JP2019070184A - Film deposition system, control method and program - Google Patents

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岡田　康弘
Yasuhiro Okada
康弘 岡田
廣谷　喜与士
Kiyoshi Hiroya
喜与士 廣谷
文一 中西
Bunichi Nakanishi
文一 中西
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Abstract

To provide a film deposition system for depositing a CVD film on the inner surface of a plastic container using a plurality of film deposition chambers having high frequency electric power simultaneously supplied from one high frequency power supply, capable of igniting each film deposition chamber at the same timing.SOLUTION: The film deposition system comprises: a power supply; one matching device connected to the power supply; a plurality of chambers having an impedance matched with the power supply by the one matching device and electrically connected in parallel to each other; an ignition auxiliary device for generating a spark in a diffusion range of plasma from the chambers; and an ignition instruction device for controlling the ignition auxiliary device so as to generate the spark at the same timing in the ignition auxiliary device.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、成膜システム、制御方法及びプログラムに関する。   The present invention relates to a film forming system, a control method, and a program.

飲料用などのプラスチック容器の生産工程において、プラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を生成する場合がある。
特許文献１〜３には、関連する技術として、複数の成膜チャンバを用いてプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を生成する技術が記載されている。 In the process of producing plastic containers for beverages and the like, a CVD film may be formed on the inner surface of the plastic container.
Patent Literatures 1 to 3 describe, as related techniques, a technique for producing a CVD film on the inner surface of a plastic container using a plurality of deposition chambers.

特開２００１−３３５９４５号公報JP 2001-335945 A 特開２００４−０２７２７１号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-027271 国際公開第２００２／０５１７０７号International Publication No. 2002/051707

成膜システムにおいて、１つの高周波電源から高周波電力が同時に供給される複数の成膜チャンバを用いてプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を生成する場合、各成膜チャンバにおけるプラズマの発生タイミング、すなわち、各成膜チャンバにおける着火タイミングの違いにより、各成膜チャンバに供給される高周波電力が不均一になる場合がある。各成膜チャンバに供給される高周波電力が不均一になった場合、各成膜チャンバにおいてプラスチック容器の内表面に生成されるＣＶＤ膜の品質にばらつきが生じてしまう。また、各成膜チャンバに供給される高周波電力が不均一になり、高周波電力が少数の成膜チャンバに集中した場合、成膜チャンバが破損するなど成膜システムに不具合が発生する可能性がある。
そのため、１つの高周波電源から高周波電力が同時に供給される複数の成膜チャンバを用いてプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を生成する成膜システムにおいて、各成膜チャンバに同タイミングで着火させることのできる技術が求められていた。 When a CVD film is generated on the inner surface of a plastic container using a plurality of film formation chambers simultaneously supplied with high frequency power from one high frequency power supply in a film formation system, plasma generation timing in each film formation chamber, that is, Due to the difference in the ignition timing in each film forming chamber, the high frequency power supplied to each film forming chamber may be nonuniform. When the high frequency power supplied to each film forming chamber becomes nonuniform, the quality of the CVD film generated on the inner surface of the plastic container in each film forming chamber may vary. In addition, if the high frequency power supplied to each deposition chamber becomes nonuniform and the high frequency power is concentrated on a small number of deposition chambers, the deposition chamber may be damaged or problems may occur in the deposition system. .
Therefore, in a film forming system in which a CVD film is formed on the inner surface of a plastic container using a plurality of film forming chambers to which high frequency power is simultaneously supplied from one high frequency power source, each film forming chamber is ignited at the same timing. Technology that can be done was required.

本発明は、上記の課題を解決することのできる成膜システム、制御方法及びプログラムを提供することを目的としている。   An object of the present invention is to provide a film forming system, a control method and a program capable of solving the above-mentioned problems.

本発明の第１の態様によれば、成膜システムは、電源と、前記電源に接続された１台の整合器と、前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列に接続された複数のチャンバと、前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御する着火指示装置と、を備える。   According to the first aspect of the present invention, the deposition system is configured to match the impedances between the power supply, one matching unit connected to the power supply, and the power supply by the one matching unit, A plurality of chambers electrically connected in parallel, a plurality of ignition assist devices generating sparks within the diffusion range of plasma from each of the plurality of chambers, and sparks generated at the same timing in the plurality of ignition assist devices And an ignition instruction device that controls the plurality of ignition assist devices to cause the ignition.

