JP2019090745A - 漏水検知システム - Google Patents

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Abstract

【課題】従来よりも低コストで漏水箇所の特定を可能とする。【解決手段】漏水検知帯14の一対の導電線の少なくとも一方に介在するようにして、定電流素子16kが、漏水検知帯14の長手方向に間隔を置いて複数配置される。複数の定電流素子16kは、漏水検知帯14の長手方向に沿った漏水検知器12との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値Ipkが低くなるように設定される。漏水検知器12の電源制御部56は、漏水検知帯14の短絡が検知された際に、電源18に、一対の導電線への供給電流を漸次増加させる。漏水検知器12の漏水箇所特定部54は、供給電流の増加時における検出電流Iaが定電流となったときの電流値Ia-constと等しいピンチオフ電流値Ipkの定電流素子16kと、当該定電流素子16kよりも漏水検知器12からみて一つ下流側の定電流素子16k-1の間の領域を漏水発生箇所と判定する。【選択図】図1

Description

本発明は、漏水検知システムに関する。
従来から、空調システムの冷媒液漏れ等を検知する手段として、漏水検知システムが知られている。漏水検知システムは、漏水検知器と漏水検知帯を含んで構成される。漏水検知帯は、非導通の状態で並行して(例えば撚線の状態で)延設された少なくとも2本の導電線を含んで構成される。漏水検知器は、漏水検知帯に電流を供給する。漏水検知帯周辺で漏水が発生すると、この漏水のために漏水検知帯の導電線同士が導通して短絡回路が形成される。漏水検知器は開放回路から短絡回路への切り替わりを検知することで、漏水が発生したと判定する。
例えば特許文献1では、漏水検知帯の単位長さ当たりの抵抗値(配線抵抗)をもとに、漏水検知帯上の漏水箇所を特定している。
また特許文献2では、それぞれ絶縁被覆された一対の導線が延設されるセンサ線を複数配置するとともに、隣り合うセンサ線同士を繋ぐ複数の遅延スイッチを設けている。遅延スイッチは、タイマ回路及びこれに接続されるスイッチを備える。電圧源に近い遅延スイッチに電圧が印加されると、タイマ回路が所定の遅延期間をカウントした後にスイッチがONになり、センサ線の一対の導線同士が導通されるとともに、これより下流のセンサ線にも電圧が印加される。当該下流のセンサ線に接続された遅延スイッチに電圧が印加されると、所定の遅延期間の後にスイッチがONになり、センサ線の一対の導線同士が導通されるとともに、更に下流のセンサ線にも電圧が印加される。このようにして各タイマ回路の遅延期間を経て下流側のセンサ線に順次電圧が印加される。漏水箇所では、センサ線の2本導線同士の導通に加えて、漏水箇所における導通が発生しているので、他の箇所と比較して、電流値の増加率が大きくなる。この、電圧源の電圧印加開始時からの時間経過に伴う、電流値の増加率を順次比較することで、漏水箇所が判定される。
特開昭58−79132号公報 特開2009−198487号公報
ところで、配線抵抗をもとに漏水箇所を特定する場合、単位長さ当たりの抵抗値を均一に揃える等、導電線の加工に高い精度が求められ、その結果相対的に高価となる。また、タイマ回路とスイッチという比較的簡素な回路構成からなる遅延スイッチであっても、複数設ける際にはやはりコスト押し上げの要因となる。そこで本発明は、従来よりも低コストで漏水箇所の特定が可能な、漏水検知システムを提供することを目的とする。
本発明は、漏水検知システムに関する。当該システムは、漏水検知帯、漏水検知器、及び定電流素子を備える。漏水検知帯は、一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される。漏水検知器は、一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、電流センサによる検出電流をもとに漏水検知帯の短絡を検知する検知部と、を備える。定電流素子は、一対の導電線の少なくとも一方に介在され、漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される。複数の定電流素子は、漏水検知帯の長手方向に沿った漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定される。漏水検知器は、電源制御部と、漏水箇所特定部を備える。電源制御部は、漏水検知帯の短絡が検知された際に、電源に、一対の導電線への供給電流を漸次増加させる。漏水箇所特定部は、供給電流の増加時における検出電流が定電流となったときの電流値と等しいピンチオフ電流値の定電流素子と、当該定電流素子よりも漏水検知器からみて一つ下流側の定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する。
