われており、パッシベーション層１７に形成された開口部１７１によって第１オーミックコンタクト層１５１１の外表面の面積の１０％〜３０％のみが開口部１７１の外側に露出する。そして、表面コンタクトパート１５２は、パッシベーション層１７に接する絶縁性接触領域から突出し、開口部１７１を介してオーミックコンタクトパート１５１に接する通電接触領域を含む突起部を含む。従って、絶縁接触領域の内側に通電接触領域が置かれ、絶縁接触領域の表面積が通電接触領域の表面積より大きくなる。このような構成により、第１電極パッド１５は、突起部を備えることによって略「Ｔ」字状の断面を有するようになる。
ソルダーバンプ７５は、マウント基板６０上の電極６５に上述した下部電極パッド１５を連結する。このとき、ソルダーバンプ７５は、下部電極パッド１５の下端部の表面に接することはもちろん、圧力によって広がり、下部電極パッド１５の側面も覆う。
下部電極パッド１５は、ソルダーバンプ７５のソルダーに対するソルダー性の向上及び酸化防止を目的として、Ａｕをめっき又は蒸着して形成されたＡｕ末端層１５３９を電極パッド１５の末端部に備えている。このとき、Ａｕ末端層１５３９は１５００Å未満の厚さを有する。Ａｕ末端層１５３９の厚さが１５００Å以上である場合、ソルダーバンプ７５のＳｎとＡｕ成分との過度な化学結合を引き起こし、これによって、下部電極パッド１５の半導体積層構造に対する結合能力が低下する。従って、Ａｕ末端層１５３９の厚さは１５００Å未満に管理する。
また、下部電極パッド１５は、Ａｕ末端層１５３９と下部オーミックコンタクト層１５１１との間に２種以上の金属層を積層して形成された中間金属積層構造を含み、この中間金属積層構造は、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕを含むグループの中から選ばれた２種以上の金属層を積層して形成される。Ａｕ末端層１５３９と下部オーミックコンタクト層１５１１との間のマルチ層ボディー１５３は、Ａｕ層を含んでいないか又はＡｕ層の総厚さがマルチ層ボディー１５３の総厚さの１５％以下に制限されるので、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｂの中から選ばれた金属）ソルダーバンプが下部電極パッド１５の側面を覆う場合でも、そのソルダーバンプのＳｎ成分と、Ａｕ末端層１５３９以外の金属積層構造内の金属成分との化学結合がほとんど発生しない。
上述した本発明による電極パッドを含むＧａＡｓ系列ＬＥＤチップをＳｎ−Ｍ（ここで、Ｍは、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｂの中から選ばれた金属）ソルダーペーストを用いてマウント基板に実装するとき、電極パッドの一部として適用されるオーミックコンタクト層は、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、ＰｄＧｅＡｕからなるグループの中から選ばれた金属化合物を少なくとも１層以上含む。このとき、オーミックコンタクト層を形成するために、互いに異なる単一の金属成分を含む２個以上の層を数ｎｍ〜数百ｎｍの厚さで積層した後、積層金属成分に応じて約１７０℃〜４３０℃に急速アニーリング熱処理を行い、上述した金属化合物からなるオーミックコンタクト層を形成する。下部電極パッド１５の構成は、上述した実施形態の第１電極パッドの構成と同一であるので説明を省略する。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
１、Ｓ 半導体積層構造
３、１７ パッシベーション層
３ａ、１５２１、１６２１ 開口部
４、１６ 電極パッド
４ａ パッド胴体
４ｂ オーミックコンタクト層
５ ソルダーバンプ
６、６０ マウント基板
６ａ 電極パターン
１０ ＬＥＤチップ
１１ 基板
１２ 第１導電型半導体層
１３ 活性層
１４ 第２導電型半導体層
１５ （第１／下部）電極パッド
１６ （第２／上部）電極パッド
６５ （第１）電極
６６ （第２）電極
７５ （第１）ソルダーバンプ
７６ （第２）ソルダーバンプ
１２１、１４１ 外表面
１５１、１６１ オーミックコンタクトパート
１５２、１６２ 表面コンタクトパート
１５３ （第１）マルチ層ボディー
１６３ （第２）マルチ層ボディー
１７１ （第１）開口部
１７２ （第２）開口部
１５１１ （第１／下部）オーミックコンタクト層
１５１２、１６１２ 金属層
１５３７、１６３７ Ｔｉ層
１５３８、１６３８ Ｐｔ層
１５３９、１６３９ Ａｕ末端層
１６１１ （第２／上部）オーミックコンタクト層
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるＬＥＤチップは、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の一領域上に形成された活性層、及び前記活性層上に形成された第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の外表面を覆うように形成され、第１開口部及び第２開口部を含むパッシベーション層と、前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に連結された第１電極パッドと、前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に連結された第２電極パッドと、を備え、前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、それぞれ複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーとを含み、前記第１電極パッドのコンタクトボディーは、前記第１開口部の外表面側で前記パッシベーション層と接触する表面コンタクトパートと、前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートとを含み、前記第２電極パッドのコンタクトボディーは、前記第２開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートと、を含み、前記オーミックコンタクトパートは、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触してＡｕを含むオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含み、前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記第１開口部又は前記第２開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする。
前記第１開口部の面積は前記第２口部の面積より大きいことが好ましい。