本発明の第２の態様によれば、第１の態様における成膜システムにおいて、前記複数の着火指示装置は、前記複数のチャンバに対する前記電源からの送電のタイミングよりも前の同タイミングで前記複数の着火補助装置にスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御してもよい。   According to a second aspect of the present invention, in the film forming system according to the first aspect, the plurality of ignition instructing devices are arranged at the same timing before the timing of power transmission from the power supply to the plurality of chambers. The plurality of ignition assist devices may be controlled to cause the ignition assist device to generate a spark.

本発明の第３の態様によれば、制御方法は、電源と、前記電源に接続された１台の整合器と、前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列接続された複数のチャンバと、前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、を備える成膜システムの制御方法であって、前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御すること、を含む。   According to a third aspect of the present invention, the control method is configured to match the impedance between the power supply, one matching unit connected to the power supply, and the power supply by the one matching unit, A control method of a film forming system, comprising: a plurality of chambers connected in parallel; and a plurality of ignition assist devices generating sparks in a diffusion range of plasma from each of the plurality of chambers, Controlling the plurality of ignition assist devices to cause the ignition assist device to generate a spark at the same timing.

本発明の第４の態様によれば、プログラムは、電源と、前記電源に接続された１台の整合器と、前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列接続された複数のチャンバと、前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、を備える成膜システムのコンピュータに、前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御すること、を実行させる。   According to a fourth aspect of the present invention, the program is configured to match the impedance between the power supply, one matching unit connected to the power supply, and the power supply by the one matching unit, and electrically connect each other. In a computer of a film forming system comprising: a plurality of chambers connected in parallel; and a plurality of ignition assist devices generating sparks within the diffusion range of plasma from each of the plurality of chambers. And controlling the plurality of ignition assist devices to generate a spark at the same timing.

本発明の実施形態による成膜システムによれば、１つの高周波電源から高周波電力が同時に供給される複数の成膜チャンバを用いてプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を生成する成膜システムにおいて、各成膜チャンバに同タイミングで着火させることができる。   According to the film forming system according to the embodiment of the present invention, each film forming system generates a CVD film on the inner surface of a plastic container using a plurality of film forming chambers simultaneously supplied with high frequency power from one high frequency power source. The film formation chamber can be ignited at the same timing.

本発明の一実施形態による成膜システムの構成の一例を示す図である。It is a figure showing an example of composition of a film deposition system by one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態による成膜チャンバの構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the film-forming chamber by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による成膜システムの処理フローの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the processing flow of the film-forming system by one Embodiment of this invention.

＜実施形態＞
以下、本発明の一実施形態による成膜システムの構成について説明する。
本発明の一実施形態による成膜システム１は、図１に示すように、成膜装置１０、高周波電源２０、自動整合器３０ａ、着火指示装置４０、を備える。 Embodiment
Hereinafter, the configuration of a film forming system according to an embodiment of the present invention will be described.
A film forming system 1 according to an embodiment of the present invention includes, as shown in FIG. 1, a film forming apparatus 10, a high frequency power supply 20, an automatic matching unit 30a, and an ignition instruction device 40.

成膜装置１０は、プラスチック容器の内表面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）膜を生成する装置である。ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）膜は、例えば、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜である。成膜装置１０は、成膜チャンバ１００ａ１、１００ａ２、１００ａ３を備える。 成膜チャンバ１００ａ１、１００ａ２、１００ａ３のそれぞれは、電気的に並列に接続されている。以下、成膜チャンバ１００ａ１、１００ａ２、１００ａ３を総称して、成膜チャンバ１００ａと呼ぶ。   The film forming apparatus 10 is an apparatus for generating a CVD (Chemical Vapor Deposition) film on the inner surface of a plastic container. The CVD (Chemical Vapor Deposition) film is, for example, a DLC (Diamond Like Carbon) film. The film forming apparatus 10 includes film forming chambers 100 a 1, 100 a 2, and 100 a 3. The film forming chambers 100a1, 100a2 and 100a3 are electrically connected in parallel. Hereinafter, the film forming chambers 100a1, 100a2 and 100a3 are collectively referred to as a film forming chamber 100a.

成膜チャンバ１００ａのそれぞれは、図２に示すように、筐体１０１ａと、外部電極１０２ａと、真空室１０３ａと、内部電極１０４ａと、排気管１０５ａと、原料ガス供給管１０６ａと、着火補助装置１０８ａと、を備える。   Each of the film forming chambers 100a is, as shown in FIG. 2, a case 101a, an external electrode 102a, a vacuum chamber 103a, an internal electrode 104a, an exhaust pipe 105a, a raw material gas supply pipe 106a, and an ignition assist device And 108a.

