JP2019052350A - Metal titanium manufacturing device and method - Google Patents

Metal titanium manufacturing device and method Download PDF

Info

Publication number
JP2019052350A
JP2019052350A JP2017176775A JP2017176775A JP2019052350A JP 2019052350 A JP2019052350 A JP 2019052350A JP 2017176775 A JP2017176775 A JP 2017176775A JP 2017176775 A JP2017176775 A JP 2017176775A JP 2019052350 A JP2019052350 A JP 2019052350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bismuth
intermetallic compound
titanium
concentration
liquid alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017176775A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
哲也 宇田
Tetsuya Uda
哲也 宇田
和宏 熊本
Kazuhiro Kumamoto
和宏 熊本
章宏 岸本
Akihiro Kishimoto
章宏 岸本
美信 國友
Minobu Kunitomo
美信 國友
佐藤 彰洋
Akihiro Sato
彰洋 佐藤
百々 泰
Yasushi Momo
泰 百々
卓也 橋本
Takuya Hashimoto
卓也 橋本
昭彦 吉村
Akihiko Yoshimura
昭彦 吉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Kyoto University
Original Assignee
IHI Corp
Kyoto University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IHI Corp, Kyoto University filed Critical IHI Corp
Priority to JP2017176775A priority Critical patent/JP2019052350A/en
Publication of JP2019052350A publication Critical patent/JP2019052350A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

To provide a metal titanium manufacturing device and method capable of increasing titanium concentration of a recovery obtained in a previous process of a purification process compared to prior art.SOLUTION: A metal titanium manufacturing device has a reduction device for obtaining a liquid alloy consisting of titanium and bismuth by a reduction treatment of titanium tetrachloride in the presence of bismuth and magnesium, a concentration device for obtaining a concentrated intermetallic compound by depositing an intermetallic compound from the liquid alloy and separating bismuth included in the intermetallic compound, and a purification device for obtaining metal titanium by a purification treatment of the concentrated intermetallic compound, in which the concentration device makes only the intermetallic compound be a solid state selectively, and separates bismuth by applying inertia force.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、金属チタン製造装置及び方法に関する。   The present invention relates to a titanium metal production apparatus and method.

下記特許文献1には、効率よくチタン合金を得ることができ、当該チタン合金を精製することで金属チタンを低コストで連続的に製造することができるチタンの製造方法が開示されている。この製造方法は、ビスマスとマグネシウムとを含む混合物に四塩化チタン(TiCl)を添加してビスマスとチタンとの液体合金を得る工程1(還元工程)と、液体合金からチタン以外の成分を除去する精製処理を施す工程2(精製工程)とを含むことを基本工程とし、工程1と工程2との間に液体合金を偏析させて液体部分、固体及び液体が共存する固液共存部分とに分離する工程(偏析工程)を補助工程として含むものである。 The following Patent Document 1 discloses a titanium production method that can efficiently obtain a titanium alloy and that can be produced continuously at low cost by refining the titanium alloy at a low cost. This manufacturing method includes step 1 (reduction step) in which titanium tetrachloride (TiCl 4 ) is added to a mixture containing bismuth and magnesium to obtain a liquid alloy of bismuth and titanium, and components other than titanium are removed from the liquid alloy. Including a step 2 (refining step) for performing a refining treatment, and segregating a liquid alloy between step 1 and step 2 to form a liquid part, a solid-liquid coexisting part where a solid and a liquid coexist. The process of separating (segregation process) is included as an auxiliary process.

特許第6095374号公報Japanese Patent No. 6095374

ところで、上記偏析工程で得られる偏析回収物は、析出物である(TiBi)にビスマス(Bi)が付帯したものであり、チタン濃度が比較的低い。偏析工程の後工程である精製工程での消費エネルギーが多大なことに鑑みると、精製工程の前工程である偏析工程あるいは/及び還元工程で得られる回収物におけるチタン濃度を極力上昇させる必要がある。 By the way, the segregated recovered material obtained in the segregation step is a precipitate (Ti 8 Bi 9 ) with bismuth (Bi) attached, and the titanium concentration is relatively low. In view of the large amount of energy consumed in the purification process, which is a subsequent process of the segregation process, it is necessary to increase the titanium concentration in the recovered product obtained in the segregation process or / and the reduction process, which is the previous process of the purification process, as much as possible. .

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、精製工程の前工程で得られる回収物のチタン濃度を従来よりも上昇させることが可能な金属チタン製造装置及び方法の提供を目的とするものである。   This invention is made | formed in view of the situation mentioned above, It aims at provision of the metal titanium manufacturing apparatus and method which can raise the titanium concentration of the collection | recovery obtained by the pre-process of a refinement | purification process rather than before. To do.

上記目的を達成するために、本発明では、金属チタン製造装置に係る第1の解決手段として、ビスマスとマグネシウムとの存在下で四塩化チタンを還元処理することにより、チタン及び前記ビスマスからなる液体合金を得る還元装置と、前記液体合金から金属間化合物を析出させ、当該金属間化合物に付帯する前記ビスマスを分離することにより濃縮金属間化合物を得る濃縮装置と、前記濃縮金属間化合物を精製処理して金属チタンを得る精製装置とを備え、前記濃縮装置は、前記金属間化合物のみを選択的に固体状態とし、かつ慣性力を作用させることにより前記ビスマスを分離する、という手段を採用する。   In order to achieve the above object, according to the present invention, as a first solution for a titanium metal production apparatus, titanium tetrachloride is reduced in the presence of bismuth and magnesium, whereby a liquid comprising titanium and the bismuth is obtained. A reduction device for obtaining an alloy, a concentration device for precipitating an intermetallic compound from the liquid alloy, and separating the bismuth incidental to the intermetallic compound to obtain a concentrated intermetallic compound, and a purification treatment of the concentrated intermetallic compound And a refining device for obtaining metallic titanium, and the concentrating device employs means for selectively bringing only the intermetallic compound into a solid state and separating the bismuth by applying an inertial force.

