JP2005175242A - System and method for fabricating thin film - Google Patents

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JP2005175242A
JP2005175242A JP2003414225A JP2003414225A JP2005175242A JP 2005175242 A JP2005175242 A JP 2005175242A JP 2003414225 A JP2003414225 A JP 2003414225A JP 2003414225 A JP2003414225 A JP 2003414225A JP 2005175242 A JP2005175242 A JP 2005175242A
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thin film
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Tadashi Shimazu
正 嶋津
Toshihiko Nishimori
年彦 西森
Hisashi Yanagida
尚志 柳田
Masahiko Inoue
雅彦 井上
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film fabricating system and a thin film fabricating method by which a uniform thin film is manufactured with simple constitution of the system. <P>SOLUTION: In the thin film fabricating system, gas 13 is fed into a vacuum chamber 1 from a gas nozzle, electricity is supplied to a high-frequency antenna 7 to turn the gas to plasma, and the thin film 15 is formed on a substrate 6. The gas nozzle comprises a first gas nozzle 20 which feeds the gas 13 towards a center from a side wall of the vacuum chamber 1, and a second gas nozzle 21 that is extended to the center from the side wall of the vacuum chamber 1 and that feeds the gas 13 towards the substrate 6 at the center of the vacuum chamber 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、均一な薄膜を作製することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法に関する。   The present invention relates to a thin film production apparatus and a thin film production method capable of producing a uniform thin film.

近年、マイクロプロセッサチップの生産効率を向上させる等を目的として、チップの土台であるウエハの大型化（大径化）が進み、これに伴い、大型ウエハに金属膜等を成膜する薄膜作製装置も大型化（大口径化）が進んでいる。   In recent years, for the purpose of improving the production efficiency of microprocessor chips, etc., the wafer size, which is the base of the chips, has been increased in size (increase in diameter). Is also becoming larger (larger diameter).

このように、成膜面積の大きい薄膜作製装置の開発が急務となっている中、成膜面積を大きくする場合、いかに均一に薄膜を作製することができるかが問題となる。これに対して、成膜される膜の原料となるガスを大面積の基板に対して均一に噴射することを目的として、薄膜作製装置を構成する真空チャンバの側面から原料ガスを噴射すると共に、ガス供給が希薄となりがちな基板中央付近にチャンバの天井部分の中央に設けたガス供給システムからガスを噴射する技術が提案されている（例えば、下記、特許文献１参照）。   As described above, development of a thin film manufacturing apparatus having a large film formation area is urgently needed, and when the film formation area is increased, a problem arises as to how uniformly a thin film can be manufactured. On the other hand, for the purpose of uniformly injecting a gas as a raw material of a film to be formed on a large-area substrate, the raw material gas is injected from the side surface of the vacuum chamber constituting the thin film manufacturing apparatus, There has been proposed a technique for injecting gas from a gas supply system provided in the center of the ceiling of the chamber near the center of the substrate where gas supply tends to be lean (see, for example, Patent Document 1 below).

特開２００２−１５８１８０号公報JP 2002-158180 A

しかしながら、上述する技術では、天井部分はプラズマを発生させる装置等も存在するため、その構造が複雑になってしまうと共に、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを行う際に、作業に時間がかかってしまう。また、原料ガスの供給制御のみでは、より精度の高い均一性が要求された場合に、対応できないおそれがある。   However, in the above-described technology, there are devices that generate plasma on the ceiling, so the structure becomes complicated, and when performing maintenance such as replacement of the vacuum chamber and cleaning of the chamber, the work is performed. It takes time. Further, only the supply control of the raw material gas may not be able to cope with the case where higher accuracy uniformity is required.

本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、簡易な装置構成で均一な薄膜を作製することができると共に、より精度の高い均一成膜に対応することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and provides a thin film production apparatus and a thin film production method capable of producing a uniform thin film with a simple apparatus configuration and capable of dealing with a more accurate uniform film formation. The purpose is to provide.

上記課題を解決する本発明に係る薄膜作製装置は、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることを特徴とする薄膜作製装置である。 A thin film manufacturing apparatus according to the present invention that solves the above problems is as follows.
A gas nozzle for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for the thin film into the chamber;
Pressure control means for controlling the internal pressure of the chamber;
Plasma generating means installed at the top of the chamber and generating plasma of the gas inside the chamber;
In a thin film manufacturing apparatus having a support stand that is installed below the chamber and supports a substrate on which the thin film is formed,
The gas nozzle includes a first gas nozzle that supplies the gas from the side wall of the chamber toward the center, and a second gas nozzle that extends from the side wall of the chamber to the center and supplies the gas toward the substrate at the center of the chamber. A thin film manufacturing apparatus comprising a gas nozzle.