また上記発明において、漏水箇所特定部は、供給電流が漏水検知器に最も近い定電流素子のピンチオフ電流値を超過しても、検出電流が定電流とならないときには、漏水検知器と当該漏水検知器に最も近い定電流素子との間の領域を漏水発生箇所と判定してもよい。
また上記発明において、漏水検知器は、漏水発生箇所の判定後に、当該漏水発生箇所を記憶する記憶部を備えてもよい。
また上記発明において、定電流素子は、対向配置された一対の定電流ダイオードであってよい。この場合、電源は、電源制御部を介して、一対の導電線に交流電流を供給する。漏水箇所特定部は、交流電流の供給時における検出電流が定電流となったときの電流値の絶対値と等しいピンチオフ電流値の定電流ダイオードを含む定電流素子と、当該定電流素子よりも漏水検知器からみて一つ下流側の定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する。
また、本発明に係る漏水検知システムの別態様として、当該システムは、漏水検知帯、漏水検知器、制御部、及び定電流素子を備える。漏水検知帯は、一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される。漏水検知器は、一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、電流センサによる検出電流をもとに漏水検知帯の短絡を検知する検知部と、を備える。制御部は、漏水検知器に通信接続されるとともに電源を制御可能となっている。定電流素子は、一対の導電線の少なくとも一方に介在され、漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される。複数の定電流素子は、漏水検知帯の長手方向に沿った漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定される。制御部は、漏水検知帯の短絡が検知された際に、電源に、一対の導電線への供給電流を漸次増加させ、供給電流の増加時における検出電流が定電流となったときの電流値と等しいピンチオフ電流値の定電流素子と、当該定電流素子よりも漏水検知器からみて一つ下流側の定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する。
また、本発明に係る漏水検知システムの別態様として、当該システムは、漏水検知帯、漏水検知器、及び定電流素子を備える。漏水検知帯は、一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される。漏水検知器は、電源から漏水検知帯に供給する電流を制御する電源制御部と、一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、電流センサによる検出電流をもとに漏水箇所を検知する漏水箇所特定部と、を備える。定電流素子は、一対の導電線の少なくとも一方に介在され、漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される。複数の定電流素子は、漏水検知帯の長手方向に沿った漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定される。電源制御部は、電源から漏水検知帯に供給する電流として、複数の定電流素子のピンチオフ電流値のうち最大値を超過する電流を供給可能な定電流状態に維持する。漏水箇所特定部は、検出電流が所定の閾値を超過する定電流となったときの電流値と等しいピンチオフ電流値の定電流素子と、当該定電流素子よりも漏水検知器からみて一つ下流側の定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する。
本発明によれば、従来よりも低コストで漏水箇所の特定が可能となる。
本実施形態に係る漏水検知システムの構成を例示する図である。 定電流ダイオードのピンチオフ電流について説明するV−I特性線図である。 漏水検知器の機能ブロックを例示する図である。 本実施形態に係る漏水検知システムによる漏水箇所の特定原理を説明する図である。 漏水箇所特定処理時の電流変化を例示するグラフである。 本実施形態に係る漏水検知システムによる漏水箇所特定処理を例示するフローチャートである。 本実施形態の別例に係る漏水検知システムの構成を例示する図である。 本実施形態の別例に係る漏水検知システムの、定電流ダイオードのピンチオフ電流について説明するV−I特性線図である。 本実施形態の別例に係る漏水検知システムにおける、漏水箇所特定処理時の電流変化を例示するグラフである。 本実施形態の更なる別例に係る漏水検知システムの機能ブロックを例示する図である。
図1に、本実施形態に係る漏水検知システム10を例示する。漏水検知システム10は、漏水検知器12、漏水検知帯14n(n=1、2、3・・・k+1)、定電流ダイオード16k(k=1、2、3・・・)、電源18、ブザー20、ランプ22、及びコントローラ24を備える。
