JP2019039027A - Copper micro etching agent and method for producing wiring board - Google Patents

Copper micro etching agent and method for producing wiring board Download PDF

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Abstract

To provide a micro etching agent that can form a roughened shape having excellent adhesion to resin or the like, on a copper surface, even with a small amount of etching, and a method for producing a wiring board using the micro etching agent.SOLUTION: A micro etching agent contains a water-soluble cationic polymer having an inorganic acid, a cupric ion, a halide ion, and a quaternary ammonium group in a side chain, with a weight average molecular weight of 1000 or more. In the micro etching agent, a molar concentration of halide ions is 5-100 times higher than a molar concentration of cupric ions.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a copper microetching agent and a method of manufacturing a wiring board.

プリント配線基板の製造において、銅表面とソルダーレジスト等の樹脂材料との密着性を向上させるために、マイクロエッチング剤(粗化剤)により銅表面を粗化することが行われている。銅または銅合金のマイクロエッチング剤としては、有機酸系マイクロエッチング剤(例えば特許文献1)、および無機酸系マイクロエッチング剤(例えば特許文献2)が知られている。これらのマイクロエッチング剤は酸および酸化剤を含み、さらに、粗化形状やエッチング速度の調整等を目的として、ハロゲン、ポリマー、アンモニウム塩、アミン類、界面活性剤等が添加されている。   In the production of a printed wiring board, in order to improve the adhesion between the copper surface and a resin material such as a solder resist, the copper surface is roughened with a microetching agent (roughening agent). As micro-etching agents for copper or copper alloys, organic acid-based micro-etching agents (for example, Patent Document 1) and inorganic acid-based micro-etching agents (for example, Patent Document 2) are known. These microetching agents contain an acid and an oxidizing agent, and further, halogen, polymer, ammonium salt, amines, surfactants, and the like are added for the purpose of adjusting the roughening shape and etching rate.

WO2014/017115号パンフレットWO2014 / 0117115 pamphlet WO2007/024312号パンフレットWO2007 / 024312 pamphlet

マイクロエッチング剤による粗化では、エッチング量が大きくなるほど粗化が進行するため、樹脂等との密着性が向上する傾向がある。一方、銅配線をマイクロエッチング剤により粗化すると、エッチングの進行に伴って線細りが生じ、高抵抗化や断線等の不具合を生じる場合がある。配線の狭ピッチ化(微細配線化)に伴って、配線の線細りの影響が顕著となるため、低エッチング量で高い密着性を実現可能なマイクロエッチング剤が要求されるようになっている。   In roughening with a microetching agent, the roughening proceeds as the etching amount increases, so that the adhesion with a resin or the like tends to be improved. On the other hand, when the copper wiring is roughened with a micro-etching agent, line thinning occurs with the progress of etching, which may cause problems such as high resistance and disconnection. As the wiring pitch becomes narrower (fine wiring), the influence of thinning of the wiring becomes more prominent. Therefore, a microetching agent capable of realizing high adhesion with a low etching amount is required.

特許文献1の有機酸系マイクロエッチング剤は、エッチング量が1μm以下でも、銅表面にソルダーレジスト等との密着性に優れた粗化形状を形成できる。しかし、有機酸系のマイクロエッチング剤は、有機酸やアンモニウム塩等を高濃度で含有するため、専用の排水・廃液処理設備が必要となり、汎用性が高いとは言い難い。   The organic acid microetching agent of Patent Document 1 can form a roughened shape having excellent adhesion to a solder resist or the like on the copper surface even when the etching amount is 1 μm or less. However, organic acid-based microetching agents contain organic acids and ammonium salts at high concentrations, and therefore require dedicated drainage / waste liquid treatment facilities, and are not highly versatile.

特許文献2では、ポリエチレンイミンを含む塩酸系マイクロエッチング剤により、1.5μm程度のエッチング量でソルダーレジスト等との密着性に優れる粗化形状を銅表面に形成できることが記載されている。無機酸系のエッチング剤は、有機酸系エッチング剤に比べて排水および廃液処理が容易であるとの利点を有する。しかし、無機酸系のエッチング剤を用いて樹脂との密着性を確保するためには、有機酸系エッチング剤を用いる場合に比べてエッチング量を大きくする必要がある。   Patent Document 2 describes that a roughened shape excellent in adhesion to a solder resist or the like can be formed on a copper surface with an etching amount of about 1.5 μm by using a hydrochloric acid-based microetching agent containing polyethyleneimine. An inorganic acid-based etching agent has an advantage that drainage and waste liquid treatment are easier than an organic acid-based etching agent. However, in order to ensure adhesion with a resin using an inorganic acid-based etching agent, it is necessary to increase the etching amount as compared with the case where an organic acid-based etching agent is used.

上記に鑑み、本発明は、低エッチング量でも、銅表面に樹脂等との密着性に優れた粗化形状を形成可能な無機酸系のマイクロエッチング剤の提供を目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide an inorganic acid-based microetching agent capable of forming a roughened shape having excellent adhesion to a resin or the like on a copper surface even with a low etching amount.

本発明は、銅の表面粗化に用いられる、銅のマイクロエッチング剤に関する。なお、本明細書における「銅」は、銅および銅合金を含む。また、「銅層」は、銅配線パターン層も含む。本発明のマイクロエッチング剤は、無機酸、第二銅イオン、ハロゲン化物イオン、およびカチオン性ポリマーを含む無機酸系のマイクロエッチング剤である。カチオン性ポリマーは、側鎖に第四級アンモニウム基を含む重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである。マイクロエッチング剤におけるハロゲン化物イオンのモル濃度は、第二銅イオンのモル濃度の5〜100倍である。マイクロエッチング剤のpHは2以下が好ましい。第二銅イオンの重量濃度は、ポリマーの重量濃度の50〜2000倍が好ましい。   The present invention relates to a copper microetching agent used for copper surface roughening. In addition, "copper" in this specification includes copper and a copper alloy. The “copper layer” also includes a copper wiring pattern layer. The microetching agent of the present invention is an inorganic acid-based microetching agent containing an inorganic acid, cupric ions, halide ions, and a cationic polymer. The cationic polymer is a water-soluble polymer having a side chain containing a quaternary ammonium group and having a weight average molecular weight of 1000 or more. The molar concentration of halide ions in the microetching agent is 5 to 100 times the molar concentration of cupric ions. The pH of the microetching agent is preferably 2 or less. The weight concentration of cupric ions is preferably 50 to 2000 times the weight concentration of the polymer.

さらに、本発明は、銅層を含む配線基板を製造する配線基板の製造方法に関する。配線基板の製造方法は、銅表面に上記マイクロエッチング剤を接触させて粗化する工程(粗化処理工程)を有する。粗化処理工程においては、マイクロエッチング剤の組成を所定範囲に保つために、マイクロエッチング剤に補給液を添加してもよい。粗化処理におけるエッチング量は、例えば1μm以下である。なお、「エッチング量」とは、深さ方向の平均エッチング量(溶解量)を指し、マイクロエッチング剤により溶解した銅の重量、比重および銅表面の前面投影面積から算出される値である。以下の「エッチング量」についても同様である。   Furthermore, this invention relates to the manufacturing method of the wiring board which manufactures the wiring board containing a copper layer. The manufacturing method of a wiring board has the process (roughening process process) which makes the said microetching agent contact the copper surface and roughens. In the roughening treatment step, a replenisher may be added to the microetching agent in order to keep the composition of the microetching agent within a predetermined range. The etching amount in the roughening treatment is, for example, 1 μm or less. The “etching amount” refers to an average etching amount (dissolution amount) in the depth direction, and is a value calculated from the weight and specific gravity of copper dissolved by the microetching agent and the front projected area of the copper surface. The same applies to the following “etching amount”.