薄膜の形成する成分を含む原料ガスのガスノズルとして、チャンバの側壁から中心に向けて原料ガスを供給する第１ガスノズルに加えて、チャンバの側壁から中心まで伸びて、チャンバの中心において基板に向けて原料ガスを供給する第２ガスノズルを設け、大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にする。これにより、簡易な装置構成で高い均一性を有する薄膜を作製する。更に、簡易な装置構成とすることで、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを短時間で行うことができるようにする。   In addition to the first gas nozzle for supplying the source gas from the side wall of the chamber toward the center, the gas nozzle for the source gas containing the components forming the thin film extends from the side wall of the chamber to the center and toward the substrate at the center of the chamber. A second gas nozzle for supplying a source gas is provided to make the gas plasma concentration (gas concentration) acting on the outer peripheral portion and the central portion of a large-area substrate (wafer) uniform. Thereby, a thin film having high uniformity is produced with a simple apparatus configuration. Further, by adopting a simple device configuration, maintenance such as replacement of the vacuum chamber and cleaning of the chamber can be performed in a short time.

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することを特徴とする薄膜作製装置である。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Furthermore, it has a flow rate control means for controlling the flow rate of the gas supplied from the first gas nozzle and the second gas nozzle, and a substrate height adjusting means for adjusting the height of the substrate,
The flow rate control unit and the substrate height adjusting unit adjust the gas flow rate and the substrate height so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate.

流量制御手段により、主として基板の外周部分の成膜に寄与する第１ガスノズルからのガス供給と主として基板の中心部分の成膜に寄与する第２ガスノズルからのガス供給とを適切に制御すると共に、基板高さ調整手段により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製する。   The flow rate control means appropriately controls the gas supply from the first gas nozzle mainly contributing to the film formation on the outer peripheral portion of the substrate and the gas supply from the second gas nozzle mainly contributing to the film formation on the central portion of the substrate, The substrate height adjustment means adjusts the substrate height so that the relationship between the uniformity of the thin film and the film formation speed is optimal, and a thin film with higher uniformity is produced with high reproducibility by automatic control.

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置である。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Furthermore, when supplying gas into the chamber, gas supply method control means for supplying gas from the other gas nozzle after gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle is provided. It is a thin film manufacturing apparatus characterized by having.

第１ガスノズル及び第２ガスノズルの得意とする成膜部分を考慮して各ガスノズルから順番に原料ガスを供給して、両ガスノズルからの原料ガスの同時供給と比較して簡易な成膜制御とする。   Considering the film forming part that the first gas nozzle and the second gas nozzle are good at, the source gas is sequentially supplied from each gas nozzle, and the film forming control is simpler than the simultaneous supply of the source gas from both gas nozzles. .

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置である。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Further, when supplying gas into the chamber, gas supply method control for alternately performing gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle and gas supply from the other gas nozzle. It is a thin film manufacturing apparatus characterized by having a means.

各ガスノズルからのガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製する。   By alternately supplying gas from each gas nozzle, a simple film formation control and a more uniform thin film are produced.

上記課題を解決する本発明に係る薄膜作製方法は、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することを特徴とする薄膜作製方法である。 The method for producing a thin film according to the present invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In a thin film manufacturing method for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for a thin film into a chamber, generating plasma of the gas, and forming a thin film on a substrate,
A thin film production comprising: a gas supplied from the side wall of the chamber toward the center; and a gas introduced from the side wall of the chamber and supplied toward the substrate at the center of the chamber Is the method.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することを特徴とする薄膜作製方法である。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, the flow rate of the gas supplied from the side wall of the chamber toward the center and the flow rate of the gas supplied toward the substrate at the center of the chamber are controlled so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate. And a method for producing a thin film, wherein the height of the substrate is adjusted.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うことを特徴とする薄膜作製方法である。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, when supplying the gas into the chamber, either of supplying the gas from the side wall of the chamber toward the center or supplying the gas toward the substrate at the center of the chamber. After performing one, it is the thin film preparation method characterized by performing the other.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うことを特徴とする薄膜作製方法である。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, when supplying the gas into the chamber, the gas is alternately supplied from the side wall of the chamber toward the center and the gas is supplied toward the substrate at the center of the chamber. This is a method for producing a thin film.

上記本発明に係る薄膜作製装置よれば、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることとしたので、
大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にして、簡易な装置構成で高い均一性を有する薄膜を作製することができる。更に、簡易な装置構成とすることにより、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを短時間で行うことができる。 According to the thin film production apparatus according to the present invention,
A gas nozzle for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for the thin film into the chamber;
Pressure control means for controlling the internal pressure of the chamber;
Plasma generating means installed at the top of the chamber and generating plasma of the gas inside the chamber;
In a thin film manufacturing apparatus having a support stand that is installed below the chamber and supports a substrate on which the thin film is formed,
The gas nozzle includes a first gas nozzle that supplies the gas from the side wall of the chamber toward the center, and a second gas nozzle that extends from the side wall of the chamber to the center and supplies the gas toward the substrate at the center of the chamber. Because it was made up of gas nozzles,
A gas plasma concentration (gas concentration) acting on the outer peripheral portion and the central portion of a large-area substrate (wafer) can be made uniform, and a thin film having high uniformity can be produced with a simple apparatus configuration. Furthermore, with a simple apparatus configuration, maintenance such as replacement of the vacuum chamber and cleaning of the chamber can be performed in a short time.