漏水検知器12、ブザー20、ランプ22、及びコントローラ24は内部バス26によって接続される。これらの機器はBA(Building Automation)に対応可能とするために、通信プロトコルであるBACnet(Building Automation and Control Network)に準拠するものであってよい。
コントローラ24は、例えばPLC(プログラマブルロジックコントローラ)であってよく、ブザー20、ランプ22、漏水検知器12をはじめ、内部バス26に接続された種々の機器を制御可能となっている。
コントローラ24は、メモリ28、ユーザインターフェース30(UI)、CPU32及び外部インターフェース34を備える。
メモリ28はROM、RAM、ハードディスクドライブ(HDD)等の不揮発性及び揮発性メモリを含んで構成される。メモリ28には、後述する漏水発生箇所が記憶される。CPU32は、メモリ28に記憶された漏水発生箇所を中央監視装置に送信する他、ブザー20に対して警告音の出力指令を出力し、またランプ22に点灯指令を出力する。ユーザインターフェース30は、ユーザの情報を入力する際に用いられ、また情報を表示する際にも用いられる。外部インターフェース34は内部バス26に接続された各種機器や、外部の中央監視装置等の外部機器との、接続やデータ通信に用いられる。
ブザー20はコントローラ24の出力指令を受けて警告音を出力する。後述するように、漏水検知器12が漏水の発生を検知した際には、漏水検知器12からコントローラ24に警告信号(漏水発生信号)が送信され、これを受けてコントローラ24からブザー20に出力指令が送られる。
同様にして、ランプ22はいわゆる警告ランプであり、コントローラ24の点灯指令を受けて点灯する。後述するように、漏水検知器12が漏水の発生を検知した際には、漏水検知器12からコントローラ24に警告信号が送信され、これを受けてコントローラ24からランプ22に点灯指令が送られる。
漏水検知帯14は、少なくとも一対の導電線が非導通の状態で延設されることで構成される。図1では便宜上、導電線を2本のみ(一対のみ)並行して延設させているが、この形態に限らない。例えば3本以上の導電線を撚り合わせた撚線状としてもよい。これら複数の導電線は、例えば吸水性の絶縁被覆で覆われている。これら導電線はいずれも、一端が漏水検知器12を介して電源18に接続され、他端は開放される。なお、他端を開放する代わりに、所定の断線検知端末抵抗を接続させてもよい。いずれの場合においても、漏水検知帯14周辺で漏水が発生すると、その液体が絶縁被覆に吸水され、吸水された液体を介して導電線同士が導通する。
なお、本実施形態では、漏水検知帯14は定電流ダイオード16k及び渡り線17kによって複数の領域14n(n=1、2、3、・・・k+1)に分割されている。このような構成を備えることで、後述するように、漏水箇所をこの分割領域単位で特定することができる。ここで、図1では説明の便宜上、漏水検知器12から漏水検知帯14の長手方向に沿って遠いほど若い番号が振られている。
定電流ダイオード16(CRD、Current Regulative Diode)は、所定の電圧範囲下において、自身を流れる電流を一定値に保つ定電流素子である。定電流ダイオード16は、漏水検知帯14の長手方向に間隔を置いて、当該漏水検知帯14に介在する。例えば、定電流ダイオード16kは、漏水検知帯14k+1と14kとの間に配置される。定電流ダイオード16の配置間隔は、例えば空調システムの冷媒管に漏水検知帯14を設置するときには、冷媒管が敷設される天井のパネルを開いたときに、作業者が目視できる範囲を、隣り合う定電流ダイオード16の配置間隔としてもよい。
定電流ダイオード16は、漏水検知帯14の一対の導電線のうち、少なくとも一方に介在されていればよい。コスト抑制の観点から、漏水検知帯14の一対の導電線のうち、一方のみに定電流ダイオード16を接続させることが好適である。
例えば、漏水検知帯14への定電流ダイオード16の取り付けに際して、漏水検知帯14を構成する一対の導電線を任意の箇所で切断する。切断された一対の導電線の一方を定電流ダイオード16で接続し、他方の導電線を渡り線17等の接続配線部材で接続する。さらに、導電部位を絶縁するために、導電線の切断箇所及びこれと接続される定電流ダイオード16とが絶縁被覆される。同様にして、導電線の切断箇所及びこれと接続される渡り線17とが絶縁被覆される。
定電流ダイオード16の設置に際して、アノード・カソードの向きを全ての定電流ダイオード161、162、・・・16k間で揃えておくことが好適である。例えば図1の例では、定電流ダイオード161、162、・・・16kのアノードを漏水検知器12側(上流側)に、カソードを漏水検知帯14の末端側(下流側)に向けている。
