JP2019062173A - Luminaire apparatus and light-emitting device - Google Patents

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益巳 阿部
Masumi Abe
益巳 阿部
祐也 山本
Yuya Yamamoto
祐也 山本
考志 大村
Takashi Omura
考志 大村
孝祐 竹原
Kosuke Takehara
孝祐 竹原
倉地 敏明
Toshiaki Kurachi
敏明 倉地
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Abstract

To provide a luminaire apparatus capable of improving color reproducibility.SOLUTION: The luminaire apparatus comprises: an LED chip that emits primary light; and phosphor particles that emit secondary light when excited by the primary light. A luminaire apparatus 100 emits outgoing beam which includes primary light and secondary light. Emission spectrum of the outgoing beam includes: a first peak which positions in a range of 420-460 nm in wavelength; a second peak which positions in a range of 530-580 nm in wavelength; a third peak which positions in a range of 605-655 nm in wavelength; a first bottom which positions in a range of 440-480 nm in wavelength; and a second bottom which positions in a range of 555-605 nm in wavelength.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、照明装置に関する。   The present invention relates to a lighting device.

従来、LED(Light Emitting Diode)チップなどの発光素子と、LEDチップから出射された光によって励起されて発光する蛍光体粒子との組み合わせによってLEDチップと異なる色の光を出射する発光装置が知られている。このような発光装置の一例として、特許文献1には、発光効率を高めることができるとともに温度上昇に伴う輝度の低下が起こりにくい発光装置が開示されている。   Conventionally, a light emitting device is known which emits light of a color different from that of the LED chip by a combination of a light emitting element such as a LED (Light Emitting Diode) chip and phosphor particles which are excited by the light emitted from the LED chip to emit light. ing. As an example of such a light emitting device, Patent Document 1 discloses a light emitting device that can increase the light emission efficiency and is unlikely to cause a decrease in luminance due to a temperature rise.

特開2011−134934号公報JP 2011-134934 A

LEDなどの発光素子を用いた照明装置が発する白色光は、発光スペクトルの光強度に偏りがあるため、自然光よりも色の再現性が低い。つまり、このような照明装置においては、色の再現性を向上することが課題となる。   White light emitted from a lighting device using a light emitting element such as an LED has a bias in the light intensity of the light emission spectrum, and thus the color reproducibility is lower than that of natural light. That is, in such a lighting device, it is an object to improve color reproducibility.

本発明は、色の再現性が向上された照明装置を提供する。   The present invention provides a lighting device with improved color reproducibility.

本発明の一態様に係る照明装置は、一次光を発する発光素子と、前記一次光により励起されて二次光を発する発光粒子とを備え、前記一次光及び前記二次光を含む出射光を発し、前記出射光の発光スペクトルは、波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する。   An illumination device according to an aspect of the present invention includes a light emitting element that emits primary light, and light emitting particles that are excited by the primary light to emit secondary light, and the emitted light includes the primary light and the secondary light. The emission spectrum of the emitted light is located in a first peak located in the wavelength range of 420 nm to 460 nm, a second peak located in the wavelength range of 530 nm to 580 nm, and a wavelength range of 605 nm to 655 nm It has a third peak, a first bottom located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm, and a second bottom located in the wavelength range of 555 nm to 605 nm.

本発明の一態様に係る発光装置は、一次光を発する発光素子と、前記一次光により励起されて二次光を発する発光粒子とを備え、前記一次光及び前記二次光を含む出射光を発し、前記出射光の発光スペクトルは、波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する。   A light emitting device according to an aspect of the present invention includes a light emitting element that emits primary light, and light emitting particles that are excited by the primary light to emit secondary light, and the emitted light includes the primary light and the secondary light The emission spectrum of the emitted light is located in a first peak located in the wavelength range of 420 nm to 460 nm, a second peak located in the wavelength range of 530 nm to 580 nm, and a wavelength range of 605 nm to 655 nm It has a third peak, a first bottom located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm, and a second bottom located in the wavelength range of 555 nm to 605 nm.

本発明によれば、色の再現性が向上された照明装置が実現される。   According to the present invention, a lighting device with improved color reproducibility is realized.

図1は、実施の形態1に係る照明装置及びその周辺部材の外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of a lighting device and its peripheral members according to Embodiment 1. FIG. 図2は、実施の形態1に係る照明装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the illumination device according to the first embodiment. 図3は、実施の形態1に係る照明装置の複数の実施例と演色評価数Riとの関係を示す図である。FIG. 3 is a view showing the relationship between color rendering index Ri and a plurality of examples of the illumination device according to the first embodiment. 図4は、実施の形態1に係る照明装置の複数の実施例と、複数の実施例のそれぞれにおいて用いられた量子ドット蛍光体の特性との関係を示す図である。FIG. 4 is a view showing the relationship between a plurality of examples of the illumination device according to Embodiment 1 and the characteristics of the quantum dot phosphor used in each of the plurality of examples. 図5は、比較例1に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 1. 図6は、比較例2に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 2. 図7は、比較例3に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 3. 図8は、比較例4に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 4. 図9は、比較例5に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 9 is a view showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 5. 図10は、比較例6に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to Comparative Example 6. 図11は、実施例1に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the first embodiment. 図12は、実施例2に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the second embodiment. 図13は、実施例3に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the third embodiment. 図14は、実施例4に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the fourth embodiment. 図15は、実施例5に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the fifth embodiment. 図16は、実施例6に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the sixth embodiment. 図17は、実施例7に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device according to the seventh embodiment. 図18は、実施例8に係る照明装置の発光スペクトルを示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a light emission spectrum of the lighting device according to the eighth embodiment. 図19は、第一ピークの光強度に対する、第二ピーク、第三ピーク、第一ボトム、及び、第二ボトムの光強度の比を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing the ratio of the light intensity of the second peak, the third peak, the first bottom, and the second bottom to the light intensity of the first peak. 図20は、色温度と、第一ピークに対する第二ピークの光強度の比とをプロットしたグラフである。FIG. 20 is a graph in which the color temperature and the ratio of the light intensity of the second peak to the first peak are plotted. 図21は、色温度と、第一ピークに対する第三ピークの光強度の比とをプロットしたグラフである。FIG. 21 is a graph in which the color temperature and the ratio of the light intensity of the third peak to the first peak are plotted. 図22は、色温度と、第一ピークに対する第一ボトムの光強度の比とをプロットしたグラフである。FIG. 22 is a graph plotting color temperature and the ratio of the light intensity of the first bottom to the first peak. 図23は、色温度と、第一ピークに対する第二ボトムの光強度の比とをプロットしたグラフである。FIG. 23 is a graph plotting color temperature and the ratio of the light intensity of the second bottom to the first peak. 図24は、ANSI(American National Standards Institute)によって定められた色温度の規格を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing the color temperature standard defined by the ANSI (American National Standards Institute). 図25は、実施の形態2に係る発光装置の外観斜視図である。FIG. 25 is an external perspective view of the light emitting device according to the second embodiment. 図26は、実施の形態2に係る発光装置の模式断面図である。FIG. 26 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the second embodiment. 図27は、実施の形態2の変形例1に係る発光装置の模式断面図である。FIG. 27 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a first modification of the second embodiment. 図28は、実施の形態2の変形例2に係る発光装置の模式断面図である。FIG. 28 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a second modification of the second embodiment. 図29は、実施の形態2の変形例3に係る発光装置の模式断面図である。29 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Variation 3 of Embodiment 2. FIG. 図30は、実施の形態2の変形例4に係る発光装置の模式断面図である。FIG. 30 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a fourth modification of the second embodiment. 図31は、実施の形態2の変形例5に係る発光装置の模式断面図である。FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth modification of the second embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Embodiments will be described below with reference to the drawings. The embodiments described below are all inclusive or specific examples. The numerical values, shapes, materials, components, arrangement positions and connection forms of the components, and the like described in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Further, among the components in the following embodiments, components not described in the independent claim indicating the highest concept are described as arbitrary components.

なお、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。   Each figure is a schematic view, and is not necessarily illustrated strictly. Further, in the drawings, substantially the same configurations are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions may be omitted or simplified.

(実施の形態1)
[照明装置の全体構成]
以下、実施の形態1に係る照明装置の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、実施の形態に係る照明装置の外観斜視図である。図2は、実施の形態1に係る照明装置の断面図である。
Embodiment 1
[Whole structure of lighting device]
Hereinafter, the configuration of the lighting apparatus according to Embodiment 1 will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an external perspective view of a lighting device according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the illumination device according to the first embodiment.

図1及び図2に示されるように、実施の形態1に係る照明装置100は、例えば、住宅等の天井に埋込配設されることにより下方の空間(廊下または壁等)に光を照射するダウンライトである。   As illustrated in FIG. 1 and FIG. 2, the lighting device 100 according to the first embodiment, for example, irradiates light to a space (such as a hallway or a wall) below by being buried in a ceiling of a house or the like. Downlight.

照明装置100は、発光装置30を備える。また、照明装置100は、基部110と枠体部120とが結合されることで構成される略有底筒状の器具本体、反射板130、点灯装置150、端子台160、取付板170、及び、天板180を備える。発光装置30は、発光部10及び蛍光体プレート20を備える。   The lighting device 100 includes a light emitting device 30. In addition, the lighting device 100 has a substantially bottomed cylindrical device body configured by coupling the base 110 and the frame portion 120, the reflection plate 130, the lighting device 150, the terminal block 160, the mounting plate 170, and , The top plate 180 is provided. The light emitting device 30 includes the light emitting unit 10 and the phosphor plate 20.

[発光装置:発光部]
発光部10は、基板11に複数のLEDチップ12が直接実装された、COB(Chip On Board)構造のLEDモジュールであり、青色光を発する。
[Light-emitting device: Light-emitting unit]
The light emitting unit 10 is an LED module having a chip on board (COB) structure in which a plurality of LED chips 12 are directly mounted on the substrate 11 and emits blue light.

基板11は、配線が設けられた配線領域を有する基板である。配線は、LEDチップ12に電力を供給するための配線であり、金属材料によって形成される。また、基板11上には、発光部10と外部装置とを電気的に接続するための電極が上記配線の一部として設けられる。基板11は、例えば、メタルベース基板またはセラミック基板である。また、基板11は、樹脂を基材とする樹脂基板であってもよい。   The substrate 11 is a substrate having a wiring area provided with a wiring. The wiring is a wiring for supplying power to the LED chip 12 and is formed of a metal material. In addition, an electrode for electrically connecting the light emitting unit 10 and an external device is provided on the substrate 11 as a part of the wiring. The substrate 11 is, for example, a metal base substrate or a ceramic substrate. The substrate 11 may be a resin substrate having a resin as a base material.

セラミック基板としては、酸化アルミニウム(アルミナ)からなるアルミナ基板または窒化アルミニウムからなる窒化アルミニウム基板等が採用される。また、メタルベース基板としては、例えば、表面に絶縁膜が形成された、アルミニウム合金基板、鉄合金基板または銅合金基板等が採用される。樹脂基板としては、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシ基板等が採用される。   As the ceramic substrate, an alumina substrate made of aluminum oxide (alumina), an aluminum nitride substrate made of aluminum nitride, or the like is employed. Further, as the metal base substrate, for example, an aluminum alloy substrate, an iron alloy substrate, a copper alloy substrate or the like in which an insulating film is formed on the surface is adopted. As the resin substrate, for example, a glass epoxy substrate made of glass fiber and epoxy resin is adopted.

