JP2019047585A - Power converter - Google Patents

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Abstract

To provide a power converter that suppresses a backflow of current at startup and has a small conduction loss.SOLUTION: A DC-DC converter 105 is capable of synchronous rectification and includes a first semiconductor switching device 1 and a second semiconductor switching device 2 connected in series. A controller 10 outputs a control signal Ct1 representing a duty of the first semiconductor switching device 1 or the second semiconductor switching device 2 such that a voltage at a predetermined point of the DC-DC converter becomes equal to a voltage command value. The controller 10 uses a value according to the duty of the first semiconductor switching element 1 or the second semiconductor switching element 1 when the voltage at the determined point reaches a steady state as an initial value of the control signal Ct1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電力変換装置に関し、特に半導体スイッチング素子を有する電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power converter, and more particularly to a power converter having a semiconductor switching element.

半導体スイッチング素子を使用した電力変換装置には、直流電圧を異なる直流電圧に変換する昇圧回路、降圧回路、または昇降圧回路がある。例えば、電力変換装置の一種である1石型チョッパ回路は、回路の入力側の電圧を平滑化するための第1のコンデンサと、エネルギーを蓄積させるためのリアクトルと、リアクトルにエネルギーを充電する際にオン状態となる第1の半導体スイッチング素子と、第1の半導体スイッチング素子に対して逆並列に接続された第1の整流素子とを備える。さらに、1石型チョッパ回路は、第1の半導体スイッチング素子がオフ状態のときにリアクトルに充電されたエネルギーを出力側に放出すると共に回路の出力側からの逆流を防止する第2の整流素子と、第2の整流素子と逆並列に接続された第2の半導体スイッチング素子と、回路の出力側の電圧を平滑化するための第2のコンデンサとを備える。   Power converters using semiconductor switching elements include a booster circuit, a step-down circuit, or a step-up / step-down circuit that converts DC voltage into different DC voltages. For example, a single-stone chopper circuit, which is a type of power conversion device, has a first capacitor for smoothing a voltage on the input side of the circuit, a reactor for storing energy, and charging of the reactor with energy. And a first rectifier element connected in antiparallel to the first semiconductor switching element. Furthermore, when the first semiconductor switching device is in the OFF state, the single-stone chopper circuit releases the energy charged in the reactor to the output side and also prevents the backflow from the output side of the circuit and And a second semiconductor switching element connected in anti-parallel to the second rectifying element, and a second capacitor for smoothing the voltage on the output side of the circuit.

このような電力変換装置において、第2の整流素子に電流が流れる期間に第2の半導体スイッチング素子をオン状態として第2の整流素子の代わりに第2の半導体スイッチング素子に電流を流す同期整流の動作が可能になる。同期整流動作では、第2の整流素子よりも導通損失の少ない第2の半導体スイッチング素子を電流が通過する。但し、起動時において、第2の半導体スイッチング素子がオン状態となることによって昇圧回路の電圧の高い方から電圧の低い方への電流経路が形成されるため、意図せずに電圧の高い方から電圧の低い方へ電流が逆流する可能性がある。そのため、例えば、特許文献1に記載の装置は、起動時に第2の半導体スイッチング素子のオン時間をマスク処理で制限することによって、電流の逆流を抑制している。   In such a power conversion device, in a period during which current flows in the second rectifying element, the second semiconductor switching element is turned on to cause a current to flow in the second semiconductor switching element instead of the second rectifying element. It becomes possible to operate. In the synchronous rectification operation, the current passes through the second semiconductor switching element having a smaller conduction loss than the second rectification element. However, at the time of startup, the second semiconductor switching element is turned on to form a current path from the higher voltage side to the lower voltage side of the voltage boosting circuit, so that the voltage is unintentionally increased. The current may reverse to the lower voltage side. Therefore, for example, the device described in Patent Document 1 suppresses the backflow of current by limiting the on time of the second semiconductor switching element by the mask process at the time of startup.

特開2007−295759号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-295759

しかしながら、特許文献1に記載の動作では、第2の半導体スイッチング素子のオン時間が本来のオン時間よりも短く設定されているため、第2の半導体スイッチング素子がオフ状態の時間には、第2の整流素子に電流が流れることになる。その結果、同期整流動作を行っている場合よりも導通損失が増加する。   However, in the operation described in Patent Document 1, since the on time of the second semiconductor switching element is set shorter than the original on time, the second semiconductor switching element is off during the off state. The current flows in the rectifier element of As a result, the conduction loss increases more than when performing the synchronous rectification operation.

それゆえに、本発明の目的は、起動時において電流の逆流を抑制することができ、かつ導通損失が少ない電力変換装置を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to provide a power converter capable of suppressing the backflow of current at the time of start-up and having a small conduction loss.

本発明の電力変換装置は、同期整流が可能であって、直列接続された第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子とを含むDC−DC変換器と、DC−DC変換器の定められた箇所の電圧が電圧指令値と等しくなるように、第1の半導体スイッチング素子または第2の半導体スイッチング素子のデューティを表わす制御信号を出力する制御装置と、制御信号に基づいて、第1の半導体スイッチング素子および第2の半導体スイッチング素子を駆動するための駆動装置とを備える。制御装置は、定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの第1の半導体スイッチング素子または第2の半導体スイッチング素子のデューティに応じた値を制御信号の初期値として用いる。   The power converter of the present invention is a DC-DC converter which is capable of synchronous rectification and includes a first semiconductor switching element and a second semiconductor switching element connected in series, and a DC-DC converter. A control device for outputting a control signal representing a duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element so that the voltage at the selected point becomes equal to the voltage command value; And a driving device for driving the semiconductor switching device and the second semiconductor switching device. The control device uses a value according to the duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element when the voltage at the determined point reaches the steady state as the initial value of the control signal.

本発明の電力変換装置によれば、制御装置は、定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの第1の半導体スイッチング素子または第2の半導体スイッチング素子のデューティに応じた値を制御信号の初期値として用いるので、起動時において電流の逆流を抑制することができる。また、この電力変換装置によれば、起動時に半導体スイッチング素子のオン時間を制限しないので、導通損失が増加することがない。   According to the power conversion device of the present invention, the control device sets a value corresponding to the duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element when the voltage at the determined point reaches the steady state as the control signal. Since it is used as an initial value, it is possible to suppress the backflow of current at the time of startup. Further, according to this power conversion device, since the on time of the semiconductor switching element is not limited at the time of startup, the conduction loss does not increase.

実施の形態1の電力変換装置100の構成を表わす図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of power converter 100 of the first embodiment. 実施の形態1において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流301の波形を表わす図である。FIG. 10 is a diagram showing a waveform of a reactor current 301 which is an example of a current flowing through reactor 5 in the steady state in the first embodiment. 実施の形態1において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の別の例であるリアクトル電流401の波形を表わす図である。FIG. 17 is a diagram showing a waveform of a reactor current 401 which is another example of the current flowing through reactor 5 in the steady state in the first embodiment. 実施の形態1において、電力変換装置100が第2の半導体スイッチング素子2を有さない場合の、定常状態時にリアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流501の波形を表わす図である。FIG. 16 is a diagram showing a waveform of a reactor current 501 which is an example of a current flowing through reactor 5 in a steady state in the case where power conversion device 100 does not have second semiconductor switching element 2 in the first embodiment. 実施の形態1の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a control block included in the control device 10 of the first embodiment. 従来の起動時の電流波形601および三角波602を表わす図である。It is a figure showing the current waveform 601 and the triangular wave 602 at the time of the conventional starting. 実施の形態1の起動時の電流波形701および三角波702を表わす図である。FIG. 7 is a diagram showing a current waveform 701 and a triangular wave 702 at startup according to the first embodiment. 実施の形態3の制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a control block included in a control device 10 of a third embodiment. 実施の形態4の制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a control block included in a control device 10 of a fourth embodiment. 実施の形態5の電力変換装置100の構成を表わす図である。FIG. 16 is a diagram illustrating the configuration of a power conversion device 100 according to a fifth embodiment. 実施の形態5において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流1001の波形を示す図である。In Embodiment 5, it is a figure which shows the waveform of the reactor current 1001 which is an example of the current which flows through the reactor 5 at the time of a steady state. 実施の形態5において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の別の例であるリアクトル電流401の波形を表わす図である。FIG. 25 is a diagram showing a waveform of a reactor current 401 which is another example of the current flowing through the reactor 5 in the steady state in the fifth embodiment. 実施の形態5において、電力変換装置100が第1の半導体スイッチング素子1を備えない場合の、定常状態時にリアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流1201の波形を表わす図である。FIG. 25 is a diagram showing a waveform of a reactor current 1201 which is an example of a current flowing through reactor 5 in a steady state in the case where power conversion device 100 is not provided with first semiconductor switching element 1 in the fifth embodiment. 実施の形態5の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a control block included in a control device 10 of a fifth embodiment. 従来の起動時の電流波形1301および三角波1302を表わす図である。It is a figure showing the current waveform 1301 and the triangular wave 1302 at the time of the conventional starting. 実施の形態5の起動時の電流波形1501および三角波1502を表わす図である。FIG. 20 is a diagram showing a current waveform 1501 and a triangular wave 1502 at the time of start-up according to the fifth embodiment. 実施の形態6の電力変換装置1400の構成を表わす図である。FIG. 35 is a diagram representing a configuration of power conversion apparatus 1400 of a sixth embodiment. 実施の形態6において、定常状態時に、リアクトル1407に流れる電流の一例である電流波形1601を示す図である。100 is a diagram showing a current waveform 1601 which is an example of a current flowing through reactor 1407 in a steady state in Embodiment 6. FIG. 実施の形態6の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。FIG. 35 is a diagram illustrating an example of a control block included in a control device 10 of a sixth embodiment. 従来の起動時の電流波形1701および三角波1702を表わす図である。It is a figure showing the current waveform 1701 and the triangular wave 1702 at the time of the conventional starting. 実施の形態6の起動時の電流波形1801および三角波1802を表わす図である。FIG. 20 is a diagram showing a current waveform 1801 and a triangular wave 1802 at startup according to the sixth embodiment. 実施の形態7の電力変換装置1900の構成を表わす図である。FIG. 35 is a diagram illustrating the configuration of a power conversion device 1900 according to a seventh embodiment. 実施の形態8の電力変換装置2000の構成を表わす図である。FIG. 35 is a diagram illustrating a configuration of a power conversion device 2000 of an eighth embodiment. 実施の形態8の制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。FIG. 35 is a diagram illustrating an example of a control block included in a control device 10 of an eighth embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態1.
(構成)
図1は、実施の形態1の電力変換装置100の構成を表わす図である。
Embodiments will be described below with reference to the drawings.
Embodiment 1
(Constitution)
FIG. 1 is a diagram representing a configuration of power conversion apparatus 100 according to the first embodiment.

電力変換装置100は、同期整流が可能なDC−DC変換器105を備える。DC−DC変換器105は、1石型昇圧チョッパ回路である。   Power converter 100 includes DC-DC converter 105 capable of synchronous rectification. The DC-DC converter 105 is a one step boost chopper circuit.

DC−DC変換器105は、第1のコンデンサ6、リアクトル5、第1の半導体スイッチング素子1、第2の半導体スイッチング素子2、第1のダイオード3、第2のダイオード4、および第2のコンデンサ7を備える。   The DC-DC converter 105 includes a first capacitor 6, a reactor 5, a first semiconductor switching device 1, a second semiconductor switching device 2, a first diode 3, a second diode 4, and a second capacitor. 7 is provided.

電力変換装置100は、さらに、制御装置10、駆動装置12、第1の電圧検出器8、および第2の電圧検出器9を備える。   Power converter 100 further includes control device 10, drive device 12, first voltage detector 8, and second voltage detector 9.

第1の半導体スイッチング素子1および第2の半導体スイッチング素子2は、正極と負極と制御電極とを有する。例えば、第1の半導体スイッチング素子1がMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である場合、正極はドレイン電極、負極はソース電極、制御電極はゲート電極を意味する。   The first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 have a positive electrode, a negative electrode and a control electrode. For example, when the first semiconductor switching element 1 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), the positive electrode means a drain electrode, the negative electrode means a source electrode, and the control electrode means a gate electrode.

第1のコンデンサ6の正極側にリアクトル5の第1の端子P1が接続される。リアクトル5の第2の端子P2がノードNDに接続される。第1の半導体スイッチング素子1の正極側と第2の半導体スイッチング素子2の負極側はノードNDに接続され、ブリッジを構成している。第1の半導体スイッチング素子1には逆並列に第1のダイオード3が接続される。第2の半導体スイッチング素子2には逆並列に第2のダイオード4が接続される。第2の半導体スイッチング素子2の正極側と、第2のコンデンサ7の正極側と、負荷102の正極側が接続される。第1のコンデンサ6の正極側と、電源101の正極側が接続される。第1の半導体スイッチング素子1の負極側と、第2のコンデンサ7の負極側と、負荷102の負極側と、第1のコンデンサ6の負極側と、電源101の負極側とが接続される。   The first terminal P1 of the reactor 5 is connected to the positive electrode side of the first capacitor 6. Second terminal P2 of reactor 5 is connected to node ND. The positive electrode side of the first semiconductor switching device 1 and the negative electrode side of the second semiconductor switching device 2 are connected to a node ND to form a bridge. A first diode 3 is connected to the first semiconductor switching element 1 in antiparallel. The second diode 4 is connected in antiparallel to the second semiconductor switching element 2. The positive electrode side of the second semiconductor switching element 2, the positive electrode side of the second capacitor 7, and the positive electrode side of the load 102 are connected. The positive electrode side of the first capacitor 6 and the positive electrode side of the power supply 101 are connected. The negative electrode side of the first semiconductor switching element 1, the negative electrode side of the second capacitor 7, the negative electrode side of the load 102, the negative electrode side of the first capacitor 6, and the negative electrode side of the power supply 101 are connected.

第1の電圧検出器8は、第1のコンデンサ6の両端の電圧Vm1を検出する。第2の電圧検出器9は、第2のコンデンサ7の両端の電圧Vm2を検出する。   The first voltage detector 8 detects the voltage Vm1 across the first capacitor 6. The second voltage detector 9 detects the voltage Vm2 across the second capacitor 7.

第1の半導体スイッチング素子1の制御電極には、第1の駆動信号d1が入力される。第1の駆動信号d1によって、第1の半導体スイッチング素子1がオンおよびオフ動作する。第2の半導体スイッチング素子2の制御電極には、第2の駆動信号d2が入力される。第2の駆動信号d2によって、第2の半導体スイッチング素子2がオンおよびオフ動作する。第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2は、駆動装置12から出力される。駆動装置12は、制御信号Ct1によって駆動される。制御信号Ct1は、制御装置10によって生成される。制御装置10には、第1の電圧検出器8で検出された電圧Vm1と第2の電圧検出器9で検出された電圧Vm2とが入力される。   The first drive signal d1 is input to the control electrode of the first semiconductor switching element 1. The first semiconductor switching element 1 is turned on and off by the first drive signal d1. The second drive signal d2 is input to the control electrode of the second semiconductor switching element 2. The second semiconductor switching element 2 is turned on and off by the second drive signal d2. The first drive signal d1 and the second drive signal d2 are output from the drive device 12. The driving device 12 is driven by the control signal Ct1. The control signal Ct1 is generated by the controller 10. The control device 10 receives the voltage Vm1 detected by the first voltage detector 8 and the voltage Vm2 detected by the second voltage detector 9.

電源101は、直流安定化電源または2次電池のような充放電が可能な電源、または太陽電池などである。なお、電源101が接続される代わりに、負荷が接続されてもよい。負荷102は、電力を消費するだけの負荷、充放電が可能な2次電池、直流負荷、インバータが接続された負荷、またはインバータの先に系統が接続された系統連系機器などである。   The power supply 101 is a DC stabilized power supply or a chargeable / dischargeable power supply such as a secondary battery or a solar cell. Note that instead of the power supply 101 being connected, a load may be connected. The load 102 is a load that only consumes power, a secondary battery capable of charging and discharging, a DC load, a load to which an inverter is connected, or a grid-connected device whose grid is connected to the end of the inverter.

図1では、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2は、MOSFETであるとして記載しているが、これに限定されるものではない。第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であってもよい。   Although the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are described as MOSFETs in FIG. 1, the present invention is not limited to this. The first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 may be IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors).

第1の半導体スイッチング素子1および第2の半導体スイッチング素子2は、ケイ素(Si)またはワイドバンドギャップ半導体によって形成される。ワイドギャップ半導体は、たとえば、窒化ガリウム(GaN)、炭化珪素(SiC)、またはダイヤモンドである。ワイドバンドギャップ半導体は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、小型化が可能である。ワイドバンドギャップ半導体は、耐熱性も高いため、ヒートシンクの放熱フィンの小型化、水冷部の空冷化が可能であるので、一層の小型化が可能になる。これらの半導体は、さらに電力損失が低いため、素子自身の特性の高効率化が可能である。   The first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are formed of silicon (Si) or a wide band gap semiconductor. The wide gap semiconductor is, for example, gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), or diamond. A wide band gap semiconductor has high voltage resistance and a high allowable current density, so that miniaturization is possible. Since the wide band gap semiconductor has high heat resistance, the heat dissipating fins of the heat sink can be miniaturized, and the water cooling portion can be air cooled, so that further miniaturization can be achieved. Since these semiconductors have lower power loss, it is possible to increase the efficiency of the characteristics of the device itself.

第1のダイオード3および第2のダイオード4は、例えば半導体スイッチング素子がMOSFETであった場合、MOSFETとは別のダイオードであってもよいし、MOSFETの構造的に存在するボディダイオードであってもよい。MOSFETのボディダイオードを使用する場合は、別途ダイオードを設ける必要が無いため部品点数の低減が可能である。   The first diode 3 and the second diode 4 may be diodes other than the MOSFET, for example when the semiconductor switching element is a MOSFET, or may be a structurally present body diode of the MOSFET Good. In the case of using a body diode of a MOSFET, the number of parts can be reduced because it is not necessary to provide a separate diode.

制御装置10には、第1のコンデンサ6の電圧Vm1を検出する第1の電圧検出器8と、第2のコンデンサ7の電圧Vm2を検出する第2の電圧検出器9のみが接続されているが、適宜必要な検出器の追加または削除が可能である。たとえば、リアクトル5の電流検出器を追加して制御装置10に接続することも可能である。この場合には、この電流検出器がリアクトル5の電流を検出することによって、リアクトルの電流の制御が可能となる。   Only a first voltage detector 8 for detecting a voltage Vm1 of the first capacitor 6 and a second voltage detector 9 for detecting a voltage Vm2 of the second capacitor 7 are connected to the control device 10 However, it is possible to add or delete necessary detectors as appropriate. For example, it is also possible to add a current detector of the reactor 5 and connect it to the control device 10. In this case, the current detector detects the current of the reactor 5 to enable control of the current of the reactor.

制御装置10は、DC-DC変換器105の出力側の電圧、すなわち、第2のコンデンサ7の電圧Vm2が出力側の電圧指令値と等しくなるように、第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを表わす制御信号Ct1を出力する。制御装置10は、DC−DC変換器105の出力側の電圧が定常状態に達するときの第1の半導体スイッチング素子1のデューティDに応じた値を制御信号Ct1の初期値として用いる。   Control device 10 sets the duty D of first semiconductor switching element 1 such that the voltage on the output side of DC-DC converter 105, that is, voltage Vm2 of second capacitor 7 becomes equal to the voltage command value on the output side. And outputs a control signal Ct1 representing. Control device 10 uses a value according to duty D of first semiconductor switching element 1 when the voltage on the output side of DC-DC converter 105 reaches a steady state as an initial value of control signal Ct1.

駆動装置12は、制御信号Ct1に基づいて、第1の半導体スイッチング素子1および第2の半導体スイッチング素子2を駆動する。   The driving device 12 drives the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 based on the control signal Ct1.

第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2を駆動する第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2は、相補的な信号である。具体的には、第1の駆動信号d1がオン状態のときは、第2の駆動信号d2がオフ状態となり、第1の駆動信号d1がオフ状態のときは、第2の駆動信号d2がオン状態となる。但し、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となるデッドタイムを設定する必要がある。なぜなら、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2は、オン状態からオフ状態に移行する場合、又はオフ状態からオン状態に移行する場合には、厳密に言えばある程度の時間を要するからである。第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2の状態の移行を同一のタイミングで行った場合、両方の素子がオン状態となる場合がある。例えば、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態からオフ状態に切り替わり、かつ第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態からオン状態に切り替わる場合、第1の半導体スイッチング素子1がオフ状態に切り替わる前に第2の半導体スイッチング素子2がオン状態に切り替わってしまうと、第2のコンデンサ7の正極と負極とを第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とを介して短絡させてしまう経路が生成される。このような場合には、第2のコンデンサ7に蓄積された電荷が急激に放出されることによって、負荷102に印加される電圧が低下する。その結果、負荷102に必要な電力を供給できなくなる。また、第2のコンデンサ7の正極と、第2のコンデンサ7の負極、第2の半導体スイッチング素子2、および第1の半導体スイッチング素子1で形成される短絡経路に過大な電流が流れるため、第1の半導体スイッチング素子1または第2の半導体スイッチング素子2を破壊したりすることがある。そのため、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオン状態となる期間を作らないためにデッドタイムが設けられる。デッドタイムは数μsec程度が一般的である。しかし、例えば、窒化ガリウム(GaN)または炭化珪素(SiC)を材料とする半導体スイッチング素子の場合は、高速なスイッチングが可能でスイッチング周波数を高くすることが可能である。その場合は、数百nseまたは数10nsec程度のデッドタイムを設けてもよい。   The first drive signal d1 and the second drive signal d2 for driving the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are complementary signals. Specifically, when the first drive signal d1 is in the on state, the second drive signal d2 is in the off state, and when the first drive signal d1 is in the off state, the second drive signal d2 is on. It becomes a state. However, it is necessary to set a dead time in which the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are both turned off. Because, when the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 shift from the on state to the off state, or from the off state to the on state, strictly speaking, a certain amount of time is required. It is necessary. When transition of the states of the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 is performed at the same timing, both elements may be turned on. For example, when the first semiconductor switching element 1 is switched from the on state to the off state and the second semiconductor switching element 2 is switched from the off state to the on state, before the first semiconductor switching element 1 is switched to the off state When the second semiconductor switching device 2 is switched to the on state, the positive electrode and the negative electrode of the second capacitor 7 are short-circuited via the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 A route is generated. In such a case, the charge stored in the second capacitor 7 is rapidly discharged, whereby the voltage applied to the load 102 is reduced. As a result, the power required for the load 102 can not be supplied. In addition, an excessive current flows in the short circuit path formed by the positive electrode of the second capacitor 7, the negative electrode of the second capacitor 7, the second semiconductor switching element 2, and the first semiconductor switching element 1, The first semiconductor switching element 1 or the second semiconductor switching element 2 may be broken. Therefore, a dead time is provided to prevent a period in which the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are both turned on. The dead time is generally several microseconds. However, for example, in the case of a semiconductor switching element made of gallium nitride (GaN) or silicon carbide (SiC), it is possible to perform high-speed switching and to increase the switching frequency. In that case, a dead time of several hundreds nse or several 10 nsec may be provided.

