JP2019046801A - Base material particle, conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents

Base material particle, conductive particle, conductive material and connection structure Download PDF

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Abstract

To provide conductive particles capable of making the connection resistance low, even when the pressure bonding is performed under low pressure in the case of electrically connecting between electrodes.SOLUTION: A conductive particle according to the present invention is a conductive particle that includes: a base material particle; and a conductive part arranged on a surface of the base material particle, in which when an area of the conductive particle and an area of a rectangle circumscribing the conductive particle are calculated from an electron microscope image or an optical microscope image of the conductive particle, a ratio of an area of the conductive particle to an area of the rectangle circumscribing to the conductive particle is 0.80 or larger.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる基材粒子に関する。また、本発明は、基材粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体に関する。   The present invention relates to substrate particles used to obtain conductive particles having a conductive portion. In addition, the present invention relates to a conductive particle, a conductive material and a connection structure using substrate particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder.

上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板(FPC)、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップ等の様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。   The said anisotropic conductive material is used in order to electrically connect between the electrodes of various connection object members, such as a flexible printed circuit board (FPC), a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip, and to obtain a connection structure. ing. Moreover, the electroconductive particle which has a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of this base material particle may be used as said electroconductive particle.

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1では、重合体粒子と、該重合体粒子の表面を被覆している導電部とを有する導電性粒子が開示されている。上記重合体粒子は、2官能の(メタ)アクリレートモノマー、3官能の(メタ)アクリレートモノマー、及び4官能の(メタ)アクリレートモノマーの内の少なくとも1種の多官能(メタ)アクリレートと、単官能の(メタ)アクリレートモノマーとを含む共重合成分を共重合させることにより得られる。上記重合体粒子の圧縮変形回復率は、70%以上である。上記重合体粒子の体積膨張率は、1.3以下である。   As an example of the said electroconductive particle, in the following patent document 1, the electroconductive particle which has a polymer particle and the electroconductive part which has coat | covered the surface of this polymer particle is disclosed. The above-mentioned polymer particles are monofunctional with at least one polyfunctional (meth) acrylate of difunctional (meth) acrylate monomers, trifunctional (meth) acrylate monomers, and tetrafunctional (meth) acrylate monomers. It is obtained by copolymerizing the copolymerization component containing the (meth) acrylate monomer. The compression deformation recovery rate of the polymer particles is 70% or more. The volume expansion coefficient of the polymer particles is 1.3 or less.

WO2010/013668A1WO 2010/013668 A1

従来の導電性粒子では、比較的低い圧力で電極間を電気的に接続した場合に、電極間の接続抵抗が高くなることがある。これは、比較的低い圧力では、導電性粒子が十分に変形せず、導電性粒子と電極とが十分に接触し難いためである。このため、従来の導電性粒子を用いる場合には、導電性粒子を十分に変形させるために、比較的高い圧力が必要となる。   In conventional conductive particles, when the electrodes are electrically connected at relatively low pressure, the connection resistance between the electrodes may be high. This is because the conductive particles do not deform sufficiently at relatively low pressure, and the conductive particles and the electrode do not contact sufficiently. For this reason, in the case of using conventional conductive particles, a relatively high pressure is required to sufficiently deform the conductive particles.

しかしながら、比較的高い圧力で電極間を電気的に接続した場合には、基材粒子又は導電性粒子を変形させることはできるものの、電極に傷が形成され、接続抵抗が高くなることがある。また、圧縮された基材粒子又は導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が働いて、スプリングバックと呼ばれる現象が生じることがある。基材粒子又は導電性粒子にスプリングバックが発生すると、導電性粒子と電極との接触面積が低下して、接続抵抗が高くなり、導通信頼性が低下することがある。   However, when the electrodes are electrically connected at relatively high pressure, although the substrate particles or the conductive particles can be deformed, the electrodes may be scratched to increase the connection resistance. In addition, the action of returning compressed base particles or conductive particles to their original shape may act to cause a phenomenon called springback. When springback occurs in the substrate particles or the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode may be reduced, the connection resistance may be increased, and the conduction reliability may be reduced.

本発明の目的は、電極間を電気的に接続する場合に、低い圧力で圧着を行ったとしても、接続抵抗を低くすることができる基材粒子を提供することである。また、本発明の目的は、基材粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide substrate particles capable of reducing connection resistance even when pressure bonding is performed at low pressure when electrically connecting electrodes. Another object of the present invention is to provide a conductive particle, a conductive material and a connection structure using substrate particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、前記導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、前記導電性粒子の面積と前記導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、前記導電性粒子の面積の、前記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である、導電性粒子が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive particle comprising a substrate particle and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle, wherein an electron microscope image or an optical microscope image of the conductive particle When the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle are calculated, the ratio of the area of the conductive particle to the area of the rectangle circumscribing the conductive particle is 0.80 or more Certain conductive particles are provided.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、10%K値が、3200N/mm以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the 10% K value is 3200 N / mm 2 or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、60%圧縮変形させたときの圧縮回復率が、15%以下である。   In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the compression recovery rate at 60% compression deformation is 15% or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子である。   In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the substrate particles are resin particles.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記樹脂粒子が、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂を含む。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the resin particle contains an acrylic resin or a silicone resin.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える。   In one specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle further includes an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、前記導電部の外表面に突起を有する。   In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle has a protrusion on the outer surface of the conductive portion.

本発明の広い局面によれば、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる基材粒子であり、前記基材粒子の10%K値が、2000N/mm以下であり、前記基材粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、前記基材粒子の面積と前記基材粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、前記基材粒子の面積の、前記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である、基材粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, it is a substrate particle used to obtain conductive particles having a conductive portion, and a 10% K value of the substrate particle is 2000 N / mm 2 or less, and the substrate When the area of the base particle and the area of a rectangle circumscribing the base particle are calculated by an electron microscope image or an optical microscope image of the particle, the base particle is circumscribed about the area of the base particle. Substrate particles are provided, wherein the ratio to the area of the rectangle is 0.80 or more.

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、60%圧縮させたときの圧縮回復率が、15%以下である。   In one particular aspect of the substrate particles according to the present invention, the compression recovery rate at 60% compression is 15% or less.

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子である。   In a specific aspect of the substrate particle according to the present invention, the substrate particle is a resin particle.

本発明に係る基材粒子のある特定の局面では、前記樹脂粒子が、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂を含む。   In a specific aspect of the substrate particle according to the present invention, the resin particle contains an acrylic resin or a silicone resin.

本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、前記導電性粒子が、上述した導電性粒子である、導電材料が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising conductive particles and a binder resin, wherein the conductive particles are the above-described conductive particles.

本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、前記導電性粒子が、上述した基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子である、導電材料が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, a conductive material comprising conductive particles and a binder resin, wherein the conductive particles comprise the above-described base particles and a conductive portion disposed on the surface of the base particles Conductive particles are provided, which are

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記導電性粒子が、上述した導電性粒子であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the first connection target member And a connecting portion connecting the second connection target member, and the material of the connecting portion is a conductive particle, or a conductive material containing the conductive particle and a binder resin, the conductive A connection structure is provided, in which the conductive particles are the above-described conductive particles, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記導電性粒子が、上述した基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the first connection target member And a connecting portion connecting the second connection target member, and the material of the connecting portion is a conductive particle, or a conductive material containing the conductive particle and a binder resin, the conductive Conductive particles are conductive particles provided with the above-mentioned base material particles and a conductive portion disposed on the surface of the base material particles, and the first electrode and the second electrode are the conductive particles A connection structure is provided which is electrically connected by

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記導電性粒子の面積と上記導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記導電性粒子の面積の、上記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続する場合に、低い圧力で圧着を行ったとしても、接続抵抗を低くすることができる。   The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of the said base material particle. In the conductive particle according to the present invention, when the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the conductive particle, The ratio of the area of particles to the area of a rectangle circumscribing the conductive particles is 0.80 or more. The conductive particle according to the present invention is provided with the above-described configuration, so that, when electrically connecting the electrodes, connection resistance can be lowered even if pressure bonding is performed at a low pressure.

本発明に係る基材粒子は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる。本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の10%K値が、2000N/mm以下である。本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記基材粒子の面積と上記基材粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記基材粒子の面積の、上記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である。本発明に係る基材粒子では、上記の構成が備えられているので、上記基材粒子を導電性粒子として用いて、電極間を電気的に接続する場合に、低い圧力で圧着を行ったとしても、接続抵抗を低くすることができる。 The substrate particles according to the present invention are used to obtain conductive particles having a conductive portion. In the substrate particle according to the present invention, the 10% K value of the substrate particle is 2000 N / mm 2 or less. In the substrate particle according to the present invention, when the area of the substrate particle and the area of the rectangle circumscribing the substrate particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the substrate particle, the substrate The ratio of the area of particles to the area of a rectangle circumscribing the base particles is 0.80 or more. In the substrate particle according to the present invention, since the above-described configuration is provided, pressure bonding is performed at a low pressure when electrically connecting the electrodes using the substrate particle as conductive particles. Also, the connection resistance can be lowered.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子の変形例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive particle according to the first embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。FIG. 5: is sectional drawing which shows an example of the bonded structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図6(a)及び(b)は、本発明に係る導電性粒子において、導電性粒子の面積及び導電性粒子に外接する長方形の面積を説明するための模式図である。FIGS. 6A and 6B are schematic views for explaining the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle in the conductive particle according to the present invention. 図7(a)及び(b)は、本発明に係る基材粒子において、基材粒子の面積及び基材粒子に外接する長方形の面積を説明するための模式図である。FIGS. 7A and 7B are schematic views for explaining the area of substrate particles and the area of a rectangle circumscribing the substrate particles in the substrate particles according to the present invention.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記導電性粒子の面積と上記導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記導電性粒子の面積の、上記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である。
(Conductive particles)
The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of the said base material particle. In the conductive particle according to the present invention, when the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the conductive particle, The ratio of the area of particles to the area of a rectangle circumscribing the conductive particles is 0.80 or more.

本発明では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続する場合に、低い圧力で圧着を行ったとしても、接続抵抗を低くすることができる。   In the present invention, since the above configuration is provided, the connection resistance can be lowered even when the pressure bonding is performed under a low pressure when the electrodes are electrically connected.

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、比較的低い圧力で電極間を電気的に接続した場合でも、導電性粒子と電極との接触面積を十分に確保することができ、接続抵抗を十分に低くすることができる。   In the conductive particle according to the present invention, the above configuration is provided, so that the contact area between the conductive particle and the electrode can be sufficiently secured even when the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. And the connection resistance can be made sufficiently low.

また、本発明に係る導電性粒子では、電極間を電気的に接続する際に圧力を高くする必要がないので、電極の傷付きを効果的に抑制することができ、接続抵抗を十分に低くすることができる。また、本発明に係る導電性粒子では、電極間を電気的に接続する際に圧力を高くする必要がないので、圧縮された導電性粒子が元の形状に戻ろうとする作用が比較的働き難く、スプリングバックが発生し難い。本発明に係る導電性粒子では、導電性粒子と電極との接触面積の低下を効果的に防止することができ、接続抵抗を十分に低くすることができ、導通信頼性を効果的に高めることができる。   Further, in the conductive particle according to the present invention, since it is not necessary to increase the pressure when electrically connecting the electrodes, scratching of the electrodes can be effectively suppressed, and the connection resistance is sufficiently low. can do. Further, in the conductive particles according to the present invention, since it is not necessary to increase the pressure when electrically connecting the electrodes, the function of returning the compressed conductive particles to their original shape is relatively difficult to work. , Springback is hard to occur. In the conductive particle according to the present invention, the reduction of the contact area between the conductive particle and the electrode can be effectively prevented, the connection resistance can be sufficiently lowered, and the conduction reliability can be effectively enhanced. Can.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、後述する本発明に係る基材粒子が備えられることが好ましい。   The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of the said base material particle. In the conductive particles according to the present invention, it is preferable that the substrate particles according to the present invention described later be provided.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子11と、基材粒子11の表面上に配置された導電部2とを有する。導電部2は、基材粒子11の表面を覆っている。導電性粒子1は、基材粒子11の表面が導電部2により被覆された被覆粒子である。導電性粒子1では、導電部2は、単層の導電部(導電層)である。導電性粒子1では、長さ方向の中央部の側面が平面状である。   The conductive particle 1 shown in FIG. 1 has a substrate particle 11 and a conductive portion 2 disposed on the surface of the substrate particle 11. The conductive portion 2 covers the surface of the base particle 11. The conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the substrate particle 11 is covered by the conductive portion 2. In the conductive particle 1, the conductive part 2 is a single layer conductive part (conductive layer). In the conductive particle 1, the side surface of the central portion in the longitudinal direction is planar.

図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子の変形例を示す断面図である。図4に示す導電性粒子1Xは、基材粒子11Xと、基材粒子11Xの表面上に配置された導電部2Xとを有する。導電性粒子1Xでは、長さ方向の中央部の側面が凸状であり、曲面状である。導電性粒子1Xでは、基材粒子11Xの長さ方向の中央部の側面が凸状であり、曲面状である。本発明に係る導電性粒子では、導電性粒子1のように長さ方向の中央部の側面が平面状であってもよく、導電性粒子1Xのように長さ方向の中央部の側面が凸状又は曲面状であってもよい。本発明に係る導電性粒子では、長さ方向の中央部の側面が平面状であってもよく、長さ方向の中央部の側面が平面状ではない形状であってもよい。上記の長さ方向の中央部の側面が平面状ではない形状としては、凸状及び凹状等が挙げられる。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive particle according to the first embodiment of the present invention. The conductive particle 1X shown in FIG. 4 has a base particle 11X and a conductive portion 2X disposed on the surface of the base particle 11X. In the conductive particle 1X, the side surface of the central portion in the length direction is convex and curved. In the conductive particle 1X, the side surface of the central portion in the lengthwise direction of the base particle 11X is convex and curved. In the conductive particle according to the present invention, the side surface of the central portion in the length direction may be flat like the conductive particle 1, and the side surface of the central portion in the length direction is convex like the conductive particle 1X It may be shaped like a circle or a curved surface. In the conductive particle according to the present invention, the side surface of the central portion in the longitudinal direction may be planar, and the side surface of the central portion in the longitudinal direction may not be planar. As a shape in which the side surface of the central portion in the longitudinal direction is not planar, convex and concave shapes and the like can be mentioned.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子21は、基材粒子11と、基材粒子11の表面上に配置された導電部22とを有する。導電部22は全体で、基材粒子11側に第1の導電部22Aと、基材粒子11側とは反対側に第2の導電部22Bとを有する。   The conductive particle 21 shown in FIG. 2 has a substrate particle 11 and a conductive portion 22 disposed on the surface of the substrate particle 11. The conductive portion 22 as a whole has a first conductive portion 22A on the base particle 11 side and a second conductive portion 22B on the opposite side to the base particle 11 side.