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することとしたので、
流量制御手段により、主として基板の外周部分の成膜に寄与する第１ガスノズルからのガス供給と主として基板の中心部分の成膜に寄与する第２ガスノズルからのガス供給とを適切に制御すると共に、基板高さ調整手段により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製することができる。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Furthermore, it has a flow rate control means for controlling the flow rate of the gas supplied from the first gas nozzle and the second gas nozzle, and a substrate height adjusting means for adjusting the height of the substrate,
Since the flow rate control means and the substrate height adjusting means adjust the gas flow rate and the substrate height so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate,
The flow rate control means appropriately controls the gas supply from the first gas nozzle mainly contributing to the film formation on the outer peripheral portion of the substrate and the gas supply from the second gas nozzle mainly contributing to the film formation on the central portion of the substrate, By adjusting the height of the substrate so that the relationship between the uniformity of the thin film and the film forming speed is optimized by the substrate height adjusting means, a highly uniform thin film can be produced with high reproducibility by automatic control.

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することとしたので、
第１ガスノズル及び第２ガスノズルの得意とする成膜部分を考慮して各ガスノズルから順番に原料ガスを供給して、両ガスノズルからの原料ガスの同時供給と比較して簡易な成膜制御とすることができる。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Furthermore, when supplying gas into the chamber, gas supply method control means for supplying gas from the other gas nozzle after gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle is provided. Because we decided to have
Considering the film forming part that the first gas nozzle and the second gas nozzle are good at, the source gas is sequentially supplied from each gas nozzle, and the film forming control is simpler than the simultaneous supply of the source gas from both gas nozzles. be able to.

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することとしたので、
各ガスノズルからのガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製することができる。 Moreover, in the thin film manufacturing apparatus,
Further, when supplying gas into the chamber, gas supply method control for alternately performing gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle and gas supply from the other gas nozzle. Because we decided to have a means
By alternately supplying the gas from each gas nozzle, a simple film formation control and a more uniform thin film can be produced.

上記本発明に係る薄膜作製方法よれば、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することとしたので、
大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にして、簡易な成膜方法で高い均一性を有する薄膜を作製することができる。 According to the thin film manufacturing method according to the present invention,
In a thin film manufacturing method for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for a thin film into a chamber, generating plasma of the gas, and forming a thin film on a substrate,
Since the gas is configured to be supplied from the side wall of the chamber toward the center and the gas introduced from the side wall of the chamber and supplied toward the substrate at the center of the chamber,
A gas plasma concentration (gas concentration) acting on the outer peripheral portion and the central portion of a large-area substrate (wafer) can be made uniform, and a thin film having high uniformity can be produced by a simple film formation method.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することとしたので、
ガス流量の制御により、主として基板の外周部分の成膜に寄与するチャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと主として基板の中心部分の成膜に寄与するチャンバの中心において基板に向けて供給するガスとを適切に制御すると共に、基板の高さ調整により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製することができる。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, the flow rate of the gas supplied from the side wall of the chamber toward the center and the flow rate of the gas supplied toward the substrate at the center of the chamber are controlled so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate. And because we decided to adjust the height of the substrate,
By controlling the gas flow rate, the gas supplied toward the center mainly from the sidewall of the chamber that contributes to the film formation on the outer peripheral portion of the substrate and the gas supplied toward the substrate mainly at the center of the chamber that contributes to the film formation on the central portion of the substrate. Appropriately control the gas and adjust the height of the substrate to adjust the substrate height so that the relationship between the uniformity of the thin film and the film formation speed is optimal, and reproduce the thin film with higher uniformity by automatic control. It can be manufactured with good performance.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うこととしたので、
各ガス供給の得意とする成膜部分を考慮して各ガス供給を順番に行って、両ガス供給を同時に行う場合と比較して簡易な成膜制御とすることができる。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, when supplying the gas into the chamber, either of supplying the gas from the side wall of the chamber toward the center or supplying the gas toward the substrate at the center of the chamber. After doing one, we decided to do the other,
Considering the film forming portion that is good at each gas supply, each gas supply is performed in order, and it is possible to make the film formation control simpler than when both gases are supplied simultaneously.

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うこととしたので、
各ガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製することができる。 Further, in the above thin film manufacturing method,
Further, when supplying the gas into the chamber, the gas is alternately supplied from the side wall of the chamber toward the center and the gas is supplied toward the substrate at the center of the chamber. So I decided
By alternately supplying each gas, a simple film formation control can be achieved and a more uniform thin film can be produced.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて例示的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置の概略透視側断面図である。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be exemplarily described based on the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective side sectional view of a thin film production apparatus for performing a thin film production method according to an embodiment of the present invention.