なお、基板11として、例えば光反射率が高い(例えば光反射率が90%以上の)基板が採用されてもよい。基板11として光反射率の高い基板が採用されることで、LEDチップが発する光を基板11の表面で反射させることができる。この結果、発光部10の光の取り出し効率が向上される。このような基板としては、例えばアルミナを基材とする白色セラミック基板が例示される。   In addition, as the substrate 11, for example, a substrate having a high light reflectance (for example, a light reflectance of 90% or more) may be employed. By employing a substrate having a high light reflectance as the substrate 11, light emitted from the LED chip can be reflected on the surface of the substrate 11. As a result, the light extraction efficiency of the light emitting unit 10 is improved. As such a substrate, for example, a white ceramic substrate based on alumina is exemplified.

また、基板11として、光透過率が高い透光性基板が採用されてもよい。このような基板としては、多結晶のアルミナまたは窒化アルミニウムからなる透光性セラミック基板、ガラスからなる透明ガラス基板、水晶からなる水晶基板、サファイアからなるサファイア基板または透明樹脂材料からなる透明樹脂基板が例示される。なお、基板11の平面視形状は、例えば、矩形であるが、円形などその他の形状であってもよい。   In addition, a translucent substrate having a high light transmittance may be adopted as the substrate 11. As such a substrate, a translucent ceramic substrate made of polycrystalline alumina or aluminum nitride, a transparent glass substrate made of glass, a quartz substrate made of quartz, a sapphire substrate made of sapphire or a transparent resin substrate made of a transparent resin material It is illustrated. In addition, although the planar view shape of the board | substrate 11 is a rectangle, for example, other shapes, such as circular, may be sufficient.

LEDチップ12は、発光素子の一例であり、基板11上に配置(実装)される。LEDチップ12は、例えば、InGaNなどの窒化ガリウム系の材料によって構成された、中心波長(発光スペクトルのピーク波長)が420nm以上460nm以下の青色LEDチップである。つまり、LEDチップ12は、青色光を発する。実施の形態1では、LEDチップ12は、発光ピーク波長が約442nmの青色光を発する。   The LED chip 12 is an example of a light emitting element, and is disposed (mounted) on the substrate 11. The LED chip 12 is, for example, a blue LED chip having a central wavelength (peak wavelength of emission spectrum) of 420 nm or more and 460 nm or less, which is made of a gallium nitride-based material such as InGaN. That is, the LED chip 12 emits blue light. In the first embodiment, the LED chip 12 emits blue light having an emission peak wavelength of about 442 nm.

基板11上には、複数のLEDチップ12が配置されるが、少なくとも1つのLEDチップ12が配置されればよい。複数のLEDチップ12は、基板11上にどのように配置されてもよい。また、複数のLEDチップ12は、どのように電気的に接続されてもよい。   Although a plurality of LED chips 12 are disposed on the substrate 11, at least one LED chip 12 may be disposed. The plurality of LED chips 12 may be disposed on the substrate 11 in any manner. Also, the plurality of LED chips 12 may be electrically connected in any manner.

[発光装置:蛍光体プレート]
蛍光体プレート20は、蛍光部材の一例であって、発光部10と対向して配置される。蛍光体プレート20は、蛍光体プレート20の主面が発光部10の光軸と直交するように配置される。蛍光体プレート20は、発光部10の光出射側に、発光部10と離れて配置されている。つまり、蛍光体プレート20には、発光部10が発する青色光が照射される。蛍光体プレート20は、波長変換材の一例であり、基材21と、蛍光体粒子22とを備える。
[Light-emitting device: Phosphor plate]
The phosphor plate 20 is an example of a fluorescent member, and is disposed to face the light emitting unit 10. The phosphor plate 20 is disposed such that the main surface of the phosphor plate 20 is orthogonal to the optical axis of the light emitting unit 10. The phosphor plate 20 is disposed on the light emitting side of the light emitting unit 10 so as to be separated from the light emitting unit 10. That is, the phosphor plate 20 is irradiated with the blue light emitted by the light emitting unit 10. The phosphor plate 20 is an example of a wavelength conversion material, and includes a base 21 and phosphor particles 22.

基材21は、例えば、アクリル樹脂またはポリカーボネート樹脂などの透光性を有する樹脂材料によって形成されるが、透光性を有するセラミック材料などによって形成されてもよい。基材21が樹脂材料である場合、蛍光体粒子22は、例えば、成形時に樹脂材料に混ぜ込まれる。基材21がセラミック材料である場合は、蛍光体粒子22は、例えば、基材21の表面にスピンコートされる。蛍光体プレート20の厚みは、例えば、1mm以下であるが、100μm以下であってもよい。   The base 21 is formed of, for example, a light transmitting resin material such as an acrylic resin or a polycarbonate resin, but may be formed of a light transmitting ceramic material or the like. When the substrate 21 is a resin material, the phosphor particles 22 are mixed with the resin material, for example, at the time of molding. When the substrate 21 is a ceramic material, the phosphor particles 22 are spin-coated on the surface of the substrate 21, for example. The thickness of the phosphor plate 20 is, for example, 1 mm or less, but may be 100 μm or less.

また、蛍光体プレート20は、蛍光体粒子22を含む蛍光体層がガラス材料によって挟まれた積層構造を有してもよい。   In addition, the phosphor plate 20 may have a laminated structure in which a phosphor layer including the phosphor particles 22 is sandwiched by glass materials.

蛍光体粒子22は、発光粒子の一例であり、発光部10が備えるLEDチップ12が発する一次光(つまり、青色光)によって励起されて一次光よりも長波長の二次光を発する。蛍光体粒子22は、例えば、半導体材料を含む量子ドット蛍光体である。量子ドット蛍光体は、具体的には、CdSSe1−x/ZnSの化学式で表現される量子ドット蛍光体であるが、カドミウムフリーの量子ドット蛍光体であってもよい。量子ドット蛍光体は、組成及び形状の少なくとも一方が変更されることにより様々な発光ピーク波長の光を発することができる。 The phosphor particles 22 are an example of light emitting particles, and are excited by primary light (that is, blue light) emitted by the LED chip 12 included in the light emitting unit 10 to emit secondary light having a wavelength longer than that of the primary light. The phosphor particles 22 are, for example, quantum dot phosphors containing a semiconductor material. The quantum dot phosphor is specifically a quantum dot phosphor represented by a chemical formula of CdS x Se 1-x / ZnS, but may be a cadmium free quantum dot phosphor. The quantum dot phosphor can emit light of various emission peak wavelengths by changing at least one of the composition and the shape.

発光部10が一次光(つまり、青色光)を発すると、発せられた一次光の一部は、蛍光体プレート20に含まれる蛍光体粒子22によって二次光に波長変換される。この結果、照明装置100は、蛍光体粒子22に吸収されなかった一次光と、蛍光体粒子22によって波長変換された二次光とが含まれる出射光を発する。出射光は、具体的には、白色光である。   When the light emitting unit 10 emits primary light (that is, blue light), part of the emitted primary light is wavelength-converted to secondary light by the phosphor particles 22 included in the phosphor plate 20. As a result, the lighting device 100 emits outgoing light including primary light which is not absorbed by the phosphor particles 22 and secondary light whose wavelength is converted by the phosphor particles 22. Specifically, the emitted light is white light.

[基部、本体部、反射板]
基部110は、発光部10が取り付けられる取付台であるとともに、発光部10で発生する熱を放熱するヒートシンクである。基部110は、金属材料を用いて略円柱状に形成されており、実施の形態1ではアルミダイカスト製である。
[Base, body, reflector]
The base 110 is a mount on which the light emitting unit 10 is attached, and is a heat sink that dissipates heat generated by the light emitting unit 10. The base 110 is formed in a substantially cylindrical shape using a metal material, and is made of aluminum die-cast in the first embodiment.

基部110の上部(天井側部分)には、上方に向かって突出する複数の放熱フィン111が一方向に沿って互いに一定の間隔をあけて設けられている。これにより、発光部10で発生する熱を効率よく放熱させることができる。   On the upper portion (ceiling side portion) of the base 110, a plurality of heat dissipating fins 111 projecting upward are provided at a predetermined distance from each other along one direction. Thus, the heat generated by the light emitting unit 10 can be efficiently dissipated.

枠体部120は、内面に反射面を有する略円筒状のコーン部121と、コーン部121が取り付けられる枠体本体部122とを有する。コーン部121は、金属材料を用いて成形されており、例えば、アルミニウム合金等を絞り加工またはプレス成形することによって作製することができる。枠体本体部122は、硬質の樹脂材料または金属材料によって成形されている。枠体部120は、枠体本体部122が基部110に取り付けられることによって固定されている。   The frame portion 120 has a substantially cylindrical cone portion 121 having a reflective surface on the inner surface, and a frame body main portion 122 to which the cone portion 121 is attached. The cone portion 121 is formed using a metal material, and can be produced, for example, by drawing or press forming an aluminum alloy or the like. The frame body portion 122 is formed of a hard resin material or a metal material. The frame body portion 120 is fixed by attaching the frame body main portion 122 to the base 110.

反射板130は、内面反射機能を有する円環枠状(漏斗状の)反射部材である。反射板130は、例えばアルミニウム等の金属材料を用いて形成することができる。なお、反射板130は、金属材料ではなく、硬質の白色樹脂材料によって形成してもよい。   The reflecting plate 130 is a ring-shaped (funnel-shaped) reflecting member having an inner surface reflecting function. The reflecting plate 130 can be formed using, for example, a metal material such as aluminum. The reflecting plate 130 may be formed of a hard white resin material instead of a metal material.

[点灯装置、端子台、取付板、天板]
また、図1に示されるように、照明装置100は、発光部10に、当該発光部10を点灯させるための電力を供給する点灯装置150と、商用電源からの交流電力を点灯装置150に中継する端子台160とを備える。点灯装置150は、具体的には、端子台160から中継される交流電力を直流電力に変換して発光部10に出力する。
[Lighting device, terminal block, mounting plate, top plate]
In addition, as shown in FIG. 1, the lighting device 100 relays to the lighting device 150 the lighting device 150 that supplies power for lighting the light emitting unit 10 to the light emitting unit 10 and the AC power from the commercial power supply. And a terminal block 160. Specifically, lighting device 150 converts AC power relayed from terminal block 160 into DC power and outputs the DC power to light emitting unit 10.

点灯装置150及び端子台160は、器具本体とは別体に設けられた取付板170に固定される。取付板170は、金属材料からなる矩形板状の部材を折り曲げて形成されており、その長手方向の一端部の下面に点灯装置150が固定されるとともに、他端部の下面に端子台160が固定される。取付板170は、器具本体の基部110の上部に固定された天板180と互いに連結される。   The lighting device 150 and the terminal block 160 are fixed to a mounting plate 170 provided separately from the device body. The mounting plate 170 is formed by bending a rectangular plate member made of a metal material, and the lighting device 150 is fixed to the lower surface of one end in the longitudinal direction, and the terminal block 160 is fixed to the lower surface of the other end. It is fixed. The mounting plate 170 is connected to a top plate 180 fixed to the upper portion of the base 110 of the tool body.