筐体１０１ａは、上部１０１ａａと、下部１０１ａｂと、を備える。筐体１０１ａは、成膜チャンバ１００ａの外周を形成し、内部からの電磁波を外部に漏出するのを防ぐ。   The housing 101a includes an upper portion 101aa and a lower portion 101ab. The housing 101 a forms the outer periphery of the film forming chamber 100 a and prevents the electromagnetic wave from the inside from leaking to the outside.

外部電極１０２ａは、上部１０２ａａと、下部１０２ａｂと、を備える。
下部１０２ａｂは、プラスチック容器Ｂを収納する。
下部１０２ａｂは、下部１０２ａｂにプラスチック容器Ｂが出し入れされるときに、下方に移動する。
上部１０２ａａと下部１０２ａｂは、外部電極１０２ａの内側に形成された真空室１０３ａでプラズマ放電を行うように構成されている。 The external electrode 102a includes an upper portion 102aa and a lower portion 102ab.
The lower part 102ab accommodates the plastic container B.
The lower part 102ab moves downward when the plastic container B is put in and out of the lower part 102ab.
The upper part 102aa and the lower part 102ab are configured to perform plasma discharge in a vacuum chamber 103a formed inside the external electrode 102a.

真空室１０３ａは、上部１０２ａａにプラスチック容器Ｂが収納され真空室１０３ａが密閉された後に、図示しない真空ポンプが排気管１０５ａから空気を排出させることにより、真空状態となる。   The vacuum chamber 103a is put in a vacuum state by allowing a vacuum pump (not shown) to discharge air from the exhaust pipe 105a after the plastic container B is stored in the upper portion 102aa and the vacuum chamber 103a is sealed.

内部電極１０４ａは、真空状態となった真空室１０３ａ内に原料ガス供給管１０６ａから供給される原料ガスを噴出して均一に拡散させる。原料ガスが真空室１０３ａ内に均一に拡散した後に外部電極１０２ａに自動整合器３０ａを介して高周波電源２０から高周波電力ＰＷが供給されると、アースされた内部電極１０４ａと外部電極１０２ａとの間にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、プラスチック容器Ｂの内表面にＣＶＤ膜が生成される。   The internal electrode 104a ejects the raw material gas supplied from the raw material gas supply pipe 106a into the vacuum chamber 103a in a vacuum state and uniformly diffuses the raw material gas. When the source gas is uniformly diffused into the vacuum chamber 103a and then the high frequency power PW is supplied to the external electrode 102a from the high frequency power supply 20 through the automatic matching unit 30a, the space between the grounded internal electrode 104a and the external electrode 102a Generates plasma. The generation of this plasma generates a CVD film on the inner surface of the plastic container B.

排気管１０５ａは、真空室１０３ａ内の空気を外部に排気させるための管である。
原料ガス供給管１０６ａは、内部電極１０４ａを介してプラスチック容器Ｂの内部に原料ガスを拡散させるための管である。
着火補助装置１０８ａは、想定されるプラズマの拡散する範囲に設けられ原料ガスをプラズマ化させるためのスパークを発生させる。例えば、着火補助装置１０８ａは、図２に示すように、排気管１０５ａの位置に設けられ、排気管１０５ａでスパークを発生させる。 The exhaust pipe 105a is a pipe for exhausting the air in the vacuum chamber 103a to the outside.
The source gas supply pipe 106 a is a pipe for diffusing the source gas into the inside of the plastic container B via the internal electrode 104 a.
The ignition assist device 108 a is provided in an assumed diffusion range of plasma and generates a spark for plasmatizing the source gas. For example, as shown in FIG. 2, the ignition assist device 108a is provided at the position of the exhaust pipe 105a, and generates a spark in the exhaust pipe 105a.

なお、図２には示されていないが、真空室１０３ａは、プラスチック容器Ｂの外形に沿ってほぼ相似形に形成され、かつ、内部電極１０４ａの外形は、プラスチック容器Ｂの内表面に沿ってほぼ相似形に形成されることが望ましい。
このようにした場合、プラスチック容器Ｂの内表面に均一なＣＶＤ膜を形成することができる。 Although not shown in FIG. 2, the vacuum chamber 103 a is formed in a substantially similar shape along the outer shape of the plastic container B, and the outer shape of the internal electrode 104 a is formed along the inner surface of the plastic container B. It is desirable that they be formed in a substantially similar shape.
In this case, a uniform CVD film can be formed on the inner surface of the plastic container B.

高周波電源２０は、交流商用電源から生成した高周波電力ＰＷを生成する。高周波電源２０は、自動整合器３０ａを介して、高周波電力ＰＷを分配して成膜チャンバ１００ａのそれぞれに電力を送電する。   The high frequency power supply 20 generates high frequency power PW generated from an AC commercial power supply. The high frequency power supply 20 distributes the high frequency power PW via the automatic matching unit 30a to transmit the power to each of the film forming chambers 100a.