同図に示すように、円筒状の真空チャンバ１内には成膜室２が形成され、真空チャンバ１の上部には円形の天井板３が設けられている。成膜室２の中心には基板６を支持する支持台４が備えられ、例えば、静電チャック等により半導体の基板６が支持台４の上面に静電的に吸着保持されるようになっている。   As shown in the figure, a film forming chamber 2 is formed in a cylindrical vacuum chamber 1, and a circular ceiling plate 3 is provided on the upper portion of the vacuum chamber 1. At the center of the film forming chamber 2 is provided a support table 4 that supports the substrate 6. For example, the semiconductor substrate 6 is electrostatically attracted and held on the upper surface of the support table 4 by an electrostatic chuck or the like. Yes.

天井板３の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ７が配置され、高周波アンテナ７には整合器８を介して高周波電源９が接続されている。高周波アンテナ７に電力を供給することにより電磁波が真空チャンバ１の成膜室２に入射される（プラズマ発生手段）。一方、真空チャンバ１の側壁部分における天井板３より低く、支持台４より高い位置には水平にガスノズルが設けられ、ガス１３が成膜室２内に導入される。   On the ceiling plate 3, for example, a circular ring-shaped high-frequency antenna 7 is disposed, and a high-frequency power source 9 is connected to the high-frequency antenna 7 via a matching unit 8. By supplying power to the high-frequency antenna 7, electromagnetic waves are incident on the film forming chamber 2 of the vacuum chamber 1 (plasma generating means). On the other hand, a gas nozzle is provided horizontally at a position lower than the ceiling plate 3 in the side wall portion of the vacuum chamber 1 and higher than the support base 4, and a gas 13 is introduced into the film forming chamber 2.

成膜室２内に導入されたガス１３は、成膜室２に入射された電磁波によりイオン化され、プラズマ状態となる。ガス１３は、薄膜１５の材料となる元素成分を含むガス、例えばＳｉＨ4ガス等であり、プラズマ状態となった後、基板６に吸着等することにより薄膜１５を形成する。例えば、有機金属錯体のガスからは金属薄膜が形成され、ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスとの組み合わせからはＳｉＯｘ膜が形成され、ガス種を変更することにより種々の薄膜１５を成膜することができる。ここで、添加ガスのＯ2については、膜厚分布に対して流れの影響を受けないため、チャンバへのガス供給ではノズルを使っても使わなくても良い。 The gas 13 introduced into the film forming chamber 2 is ionized by the electromagnetic wave incident on the film forming chamber 2 and enters a plasma state. The gas 13 is a gas containing an elemental component that is a material of the thin film 15, for example, SiH 4 gas, and forms the thin film 15 by being adsorbed on the substrate 6 after being in a plasma state. For example, a metal thin film is formed from an organometallic complex gas, a SiOx film is formed from a combination of SiH 4 gas and O 2 gas, and various thin films 15 can be formed by changing the gas type. it can. Here, since the additive gas O 2 is not affected by the flow on the film thickness distribution, the nozzle may or may not be used for gas supply to the chamber.

詳細な装置制御としては、圧力制御手段としての真空ポンプ（図示せず）等により成膜室２内を所定の圧力に調整すると共に、ガスノズル２０，２１からガス１３を所定流量で導入する。高周波電源９から高周波アンテナ７に整合器８を介して高周波電力（１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ，１ｋＷ〜１０ｋＷ）を印加することにより、成膜室２内でガス１３が励起されてプラズマ状態となり、基板６上に薄膜１５が成膜される。このとき、基板６の温度は温度制御手段としてのヒーター（図示せず）等により２００℃から４５０℃に設定される。   As detailed apparatus control, the inside of the film forming chamber 2 is adjusted to a predetermined pressure by a vacuum pump (not shown) as pressure control means, and the gas 13 is introduced from the gas nozzles 20 and 21 at a predetermined flow rate. By applying high frequency power (1 MHz to 100 MHz, 1 kW to 10 kW) from the high frequency power source 9 to the high frequency antenna 7 via the matching unit 8, the gas 13 is excited in the film forming chamber 2 to be in a plasma state, and on the substrate 6. A thin film 15 is formed. At this time, the temperature of the substrate 6 is set to 200 ° C. to 450 ° C. by a heater (not shown) as temperature control means.

ガスノズルは、第１ガスノズル２０と第２ガスノズル２１とからなる。基板高さ調整手段である支持台昇降装置２２は支持台４（基板６）を昇降する装置であり、ガスノズル２０，２１と支持台４（基板６）との距離を調整することができるようになっている。   The gas nozzle includes a first gas nozzle 20 and a second gas nozzle 21. The support table elevating device 22 that is a substrate height adjusting means is a device that elevates and lowers the support table 4 (substrate 6) so that the distance between the gas nozzles 20 and 21 and the support table 4 (substrate 6) can be adjusted. It has become.