図2に、定電流ダイオード161、162、・・・16kのV−I特性線図を例示する。なお図2では図示の簡略化のため、定電流ダイオード161、162、163の特性のみを示している。
定電流ダイオード16は、所定のピンチオフ電圧Vpから最高使用電圧Vmaxまでの電圧範囲において、自身を流れる電流が一定となる。つまりピンチオフ電圧Vpから最高使用電圧Vmaxまでの電圧範囲が定電流範囲となる。定電流値はピンチオフ電流Ipで表される。
本実施形態に係る定電流ダイオード16は、漏水検知帯14の長手方向に沿った、漏水検知器12との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流Ipが低くなるように設定される。すなわち各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流Ipkは、Ipk-1 <Ipkとなる。例えば図2に示されているように、Ip1 < Ip2 <Ip3となる。このように構成することで、後述する漏水箇所特定処理において、漏水検知帯14に供給する電流値を漸次増加させていくと、漏水検知器12から遠い(漏水検知帯14の長手方向に沿って遠い)定電流ダイオード16kから先にピンチオフ電流Ipkに到達するようになる。
漏水検知器12は、内部バス26に接続され、コントローラ24との通信が可能となっている。漏水検知器12は、メモリ38、ユーザインターフェース40(UI)、CPU42、外部インターフェース44、及び電流センサ46を備える。
ユーザインターフェース40は、ユーザが情報を入力する際に用いられ、また情報を表示する際にも用いられる。外部インターフェース44は外部機器との接続やデータ通信に用いられる。
メモリ38はROM、RAM、ハードディスクドライブ(HDD)等の不揮発性及び揮発性メモリを含んで構成される。メモリ38には、漏水検知帯14が開放回路を形成しているときの電流センサ46の値、つまり平常値(例えば0A)と、短絡回路を形成したときの電流センサ46の値、つまり漏水発生判定を行う閾値Ith(例えば数μA)が記憶されている。加えて、メモリ38には、各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkが記憶されている。
さらにメモリ38には、後述する漏水検知処理及び漏水箇所特定処理を実行するためのプログラムが記憶されている。CPU42が当該プログラムを実行することで、漏水検知器12には、図3に示す機能ブロックが構築される。
図3に例示されるように、漏水検知器12には、電流センサ46、検知部50、記憶部52、漏水箇所特定部54、及び電源制御部56が構成される。電源制御部56は、商用電源等の電源18に一次側が接続され、適宜電力変換を行う。さらに電源制御部56の二次側は、漏水検知帯14に接続される。具体的には、漏水検知帯14の一対の導電線のそれぞれ一端に、電源制御部56の二次側が接続される。さらに漏水検知帯14の一対の導電線の一方には、電流センサ46が設けられる。このような構成を備えることで、漏水発生時に、一対の導電線間に流れる電流が電流センサ46によって検出される。
<漏水検知>
図3及び図4を参照して、本実施形態に係る漏水検知システム10の、漏水検知プロセスについて説明する。まず初期状態として、漏水検知器12は、電源制御部56を介して、電源18から漏水検知帯14に常時電流を供給する(モニタリング電流I0)。モニタリング電流I0として、電源制御部56は、電源18の交流電力を変換して0.2mA程度の直流電流を漏水検知帯14に供給する。漏水が発生していないときには、導電線同士は絶縁被覆され互いに非導通なので、供給電流が直流電流の場合、電流センサ46が検出した電流値(検出電流値Ia)は理論上0Aとなる。
検知部50は、電流センサ46による検出電流値Iaに基づいて、漏水検知帯14の短絡有無を検知する。すなわち検知部50は、電流センサ46による検出電流値Iaを常時モニタリングする。さらに記憶部52に記憶された閾値Ith(漏水閾値)と検出電流値Iaとを比較する。閾値Ithとして、例えば数μAが設定される。漏水が発生していないときには、検出電流値Iaが閾値Ithを下回る。
図4には、漏水発生時の例が示されている。この例では、漏水検知帯142に漏水48が発生している。導電線を覆う絶縁被覆がこの液体を吸水してその結果導電線同士が短絡する。これにより、図4の破線で示すような短絡回路Lが形成される。
このとき、電流センサ46による検出電流値Iaは閾値Ithを超過する。これを受けて検知部50は、漏水検知信号(警報信号)を出力する。漏水検知信号はコントローラ24に送信される。コントローラ24では、漏水検知信号を受けて、ブザー20に出力指令を送信し、ランプ22に点灯指令を送信する。
さらに検知部50は、漏水検知信号を漏水箇所特定部54にも送信する。これを受けて漏水箇所特定部54は、漏水箇所特定処理を実行する。
<漏水箇所特定処理>