本発明によれば、低エッチング量でも、樹脂等との密着性に優れる粗化形状を銅表面に形成できる。   According to the present invention, it is possible to form a roughened shape on the copper surface with excellent adhesion to a resin or the like even with a low etching amount.

配合1の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。The scanning electron micrograph of the copper surface processed with the solution of the mixing | blending 1. 配合2の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。The scanning electron micrograph of the copper surface processed with the solution of the mixing | blending 2. 配合3の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 3. 配合8の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。The scanning electron micrograph of the copper surface processed with the solution of the mixing | blending 8. 配合9の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。The scanning electron micrograph of the copper surface processed with the solution of the mixing | blending 9. 配合10の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 10. 配合11の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 11. 配合12の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 12. 配合13の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 13. 配合18の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 18. 配合19の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 19. 配合20の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 20. 配合21の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 21. 配合22の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 22. 配合23の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 23. 配合24の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of the copper surface treated with the solution of Formulation 24. 配合25の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。Scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formula 25. 配合26の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 26. 配合27の溶液により処理された銅表面の走査型電子顕微鏡写真。A scanning electron micrograph of a copper surface treated with a solution of Formulation 27. はんだ耐熱性試験において、評価結果Aのテストピースの表面写真。The surface photograph of the test piece of the evaluation result A in the solder heat resistance test. はんだ耐熱性試験において、評価結果Bのテストピースの表面写真。The surface photograph of the test piece of evaluation result B in the solder heat resistance test. はんだ耐熱性試験において、評価結果Xのテストピースの表面写真。A surface photograph of a test piece of evaluation result X in a solder heat resistance test.

[マイクロエッチング剤の組成]
本発明のマイクロエッチング剤は、銅の表面粗化に用いられる。マイクロエッチング剤は、無機酸、第二銅イオン、ハロゲン化物イオンおよびポリマーを含む酸性水溶液である。以下、本発明のマイクロエッチング剤に含まれる各成分について説明する。
[Composition of micro-etching agent]
The microetching agent of the present invention is used for surface roughening of copper. The microetching agent is an acidic aqueous solution containing an inorganic acid, cupric ions, halide ions and a polymer. Hereinafter, each component contained in the microetching agent of the present invention will be described.

<第二銅イオン>
第二銅イオンは、銅を酸化するための酸化剤として作用する。マイクロエッチング剤に配合する第二銅イオン源としては、塩化第二銅、臭化第二銅等のハロゲン化銅;硫酸第二銅、硝酸第二銅等の無機酸塩;ギ酸第二銅、酢酸第二銅等の有機酸塩;水酸化第二銅;酸化第二銅等が挙げられる。ハロゲン化第二銅は水溶液中で第二銅イオンとハロゲン化物イオンを生成するため、ハロゲン化物イオン源と第二銅イオン源の両方の作用を有するものとして使用できる。第二銅イオン源としては、ハロゲン化銅、酸化第二銅または無機酸塩が好ましい。なお、酸化第二銅を塩酸等のハロゲン化水素酸と共存させた場合の組成は、ハロゲン化銅を溶解した場合と同等となる。酸化第二銅は、酸に速やかに容易に溶解するものが好ましく、「不溶性陽極を用いた銅めっき液」等に使用されている易溶性酸化第二銅が望ましい。
<Cupric ion>
Cupric ion acts as an oxidizing agent for oxidizing copper. As a cupric ion source to be blended with the microetching agent, copper halides such as cupric chloride and cupric bromide; inorganic acid salts such as cupric sulfate and cupric nitrate; cupric formate, Organic acid salts such as cupric acetate; cupric hydroxide; cupric oxide and the like. Since cupric halide produces cupric ions and halide ions in an aqueous solution, it can be used as having both functions of a halide ion source and a cupric ion source. As the cupric ion source, copper halide, cupric oxide or inorganic acid salt is preferable. Note that the composition in the case where cupric oxide coexists with hydrohalic acid such as hydrochloric acid is equivalent to the case where copper halide is dissolved. The cupric oxide is preferably one that dissolves quickly and easily in an acid, and the readily soluble cupric oxide used in “copper plating solution using an insoluble anode” or the like is desirable.

マイクロエッチング剤の第二銅イオン濃度は、0.0005〜0.5モル/Lが好ましく、0.001〜0.3モル/Lがより好ましく、0.005〜0.2モル/L以下がさらに好ましい。第二銅イオン濃度を調整することにより、エッチング速度が適切な範囲となるため、エッチング量の制御が容易となる。   The cupric ion concentration of the microetching agent is preferably 0.0005 to 0.5 mol / L, more preferably 0.001 to 0.3 mol / L, and 0.005 to 0.2 mol / L or less. Further preferred. By adjusting the cupric ion concentration, the etching rate is in an appropriate range, so that the etching amount can be easily controlled.

<無機酸>
酸は、第二銅イオンによって酸化された銅を水溶液中に溶解させる機能を有すると共に、pH調整の機能も有する。エッチングの進行により溶液中の第二銅イオン濃度が上昇した際に、水酸化銅等の析出を抑制し、溶液の安定性を高める観点から、マイクロエッチング剤のpHは、2以下が好ましく、1.5以下がより好ましく、1以下がさらに好ましい。
<Inorganic acid>
The acid has a function of dissolving copper oxidized by cupric ions in an aqueous solution and also has a pH adjusting function. When the cupric ion concentration in the solution is increased by the progress of etching, the pH of the microetching agent is preferably 2 or less from the viewpoint of suppressing the precipitation of copper hydroxide and the like and improving the stability of the solution. .5 or less is more preferable, and 1 or less is more preferable.

マイクロエッチング剤のpHを低く保つ観点から、酸として無機酸が用いられる。無機酸は、有機酸に比べて、水溶液中で第二銅イオンに配位し難い。そのため、無機酸を用いることにより、マイクロエッチング剤における第二銅イオンの酸化剤としての作用を適正に保持できる。無機酸としては、塩酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸、硫酸、硝酸等の強酸が好ましい。ハロゲン化水素酸は、ハロゲン化物イオン源と酸の両方の作用を有するものとして使用できる。そのため、本発明のマイクロエッチング剤は、無機酸としてハロゲン化水素酸を含むことが好ましい。ハロゲン化水素酸の中でも、塩酸(塩化水素水溶液)が好ましい。酸は、2種以上を併用してもよく、無機酸に加えて少量の有機酸を用いてもよい。マイクロエッチング剤の酸濃度は、pHが上記範囲となるように調整することが好ましい。   From the viewpoint of keeping the pH of the microetching agent low, an inorganic acid is used as the acid. Inorganic acids are less likely to coordinate to cupric ions in aqueous solutions than organic acids. Therefore, by using an inorganic acid, it is possible to appropriately maintain the action of the cupric ion as an oxidizing agent in the microetching agent. The inorganic acid is preferably a hydrohalic acid such as hydrochloric acid or hydrobromic acid, or a strong acid such as sulfuric acid or nitric acid. Hydrohalic acid can be used as having the action of both a halide ion source and an acid. Therefore, the microetching agent of the present invention preferably contains hydrohalic acid as an inorganic acid. Of the hydrohalic acids, hydrochloric acid (aqueous hydrogen chloride solution) is preferred. Two or more acids may be used in combination, and a small amount of an organic acid may be used in addition to the inorganic acid. The acid concentration of the microetching agent is preferably adjusted so that the pH is in the above range.