図２は、本発明の実施形態に係る薄膜作製装置におけるガスノズル２０，２１の概略配置図である。同図は、支持台４側から天井板３を見た場合の真空チャンバ１におけるガスノズル２０，２１の配置を概略的に示したものである。同図に示すように、断面円形の真空チャンバ１の側壁部分に８本の第１ガスノズル２０が等間隔で配置されている。第１ガスノズル２０は、側壁部分から断面円形の真空チャンバ１における中心に向かって半径の半分ほどの位置まで伸びており、第１ガスノズル２０の先端には、ガス１３が真空チャンバ１の中心に向かって噴射されるように噴射口２０ａが設けられている。   FIG. 2 is a schematic arrangement view of the gas nozzles 20 and 21 in the thin film production apparatus according to the embodiment of the present invention. This figure schematically shows the arrangement of the gas nozzles 20 and 21 in the vacuum chamber 1 when the ceiling board 3 is viewed from the support base 4 side. As shown in the figure, eight first gas nozzles 20 are arranged at equal intervals on the side wall portion of the vacuum chamber 1 having a circular cross section. The first gas nozzle 20 extends from the side wall portion toward the center of the vacuum chamber 1 having a circular cross section to a position about half the radius, and the gas 13 is directed toward the center of the vacuum chamber 1 at the tip of the first gas nozzle 20. The injection port 20a is provided so as to be injected.

また、断面円形の真空チャンバ１の側壁部分における適当な位置に１本の第２ガスノズル２１が配置されている。第２ガスノズル２１は、側壁部分から断面円形の真空チャンバ１における径方向に沿って、真空チャンバ１の中心まで伸びており、第２ガスノズル２１の先端には、ガス１３が真空チャンバ１の中心から支持台４の方向に向かって噴射されるように噴射口２１ａが設けられている。   Further, one second gas nozzle 21 is disposed at an appropriate position in the side wall portion of the vacuum chamber 1 having a circular cross section. The second gas nozzle 21 extends from the side wall portion to the center of the vacuum chamber 1 along the radial direction in the vacuum chamber 1 having a circular cross section, and at the tip of the second gas nozzle 21, the gas 13 extends from the center of the vacuum chamber 1. An injection port 21 a is provided so as to be injected toward the direction of the support base 4.

図１にも示すように、第１ガスノズル２０の方が第２ガスノズル２１よりも低い位置、すなわち支持台４に近い位置に配置されているため、図２では、第２ガスノズル２１よりも手前に第１ガスノズル２０が見えている。なお、第１ガスノズル２０と第２ガスノズル２１の設置位置の高さについては、両ノズルを同じ高さにしても良く、また第１ガスノズル２０の方が第２ガスノズル２１よりも高い位置となるように設置しても良い。   As shown in FIG. 1, the first gas nozzle 20 is arranged at a position lower than the second gas nozzle 21, that is, a position closer to the support base 4. The first gas nozzle 20 is visible. In addition, about the height of the installation position of the 1st gas nozzle 20 and the 2nd gas nozzle 21, you may make both the nozzles the same height, and the 1st gas nozzle 20 is the position higher than the 2nd gas nozzle 21. It may be installed in.

図３は、本発明に実施形態に係る薄膜作製方法により得られる均一な薄膜を説明するための図である。同図（ａ）には、支持台昇降装置２２により基板６の高さを変化させた場合において、第１ガスノズル２０からのガス噴射のみによる成膜分布を示してある。また、同図（ｂ）には、支持台昇降装置２２により基板６の高さを変化させた場合において、第２ガスノズル２１からのガス噴射のみによる成膜分布を示してある。   FIG. 3 is a view for explaining a uniform thin film obtained by the thin film manufacturing method according to the embodiment of the present invention. FIG. 6A shows a film formation distribution by only gas injection from the first gas nozzle 20 when the height of the substrate 6 is changed by the support platform lifting device 22. FIG. 2B shows a film formation distribution by only gas injection from the second gas nozzle 21 when the height of the substrate 6 is changed by the support platform lifting device 22.

第１ガスノズル２０は、真空チャンバ１の側壁部分から真空チャンバ１における中心に向かって伸び、噴射口２０ａからガス１３が真空チャンバ１の中心に向かって噴射されるようになっているが、第１ガスノズル２０から成膜室２内に噴射されるガス１３は基板６の外周部分の上部ほど濃度が高く、基板６の中心部分の上部あたりでは希薄である。このため、同図（ａ）に示すように、第１ガスノズル２０からのガス１３供給のみでは、基板６の高さ（高位置、中位置、低位置）に関係なく、基板６の外周部分ほど厚く成膜される一方、中心部分ほど薄く成膜され、不均一な薄膜１５ａ〜１５ｃが成膜される。   The first gas nozzle 20 extends from the side wall portion of the vacuum chamber 1 toward the center of the vacuum chamber 1, and the gas 13 is injected from the injection port 20 a toward the center of the vacuum chamber 1. The concentration of the gas 13 injected from the gas nozzle 20 into the film forming chamber 2 is higher at the upper part of the outer peripheral portion of the substrate 6, and is thinner around the upper portion of the central portion of the substrate 6. For this reason, as shown in FIG. 5 (a), only the gas 13 supplied from the first gas nozzle 20 is the outer peripheral portion of the substrate 6 regardless of the height (high position, middle position, low position) of the substrate 6. While the film is formed thicker, the film is formed thinner toward the center, and the non-uniform thin films 15a to 15c are formed.