自動整合器３０ａは、自身でインピーダンスの調整値を調整して、高周波電源２０と成膜チャンバ１００ａ１との間のインピーダンスを整合させる。また、自動整合器３０ａは、同様に自身でインピーダンスの調整値を調整して、高周波電源２０と成膜チャンバ１００ａ２との間のインピーダンス、高周波電源２０と成膜チャンバ１００ａ３との間のインピーダンスを整合させる。自動整合器３０ａが高周波電源２０と成膜チャンバ１００ａ１、成膜チャンバ１００ａ２、成膜チャンバ１００ａ３の間のインピーダンスを一括して整合させることにより、高い効率で安定した高周波電力ＰＷ１が成膜チャンバ１００ａ１に、高い効率で安定した高周波電力ＰＷ２が成膜チャンバ１００ａ２に、高い効率で安定した高周波電力ＰＷ３が成膜チャンバ１００ａ３に送電される。   The automatic matching unit 30a adjusts the adjustment value of the impedance by itself to match the impedance between the high frequency power supply 20 and the film forming chamber 100a1. Further, the automatic matching unit 30a similarly adjusts the adjustment value of the impedance by itself to match the impedance between the high frequency power supply 20 and the film forming chamber 100a2, and the impedance between the high frequency power supply 20 and the film forming chamber 100a3. Let The automatic matching unit 30a matches the impedances between the high frequency power supply 20 and the film forming chamber 100a1, the film forming chamber 100a2 and the film forming chamber 100a3 at once, so that the high efficiency and stable high frequency electric power PW1 is transferred to the film forming chamber 100a1. The high efficiency and stable high frequency power PW2 is transmitted to the film forming chamber 100a2, and the high efficiency and stable high frequency power PW3 is transmitted to the film forming chamber 100a3.

着火指示装置４０は、着火補助装置１０８ａのそれぞれに同タイミングでスパークを発生させるように制御する。なお、着火指示装置４０が着火補助装置１０８ａのそれぞれにスパークを発生させるように制御するタイミングは、高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａのそれぞれに高周波電力ＰＷが分配されて電力が送電されるタイミングよりも前のタイミングである。   The ignition instruction device 40 controls each of the ignition assist devices 108 a to generate a spark at the same timing. The timing at which the ignition instruction device 40 controls the ignition assist device 108a to generate sparks is from the timing at which the high frequency power PW is distributed from the high frequency power supply 20 to each of the film forming chambers 100a and power is transmitted. Is also the timing before.

着火補助装置１０８ａのそれぞれが同タイミングでスパークを発生させた場合、各成膜チャンバ１００ａにおいてプラズマが発生する。成膜チャンバ１００ａにおけるインピーダンスは、プラズマの発生状態で大きく異なる。そのため、同タイミングでスパークを発生させた後に送電する場合、同タイミングでプラズマが発生する為、成膜チャンバ１００ａ１、成膜チャンバ１００ａ２、成膜チャンバ１００ａ３それぞれにおけるインピーダンスは、ほぼ同一の値となる。これにより、高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ１に供給される高周波電力ＰＷ１、高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ２に供給される高周波電力ＰＷ２、高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ３に供給される高周波電力ＰＷ３は、ほぼ同一の値となる。その結果、各成膜チャンバ１００ａにおける外部電極に電力を均等に供給することができ、コーティング膜厚がほぼ均一なＣＶＤ膜でコーティングされたプラスチック容器Ｂを生成することができる。
本発明の一実施形態による成膜システム１は、各成膜チャンバ１００ａにおいて同タイミングでスパークが発生せるように制御を行うことにより、各成膜チャンバ１００ａにおけるインピーダンスを全タイミングで均一にすることができ、コーティング膜厚がほぼ均一なＣＶＤ膜でコーティングされたプラスチック容器Ｂを生成することができる装置である。 When each of the ignition assist devices 108 a generates a spark at the same timing, plasma is generated in each film forming chamber 100 a. The impedance in the film formation chamber 100a greatly differs depending on the state of plasma generation. Therefore, when power transmission is performed after generating the spark at the same timing, plasma is generated at the same timing, so the impedance in each of the film forming chamber 100a1, the film forming chamber 100a2 and the film forming chamber 100a3 becomes substantially the same value. Thus, the high frequency power PW1 supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a1, the high frequency power PW2 supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a2, and the high frequency power PW3 supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a3. Are almost the same value. As a result, power can be uniformly supplied to the external electrodes in each film forming chamber 100a, and a plastic container B coated with a CVD film having a substantially uniform coating thickness can be generated.
The film forming system 1 according to an embodiment of the present invention makes the impedance in each film forming chamber 100 a uniform at all timings by performing control so that sparks are generated at the same timing in each film forming chamber 100 a. It is an apparatus capable of producing a plastic container B coated with a CVD film having a substantially uniform coating thickness.