<ハロゲン化物イオン>
ハロゲン化物イオンは、銅の溶解を補助し、密着性に優れた銅層表面を形成する機能を有する。ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等を例示できる。中でも、密着性に優れた粗化形状を均一に形成する観点から、塩化物イオンが好ましい。マイクロエッチング剤には2種以上のハロゲン化物イオンが含まれていてもよい。
<Halide ion>
Halide ions assist the dissolution of copper and have a function of forming a copper layer surface with excellent adhesion. Examples of halide ions include chloride ions and bromide ions. Among these, chloride ions are preferable from the viewpoint of uniformly forming a roughened shape having excellent adhesion. The microetching agent may contain two or more halide ions.

マイクロエッチング剤に配合するハロゲン化物イオン源としては、塩酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸;塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、臭化カリウム、臭化ナトリウム、塩化銅、臭化銅、塩化亜鉛、塩化鉄、臭化錫等の金属塩等が挙げられる。ハロゲン化物イオン源は2種以上を併用してもよい。前述のように、ハロゲン化水素酸はハロゲン化物イオン源と酸の両方の作用を有し、ハロゲン化銅はハロゲン化物イオン源と第二銅イオン源の両方の作用を有する。   Halide ion sources to be blended with the microetching agent include hydrohalic acids such as hydrochloric acid and hydrobromic acid; sodium chloride, calcium chloride, potassium chloride, ammonium chloride, potassium bromide, sodium bromide, copper chloride, odor Examples thereof include metal salts such as copper chloride, zinc chloride, iron chloride and tin bromide. Two or more halide ion sources may be used in combination. As described above, hydrohalic acid has the action of both a halide ion source and an acid, and copper halide has the action of both a halide ion source and a cupric ion source.

銅表面への粗化形状の形成を促進する観点から、マイクロエッチング剤中のハロゲン化物イオンの濃度は、0.005〜10モル/Lが好ましく、0.05〜5モル/Lがより好ましく、0.1〜3モル/Lがさらに好ましい。ハロゲン化物イオン濃度を上記範囲とすることにより、銅の酸化により生成した第一銅イオンの溶液中への溶解が促進され、銅層表面へのスマットの生成が抑制される傾向がある。なお、後述するように、マイクロエッチング剤は、第二銅イオンに対して過剰のハロゲン化物イオンを含む。そのため、ハロゲン化物イオン濃度の適正範囲は、第二銅イオン濃度に応じて設定される。   From the viewpoint of promoting the formation of a roughened shape on the copper surface, the concentration of halide ions in the microetching agent is preferably 0.005 to 10 mol / L, more preferably 0.05 to 5 mol / L, 0.1-3 mol / L is more preferable. By setting the halide ion concentration within the above range, dissolution of cuprous ions generated by oxidation of copper into the solution is promoted, and the formation of smut on the copper layer surface tends to be suppressed. As will be described later, the microetching agent contains an excess of halide ions relative to cupric ions. Therefore, the appropriate range of halide ion concentration is set according to the cupric ion concentration.

<ポリマー>
本発明のマイクロエッチング剤は、側鎖に第四級アンモニウム基を有する重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーを含有する。ポリマーは、ハロゲン化物イオンと共に、密着性に優れた粗化形状を形成する作用を有する。マイクロエッチング剤中に、第二銅イオンおよびハロゲン化物イオンと側鎖に第四級アンモニウム基を有するポリマーとが共存することにより、銅の表面に、細かい凹凸を均一に形成できる。均一な粗化形状を形成する観点から、ポリマーの重量平均分子量は2000以上が好ましく、3000以上がより好ましい。水溶性の観点から、ポリマーの重量平均分子量は、500万以下が好ましく、200万以下がより好ましい。重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)分析によりポリエチレングリコール換算で得られる値である。
<Polymer>
The microetching agent of the present invention contains a water-soluble polymer having a quaternary ammonium group in the side chain and having a weight average molecular weight of 1000 or more. A polymer has the effect | action which forms the rough shape excellent in adhesiveness with a halide ion. In the microetching agent, cuprous ions and halide ions and a polymer having a quaternary ammonium group in the side chain coexist, whereby fine irregularities can be uniformly formed on the copper surface. From the viewpoint of forming a uniform roughened shape, the weight average molecular weight of the polymer is preferably 2000 or more, and more preferably 3000 or more. From the viewpoint of water solubility, the polymer weight average molecular weight is preferably 5 million or less, and more preferably 2 million or less. The weight average molecular weight is a value obtained in terms of polyethylene glycol by gel permeation chromatograph (GPC) analysis.

側鎖に第四級アンモニウム基を有するポリマーとしては、例えば下記式(I)で表される繰り返し単位を有するポリマーが挙げられる。   Examples of the polymer having a quaternary ammonium group in the side chain include a polymer having a repeating unit represented by the following formula (I).

式(I)において、R〜Rは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい鎖状または環状の炭化水素基であり、R〜Rのうち2つ以上が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。Rは水素原子またはメチル基であり、Xは単結合または2価の連結基であり、Yは対アニオンである。 In formula (I), R 1 to R 3 are each independently a chain or cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and two or more of R 1 to R 3 are bonded to each other. Thus, a ring structure may be formed. R 4 is a hydrogen atom or a methyl group, X 1 is a single bond or a divalent linking group, and Y is a counter anion.

式(I)で表される繰り返し単位を有するポリマーの具体例としては、第四級アンモニウム塩型スチレン重合体、第四級アンモニウム塩型アミノアルキル(メタ)アクリレート重合体等が挙げられる。   Specific examples of the polymer having a repeating unit represented by the formula (I) include a quaternary ammonium salt type styrene polymer, a quaternary ammonium salt type aminoalkyl (meth) acrylate polymer, and the like.

側鎖に第四級アンモニウム基を有するポリマーは、下記式(II)で表されるように、主鎖の炭素原子と側鎖の第四級アンモニウム基が環状構造を形成している繰り返し単位を有するものでもよい。   The polymer having a quaternary ammonium group in the side chain includes a repeating unit in which the main chain carbon atom and the side chain quaternary ammonium group form a cyclic structure, as represented by the following formula (II). You may have.

上記式(II)において、RおよびRは置換基を有していてもよい鎖状または環状の炭化水素基であり、RとRが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。mは0〜2の整数である。XおよびXは、それぞれ独立に、単結合または2価の連結基である。式(II)の繰り返し単位を有するポリマーの具体例としては、式(IIa)で表されるジアリルジアルキルアンモニウム塩の重合により得られる第四級アンモニウム塩型ジアリルアミン重合体が挙げられる。 In the above formula (II), R 5 and R 6 are chain or cyclic hydrocarbon groups which may have a substituent, and R 5 and R 6 are bonded to each other to form a cyclic structure. Also good. m is an integer of 0-2. X 2 and X 3 are each independently a single bond or a divalent linking group. Specific examples of the polymer having a repeating unit of the formula (II) include a quaternary ammonium salt type diallylamine polymer obtained by polymerization of a diallyldialkylammonium salt represented by the formula (IIa).

上記式(IIa)において、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有していてもよい鎖状もしくは環状の炭化水素基であり、水素原子であることが好ましい。 In the formula (IIa), R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom or a chain or cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and preferably a hydrogen atom.

側鎖の第四級アンモニウム基は、窒素原子と炭素原子の間に二重結合を有していてもよい。第四級アンモニウム塩の対アニオンZとしては、Cl、Br、I、ClO 、BF 、CHCOO、PF 、HSO 、CSO が挙げられる。X〜Xが二価の連結基である場合、その具体例としては、メチレン基、炭素数2〜10のアルキレン基、アリーレン基、−CONH−R−基、−COO−R−基(ただし、Rは単結合、メチレン基、炭素数2〜10のアルキレン基、または炭素数2〜10のエーテル基(アルキルオキシアルキル基)である)等が挙げられる。 The side chain quaternary ammonium group may have a double bond between a nitrogen atom and a carbon atom. The counter anion Z of the quaternary ammonium salt includes Cl , Br , I , ClO 4 , BF 4 , CH 3 COO , PF 6 , HSO 4 , C 2 H 5 SO 4 −. Is mentioned. When X 1 to X 7 are divalent linking groups, specific examples thereof include a methylene group, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, an arylene group, a —CONH—R— group, a —COO—R— group ( However, R is a single bond, a methylene group, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, or an ether group (alkyloxyalkyl group) having 2 to 10 carbon atoms).