しかしながら、基板６の高さにより薄膜１５の不均一性が異なり、基板６を比較的高位置として第１ガスノズル２０に近づけた場合には極めて不均一な薄膜１５ａとなる一方、基板６を比較的中位置（薄膜１５ｂ）、低位置（薄膜１５ｃ）とするにつれて薄膜の均一性が高くなることが分かる。これは、基板６を第１ガスノズル２０に近づける（高位置とする）ほど、第１ガスノズル２０から噴射されるガス１３の、基板６の外周部分の上部ほど濃度が高く基板６の中心部分の上部あたりでは希薄となるというガス分布（すなわち、プラズマ分布）の影響を受ける一方、基板６を第１ガスノズル２０から遠ざける（低位置とする）ほど、ガスが拡散し前記ガス分布の影響が少なくなるからである。   However, the non-uniformity of the thin film 15 varies depending on the height of the substrate 6. When the substrate 6 is positioned relatively high and close to the first gas nozzle 20, the non-uniform thin film 15 a is obtained. It can be seen that the uniformity of the thin film increases with the middle position (thin film 15b) and the lower position (thin film 15c). This is because the closer the substrate 6 is to the first gas nozzle 20 (higher position), the higher the concentration of the gas 13 injected from the first gas nozzle 20 is at the upper part of the outer peripheral part of the substrate 6, and the upper part of the central part of the substrate 6. On the other hand, it is affected by the gas distribution (ie, plasma distribution) that is diluted around, while the more the substrate 6 is moved away from the first gas nozzle 20 (lower position), the more the gas diffuses and the influence of the gas distribution becomes smaller. It is.

第２ガスノズル２１は、真空チャンバ１の側壁部分から真空チャンバ１における中心まで伸び、噴射口２１ａからガス１３が真空チャンバ１の中心から支持台４（基板６）に向かって噴射されるようになっているが、第２ガスノズル２１から成膜室２内に噴射されるガス１３は基板６の中心部分の上部ほど濃度が高く、基板６の外周部分の上部あたりでは希薄である。このため、同図（ｂ）に示すように、第２ガスノズル２１からのガス１３供給のみでは、基板６の高さ（高位置、中位置、低位置）に関係なく、基板６の中心部分ほど厚く成膜される一方、外周部分ほど薄く成膜され、不均一な薄膜１５ｄ〜１５ｆが成膜される。   The second gas nozzle 21 extends from the side wall portion of the vacuum chamber 1 to the center of the vacuum chamber 1, and the gas 13 is jetted from the center of the vacuum chamber 1 toward the support 4 (substrate 6) from the center of the vacuum chamber 1. However, the concentration of the gas 13 injected from the second gas nozzle 21 into the film forming chamber 2 is higher at the upper part of the central portion of the substrate 6, and is thinner around the upper part of the outer peripheral portion of the substrate 6. For this reason, as shown in FIG. 5B, only the supply of the gas 13 from the second gas nozzle 21 makes the center portion of the substrate 6 as close as possible regardless of the height (high position, middle position, low position) of the substrate 6. While the film is formed thicker, the outer peripheral part is formed thinner, and the non-uniform thin films 15d to 15f are formed.

しかしながら、基板６の高さにより薄膜１５の不均一性が異なり、基板６を比較的高位置として第２ガスノズル２１に近づけた場合には極めて不均一な薄膜１５ｄとなる一方、基板６を比較的中位置（薄膜１５ｅ）、低位置（薄膜１５ｆ）とするにつれて薄膜の均一性が高くなることが分かる。これは、基板６を第２ガスノズル２１に近づける（高位置とする）ほど、第２ガスノズル２１から噴射されるガス１３の、基板６の中心部分の上部ほど濃度が高く基板６の外周部分の上部あたりでは希薄となるというガス分布（すなわち、プラズマ分布）の影響を受ける一方、基板６を第２ガスノズル２１から遠ざける（低位置とする）ほど、ガスが拡散し前記ガス分布の影響が少なくなるからである。成膜速度と高さの関係としては、低位置になるほどチャンバ内壁への膜付着が増加するためにガスの利用効率が下がり、成膜速度は下がることになる。   However, the non-uniformity of the thin film 15 differs depending on the height of the substrate 6, and when the substrate 6 is placed at a relatively high position and close to the second gas nozzle 21, the non-uniform thin film 15d is obtained. It can be seen that the uniformity of the thin film increases with the middle position (thin film 15e) and the lower position (thin film 15f). This is because the closer the substrate 6 is to the second gas nozzle 21 (higher position), the higher the concentration of the gas 13 injected from the second gas nozzle 21 is at the upper part of the central part of the substrate 6, and the upper part of the outer peripheral part of the substrate 6. On the other hand, the gas distribution (that is, the plasma distribution) is diluted, and the more the substrate 6 is moved away from the second gas nozzle 21 (lower position), the more the gas is diffused and the influence of the gas distribution is reduced. It is. As for the relationship between the film formation speed and the height, the lower the position, the more the film adheres to the inner wall of the chamber, and the lower the gas utilization efficiency, and the lower the film formation speed.