図1に示す導電性粒子1と図2に示す導電性粒子21とでは、導電部2と導電部22とが異なっている。すなわち、導電性粒子1では、単層構造の導電部が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の第1の導電部22A及び第2の導電部22Bが形成されている。第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとは、異なる導電部として形成されていてもよく、同一の導電部として形成されていてもよい。   The conductive part 2 and the conductive part 22 are different between the conductive particle 1 shown in FIG. 1 and the conductive particle 21 shown in FIG. That is, in the conductive particle 1, the conductive portion having a single-layer structure is formed, whereas in the conductive particle 21, the first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B having a two-layer structure are formed. There is. The first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B may be formed as different conductive portions, or may be formed as the same conductive portion.

第1の導電部22Aは、基材粒子11の表面上に配置されている。基材粒子11と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第1の導電部22Aは、基材粒子11に接している。第2の導電部22Bは、第1の導電部22Aに接している。基材粒子11の表面上に第1の導電部22Aが配置されており、第1の導電部22Aの表面上に第2の導電部22Bが配置されている。   The first conductive portion 22 </ b> A is disposed on the surface of the base particle 11. The first conductive portion 22A is disposed between the base particle 11 and the second conductive portion 22B. The first conductive portion 22 </ b> A is in contact with the base particle 11. The second conductive portion 22B is in contact with the first conductive portion 22A. The first conductive portion 22A is disposed on the surface of the base particle 11, and the second conductive portion 22B is disposed on the surface of the first conductive portion 22A.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子31は、基材粒子11と、導電部32と、複数の芯物質33と、複数の絶縁性物質34とを有する。導電部32は、基材粒子11の表面上に配置されている。複数の芯物質33は、基材粒子11の表面上に配置されている。導電部32は、基材粒子11と、複数の芯物質33とを覆うように、基材粒子11の表面上に配置されている。導電性粒子31では、導電部32は、単層の導電部(導電層)である。   The conductive particle 31 shown in FIG. 3 has a substrate particle 11, a conductive portion 32, a plurality of core materials 33, and a plurality of insulating materials 34. The conductive portion 32 is disposed on the surface of the base particle 11. The plurality of core substances 33 are disposed on the surface of the base particle 11. The conductive portion 32 is disposed on the surface of the base material particle 11 so as to cover the base material particle 11 and the plurality of core substances 33. In the conductive particle 31, the conductive part 32 is a single layer conductive part (conductive layer).

導電性粒子31は外表面に、複数の突起31aを有する。導電性粒子31では、導電部32は外表面に、複数の突起32aを有する。複数の芯物質33は、導電部32の外表面を隆起させている。導電部32の外表面が複数の芯物質33によって隆起されていることで、突起31a及び突起32aが形成されている。複数の芯物質33は導電部32内に埋め込まれている。突起31a及び突起32aの内側に、芯物質33が配置されている。導電性粒子31では、突起31a及び突起32aを形成するために、複数の芯物質33を用いている。上記導電性粒子では、上記突起を形成するために、複数の上記芯物質を用いなくてもよい。上記導電性粒子は、複数の上記芯物質を備えていなくてもよい。   The conductive particles 31 have a plurality of protrusions 31 a on the outer surface. In the conductive particle 31, the conductive portion 32 has a plurality of protrusions 32a on the outer surface. The plurality of core substances 33 raise the outer surface of the conductive portion 32. The projections 31 a and the projections 32 a are formed by the outer surface of the conductive portion 32 being raised by the plurality of core materials 33. A plurality of core substances 33 are embedded in the conductive portion 32. The core material 33 is disposed inside the protrusions 31 a and the protrusions 32 a. In the conductive particles 31, a plurality of core substances 33 are used to form the protrusions 31a and the protrusions 32a. In the conductive particles, a plurality of the core substances may not be used to form the protrusions. The conductive particles may not include a plurality of the core materials.

導電性粒子31は、導電部32の外表面上に配置された絶縁性物質34を有する。導電部32の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質34により被覆されている。絶縁性物質34は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、上記導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。上記導電性粒子は、複数の絶縁性物質を備えていなくてもよい。   The conductive particles 31 have an insulating material 34 disposed on the outer surface of the conductive portion 32. At least a partial region of the outer surface of conductive portion 32 is covered with insulating material 34. The insulating substance 34 is formed of an insulating material and is an insulating particle. Thus, the conductive particles according to the present invention may have an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion. However, the conductive particles may not necessarily have an insulating substance. The conductive particles may not have a plurality of insulating materials.

上記導電性粒子の長径は、好ましくは5μm以上、より好ましくは10μm以上であり、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下、さらに好ましくは35μm以下である。上記導電性粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなるので接続抵抗を低くすることができ、かつ、導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、上記導電性粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、上記導電性粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。   The major diameter of the conductive particles is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, and still more preferably 35 μm or less. When the major diameter of the conductive particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the contact area between the conductive particle and the electrode becomes sufficiently large when the conductive particles are used to connect the electrodes, so the connection resistance Can be lowered, and it becomes difficult to form aggregated conductive particles when forming the conductive portion. In addition, when the major diameter of the conductive particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the distance between the electrodes connected via the conductive particle is not too large, and the conductive portion is from the surface of the base particle It becomes difficult to peel off. Moreover, a conductive particle can be suitably used for the use of a conductive material as the major axis of the above-mentioned conductive particle is more than the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit.

上記導電性粒子の長径は、例えば、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察することにより算出することができる。上記導電性粒子の長径は、導電性粒子の外周の2点を直線で結んだ距離が最大となる寸法である。   The major diameter of the conductive particle can be calculated, for example, by observing any conductive particle with an electron microscope or an optical microscope. The major axis of the conductive particle is a dimension at which a distance obtained by connecting two points on the outer periphery of the conductive particle by a straight line becomes maximum.

上記導電性粒子の長径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、任意の導電性粒子50個の長径を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   The major diameter of the above conductive particles may be determined by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value by arithmetically averaging the major diameters of 50 arbitrary conductive particles. preferable.

本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記導電性粒子の面積と上記導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記導電性粒子の面積の、上記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)が0.80以上である。上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)が大きいほど、導電性粒子が長方形に近い形状になる。本発明に係る導電性粒子のアスペクト比は、一般的に1を超える。本発明に係る導電性粒子のアスペクト比(長径/短径)は、5以下であってもよく、3以下であってもよい。   In the conductive particle according to the present invention, when the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the conductive particle, The ratio of the area of the particle to the area of the rectangle circumscribing the conductive particle (area of the conductive particle / area of the rectangle circumscribing the conductive particle) is 0.80 or more. As the above ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle) is larger, the conductive particle has a shape closer to a rectangle. The aspect ratio of the conductive particles according to the present invention is generally more than one. The aspect ratio (long diameter / short diameter) of the conductive particles according to the present invention may be 5 or less, or 3 or less.

上記導電性粒子に外接する四角形は、正方形ではなく、長方形である。上記導電性粒子に外接する長方形は、上記導電性粒子に外接する長方形の面積が最小となるように描かれる。   The quadrilateral circumscribing the conductive particles is not a square but a rectangle. The rectangle circumscribing the conductive particles is drawn such that the area of the rectangle circumscribing the conductive particles is minimized.

図6(a)及び(b)は、本発明に係る導電性粒子において、導電性粒子の面積及び導電性粒子に外接する長方形の面積を説明するための模式図である。図6(a)及び(b)には、上述した導電性粒子1を電子顕微鏡にて観察することにより得られた導電性粒子1の電子顕微鏡画像と、導電性粒子1に外接する長方形51とが模式的に示されている。   FIGS. 6A and 6B are schematic views for explaining the area of the conductive particle and the area of the rectangle circumscribing the conductive particle in the conductive particle according to the present invention. 6A and 6B show an electron microscope image of the conductive particle 1 obtained by observing the above-described conductive particle 1 with an electron microscope, and a rectangle 51 circumscribing the conductive particle 1 and Is schematically shown.

上記導電性粒子の面積とは、図6(a)において、導電性粒子1の面積(S1)である。上記導電性粒子に外接する長方形の面積とは、図6(b)において、導電性粒子1に外接する長方形51の面積(S2)である。上記導電性粒子の面積の、上記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比とは、図6(a)及び(b)において、導電性粒子1の面積(S1)の、導電性粒子1に外接する長方形51の面積(S2)に対する比(S1/S2)である。   The area of the said electroconductive particle is an area (S1) of the electroconductive particle 1 in Fig.6 (a). The area of the rectangle circumscribing the conductive particles is the area (S2) of the rectangle 51 circumscribing the conductive particles 1 in FIG. 6B. The ratio of the area of the conductive particle to the area of the rectangle circumscribing the conductive particle is the ratio of the area (S1) of the conductive particle 1 to the conductive particle 1 in FIGS. 6 (a) and 6 (b). It is a ratio (S1 / S2) to the area (S2) of the circumscribed rectangle 51.

接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記導電性粒子における上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は、好ましくは0.82以上、より好ましくは0.85以上である。上記導電性粒子における上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は、好ましくは1.0以下、より好ましくは1.0未満である。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance, the ratio (area of conductive particles / area of rectangle circumscribing conductive particles) in the conductive particles is preferably 0.82 or more, more preferably 0. 85 or more. The ratio (area of conductive particles / area of rectangle circumscribing conductive particles) in the conductive particles is preferably 1.0 or less, more preferably less than 1.0.

上記観察において、上記導電性粒子に外接する長方形の4つの頂点に導電性粒子が至っていないことが好ましい。   In the observation, it is preferable that the conductive particles do not reach the four apexes of the rectangle circumscribing the conductive particles.

上記導電性粒子における上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、任意の導電性粒子50個の上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   The ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle) in the conductive particle is obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope. It is preferable to obtain | require by calculating the average value by carrying out the arithmetic mean of the above-mentioned ratio (area of a conductive particle / area of the rectangle circumscribed to a conductive particle).

本発明に係る導電性粒子では、上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は0.80以上である。上記導電性粒子の形状が真球状である場合には、上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は0.785であるので、本発明に係る導電性粒子の形状は真球状ではない。本発明に係る導電性粒子の形状は、上述した関係を満足していれば特に限定されない。本発明に係る導電性粒子の形状は、柱状であってもよく、俵状であってもよい。   In the conductive particle according to the present invention, the above-mentioned ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle) is 0.80 or more. When the shape of the conductive particle is a true sphere, the ratio (the area of the conductive particle / the area of the rectangle circumscribing the conductive particle) is 0.785. The shape is not spherical. The shape of the conductive particles according to the present invention is not particularly limited as long as the above-described relationship is satisfied. The shape of the conductive particles according to the present invention may be columnar or may be bowl-like.

上記導電性粒子が上述した関係を満足する形状である場合には、電極間を電気的に接続する際に、上記導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるので、接続時の圧力が上記導電性粒子全体に均一に付与される。結果として、上記導電性粒子のめっき割れの発生をより一層効果的に抑制することができ、接続抵抗をより一層低くすることができる。上記導電性粒子が真球状である場合には、電極間を電気的に接続する際に、上記導電性粒子と電極との接触面積が小さく、接続時の圧力が上記導電性粒子に局所的に付与されることがある。結果として、上記導電性粒子のめっき割れが発生しやすく、接続抵抗を低くすることが困難となることがある。   When the conductive particles have a shape satisfying the above-described relationship, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes large when the electrodes are electrically connected, so that the pressure at the time of connection is the above. It is uniformly applied to the whole conductive particle. As a result, the occurrence of plating cracks of the conductive particles can be more effectively suppressed, and the connection resistance can be further lowered. When the conductive particles are spherical, when the electrodes are electrically connected, the contact area between the conductive particles and the electrodes is small, and the pressure at the time of connection is locally applied to the conductive particles. May be granted. As a result, plating cracks of the conductive particles are likely to occur, which may make it difficult to reduce the connection resistance.

上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)を満足する導電性粒子は、所定の形状の基材粒子(例えば、柱状又は俵状の基材粒子)を用いることで得ることができる。所定の形状の基材粒子は、基材粒子の形成時の製造条件を調整したり、該製造条件と形成される基材粒子の10%K値とを調整したりすることにより得ることができる。例えば、基材粒子の形成時に、基材粒子に該基材粒子を練るような力を付与することにより、所定の形状の基材粒子を得ることができる。   The conductive particles satisfying the above ratio (area of conductive particles / area of rectangle circumscribing conductive particles) can be obtained by using base particles of a predetermined shape (for example, columnar or bowl-like base particles). You can get it. Substrate particles of a predetermined shape can be obtained by adjusting the production conditions at the time of formation of the substrate particles, or adjusting the production conditions and the 10% K value of the substrate particles to be formed. . For example, at the time of formation of substrate particles, substrate particles having a predetermined shape can be obtained by applying a force to knead the substrate particles.