次に、本発明の一実施形態による成膜システム１の処理について説明する。
ここでは、図３に示す本発明の一実施形態による成膜システム１の処理フローについて説明する。
なお、初期状態では、高周波電源２０は、成膜装置１０に高周波電力ＰＷを供給していないものとする。 Next, processing of the film forming system 1 according to an embodiment of the present invention will be described.
Here, the process flow of the film-forming system 1 by one Embodiment of this invention shown in FIG. 3 is demonstrated.
In the initial state, the high frequency power supply 20 does not supply the high frequency power PW to the film forming apparatus 10.

図２で示したように、プラスチック容器Ｂが成膜チャンバ１００ａのそれぞれに入れられる。真空ポンプは、真空室１０３ａ内の空気を外部に排気させ、真空室１０３ａを真空状態にする。内部電極１０４ａは、真空状態となった真空室１０３ａ内に原料ガス供給管１０６ａから供給される原料ガスを噴出する。   As shown in FIG. 2, a plastic container B is placed in each of the film forming chambers 100a. The vacuum pump evacuates the air in the vacuum chamber 103a to the outside, and evacuates the vacuum chamber 103a. The internal electrode 104a ejects the source gas supplied from the source gas supply pipe 106a into the vacuum chamber 103a in a vacuum state.

着火指示装置４０は、成膜チャンバ１００ａのそれぞれに対する高周波電力ＰＷの送電のタイミングよりも前の同タイミングで着火補助装置１０８ａのそれぞれにスパークを発生させるように制御する（ステップＳ１）。
具体的には、着火指示装置４０は、着火補助装置１０８ａのそれぞれに同一のタイミングでスパークを発生させるためのスパーク制御信号を送信する。 The ignition instruction device 40 controls each of the ignition assist devices 108a to generate a spark at the same timing before the timing of power transmission of the high frequency power PW to each of the film forming chambers 100a (step S1).
Specifically, the ignition instruction device 40 transmits spark control signals for generating sparks at the same timing to each of the ignition assist devices 108a.

着火補助装置１０８ａのそれぞれは、着火指示装置４０からスパーク制御信号をほぼ同一のタイミングで受信する。これにより、着火補助装置１０８ａのそれぞれは、ほぼ同一のタイミングでスパークを発生させる（ステップＳ２）。着火補助装置１０８ａのそれぞれによるステップＳ２の処理によって、各成膜チャンバ１００ａにおけるプラズマの発生の開始が同タイミングになる。   Each of the ignition assist devices 108a receives a spark control signal from the ignition instruction device 40 at substantially the same timing. As a result, each of the ignition assist devices 108a generates a spark at substantially the same timing (step S2). By the processing of step S2 by each of the ignition assist devices 108a, the start of generation of plasma in each film forming chamber 100a becomes the same timing.

高周波電源２０は、成膜チャンバ１００ａ１に高周波電力ＰＷ１を供給し、成膜チャンバ１００ａ２に高周波電力ＰＷ２を供給し、成膜チャンバ１００ａ３に高周波電力ＰＷ３を供給する（ステップＳ３）。
なお、高周波電源２０が成膜チャンバ１００ａ１に高周波電力ＰＷ１を、成膜チャンバ１００ａ２に高周波電力ＰＷ２を、成膜チャンバ１００ａ３に高周波電力ＰＷ３を供給している間、自動整合器３０ａは、自身でインピーダンスの調整値を調整して高周波電源２０と各成膜チャンバ１００ａとの間のインピーダンスを整合させている。着火補助装置１０８ａのそれぞれは、同タイミングでスパークを発生させ、各成膜チャンバ１００ａにおいてプラズマが発生する。そのため、成膜チャンバ１００ａにおけるインピーダンスは、ほぼ同一の値となり、各成膜チャンバ１００ａにおけるインピーダンスは、全タイミングで均一になる。このことにより、高周波電源２０から各成膜チャンバ１００ａに供給される高周波電力ＰＷ１〜ＰＷ３は、ほぼ同一の値となる。 The high frequency power supply 20 supplies the high frequency power PW1 to the film forming chamber 100a1, supplies the high frequency power PW2 to the film forming chamber 100a2, and supplies the high frequency power PW3 to the film forming chamber 100a3 (step S3).
While the high frequency power supply 20 supplies the high frequency power PW1 to the film forming chamber 100a1, the high frequency power PW2 to the film forming chamber 100a2, and the high frequency power PW3 to the film forming chamber 100a3, the automatic matching unit 30a has an impedance by itself. The adjustment value of is adjusted to match the impedance between the high frequency power supply 20 and each film forming chamber 100a. Each of the ignition assist devices 108a generates a spark at the same timing, and a plasma is generated in each of the film forming chambers 100a. Therefore, the impedances in the film forming chambers 100a become substantially the same value, and the impedances in the film forming chambers 100a become uniform at all timings. As a result, the high frequency powers PW1 to PW3 supplied from the high frequency power supply 20 to the respective film forming chambers 100a have substantially the same value.