(定常状態の動作)
電力変換装置100は、第1の動作および第2の動作をすることが可能である。第1の動作では、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とのオンとオフの動作によって、電源101の電圧以上の電圧が負荷102に供給される。つまり、電源101から負荷102へ電力が供給される。第2の動作では、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2のオンとオフの動作によって、負荷102の高圧側から電源101の低圧側へ電流が流れる。つまり、負荷102から電源101に電力が供給される。以下では、電力変換装置100の第1の動作、すなわち昇圧動作を説明する。
(Steady state operation)
The power converter 100 can perform the first operation and the second operation. In the first operation, a voltage equal to or higher than the voltage of the power supply 101 is supplied to the load 102 by the on / off operation of the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2. That is, power is supplied from the power supply 101 to the load 102. In the second operation, current flows from the high voltage side of the load 102 to the low voltage side of the power supply 101 by the on / off operation of the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2. That is, power is supplied from the load 102 to the power supply 101. Hereinafter, the first operation of the power conversion device 100, that is, the boosting operation will be described.

第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とのオンとオフの動作による電流の流れについて説明する。   The flow of current due to the on / off operation of the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 will be described.

第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とは、デッドタイムを含みながら相補的にオンとオフを繰り返す。第1の動作では、電源101から負荷102へ電流が流れるので、リアクトル5では、第1の端子P1から第2の端子P2へと電流が流れる。この電流の向きを正方向と定義する。   The first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 repeat on and off complementarily while including dead time. In the first operation, a current flows from the power supply 101 to the load 102, so in the reactor 5, a current flows from the first terminal P1 to the second terminal P2. The direction of this current is defined as the positive direction.

(例1)
図2は、実施の形態1において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流301の波形を表わす図である。リアクトル電流301は常に0[A]以上である。
(Example 1)
FIG. 2 is a diagram showing a waveform of reactor current 301 which is an example of a current flowing through reactor 5 in the steady state in the first embodiment. Reactor current 301 is always 0 [A] or more.

期間aでは、第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態となり、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第1の半導体スイッチング素子1→電源101の負極の経路を電流が流れる。期間aでは、リアクトル5に流れる電流は増加するが、どれだけ電流が増加するかは、リアクトル5のインダクタンス値と、電源101の電圧と、第1の半導体スイッチング素子1がオンする時間とに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ、電流増加量は多くなる。電源101の電圧が高くなると電流量は多くなる。第1の半導体スイッチング素子1のオンする時間が長ければ電流量は多くなる。   In the period a, the second semiconductor switching element 2 is turned off, and the first semiconductor switching element 1 is turned on. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the first semiconductor switching element 1 → the negative electrode of the power source 101. In period a, the current flowing through reactor 5 increases, but how much the current increases depends on the inductance value of reactor 5, the voltage of power supply 101, and the time when first semiconductor switching element 1 is turned on. Do. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current increase will be large. As the voltage of the power supply 101 increases, the amount of current increases. The longer the time for which the first semiconductor switching element 1 is turned on, the larger the amount of current.

デットタイム期間bでは、第1の半導体スイッチング素子1がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第2のダイオード4→負荷102→電源102の負極の経路を電流が流れる。期間bでは、リアクトル5の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかは、リアクトル5のインダクタンス値と、電源101の電圧と、負荷102の電圧と、デッドタイム期間bの長さとに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。電源101と負荷102の電圧差が大きければ電流減少量が多くなる。デッドタイム期間bが長ければ電流減少量は多くなる。   In the dead time period b, the first semiconductor switching element 1 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the second diode 4 → the load 102 → the negative electrode of the power source 102. In period b, the current of reactor 5 decreases, but how much the current decreases depends on the inductance value of reactor 5, the voltage of power supply 101, the voltage of load 102, and the length of dead time period b. Do. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current reduction will be large. If the voltage difference between the power supply 101 and the load 102 is large, the amount of current reduction will be large. If the dead time period b is long, the amount of current reduction increases.

期間cでは、第1の半導体スイッチング素子1はオフ状態を維持し、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第2の半導体スイッチング素子2→負荷102→電源102の負極の経路を電流が流れる。期間cでもデッドタイム期間bと同様に、リアクトル5の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかはリアクトル5のインダクタンス値と、電源101の電圧と、負荷102の電圧と、第2の半導体スイッチング素子2のオン状態となる時間とに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。電源101と負荷102の電圧差が大きければ電流減少量が多くなる。第2の半導体スイッチング素子2のオン状態となる時間が長ければ電流減少量は多くなる。   In period c, the first semiconductor switching device 1 is maintained in the off state, and the second semiconductor switching device 2 is in the on state. At this time, a current flows in a path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the second semiconductor switching element 2 → the load 102 → the negative electrode of the power source 102. Similarly to dead time period b in period c, the current in reactor 5 decreases, but how much the current decreases depends on the inductance value of reactor 5, the voltage of power supply 101, the voltage of load 102, and the second It depends on the time when the semiconductor switching element 2 is turned on. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current reduction will be large. If the voltage difference between the power supply 101 and the load 102 is large, the amount of current reduction will be large. If the time for the second semiconductor switching element 2 to be in the on state is long, the amount of current reduction increases.

デートタイム期間dでは、第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。期間dでも、デットタイム期間bと同様の電流経路で電流が流れる。   In the date time period d, the second semiconductor switching element 2 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. Even in the period d, current flows in the same current path as the dead time period b.

その後、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となり、期間aとなるため上記一連の動作を繰り返す。   After that, the first semiconductor switching element 1 is turned on, and the period a occurs, so that the above series of operations are repeated.

期間aと期間bと期間cと期間dの合計が1つの周期Tである。1周期Tのうち、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間の割合を第1の半導体スイッチング素子1のデューティDと呼ぶ。デューティDが「0.5」であれば、1周期Tのうち第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間aが「50%」を締めることを意味する。デューティDが「0.1」であれば1周期Tのうち第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間aが「10%」を締めることを意味する。以下の説明では、第1の半導体スイッチング素子1のデューティという代わりに、第1の半導体スイッチング素子1を駆動する第1の駆動信号d1のデューティという場合もある。   The sum of period a, period b, period c and period d is one period T. The ratio of the period during which the first semiconductor switching element 1 is in the on state in one cycle T is called the duty D of the first semiconductor switching element 1. If the duty D is “0.5”, it means that the period a in which the first semiconductor switching element 1 is in the on state in one cycle T tightens “50%”. If the duty D is "0.1", it means that the period a in which the first semiconductor switching element 1 is in the on state in one cycle T tightens "10%". In the following description, instead of the duty of the first semiconductor switching device 1, the duty of the first drive signal d1 for driving the first semiconductor switching device 1 may be used.

(例2)
図3は、実施の形態1において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の別の例であるリアクトル電流401の波形を表わす図である。リアクトル電流401は、0[A]未満となる場合もある。負荷102が消費する電力が小さい場合、電源101から出力される電流は少なくなる。電源101から出力される電流が少ない場合、リアクトル5の電流が0[A]よりも小さくなる場合がある。リアクトル5を流れる電流は、第1の端子P1から第2の端子P2へ流れる場合(正方向)と、第2の端子P2から第1の端子P1へ流れる場合(負方向)が存在する。
(Example 2)
FIG. 3 is a diagram showing a waveform of a reactor current 401 which is another example of the current flowing through reactor 5 in the steady state in the first embodiment. The reactor current 401 may be less than 0 [A]. When the power consumed by the load 102 is small, the current output from the power supply 101 is small. When the current output from the power supply 101 is small, the current of the reactor 5 may be smaller than 0 [A]. The current flowing through the reactor 5 is present (positive direction) from the first terminal P1 to the second terminal P2 and from the second terminal P2 to the first terminal P1 (negative direction).

期間eの最初のタイミングにおいて、リアクトル5では、第2の端子P2から第1の端子P1へ電流が流れる状態であり、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となったとする。このとき、初めは、電源101の負極→第1の半導体スイッチング素子1→リアクトル5→電源101の正極の経路を電流が流れているが、徐々に電流が0[A]に近づく。その後、電源101の正極→リアクトル5→第1の半導体スイッチング素子1→電源101の負極の経路を電流が流れる。第1の端子P1から第2の端子P2へ流れる方向に電流が増加する。   At the first timing of period e, it is assumed that current flows from the second terminal P2 to the first terminal P1 in the reactor 5, and the first semiconductor switching element 1 is turned on. At this time, initially, a current flows through a path of the negative electrode of the power supply 101 → the first semiconductor switching element 1 → the reactor 5 → the positive electrode of the power supply 101, but the current gradually approaches 0 [A]. Thereafter, a current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the first semiconductor switching element 1 → the negative electrode of the power source 101. The current increases in the direction of flow from the first terminal P1 to the second terminal P2.

デットタイム期間fでは、第1の半導体スイッチング素子1がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第2のダイオード4→負荷102→電源102の負極の経路を電流が流れる。このとき、リアクトル5の電流は減少する。   In the dead time period f, the first semiconductor switching element 1 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the second diode 4 → the load 102 → the negative electrode of the power source 102. At this time, the current of the reactor 5 decreases.

期間gでは、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第2の半導体スイッチング素子2→負荷102→電源102の負極の経路を電流が流れる。期間gでも、デッドタイム期間fと同様に、リアクトル5の電流は0[A]に向かって減少する。但し、電流が0[A]となると、そのまま、電源101の負極→負荷102→第2の半導体スイッチング素子2→リアクトル5→電源102の正極の経路の電流が増加する。第2の端子P2から第1の端子P1へと流れる方向に電流が増加する。この電流経路は、第2の半導体スイッチング素子2をオン状態とする期間を設けることによって可能となる経路である。   In the period g, the second semiconductor switching element 2 is turned on. At this time, a current flows in a path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the second semiconductor switching element 2 → the load 102 → the negative electrode of the power source 102. Also in the period g, as in the dead time period f, the current of the reactor 5 decreases toward 0 [A]. However, when the current becomes 0 [A], the current in the path of the negative electrode of the power supply 101 → the load 102 → the second semiconductor switching element 2 → the reactor 5 → the positive electrode of the power supply 102 increases. The current increases in the direction of flow from the second terminal P2 to the first terminal P1. This current path is a path made possible by providing a period during which the second semiconductor switching element 2 is turned on.

(例3)
図4は、実施の形態1において、電力変換装置100が第2の半導体スイッチング素子2を有さない場合の、定常状態時にリアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流501の波形を表わす図である。
(Example 3)
FIG. 4 is a diagram showing a waveform of a reactor current 501 which is an example of a current flowing through reactor 5 in the steady state in the case where power conversion device 100 does not have second semiconductor switching element 2 in the first embodiment. is there.

電力変換装置100が第2の半導体スイッチング素子2を有さない場合、負荷102が消費する電力が小さい場合、リアクトル5の第1の端子P1から第2の端子P2へ流れる。   When power converter 100 does not have the 2nd semiconductor switching element 2, when the electric power which load 102 consumes is small, it flows from the 1st terminal P1 of reactor 5 to the 2nd terminal P2.

期間iでは、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第1の半導体スイッチング素子1→電源101の負極の経路を電流が流れる。   In period i, the first semiconductor switching element 1 is turned on. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the first semiconductor switching element 1 → the negative electrode of the power source 101.

期間jでは、第1の半導体スイッチング素子1がオフ状態となる。このときには、電源101の正極→リアクトル5→第2のダイオード4→負荷102→電源102の負極の経路を電流が流れる。期間jでは、電流が徐々に減少する。   In period j, the first semiconductor switching element 1 is turned off. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power source 101 → the reactor 5 → the second diode 4 → the load 102 → the negative electrode of the power source 102. In period j, the current gradually decreases.

期間kの最初のタイミングにおいて、電流が0[A]となる。期間kでは、第2の半導体スイッチング素子2が存在しないため、電源101の負極→負荷102→第2の半導体スイッチング素子2→リアクトル5→電源102の正極の経路を電流が流れることが出来ず、リアクトル5の電流は0[A]のままとなる。   At the first timing of period k, the current is 0 [A]. In period k, since the second semiconductor switching element 2 does not exist, current can not flow in the path of the negative electrode of the power source 101 → load 102 → second semiconductor switching element 2 → reactor 5 → positive electrode of the power source 102, The current of the reactor 5 remains at 0 [A].

第2の半導体スイッチング素子2が無い場合は、第2のコンデンサ7を短絡させる経路を形成することが無いため、デッドタイムを設ける必要は無い。   When there is no second semiconductor switching element 2, there is no need to form a path for shorting the second capacitor 7, so there is no need to provide a dead time.

期間iでは、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となり、上記動作を繰り返す。   In period i, the first semiconductor switching element 1 is turned on, and the above operation is repeated.

例1および例2では、第2の半導体スイッチング素子2を接続してオン状態として電流を逆方向に流すように動作させることによって、電流実効値が増加する。しかし、例えば第2の半導体スイッチング素子2がMOSFETの場合、電流が通過した際の電圧降下が第2のダイオード4よりも第2の半導体スイッチング素子2の方が小さくなる。そのため、電流が逆方向に流れる期間が発生したとしても損失が小さくなる場合があり、結果として損失低減につながることがある。さらに、電流を逆方向に流すことが可能となるため、負荷102から電源101へ電力を供給することが可能となる。   In Example 1 and Example 2, the effective current value is increased by connecting the second semiconductor switching element 2 to operate in an ON state so that the current flows in the reverse direction. However, for example, in the case where the second semiconductor switching element 2 is a MOSFET, the voltage drop when current passes is smaller in the second semiconductor switching element 2 than in the second diode 4. Therefore, even if a period in which the current flows in the reverse direction occurs, the loss may be small, and as a result, the loss may be reduced. Furthermore, since the current can flow in the reverse direction, power can be supplied from the load 102 to the power supply 101.

(制御)
1石型昇圧チョッパ回路の制御は種々方法があるが、本実施の形態では、第2のコンデンサ7の電圧Vm2を検出して、第2のコンデンサ7の電圧Vm2を指令値に追従させる方法を用いる。
(control)
There are various methods for controlling the single-stone step-up chopper circuit. In this embodiment, a method of detecting the voltage Vm2 of the second capacitor 7 and causing the voltage Vm2 of the second capacitor 7 to follow the command value Use.

図5は、実施の形態1の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。   FIG. 5 is a diagram showing an example of a control block included in control device 10 of the first embodiment.

減算器209は、第2のコンデンサ7の電圧指令値Vc2から第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2を減算することによって、差分値SAを出力する。差分値SAは、比例制御器204と積分制御器205に入力される。   The subtractor 209 subtracts the voltage detection value Vm2 of the second capacitor 7 from the voltage command value Vc2 of the second capacitor 7 to output a difference value SA. The difference value SA is input to the proportional controller 204 and the integral controller 205.

比例制御器204は、差分値SAを受けて、比例制御値Ptを出力する。
積分制御器205は、差分値SAを積分制御する。積分制御器205は、差分値SAを受けて、積分制御値Itを出力する。
The proportional controller 204 receives the difference value SA and outputs a proportional control value Pt.
The integral controller 205 performs integral control of the difference value SA. The integral controller 205 receives the difference value SA and outputs an integral control value It.

加算器203は、比例制御値Ptと積分制御値Itとを加算し、加算結果を制御信号Ct1として出力する。   The adder 203 adds the proportional control value Pt and the integral control value It, and outputs the addition result as a control signal Ct1.

比例制御器204は、入力された差分値SAに、一定の係数k1を掛けることによって得られる比例制御値Ptを出力する。積分制御器205は、入力された差分値SAに、一定の係数k2を掛けて積分することによって得られる積分制御値Itを出力する。積分制御器205は、マイコンなどで構成されるため離散的に計算が行われている。したがって、実際には、積分制御器205は、差分値SAに一定の係数k2を掛けて、この結果と前回に計算された積分制御値Itとの加算結果を今回の積分制御値Itとして出力する。比例制御器204に含まれる一定の係数k1と積分制御器205に含まれる一定の係数k2は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に高速に追従するように設定されるが、その際に安定に動作するようにも調整する必要がある。制御系が安定かどうかを判断するためには一般的にはボード線図を用いた安定判別を行うことができる。   The proportional controller 204 outputs a proportional control value Pt obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k1. The integral controller 205 outputs an integral control value It obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k2 and integrating. The integration controller 205 is discretely calculated because it is configured by a microcomputer or the like. Therefore, in practice, integral controller 205 multiplies difference value SA by constant coefficient k 2, and outputs the result of this addition and the previously calculated integral control value It as integral control value It of this time . Although constant coefficient k1 included in proportional controller 204 and constant coefficient k2 included in integral controller 205 are set such that voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2 at a high speed, it is stable at that time. Need to be adjusted to work well. In order to determine whether the control system is stable, stability determination using a Bode diagram can generally be performed.

電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従することが制御の最終的な目的である。電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従した場合、電圧検出値Vm2が変動しない定常状態に達する。このとき差分値SAは「0」となる。   The final purpose of control is that the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2. When the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2, the steady state is reached in which the voltage detection value Vm2 does not fluctuate. At this time, the difference value SA is "0".

差分値SAが「0」の場合、比例制御器204に入力される値は「0」であり、一定の係数k1を掛けても比例制御値Ptは「0」である。積分制御器205に入力される値も「0」であり、出力される積分制御値Itは、それまでに積分して蓄えられた値となる。但し、負荷102の変化または電源101の変化によって、必ずしも電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2にずれることなく追従することは難しいため、多少の差分値SAが残りながら安定的に動作するが、概ね積分制御値Itが制御信号Ct1と同等の値となる。積分制御値Itがそのまま制御信号Ct1となり、制御信号Ct1が駆動装置12内で三角波と比較されて第1の駆動信号d1および第2の駆動信号d2が生成される。したがって、電圧検出値Vm2が定常状態のときには、制御信号Ct1の大きさ、および積分制御値Itの大きさが駆動信号d1のデューティDを表わすことになる。   When the difference value SA is “0”, the value input to the proportional controller 204 is “0”, and the proportional control value Pt is “0” even when multiplied by a constant coefficient k1. The value input to the integration controller 205 is also “0”, and the output integration control value It is the value integrated and stored up to that time. However, it is difficult for the voltage detection value Vm2 to follow without being shifted to the voltage command value Vc2 due to a change in the load 102 or a change in the power supply 101. Therefore, it operates stably with some difference value SA remaining. The integral control value It is equal to the control signal Ct1. The integral control value It directly becomes the control signal Ct1, and the control signal Ct1 is compared with the triangular wave in the drive device 12 to generate the first drive signal d1 and the second drive signal d2. Therefore, when the voltage detection value Vm2 is in the steady state, the magnitude of the control signal Ct1 and the magnitude of the integral control value It represent the duty D of the drive signal d1.

制御信号Ct1は、駆動装置12に送られる。駆動装置12は、制御信号Ct1に基づいて、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とは、それぞれ第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2に送られる。   The control signal Ct1 is sent to the drive unit 12. The drive device 12 generates a first drive signal d1 and a second drive signal d2 based on the control signal Ct1. The first drive signal d1 and the second drive signal d2 are sent to the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2, respectively.

制御信号Ct1は、例えば0〜1の範囲の値である。駆動装置12は、入力された制御信号Ct1と、波高値が1で0〜1の範囲でスイッチング周波数と同じ周波数を持つ三角波と信号とを比較することによって、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。制御信号Ct1が三角波よりも大きな値の期間は、第1の半導体スイッチング素子1をオン状態とし、制御信号Ct1が三角波よりも小さな値の期間は、第2の半導体スイッチング素子2をオン状態とする。制御信号Ct1が「1」の場合は、制御信号Ct1は常に三角波よりも大きな値であるため、第1の半導体スイッチング素子1が常時オン状態となる。制御信号Ct1が「0」の場合は、制御信号Ct1は常に三角波の方が大きな値であるため、第2の半導体スイッチング素子2が常時オン状態となる。   The control signal Ct1 is, for example, a value in the range of 0-1. The driving device 12 compares the input control signal Ct1 with a triangular wave having the same frequency as the switching frequency in the range of 0 to 1 with a peak value of 1 to compare the first drive signal d1 with the second drive signal d1. And the driving signal d2 of The first semiconductor switching element 1 is turned on during a period in which the control signal Ct1 is larger than the triangular wave, and the second semiconductor switching element 2 is turned on in a period during which the control signal Ct1 is smaller than the triangular wave. . When the control signal Ct1 is "1", the control signal Ct1 always has a value larger than that of the triangular wave, so the first semiconductor switching element 1 is always in the on state. When the control signal Ct1 is "0", since the control signal Ct1 always has a larger value in the triangular wave, the second semiconductor switching element 2 is always in the on state.

(起動時の動作)
次に、第2の半導体スイッチング素子2を同期整流させる場合の電力変換装置100の起動時の動作について説明する。
(Operation at startup)
Next, the operation at the time of startup of the power conversion device 100 in the case of synchronously rectifying the second semiconductor switching element 2 will be described.