[照明装置が備える蛍光体プレートの具体的構成]
発明者らは、蛍光体プレート20に発光ピーク波長が互いに異なる複数種類の量子ドット蛍光体を含めることにより、15の演色評価数R1〜R15がいずれも高い値となる照明装置100を実現した。図3は、照明装置100の複数の実施例と演色評価数Ri(iは、1以上15以下の整数)との関係を示す図である。図4は、照明装置100の複数の実施例と、複数の実施例のそれぞれにおいて用いられた量子ドット蛍光体の特性との関係を示す図である。なお、図3及び図4では、演色評価数R1〜R15がいずれも高い値となる実施例1〜8に加えて、発明者らの検討により得られた比較例についても図示されている。図3では、演色評価数が90未満となるセルにハッチングが施されており、ハッチングが施されていないセルは演色評価数が90以上である。
[Specific configuration of phosphor plate provided in lighting device]
The inventors of the present invention have realized a lighting device 100 in which all the color rendering index numbers R1 to R15 of 15 have high values by including a plurality of types of quantum dot phosphors having different emission peak wavelengths in the phosphor plate 20. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the color rendering index Ri (i is an integer of 1 or more and 15 or less) with a plurality of embodiments of the lighting device 100. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between a plurality of embodiments of the illumination device 100 and the characteristics of the quantum dot phosphors used in each of the plurality of embodiments. 3 and 4, in addition to the first to eighth embodiments in which the color rendering index R1 to R15 all have high values, a comparative example obtained by the study of the inventors is also illustrated. In FIG. 3, cells in which the color rendering index is less than 90 are hatched, and cells in which hatching is not performed have a color rendering index of 90 or more.

[比較例1〜6]
まず、比較例1〜6に係る照明装置100について説明する。比較例1に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の2種類の量子ドット蛍光体が含まれる。
Comparative Examples 1 to 6
First, illumination devices 100 according to comparative examples 1 to 6 will be described. In the illumination device 100 according to Comparative Example 1, the phosphor plate 20 includes two types of quantum dot phosphors: a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm. included.

発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が46である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が28である。なお、ここでの強度比は、相対的な光強度を意味し、比較例1に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20強度比が26である。図5は、比較例1に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例1に係る照明装置100の出射光の色温度は4981.3Kであり、Duvは0.5である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 46. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 28. Here, the intensity ratio means relative light intensity, and in the illumination device 100 according to Comparative Example 1, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half width of the light intensity. Is 20 and the intensity ratio is 26. FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to Comparative Example 1. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 1 is 4981.3 K, and Duv is 0.5.

比較例2に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の3種類の量子ドット蛍光体が含まれる。   In the illumination device 100 according to Comparative Example 2, the phosphor plate 20 includes a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm, and a quantum dot having an emission peak wavelength of 630 nm. Three types of quantum dot phosphors are included.

発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が28である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が62である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が51である。比較例2に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が25である。図6は、比較例2に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例2に係る照明装置100の出射光の色温度は4987.9Kであり、Duvは−0.3である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 28. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 62. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 51. In the illumination device 100 according to Comparative Example 2, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 25. FIG. 6 is a view showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the comparative example 2. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 2 is 4987.9 K, and Duv is -0.3.

比較例3に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の4種類の量子ドット蛍光体が含まれる。   In the illumination device 100 according to Comparative Example 3, the phosphor plate 20 includes a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm, and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm. And four types of quantum dot phosphors, which have a light emission peak wavelength of 630 nm.

発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が32である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が62である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が73である。比較例3に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が27である。図7は、比較例3に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例3に係る照明装置100の出射光の色温度は4953.3Kであり、Duvは−0.6である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 32. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 62. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 73. In the illumination device 100 according to Comparative Example 3, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 27. FIG. 7 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to Comparative Example 3. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 3 is 4953.3K, and Duv is -0.6.

比較例4に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の5種類の量子ドット蛍光体が含まれる。   In the illumination device 100 according to Comparative Example 4, the phosphor plate 20 includes a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm, and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 530 nm. 5 types of quantum dot fluorescent substance of the quantum dot fluorescent substance whose light emission peak wavelength is 555 nm, and the quantum dot fluorescent substance whose luminous peak wavelength is 630 nm are included.

発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が32である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が61である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が95である。比較例4に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が38である。図8は、比較例4に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例4に係る照明装置100の出射光の色温度は4956.5Kであり、Duvは−0.6である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 32. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 61. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to Comparative Example 4, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 38. FIG. 8 is a view showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to Comparative Example 4. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 4 is 4956.5K, and Duv is -0.6.

比較例5に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の6種類の量子ドット蛍光体が含まれる。   In the illumination device 100 according to Comparative Example 5, the phosphor plate 20 includes a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm, and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 530 nm. It includes six types of quantum dot phosphors: a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm, and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm.

発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が50である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が61である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が95である。比較例5に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が38である。図9は、比較例5に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例5に係る照明装置100の出射光の色温度は4956.4Kであり、Duvは0.0である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 50. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 61. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to Comparative Example 5, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 38. FIG. 9 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to Comparative Example 5. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 5 is 4956.4K, and Duv is 0.0.

比較例6に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が605nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の7種類の量子ドット蛍光体が含まれる。   In the illumination device 100 according to Comparative Example 6, the phosphor plate 20 includes a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm, and a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 530 nm. 7 kinds of quantum dot phosphors having an emission peak wavelength of 555 nm, quantum dot phosphors having an emission peak wavelength of 580 nm, quantum dot phosphors having an emission peak wavelength of 605 nm, and quantum dot phosphors having an emission peak wavelength of 630 nm Quantum dot phosphors are included.

発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が66である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が35である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が61である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が605nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が20である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が45nm、強度比が95である。比較例6に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が38である。図10は、比較例6に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。比較例6に係る照明装置100の出射光の色温度は4957.7Kであり、Duvは−0.6である。   The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 66. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 35. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 61. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light emission peak wavelength of 605 nm has a half intensity width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 45 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to Comparative Example 6, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 38. FIG. 10 is a view showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to Comparative Example 6. As shown in FIG. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on the comparative example 6 is 4957.7 K, and Duv is -0.6.

以上説明した比較例1〜6に係る照明装置100のそれぞれにおいては、演色評価数R1〜R15の一部に比較的低い値が含まれる。しかしながら、例えば、比較例3〜6に係る照明装置100においては、一般的なLED照明装置において低い値をとる演色評価数R12が向上されている。   In each of the illumination devices 100 according to the comparative examples 1 to 6 described above, a part of the color rendering index R1 to R15 includes a relatively low value. However, for example, in the lighting devices 100 according to Comparative Examples 3 to 6, the color rendering index R12 having a low value in the general LED lighting device is improved.

[実施例1〜8]
次に、実施例1〜8に係る照明装置100について説明する。実施例1〜8に係る照明装置100においては、蛍光体プレート20には、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体、発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体、及び、発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体の6種類の量子ドット蛍光体が含まれる。
[Examples 1 to 8]
Next, the illuminating device 100 which concerns on Examples 1-8 is demonstrated. In the illumination device 100 according to the first to eighth embodiments, the phosphor plate 20 includes the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm, and the quantum dot having an emission peak wavelength of 530 nm. The phosphor includes six types of quantum dot phosphors: phosphor, quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm, quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm, and quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm.

実施例1に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が100である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が63である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が23である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が95である。実施例1に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が40である。図11は、実施例1に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例1に係る照明装置100の出射光の色温度は6522.2Kであり、Duvは0.6である。   In the illumination device 100 according to the first embodiment, the quantum dot phosphor having a light emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 100. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 63. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 23. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to the first embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 40. FIG. 11 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the first embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the first embodiment is 6522.2 K, and Duv is 0.6.

実施例2に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が75である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が63である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が95である。実施例2に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が38である。図12は、実施例2に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例2に係る照明装置100の出射光の色温度は5716.4Kであり、Duvは0.3である。   In the illumination device 100 according to the second embodiment, the quantum dot phosphor having a light emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 75. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 63. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to the second embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 38. FIG. 12 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the second embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the second embodiment is 5716.4 K, and Duv is 0.3.

実施例3に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が51である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が63である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が20である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が95である。実施例3に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が38である。図13は、実施例3に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例3に係る照明装置100の出射光の色温度は5042.1Kであり、Duvは−0.4である。   In the illumination device 100 according to the third embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 51. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 63. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 20. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 95. In the illumination device 100 according to the third embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 38. FIG. 13 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the third embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the third embodiment is 5042.1 K, and Duv is −0.4.

実施例4に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が69である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が19である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が32である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が69である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が26である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が133である。実施例4に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が34である。図14は、実施例4に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例4に係る照明装置100の出射光の色温度は4506.6Kであり、Duvは−0.4である。   In the illumination device 100 according to the fourth embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 69. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 19. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 32. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 69. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 26. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 133. In the illumination device 100 according to the fourth embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 34. FIG. 14 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the fourth embodiment. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on Example 4 is 4506.6K, and Duv is -0.4.

実施例5に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が75である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が18である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が43である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が75である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が32である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が170である。実施例5に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が30である。図15は、実施例5に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例5に係る照明装置100の出射光の色温度は4033.8Kであり、Duvは0.3である。   In the illumination device 100 according to the fifth embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 75. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 18. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 43. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 75. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 32. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 170. In the illumination device 100 according to the fifth embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 30. FIG. 15 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the fifth embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the fifth embodiment is 4033.8 K, and Duv is 0.3.

実施例6に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が45である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が18である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が43である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が75である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が32である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が180である。実施例6に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が30である。図16は、実施例6に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例6に係る照明装置100の出射光の色温度は3536.0Kであり、Duvは0.4である。   In the illumination device 100 according to the sixth embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 45. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 18. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 43. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 75. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 32. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 180. In the illumination device 100 according to the sixth embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 30. FIG. 16 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the sixth embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the sixth embodiment is 3536.0 K, and Duv is 0.4.

実施例7に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が35である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が18である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が63である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が75である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が50である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が260である。実施例7に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が30である。図17は、実施例7に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例7に係る照明装置100の出射光の色温度は2969.1Kであり、Duvは−0.5である。   In the illumination device 100 according to the seventh embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 35. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 18. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half value width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 63. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 75. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 50. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 260. In the illumination device 100 according to the seventh embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 30. FIG. 17 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the seventh embodiment. The color temperature of the emitted light of the illuminating device 100 which concerns on Example 7 is 2969.1 K, and Duv is -0.5.

実施例8に係る照明装置100においては、発光ピーク波長が480nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が25である。発光ピーク波長が505nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が17である。光ピーク波長が530nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が60である。発光ピーク波長が555nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が70である。発光ピーク波長が580nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が46である。発光ピーク波長が630nmの量子ドット蛍光体は、光強度の半値幅が60nm、強度比が277である。実施例8に係る照明装置100において、発光部10が発する発光ピーク波長が441.5nmの青色光は、光強度の半値幅が20、強度比が25である。図18は、実施例8に係る照明装置100の発光スペクトルを示す図である。実施例8に係る照明装置100の出射光の色温度は2715.2Kであり、Duvは−0.7である。   In the illumination device 100 according to the eighth embodiment, the quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 480 nm has a half intensity width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 25. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 505 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 17. The quantum dot phosphor having a light peak wavelength of 530 nm has a half width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 60. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 555 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 70. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 580 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 46. The quantum dot phosphor having an emission peak wavelength of 630 nm has a half-width of light intensity of 60 nm and an intensity ratio of 277. In the illumination device 100 according to the eighth embodiment, the blue light having an emission peak wavelength of 441.5 nm emitted by the light emitting unit 10 has a half intensity width of light intensity of 20 and an intensity ratio of 25. FIG. 18 is a diagram showing an emission spectrum of the illumination device 100 according to the eighth embodiment. The color temperature of the emitted light of the illumination device 100 according to the eighth embodiment is 2715.2 K, and Duv is -0.7.