高周波電力ＰＷ１が高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ１に供給されると、外部電極１０２ａ１に高周波電力ＰＷ１が供給され、アースされた内部電極１０４ａ１と外部電極１０２ａ１との間にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、プラスチック容器Ｂ１の内表面にＣＶＤ膜が生成される。
高周波電力ＰＷ２が高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ２に供給されると、外部電極１０２ａ２に高周波電力ＰＷ２が供給され、アースされた内部電極１０４ａ２と外部電極１０２ａ２との間にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、プラスチック容器Ｂ２の内表面にＣＶＤ膜が生成される。
高周波電力ＰＷ３が高周波電源２０から成膜チャンバ１００ａ３に供給されると、外部電極１０２ａ３に高周波電力ＰＷ３が供給され、アースされた内部電極１０４ａ３と外部電極１０２ａ３との間にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、プラスチック容器Ｂ３の内表面にＣＶＤ膜が生成される。
なお、各成膜チャンバ１００ａにおける外部電極１０２ａに高周波電力が均等に供給されるため、成膜システム１は、各成膜チャンバ１００ａにおいて、コーティング膜厚がほぼ均一なＣＶＤ膜をプラスチック容器Ｂの内表面に生成することができる。 When the high frequency power PW1 is supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a1, the high frequency power PW1 is supplied to the external electrode 102a1, and plasma is generated between the grounded internal electrode 104a1 and the external electrode 102a1. The generation of the plasma generates a CVD film on the inner surface of the plastic container B1.
When the high frequency power PW2 is supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a2, the high frequency power PW2 is supplied to the external electrode 102a2, and plasma is generated between the grounded internal electrode 104a2 and the external electrode 102a2. The generation of this plasma generates a CVD film on the inner surface of the plastic container B2.
When the high frequency power PW3 is supplied from the high frequency power supply 20 to the film forming chamber 100a3, the high frequency power PW3 is supplied to the external electrode 102a3 and plasma is generated between the grounded internal electrode 104a3 and the external electrode 102a3. The generation of the plasma generates a CVD film on the inner surface of the plastic container B3.
Since the high frequency power is uniformly supplied to the external electrode 102a in each of the film forming chambers 100a, the film forming system 1 has a CVD film having a substantially uniform coating thickness in each of the plastic containers B in each of the film forming chambers 100a. It can be generated on the surface.

以上、本発明の一実施形態による成膜システム１について説明した。
本発明の一実施形態による成膜システム１は、成膜装置１０、高周波電源２０、自動整合器３０ａ、着火指示装置４０を備える。成膜装置１０が備える成膜チャンバ１００ａのそれぞれは、電気的に並列に接続される。自動整合器３０ａは、高周波電源２０と各成膜チャンバ１００ａとの間のインピーダンスを整合する。成膜装置１０が備える着火補助装置１０８ａ１は、成膜チャンバ１００ａ１からのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる。成膜装置１０が備える着火補助装置１０８ａ３は、成膜チャンバ１００ａ２からのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる。成膜装置１０が備える着火補助装置１０８ａ３は、成膜チャンバ１００ａ２からのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる。着火指示装置４０は、各着火補助装置１０８ａに同タイミングでスパークを発生させるように各着火補助装置１０８ａを制御する。
このようにすれば、本発明の一実施形態による成膜システム１は、高周波電源２０から高周波電力が同時に供給される成膜チャンバ１００ａのそれぞれを用いてプラスチック容器Ｂの内表面にＣＶＤ膜を生成する成膜システム１において、各成膜チャンバ１００ａに同タイミングで着火させることができる。 In the above, the film-forming system 1 by one Embodiment of this invention was demonstrated.
A film forming system 1 according to an embodiment of the present invention includes a film forming apparatus 10, a high frequency power supply 20, an automatic matching device 30a, and an ignition instruction device 40. Each of the film forming chambers 100 a included in the film forming apparatus 10 is electrically connected in parallel. The automatic matching unit 30a matches the impedance between the high frequency power supply 20 and each film forming chamber 100a. The ignition assist device 108a1 included in the film forming apparatus 10 generates a spark within the diffusion range of plasma from the film forming chamber 100a1. The ignition assist device 108a3 included in the film forming apparatus 10 generates a spark within the diffusion range of plasma from the film forming chamber 100a2. The ignition assist device 108a3 included in the film forming apparatus 10 generates a spark within the diffusion range of plasma from the film forming chamber 100a2. The ignition instruction device 40 controls the respective ignition assist devices 108 a to cause the respective ignition assist devices 108 a to generate sparks at the same timing.
In this way, the film forming system 1 according to an embodiment of the present invention generates a CVD film on the inner surface of the plastic container B using each of the film forming chambers 100a to which the high frequency power is simultaneously supplied from the high frequency power supply 20. In the film forming system 1 to be performed, each film forming chamber 100a can be ignited at the same timing.

