JP2019032816A - 3次元オブジェクト上に配置されるときに行および列ノードの位置合わせを可能にする容量性センサ - Google Patents

3次元オブジェクト上に配置されるときに行および列ノードの位置合わせを可能にする容量性センサ Download PDF

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Abstract

【課題】3次元オブジェクト上に配置されるときに行および列ノードの位置合わせを可能にする容量性センサを提供する。【解決手段】第1の画像は、平面基板上に製造される平面型タッチ・センサ30である。第2の画像は、平面型タッチ・センサが3次元の半球状オブジェクトに配置された後のものである。これにより、平面基板から切り離されて、3次元オブジェクトにわたり配置された後に、成形されたタッチ・センサ36を形成する。平面型で且つ成形されたタッチ・センサ30,36は、中心スパイン32および複数のタッチ・センサ・ブランチ34を含む。タッチ・センサ・ブランチ34間の間隔は変化し、そして、間隔が広くなる程、タッチ・センサ・ブランチが中央スパイン32から離れる。【選択図】図2A

Description

[0001] 本発明は、全般的にタッチ・センサに関する。具体的には、本発明は容量性センサに関する。容量性センサは、半球状オブジェクトまたは球状オブジェクトのような3次元オブジェクトにわたって配置されるときに、オブジェクトが平面である場合に使用されてきたアルゴリズムから修正することなく、オブジェクトの検出および追跡を可能にするのに十分なように、行および列を位置合わせすることになる。
[0002] 本発明において利用することができるタッチ・センサには様々な設計がある。いずれの容量感応タッチパッドであれ、どのように本発明を活用できることをより良く理解するためには、タッチ・センサの基礎技術を調べることが有用である。
[0003] CIRQUE(登録商標)Corporation製のタッチパッドは、相互容量検知デバイスであり、一例を図1にブロック図として示す。このタッチパッド10では、X(12)およびY(14)電極ならびに検知電極16の格子が、タッチパッドのタッチ感応エリア18を規定するために用いられる。通例、タッチパッド10は約16×12電極、または空間的制約があるときは8×6電極の矩形格子となる。これらX(12)およびY(14)(または行および列)電極には、単一の検知電極16が織りまぜられる。全ての位置測定は検知電極16を通じて行われる。
[0004] CIRQUE(登録商標)Corporation製のタッチパッド10は、検知線16上における電荷の不均衡を測定する。タッチパッド10上またはその近傍に指示オブジェクト(pointing object)がない場合、タッチパッド回路20は均衡状態にあり、検知線16上には電荷の不均衡はない。オブジェクトがタッチ表面(タッチパッド10の検知エリア18)に接近または接触したときの容量性結合のために、指示オブジェクトが不均衡を生ずると、電極12,14上に容量変化が生ずる。測定するのは容量変化であって、電極12,14上における絶対容量値ではない。タッチパッド10は、検知ライン16上において電荷均衡を再確立または復帰するために、検知ラインに注入しなければならない電荷量を測定することによって、容量変化を判定する。
[0005] 上記システムは、タッチパッド10上またはその近傍にある指の位置を、以下のようにして判定するために利用される。この例では、行電極12について説明し、列電極14についても同様に繰り返される。行および列電極の測定から得られた値が、タッチパッド10上またはその近傍にある指示物体の重心である交点を決定する。
[0006] 第1ステップでは、P,N発生器22からの第1信号によって第1組の行電極12が駆動され、P,N発生器からの第2信号によって、異なるが隣接する第2組の行電極が駆動される。タッチパッド回路20は、どの行電極が指示オブジェクトに最も近いかを示す相互容量測定デバイス26を用いて、検知線16からの値を得る。しかしながら、マイクロコントローラ28の制御下にあるタッチパッド回路20は、行電極のどちら側に指示オブジェクトが位置するか未だ判定することができず、タッチパッド回路20は、指示オブジェクトが電極からどの位離れて位置するか判定することもできない。このため、このシステムは駆動されることになる電極12のグループを1電極だけずらす。
[0007] 言い換えると、グループの一方側に電極を追加し、グループの逆側にある電極はもはや駆動されない。次いで、新たなグループがP,N発生器22によって駆動され、検知線16の第2測定値が取り込まれる。