本発明では、金属チタン製造装置に係る第2の解決手段として、上記第1の解決手段において、前記液体合金を偏析処理することにより析出物を得る偏析装置をさらに備え、前記濃縮装置は、前記析出物を加熱かつ当該析出物に慣性力を作用させることにより、前記ビスマスを分離する、という手段を採用する。   In the present invention, as a second solving means related to the titanium metal production apparatus, in the first solving means, further comprising a segregation apparatus for obtaining a precipitate by performing a segregation treatment on the liquid alloy, A means of separating the bismuth by heating the precipitate and applying an inertial force to the precipitate is employed.

本発明では、金属チタン製造装置に係る第3の解決手段として、上記第1または第2の解決手段において、前記濃縮装置は、前記慣性力を遠心力として作用させる、という手段を採用する。   In the present invention, as a third solving means relating to the titanium metal production apparatus, in the first or second solving means, a means is used in which the concentration device causes the inertial force to act as a centrifugal force.

本発明では、金属チタン製造装置に係る第4の解決手段として、上記第3の解決手段において、前記濃縮装置は、内部の雰囲気温度が前記金属間化合物のみを選択的に固体状態とする温度に設定された濃縮炉と、前記濃縮炉に収容され、前記偏析装置で得られた析出物を収納すると共に複数の開口が形成された内部容器と、前記内部容器を所定速度で回転させる駆動源とを備える、という手段を採用する。   In the present invention, as a fourth solving means related to the titanium metal production apparatus, in the third solving means, the concentrating device has an internal atmosphere temperature set to a temperature at which only the intermetallic compound is selectively brought into a solid state. A set concentrating furnace, an inner container accommodated in the concentrating furnace and containing the precipitate obtained by the segregation apparatus, and a plurality of openings formed therein; a drive source for rotating the inner container at a predetermined speed; The means of providing is adopted.

本発明では、金属チタン製造装置に係る第5の解決手段として、上記第1または第2の解決手段において、前記濃縮装置は、所定方向に所定速度で移動させた状態で制止させることにより前記慣性力を作用させる、という手段を採用する。   In the present invention, as a fifth solving means relating to the titanium metal production apparatus, in the first or second solving means, the concentration device is restrained in a state where the concentrating device is moved in a predetermined direction at a predetermined speed. Adopt a means of applying force.

また、本発明では、金属チタン製造方法に係る解決手段として、ビスマスとマグネシウムとの存在下で四塩化チタンを還元処理することにより、チタン及び前記ビスマスからなる液体合金を得る還元工程と、前記液体合金から金属間化合物を析出させ、当該金属間化合物に付帯する前記ビスマスを分離することにより濃縮金属間化合物を得る濃縮工程と、前記濃縮金属間化合物を精製処理して金属チタンを得る精製工程とを有し、前記濃縮工程では、前記金属間化合物のみを選択的に固体状態とし、かつ慣性力を作用させることにより前記ビスマスを分離する、という手段を採用する。   In the present invention, as a means for solving the titanium metal production method, a reduction step of obtaining a liquid alloy comprising titanium and the bismuth by reducing titanium tetrachloride in the presence of bismuth and magnesium, and the liquid A concentration step of precipitating an intermetallic compound from the alloy and separating the bismuth incidental to the intermetallic compound to obtain a concentrated intermetallic compound; a purification step of purifying the concentrated intermetallic compound to obtain metallic titanium; In the concentration step, a means is adopted in which only the intermetallic compound is selectively brought into a solid state and the bismuth is separated by applying an inertial force.

本発明によれば、精製工程の前工程で得られる回収物のチタン濃度を従来より上昇させることが可能な金属チタン製造装置及び方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the metal titanium manufacturing apparatus and method which can raise the titanium density | concentration of the collection | recovery obtained by the pre-process of a refinement | purification process conventionally can be provided.

本発明の一実施形態に係る金属チタン製造装置のシステム構成図である。1 is a system configuration diagram of a titanium metal manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態における濃縮装置の詳細構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the detailed structure of the concentration apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態におけるBi-Ti二元系状態図である。It is a Bi-Ti binary system phase diagram in one embodiment of the present invention.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。本実施形態に係る金属チタン製造装置は、図1に示すように還元炉1、Bi供給装置2、TiCl供給装置3、Mg供給装置4、MgCl回収装置5、偏析装置6、濃縮装置7、蒸留装置8及び排気装置9を備えている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the titanium metal production apparatus according to the present embodiment includes a reduction furnace 1, a Bi supply apparatus 2, a TiCl 4 supply apparatus 3, an Mg supply apparatus 4, an MgCl 2 recovery apparatus 5, a segregation apparatus 6, and a concentration apparatus 7. , A distillation device 8 and an exhaust device 9 are provided.

これら構成要素のうち、還元炉1、Bi供給装置2、TiCl供給装置3、Mg供給装置4及びMgCl2回収装置5は、本実施形態の還元装置を構成している。すなわち、還元炉1、Bi供給装置2、TiCl供給装置3、Mg供給装置4及びMgCl2回収装置5は、全体的な機能として、ビスマス(Bi)X1とマグネシウム(Mg)X3との存在下で四塩化チタン(TiCl)X2を還元処理することにより、チタン(Ti)及びビスマス(Bi)からなる液体合金(Bi-Ti液体合金X4)を得る装置である。 Among these components, the reduction furnace 1, the Bi supply device 2, the TiCl 4 supply device 3, the Mg supply device 4, and the MgCl 2 recovery device 5 constitute the reduction device of this embodiment. That is, the reduction furnace 1, Bi supply device 2, TiCl 4 supply device 3, Mg supply device 4 and MgCl 2 recovery device 5 have overall functions in the presence of bismuth (Bi) X 1 and magnesium (Mg) X 3. This is an apparatus for obtaining a liquid alloy (Bi—Ti liquid alloy X4) composed of titanium (Ti) and bismuth (Bi) by reducing titanium tetrachloride (TiCl 4 ) X2.

