JP2019035653A - Disconnection detector, disconnection detection method, and probe tip detector - Google Patents

Disconnection detector, disconnection detection method, and probe tip detector Download PDF

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Abstract

To provide a disconnection detector, a disconnection detection method, and a probe tip detector capable of precisely determining presence or absence of a signal line outputted from a linear variable differential transformer.SOLUTION: A disconnection detector includes: a signal acquisition part for acquiring two kinds of signals outputted from a linear variable differential transformer via individual signal lines for each secondary coil; and a determination part that previously acquires correspondence between presence or absence of disconnection for each signal line and both voltage values of two kinds of signals changing according to the presence or absence of disconnection, and performs first determination processing for determining presence or absence of disconnection for each signal line by referring the correspondence, based on both voltage values of two kinds of signals acquired by the signal acquisition part.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、線形可変差動変圧器の信号線の断線を検出する断線検出装置、断線検出方法、及びプローブ先端検出装置に関する。   The present invention relates to a disconnection detection device, a disconnection detection method, and a probe tip detection device that detect a disconnection of a signal line of a linear variable differential transformer.

ウェハ(半導体ウェハともいう)の表面には、同一の電気素子回路を有する複数の半導体チップが形成されている。ウェハは、ダイサーで各半導体チップに個々に切断される前に、ウェハテストシステムにより個々の半導体チップの電気的特性が検査される。このウェハテストシステムは、プローバとテスタとを備える(特許文献1参照)。   A plurality of semiconductor chips having the same electric element circuit are formed on the surface of a wafer (also referred to as a semiconductor wafer). Before the wafer is cut into individual semiconductor chips with a dicer, the electrical characteristics of the individual semiconductor chips are inspected by a wafer test system. This wafer test system includes a prober and a tester (see Patent Document 1).

プローバは、ウェハをウェハチャック上に固定した状態で、ウェハチャックとプローブ(プローブ針ともいう)を有するプローブカードとを相対移動させることにより、半導体チップの電極(電極パッドともいう)にプローブを電気的に接触させる。テスタは、プローブに接続された端子を介して、半導体チップの電極に各種の試験信号を供給すると共に、この試験信号の供給に応じて電極から出力される信号を受信及び解析することで、半導体チップが正常に動作するか否かを検査する。   A prober electrically moves a probe to an electrode (also referred to as an electrode pad) of a semiconductor chip by moving the wafer chuck and a probe card having a probe (also referred to as a probe needle) while the wafer is fixed on the wafer chuck. Make contact. The tester supplies various test signals to the electrodes of the semiconductor chip via the terminals connected to the probe, and receives and analyzes the signals output from the electrodes in response to the supply of the test signals. Inspect whether the chip operates normally.

このようなウェハテストシステムによるウェハの検査では、プローバに設置されたプローブカードのプローブの先端をウェハに正確に接触させる必要がある。このため、プローバでのウェハの検査の前段階として、プローブの先端位置の検出が実行される。   In the inspection of a wafer by such a wafer test system, it is necessary to accurately contact the tip of the probe of the probe card installed in the prober with the wafer. For this reason, detection of the tip position of the probe is performed as a pre-stage of the wafer inspection by the prober.

特許文献2及び特許文献3には、プローブに対向する位置に設けられた接触式のプローブ先端検出装置を用いてプローブの先端位置を検出するプローバ(プローブ装置という)が開示されている。この接触式のプローブ先端検出装置を用いることにより、プローブの先端位置を高精度に検出することができる。   Patent Literature 2 and Patent Literature 3 disclose a prober (referred to as a probe device) that detects the tip position of a probe using a contact-type probe tip detection device provided at a position facing the probe. By using this contact-type probe tip detection device, the tip position of the probe can be detected with high accuracy.

特開2004−079733号公報JP 2004-079733 A 特開2009−204492号公報JP 2009-204492 A 特開2013−179329号公報JP 2013-179329 A

上記特許文献2及び特許文献3に記載のプローブ先端検出装置として、例えば、線形可変差動変圧器(Linear Variable Differential Transformer:LVDT)を利用することが考えられる。具体的には、Z軸方向(上下方向)に移動自在に保持された接触面をプローブの下方側から上昇させてプローブの先端に接触させ、この接触に伴う接触面のZ軸方向の微小移動をLVDTで検出することにより、プローブの先端位置を高精度に検出することができる。   For example, a linear variable differential transformer (LVDT) may be used as the probe tip detection device described in Patent Document 2 and Patent Document 3. Specifically, the contact surface held so as to be movable in the Z-axis direction (vertical direction) is raised from the lower side of the probe and brought into contact with the tip of the probe. By detecting LVDT with LVDT, the tip position of the probe can be detected with high accuracy.

ところで、接触面のZ軸方向の微小移動は、LVDTに設けられている2種類の二次コイルからそれぞれ信号線を介して出力される信号に基づき検出される。このため、信号線が断線していると、プローブの先端との接触に伴う接触面のZ軸方向の微小移動を検出することができない。その結果、接触面を上昇させ過ぎることにより、プローブと接触面との衝突が発生して、プローブが破損するおそれがある。   By the way, the minute movement of the contact surface in the Z-axis direction is detected based on signals output from the two types of secondary coils provided in the LVDT through the signal lines. For this reason, if the signal line is disconnected, the minute movement in the Z-axis direction of the contact surface accompanying the contact with the tip of the probe cannot be detected. As a result, if the contact surface is raised too much, the probe and the contact surface may collide and the probe may be damaged.

そこで、LVDTの2種類の2次コイルからそれぞれ出力される信号の電圧値を監視し、2種類の信号の電圧値がそれぞれ個別に定めた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、個々の信号線の断線の有無を判定する方法が考えられる。この際に、信号線が断線している場合であっても、信号線自体の静電容量によって、この信号線を介して検出される電圧値は零にはならず低い電圧が検出される。   Therefore, the voltage values of the signals output from the two types of secondary coils of the LVDT are monitored, and based on whether or not the voltage values of the two types of signals are smaller than the individual threshold values individually determined, A method for determining whether or not a signal line is disconnected is conceivable. At this time, even if the signal line is disconnected, the voltage value detected via the signal line does not become zero but a low voltage is detected due to the capacitance of the signal line itself.

このような断線時に検出される電圧の最大値は、信号線が正常な状態で検出される電圧の最小値よりも大きくなったり、或いは最小値に近接したりする場合がある。その結果、信号線の断線の有無を判定する個別閾値の設定が困難になる。このため、仮に検出される電圧値が個別閾値よりも大きい場合でも信号線が断線している可能性、或いは電圧値が個別閾値よりも小さい場合でも信号線が正常である可能性がある。従って、LVDTから出力される信号線の断線の有無を高精度に判定することが困難である。   The maximum value of the voltage detected at such disconnection may be larger than or close to the minimum value of the voltage detected when the signal line is in a normal state. As a result, it becomes difficult to set an individual threshold value for determining whether or not the signal line is disconnected. For this reason, there is a possibility that the signal line is disconnected even when the detected voltage value is larger than the individual threshold value, or there is a possibility that the signal line is normal even when the voltage value is smaller than the individual threshold value. Therefore, it is difficult to determine with high accuracy whether or not the signal line output from the LVDT is disconnected.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、線形可変差動変圧器(LVDT)から出力される信号線の断線の有無を高精度に判定することができる断線検出装置、断線検出方法、及びプローブ先端検出装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a disconnection detecting device and a disconnection detection capable of accurately determining whether or not a signal line output from a linear variable differential transformer (LVDT) is disconnected. It is an object to provide a method and a probe tip detection device.

本発明の目的を達成するための断線検出装置は、線形可変差動変圧器に設けられている2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して出力された2種類の信号をそれぞれ取得する信号取得部と、信号線ごとの断線の有無と、断線の有無に応じて変化する2種類の信号の双方の電圧値との対応関係を予め取得し、信号取得部が取得した2種類の信号の双方の電圧値に基づき、対応関係を参照して、信号線ごとの断線の有無を判定する第1判定処理を行う判定部と、を備える。   A disconnection detecting device for achieving the object of the present invention is to receive two types of signals respectively output from two secondary coils provided in a linear variable differential transformer via individual signal lines. Two types acquired by the signal acquisition unit by acquiring in advance the correspondence relationship between the signal acquisition unit to be acquired, the presence or absence of disconnection for each signal line, and the voltage values of both of the two types of signals that change according to the presence or absence of the disconnection And a determination unit that performs a first determination process for determining the presence or absence of disconnection for each signal line with reference to the correspondence relationship based on the voltage values of both of the signals.

この断線検出装置によれば、断線している信号線から出力される信号の電圧値が信号線自体の静電容量によって零にならない場合でも、信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   According to this disconnection detection device, even when the voltage value of the signal output from the disconnected signal line does not become zero due to the capacitance of the signal line itself, the presence or absence of disconnection of the signal line can be determined with high accuracy. Can do.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、判定部は、双方の電圧値がそれぞれ予め定められた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、信号線ごとの断線の有無を個別に判定する第2判定処理を行う。これにより、信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   In the disconnection detection device according to another aspect of the present invention, the determination unit individually determines whether or not there is a disconnection for each signal line based on whether or not both voltage values are smaller than a predetermined individual threshold value. A second determination process is performed. Thereby, the presence or absence of the disconnection of the signal line can be determined with high accuracy.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、信号取得部が取得した2種類の信号のうち個別閾値が小さい方を第1信号とし、個別閾値が大きい方を第2信号として、断線した信号線から出力される第1信号の電圧値を第1断線電圧値とした場合、第1信号の個別閾値は、第2信号の電圧値が予め定めた判定閾値よりも小さくなる範囲内では第1断線電圧値の最大値よりも小さく設定され、第2信号の個別閾値は、第1断線電圧値の最大値よりも大きく設定され、対応関係には、第1信号に対応する信号線の断線を示す双方の電圧値のそれぞれの第1電圧範囲が含まれており、第1信号の電圧値に対応する第1電圧範囲は、第1信号の個別閾値よりも大きく且つ第2信号の個別閾値よりも小さい範囲に設定され、第2信号の電圧値に対応する第1電圧範囲は、判定閾値よりも小さい範囲に設定されている。これにより、第1信号に対応する信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   In the disconnection detection apparatus according to another aspect of the present invention, a signal that is disconnected, with the smaller individual threshold of the two types of signals acquired by the signal acquisition unit as the first signal and the higher individual threshold as the second signal. When the voltage value of the first signal output from the line is the first disconnection voltage value, the individual threshold value of the first signal is the first within a range where the voltage value of the second signal is smaller than a predetermined determination threshold value. The disconnection voltage value is set to be smaller than the maximum value, the individual threshold value of the second signal is set to be larger than the maximum value of the first disconnection voltage value, and the correspondence relationship includes the disconnection of the signal line corresponding to the first signal. A first voltage range corresponding to the voltage value of the first signal is greater than the individual threshold value of the first signal and greater than the individual threshold value of the second signal. Is set to a small range and corresponds to the voltage value of the second signal. The first voltage range is set to a range smaller than the determination threshold value. Thereby, the presence or absence of disconnection of the signal line corresponding to the first signal can be determined with high accuracy.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、第1信号の電圧値及び第2信号の電圧値がそれぞれ第1電圧範囲の範囲外である場合、判定部は、第1信号に対応する信号線の断線の有無を第2判定処理により判定する。第1判定処理と第2判定処理とを行うことで、第1信号に対応する信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   In the disconnection detection device according to another aspect of the present invention, when the voltage value of the first signal and the voltage value of the second signal are each outside the range of the first voltage range, the determination unit is a signal corresponding to the first signal. The presence or absence of a broken wire is determined by the second determination process. By performing the first determination process and the second determination process, it is possible to determine with high accuracy whether or not the signal line corresponding to the first signal is disconnected.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、断線した信号線から出力される第2信号の電圧値を第2断線電圧値とした場合、第1信号の個別閾値は、第1信号の電圧値が判定閾値よりも大きくなる範囲内では第2断線電圧値よりも大きく設定され、対応関係には、第2信号に対応する信号線が正常であることを示す双方の電圧値のそれぞれの第2電圧範囲が含まれており、第1信号の電圧値に対応する第2電圧範囲は、判定閾値よりも大きい範囲に設定され、第2信号の電圧値に対応する第2電圧範囲は、第1信号の個別閾値よりも大きく且つ第2信号の個別閾値よりも小さい範囲に設定されている。これにより、第2信号に対応する信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   In the disconnection detection device according to another aspect of the present invention, when the voltage value of the second signal output from the disconnected signal line is the second disconnection voltage value, the individual threshold of the first signal is the voltage of the first signal. In a range where the value is larger than the determination threshold, the voltage is set to be larger than the second disconnection voltage value, and the correspondence relationship includes the second values of both voltage values indicating that the signal line corresponding to the second signal is normal. 2 voltage ranges are included, the second voltage range corresponding to the voltage value of the first signal is set to a range larger than the determination threshold, and the second voltage range corresponding to the voltage value of the second signal is It is set in a range larger than the individual threshold value of one signal and smaller than the individual threshold value of the second signal. Thereby, the presence or absence of disconnection of the signal line corresponding to the second signal can be determined with high accuracy.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、第1信号の電圧値及び第2信号の電圧値がそれぞれ第2電圧範囲の範囲外である場合、判定部は、第2信号に対応する信号線の断線の有無を第2判定処理により判定する。第1判定処理と第2判定処理とを行うことで、第2信号に対応する信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   In the disconnection detection device according to another aspect of the present invention, when the voltage value of the first signal and the voltage value of the second signal are outside the range of the second voltage range, the determination unit is a signal corresponding to the second signal. The presence or absence of a broken wire is determined by the second determination process. By performing the first determination process and the second determination process, it is possible to determine with high accuracy whether or not the signal line corresponding to the second signal is disconnected.

本発明の他の態様に係る断線検出装置において、判定閾値は、第2信号の個別閾値よりも大きい値に設定されている。   In the disconnection detection device according to another aspect of the present invention, the determination threshold value is set to a value larger than the individual threshold value of the second signal.

本発明の目的を達成するためのプローブ先端検出装置は、ウェハの電極にプローブを接触させてウェハの検査を行うプローバに設けられ、プローブの先端を検出するプローブ先端検出装置において、接触面と、接触面を、プローブに対向する対向位置からプローブに向けて相対移動させる移動部と、接触面と一体に移動するコアの位置に応じて2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して2種類の信号を出力する線形可変差動変圧器と、上述の断線検出装置と、を備える。   A probe tip detection device for achieving the object of the present invention is provided in a prober for inspecting a wafer by bringing the probe into contact with an electrode of the wafer, and in the probe tip detection device for detecting the tip of the probe, a contact surface; A moving part that moves the contact surface relative to the probe from a position facing the probe, and two secondary coils according to the position of the core that moves together with the contact surface, respectively, via individual signal lines. A linear variable differential transformer that outputs two types of signals and the above-described disconnection detection device.

このプローブ先端検出装置によれば、信号線の断線の有無を高精度に判定することができるので、接触面へのプローブの接触を確実に検出することができるので、接触面とプローバとの衝突によるプローバの破損を防止することができる。   According to this probe tip detection device, the presence or absence of a signal line breakage can be determined with high accuracy, so that the contact of the probe with the contact surface can be reliably detected, and the collision between the contact surface and the prober. Can prevent the prober from being damaged.