漏水箇所特定部54は、電源制御部56に対して、漏水箇所特定用の電流(スイープ電流)を生成するように電流制御指令を送信する。電源制御部56は、電源18の電力を変換して、漏水検知帯14への供給電流を漸次増加させるように電流制御を行う。
例えば、電源制御部56は、電源18の電力を変換して交流電力を出力する。このとき、交流電圧のピーク値が図2で示すピンチオフ電圧Vpと最高使用電圧Vmaxとの間に含まれるように、電圧変換を行う。ここで、上記のピンチオフ電圧Vpは、漏水検知システム10に設けられた複数の定電流ダイオード16に設定されたピンチオフ電圧Vpのうち、最も高いものが選ばれる。例えば図2の例では、電源制御部56によって、ピンチオフ電圧Vp3以上であって最高使用電圧Vmax以下の範囲に、交流電圧の取り得る値が制限される。例えば交流電圧の最小値は10Vであり、最大値は20Vとなるように設定される。
また、電源制御部56は、漏水検知帯14に供給される交流電流が取り得る電流値範囲に、全ての定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkが含まれるように、電源18の交流電力を変換する。例えば交流電流の最小値は−1mA、最大値は1mAとなるように設定される。
図5に例示するように、交流電流を漏水検知帯14に供給することで、漏水検知帯14に供給される電流が漸次増加する。ここで、図4の短絡回路Lを参照すると、当該回路Lは、漏水検知器12から最も離間された、最下流の定電流ダイオード161の手前(上流側)で短絡している。したがって短絡回路Lを流れる短絡電流は理論上定電流ダイオード161を通らないので、供給電流は定電流ダイオード161のピンチオフ電流値Ip1に制限されずに増加する。
さらに供給電流が増加して定電流ダイオード162のピンチオフ電流値Ip2まで増加すると、定電流ダイオード162は短絡回路Lに含まれることから、定電流制限が掛かり、短絡回路Lを流れる電流はピンチオフ電流値Ip2に制限される。
短絡回路Lを流れる電流は電流センサ46により検出される。この検出電流Iaは漏水箇所特定部54に送られる。漏水箇所特定部54では図5で示されるような検出電流Iaの変化が監視される。さらに漏水箇所特定部54は検出電流Iaが定電流となったときの電流値と、各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkとを比較する。各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkは記憶部52に予め記憶される。
図5の例に沿って、漏水箇所特定部54により、検出電流Iaの定電流値Ia-constが定電流ダイオード162のピンチオフ電流値Ip2と等しいと判定される。これに伴い、漏水箇所特定部54は、定電流ダイオード162と、これより一つ下流の定電流ダイオード161との間の領域を漏水発生箇所と判定する。
図6には、上述した漏水箇所特定処理のフローチャートが例示されている。検知部50から漏水検知信号を受信すると、漏水箇所特定部54は、電源制御部56に対して、電源18から受ける交流電力の電力変換メニューを変更する指令を送る(S10)。具体的には、漏水検知帯14に供給する電流を、漏水検知用のモニタリング電流I0から漏水箇所特定用のスイープ電流に変更するように、電源制御部56に指令を送る。
電源制御部56の電力変換制御が変更され、漏水検知帯14にスイープ電流が供給されると、漏水箇所特定部54は所定期間待機する(S12)。例えばスイープ電流として漏水検知帯14に供給される交流電流の1周期分を待機時間とする。
さらに漏水箇所特定部54は電流センサ46が検出した検出電流Iaを監視して、当該検出電流Iaが定電流となる期間が存在するか否かを判定する(S14)。なお、定電流状態とは、電流の時間変化率が0となる場合を含み、実質的な変化率0、つまり微小な増減が許容される。例えば所定期間(例えばスイープ電流の1周期)の検出電流Iaの変化幅が、ピンチオフ電流値Ip1の10%以内に収まるのであれば、定電流状態と判定してよい。また検出電流Iaの定電流成分(Ia-const)は、上記の判定期間における平均値としてもよい。
ステップS14にて、スイープ電流の1周期中に相当する期間において、検出電流Iaに定電流領域が含まれない場合は、全ての定電流ダイオード16kの中で最もピンチオフ電流値Ipkの高い、漏水検知器12に最も近い定電流ダイオード16kmax(図1では163)のピンチオフ電流値Ipkmaxを超過しても、検出電流Iaが定電流とならないことになる。いずれのピンチオフ電流Ipkにも引っ掛からないことから、いずれの定電流ダイオード16kよりも漏水検知器12寄りに、漏水による短絡箇所があると考えられる。そこで、ステップS14にて検出電流Iaに定電流領域が含まれない場合、漏水箇所特定部54は、漏水検知器12と当該漏水検知器12に最も近い定電流ダイオード16kmax(図1では163)との間の領域を漏水発生箇所と判定する(S16)。