還元炉1は、ビスマスX1及びマグネシウムX3の融点よりも高い温度(還元温度)でビスマスX1及びマグネシウムX3の存在下で四塩化チタンを還元処理することにより、上記Bi-Ti液体合金X4と塩化マグネシウム(MgCl)X5とを生成する加熱炉である。上記還元温度は例えば900℃である。このような還元温度に温度設定された還元炉1内では、液体状態のビスマスX1及びマグネシウムX3に液体状態の四塩化チタンX2が添加されることにより、液体状態のBi-Ti液体合金X4及び液体状態の塩化マグネシウムX5とが生成される。このような還元炉1は、一方の生成物であるBi-Ti液体合金X4を偏析装置6に供給し、他方の生成物である塩化マグネシウムX5をMgCl2回収装置5に供給する。 The reduction furnace 1 performs reduction treatment of titanium tetrachloride in the presence of bismuth X1 and magnesium X3 at a temperature (reduction temperature) higher than the melting points of bismuth X1 and magnesium X3, whereby the Bi—Ti liquid alloy X4 and magnesium chloride are reduced. This is a heating furnace for generating (MgCl 2 ) X 5. The reduction temperature is 900 ° C., for example. In the reduction furnace 1 set at such a reduction temperature, the liquid state Bi-Ti liquid alloy X4 and the liquid are obtained by adding the liquid state titanium tetrachloride X2 to the liquid state bismuth X1 and magnesium X3. The state of magnesium chloride X5 is produced. Such a reduction furnace 1 supplies Bi-Ti liquid alloy X4, which is one product, to the segregation device 6, and supplies magnesium chloride X5, which is the other product, to the MgCl2 recovery device 5.

Bi供給装置2は、還元炉1に上記還元処理の原料の1つであるビスマスX1を供給するビスマス供給源である。TiCl供給装置3は、還元炉1に上記還元処理の原料の1つである四塩化チタンX2を供給する四塩化チタン供給源である。Mg供給装置4は、還元炉1に上記還元処理の原料の1つであるマグネシウムX3を供給するマグネシウム供給源である。MgCl回収装置5は、還元炉1から生成物の1つである塩化マグネシウムX5を回収する装置である。 The Bi supply device 2 is a bismuth supply source that supplies the reduction furnace 1 with bismuth X1, which is one of the raw materials for the reduction treatment. The TiCl 4 supply device 3 is a titanium tetrachloride supply source that supplies titanium tetrachloride X2 that is one of the raw materials for the reduction treatment to the reduction furnace 1. The Mg supply device 4 is a magnesium supply source that supplies magnesium X3, which is one of the raw materials for the reduction treatment, to the reduction furnace 1. The MgCl 2 recovery device 5 is a device that recovers magnesium chloride X5 that is one of the products from the reduction furnace 1.

偏析装置6は、上記Bi-Ti液体合金X4に偏析処理を施すことにより固液混合物を得る装置である。すなわち、この偏析装置6は、Bi-Ti液体合金X4を所定の偏析温度、例えば500℃に保持することにより、Bi-Ti液体合金X4よりもチタン濃度が高いBi-Ti液体合金(TiBi液体合金)のみを選択的に析出させ、TiBi金属間化合物(固相)とビスマスX7(液相)からなる固液混合物を生成する。この偏析装置6は、このような固液混合物のうち、TiBiを比較的多く含む混合物X6を濃縮装置7に提供し、ビスマスX7を還元炉1に提供する。なお、この偏析装置6で得られる混合物X6は、TiBi結晶(固体)間にビスマス(固体または液体)が付着または内包されたものである。 The segregation apparatus 6 is an apparatus that obtains a solid-liquid mixture by subjecting the Bi—Ti liquid alloy X4 to segregation. That is, the segregation apparatus 6 maintains the Bi-Ti liquid alloy X4 at a predetermined segregation temperature, for example, 500 ° C., thereby providing a Bi—Ti liquid alloy (Ti 8 Bi) having a higher titanium concentration than the Bi—Ti liquid alloy X4. 9 liquid alloy) is selectively precipitated to form a solid-liquid mixture composed of Ti 8 Bi 9 intermetallic compound (solid phase) and bismuth X7 (liquid phase). The segregation device 6 provides the concentration device 7 with a mixture X6 containing a relatively large amount of Ti 8 Bi 9 among the solid-liquid mixture, and provides the bismuth X7 with the reduction furnace 1. The mixture X6 obtained by the segregation apparatus 6 is one in which bismuth (solid or liquid) is adhered or encapsulated between Ti 8 Bi 9 crystals (solid).

濃縮装置7は、このような混合物X6から当該混合物X6に付帯するビスマスを分離することにより濃縮金属間化合物X9を得る装置である。この濃縮装置7は、図1に示すように、濃縮炉7a、Arガス供給装置7b及び駆動源7cを少なくとも備えている。濃縮炉7aは、混合物X6を収容して所定雰囲気に保持する有底円筒状容器であり、軸線が鉛直方向となる姿勢で設置されている。すなわち、この濃縮炉7aは、所定直径及び所定筒長を有する円環状の周面と、当該周面の一端を閉鎖する円板状の底面と、周面の他端を閉鎖する円板状の上面とを備える。   The concentration device 7 is a device that obtains the concentrated intermetallic compound X9 by separating bismuth incidental to the mixture X6 from the mixture X6. As shown in FIG. 1, the concentrating device 7 includes at least a concentrating furnace 7a, an Ar gas supply device 7b, and a drive source 7c. The concentrating furnace 7a is a bottomed cylindrical container that contains the mixture X6 and holds it in a predetermined atmosphere, and is installed in a posture in which the axis is in the vertical direction. That is, the concentrating furnace 7a includes an annular peripheral surface having a predetermined diameter and a predetermined cylinder length, a disk-shaped bottom surface that closes one end of the peripheral surface, and a disk-shaped surface that closes the other end of the peripheral surface. An upper surface.