本発明の他の態様に係るプローブ先端検出装置において、二次コイルごとに出力された2種類の信号に基づき、接触面へのプローブの先端の接触を検出する接触検出部を備える。   The probe tip detection device according to another aspect of the present invention includes a contact detection unit that detects contact of the tip of the probe with the contact surface based on two types of signals output for each secondary coil.

本発明の目的を達成するための断線検出方法は、線形可変差動変圧器に設けられている2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して出力された2種類の信号をそれぞれ取得する信号取得ステップと、信号線ごとの断線の有無と、断線の有無に応じて変化する2種類の信号の双方の電圧値との対応関係を予め取得し、信号取得ステップで取得した2種類の信号の双方の電圧値に基づき、対応関係を参照して、信号線ごとの断線の有無を判定する第1判定処理ステップと、を有する。   In order to achieve the object of the present invention, a disconnection detection method includes two types of signals respectively output from two secondary coils provided in a linear variable differential transformer via individual signal lines. The two types acquired in the signal acquisition step by acquiring in advance the correspondence relationship between the signal acquisition step to be acquired, the presence or absence of disconnection for each signal line, and the voltage values of both of the two types of signals that change according to the presence or absence of disconnection And a first determination processing step of determining the presence or absence of disconnection for each signal line with reference to the correspondence relationship based on the voltage values of both signals.

本発明の他の態様に係る断線検出方法において、双方の電圧値がそれぞれ予め定められた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、信号線ごとの断線の有無を個別に判定する第2判定処理ステップを有する。   In the disconnection detection method according to another aspect of the present invention, a second determination for individually determining the presence or absence of disconnection for each signal line based on whether or not both voltage values are smaller than a predetermined individual threshold value. It has processing steps.

本発明は、線形可変差動変圧器から出力される信号線の断線の有無を高精度に判定することができる。   The present invention can determine the presence or absence of disconnection of a signal line output from a linear variable differential transformer with high accuracy.

本発明の断線検出装置及びプローブ先端検出装置として機能するウェハテストシステムの概略図である。It is the schematic of the wafer test system which functions as a disconnection detection apparatus and probe tip detection apparatus of this invention. プローブ高さ検出器の断面図である。It is sectional drawing of a probe height detector. プローバの電気的構成の一部を示したブロック図である。It is the block diagram which showed a part of electrical structure of the prober. 第1信号線及び第2信号線の各々の断線の有無に応じて変化する第1信号の電圧値と第2信号の電圧値とを示したグラフである。It is the graph which showed the voltage value of the 1st signal and the voltage value of the 2nd signal which change according to the presence or absence of each disconnection of the 1st signal line and the 2nd signal line. プローバによる第1信号線及び第2信号線の断線検出の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the disconnection detection of the 1st signal line and the 2nd signal line by a prober. 第1信号線及び第2信号線の各々の断線の有無に応じて変化する2種類の両信号の双方の電圧値を示したグラフであって、通常位置範囲内の双方の電圧値を示したグラフである。It is the graph which showed the voltage value of both of two types of both signals which change according to the presence or absence of each disconnection of a 1st signal line and a 2nd signal line, Comprising: Both voltage values in the normal position range were shown. It is a graph. 通常位置範囲の範囲内に限定して第1信号線及び第2信号線の断線検出(第1判定処理及び第2判定処理)を行う場合の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow in the case of performing disconnection detection (1st determination process and 2nd determination process) of the 1st signal line and the 2nd signal line limited within the range of a normal position range.

[ウェハテストシステムの構成]
図1は、本発明の断線検出装置及びプローブ先端検出装置として機能するウェハテストシステム9の概略図である。以下、図中の上下方向であるZ軸方向の上方及び上面を適宜「上方」及び「上面」といい、Z軸方向の下方及び下面を適宜「下方」及び「下面」という。
[Configuration of wafer test system]
FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer test system 9 that functions as a disconnection detection device and a probe tip detection device according to the present invention. Hereinafter, the upper and upper surfaces in the Z-axis direction, which is the vertical direction in the drawing, are appropriately referred to as “upper” and “upper surface”, and the lower and lower surfaces in the Z-axis direction are appropriately referred to as “lower” and “lower surface”.

ウェハテストシステム9は、ウェハWに形成された複数の半導体チップ(不図示)の各々の電気的特性を検査する。このウェハテストシステム9は、プローバ10とテスタ30とを備える。   The wafer test system 9 inspects the electrical characteristics of each of a plurality of semiconductor chips (not shown) formed on the wafer W. The wafer test system 9 includes a prober 10 and a tester 30.

プローバ10は、ウェハW上の各半導体チップ(不図示)の電極にプローブ25を接触させる。テスタ30は、プローブ25に電気的に接続され、各半導体チップの電気的検査のために各半導体チップに電圧を印加して各半導体チップの特性を検査する。なお、プローバ10は、本発明のプローブ先端検出装置として機能する。   The prober 10 brings the probe 25 into contact with the electrode of each semiconductor chip (not shown) on the wafer W. The tester 30 is electrically connected to the probe 25, and inspects the characteristics of each semiconductor chip by applying a voltage to each semiconductor chip for electrical inspection of each semiconductor chip. The prober 10 functions as the probe tip detection device of the present invention.

プローバ10は、基台11と、ベース12と、Yステージ13と、Xステージ14と、Zθステージ15と、ウェハチャック16と、プローブ位置検出カメラ18と、プローブ高さ検出器20と、高さ調整機構21,27と、ウェハアライメントカメラ19と、ヘッドステージ22と、カードホルダ23と、プローブカード24と、プローブ25と、を備える。   The prober 10 includes a base 11, a base 12, a Y stage 13, an X stage 14, a Zθ stage 15, a wafer chuck 16, a probe position detection camera 18, a probe height detector 20, and a height. Adjustment mechanisms 21 and 27, a wafer alignment camera 19, a head stage 22, a card holder 23, a probe card 24, and a probe 25 are provided.

基台11の上面には、略平板状のベース12が固定されている。なお、基台11の代わりに脚部材を用いてもよいし、或いは基台11を省略してもよい。   A substantially flat base 12 is fixed to the upper surface of the base 11. Note that a leg member may be used instead of the base 11, or the base 11 may be omitted.

ベース12の上面には、不図示のY移動部を介して略平板状のYステージ13がY軸方向に移動自在に支持されている。Y移動部は、ベース12の上面に設けられ且つY軸に平行なガイドレールと、Yステージ13の下面に設けられ且つガイドレールに係合するスライダと、Yステージ13をY軸方向に移動させるモータ等の駆動機構と、を備える。このY移動部を駆動することにより、ベース12上でYステージ13と、後述のXステージ14及びZθステージ15等とが一体的にY軸方向に移動される。   A substantially flat Y stage 13 is supported on the upper surface of the base 12 so as to be movable in the Y-axis direction via a Y moving portion (not shown). The Y moving part is provided on the upper surface of the base 12 and is parallel to the Y axis, a slider provided on the lower surface of the Y stage 13 and engaged with the guide rail, and moves the Y stage 13 in the Y axis direction. A drive mechanism such as a motor. By driving the Y moving unit, the Y stage 13 and the later-described X stage 14 and Zθ stage 15 are moved integrally on the base 12 in the Y-axis direction.

Yステージ13の上面には、不図示のX移動部を介して略平板状のXステージ14がX軸方向に移動自在に支持されている。X移動部は、Yステージ13の上面に設けられ且つX軸に平行なガイドレールと、Xステージ14の下面に設けられ且つガイドレールに係合するスライダと、Xステージ14をX軸方向に移動させるモータ等の駆動機構と、を備える。このX移動部を駆動することにより、Yステージ13上でXステージ14及び後述のZθステージ15等が一体的にX軸方向に移動される。   A substantially flat plate-like X stage 14 is supported on the upper surface of the Y stage 13 through an X moving unit (not shown) so as to be movable in the X axis direction. The X moving unit is provided on the upper surface of the Y stage 13 and parallel to the X axis, the slider provided on the lower surface of the X stage 14 and engaged with the guide rail, and moves the X stage 14 in the X axis direction. And a drive mechanism such as a motor to be driven. By driving the X moving unit, the X stage 14 and a later-described Zθ stage 15 are moved integrally on the Y stage 13 in the X-axis direction.

Xステージ14の上面には、Zθステージ15及び高さ調整機構21,27が設けられている。Zθステージ15の内部には、不図示のZθ移動部が設けられている。また、Zθステージ15の上面には、不図示のZθ移動部を介して、ウェハチャック16が保持されている。このZθ移動部は、例えば、Zθステージ15の上面をZ軸方向に移動自在な昇降機構と、且つこの上面をZ軸の軸周りに回転させる回転機構とを有する。このため、Zθ移動部は、Zθステージ15の上面に保持されているウェハチャック16をZ軸方向に移動させると共に、Z軸の軸周りに回転させる。   A Zθ stage 15 and height adjusting mechanisms 21 and 27 are provided on the upper surface of the X stage 14. A Zθ moving unit (not shown) is provided inside the Zθ stage 15. A wafer chuck 16 is held on the upper surface of the Zθ stage 15 via a Zθ moving unit (not shown). The Zθ moving unit includes, for example, an elevating mechanism that can move the upper surface of the Zθ stage 15 in the Z-axis direction, and a rotating mechanism that rotates the upper surface around the Z-axis. Therefore, the Zθ moving unit moves the wafer chuck 16 held on the upper surface of the Zθ stage 15 in the Z-axis direction and rotates it around the Z-axis axis.

ウェハチャック16の上面であるチャック上面16aには、真空吸着等の各種保持方法によりウェハWが保持される。また、ウェハチャック16には、そのチャック上面16aに保持しているウェハWの温度調整を行うための不図示の温度調整部が設けられている。   The wafer W is held on the chuck upper surface 16a which is the upper surface of the wafer chuck 16 by various holding methods such as vacuum suction. Further, the wafer chuck 16 is provided with a temperature adjusting unit (not shown) for adjusting the temperature of the wafer W held on the chuck upper surface 16a.

ウェハチャック16は、既述のYステージ13とXステージ14とZθステージ15とにより、ベース12に対してXYZ軸方向に移動自在に支持されている共に、Z軸の軸周りに回転自在に支持されている。これにより、ウェハチャック16に保持されているウェハWと、後述のプローブ25とを相対移動させることができる。   The wafer chuck 16 is supported by the Y stage 13, the X stage 14, and the Zθ stage 15 so as to be movable with respect to the base 12 in the XYZ axis direction, and is also supported so as to be rotatable about the Z axis. Has been. Thereby, the wafer W held by the wafer chuck 16 and a probe 25 described later can be relatively moved.

高さ調整機構21は、後述のプローブ位置検出カメラ18のZ軸方向の昇降を行う。また、高さ調整機構27は、後述のプローブ高さ検出器20のZ軸方向の昇降を行う。高さ調整機構21,27は、公知の直線的な移動機構であればよく、例えばリニアガイド機構及びボールネジ機構等が用いられる。   The height adjustment mechanism 21 moves the probe position detection camera 18 described later up and down in the Z-axis direction. Further, the height adjustment mechanism 27 moves up and down in the Z-axis direction of a probe height detector 20 described later. The height adjusting mechanisms 21 and 27 may be any known linear moving mechanism, and for example, a linear guide mechanism and a ball screw mechanism are used.

ヘッドステージ22は、例えばプローバ10の不図示の筐体の天板を構成しており、不図示の支柱等によってウェハチャック16(ウェハW)の上方に支持されている。ヘッドステージ22は、略環状に形成されており、その中央部にはプローブカード24を保持する略環状のカードホルダ23が設けられている。従って、ヘッドステージ22はカードホルダ23の外周を保持し、且つカードホルダ23はプローブカード24の外周を保持する。すなわち、ヘッドステージ22は、カードホルダ23を介してプローブカード24を保持する。   The head stage 22 forms, for example, a top plate of a housing (not shown) of the prober 10, and is supported above the wafer chuck 16 (wafer W) by a support (not shown). The head stage 22 is formed in a substantially annular shape, and a substantially annular card holder 23 for holding the probe card 24 is provided at the center thereof. Therefore, the head stage 22 holds the outer periphery of the card holder 23, and the card holder 23 holds the outer periphery of the probe card 24. That is, the head stage 22 holds the probe card 24 via the card holder 23.

プローブカード24は複数のプローブ25を有している。これらプローブ25は、検査対象のウェハWの不図示の各半導体チップの電極の配置パターンに対応するパターンでプローブカード24に配置されている。カードホルダ23及びプローブカード24は、半導体チップの種類に応じて交換される。   The probe card 24 has a plurality of probes 25. These probes 25 are arranged on the probe card 24 in a pattern corresponding to the arrangement pattern of the electrodes of each semiconductor chip (not shown) of the wafer W to be inspected. The card holder 23 and the probe card 24 are exchanged according to the type of semiconductor chip.

プローブ位置検出カメラ18は、Xステージ14上の高さ調整機構21に取り付けられている。プローブ位置検出カメラ18は、例えば針合せ顕微鏡を備えたカメラであり、プローブカード24のプローブ25を下方から撮影する。このプローブ位置検出カメラ18にて撮影されたプローブ25の画像に基づき、プローブ25の位置を検出することができる。具体的には、プローブ25の先端位置のXY座標がプローブ位置検出カメラ18の位置座標から検出され、プローブ25の先端位置のZ座標がプローブ位置検出カメラ18の焦点位置から検出される。   The probe position detection camera 18 is attached to a height adjustment mechanism 21 on the X stage 14. The probe position detection camera 18 is, for example, a camera equipped with a needle alignment microscope, and photographs the probe 25 of the probe card 24 from below. Based on the image of the probe 25 photographed by the probe position detection camera 18, the position of the probe 25 can be detected. Specifically, the XY coordinates of the tip position of the probe 25 are detected from the position coordinates of the probe position detection camera 18, and the Z coordinate of the tip position of the probe 25 is detected from the focal position of the probe position detection camera 18.

また、プローブ位置検出カメラ18は、Yステージ13及びXステージ14によりウェハチャック16と一体にXY軸方向に移動可能である。なお、プローブ位置検出カメラ18のZ軸方向の昇降は、既述の通り高さ調整機構21により行われる。   The probe position detection camera 18 can be moved in the XY axis direction integrally with the wafer chuck 16 by the Y stage 13 and the X stage 14. The probe position detection camera 18 is moved up and down in the Z-axis direction by the height adjusting mechanism 21 as described above.

ウェハアライメントカメラ19は、ベース12上に設けられた不図示の支柱によって、プローブカード24の側方位置で、且つウェハチャック16よりも上方側の位置に支持されている。なお、ウェハアライメントカメラ19は、例えばリニアガイド機構及びボールネジ機構等の不図示のカメラ昇降機構によりZ軸方向に移動可能である。   The wafer alignment camera 19 is supported by a post (not shown) provided on the base 12 at a position lateral to the probe card 24 and above the wafer chuck 16. The wafer alignment camera 19 can be moved in the Z-axis direction by a camera lifting mechanism (not shown) such as a linear guide mechanism and a ball screw mechanism.