まず、従来の起動時の動作について説明する。
図6は、従来の起動時の電流波形601および三角波602を表わす図である。定常状態では、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従するため、制御信号Ct1は積分制御値Itに近い。しかしながら、起動時において、積分制御器205がそれまでに制御を行っていないため積分制御値Itは「0」の状態である。電圧指令値Vc2と電圧検出値Vm2には差分があるため、差分値SAは「0」とはならない。差分値SAを用いて比例制御器204において求められた比例制御値Ptと積分制御器205において求められた積分制御値Itとの和である制御信号Ct1は、本来必要な値よりも小さくなってしまう。制御信号Ct1は、駆動装置12によって三角波602と比較される。制御信号Ct1の方が三角波602よりも大きい場合は、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となり、制御信号Ct1の方が三角波602よりも小さい場合は、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる。
First, the conventional startup operation will be described.
FIG. 6 is a diagram showing a current waveform 601 and a triangular wave 602 at the time of conventional startup. In the steady state, the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2, so the control signal Ct1 is close to the integral control value It. However, at the time of startup, integration control value It is in the state of “0” since integration controller 205 has not performed control by then. Since there is a difference between voltage command value Vc2 and voltage detection value Vm2, difference value SA does not become "0". The control signal Ct1, which is the sum of the proportional control value Pt determined by the proportional controller 204 using the difference value SA and the integral control value It determined by the integral controller 205, becomes smaller than the originally necessary value. I will. The control signal Ct1 is compared with the triangular wave 602 by the driver 12. When the control signal Ct1 is larger than the triangular wave 602, the first semiconductor switching element 1 is turned on, and when the control signal Ct1 is smaller than the triangular wave 602, the second semiconductor switching element 2 is turned on It becomes.

したがって、起動時において、積分制御器205の状態が定常状態まで達していない場合、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間lが必要な期間よりも短く、その相補的な関係にある第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間mが必要な期間よりも長くなる。第2の半導体スイッチング素子2のオン状態となる期間mが必要以上に長い場合、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態のときに、リアクトル5に流れる電流の増加量よりも、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態のときに、リアクトル5に流れる電流の低減量のほうが多くなる。この状態が複数回続くと、リアクトル5の第2の端子P2からリアクトル5の第1の端子P1流れる方向に電流が流れることとなる。これは負荷102から電源101に電力を供給するような動作であり、想定している電流方向とは逆方向である。その結果、負荷102に必要な電圧を印加させることができず、負荷102に必要な電力を供給することができない。ある程度の時間が経過すると、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従するように比例制御器204と積分制御器205が動作するため、電圧検出値Vm2は電圧指令値Vc2に追従するようになるが、起動時において、負荷102に必要な電力を供給することができないという問題がある。そこで、本実施の形態では、起動時において電流が逆方向に流れる量を抑制する。具体的には、積分制御器205に初期値Inを入力した状態で起動する。つまり、起動時において、積分制御器205が出力する積分制御値Itの初期値をInとする。初期値Inは、以下の方法で求めることができる。   Therefore, when the state of integration controller 205 does not reach the steady state at the time of start-up, period l in which first semiconductor switching element 1 is on is shorter than the necessary period, and is in a complementary relationship. The period m in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state is longer than the necessary period. When the period m in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state is longer than necessary, the second semiconductor is more than the increase amount of the current flowing through the reactor 5 when the first semiconductor switching element 1 is in the on state. When the switching element 2 is in the on state, the amount of reduction of the current flowing through the reactor 5 is larger. If this state continues a plurality of times, current flows from the second terminal P2 of the reactor 5 in the direction in which the first terminal P1 of the reactor 5 flows. This is an operation of supplying power from the load 102 to the power supply 101, and is in the opposite direction to the assumed current direction. As a result, the necessary voltage can not be applied to the load 102, and the necessary power can not be supplied to the load 102. When a certain time passes, the proportional controller 204 and the integral controller 205 operate so that the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2, and the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2. However, there is a problem that the power required for the load 102 can not be supplied at startup. Therefore, in the present embodiment, the amount of current flowing in the reverse direction at the time of startup is suppressed. Specifically, activation is performed in the state where the initial value In is input to the integration controller 205. That is, at the time of startup, the initial value of the integral control value It output by the integral controller 205 is set to In. The initial value In can be obtained by the following method.

積分制御器205は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It′から、起動直前の出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値の初期値として用いる。   The integral controller 205 uses the integral control value It 'when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side reaches a steady state, the voltage of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side just before starting. A value obtained by subtracting a proportional control value Pt 'corresponding to Vm2 is used as an initial value of the integral control value.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値It′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値It′は、定常状態での第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを表わす。起動直前における電圧検出値Vm2に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm2と電圧指令値Vc2との差分値SAを比例制御器204に入力することによって、比例制御器204から出力される値を用いればよい。制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値It′から比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、制御信号Ct1の初期値は、Inとなるので、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value It 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2. The integral control value It 'represents the duty D of the first semiconductor switching element 1 in the steady state. The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm2 immediately before startup is input from the proportional controller 204 by inputting the difference value SA between the voltage detection value Vm2 immediately before startup and the voltage command value Vc2 to the proportional controller 204. The output value may be used. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the stored integrated control value It' at the time of tracking as the initial value In of the integral control value It. As a result, the initial value of the control signal Ct1 is In, so that the control signal Ct1 originally required from the time of startup can be obtained.

図7は、実施の形態1の起動時の電流波形701および三角波702を表わす図である。   FIG. 7 is a diagram showing current waveform 701 and triangular wave 702 at the time of start-up according to the first embodiment.

図7に示すように、本実施の形態では、起動時において、制御信号Ct1は、従来よりも大きな値に設定される。その結果、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間nを従来における第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間lよりも長くすることができる。その結果、本実施の形態では、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間oとなってもリアクトル5の電流が逆流しすぎることを抑制できる。また、本実施の形態では、半導体スイッチング素子のオン時間をマスク処理で制限しないので、導通損失が増加しない。   As shown in FIG. 7, in the present embodiment, at the time of startup, the control signal Ct1 is set to a value larger than that in the prior art. As a result, the period n in which the first semiconductor switching element 1 is in the on state can be made longer than the period l in which the first semiconductor switching element 1 in the related art is in the on state. As a result, in the present embodiment, it is possible to suppress excessive backflow of the current of the reactor 5 even during the period o in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state. Further, in the present embodiment, since the on time of the semiconductor switching element is not limited by the mask process, the conduction loss does not increase.

なお、第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It′の代わりに、積分制御値It′に係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、It′に1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、It′に1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the integral control value It 'by a coefficient may be used instead of the integral control value It' when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 reaches the steady state. If it is desired to minimize the voltage overshoot applied to the load 102 to be equal to or higher than the command value, it is possible to use a value obtained by multiplying It ′ by a coefficient of 1 or less. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, a value obtained by multiplying It ′ by a coefficient of 1 or more can be used.

また、上記では比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとしているが、比例制御値Pt′を減算せずに初期値Inとすることも可能である。この場合、比例制御値Pt′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値Pt′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'is used as the initial value In of the integral control value It, it is also possible to set the initial value In without subtracting the proportional control value Pt'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value Pt 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value Pt' can be reduced, so that the application is easily possible.

実施の形態2.
実施の形態1では、起動時において電流が逆方向に流れないようにするために、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値Ptを用いたが、これを正確に算出することが難しいような場合は、理想的な値を用いることができる。
Second Embodiment
In the first embodiment, in order to prevent the current from flowing in the reverse direction at startup, the integral control value Pt when the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2 is used, but this is accurately calculated. If it is difficult to do so, you can use ideal values.

本実施の形態では、制御装置10は、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを制御信号Ct1の初期値として用いる。   In the present embodiment, control device 10 determines first semiconductor switching element 1 obtained from voltage Vm1 at the input side of DC-DC converter 105 and voltage Vm2 at the output side immediately before startup of DC-DC converter 105. The duty D of is used as the initial value of the control signal Ct1.

1石型チョッパ回路の低圧側の電圧と高圧側の電圧の関係に基づいて、第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを求めることができる。   The duty D of the first semiconductor switching element 1 can be determined based on the relationship between the low voltage side voltage and the high voltage side voltage of the one-stone chopper circuit.

本実施の形態では、このデューティDを積分制御器205の初期値Inとして用いる。デューティDは、DC−DC変換器105の起動直前における低圧側である第1のコンデンサ6の電圧検出値Vm1、およびDC−DC変換器105の起動直前における高圧側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2によって、以下の式で求めることができる。   In this embodiment, this duty D is used as the initial value In of the integral controller 205. The duty D is a voltage detection value Vm1 of the first capacitor 6 on the low voltage side immediately before the start of the DC-DC converter 105, and a second capacitor having a voltage on the high voltage side immediately before the start of the DC-DC converter 105. The voltage detection value Vm2 of 7 can be obtained by the following equation.

D=1−Vm1/Vm2・・・(1)
第1のコンデンサ6の電圧Vm1は、第1の電圧検出器8によって、第2のコンデンサ7の電圧Vm2は、第2のコンデンサ7の電圧検出器9によって検出することが可能である。
D = 1-Vm 1 / Vm 2 (1)
The voltage Vm1 of the first capacitor 6 can be detected by the first voltage detector 8, and the voltage Vm2 of the second capacitor 7 can be detected by the voltage detector 9 of the second capacitor 7.

制御装置10は、式(1)で求めたデューティDから、起動直前の出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとして用いる。   The control device 10 subtracts a proportional control value Pt 'corresponding to the voltage Vm2 of the second capacitor 7, which is a voltage on the output side immediately before start-up, from the duty D determined by the equation (1) as an integral control value It Used as an initial value In of

起動直前における電圧検出値Vm2に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm2と電圧指令値Vc2との差分値SAを比例制御器204に入力することによって、比例制御器204から出力される値を用いればよい。制御装置10は、デューティDから比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、制御信号Ct1の初期値は、Inとなるので、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。   The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm2 immediately before startup is input from the proportional controller 204 by inputting the difference value SA between the voltage detection value Vm2 immediately before startup and the voltage command value Vc2 to the proportional controller 204. The output value may be used. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the duty D as an initial value In of the integral control value It. As a result, the initial value of the control signal Ct1 is In, so that the control signal Ct1 originally required from the time of startup can be obtained.

また、上記では比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとしているが、比例制御値Pt′を減算せずに初期値Inとすることも可能である。この場合、比例制御値Pt′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値Pt′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'is used as the initial value In of the integral control value It, it is also possible to set the initial value In without subtracting the proportional control value Pt'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value Pt 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value Pt' can be reduced, so that the application is easily possible.

なお、式(1)のデューティDの代わりに、デューティDに係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the duty D by a coefficient may be used instead of the duty D of Equation (1). When it is desired to minimize the overshoot applied to the load 102 to be equal to or higher than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a coefficient of 1 or less can be used. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a factor of 1 or more can be used.

実施の形態3.
図8は、実施の形態3の制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。
Third Embodiment
FIG. 8 is a diagram showing an example of a control block included in control device 10 of the third embodiment.

図8の制御ブロックが、図5の制御ブロックと相違する点は、以下である。
加算器203が、比例制御値Ptと積分制御値Itとの加算値WAをリアクトル5に印加される平均電圧として算出する。
The control block of FIG. 8 differs from the control block of FIG. 5 in the following.
The adder 203 calculates an addition value WA of the proportional control value Pt and the integral control value It as an average voltage applied to the reactor 5.

除算器208が、加算値WAを出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2で除算することによって、第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを表わす制御信号Ct1を出力する。   The divider 208 divides the added value WA by the voltage detection value Vm2 of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side to output a control signal Ct1 representing the duty D of the first semiconductor switching element 1.

積分制御器205は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It′とDC−DC変換器105の起動直前の出力側の電圧Vm2との乗算値から、起動時における出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値として用いる。   Integral controller 205 controls integral control value It 'when voltage Vm2 of second capacitor 7, which is the voltage on the output side, reaches a steady state, and voltage Vm2 on the output side just before activation of DC-DC converter 105. A value obtained by subtracting a proportional control value Pt 'corresponding to the voltage Vm2 of the second capacitor 7, which is a voltage on the output side at the time of startup, is used as an initial value of the integral control value It from the multiplication value.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値It′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値It′は、定常状態での第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを表わす。起動直前における電圧検出値Vm2に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm2と電圧指令値Vc2との差分値SAを比例制御器204に入力することによって、比例制御器204から出力される値を用いればよい。制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値It′と起動直前の電圧検出値Vm2とを乗算することによって、加算値WA′を求める。制御装置10は、加算値WA′から比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value It 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2. The integral control value It 'represents the duty D of the first semiconductor switching element 1 in the steady state. The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm2 immediately before startup is input from the proportional controller 204 by inputting the difference value SA between the voltage detection value Vm2 immediately before startup and the voltage command value Vc2 to the proportional controller 204. The output value may be used. The control device 10 obtains the added value WA ′ by multiplying the stored integrated control value It ′ at the time of tracking and the voltage detection value Vm 2 immediately before the start. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the addition value WA' as an initial value In of the integral control value It. As a result, the control signal Ct1 originally required from the start-up can be obtained.

なお、第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It′の代わりに、積分制御値It′に係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、It′に1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、It′に1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the integral control value It 'by a coefficient may be used instead of the integral control value It' when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 reaches the steady state. If it is desired to minimize the voltage overshoot applied to the load 102 to be equal to or higher than the command value, it is possible to use a value obtained by multiplying It ′ by a coefficient of 1 or less. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, a value obtained by multiplying It ′ by a coefficient of 1 or more can be used.

実施の形態3の変形例.
本変形例では、実施の形態2と同様に、制御装置10は、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを制御信号Ct1の初期値として用いる。
Modification of Embodiment 3
In this modification, as in the second embodiment, control device 10 is obtained from voltage Vm1 at the input side of DC-DC converter 105 and voltage Vm2 at the output side immediately before startup of DC-DC converter 105. The duty D of the first semiconductor switching element 1 is used as an initial value of the control signal Ct1.

制御装置10は、式(1)に従って、デューティDを算出する。
制御装置10は、式(1)で求めたデューティDとDC−DC変換器105の起動直前の出力側の電圧Vm2との乗算値から、起動時における出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値として用いる。
Control device 10 calculates duty D according to equation (1).
Based on the product of duty D determined by equation (1) and voltage Vm2 on the output side immediately before start of DC-DC converter 105, control device 10 determines the second capacitor 7 which is the voltage on the output side at the time of start. The value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'corresponding to the voltage Vm2 of the voltage Vm2 is used as the initial value of the integral control value It.

制御装置10は、式(1)のデューティDと起動直前の電圧検出値Vm2とを乗算することによって、加算値WA′を求める。制御装置10は、加算値WA′から比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。   Control device 10 obtains addition value WA 'by multiplying duty D of equation (1) by voltage detection value Vm2 immediately before start-up. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the addition value WA' as an initial value In of the integral control value It. As a result, the control signal Ct1 originally required from the start-up can be obtained.

また、上記では比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとしているが、比例制御値Pt′を減算せずに初期値Inとすることも可能である。この場合、比例制御値Pt′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値Pt′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'is used as the initial value In of the integral control value It, it is also possible to set the initial value In without subtracting the proportional control value Pt'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value Pt 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value Pt' can be reduced, so that the application is easily possible.

なお、式(1)のデューティDの代わりに、デューティDに係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the duty D by a coefficient may be used instead of the duty D of Equation (1). When it is desired to minimize the overshoot applied to the load 102 to be equal to or higher than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a coefficient of 1 or less can be used. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a factor of 1 or more can be used.

実施の形態4.
図9は、実施の形態4制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。
Fourth Embodiment
FIG. 9 is a diagram showing an example of a control block included in the control device 10 of the fourth embodiment.

図9の制御ブロックが、図5の制御ブロックと相違する点は、以下である。
加算器203が、比例制御値Ptと積分制御値Itとの加算値をリアクトル5の電流指令値Ic2として算出する。
The control block of FIG. 9 differs from the control block of FIG. 5 in the following.
The adder 203 calculates the sum of the proportional control value Pt and the integral control value It as the current command value Ic2 of the reactor 5.

減算器207は、リアクトル5の電流指令値Ic2とリアクトル5の電流検出値Im2との差分値SA2を求める。リアクトル5の電流検出値Im2は、図示しない電流検出器によって検出される。   Subtractor 207 obtains difference value SA2 between current command value Ic2 of reactor 5 and current detection value Im2 of reactor 5. The current detection value Im2 of the reactor 5 is detected by a current detector (not shown).

比例制御器913は、差分値SA2を受けて、比例制御値Pt2を出力する。
積分制御器914は、差分値SA2を受けて、積分制御値It2を出力する。
The proportional controller 913 receives the difference value SA2 and outputs a proportional control value Pt2.
The integral controller 914 receives the difference value SA2 and outputs an integral control value It2.

加算器206が、比例制御値Pt2と積分制御値It2とを加算し、加算結果をデューティDを表わす制御信号Ct1として出力する。   The adder 206 adds the proportional control value Pt2 and the integral control value It2, and outputs the addition result as a control signal Ct1 representing the duty D.

比例制御器913は、入力された差分値SA2に、一定の係数k3を掛けることによって得られる比例制御値Pt2を出力する。積分制御器914は、入力された差分値SA2に、一定の係数k4を掛けて積分することによって得られる積分制御値It2を出力する。積分制御器914は、マイコンなどで構成されるため離散的に計算が行われている。したがって、実際には、積分制御器914は、差分値SA2に一定の係数k4を掛けて、この結果と前回に計算された積分制御値It2との加算結果を今回の積分制御値It2として出力する。一定の係数k3と一定の係数k4は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に高速に追従するように設定されるが、その際に安定に動作するようにも調整する必要がある。   The proportional controller 913 outputs a proportional control value Pt2 obtained by multiplying the input difference value SA2 by a constant coefficient k3. The integral controller 914 outputs an integral control value It2 obtained by multiplying the input difference value SA2 by a constant coefficient k4 and integrating. The integration controller 914 is discretely calculated because it is configured by a microcomputer or the like. Therefore, in practice, integral controller 914 multiplies difference value SA2 by constant coefficient k4, and outputs the result of addition of this result and integral control value It2 calculated previously to this integral control value It2. . The constant coefficient k3 and the constant coefficient k4 are set so that the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc2 at high speed, but at that time, it is necessary to adjust so as to operate stably.

積分制御器914は、リアクトル5の電流が電流指令値Ic2に追従する定常状態に達するときの積分制御値It2′から、DC−DC変換器105の起動直前におけるリアクトル5の電流対応する比例制御値Pt2′を減算した値を積分制御値It2の初期値として用いる。   The integral controller 914 is a proportional control value corresponding to the current of the reactor 5 immediately before the start of the DC-DC converter 105 from the integral control value It2 'when the current of the reactor 5 reaches a steady state following the current command value Ic2. A value obtained by subtracting Pt2 'is used as an initial value of the integral control value It2.

具体的には、制御装置10は、リアクトル5の電流が電流指令値Ic2に追従したときの積分制御値It2′を予め特定し記憶しておく。このとき、リアクトル5の電流が電流指令Ic2に追従し、さらには電圧検出値Vmが電圧指令値Vc2に追従した定常状態である場合の積分制御値とする。この積分制御値It2′は、定常状態での第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを表わす。起動直前における電圧検出値Vm2に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm2と電圧指令値Vc2との差分値SAを比例制御器204および積分制御器205に入力することによって、比例制御器913から出力される値を用いればよい。ここで、減算器207には、起動時における電流検出値Im2が入力される。積分制御器914は電流制御に用いられる制御器であるがその出力Ct1はデューティであるため、比例制御器913と積分制御器914の加算がデューティの値である。そのため、定常動作となった場合には積分制御値It2がデューティとなり、そのデューティは式(1)で求められる。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value It2 'when the current of reactor 5 follows current command value Ic2. At this time, the current of the reactor 5 follows the current command Ic2, and the voltage detection value Vm is an integral control value in the steady state in which the voltage command value Vc2 follows. The integral control value It2 'represents the duty D of the first semiconductor switching element 1 in the steady state. The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm2 immediately before startup is input to the proportional controller 204 and the integration controller 205 by inputting the difference value SA between the voltage detection value Vm2 immediately before startup and the voltage command value Vc2. The value output from the proportional controller 913 may be used. Here, the current detection value Im2 at the time of startup is input to the subtractor 207. The integral controller 914 is a controller used for current control, but its output Ct1 is a duty, so the addition of the proportional controller 913 and the integral controller 914 is the value of the duty. Therefore, when the steady operation is performed, the integral control value It2 becomes the duty, and the duty can be obtained by the equation (1).

制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値It2′から比例制御値Pt2′を減算した値を積分制御値It2の初期値Inとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。   The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt2 'from the stored integrated control value It2' at the time of tracking as the initial value In of the integral control value It2. As a result, the control signal Ct1 originally required from the start-up can be obtained.

また、上記では比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとしているが、比例制御値Pt′を減算せずに初期値Inとすることも可能である。この場合、比例制御値Pt′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値Pt′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'is used as the initial value In of the integral control value It, it is also possible to set the initial value In without subtracting the proportional control value Pt'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value Pt 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value Pt' can be reduced, so that the application is easily possible.

なお、第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It2′の代わりに、積分制御値It2′に係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、It2′に1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、It2′に1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the integral control value It2 'by a coefficient may be used instead of the integral control value It2' when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 reaches the steady state. When it is desired to minimize the voltage overshoot applied to the load 102 being equal to or higher than the command value, it is possible to use a value obtained by multiplying It2 'by a coefficient of 1 or less. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, it is possible to use a value obtained by multiplying It2 'by a coefficient of 1 or more.

実施の形態4の変形例.
本変形例では、実施の形態2と同様に、制御装置10は、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを制御信号Ct1の初期値として用いる。
Modification of Embodiment 4
In this modification, as in the second embodiment, control device 10 is obtained from voltage Vm1 at the input side of DC-DC converter 105 and voltage Vm2 at the output side immediately before startup of DC-DC converter 105. The duty D of the first semiconductor switching element 1 is used as an initial value of the control signal Ct1.

制御装置10は、式(1)に従って、デューティDを算出する。
制御装置は、式(1)で求めたデューティDから、起動直前の出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt2′を減算した値を積分制御値It2の初期値Inとする。これによって、制御信号Ct1の初期値は、Inとなるので、起動時から本来必要な制御信号Ct1が得られる。
Control device 10 calculates duty D according to equation (1).
The control device calculates a value obtained by subtracting a proportional control value Pt2 'corresponding to the voltage Vm2 of the second capacitor 7, which is a voltage on the output side immediately before start-up, from the duty D determined by the equation (1) as the integral control value It2. The initial value is In. As a result, the initial value of the control signal Ct1 is In, so that the control signal Ct1 originally required from the time of startup can be obtained.