なお、本発明の一実施形態による成膜システム１は、１つの自動整合器３０ａを備え、その自動整合器３０ａが高周波電源２０と各成膜チャンバ１００ａの間のインピーダンスを一括して整合するものとして説明した。しかしながら、本発明の他の実施形態による成膜システム１は、２つ以上の任意の複数の自動整合器３０ａを備え、高周波電源２０から複数の自動整合器３０ａのうちの１つに接続を切り替えて、その切り替えによって高周波電源２０に接続された自動整合器３０ａが高周波電源２０と各成膜チャンバ１００ａの間のインピーダンスを一括して整合するものであってもよい。高周波電源２０と接続される１つの自動整合器３０aのほか、同じ高周波電源２０に別の整合器を備え、高周波電源２０の電力の供給先を自動整合器３０aと別の整合器との間で切り替えてもよい。   The film forming system 1 according to an embodiment of the present invention includes one automatic matching unit 30a, and the automatic matching unit 30a collectively matches the impedance between the high frequency power supply 20 and each of the film forming chambers 100a. As described. However, the film forming system 1 according to another embodiment of the present invention includes two or more arbitrary plural automatic matching units 30a, and switches the connection from the high frequency power supply 20 to one of the plural automatic matching units 30a. Alternatively, the automatic matching unit 30a connected to the high frequency power supply 20 may switch the impedance between the high frequency power supply 20 and each of the film forming chambers 100a collectively by switching. In addition to one automatic matching unit 30a connected to the high frequency power supply 20, the same high frequency power supply 20 is provided with another matching unit, and the power supply destination of the high frequency power supply 20 is between the automatic matching unit 30a and another matching unit. You may switch.

なお、本発明の一実施形態による成膜システム１は、自動整合器３０ａを備えるものとして説明した。しかしながら、本発明の一実施形態による成膜システム１は、必ずしも自動整合器３０ａを備える必要はない。
本発明の他の実施形態による成膜システム１が備える成膜チャンバ１００ａは、例えば、すべて固定整合器に接続されるものであってよい。この場合、成膜システム１とは別に、成膜システム１が備える成膜チャンバ１００ａと同様のチャンバに自動整合器３０ａを接続して、プラスチック容器Ｂの内表面が正常に成膜されたときに、高周波電力ＰＷが成膜チャンバ１００ａに供給された間の自動整合器３０ａのインピーダンスの調整値を固定整合器それぞれのインピーダンスの調整値として設定すればよい。 In addition, the film-forming system 1 by one Embodiment of this invention was demonstrated as what is provided with the automatic matching device 30a. However, the deposition system 1 according to an embodiment of the present invention does not necessarily have to include the automatic matching unit 30a.
The film formation chambers 100 a included in the film formation system 1 according to another embodiment of the present invention may all be connected to, for example, a fixed matching device. In this case, when the automatic alignment unit 30a is connected to the same chamber as the film forming chamber 100a included in the film forming system 1 separately from the film forming system 1, the inner surface of the plastic container B is normally formed. The adjustment value of the impedance of the automatic matching unit 30a while the high frequency power PW is supplied to the film forming chamber 100a may be set as the adjustment value of the impedance of each of the fixed matching units.

なお、本発明の一実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。   In the process according to an embodiment of the present invention, the order of the processes may be switched as long as the appropriate process is performed.

記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。   Each of the storage units may be provided anywhere as long as appropriate transmission and reception of information is performed. In addition, each of the storage units may be a plurality of pieces in a range where appropriate transmission and reception of information is performed, and the data may be distributed and stored.