ウェハアライメントカメラ19は、ウェハチャック16に保持されているウェハWの半導体チップ(不図示)を上方から撮影する。このウェハアライメントカメラ19にて撮影された半導体チップの画像に基づき、半導体チップの電極の位置を検出することができる。これにより、ウェハアライメントカメラ19で得られた情報とプローブ位置検出カメラ18で得られたプローブ25の先端の位置情報とに基づき、プローブ25とウェハWの半導体チップの電極とのXY面内の二次元的な位置合わせ(アライメント)を行うことができる。   The wafer alignment camera 19 images the semiconductor chip (not shown) of the wafer W held on the wafer chuck 16 from above. Based on the image of the semiconductor chip taken by the wafer alignment camera 19, the position of the electrode of the semiconductor chip can be detected. Thereby, based on the information obtained by the wafer alignment camera 19 and the position information of the tip of the probe 25 obtained by the probe position detection camera 18, the two in the XY plane between the probe 25 and the electrode of the semiconductor chip of the wafer W are obtained. Dimensional alignment (alignment) can be performed.

プローブ高さ検出器20は、後述の図3に示すLVDT制御部51及び統括制御部60と共に本発明のプローブ先端検出装置として機能するものである。プローブ高さ検出器20は、Xステージ14上の既述の高さ調整機構27に取り付けられている。なお、図1ではプローブ高さ検出器20を簡略化して図示しており、その詳細な構造については後述の図2で説明する。   The probe height detector 20 functions as a probe tip detection device of the present invention together with the LVDT control unit 51 and the overall control unit 60 shown in FIG. The probe height detector 20 is attached to the above-described height adjustment mechanism 27 on the X stage 14. In FIG. 1, the probe height detector 20 is illustrated in a simplified manner, and the detailed structure thereof will be described later with reference to FIG.

プローブ高さ検出器20は、プローブ位置検出カメラ18の高さの基準となる基準面からのプローブ25の先端の高さを検出する。プローブ高さ検出器20は、いわゆる接触式の検出器であって、物理的にプローブ25の先端に接触することにより、プローブ25の先端の高さを検出する。ここで、基準面とはプローバ10の全般において高さの基準となる面であり、任意に設定されるものである。例えば基準面は、Xステージ14の上面に設定される。   The probe height detector 20 detects the height of the tip of the probe 25 from the reference plane that serves as a reference for the height of the probe position detection camera 18. The probe height detector 20 is a so-called contact-type detector, and detects the height of the tip of the probe 25 by physically contacting the tip of the probe 25. Here, the reference plane is a plane that serves as a reference for the height of the prober 10 as a whole, and is arbitrarily set. For example, the reference plane is set on the upper surface of the X stage 14.

また、プローブ高さ検出器20は、接触面20aと線形可変差動変圧器であるLVDT106(図2参照)と、を備える。プローブ高さ検出器20は、プローブ25に対向する対向位置、すなわちプローブ25の下方から接触面20aをプローブ25に向けて上昇させ、接触面20aがプローブ25に接触した場合に、この接触に伴う接触面20aのZ軸方向(下方)の微小移動をLVDT106で検出する。これにより、LVDT106から出力された信号と、高さ調整機構27から出力された高さに関する信号とに基づき、プローブ25の先端の高さに関する情報が得られる。すなわち、接触面20aにプローブ25の先端が接触した時点での基準面からの接触面20aの高さを、プローブ25の先端の高さとして検出することができる。   The probe height detector 20 includes a contact surface 20a and an LVDT 106 (see FIG. 2) that is a linear variable differential transformer. The probe height detector 20 raises the contact surface 20a toward the probe 25 from a position opposite to the probe 25, that is, from below the probe 25, and accompanies this contact when the contact surface 20a contacts the probe 25. The LVDT 106 detects minute movement of the contact surface 20a in the Z-axis direction (downward). Thereby, information on the height of the tip of the probe 25 is obtained based on the signal output from the LVDT 106 and the signal related to the height output from the height adjustment mechanism 27. That is, the height of the contact surface 20a from the reference surface when the tip of the probe 25 comes into contact with the contact surface 20a can be detected as the height of the tip of the probe 25.

既述の高さ調整機構21は、プローブ25の先端の高さの検出結果に基づいて、基準面からのプローブ位置検出カメラ18の高さを変化させる。すなわち、高さ調整機構21は、プローブ25の先端の高さの検出結果に基づいて、プローブ位置検出カメラ18をプローブ25の先端からワーキングディスタンスだけ離れた高さに調整する。このように、プローブ高さ検出器20等により一度検出したプローブの先端の高さを使用してプローブ位置検出カメラの高さを調整することで、プローブ位置検出カメラ18を上昇させ過ぎることが防止される。その結果、プローブ位置検出カメラ18を上昇させた場合にプローブ位置検出カメラ18がプローブ25の先端に衝突することが防止される。   The above-described height adjustment mechanism 21 changes the height of the probe position detection camera 18 from the reference plane based on the detection result of the height of the tip of the probe 25. That is, the height adjustment mechanism 21 adjusts the probe position detection camera 18 to a height away from the tip of the probe 25 by a working distance based on the detection result of the height of the tip of the probe 25. In this way, by adjusting the height of the probe position detection camera using the height of the probe tip once detected by the probe height detector 20 or the like, the probe position detection camera 18 is prevented from being raised too much. Is done. As a result, the probe position detection camera 18 is prevented from colliding with the tip of the probe 25 when the probe position detection camera 18 is raised.

テスタ30は、テスタ本体31と、テスタ本体31に設けられたコンタクトリング32とを備えている。プローブカード24には、各プローブ25に接続される端子が設けられている。そして、コンタクトリング32は、プローブカード24の各端子に接触可能な配置パターンで配置されたスプリングプローブを有する。テスタ本体31は、不図示の支持機構により、プローバ10に対して保持される。   The tester 30 includes a tester body 31 and a contact ring 32 provided on the tester body 31. The probe card 24 is provided with a terminal connected to each probe 25. The contact ring 32 includes spring probes arranged in an arrangement pattern that can contact each terminal of the probe card 24. The tester body 31 is held with respect to the prober 10 by a support mechanism (not shown).

[プローブ高さ検出器の構成]
図2は、プローブ高さ検出器20の断面図である。プローブ高さ検出器20は、既述の基準面からのプローブ25の先端の高さの検出に用いられるものであり、LVDT106を用いて接触面20aとプローブ25との接触を検出する。プローブ高さ検出器20は、ベース102と、エアベアリング103と、上下可動部104と、コイルバネ105と、LVDT106と、を備えている。
[Configuration of probe height detector]
FIG. 2 is a cross-sectional view of the probe height detector 20. The probe height detector 20 is used to detect the height of the tip of the probe 25 from the reference plane described above, and detects contact between the contact surface 20 a and the probe 25 using the LVDT 106. The probe height detector 20 includes a base 102, an air bearing 103, a vertically movable portion 104, a coil spring 105, and an LVDT 106.

ベース102は、高さ調整機構27上に取り付けられている。ベース102は略環状に形成されており、その中心にはZ軸方向に平行な貫通穴102aが形成されている。また、ベース102の上面には、エアベアリング103が設けられている。なお、ベース102は、高さ調整機構27の上に取り付けられる必要はなく、例えば、高さ調整機構27の側方に取り付けられてもよく、高さ調整機構27により高さ調整可能な構成であればいずれでもよい。   The base 102 is attached on the height adjustment mechanism 27. The base 102 is formed in a substantially annular shape, and a through hole 102a parallel to the Z-axis direction is formed at the center thereof. An air bearing 103 is provided on the upper surface of the base 102. The base 102 does not need to be mounted on the height adjusting mechanism 27, and may be mounted on the side of the height adjusting mechanism 27, for example, and can be adjusted in height by the height adjusting mechanism 27. Any one is acceptable.

エアベアリング103は、略円筒状に形成されており、Z軸方向に平行な保持穴103aを有している。この保持穴103aの中心のXY軸方向の位置と、既述の貫通穴102aの中心のXY軸方向の位置とは一致している。符号Cは、保持穴103a及び貫通穴102aの双方の中心を通る中心軸である。エアベアリング103は、保持穴103aに挿通された後述の上下可動部104の上下移動軸110をZ軸方向に移動自在に保持する。   The air bearing 103 is formed in a substantially cylindrical shape and has a holding hole 103a parallel to the Z-axis direction. The position of the center of the holding hole 103a in the XY axis direction and the position of the center of the through hole 102a described above in the XY axis direction coincide with each other. Reference symbol C is a central axis passing through the centers of both the holding hole 103a and the through hole 102a. The air bearing 103 holds an up-and-down moving shaft 110 of an up-and-down movable unit 104 (described later) inserted through the holding hole 103a so as to be movable in the Z-axis direction.

また、エアベアリング103には、その外周面から保持穴103aの内面に貫通した不図示のエア供給穴が形成されており、このエア供給穴を介してエア供給源107から保持穴103a内にエアが供給される。これにより、保持穴103aの内面と上下移動軸110の外面との間に不図示のエア層が形成されるので、上下移動軸110がエアベアリング103(保持穴103a)により非接触でガイドされる。   Further, the air bearing 103 is formed with an air supply hole (not shown) penetrating from the outer peripheral surface to the inner surface of the holding hole 103a, and air is supplied from the air supply source 107 into the holding hole 103a through the air supply hole. Is supplied. As a result, an air layer (not shown) is formed between the inner surface of the holding hole 103a and the outer surface of the vertical movement shaft 110, so that the vertical movement shaft 110 is guided in a non-contact manner by the air bearing 103 (holding hole 103a). .

さらに、エアベアリング103の下端部の外周面には、その周方向に沿って環状の鍔部103bが形成されている。   Further, an annular flange 103b is formed on the outer peripheral surface of the lower end portion of the air bearing 103 along the circumferential direction.

上下可動部104は、エアベアリング103により非接触でZ軸方向に移動自在に保持される。この上下可動部104は、上下移動軸110と、ストッパリング111と、バネ受け部112と、ステージ台座113と、ステージ114と、を備える。   The vertically movable portion 104 is held by the air bearing 103 so as to be movable in the Z-axis direction without contact. The vertically movable portion 104 includes a vertically moving shaft 110, a stopper ring 111, a spring receiving portion 112, a stage base 113, and a stage 114.

上下移動軸110は、既述の通り、エアベアリング103の保持穴103aに挿通され、エアベアリング103により非接触でZ軸方向に移動自在に保持される。この上下移動軸110の外周面の下端部には、略環状のストッパリング111が外嵌されている。また、上下移動軸110の上面には、バネ受け部112が固定されている。   As described above, the vertical movement shaft 110 is inserted into the holding hole 103a of the air bearing 103 and is held by the air bearing 103 so as to be movable in the Z-axis direction without contact. A substantially annular stopper ring 111 is fitted on the lower end of the outer peripheral surface of the vertical movement shaft 110. A spring receiving portion 112 is fixed to the upper surface of the vertical movement shaft 110.

ストッパリング111の外径は、保持穴103aの直径よりも大きく形成されている。バネ受け部112は、円板部112aと、この円板部112aの下面に設けられた嵌合部112bとを備える。円板部112aの外径は、コイルバネ105の外径よりも大きく形成されている。嵌合部112bは、コイルバネ105の上側の開口部に嵌合する。   The outer diameter of the stopper ring 111 is formed larger than the diameter of the holding hole 103a. The spring receiving portion 112 includes a disc portion 112a and a fitting portion 112b provided on the lower surface of the disc portion 112a. The outer diameter of the disc part 112 a is formed larger than the outer diameter of the coil spring 105. The fitting portion 112 b is fitted into the opening on the upper side of the coil spring 105.

ステージ台座113は、バネ受け部112の上面に固定されている。このステージ台座113の上面には、ステージ114が固定される。ステージ114の上面は既述の接触面20aとなる。   The stage pedestal 113 is fixed to the upper surface of the spring receiving portion 112. A stage 114 is fixed to the upper surface of the stage base 113. The upper surface of the stage 114 becomes the contact surface 20a described above.

コイルバネ105は、Z軸方向に圧縮された状態で鍔部103bとバネ受け部112との間に取り付けられる。コイルバネ105の下側の開口部には既述のエアベアリング103の上端部が挿入される。これにより、コイルバネ105の下端が鍔部103bの上面に当接する。一方、コイルバネ105の上側の開口部には、既述の嵌合部112bが嵌合する。このため、コイルバネ105は、バネ受け部112を介して上下可動部104の各部(ステージ114等)をZ軸方向の上方へ付勢する。その結果、ストッパリング111が保持穴103aの下側の開口縁部に当接し、ステージ114のZ軸方向の高さ位置が一定に維持される。   The coil spring 105 is attached between the flange portion 103b and the spring receiving portion 112 in a state compressed in the Z-axis direction. The upper end of the air bearing 103 described above is inserted into the lower opening of the coil spring 105. Thereby, the lower end of the coil spring 105 contacts the upper surface of the flange 103b. On the other hand, the above-described fitting portion 112 b is fitted into the upper opening of the coil spring 105. For this reason, the coil spring 105 urges each part (the stage 114 and the like) of the up and down movable part 104 upward in the Z-axis direction via the spring receiving part 112. As a result, the stopper ring 111 contacts the lower opening edge of the holding hole 103a, and the height position of the stage 114 in the Z-axis direction is kept constant.

LVDT106は、ベース102の下面に設けられている。このLVDT106は、鉄心などのコア106aと、コイル106bとを備える。コア106aは、上下移動軸110の下面に固定されており、Z軸方向の下方に延びている。このコア106aの中心軸は、既述の中心軸Cと一致している。従って、コア106aは、上下移動軸110及びステージ114(接触面20a)等と一体にZ軸方向に移動する。   The LVDT 106 is provided on the lower surface of the base 102. The LVDT 106 includes a core 106a such as an iron core and a coil 106b. The core 106a is fixed to the lower surface of the vertical movement shaft 110 and extends downward in the Z-axis direction. The central axis of the core 106a coincides with the above-described central axis C. Accordingly, the core 106a moves in the Z-axis direction integrally with the vertical movement shaft 110, the stage 114 (contact surface 20a), and the like.

コイル106bは、Z軸方向に平行な略円筒形状を有している。このコイル106bの内部には、コア106aが非接触で挿入されている。コイル106bは、一次コイル108と、2種類の二次コイル109A,109Bとにより構成されている。一次コイル108は、後述のLVDT制御部51(図3参照)から駆動用信号線L0を介して入力される交流信号である励磁信号Sig0(発振信号ともいう)により励磁される。これにより、一次コイル108から発生した磁束が、この一次コイル108にそれぞれ隣接している二次コイル109A,109Bと結合する。   The coil 106b has a substantially cylindrical shape parallel to the Z-axis direction. The core 106a is inserted in the coil 106b in a non-contact manner. The coil 106b includes a primary coil 108 and two types of secondary coils 109A and 109B. The primary coil 108 is excited by an excitation signal Sig0 (also referred to as an oscillation signal) that is an AC signal input from a LVDT control unit 51 (see FIG. 3) described later via a drive signal line L0. Thereby, the magnetic flux generated from the primary coil 108 is coupled to the secondary coils 109A and 109B adjacent to the primary coil 108, respectively.