一方、ステップS14にて、スイープ電流の1周期中に相当する期間において、検出電流Iaに定電流領域が含まれる場合、漏水箇所特定部54は、各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkを記憶部52から呼び出して、検出電流Iaの定電流成分(Ia-const)と等しいものがあるか否かを判定する。
例えば漏水箇所特定部54は、カウントkを初期値1に設定し(S18)、最下流の定電流ダイオード161のピンチオフ電流Ip1と検出電流Iaの定電流成分Ia-constとが等しいか否かを判定する(S20)。なお、ここで等しいとは、厳密に両者が同一の値を取る場合を含めて、両者の差分が所定の許容範囲に収まる場合も含む。例えば両者の差分が、ピンチオフ電流Ip1の10%以内に含まれるのであれば、両値が等しいと判定してもよい。
最下流の定電流ダイオード161のピンチオフ電流Ip1と検出電流の定電流成分Ia-constとが異なる場合、漏水箇所特定部54は、カウントkをインクリメントして(S22)、次に高いピンチオフ電流Ip2と検出電流の定電流成分Ia-constとの異同を判定する。以下順次インクリメントして、検出電流の定電流成分Ia-constと等しいピンチオフ電流Ipkを探索する。
なお、ピンチオフ電流Ipkのうち最大値である、ピンチオフ電流Ipkmax(図1の例では定電流ダイオード163のピンチオフ電流Ip3)を検出電流Iaが超過するケースについては、ステップS14にて対処済みであるので、ステップS20では、ピンチオフ電流Ipkのいずれかが定電流成分Ia-constと等しくなる。
ステップS20にて、いずれかのピンチオフ電流Ipkが定電流成分Ia-constと等しいと判定されると、当該等しいと判定されたピンチオフ電流Ipkのサフィックスkが1であるか否かが判定される(S24)。k=1、つまりIpk=Ip1である場合、漏水箇所特定部54は、漏水検知器12から漏水検知帯14の長手方向に沿って最も離間された定電流ダイオード161よりも下流の漏水検知帯141を漏水発生箇所と判定する(S26)。
またステップS24にて、k≠1である場合に、漏水箇所特定部54は、定電流成分Ia-constとピンチオフ電流Ipkが等しい定電流ダイオード16kと、それよりも漏水検知器12からみて漏水検知帯14に沿って一つ下流側の定電流ダイオード16k-1との間の領域、つまり漏水検知帯14kを漏水発生箇所と判定する(S28)。
ステップS16、S26、S28によって漏水発生箇所が特定されると、漏水箇所特定部54は、特定された漏水箇所をコントローラ24に通知(通報)する(S30)。また、漏水検知器12の記憶部52に漏水箇所を記憶させる。
漏水規模が比較的小さい場合、短絡回路Lの形成に伴う発熱で液体が蒸発し、漏水箇所の確認が困難となる場合があるが、このように、漏水発生箇所の判定後、直ちにその箇所を記録することで、容易に確認作業が行える。
漏水発生箇所の通知及び記録後、漏水箇所特定部54は、漏水検知帯14に供給する電流を、スイープ電流からモニタリング電流I0に切り替える旨の電流制御指令を電源制御部56に送信する(S32)。ここで、モニタリング電流I0に切り替えた直後に検知部50による漏水検知信号が出力されるおそれがあることから、漏水箇所特定部54は、漏水検知処理を一時休止させる休止指令を、ステップS32の電流切り替えと同時に検知部50に送信してもよい。
<本実施形態の別例>
図1に示す例では、漏水検知帯14k+1と漏水検知帯14kとの間に設ける定電流素子として、定電流ダイオード16kを一つのみ設けていたが、この形態に限らない。例えば図7に示すように、漏水検知帯14k+1と漏水検知帯14kとの間に設ける定電流素子として、対向配置された一対の定電流ダイオード16ka,16kbを設けてもよい。この一対の定電流ダイオード16ka,16kbは、互いにピンチオフ電流Ipkが等しいことが好適である。
対向配置とは定電流ダイオード16ka,16kbのアノード同士、またはカソード同士を付き合わせたような配置であって、これにより双方向定電流制限が掛かる。このとき、定電流素子のV−I特性は図8のようになり、電流の負成分にもピンチオフ電流が設けられる。
例えば図4のように、漏水検知帯142に漏水が発生したときには、スイープ電流を漏水検知帯14に供給すると、検出電流Iaは図9の実線のような波形を示す。つまり正側に加えて負側にも定電流成分Ia-constが生じる。
このように、検出電流Iaの1周期中に2つの定電流ダイオード16ka,16kbによって定電流制限が掛かる機会が得られる。したがって仮に定電流ダイオード16ka,16kbの一方が破損しても他方によって定電流成分Ia-constが得られる。
図7のような構成を備える場合、図6に示すフローチャートでは、ステップS20において、定電流成分Ia-constの絶対値|Ia-const|とピンチオフ電流Ipkとの異同が判定される。