また、上記では比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとしているが、比例制御値Pt′を減算せずに初期値Inとすることも可能である。この場合、比例制御値Pt′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値Pt′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'is used as the initial value In of the integral control value It, it is also possible to set the initial value In without subtracting the proportional control value Pt'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value Pt 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value Pt' can be reduced, so that the application is easily possible.

なお、式(1)のデューティDの代わりに、デューティDに係数を乗算した値を用いてもよい。負荷102に印加する電圧を指令値以上となるオーバーシュートとなるのを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以下の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。負荷102に印加する電圧を指令値以下となるアンダーシュートを極力小さくしたい場合は、デューティDに1以上の係数を掛けることによって得られる値を用いることができる。   A value obtained by multiplying the duty D by a coefficient may be used instead of the duty D of Equation (1). When it is desired to minimize the overshoot applied to the load 102 to be equal to or higher than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a coefficient of 1 or less can be used. When it is desired to minimize the undershoot that makes the voltage applied to the load 102 equal to or less than the command value, a value obtained by multiplying the duty D by a factor of 1 or more can be used.

実施の形態5.
(構成)
図10は、実施の形態5の電力変換装置100の構成を表わす図である。電力変換装置100は、実施の形態1に記載の電力変換装置100と同一であるため、説明は繰り返さない。電力変換装置100は、第2のダイオード4と並列に接続された第2の半導体スイッチング素子2を備えることによって、電源802から負荷801へ電力を供給することが出来る。
Embodiment 5
(Constitution)
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of power conversion apparatus 100 of the fifth embodiment. Since power conversion device 100 is the same as power conversion device 100 described in the first embodiment, description will not be repeated. The power conversion device 100 can supply power from the power supply 802 to the load 801 by including the second semiconductor switching element 2 connected in parallel to the second diode 4.

電源802は、電源101と同様に電力を供給するエネルギー源、または電力を消費する負荷である。負荷801は、負荷102と同様に電力を供給するエネルギー源、または電力を消費する負荷である。   The power source 802 is an energy source that supplies power similar to the power source 101, or a load that consumes power. The load 801 is an energy source that supplies power similar to the load 102, or a load that consumes power.

電力変換装置100は、図1と同様の構成を有するが、電源802から負荷801にエネルギーを送る。したがって、電力変換装置100は、電圧の高い方から電圧の低い方へとエネルギーを送る1石型降圧チョッパ回路である。   Power converter 100 has the same configuration as that of FIG. 1, but transmits energy from power source 802 to load 801. Therefore, the power conversion device 100 is a single buck chopper circuit that sends energy from the higher voltage side to the lower voltage side.

(定常状態時の動作)
本実施の形態の電力変換装置100の第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2のオンとオフの動作による電流の流れについて説明する。
(Operation in steady state)
The flow of current due to the on / off operation of the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 of the power conversion device 100 of the present embodiment will be described.

第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とはデッドタイムを含みながら相補的にオンとオフを繰り返す。電源802から負荷801に電力を供給する場合を説明する。電源802から負荷801へ電流が流れ、リアクトル5では、第2の端子P2から第1の端子P1へと電流が流れる。本実施の形態ではこのときの電流の向きを正方向と定義する。   The first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 repeat on and off complementarily while including dead time. The case where power is supplied from the power supply 802 to the load 801 will be described. A current flows from the power supply 802 to the load 801, and in the reactor 5, a current flows from the second terminal P2 to the first terminal P1. In the present embodiment, the direction of the current at this time is defined as a positive direction.

(例1)
図11は、実施の形態5において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流1001の波形を示す図である。リアクトル5の電流は常に0[A]以上である。
(Example 1)
FIG. 11 is a diagram showing a waveform of a reactor current 1001 which is an example of a current flowing through the reactor 5 in the steady state in the fifth embodiment. The current of the reactor 5 is always 0 [A] or more.

期間a′では、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる。このときには、電源802の正極→第2の半導体スイッチング素子2→リアクトル5→負荷801→電源802の負極の経路を電流が流れる。期間a′では、リアクトル5に流れる電流は増加するが、どれだけ電流が増加するかは、リアクトル5のインダクタンス値と、電源802の電圧と負荷801に印加されている電圧の差と、第2の半導体スイッチング素子2のオンする時間とに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ電流増加量は多くなる。電源802と負荷801に印加された電圧の差が高くなると電流増加量は多くなる。第2の半導体スイッチング素子2のオンする時間が長ければ電流増加量は多くなる。   In the period a ′, the second semiconductor switching element 2 is turned on. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power supply 802 → the second semiconductor switching element 2 → the reactor 5 → the load 801 → the negative electrode of the power supply 802. In the period a ′, the current flowing through the reactor 5 increases, but how much the current increases depends on the inductance value of the reactor 5, the difference between the voltage of the power supply 802 and the voltage applied to the load 801, and the second And the time for which the semiconductor switching element 2 is turned on. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current increase will be large. As the difference between the voltage applied to the power supply 802 and the load 801 increases, the amount of current increase increases. If the second semiconductor switching element 2 is turned on for a long time, the amount of increase in current is increased.

デットタイム期間b′では、第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。このときには、負荷801の負極→第1のダイオード3→リアクトル5→負荷801の正極の経路を電流が流れる。デットタイム期間b′では、リアクトル5の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかは、リアクトル5のインダクタンス値と、負荷801の電圧と、デッドタイムの期間とに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。負荷801の電圧が高ければ電流減少量が多くなる。デッドタイム期間b′の長さが長ければ電流減少量は多くなる。   In the dead time period b ', the second semiconductor switching element 2 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. At this time, a current flows in a path of the negative electrode of the load 801 → the first diode 3 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. In the dead time period b ', the current of the reactor 5 decreases, but how much the current decreases depends on the inductance value of the reactor 5, the voltage of the load 801, and the dead time period. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current reduction will be large. If the voltage of the load 801 is high, the amount of current reduction will be large. The longer the dead time period b ', the larger the amount of current reduction.

期間c′では、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる。このときには、負荷801の負極→第1の半導体スイッチング素子1→リアクトル5→負荷801の正極の経路を電流が流れる。期間c′でも、デッドタイム期間b′と同様に、リアクトル5の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかは、リアクトル5のインダクタンス値と、負荷801の電圧と、第1の半導体スイッチング素子1のオン状態となる時間とに依存する。リアクトル5のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。負荷801の電圧差が大きければ電流減少量が多くなる。第1の半導体スイッチング素子1のオン状態となる時間が長ければ電流減少量は多くなる。   In the period c ′, the first semiconductor switching element 1 is turned on. At this time, a current flows in the path of the negative electrode of the load 801 → the first semiconductor switching element 1 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. Even in the period c ', the current of the reactor 5 decreases as in the dead time period b', but how much the current decreases depends on the inductance value of the reactor 5, the voltage of the load 801, and the first semiconductor switching It depends on the time when the element 1 is turned on. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current reduction will be large. If the voltage difference of the load 801 is large, the amount of current reduction will be large. The longer the time during which the first semiconductor switching element 1 is in the on state, the greater the amount of current reduction.

デッドタイム期間d′では、第1の半導体スイッチング素子1がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。デッドタイム期間d′においても、デッドタイム期間b′と同様の電流経路で電流が流れる。   In the dead time period d ', the first semiconductor switching element 1 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. Also in the dead time period d ', a current flows in the same current path as the dead time period b'.

その後、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となり、期間a′となるため上記一連の動作を繰り返す。   Thereafter, the second semiconductor switching element 2 is turned on, and the period a 'is reached, so that the above series of operations are repeated.

期間a′と期間b′と期間c′と期間d′との合計が1周期Tである。1周期Tのうち、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間の割合をデューティと呼ぶ。デューティが「0.5」であれば1周期Tのうち第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間a′が「50%」を締めることを意味する。デューティが「0.1」であれば、1周期Tのうち第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間a′が「10%」を締めることを意味している。   The sum of the period a ′, the period b ′, the period c ′, and the period d ′ is one cycle T. The ratio of the period in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state in one cycle T is called the duty. If the duty is “0.5”, it means that the period a ′ in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state in one cycle T tightens “50%”. If the duty is “0.1”, it means that the period a ′ in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state in one cycle T tightens “10%”.

(例2)
図12は、実施の形態5において、定常状態時に、リアクトル5を流れる電流の別の例であるリアクトル電流401の波形を表わす図である。
(Example 2)
FIG. 12 is a diagram showing a waveform of reactor current 401 which is another example of the current flowing through reactor 5 in the steady state in the fifth embodiment.

負荷801が消費する電力が小さい場合、電源802から出力される電流は少なくなる。電源802から出力される電流が少ない場合、リアクトル5の電流が0[A]よりも小さくなる。具体的には、リアクトル5を流れる電流は、第2の端子P2から第1の端子P1へと流れる場合と、第1の端子P1から第2の端子P2へ流れる場合とが存在する。   When the power consumed by the load 801 is small, the current output from the power supply 802 is small. When the current output from the power supply 802 is small, the current of the reactor 5 is smaller than 0 [A]. Specifically, there are a case where the current flowing through the reactor 5 flows from the second terminal P2 to the first terminal P1, and a case where the current flows from the first terminal P1 to the second terminal P2.

期間e′の最初のタイミングにおいて、リアクトル5において、第1の端子P1から第2の端子P2へ電流が流れる状態であり、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となったとする。このとき、初めは、電源802の負極→負荷801→リアクトル5→第2の半導体スイッチング素子2→電源802の正極の経路を電流が流れているが、徐々に電流が0[A]に近づき、その後、電源802の正極→第2の半導体スイッチング素子2―リアクトル5→負荷801→電源802の負極の経路を電流が流れる。リアクトル5では、第2の端子P2から第1の端子P2へと流れる方向に電流が増加する。   It is assumed that current flows from the first terminal P1 to the second terminal P2 in the reactor 5 at the first timing of the period e ', and the second semiconductor switching element 2 is turned on. At this time, initially, the current flows through the negative electrode of the power supply 802 → load 801 → reactor 5 → second semiconductor switching element 2 → positive electrode of the power supply 802, but the current gradually approaches 0 [A], Thereafter, a current flows in the path of the positive electrode of the power source 802 → the second semiconductor switching element 2-reactor 5 → the load 801 → the negative electrode of the power source 802. In reactor 5, the current increases in the direction of flow from second terminal P2 to first terminal P2.

その後、デッドタイム期間f′となると、第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態となり、第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2とが共にオフ状態となる。期間f′では、負荷801の負極→第1のダイオード3→リアクトル5→負荷801の正極の経路を電流が流れる。期間f′では、リアクトル5の電流は減少する。   Thereafter, in the dead time period f ′, the second semiconductor switching device 2 is turned off, and both the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2 are turned off. In the period f ′, current flows in the path of the negative electrode of the load 801 → the first diode 3 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. In the period f ′, the current of the reactor 5 decreases.

その後、期間g′では、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる。このときには、負荷801の負極→第1の半導体スイッチング素子1→リアクトル5→負荷801の正極の経路を電流が流れる。期間g′でもデッドタイム期間fと同様に、リアクトル5の電流は0[A]に向かって減少する。但し、電流が0[A]となると、そのまま負荷801の正極→リアクトル5→第1の半導体スイッチング素子1→負荷801の負極の経路で電流が増加し、リアクトル5では、第1の端子P1から第2の端子P2へと流れる方向に電流が増加する。この電流経路は、第1の半導体スイッチング素子1をオン状態とする期間を設けることによって可能となる経路である。   Thereafter, in the period g ′, the first semiconductor switching element 1 is turned on. At this time, a current flows in the path of the negative electrode of the load 801 → the first semiconductor switching element 1 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. Also in the period g ′, the current of the reactor 5 decreases toward 0 [A] as in the dead time period f. However, when the current becomes 0 [A], the current increases in the path of the positive electrode of the load 801 → reactor 5 → first semiconductor switching element 1 → negative electrode of the load 801, and in the reactor 5, from the first terminal P1 The current increases in the direction of flow to the second terminal P2. This current path is a path made possible by providing a period in which the first semiconductor switching element 1 is turned on.

(例3)
図13は、実施の形態5において、電力変換装置100が第1の半導体スイッチング素子1を備えない場合の、定常状態時にリアクトル5を流れる電流の一例であるリアクトル電流1201の波形を表わす図である。
(Example 3)
FIG. 13 is a diagram showing a waveform of reactor current 1201 which is an example of a current flowing through reactor 5 in the steady state when power conversion device 100 is not provided with first semiconductor switching element 1 in the fifth embodiment. .

電力変換装置100が第1の半導体スイッチング素子1を有さない場合、負荷801が消費する電力が小さいときには、リアクトル5では、第2の端子P2から第1の端子P1へ電流が流れる。   When the power converter 100 does not have the first semiconductor switching element 1, when the power consumed by the load 801 is small, in the reactor 5, a current flows from the second terminal P2 to the first terminal P1.

期間i′では、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる。このときには、電源802の正極→第2の半導体スイッチング素子2→リアクトル5→負荷801→電源802の負極の経路を電流が流れる。   In the period i ′, the second semiconductor switching element 2 is turned on. At this time, current flows in the path of the positive electrode of the power supply 802 → the second semiconductor switching element 2 → the reactor 5 → the load 801 → the negative electrode of the power supply 802.

期間j′では、第2の半導体スイッチング素子2がオフ状態となる。このときには、負荷801の負極→第1のダイオード3→リアクトル5→負荷801の正極の経路で電流が流れる。期間j′では、電流が徐々に減少する。   In the period j ', the second semiconductor switching element 2 is turned off. At this time, a current flows in the path of the negative electrode of the load 801 → the first diode 3 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. In period j ', the current gradually decreases.

期間k′の最初のタイミングにおいて、電流が0[A]となる。期間k′では、第1の半導体スイッチング素子1が存在しないため、負荷801の負極→第1の半導体スイッチング素子1→リアクトル5→負荷801の正極の経路で流れることができず、リアクトル5の電流は0[A]のままとなる。   At the first timing of the period k ', the current is 0 [A]. In period k ′, since the first semiconductor switching element 1 does not exist, the current can not flow in the path of the negative electrode of the load 801 → the first semiconductor switching element 1 → reactor 5 → the positive electrode of the load 801. Remains at 0 [A].

第1の半導体スイッチング素子1が無い場合は、第2のコンデンサ7を短絡させる経路を形成することが無いため、デッドタイムを設ける必要は無い。   When there is no first semiconductor switching element 1, there is no need to form a path for shorting the second capacitor 7, so there is no need to provide a dead time.

その後、期間i′では、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となり、上記動作を繰り返す。   Thereafter, in the period i ′, the second semiconductor switching element 2 is turned on, and the above operation is repeated.

例1および例2では、第2の半導体スイッチング素子2を接続してオン状態として電流を逆方向に流すように動作させることによって、電流実効値が増加する。しかし、例えば第2の半導体スイッチング素子2がMOSFETの場合、電流が通過した際の電圧降下が第2のダイオード4よりも第2の半導体スイッチング素子2の方が小さくなる。そのため、電流が逆方向に流れる期間が発生したとしても損失が小さくなる場合があり、結果として損失低減につながることがある。さらに、電流を逆方向に流すことが可能となるため、負荷801から電源802へ電力を供給することが可能となる。   In Example 1 and Example 2, the effective current value is increased by connecting the second semiconductor switching element 2 to operate in an ON state so that the current flows in the reverse direction. However, for example, in the case where the second semiconductor switching element 2 is a MOSFET, the voltage drop when current passes is smaller in the second semiconductor switching element 2 than in the second diode 4. Therefore, even if a period in which the current flows in the reverse direction occurs, the loss may be small, and as a result, the loss may be reduced. Further, since current can flow in the reverse direction, power can be supplied from the load 801 to the power supply 802.

(制御)
1石型降圧チョッパ回路の制御は種々方法があるが、本実施の形態では、第1のコンデンサ6の電圧Vm1を検出して、第1のコンデンサ6の電圧Vm1を指令値に追従させる方法を用いる。
(control)
There are various methods of controlling the single-stone step-down chopper circuit. In this embodiment, a method of detecting the voltage Vm1 of the first capacitor 6 and making the voltage Vm1 of the first capacitor 6 follow the command value Use.

図14は、実施の形態5の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a control block included in control device 10 of the fifth embodiment.

減算器209は、第1のコンデンサ6の電圧指令値Vc1から第1のコンデンサ6の電圧検出値Vm1とを減算することによって、差分値SAを出力する。差分値SAは、比例制御器204と積分制御器205に入力される。   The subtractor 209 subtracts the voltage command value Vc1 of the first capacitor 6 from the voltage detection value Vm1 of the first capacitor 6 to output a difference value SA. The difference value SA is input to the proportional controller 204 and the integral controller 205.

比例制御器204は、差分値SAを受けて、比例制御値Ptを出力する。
積分制御器205は、差分値SAを積分制御する。積分制御器205は、差分値SAを受けて、積分制御値Itを出力する。
The proportional controller 204 receives the difference value SA and outputs a proportional control value Pt.
The integral controller 205 performs integral control of the difference value SA. The integral controller 205 receives the difference value SA and outputs an integral control value It.

加算器203は、比例制御値Ptと積分制御値Itとを加算し、加算結果を制御信号Ct2として出力する。   The adder 203 adds the proportional control value Pt and the integral control value It, and outputs the addition result as a control signal Ct2.

比例制御器204は、入力された差分値SAに、一定の係数k1を掛けることによって得られる比例制御値Ptを出力する。積分制御器205は、入力された差分値SAに、一定の係数k2を掛けて積分することによって得られる積分制御値Itを出力する。積分制御器205は、マイコンなどで構成されるため離散的に計算が行われている。したがって、実際には、積分制御器205は、差分値SAに一定の係数k2を掛けて、この結果と前回に計算された積分制御値Itとの加算結果を今回の積分制御値Itとして出力する。比例制御器204に含まれる一定の係数k1と積分制御器205に含まれる一定の係数k2は、電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1に高速に追従するように設定されるが、その際に安定に動作するようにも調整する必要がある。   The proportional controller 204 outputs a proportional control value Pt obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k1. The integral controller 205 outputs an integral control value It obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k2 and integrating. The integration controller 205 is discretely calculated because it is configured by a microcomputer or the like. Therefore, in practice, integral controller 205 multiplies difference value SA by constant coefficient k 2, and outputs the result of this addition and the previously calculated integral control value It as integral control value It of this time . Although constant coefficient k1 included in proportional controller 204 and constant coefficient k2 included in integral controller 205 are set such that voltage detection value Vm1 follows voltage command value Vc1 at a high speed, it is stable at that time. Need to be adjusted to work well.

電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1に追従することが制御の最終的な目的である。電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1に追従した場合、電圧検出値Vm1が変動しない定常状態に達する。このとき差分値SAは「0」となる。   The final purpose of control is that the voltage detection value Vm1 follows the voltage command value Vc1. When the voltage detection value Vm1 follows the voltage command value Vc1, the steady state is reached in which the voltage detection value Vm1 does not fluctuate. At this time, the difference value SA is "0".

差分値SAが「0」の場合、比例制御器204に入力される値は「0」であり、一定の係数k1を掛けても比例制御値Ptは「0」である。積分制御器205に入力される値も「0」であり、出力される積分制御値Itは、それまでに積分して蓄えられた値となる。但し、負荷801の変化または電源802の変化によって、必ずしも電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1にずれることなく追従することは難しいため、多少の差分値SAが残りながら安定的に動作するが、概ね積分制御値Itが制御信号Ct2と同等の値となる。積分制御値Itがそのまま制御信号Ct2となり、制御信号Ct2が駆動装置12内で三角波と比較されて駆動信号d1,d2が生成される。したがって、電圧検出値Vm1が定常状態のときには、制御信号Ct2の大きさ、および積分制御値Itの大きさが第2の駆動信号d2のデューティDを表わす。   When the difference value SA is “0”, the value input to the proportional controller 204 is “0”, and the proportional control value Pt is “0” even when multiplied by a constant coefficient k1. The value input to the integration controller 205 is also “0”, and the output integration control value It is the value integrated and stored up to that time. However, it is difficult for the voltage detection value Vm1 to follow without being deviated to the voltage command value Vc1 due to a change in the load 801 or a change in the power supply 802. Therefore, it operates stably with some difference value SA remaining. The integral control value It becomes equal to the control signal Ct2. The integral control value It becomes the control signal Ct2 as it is, and the control signal Ct2 is compared with the triangular wave in the drive unit 12 to generate the drive signals d1 and d2. Therefore, when the voltage detection value Vm1 is in the steady state, the magnitude of the control signal Ct2 and the magnitude of the integral control value It represent the duty D of the second drive signal d2.

制御信号Ct2は、駆動装置12に送られる。駆動装置12は、制御信号Ct2に基づいて、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とは、それぞれ第1の半導体スイッチング素子1と第2の半導体スイッチング素子2に送られる。   The control signal Ct2 is sent to the drive unit 12. The drive device 12 generates a first drive signal d1 and a second drive signal d2 based on the control signal Ct2. The first drive signal d1 and the second drive signal d2 are sent to the first semiconductor switching device 1 and the second semiconductor switching device 2, respectively.

制御信号Ct2は、例えば0〜1の範囲の値である。駆動装置12は、入力された制御信号Ct2と、波高値が1で0〜1の範囲でスイッチング周波数と同じ周波数を持つ三角波と信号とを比較することによって、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。制御信号Ct2が三角波よりも大きな値の期間は、第2の半導体スイッチング素子2をオン状態とし、制御信号Ct2が三角波よりも小さな値の期間は、第1の半導体スイッチング素子1をオン状態とする。制御信号Ct2が「1」の場合は、制御信号Ct2は常に三角波よりも大きな値であるため、第2の半導体スイッチング素子2が常時オン状態となる。制御信号Ct2が「0」の場合は、制御信号Ct2は常に三角波の方が大きな値であるため、第1の半導体スイッチング素子1が常時オン状態となる。   The control signal Ct2 is, for example, a value in the range of 0-1. The driving device 12 compares the input control signal Ct2 with a triangular wave having the same frequency as the switching frequency in the range of 0 to 1 with a peak value of 1 to compare the first drive signal d1 with the second drive signal d1. And the driving signal d2 of The second semiconductor switching device 2 is turned on while the control signal Ct2 is larger than the triangular wave, and the first semiconductor switching device 1 is turned on while the control signal Ct2 is smaller than the triangular wave. . When the control signal Ct2 is “1”, the control signal Ct2 is always larger than the triangular wave, so the second semiconductor switching element 2 is always in the on state. When the control signal Ct2 is "0", since the control signal Ct2 always has a larger value in the triangular wave, the first semiconductor switching element 1 is always in the on state.