二次コイル109A,109Bは、一次コイル108が励磁されている場合に、コア106aのZ軸方向の変位により誘導電圧(誘起電圧ともいう)を発生する。コア106aが二次コイル109A側に移動すると、二次コイル109Aに結合される磁束が二次コイル109Bに結合される磁束よりも多くなる。このため、二次コイル109Aから出力される誘導電圧が増加し、逆に二次コイル109Bから出力される誘導電圧が減少するため、差動電圧(二次コイル109A,109Bの誘導電圧の電圧差)が発生する。   The secondary coils 109A and 109B generate an induced voltage (also referred to as an induced voltage) due to the displacement of the core 106a in the Z-axis direction when the primary coil 108 is excited. When the core 106a moves to the secondary coil 109A side, the magnetic flux coupled to the secondary coil 109A becomes larger than the magnetic flux coupled to the secondary coil 109B. For this reason, since the induced voltage output from the secondary coil 109A increases and the induced voltage output from the secondary coil 109B decreases conversely, the differential voltage (the voltage difference between the induced voltages of the secondary coils 109A and 109B). ) Occurs.

また、コア106aが二次コイル109B側に移動すると、二次コイル109Bに結合される磁束が二次コイル109Aに結合される磁束よりも多くなる。このため、二次コイル109Bから出力される誘導電圧が増加し、逆に二次コイル109Aから出力される誘導電圧が減少するため、差動電圧が発生する。さらに、コア106aが初期位置、すなわち等しい磁束が二次コイル109A,109Bにそれぞれ結合する位置にコア106aがある場合、二次コイル109A,109Bからそれぞれ出力される誘導電圧が等しくなり、差動電圧は零となる。   Further, when the core 106a moves to the secondary coil 109B side, the magnetic flux coupled to the secondary coil 109B becomes larger than the magnetic flux coupled to the secondary coil 109A. For this reason, the induced voltage output from the secondary coil 109B increases, and conversely, the induced voltage output from the secondary coil 109A decreases, so that a differential voltage is generated. Further, when the core 106a is in the initial position, that is, the position where the equal magnetic flux is coupled to the secondary coils 109A and 109B, the induced voltages output from the secondary coils 109A and 109B are equal, and the differential voltage Becomes zero.

従って、コア106aがZ軸方向に変位、例えばZ軸方向に振動すると、二次コイル109A,109Bからそれぞれ位相の異なる正弦波状の信号が出力される(図4参照)。   Therefore, when the core 106a is displaced in the Z-axis direction, for example, vibrates in the Z-axis direction, sinusoidal signals having different phases are output from the secondary coils 109A and 109B (see FIG. 4).

二次コイル109Aには第1信号線L1が接続されている。このため、二次コイル109Aから出力された誘導電圧に基づく第1信号Sig1は、第1信号線L1からアンプ50を介してLVDT制御部51に入力される(図3参照)。また、二次コイル109Bには第2信号線L2が接続されている。このため、二次コイル109Bから出力された誘導電圧に基づく第2信号Sig2は、第2信号線L2からアンプ50を介してLVDT制御部51に入力される(図3参照)。なお、第1信号線L1及び第2信号線L2は、本発明の信号線に相当する。また、第1信号Sig1及び第2信号Sig2は、コア106aのZ軸方向の位置(変位)を示す信号である。   A first signal line L1 is connected to the secondary coil 109A. Therefore, the first signal Sig1 based on the induced voltage output from the secondary coil 109A is input from the first signal line L1 to the LVDT controller 51 via the amplifier 50 (see FIG. 3). Further, the second signal line L2 is connected to the secondary coil 109B. Therefore, the second signal Sig2 based on the induced voltage output from the secondary coil 109B is input from the second signal line L2 to the LVDT controller 51 via the amplifier 50 (see FIG. 3). The first signal line L1 and the second signal line L2 correspond to the signal lines of the present invention. The first signal Sig1 and the second signal Sig2 are signals indicating the position (displacement) of the core 106a in the Z-axis direction.

二次コイル109Aから出力される第1信号Sig1と、二次コイル109Bから出力される第2信号Sig2とに基づき、後述の統括制御部60(図3参照)は、コア106aのZ軸方向の位置を検出する。これにより、接触面20aとプローブ25との接触に伴うコア106aのZ軸方向の微小移動を検出することができる。なお、コア106aのZ軸方向の位置とは、二次コイル109A,109Bからそれぞれ出力される誘導電圧が等しくなる(差動電圧が零となる)コア106aの位置を基準位置とした場合、この基準位置からのコア106aの変位量を指す。   Based on the first signal Sig1 output from the secondary coil 109A and the second signal Sig2 output from the secondary coil 109B, the overall control unit 60 (see FIG. 3) described later in the Z-axis direction of the core 106a. Detect position. Thereby, the minute movement of the core 106a in the Z-axis direction due to the contact between the contact surface 20a and the probe 25 can be detected. Note that the position of the core 106a in the Z-axis direction means that the position of the core 106a in which the induced voltages output from the secondary coils 109A and 109B are equal (the differential voltage becomes zero) is the reference position. The amount of displacement of the core 106a from the reference position is indicated.

このようにプローブ高さ検出器20では、LVDT106を用いて接触面20aに対するプローブ25の先端の接触を検出するため、この接触の検出精度[接触応答性(敏感性)]を向上させることができる。その結果、既述の基準面からのプローブ25の先端の高さの測定精度を向上させることができる。また、接触面20aへのプローブ25の先端の接触に伴うステージ114等のZ軸方向の移動量(押込量)及び接触に伴うZ軸方向の押圧力を精度良く検出することができる。   Thus, since the probe height detector 20 detects the contact of the tip of the probe 25 with the contact surface 20a using the LVDT 106, the detection accuracy [contact responsiveness (sensitivity)] of the contact can be improved. . As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the height of the tip of the probe 25 from the above-described reference plane. Further, the amount of movement (pushing amount) in the Z-axis direction of the stage 114 and the like accompanying the contact of the tip of the probe 25 with the contact surface 20a and the pressing force in the Z-axis direction accompanying the contact can be detected with high accuracy.

[プローバ10の要部の電気的構成]
図3は、プローバ10の電気的構成の一部を示したブロック図である。なお、図3では、プローブ25の先端高さの検出に係る構成、及び第1信号線L1及び第2信号線L2の各々の断線の有無の検出(判定)に係る構成のみを図示し、ウェハWの検査等のプローバ10の他の制御に係る構成は公知技術であるので図示は省略する。
[Electrical configuration of the main part of the prober 10]
FIG. 3 is a block diagram showing a part of the electrical configuration of the prober 10. FIG. 3 illustrates only the configuration related to the detection of the tip height of the probe 25 and the configuration related to the detection (determination) of the presence or absence of each disconnection of the first signal line L1 and the second signal line L2. Since the configuration related to the other control of the prober 10 such as the inspection of W is a known technique, the illustration is omitted.

図3に示すように、二次コイル109Aは第1信号線L1を介してアンプ50に接続し、二次コイル109Bは第2信号線L2を介してアンプ50に接続している。   As shown in FIG. 3, the secondary coil 109A is connected to the amplifier 50 via the first signal line L1, and the secondary coil 109B is connected to the amplifier 50 via the second signal line L2.

アンプ50は、二次コイル109Aから第1信号線L1を介して入力される第1信号Sig1と、二次コイル109Bから第2信号線L2を介して入力される第2信号Sig2とをそれぞれ増幅し、増幅した第1信号Sig1及び第2信号Sig2(以下、両信号Sig1,Sig2という)をLVDT制御部51へ出力する。なお、アンプ50は後述のLVDT制御部51と一体化していてもよく、さらに両信号Sig1,Sig2の信号レベル(電圧)が十分に高ければ省略してもよい。   The amplifier 50 amplifies the first signal Sig1 input from the secondary coil 109A via the first signal line L1, and the second signal Sig2 input from the secondary coil 109B via the second signal line L2, respectively. Then, the amplified first signal Sig 1 and second signal Sig 2 (hereinafter, both signals Sig 1 and Sig 2) are output to the LVDT controller 51. The amplifier 50 may be integrated with an LVDT control unit 51 to be described later, and may be omitted if the signal levels (voltages) of both signals Sig1 and Sig2 are sufficiently high.

LVDT制御部51は、後述の統括制御部60の制御の下、LVDT106の作動を制御する。このLVDT制御部51は、発振器51Aと、公知の信号入力インタフェース等で構成される信号取得部51Bとを備える。なお、LVDT制御部51は、後述の統括制御部60に設けられていてもよい。また、CPU(Central Processing Unit)或いはFPGA(field-programmable gate array)に所定の制御プログラムを実行させることにより、CPU或いはFPGAをLVDT制御部51(発振器51A及び信号取得部51B)として機能させるようにしてもよい。   The LVDT control unit 51 controls the operation of the LVDT 106 under the control of the overall control unit 60 described later. The LVDT control unit 51 includes an oscillator 51A and a signal acquisition unit 51B configured by a known signal input interface or the like. The LVDT control unit 51 may be provided in the overall control unit 60 described later. Further, by causing a CPU (Central Processing Unit) or FPGA (field-programmable gate array) to execute a predetermined control program, the CPU or FPGA is caused to function as the LVDT control unit 51 (the oscillator 51A and the signal acquisition unit 51B). May be.

発振器51Aは、後述の統括制御部60の制御の下、既述の駆動用信号線L0を介して一次コイル108に励磁信号Sig0を出力する。これにより、一次コイル108が励磁されるため、コア106aのZ軸方向に変位に応じて二次コイル109Aから第1信号Sig1が出力されると共に、二次コイル109Bから第2信号Sig2が出力される。すなわち、LVDT106が作動する。   The oscillator 51A outputs the excitation signal Sig0 to the primary coil 108 via the drive signal line L0 described above under the control of the overall control unit 60 described later. Thereby, since the primary coil 108 is excited, the first signal Sig1 is output from the secondary coil 109A and the second signal Sig2 is output from the secondary coil 109B according to the displacement in the Z-axis direction of the core 106a. The That is, the LVDT 106 operates.

信号取得部51Bは、アンプ50から増幅された両信号Sig1,Sig2をそれぞれ取得し、これら両信号Sig1,Sig2を、統括制御部60のプローブ高さ検出部62と判定部63とにそれぞれ出力する。   The signal acquisition unit 51B acquires both signals Sig1 and Sig2 amplified from the amplifier 50, and outputs both signals Sig1 and Sig2 to the probe height detection unit 62 and the determination unit 63 of the overall control unit 60, respectively. .

統括制御部60は、例えばCPU或いはFPGA含む各種の演算部と処理部とメモリ等により構成されており、プローバ10の各部の動作を統括制御する。この統括制御には、高さ調整機構27によるプローブ高さ検出器20の高さ制御、及びLVDT106の制御(発振器51Aから出力される励磁信号Sig0の振幅及び周波数制御)等が含まれる。   The overall control unit 60 includes, for example, various arithmetic units including a CPU or FPGA, a processing unit, a memory, and the like, and performs overall control of operations of each unit of the prober 10. The overall control includes height control of the probe height detector 20 by the height adjustment mechanism 27, control of the LVDT 106 (control of the amplitude and frequency of the excitation signal Sig0 output from the oscillator 51A), and the like.

[統括制御部の機能]
統括制御部60は、所定の制御プログラムを実行することで、プローブ高さ検出部62、判定部63、及び記憶部65として機能する。なお、既述の通り、統括制御部60の各種機能の中で、プローブ25の先端高さの検出に係る機能及び第1信号線L1及び第2信号線L2の各々の断線の有無の検出(判定)に係る機能以外の機能については、公知技術であるので図示を省略している。
[Functions of general control section]
The overall control unit 60 functions as a probe height detection unit 62, a determination unit 63, and a storage unit 65 by executing a predetermined control program. As described above, among the various functions of the overall control unit 60, the function related to the detection of the tip height of the probe 25 and the detection of the presence or absence of each of the first signal line L1 and the second signal line L2 ( Since functions other than the function related to (determination) are well-known techniques, they are not shown.

プローブ高さ検出部62は、既述のプローブ高さ検出器20と共に本発明の接触検出部として機能する。このプローブ高さ検出部62には、信号取得部51Bの他に、高さ調整機構27が接続されている。   The probe height detection unit 62 functions as the contact detection unit of the present invention together with the probe height detector 20 described above. In addition to the signal acquisition unit 51B, a height adjustment mechanism 27 is connected to the probe height detection unit 62.

プローブ高さ検出部62は、信号取得部51Bから入力される両信号Sig1,Sig2に基づき、接触面20aへのプローブ25の先端の接触に伴うコア106aのZ軸方向の微小移動を検出する。これにより、接触面20aへのプローブ25の先端の接触が検出される。そして、プローブ高さ検出部62は、接触面20aへのプローブ25の先端の接触が検出されると、高さ調整機構27から入力される高さに関する信号に基づき、基準面からのプローブ25の先端の高さを検出する。   The probe height detector 62 detects a minute movement in the Z-axis direction of the core 106a accompanying the contact of the tip of the probe 25 with the contact surface 20a based on both signals Sig1 and Sig2 input from the signal acquisition unit 51B. Thereby, the contact of the tip of the probe 25 to the contact surface 20a is detected. Then, when the contact of the tip of the probe 25 with the contact surface 20a is detected, the probe height detection unit 62 detects the probe 25 from the reference surface based on a signal related to the height input from the height adjustment mechanism 27. Detect the height of the tip.

判定部63は既述の信号取得部51Bと共に本発明の断線検出装置を構成する。すなわち、LVDT制御部51及び統括制御部60により本発明の断線検出装置が構成されている。この判定部63は、信号取得部51Bから入力される第1信号Sig1の電圧値V1及び第2信号Sig2の電圧値V2、すなわち2種類の両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2に基づいて、第1信号線L1及び第2信号線L2の各々(信号線ごと)の断線の有無を判定する。   The determination unit 63 constitutes the disconnection detection device of the present invention together with the signal acquisition unit 51B described above. That is, the LVDT control unit 51 and the overall control unit 60 constitute the disconnection detection device of the present invention. The determination unit 63 sets the voltage value V1 of the first signal Sig1 and the voltage value V2 of the second signal Sig2 input from the signal acquisition unit 51B, that is, the voltage values V1 and V2 of both of the two types of signals Sig1 and Sig2. Based on this, it is determined whether or not each of the first signal line L1 and the second signal line L2 (for each signal line) is disconnected.

具体的に判定部63は、第1判定処理と第2判定処理とを行う。第1判定処理については詳しくは後述するが、判定部63が、双方の電圧値V1,V2に基づいて第1信号線L1の断線の有無を判定し、且つ双方の電圧値V1,V2に基づいて第2信号線L2の断線の有無を判定する判定処理である。   Specifically, the determination unit 63 performs a first determination process and a second determination process. Although the details of the first determination process will be described later, the determination unit 63 determines whether or not the first signal line L1 is disconnected based on both voltage values V1 and V2, and based on both voltage values V1 and V2. Determination processing for determining whether or not the second signal line L2 is disconnected.