以上説明した実施例1〜8に係る照明装置100のそれぞれにおいては、演色評価数R1〜R15に79未満の値が含まれない。言い換えれば、実施例1〜8に係る照明装置100のそれぞれにおいては、演色評価数R1〜R15の全てが79以上となる。つまり、実施例1〜8に係る照明装置100のそれぞれは、色の再現性が向上された照明装置であるといえる。   In each of the illumination devices 100 according to the first to eighth embodiments described above, the color rendering index R1 to R15 does not include a value less than 79. In other words, in each of the lighting devices 100 according to the first to eighth embodiments, all of the color rendering index R1 to R15 are 79 or more. That is, it can be said that each of the illumination devices 100 according to the first to eighth embodiments is an illumination device in which color reproducibility is improved.

実施例1〜8に係る照明装置100のそれぞれの出射光の発光スペクトルは、波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する。第一ボトムは、より詳細には、波長440nm以上480nm以下の範囲で、かつ、第一ピークの波長よりも長波長側の範囲内に位置する。第二ボトムは、より詳細には、波長555nm以上605nm以下の範囲で、かつ、第二ピークの波長よりも長波長側の範囲内に位置する。   The emission spectrum of the emitted light of each of the illumination devices 100 according to Examples 1 to 8 has a first peak located in the wavelength range of 420 nm to 460 nm and a second peak located in the wavelength range of 530 nm to 580 nm. It has a third peak located in the wavelength range of 605 nm to 655 nm, a first bottom located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm, and a second bottom located in the wavelength range of 555 nm to 605 nm. More specifically, the first bottom is located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm and in the longer wavelength side than the wavelength of the first peak. More specifically, the second bottom is located within a wavelength range of 555 nm or more and 605 nm or less and within a range longer than the wavelength of the second peak.

第一ピークは、青色の波長範囲に属するピークであり、第二ピークは、緑色の波長範囲に属するピークであり、第三ピークは、赤色の波長範囲に属するピークである。第一ボトムは、青色の波長範囲に属するボトムであり、第二ボトムは、橙色の波長範囲に属するボトムである。   The first peak is a peak belonging to the blue wavelength range, the second peak is a peak belonging to the green wavelength range, and the third peak is a peak belonging to the red wavelength range. The first bottom is a bottom belonging to the blue wavelength range, and the second bottom is a bottom belonging to the orange wavelength range.

なお、第一ピーク及び第二ピークは、発光スペクトルにおいて光強度が局所的な最大値(つまり、極大値)をとる点を意味する。第一ピーク及び第二ピークは、第一凸部及び第二凸部と言い換えられてもよい。第一ボトム、第二ボトム、及び、第三ボトムは、発光スペクトルにおいて光強度が局所的な最小値(つまり、極小値)をとる点を意味する。第一ボトム、第二ボトム、及び、第三ボトムは、第一凹部、第二凹部、及び、第三凹部と言い換えられてもよい。   The first peak and the second peak mean that the light intensity has a local maximum value (that is, a maximum value) in the emission spectrum. The first peak and the second peak may be rephrased as a first convex portion and a second convex portion. The first bottom, the second bottom, and the third bottom mean that the light intensity takes a local minimum value (i.e., minimum value) in the emission spectrum. The first bottom, the second bottom, and the third bottom may be reworded as a first recess, a second recess, and a third recess.

図19は、第一ピークの光強度に対する、第二ピーク、第三ピーク、第一ボトム、及び、第二ボトムの光強度の比を示す図である。言い換えれば、図19は、第一ピークの光強度を1とした場合の第二ピーク、第三ピーク、第一ボトム、及び、第二ボトムの光強度を示す図である。   FIG. 19 is a diagram showing the ratio of the light intensity of the second peak, the third peak, the first bottom, and the second bottom to the light intensity of the first peak. In other words, FIG. 19 is a diagram showing the light intensities of the second peak, the third peak, the first bottom, and the second bottom when the light intensity of the first peak is 1.

図11〜図19に示されるように、実施例1〜8に係る照明装置100のそれぞれの出射光の発光スペクトルにおいて、第一ピークの光強度を1としたときの光強度は、第一ピークの波長よりも長く第三ピークの波長よりも短い波長範囲において0.35以上となり、0.35未満とならない。言い換えれば、光強度が極端に小さい波長範囲が無い。これにより、演色評価数R1〜R15の全てを比較的高い値にすることができる。   As shown in FIG. 11 to FIG. 19, in the emission spectrum of the emitted light of each of the lighting devices 100 according to Examples 1 to 8, the light intensity when the light intensity of the first peak is 1 is the first peak And 0.35 or more in a wavelength range longer than the wavelength and shorter than the wavelength of the third peak, and not less than 0.35. In other words, there is no wavelength range in which the light intensity is extremely small. Thereby, all the color rendering index numbers R1 to R15 can be made relatively high values.

なお、実施例1〜8に係る照明装置100においては、比較例1〜6に係る照明装置100よりも半値幅の広い量子ドット蛍光体が用いられている。実施例1〜8に係る照明装置100には、具体的には、半値幅が60nm以上の量子ドット蛍光体が用いられている。これにより、発光スペクトルにおいて、光強度が極端に小さい波長範囲を減らしやすい効果が得られる。つまり、上記実施例1〜8で説明されたような発光スペクトルを実現しやすい効果が得られる。なお、上記実施例1〜8で説明されたような発光スペクトルは、半値幅が60nm未満の量子ドット蛍光体によって実現されてもよい。   In addition, in the illuminating device 100 which concerns on Examples 1-8, the quantum dot fluorescent substance whose half value width is wider than the illuminating device 100 which concerns on Comparative Examples 1-6 is used. Specifically, in the illumination devices 100 according to the first to eighth embodiments, a quantum dot phosphor having a half width of 60 nm or more is used. Thereby, in the emission spectrum, the effect of easily reducing the wavelength range in which the light intensity is extremely small can be obtained. That is, it is possible to obtain the effect of easily achieving the emission spectra as described in Examples 1 to 8 above. The emission spectra as described in Examples 1 to 8 may be realized by a quantum dot phosphor whose half width is less than 60 nm.

また、実施例1〜8で説明された発光スペクトルは、第一ピーク、第二ピーク、及び、第三ピークの3つのピークのみを有しているが、3つのピーク以外に他のピークを有していてもよい。同様に、実施例1〜8で説明された発光スペクトルは、第一ボトム及び第二ボトムの2つのボトムのみを有していてもよいし、2つのボトム以外に他のボトムを有していてもよい。   In addition, the emission spectra described in Examples 1 to 8 have only three peaks of the first peak, the second peak, and the third peak, but have other peaks in addition to the three peaks. It may be done. Similarly, the emission spectra described in Examples 1 to 8 may have only two bottoms, the first bottom and the second bottom, or have other bottoms besides the two bottoms. It is also good.

[演色評価数が高い照明装置に求められる要件]
このような演色評価数が高い照明装置に求められる要件について説明する。図20は、図19のデータに基づいて、色温度と、第一ピークに対する第二ピークの光強度の比とをプロットしたグラフである。第一ピークに対する第二ピークの光強度の比は、第二ピークの相対光強度とも記載される。図20に示されるように、色温度と第一ピークに対する第二ピークの光強度の比とは、相関係数R=0.9808となる強い相関性を有する。色温度と第一ピークに対する第二ピークの光強度の比との関係性を示す近似曲線は、図20の右上の式で表される。
[Requirements for lighting devices with high color rendering index]
The requirements for a lighting device having such a high color rendering index will be described. FIG. 20 is a graph in which the color temperature and the ratio of the light intensity of the second peak to the first peak are plotted based on the data of FIG. The ratio of the light intensity of the second peak to the first peak is also described as the relative light intensity of the second peak. As shown in FIG. 20, the color temperature and the ratio of the light intensity of the second peak to the first peak have a strong correlation such that the correlation coefficient R 2 = 0.9808. An approximate curve showing the relationship between the color temperature and the ratio of the light intensity of the second peak to the first peak is represented by the equation on the upper right of FIG.

同様に、図21は、図19のデータに基づいて、色温度と、第一ピークに対する第三ピークの光強度の比とをプロットしたグラフである。第一ピークに対する第三ピークの光強度の比は、第三ピークの相対光強度とも記載される。図21に示されるように、色温度と第一ピークに対する第三ピークの光強度の比とは、相関係数R=0.9716となる強い相関性を有する。色温度と第一ピークに対する第三ピークの光強度の比との関係性を示す近似曲線は、図21の右上の式で表される。 Similarly, FIG. 21 is a graph in which the color temperature and the ratio of the light intensity of the third peak to the first peak are plotted based on the data of FIG. The ratio of the light intensity of the third peak to the first peak is also described as the relative light intensity of the third peak. As shown in FIG. 21, the color temperature and the ratio of the light intensity of the third peak to the first peak have a strong correlation such that the correlation coefficient R 2 = 0.9716. An approximate curve showing the relationship between the color temperature and the ratio of the light intensity of the third peak to the first peak is represented by the equation on the upper right of FIG.

図22は、図19のデータに基づいて、色温度と、第一ピークに対する第一ボトムの光強度の比とをプロットしたグラフである。第一ピークに対する第一ボトムの光強度の比は、第一ボトムの相対光強度とも記載される。図21に示されるように、色温度と第一ピークに対する第一ボトムの光強度の比とは、5000K以上と、4500K以下とを分けて考えると、比較的強い相関性を有する。色温度と第一ピークに対する第一ボトムの光強度の比との関係性を示す近似曲線は、図22中の式で表される。   FIG. 22 is a graph in which the color temperature and the ratio of the light intensity of the first bottom to the first peak are plotted based on the data of FIG. The ratio of the light intensity of the first bottom to the first peak is also described as the relative light intensity of the first bottom. As shown in FIG. 21, the color temperature and the ratio of the light intensity of the first bottom to the first peak have a relatively strong correlation when considered separately at 5000 K or more and 4500 K or less. An approximate curve showing the relationship between the color temperature and the ratio of the light intensity of the first bottom to the first peak is represented by the equation in FIG.

また、図23は、図19のデータに基づいて、色温度と、第一ピークに対する第二ボトムの光強度の比とをプロットしたグラフである。第一ピークに対する第二ボトムの光強度の比は、第二ボトムの相対光強度とも記載される。図22に示されるように、色温度と第一ピークに対する第二ボトムの光強度の比とは、相関係数R=0.9772となる強い相関性を有する。色温度と第一ピークに対する第二ボトムの光強度の比との関係性を示す近似曲線は、図23の右上の式で表される。 FIG. 23 is a graph plotting the color temperature and the ratio of the light intensity of the second bottom to the first peak, based on the data of FIG. The ratio of the light intensity of the second bottom to the first peak is also described as the relative light intensity of the second bottom. As shown in FIG. 22, the color temperature and the ratio of the light intensity of the second bottom to the first peak have a strong correlation such that the correlation coefficient R 2 = 0.9772. An approximate curve showing the relationship between the color temperature and the ratio of the light intensity of the second bottom to the first peak is represented by the equation on the upper right of FIG.