側鎖に第四級アンモニウム基を含むポリマーは、共重合体でもよい。ポリマーが共重合体である場合、共重合体は、第四級アンモニウム基を含む繰り返し単位と第四級アンモニウム基を含まない繰り返し単位を含んでいてもよい。共重合体における繰り返し単位の並びは特に限定されず、交互共重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体のいずれでもよい。共重合体がブロック共重合体またはランダム共重合体である場合、ポリマー全体のモノマー単位に対する第四級アンモニウム基を含む繰り返し単位の割合は、20モル%以上が好ましく、30モル%以上がより好ましく、40モル%以上がさらに好ましい。第四級アンモニウム基を含まない繰り返し単位としては、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸アルキル、(メタ)アクリル酸アミノアルキル、(メタ)アクリルアミド、スチレン誘導体、二酸化硫黄等に由来する構造が挙げられる。   The polymer containing a quaternary ammonium group in the side chain may be a copolymer. When the polymer is a copolymer, the copolymer may include a repeating unit containing a quaternary ammonium group and a repeating unit not containing a quaternary ammonium group. The arrangement of the repeating units in the copolymer is not particularly limited, and any of an alternating copolymer, a block copolymer, and a random copolymer may be used. When the copolymer is a block copolymer or a random copolymer, the ratio of the repeating unit containing a quaternary ammonium group to the monomer unit of the whole polymer is preferably 20 mol% or more, more preferably 30 mol% or more. 40 mol% or more is more preferable. As a repeating unit not containing a quaternary ammonium group, a structure derived from (meth) acrylic acid, alkyl (meth) acrylate, aminoalkyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, styrene derivative, sulfur dioxide, etc. Can be mentioned.

上記の特許文献2では、無機酸系のマイクロエッチング剤のポリマーとして低分子量のポリエチレンイミンが用いられているが、分子量1000未満の低分子量ポリエチレンイミンを用いても、低エッチング量で微差な粗化形状を形成することはできない。上述の特許文献1では、有機酸系マイクロエッチング剤のポリマーとして高分子量のポリエチレンイミンを用いた例が記載されている。本発明のマイクロエッチング剤は、酸として主に無機酸を用いているためpHが低い。主鎖にカチオン性基を有するポリエチレンイミンは強酸性下では不安定であり、微細な粗化形状の形成が困難である。これに対して、側鎖に第四級アンモニウム基を含むカチオン性ポリマーは、pH1以下の強酸性下でも安定であり、微細な粗化形状の形成に寄与する。   In the above-mentioned Patent Document 2, low molecular weight polyethyleneimine is used as the polymer of the inorganic acid microetching agent. A modified shape cannot be formed. Patent Document 1 described above describes an example in which high molecular weight polyethyleneimine is used as the polymer of the organic acid microetching agent. Since the microetching agent of the present invention mainly uses an inorganic acid as the acid, the pH is low. Polyethyleneimine having a cationic group in the main chain is unstable under strong acidity, and it is difficult to form a fine roughened shape. On the other hand, a cationic polymer containing a quaternary ammonium group in the side chain is stable even under strong acidity of pH 1 or less, and contributes to the formation of a fine roughened shape.

マイクロエッチング剤中のポリマーの濃度は、密着性に優れた銅層表面を形成する観点から、0.0002〜0.2g/Lが好ましく、0.001〜0.04g/Lがより好ましく、0.004〜0.02g/Lがさらに好ましい。なお、後述するように、マイクロエッチング剤におけるポリマー濃度の適正範囲は、第二銅イオン濃度に応じて設定される。   The concentration of the polymer in the microetching agent is preferably 0.0002 to 0.2 g / L, more preferably 0.001 to 0.04 g / L, from the viewpoint of forming a copper layer surface having excellent adhesion. 0.004 to 0.02 g / L is more preferable. As will be described later, an appropriate range of the polymer concentration in the microetching agent is set according to the cupric ion concentration.

<各成分の比率>
本発明のマイクロエッチング剤は、第二銅イオンに対して過剰量のハロゲン化物イオンを含有することを1つの特徴としている。マイクロエッチング剤のハロゲン化物イオン濃度(モル濃度)は、第二銅イオン濃度の5倍以上が好ましく、7倍以上がより好ましく、10倍以上がさらに好ましい。マイクロエッチング剤が、第二銅イオンに対して過剰量のハロゲン化物イオンを含有することにより、低エッチング量でも樹脂等との密着性に優れる粗化形状を銅表面に形成できる。均一な粗化形状を形成する観点から、ハロゲン化物イオン濃度は第二銅イオン濃度の100倍以下が好ましく、70倍以下がより好ましく、50倍以下がさらに好ましい。
<Ratio of each component>
One feature of the microetching agent of the present invention is that it contains an excess amount of halide ions relative to cupric ions. The halide ion concentration (molar concentration) of the microetching agent is preferably at least 5 times the cupric ion concentration, more preferably at least 7 times, and even more preferably at least 10 times. When the microetching agent contains an excess amount of halide ions relative to cupric ions, a roughened shape having excellent adhesion to a resin or the like can be formed on the copper surface even with a low etching amount. From the viewpoint of forming a uniform roughened shape, the halide ion concentration is preferably 100 times or less, more preferably 70 times or less, and even more preferably 50 times or less the cupric ion concentration.

ハロゲン化物イオンおよび酸化剤としての第二銅イオンを含むエッチング剤では、金属銅が酸化され、第二銅イオンが還元されることにより、第一銅イオンが生成する。塩化銅(I)等のハロゲン化第一銅は溶解度が小さいため、銅表面に不溶性のスマットが析出する。一方、1つの第一銅イオンは、4つのハロゲン化物イオンと可溶性の錯体を形成するため、ハロゲンが過剰に存在するとハロゲン化第一銅は速やかに再溶解する。すなわち、ハロゲンが過剰に存在する場合は、銅表面へのスマットの堆積が抑制されるため、マイクロエッチング剤を構成する各成分が、金属銅表面に接触しやすい環境となる。このような環境下では、上記のカチオン性ポリマーの作用が発現しやすく、低エッチング量でも、樹脂との密着性に優れた微細な凹凸が形成されやすいと考えられる。   In an etching agent containing halide ions and cupric ions as oxidizing agents, metallic copper is oxidized and cupric ions are generated by reducing cupric ions. Since cuprous halides such as copper (I) chloride have low solubility, insoluble smut is deposited on the copper surface. On the other hand, since one cuprous ion forms a soluble complex with four halide ions, if there is an excess of halogen, the cuprous halide rapidly re-dissolves. That is, when excessive halogen is present, deposition of smut on the copper surface is suppressed, so that each component constituting the microetching agent can easily come into contact with the metal copper surface. In such an environment, it is considered that the above-mentioned cationic polymer is easily manifested, and even with a low etching amount, fine irregularities excellent in adhesion to the resin are likely to be formed.

カチオン性ポリマーによる表面形状形成作用を高める観点から、エッチング剤中の第二銅イオンの重量濃度は、カチオン性ポリマーの重量濃度の50〜2000倍が好ましく、100〜1500倍がより好ましく、200〜1000倍がさらに好ましい。   From the viewpoint of enhancing the surface shape forming action by the cationic polymer, the weight concentration of the cupric ion in the etching agent is preferably 50 to 2000 times, more preferably 100 to 1500 times the weight concentration of the cationic polymer. 1000 times is more preferable.