このような濃縮炉7aは、例えば図2に示すように構成されている。すなわち、濃縮炉7aは、ヒータ7d、断熱部材7e、受け容器7f、穴開きドラム7g及びシャフト7hを備えている。ヒータ7dは、濃縮炉7aの上記周面に設けられた電気ヒータであり、濃縮炉7a内を所定の濃縮温度(例えば500℃)に加熱する。断熱部材7eは、濃縮炉7aの上記底面に設けられており、濃縮炉7aの底面からの熱の放散を抑制する。なお、図2の構成では、濃縮炉7aの上面及び側面に断熱部材7eが設けられていないが、この上面及び側面にも断熱部材7eを設けてもよい。   Such a concentration furnace 7a is configured, for example, as shown in FIG. That is, the concentration furnace 7a includes a heater 7d, a heat insulating member 7e, a receiving container 7f, a perforated drum 7g, and a shaft 7h. The heater 7d is an electric heater provided on the peripheral surface of the concentration furnace 7a, and heats the inside of the concentration furnace 7a to a predetermined concentration temperature (for example, 500 ° C.). The heat insulating member 7e is provided on the bottom surface of the concentration furnace 7a, and suppresses heat dissipation from the bottom surface of the concentration furnace 7a. In the configuration of FIG. 2, the heat insulating member 7e is not provided on the upper surface and the side surface of the concentration furnace 7a, but the heat insulating member 7e may be provided on the upper surface and the side surface.

受け容器7fは、濃縮炉7a内に同心状に設けられた筒状容器である。この受け容器7fは、下端を閉鎖する底部を備えるが、上端が解放されている。穴開きドラム7gは、濃縮炉7の受け容器7f内に同心状に収容され、混合物X6を収納すると共に複数の穴(開口)が離散的に形成された内部容器である。この穴開きドラム7gは、受け容器7fと同様に下端を閉鎖する低部を備えるが、上端が解放されている。   The receiving container 7f is a cylindrical container provided concentrically in the concentration furnace 7a. The receiving container 7f includes a bottom portion that closes the lower end, but the upper end is released. The perforated drum 7g is an inner container that is concentrically accommodated in the receiving container 7f of the concentrating furnace 7, accommodates the mixture X6, and has a plurality of holes (openings) formed discretely. This perforated drum 7g is provided with a lower portion that closes the lower end similarly to the receiving container 7f, but the upper end is released.

また、この穴開きドラム7gの上部は、軸中心と同軸となるようにシャフト7hが固定されている。すなわち、シャフト7hは、穴開きドラム7gの軸中心に沿って延在する棒状部材であり、一端(下端)が穴開きドラム7gの上部に固定され、他端(上端)が動力源7cの出力軸に連結されている。   A shaft 7h is fixed to the upper part of the perforated drum 7g so as to be coaxial with the axial center. That is, the shaft 7h is a rod-like member extending along the axial center of the perforated drum 7g, one end (lower end) is fixed to the upper part of the perforated drum 7g, and the other end (upper end) is the output of the power source 7c. It is connected to the shaft.

続いて、Arガス供給装置7bは、濃縮炉7aにArガスX8を供給する装置である。このArガス供給装置7bが濃縮炉7aにArガスX8を供給することによって、濃縮炉7a内はArガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)となる。駆動源7cは、濃縮炉7a内の混合物X6を回転させる回転動力源である。すなわち、この駆動源7cは、濃縮炉7a内に収容された穴開きドラム7gを回転駆動することにより、当該穴開きドラム7gに収納された混合物X6を回転させる。   Subsequently, the Ar gas supply device 7b is a device that supplies the Ar gas X8 to the concentration furnace 7a. When the Ar gas supply device 7b supplies the Ar gas X8 to the concentration furnace 7a, the inside of the concentration furnace 7a becomes an Ar gas atmosphere (inert gas atmosphere). The drive source 7c is a rotational power source that rotates the mixture X6 in the concentration furnace 7a. That is, the drive source 7c rotates the mixture X6 accommodated in the perforated drum 7g by rotationally driving the perforated drum 7g accommodated in the concentration furnace 7a.

このように構成された濃縮装置7は、穴開きドラム7gに収納した混合物X6をArガス雰囲気下で加熱し、かつ穴開きドラム7gを回転させることにより混合物X6に遠心力を作用させる。このような濃縮装置7は、一種の遠心分離器として機能するものであり、混合物X6に遠心力を作用させることにより液相のビスマスと固相のTiBiの結晶とを固液分離する。濃縮装置7は、このような遠心分離によって液相のビスマスの大部分が除去され、混合物X6よりもチタン濃度が高い合金つまり濃縮金属間化合物X9を蒸留装置8に供給する。なお、上記遠心力は、周知のように慣性力の一種である。 The concentrating device 7 configured as described above heats the mixture X6 accommodated in the perforated drum 7g in an Ar gas atmosphere, and causes the centrifugal force to act on the mixture X6 by rotating the perforated drum 7g. Such a concentrator 7 functions as a kind of centrifuge, and separates liquid-phase bismuth from solid-phase Ti 8 Bi 9 crystals by applying centrifugal force to the mixture X6. . The concentration device 7 removes most of the liquid phase bismuth by such centrifugation, and supplies the alloy having a titanium concentration higher than the mixture X6, that is, the concentrated intermetallic compound X9, to the distillation device 8. The centrifugal force is a kind of inertial force as is well known.

蒸留装置8は、濃縮金属間化合物X9に精製処理の一種である蒸留処理を施して金属チタンを得る装置である。すなわち、この蒸留装置8は、減圧雰囲気下で濃縮金属間化合物X9を所定の蒸留温度に加熱することにより、濃縮金属間化合物X9を形成するビスマスを選択的に気化させて金属チタンを得る。上記蒸留温度は、例えば1000℃である。また、このような蒸留装置8は、精製装置の一種である。   The distillation apparatus 8 is an apparatus that obtains titanium metal by subjecting the concentrated intermetallic compound X9 to a distillation process, which is a kind of purification process. That is, the distillation apparatus 8 heats the concentrated intermetallic compound X9 to a predetermined distillation temperature under a reduced pressure atmosphere, thereby selectively vaporizing bismuth forming the concentrated intermetallic compound X9 to obtain titanium metal. The distillation temperature is 1000 ° C., for example. Moreover, such a distillation apparatus 8 is a kind of purification apparatus.

排気装置9は、蒸留装置8の内部ガスを外部に排気する真空ポンプである。この排気装置9は、排気装置9の排気処理によって得られたビスマスX10を還元炉1に供給する。なお、排気装置9の作動によって、蒸留装置8の内部は減圧雰囲気となる。   The exhaust device 9 is a vacuum pump that exhausts the internal gas of the distillation device 8 to the outside. The exhaust device 9 supplies bismuth X10 obtained by the exhaust process of the exhaust device 9 to the reduction furnace 1. In addition, the inside of the distillation apparatus 8 becomes a decompression atmosphere by the action | operation of the exhaust apparatus 9. FIG.