このように、発明者らは、演色評価数R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100においては、色温度と、第二ピークの相対光強度、第三ピークの相対光強度、第一ボトムの相対光強度、及び、第二ボトムの相対光強度のそれぞれとに強い相関性があることを見出した。このような相関性によれば、ある色温度の照明装置100において、演色評価数R1〜15の全てを高めるために発光スペクトルが満たすべき要件を求めることができる。   As described above, in the lighting device 100 in which all of the color rendering index R1 to R15 are relatively high, the color temperature, the relative light intensity of the second peak, the relative light intensity of the third peak, the first bottom It has been found that there is a strong correlation between the relative light intensity of and the relative light intensity of the second bottom. According to such correlation, in the lighting device 100 of a certain color temperature, it is possible to determine the requirements that the emission spectrum should satisfy in order to increase all of the color rendering index R1-15.

例えば、図24は、ANSIによって定められた色温度の規格を示す図である。図24に示されるように。ANSIによって定められた色温度の規格おいては、照明装置100の出射光の公称色温度と、当該公称色温度のトレランス(言い換えれば、具体的な色温度の範囲)とが定められている。図20〜図23中の数式と、図24の公称色温度のトレランスとを用いれば、演色評価数R1〜R15の全てを高めるために発光スペクトルが満たすべき要件が求められる。   For example, FIG. 24 is a diagram showing the color temperature standard defined by ANSI. As shown in FIG. In the color temperature standard defined by ANSI, the nominal color temperature of the light emitted from the lighting device 100 and the tolerance of the nominal color temperature (in other words, the specific color temperature range) are defined. By using the formulas in FIGS. 20 to 23 and the tolerance of the nominal color temperature in FIG. 24, the requirements that the emission spectrum should satisfy in order to increase all of the color rendering index numbers R1 to R15 are determined.

[出射光の色温度が6500Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度6500Kの照明装置100は、具体的には、出射光が6530±510Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度6500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において6530±510Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.53以上0.65未満であればよい。
[Requirements for lighting devices with 6500 K color temperature of outgoing light]
For example, the lighting device 100 with a nominal color temperature of 6500 K specifically has a color temperature of 6530 ± 510 K for the emitted light. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 6500 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 6530 ± 510 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 0.53 or more and less than 0.65.

同様に、公称色温度6500Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において6530±510Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.49以上0.66未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 6500 K may be a relative light intensity corresponding to the range of 6530 ± 510 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 0.49 or more and less than 0.66.

公称色温度6500Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において6530±510Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.54以上0.69未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 6500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 6530 ± 510 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.54 or more and less than 0.69.

公称色温度6500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において6530±510Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.39以上0.50未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 6500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 6530 ± 510 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 0.39 or more and less than 0.50.

[出射光の色温度が5700Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度5700Kの照明装置100は、具体的には、出射光が5665±355Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度5700Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において5665±355Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.65以上0.76未満であればよい。
[Requirements to be fulfilled by a lighting device with a color temperature of 5700 K of emitted light]
For example, in the lighting device 100 having a nominal color temperature of 5700K, specifically, the emitted light has a color temperature of 5665 ± 355K. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5700 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 5665 ± 355 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 0.65 or more and less than 0.76.

同様に、公称色温度5700Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において5665±355Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.66以上0.85未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 5665 ± 355 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 0.66 or more and less than 0.85.

公称色温度5700Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において5665±355Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.45以上0.54未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 5665 ± 355 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.45 or more and less than 0.54.

公称色温度5700Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において5665±355Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.50以上0.60未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 5665 ± 355 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 0.50 or more and less than 0.60.

[出射光の色温度が5000Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度5000Kの照明装置100は、具体的には、出射光が5028±283Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度5000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において5028±283Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.76以上0.87未満であればよい。
[Requirements for lighting devices with color temperature of 5000K to meet]
For example, the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5000K specifically has a color temperature of 5028 ± 283K for emitted light. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5000 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 5028 ± 283 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 0.76 or more and less than 0.87.

同様に、公称色温度5000Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において5028±283Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.85以上1.10未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5000 K may be a relative light intensity corresponding to the range of 5028 ± 283 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 0.85 or more and less than 1.10.

公称色温度5000Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において5028±283Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.45未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 5028 ± 283 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.38 or more and less than 0.45.

公称色温度5000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において5028±283Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.6以上0.71未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 5000K may have a relative light intensity corresponding to the range of 5028 ± 283K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 0.6 or more and less than 0.71.

[出射光の色温度が4500Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度4500Kの照明装置100は、具体的には、出射光が4503±243Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度4500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において4503±243Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.87以上0.99未満であればよい。
[Requirements for lighting devices with color temperature of 4,500 K emitted light to meet]
For example, in the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4500 K, specifically, the emitted light has a color temperature of 4503 ± 243 K. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4500 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 4503 ± 243 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 0.87 or more and less than 0.99.

同様に、公称色温度4500Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において4503±243Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.10以上1.33未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4500 K may be a relative light intensity corresponding to the range of 4503 ± 243 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 1.10 or more and less than 1.33.

公称色温度4500Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において4503±243Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.57以上0.65未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 4503 ± 243 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.57 or more and less than 0.65.

公称色温度4500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において4503±243Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.71以上0.84未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 4503 ± 243 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 0.71 or more and less than 0.84.

[出射光の色温度が4000Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度4000Kの照明装置100は、具体的には、出射光が3985±275Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度4000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において3985±275Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.99以上1.18未満であればよい。
[Requirements for lighting devices with color temperature of 4000K to meet]
For example, in the lighting device 100 having a nominal color temperature of 4000 K, specifically, the emitted light has a color temperature of 3985 ± 275 K. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4000 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 3985 ± 275 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second peak to the light intensity in the first peak may be 0.99 or more and less than 1.18.

同様に、公称色温度4000Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において3985±275Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.33以上1.75未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3985 ± 275 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 1.33 or more and less than 1.75.

公称色温度4000Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において3985±275Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.49以上0.57未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3985 ± 275 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.49 or more and less than 0.57.

公称色温度4000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において3985±275Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.84以上1.03未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 4000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3985 ± 275 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 0.84 or more and less than 1.03.

[出射光の色温度が3500Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度3500Kの照明装置100は、具体的には、出射光が3465±245Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度3500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において3465±245Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、1.18以上1.40未満であればよい。
[Requirements to be satisfied by a lighting device with a color temperature of 3500 K of emitted light]
For example, the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3500 K, specifically, emits light with a color temperature of 3465 ± 245 K. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3500 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 3465 ± 245 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 1.18 or more and less than 1.40.

同様に、公称色温度3500Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において3465±245Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.75以上2.33未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3465 ± 245 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 1.75 or more and less than 2.33.

公称色温度3500Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において3465±245Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.42以上0.49未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3465 ± 245 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.42 or more and less than 0.49.

公称色温度3500Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において3465±245Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.03以上1.28未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3500 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3465 ± 245 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 1.03 or more and less than 1.28.

[出射光の色温度が3000Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度3000Kの照明装置100は、具体的には、出射光が3045±175Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度3000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において3045±175Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、1.40以上1.61未満であればよい。
[Requirements to be fulfilled by a lighting device with a color temperature of 3000K]
For example, in the lighting device 100 having a nominal color temperature of 3000K, specifically, the emitted light has a color temperature of 3045 ± 175K. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3000 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 3045 ± 175 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak may be 1.40 or more and less than 1.61.

同様に、公称色温度3000Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において3045±175Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、2.33以上2.93未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3000 K may be a relative light intensity corresponding to the range of 3045 ± 175 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 2.33 or more and less than 2.93.

公称色温度3000Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において3045±175Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.42未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3045 ± 175 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.38 or more and less than 0.42.

公称色温度3000Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において3045±175Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.28以上1.52未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 3000 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 3045 ± 175 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 1.28 or more and less than 1.52.

[出射光の色温度が2700Kの照明装置が満たすべき要件]
例えば、公称色温度2700Kの照明装置100は、具体的には、出射光が2725±145Kの色温度となる。演色評価数R1〜15の全てを高めるためには、公称色温度2700Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ピークは、図20中の数式において2725±145Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、1.61以上1.84未満であればよい。
[Requirements to be fulfilled by a lighting device with a color temperature of 2700 K of emitted light]
For example, the lighting device 100 having a nominal color temperature of 2700 K specifically has a color temperature of 2725 ± 145 K of the emitted light. In order to increase all of the color rendering index R1-15, the second peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 2700 K can be a relative light intensity corresponding to the range of 2725 ± 145 K in the equation in FIG. Just do it. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second peak to the light intensity in the first peak may be 1.61 or more and less than 1.84.

同様に、公称色温度2700Kの照明装置100の発光スペクトルの第三ピークは、図21中の数式において2725±145Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、2.93以上3.63未満であればよい。   Similarly, the third peak of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 2700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 2725 ± 145 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak may be 2.93 or more and less than 3.63.

公称色温度2700Kの照明装置100の発光スペクトルの第一ボトムは、図22中の数式において2725±145Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.33以上0.38未満であればよい。   The first bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 2700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 2725 ± 145 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak may be 0.33 or more and less than 0.38.

公称色温度2700Kの照明装置100の発光スペクトルの第二ボトムは、図23中の数式において2725±145Kの範囲に相当する相対光強度になればよい。具体的には、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.52以上1.79未満であればよい。   The second bottom of the emission spectrum of the lighting device 100 with a nominal color temperature of 2700 K may have a relative light intensity corresponding to the range of 2725 ± 145 K in the equation in FIG. Specifically, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity in the second bottom to the light intensity in the first peak may be 1.52 or more and less than 1.79.

[変形例1]
上記実施の形態1では、青色LEDチップ、及び、発光ピーク波長が異なる複数種類の量子ドット蛍光体によって第一ピーク、第二ピーク、第三ピーク、第一ボトム、及び、第二ボトムを有する発光スペクトル(以下、上記実施の形態1に係る発光スペクトルとも記載される)を実現したが、このような発光スペクトルの実現方法は一例である。
[Modification 1]
In the first embodiment, light emission having a first peak, a second peak, a third peak, a first bottom, and a second bottom by a blue LED chip and a plurality of types of quantum dot phosphors having different emission peak wavelengths Although the spectrum (hereinafter, also described as the emission spectrum according to the above-mentioned Embodiment 1) is realized, the method of realizing such an emission spectrum is an example.

例えば、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを実現するために、青色LEDチップに代えてまたは青色LEDに加えて、青色光よりも短波長である紫外光を放出する紫外LEDチップが用いられてもよい。青色LEDチップに代えて紫外LEDチップが用いられる場合、第一ピークは、例えば、青色光を発する蛍光体によって実現されればよい。   For example, in order to realize the emission spectrum according to the first embodiment, an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light having a wavelength shorter than that of blue light is used instead of or in addition to the blue LED chip It is also good. When an ultraviolet LED chip is used instead of the blue LED chip, the first peak may be realized by, for example, a phosphor emitting blue light.

また、発光粒子として、量子ドット蛍光体に代えて、量子ドット蛍光体以外のその他の無機蛍光体が用いられてもよい。その他の無機蛍光体とは、YAG系の蛍光体などである。また、発光粒子として、量子ドット蛍光体及びその他の無機蛍光体の両方が用いられてもよい。   Further, as the light emitting particles, instead of the quantum dot phosphor, other inorganic phosphors other than the quantum dot phosphor may be used. The other inorganic phosphors are YAG-based phosphors and the like. In addition, both quantum dot phosphors and other inorganic phosphors may be used as light emitting particles.

また、上記実施の形態1に係る発光スペクトルは、発光ピーク波長が互いに異なる6種類の蛍光体により実現されたが、発光ピーク波長が互いに異なる7種類以上の蛍光体によって実現されてもよいし、6種類未満の蛍光体によって実現されてもよい。   In addition, the emission spectrum according to the first embodiment is realized by six types of phosphors having different emission peak wavelengths, but may be realized by seven or more types of phosphors having different emission peak wavelengths. It may be realized by less than 6 phosphors.