前記マルチ層ボディーには、Ａｕ末端層が形成されていることが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるＬＥＤチップは、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の下部面の一部を露出させる開口部を含むパッシベーション層と、前記半導体積層構造の上部面に連結された上部電極パッドと、前記開口部を介して前記半導体積層構造の下部面に連結された下部電極パッドと、を備え、前記下部電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーとを含み、前記コンタクトボディーは、前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、前記開口部を介して前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートとを含み、前記オーミックコンタクトパートは、前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触してＡｕを含むオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含み、
前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする。
前記マルチ層ボディーには、Ａｕ末端層が形成されていることが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるＬＥＤモジュールは、電極を含むマウント基板と、半導体積層構造、前記半導体積層構造の外表面を覆うパッシベーション層、及び前記パッシベーション層に形成された開口部を介して前記半導体積層構造の外表面に連結された電極パッドとを含むＬＥＤチップと、前記電極パッドと前記電極とを連結し、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは金属）材料で形成されたソルダーバンプと、を備え、前記電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディー及び前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーを含み、前記コンタクトボディーは、前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパート及び前記開口部を介して前記半導体積層構造に接触するオーミックコンタクトパートを含み、前記パッシベーション層に接触する前記表面コンタクトパートにより、前記ソルダーバンプのＳｎ成分が前記開口部を介して前記オーミックコンタクトパートに到逹することを遮断し、前記オーミックコンタクトパートは、前記半導体積層構造に直接接触してＡｕを含むオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含み、前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする。

Claims (30)

  1. 第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の一領域上に形成された活性層、及び前記活性層上に形成された第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、
    前記半導体積層構造の外表面を覆うように形成され、第１開口部及び第２開口部を含むパッシベーション層と、
    前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に連結された第１電極パッドと、
    前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に連結された第２電極パッドと、を備え、
    前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、それぞれ
    複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、
    前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーと、を含み、
    前記第１電極パッドのコンタクトボディーは、
    前記第１開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、
    前記第１開口部を介して前記第１導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートと、を含み、
    前記第２電極パッドのコンタクトボディーは、
    前記第２開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、
    前記第２開口部を介して前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートと、を含むことを特徴とするＬＥＤチップ。
  2. 前記マルチ層ボディーは、互いに異なる金属層が交互に積層された構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップ。
  3. 前記表面コンタクトパートは、前記パッシベーション層及び前記オーミックコンタクトパートに接触する共通接触金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップ。
  4. 前記共通接触金属層と前記パッシベーション層とが接触する面と、前記共通接触金属層と前記オーミックコンタクトパートとが接触する面とは互いに異なる高さにあることを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤチップ。
  5. 前記オーミックコンタクトパートは、
    前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触するオーミックコンタクト層と、
    前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層とを含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップ。
  6. 前記表面コンタクトパートの末端部には、Ａｕ末端層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップ。
  7. 前記Ａｕ末端層の厚さは、１５００Å未満であり、
    前記Ａｕ末端層の厚さを含むＡｕ層の総厚さは、前記マルチ層ボディーの厚さの１５％以下であることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤチップ。
  8. 前記マルチ層ボディーは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕで構成されるグループの中から選ばれた２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤチップ。
  9. 前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記第１開口部又は前記第２開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤチップ。
  10. 第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む半導体積層構造と、
    前記半導体積層構造の下部面の一部を露出させる開口部を含むパッシベーション層と、