上記導電性粒子の10%K値は、好ましくは2000N/mm以上、より好ましくは2300N/mm以上であり、好ましくは3200N/mm以下、より好ましくは3000N/mm以下、さらに好ましくは2800N/mm以下である。上記導電性粒子の10%K値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制することができ、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 10% K value of the conductive particles is preferably 2000N / mm 2 or more, more preferably 2300N / mm 2 or more, preferably 3200N / mm 2 or less, more preferably 3000N / mm 2 or less, more preferably It is 2800 N / mm 2 or less. When the 10% K value of the conductive particles is above the lower limit and below the upper limit, the occurrence of spring back can be further effectively suppressed, and the conduction reliability can be more effectively enhanced. it can.

上記導電性粒子の10%K値(導電性粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率)は、以下のようにして測定できる。   The 10% K value (the compression modulus when the conductive particles are compressed by 10%) of the conductive particles can be measured as follows.

試料台上に、導電性粒子を置く。導電性粒子は、重力によって、静置された状態になる。導電性粒子を、最も安定化する静置状態にすることが好ましい。一般的に、導電性粒子の長さ方向が、横方向になる。微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃において、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で導電性粒子1個を、試料台上の上下方向に圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、25℃における10%K値を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機MCT−W200」、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。上記導電性粒子の10%K値は、任意に選択された50個の導電性粒子の10%K値を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   Place conductive particles on the sample table. The conductive particles are in a stationary state by gravity. It is preferable to place the conductive particles in the most stabilized stationary state. In general, the longitudinal direction of the conductive particles is in the lateral direction. Using a micro compression tester, with a cylindrical (diameter 100 μm, made of diamond) smooth indenter end face, one conductive particle under the conditions of a compression speed of 0.3 mN / s and a maximum test load of 20 mN at 25 ° C Compress in the vertical direction on the sample table. The load value (N) and the compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured values obtained, the 10% K value at 25 ° C. can be determined by the following equation. As the above-mentioned micro compression tester, for example, "Micro compression tester MCT-W200" manufactured by Shimadzu Corporation, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher, etc. may be used. The 10% K value of the conductive particles is preferably determined by arithmetically averaging the 10% K values of 50 conductive particles selected arbitrarily to calculate an average value.

10%K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:導電性粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の長径(mm)
10% K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when conductive particles undergo 10% compression deformation (N)
S: Compressive displacement (mm) when conductive particles are 10% compressively deformed
R: major diameter of conductive particles (mm)

上記K値は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記K値を用いることにより、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。   The above-mentioned K value expresses the hardness of conductive particles universally and quantitatively. By using the above-described K value, the hardness of the conductive particles can be quantitatively and uniquely represented.

スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、導電性粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率は、好ましくは3%以上、より好ましくは6%以上であり、好ましくは15%以下、より好ましくは12%以下、さらに好ましくは10%以下である。   From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the compression recovery rate when the conductive particles are deformed by 60% compression is preferably 3%. The content is more preferably 6% or more, preferably 15% or less, more preferably 12% or less, and still more preferably 10% or less.

上記導電性粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate when 60% of the conductive particles are deformed by compression can be measured as follows.

試料台上に、導電性粒子を散布する。導電性粒子は、重力によって、静置された状態になる。導電性粒子を、最も安定化する静置状態にすることが好ましい。一般的に、導電性粒子の長さ方向が、横方向になる。散布された導電性粒子1個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃において、試料台上の上下方向に、導電性粒子が60%圧縮変形するまで負荷(反転荷重値)を与える。その後、原点用荷重値(0.40mN)まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から25℃における導電性粒子を60%圧縮変形させた際の圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は0.33mN/秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機MCT−W200」、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Scatter the conductive particles on the sample table. The conductive particles are in a stationary state by gravity. It is preferable to place the conductive particles in the most stabilized stationary state. In general, the longitudinal direction of the conductive particles is in the lateral direction. 60% of conductive particles in the vertical direction on the sample table at 25 ° C on the smooth indenter end face of a cylinder (diameter 100 μm, made of diamond) using a micro compression tester for one dispersed conductive particle Apply load (reverse load value) until compressive deformation occurs. After that, unloading is performed to the origin load value (0.40 mN). The load-compression displacement can be measured during this period, and the compression recovery rate when the conductive particles are deformed by 60% at 25 ° C. can be determined from the following equation. The loading speed is 0.33 mN / sec. As the above-mentioned micro compression tester, for example, "Micro compression tester MCT-W200" manufactured by Shimadzu Corporation, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher, etc. may be used.

圧縮回復率(%)=[L2/L1]×100
L1:負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでの圧縮変位
L2:負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
Compression recovery rate (%) = [L2 / L1] × 100
L1: Compressive displacement from the home load value to the reverse load value when applying a load L2: Unloaded displacement from the reverse load value to the home load value when releasing the load

導電部:
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、金、銅又は銀が好ましい。上記金属は、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、金又は銅であってもよく、ニッケル又はパラジウムであってもよい。
Conductive part:
The metal for forming the said electroconductive part is not specifically limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, molybdenum And alloys thereof and the like. Moreover, tin-doped indium oxide (ITO), a solder, etc. are mentioned as said metal. Alloys containing tin, nickel, palladium, gold, copper or silver are preferred because the connection resistance between the electrodes can be further lowered. The metal may be an alloy containing tin, nickel, palladium, gold or copper, and may be nickel or palladium.

また、導通信頼性を効果的に高めることができるので、上記導電部及び上記導電部の外表面部分はニッケルを含むことが好ましい。ニッケルを含む導電部100重量%中のニッケルの含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは50重量%以上、より一層好ましくは60重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記ニッケルを含む導電部100重量%中のニッケルの含有量は、97重量%以上であってもよく、97.5重量%以上であってもよく、98重量%以上であってもよい。   Further, since the conduction reliability can be effectively improved, it is preferable that the conductive portion and the outer surface portion of the conductive portion include nickel. The content of nickel in 100% by weight of the conductive part containing nickel is preferably 10% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, still more preferably 60% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, particularly preferably Is 90% by weight or more. The content of nickel in 100% by weight of the conductive part containing nickel may be 97% by weight or more, 97.5% by weight or more, or 98% by weight or more.

なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面(導電性粒子の表面)に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置することができる。   Note that hydroxyl groups are often present on the surface of the conductive portion due to oxidation. In general, hydroxyl groups are present on the surface of a conductive portion formed of nickel by oxidation. An insulating substance can be disposed on the surface of the conductive portion having such a hydroxyl group (surface of the conductive particle) via a chemical bond.

導電性粒子1,31のように、上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。導電性粒子21のように、導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、2層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層、銀層又は錫を含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性をより一層効果的に高めることができる。錫を含む合金層は、錫と銀とを含む合金層であってもよい。   Like the conductive particles 1 and 31, the conductive portion may be formed by one layer. Like the conductive particles 21, the conductive portion may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive portion may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the outermost layer is preferably a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, a silver layer or an alloy layer containing tin, and it is a gold layer Is more preferred. When the outermost layer is these preferred conductive portions, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced. In addition, when the outermost layer is a gold layer, the corrosion resistance can be more effectively enhanced. The alloy layer containing tin may be an alloy layer containing tin and silver.

上記基材粒子の表面に上記導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、及び金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部の形成が簡便であるので、上記導電部を形成する方法は、無電解めっきによる方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。   The method for forming the conductive portion on the surface of the base particle is not particularly limited. As the method of forming the conductive portion, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, a method of coating metal powder or a paste containing metal powder and a binder on the surface of substrate particles, etc. Can be mentioned. Since the formation of the conductive part is simple, the method of forming the conductive part is preferably a method by electroless plating. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum deposition, ion plating and ion sputtering.

上記導電部の厚みは、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。   The thickness of the conductive portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and still more preferably 0.3 μm or less. When the thickness of the conductive portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles do not become too hard and the conductive particles are sufficiently conductive when connecting the electrodes. Deform.

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が十分に低くなる。また、上記最外層が金層である場合に、金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。   When the conductive part is formed of a plurality of layers, the thickness of the conductive part of the outermost layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably Is less than 0.1 μm. If the thickness of the conductive part of the outermost layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the coating by the conductive part of the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is sufficient To lower. Also, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the thickness of the gold layer, the lower the cost.

上記導電部の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み5箇所の平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を1個の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。複数の導電性粒子の場合には、上記導電部の厚みは、好ましくは、任意の導電性粒子10個について、これらの平均値を算出して求められる。   The thickness of the conductive portion can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive particle using a transmission electron microscope (TEM). With respect to the thickness of the conductive portion, it is preferable to calculate the average value of the thickness of five arbitrary conductive portions as the thickness of the conductive portion of one conductive particle, and the average value of the thickness of the entire conductive portion is one It is more preferable to calculate as the thickness of the conductive part. In the case of a plurality of conductive particles, the thickness of the conductive portion is preferably determined by calculating the average value of 10 arbitrary conductive particles.

芯物質:
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子が、上記導電部の外表面に複数の突起を有していることで、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。上記突起を有する導電性粒子を用いることで、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。さらに、上記導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質やバインダー樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
Core substance:
The conductive particles preferably have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion. The conduction reliability between the electrodes can be further enhanced by the conductive particles having the plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. Furthermore, an oxide film is often formed on the surface of the conductive portion of the conductive particle. By using the conductive particles having the projections, after the conductive particles are disposed between the electrodes, the oxide film is effectively eliminated by the projections by pressure bonding. Therefore, the electrodes and the conductive particles can be more reliably brought into contact, and the connection resistance between the electrodes can be further effectively lowered. Furthermore, when the conductive particles have an insulating substance on the surface, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles allow the conductive particles and the electrode to be separated. Insulating materials and binder resins are effectively eliminated. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be more effectively enhanced.

上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に複数の突起を容易に形成することができる。但し、導電性粒子の導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。   By embedding the core substance in the conductive portion, a plurality of protrusions can be easily formed on the outer surface of the conductive portion. However, in order to form a projection on the surface of the conductive portion of the conductive particle, the core material may not necessarily be used.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第1の導電部を形成した後、該第1の導電部上に芯物質を配置し、次に第2の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部(第1の導電部又は第2の導電部等)を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。   As a method of forming the above-mentioned protrusion, after making a core substance adhere to the surface of substrate particles, a method of forming a conductive part by electroless plating, and a conductive part was formed by electroless plating on the surface of substrate particles After that, a core material is attached, and a method of forming a conductive portion by electroless plating is further included. As another method of forming the above-mentioned protrusion, after forming the first conductive portion on the surface of the base particle, the core material is disposed on the first conductive portion, and then the second conductive portion is formed. And a method of adding a core substance in the middle of forming a conductive portion (such as a first conductive portion or a second conductive portion) on the surface of a substrate particle. In addition, in order to form projections, a conductive portion is formed on the substrate particles by electroless plating without using the above-mentioned core substance, and then plating is deposited in the form of projections on the surface of the conductive portion, and further electroless plating A method or the like may be used to form the conductive portion by

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。   As a method of arranging the core substance on the surface of the substrate particle, the core substance is added to the dispersion of the substrate particle, and the core substance is accumulated on the surface of the substrate particle by van der Waals force, A method of adhering, and a method of adding a core substance to a container containing substrate particles and adhering the core material to the surface of the substrate particles by mechanical action by rotation of the container etc. may be mentioned. In order to easily control the amount of the core substance to be attached, it is preferable to accumulate the core substance on the surface of the substrate particles in the dispersion and to make the core substance adhere.

上記芯物質の材料は特に限定されない。上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質等が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。導電性を高めることができ、さらに接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電部を形成するための金属として挙げた金属を適宜使用可能である。   The material of the core material is not particularly limited. As a material of the said core substance, an electroconductive substance, a nonelectroconductive substance, etc. are mentioned. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive nonmetals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the nonconductive material include silica, alumina, titanium oxide, barium titanate and zirconia. Metals are preferred as they can increase conductivity and can effectively lower the connection resistance. The core material is preferably metal particles. As a metal which is a material of the said core substance, the metal quoted as a metal for forming the said electroconductive part can be used suitably.

絶縁性物質:
上記導電性粒子は、上記導電部の表面上に配置された絶縁性物質をさらに備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
Insulating material:
The conductive particles preferably further include an insulating material disposed on the surface of the conductive portion. In this case, when conductive particles are used for connection between electrodes, short circuit between adjacent electrodes can be further prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between adjacent electrodes in the lateral direction rather than between the upper and lower electrodes. In addition, at the time of connection between the electrodes, by pressurizing the conductive particles with two electrodes, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. When the conductive particle has a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive part, the insulating material between the conductive part of the conductive particle and the electrode can be more easily removed.

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。   The insulating material is preferably insulating particles, because the insulating material can be more easily removed at the time of pressure bonding between the electrodes.

上記絶縁性物質の材料としては、ポリオレフィン化合物、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of materials for the insulating substance include polyolefin compounds, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins, water-soluble resins, etc. Can be mentioned. As the material of the insulating substance, only one type may be used, or two or more types may be used in combination.

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリドデシル(メタ)アクリレート及びポリステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。   Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer and the like. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polydodecyl (meth) acrylate and polystearyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. An epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin etc. are mentioned as said thermosetting resin. Examples of crosslinking of the thermoplastic resin include introduction of polyethylene glycol methacrylate, alkoxylated trimethylolpropane methacrylate, alkoxylated pentaerythritol methacrylate, and the like. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide and methyl cellulose. In addition, a chain transfer agent may be used to adjust the degree of polymerization. Examples of chain transfer agents include thiol and carbon tetrachloride.

上記導電部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。   As a method of arranging an insulating material on the surface of the above-mentioned conductive part, a chemical method, a physical or mechanical method, etc. are mentioned. Examples of the chemical method include interfacial polymerization, suspension polymerization in the presence of particles, and emulsion polymerization. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic deposition, spraying, dipping and vacuum deposition. It is preferable to dispose the insulating substance on the surface of the conductive part via a chemical bond because the insulating substance is difficult to be released.