<他の添加剤>
本発明のマイクロエッチング剤は、上記の各成分をイオン交換水等に溶解させることにより調製できる。マイクロエッチング剤には、上記以外の成分が含まれていてもよい。例えば、粗化の均一化を目的としてノニオン性界面活性剤を添加してもよい。ノニオン性界面活性剤は、消泡剤としても作用する。その他、必要に応じて種々の添加剤を添加してもよい。これらの添加剤を使用する場合、マイクロエッチング剤中の添加剤の濃度は、0.0001〜20重量%程度が好ましい。
<Other additives>
The microetching agent of the present invention can be prepared by dissolving each of the above components in ion exchange water or the like. The microetching agent may contain components other than those described above. For example, a nonionic surfactant may be added for the purpose of uniforming the roughening. The nonionic surfactant also acts as an antifoaming agent. In addition, you may add various additives as needed. When these additives are used, the concentration of the additive in the microetching agent is preferably about 0.0001 to 20% by weight.

[マイクロエッチング剤の用途]
上記のマイクロエッチング剤は銅層表面の粗化に広く使用することができる。処理された銅表面には微細な凹凸が均一に形成されており、プリプレグ、めっきレジスト、エッチングレジスト、ソルダーレジスト、電着レジスト、カバーレイ等の樹脂との密着性が良好である。また、粗化された銅表面はんだ付け性にも優れているため、ピングリッドアレイ(PGA)用やボールグリッドアレイ(BGA)用を含む種々の配線基板の製造に特に有用である。さらにリードフレームの表面処理にも有用である。
[Use of micro-etching agent]
The above microetching agent can be widely used for roughening the copper layer surface. Fine irregularities are uniformly formed on the treated copper surface, and the adhesiveness with a resin such as a prepreg, a plating resist, an etching resist, a solder resist, an electrodeposition resist, or a coverlay is good. Moreover, since it is excellent also in the soldering property of the roughened copper surface, it is especially useful for manufacture of various wiring boards including those for pin grid arrays (PGA) and ball grid arrays (BGA). It is also useful for surface treatment of lead frames.

特に、本発明のマイクロエッチング剤は、低エッチング量で密着性に優れた表面を形成可能であるため、微細な銅配線が必要とされるプリント配線基板、ファンアウトウェハレベルパッケージ(FOWLP)、LSIの再配線銅層等の密着向上処理に有用であり、銅配線の高抵抗化や断線の抑制に寄与する。   In particular, since the microetching agent of the present invention can form a surface with a low etching amount and excellent adhesion, printed wiring boards that require fine copper wiring, fan-out wafer level packages (FOWLP), LSIs This is useful for improving the adhesion of the re-wiring copper layer, etc., and contributes to increasing the resistance of the copper wiring and suppressing disconnection.

[配線基板の製造方法]
配線基板の製造においては、銅表面に、上述のマイクロエッチング剤を接触させることにより、銅の表面が粗化される。銅層を複数層含む配線基板を製造する場合は、複数の銅層のうち一層だけを上記のマイクロエッチング剤で処理してもよく、二層以上の銅層を上記のマイクロエッチング剤で処理してもよい。
[Method of manufacturing a wiring board]
In the production of the wiring board, the copper surface is roughened by bringing the above-mentioned microetching agent into contact with the copper surface. When manufacturing a wiring board including a plurality of copper layers, only one of the plurality of copper layers may be treated with the microetching agent, and two or more copper layers may be treated with the microetching agent. May be.

粗化処理において、銅表面にマイクロエッチング剤を接触させる方法は特に限定されないが、例えば処理対象の銅層表面にマイクロエッチング剤をスプレーする方法や、処理対象の銅層をマイクロエッチング剤中に浸漬する方法等があげられる。スプレーする場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、スプレー圧0.03〜0.3MPaで5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。浸漬する場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。なお、浸漬する場合には、銅のエッチングによってマイクロエッチング剤中に生成した第一銅イオンを第二銅イオンに酸化するために、バブリング等によりマイクロエッチング剤中に空気の吹き込みを行うことが好ましい。本発明のマイクロエッチング剤は、使用後の廃液処理が容易であり、例えばアルカリによる中和、高分子凝集剤等を利用する簡便な方法で処理できる。   In the roughening treatment, the method of bringing the microetching agent into contact with the copper surface is not particularly limited. For example, the method of spraying the microetching agent on the surface of the copper layer to be treated, And the like. When spraying, the temperature of the microetching agent is preferably 10 to 40 ° C., and the etching is preferably performed under a spray pressure of 0.03 to 0.3 MPa for 5 to 120 seconds. In the case of immersion, it is preferable that the temperature of the microetching agent is 10 to 40 ° C. and etching is performed for 5 to 120 seconds. In the case of immersion, in order to oxidize cuprous ions generated in the microetching agent by copper etching into cupric ions, it is preferable to blow air into the microetching agent by bubbling or the like. . The microetching agent of the present invention can be easily treated after use, and can be treated by a simple method using, for example, neutralization with an alkali or a polymer flocculant.

マイクロエッチング剤による粗化処理後の銅表面のL*値は、70以下が好ましく、65以下がより好ましい。L*値は、L***色空間(JIS Z 8781−4)における明度L*であり、後述する実施例に記載の方法で測定される。未処理の銅箔は金属光沢を有しており、L*は80〜90程度である。表面が粗化された銅箔では、入射光が多方向に乱反射し、反射を繰り返して減衰する。そのため、銅箔の粗化が進行し、微細な凹凸形状が形成されると、L*値が小さくなる傾向がある。 The L * value of the copper surface after the roughening treatment with the microetching agent is preferably 70 or less, and more preferably 65 or less. The L * value is the lightness L * in the L * a * b * color space (JIS Z 8781-4), and is measured by the method described in the examples described later. Untreated copper foil has a metallic luster, and L * is about 80 to 90. In the copper foil having a roughened surface, incident light is irregularly reflected in multiple directions, and is repeatedly reflected and attenuated. Therefore, when the roughening of the copper foil proceeds and a fine uneven shape is formed, the L * value tends to decrease.

銅表面のL*値は、マイクロエッチング剤の配合比率やエッチング量の調整により、上記範囲内に制御することができる。本発明の一実施形態では、銅層表面のL*値が上記範囲となるように、マイクロエッチング剤の配合比やエッチング量(エッチング時間)を調整することができる。例えば、マイクロエッチング剤により銅層表面を粗化処理した後、粗化処理後の銅層表面のL*値をモニターしながら、後述する補給液の添加量や補給液の添加のタイミングを制御することもできる。 The L * value on the copper surface can be controlled within the above range by adjusting the blending ratio of the microetching agent and the etching amount. In one embodiment of the present invention, the mixing ratio of the microetching agent and the etching amount (etching time) can be adjusted so that the L * value on the surface of the copper layer falls within the above range. For example, after the surface of the copper layer is roughened with a microetching agent, the amount of replenisher added and the timing of the replenisher added are controlled while monitoring the L * value on the surface of the copper layer after the roughening. You can also.