ここで、このように構成された金属チタン製造装置は、図示しない制御装置によって統括的に制御される。すなわち、上述したBi供給装置2、TiCl供給装置3、Mg供給装置4、MgCl2回収装置5、偏析装置6、濃縮装置7、蒸留装置8及び排気装置9は、制御装置によって動作が適宜制御されることによって、以下に説明するような一連の製造工程を行う。 Here, the titanium metal manufacturing apparatus configured as described above is controlled in an integrated manner by a control device (not shown). That is, the operations of the Bi supply device 2, the TiCl 4 supply device 3, the Mg supply device 4, the MgCl 2 recovery device 5, the segregation device 6, the concentration device 7, the distillation device 8 and the exhaust device 9 described above are appropriately controlled by the control device. As a result, a series of manufacturing steps as described below is performed.

次に、本実施形態に係る金属チタン製造装置の動作、つまり当該金属チタン製造装置を用いた金属チタン製造方法について、図3をも参照して詳しく説明する。   Next, the operation of the titanium metal production apparatus according to this embodiment, that is, the metal titanium production method using the metal titanium production apparatus will be described in detail with reference to FIG.

この金属チタン製造装置は、最初に還元装置によって還元工程(還元処理)が行われる。すなわち、還元装置では、還元炉1の雰囲気温度が所定の還元温度に設定され、またBi供給装置2がビスマスX1を還元炉1に供給し、TiCl供給装置3が四塩化チタンX2を還元炉1に供給し、Mg供給装置4がマグネシウムX3を還元炉1に供給する。 In this titanium metal production apparatus, a reduction process (reduction process) is first performed by a reduction device. That is, in the reduction apparatus, the atmospheric temperature of the reduction furnace 1 is set to a predetermined reduction temperature, the Bi supply apparatus 2 supplies bismuth X1 to the reduction furnace 1, and the TiCl 4 supply apparatus 3 supplies titanium tetrachloride X2 to the reduction furnace. 1 and the Mg supply device 4 supplies magnesium X3 to the reduction furnace 1.

この結果、還元炉1では、下式(1)の化学反応(還元反応)が進行し、チタン及びビスマスからなるBi-Ti液体合金X4と塩化マグネシウムX5とが生成される。
TiCl+Bi+2Mg→Bi-Ti+2MgCl (1)
As a result, in the reduction furnace 1, the chemical reaction (reduction reaction) of the following formula (1) proceeds, and Bi—Ti liquid alloy X4 and magnesium chloride X5 made of titanium and bismuth are generated.
TiCl 4 + Bi + 2Mg → Bi-Ti + 2MgCl 2 (1)

なお、式(1)において、「Bi-Ti」は、チタン及びビスマスからなるBi-Ti液体合金X4を示してる。また、還元炉1に供給する各原料の供給量、つまりビスマスX1、四塩化チタンX2及びマグネシウムX3の還元炉1への供給量は、上式(1)に示される還元反応における各原料のモル比に基づいて適宜設定される。   In the formula (1), “Bi—Ti” indicates a Bi—Ti liquid alloy X4 made of titanium and bismuth. The supply amount of each raw material supplied to the reduction furnace 1, that is, the supply amount of bismuth X1, titanium tetrachloride X2 and magnesium X3 to the reduction furnace 1 is the mole of each raw material in the reduction reaction represented by the above formula (1). It is set as appropriate based on the ratio.

ここで、Bi-Ti液体合金X4及び塩化マグネシウムX5は、還元炉1において液体として存在するが、両者は比重の違いに起因して二層に相分離した状態となる。すなわち、Bi-Ti液体合金X4は、比重が比較的大きいので、還元炉1において下層液体生成物となる。一方、塩化マグネシウムX5は、比重が比較的小さいので、還元炉1において上層液体生成物となる。下層のBi-Ti液体合金X4は、還元炉1の底部から取り出されて偏析装置6に供給され、上層の塩化マグネシウムX5は、還元炉1の中間部から取り出されてMgCl回収装置5に回収される。 Here, the Bi—Ti liquid alloy X4 and the magnesium chloride X5 exist as liquids in the reduction furnace 1, but both are phase-separated into two layers due to the difference in specific gravity. That is, the Bi—Ti liquid alloy X4 has a relatively large specific gravity, and thus becomes a lower layer liquid product in the reduction furnace 1. On the other hand, since magnesium chloride X5 has a relatively small specific gravity, it becomes an upper liquid product in the reduction furnace 1. The lower Bi—Ti liquid alloy X4 is taken out from the bottom of the reduction furnace 1 and supplied to the segregation device 6, and the upper magnesium chloride X5 is taken out from the middle part of the reduction furnace 1 and recovered in the MgCl 2 recovery device 5. Is done.

この金属チタン製造装置は、続いて偏析装置6によって偏析工程(偏析処理)が行われる。すなわち、偏析装置6は、Bi-Ti液体合金X4に偏析処理を施す。図3の状態図に示すように、Bi-Ti液体合金X4は、所定の偏析温度(例えば500℃)かつBi-Ti液体合金X4におけるチタン濃度が47at%以下である場合に、TiBi金属間化合物が析出する。 This titanium metal production apparatus is subsequently subjected to a segregation process (segregation process) by the segregation apparatus 6. That is, the segregation apparatus 6 performs a segregation process on the Bi—Ti liquid alloy X4. As shown in the phase diagram of FIG. 3, the Bi—Ti liquid alloy X4 has a predetermined segregation temperature (eg, 500 ° C.) and a Ti 8 Bi 9 when the titanium concentration in the Bi—Ti liquid alloy X4 is 47 at% or less. Intermetallic compounds are deposited.