[0008] これら2つの測定値から、行電極のどちら側に指示オブジェクトが位置するのか、そしてどれ位離れて位置するのか判定することが可能になる。次いで、2つの測定された信号の振幅を比較する式を用いて、指示オブジェクトの位置判定を実行する。
[0009] CIRQUE(登録商標)Corporation製タッチパッドの感度または分解能は、16×12格子の行および列電極が含意するよりも遥かに高い。分解能は、通例、1インチ当たり約960カウント以上である。正確な分解能は、コンポーネントの感度、同じ行および列上にある電極12、14間の間隔、そして本発明にとっては重要でないその他の要因によって決定される。以上のプロセスは、P,N発生器24を用いて、Y即ち列電極14に対して繰り返される。
[0010] 以上で説明したCIRQUE製タッチパッドは、XおよびY電極12,14の格子、ならびに別個の単独検知電極16を使用するが、多重化を使用することによって、実際には検知電極もXまたはY電極12,14とすることができる。
[0011] 半球体または球体といった3次元オブジェクトにわたり容易に配置される容量性センサを作成することは困難である。1つの理由は、3次元形状にわたり配置するときに、平面型設計で製造することができるが、次いで、折り曲げることができる形状を見つけること、そして、タッチ・センサとして尚も機能させることが困難であるということである。
[0012] 第2の理由は、オブジェクトがタッチ・センサに存在するかを判定するアルゴリズムを実行するソフトウェアは通例は独自の設計であり、特定のタッチ・センサのためにのみ機能することになるということである。
[0013] したがって、平面型設計で製造される容量性タッチ・センサに平面形状を提供すると共に、既存の矩形のタッチ・センサ設計から実質的な修正を要することなくオブジェクトの検出および追跡のためのソフトウェアを使用することは、従来技術に対する利点となろう。
[0014] 第一の実施形態では、本発明は、平面形態で容量性タッチ・センサを製造するためのシステムおよび方法である。タッチ・センサは、次いで、3次元オブジェクトにわたり折り曲げられる。ここでは、タッチ・センサは実質的な修正を要さずに機能させることができ、容量測定ノードの列および行は実質的に直線状の設計が適用され、そして、オブジェクトの検出および追跡に使用されるアルゴリズムは、平面型タッチ・センサ設計のためのものと実質的に同一となる。
[0015] 本発明のこれらおよびその他の目的、特徴、利点、ならびに代替態様は、以下の詳細な説明を添付図面と合わせて検討し考察することから、当業者には明白となるであろう。
図1は、本発明で機能することができるタッチ・センサの従来技術の設計を示すブロック図である。 図2Aは、本発明の第1実施形態の2つの外観における斜視図である。 図2Bは、本発明の第1実施形態の2つの外観における斜視図であり、列および行が示されている。 図3は、本発明の第1実施形態の平面図である。 図4は、本発明の第1実施形態の平面図であり、テイル・コネクタを示す。 図5は、本発明の第2実施形態の斜視図である。 図6は、本発明の第2実施形態の平面図である。 図7は、本発明の第3実施形態の平面図である。 図8は、本発明の第4実施態様の平面図である。 図9は、本発明の第5実施形態の平面図である。 図10は、本発明の第1実施形態のステップを示すフローチャートである。
[0027] これより、図面を参照して、本発明の様々な要素に番号指定(numeral designation)が与えられることになり、また、本発明について、当業者が本発明を行い使用するのを可能にするために検討することになる。尚、以下の記載は、本発明の原理の説明に過ぎず、後に続く特許請求の範囲を狭めるように解釈してはならないことが理解されるべきである。
[0028] 本発明の第1実施形態は、3次元オブジェクトの形状に適合するように3次元オブジェクトにわたり折り曲げることができる平面型の容量性タッチ・センサを提供するためのシステムおよび方法の両方である。通例、非平面型のタッチ・センサ設計は、オブジェクト上を検出および追跡するための固有のセットのアルゴリズムを必要とする。何故ならば、容量測定ノードの列および行での位置合わせがないからである。
[0029] しかしながら、本発明の第1実施形態は、平面型タッチ・センサのための設計である。その結果、平面型タッチ・センサが3次元形状にわたり配置されるときに、タッチ・センサの列および行があたかも実質的に直線状であるかのように反応する。この実質的な直線形は、平面型の矩形タッチ・センサのために使用されるタッチ・センサ・アルゴリズムを使用可能にするものとして規定することができ、また、タッチ・センサの3次元設計に対して実質的な修正なしで使用することができる。