粗化処理におけるエッチング量は特に限定されない。樹脂との密着性を向上させる観点から、エッチング量は0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上がより好ましい。微細配線が必要なプリント配線基板のソルダーレジスト被覆工程の前処理等では、エッチング量が過度に大きいと、銅層が完全にエッチングされることによる断線や、配線断面積の低下による抵抗の増大等の不具合が生じる場合がある。そのため、エッチング量は1μm以下が好ましく、0.7μm以下がより好ましく、0.5μm以下がさらに好ましい。   The etching amount in the roughening treatment is not particularly limited. From the viewpoint of improving the adhesion with the resin, the etching amount is preferably 0.05 μm or more, and more preferably 0.1 μm or more. In pre-processing of solder resist coating process for printed wiring board that requires fine wiring, if the etching amount is excessively large, disconnection due to complete etching of copper layer, increase in resistance due to reduction in wiring cross-sectional area, etc. May cause problems. Therefore, the etching amount is preferably 1 μm or less, more preferably 0.7 μm or less, and further preferably 0.5 μm or less.

マイクロエッチング剤を連続使用する場合は、補給液を添加しながら粗化処理を実施してもよい。補給液を添加しながら粗化処理を行うことにより、処理中のマイクロエッチング剤中の各成分の濃度を適正に維持できる。補給液としては、エッチングの進行に伴って減少する成分(酸、ハロゲン化物イオン、および前述のポリマー)を含む水溶液が好ましい。補給液には酸化銅等の第二銅イオン源が含まれていてもよい。補給液の添加量や補給液の添加のタイミングは、各成分の濃度管理幅等に応じて適宜設定できる。補給液中の各成分は、上述のマイクロエッチング剤に含まれる成分と同様である。補給液中の各成分の濃度は、処理に用いるマイクロエッチング剤の初期濃度等に応じて適宜調整される。補給液の組成は、建浴液(使用前のマイクロエッチング液)と同一でもよい。   When the microetching agent is used continuously, the roughening treatment may be performed while adding the replenisher. By performing the roughening process while adding the replenisher, the concentration of each component in the microetching agent being processed can be maintained appropriately. As the replenisher, an aqueous solution containing components (acid, halide ions, and the aforementioned polymer) that decrease with the progress of etching is preferable. The replenisher may contain a cupric ion source such as copper oxide. The amount of the replenisher added and the timing of the replenisher added can be appropriately set according to the concentration control range of each component. Each component in the replenisher is the same as the component contained in the above-described microetching agent. The concentration of each component in the replenisher is appropriately adjusted according to the initial concentration of the microetching agent used for the treatment. The composition of the replenishing solution may be the same as the building bath solution (microetching solution before use).

粗化処理工程後には、粗化表面を酸性水溶液で洗浄してもよい。洗浄に使用する酸性水溶液としては、塩酸、硫酸水溶液、硝酸水溶液等が使用できる。粗化形状への影響が少なく、洗浄性が高いことから塩酸が好ましい。酸性水溶液の酸濃度は、0.3〜35重量%が好ましく、1〜10重量%がより好ましい。洗浄方法は特に限定されず、粗化した銅層表面に酸性水溶液をスプレーする方法や、粗化した銅層を酸性水溶液中に浸漬する方法等が挙げられる。   After the roughening treatment step, the roughened surface may be washed with an acidic aqueous solution. As the acidic aqueous solution used for washing, hydrochloric acid, sulfuric acid aqueous solution, nitric acid aqueous solution and the like can be used. Hydrochloric acid is preferred because it has little influence on the roughened shape and has high detergency. The acid concentration of the acidic aqueous solution is preferably 0.3 to 35% by weight, and more preferably 1 to 10% by weight. The cleaning method is not particularly limited, and examples thereof include a method of spraying an acidic aqueous solution on the roughened copper layer surface, a method of immersing the roughened copper layer in the acidic aqueous solution, and the like.

マイクロエッチング剤による処理の後、樹脂との密着性をさらに向上させるために、アゾール類の水溶液やアルコール溶液で処理してもよい。また、マイクロエッチング剤による処理の後、ブラウンオキサイド処理やブラックオキサイド処理等の酸化処理を行ってもよい。   After the treatment with the microetching agent, in order to further improve the adhesion with the resin, the treatment may be performed with an aqueous solution of an azole or an alcohol solution. Further, after the treatment with the microetching agent, an oxidation treatment such as a brown oxide treatment or a black oxide treatment may be performed.

次に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。   Next, examples of the present invention will be described. In addition, this invention is limited to a following example and is not interpreted.

[マイクロエッチング剤の調製]
表1−1〜表1−2に示す配合で溶液(マイクロエッチング剤)を調製した。ポリマーA〜Iの詳細は下記の通りである。これらのポリマーは、溶液中の濃度が表に示す配合量となるように用いた。
[Preparation of micro-etching agent]
Solutions (microetching agents) were prepared with the formulations shown in Table 1-1 to Table 1-2. Details of the polymers A to I are as follows. These polymers were used so that the concentration in the solution would be the amount shown in the table.

ポリマーA:以下の構造を有するビニルピロリドン・N,N−ジメチルアミノエチルメタクリルアミドジエチル硫酸塩ランダム共重合体(重量平均分子量約80万)   Polymer A: Vinylpyrrolidone / N, N-dimethylaminoethylmethacrylamide amide diethylsulfate random copolymer having the following structure (weight average molecular weight: about 800,000)

ポリマーB:以下の繰り返し単位を有するジアリルジメチルアンモニウム塩酸塩・二酸化硫黄交互共重合体(重量平均分子量約5000)   Polymer B: diallyldimethylammonium hydrochloride / sulfur dioxide alternating copolymer (weight average molecular weight of about 5000) having the following repeating units

ポリマーC:アクリルアミド・ジメチルアミノエチルアクリレートメチルクロライド四級塩共重合体(重量平均分子量約200万)
ポリマーD:ジメチルアミノエチルメタクリレート硫酸ジメチル四級塩ポリマー(重量平均分子量約30万)
ポリマーE:ジアリルジメチルアンモニウムクロライドのポリマー(重量平均分子量約約30万)
Polymer C: Acrylamide / dimethylaminoethyl acrylate methyl chloride quaternary salt copolymer (weight average molecular weight about 2 million)
Polymer D: Dimethylaminoethyl methacrylate dimethyl sulfate quaternary salt polymer (weight average molecular weight of about 300,000)
Polymer E: diallyldimethylammonium chloride polymer (weight average molecular weight of about 300,000)

ポリマーF:ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン(5E.O.、5P.O.))グリコールモノエーテル(数平均分子量約510)
ポリマーG:ポリエチレンイミン(重量平均分子量約7万)
ポリマーH:ポリエチレンイミン(重量平均分子量約300)
ポリマーI:下記式で表されるエチレンジアミンのポリオキシエチレン‐ポリオキシプロピレンブロックポリマー付加物
Polymer F: Poly (oxyethyleneoxypropylene (5E.O., 5P.O.)) glycol monoether (number average molecular weight of about 510)
Polymer G: Polyethyleneimine (weight average molecular weight about 70,000)
Polymer H: Polyethyleneimine (weight average molecular weight about 300)
Polymer I: Polyoxyethylene-polyoxypropylene block polymer adduct of ethylenediamine represented by the following formula

表中の配合成分の残部はイオン交換水である。配合26では、配合2に有機酸としてギ酸(pKa=3.75)を加え、イオン交換水で1Lにメスアップした後、48%水酸化ナトリウム水溶液を滴下して、pH3.75(有機酸のpKaと同じpH)に調整した。配合27では、配合2に有機酸として酢酸(pKa=4.76)を加え、イオン交換水で1Lにメスアップした後、48%水酸化ナトリウム水溶液を滴下して、pH4.76に調整した。これらの溶液は無機酸としての塩酸を含んでいるが、有機酸塩が緩衝能を示すpH領域に調整されているため、実質的に有機酸系エッチング剤と同様の組成を有している。なお、無機酸のみを用いた配合1〜25の溶液のpHはいずれも1.0以下であった。   The balance of the blending components in the table is ion exchange water. In Formulation 26, formic acid (pKa = 3.75) was added as an organic acid to Formulation 2, and the volume was made up to 1 L with ion-exchanged water. Then, a 48% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise to adjust the pH to 3.75 (organic acid the same pH as pKa). In Formulation 27, acetic acid (pKa = 4.76) was added as an organic acid to Formulation 2, and the volume was adjusted to 1 L with ion-exchanged water, and then adjusted to pH 4.76 by adding a 48% aqueous sodium hydroxide solution dropwise. Although these solutions contain hydrochloric acid as an inorganic acid, the organic acid salt has a composition substantially similar to that of the organic acid-based etching agent because the organic acid salt is adjusted to a pH region exhibiting buffering ability. In addition, pH of the solution of the mixing | blending 1-25 using only an inorganic acid was 1.0 or less.