    前記半導体積層構造の上部面に連結された上部電極パッドと、
    前記開口部を介して前記半導体積層構造の下部面に連結された下部電極パッドと、を備え、
    前記下部電極パッドは、
    複数の金属層を含むマルチ層ボディーと、
    前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーと、を含み、
    前記コンタクトボディーは、
    前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパートと、
    前記開口部を介して前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に接触するオーミックコンタクトパートと、を含むことを特徴とするＬＥＤチップ。
  11. 前記マルチ層ボディーは、互いに異なる金属層が交互に積層された構造を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤチップ。
  12. 前記表面コンタクトパートは、前記パッシベーション層及び前記オーミックコンタクトパートに接触する共通接触金属層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤチップ。
  13. 前記共通接触金属層と前記パッシベーション層とが接触する面と、前記共通接触金属層と前記オーミックコンタクトパートとが接触する面とは互いに異なる高さにあることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤチップ。
  14. 前記オーミックコンタクトパートは、
    前記第１導電型半導体層又は前記第２導電型半導体層に直接接触するオーミックコンタクト層と、
    前記オーミックコンタクト層上に形成され、前記オーミックコンタクト層と前記表面コンタクトパートとの間に介在する一つ以上の金属層と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤチップ。
  15. 前記表面コンタクトパートの末端部には、Ａｕ末端層が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤチップ。
  16. 前記Ａｕ末端層の厚さは、１５００Å未満であり、
    前記Ａｕ末端層の厚さを含むＡｕ層の総厚さは、前記マルチ層ボディーの厚さの１５％以下であることを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤチップ。
  17. 前記マルチ層ボディーは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕで構成されるグループの中から選ばれた２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤチップ。
  18. 前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤチップ。
  19. 電極を含むマウント基板と、
    半導体積層構造、前記半導体積層構造の外表面を覆うパッシベーション層、及び前記パッシベーション層に形成された開口部を介して前記半導体積層構造の外表面に連結された電極パッドを含むＬＥＤチップと、
    前記電極パッドと前記電極とを連結し、Ｓｎ−Ｍ（ここで、Ｍは金属）材料で形成されたソルダーバンプと、を備え、
    前記電極パッドは、複数の金属層を含むマルチ層ボディー及び前記マルチ層ボディーに連結されたコンタクトボディーを含み、
    前記コンタクトボディーは、前記開口部の外表面側で前記パッシベーション層に接触する表面コンタクトパート及び前記開口部を介して前記半導体積層構造に接触するオーミックコンタクトパートを含み、前記パッシベーション層に接触する前記表面コンタクトパートにより、前記ソルダーバンプのＳｎ成分が前記開口部を介して前記オーミックコンタクトパートに到逹することを遮断することを特徴とするＬＥＤモジュール。
  20. 前記マルチ層ボディーは、末端部にＡｕ末端層を含み、
    前記Ａｕ末端層の厚さは、１５００Å未満であり、
    前記Ａｕ末端層の厚さを含むＡｕ層の総厚さは、前記マルチ層ボディーの厚さの１５％以下であることを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  21. 前記マルチ層ボディーは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＡｕで構成されるグループの中から選ばれた２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  22. 前記オーミックコンタクトパートは、前記半導体積層構造に直接接触するオーミックコンタクト層を含み、
    前記オーミックコンタクト層の表面積に対する前記開口部の面積の比は、０．１〜０．３であることを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  23. 前記オーミックコンタクトパートは、Ａｕを含む金属化合物を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  24. 前記オーミックコンタクトパートは、ＧｅＡｕ、ＧｅＮｉＡｕ、ＴｉＰｔＡｕ、ＢｅＡｕ、及びＰｄＧｅＡｕで構成されるグループの中から選ばれた金属化合物で形成されたオーミックコンタクト層を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  25. 前記半導体積層構造は、ＧａＡｓ系列半導体層を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  26. 前記ソルダーバンプは、前記電極パッドの側面を部分的に覆い、
    前記電極パッドには、２種以上の金属層が積層されて形成された金属積層構造が形成され、
    前記金属積層構造は、前記ソルダーバンプによって覆われる側面部分にＡｕ層がないことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  27. 前記マルチ層ボディーは、Ａｕ末端層と、前記Ａｕ末端層に接する拡散防止層と、前記拡散防止層に接する接着層と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  28. 前記拡散防止層は、Ｐｔ層であり、
    前記接着層は、Ｔｉ層であることを特徴とする請求項２７に記載のＬＥＤモジュール。
  29. 前記マルチ層ボディーは、Ａｕ末端層を含み、
    前記Ａｕ末端層と前記オーミックコンタクトパートとの間には、Ａｌ層とＴｉ層とを交互に積層した金属積層構造を含み、
    前記Ａｌ層の厚さは、前記Ｔｉ層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  30. 前記Ａｕ末端層の厚さは、前記金属積層構造内の他の金属層のそれぞれの厚さより薄いことを特徴とする請求項２９に記載のＬＥＤモジュール。
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