本実施形態では、薄膜１５を成膜するにあたって、ガスノズル２０，２１から同時にガス１３を噴射する。すなわち、図３に示すように、主として第１ガスノズル２０により基板６の外周部分を成膜すると共に、主として第２ガスノズル２１により基板６の中心部分を成膜することにより基板６の全面に亘って均一な薄膜１５を成膜する。第１ガスノズル２０及び第２ガスノズル２１から噴射されるガス１３の流量は個別に制御することができ、均一な薄膜１５を成膜するためには両ノズル２０，２１からのガス流量を相互に関連付けて制御する（ガス流量調整手段）。   In the present embodiment, when forming the thin film 15, the gas 13 is simultaneously injected from the gas nozzles 20 and 21. That is, as shown in FIG. 3, the outer peripheral portion of the substrate 6 is mainly formed by the first gas nozzle 20, and the central portion of the substrate 6 is mainly formed by the second gas nozzle 21 to cover the entire surface of the substrate 6. A uniform thin film 15 is formed. The flow rate of the gas 13 injected from the first gas nozzle 20 and the second gas nozzle 21 can be individually controlled, and in order to form a uniform thin film 15, the gas flow rates from both the nozzles 20 and 21 are correlated with each other. (Gas flow rate adjusting means).

更に、支持台昇降装置２２により基板６の高さを調整して成膜を行う。同図に示すように、基板６を高位置とすることにより不均一な薄膜１５ａと薄膜１５ｄとからなる薄膜が成膜されるが、この場合、当該最終的に成膜される薄膜は不均一性が解消されないおそれが高い一方、成膜速度が速いため短時間で成膜を行うことができるメリットが得られる。逆に、基板６を低位置とすることにより比較的均一な薄膜１５ｃと薄膜１５ｆとからなる薄膜が成膜されるが、この場合、当該最終的に成膜される薄膜は均一な薄膜となる一方、成膜速度が遅いため成膜に時間がかかるというデメリットがある。したがって、基板６の高さは、当該状況を考慮して適切な高さに調整する。   Further, film formation is performed by adjusting the height of the substrate 6 by the support platform lifting device 22. As shown in the figure, a thin film composed of a non-uniform thin film 15a and a thin film 15d is formed by placing the substrate 6 at a high position. In this case, the thin film finally formed is non-uniform. On the other hand, there is a high possibility that the film formation can be performed in a short time because the film forming speed is high. On the contrary, a thin film consisting of a relatively uniform thin film 15c and thin film 15f is formed by placing the substrate 6 at a low position. In this case, the finally formed thin film is a uniform thin film. On the other hand, there is a demerit that it takes time to form a film because the film forming speed is low. Therefore, the height of the substrate 6 is adjusted to an appropriate height in consideration of the situation.

次に、本実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置を用いて基板上にＳｉＯｘ膜を作製し、成膜された薄膜の膜厚を分光エリプソンメータにより計測（基板上の４９箇所を計測）して均一性を調べた。その結果、両ガスノズル２０，２１からのガス流量及び基板高さを最適な状態として作製された薄膜は、最小膜厚3565.4オングストローム、最大膜厚3730.6オングストローム、平均膜厚3657.5オングストロームであり、均一性2.3％（(最大膜厚−最小膜厚)/(2×平均膜厚)×100）であることが確認された。一方、従来の成膜方法（本実施形態の第１ガスノズル２０に相当するガスノズルのみからガスを供給）で作製した薄膜は、最小膜厚3538.9オングストローム、最大膜厚3805.9オングストローム、平均膜厚3671.8オングストロームであり、均一性3.6％であった。これらの結果から、本願発明によれば均一な薄膜を作製することができることが分かる。   Next, a SiOx film is produced on the substrate using a thin film production apparatus for performing the thin film production method according to the present embodiment, and the film thickness of the formed thin film is measured with a spectroscopic ellipsometer (49 locations on the substrate). To measure the uniformity. As a result, the thin film produced with the optimal gas flow rate and substrate height from both gas nozzles 20 and 21 has a minimum film thickness of 3565.4 angstroms, a maximum film thickness of 3730.6 angstroms, and an average film thickness of 3657.5 angstroms. % ((Maximum film thickness−minimum film thickness) / (2 × average film thickness) × 100). On the other hand, the thin film produced by the conventional film forming method (gas is supplied only from the gas nozzle corresponding to the first gas nozzle 20 of the present embodiment) has a minimum film thickness of 3538.9 angstroms, a maximum film thickness of 3805.9 angstroms, and an average film thickness of 3671.8 angstroms. There was a uniformity of 3.6%. From these results, it can be seen that a uniform thin film can be produced according to the present invention.