上記導電部の外表面、及び絶縁性物質の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性物質の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の表面の官能基と化学結合していても構わない。   The outer surface of the conductive part and the surface of the insulating material may be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive portion and the surface of the insulating material may not be directly chemically bonded, but may be indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group to the outer surface of the conductive portion, the carboxyl group may be chemically bonded to a functional group on the surface of the insulating substance via a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.

(基材粒子)
本発明に係る基材粒子は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる。本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の10%K値が、2000N/mm以下である。本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記基材粒子の面積と上記基材粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記基材粒子の面積の、上記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)が0.80以上である。
(Base particles)
The substrate particles according to the present invention are used to obtain conductive particles having a conductive portion. In the substrate particle according to the present invention, the 10% K value of the substrate particle is 2000 N / mm 2 or less. In the substrate particle according to the present invention, when the area of the substrate particle and the area of the rectangle circumscribing the substrate particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the substrate particle, the substrate The ratio of the area of the particles to the area of the rectangle circumscribing the base particle (the area of the substrate particle / the area of the rectangle circumscribing the base particle) is 0.80 or more.

本発明に係る基材粒子では、上記の構成が備えられているので、上記基材粒子を導電性粒子として用いて、電極間を電気的に接続する場合に、低い圧力で圧着を行ったとしても、接続抵抗を低くすることができる。   In the substrate particle according to the present invention, since the above-described configuration is provided, pressure bonding is performed at a low pressure when electrically connecting the electrodes using the substrate particle as conductive particles. Also, the connection resistance can be lowered.

本発明に係る基材粒子を導電性粒子として用いた場合には、比較的低い圧力で電極間を電気的に接続した場合でも、導電性粒子と電極との接触面積を十分に確保することができ、接続抵抗を十分に低くすることができる。   When the substrate particles according to the present invention are used as conductive particles, sufficient contact area between the conductive particles and the electrodes can be secured even when the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. And the connection resistance can be made sufficiently low.

また、本発明に係る基材粒子を導電性粒子として用いた場合には、電極間を電気的に接続する際に圧力を高くする必要がないので、電極の傷付きを効果的に抑制することができ、接続抵抗を十分に低くすることができる。また、本発明に係る基材粒子を導電性粒子として用いた場合には、電極間を電気的に接続する際に圧力を高くする必要がないので、圧縮された基材粒子が元の形状に戻ろうとする作用が比較的働き難く、スプリングバックが発生し難い。本発明に係る基材粒子を導電性粒子として用いた場合には、導電性粒子と電極との接触面積の低下を効果的に防止することができ、接続抵抗を十分に低くすることができ、導通信頼性を効果的に高めることができる。   In addition, when the substrate particles according to the present invention are used as the conductive particles, there is no need to increase the pressure when electrically connecting the electrodes, so that scratching of the electrodes can be effectively suppressed. And the connection resistance can be made sufficiently low. In addition, when the substrate particles according to the present invention are used as conductive particles, it is not necessary to increase the pressure when electrically connecting the electrodes, so the compressed substrate particles have the original shape. The action to return is relatively difficult to work, and springback hardly occurs. When the substrate particles according to the present invention are used as the conductive particles, it is possible to effectively prevent the decrease in the contact area between the conductive particles and the electrode, and to sufficiently reduce the connection resistance. The conduction reliability can be effectively enhanced.

上記基材粒子の長径は、好ましくは5μm以上、より好ましくは10μm以上であり、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下、さらに好ましくは35μm以下である。上記基材粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材粒子を導電性粒子として用いた場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなるので接続抵抗を低くすることができ、かつ、導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、上記基材粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材粒子を導電性粒子として用いた場合に、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、上記導電性粒子の長径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材粒子を導電性粒子として用いた場合に、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。   The major diameter of the base particle is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, and still more preferably 35 μm or less. When the base particle is used as the conductive particle, if the major diameter of the base particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the contact area between the conductive particle and the electrode becomes sufficiently large, so the connection resistance Can be lowered, and it becomes difficult to form aggregated conductive particles when forming the conductive portion. In addition, when the base particle is used as the conductive particle, if the major diameter of the base particle is the lower limit or more and the upper limit or less, the distance between the electrodes connected via the conductive particle is large. It does not become too much, and the conductive part becomes difficult to peel off from the surface of the base particle. Moreover, when the said base material particle is used as an electroconductive particle as long diameter of the said electroconductive particle is more than the said lower limit and below the said upper limit, electroconductive particle can be suitably used for the use of an electrically-conductive material .

上記基材粒子の長径は、例えば、任意の基材粒子を電子顕微鏡にて観察することにより算出することができる。上記基材粒子の長径は、基材粒子の外周の2点を直線で結んだ距離が最大となる寸法である。   The major diameter of the base particle can be calculated, for example, by observing any base particle with an electron microscope. The major diameter of the above-mentioned base material particle is a size which the distance which connected two points of the perimeter of substrate particle by a straight line becomes the maximum.

上記基材粒子の長径は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、任意の基材粒子50個の長径を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   The major diameter of the substrate particles may be determined by observing 50 arbitrary substrate particles with an electron microscope or an optical microscope, and arithmetically averaging the major diameters of 50 arbitrary substrate particles to calculate an average value. preferable.

本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の10%K値は、2000N/mm以下である。上記基材粒子の10%K値は、好ましくは500N/mm以上、より好ましくは700N/mm以上であり、好ましくは1500N/mm以下、より好ましくは1300N/mm以下である。上記基材粒子の10%K値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材粒子を導電性粒子として用いた場合に、スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制することができ、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。また、上記基材粒子の10%K値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材粒子を導電性粒子として用いた場合に、上記導電性粒子のめっき割れの発生をより一層効果的に抑制することができ、接続抵抗をより一層低くすることができる。 In the substrate particle according to the present invention, the 10% K value of the substrate particle is 2000 N / mm 2 or less. 10% K value of the base particles is preferably 500 N / mm 2 or more, more preferably 700 N / mm 2 or more, preferably 1500 N / mm 2 or less, and more preferably not more than 1300 N / mm 2. When the base particle is used as a conductive particle, if the 10% K value of the base particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, generation of spring back can be more effectively suppressed. It is possible to improve the conduction reliability more effectively. In addition, when the base particle is used as the conductive particle, when the 10% K value of the base particle is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the occurrence of the plating cracking of the conductive particle is further enhanced. This can be effectively suppressed, and the connection resistance can be further lowered.

上記基材粒子の10%K値(基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率)は、以下のようにして測定できる。   The 10% K value (the compression modulus when the base particles are compressed by 10%) of the base particles can be measured as follows.

試料台上に、基材粒子を置く。基材粒子は、重力によって、静置された状態になる。基材粒子を、最も安定化する静置状態にすることが好ましい。一般的に、基材粒子の長さ方向が、横方向になる。微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃において、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で基材粒子1個を、試料台上の上下方向に圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、25℃における10%K値を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機MCT−W200」、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。上記基材粒子の10%K値は、任意に選択された50個の基材粒子の10%K値を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   Place the substrate particles on the sample table. The substrate particles are in a stationary state by gravity. It is preferable to place the substrate particles in the most stabilized stationary state. In general, the longitudinal direction of the substrate particles is in the lateral direction. Using a micro compression tester, with a cylindrical (diameter 100 μm, made of diamond) smooth indenter end face, one substrate particle under the conditions of a compression speed of 0.3 mN / s and a maximum test load of 20 mN at 25 ° C Compress in the vertical direction on the sample table. The load value (N) and the compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured values obtained, the 10% K value at 25 ° C. can be determined by the following equation. As the above-mentioned micro compression tester, for example, "Micro compression tester MCT-W200" manufactured by Shimadzu Corporation, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher, etc. may be used. The 10% K value of the substrate particles is preferably determined by arithmetically averaging the 10% K values of 50 arbitrarily selected substrate particles to calculate an average value.

10%K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:基材粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:基材粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:基材粒子の長径(mm)
10% K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when substrate particles are 10% compressively deformed (N)
S: Compressive displacement (mm) when substrate particles are 10% compressively deformed
R: major diameter of base particle (mm)

上記K値は、基材粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記K値を用いることにより、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。   The above-mentioned K value expresses the hardness of substrate particles in a universal and quantitative manner. By using the above-described K value, the hardness of the base material particles can be quantitatively and uniquely represented.

本発明に係る基材粒子では、上記基材粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、上記基材粒子の面積と上記基材粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、上記基材粒子の面積の、上記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)が0.80以上である。上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)が大きいほど、導電性粒子が長方形に近い形状になる。本発明に係る基材粒子のアスペクト比は、一般的に1を超える。本発明に係る基材粒子のアスペクト比(長径/短径)は、5以下であってもよく、3以下であってもよい。   In the substrate particle according to the present invention, when the area of the substrate particle and the area of the rectangle circumscribing the substrate particle are calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the substrate particle, the substrate The ratio of the area of the particles to the area of the rectangle circumscribing the base particle (the area of the substrate particle / the area of the rectangle circumscribing the base particle) is 0.80 or more. As the above ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribing base particle) is larger, the conductive particle has a shape closer to a rectangle. The aspect ratio of the substrate particles according to the invention is generally more than one. The aspect ratio (long diameter / short diameter) of the substrate particles according to the present invention may be 5 or less, or 3 or less.

上記基材粒子に外接する長方形は、上記基材粒子に外接する長方形の面積が最小となるように描かれる。   The rectangle circumscribing the substrate particle is drawn so that the area of the rectangle circumscribing the substrate particle is minimized.

図7(a)及び(b)は、本発明に係る基材粒子において、基材粒子の面積及び基材粒子に外接する長方形の面積を説明するための模式図である。図7(a)及び(b)には、上述した基材粒子11を電子顕微鏡にて観察することにより得られた基材粒子11の電子顕微鏡画像と、基材粒子11に外接する長方形61とが模式的に示されている。   FIGS. 7A and 7B are schematic views for explaining the area of substrate particles and the area of a rectangle circumscribing the substrate particles in the substrate particles according to the present invention. In FIGS. 7A and 7B, an electron microscope image of the base material particle 11 obtained by observing the base material particle 11 described above with an electron microscope, and a rectangle 61 circumscribing the base material particle 11 and Is schematically shown.

上記基材粒子の面積とは、図7(a)において、基材粒子11の面積(S3)である。上記基材粒子に外接する長方形の面積とは、図7(b)において、基材粒子11に外接する長方形61の面積(S4)である。上記基材粒子の面積の、上記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比とは、図7(a)及び(b)において、基材粒子11の面積(S3)の、基材粒子11に外接する長方形61の面積(S4)に対する比(S3/S4)である。   The area of the base particle is the area (S3) of the base particle 11 in FIG. 7A. The area of the rectangle circumscribing the base particle is the area (S4) of the rectangle 61 circumscribing the base particle 11 in FIG. 7B. The ratio of the area of the substrate particle to the area of the rectangle circumscribing the substrate particle is the ratio of the area (S3) of the substrate particle 11 to the substrate particle 11 in FIGS. 7 (a) and 7 (b). It is a ratio (S3 / S4) to the area (S4) of the circumscribed rectangle 61.

接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子における上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は、好ましくは0.82以上、より好ましくは0.85以上である。上記基材粒子における上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は、好ましくは1.0以下、より好ましくは1.0未満である。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance, the ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribed to base particle) in the base particle is preferably 0.82 or more, more preferably 0. 85 or more. The ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribing base particle) in the base particle is preferably 1.0 or less, more preferably less than 1.0.

上記観察において、上記基材粒子に外接する長方形の4つの頂点に基材粒子が至っていないことが好ましい。   In the observation, it is preferable that the base material particles do not reach the four apexes of the rectangle circumscribing the base material particles.

上記基材粒子における上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、任意の基材粒子50個の上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)を算術平均して平均値を算出することにより求めることが好ましい。   The above ratio (area of base particle / area of rectangular circumscribed to base particle) in the base particle is obtained by observing 50 arbitrary base particles with an electron microscope or an optical microscope. It is preferable to obtain | require by calculating the average value by carrying out the arithmetic mean of the above-mentioned ratio (area of the base material particle / area of the rectangle circumscribed to base material particle).

本発明に係る基材粒子では、上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は0.80以上である。上記基材粒子の形状が真球状である場合には、上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は0.785であるので、本発明に係る基材粒子の形状は真球状ではない。本発明に係る基材粒子の形状は、上述した関係を満足していれば特に限定されない。本発明に係る基材粒子の形状は、柱状であってもよく、俵状であってもよい。   In the substrate particle according to the present invention, the above ratio (area of substrate particle / area of rectangle circumscribing substrate particle) is 0.80 or more. When the shape of the substrate particle is a true sphere, the above ratio (area of substrate particle / area of rectangle circumscribing substrate particle) is 0.785, and therefore the substrate particle according to the present invention The shape is not spherical. The shape of the substrate particles according to the present invention is not particularly limited as long as the above-described relationship is satisfied. The shape of the substrate particles according to the present invention may be columnar or may be bowl-like.

上記基材粒子が上述した関係を満足する形状である場合には、上記基材粒子を導電性粒子として用いて電極間を電気的に接続する際に、上記導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるので、接続時の圧力が上記導電性粒子全体に均一に付与される。結果として、上記基材粒子を導電性粒子として用いたときに、上記導電性粒子のめっき割れの発生をより一層効果的に抑制することができ、接続抵抗をより一層低くすることができる。上記基材粒子が真球状である場合には、上記基材粒子を導電性粒子として用いて電極間を電気的に接続する際に、上記導電性粒子と電極との接触面積が小さく、接続時の圧力が上記導電性粒子に局所的に付与されることがある。結果として、上記基材粒子を導電性粒子として用いたときに、上記導電性粒子のめっき割れが発生しやすく、接続抵抗を低くすることが困難となることがある。   When the substrate particles have a shape satisfying the above-mentioned relationship, the contact area between the conductive particles and the electrodes when electrically connecting the electrodes using the substrate particles as the conductive particles The pressure at the time of connection is uniformly applied to the entire conductive particles. As a result, when the substrate particles are used as the conductive particles, the occurrence of the plating cracking of the conductive particles can be more effectively suppressed, and the connection resistance can be further lowered. When the substrate particles are spherical, when the substrate particles are used as the conductive particles to electrically connect the electrodes, the contact area between the conductive particles and the electrodes is small, and the connection time is established. Pressure may be locally applied to the conductive particles. As a result, when the substrate particles are used as conductive particles, plating cracks of the conductive particles are likely to occur, and it may be difficult to reduce the connection resistance.