(起動時の動作)
次に、第1の半導体スイッチング素子1を同期整流させる場合の電力変換装置100の起動時の動作について説明する。
(Operation at startup)
Next, an operation at the time of startup of the power conversion device 100 in the case of synchronously rectifying the first semiconductor switching element 1 will be described.

まず、従来の起動時の動作について説明する。
図15は、従来の起動時の電流波形1301および三角波1302を表わす図である。定常状態では、電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1に追従するため、制御信号Ct2は積分制御値Itに近い。しかしながら、起動時において、積分制御器205がそれまでに制御を行っていないため積分制御値Itは「0」の状態である。電圧指令値Vc1と電圧検出値Vm1には差分があるため、差分値SAは「0」とはならない。差分値SAを用いて比例制御器204において求められた比例制御値Ptと積分制御器205において求められた積分制御値Itとの和である制御信号Ct2は、本来必要な値よりも小さくなってしまう。制御信号Ct2は、駆動装置12によって三角波1302と比較される。制御信号Ct2の方が三角波1302よりも大きい場合は、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となり、制御信号Ct2の方が三角波1302よりも小さい場合は、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる。
First, the conventional startup operation will be described.
FIG. 15 is a diagram showing a current waveform 1301 and a triangular wave 1302 at the time of conventional startup. In the steady state, the voltage detection value Vm1 follows the voltage command value Vc1, so the control signal Ct2 is close to the integral control value It. However, at the time of startup, integration control value It is in the state of “0” since integration controller 205 has not performed control by then. Since there is a difference between voltage command value Vc1 and voltage detection value Vm1, difference value SA does not become "0". The control signal Ct2, which is the sum of the proportional control value Pt determined by the proportional controller 204 using the difference value SA and the integral control value It determined by the integral controller 205, becomes smaller than the originally necessary value. I will. The control signal Ct2 is compared with the triangular wave 1302 by the driver 12. When the control signal Ct2 is larger than the triangular wave 1302, the second semiconductor switching device 2 is turned on. When the control signal Ct2 is smaller than the triangular wave 1302, the first semiconductor switching device 1 is turned on. It becomes.

したがって、起動時において、積分制御器205の状態が定常状態まで達していない場合、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間l′が必要な期間よりも短く、その相補的な関係にある第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間m′が必要な期間よりも長くなる。第1の半導体スイッチング素子1のオン状態となる期間m′が必要以上に長い場合、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態のときに、リアクトル5に流れる電流の増加量よりも、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態のときに、リアクトル5に流れる電流の低減量のほうが多くなる。   Therefore, when the state of integration controller 205 does not reach the steady state at startup, period l 'during which second semiconductor switching element 2 is turned on is shorter than the necessary period, and its complementary relationship The period m 'in which a certain first semiconductor switching element 1 is in the on state is longer than the necessary period. When the period m ′ in which the first semiconductor switching device 1 is in the on state is longer than necessary, the first semiconductor switching device 2 is in the on state, the first amount of increase in the current flowing through the reactor 5. When the semiconductor switching element 1 is in the on state, the amount of reduction of the current flowing through the reactor 5 is larger.

この状態が複数回続くと、リアクトル5では、第1の端子P1から第2の端子P2へ流れる方向に電流が流れることとなる。これは負荷801から電源802に電力を供給するような動作であり、想定している電流方向とは逆方向である。その結果、負荷801に必要な電圧を印加させることができず、負荷801に必要な電力を供給することが出来ない。ある程度の時間が経過すると、制御装置10が電圧検出値Vm1を電圧指令値Vc1に追従させるように比例制御器204と積分制御器205が動作するため、電圧検出値Vm1は電圧指令値Vc1に追従するようになるが、起動時において、負荷801に必要な電力を供給することができないという問題がある。   When this state continues a plurality of times, in the reactor 5, a current flows in the direction of flowing from the first terminal P1 to the second terminal P2. This is an operation to supply power from the load 801 to the power supply 802, and is in the opposite direction to the assumed current direction. As a result, the necessary voltage can not be applied to the load 801, and the necessary power can not be supplied to the load 801. Since the proportional controller 204 and the integral controller 205 operate such that the control device 10 causes the voltage detection value Vm1 to follow the voltage command value Vc1 after a certain time passes, the voltage detection value Vm1 follows the voltage command value Vc1. However, at the time of start-up, there is a problem that the power necessary for the load 801 can not be supplied.

そこで、本実施の形態では、起動時において電流が逆方向に流れる量を抑制する。具体的には、積分制御器205に初期値Inを入力した状態で起動する。つまり、起動時において、積分制御器205が出力する積分制御値Itの初期値をInとする。初期値Inは、以下の方法で求めることができる。   Therefore, in the present embodiment, the amount of current flowing in the reverse direction at the time of startup is suppressed. Specifically, activation is performed in the state where the initial value In is input to the integration controller 205. That is, at the time of startup, the initial value of the integral control value It output by the integral controller 205 is set to In. The initial value In can be obtained by the following method.

積分制御器205は、出力側の電圧である第1のコンデンサ6の電圧Vm1が定常状態に達するときの積分制御値It′から、起動直前における出力側の電圧である第1のコンデンサ6の電圧Vm1に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値の初期値として用いる。   The integral controller 205 uses the integral control value It 'when the voltage Vm1 of the first capacitor 6 which is the voltage on the output side reaches a steady state, the voltage of the first capacitor 6 which is the voltage on the output side just before starting. A value obtained by subtracting a proportional control value Pt 'corresponding to Vm1 is used as an initial value of the integral control value.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm1が電圧指令値Vc1に追従したときの積分制御値It′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値It′は、定常状態での第2の半導体スイッチング素子2のデューティDを表わす。起動直前における電圧検出値Vm1に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm1と電圧指令値Vc1の差分値SAを比例制御器204に入力することによって、比例制御器204から出力される値を用いればよい。制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値It′から比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号Ct2が得られる。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value It 'when voltage detection value Vm1 follows voltage command value Vc1. The integral control value It 'represents the duty D of the second semiconductor switching element 2 in the steady state. The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm1 immediately before the start is output from the proportional controller 204 by inputting the difference value SA of the voltage detection value Vm1 and the voltage command value Vc1 immediately before the start to the proportional controller 204. The value to be calculated may be used. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the stored integrated control value It' at the time of tracking as the initial value In of the integral control value It. As a result, the control signal Ct2 originally required from the start-up can be obtained.

図16は、実施の形態5の起動時の電流波形1501および三角波1502を表わす図である。   FIG. 16 is a diagram showing a current waveform 1501 and a triangular wave 1502 at startup according to the fifth embodiment.

図16に示すように、本実施の形態では、起動時において、制御信号Ct2は、従来よりも大きな値に設定される。その結果、第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間n′を従来における第2の半導体スイッチング素子2がオン状態となる期間l′よりも長くすることができる。その結果、本実施の形態では、第1の半導体スイッチング素子1がオン状態となる期間o′となってもリアクトル5の電流が逆流しすぎることを抑制できる。   As shown in FIG. 16, in the present embodiment, at the time of startup, control signal Ct2 is set to a value larger than that in the prior art. As a result, the period n 'in which the second semiconductor switching element 2 is in the on state can be made longer than the period l' in which the second semiconductor switching element 2 in the related art is in the on state. As a result, in the present embodiment, it is possible to suppress the reverse flow of the current of the reactor 5 even during the period o ′ where the first semiconductor switching element 1 is in the on state.

実施の形態5の変形例.
実施の形態2において、実施の形態1における制御信号Ct1の初期値に代えて、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを制御信号Ct1の初期値として用いた。
Modification of Embodiment 5
In the second embodiment, instead of the initial value of control signal Ct1 in the first embodiment, voltage Vm1 at the input side of DC-DC converter 105 and voltage Vm2 at the output side of DC-DC converter 105 immediately before start-up of DC-DC converter 105. The duty D of the first semiconductor switching element 1 determined from the above is used as the initial value of the control signal Ct1.

同様に、実施の形態5における制御信号Ct2の初期値に代えて、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第2の半導体スイッチング素子2のデューティDを制御信号Ct2の初期値として用いてもよい。   Similarly, instead of the initial value of control signal Ct2 in the fifth embodiment, it is obtained from voltage Vm1 at the input side of DC-DC converter 105 and voltage Vm2 at the output side immediately before startup of DC-DC converter 105. The duty D of the second semiconductor switching element 2 may be used as an initial value of the control signal Ct2.

1石型チョッパ回路の低圧側の電圧と高圧側の電圧の関係に基づいて、第2の半導体スイッチング素子2のデューティDを求めることができる。   The duty D of the second semiconductor switching element 2 can be determined based on the relationship between the voltage on the low voltage side and the voltage on the high voltage side of the one-stone chopper circuit.

デューティDは、DC−DC変換器105の起動直前における低圧側である第1のコンデンサ6の電圧検出値Vm1、およびDC−DC変換器105の起動直前における高圧側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2によって、以下の式で求めることができる。   The duty D is a voltage detection value Vm1 of the first capacitor 6 on the low voltage side immediately before the start of the DC-DC converter 105, and a second capacitor having a voltage on the high voltage side immediately before the start of the DC-DC converter 105. The voltage detection value Vm2 of 7 can be obtained by the following equation.

D=Vm1/Vm2・・・(2)
このデューティDに基づいて、実施の形態2と同様にして、積分制御器205の初期値Inを求めることができる。
D = Vm1 / Vm2 (2)
Based on the duty D, the initial value In of the integral controller 205 can be determined as in the second embodiment.

制御装置10に含まれる制御ブロックとして、実施の形態3または実施の形態4で説明したものを用いてもよい。積分制御器に与える初期値についても、実施の形態3または実施の形態4で説明した方法を用いることができる。   As the control block included in the control device 10, one described in the third embodiment or the fourth embodiment may be used. The method described in Embodiment 3 or 4 can be used also for the initial value given to the integral controller.

実施の形態6.
図17は、実施の形態6の電力変換装置1400の構成を表わす図である。
Sixth Embodiment
FIG. 17 is a diagram representing a configuration of power conversion apparatus 1400 of the sixth embodiment.

電力変換装置1400は、同期整流が可能な1石型昇降圧チョッパ回路である。
電力変換装置1400は、DC−DC変換器1420を備える。DC−DC変換器1420は、第1の半導体スイッチング素子1403、第2の半導体スイッチング素子1404、第1のダイオード1405、第2のダイオード1406、リアクトル1407、第1のコンデンサ6、および第2のコンデンサ7を備える。
Power converter 1400 is a one-stone buck-boost chopper circuit capable of synchronous rectification.
Power converter 1400 includes DC-DC converter 1420. The DC-DC converter 1420 includes a first semiconductor switching device 1403, a second semiconductor switching device 1404, a first diode 1405, a second diode 1406, a reactor 1407, a first capacitor 6, and a second capacitor. 7 is provided.

電力変換装置1400は、さらに、制御装置10と、駆動装置12と、第1の電圧検出器8と、第2の電圧検出器9とを備える。   The power conversion device 1400 further includes a control device 10, a drive device 12, a first voltage detector 8, and a second voltage detector 9.

電力変換装置1400に電源1401および負荷1402が接続される。
第1の半導体スイッチング素子1403と、第2の半導体スイッチング素子1404とは、正極と負極と制御電極とを有する。
A power supply 1401 and a load 1402 are connected to the power conversion device 1400.
The first semiconductor switching element 1403 and the second semiconductor switching element 1404 have a positive electrode, a negative electrode and a control electrode.

第1のコンデンサ6の正極と、第1の半導体スイッチング素子1403の正極と、電源1401の正極とが接続される。第1の半導体スイッチング素子1403に逆並列に第1のダイオード1405が接続される。   The positive electrode of the first capacitor 6, the positive electrode of the first semiconductor switching element 1403, and the positive electrode of the power supply 1401 are connected. A first diode 1405 is connected in antiparallel to the first semiconductor switching element 1403.

第1の半導体スイッチング素子1403の負極と、リアクトル1407の第1の端子P1と、第2の半導体スイッチング素子1404の負極とがノードNDで接続される。   The negative electrode of the first semiconductor switching device 1403, the first terminal P1 of the reactor 1407, and the negative electrode of the second semiconductor switching device 1404 are connected at a node ND.

第2の半導体スイッチング素子1404に逆並列に第2のダイオード1406が接続される。第2の半導体スイッチング素子1404の正極側と、第2のコンデンサ7の負極と、負荷1402の負極とが接続される。第2のコンデンサ7の正極、リアクトル1407の第2の端子P2、第1のコンデンサ6の負極、電源1401の負極、および負荷1402の正極が接続されている。   A second diode 1406 is connected in antiparallel to the second semiconductor switching element 1404. The positive electrode side of the second semiconductor switching element 1404, the negative electrode of the second capacitor 7, and the negative electrode of the load 1402 are connected. The positive electrode of the second capacitor 7, the second terminal P2 of the reactor 1407, the negative electrode of the first capacitor 6, the negative electrode of the power supply 1401, and the positive electrode of the load 1402 are connected.

電源1401は、第1のコンデンサ6に並列に接続される。負荷1402は、第2のコンデンサ7に並列に接続される。   The power supply 1401 is connected in parallel to the first capacitor 6. The load 1402 is connected in parallel to the second capacitor 7.

第1の半導体スイッチング素子1403の制御電極には、第1の駆動信号d1が入力され、第2の半導体スイッチング素子1404の制御電極には、第2の駆動信号d2が入力される。第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とは駆動装置12から出力される。駆動装置12には、制御信号Ct3が入力される。制御信号Ct3は、制御装置10から出力される。制御装置10には、第1のコンデンサ6の電圧Vm1を検出する電圧検出器8と第2のコンデンサ7の電圧Vm2を検出する電圧検出器9の検出値が入力される。   The first drive signal d1 is input to the control electrode of the first semiconductor switching element 1403, and the second drive signal d2 is input to the control electrode of the second semiconductor switching element 1404. The first drive signal d1 and the second drive signal d2 are output from the drive device 12. A control signal Ct3 is input to the drive device 12. The control signal Ct3 is output from the control device 10. The control device 10 receives detection values of a voltage detector 8 that detects the voltage Vm1 of the first capacitor 6 and a voltage detector 9 that detects the voltage Vm2 of the second capacitor 7.

(定常状態時の動作)
1石型昇降圧チョッパ回路である電力変換装置1400では、第1の半導体スイッチング素子1403と第2の半導体スイッチング素子1404のオンとオフの動作によって、電源1401の電圧以上又は電圧以下の電圧が負荷1402に印加される。1石型昇降圧チョッパ回路は、昇降圧チョッパであるので、電圧の調整幅は昇圧チョッパ回路および降圧チョッパ回路よりも広くなる。
(Operation in steady state)
In the power converter 1400 which is a single-stage buck-boost chopper circuit, a voltage equal to or higher than the voltage of the power supply 1401 is a load due to the on and off operation of the first semiconductor switching device 1403 and the second semiconductor switching device 1404. Applied to 1402. Since the single-stone buck-boost chopper circuit is a buck-boost chopper, the adjustment range of the voltage is wider than that of the boost chopper circuit and the buck chopper circuit.

図18は、実施の形態6において、定常状態時に、リアクトル1407に流れる電流の一例である電流波形1601を示す図である。   FIG. 18 is a diagram showing a current waveform 1601 which is an example of a current flowing through reactor 1407 in the steady state in the sixth embodiment.

期間e″では、第1の半導体スイッチング素子1403がオン状態となる。このときには、電源1401の正極→第1の半導体スイッチング素子1403→リアクトル1407→電源1401の負極の経路を電流が流れる。期間e″では、リアクトル1407では、第1の端子P1から第2の端子P2へ向かって流れる電流が増加する。電流の増加量は、電源1401の電圧と、リアクトル1407のインダクタンス値と、第1の半導体スイッチング素子1403のオン状態の時間とに依存する。電源1401の電圧が高いほど電流増加量は多くなり、リアクトル1407のインダクタンス値が小さいほど電流増加量は多くなり、第1の半導体スイッチング素子1403のオン状態の時間が長いほど電流増加量は多くなる。   During the period e ′ ′, the first semiconductor switching element 1403 is turned on. At this time, current flows through the positive electrode of the power source 1401 → the first semiconductor switching element 1403 → reactor 1407 → the negative electrode of the power source 1401. period e In “′ ′, in the reactor 1407, the current flowing from the first terminal P1 to the second terminal P2 increases. The amount of increase of the current depends on the voltage of the power supply 1401, the inductance value of the reactor 1407, and the on-state time of the first semiconductor switching element 1403. The current increase amount increases as the voltage of the power supply 1401 increases, the current increase amount increases as the inductance value of the reactor 1407 decreases, and the current increase amount increases as the on-state time of the first semiconductor switching element 1403 increases. .

デッドタイム期間f″では、第1の半導体スイッチング素子1403がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1403と第2の半導体スイッチング素子1404とが共にオフ状態になる。このときには、負荷1402の負極→第2のダイオード1406→リアクトル1407→負荷1402の正極の経路で電流が流れる。期間f″では、リアクトル1407に流れる電流は、徐々に0[A]に向かって減少する。電流の減少量は、負荷1402に印加されている電圧と、リアクトル1407のインダクタンス値と、デッドタイム期間とに依存する。負荷1402に印加されている電圧が高いほど電流減少量が多く、リアクトル1407のインダクタンス値が小さいほど電流減少量が多く、デッドタイム期間が長いほど電流減少量が多くなる。   In the dead time period f ′ ′, the first semiconductor switching device 1403 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1403 and the second semiconductor switching device 1404 are turned off. A current flows in the path of the negative electrode of 1402 → second diode 1406 → reactor 1407 → positive electrode of load 1402. In period f ′ ′, the current flowing through reactor 1407 gradually decreases toward 0 [A]. The amount of reduction of the current depends on the voltage applied to the load 1402, the inductance value of the reactor 1407, and the dead time period. As the voltage applied to the load 1402 is higher, the amount of current reduction is larger, and as the inductance value of the reactor 1407 is smaller, the amount of current reduction is larger, and as the dead time period is longer, the amount of current reduction is larger.

期間g″では、第2の半導体スイッチング素子1404がオン状態となる。このときには、負荷1402の負極→第2の半導体スイッチング素子1404→リアクトル1407→負荷1402の正極の経路を電流が流れる。期間g″では、リアクトル1407に流れる電流は徐々に低下し、場合によっては0[A]を下回る。この場合、負荷1402の正極→リアクトル1407→第2の半導体スイッチング素子1404→負荷1402の負極の経路で電流が増加する。   In the period g ′ ′, the second semiconductor switching element 1404 is turned on. At this time, current flows in the path of the negative electrode of the load 1402 → the second semiconductor switching element 1404 → reactor 1407 → the positive electrode of the load 1402. Period g In “′ ′, the current flowing to the reactor 1407 gradually decreases, and in some cases, falls below 0 [A]. In this case, the current increases in the path of the positive electrode of the load 1402 → the reactor 1407 → the second semiconductor switching element 1404 → the negative electrode of the load 1402.

期間h″では、第2の半導体スイッチング素子1404がオフ状態となる。その結果、第1の半導体スイッチング素子1403と第2の半導体スイッチング素子1404とが共にオフ状態となる。このときには、負荷1402の正極→リアクトル1407→第2の半導体スイッチング素子1404→負荷1402の負極の経路で電流が流れていた場合は、電流が減少して0[A]に近づく。その後、第1の半導体スイッチング素子1403がオン状態となる期間e″に戻る。   During the period h ′ ′, the second semiconductor switching device 1404 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching device 1403 and the second semiconductor switching device 1404 are turned off. When a current flows in the path of positive electrode → reactor 1407 → second semiconductor switching device 1404 → negative electrode of load 1402, the current decreases and approaches 0 [A], after which the first semiconductor switching device 1403 It returns to the period e ′ ′ that is in the on state.

第1の半導体スイッチング素子1403のオン状態となる期間がデューティDとして求められる制御信号Ct3によって、駆動装置12に送られる。   A period in which the first semiconductor switching element 1403 is in the on state is sent to the drive device 12 by the control signal Ct3 obtained as the duty D.

デューティDは、第1のコンデンサ6の電圧Vm1/(第1のコンデンサ6の電圧Vm1+第2のコンデンサ7の電圧Vm2)で求めることが出来る。電源1401の電圧と同一の電圧を負荷1402に印加させたい場合は、第1の半導体スイッチング素子1403のデューティDを50%とすることで達成することが出来る。負荷1402に印加させたい電圧が電源1401よりも低い電圧の場合はデューティDを50%以下とすることができる。負荷1402に印加させたい電圧が電源1401よりも高い電圧の場合はデューティDを50%以上とすることで達成できる。   The duty D can be obtained by the voltage Vm1 / (voltage of the first capacitor 6 + voltage Vm2 of the second capacitor 7) of the first capacitor 6. When it is desired to apply the same voltage as the voltage of the power supply 1401 to the load 1402, this can be achieved by setting the duty D of the first semiconductor switching element 1403 to 50%. When the voltage to be applied to the load 1402 is lower than that of the power supply 1401, the duty D can be 50% or less. When the voltage to be applied to the load 1402 is a voltage higher than that of the power supply 1401, this can be achieved by setting the duty D to 50% or more.