<第2判定処理>
第2判定処理とは、信号取得部51Bから判定部63に入力される2種類の両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2が、両信号Sig1,Sig2ごとに予め定められた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、判定部63が、第1信号線L1及び第2信号線L2の断線の有無を個別判定する判定処理である。なお、本明細書でいう「個別閾値よりも小さい」とは個別閾値未満を指し、「個別閾値よりも大きい」とは個別閾値以上を指す。
<Second determination process>
In the second determination process, the voltage values V1 and V2 of the two types of both signals Sig1 and Sig2 input from the signal acquisition unit 51B to the determination unit 63 are determined as individual thresholds determined in advance for both signals Sig1 and Sig2. This is a determination process in which the determination unit 63 individually determines whether or not the first signal line L1 and the second signal line L2 are disconnected based on whether or not the output signal is smaller than the second signal line L2. In the present specification, “smaller than the individual threshold” means less than the individual threshold, and “greater than the individual threshold” means more than the individual threshold.

具体的に判定部63は、第1信号Sig1の電圧値V1が、予め定められた第1個別閾値Th1を下回るか否かに基づき、第1信号線L1の断線の有無を判定する。また、判定部63は、第2信号Sig2の電圧値V2が、予め定められた第2個別閾値Th2を下回るか否かに基づき、第2信号線L2の断線の有無を判定する。第1個別閾値Th1及び第2個別閾値Th2は、予め記憶部65に記憶されているので、判定部63は、記憶部65内の第1個別閾値Th1及び第2個別閾値Th2を参照して、第2判定処理を行う。   Specifically, the determination unit 63 determines whether or not the first signal line L1 is disconnected based on whether or not the voltage value V1 of the first signal Sig1 is lower than a predetermined first individual threshold Th1. Further, the determination unit 63 determines whether or not the second signal line L2 is disconnected based on whether or not the voltage value V2 of the second signal Sig2 is lower than a predetermined second individual threshold Th2. Since the first individual threshold Th1 and the second individual threshold Th2 are stored in advance in the storage unit 65, the determination unit 63 refers to the first individual threshold Th1 and the second individual threshold Th2 in the storage unit 65, A second determination process is performed.

記憶部65には、既述の制御用プログラム、第1個別閾値Th1、及び第2個別閾値Th2の他に、詳しくは後述する判定閾値Th3、第1電圧範囲R1、及び第2電圧範囲R2が予め記憶されている。   In addition to the control program, the first individual threshold Th1, and the second individual threshold Th2, the storage unit 65 includes a determination threshold Th3, a first voltage range R1, and a second voltage range R2, which will be described in detail later. Stored in advance.

図4は、第1信号線L1及び第2信号線L2の各々の断線の有無に応じて変化する第1信号Sig1の電圧値V1と第2信号Sig2の電圧値V2とを示したグラフである。なお、グラフの横軸は、既述のコア106aのZ軸方向の位置(mm)、すなわち、既述の基準位置からのコア106aのZ軸方向の変位量(mm)を示す。このZ軸方向の変位量には、上下移動軸110等のZ軸下方向への押し込み量及び上下移動軸110等のZ軸上方向の引き出し量が含まれる。また、グラフの縦軸は電圧(mV)である。   FIG. 4 is a graph showing the voltage value V1 of the first signal Sig1 and the voltage value V2 of the second signal Sig2 that change depending on whether or not each of the first signal line L1 and the second signal line L2 is disconnected. . The horizontal axis of the graph indicates the position (mm) of the core 106a in the Z-axis direction, that is, the displacement amount (mm) of the core 106a from the reference position described above. The amount of displacement in the Z-axis direction includes the amount by which the vertical movement shaft 110 or the like is pushed downward, and the amount by which the vertical movement shaft 110 or the like is drawn upward. The vertical axis of the graph is voltage (mV).

グラフ中の「V1(L1正常)」は、正常な第1信号線L1から出力される第1信号Sig1の電圧値V1を示し、「V1(L1断線)」は、断線した第1信号線L1から出力される第1信号Sig1の電圧値V1を示す。また、グラフ中の「V2(L2正常)」は、正常な第2信号線L2から出力される第2信号Sig2の電圧値V2を示し、「V2(L2断線)」は、断線した第2信号線L2から出力される第2信号Sig2の電圧値V2を示す。   In the graph, “V1 (L1 normal)” indicates the voltage value V1 of the first signal Sig1 output from the normal first signal line L1, and “V1 (L1 disconnection)” indicates the disconnected first signal line L1. Shows the voltage value V1 of the first signal Sig1 output from. In the graph, “V2 (L2 normal)” indicates the voltage value V2 of the second signal Sig2 output from the normal second signal line L2, and “V2 (L2 disconnection)” indicates the disconnected second signal. The voltage value V2 of the second signal Sig2 output from the line L2 is shown.

図4のグラフでは、コア106aのZ軸方向の位置の移動可能範囲が所定の範囲(−5mm〜+5mm)に設定されており、コア106aのZ軸方向の位置により第1象限(0mm〜+5mm)及び第2象限(−5mm〜0mm)の2つに区画されている。ここで、プローブ高さ検出器20に組み込まれた本実施形態のLVDT106では、コア106aのZ軸方向の位置が、特定の範囲(−2mm〜+5mm)[以下、単に通常位置範囲NRという]に基本的に収まるものとして説明を行う。この通常位置範囲NRは、プローバ10(プローブ高さ検出器20)の種類等に応じて変わる。   In the graph of FIG. 4, the movable range of the position of the core 106a in the Z-axis direction is set to a predetermined range (−5 mm to +5 mm), and the first quadrant (0 mm to +5 mm) depends on the position of the core 106a in the Z-axis direction. ) And the second quadrant (-5 mm to 0 mm). Here, in the LVDT 106 of this embodiment incorporated in the probe height detector 20, the position of the core 106a in the Z-axis direction is in a specific range (−2 mm to +5 mm) [hereinafter simply referred to as a normal position range NR]. The description will be made assuming that it basically fits. The normal position range NR varies depending on the type of the prober 10 (probe height detector 20).

図4に示すように、通常位置範囲NR内において、正常な第1信号Sig1の電圧値V1の最小値は約180mV前後であり、150mVよりも小さくなることはない。また、通常位置範囲NR内において、正常な第2信号Sig2の電圧値V2の最小値は約230mV前後であり、200mVよりも小さくなることはない。   As shown in FIG. 4, in the normal position range NR, the minimum value of the voltage value V1 of the normal first signal Sig1 is about 180 mV, and does not become smaller than 150 mV. Further, in the normal position range NR, the minimum value of the voltage value V2 of the normal second signal Sig2 is about 230 mV, and does not become smaller than 200 mV.

従って、本実施形態では、第1個別閾値Th1を150mVに設定すると共に、第2個別閾値Th2を200mVに設定して、判定部63による第1信号線L1及び第2信号線L2の信号線ごと(以下、「両信号線L1,L2ごと」と略す)の断線の有無を個別判定している。   Therefore, in the present embodiment, the first individual threshold Th1 is set to 150 mV, the second individual threshold Th2 is set to 200 mV, and the signal lines of the first signal line L1 and the second signal line L2 by the determination unit 63 are determined. The presence or absence of disconnection (hereinafter abbreviated as “both signal lines L1 and L2”) is individually determined.

この際に、断線している第1信号線L1から出力される第1信号Sig1の電圧値V1である第1断線電圧値V1、及び断線している第2信号線L2から出力される第2信号Sig2の電圧値V2である第2断線電圧値V2は、既述の通り信号線自体の静電容量によって零にはならない。そして、コア106aのZ軸方向の位置の全範囲(−5mm〜+5mm)に亘っての両断線電圧値V1,V2の双方の最大値が共に約170mV前後になる。このため、上述の第2個別閾値Th2(200mV)は、両断線電圧値V1,V2の双方の最大値よりも大きく設定されているのに対し、上述の第1個別閾値Th1(150mV)は、両断線電圧値V1,V2の双方の最大値よりも小さく設定されている。   At this time, the first disconnection voltage value V1, which is the voltage value V1 of the first signal Sig1 output from the disconnected first signal line L1, and the second output from the disconnected second signal line L2. The second disconnection voltage value V2 that is the voltage value V2 of the signal Sig2 does not become zero due to the capacitance of the signal line itself as described above. The maximum value of both the disconnection voltage values V1 and V2 over the entire range (−5 mm to +5 mm) of the position in the Z-axis direction of the core 106a is about 170 mV. Therefore, the above-described second individual threshold Th2 (200 mV) is set to be larger than the maximum value of both the disconnection voltage values V1 and V2, whereas the above-described first individual threshold Th1 (150 mV) is The disconnection voltage values V1 and V2 are set smaller than the maximum value.

従って、コア106aのZ軸方向の位置が第2象限内の位置範囲W1(−5mm〜約−1mm)では、第1信号線L1が断線している場合であっても、第1信号Sig1の電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなる可能性がある。このため、コア106aのZ軸方向の位置が通常位置範囲NR内の一部(−2mm〜約−1mm)である場合、或いは通常位置範囲NR外(−5mm〜−2mm)である場合、第1信号Sig1の電圧値V1が第1個別閾値Th1よりも大きくなったとしても、第1信号線L1が断線している可能性がある。   Therefore, when the position of the core 106a in the Z-axis direction is in the position range W1 (−5 mm to about −1 mm) in the second quadrant, even if the first signal line L1 is disconnected, the first signal Sig1 There is a possibility that the voltage value V1 becomes larger than the first individual threshold Th1 (150 mV). For this reason, when the position of the core 106a in the Z-axis direction is a part (−2 mm to about −1 mm) in the normal position range NR, or is outside the normal position range NR (−5 mm to −2 mm), Even if the voltage value V1 of the 1 signal Sig1 becomes larger than the first individual threshold Th1, the first signal line L1 may be disconnected.

また、コア106aのZ軸方向の位置が第2象限内の位置範囲W2(−5mm〜約−3mm)では、第2信号線L2が正常な場合であっても、第2信号Sig2の電圧値V2が第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなる。このため、コア106aのZ軸方向の位置が通常位置範囲NR外(−5mm〜約−3mm)となる場合、第2信号Sig2の電圧値V2が第2個別閾値Th2よりも小さくなったとしても、第2信号線L2が断線しておらず正常である可能性がある。   Further, in the position range W2 (−5 mm to about −3 mm) of the core 106a in the Z-axis direction, even if the second signal line L2 is normal, the voltage value of the second signal Sig2 V2 becomes smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV). For this reason, even if the voltage value V2 of the second signal Sig2 becomes smaller than the second individual threshold Th2 when the position of the core 106a in the Z-axis direction is outside the normal position range NR (−5 mm to about −3 mm). There is a possibility that the second signal line L2 is not disconnected and is normal.

なお、コア106aの全移動可能範囲(−5mm〜+5mm)では、正常な第2信号線L2から出力される第2信号Sig2の電圧値V2の最小値が、既述の第1信号Sig1の電圧値V1と同様に約180mV前後であり、150mVよりも小さくなることはない。このため、電圧値V1,V2がそれぞれ第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さくなれば両信号線L1,L2がそれぞれ確実に断線していると判定できるが、電圧値V1,V2がそれぞれ第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなる場合には断線の有無を確実に判定できない。   In the entire movable range (−5 mm to +5 mm) of the core 106a, the minimum value of the voltage value V2 of the second signal Sig2 output from the normal second signal line L2 is the voltage of the first signal Sig1 described above. Like the value V1, it is about 180 mV, and never becomes smaller than 150 mV. Therefore, if the voltage values V1 and V2 are smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV), respectively, it can be determined that both the signal lines L1 and L2 are surely disconnected, but the voltage values V1 and V2 are If it is greater than one individual threshold Th1 (150 mV), it cannot be reliably determined whether there is a break.

このように上記の第2判定処理のみでは、コア106aのZ軸方向の位置によっては、両信号線L1,L2の断線の有無を正確に判定できない。また、両信号線L1,L2が、それぞれ正常である場合の両信号Sig1,Sig2の電圧値V1,V2の最小値は共に約180mVであり、逆にそれぞれ断線している場合の両信号Sig1,Sig2の両断線電圧値V1,V2の最大値は共に約170mVであり、両者は近接している。このため、これら最小値と最大値との間に収まるような第1個別閾値Th1及び第2個別閾値Th2をそれぞれ設定して、第2判定処理により第1信号線L1及び第2信号線L2の断線の有無を個別判定することは困難である。   As described above, only the second determination process described above cannot accurately determine whether or not the signal lines L1 and L2 are disconnected depending on the position of the core 106a in the Z-axis direction. Further, the minimum values of the voltage values V1 and V2 of both signals Sig1 and Sig2 when both signal lines L1 and L2 are normal are about 180 mV, and conversely both signals Sig1 and Sig1 when they are disconnected. The maximum value of both disconnection voltage values V1, V2 of Sig2 is about 170 mV, and both are close to each other. For this reason, the first individual threshold Th1 and the second individual threshold Th2 are set so as to fall between these minimum and maximum values, and the first signal line L1 and the second signal line L2 are set by the second determination process. It is difficult to individually determine the presence or absence of disconnection.

そこで、本実施形態の判定部63は、第2判定処理の他に第1判定処理を行って、両信号線L1,L2の各々の断線の有無を判定する。   Therefore, the determination unit 63 of the present embodiment performs the first determination process in addition to the second determination process, and determines whether or not each of the signal lines L1 and L2 is disconnected.

[第1判定処理]
図3及び図4に示すように、判定部63は第1判定処理を行う場合、両信号線L1,L2ごとの断線の有無と、前述の断線の有無に応じて変化する両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2との対応関係を示す第1電圧範囲R1及び第2電圧範囲R2を記憶部65から取得する。そして、判定部63は、信号取得部51Bから取得した両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2に基づき、第1電圧範囲R1を参照して第1信号線L1の断線の有無を判定すると共に、双方の電圧値V1,V2に基づき,第2電圧範囲R2を参照して第2信号線L2の断線の有無を判定する。
[First determination process]
As shown in FIGS. 3 and 4, when the determination unit 63 performs the first determination process, the presence / absence of disconnection for both signal lines L1 and L2 and the two signals Sig1 and Sig2 that change according to the presence / absence of the disconnection described above. The first voltage range R1 and the second voltage range R2 indicating the correspondence relationship between the two voltage values V1 and V2 are acquired from the storage unit 65. Then, the determination unit 63 determines whether or not the first signal line L1 is disconnected based on the voltage values V1 and V2 of both signals Sig1 and Sig2 acquired from the signal acquisition unit 51B with reference to the first voltage range R1. At the same time, based on both voltage values V1 and V2, whether or not the second signal line L2 is disconnected is determined by referring to the second voltage range R2.

<第1電圧範囲R1について>
第1電圧範囲R1は、既述の第2象限の位置範囲W1での第1信号線L1の断線を示す双方の電圧値V1,V2の範囲を予め定めたものである。第1断線電圧値V1は、位置範囲W1において第1個別閾値Th1よりも大きくなる。一方、第2個別閾値Th2は第1断線電圧値V1の最大値よりも大きく設定されているので、位置範囲W1の内外に関係なく第1断線電圧値V1の最大値が第2個別閾値Th2よりも大きくなることはない。
<About the first voltage range R1>
The first voltage range R1 is a predetermined range of both voltage values V1 and V2 indicating the disconnection of the first signal line L1 in the above-described second quadrant position range W1. The first disconnection voltage value V1 is larger than the first individual threshold value Th1 in the position range W1. On the other hand, since the second individual threshold value Th2 is set to be larger than the maximum value of the first disconnection voltage value V1, the maximum value of the first disconnection voltage value V1 is greater than the second individual threshold value Th2 regardless of the position range W1. Will not grow.