上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)を満足する基材粒子は、基材粒子の形成時の製造条件を調整したり、該製造条件と形成される基材粒子の10%K値とを調整したりすることにより得ることができる。例えば、基材粒子の形成時に、基材粒子に該基材粒子を練るような力を付与することにより、所定の形状の基材粒子を得ることができる。   The base particle satisfying the above ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribed to base particle) adjusts the production conditions at the time of formation of the base particle, and the base formed with the production conditions It can be obtained by adjusting the 10% K value of particles. For example, at the time of formation of substrate particles, substrate particles having a predetermined shape can be obtained by applying a force to knead the substrate particles.

スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、基材粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率は、好ましくは3%以上、より好ましくは6%以上であり、好ましくは15%以下、より好ましくは12%以下、さらに好ましくは10%以下である。   From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of more effectively enhancing the conduction reliability, the compression recovery rate when the substrate particles are deformed by 60% compression is preferably 3%. The content is more preferably 6% or more, preferably 15% or less, more preferably 12% or less, and still more preferably 10% or less.

上記基材粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate when 60% of the base particles are deformed by compression can be measured as follows.

試料台上に、基材粒子を散布する。基材粒子は、重力によって、静置された状態になる。基材粒子を、最も安定化する静置状態にすることが好ましい。一般的に、基材粒子の長さ方向が、横方向になる。散布された基材粒子1個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃において、試料台上の上下方向に、基材粒子が60%圧縮変形するまで負荷(反転荷重値)を与える。その後、原点用荷重値(0.40mN)まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から25℃における基材粒子を60%圧縮変形させた際の圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は0.33mN/秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、島津製作所社製「微小圧縮試験機MCT−W200」、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Spray the base particles on the sample table. The substrate particles are in a stationary state by gravity. It is preferable to place the substrate particles in the most stabilized stationary state. In general, the longitudinal direction of the substrate particles is in the lateral direction. 60% of substrate particles in the vertical direction on the sample table at 25 ° C on the smooth indenter end face of a cylinder (diameter 100 μm, made of diamond) using a micro compression tester for one dispersed substrate particle Apply load (reverse load value) until compressive deformation occurs. After that, unloading is performed to the origin load value (0.40 mN). The load-compression displacement can be measured during this period, and the compression recovery rate when the substrate particles are deformed by 60% at 25 ° C. can be determined from the following equation. The loading speed is 0.33 mN / sec. As the above-mentioned micro compression tester, for example, "Micro compression tester MCT-W200" manufactured by Shimadzu Corporation, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher, etc. may be used.

圧縮回復率(%)=[L2/L1]×100
L1:負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでの圧縮変位
L2:負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
Compression recovery rate (%) = [L2 / L1] × 100
L1: Compressive displacement from the home load value to the reverse load value when applying a load L2: Unloaded displacement from the reverse load value to the home load value when releasing the load

上記基材粒子は、導電性粒子を得るために用いられる。上記基材粒子は、導電性粒子を得るための用途以外の用途に用いられてもよい。上記基材粒子は、スペーサとして用いられてもよい。上記基材粒子は、スペーサとして用いられることが好ましい。上記基材粒子は、導電部を有する導電性粒子を得るために用いられることが好ましい。   The substrate particles are used to obtain conductive particles. The above-mentioned substrate particles may be used for uses other than the use for obtaining conductive particles. The base particles may be used as a spacer. The substrate particles are preferably used as a spacer. The base particle is preferably used to obtain conductive particles having a conductive portion.

さらに、上記基材粒子は、無機充填材、トナーの添加剤、衝撃吸収剤又は振動吸収剤としても好適に用いられる。例えば、ゴム又はバネ等の代替品として、上記基材粒子を用いることができる。   Furthermore, the substrate particles are also suitably used as inorganic fillers, additives for toners, impact absorbers or vibration absorbers. For example, the above-mentioned substrate particles can be used as a substitute for rubber or spring.

(基材粒子の他の詳細)
以下基材粒子の他の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
(Other details of substrate particles)
The other details of the substrate particles will be described below. In the following description, "(meth) acrylic" means one or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acrylate" means one or both of "acrylate" and "methacrylate". means.

上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。   Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles, metal particles and the like. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particle may be a core-shell particle comprising a core and a shell disposed on the surface of the core.

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがさらに好ましく、樹脂粒子であることが特に好ましい。これらの好ましい基材粒子の使用により、本発明の効果がより一層効果的に発揮され、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子を得ることができる。   The base particle is more preferably a resin particle or an organic-inorganic hybrid particle, and particularly preferably a resin particle. By the use of these preferred substrate particles, the effects of the present invention can be exhibited more effectively, and conductive particles more suitable for electrical connection between electrodes can be obtained.

上記基材粒子を用いた導電性粒子により電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。   When connecting the electrodes by the conductive particles using the base particles, the conductive particles are arranged between the electrodes, and then the conductive particles are compressed by pressure bonding. When the substrate particle is a resin particle, the conductive particle is easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particle and the electrode becomes large. Therefore, the connection resistance between the electrodes can be further lowered, and the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced.

上記樹脂粒子の材料として、種々の樹脂が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。   Various resins are suitably used as the material of the resin particles. Examples of the material of the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; polyalkylene terephthalate, polycarbonate and polyamide Phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, Polyamide imide, polyether ether ketone, polyethers Hong, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof.

導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Since resin particles having arbitrary compression physical properties suitable for the conductive material can be designed and synthesized, and the hardness of the substrate particles can be easily controlled to a suitable range, the material of the resin particles is ethylenic. It is preferable that it is a polymer obtained by polymerizing one or more kinds of polymerizable monomers having an unsaturated group.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particle is obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, as the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, a non-crosslinkable monomer may be used. And crosslinkable monomers.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomers include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid and maleic anhydride; methyl ( Meta) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylate compounds such as meta) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate and the like Element-containing (meth) acrylate compounds; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; ethylene, propylene, isoprene, butadiene and the like Unsaturated hydrocarbons; halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, chlorostyrene and the like can be mentioned.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include, for example, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipentamer. Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Multifunctional (meth) acrylate compounds such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyan Silane-containing monomers such as triaryltrimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, .gamma .- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane, etc. Can be mentioned.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The said resin particle can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer which has the said ethylenically unsaturated group by a well-known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of swelling and polymerizing a monomer with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記基材粒子は、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂を含むことが好ましい。上記基材粒子は、アクリル樹脂を含む粒子であることが好ましい。上記基材粒子は、シリコーン樹脂を含む粒子であることが好ましい。   From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, it is preferable that the substrate particles contain an acrylic resin or a silicone resin. The base particle is preferably a particle containing an acrylic resin. The substrate particles are preferably particles containing a silicone resin.

上記アクリル樹脂の材料は、(メタ)アクリル化合物であることが好ましい。上記アクリル樹脂を、上記(メタ)アクリル化合物を重合させて得る場合には、上記(メタ)アクリル化合物としては、非架橋性の(メタ)アクリル化合物と架橋性の(メタ)アクリル化合物とが挙げられる。   It is preferable that the material of the said acrylic resin is a (meth) acrylic compound. In the case where the above acrylic resin is obtained by polymerizing the above (meth) acrylic compound, as the above (meth) acrylic compound, a non-crosslinkable (meth) acrylic compound and a crosslinkable (meth) acrylic compound may be mentioned. Be

上記非架橋性の(メタ)アクリル化合物としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記非架橋性の(メタ)アクリル化合物は、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、又は、イソボルニル(メタ)アクリレートであることが好ましい。上記非架橋性の(メタ)アクリル化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the non-crosslinkable (meth) acrylic compounds include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate and lauryl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylate compounds such as cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxy Oxygen atom containing (meth) acrylate compounds, such as ethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate, etc. are mentioned. From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the non-crosslinkable (meth) acrylic compound is cyclohexyl (meth) acrylate or isobornyl It is preferable that it is (meth) acrylate. The non-crosslinkable (meth) acrylic compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記架橋性の(メタ)アクリル化合物としては、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記架橋性の(メタ)アクリル化合物は、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、又は、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレートであることが好ましい。上記架橋性の(メタ)アクリル化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the crosslinkable (meth) acrylic compound include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipentamer. Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Examples thereof include polyfunctional (meth) acrylate compounds such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the crosslinkable (meth) acrylic compound is tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, or And tetramethylolmethane tri (meth) acrylate are preferred. Only one type of the crosslinkable (meth) acrylic compound may be used, or two or more types may be used in combination.

上記(メタ)アクリル化合物を、公知の方法により重合させることで、上記アクリル樹脂を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The said acrylic resin can be obtained by polymerizing the said (meth) acrylic compound by a well-known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of swelling and polymerizing a monomer with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記シリコーン樹脂の材料は、ラジカル重合性基を有するシラン化合物と炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物とであるか、ラジカル重合性基を有しかつ炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物であるか、又は、ラジカル重合性基を両末端に有するシラン化合物であることが好ましい。これらの材料を反応させた場合には、シロキサン結合が形成される。得られるシリコーン樹脂において、ラジカル重合性基及び炭素数5以上の疎水基は一般に残存する。このような材料を用いることで、1μm以上200μm以下の長径を有する上記シリコーン樹脂を含む粒子を容易に得ることができ、しかも上記シリコーン樹脂を含む粒子の耐薬品性を高くし、かつ透湿性を低くすることができる。   The material of the silicone resin is either a silane compound having a radical polymerizable group and a silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, or a silane having a radical polymerizable group and having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms It is preferably a compound or a silane compound having a radical polymerizable group at both ends. When these materials are reacted, a siloxane bond is formed. In the obtained silicone resin, a radically polymerizable group and a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms generally remain. By using such a material, particles containing the silicone resin having a major diameter of 1 μm to 200 μm can be easily obtained, and the chemical resistance of the particles containing the silicone resin is enhanced, and moisture permeability is improved. It can be lowered.

上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   In the silane compound having a radical polymerizable group, the radical polymerizable group is preferably directly bonded to a silicon atom. Only one type of silane compound having a radical polymerizable group may be used, or two or more types may be used in combination.

上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジビニルメトキシビニルシラン、ジビニルエトキシビニルシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、及び1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   The silane compound having a radically polymerizable group is preferably an alkoxysilane compound. Examples of the silane compound having a radical polymerizable group include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, divinylmethoxyvinylsilane, divinylethoxyvinylsilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, and And 3-divinyl tetramethyl disiloxane and the like.

上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物では、炭素数5以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   In the silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is preferably directly bonded to a silicon atom. Only one type of silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms may be used, or two or more types may be used in combination.

上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物は、アルコキシシラン化合物であることが好ましい。上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、ジメチルメトキシフェニルシラン、ジメチルエトキシフェニルシラン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3,3,5−テトラメチル−1,1,5,5−テトラペニルトリシロキサン、1,1,3,5,5−ペンタフェニル−1,3,5−トリメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、フェニルトリス(トリメチルシロキシ)シラン、及びオクタフェニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。   The silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is preferably an alkoxysilane compound. The above-mentioned silane compounds having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms include phenyltrimethoxysilane, dimethoxymethylphenylsilane, diethoxymethylphenylsilane, dimethylmethoxyphenylsilane, dimethylethoxyphenylsilane, hexaphenyldisiloxane, 1, 3, 3,5-Tetramethyl-1,1,5,5-tetrapenyltrisiloxane, 1,1,3,5,5-pentaphenyl-1,3,5-trimethyltrisiloxane, hexaphenylcyclotrisiloxane, phenyl Examples include tris (trimethylsiloxy) silane, octaphenyl cyclotetrasiloxane and the like.

上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物では、ラジカル重合性基はケイ素原子に直接結合していることが好ましく、炭素数5以上の疎水基はケイ素原子に直接結合していることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   In the silane compound having a radical polymerizable group and a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, the radical polymerizable group is preferably directly bonded to a silicon atom, and the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is preferably a silicon atom Preferably, they are directly bonded. Only one type of silane compound having a radical polymerizable group and a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms may be used, or two or more types may be used in combination.

上記ラジカル重合性基を有しかつ炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物としては、フェニルビニルジメトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、フェニルメチルビニルメトキシシラン、フェニルメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルビニルメトキシシラン、ジフェニルビニルエトキシシラン、フェニルジビニルメトキシシラン、フェニルジビニルエトキシシラン、及び1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジビニルジシロキサン等が挙げられる。   As the silane compound having a radical polymerizable group and having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, phenylvinyldimethoxysilane, phenylvinyldiethoxysilane, phenylmethylvinylmethoxysilane, phenylmethylvinylethoxysilane, diphenylvinylmethoxysilane And diphenylvinylethoxysilane, phenyldivinylmethoxysilane, phenyldivinylethoxysilane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-divinyldisiloxane and the like.

上記シリコーン樹脂を含む粒子を得るために、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と、上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物とを用いる場合に、上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物の重量の、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物の重量に対する比は、好ましくは1以上、より好ましくは5以上である。上記シリコーン樹脂を含む粒子を得るために、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物と、上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物とを用いる場合に、上記炭素数5以上の疎水基を有するシラン化合物の重量の、上記ラジカル重合性基を有するシラン化合物の重量に対する比は、好ましくは20以下、より好ましくは15以下である。   When a silane compound having a radical polymerizable group and a silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms are used to obtain particles containing the silicone resin, the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is provided. The ratio of the weight of the silane compound to the weight of the silane compound having a radically polymerizable group is preferably 1 or more, more preferably 5 or more. When a silane compound having a radical polymerizable group and a silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms are used to obtain particles containing the silicone resin, the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is provided. The ratio of the weight of the silane compound to the weight of the silane compound having a radically polymerizable group is preferably 20 or less, more preferably 15 or less.