このTiBi金属間化合物は、Bi-Ti液体合金X4の析出物であり、チタン濃度がBi-Ti液体合金X4よりも高い固形物である。また、このTiBi金属間化合物は、Bi-Ti液体合金X4よりも密度が低いので、Bi-Ti液体合金X4において浮上して浮体物となる。すなわち、偏析装置6では、Bi-Ti液体合金X4が所定の偏析温度に曝されることによりTiBi金属間化合物(固相)とビスマス(液相)からなる固液混合物が生成される。 This Ti 8 Bi 9 intermetallic compound is a precipitate of the Bi—Ti liquid alloy X4, and is a solid substance whose titanium concentration is higher than that of the Bi—Ti liquid alloy X4. Further, since this Ti 8 Bi 9 intermetallic compound has a lower density than the Bi—Ti liquid alloy X4, it floats in the Bi—Ti liquid alloy X4 and becomes a floating body. That is, in the segregation apparatus 6, when the Bi—Ti liquid alloy X4 is exposed to a predetermined segregation temperature, a solid-liquid mixture composed of Ti 8 Bi 9 intermetallic compound (solid phase) and bismuth (liquid phase) is generated. .

ここで、上記混合物X6は、TiBi結晶(固体)にビスマス(固体)が付着または内包された固形物である。また、混合物X6を形成するTiBi結晶とビスマスとでは融点が異なる。 Here, the mixture X6 is a solid material in which bismuth (solid) is attached to or included in Ti 8 Bi 9 crystals (solid). Further, Ti 8 Bi 9 crystals forming the mixture X6 and bismuth have different melting points.

濃縮装置7は、このような混合物X6に対して濃縮工程(濃縮処理)を行う。すなわち、濃縮装置7は、濃縮炉7a内を所定の濃縮温度(例えば500℃)かつアルゴンガス雰囲気に設定し、穴開きドラム7gに収納されたTiBi金属間化合物のTiBi結晶(固体)に付着または内包されたビスマスを選択的に液体状態に維持する。この結果、穴開きドラム7gには、TiBi結晶(固体)とビスマス(液体)とからなる混合物X6が収納された状態となる。 The concentration apparatus 7 performs a concentration step (concentration process) on such a mixture X6. That is, the concentrating device 7 sets the inside of the concentrating furnace 7a to a predetermined concentrating temperature (for example, 500 ° C.) and an argon gas atmosphere, and Ti 8 Bi 9 intermetallic compound Ti 8 Bi 9 crystals housed in the perforated drum 7g. The bismuth adhered or encapsulated in (solid) is selectively maintained in a liquid state. As a result, the perforated drum 7g is in a state in which the mixture X6 made of Ti 8 Bi 9 crystal (solid) and bismuth (liquid) is stored.

濃縮装置7では、この状態において駆動源7cが穴開きドラム7gを回転させる。この結果、穴開きドラム7g内の混合物X6に遠心力(慣性力)が作用するので、ビスマス(液体)がTiBi結晶(固体)から分離され穴開きドラム7gの内面に付着し、さらに穴開きドラム7gに形成された複数の穴から受け容器7fに向かって飛散する。 In the concentrating device 7, the driving source 7c rotates the perforated drum 7g in this state. As a result, centrifugal force (inertial force) acts on the mixture X6 in the perforated drum 7g, so that bismuth (liquid) is separated from the Ti 8 Bi 9 crystal (solid) and adheres to the inner surface of the perforated drum 7g. It scatters toward the receiving container 7f from a plurality of holes formed in the perforated drum 7g.

すなわち、濃縮装置7では、混合物X6のTiBi結晶(固体)に付帯するビスマス(固体または液体)が液体状態に維持され、遠心力の作用によってTiBi結晶(固体)から受け容器7fの内面に付着する。このような固液分離の結果、濃縮装置7では、混合物X6よりもチタン濃度が高い金属間化合物、つまり混合物X6の濃縮物である濃縮金属間化合物X9が得られる。 That is, in the concentrating device 7, bismuth (solid or liquid) incidental to the Ti 8 Bi 9 crystal (solid) of the mixture X6 is maintained in a liquid state, and is received from the Ti 8 Bi 9 crystal (solid) by the action of centrifugal force. It adheres to the inner surface of 7f. As a result of such solid-liquid separation, in the concentrating device 7, an intermetallic compound having a titanium concentration higher than that of the mixture X6, that is, a concentrated intermetallic compound X9 that is a concentrate of the mixture X6 is obtained.

この金属チタン製造装置は、続いて蒸留装置8を用いて蒸留工程(蒸留処理)を行う。すなわち、蒸留装置8は、濃縮金属間化合物X9を所定の蒸留温度下かつ減圧雰囲気下に置くことにより、濃縮金属間化合物X9を形成するビスマスを選択的に気化させて金属チタンを得る。   The titanium metal production apparatus subsequently performs a distillation process (distillation process) using the distillation apparatus 8. That is, the distillation apparatus 8 selectively vaporizes bismuth forming the concentrated intermetallic compound X9 by placing the concentrated intermetallic compound X9 under a predetermined distillation temperature and a reduced-pressure atmosphere, thereby obtaining metallic titanium.

そして、排気装置9が蒸留装置8から取得したビスマス(気相)は、図1に示されているように還元炉1に供給される。また、偏析装置6の固液混合物に含まれるビスマス(液相)は、同じく図1に示されているように還元炉1に供給される。したがって、金属チタン製造装置の稼働初期段階では、排気装置9及び偏析装置6からビスマスが還元炉1に供給されないので、Bi供給装置2からビスマスを供給する必要があるが、稼働後においてはBi供給装置2から還元炉1に供給するビスマスの量を削減することができる。   And the bismuth (gas phase) which the exhaust apparatus 9 acquired from the distillation apparatus 8 is supplied to the reduction furnace 1 as FIG. 1 shows. Also, bismuth (liquid phase) contained in the solid-liquid mixture of the segregation apparatus 6 is supplied to the reduction furnace 1 as shown in FIG. Therefore, since bismuth is not supplied from the exhaust device 9 and the segregation device 6 to the reduction furnace 1 at the initial stage of operation of the titanium metal production apparatus, it is necessary to supply bismuth from the Bi supply apparatus 2, but after the operation, Bi supply is required. The amount of bismuth supplied from the apparatus 2 to the reduction furnace 1 can be reduced.