また、上記実施の形態1で説明された量子ドット蛍光体の発光ピーク波長は、一例である。例えば、上記実施の形態1で説明された量子ドット蛍光体と発光ピーク波長が±10nm程度異なる量子ドット蛍光体が用いられてもよい。   Further, the emission peak wavelength of the quantum dot phosphor described in the first embodiment is an example. For example, a quantum dot phosphor having an emission peak wavelength different by about ± 10 nm from the quantum dot phosphor described in the first embodiment may be used.

また、上記実施の形態1に係る発光スペクトルは、発光素子及び発光粒子のうち発光素子のみによって実現されてもよい。つまり、照明装置100は、蛍光体プレート20などの波長変換材を備えなくてもよい。例えば、上記実施の形態1に係る発光スペクトルは、発光ピーク波長が互いに異なる複数のLEDチップによって実現されてもよい。   In addition, the light emission spectrum according to the first embodiment may be realized by only the light emitting element among the light emitting element and the light emitting particles. That is, the illumination device 100 may not include the wavelength conversion material such as the phosphor plate 20. For example, the emission spectrum according to the first embodiment may be realized by a plurality of LED chips having different emission peak wavelengths.

[変形例2]
また、本発明は、発光装置30として実現されてもよい。発光装置30は、言い換えれば、上記実施の形態1の照明装置の光源として用いられる発光モジュールである。本発明は、例えば、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを有する出射光を出射するCOB構造の発光装置として実現されてもよい。COB構造の発光装置は、基板上に実装された発光素子が、発光粒子を含む封止部材によって封止された構造を有する。封止部材は、例えば、シリコーン樹脂などの透光性を有する樹脂材料を基材とする部材である。
[Modification 2]
The present invention may also be realized as a light emitting device 30. In other words, the light emitting device 30 is a light emitting module used as a light source of the lighting device of the first embodiment. The present invention may be realized, for example, as a light emitting device having a COB structure that emits emitted light having the light emission spectrum according to the first embodiment. The light emitting device of the COB structure has a structure in which a light emitting element mounted on a substrate is sealed by a sealing member containing light emitting particles. The sealing member is, for example, a member having a light transmitting resin material such as silicone resin as a base material.

また、本発明は、SMD(Surface Mount Device)構造の発光装置として実現されてもよい。SMD構造の発光装置は、基板上にSMD型の素子が実装された構造を有する。SMD型の素子は、容器内に配置された発光素子が、容器に充填された発光粒子を含む封止部材によって封止された構造を有する。また、本発明は、リモートフォスファー型の発光装置として実現されてもよい。いずれの場合も、発光装置に用いられる発光素子及び発光粒子の組み合わせは、上記変形例1で説明されたような各種組み合わせが適用可能である。   In addition, the present invention may be realized as a light emitting device having an SMD (Surface Mount Device) structure. The light emitting device of the SMD structure has a structure in which an SMD type element is mounted on a substrate. The SMD type device has a structure in which a light emitting device disposed in a container is sealed by a sealing member including light emitting particles filled in the container. Also, the present invention may be realized as a remote phosphor type light emitting device. In any case, as the combination of the light emitting element and the light emitting particle used for the light emitting device, various combinations as described in the first modification can be applied.

なお、本発明は、上記SMD構造の発光装置に用いられるSMD型の素子として実現されてもよい。   The present invention may be realized as an SMD type element used for the light emitting device of the above-mentioned SMD structure.

[効果等]
以上説明したように、照明装置100は、一次光を発するLEDチップ12と、一次光により励起されて二次光を発する蛍光体粒子22とを備える。LEDチップ12は、発光素子の一例であり、蛍光体粒子22は、発光粒子の一例である。照明装置100は、一次光及び二次光を含む出射光を発する。出射光の発光スペクトルは、波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する。
[Effects, etc.]
As described above, the lighting device 100 includes the LED chip 12 that emits primary light, and phosphor particles 22 that are excited by the primary light and emit secondary light. The LED chip 12 is an example of a light emitting element, and the phosphor particles 22 are an example of a light emitting particle. The lighting device 100 emits outgoing light including primary light and secondary light. The emission spectrum of the emitted light has a first peak located in the wavelength range of 420 nm to 460 nm, a second peak located in the wavelength range of 530 nm to 580 nm, and a third peak located in the wavelength range of 605 nm to 655 nm And a first bottom located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm and a second bottom located in the wavelength range of 555 nm to 605 nm.

これにより、実施例1〜8のように、演色評価数R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。言い換えれば、色の再現性が向上された照明装置100が実現される。   Thus, as in the first to eighth embodiments, the lighting device 100 in which all of the color rendering index R1 to R15 are relatively high is realized. In other words, the lighting device 100 with improved color reproducibility is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する第二ピークにおける光強度の比は、0.53以上0.65未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.49以上0.66未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.54以上0.69未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.39以上0.50未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 0.53 or more and less than 0.65, and the light intensity at the third peak relative to the light intensity at the first peak A ratio is 0.49 or more and less than 0.66. For example, the ratio of light intensity at the first bottom to light intensity at the first peak is 0.54 or more and less than 0.69, and the ratio of light intensity at the second bottom to light intensity at the first peak is 0.39. More than 0.50.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度6500Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 6500 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、0.65以上0.76未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.66以上0.85未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.45以上0.54未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.50以上0.60未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 0.65 or more and less than 0.76, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of is more than 0.66 and less than 0.85. For example, the ratio of light intensity at the first bottom to light intensity at the first peak is at least 0.45 and less than 0.54, and the ratio of light intensity at the second bottom to light intensity at the first peak is 0.50. More than 0.60.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度5700Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 5700 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、0.76以上0.87未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、0.85以上1.10未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.45未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.6以上0.71未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 0.76 or more and less than 0.87, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak Ratio is 0.85 or more and less than 1.10. For example, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak is 0.38 or more and less than 0.45, and the ratio of the light intensity at the second bottom to the light intensity at the first peak is 0.6 More than 0.71.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度5000Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 5000 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、前記第二ピークにおける光強度の比は、0.87以上0.99未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.10以上1.33未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.57以上0.65未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.71以上0.84未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 0.87 or more and less than 0.99, and the light at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of strengths is greater than or equal to 1.10 and less than 1.33. For example, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak is 0.57 or more and less than 0.65, and the ratio of the light intensity at the second bottom to the light intensity at the first peak is 0.71. More than 0.84.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度4500Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 which emits the emitted light of the nominal color temperature 4500 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、0.99以上1.18未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.33以上1.75未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.49以上0.57未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、0.84以上1.03未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 0.99 or more and less than 1.18, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of is greater than or equal to 1.33 and less than 1.75. For example, the ratio of light intensity at the first bottom to light intensity at the first peak is 0.49 or more and less than 0.57, and the ratio of light intensity at the second bottom to light intensity at the first peak is 0.84. More than 1.03.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度4000Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 4000 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、1.18以上1.40未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、1.75以上2.33未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.42以上0.49未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.03以上1.28未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 1.18 or more and less than 1.40, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of is 1.75 to 2.33. For example, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak is 0.42 or more and less than 0.49, and the ratio of the light intensity at the second bottom to the light intensity at the first peak is 1.03. More than 1.28.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度3500Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 3500 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、1.40以上1.61未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、2.33以上2.93未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.42未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.28以上1.52未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 1.40 or more and less than 1.61, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of is greater than or equal to 2.33 and less than 2.93. For example, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak is 0.38 or more and less than 0.42, and the ratio of the light intensity at the second bottom to the light intensity at the first peak is 1.28 More than 1.52.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度3000Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light having the nominal color temperature of 3000 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークにおける光強度に対する、第二ピークにおける光強度の比は、1.61以上1.84未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第三ピークにおける光強度の比は、2.93以上3.63未満である。例えば、第一ピークにおける光強度に対する第一ボトムにおける光強度の比は、0.33以上0.38未満であり、第一ピークにおける光強度に対する第二ボトムにおける光強度の比は、1.52以上1.79未満である。   Also, for example, in the emission spectrum, the ratio of the light intensity at the second peak to the light intensity at the first peak is 1.61 or more and less than 1.84, and the light intensity at the third peak to the light intensity at the first peak The ratio of is greater than or equal to 2.93 and less than 3.63. For example, the ratio of the light intensity at the first bottom to the light intensity at the first peak is 0.33 or more and less than 0.38, and the ratio of the light intensity at the second bottom to the light intensity at the first peak is 1.52 More than 1.79.

これにより、ANSIによって定められた公称色温度2700Kの出射光を出射する照明装置100であって、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。   As a result, the lighting device 100 that emits the emitted light of the nominal color temperature 2700 K determined by ANSI, and in which all of R1 to R15 are relatively high, is realized.

また、例えば、発光スペクトルにおいて、第一ピークの光強度を1としたときの、第一ピークの波長よりも長く第三ピークの波長よりも短い波長範囲における光強度は、0.35以上である。   Also, for example, when the light intensity of the first peak is 1 in the emission spectrum, the light intensity in the wavelength range longer than the wavelength of the first peak and shorter than the wavelength of the third peak is 0.35 or more .

これにより、R1〜R15の全てが比較的高い照明装置100が実現される。言い換えれば、色の再現性が向上された照明装置100が実現される。   Thus, a lighting device 100 in which all of R1 to R15 are relatively high is realized. In other words, the lighting device 100 with improved color reproducibility is realized.

また、発光装置30は、一次光を発するLEDチップ12と、一次光により励起されて二次光を発する蛍光体粒子22とを備える。LEDチップ12は、発光素子の一例であり、蛍光体粒子22は、発光粒子の一例である。発光装置30は、一次光及び二次光を含む出射光を発する。出射光の発光スペクトルは、波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する。   In addition, the light emitting device 30 includes an LED chip 12 that emits primary light, and phosphor particles 22 that are excited by the primary light and emit secondary light. The LED chip 12 is an example of a light emitting element, and the phosphor particles 22 are an example of a light emitting particle. The light emitting device 30 emits outgoing light including primary light and secondary light. The emission spectrum of the emitted light has a first peak located in the wavelength range of 420 nm to 460 nm, a second peak located in the wavelength range of 530 nm to 580 nm, and a third peak located in the wavelength range of 605 nm to 655 nm And a first bottom located in the wavelength range of 440 nm to 480 nm and a second bottom located in the wavelength range of 555 nm to 605 nm.

これにより、実施例1〜8のように、演色評価数R1〜R15の全てが比較的高い発光装置30が実現される。言い換えれば、色の再現性が向上された発光装置30が実現される。   Thus, as in the first to eighth embodiments, the light emitting device 30 in which all of the color rendering index numbers R1 to R15 are relatively high is realized. In other words, the light emitting device 30 with improved color reproducibility is realized.

(実施の形態2)
[基本構成]
上述のように、本発明は、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを有するCOB構造の発光装置として実現されてもよい。実施の形態2では、COB構造の発光装置の具体的構成について説明する。図25は、COB構造の発光装置の外観斜視図である。図26は、COB構造の発光装置の模式断面図である。
Second Embodiment
[Basic configuration]
As described above, the present invention may be realized as a light emitting device of the COB structure having the light emission spectrum according to the first embodiment. In Embodiment 2, a specific structure of a light emitting device having a COB structure will be described. FIG. 25 is an external perspective view of a light emitting device having a COB structure. FIG. 26 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device having a COB structure.