このように、本実施形態では、漏水箇所を区切る定電流素子として、タイマー回路等の計時機能のない、簡素で相対的に低コストの受動素子である定電流ダイオード16k(または16ka,16kb)を設けている。このような構成とすることで、従来よりも低コストで漏水箇所の特定が可能となる。
<本実施形態の更なる別例>
上述の実施形態では、漏水検知器12が漏水検知処理に加えて、漏水箇所特定処理を実行していたが、この形態に限らない。例えば、漏水検知器12は漏水検知処理、つまり漏水発生の有無検知のみを行い、漏水箇所特定処理はコントローラ24(制御部)にて行うようにしてもよい。
例えば、図10に示す機能ブロック図のように、漏水検知器12は電流センサ46、検知部50、及び記憶部52−1を備える。記憶部52−1には漏水判定の閾値Ithが記憶される。コントローラ24には、漏水箇所特定部54及び記憶部52−2が構成される。記憶部52−2には、各定電流ダイオード16kのピンチオフ電流値Ipkが記憶される。図7のような双方向定電流素子が設けられた場合には、記憶部52−2に、各定電流ダイオード16ka,16kbのピンチオフ電流値Ipka,Ipkbが記憶される。
また、電源制御部56は漏水検知器12及びコントローラ24とは独立した回路機器であってもよく、コントローラ24に構成されていてもよい。
この場合において、漏水検知器12によって漏水検知信号が、コントローラ24の漏水箇所特定部54に送信される。漏水箇所特定部54では、これを受けて図6に示す漏水箇所特定処理を実行する。
このように、本実施形態では、漏水検知器12に代わってコントローラ24が漏水箇所特定処理を実行する。これにより、既存の、つまり漏水検知の機能のみしか持たない漏水検知器12に対しても、本実施形態に係る漏水箇所特定処理が実行可能となる。
<本実施形態のまた更なる別例>
上述の実施形態では、電源制御部56により、漏水検知帯14に供給する電流を増減させていたが、これに代わり、定電流を供給可能な状態が維持されていてもよい。例えば電源制御部56は、図2で示すピンチオフ電圧Vpと最高使用電圧Vmaxとの間に含まれる任意の電圧値を漏水検知帯14への印加電圧とする定電圧設定を行う。加えて電源制御部56は、全ての定電流ダイオード16kの中で最も高いピンチオフ電流値Ipkを超過する電流Imを漏水検知帯14に供給可能な状態を維持するように、定電流設定を行う。
漏水が発生していない場合、導電線同士は絶縁被覆され互いに非導通なので、電流センサ46による検出電流値Iaは理論上0Aとなり、記憶部52に記憶された所定の閾値Ith(漏水閾値)以下となる。
一方、漏水発生時には、検出電流値Iaは閾値Ithを超過する。上述したように、電源制御部56により、全ての定電流ダイオード16kの中で最も高いピンチオフ電流値Ipkmaxを超過する電流Imが漏水検知帯14に供給可能な状態に維持されている。したがって、漏水発生箇所が、漏水検知器12と当該漏水検知器12に最も近い定電流ダイオード16kmax(図1では163)との間の領域である場合を除いて、検出電流値Iaは、いずれかの定電流ダイオード16kのピンチオフ電流Ipkと等しい定電流となる。一方、漏水発生箇所が、漏水検知器12と当該漏水検知器12に最も近い定電流ダイオード16kmaxとの間の領域である場合は、検出電流値Iaは、電源制御部56による定電流設定にて設定された電流値Imとなる。
漏水箇所特定部54は検出電流値Iaを常時モニタリングする。検出電流値Iaが所定の閾値Ithを超過する定電流となり、かつ、検出電流値Iaが定電流設定値Im未満である場合に、漏水箇所特定部54は、検出電流値Iaと等しいピンチオフ電流値Ipkの定電流ダイオード16kと、当該定電流ダイオード16kよりも漏水検知器12からみて一つ下流側の定電流ダイオード16kの間の領域を漏水発生箇所と判定する。
また、検出電流値Iaが閾値Ithを超過し、かつ、定電流設定値Imと等しい場合に、漏水箇所特定部54は、漏水検知器12と当該漏水検知器12に最も近い定電流ダイオード16kmaxとの間の領域を漏水発生箇所と判定する。
10 漏水検知システム、12 漏水検知器、14 漏水検知帯、16 定電流ダイオード(定電流素子)、18 電源、24 コントローラ(制御部)、46 電流センサ、50 検知部、52 記憶部、54 漏水箇所特定部、56 電源制御部。

Claims (6)

  1. 一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される漏水検知帯と、
    前記一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、前記電流センサによる検出電流をもとに前記漏水検知帯の短絡を検知する検知部と、を備える漏水検知器と、
    前記一対の導電線の少なくとも一方に介在され、前記漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される、定電流素子と、