本発明の実施形態について説明したが、上述の高周波電源２０、自動整合器３０ａ、着火指示装置４０、成膜システム１における装置のそれぞれは内部に、コンピュータシステムを有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータがそのプログラムを実行するようにしてもよい。   Although the embodiment of the present invention has been described, each of the above-described high frequency power supply 20, automatic matching device 30a, ignition instruction device 40, and devices in the film forming system 1 may have a computer system inside. The process of the process described above is stored in the form of a program in a computer readable recording medium, and the process is performed by the computer reading and executing the program. Here, the computer readable recording medium refers to a magnetic disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, a semiconductor memory or the like. Alternatively, the computer program may be distributed to a computer through a communication line, and the computer receiving the distribution may execute the program.

また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。   Also, the program may realize part of the functions described above. Furthermore, the program may be a file capable of realizing the above-described functions in combination with a program already recorded in a computer system, a so-called difference file (difference program).

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、発明の範囲を限定しない。これらの実施形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、省略、置き換え、変更を行ってよい。   While several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are examples and do not limit the scope of the invention. Various additions, omissions, replacements and changes may be made to these embodiments without departing from the scope of the invention.

１・・・成膜システム
１０・・・成膜装置
２０・・・高周波電源
３０ａ１、３０ａ２、３０ａ３・・・自動整合器
４０・・・着火指示装置
１００ａ、１００ａ１、１００ａ２、１００ａ３・・・成膜チャンバ
１０１ａ・・・筐体
１０２ａ・・・外部電極
１０３ａ・・・真空室
１０４ａ・・・内部電極
１０５ａ・・・排気管
１０６ａ・・・原料ガス供給管
１０７ａ・・・蓋体
１０８ａ・・・着火補助装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... film-forming system 10 ... film-forming apparatus 20 ... high frequency electric-power 30a1, 30a2, 30a3 ... Automatic matching machine 40 ... Ignition instruction | indication apparatus 100a, 100a1, 100a2, 100a3 ... film-forming Chamber 101a: Case 102a: External electrode 103a: Vacuum chamber 104a: Internal electrode 105a: Exhaust pipe 106a: Raw material gas supply pipe 107a: Lid 108a: Ignition Auxiliary equipment

Claims (4)

電源と、
前記電源に接続された１台の整合器と、
前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列に接続された複数のチャンバと、
前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、
前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御する着火指示装置と、
を備える成膜システム。 Power supply,
One matching unit connected to the power supply,
A plurality of chambers electrically connected with each other in parallel, with impedance matching with the power supply being matched by the one matching device;
A plurality of ignition assist devices for generating a spark within a diffusion range of plasma from each of the plurality of chambers;
An ignition instruction device that controls the plurality of ignition assist devices to cause the plurality of ignition assist devices to generate sparks at the same timing;
Deposition system comprising: 前記複数の着火指示装置は、
前記複数のチャンバに対する前記電源からの送電のタイミングよりも前の同タイミングで前記複数の着火補助装置にスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御する、
請求項１に記載の成膜システム。 The plurality of ignition instruction devices are
The plurality of ignition assist devices are controlled to cause the plurality of ignition assist devices to generate sparks at the same timing prior to the timing of power transmission from the power supply to the plurality of chambers.
The film forming system according to claim 1. 電源と、前記電源に接続された１台の整合器と、前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列接続された複数のチャンバと、前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、を備える成膜システムの制御方法であって、
前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御すること、
を含む制御方法。 A plurality of chambers electrically connected in parallel with each other, the plurality of chambers electrically connected to each other, the power source, a single matching device connected to the power source, and impedance matching between the power sources by the single matching device; A control method of a film forming system, comprising: a plurality of ignition assist devices for generating a spark within a diffusion range of plasma from each of the plurality of ignition assist devices,
Controlling the plurality of ignition assist devices to cause the plurality of ignition assist devices to generate sparks at the same timing;
Control method including: 電源と、前記電源に接続された１台の整合器と、前記１台の整合器により電源との間のインピーダンスを整合され、互いに電気的に並列接続された複数のチャンバと、前記複数のチャンバそれぞれからのプラズマの拡散範囲内においてスパークを発生させる複数の着火補助装置と、を備える成膜システムのコンピュータに、
前記複数の着火補助装置に同タイミングでスパークを発生させるように前記複数の着火補助装置を制御すること、
を実行させるプログラム。 A plurality of chambers electrically connected in parallel with each other, the plurality of chambers electrically connected to each other, the power source, a single matching device connected to the power source, and impedance matching between the power sources by the single matching device; And a plurality of ignition assist devices for generating sparks in the diffusion range of plasma from each of the plurality of computers of the deposition system.
Controlling the plurality of ignition assist devices to cause the plurality of ignition assist devices to generate sparks at the same timing;
A program that runs
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