従って、第2象限の位置範囲W1内において、信号取得部51Bから入力された第1信号Sig1の電圧値V1が第1個別閾値Th1より大きく且つ第2個別閾値Th2より小さくなる場合、第1信号線L1が断線していると判定できる。また逆に、この電圧値V1が第2個別閾値Th2よりも大きくなる場合、位置範囲W1の内外に関係なく第1信号線L1が正常とあると判定できる。   Therefore, when the voltage value V1 of the first signal Sig1 input from the signal acquisition unit 51B is larger than the first individual threshold Th1 and smaller than the second individual threshold Th2 within the position range W1 of the second quadrant, the first signal It can be determined that the line L1 is disconnected. Conversely, when the voltage value V1 becomes larger than the second individual threshold Th2, it can be determined that the first signal line L1 is normal regardless of the position range W1.

ここで、第1信号線L1が正常な場合においても、コア106aのZ軸方向の位置が第1象限内の一部範囲(+3mm〜+5mm)では、信号取得部51Bから入力された第1信号Sig1の電圧値V1が第1個別閾値Th1より大きく且つ第2個別閾値Th2より小さくなる。このため、電圧値V1が第1個別閾値Th1より大きく且つ第2個別閾値Th2より小さくなる場合、コア106aのZ軸方向の位置が第2象限の位置範囲W1内であれば第1信号線L1が断線していると判定でき、逆にコア106aのZ軸方向の位置が第1象限内であれば第1信号線L1が正常であると判定できる。そして、コア106aのZ軸方向の位置が第2象限の位置範囲W1内であるか否かについては、信号取得部51Bから入力される第2信号Sig2の電圧値V2に基づき判定できる。   Here, even when the first signal line L1 is normal, if the position of the core 106a in the Z-axis direction is a partial range (+3 mm to +5 mm) within the first quadrant, the first signal input from the signal acquisition unit 51B. The voltage value V1 of Sig1 is larger than the first individual threshold Th1 and smaller than the second individual threshold Th2. Therefore, when the voltage value V1 is larger than the first individual threshold value Th1 and smaller than the second individual threshold value Th2, the first signal line L1 if the position of the core 106a in the Z-axis direction is within the second quadrant position range W1. If the position of the core 106a in the Z-axis direction is within the first quadrant, it can be determined that the first signal line L1 is normal. Whether or not the position of the core 106a in the Z-axis direction is within the position range W1 of the second quadrant can be determined based on the voltage value V2 of the second signal Sig2 input from the signal acquisition unit 51B.

具体的に、本実施形態では電圧値V2が約300mVよりも小さくなる場合、コア106aのZ軸方向の位置が第2象限の位置範囲W1内であると判定することができる。このため、本実施形態では300mVを判定閾値Th3と定め、電圧値V2が判定閾値Th3よりも小さくなるか否かに基づき、コア106aの位置が第2象限の位置範囲W1内であるか、或いは第1象限内であるかを判定する。   Specifically, in the present embodiment, when the voltage value V2 is smaller than about 300 mV, it can be determined that the position of the core 106a in the Z-axis direction is within the position range W1 of the second quadrant. Therefore, in this embodiment, 300 mV is set as the determination threshold Th3, and the position of the core 106a is within the position range W1 of the second quadrant based on whether or not the voltage value V2 is smaller than the determination threshold Th3, or It is determined whether it is in the first quadrant.

以上のように、電圧値V1に対応する第1電圧範囲R1は、第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きく且つ第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さい範囲に設定されている。また、電圧値V2に対応する第1電圧範囲R1は、判定閾値Th3(300mV)よりも小さい範囲に設定されている。なお、第2信号線L2が正常である場合には、電圧値V2が150mV、すなわち第1個別閾値Th1よりも小さくなることはないので、既述の電圧値V2に対応する第1電圧範囲R1は、第1個別閾値Th1よりも大きく且つ判定閾値Th3よりも小さい範囲である。   As described above, the first voltage range R1 corresponding to the voltage value V1 is set to a range larger than the first individual threshold Th1 (150 mV) and smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV). In addition, the first voltage range R1 corresponding to the voltage value V2 is set to a range smaller than the determination threshold Th3 (300 mV). When the second signal line L2 is normal, the voltage value V2 does not become 150 mV, that is, the first individual threshold value Th1, so the first voltage range R1 corresponding to the voltage value V2 described above. Is a range that is larger than the first individual threshold Th1 and smaller than the determination threshold Th3.

そして、双方の電圧値V1,V2ごとの第1電圧範囲R1に関する情報は、既述の判定閾値Th3に関する情報と共に、記憶部65に記憶されている。これにより、判定部63は、第2判定処理では第1信号線L1の断線の有無が正確に判定されない場合でも、両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2が共に第1電圧範囲R1を満たすか否かを判定する第1判定処理により、第1信号線L1が断線しているか否かを判定できる。   Information on the first voltage range R1 for each of the voltage values V1 and V2 is stored in the storage unit 65 together with the information on the determination threshold Th3 described above. Thereby, even when the presence or absence of the disconnection of the first signal line L1 is not accurately determined in the second determination process, the determination unit 63 determines that the voltage values V1 and V2 of both the signals Sig1 and Sig2 are both in the first voltage range R1. It is possible to determine whether or not the first signal line L1 is disconnected by the first determination process for determining whether or not the above is satisfied.

ここで判定閾値Th3に関する情報は、第1電圧範囲R1(及び後述の第2電圧範囲R2も同様)に関する情報に含めることができるので、必ずしも図3に示したように判定閾値Th3に関する情報を記憶部65に別途記憶させる必要はない。   Here, since the information regarding the determination threshold Th3 can be included in the information regarding the first voltage range R1 (and the second voltage range R2 described later), the information regarding the determination threshold Th3 is not necessarily stored as shown in FIG. There is no need to store the information in the unit 65 separately.

<第2電圧範囲R2について>
第2電圧範囲R2は、既述の第2象限の位置範囲W2で第2信号線L2が正常であることを示す双方の電圧値V1,V2の範囲を予め定めて記憶部65に記憶したものである。既述の通り、正常な第2信号線L2から出力される第1信号Sig2の電圧値V2は、第2象限の位置範囲W2内において、第2個別閾値Th2よりも小さくなるが、第1個別閾値Th1よりは大きくなる。
<About the second voltage range R2>
The second voltage range R2 is a range in which both voltage values V1 and V2 indicating that the second signal line L2 is normal in the position range W2 in the second quadrant described above are predetermined and stored in the storage unit 65. It is. As described above, the voltage value V2 of the first signal Sig2 output from the normal second signal line L2 is smaller than the second individual threshold value Th2 within the position range W2 of the second quadrant. It becomes larger than the threshold value Th1.

ここで、第2信号線L2が断線している場合でも、コア106aのZ軸方向の位置が第1象限内の一部範囲(約+2mm〜+5mm)では、信号取得部51Bから入力された第2信号Sig2の第2断線電圧値V2が第1個別閾値Th1より大きく且つ第2個別閾値Th2より小さくなる。   Here, even when the second signal line L2 is disconnected, when the position of the core 106a in the Z-axis direction is in a partial range within the first quadrant (about +2 mm to +5 mm), the first input from the signal acquisition unit 51B is performed. The second disconnection voltage value V2 of the two signals Sig2 is larger than the first individual threshold Th1 and smaller than the second individual threshold Th2.

この際に、第2断線電圧値V2は、正常な第1信号線L1から出力される第1信号Sig1の電圧値V1が既述の判定閾値Th3(300mV)よりも大きくなる範囲内(特に第2象限内)では第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さくなる。換言すると、第1個別閾値Th1は、電圧値V1が既述の判定閾値Th3よりも大きくなる範囲内(特に第2象限内)では、第2断線電圧値V2よりも大きくなるように設定されている。   At this time, the second disconnection voltage value V2 is within a range in which the voltage value V1 of the first signal Sig1 output from the normal first signal line L1 is greater than the above-described determination threshold Th3 (300 mV) (particularly the first In the second quadrant), it is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV). In other words, the first individual threshold value Th1 is set to be larger than the second disconnection voltage value V2 within a range where the voltage value V1 is larger than the above-described determination threshold value Th3 (particularly within the second quadrant). Yes.

このため、第1信号Sig1の電圧値V1が判定閾値Th3よりも大きくなる場合、第2信号線L2が正常であれば第2信号Sig2の電圧値V2が第1個別閾値Th1よりも小さくなることはない。従って、電圧値V2が第1個別閾値Th1より大きく且つ第2個別閾値Th2より小さくなる場合、第1信号Sig1の電圧値V1が判定閾値Th3よりも大きくなれば第2信号線L2が正常であると判定でき、逆に第1信号Sig1の電圧値V1が判定閾値Th3よりも小さくなれば第2信号線L2が断線していると判定できる。   Therefore, when the voltage value V1 of the first signal Sig1 is larger than the determination threshold value Th3, the voltage value V2 of the second signal Sig2 is smaller than the first individual threshold value Th1 if the second signal line L2 is normal. There is no. Therefore, when the voltage value V2 is larger than the first individual threshold value Th1 and smaller than the second individual threshold value Th2, the second signal line L2 is normal if the voltage value V1 of the first signal Sig1 is larger than the determination threshold value Th3. Conversely, if the voltage value V1 of the first signal Sig1 becomes smaller than the determination threshold Th3, it can be determined that the second signal line L2 is disconnected.

以上のように、電圧値V1に対応する第2電圧範囲R2は、判定閾値Th3(300mV)よりも大きい範囲に設定されている。また、電圧値V2に対応する第2電圧範囲R2は、第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きく且つ第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さい範囲に設定されている。   As described above, the second voltage range R2 corresponding to the voltage value V1 is set to a range larger than the determination threshold Th3 (300 mV). The second voltage range R2 corresponding to the voltage value V2 is set to a range that is larger than the first individual threshold value Th1 (150 mV) and smaller than the second individual threshold value Th2 (200 mV).

そして、双方の電圧値V1,V2ごとの第2電圧範囲R2に関する情報は、既述の第1電圧範囲R1に関する情報と同様に記憶部65に記憶されている。これにより、判定部63は、第2判定処理では第2信号線L2の断線の有無(第2信号線L2が正常であるか否か)が正確に判定されない場合であっても、両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2が共に第2電圧範囲R2を満たすか否かを判定する第1判定処理により、第2信号線L2が断線しているか否かを判定できる。   And the information regarding 2nd voltage range R2 for each voltage value V1, V2 is memorize | stored in the memory | storage part 65 similarly to the information regarding 1st voltage range R1 mentioned above. As a result, even if the determination unit 63 does not accurately determine whether or not the second signal line L2 is disconnected (whether the second signal line L2 is normal) in the second determination process, the both signals Sig1 , Sig2 can determine whether or not the second signal line L2 is disconnected by the first determination process for determining whether or not both of the voltage values V1 and V2 satisfy the second voltage range R2.

<判定部の動作>
判定部63は、信号取得部51Bから入力された両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2がそれぞれ第1電圧範囲R1を満たす場合、前述の第1判定処理により第1信号線L1の断線の有無を判定する。逆に判定部63は、双方の電圧値V1,V2の少なくとも一方が第1電圧範囲R1を満たさない場合、前述の第2判定処理により第1信号線L1の断線の有無を判定する。
<Operation of determination unit>
When the voltage values V1 and V2 of both signals Sig1 and Sig2 input from the signal acquisition unit 51B satisfy the first voltage range R1, the determination unit 63 performs the first signal line L1 by the first determination process described above. Determine if there is a break. Conversely, when at least one of the voltage values V1 and V2 does not satisfy the first voltage range R1, the determination unit 63 determines whether or not the first signal line L1 is disconnected by the above-described second determination process.

また、判定部63は、信号取得部51Bから入力された両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2がそれぞれ第2電圧範囲R2を満たす場合、前述の第1判定処理により第2信号線L2の断線の有無を判定する。逆に判定部63は、双方の電圧値V1,V2の少なくとも一方が第2電圧範囲R2を満たさない場合、前述の第2判定処理により第2信号線L2の断線の有無を判定する。   In addition, when the voltage values V1 and V2 of both signals Sig1 and Sig2 input from the signal acquisition unit 51B satisfy the second voltage range R2, the determination unit 63 performs the second signal line by the first determination process described above. The presence or absence of the disconnection of L2 is determined. Conversely, when at least one of the voltage values V1 and V2 does not satisfy the second voltage range R2, the determination unit 63 determines whether or not the second signal line L2 is disconnected by the second determination process described above.

なお、判定部63による第1判定処理及び第2判定処理を並行して実施してもよい。この場合、判定部63が、第1判定処理では第1信号線L1が断線していると判定し、第2判定処理では第1信号線L1が正常であると判定した場合、第1判定処理の判定結果が優先される。また、判定部63が、第1判定処理では第2信号線L2が正常であると判定し、第2判定処理では第2信号線L2が断線していると判定した場合にも、第1判定処理の判定結果が優先される。これにより、第1信号線L1及び第2信号線L2の各々の断線の有無を正確に判定することができる。   Note that the first determination process and the second determination process by the determination unit 63 may be performed in parallel. In this case, when the determination unit 63 determines that the first signal line L1 is disconnected in the first determination process and determines that the first signal line L1 is normal in the second determination process, the first determination process The determination result is prioritized. The first determination is also performed when the determination unit 63 determines that the second signal line L2 is normal in the first determination process and determines that the second signal line L2 is disconnected in the second determination process. The determination result of the process has priority. Thereby, it is possible to accurately determine whether or not each of the first signal line L1 and the second signal line L2 is disconnected.

<プローバの作用:断線検出>
次に、図5を用いて上記構成のプローバ10の作用、特に第1信号線L1及び第2信号線L2の断線検出方法について説明する。図5は、プローバ10による第1信号線L1及び第2信号線L2の断線検出の流れを示したフローチャートである。なお、プローバ10の他の動作(プローブ25の先端及び高さ検出、ウェハWの検査等)については公知技術であるため、ここでは具体的な説明は省略する。
<Prober action: disconnection detection>
Next, the operation of the prober 10 configured as described above, particularly the disconnection detection method for the first signal line L1 and the second signal line L2, will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a flowchart showing a flow of detection of disconnection of the first signal line L1 and the second signal line L2 by the prober 10. Since other operations of the prober 10 (detection of the tip and height of the probe 25, inspection of the wafer W, etc.) are known techniques, a specific description thereof is omitted here.