このように、本実施形態では、偏析工程と蒸留工程(精製工程)との間で濃縮工程を行うので、偏析工程で得られる回収物(混合物X6)よりもチタン濃度が高い回収物(濃縮金属間化合物X9)を用いて蒸留工程(精製工程)を行う。すなわち、本実施形態によれば、精製工程の前工程で得られる回収物のチタン濃度を従来よりも上昇させることができるので、後工程である蒸留工程(精製工程)における消費エネルギーを従来よりも低減させることができる。   Thus, in this embodiment, since the concentration process is performed between the segregation process and the distillation process (purification process), the recovered material (concentrated metal) having a higher titanium concentration than the recovered material (mixture X6) obtained in the segregation process. A distillation step (purification step) is performed using intercalation compound X9). That is, according to the present embodiment, since the titanium concentration of the recovered product obtained in the previous step of the purification step can be increased as compared with the conventional case, the energy consumption in the distillation step (purification step) which is the subsequent step is reduced as compared with the conventional case. Can be reduced.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
(1)上記実施形態では、混合物X6に遠心力(慣性力)を作用させる濃縮装置7を用いたが、本発明はこれに限定されない。力学的な慣性力を混合物X6に作用させる他の装置形態として、例えば混合物X6を所定方向に所定速度で移動させた状態で制止(停止)させることが考えられる。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, For example, the following modifications can be considered.
(1) In the above embodiment, the concentrating device 7 that applies the centrifugal force (inertial force) to the mixture X6 is used, but the present invention is not limited to this. As another device configuration for applying a dynamic inertia force to the mixture X6, for example, it is conceivable to stop (stop) the mixture X6 while moving the mixture X6 in a predetermined direction at a predetermined speed.

より詳細には、例えば混合物X6を収納した穴開きドラム7gを周面に直交する方向に直線移動させて急停止させることにより、遠心力とは異なる慣性力を混合物X6に作用させることができる。また、このような慣性力を混合物X6に作用させるためには、濃縮装置7に代えて、上記慣性力に最適化された構成の濃縮装置を採用することが好ましい。   More specifically, for example, the inertial force different from the centrifugal force can be applied to the mixture X6 by linearly moving the perforated drum 7g containing the mixture X6 in a direction perpendicular to the peripheral surface and causing a sudden stop. In order to cause such inertial force to act on the mixture X6, it is preferable to employ a concentrator having a configuration optimized for the inertial force instead of the concentrator 7.

(2)上記実施形態における濃縮装置7は一種の遠心分離装置であるが、混合物X6の性状を踏まえて、各部品を最適化することが考えられる。例えば穴開きドラム7gを円筒状に代えて他の形状、例えば立方体状としてもよい。 (2) Although the concentrating device 7 in the above embodiment is a kind of centrifugal separator, it is conceivable to optimize each component based on the properties of the mixture X6. For example, the perforated drum 7g may be replaced with a cylindrical shape to have another shape, for example, a cubic shape.

(3)上記実施形態では、濃縮温度を例えば500℃としたが、本発明はこれに限定されない。図3に示す状態図によれば、濃縮温度は、最大幅として425〜930℃の範囲内であればよく、より好ましくは425〜700℃の範囲内が好ましい。 (3) In the above embodiment, the concentration temperature is, for example, 500 ° C., but the present invention is not limited to this. According to the state diagram shown in FIG. 3, the concentration temperature may be in the range of 425 to 930 ° C. as the maximum width, and more preferably in the range of 425 to 700 ° C.

(4)上記実施形態では、精製工程として蒸留工程を採用したが、本発明はこれに限定されない。蒸留工程に代えて他の精製工程を採用してもよい。この他の精製工程として、例えば特許文献1に記載された電解精製工程を採用してもよい。 (4) In the said embodiment, although the distillation process was employ | adopted as a refinement | purification process, this invention is not limited to this. Other purification steps may be employed in place of the distillation step. As another purification process, for example, an electrolytic purification process described in Patent Document 1 may be employed.

(5)上記実施形態では、偏析工程で得られる回収物(混合物X6)に対して濃縮工程を行ったが、必要に応じて偏析工程を省略する場合が考えられる。このような場合には、還元工程で得られる回収物(Bi-Ti液体金属X4)に濃縮工程を行ってもよい。 (5) In the said embodiment, although the concentration process was performed with respect to the recovered material (mixture X6) obtained by a segregation process, the case where a segregation process is abbreviate | omitted as needed is considered. In such a case, the concentration step may be performed on the recovered material (Bi-Ti liquid metal X4) obtained in the reduction step.

1 還元炉
2 Bi供給装置
3 TiCl供給装置
4 Mg供給装置
5 MgCl回収装置
6 偏析装置
7 濃縮装置
7a 濃縮炉
7b Arガス供給装置
7c 駆動源
7d ヒータ
7e 断熱部材
7f 受け容器
7g 穴開きドラム(内部容器)
7h シャフト
8 蒸留装置(精製装置)
9 排気装置
1 reduction furnace 2 Bi feeder 3 TiCl 4 feed device 4 Mg supply device 5 MgCl 2 recovery device 6 segregation device 7 concentrator 7a concentration furnace 7b Ar gas supply apparatus 7c driving source 7d heater 7e insulating member 7f receptacle 7g perforated drum (Inner container)
7h Shaft 8 Distillation equipment (purification equipment)
9 Exhaust device

Claims (6)