    を備える、漏水検知システムであって、
    前記複数の定電流素子は、前記漏水検知帯の長手方向に沿った前記漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定され、
    前記漏水検知器は、
    前記漏水検知帯の短絡が検知された際に、前記電源に、前記一対の導電線への供給電流を漸次増加させる電源制御部と、
    前記供給電流の増加時における前記検出電流が定電流となったときの電流値と等しい前記ピンチオフ電流値の前記定電流素子と、当該定電流素子よりも前記漏水検知器からみて一つ下流側の前記定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する漏水箇所特定部と、
    を備える、漏水検知システム。
  2. 請求項1に記載の漏水検知システムであって、
    前記漏水箇所特定部は、前記供給電流が前記漏水検知器に最も近い前記定電流素子のピンチオフ電流値を超過しても、前記検出電流が定電流とならないときには、前記漏水検知器と当該漏水検知器に最も近い前記定電流素子との間の領域を漏水発生箇所と判定する、
    漏水検知システム。
  3. 請求項1または2に記載の漏水検知システムであって、
    前記漏水検知器は、前記漏水発生箇所の判定後に、当該漏水発生箇所を記憶する記憶部を備えることを特徴とする、漏水検知システム。
  4. 請求項1から3のいずれか一つに記載の漏水検知システムであって
    前記定電流素子は、対向配置された一対の定電流ダイオードであって、
    前記電源は、前記電源制御部を介して、前記一対の導電線に交流電流を供給し、
    前記漏水箇所特定部は、前記交流電流の供給時における前記検出電流が定電流となったときの電流値の絶対値と等しい前記ピンチオフ電流値の前記定電流ダイオードを含む前記定電流素子と、当該定電流素子よりも前記漏水検知器からみて一つ下流側の前記定電流素子の間の領域を前記漏水発生箇所と判定する、
    漏水検知システム。
  5. 一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される漏水検知帯と、
    前記一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、前記電流センサによる検出電流をもとに前記漏水検知帯の短絡を検知する検知部と、を備える漏水検知器と、
    前記漏水検知器に通信接続されるとともに前記電源を制御可能な制御部と、
    前記一対の導電線の少なくとも一方に介在され、前記漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される、定電流素子と、
    を備える、漏水検知システムであって、
    前記複数の定電流素子は、前記漏水検知帯の長手方向に沿った前記漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定され、
    前記制御部は、前記漏水検知帯の短絡が検知された際に、前記電源に、前記一対の導電線への供給電流を漸次増加させ、前記供給電流の増加時における前記検出電流が定電流となったときの電流値と等しい前記ピンチオフ電流値の前記定電流素子と、当該定電流素子よりも前記漏水検知器からみて一つ下流側の前記定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する、
    漏水検知システム。
  6. 一対の導電線が延設され、そのそれぞれ一端に電源が接続される漏水検知帯と、
    前記電源から前記漏水検知帯に供給する電流を制御する電源制御部と、前記一対の導電線間に流れる電流を検出する電流センサと、前記電流センサによる検出電流をもとに漏水箇所を検知する漏水箇所特定部と、を備える漏水検知器と、
    前記一対の導電線の少なくとも一方に介在され、前記漏水検知帯の長手方向に間隔を置いて複数配置される、定電流素子と、
    を備える、漏水検知システムであって、
    前記複数の定電流素子は、前記漏水検知帯の長手方向に沿った前記漏水検知器との離間距離が長いほど、そのピンチオフ電流値が低くなるように設定され、
    前記電源制御部は、前記電源から前記漏水検知帯に供給する電流として、前記複数の定電流素子の前記ピンチオフ電流値のうち最大値を超過する電流を供給可能な定電流状態に維持し、
    前記漏水箇所特定部は、前記検出電流が所定の閾値を超過する定電流となったときの電流値と等しい前記ピンチオフ電流値の前記定電流素子と、当該定電流素子よりも前記漏水検知器からみて一つ下流側の前記定電流素子の間の領域を漏水発生箇所と判定する、
    漏水検知システム。
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