(制御について)
1石型昇降圧チョッパ回路の制御は種々方法があるが、本実施の形態では、第2のコンデンサ7の電圧Vm2を検出して、第2のコンデンサ7の電圧Vm2を指令値に追従させる方法を用いる。
(About control)
There are various methods for controlling the single buck-boost chopper circuit, but in the present embodiment, a method of detecting the voltage Vm2 of the second capacitor 7 and making the voltage Vm2 of the second capacitor 7 follow the command value Use

図19は、実施の形態6の制御装置10に含まれる制御ブロックの一例を表わす図である。   FIG. 19 is a diagram showing an example of a control block included in control device 10 of the sixth embodiment.

減算器1509は、負荷1402に印加する電圧指令値Vc3から第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2とを減算することによって、差分値SAを出力する。差分値SAは、比例制御器1504と積分制御器1505に入力される。   The subtractor 1509 subtracts the voltage command value Vc3 applied to the load 1402 from the voltage detection value Vm2 of the second capacitor 7 to output a difference value SA. The difference value SA is input to the proportional controller 1504 and the integral controller 1505.

比例制御器1504は、差分値SAを受けて、比例制御値Ptを出力する。
積分制御器1505は、差分値SAを積分制御する。積分制御器1505は、差分値SAを受けて、積分制御値Itを出力する。
The proportional controller 1504 receives the difference value SA and outputs a proportional control value Pt.
The integral controller 1505 performs integral control of the difference value SA. The integral controller 1505 receives the difference value SA and outputs an integral control value It.

加算器1503は、比例制御値Ptと積分制御値Itとを加算し、加算結果を制御信号Ct3として出力する。   The adder 1503 adds the proportional control value Pt and the integral control value It, and outputs the addition result as a control signal Ct3.

比例制御器1504は、入力された差分値SAに、一定の係数k5を掛けることによって得られる比例制御値Ptを出力する。積分制御器1505は、入力された差分値SAに、一定の係数k6を掛けて積分することによって得られる積分制御値Itを出力する。積分制御器1505は、マイコンなどで構成されるため離散的に計算が行われている。したがって、実際には、積分制御器1505は、差分値SAに一定の係数k6を掛けて、この結果と前回に計算された積分制御値Itとの加算結果を今回の積分制御値Itとして出力する。比例制御器1504に含まれる一定の係数k5と積分制御器205に含まれる一定の係数k6は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc3に高速に追従するように設定されるが、その際に安定に動作するようにも調整する必要がある。   The proportional controller 1504 outputs a proportional control value Pt obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k5. The integral controller 1505 outputs an integral control value It obtained by multiplying the input difference value SA by a constant coefficient k6 and integrating. The integration controller 1505 is discretely calculated because it is configured by a microcomputer or the like. Therefore, in practice, integral controller 1505 multiplies difference value SA by constant coefficient k6, and outputs the result of this addition and the previously calculated integral control value It as integral control value It of this time . Although constant coefficient k5 included in proportional controller 1504 and constant coefficient k6 included in integral controller 205 are set such that voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc3 at a high speed, it is stable at that time. Need to be adjusted to work well.

電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc3に追従することが制御の最終的な目的である。電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc3に追従した場合、差分値SAは「0」となる。差分値SAが「0」の場合、比例制御器1504に入力される値は「0」であり、一定の係数k5を掛けても比例制御値Ptは「0」である。積分制御器1505に入力される値も「0」であり、出力される積分制御値Itは、それまでに積分して蓄えられた値となる。但し、負荷1402の変化または電源1401の変化によって、必ずしも電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc3にずれなく追従することは難しいため、多少の差分値SAが残りながら安定的に動作するが、おおよそは積分制御値Itが制御信号Ct3と同等の値となる。積分制御値Itがそのまま制御信号Ct3となり、制御信号Ct3が駆動装置12内で三角波と比較されて駆動信号となる。よって、制御信号Ct3の大きさ、および積分制御値Itの大きさが第1の駆動信号d1のデューティDを表わす。   The final object of control is that the voltage detection value Vm2 follows the voltage command value Vc3. When voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc3, difference value SA is "0". When the difference value SA is “0”, the value input to the proportional controller 1504 is “0”, and the proportional control value Pt is “0” even when multiplied by a constant coefficient k5. The value input to the integration controller 1505 is also “0”, and the output integration control value It is the value integrated and stored up to that time. However, it is difficult for the voltage detection value Vm2 to follow the voltage command value Vc3 without deviation due to a change in the load 1402 or a change in the power supply 1401. Therefore, although some difference value SA remains, it operates stably. The integral control value It is equal to the control signal Ct3. The integral control value It becomes the control signal Ct3 as it is, and the control signal Ct3 is compared with the triangular wave in the drive device 12 to become the drive signal. Therefore, the magnitude of the control signal Ct3 and the magnitude of the integral control value It represent the duty D of the first drive signal d1.

制御信号Ct3は、駆動装置12に送られる。駆動装置12は、制御信号Ct3に基づいて、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とは、それぞれ第1の半導体スイッチング素子1403と第2の半導体スイッチング素子1404に送られる。   The control signal Ct3 is sent to the drive unit 12. The drive device 12 generates a first drive signal d1 and a second drive signal d2 based on the control signal Ct3. The first drive signal d1 and the second drive signal d2 are sent to the first semiconductor switching device 1403 and the second semiconductor switching device 1404, respectively.

制御信号Ct3は、例えば0〜1の範囲の値である。駆動装置12は、入力された制御信号Ct3と、波高値が1で0〜1の範囲でスイッチング周波数と同じ周波数を持つ三角波と信号とを比較することによって、第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2とを生成する。制御信号Ct3が三角波よりも大きな値の期間は、第1の半導体スイッチング素子1403をオン状態とし、制御信号Ct3が三角波よりも小さな値の期間は、第2の半導体スイッチング素子1404をオン状態とする。制御信号Ct3が「1」の場合は常に三角波よりも大きな値であるため、第1の半導体スイッチング素子1403が常時オン状態となり、制御信号Ct3が「0」の場合は常に三角波の方が大きな値であるため、第2の半導体スイッチング素子1404が常時オン状態となる。   The control signal Ct3 is, for example, a value in the range of 0-1. The driving device 12 compares the input control signal Ct3 with a triangular wave having the same frequency as the switching frequency in the range of 0 to 1 with a peak value of 1 to compare the first drive signal d1 with the second drive signal d1. And the driving signal d2 of The first semiconductor switching element 1403 is turned on while the control signal Ct3 has a larger value than the triangular wave, and the second semiconductor switching element 1404 is turned on while the control signal Ct3 has a smaller value than the triangular wave. . The first semiconductor switching element 1403 is always on because the control signal Ct3 is always larger than the triangular wave when the control signal Ct3 is "1", and the triangular wave is always larger when the control signal Ct3 is "0". Therefore, the second semiconductor switching element 1404 is always on.

(起動時の動作)
次に、第2の半導体スイッチング素子1404を同期整流させる場合の電力変換装置100の起動時の動作について説明する。
(Operation at startup)
Next, an operation at the time of startup of the power conversion device 100 in the case of synchronously rectifying the second semiconductor switching element 1404 will be described.

まず、従来の起動時の動作について説明する。
図20は、従来の起動時の電流波形1701および三角波1702を表わす図である。
First, the conventional startup operation will be described.
FIG. 20 is a diagram showing a current waveform 1701 and a triangular wave 1702 at the time of conventional startup.

昇降圧チョッパにおいても、起動時に積分制御器1505に初期値が入力されない場合には、第1の半導体スイッチング素子1403がオン状態となって、リアクトル1407の電流を増加させる期間l″よりも、第2の半導体スイッチング素子1404がオン状態となってリアクトル1407の電流を減少させる期間m″の方が長い。その結果、電源1401から負荷1402に送る電力よりも、負荷1402から電源1401に送る電力の方が大きくなり、負荷1402に必要な電圧を印加させることが出来なくなる。   Also in the step-up / step-down chopper, when the initial value is not input to integration controller 1505 at startup, the first semiconductor switching element 1403 is turned on to increase the current of reactor 1407 rather than period l ′ ′. The period m ′ ′ in which the two semiconductor switching elements 1404 are turned on to reduce the current of the reactor 1407 is longer. As a result, the power sent from the load 1402 to the power supply 1401 becomes larger than the power sent from the power supply 1401 to the load 1402, and it becomes impossible to apply a necessary voltage to the load 1402.

そこで、本実施の形態でも、積分制御器1505に初期値Inを入力した状態で起動することによって、起動時において電流が逆方向に流れる量を抑制する。具体的には、積分制御器1505に初期値Inを入力した状態で起動する。つまり、積分制御器1505が出力する積分制御値Itの初期値をInとする。初期値Inは、以下の方法で求めることができる。   Therefore, also in the present embodiment, by starting with the initial value In input to the integral controller 1505, the amount of current flowing in the reverse direction at the time of start is suppressed. Specifically, activation is performed in the state where the initial value In is input to the integration controller 1505. That is, the initial value of the integral control value It output from the integral controller 1505 is set to In. The initial value In can be obtained by the following method.

積分制御器1505は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値It′から、起動直前の出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2に対応する比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとして用いる。   The integral controller 1505 determines the voltage of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side just before starting from the integral control value It 'when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side reaches the steady state. A value obtained by subtracting a proportional control value Pt 'corresponding to Vm2 is used as an initial value In of the integral control value It.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc3に追従したときの積分制御値It′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値It′は、定常状態での第1の半導体スイッチング素子1403のデューティDを表わす。起動直前における電圧検出値Vm2に対応する比例制御値Pt′は、起動直前における電圧検出値Vm2と電圧指令値Vc3との差分値SAを比例制御器1504に入力することによって、比例制御器1504から出力される値を用いればよい。制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値It′から比例制御値Pt′を減算した値を積分制御値Itの初期値Inとする。これによって、制御信号Ct3の初期値は、Inとなるので、起動時から本来必要な制御信号Ct3が得られる。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value It 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc3. The integral control value It 'represents the duty D of the first semiconductor switching element 1403 in the steady state. The proportional control value Pt 'corresponding to the voltage detection value Vm2 immediately before startup is input from the proportional controller 1504 by inputting the difference value SA between the voltage detection value Vm2 immediately before startup and the voltage command value Vc3 to the proportional controller 1504. The output value may be used. The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value Pt 'from the stored integrated control value It' at the time of tracking as the initial value In of the integral control value It. As a result, the initial value of the control signal Ct3 is In, so that the control signal Ct3 originally required from the time of startup can be obtained.

図21は、実施の形態6の起動時の電流波形1801および三角波1802を表わす図である。   FIG. 21 is a diagram showing a current waveform 1801 and a triangular wave 1802 at startup according to the sixth embodiment.

図21に示すように、本実施の形態では、起動時において、制御信号Ct3は、従来よりも大きな値に設定される。その結果、第1の半導体スイッチング素子1403がオン状態となる期間n″を従来における第1の半導体スイッチング素子1403がオン状態となる期間l″よりも長くすることができる。その結果、本実施の形態では、第2の半導体スイッチング素子1404がオン状態となる期間o″となってもリアクトル1407の電流が逆流しすぎることを抑制できる。   As shown in FIG. 21, in the present embodiment, at the time of startup, control signal Ct3 is set to a value larger than that in the prior art. As a result, the period n ′ ′ in which the first semiconductor switching element 1403 is in the on state can be made longer than the period l ′ ′ in which the first semiconductor switching element 1403 in the related art is in the on state. As a result, in the present embodiment, it is possible to suppress the reverse flow of the current of the reactor 1407 even during the period o ′ ′ where the second semiconductor switching element 1404 is in the on state.

実施の形態6の変形例.
実施の形態2において、実施の形態1における積分制御器の初期値に代えて、DC−DC変換器105の起動直前におけるDC−DC変換器105の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDに応じた値を積分制御器の初期値として用いた。
Modification of Embodiment 6
In the second embodiment, the voltage Vm1 on the input side of the DC-DC converter 105 and the voltage Vm2 on the output side of the DC-DC converter 105 immediately before the start of the DC-DC converter 105, instead of the initial value of the integration controller in the first embodiment. The value corresponding to the duty D of the first semiconductor switching element 1 determined from the above is used as the initial value of the integral controller.

同様に、実施の形態6における積分制御器の初期値に代えて、DC−DC変換器1420の起動直前におけるDC−DC変換器1420の入力側の電圧Vm1と出力側の電圧Vm2とから求めた第1の半導体スイッチング素子1のデューティDを積分制御器の初期値として用いてもよい。   Similarly, instead of the initial value of the integral controller in the sixth embodiment, it is obtained from voltage Vm1 on the input side of DC-DC converter 1420 and voltage Vm2 on the output side immediately before startup of DC-DC converter 1420. The duty D of the first semiconductor switching element 1 may be used as the initial value of the integral controller.

制御装置10に含まれる制御ブロックとして、実施の形態3または実施の形態4で説明したものを用いてもよい。積分制御器に与える初期値についても、実施の形態3または実施の形態4で説明した方法を用いることができる。   As the control block included in the control device 10, one described in the third embodiment or the fourth embodiment may be used. The method described in Embodiment 3 or 4 can be used also for the initial value given to the integral controller.

実施の形態7.
図22は、実施の形態7の電力変換装置1900の構成を表わす図である。
Embodiment 7
FIG. 22 is a diagram showing a configuration of a power conversion device 1900 of a seventh embodiment.

電力変換装置1900は、同期整流が可能なDC−DC変換器1920を備える。DC−DC変換器1920は、昇圧チョッパと降圧チョッパを重ね合わせた回路であり、昇圧も降圧も可能である。   The power converter 1900 includes a DC-DC converter 1920 capable of synchronous rectification. The DC-DC converter 1920 is a circuit in which a step-up chopper and a step-down chopper are superimposed, and can be stepped up or down.

DC−DC変換器1920は、第1のコンデンサ6、リアクトル5、第1の半導体スイッチング素子1、第2の半導体スイッチング素子2、第1のダイオード3、第2のダイオード4、第3の半導体スイッチング素子1903、第4の半導体スイッチング素子1905、第3のダイオード1904、第4のダイオード1906、および第2のコンデンサ7を備える。   The DC-DC converter 1920 includes a first capacitor 6, a reactor 5, a first semiconductor switching device 1, a second semiconductor switching device 2, a first diode 3, a second diode 4, and a third semiconductor switching. An element 1903, a fourth semiconductor switching element 1905, a third diode 1904, a fourth diode 1906, and a second capacitor 7 are provided.

電力変換装置100は、さらに、制御装置10、駆動装置12、第1の電圧検出器8、および第2の電圧検出器9を備える。   Power converter 100 further includes control device 10, drive device 12, first voltage detector 8, and second voltage detector 9.

第1の半導体スイッチング素子1、第2の半導体スイッチング素子2、第3の半導体スイッチング素子1903、第4の半導体スイッチング素子1905は、正極と負極と制御電極とを有する。   The first semiconductor switching device 1, the second semiconductor switching device 2, the third semiconductor switching device 1903, and the fourth semiconductor switching device 1905 have a positive electrode, a negative electrode, and a control electrode.

第1のコンデンサ6の正極側と、電源1901の正極側と、第4の半導体スイッチング素子1905の正極側とが接続される。第1のコンデンサ6の負極側と、電源1901の負極側と、第3の半導体スイッチング素子1903の負極側とが接続される。   The positive electrode side of the first capacitor 6, the positive electrode side of the power supply 1901, and the positive electrode side of the fourth semiconductor switching element 1905 are connected. The negative electrode side of the first capacitor 6, the negative electrode side of the power supply 1901, and the negative electrode side of the third semiconductor switching element 1903 are connected.

第4の半導体スイッチング素子1905の負極側、第3の半導体スイッチング素子1903の正極側、およびリアクトル5の第1の端子P1がノードND2に接続される。   The negative electrode side of the fourth semiconductor switching device 1905, the positive electrode side of the third semiconductor switching device 1903, and the first terminal P1 of the reactor 5 are connected to the node ND2.

第2のコンデンサ7の正極側と、負荷1902の正極側と、第2の半導体スイッチング素子2の正極側とが接続される。第2のコンデンサ7の負極側と、負荷1902の負極側と、第1の半導体スイッチング素子1の負極側とが接続される。   The positive electrode side of second capacitor 7, the positive electrode side of load 1902, and the positive electrode side of second semiconductor switching element 2 are connected. The negative electrode side of the second capacitor 7, the negative electrode side of the load 1902, and the negative electrode side of the first semiconductor switching element 1 are connected.

第2の半導体スイッチング素子2の負極側、第1の半導体スイッチング素子1の正極側、およびリアクトル5の第2の端子P2がノードND1に接続される。   The negative electrode side of the second semiconductor switching device 2, the positive electrode side of the first semiconductor switching device 1, and the second terminal P2 of the reactor 5 are connected to the node ND1.

第1の電圧検出器8は、第1のコンデンサ6の両端の電圧Vm1を検出する。第2の電圧検出器9は、第2のコンデンサ7の両端の電圧Vm2を検出する。   The first voltage detector 8 detects the voltage Vm1 across the first capacitor 6. The second voltage detector 9 detects the voltage Vm2 across the second capacitor 7.

第1の半導体スイッチング素子1の制御電極には、第1の駆動信号d1が入力される。第1の駆動信号d1によって、第1の半導体スイッチング素子1がオンおよびオフ動作する。第2の半導体スイッチング素子2の制御電極には、第2の駆動信号d2が入力される。第2の駆動信号d2によって、第2の半導体スイッチング素子2がオンおよびオフ動作する。第3の半導体スイッチング素子1903の制御電極には、第3の駆動信号d3が入力される。第3の駆動信号d3によって、第3の半導体スイッチング素子1903がオンおよびオフ動作する。第4の半導体スイッチング素子1905の制御電極には、第4の駆動信号d4が入力される。第4の駆動信号d4によって、第4の半導体スイッチング素子1905がオンおよびオフ動作する。第1の駆動信号d1、第2の駆動信号d2、第3の駆動信号d3、および第4の駆動信号d4は、駆動装置12から出力される。駆動装置12は、制御信号Ct3によって駆動される。制御信号Ct3は、制御装置10によって生成される。制御装置10には、第1の電圧検出器8で検出された電圧Vm1と第2の電圧検出器9で検出された電圧Vm2とが入力される。   The first drive signal d1 is input to the control electrode of the first semiconductor switching element 1. The first semiconductor switching element 1 is turned on and off by the first drive signal d1. The second drive signal d2 is input to the control electrode of the second semiconductor switching element 2. The second semiconductor switching element 2 is turned on and off by the second drive signal d2. The third drive signal d3 is input to the control electrode of the third semiconductor switching element 1903. The third semiconductor switching element 1903 is turned on and off by the third drive signal d3. The fourth drive signal d4 is input to the control electrode of the fourth semiconductor switching element 1905. The fourth semiconductor switching element 1905 is turned on and off by the fourth drive signal d4. The first drive signal d1, the second drive signal d2, the third drive signal d3, and the fourth drive signal d4 are output from the drive device 12. The driving device 12 is driven by the control signal Ct3. The control signal Ct3 is generated by the controller 10. The control device 10 receives the voltage Vm1 detected by the first voltage detector 8 and the voltage Vm2 detected by the second voltage detector 9.

電源1901は、直流安定化電源または2次電池のような充放電が可能な電源、または太陽電池などである。なお、電源101が接続される代わりに、負荷が接続されてもよい。   The power supply 1901 is a DC stabilized power supply or a chargeable / dischargeable power supply such as a secondary battery or a solar cell. Note that instead of the power supply 101 being connected, a load may be connected.

負荷1902は、電力を消費するだけの負荷、充放電が可能な2次電池、直流負荷、インバータが接続された負荷、またはインバータの先に系統が接続された系統連系機器などである。   The load 1902 is a load that only consumes power, a secondary battery capable of charging and discharging, a DC load, a load to which an inverter is connected, or a grid-connected device whose grid is connected to the end of the inverter.

本実施の形態の電力変換装置1900でも、実施の形態6または実施の形態6の変形例と同様に、積分制御器に初期値Inを入力した状態で起動することによって、起動時において電流が逆方向に流れる量を抑制することができる。   In power conversion device 1900 of the present embodiment as well, as in the sixth embodiment or the modification of sixth embodiment, the current is reversed at startup by starting with the initial value In input to the integral controller. The amount of flow in the direction can be suppressed.

実施の形態8.
図23は、実施の形態8の電力変換装置2000の構成を表わす図である。
Eighth Embodiment
FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a power conversion device 2000 of the eighth embodiment.

電力変換装置200は、電源2001および負荷2002に接続される。
電源2001は、直流安定化電源または2次電池のような充放電が可能な電源、または太陽電池などである。なお、電源101が接続される代わりに、負荷が接続されてもよい。
Power converter 200 is connected to power supply 2001 and load 2002.
The power supply 2001 is a DC stabilized power supply or a chargeable / dischargeable power supply such as a secondary battery or a solar cell. Note that instead of the power supply 101 being connected, a load may be connected.

負荷2002は、電力を消費するだけの負荷、充放電が可能な2次電池、直流負荷、インバータが接続された負荷、またはインバータの先に系統が接続された系統連系機器などである。   The load 2002 is a load that only consumes power, a secondary battery capable of charging and discharging, a DC load, a load to which an inverter is connected, or a grid-connected device whose grid is connected to the end of the inverter.

電力変換装置2000は、並列に接続された3つのDC−DC変換器2021,2022,2023を備える。3個のDC−DC変換器2021,2022,2023によって供給する電力を分担するので、1つのDC−DC変換器の電力容量を低減できる。ここでは3つの並列を行っているが3つの並列だけではなく2つ以上の複数のDC−DC変換器を並列接続することで1つのDC−DC変換器の電力容量を低減できる。   The power converter 2000 includes three DC-DC converters 2021, 2022, and 2023 connected in parallel. Since the power supplied by the three DC-DC converters 2021, 2022, and 2023 is shared, the power capacity of one DC-DC converter can be reduced. Here, although three parallels are performed, power capacity of one DC-DC converter can be reduced by connecting two or more plural DC-DC converters in parallel instead of three parallels in parallel.