図5に示すようにプローバ10が作動すると、LVDT制御部51の発振器51Aから駆動用信号線L0を介して一次コイル108に励磁信号Sig0が入力され、一次コイル108が励磁される。これにより、コア106aのZ軸方向に変位に応じて二次コイル109Aから第1信号線L1を介して第1信号Sig1が出力されると共に、二次コイル109Bから第2信号線L2を介して第2信号Sig2が出力される。その結果、LVDT制御部51の信号取得部51Bにより第1信号Sig1及び第2信号Sig2がそれぞれ取得される(ステップS1、本発明の信号取得ステップに相当)。   As shown in FIG. 5, when the prober 10 is operated, the excitation signal Sig0 is input to the primary coil 108 from the oscillator 51A of the LVDT controller 51 via the drive signal line L0, and the primary coil 108 is excited. Thus, the first signal Sig1 is output from the secondary coil 109A via the first signal line L1 according to the displacement in the Z-axis direction of the core 106a, and the secondary coil 109B via the second signal line L2 is output. The second signal Sig2 is output. As a result, the first signal Sig1 and the second signal Sig2 are respectively acquired by the signal acquisition unit 51B of the LVDT control unit 51 (step S1, corresponding to the signal acquisition step of the present invention).

そして、信号取得部51Bは、取得した両信号Sig1,Sig2をプローブ高さ検出部62と判定部63とにそれぞれ出力する。これにより、プローブ高さ検出部62によるプローブ25の先端の高さ検出が実行される。一方、信号取得部51Bから両信号Sig1,Sig2の入力を受けた判定部63は、記憶部65内の第1個別閾値Th1、第2個別閾値Th2、判定閾値Th3、第1電圧範囲R1、及び第2電圧範囲R2に関する情報をそれぞれ参照する。   Then, the signal acquisition unit 51B outputs the acquired both signals Sig1 and Sig2 to the probe height detection unit 62 and the determination unit 63, respectively. Thereby, the height detection of the tip of the probe 25 by the probe height detection unit 62 is executed. On the other hand, the determination unit 63 that has received both signals Sig1 and Sig2 from the signal acquisition unit 51B receives the first individual threshold Th1, the second individual threshold Th2, the determination threshold Th3, the first voltage range R1, and the like in the storage unit 65. Information regarding the second voltage range R2 is referred to.

そして、判定部63は、最初に信号取得部51Bから入力される両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2のうち、電圧値V2が第1個別閾値Th1(150mV)より小さくなる否か、すなわち電圧値V2が第2電圧範囲R2の範囲外であるか否かを判定する(ステップS2)。判定部63は、電圧値V2が第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さくなる場合、電圧値V2が第2電圧範囲R2の範囲外であるため、第2判定処理により第2信号線L2の断線の有無を判断する(ステップS2でYES)。この場合、電圧値V2は当然のことながら第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなるため、判定部63は第2信号線L2が断線していると判定する(ステップS3、本発明の第2判定処理ステップに相当)。   Then, the determination unit 63 determines whether or not the voltage value V2 is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV) among the voltage values V1 and V2 of both the signals Sig1 and Sig2 that are first input from the signal acquisition unit 51B. That is, it is determined whether or not the voltage value V2 is out of the second voltage range R2 (step S2). When the voltage value V2 is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV), the determination unit 63 is outside the second voltage range R2 when the voltage value V2 is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV). It is determined whether or not there is a disconnection (YES in step S2). In this case, since the voltage value V2 is naturally smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV), the determination unit 63 determines that the second signal line L2 is disconnected (step S3, the first of the present invention). Equivalent to 2 determination processing steps).

一方、判定部63は、電圧値V2が第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなる場合、この電圧値V2が第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなるか否か、すなわち電圧値V2が第2電圧範囲R2の範囲内であるか否かを判定する(ステップS4)。そして、判定部63は、電圧値V2が第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなる場合(ステップS4でYES)、すなわち電圧値V2が第2電圧範囲R2内となる場合、電圧値V1が判定閾値Th3(300mV)よりも大きくなるか、すなわち電圧値V1も第2電圧範囲R2内となるか否か判定する(ステップS5)。   On the other hand, when the voltage value V2 becomes larger than the first individual threshold value Th1 (150 mV), the determination unit 63 determines whether or not the voltage value V2 becomes smaller than the second individual threshold value Th2 (200 mV), that is, the voltage value V2. Is in the second voltage range R2 (step S4). When the voltage value V2 is smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV) (YES in step S4), that is, when the voltage value V2 is within the second voltage range R2, the determination unit 63 determines that the voltage value V1 is It is determined whether the threshold value Th3 (300 mV) is greater, that is, whether the voltage value V1 is also within the second voltage range R2 (step S5).

判定部63は、電圧値V1が判定閾値Th3(300mV)よりも大きくなる場合(ステップS5でYES)、すなわち電圧値V1も第2電圧範囲R2内となる場合、第1判定処理により第2信号線L2が正常とあると判定する(ステップS5でYES、ステップS6、本発明の第1判定処理ステップに相当)。   When the voltage value V1 is larger than the determination threshold Th3 (300 mV) (YES in Step S5), that is, when the voltage value V1 is also within the second voltage range R2, the determination unit 63 performs the second signal by the first determination process. It is determined that the line L2 is normal (YES in step S5, step S6, corresponding to the first determination processing step of the present invention).

また、判定部63は、電圧値V1が判定閾値Th3(300mV)よりも小さくなる場合(ステップS5でNO)、すなわち電圧値V1が第2電圧範囲R2の範囲外となる場合、第2判定処理により第2信号線L2の断線の有無を判断する。この場合、既述のステップS4でNOと判定したように、電圧値V2は第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなるため、判定部63は第2信号線L2が断線していると判定する(ステップS7、本発明の第2判定処理ステップに相当)。   Further, the determination unit 63 performs the second determination process when the voltage value V1 is smaller than the determination threshold Th3 (300 mV) (NO in step S5), that is, when the voltage value V1 is out of the second voltage range R2. Thus, it is determined whether or not the second signal line L2 is disconnected. In this case, since the voltage value V2 is smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV) as determined NO in step S4 described above, the determination unit 63 determines that the second signal line L2 is disconnected. (Step S7, corresponding to the second determination processing step of the present invention).

一方、既述のステップS4において電圧値V2が第2個別閾値Th2(200mV)よりも大きくなる場合(ステップS4でNO)、判定部63は、第2判定処理により第2信号線L2の断線の有無を判断する。図示は省略するが、この場合、電圧値V2は第2個別閾値Th2(200mV)よりも大きくなるため、判定部63は第2信号線L2が正常である判定する(第2判定処理ステップに相当)。   On the other hand, when the voltage value V2 is larger than the second individual threshold Th2 (200 mV) in the above-described step S4 (NO in step S4), the determination unit 63 determines whether the second signal line L2 is disconnected by the second determination process. Judgment is made. Although illustration is omitted, in this case, since the voltage value V2 is larger than the second individual threshold Th2 (200 mV), the determination unit 63 determines that the second signal line L2 is normal (corresponding to a second determination processing step). ).

次いで、判定部63は、第1信号線L1の断線の有無の判定を開始する。最初に判定部63は、電圧値V2が判定閾値Th3(300mV)より小さくなる否か、すなわち電圧値V2が第1電圧範囲R1の範囲内であるか否かを判定する(ステップS8)。判定部63は、電圧値V2が判定閾値Th3(300mV)よりも小さくなる場合、すなわち電圧値V2が第1電圧範囲R1の範囲内である場合(ステップS8でYES)、電圧値V1が第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなり且つ第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなるか否か、すなわち電圧値V1が第1電圧範囲R1の範囲内であるか否かを判定する(ステップS9)。   Next, the determination unit 63 starts determining whether or not the first signal line L1 is disconnected. First, the determination unit 63 determines whether or not the voltage value V2 is smaller than the determination threshold Th3 (300 mV), that is, whether or not the voltage value V2 is within the first voltage range R1 (step S8). When the voltage value V2 is smaller than the determination threshold Th3 (300 mV), that is, when the voltage value V2 is within the first voltage range R1 (YES in step S8), the determination unit 63 determines that the voltage value V1 is the second value. It is determined whether or not the threshold value is smaller than the individual threshold value Th2 (200 mV) and larger than the first individual threshold value Th1 (150 mV), that is, whether or not the voltage value V1 is within the first voltage range R1 (step). S9).

なお、ステップS9の「V1<200mV」は、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなり且つ第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなる場合(第1判定処理)と、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さくなる場合(第2判定処理)との双方を包含した記載である。   Note that “V1 <200 mV” in step S9 is when the voltage value V1 is larger than the first individual threshold Th1 (150 mV) and smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV) (first determination process). The description includes both the case where the voltage value V1 is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV) (second determination process).

判定部63は、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなり且つ第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなる場合(ステップS9でYES)、すなわち電圧値V1も第1電圧範囲R1の範囲内になる場合、第1判定処理により第1信号線L1が断線していると判定する(ステップS10、本発明の第1判定処理ステップに相当)。   The determination unit 63 determines that the voltage value V1 is larger than the first individual threshold Th1 (150 mV) and smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV) (YES in Step S9), that is, the voltage value V1 is also the first voltage. When it falls within the range R1, it is determined that the first signal line L1 is disconnected by the first determination process (step S10, corresponding to the first determination process step of the present invention).

なお、判定部63は、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さくなる場合には、電圧値V1が第1電圧範囲R1の範囲外となるため、ステップS10では第2判定処理により第1信号線L1が断線していると判定する(第2判定処理ステップに相当)。すなわち、上述のステップS9では第1判定処理及び第2判定処理に関わらず、電圧値V1が第2個別閾値Th2(200mV)よりも小さくなる場合、第1信号線L1が断線していると判定される。   Note that when the voltage value V1 is smaller than the first individual threshold value Th1 (150 mV), the determination unit 63 causes the voltage value V1 to be outside the first voltage range R1, and therefore in step S10, the second determination process is performed. Therefore, it is determined that the first signal line L1 is disconnected (corresponding to a second determination processing step). That is, in step S9 described above, regardless of the first determination process and the second determination process, if the voltage value V1 is smaller than the second individual threshold Th2 (200 mV), it is determined that the first signal line L1 is disconnected. Is done.

また、判定部63は、電圧値V1が第2個別閾値Th2(200mV)よりも大きくなる場合(ステップS9でNO)、すなわち電圧値V1が第1電圧範囲R1の範囲外となる場合、第2判定処理により第1信号線L1の断線の有無を判断する。この場合、電圧値V1は当然のことながら第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きくなるため、判定部63は第1信号線L1が正常であると判定する(ステップS11、本発明の第2判定処理ステップに相当)。   Further, when the voltage value V1 becomes larger than the second individual threshold Th2 (200 mV) (NO in Step S9), that is, when the voltage value V1 is out of the first voltage range R1, the determination unit 63 determines the second Whether or not the first signal line L1 is disconnected is determined by the determination process. In this case, since the voltage value V1 is naturally larger than the first individual threshold Th1 (150 mV), the determination unit 63 determines that the first signal line L1 is normal (step S11, the second of the present invention). Equivalent to a determination processing step).

一方、既述のステップS8において電圧値V2が判定閾値Th3(300mV)よりも大きくなる場合(ステップS8でNo)、すなわち、電圧値V2が第1電圧範囲R1の範囲外となる場合、判定部63は、第2判定処理により第1信号線L1の断線の有無を判断する(ステップS12)。   On the other hand, when the voltage value V2 is larger than the determination threshold Th3 (300 mV) in the above-described step S8 (No in step S8), that is, when the voltage value V2 is out of the first voltage range R1, the determination unit 63 determines whether or not the first signal line L1 is disconnected by the second determination process (step S12).

この場合、判定部63は、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも小さい場合、第1信号線L1が断線していると判定する(ステップS12でYES、ステップS13、本発明の第2判定処理ステップに相当)。逆に判定部63は、電圧値V1が第1個別閾値Th1(150mV)よりも大きい場合、第1信号線L1が正常であると判定する(ステップS12でNO、ステップS14、本発明の第2判定処理ステップに相当)。   In this case, when the voltage value V1 is smaller than the first individual threshold Th1 (150 mV), the determination unit 63 determines that the first signal line L1 is disconnected (YES in step S12, step S13, and the present invention). Equivalent to a second determination processing step). Conversely, when the voltage value V1 is larger than the first individual threshold Th1 (150 mV), the determination unit 63 determines that the first signal line L1 is normal (NO in step S12, step S14, the second of the present invention). Equivalent to a determination processing step).

以下、プローバ10のプローブ高さ検出器20及び高さ調整機構27が作動している間、上記ステップS1からステップS14までの処理が繰り返し実行される。なお、第1信号線L1及び第2信号線L2のいずれかが断線していると判定部63が判定した場合、統括制御部60は、プローブ高さ検出器20及び高さ調整機構27の作動を停止させると共に、判定部63の判定結果を不図示の表示部等に表示(警告表示)させる。   Hereinafter, while the probe height detector 20 and the height adjustment mechanism 27 of the prober 10 are operating, the processing from step S1 to step S14 is repeatedly executed. When the determination unit 63 determines that either the first signal line L1 or the second signal line L2 is disconnected, the overall control unit 60 operates the probe height detector 20 and the height adjustment mechanism 27. And the determination result of the determination unit 63 is displayed (warning display) on a display unit (not shown).

[本実施形態の効果]
以上のように本実施形態のプローバ10(ウェハテストシステム9)では、信号取得部51Bから取得した両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2に基づき、第1電圧範囲R1を参照して第1信号線L1の断線の有無を判定すると共に、双方の電圧値V1,V2に基づき第2電圧範囲R2を参照して第2信号線L2の断線の有無を判定する第1判定処理を行うことができる。これにより、第2判定処理のみでは第1信号線L1及び第2信号線L2のそれぞれの断線の有無を判定することが困難な場合でもこの判定を行うことができる。その結果、第1信号線L1及び第2信号線L2のそれぞれの断線の有無の判定を高精度に行うことができる。
[Effect of this embodiment]
As described above, in the prober 10 (wafer test system 9) of the present embodiment, the first voltage range R1 is referred to based on the voltage values V1 and V2 of both signals Sig1 and Sig2 acquired from the signal acquisition unit 51B. First determination processing is performed to determine whether the first signal line L1 is disconnected and to determine whether the second signal line L2 is disconnected with reference to the second voltage range R2 based on both voltage values V1, V2. be able to. Thereby, even when it is difficult to determine the presence or absence of the disconnection of each of the first signal line L1 and the second signal line L2 only by the second determination process, this determination can be performed. As a result, the presence / absence of disconnection of each of the first signal line L1 and the second signal line L2 can be determined with high accuracy.

また、判定部63の第1判定処理及び第2判定処理は単純な電圧判定であるので、判定部63をアナログのロジック回路(コンパレータ)で構成することができ、プローバ10の製造コストの増加を抑えられる。   Further, since the first determination process and the second determination process of the determination unit 63 are simple voltage determinations, the determination unit 63 can be configured with an analog logic circuit (comparator), which increases the manufacturing cost of the prober 10. It can be suppressed.