図25及び図26に示されるように、発光装置30aは、基板11と、複数のLEDチップ12と、封止部材13aと、ダム材15と、ボンディングワイヤ17とを備える。   As shown in FIGS. 25 and 26, the light emitting device 30a includes a substrate 11, a plurality of LED chips 12, a sealing member 13a, a dam member 15, and a bonding wire 17.

基板11及び複数のLEDチップ12については、発光装置10と同様の構成である。複数のLEDチップ12は、主に、ボンディングワイヤ17によってChip To Chipで電気的に接続される。ボンディングワイヤ17は、LEDチップ12に電気的及び構造的に接続される給電用のワイヤである。なお、ボンディングワイヤ17の金属材料としては、例えば、金(Au)、銀(Ag)、または銅(Cu)等が採用される。   The substrate 11 and the plurality of LED chips 12 have the same configuration as the light emitting device 10. The plurality of LED chips 12 are mainly electrically connected by a chip to chip by bonding wires 17. The bonding wire 17 is a wire for power supply electrically and structurally connected to the LED chip 12. In addition, as a metal material of the bonding wire 17, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu) etc. are employ | adopted, for example.

ダム材15は、基板11上に設けられた、封止部材13aをせき止めるための部材である。ダム材15には、例えば、絶縁性を有する熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂等が用いられる。より具体的には、ダム材15には、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはポリフタルアミド(PPA)樹脂などが用いられる。   The dam material 15 is a member provided on the substrate 11 for clamping the sealing member 13 a. For the dam material 15, for example, a thermosetting resin or a thermoplastic resin having an insulating property is used. More specifically, silicone resin, phenol resin, epoxy resin, bismaleimide triazine resin, or polyphthalamide (PPA) resin is used as the dam material 15.

ダム材15は、発光装置10の光取り出し効率を高めるために、光反射性を有することが望ましい。そこで、ダム材15には、白色の樹脂(いわゆる白樹脂)が用いられる。なお、ダム材15の光反射性を高めるために、ダム材15の中には、TiO、Al、ZrO、及びMgO等の粒子が含まれてもよい。 The dam material 15 desirably has light reflectivity to increase the light extraction efficiency of the light emitting device 10. Therefore, white resin (so-called white resin) is used for the dam material 15. In addition, in order to improve the light reflectivity of the dam material 15, particles such as TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , and MgO may be included in the dam material 15.

発光装置30aにおいては、ダム材15は、上面視した場合、複数のLEDチップ12を囲むように円環状に形成される。そして、ダム材15に囲まれた領域には、封止部材13aが設けられる。なお、ダム材15は、外形が矩形の環状に形成されてもよい。   In the light emitting device 30a, the dam member 15 is formed in an annular shape so as to surround the plurality of LED chips 12 when viewed from above. A sealing member 13 a is provided in the area surrounded by the dam material 15. In addition, the dam material 15 may be formed in an annular shape having a rectangular outer shape.

封止部材13aは、複数のLEDチップ12を封止する封止部材である。封止部材13aは、より具体的には、複数のLEDチップ12、ボンディングワイヤ17、及び配線16の一部を封止する。   The sealing member 13 a is a sealing member that seals the plurality of LED chips 12. More specifically, the sealing member 13 a seals a part of the plurality of LED chips 12, the bonding wires 17, and the wirings 16.

封止部材13aの基材は、透光性樹脂材料である。透光性樹脂材料としては、例えば、メチル系のシリコーン樹脂が用いられるが、エポキシ樹脂またはユリア樹脂などが用いられてもよい。   The base material of the sealing member 13a is a translucent resin material. As a translucent resin material, for example, a methyl silicone resin is used, but an epoxy resin or a urea resin may be used.

封止部材13aは、蛍光体粒子22を含有する。封止部材13は、より具体的には、発光ピーク波長が互いに異なる複数種類の量子ドット蛍光体を含む。これにより、上記実施の形態1に係る発光スペクトルが実現される。   The sealing member 13 a contains phosphor particles 22. More specifically, the sealing member 13 includes a plurality of types of quantum dot phosphors having different emission peak wavelengths. Thereby, the emission spectrum according to the above-mentioned Embodiment 1 is realized.

[実施の形態2の変形例1]
発光装置30aにおいては、複数のLEDチップ12及びボンディングワイヤ17が単層構造の封止部材13によって封止されているが、複数のLEDチップ12及びボンディングワイヤ17は、多層構造の封止部材によって封止されていてもよい。図27は、このような実施の形態2の変形例1に係る発光装置の模式断面図である。
[Modification 1 of Embodiment 2]
In the light emitting device 30a, the plurality of LED chips 12 and the bonding wires 17 are sealed by the sealing member 13 having a single layer structure, but the plurality of LED chips 12 and the bonding wires 17 are formed by a sealing member having a multilayer structure. It may be sealed. FIG. 27 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the first modification of the second embodiment.

図27に示される発光装置30bは2層構造の封止部材13bを備える。封止部材13bは、複数のLEDチップ12を封止する第一封止層13b1と、第一封止層13b1上に形成された第二封止層13b2とを備える。   A light emitting device 30b shown in FIG. 27 includes a sealing member 13b having a two-layer structure. The sealing member 13 b includes a first sealing layer 13 b 1 for sealing the plurality of LED chips 12 and a second sealing layer 13 b 2 formed on the first sealing layer 13 b 1.

第一封止層13b1の基材、及び、第二封止層13b2の基材は、封止部材13aの基材と同様である。第一封止層13b1は、蛍光体粒子22を含有しない透明層である。第二封止層13b2は、蛍光体粒子22を含有する。第二封止層13b2は、より具体的には、発光ピーク波長が互いに異なる複数種類の量子ドット蛍光体を含む。これにより、上記実施の形態1に係る発光スペクトルが実現される。   The base of the first sealing layer 13b1 and the base of the second sealing layer 13b2 are the same as the base of the sealing member 13a. The first sealing layer 13 b 1 is a transparent layer that does not contain the phosphor particles 22. The second sealing layer 13 b 2 contains phosphor particles 22. More specifically, the second sealing layer 13b2 includes a plurality of types of quantum dot phosphors having different emission peak wavelengths. Thereby, the emission spectrum according to the above-mentioned Embodiment 1 is realized.

[実施の形態2の変形例2]
図28は、実施の形態2の変形例2に係る発光装置の模式断面図である。図28に示される発光装置30cは、2層構造の封止部材13cを備える。封止部材13cは、複数のLEDチップ12間の隙間を埋める第一封止層13c1と、第一封止層13c1及び複数のLEDチップ12上に形成された第二封止層13c2とを備える。
[Modification 2 of Embodiment 2]
FIG. 28 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a second modification of the second embodiment. A light emitting device 30c shown in FIG. 28 includes a sealing member 13c having a two-layer structure. The sealing member 13 c includes a first sealing layer 13 c 1 filling the gaps between the plurality of LED chips 12 and a second sealing layer 13 c 2 formed on the first sealing layer 13 c 1 and the plurality of LED chips 12. .

第一封止層13c1の基材、及び、第二封止層13c2の基材は、封止部材13aの基材と同様である。第一封止層13c1は、蛍光体粒子22を含有する。第一封止層13c1は、より具体的には、発光ピーク波長が互いに異なる複数種類の量子ドット蛍光体を含む。これにより、上記実施の形態1に係る発光スペクトルが実現される。第二封止層13c2は、例えば、蛍光体粒子22を含有しない透明層である。   The base of the first sealing layer 13c1 and the base of the second sealing layer 13c2 are the same as the base of the sealing member 13a. The first sealing layer 13 c 1 contains phosphor particles 22. More specifically, the first sealing layer 13c1 includes a plurality of types of quantum dot phosphors having different emission peak wavelengths. Thereby, the emission spectrum according to the above-mentioned Embodiment 1 is realized. The second sealing layer 13c2 is, for example, a transparent layer that does not contain the phosphor particles 22.

[実施の形態2の変形例3]
図29は、実施の形態2の変形例3に係る発光装置の模式断面図である。図29に示される発光装置30dは、多層構造の封止部材13dを備える。封止部材13dは、複数のLEDチップ12を封止する封止層13d1と、封止層13d1上に積層された封止層13d2〜13d5とを備える。
[Modification 3 of Embodiment 2]
29 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Variation 3 of Embodiment 2. FIG. A light emitting device 30d shown in FIG. 29 includes a sealing member 13d having a multilayer structure. The sealing member 13d includes a sealing layer 13d1 for sealing the plurality of LED chips 12, and sealing layers 13d2 to 13d5 stacked on the sealing layer 13d1.

複数の封止層13d1〜13d5の基材は、封止部材13aの基材と同様である。封止層13d1は、蛍光体粒子22を含有しない透明層である。封止層13d2〜13d5のそれぞれは、蛍光体粒子22を含有する。封止層13d2〜13d5のそれぞれは、より具体的には、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを実現するための複数種類の量子ドット蛍光体のうちの1種類を含む。封止層13d2〜13d5は、例えば、封止層13d1の近くに位置する封止層ほど、蛍光のピーク波長が長い量子ドット蛍光体を含む。具体的には、封止層13d2は、赤色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13d3は、黄色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13d4は、黄緑色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13d5は、緑色系の量子ドット蛍光体を含む。これにより、下方に位置する封止層から出射される蛍光が上方に位置する封止層の蛍光体粒子22に吸収されてしまうことが抑制される。つまり、蛍光の利用効率が向上される。   The base material of the plurality of sealing layers 13d1 to 13d5 is the same as the base material of the sealing member 13a. The sealing layer 13 d 1 is a transparent layer which does not contain the phosphor particles 22. Each of sealing layers 13 d 2 to 13 d 5 contains phosphor particles 22. More specifically, each of the sealing layers 13d2 to 13d5 includes one of a plurality of types of quantum dot phosphors for realizing the light emission spectrum according to the first embodiment. The sealing layers 13d2 to 13d5 include, for example, quantum dot phosphors whose fluorescence peak wavelength is longer as the sealing layer is closer to the sealing layer 13d1. Specifically, the sealing layer 13d2 contains a red-based quantum dot phosphor, the sealing layer 13d3 contains a yellow-based quantum dot phosphor, and the sealing layer 13d4 has a yellow-green-based quantum dot fluorescence The sealing layer 13d5 includes a green quantum dot phosphor. Thereby, it is suppressed that the fluorescence radiate | emitted from the sealing layer located below is absorbed by the fluorescent substance particle 22 of the sealing layer located above. That is, the utilization efficiency of fluorescence is improved.

[実施の形態2の変形例4]
図30は、実施の形態2の変形例4に係る発光装置の模式断面図である。図30に示される発光装置30eは、封止部材13eを備える。封止部材13eは、複数のLEDチップ12のそれぞれの直上に略半球状(言い換えれば、ドット状)の凹部が設けられた封止層13e1と、凹部内に形成された封止層13e2〜13e5とを備える。
[Modification 4 of Embodiment 2]
FIG. 30 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a fourth modification of the second embodiment. A light emitting device 30e shown in FIG. 30 includes a sealing member 13e. The sealing member 13e includes a sealing layer 13e1 in which a substantially hemispherical (in other words, dot-like) recess is provided immediately above each of the plurality of LED chips 12, and sealing layers 13e2 to 13e5 formed in the recess. And

複数の封止層13e1〜13e5の基材は、封止部材13aの基材と同様である。封止層13e1は、蛍光体粒子22を含有しない透明層である。封止層13e2〜13e5のそれぞれは、蛍光体粒子22を含有する。封止層13e2〜13e5のそれぞれは、より具体的には、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを実現するための複数種類の量子ドット蛍光体のうちの1種類を含む。例えば、封止層13e2は、赤色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13e3は、黄色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13e4は、黄緑色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13e5は、緑色系の量子ドット蛍光体を含む。   The base material of the plurality of sealing layers 13e1 to 13e5 is the same as the base material of the sealing member 13a. The sealing layer 13 e 1 is a transparent layer not containing the phosphor particles 22. Each of sealing layers 13 e 2 to 13 e 5 contains phosphor particles 22. More specifically, each of the sealing layers 13e2 to 13e5 includes one of a plurality of types of quantum dot phosphors for realizing the light emission spectrum according to the first embodiment. For example, the sealing layer 13e2 contains a red-based quantum dot phosphor, the sealing layer 13e3 contains a yellow-based quantum dot phosphor, and the sealing layer 13e4 contains a yellow-green-based quantum dot phosphor The sealing layer 13e5 includes a green quantum dot phosphor.