なお、ガス１３の供給方法としては、両ガスノズル２０，２１から同時に噴射せずに、第１ガスノズル２０からガス１３を供給した後に第２ガスノズル２１からガス１３を供給したり、この順序を逆にしたり、ガス１３を供給するガスノズルを交互に変更したりしてもよい。すなわち、主として基板６の外周部分を成膜する第１ガスノズル２０と、主として基板６の中心部分を成膜する第２ガスノズル２１とを互いに補完的に使用すれば、均一な薄膜１５を得ることができる。このようなガス１３の供給方法は、手動又は制御装置（ガス供給方法制御手段）により実施することができる。   As a method of supplying the gas 13, the gas 13 is supplied from the first gas nozzle 20 and then the gas 13 is supplied from the first gas nozzle 20 without being simultaneously injected from both the gas nozzles 20, 21. Alternatively, the gas nozzle for supplying the gas 13 may be changed alternately. That is, if the first gas nozzle 20 that mainly forms the outer peripheral portion of the substrate 6 and the second gas nozzle 21 that mainly forms the central portion of the substrate 6 are used complementarily, a uniform thin film 15 can be obtained. it can. Such a supply method of the gas 13 can be carried out manually or by a control device (gas supply method control means).

本発明の実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置の概略透視側断面図である。It is a schematic see-through | perspective side sectional view of the thin film preparation apparatus which enforces the thin film preparation method concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る薄膜作製装置におけるガスノズルの概略配置図である。It is a schematic arrangement drawing of the gas nozzle in the thin film production apparatus concerning the embodiment of the present invention. 本発明に実施形態に係る薄膜作製方法により得られる均一な薄膜を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the uniform thin film obtained by the thin film preparation method concerning embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 真空チャンバ
２ 成膜室
３ 天井板
４ 支持台
６ 基板
７ 高周波アンテナ
８ 整合器
９ 高周波電源
１３ ガス
１５ 薄膜
１５ａ〜１５ｆ 薄膜
２０ 第１ガスノズル
２０ａ 噴射口
２１ 第２ガスノズル
２１ａ 噴射口
２２ 支持台昇降装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Film-forming room 3 Ceiling board 4 Support stand 6 Substrate 7 High frequency antenna 8 Matching device 9 High frequency power supply 13 Gas 15 Thin film 15a-15f Thin film 20 1st gas nozzle 20a Injection port 21 2nd gas nozzle 21a Injection port 22 Lifting of support stand apparatus

Claims (8)

チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることを特徴とする薄膜作製装置。 A gas nozzle for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for the thin film into the chamber;
Pressure control means for controlling the internal pressure of the chamber;
Plasma generating means installed at the top of the chamber and generating plasma of the gas inside the chamber;
In a thin film manufacturing apparatus having a support stand that is installed below the chamber and supports a substrate on which the thin film is formed,
The gas nozzle includes a first gas nozzle that supplies the gas from the side wall of the chamber toward the center, and a second gas nozzle that extends from the side wall of the chamber to the center and supplies the gas toward the substrate at the center of the chamber. A thin film production apparatus comprising a gas nozzle. 請求項１に記載する薄膜作製装置において、
更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することを特徴とする薄膜作製装置。 The thin film manufacturing apparatus according to claim 1,
Furthermore, it has a flow rate control means for controlling the flow rate of the gas supplied from the first gas nozzle and the second gas nozzle, and a substrate height adjusting means for adjusting the height of the substrate,
The flow rate control means and the substrate height adjusting means adjust the gas flow rate and the substrate height so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate. 請求項１又は２に記載する薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置。 In the thin film production apparatus according to claim 1 or 2,
Furthermore, when supplying gas into the chamber, gas supply method control means for supplying gas from the other gas nozzle after gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle is provided. A thin film manufacturing apparatus comprising: 請求項１又は２に記載する薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置。 In the thin film production apparatus according to claim 1 or 2,
Further, when supplying gas into the chamber, gas supply method control for alternately performing gas supply from one of the first gas nozzle or the second gas nozzle and gas supply from the other gas nozzle. A thin film manufacturing apparatus characterized by comprising means. チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することを特徴とする薄膜作製方法。 In a thin film manufacturing method for supplying a gas containing an elemental component that is a raw material for a thin film into a chamber, generating plasma of the gas, and forming a thin film on a substrate,
A thin film production comprising: a gas supplied from the side wall of the chamber toward the center; and a gas introduced from the side wall of the chamber and supplied toward the substrate at the center of the chamber Method. 請求項５に記載する薄膜作製方法において、
更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することを特徴とする薄膜作製方法。 In the thin film preparation method according to claim 5,
Further, the flow rate of the gas supplied from the side wall of the chamber toward the center and the flow rate of the gas supplied toward the substrate at the center of the chamber are controlled so as to form a film uniformly over the entire surface of the substrate. And adjusting the height of the substrate. 請求項５又は６に記載する薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うことを特徴とする薄膜作製方法。 In the thin film production method according to claim 5 or 6,
Further, when supplying the gas into the chamber, either of supplying the gas from the side wall of the chamber toward the center or supplying the gas toward the substrate at the center of the chamber. A thin film manufacturing method characterized in that after one is performed, the other is performed. 請求項５又は６に記載する薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うことを特徴とする薄膜作製方法。 In the thin film production method according to claim 5 or 6,
Further, when supplying the gas into the chamber, the gas is alternately supplied from the side wall of the chamber toward the center and the gas is supplied toward the substrate at the center of the chamber. A thin film manufacturing method characterized by the above.
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