上記シリコーン樹脂を含む粒子を得るためのシラン化合物の全体において、炭素数5以上の疎水基の数の、ラジカル重合性基の数に対する比は、好ましくは0.5以上、より好ましくは1以上であり、好ましくは20以下、より好ましくは15以下である。   The ratio of the number of hydrophobic groups having 5 or more carbon atoms to the number of radically polymerizable groups is preferably 0.5 or more, more preferably 1 or more in the entire silane compound for obtaining particles containing the silicone resin. Preferably it is 20 or less, More preferably, it is 15 or less.

スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記シリコーン樹脂を含む粒子は、1つのケイ素原子に2つのメチル基が結合したジメチルシロキサン骨格を有することが好ましい。スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記シリコーン樹脂の材料は、1つのケイ素原子に2つのメチル基が結合したシラン化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the particle containing the silicone resin is dimethyl having two methyl groups bonded to one silicon atom. It is preferable to have a siloxane skeleton. From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the material of the silicone resin is a silane compound in which two methyl groups are bonded to one silicon atom. Is preferred.

スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制する観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記シリコーン樹脂を含む粒子は、上述したシラン化合物を、ラジカル重合開始剤により反応させて、シロキサン結合を形成させることが好ましい。一般に、酸または塩基触媒を用いた重縮合によって上記シリコーン樹脂を含む粒子を合成する場合、10μm以上500μm以下の長径を有するシリコーン樹脂を含む粒子を得ることは困難であり、50μm以下の長径を有するシリコーン樹脂を含む粒子を得ることが特に困難である。これに対して、ラジカル重合開始剤及び上記構成のシラン化合物を用いることで、1μm以上500μm以下の長径を有するシリコーン樹脂を含む粒子を得ることができ、10μm以上の長径を有するシリコーン樹脂を含む粒子を得ることもでき、50μm以下の長径を有するシリコーン樹脂を含む粒子を得ることもできる。   From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of spring back and the viewpoint of enhancing the conduction reliability more effectively, the particles containing the silicone resin are reacted with the above-mentioned silane compound using a radical polymerization initiator. Preferably, a siloxane bond is formed. Generally, when synthesizing particles containing the above silicone resin by polycondensation using an acid or base catalyst, it is difficult to obtain particles containing a silicone resin having a long diameter of 10 μm or more and 500 μm or less, and have a long diameter of 50 μm or less It is particularly difficult to obtain particles comprising a silicone resin. On the other hand, by using a radical polymerization initiator and the silane compound having the above structure, particles containing a silicone resin having a long diameter of 1 μm to 500 μm can be obtained, and particles containing a silicone resin having a long diameter of 10 μm or more And particles containing a silicone resin having a major diameter of 50 μm or less can also be obtained.

上記シリコーン樹脂を含む粒子を得るために、ケイ素原子に結合した水素原子を有するシラン化合物を用いなくてもよい。この場合には、金属触媒を用いずに、ラジカル重合開始剤を用いて、シラン化合物を重合させることができる。結果として、上記シリコーン樹脂を含む粒子に金属触媒が含まれないようにすることができ、上記シリコーン樹脂を含む粒子における金属触媒の含有量を少なくすることができ、スプリングバックの発生をより一層効果的に抑制することができ、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。   In order to obtain particles containing the silicone resin, a silane compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom may not be used. In this case, the silane compound can be polymerized using a radical polymerization initiator without using a metal catalyst. As a result, the particles containing the silicone resin can be prevented from containing the metal catalyst, the content of the metal catalyst in the particles containing the silicone resin can be reduced, and the occurrence of springback is further enhanced. And conduction reliability can be more effectively enhanced.

上記シリコーン樹脂を含む粒子の具体的な製造方法としては、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等でシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン樹脂を含む粒子を作製する方法等がある。シラン化合物の重合を進行させてオリゴマーを得た後、懸濁重合法、分散重合法、ミニエマルション重合法、又は乳化重合法等で重合体(オリゴマー等)であるシラン化合物の重合反応を行い、シリコーン樹脂を含む粒子を作製してもよい。例えば、ビニル基を有するシラン化合物を重合させて、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有するシラン化合物を得てもよい。フェニル基を有するシラン化合物を重合させて、重合体(オリゴマー等)として、側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。ビニル基を有するシラン化合物とフェニル基を有するシラン化合物とを重合させて、重合体(オリゴマー等)として、末端においてケイ素原子に結合したビニル基を有しかつ側鎖においてケイ素原子に結合したフェニル基を有するシラン化合物を得てもよい。   As a specific production method of the particles containing the silicone resin, the polymerization reaction of the silane compound is carried out by a suspension polymerization method, a dispersion polymerization method, a mini emulsion polymerization method, an emulsion polymerization method or the like to produce particles containing a silicone resin. There is a way to do it. After the polymerization of the silane compound is advanced to obtain an oligomer, the polymerization reaction of the silane compound which is a polymer (oligomer etc.) is carried out by a suspension polymerization method, a dispersion polymerization method, a mini emulsion polymerization method, or an emulsion polymerization method, Particles comprising a silicone resin may be made. For example, a silane compound having a vinyl group may be polymerized to obtain a silane compound having a vinyl group bonded to a silicon atom at an end. The silane compound having a phenyl group may be polymerized to obtain a silane compound having a phenyl group bonded to a silicon atom in a side chain as a polymer (oligomer or the like). A polymer (such as an oligomer) obtained by polymerizing a silane compound having a vinyl group and a silane compound having a phenyl group is a phenyl group having a vinyl group bonded to a silicon atom at its end and bonded to a silicon atom in a side chain You may obtain the silane compound which has these.

上記導電性粒子は、上記基材粒子と上記導電部との間に非導電部を有していてもよい。上記非導電部は、上記基材粒子の表面上に配置されていることが好ましい。上記非導電部は、上記基材粒子の表面を覆っていることが好ましい。本発明では、上記非導電部が上記基材粒子の表面上に配置されている場合においては、上記基材粒子の表面上に、上記非導電部を介して、上記導電部が配置されている。上記非導電部は、上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよく、上記基材粒子の表面の全部を覆っていてもよい。上記非導電部は、単層構造であってもよく、2層構造以上の多層構造であってもよい。   The conductive particle may have a nonconductive portion between the base particle and the conductive portion. The non-conductive portion is preferably disposed on the surface of the base particle. The non-conductive portion preferably covers the surface of the base particle. In the present invention, when the non-conductive portion is disposed on the surface of the base particle, the conductive portion is disposed on the surface of the base particle via the non-conductive portion. . The non-conductive portion may cover a part of the surface of the base particle, or may cover the entire surface of the base particle. The non-conductive portion may have a single layer structure or a multilayer structure of two or more layers.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、上述した導電性粒子であるか、又は、上述した基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子である。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes conductive particles and a binder resin. The conductive particles are the above-described conductive particles, or the conductive particles provided with the above-described base particles and a conductive portion disposed on the surface of the base particles. The conductive particles are preferably dispersed in a binder resin and used, and preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between the electrodes. The conductive material is preferably a conductive material for circuit connection.

上記導電材料は、本発明に係る導電性粒子以外の導電性粒子(第2の導電性粒子)を含んでいてもよい。上記第2の導電性粒子は球状であってもよい。上記導電材料は、上記導電性粒子とは異なる成分として、第2の導電性粒子を含んでいてもよい。第2の導電性粒子は、上述した導電性粒子とは異なる。第2の導電性粒子とは、第2の導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、第2の導電性粒子の面積と第2の導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、第2の導電性粒子の面積の、第2の導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.785以上0.80未満である導電性粒子を意味する。   The conductive material may include conductive particles (second conductive particles) other than the conductive particles according to the present invention. The second conductive particles may be spherical. The conductive material may include second conductive particles as a component different from the conductive particles. The second conductive particles are different from the conductive particles described above. With the second conductive particle, the area of the second conductive particle and the area of a rectangle circumscribing the second conductive particle were calculated by the electron microscope image or the optical microscope image of the second conductive particle. Sometimes, it means conductive particles in which the ratio of the area of the second conductive particles to the area of the rectangle circumscribing the second conductive particles is 0.785 or more and less than 0.80.

上記導電材料において、第2の導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記導電材料において、上記導電性粒子の含有量よりも第2の導電性粒子の含有量が多い場合には、上記導電材料を用いて電極間を接続したときに、導電性粒子全体として電極間に均一に配置されやすくなる。また、上記導電材料において、第2の導電性粒子の含有量よりも上記導電性粒子の含有量が多い場合には、上記導電材料を用いて電極間を接続したときに、接続抵抗をより一層低くすることができる。   In the conductive material, the content of the second conductive particles is not particularly limited. In the above conductive material, when the content of the second conductive particle is larger than the content of the conductive particle, when the electrodes are connected using the conductive material, the entire conductive particle is connected between the electrodes It is easy to be placed evenly. In the conductive material, when the content of the conductive particles is larger than the content of the second conductive particles, the connection resistance is further increased when the electrodes are connected using the conductive material. It can be lowered.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。   The binder resin is not particularly limited. A well-known insulating resin is used as said binder resin. The binder resin preferably contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably contains a curable component. As said curable component, a photocurable component and a thermosetting component are mentioned. It is preferable that the said photocurable component contains a photocurable compound and a photoinitiator. It is preferable that the said thermosetting component contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

上記バインダー樹脂としては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   As said binder resin, a vinyl resin, a thermoplastic resin, curable resin, a thermoplastic block copolymer, an elastomer, etc. are mentioned. The binder resin may be used alone or in combination of two or more.

上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. As said curable resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, unsaturated polyester resin, etc. are mentioned. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated product of styrene-butadiene-styrene block copolymer, and styrene-isoprene-styrene The hydrogenated substance of a block copolymer etc. are mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。   In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and light stability. Various additives such as agents, UV absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may be included.

上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。さらに、上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる他の方法としては、上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。   The method of dispersing the conductive particles in the binder resin can be a conventionally known dispersion method, and is not particularly limited. The following method is mentioned as a method of disperse | distributing the said electroconductive particle in the said binder resin. A method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed by a planetary mixer or the like. A method of uniformly dispersing the conductive particles in water or an organic solvent using a homogenizer or the like, and then adding the conductive particles in the binder resin, and kneading and dispersing the mixture using a planetary mixer or the like. Furthermore, as another method of dispersing the conductive particles in the binder resin, after diluting the binder resin with water, an organic solvent or the like, the conductive particles are added and kneaded by a planetary mixer or the like. The method of disperse | distributing etc. are mentioned.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。   The said conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, etc. When the conductive material is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on a conductive film containing conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。   The content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, based on 100% by weight of the conductive material. Is 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is the lower limit or more and the upper limit or less, the conductive particles are efficiently disposed between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further enhanced. .

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight in 100% by weight of the conductive material. % Or less, more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記導電材料において、本発明に係る導電性粒子と、上記第2の導電性粒子とが含まれる場合に、本発明に係る導電性粒子の含有量の上記第2の導電性粒子の含有量に対する比は、0.01以上であってもよく、0.05以上であってもよく、0.1以上であってもよい。上記導電材料において、本発明に係る導電性粒子と、上記第2の導電性粒子とが含まれる場合に、本発明に係る導電性粒子の含有量の上記第2の導電性粒子の含有量に対する比は、0.99以下であってもよく、0.95以下であってもよく、0.9以下であってもよい。   When the conductive material according to the present invention and the second conductive particle according to the present invention are included in the conductive material, the content of the conductive particle according to the present invention relative to the content of the second conductive particle according to the present invention The ratio may be 0.01 or more, 0.05 or more, or 0.1 or more. When the conductive material according to the present invention and the second conductive particle according to the present invention are included in the conductive material, the content of the conductive particle according to the present invention relative to the content of the second conductive particle according to the present invention The ratio may be 0.99 or less, 0.95 or less, or 0.9 or less.

(接続構造体)
上述した導電性粒子を用いて、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connected structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection target member using the conductive particles described above or using the conductive material containing the conductive particles described above and the binder resin.

本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。上記接続部の材料は、導電性粒子であるか、又は導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である。上記導電性粒子は、上述した導電性粒子であるか、又は上述した基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子である。上記接続部の材料は、上述した導電性粒子を含むことが好ましい。上記接続部が、上記導電性粒子により形成されているか、又は上記導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。   A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. And a connection portion connecting the second connection target member. The material of the connection portion is conductive particles, or a conductive material containing conductive particles and a binder resin. The conductive particles are the above-described conductive particles or the above-described base particles, and the conductive particles provided with the conductive portion disposed on the surface of the base particles. It is preferable that the material of the said connection part contains the electroconductive particle mentioned above. It is preferable that the connection portion is a connection structure formed of the conductive particles or formed of the conductive material.

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。   When the conductive particles are used alone, the connection portion itself is a conductive particle. That is, the first connection target member and the second connection target member are connected by the conductive particles. The conductive material used to obtain the connection structure is preferably an anisotropic conductive material. It is preferable that the first electrode and the second electrode be electrically connected by the conductive particles.

図5は、図1に示す導電性粒子1を用いた接続構造体の一例を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a connection structure using the conductive particles 1 shown in FIG.

図5に示す接続構造体41は、第1の接続対象部材42と、第2の接続対象部材43と、第1の接続対象部材42と第2の接続対象部材43とを接続している接続部44とを備える。接続部44は、導電性粒子1とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている。図5では、図示の便宜上、導電性粒子1は略図的に示されている。導電性粒子1に代えて、導電性粒子21,31等の他の導電性粒子を用いてもよい。   The connection structure 41 shown in FIG. 5 is a connection in which the first connection target member 42, the second connection target member 43, the first connection target member 42, and the second connection target member 43 are connected. And a unit 44. The connection portion 44 is formed of a conductive material including the conductive particles 1 and a binder resin. In FIG. 5, for convenience of illustration, the conductive particles 1 are shown schematically. Instead of the conductive particles 1, other conductive particles such as conductive particles 21 and 31 may be used.