[実施の形態2の変形例5]
図31は、実施の形態2の変形例5に係る発光装置の模式断面図である。図31に示される発光装置30fは、封止部材13fを備える。封止部材13fは、複数のLEDチップ12を封止する封止層13f1と、封止層f1の上面に当該上面に沿って並んで配置された封止層13f2〜13f5とを備える。封止層13f2〜13f5は、封止層13f1上にパッチワーク状に配置される。複数のLEDチップ12と封止層13f2〜13f5とは1対1で対応する。
[Modification 5 of Embodiment 2]
FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth modification of the second embodiment. A light emitting device 30f shown in FIG. 31 includes a sealing member 13f. The sealing member 13 f includes a sealing layer 13 f 1 for sealing the plurality of LED chips 12 and sealing layers 13 f 2 to 13 f 5 arranged on the upper surface of the sealing layer f 1 along the upper surface. The sealing layers 13f2 to 13f5 are arranged like a patchwork on the sealing layer 13f1. The plurality of LED chips 12 correspond to the sealing layers 13f2 to 13f5 on a one-to-one basis.

複数の封止層13f1〜13f5の基材は、封止部材13aの基材と同様である。封止層13f1は、蛍光体粒子22を含有しない透明層である。封止層13f2〜13f5のそれぞれは、蛍光体粒子22を含有する。封止層13f2〜13f5のそれぞれは、より具体的には、上記実施の形態1に係る発光スペクトルを実現するための複数種類の量子ドット蛍光体のうちの1種類を含む。例えば、封止層13f2は、赤色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13f3は、黄色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13f4は、黄緑色系の量子ドット蛍光体を含み、封止層13f5は、緑色系の量子ドット蛍光体を含む。   The base material of the plurality of sealing layers 13f1 to 13f5 is the same as the base material of the sealing member 13a. The sealing layer 13 f 1 is a transparent layer which does not contain the phosphor particles 22. Each of sealing layers 13 f 2 to 13 f 5 contains phosphor particles 22. More specifically, each of the sealing layers 13f2 to 13f5 includes one of a plurality of types of quantum dot phosphors for realizing the light emission spectrum according to the first embodiment. For example, the sealing layer 13f2 contains a red-based quantum dot phosphor, the sealing layer 13f3 contains a yellow-based quantum dot phosphor, and the sealing layer 13f4 contains a yellow-green-based quantum dot phosphor The sealing layer 13f5 includes a green quantum dot phosphor.

(他の実施の形態)
以上、実施の形態に係る発光装置、及び、照明装置について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
(Other embodiments)
As mentioned above, although the light-emitting device which concerns on embodiment, and the illuminating device were demonstrated, this invention is not limited to the said embodiment.

例えば、上記実施の形態1では、照明装置は、ダウンライトであったが、本発明は、スポットライト、シーリングライト、または、ベースライトなどダウンライト以外の照明装置として実現されてもよい。   For example, in the first embodiment, the lighting device is a downlight, but the present invention may be realized as a lighting device other than a downlight, such as a spotlight, a ceiling light, or a base light.

また、上記実施の形態2で説明された発光装置の積層構造は、一例である。実施の形態2においては、蛍光体粒子を含まないと説明された封止層に蛍光体粒子が含まれてもよいし、蛍光体粒子を含むと説明された封止層に蛍光体粒子が含まれなくてもよい。また、1種類の量子ドット蛍光体を含むと説明された封止層に2種以上の量子ドット蛍光体が含まれてもよい。また、実施の形態2において、量子ドット蛍光体に代えて量子ドット蛍光体以外のその他の無機蛍光体が用いられてもよい。   In addition, the stacked structure of the light emitting device described in Embodiment 2 is an example. In Embodiment 2, the phosphor layer may be included in the sealing layer described as not including the phosphor particles, or the phosphor layer may be included in the sealing layer described as including the phosphor particles. It does not have to be. Also, two or more types of quantum dot phosphors may be included in the sealing layer described as including one type of quantum dot phosphor. In the second embodiment, the quantum dot phosphor may be replaced by another inorganic phosphor other than the quantum dot phosphor.

また、上記実施の形態では、発光装置に用いる発光素子としてLEDチップが例示された。しかしながら、半導体レーザ等の半導体発光素子、または、有機EL(Electro Luminescence)もしくは無機EL等の固体発光素子が、発光素子として採用されてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the LED chip was illustrated as a light emitting element used for a light-emitting device. However, a semiconductor light emitting element such as a semiconductor laser, or a solid light emitting element such as organic EL (Electro Luminescence) or inorganic EL may be adopted as the light emitting element.

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、または、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。例えば、上記実施の形態における比較例に係る照明装置または発光装置が本発明に含まれてもよい。   In addition, the embodiments can be realized by various combinations that each person skilled in the art can think of for each embodiment, or by combining components and functions in each embodiment without departing from the scope of the present invention. The embodiments of the present invention are also included in the present invention. For example, a lighting device or a light emitting device according to a comparative example in the above embodiment may be included in the present invention.

12 LEDチップ(発光素子)
22 蛍光体粒子(発光粒子)
30、30a、30b、30c、30d、30e、30f 発光装置
100 照明装置
12 LED chip (light emitting element)
22 Phosphor particles (luminescent particles)
30, 30a, 30b, 30c, 30d, 30e, 30f Light Emitting Device 100 Lighting Device

Claims (11)

一次光を発する発光素子と、
前記一次光により励起されて二次光を発する発光粒子とを備え、
前記一次光及び前記二次光を含む出射光を発し、
前記出射光の発光スペクトルは、
波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、
波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、
波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、
波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、
波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する
照明装置。
A light emitting element that emits primary light;
Luminescent particles that are excited by the primary light to emit secondary light;
Emitting light including the primary light and the secondary light;
The emission spectrum of the emitted light is
A first peak located in a wavelength range of 420 nm or more and 460 nm or less;
A second peak located in a wavelength range of 530 nm to 580 nm,
A third peak located in a wavelength range of 605 nm or more and 655 nm or less;
A first bottom located in a wavelength range of 440 nm or more and 480 nm or less,
An illumination device comprising: a second bottom located in a wavelength range of 555 nm or more and 605 nm or less.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、0.53以上0.65未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、0.49以上0.66未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.54以上0.69未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、0.39以上0.50未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 0.53 or more and less than 0.65,
The ratio of light intensity at the third peak is 0.49 or more and less than 0.66,
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.54 or more and less than 0.69,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 0.39 or more and less than 0.50.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、0.65以上0.76未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、0.66以上0.85未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.45以上0.54未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、0.50以上0.60未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 0.65 or more and less than 0.76,
The ratio of light intensity at the third peak is 0.66 or more and less than 0.85,
The ratio of light intensity at the first bottom is at least 0.45 and less than 0.54;
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 0.50 or more and less than 0.60.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、0.76以上0.87未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、0.85以上1.10未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.45未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、0.6以上0.71未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 0.76 or more and less than 0.87,
The ratio of light intensity at the third peak is 0.85 or more and less than 1.10.
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.38 or more and less than 0.45,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 0.6 or more and less than 0.71.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、0.87以上0.99未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、1.10以上1.33未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.57以上0.65未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、0.71以上0.84未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 0.87 or more and less than 0.99,
The ratio of light intensity at the third peak is 1.10 or more and less than 1.33.
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.57 or more and less than 0.65,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 0.71 or more and less than 0.84.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、0.99以上1.18未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、1.33以上1.75未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.49以上0.57未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、0.84以上1.03未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 0.99 or more and less than 1.18,
The ratio of light intensity at the third peak is 1.33 or more and less than 1.75,
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.49 or more and less than 0.57,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 0.84 or more and less than 1.03.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、1.18以上1.40未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、1.75以上2.33未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.42以上0.49未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、1.03以上1.28未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 1.18 or more and less than 1.40,
The ratio of light intensity at the third peak is 1.75 or more and less than 2.33,
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.42 or more and less than 0.49,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 1.03 or more and less than 1.28.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、1.40以上1.61未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、2.33以上2.93未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.38以上0.42未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、1.28以上1.52未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 1.40 or more and less than 1.61;
The ratio of light intensity at the third peak is 2.33 or more and less than 2.93,
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.38 or more and less than 0.42.
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 1.28 or more and less than 1.52.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークにおける光強度に対する、
前記第二ピークにおける光強度の比は、1.61以上1.84未満であり、
前記第三ピークにおける光強度の比は、2.93以上3.63未満であり、
前記第一ボトムにおける光強度の比は、0.33以上0.38未満であり、
前記第二ボトムにおける光強度の比は、1.52以上1.79未満である
請求項1に記載の照明装置。
In the emission spectrum, relative to the light intensity at the first peak,
The ratio of light intensity at the second peak is 1.61 or more and less than 1.84,
The ratio of light intensity at the third peak is 2.93 or more and less than 3.63.
The ratio of light intensity in the first bottom is 0.33 or more and less than 0.38,
The lighting device according to claim 1, wherein a ratio of light intensity in the second bottom is 1.52 or more and less than 1.79.
前記発光スペクトルにおいて、前記第一ピークの光強度を1としたときの、前記第一ピークの波長よりも長く前記第三ピークの波長よりも短い波長範囲における光強度は0.35以上である
請求項1〜9のいずれか1項に記載の照明装置。
In the emission spectrum, when the light intensity of the first peak is 1, the light intensity in a wavelength range longer than the wavelength of the first peak and shorter than the wavelength of the third peak is 0.35 or more. The lighting device according to any one of Items 1 to 9.
一次光を発する発光素子と、
前記一次光により励起されて二次光を発する発光粒子とを備え、
前記一次光及び前記二次光を含む出射光を発し、
前記出射光の発光スペクトルは、
波長420nm以上460nm以下の範囲に位置する第一ピークと、
波長530nm以上580nm以下の範囲に位置する第二ピークと、
波長605nm以上655nm以下の範囲に位置する第三ピークと、
波長440nm以上480nm以下の範囲に位置する第一ボトムと、
波長555nm以上605nm以下の範囲に位置する第二ボトムとを有する
発光装置。
A light emitting element that emits primary light;
Luminescent particles that are excited by the primary light to emit secondary light;
Emitting light including the primary light and the secondary light;
The emission spectrum of the emitted light is
A first peak located in a wavelength range of 420 nm or more and 460 nm or less;
A second peak located in a wavelength range of 530 nm to 580 nm,
A third peak located in a wavelength range of 605 nm or more and 655 nm or less;
A first bottom located in a wavelength range of 440 nm or more and 480 nm or less,
What is claimed is: 1. A light emitting device comprising: a second bottom located in a wavelength range of 555 nm to 605 nm
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