[マイクロエッチング剤による銅の処理]
厚み35μmの銅箔を絶縁基材の両面に張り合わせたガラス布エポキシ樹脂含浸銅張積層板(日立化成社製、製品名:MCL−E−67、10cm×10cm、厚み0.2mm)に、18μmの銅めっきを行ったものを試験基板として用意した。次に、表1−1〜表1−5に示す各マイクロエッチング剤(30℃)を、スプレー圧0.10MPaの条件で上記試験基板の銅めっき層表面にスプレーし、0.5μmのエッチング量となるようにエッチング時間を調整してエッチングした。次いで、水洗を行い、温度30℃の塩酸(塩化水素濃度:3.5重量%)にエッチング処理面を10秒間浸漬した後、水洗を行い、乾燥させた。
[Copper treatment with micro-etching agent]
A glass cloth epoxy resin-impregnated copper clad laminate (product name: MCL-E-67, 10 cm × 10 cm, thickness 0.2 mm, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) in which a 35 μm-thick copper foil is laminated on both sides of an insulating substrate, 18 μm A copper substrate was prepared as a test substrate. Next, each microetching agent (30 ° C.) shown in Table 1-1 to Table 1-5 is sprayed on the surface of the copper plating layer of the test substrate under a spray pressure of 0.10 MPa, and an etching amount of 0.5 μm. Etching was carried out by adjusting the etching time so that Next, the substrate was washed with water, and the etched surface was immersed in hydrochloric acid (hydrogen chloride concentration: 3.5% by weight) at a temperature of 30 ° C. for 10 seconds, followed by washing with water and drying.

処理後の試験基板の銅層の表面を、走査型電子顕微鏡(SEM)(型式JSM−7000F、日本電子社製)で観察した。SEM観察像を図1〜19に示す。各溶液の配合とSEM観察像の対応を表1−1および表1−2に示す。   The surface of the copper layer of the test substrate after the treatment was observed with a scanning electron microscope (SEM) (model JSM-7000F, manufactured by JEOL Ltd.). SEM observation images are shown in FIGS. Table 1-1 and Table 1-2 show the correspondence between the composition of each solution and the SEM observation image.

<はんだ耐熱性試験による密着性評価>
上記乾燥後の試験基板のエッチング処理面に、ガラス布エポキシ樹脂含浸プリプレグ(日立化成社製、製品名:GEA−67N、厚さ0.1mm)を積層プレス(プレス圧:30MPa、温度:170℃、時間:60分)により張り合わせた。次いで、積層した基板の周辺部を切り取ってテストピースを作製した。このテストピースを120℃(相対湿度:100%)の環境に2時間放置した後、230℃の溶融はんだ浴中に30秒間浸漬した。浸漬後の各テストピースを目視にて観察して、膨れが全く見られなかったものをA(図20参照)、表面の10%以内の領域で膨れが生じていたものをB(図21参照)、表面の10%以上の領域で膨れが生じていたものをX(図22参照)として評価した。結果を表1−1および表1−2に示す。なお、銅箔と樹脂の密着性が良好であれば膨れは見られない。
<Adhesion evaluation by solder heat resistance test>
A glass cloth epoxy resin impregnated prepreg (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., product name: GEA-67N, thickness 0.1 mm) is laminated and pressed on the etched surface of the test substrate after drying (press pressure: 30 MPa, temperature: 170 ° C.). , Time: 60 minutes). Next, a test piece was produced by cutting off the peripheral portion of the laminated substrate. The test piece was left in an environment of 120 ° C. (relative humidity: 100%) for 2 hours, and then immersed in a molten solder bath at 230 ° C. for 30 seconds. Each test piece after immersion was visually observed, and A (see FIG. 20) where no swelling was observed, and B (see FIG. 21) where swelling occurred in an area within 10% of the surface. ), And those in which swelling occurred in an area of 10% or more of the surface were evaluated as X (see FIG. 22). The results are shown in Table 1-1 and Table 1-2. In addition, if the adhesiveness of copper foil and resin is favorable, a swelling will not be seen.

<L*値による粗化面評価>
上記乾燥後の試験基板のエッチング処理面について、任意に3箇所選択し、コニカミノルタ社製色彩色差計(型式:CR−10)によりL*値を測定して、その平均値を算出した。結果を表1−1および表1−2に示す。
<Roughened surface evaluation by L * value>
About the etching process surface of the test board | substrate after the said drying, three places were selected arbitrarily, L * value was measured with the Konica Minolta company color difference meter (model: CR-10), and the average value was computed. The results are shown in Table 1-1 and Table 1-2.

表1−1および表1−2の結果から、粗化後の銅表面のL*値とはんだ耐熱性試験結果に相関がみられ、L*値が小さいほどはんだ耐熱性が良好であり、銅表面と樹脂との密着性が良好であることが分かる。 From the results of Table 1-1 and Table 1-2, there is a correlation between the L * value of the roughened copper surface and the solder heat resistance test result, and the smaller the L * value, the better the solder heat resistance. It can be seen that the adhesion between the surface and the resin is good.

ポリマーAを用いた配合1〜3では、いずれも粗化後の銅表面のL*値が55以下であり、樹脂との密着性に優れる粗化形状が形成されていた(図1〜3参照)。配合1〜3では、各成分の濃度は大きく異なっているが、ハロゲンと第二銅イオンのモル濃度比、および第二銅イオンとポリマーの重量濃度比が所定範囲であるため、同等の粗化形状が形成されていると考えられる。 In the blends 1 to 3 using the polymer A, the L * value on the copper surface after roughening was 55 or less, and a roughened shape excellent in adhesion to the resin was formed (see FIGS. 1 to 3). ). In Formulations 1 to 3, the concentration of each component is greatly different, but the molar concentration ratio between the halogen and cupric ions and the weight concentration ratio between the cupric ions and the polymer are within the predetermined ranges, so the equivalent roughening It is considered that a shape is formed.

配合4〜7では、粗化後の銅表面のL*値が65以下であった。一方、配合13〜17(図9参照)では、配合1〜11に比べて粗化後の銅表面のL*値が大きく、粗化形状の形成が不十分であった。 In formulations 4 to 7, the L * value on the copper surface after roughening was 65 or less. On the other hand, in Formulations 13-17 (refer FIG. 9), the L * value of the copper surface after roughening was large compared with Formulations 1-11, and formation of the roughening shape was inadequate.

これらの結果から、ハロゲン化物イオン、第二銅イオンおよびポリマーの配合比を調整することにより、0.5μm程度の低エッチング量でも樹脂との密着性に優れる粗化形状を形成できることが分かる。   From these results, it can be seen that by adjusting the blending ratio of halide ions, cupric ions and polymer, a roughened shape having excellent adhesion to the resin can be formed even with a low etching amount of about 0.5 μm.