第1の接続対象部材42は表面(上面)に、複数の第1の電極42aを有する。第2の接続対象部材43は表面(下面)に、複数の第2の電極43aを有する。第1の電極42aと第2の電極43aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材42と第2の接続対象部材43とが導電性粒子1により電気的に接続されている。   The first connection target member 42 has a plurality of first electrodes 42 a on the surface (upper surface). The second connection target member 43 has a plurality of second electrodes 43a on the surface (lower surface). The first electrode 42 a and the second electrode 43 a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Therefore, the first connection target member 42 and the second connection target member 43 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×10Pa〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120℃〜220℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は9.8×10Pa〜1.0×10Pa程度である。 The manufacturing method of the said connection structure is not specifically limited. As an example of a method of manufacturing a connection structure, a method of disposing the conductive material between a first connection target member and a second connection target member, obtaining a laminate, and then heating and pressing the laminate. Etc. The pressure of the said pressurization is about 9.8 * 10 < 4 > Pa-4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the said heating is about 120 degreeC-220 degreeC. The pressure of the said pressurization for connecting the electrode of a flexible printed circuit board, the electrode arrange | positioned on a resin film, and the electrode of a touch panel is about 9.8 * 10 < 4 > Pa-1.0 * 10 < 6 > Pa.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方は、半導体ウェハ又は半導体チップであることが好ましい。上記接続構造体は、半導体装置であることが好ましい。   Specific examples of the connection target member include electronic components such as a semiconductor chip, a capacitor, and a diode, and electronic components such as a printed circuit board, a flexible printed circuit, a circuit board such as a glass epoxy substrate and a glass substrate, and the like. The connection target member is preferably an electronic component. It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a semiconductor wafer or a semiconductor chip. The connection structure is preferably a semiconductor device.

上記導電材料は、電子部品を接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。   The conductive material is preferably a conductive material for connecting an electronic component. The conductive paste is a paste-like conductive material, and is preferably applied on the connection target member in a paste-like state.

上記導電性粒子及び上記導電材料は、タッチパネルにも好適に用いられる。従って、上記接続対象部材は、フレキシブル基板であるか、又は樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることも好ましい。上記接続対象部材は、フレキシブル基板であることが好ましく、樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることが好ましい。上記フレキシブル基板がフレキシブルプリント基板等である場合に、フレキシブル基板は一般に電極を表面に有する。   The conductive particles and the conductive material are also suitably used in a touch panel. Therefore, the connection target member is preferably a flexible substrate or a connection target member in which an electrode is disposed on the surface of a resin film. It is preferable that the said connection object member is a flexible substrate, and it is preferable that it is a connection object member by which the electrode was arrange | positioned on the surface of a resin film. When the flexible substrate is a flexible printed substrate or the like, the flexible substrate generally has an electrode on the surface.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銀電極、SUS電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   As an electrode provided in the said connection object member, metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a tungsten electrode, etc. are mentioned. When the connection target member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient, and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of a metal oxide layer may be sufficient. As a material of the said metal oxide layer, the indium oxide in which the trivalent metal element was doped, the zinc oxide in which the trivalent metal element was doped, etc. are mentioned. Sn, Al, Ga, etc. are mentioned as said trivalent metal element.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples and comparative examples. The invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
(1)基材粒子の作製
種粒子として平均粒子径6.0μmのポリスチレン粒子を用意した。上記ポリスチレン粒子5.0重量部と、イオン交換水900重量部と、ポリビニルアルコールの5重量%水溶液170重量部とを混合し、混合液を調製した。上記混合液を超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに入れて、均一に撹拌した。
Example 1
(1) Preparation of Base Particle As a seed particle, polystyrene particles having an average particle diameter of 6.0 μm were prepared. A mixed solution was prepared by mixing 5.0 parts by weight of the polystyrene particles, 900 parts by weight of ion exchanged water, and 170 parts by weight of a 5% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol. The above mixed solution was dispersed by ultrasonication, and then placed in a separable flask and uniformly stirred.

次に、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート10重量部と、メタクリル酸シクロヘキシル10重量部と、イソボルニルアクリレート80重量部とを混合し、混合物を得た。得られた混合物に、過酸化ベンゾイル(日油社製「ナイパーBW」)6.0重量部を添加し、さらに、イオン交換水1000重量部を添加し、乳化液を調製した。   Next, 10 parts by weight of polytetramethylene glycol diacrylate, 10 parts by weight of cyclohexyl methacrylate, and 80 parts by weight of isobornyl acrylate were mixed to obtain a mixture. To the obtained mixture, 6.0 parts by weight of benzoyl peroxide (“Nyper BW” manufactured by NOF Corporation) was added, and further, 1000 parts by weight of ion exchanged water was added to prepare an emulsion.

セパラブルフラスコ中の上記混合液に、上記乳化液をさらに添加し、16時間撹拌し、種粒子にモノマーを吸収させて、モノマーが膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。   The above emulsion was further added to the above mixture in the separable flask and stirred for 16 hours to allow the seed particles to absorb the monomer, thereby obtaining a suspension containing the seed particles in which the monomer was swollen.

その後、ポリビニルアルコールの5重量%水溶液510重量部を添加し、加熱を開始して85℃で、セパラブルフラスコの底の回転子をスターラーを用いて300rpmで攪拌しながら10時間反応させた後、水、メタノール、アセトンで洗浄して、基材粒子を得た。   Thereafter, 510 parts by weight of a 5% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol is added, heating is started, and the rotor at the bottom of the separable flask is reacted with stirring at 300 rpm for 10 hours at 85 ° C. The base particles were washed with water, methanol and acetone.

(2)導電性粒子の作製
得られた基材粒子を洗浄し、分級操作を行った後に乾燥した。その後、無電解めっき法により、得られた基材粒子の表面に、ニッケル層を形成し、導電性粒子を作製した。なお、ニッケル層の厚さは、0.1μmであった。
(2) Preparation of Conductive Particles The obtained base material particles were washed and classified and then dried. Thereafter, a nickel layer was formed on the surface of the obtained base material particles by electroless plating to prepare conductive particles. The thickness of the nickel layer was 0.1 μm.

(3)導電材料(異方性導電ペースト)の作製
導電材料(異方性導電ペースト)を作製するため、以下の材料を用意した。
(3) Production of Conductive Material (Anisotropic Conductive Paste) In order to produce a conductive material (anisotropic conductive paste), the following materials were prepared.

(導電材料(異方性導電ペースト)の材料)
熱硬化性化合物A:エポキシ化合物(ナガセケムテックス社製「EP−3300P」)
熱硬化性化合物B:エポキシ化合物(DIC社製「EPICLON HP−4032D」)
熱硬化性化合物C:エポキシ化合物(四日市合成社製「エポゴーセーPT」、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル)
熱硬化剤:熱カチオン発生剤(三新化学社製 サンエイド「SI−60」)
フィラー:シリカ(平均粒子径0.25μm)
導電材料(異方性導電ペースト)を以下のようにして作製した。
(Material of conductive material (anisotropic conductive paste))
Thermosetting compound A: epoxy compound (manufactured by Nagase ChemteX "EP-3300P")
Thermosetting Compound B: Epoxy Compound ("EPICLON HP-4032D" manufactured by DIC Corporation)
Thermosetting compound C: Epoxy compound ("Epogorsey PT", polytetramethylene glycol diglycidyl ether, manufactured by Yokkaichi Gosei Co., Ltd.)
Thermosetting agent: Thermal cation generator (Sanaid "SI-60" manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.)
Filler: silica (average particle size 0.25 μm)
A conductive material (anisotropic conductive paste) was produced as follows.

(導電材料(異方性導電ペースト)の作製方法)
熱硬化性化合物A10重量部と、熱硬化性化合物B10重量部と、熱硬化性化合物C15重量部と、熱硬化剤5重量部と、フィラー20重量部とを配合し、配合物を得た。さらに得られた導電性粒子を配合物100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、導電材料(異方性導電ペースト)を得た。
(Method of producing conductive material (anisotropic conductive paste))
10 parts by weight of a thermosetting compound A, 10 parts by weight of a thermosetting compound B, 15 parts by weight of a thermosetting compound C, 5 parts by weight of a thermosetting agent, and 20 parts by weight of a filler were blended to obtain a compound. Furthermore, after adding the obtained conductive particles so that the content in 100% by weight of the composition is 10% by weight, the conductive material (anisotropic material (anisotropic material) is obtained by stirring for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer. Conductive paste) was obtained.

(4)接続構造体の作製
第1の接続対象部材として、L/Sが20μm/20μmのアルミニウム電極パターンを上面に有するガラス基板を用意した。また、第2の接続対象部材として、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。
(4) Preparation of Connection Structure A glass substrate having an aluminum electrode pattern with L / S of 20 μm / 20 μm on the top surface was prepared as a first connection target member. In addition, as a second connection target member, a semiconductor chip having a gold electrode pattern (gold electrode thickness 20 μm) of 20 μm / 20 μm at L / S on the lower surface was prepared.

上記ガラス基板の上面に、作製直後の導電材料(異方性導電ペースト)を厚さ30μmとなるように塗工し、導電材料(異方性導電ペースト)層を形成した。次に、導電材料(異方性導電ペースト)層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、導電材料(異方性導電ペースト)層の温度が170℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、導電材料(異方性導電ペースト)層を170℃、1.0MPa、及び15秒間の条件で硬化させ、接続構造体を得た。   A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after preparation was coated on the upper surface of the glass substrate to a thickness of 30 μm to form a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, the semiconductor chip was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes face each other. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer becomes 170 ° C., the pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and the conductive material (anisotropic conductive paste) The layer was cured under conditions of 170 ° C., 1.0 MPa, and 15 seconds to obtain a connection structure.

(実施例2)
基材粒子を作製する際に、スターラーの回転速度を半分の回転速度(150rpm)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1 except that the rotational speed of the stirrer was changed to a half rotational speed (150 rpm) when producing the substrate particles, the substrate particles, the conductive particles, the conductive material, and the connecting structure I got

(実施例3)
基材粒子を作製する際に、ポリテトラメチレングリコールジアクリレートを1,4−ブタンジオールジアクリレートに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 3)
A substrate particle, a conductive particle, a conductive material, and in the same manner as in Example 1 except that polytetramethylene glycol diacrylate is changed to 1,4-butanediol diacrylate when producing the substrate particle I got a connection structure.

(実施例4)
基材粒子を作製する際に、スターラーの回転速度を1/3の回転速度(100rpm)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 4)
The substrate particles, the conductive particles, the conductive material, and the connection are prepared in the same manner as in Example 1 except that the rotation speed of the stirrer is changed to a rotation speed (100 rpm) of 1/3 when producing the substrate particles. I got a structure.

(実施例5)
導電性粒子を作製する際に、ニッケル層の表面に金層(0.02μm)を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 5)
When producing the conductive particles, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that a gold layer (0.02 μm) was formed on the surface of the nickel layer.

(実施例6)
導電性粒子を作製する際に、ニッケル層の表面にパラジウム層(0.02μm)を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 6)
When producing a conductive particle, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that a palladium layer (0.02 μm) was formed on the surface of the nickel layer.

(実施例7)
導電性粒子を作製する際に、ニッケル層の表面に銅層(0.1μm)を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 7)
When producing the conductive particles, conductive particles, a conductive material and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that a copper layer (0.1 μm) was formed on the surface of the nickel layer.

(実施例8)
導電性粒子を作製する際に、ニッケル層の表面に銀層(0.1μm)を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 8)
When producing the conductive particles, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that a silver layer (0.1 μm) was formed on the surface of the nickel layer.

(実施例9)
導電性粒子を作製する際に、ニッケル層の表面にはんだ層(0.3μm)を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 9)
When producing conductive particles, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that a solder layer (0.3 μm) was formed on the surface of the nickel layer.

(実施例10)
導電性粒子を作製する際に、基材粒子の表面にニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)を吸着させた後にニッケル層を形成し、導電部の外表面に複数の突起を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 10)
When producing a conductive particle, a nickel particle slurry (average particle diameter 150 nm) is adsorbed on the surface of a substrate particle, then a nickel layer is formed, and a plurality of protrusions are formed on the outer surface of a conductive portion. In the same manner as in Example 1, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained.

(実施例11)
導電性粒子を作製する際に、基材粒子の表面にアルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)を吸着させた後にニッケル層を形成し、導電部の外表面に複数の突起を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 11)
When preparing the conductive particles, after the alumina particle slurry (average particle diameter 150 nm) is adsorbed on the surface of the base particle, a nickel layer is formed, and a plurality of protrusions are formed on the outer surface of the conductive portion. In the same manner as in Example 1, conductive particles, a conductive material, and a connection structure were obtained.

(実施例12)
導電性粒子を作製する際に、基材粒子の表面に酸化チタン粒子スラリー(平均粒子径150nm)を吸着させた後にニッケル層を形成し、導電部の外表面に複数の突起を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Example 12)
When producing a conductive particle, a nickel layer is formed after a titanium oxide particle slurry (average particle diameter 150 nm) is adsorbed on the surface of a substrate particle, and a plurality of protrusions are formed on the outer surface of a conductive portion In the same manner as in Example 1, conductive particles, a conductive material and a connection structure were obtained.

(比較例1)
基材粒子を作製する際に、スターラーで攪拌せずに、セパラブルフラスコの中央のパドルで攪拌したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Comparative example 1)
When producing the substrate particles, the substrate particles, the conductive particles, the conductive material, and the connection are the same as in Example 1 except that the stirring is performed with the paddle in the center of the separable flask without stirring with the stirrer. I got a structure.