ビスマスとマグネシウムとの存在下で四塩化チタンを還元処理することにより、チタン及び前記ビスマスからなる液体合金を得る還元装置と、
前記液体合金から金属間化合物を析出させ、当該金属間化合物に付帯する前記ビスマスを分離することにより濃縮金属間化合物を得る濃縮装置と、
前記濃縮金属間化合物を精製処理して金属チタンを得る精製装置とを備え、
前記濃縮装置は、前記金属間化合物のみを選択的に固化状態とし、かつ慣性力を作用させることにより前記ビスマスを分離することを特徴とする金属チタン製造装置。
A reduction device for obtaining a liquid alloy comprising titanium and the bismuth by reducing titanium tetrachloride in the presence of bismuth and magnesium;
A concentrating device for obtaining a concentrated intermetallic compound by precipitating an intermetallic compound from the liquid alloy and separating the bismuth incidental to the intermetallic compound;
A purification apparatus for purifying the concentrated intermetallic compound to obtain metallic titanium,
The concentration apparatus separates the bismuth by selectively solidifying only the intermetallic compound and applying an inertial force.
前記液体合金を偏析処理することにより析出物を得る偏析装置をさらに備え、
前記濃縮装置は、前記析出物を加熱かつ当該析出物に慣性力を作用させることにより、前記ビスマスを分離することを特徴とする請求項1記載の金属チタン製造装置。
A segregation device for obtaining a precipitate by performing a segregation treatment on the liquid alloy;
The said concentration apparatus isolate | separates the said bismuth by heating the said deposit and making an inertial force act on the said deposit, The metal titanium manufacturing apparatus of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記濃縮装置は、前記慣性力を遠心力として作用させることを特徴とする請求項1または2記載の金属チタン製造装置。   The titanium metal production apparatus according to claim 1 or 2, wherein the concentrating device causes the inertial force to act as a centrifugal force. 前記濃縮装置は、
内部の雰囲気温度が前記金属間化合物のみを選択的に固体状態とする温度に設定された濃縮炉と、
前記濃縮炉に収容され、前記偏析装置で得られた析出物を収納すると共に複数の開口が形成された内部容器と、
前記内部容器を所定速度で回転させる駆動源と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の金属チタン製造装置。
The concentrator is
A concentration furnace in which the internal atmospheric temperature is set to a temperature at which only the intermetallic compound is selectively brought into a solid state;
An inner container accommodated in the concentrating furnace, containing the precipitate obtained by the segregation apparatus and having a plurality of openings formed therein;
The metal titanium manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising: a drive source that rotates the inner container at a predetermined speed.
前記濃縮装置は、所定方向に所定速度で移動させた状態で制止させることにより前記慣性力を作用させることを特徴とする請求項1または2に記載の金属チタン製造装置。   3. The titanium metal production apparatus according to claim 1, wherein the concentration device causes the inertial force to act by stopping in a state where the concentration device is moved in a predetermined direction at a predetermined speed. ビスマスとマグネシウムとの存在下で四塩化チタンを還元処理することにより、チタン及び前記ビスマスからなる液体合金を得る還元工程と、
前記液体合金から金属間化合物を析出させ、当該金属間化合物に付帯する前記ビスマスを分離することにより濃縮金属間化合物を得る濃縮工程と、
前記濃縮金属間化合物を精製処理して金属チタンを得る精製工程とを有し、
前記濃縮工程では、前記金属間化合物のみを選択的に固化状態とし、かつ慣性力を作用させることにより前記ビスマスを分離することを特徴とする金属チタン製造方法。
A reduction step of obtaining a liquid alloy comprising titanium and the bismuth by reducing titanium tetrachloride in the presence of bismuth and magnesium;
A concentration step of precipitating an intermetallic compound from the liquid alloy and obtaining a concentrated intermetallic compound by separating the bismuth incidental to the intermetallic compound;
A purification step of purifying the concentrated intermetallic compound to obtain metallic titanium,
In the concentration step, only the intermetallic compound is selectively solidified, and the bismuth is separated by applying an inertial force.
JP2017176775A 2017-09-14 2017-09-14 Metal titanium manufacturing device and method Pending JP2019052350A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017176775A JP2019052350A (en) 2017-09-14 2017-09-14 Metal titanium manufacturing device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017176775A JP2019052350A (en) 2017-09-14 2017-09-14 Metal titanium manufacturing device and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019052350A true JP2019052350A (en) 2019-04-04

Family

ID=66013576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017176775A Pending JP2019052350A (en) 2017-09-14 2017-09-14 Metal titanium manufacturing device and method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019052350A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020117752A (en) * 2019-01-22 2020-08-06 株式会社Ihi Production device and method of metal titanium

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09150162A (en) * 1995-11-29 1997-06-10 Toray Ind Inc Water treating method and device therefor
JP6095374B2 (en) * 2013-01-11 2017-03-15 国立大学法人京都大学 A method for producing titanium.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09150162A (en) * 1995-11-29 1997-06-10 Toray Ind Inc Water treating method and device therefor
JP6095374B2 (en) * 2013-01-11 2017-03-15 国立大学法人京都大学 A method for producing titanium.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020117752A (en) * 2019-01-22 2020-08-06 株式会社Ihi Production device and method of metal titanium
JP7230526B2 (en) 2019-01-22 2023-03-01 株式会社Ihi Apparatus and method for manufacturing titanium metal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5768714B2 (en) Method for producing silicon
TW200928019A (en) Method for processing silicon powder to obtain silicon crystals
US8900341B2 (en) Method and system for producing an aluminum—silicon alloy
CA1130985A (en) Silicon purification method
JP2019052350A (en) Metal titanium manufacturing device and method
JP2006027940A (en) Method for refining metal
US11242252B2 (en) Refining process for producing solar silicon, silicon carbide, high-purity graphite and hollow silica microspheres
US20230125127A1 (en) Method for producing metal titanium
JPH09165212A (en) Production of silicone raw material powder for solar cell and silicone ingot for solar cell
US20090074650A1 (en) Method for the production of silicon suitable for solar purposes
JP2007314403A (en) Silicon purification method and apparatus
JP5069859B2 (en) Silicon purification apparatus and purification method
JP4904067B2 (en) Method for purifying metal magnesium and method for producing metal tantalum using the same
EP3565782A1 (en) Refining process for producing solar silicon, silicon carbide, high-purity graphite and hollow silica microspheres
JP7261701B2 (en) Method for treating activated carbon after use and method for producing titanium tetrachloride
JP2002173718A (en) Aluminum treatment method
JP7230526B2 (en) Apparatus and method for manufacturing titanium metal
JP2012224917A (en) Method and device for treating metal
JP5415066B2 (en) Metal purification method and apparatus, refined metal, casting, metal product and electrolytic capacitor
JPH10102158A (en) Method for refining aluminum
JP2010208862A (en) Method for refining silicon
JP2006037133A (en) Method for producing high purity hafnium material, high purity hafnium material obtained by the method, and sputtering target
SE448164B (en) PROCEDURE FOR PROVIDING A BED OF PURE SILICONE CRYSTALS
JPH0465122B2 (en)
JP2007270308A (en) Antimony and method for refining the same

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171019

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210831