ポリマーAに代えてポリマーB〜Eを含む配合8〜11(図4〜7参照)においても、配合1〜7と同様に、粗化後の銅表面のL*値が65以下であった。一方、ポリマーを配合しない配合18(図8参照)、およびポリマーG(高分子量のポリエチレンイミン)を含む配合20,21(図12,13参照)では、表面が粗化されていたものの、配合1〜11に比べて粗化後の銅表面のL*値が大きく、粗化形状の形成が不十分であった。 In the blends 8 to 11 (see FIGS. 4 to 7) containing the polymers B to E instead of the polymer A, the L * value on the copper surface after the roughening was 65 or less as in the blends 1 to 7. On the other hand, in Formulation 18 (see FIG. 8) in which no polymer was blended and in Formulations 20 and 21 (see FIGS. 12 and 13) containing polymer G (high molecular weight polyethyleneimine), the surface was roughened, but in Blend 1 Compared to ˜11, the L * value of the copper surface after roughening was large, and the formation of the roughened shape was insufficient.

ポリマーF(第四級アンモニウム塩を含まないノニオン性界面活性剤)を含む配合18,19(図10,11参照)、およびポリマーH(低分子量のポリエチレンイミン)を含む配合22,23(図14,15)では、いずれのポリマー濃度においても、表面がほとんど粗化されておらず、ポリマーを含まない配合12よりも大きなL*値を示した。ポリマーI(エチレンジアミンの誘導体ポリマー)を用いた配合24,25では、いずれのポリマー濃度においても銅表面が全く粗化されていなかった。 Formulations 18 and 19 (see FIGS. 10 and 11) containing polymer F (nonionic surfactant without quaternary ammonium salt) and Formulations 22 and 23 containing polymer H (low molecular weight polyethyleneimine) (FIG. 14) 15), the surface was hardly roughened at any polymer concentration, and the L * value was larger than that of the formulation 12 containing no polymer. In the blends 24 and 25 using the polymer I (derivative polymer of ethylenediamine), the copper surface was not roughened at any polymer concentration.

これらの結果から、側鎖に第四級アンモニウム基を有するポリマーを用い、かつ、第二銅イオン、ハロゲン化物イオン、およびポリマーの配合比が所定範囲の無機酸系溶液を用いた場合に、特異的に、銅表面に密着性に優れた微細な凹凸形状を形成できることがわかる。   From these results, when using a polymer having a quaternary ammonium group in the side chain and using an inorganic acid solution in which the mixing ratio of cupric ion, halide ion, and polymer is within a predetermined range, it is peculiar. In particular, it can be seen that a fine uneven shape having excellent adhesion can be formed on the copper surface.

有機酸を添加して緩衝pHに調整した配合26,27の有機酸系の溶液では、配合1〜11に比べて粗化後の銅表面のL*値が大きく、粗化形状の形成が不十分であった。粗化形状の形成が不十分となった一因として、pHが高くエッチングにより生成した銅イオンの溶解性が低いことが考えられる。また、有機酸は第二銅イオンに配位しやすいため、配合例26,27の溶液では第二銅イオンの実効濃度が低下し、第二銅イオンとハロゲン化物イオン濃度のバランスが崩れたことも、粗化形状が不十分であったことに関与していると考えられる。 In the organic acid solutions of Formulations 26 and 27 adjusted to buffer pH by adding organic acid, the L * value on the copper surface after roughening is larger than that of Formulations 1 to 11, and the formation of the roughened shape is not good. It was enough. One possible reason that the formation of the roughened shape is insufficient is that the pH is high and the solubility of copper ions generated by etching is low. In addition, since the organic acid is easily coordinated to the cupric ion, the effective concentration of the cupric ion was lowered in the solutions of Formulation Examples 26 and 27, and the balance between the cupric ion and the halide ion concentration was lost. Is considered to be involved in the fact that the roughened shape was insufficient.

ポリマーAに代えてポリマーB〜Eを含む配合8〜11(図4〜7参照)においても、配合1〜7と同様に、粗化後の銅表面のL*値が65以下であった。一方、ポリマーを配合しない配合12(図8参照)、およびポリマーG(高分子量のポリエチレンイミン)を含む配合20,21(図12,13参照)では、表面が粗化されていたものの、配合1〜11に比べて粗化後の銅表面のL*値が大きく、粗化形状の形成が不十分であった。 In the blends 8 to 11 (see FIGS. 4 to 7) containing the polymers B to E instead of the polymer A, the L * value on the copper surface after the roughening was 65 or less as in the blends 1 to 7. On the other hand, in Formulation 12 (see FIG. 8) in which no polymer was blended and in Formulations 20 and 21 (see FIGS. 12 and 13) containing Polymer G (high molecular weight polyethyleneimine), the surface was roughened but in Formulation 1 Compared to ˜11, the L * value of the copper surface after roughening was large, and the formation of the roughened shape was insufficient.

Claims (9)

銅の表面粗化に用いられる、銅のマイクロエッチング剤であって、
無機酸、第二銅イオン、ハロゲン化物イオン、およびカチオン性ポリマーを含み、
前記カチオン性ポリマーは、側鎖に第四級アンモニウム基を含む重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーであり、
ハロゲン化物イオンのモル濃度が、第二銅イオンのモル濃度の5〜100倍である、マイクロエッチング剤。
A copper microetching agent used for surface roughening of copper,
Including inorganic acids, cupric ions, halide ions, and cationic polymers;
The cationic polymer is a water-soluble polymer having a weight average molecular weight of 1000 or more containing a quaternary ammonium group in the side chain,
A microetching agent in which the molar concentration of halide ions is 5 to 100 times the molar concentration of cupric ions.
第二銅イオンのモル濃度が0.001〜0.5モル/Lである、請求項1に記載のマイクロエッチング剤。   The microetching agent of Claim 1 whose molar concentration of a cupric ion is 0.001-0.5 mol / L. ハロゲン化物イオンのモル濃度が0.01〜10モル/Lである、請求項1または2に記載のマイクロエッチング剤。   The microetching agent according to claim 1 or 2, wherein the molar concentration of halide ions is 0.01 to 10 mol / L. 前記ポリマーの重量濃度が、0.0005〜0.5g/Lである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。   The microetching agent according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymer has a weight concentration of 0.0005 to 0.5 g / L. pHが2以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。   The microetching agent according to any one of claims 1 to 4, wherein the pH is 2 or less. 第二銅イオンの重量濃度が、前記ポリマーの重量濃度の50〜2000倍である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。   The microetching agent according to any one of claims 1 to 5, wherein the weight concentration of cupric ions is 50 to 2000 times the weight concentration of the polymer. 銅層を含む配線基板の製造方法であって、
銅表面に請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤を接触させて銅表面を粗化する粗化処理工程を有する、配線基板の製造方法。
A method of manufacturing a wiring board including a copper layer,
The manufacturing method of a wiring board which has a roughening process process which makes the microetching agent of any one of Claims 1-6 contact the copper surface, and roughens a copper surface.
前記銅表面を粗化する際の深さ方向の平均エッチング量が1μm以下である、請求項7に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 7, wherein an average etching amount in a depth direction when the copper surface is roughened is 1 μm or less. 前記粗化処理工程において、無機酸、ハロゲン化物イオン、およびポリマーを含む酸性水溶液からなる補給液が、前記マイクロエッチング剤に添加され、
前記補給液中の前記ポリマーは、側鎖に第四級アンモニウム基を含む重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである、請求項7または8に記載の配線基板の製造方法。
In the roughening treatment step, a replenisher composed of an acidic aqueous solution containing an inorganic acid, a halide ion, and a polymer is added to the microetching agent,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 7 or 8, wherein the polymer in the replenisher is a water-soluble polymer having a side chain containing a quaternary ammonium group and having a weight average molecular weight of 1000 or more.
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