DC−DC変換器2021は、リアクトル2003、第1の半導体スイッチング素子2006、第2の半導体スイッチング素子2007、第1のダイオード2008、および第2のダイオード2009を備える。DC−DC変換器2022は、リアクトル2004、第3の半導体スイッチング素子2010、第4の半導体スイッチング素子2011、第3のダイオード2012、および第4のダイオード2013を備える。DC−DC変換器2023は、リアクトル2005、第5の半導体スイッチング素子2014、第6の半導体スイッチング素子2015、第5のダイオード2016、および第6のダイオード2017を備える。   The DC-DC converter 2021 includes a reactor 2003, a first semiconductor switching device 2006, a second semiconductor switching device 2007, a first diode 2008, and a second diode 2009. The DC-DC converter 2022 includes a reactor 2004, a third semiconductor switching device 2010, a fourth semiconductor switching device 2011, a third diode 2012, and a fourth diode 2013. The DC-DC converter 2023 includes a reactor 2005, a fifth semiconductor switching element 2014, a sixth semiconductor switching element 2015, a fifth diode 2016, and a sixth diode 2017.

電力変換装置2000は、さらに、第1のコンデンサ6、第2のコンデンサ7、制御装置10、駆動装置12、第1の電圧検出器8、および第2の電圧検出器9を備える。   Power conversion device 2000 further includes a first capacitor 6, a second capacitor 7, a control device 10, a drive device 12, a first voltage detector 8, and a second voltage detector 9.

電源2001の正極側、第1のコンデンサ6の正極側、リアクトル2003の第1の端子P1、リアクトル2004の第1の端子P3、およびリアクトル2005の第1の端子P5が接続される。電源2001の負極側、第1のコンデンサ6の負極側、第1の半導体スイッチング素子2006の負極側、第3の半導体スイッチング素子2010の負極側、第5の半導体スイッチング素子2014の負極側、第2のコンデンサ7の負極側、および負荷2002の負極側が接続される。負荷2002の正極側、第2のコンデンサ7の正極側、第2の半導体スイッチング素子2007の正極側、第4の半導体スイッチング素子2011の正極側、および第6の半導体スイッチング素子2015の正極側が接続される。   The positive electrode side of power supply 2001, the positive electrode side of first capacitor 6, first terminal P1 of reactor 2003, first terminal P3 of reactor 2004, and first terminal P5 of reactor 2005 are connected. The negative side of the power supply 2001, the negative side of the first capacitor 6, the negative side of the first semiconductor switching device 2006, the negative side of the third semiconductor switching device 2010, the negative side of the fifth semiconductor switching device 2014, the second The negative side of the capacitor 7 and the negative side of the load 2002 are connected. The positive side of load 2002, the positive side of second capacitor 7, the positive side of second semiconductor switching element 2007, the positive side of fourth semiconductor switching element 2011, and the positive side of sixth semiconductor switching element 2015 are connected. Ru.

第1の半導体スイッチング素子2006の正極側、第2の半導体スイッチング素子2007の負極側、およびリアクトル2003の第2の端子P2がノードND1に接続される。第3の半導体スイッチング素子2010の正極側、第4の半導体スイッチング素子2011の負極側、およびリアクトル2004の第2の端子P4がノードND2に接続される。第5の半導体スイッチング素子2014の正極側、第6の半導体スイッチング素子2015の負極側、およびリアクトル2005の第2の端子P6がノードND3に接続される。   The positive electrode side of the first semiconductor switching device 2006, the negative electrode side of the second semiconductor switching device 2007, and the second terminal P2 of the reactor 2003 are connected to the node ND1. The positive electrode side of the third semiconductor switching device 2010, the negative electrode side of the fourth semiconductor switching device 2011, and the second terminal P4 of the reactor 2004 are connected to the node ND2. The positive electrode side of the fifth semiconductor switching device 2014, the negative electrode side of the sixth semiconductor switching device 2015, and the second terminal P6 of the reactor 2005 are connected to the node ND3.

第1の半導体スイッチング素子2006には逆並列に第1のダイオード2008が接続される。第2の半導体スイッチング素子2007には逆並列に第2のダイオード2009が接続される。第3の半導体スイッチング素子2010には逆並列に第3のダイオード2012が接続される。第4の半導体スイッチング素子2011には逆並列に第4のダイオード2013が接続される。第5の半導体スイッチング素子2014には逆並列に第5のダイオード2016が接続される。第6の半導体スイッチング素子2015には逆並列に第6のダイオード2017が接続される。   A first diode 2008 is connected in antiparallel to the first semiconductor switching element 2006. A second diode 2009 is connected to the second semiconductor switching element 2007 in antiparallel. A third diode 2012 is connected to the third semiconductor switching element 2010 in antiparallel. The fourth diode 2013 is connected in antiparallel to the fourth semiconductor switching element 2011. A fifth diode 2016 is connected to the fifth semiconductor switching element 2014 in antiparallel. The sixth diode 2017 is connected in antiparallel to the sixth semiconductor switching element 2015.

第1の電圧検出器8は、第1のコンデンサ6の両端の電圧Vm1を検出する。第2の電圧検出器9は、第2のコンデンサ7の両端の電圧Vm2を検出する。第1の電流検出器251は、第1のコンデンサ6の正極と、リアクトル2003の第1の端子P1との間を流れる電流ImAを検出する。第2の電流検出器252は、第1のコンデンサ6の正極と、リアクトル2004の第1の端子P3との間を流れる電流ImBを検出する。第3の電流検出器253は、第1のコンデンサ6の正極と、リアクトル2005の第1の端子P5との間を流れる電流ImCを検出する。   The first voltage detector 8 detects the voltage Vm1 across the first capacitor 6. The second voltage detector 9 detects the voltage Vm2 across the second capacitor 7. The first current detector 251 detects a current ImA flowing between the positive electrode of the first capacitor 6 and the first terminal P1 of the reactor 2003. The second current detector 252 detects a current ImB flowing between the positive electrode of the first capacitor 6 and the first terminal P3 of the reactor 2004. The third current detector 253 detects a current ImC flowing between the positive electrode of the first capacitor 6 and the first terminal P5 of the reactor 2005.

第1の半導体スイッチング素子2006の制御電極には、第1の駆動信号d1が入力される。第1の駆動信号d1によって、第1の半導体スイッチング素子2006がオンおよびオフ動作する。第2の半導体スイッチング素子2007の制御電極には、第2の駆動信号d2が入力される。第2の駆動信号d2によって、第2の半導体スイッチング素子2007がオンおよびオフ動作する。第3の半導体スイッチング素子2010の制御電極には、第3の駆動信号d3が入力される。第3の駆動信号d3によって、第3の半導体スイッチング素子2010がオンおよびオフ動作する。第4の半導体スイッチング素子2011の制御電極には、第4の駆動信号d4が入力される。第4の駆動信号d4によって、第4の半導体スイッチング素子2011がオンおよびオフ動作する。第5の半導体スイッチング素子2014の制御電極には、第5の駆動信号d5が入力される。第5の駆動信号d5によって、第5の半導体スイッチング素子2014がオンおよびオフ動作する。第6の半導体スイッチング素子2015の制御電極には、第6の駆動信号d6が入力される。第6の駆動信号d6によって、第6の半導体スイッチング素子2015がオンおよびオフ動作する。   The first drive signal d1 is input to the control electrode of the first semiconductor switching element 2006. The first semiconductor switching element 2006 is turned on and off by the first drive signal d1. The second drive signal d2 is input to the control electrode of the second semiconductor switching element 2007. The second semiconductor switching element 2007 is turned on and off by the second drive signal d2. The third drive signal d3 is input to the control electrode of the third semiconductor switching element 2010. The third semiconductor switching element 2010 is turned on and off by the third drive signal d3. The fourth drive signal d4 is input to the control electrode of the fourth semiconductor switching element 2011. The fourth semiconductor switching element 2011 is turned on and off by the fourth drive signal d4. The fifth drive signal d5 is input to the control electrode of the fifth semiconductor switching element 2014. The fifth semiconductor switching element 2014 is turned on and off by the fifth drive signal d5. The sixth drive signal d6 is input to the control electrode of the sixth semiconductor switching element 2015. The sixth semiconductor switching element 2015 is turned on and off by the sixth drive signal d6.

第1の半導体スイッチング素子2006と第2の半導体スイッチング素子2007をそれぞれ駆動する第1の駆動信号d1と第2の駆動信号d2は、デッドタイムを有する相補的な信号である。第3の半導体スイッチング素子2010と第4の半導体スイッチング素子2011をそれぞれ駆動する第3の駆動信号d3と第4の駆動信号d4は、デッドタイムを有する相補的な信号である。第5の半導体スイッチング素子2014と第6の半導体スイッチング素子2015をそれぞれ駆動する第5の駆動信号d5と第6の駆動信号d6は、デッドタイムを有する相補的な信号である。   The first drive signal d1 and the second drive signal d2 for driving the first semiconductor switching device 2006 and the second semiconductor switching device 2007, respectively, are complementary signals having a dead time. The third drive signal d3 and the fourth drive signal d4 for driving the third semiconductor switching device 2010 and the fourth semiconductor switching device 2011, respectively, are complementary signals having a dead time. The fifth drive signal d5 and the sixth drive signal d6 for driving the fifth semiconductor switching device 2014 and the sixth semiconductor switching device 2015, respectively, are complementary signals having a dead time.

駆動装置12は、制御信号CtAに基づいて、第1の駆動信号d1および第2の駆動信号d2を生成する。駆動装置12は、制御信号CtBに基づいて、第3の駆動信号d3および第4の駆動信号d4を生成する。駆動装置12は、制御信号CtCに基づいて、第5の駆動信号d5および第6の駆動信号d6を生成する。制御信号CtA,CtB,CtCは、制御装置10によって生成される。   The drive device 12 generates a first drive signal d1 and a second drive signal d2 based on the control signal CtA. The drive device 12 generates a third drive signal d3 and a fourth drive signal d4 based on the control signal CtB. The drive device 12 generates a fifth drive signal d5 and a sixth drive signal d6 based on the control signal CtC. Control signals CtA, CtB and CtC are generated by the controller 10.

制御装置10は、電力変換装置2000の出力側の電圧、すなわち第2のコンデンサ7の電圧Vm2が出力側の電圧指令値と等しくなるように、第1の半導体スイッチング素子2006のデューティDAを表わす制御信号CtA、第3の半導体スイッチング素子2010のデューティDBを表わす制御信号CtB、第5の半導体スイッチング素子2014のデューティDCを表わす制御信号CtCを出力する。   Control device 10 performs control representing duty DA of first semiconductor switching element 2006 such that the voltage on the output side of power conversion device 2000, that is, voltage Vm2 of second capacitor 7 becomes equal to the voltage command value on the output side. A signal CtA, a control signal CtB representing a duty DB of the third semiconductor switching element 2010, and a control signal CtC representing a duty DC of the fifth semiconductor switching element 2014 are output.

制御装置10は、電力変換装置2000の出力側の電圧が定常状態に達するときの第1の半導体スイッチング素子2006のデューティDAに応じた値を積分制御器の初期値として用いる。制御装置10は、電力変換装置2000の出力側の電圧が定常状態に達するときの第3の半導体スイッチング素子2010のデューティDBに応じた値を積分制御器の初期値として用いる。制御装置10は、電力変換装置2000の出力側の電圧が定常状態に達するときの第5の半導体スイッチング素子2014のデューティDCに応じた値を積分制御器の初期値として用いる。   Control device 10 uses a value according to duty DA of first semiconductor switching element 2006 when the voltage on the output side of power conversion device 2000 reaches a steady state as an initial value of the integral controller. The control device 10 uses a value corresponding to the duty DB of the third semiconductor switching element 2010 when the voltage on the output side of the power conversion device 2000 reaches a steady state as an initial value of the integration controller. The control device 10 uses a value according to the duty DC of the fifth semiconductor switching element 2014 when the voltage on the output side of the power conversion device 2000 reaches the steady state as an initial value of the integration controller.

駆動装置12は、制御信号CtAと比較の対象となる三角波TA、制御信号CtBと比較の対象となる三角波TB、制御信号CtCと比較の対象となる三角波TCを生成するサ三角波TA、TB、TCの位相を等間隔でずらすことによって、2つの半導体スイッチング素子がそれぞれオン状態となるタイミング、すなわちスイッチング位相がDC−DC変換回路ごとにずれる。その結果、リアクトル2003を流れる電流リプルの位相と、リアクトル2004を流れる電流リプルの位相と、リアクトル2005を流れる電流リプルの位相とがずれることになる。これによって、電源2001、第1のコンデンサ6、第2のコンデンサ7、および負荷2002には、位相がすれた複数の電流が入力される。互いに電流の増減を打ち消しあうように動作する期間が発生し、結果として電流のリプルが低減して動作することができる。   The driving device 12 generates a triangular wave TA to be compared with the control signal CtA, a triangular wave TB to be compared with the control signal CtB, and triangular waves TA, TB, TC to generate a triangular wave TC to be compared with the control signal CtC. When the two semiconductor switching elements are turned on, that is, the switching phase is shifted for each DC-DC conversion circuit, by shifting the phases of at regular intervals. As a result, the phase of the current ripple flowing through the reactor 2003, the phase of the current ripple flowing through the reactor 2004, and the phase of the current ripple flowing through the reactor 2005 are shifted. As a result, a plurality of currents out of phase are input to the power supply 2001, the first capacitor 6, the second capacitor 7, and the load 2002. It is possible to operate to cancel the increase and decrease of the current and to reduce the current ripple as a result.

電力変換装置2000は、3個のDC-DC変換回路2001〜2003を備えるため、電流を制御する必要がある。仮に、制御信号CtA、CtB、CtCが全て同一であった場合、半導体スイッチング素子のオンとオフ動作のわずかなズレ、または部品のばらつきによって厳密には同一のデューティとはならずに、ある1つのDC−DC変換回路に電流が偏るという現象が発生してしまう。そのため、各DC−DC変換回路の電流を制御する必要がある。電流を制御する方法は、同一のDC−DC変換回路を複数並列とした場合は電流をバランスさせる方法が一般的である。その他の方法として、各DCーDC変換回路がそれぞれある定めた電流に到達したときにそのコンバータの電流を定めた電流のまま維持するように制御する方法、各DC−DC変換回路に流せる最大電流を決めておき、それ以上電流が増加しないようにクランプさせる制御方法などがある。   Since the power conversion device 2000 includes the three DC-DC conversion circuits 2001 to 2003, it is necessary to control the current. If all the control signals CtA, CtB and CtC are identical, a slight deviation of the on / off operation of the semiconductor switching element or a variation in parts does not result in exactly the same duty. A phenomenon occurs in which the current is biased to the DC-DC conversion circuit. Therefore, it is necessary to control the current of each DC-DC conversion circuit. The method of controlling the current is generally a method of balancing the current when a plurality of identical DC-DC conversion circuits are arranged in parallel. As another method, there is a method of controlling each DC-DC conversion circuit to keep the current of the converter as it is when it reaches a predetermined current, the maximum current that can be supplied to each DC-DC conversion circuit There is a control method of clamping so that the current does not increase any more.

図24は、実施の形態8の制御装置10に含まれる制御ブロックの例を表わす図である。   FIG. 24 is a diagram showing an example of a control block included in control device 10 of the eighth embodiment.

減算器2101は、第2のコンデンサ7の電圧指令値Vc2から第2のコンデンサ7の電圧検出値Vm2を減算することによって、差分値SAを出力する。差分値SAは、比例制御器2104と積分制御器2105に入力される。   The subtractor 2101 subtracts the voltage detection value Vm2 of the second capacitor 7 from the voltage command value Vc2 of the second capacitor 7 to output a difference value SA. The difference value SA is input to the proportional controller 2104 and the integral controller 2105.

比例制御器2104は、差分値SAを受けて、比例制御値Ptを出力する。
積分制御器2105は、差分値SAを積分制御する。積分制御器205は、差分値SAを受けて、積分制御値Itを出力する。
The proportional controller 2104 receives the difference value SA and outputs a proportional control value Pt.
The integral controller 2105 performs integral control of the difference value SA. The integral controller 205 receives the difference value SA and outputs an integral control value It.

加算器2102は、比例制御値Ptと積分制御値Itとを加算し、加算結果WAを出力する。   The adder 2102 adds the proportional control value Pt and the integral control value It, and outputs the addition result WA.

除算器2111が、加算結果WAを「3」で除算することによって、各DC−DC変換回路の電流指令値Icを出力する。WAは3つのDC−DC変換回路のそれぞれのリアクトルに流れる電流の合計である。DC−DC変換回路が3つであり、各DC−DC変換回路の電流を同一とするために3で除算している。   The divider 2111 outputs the current command value Ic of each DC-DC conversion circuit by dividing the addition result WA by “3”. WA is the sum of the currents flowing in the reactors of the three DC-DC conversion circuits. There are three DC-DC conversion circuits, and the currents of the respective DC-DC conversion circuits are divided by 3 to make them identical.

減算器2401は、電流指令値Icと、リアクトル2003を流れる電流検出値ImAとの差分値SaAを求める。   Subtractor 2401 obtains difference value SaA between current command value Ic and current detection value ImA flowing through reactor 2003.

比例制御器2115は、差分値SaAを受けて、比例制御値PtAを出力する。
積分制御器2116は、差分値SaAを受けて、積分制御値ItAを出力する。
The proportional controller 2115 receives the difference value SaA and outputs a proportional control value PtA.
The integral controller 2116 receives the difference value SaA and outputs an integral control value ItA.

加算器2404が、比例制御値PtAと積分制御値ItAとを加算し、加算結果をデューティDAを表わす制御信号CtAとして出力する。   The adder 2404 adds the proportional control value PtA and the integral control value ItA, and outputs the addition result as a control signal CtA representing the duty DA.

減算器2402は、電流指令値Icと、リアクトル2004を流れる電流検出値ImBとの差分値SaBを求める。   Subtractor 2402 obtains difference value SaB between current command value Ic and current detection value ImB flowing through reactor 2004.

比例制御器2122は、差分値SaBを受けて、比例制御値PtBを出力する。
積分制御器2123は、差分値SaBを受けて、積分制御値ItBを出力する。
The proportional controller 2122 receives the difference value SaB and outputs a proportional control value PtB.
The integral controller 2123 receives the difference value SaB and outputs an integral control value ItB.

加算器2405が、比例制御値PtBと積分制御値ItBとを加算し、加算結果をデューティDBを表わす制御信号CtBとして出力する。   The adder 2405 adds the proportional control value PtB and the integral control value ItB, and outputs the addition result as a control signal CtB representing the duty DB.

減算器2403は、電流指令値Icと、リアクトル2005を流れる電流検出値ImCとの差分値SaCを求める。   Subtractor 2403 obtains difference value SaC between current command value Ic and current detection value ImC flowing through reactor 2005.

比例制御器2129は、差分値SaCを受けて、比例制御値PtCを出力する。
積分制御器2130は、差分値SaCを受けて、積分制御値ItCを出力する。
The proportional controller 2129 receives the difference value SaC and outputs a proportional control value PtC.
Integral controller 2130 receives difference value SaC and outputs integral control value ItC.

加算器2406が、比例制御値PtCと積分制御値ItCとを加算し、加算結果をデューティDCを表わす制御信号CtCとして出力する。   An adder 2406 adds the proportional control value PtC and the integral control value ItC, and outputs the addition result as a control signal CtC representing a duty DC.

3個のDC−DC変換回路2001,2002,2003によって電流を分担する場合には、起動時に電流が逆流するような動作が発生すると、負荷2002への電力が供給できないことだけでなく、各DC−DC変換回路の電流バランスがうまく効かずに1つのDC−DC変換回路に電流が集中してしまう。したがって、本実施の形態でも、積分制御器2116,2123,2130に初期値InA,InB,InCを与える。   In the case where the current is shared by the three DC-DC conversion circuits 2001, 2002, and 2003, not only the power to the load 2002 can not be supplied but also each DC if an operation that causes the current to reverse occurs at startup. The current is concentrated in one DC-DC conversion circuit because the current balance of the DC conversion circuit does not work well. Therefore, in the present embodiment as well, initial values InA, InB and InC are given to integral controllers 2116, 2123 and 2130.

積分制御器2116は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値ItA′から、電流指令値Icと電流検出値ImAから求まる比例制御値PtA′を減算した値を積分制御値ItAの初期値として用いる。   The integral controller 2116 is a proportional control value PtA 'determined from the current command value Ic and the current detection value ImA from the integral control value ItA' when the voltage Vm2 of the second capacitor 7 which is the voltage on the output side reaches a steady state. The value obtained by subtracting is used as the initial value of the integral control value ItA.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値ItA′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値ItA′は、定常状態での第1の半導体スイッチング素子2006のデューティDAを表わす。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value ItA 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2. This integral control value ItA 'represents the duty DA of the first semiconductor switching element 2006 in the steady state.

制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値ItA′から比例制御値PtA′を減算した値を積分制御値ItAの初期値InAとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号CtAが得られる。   The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value PtA ′ from the stored follow-up integral control value ItA ′ as an initial value InA of the integral control value ItA. As a result, the control signal CtA originally required from the start-up can be obtained.

また、上記では比例制御値PtA′を減算した値を積分制御値ItAの初期値InAとしているが、比例制御値PtA′を減算せずに初期値InAとすることも可能である。この場合、比例制御値PtA′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値PtA′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value PtA ′ is set as the initial value InA of the integral control value ItA in the above description, it is also possible to set the initial value InA without subtracting the proportional control value PtA ′. In this case, the error increases as compared with the case where the proportional control value PtA ′ is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value PtA ′ can be reduced, so that the application is easily possible.

積分制御器2123は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値ItB′から、比例制御値PtB′を減算した値を積分制御値ItBの初期値として用いる。   Integral controller 2123 is a unit that subtracts proportional control value PtB 'from integral control value ItB' when voltage Vm2 of second capacitor 7, which is the voltage on the output side, reaches a steady state, the initial value of integral control value ItB. Used as a value.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値ItB′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値ItB′は、定常状態での第3の半導体スイッチング素子2010のデューティDBを表わす。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value ItB 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2. The integral control value ItB 'represents the duty DB of the third semiconductor switching element 2010 in the steady state.

制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値ItB′から比例制御値PtB′を減算した値を積分制御値ItBの初期値InBとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号CtBが得られる。   The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value PtB ′ from the stored follow-up integral control value ItB ′ as an initial value InB of the integral control value ItB. As a result, the control signal CtB originally required from the start-up can be obtained.