[他実施形態]
図6は、第1信号線L1及び第2信号線L2の各々の断線の有無に応じて変化する2種類の両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2を示したグラフであって、通常位置範囲NR内の双方の電圧値V1,V2を示したグラフである。上記実施形態では、既述の図4に示したように、コア106aの位置の全範囲(−5mm〜+5mm)で第1信号線L1及び第2信号線L2の断線の有無を判定しているが、本実施形態のLVDT106では、既述の通りコア106aのZ軸方向の位置が基本的には通常位置範囲NR(−2mm〜+5mm)に収まる。このため、図6に示すように、通常位置範囲NRの範囲内に限定して、判定部63による第1判定処理及び第2判定処理を行ってもよい。
[Other Embodiments]
FIG. 6 is a graph showing the voltage values V1 and V2 of both of the two types of signals Sig1 and Sig2 that change depending on whether or not each of the first signal line L1 and the second signal line L2 is disconnected. It is the graph which showed both voltage value V1, V2 in the normal position range NR. In the above embodiment, as shown in FIG. 4 described above, the presence / absence of disconnection of the first signal line L1 and the second signal line L2 is determined in the entire range (−5 mm to +5 mm) of the position of the core 106a. However, in the LVDT 106 of the present embodiment, as described above, the position of the core 106a in the Z-axis direction is basically within the normal position range NR (−2 mm to +5 mm). For this reason, as shown in FIG. 6, the first determination process and the second determination process by the determination unit 63 may be performed only within the normal position range NR.

図7は、通常位置範囲NRの範囲内に限定して第1信号線L1及び第2信号線L2の断線検出(第1判定処理及び第2判定処理)を行う場合の流れを示したフローチャートである。図7に示すように、この場合には、既述の図5に示したフローチャート中のステップS4からステップS7までを省略することができる。   FIG. 7 is a flowchart showing a flow when the disconnection detection (first determination process and second determination process) of the first signal line L1 and the second signal line L2 is performed within the normal position range NR. is there. As shown in FIG. 7, in this case, Steps S4 to S7 in the flowchart shown in FIG. 5 can be omitted.

具体的に、この他実施形態では第2判定処理は上記実施形態と基本的に同じであるが、第1判定処理については第1信号線L1の断線の有無のみを判定、すなわち両信号Sig1,Sig2の双方の電圧値V1,V2がそれぞれ第1電圧範囲R1を満たすか否かのみを判定すればよい。その結果、上記実施形態よりもシンプルなロジックで両信号線L1,L2の断線の有無を判定することができる。   Specifically, in this other embodiment, the second determination process is basically the same as in the above embodiment, but the first determination process determines only whether or not the first signal line L1 is disconnected, that is, both signals Sig1, It is only necessary to determine whether or not both voltage values V1 and V2 of Sig2 satisfy the first voltage range R1. As a result, it is possible to determine whether or not the signal lines L1 and L2 are disconnected with a simpler logic than the above embodiment.

[その他]
上記実施形態では、第1個別閾値Th1を150mVに設定し、第2個別閾値Th2を200mVに設定し、判定閾値Th3を300mVに設定しているが、これら閾値の値はLVDT106の種類、及びプローブ高さ検出器20の種類等に応じて適宜変更される。
[Others]
In the above embodiment, the first individual threshold Th1 is set to 150 mV, the second individual threshold Th2 is set to 200 mV, and the determination threshold Th3 is set to 300 mV. The values of these thresholds are the type of the LVDT 106, and the probe It changes suitably according to the kind etc. of the height detector 20.

上記実施形態では、本発明の断線検出装置を構成するLVDT制御部51及び統括制御部60(判定部63及び記憶部65)がプローバ10に組み込まれているが、プローバ10と別体に設けられていても良く、この場合、本発明の断線検出装置としては例えばパーソナルコンピュータ等の演算装置が用いられる。   In the above embodiment, the LVDT control unit 51 and the overall control unit 60 (determination unit 63 and storage unit 65) constituting the disconnection detection device of the present invention are incorporated in the prober 10, but are provided separately from the prober 10. In this case, for example, an arithmetic unit such as a personal computer is used as the disconnection detecting device of the present invention.

上記実施形態では、判定部63が記憶部65内から第1個別閾値Th1、第2個別閾値Th2、判定閾値Th3、第1電圧範囲R1、及び第2電圧範囲R2に関する情報を取得しているが、例えばこれらの情報をオペレータが入力、或いはインターネット上のサーバから取得してもよい。   In the above-described embodiment, the determination unit 63 acquires information related to the first individual threshold Th1, the second individual threshold Th2, the determination threshold Th3, the first voltage range R1, and the second voltage range R2 from the storage unit 65. For example, the information may be input by an operator or acquired from a server on the Internet.

上記実施形態では判定部63により第1判定処理及び第2判定処理を選択的に行っているが、図4に示すような両信号線L1,L2の断線の有無と、双方の電圧値V1,V2との対応関係に基づき、位置範囲W1,W2以外の範囲についても双方の電圧値V1,V2に基づき既述の断線の有無を判定する第1判定処理を行ってもよい。   In the above embodiment, the first determination process and the second determination process are selectively performed by the determination unit 63, but the presence or absence of disconnection of both signal lines L1 and L2 as shown in FIG. Based on the correspondence relationship with V2, the first determination process described above for determining whether or not there is a disconnection based on the voltage values V1 and V2 of the ranges other than the position ranges W1 and W2 may be performed.

上記実施形態では、プローバ10のプローブ高さ検出器20に用いられるLDVT106の第1信号線L1及び第2信号線L2の断線検出に本発明の断線検出装置及び断線検出方法を適用しているが、本発明はLDVT106を備える各種検出器或いは各種装置(測定装置等)に適用することができる。   In the above embodiment, the disconnection detection device and the disconnection detection method of the present invention are applied to the disconnection detection of the first signal line L1 and the second signal line L2 of the LDVT 106 used in the probe height detector 20 of the prober 10. The present invention can be applied to various detectors or various apparatuses (such as measuring apparatuses) provided with the LDVT 106.

9…ウェハテストシステム,
10…プローバ,
20…プローブ高さ検出器,
20a…接触面,
21,27…高さ調整機構,
25…プローブ,
51…LVDT制御部,
51A…発振器,
51B…信号取得部,
60…統括制御部,
62…プローブ高さ検出部,
63…判定部,
65…記憶部,
106…LVDT,
106a…コア,
106b…コイル,
108…一次コイル,
109A,109B…二次コイル,
L1…第1信号線,
L2…第2信号線,
Sig1…第1信号,
Sig2…第2信号,
V1,V2…電圧値,
Th1…第1個別閾値,
Th2…第2個別閾値,
Th3…判定閾値
9 ... Wafer test system,
10 ... Prober,
20: Probe height detector,
20a ... contact surface,
21, 27 ... Height adjustment mechanism,
25 ... probe,
51 ... LVDT controller,
51A ... oscillator,
51B ... Signal acquisition unit,
60 ... Overall control unit,
62... Probe height detector,
63 ... determination part,
65 ... storage part,
106 ... LVDT,
106a ... core,
106b ... Coil,
108 ... primary coil,
109A, 109B ... secondary coil,
L1 ... first signal line,
L2 ... second signal line,
Sig1 ... first signal,
Sig2 ... second signal,
V1, V2 ... Voltage value,
Th1 ... 1st individual threshold value,
Th2 ... second individual threshold value,
Th3: Determination threshold

Claims (11)

線形可変差動変圧器に設けられている2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して出力された2種類の信号をそれぞれ取得する信号取得部と、
前記信号線ごとの断線の有無と、前記断線の有無に応じて変化する前記2種類の信号の双方の電圧値との対応関係を予め取得し、前記信号取得部が取得した前記2種類の信号の前記双方の電圧値に基づき、前記対応関係を参照して、前記信号線ごとの断線の有無を判定する第1判定処理を行う判定部と、
を備える断線検出装置。
A signal acquisition unit for acquiring two types of signals respectively output from two secondary coils provided in the linear variable differential transformer via individual signal lines;
The two types of signals acquired by the signal acquisition unit by acquiring in advance the correspondence between the presence / absence of the disconnection for each signal line and the voltage values of both of the two types of signals that change according to the presence / absence of the disconnection. A determination unit that performs a first determination process for determining the presence or absence of disconnection for each of the signal lines with reference to the correspondence relationship based on both the voltage values of
A disconnection detecting device.
前記判定部は、前記双方の電圧値がそれぞれ予め定められた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、前記信号線ごとの断線の有無を個別に判定する第2判定処理を行う請求項1に記載の断線検出装置。   The determination unit performs a second determination process for individually determining the presence / absence of a disconnection for each signal line based on whether or not the voltage values of the both are smaller than a predetermined individual threshold value. The disconnection detection apparatus as described in. 前記信号取得部が取得した前記2種類の信号のうち前記個別閾値が小さい方を第1信号とし、前記個別閾値が大きい方を第2信号として、断線した前記信号線から出力される前記第1信号の電圧値を第1断線電圧値とした場合、前記第1信号の前記個別閾値は、前記第2信号の電圧値が予め定めた判定閾値よりも小さくなる範囲内では前記第1断線電圧値の最大値よりも小さく設定され、
前記第2信号の前記個別閾値は、前記第1断線電圧値の最大値よりも大きく設定され、
前記対応関係には、前記第1信号に対応する前記信号線の断線を示す前記双方の電圧値のそれぞれの第1電圧範囲が含まれており、
前記第1信号の電圧値に対応する前記第1電圧範囲は、前記第1信号の前記個別閾値よりも大きく且つ前記第2信号の前記個別閾値よりも小さい範囲に設定され、
前記第2信号の電圧値に対応する前記第1電圧範囲は、前記判定閾値よりも小さい範囲に設定されている請求項2に記載の断線検出装置。
Of the two types of signals acquired by the signal acquisition unit, the first signal output from the disconnected signal line is defined as a first signal having a smaller individual threshold and a second signal having a larger individual threshold. When the voltage value of the signal is the first disconnection voltage value, the individual threshold value of the first signal is the first disconnection voltage value within a range where the voltage value of the second signal is smaller than a predetermined determination threshold value. Is set smaller than the maximum value of
The individual threshold value of the second signal is set larger than the maximum value of the first disconnection voltage value,
The correspondence relationship includes a first voltage range of each of the two voltage values indicating a disconnection of the signal line corresponding to the first signal,
The first voltage range corresponding to the voltage value of the first signal is set to a range larger than the individual threshold value of the first signal and smaller than the individual threshold value of the second signal,
The disconnection detection device according to claim 2, wherein the first voltage range corresponding to the voltage value of the second signal is set to a range smaller than the determination threshold.
前記第1信号の電圧値及び第2信号の電圧値がそれぞれ前記第1電圧範囲の範囲外である場合、前記判定部は、前記第1信号に対応する前記信号線の断線の有無を前記第2判定処理により判定する請求項3に記載の断線検出装置。   When the voltage value of the first signal and the voltage value of the second signal are outside the range of the first voltage range, the determination unit determines whether the signal line corresponding to the first signal is disconnected or not. The disconnection detection device according to claim 3, which is determined by two determination processing. 断線した前記信号線から出力される前記第2信号の電圧値を第2断線電圧値とした場合、前記第1信号の前記個別閾値は、前記第1信号の電圧値が前記判定閾値よりも大きくなる範囲内では前記第2断線電圧値よりも大きく設定され、
前記対応関係には、前記第2信号に対応する前記信号線が正常であることを示す前記双方の電圧値のそれぞれの第2電圧範囲が含まれており、
前記第1信号の電圧値に対応する前記第2電圧範囲は、前記判定閾値よりも大きい範囲に設定され、
前記第2信号の電圧値に対応する前記第2電圧範囲は、前記第1信号の前記個別閾値よりも大きく且つ前記第2信号の前記個別閾値よりも小さい範囲に設定されている請求項3又は4に記載の断線検出装置。
When the voltage value of the second signal output from the disconnected signal line is the second disconnection voltage value, the individual threshold value of the first signal is greater than the determination threshold value. Is set to be greater than the second disconnection voltage value within a range,
The correspondence includes a second voltage range of each of the voltage values indicating that the signal line corresponding to the second signal is normal,
The second voltage range corresponding to the voltage value of the first signal is set to a range larger than the determination threshold,
The second voltage range corresponding to the voltage value of the second signal is set to a range larger than the individual threshold value of the first signal and smaller than the individual threshold value of the second signal. 4. The disconnection detection device according to 4.
前記第1信号の電圧値及び第2信号の電圧値がそれぞれ前記第2電圧範囲の範囲外である場合、前記判定部は、前記第2信号に対応する前記信号線の断線の有無を前記第2判定処理により判定する請求項5に記載の断線検出装置。   When the voltage value of the first signal and the voltage value of the second signal are outside the range of the second voltage range, the determination unit determines whether or not the signal line corresponding to the second signal is disconnected. The disconnection detection device according to claim 5, wherein the disconnection detection device is determined by two determination processing. 前記判定閾値は、前記第2信号の前記個別閾値よりも大きい値に設定されている請求項3から6のいずれか1項に記載の断線検出装置。   The disconnection detection device according to any one of claims 3 to 6, wherein the determination threshold is set to a value larger than the individual threshold of the second signal. ウェハの電極にプローブを接触させて前記ウェハの検査を行うプローバに設けられ、前記プローブの先端を検出するプローブ先端検出装置において、
接触面と、
前記接触面を、前記プローブに対向する対向位置から前記プローブに向けて相対移動させる移動部と、
前記接触面と一体に移動するコアの位置に応じて2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して2種類の信号を出力する線形可変差動変圧器と、
請求項1から7のいずれか1項に記載の断線検出装置と、
を備えるプローブ先端検出装置。
Provided in a prober that inspects the wafer by bringing a probe into contact with the electrode of the wafer, in a probe tip detection device that detects the tip of the probe,
A contact surface;
A moving unit for moving the contact surface relative to the probe from a position facing the probe;
A linear variable differential transformer that outputs two types of signals from two secondary coils via respective individual signal lines according to the position of the core that moves integrally with the contact surface;
A disconnection detecting device according to any one of claims 1 to 7,
A probe tip detection device comprising:
前記二次コイルごとに出力された前記2種類の信号に基づき、前記接触面への前記プローブの先端の接触を検出する接触検出部を備える請求項8に記載のプローブ先端検出装置。   The probe tip detection device according to claim 8, further comprising a contact detection unit that detects contact of the tip of the probe with the contact surface based on the two types of signals output for each of the secondary coils. 線形可変差動変圧器に設けられている2個の二次コイルから、それぞれ個別の信号線を介して出力された2種類の信号をそれぞれ取得する信号取得ステップと、
前記信号線ごとの断線の有無と、前記断線の有無に応じて変化する前記2種類の信号の双方の電圧値との対応関係を予め取得し、前記信号取得ステップで取得した前記2種類の信号の前記双方の電圧値に基づき、前記対応関係を参照して、前記信号線ごとの断線の有無を判定する第1判定処理ステップと、
を有する断線検出方法。
A signal acquisition step of acquiring two types of signals respectively output from two secondary coils provided in the linear variable differential transformer via individual signal lines;
The two types of signals acquired in the signal acquisition step by acquiring in advance a correspondence relationship between the presence or absence of disconnection for each signal line and the voltage values of both of the two types of signals that change according to the presence or absence of the disconnection. A first determination processing step of determining the presence or absence of disconnection for each of the signal lines with reference to the correspondence relationship based on both the voltage values of
A disconnection detecting method.
前記双方の電圧値がそれぞれ予め定められた個別閾値よりも小さくなるか否かに基づき、前記信号線ごとの断線の有無を個別に判定する第2判定処理ステップを有する請求項10に記載の断線検出方法。   11. The disconnection according to claim 10, further comprising a second determination processing step of individually determining whether or not there is a disconnection for each signal line based on whether or not the voltage values of both are smaller than a predetermined individual threshold value. Detection method.
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