(比較例2)
基材粒子を作製する際に、ポリテトラメチレングリコールジアクリレートの配合量を10重量部から3重量部に変更し、メタクリル酸シクロヘキシルの配合量を10重量部から3重量部に変更し、イソボルニルアクリレートの配合量を80重量部から94重量部に変更した。上記の変更以外は、実施例1と同様にして、基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体を得た。
(Comparative example 2)
When preparing the substrate particles, the blending amount of polytetramethylene glycol diacrylate is changed from 10 parts by weight to 3 parts by weight, and the blending amount of cyclohexyl methacrylate is changed from 10 parts by weight to 3 parts by weight, The compounding amount of the nyl acrylate was changed from 80 parts by weight to 94 parts by weight. A substrate particle, a conductive particle, a conductive material, and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except for the above changes.

(評価)
(1)基材粒子の長径及び導電性粒子の長径
得られた基材粒子及び導電性粒子について、電子顕微鏡にて観察することにより基材粒子及び導電性粒子の長径を算出した。基材粒子及び導電性粒子の長径は、任意の基材粒子50個及び任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡にて観察し、任意の基材粒子50個の長径及び任意の導電性粒子50個の長径を算術平均して平均値を算出することにより求めた。
(Evaluation)
(1) Long Diameters of Base Particles and Long Diameters of Conductive Particles The obtained base particles and conductive particles were observed with an electron microscope to calculate the long diameters of the base particles and the conductive particles. The major diameters of the base particles and the conductive particles are obtained by observing 50 arbitrary base particles and 50 optional conductive particles with an electron microscope, and 50 long diameters of any base particles and optional conductive particles 50 It calculated | required by computing the average value arithmetically averaging the length diameter of this.

(2)基材粒子の10%K値及び導電性粒子の10%K値
得られた基材粒子及び導電性粒子について、基材粒子の10%K値及び導電性粒子の10%K値を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(2) 10% K value of substrate particles and 10% K value of conductive particles About the obtained substrate particles and conductive particles, 10% K value of substrate particles and 10% K value of conductive particles It measured using the micro compression tester (Fisher's "Fisher scope H-100") by the method mentioned above.

(3)基材粒子の形状及び導電性粒子の形状
得られた基材粒子について、電子顕微鏡にて観察することにより基材粒子の面積及び基材粒子に外接する長方形の面積を算出した。測定結果から、基材粒子の面積の、基材粒子に外接する長方形の面積に対する比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)を算出した。得られた基材粒子における上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡にて観察し、任意の基材粒子50個の上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)を算術平均して平均値を算出することにより求めた。上記比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)から基材粒子の形状を下記の基準で判定した。
(3) Shape of Base Material Particles and Shape of Conductive Particles The obtained base material particles were observed with an electron microscope to calculate the area of the base material particles and the rectangular area circumscribed to the base material particles. From the measurement results, the ratio of the area of the substrate particles to the area of the rectangle circumscribing the substrate particles (the area of the substrate particles / the area of the rectangle circumscribing the substrate particles) was calculated. The above ratio (area of base particle / area of rectangular circumscribed to base particle) in the obtained base particle is obtained by observing 50 arbitrary base particles with an electron microscope, and 50 arbitrary base particles The above ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribed to base particle) is arithmetically averaged to obtain an average value. From the above ratio (area of base particle / area of rectangle circumscribed to base particle), the shape of the base particle was determined according to the following criteria.

[基材粒子の形状の判定基準]
○:基材粒子の面積の、基材粒子に外接する長方形の面積に対する比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)が0.80以上
×:基材粒子の面積の、基材粒子に外接する長方形の面積に対する比(基材粒子の面積/基材粒子に外接する長方形の面積)が0.80未満
[Criteria for determining the shape of substrate particles]
○: Ratio of area of substrate particle to area of rectangle circumscribing substrate particle (area of substrate particle / area of rectangle circumscribing substrate particle) is 0.80 or more. ×: area of substrate particle The ratio to the area of the rectangle circumscribing the substrate particles (the area of the substrate particles / the area of the rectangle circumscribing the substrate particles) is less than 0.80

得られた導電性粒子について、電子顕微鏡にて観察することにより導電性粒子の面積及び導電性粒子に外接する長方形の面積を算出した。測定結果から、導電性粒子の面積の、導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)を算出した。得られた導電性粒子における上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡にて観察し、任意の導電性粒子50個の上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)を算術平均して平均値を算出することにより求めた。上記比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)から導電性粒子の形状を下記の基準で判定した。   The area of the conductive particles and the area of a rectangle circumscribing the conductive particles were calculated by observing the obtained conductive particles with an electron microscope. From the measurement results, the ratio of the area of the conductive particles to the area of the rectangle circumscribing the conductive particles (area of the conductive particles / area of the rectangle circumscribing the conductive particles) was calculated. The above ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle) in the obtained conductive particles is obtained by observing 50 of any conductive particles with an electron microscope, and 50 of any conductive particles The ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle) is arithmetically averaged to obtain an average value. From the above ratio (area of conductive particle / area of rectangle circumscribing conductive particle), the shape of the conductive particle was determined according to the following criteria.

[導電性粒子の形状の判定基準]
○:導電性粒子の面積の、導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)が0.80以上
×:導電性粒子の面積の、導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比(導電性粒子の面積/導電性粒子に外接する長方形の面積)が0.80未満
[Criteria for judging the shape of conductive particles]
○: The ratio of the area of the conductive particle to the area of the rectangle circumscribing the conductive particle (area of the conductive particle / area of the rectangle circumscribing the conductive particle) is 0.80 or more. ×: area of the conductive particle And the ratio of the area of the rectangle circumscribing the conductive particle (the area of the conductive particle / the area of the rectangle circumscribing the conductive particle) is less than 0.80.

(4)基材粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率及び導電性粒子を60%圧縮
変形させたときの圧縮回復率
得られた基材粒子及び導電性粒子について、基材粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率及び導電性粒子を60%圧縮変形させたときの圧縮回復率を、上述した方法により測定した。
(4) Compression recovery rate when 60% compression deformation of base material particles and compression recovery rate when 60% compression deformation of conductive particles are obtained For the obtained base particles and conductive particles, base material particles are used. The compression recovery rate at 60% compression deformation and the compression recovery rate at 60% compression deformation of the conductive particles were measured by the method described above.

(5)初期の接続抵抗
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗Aを4端子法により測定した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗Aを求めることができる。接続抵抗Aから初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。
(5) Initial Connection Resistance The connection resistance A between opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by the four-terminal method. From the relationship of voltage = current × resistance, the connection resistance A can be obtained by measuring the voltage when a constant current flows. The initial connection resistance was determined from the connection resistance A based on the following criteria.

[初期の接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗Aが2Ω以下
○:接続抵抗Aが2Ωを超え3Ω以下
△:接続抵抗Aが3Ωを超え5Ω以下
×:接続抵抗Aが5Ωを超える
[Criteria for initial connection resistance]
○: Connection resistance A is 2Ω or less ○: Connection resistance A is more than 2Ω and 3Ω or less Δ: Connection resistance A is more than 3Ω and 5Ω or less ×: Connection resistance A is more than 5Ω

(6)高温高湿放置後の接続抵抗(導通信頼性)
上記の(5)初期の接続抵抗の評価後の接続構造体を85℃及び湿度85%の条件下で500時間放置した。500時間放置後の接続構造体において、対向する電極間の接続抵抗Bを4端子法により測定した。接続抵抗A,Bから高温高湿放置後の接続抵抗(導通信頼性)を以下の基準で判定した。
(6) Connection resistance after high temperature and high humidity (conduction reliability)
The connection structure after evaluation of the connection resistance in the above (5) initial stage was left for 500 hours at 85 ° C. and 85% humidity. In the connection structure after being left for 500 hours, the connection resistance B between the opposing electrodes was measured by the four-terminal method. The connection resistance (conduction reliability) after being left at high temperature and high humidity was determined from the connection resistances A and B according to the following criteria.

[高温高湿放置後の接続抵抗(導通信頼性)の判定基準]
○○○:接続抵抗Bが接続抵抗Aの1.25倍未満
○○:接続抵抗Bが接続抵抗Aの1.25倍以上1.5倍未満
○:接続抵抗Bが接続抵抗Aの1.5倍以上2倍未満
△:接続抵抗Bが接続抵抗Aの2倍以上5倍未満
×:接続抵抗Bが接続抵抗Aの5倍以上
[Judgment criteria of connection resistance (conduction reliability) after high temperature and high humidity]
○: connection resistance B is less than 1.25 times connection resistance A ○: connection resistance B is 1.25 times or more and less than 1.5 times connection resistance A :: connection resistance B is 1. of connection resistance A 5 times or more and 2 times or less Δ: connection resistance B is 2 times or more and 5 times or less of connection resistance A ×: connection resistance B is 5 times or more of connection resistance A

(7)めっき割れ
走査型電子顕微鏡により、得られた接続構造体の接続部における導電性粒子において、めっき割れが発生しているか否かを観察した。めっき割れを下記の基準で判定した。
(7) Plating crack By the scanning electron microscope, in the electroconductive particle in the connection part of the obtained bonded structure, it was observed whether the plating crack generate | occur | produced. The plating cracking was determined according to the following criteria.

[めっき割れの判定基準]
○:めっき割れが発生していない
×:めっき割れが発生している
[Determining criteria for plating cracks]
○: no plating cracking occurred ×: plating cracking occurred

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 2019046801
Figure 2019046801

Figure 2019046801
Figure 2019046801

1…導電性粒子
1X…導電性粒子
2…導電部
2X…導電部
11…基材粒子
11X…基材粒子
21…導電性粒子
22…導電部
22A…第1の導電部
22B…第2の導電部
31…導電性粒子
31a…突起
32…導電部
32a…突起
33…芯物質
34…絶縁性物質
41…接続構造体
42…第1の接続対象部材
42a…第1の電極
43…第2の接続対象部材
43a…第2の電極
44…接続部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductive particle 1X ... Conductive particle 2 ... Conductive part 2X ... Conductive part 11 ... Base material particle 11X ... Base material particle 21 ... Conductive particle 22 ... Conductive part 22A ... 1st conductive part 22B ... 2nd conductive Part 31 ... conductive particle 31 a ... projection 32 ... conductive part 32 a ... projection 33 ... core material 34 ... insulating material 41 ... connection structure 42 ... first connection target member 42 a ... first electrode 43 ... second connection Target member 43a ... 2nd electrode 44 ... connection part

Claims (15)

基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、
前記導電性粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、前記導電性粒子の面積と前記導電性粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、前記導電性粒子の面積の、前記導電性粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である、導電性粒子。
Substrate particles,
A conductive particle provided on the surface of the substrate particle;
When the area of the conductive particle and the area of a rectangle circumscribing the conductive particle are calculated by an electron microscope image or an optical microscope image of the conductive particle, the conductive particle of the area of the conductive particle Conductive particles, wherein the ratio to the area of the rectangle circumscribing the is 0.80 or more.
10%K値が、3200N/mm以下である、請求項1に記載の導電性粒子。 The electroconductive particle of Claim 1 whose 10% K value is 3200 N / mm < 2 > or less. 60%圧縮変形させたときの圧縮回復率が、15%以下である、請求項1又は2に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to claim 1 or 2, wherein a compression recovery rate at a time of 60% compression deformation is 15% or less. 前記基材粒子が、樹脂粒子である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-3 whose said base material particle is a resin particle. 前記樹脂粒子が、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂を含む、請求項4に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to claim 4, wherein the resin particle comprises an acrylic resin or a silicone resin. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The conductive particle according to any one of claims 1 to 5, further comprising an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion. 前記導電部の外表面に突起を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-6 which has a processus | protrusion in the outer surface of the said electroconductive part. 導電部を有する導電性粒子を得るために用いられる基材粒子であり、
前記基材粒子の10%K値が、2000N/mm以下であり、
前記基材粒子の電子顕微鏡画像又は光学顕微鏡画像により、前記基材粒子の面積と前記基材粒子に外接する長方形の面積とを算出したときに、前記基材粒子の面積の、前記基材粒子に外接する長方形の面積に対する比が0.80以上である、基材粒子。
A substrate particle used to obtain conductive particles having a conductive portion,
The 10% K value of the base particle is 2000 N / mm 2 or less,
When the area of the substrate particle and the area of a rectangle circumscribing the substrate particle are calculated by an electron microscope image or an optical microscope image of the substrate particle, the substrate particle of the area of the substrate particle Substrate particles whose ratio to the area of a rectangle circumscribed by is 0.80 or more.
60%圧縮させたときの圧縮回復率が、15%以下である、請求項8に記載の基材粒子。   The substrate particles according to claim 8, wherein the compression recovery rate when compressed 60% is 15% or less. 樹脂粒子である、請求項8又は9に記載の基材粒子。   The base material particle of Claim 8 or 9 which is a resin particle. 前記樹脂粒子が、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂を含む、請求項10に記載の基材粒子。   The base material particle of Claim 10 in which the said resin particle contains an acrylic resin or a silicone resin. 導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、
前記導電性粒子が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子である、導電材料。
Containing conductive particles and a binder resin,
A conductive material, wherein the conductive particle is the conductive particle according to any one of claims 1 to 7.
導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、
前記導電性粒子が、請求項8〜11のいずれか1項に記載の基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子である、導電材料。
Containing conductive particles and a binder resin,
A conductive material, wherein the conductive particle is a conductive particle including the substrate particle according to any one of claims 8 to 11 and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle.
第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記導電性粒子が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having a first electrode on the surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection portion is conductive particles, or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin,
The said electroconductive particle is an electroconductive particle of any one of Claims 1-7,
The connection structure which the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected by the said electroconductive particle.
第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記導電性粒子が、請求項8〜11のいずれか1項に記載の基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having a first electrode on the surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection portion is conductive particles, or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin,
The conductive particle is a conductive particle provided with the substrate particle according to any one of claims 8 to 11 and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particle,
The connection structure which the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected by the said electroconductive particle.
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