また、上記では比例制御値PtB′を減算した値を積分制御値ItBの初期値InBとしているが、比例制御値PtB′を減算せずに初期値InBとすることも可能である。この場合、比例制御値PtB′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値PtB′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value PtB ′ is used as the initial value InB of the integral control value ItB in the above description, it is also possible to use the initial value InB without subtracting the proportional control value PtB ′. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value PtB 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value PtB' can be reduced, so that the application is easily possible.

積分制御器2130は、出力側の電圧である第2のコンデンサ7の電圧Vm2が定常状態に達するときの積分制御値ItC′から、比例制御値PtC′を減算した値を積分制御値ItCの初期値として用いる。   Integral controller 2130 is configured by subtracting a proportional control value PtC 'from integral control value ItC' when voltage Vm2 of second capacitor 7, which is the voltage on the output side, reaches a steady state, as an initial value of integral control value ItC. Used as a value.

具体的には、制御装置10は、電圧検出値Vm2が電圧指令値Vc2に追従したときの積分制御値ItC′を予め特定し記憶しておく。この積分制御値ItC′は、定常状態での第5の半導体スイッチング素子2014のデューティDCを表わす。   Specifically, control device 10 specifies and stores in advance integral control value ItC 'when voltage detection value Vm2 follows voltage command value Vc2. This integral control value ItC 'represents the duty DC of the fifth semiconductor switching element 2014 in the steady state.

制御装置10は、記憶している追従したときの積分制御値ItC′から比例制御値PtC′を減算した値を積分制御値ItCの初期値InCとする。これによって、起動時から本来必要な制御信号CtCが得られる。   The control device 10 sets a value obtained by subtracting the proportional control value PtC 'from the stored integrated control value ItC' at the time of tracking as the initial value InC of the integral control value ItC. As a result, the control signal CtC which is originally required from the start-up can be obtained.

また、上記では比例制御値PtC′を減算した値を積分制御値ItCの初期値InCとしているが、比例制御値PtC′を減算せずに初期値InCとすることも可能である。この場合、比例制御値PtC′を減算した場合と比較して誤差が増加するが比例制御値PtC′の減算を行う計算量を低減することが出来るため容易に適用が可能である。   Further, although the value obtained by subtracting the proportional control value PtC 'is used as the initial value InC of the integral control value ItC in the above description, it is also possible to use the initial value InC without subtracting the proportional control value PtC'. In this case, the error is increased as compared with the case where the proportional control value PtC 'is subtracted, but the amount of calculation for subtracting the proportional control value PtC' can be reduced, so that the application is easily possible.

以上によって、起動時に電流が逆流することを抑制することができるとともに、電流をバランスさせて起動させることができる。   According to the above, it is possible to suppress the backflow of the current at the time of startup, and it is possible to balance and start the current.

なお、電流がある値を超えるごとに、動作させるDC−DC変換回路の数を増加させたり、DC−DC変換回路の効率が最も良い動作をするように電流バランスを調整する方法を用いてもよい。   Even when the current exceeds a certain value, the number of DC-DC conversion circuits to be operated is increased, or even if the method of adjusting the current balance is performed so that the efficiency of the DC-DC conversion circuits is the best. Good.

その他の変形例.
上記の実施形態では、比例制御値Ptと積分制御値Itの和をデューティDとして出力したが、これに限定されるものではない。
Other Modifications.
In the above embodiment, although the sum of the proportional control value Pt and the integral control value It is output as the duty D, the present invention is not limited to this.

制御方法はその他にも考えられる。指令値に関しては第1のコンデンサ6の電圧を指令値に追従させるように動作させる方法、リアクトル5の電流を指令値に追従させるように動作させる方法を用いてもよい。   Other control methods are conceivable. With regard to the command value, a method of operating the voltage of the first capacitor 6 to follow the command value or a method of operating the current of the reactor 5 to follow the command value may be used.

電流の検出箇所に関しては、リアクトル5の電流検出を行う他に、たとえば、第1の半導体スイッチング素子1の電流を検出する方法、第2の半導体スイッチング素子2の電流を検出する方法を用いてもよい。このとき第1のダイオード3および第2のダイオード4の電流も合わせて検出される。また、第2のコンデンサ7の負極と第1の半導体スイッチング素子1の負極側間の電流を検出する方法、第2のコンデンサ7の正極と第2の半導体スイッチング素子2の正極側間の電流を検出する方法、第1のコンデンサ6の負極側と電源101の負極側間の電流を検出する方法、電源101の電流を検出する方法を用いてもよい。   For the current detection point, in addition to the current detection of reactor 5, a method of detecting the current of first semiconductor switching element 1 or a method of detecting the current of second semiconductor switching element 2 may be used, for example. Good. At this time, the currents of the first diode 3 and the second diode 4 are also detected together. Further, a method of detecting the current between the negative electrode of the second capacitor 7 and the negative electrode side of the first semiconductor switching device 1, the current between the positive electrode of the second capacitor 7 and the positive electrode of the second semiconductor switching device 2 A method of detection, a method of detecting the current between the negative electrode of the first capacitor 6 and the negative electrode of the power supply 101, and a method of detecting the current of the power supply 101 may be used.

制御ブロックに含まれる制御器の種類は、比例制御器と積分制御器のみとしたが、制御ブロックに微分制御器を追加することも可能である。   The type of controller included in the control block is only a proportional controller and an integral controller, but it is also possible to add a differential controller to the control block.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is indicated not by the above description but by the claims, and is intended to include all the modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.

1,2,1403,1404,1903,1904,2006,2007,2010,2011,2014,2015 半導体スイッチング素子、3,4,1405,1406,1905,1906,2008,2009,2012,2013,2016,2017 ダイオード、5,1407,2003,2004,2005 リアクトル、6,7 コンデンサ、8,9 電圧検出器、10 制御装置、12 駆動装置、100,1400,1900,2000 電力変換装置、101,802,1401,1901,2001 電源、102,801,1402,1902,2002 負荷、105,1420,1920,2021,2022,2023 DC−DC変換器、203,206,1503,2102,2404,2405,2406 加算器、204,913,1504,2104,2115,2122,2129 比例制御器、205,914,1505,2105,2116,2123,2130 積分制御器、208,2111 除算器、207,209,1509,2401,2402,2403 減算器、251,252,253 電流検出器。   1, 2, 1403, 1404, 1903, 1904, 2006, 2007, 2010, 2011, 2014, 2015 Semiconductor switching elements, 3, 4, 1405, 1406, 1905, 1906, 2008, 2009, 2012, 2013, 2016, 2017 Diode, 5, 1407, 2003, 2004, 2005 Reactor, 6, 7 Capacitor, 8, 9, Voltage detector, 10 Controller, 12 Drive device, 100, 1400, 1900, 2000 Power converter, 101, 802, 1401, 1901, 2001 Power supply, 102, 801, 1402, 1902, 2002 Load, 105, 1420, 1920, 2021, 2022, 2023 DC-DC converter, 203, 206, 1503, 2102, 2404, 2405, 240 6 Adder, 204, 913, 1504, 2104, 2115, 2122, 2129 proportional controller, 205, 914, 1505, 2105, 2116, 2123, 2130 integral controller, 208, 2111 divider, 207, 209, 1509, 2401, 2402, 2403 Subtractor, 251, 252, 253 Current detector.

Claims (21)

同期整流が可能であって、直列接続された第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子とを含むDC−DC変換器と、
前記DC−DC変換器の定められた箇所の電圧が電圧指令値と等しくなるように、前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のデューティを表わす制御信号を出力する制御装置と、
前記制御信号に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子を駆動するための駆動装置とを備え、
前記制御装置は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のデューティに応じた値を前記制御信号の初期値として用いる、電力変換装置。
A DC-DC converter capable of synchronous rectification and including a first semiconductor switching device and a second semiconductor switching device connected in series;
A control device which outputs a control signal representing a duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element such that a voltage of a predetermined portion of the DC-DC converter becomes equal to a voltage command value; ,
And a driving device for driving the first semiconductor switching device and the second semiconductor switching device based on the control signal.
The control device uses, as an initial value of the control signal, a value according to a duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element when the voltage of the determined point reaches a steady state. Power converter.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算し、加算結果を前記制御信号として出力する加算器とを含み、
前記積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記積分制御値または前記積分制御値と係数との積を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
And an adder for adding the proportional control value and the integral control value and outputting the addition result as the control signal.
The integral controller according to claim 1, wherein the integral controller uses the integral control value when the voltage at the determined point reaches a steady state or a product of the integral control value and a coefficient as an initial value of the integral control value. Power converter.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算し、加算結果を前記制御信号として出力する加算器とを含み、
前記積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記積分制御値または前記積分制御値と係数との積から、前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記比例制御値を減算した値を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
And an adder for adding the proportional control value and the integral control value and outputting the addition result as the control signal.
The integral controller determines the predetermined value immediately before the start of the DC-DC converter from the integral control value when the voltage at the determined point reaches a steady state or the product of the integral control value and a coefficient. The power converter according to claim 1, wherein a value obtained by subtracting the proportional control value corresponding to a voltage at a point is used as an initial value of the integral control value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算し、加算結果を前記制御信号として出力する加算器とを含み、
前記積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記積分制御値または前記積分制御値と係数との積を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
And an adder for adding the proportional control value and the integral control value and outputting the addition result as the control signal.
The integral controller according to claim 1, wherein the integral controller uses the integral control value when the voltage at the determined point reaches a steady state or a product of the integral control value and a coefficient as an initial value of the integral control value. Power converter.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算して加算値を出力する加算器と、
前記加算値を前記定められた箇所の電圧で除算して得られる除算値を前記制御信号として出力する除算器とを含み、
前記積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記積分制御値と前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧とを乗算して得られる乗算値または前記乗算値と係数との積から、前記起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記比例制御値を減算した値を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
An adder that adds the proportional control value and the integral control value and outputs an added value;
And a divider that outputs, as the control signal, a division value obtained by dividing the addition value by the voltage at the predetermined point.
The integral controller is a product obtained by multiplying the integral control value when the voltage at the determined point reaches a steady state and the voltage at the determined point immediately before the start of the DC-DC converter. The value according to claim 1, wherein a value obtained by subtracting the proportional control value corresponding to the voltage at the predetermined place immediately before the start from the value or the product of the multiplication value and the coefficient is used as an initial value of the integral control value. Power converter.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との第1の差分値を出力する第1の減算器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の比例制御値を出力する第1の比例制御器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の積分制御値を出力する第1の積分制御器と、
前記第1の比例制御値と前記第1の積分制御値とを加算し、第1の加算結果を出力する第1の加算器と、
前記第1の加算結果と前記定められた箇所の電流との第2の差分値を出力する第2の減算器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の比例制御値を出力する第2の比例制御器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の積分制御値を出力する第2の積分制御器と、
前記第2の比例制御値と前記第2の積分制御値とを加算し、第2の加算結果を前記制御信号として出力する第2の加算器とを含み、
前記第2の積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記第2の積分制御値または前記第2の積分制御値と係数との積を前記第2の積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A first subtractor for outputting a first difference value between the voltage of the determined portion and the voltage command value;
A first proportional controller that receives the first difference value and outputs a first proportional control value;
A first integral controller that receives the first difference value and outputs a first integral control value;
A first adder that adds the first proportional control value and the first integral control value and outputs a first addition result;
A second subtractor that outputs a second difference value between the first addition result and the current at the determined point;
A second proportional controller that receives the second difference value and outputs a second proportional control value;
A second integral controller that receives the second difference value and outputs a second integral control value;
And a second adder that adds the second proportional control value and the second integral control value and outputs a second addition result as the control signal.
The second integral controller controls the second integral control value or the product of the second integral control value and a coefficient when the voltage at the determined point reaches a steady state. The power converter according to claim 1 used as an initial value of a value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との第1の差分値を出力する第1の減算器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の比例制御値を出力する第1の比例制御器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の積分制御値を出力する第1の積分制御器と、
前記第1の比例制御値と前記第1の積分制御値とを加算し、第1の加算結果を出力する第1の加算器と、
前記第1の加算結果と前記定められた箇所の電流との第2の差分値を出力する第2の減算器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の比例制御値を出力する第2の比例制御器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の積分制御値を出力する第2の積分制御器と、
前記第2の比例制御値と前記第2の積分制御値とを加算し、第2の加算結果を前記制御信号として出力する第2の加算器とを含み、
前記第2の積分制御器は、前記定められた箇所の電圧が定常状態に達するときの前記第2の積分制御値または前記第2の積分制御値と係数との積から、前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記第2の比例制御値を減算した値を前記第2の積分制御値の初期値として用いる、請求項1記載の電力変換装置。
The controller is
A first subtractor for outputting a first difference value between the voltage of the determined portion and the voltage command value;
A first proportional controller that receives the first difference value and outputs a first proportional control value;
A first integral controller that receives the first difference value and outputs a first integral control value;
A first adder that adds the first proportional control value and the first integral control value and outputs a first addition result;
A second subtractor that outputs a second difference value between the first addition result and the current at the determined point;
A second proportional controller that receives the second difference value and outputs a second proportional control value;
A second integral controller that receives the second difference value and outputs a second integral control value;
And a second adder that adds the second proportional control value and the second integral control value and outputs a second addition result as the control signal.
The second integral controller converts the DC-DC conversion from a product of the second integral control value when the voltage at the determined point reaches a steady state or a product of the second integral control value and a coefficient. The power conversion device according to claim 1, wherein a value obtained by subtracting the second proportional control value corresponding to the voltage of the determined point immediately before the start of the power unit is used as an initial value of the second integral control value.
同期整流が可能であって、直列に接続された第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子とを含むDC−DC変換器と、
前記DC−DC変換器の定められた箇所の電圧が電圧指令値と等しくなるように、前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のデューティを表わす制御信号を出力する制御装置と、
前記制御信号に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子を駆動するための駆動装置とを備え、
前記制御装置は、前記DC−DC変換器の起動直前における前記DC−DC変換器の入力側の電圧と出力側の電圧から求めた前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のデューティに応じた値を前記制御信号の初期値として用いる、電力変換装置。
A DC-DC converter capable of synchronous rectification and including a first semiconductor switching device and a second semiconductor switching device connected in series;
A control device which outputs a control signal representing a duty of the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element such that a voltage of a predetermined portion of the DC-DC converter becomes equal to a voltage command value; ,
And a driving device for driving the first semiconductor switching device and the second semiconductor switching device based on the control signal.
The control device is the first semiconductor switching element or the second semiconductor switching element obtained from the voltage on the input side and the voltage on the output side of the DC-DC converter immediately before the start of the DC-DC converter. A power converter using a value according to a duty as an initial value of the control signal.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算し、加算結果を前記制御信号として出力する加算器とを含み、
前記積分制御器は、前記デューティまたは前記デューティと係数との積を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
And an adder for adding the proportional control value and the integral control value and outputting the addition result as the control signal.
The power conversion device according to claim 8, wherein the integration controller uses the duty or a product of the duty and a coefficient as an initial value of the integration control value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算し、加算結果を前記制御信号として出力する加算器とを含み、
前記積分制御器は、前記デューティまたは前記デューティと係数との積から、前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記比例制御値を減算した値を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
And an adder for adding the proportional control value and the integral control value and outputting the addition result as the control signal.
The integration controller performs integration control on a value obtained by subtracting the proportional control value corresponding to the voltage of the determined point immediately before the start of the DC-DC converter from the duty or a product of the duty and a coefficient. The power converter according to claim 8, which is used as an initial value of the value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算して加算値を出力する加算器と、
前記加算値を前記定められた箇所の電圧で除算して得られる除算値を前記制御信号として出力する除算器とを含み、
前記積分制御器は、前記デューティと前記起動直前における前記定められた箇所の電圧とを乗算して得られる乗算値または前記乗算値と係数との積を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
An adder that adds the proportional control value and the integral control value and outputs an added value;
And a divider that outputs, as the control signal, a division value obtained by dividing the addition value by the voltage at the predetermined point.
The integral controller uses a product obtained by multiplying the duty and the voltage at the predetermined place immediately before the start or a product of the product and a coefficient as an initial value of the integration control value. Item 9. A power converter according to Item 8.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と電圧指令値との差分値を出力する減算器と、
前記差分値を受けて、比例制御値を出力する比例制御器と、
前記差分値を受けて、積分制御値を出力する積分制御器と、
前記比例制御値と前記積分制御値とを加算して加算値を出力する加算器と、
前記加算値を前記定められた箇所の電圧で除算して得られる除算値を前記制御信号として出力する除算器とを含み、
前記積分制御器は、前記デューティと前記起動直前における前記定められた箇所の電圧とを乗算して得られる乗算値または前記乗算値と係数との積から、前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記比例制御値を減算した値を前記積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A subtractor for outputting a difference between the voltage at the predetermined point and the voltage command value;
A proportional controller that receives the difference value and outputs a proportional control value;
An integral controller that receives the difference value and outputs an integral control value;
An adder that adds the proportional control value and the integral control value and outputs an added value;
And a divider that outputs, as the control signal, a division value obtained by dividing the addition value by the voltage at the predetermined point.
The integral controller may obtain a product immediately before the start of the DC-DC converter from the product of the product obtained by multiplying the duty by the voltage at the predetermined place immediately before the start or the product of the product and the coefficient. The power conversion device according to claim 8, wherein a value obtained by subtracting the proportional control value corresponding to the voltage of the determined portion is used as an initial value of the integral control value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との第1の差分値を出力する第1の減算器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の比例制御値を出力する第1の比例制御器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の積分制御値を出力する第1の積分制御器と、
前記第1の比例制御値と前記第1の積分制御値とを加算し、第1の加算結果を出力する第1の加算器と、
前記第1の加算結果と前記定められた箇所の電流との第2の差分値を出力する第2の減算器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の比例制御値を出力する第2の比例制御器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の積分制御値を出力する第2の積分制御器と、
前記第2の比例制御値と前記第2の積分制御値とを加算し、第2の加算結果を前記制御信号として出力する第2の加算器とを含み、
前記第2の積分制御器は、前記デューティまたは前記デューティと係数との積を前記第2の積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A first subtractor for outputting a first difference value between the voltage of the determined portion and the voltage command value;
A first proportional controller that receives the first difference value and outputs a first proportional control value;
A first integral controller that receives the first difference value and outputs a first integral control value;
A first adder that adds the first proportional control value and the first integral control value and outputs a first addition result;
A second subtractor that outputs a second difference value between the first addition result and the current at the determined point;
A second proportional controller that receives the second difference value and outputs a second proportional control value;
A second integral controller that receives the second difference value and outputs a second integral control value;
And a second adder that adds the second proportional control value and the second integral control value and outputs a second addition result as the control signal.
The power conversion device according to claim 8, wherein the second integral controller uses the duty or a product of the duty and a coefficient as an initial value of the second integral control value.
前記制御装置は、
前記定められた箇所の電圧と前記電圧指令値との第1の差分値を出力する第1の減算器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の比例制御値を出力する第1の比例制御器と、
前記第1の差分値を受けて、第1の積分制御値を出力する第1の積分制御器と、
前記第1の比例制御値と前記第1の積分制御値とを加算し、第1の加算結果を出力する第1の加算器と、
前記第1の加算結果と前記定められた箇所の電流との第2の差分値を出力する第2の減算器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の比例制御値を出力する第2の比例制御器と、
前記第2の差分値を受けて、第2の積分制御値を出力する第2の積分制御器と、
前記第2の比例制御値と前記第2の積分制御値とを加算し、第2の加算結果を前記制御信号として出力する第2の加算器とを含み、
前記第2の積分制御器は、前記デューティまたは前記デューティと係数との積から、前記DC−DC変換器の起動直前における前記定められた箇所の電圧に対応する前記第2の比例制御値を減算した値を前記第2の積分制御値の初期値として用いる、請求項8記載の電力変換装置。
The controller is
A first subtractor for outputting a first difference value between the voltage of the determined portion and the voltage command value;
A first proportional controller that receives the first difference value and outputs a first proportional control value;
A first integral controller that receives the first difference value and outputs a first integral control value;
A first adder that adds the first proportional control value and the first integral control value and outputs a first addition result;
A second subtractor that outputs a second difference value between the first addition result and the current at the determined point;
A second proportional controller that receives the second difference value and outputs a second proportional control value;
A second integral controller that receives the second difference value and outputs a second integral control value;
And a second adder that adds the second proportional control value and the second integral control value and outputs a second addition result as the control signal.
The second integral controller subtracts the second proportional control value corresponding to the voltage of the determined point immediately before the start of the DC-DC converter from the duty or a product of the duty and a coefficient. The power converter according to claim 8, wherein the calculated value is used as an initial value of the second integral control value.
前記定められた箇所の電圧は、前記DC−DC変換器の出力側の電圧である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の電力変換装置。   The power converter according to any one of claims 1 to 14, wherein the voltage at the determined point is a voltage at an output side of the DC-DC converter. 前記電力変換装置は、昇圧回路である、請求項1〜15のいずれか1項に記載の電力変換装置。   The power converter according to any one of claims 1 to 15, wherein the power converter is a booster circuit. 前記電力変換装置は、降圧回路である、請求項1〜15のいずれか1項に記載の電力変換装置。   The power converter according to any one of claims 1 to 15, wherein the power converter is a step-down circuit. 前記電力変換装置は、昇降圧回路である、請求項1〜15のいずれか1項に記載の電力変換装置。   The power converter according to any one of claims 1 to 15, wherein the power converter is a buck-boost circuit. 前記電力変換装置は、
並列接続された前記DC−DC変換器を複数個備え、
複数の前記DC−DC変換器のスイッチングの位相が互いに相違する、請求項1または8に記載の電力変換装置。
The power converter is
A plurality of the DC-DC converters connected in parallel;
The power conversion device according to claim 1, wherein switching phases of the plurality of DC-DC converters are different from each other.
前記第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体によって形成される、請求項1〜19のいずれか1項に記載の電力変換装置。   The power converter according to any one of claims 1 to 19, wherein the first semiconductor switching device and the second semiconductor switching device are formed of wide band gap semiconductors. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、またはダイヤモンドである、請求項20記載の電力変換装置。
21. The power converter according to claim 20, wherein the wide band gap semiconductor is silicon carbide, gallium nitride or diamond.
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