[0030] 図2Aは、本発明の第1実施形態の斜視図である。図2において、同一のタッチ・センサについて2つの画像が示されている。第1の画像は、平面基板上に製造される平面型タッチ・センサ30である。第2の画像は、平面型タッチ・センサが3次元の半球状オブジェクト(図示せず)に配置された後のものである。これにより、平面基板から切り離されて、3次元オブジェクトにわたり配置された後に、成形されたタッチ・センサ36を形成する。ここでは、3次元オブジェクトは半球形状としている。
[0031] なお、平面型タッチ・センサ30が平面基板から切り離されるときに、切り離しがタッチ・センサの輪郭に沿って行われることが理解されるべきである。加えて、本発明の実施形態の全てにおける基板は、当業者にとって知られているMYLARまたはPolyethyleneテレフタレート(PET)のような可撓性材料であってもよい。基板用に使用される材料は、間隔を残すことなく、或いは基板材料にしわを作ることなく、3次元オブジェクトの湾曲に適合することができるように、撓曲させることができるということが重要である。
[0032] 平面型で且つ成形されたタッチ・センサ30,36は、中心スパイン32および複数のタッチ・センサ・ブランチ34を含む。平面型タッチ・センサ30の1つの特徴は、タッチ・センサ・ブランチ34が、平面構成で示される場合に湾曲形状を有しているように見えるということである。成形タッチ・センサ36がタッチ・センサ・ブランチ34間で適切な間隔を有するためには、タッチ・センサ・ブランチ34の湾曲が必要である。タッチ・センサ・ブランチ34間の間隔は変化し、そして、間隔が広くなる程、タッチ・センサ・ブランチが中央スパイン32から離れることになることが留意される。
[0033] しかしながら、3次元オブジェクトの表面に適合するように平面型タッチ・センサ30が曲がるときは、タッチ・センサ・ブランチ34間の間隔が変化する。成形されたタッチ・センサ36は、半球状オブジェクトの湾曲部分のまわりに配置されるときに、タッチ・センサ・ブランチ34間で均一の間隔となることを示す。タッチ・センサ・ブランチ34の均一の間隔は、タッチ・センサ・ブランチ上のドットとして示されている容量測定ノード38間の均一の間隔を提供する。
[0034] 中央スパイン32は、一定の間隔で配置される容量測定ノードを有する個々のタッチ・センサ・ブランチ34に繋がるメイン・バス電気接続配線を収容する。平面型タッチ・センサ30が形成されて、最終的に成形されたタッチ・センサ36を得ると、重なりまたはしわがなく、その形状に適合することができる。
[0035] タッチ・センサ・ブランチ34の各アームは、タッチ・センサ30,36の容量測定ノード38における行40と説明されるものと認めることによって、命名規則が選択される。その結果、異なるタッチ・センサ・ブランチ34は、つまり、タッチ・センサ30,36の容量測定ノード38の列42を形成する。
[0036] 図2Bは、容量測定ノード38の位置を例示するために、容量測定ノードを通じて描かれる列を有するタッチ・センサ・ブランチ34における容量測定ノード38の2つの列42を例示するために設けられる。第1実施形態の一態様は、行40間の間隔が一定のままであるが、列42間の間隔は一定ではない。列42は球体上の縦方向の線のように配置される。ここでは、縦方向の線の端は、端近傍では接近し、線の中央では最も遠くに離れている。しかしながら、列42は、成形されたタッチ・センサ36の下にある半球状オブジェクトの湾曲に拘わらず、常に直線となる。
[0037] 開発における重要なコスト削減のために、従来技術における検出および追跡アルゴリズムと実質的に同一のものを使用することができるということは、重大な業績である。換言すれば、異なるタッチ・センサの検出および追跡アルゴリズムを3次元形状ごとに使用する必要がある場合は、3次元形状ごとにタッチ・センサを製造するというコストは酷く高くなるであろう。
[0038] つまり、第1実施形態の一態様は、成形されたタッチ・センサの設計が、常に、適合すべく設計された3次元の表面に配置された後にのみ、行40および列42において所望の直線形を有するというものである。その結果、平面型タッチ・センサのための既存の検出および追跡のタッチ・センサ・アルゴリズムを、実質的な修正なしで使用することができる。
[0039] 本文書において、検出および追跡タッチ・センサ・アルゴリズムについて「実質的な修正なし」との語句は、列42および行40が実質的に直線状であるということを補償するのではなく、行40における容量測定ノード38間で不均一の間隔を補償するために、検出および追跡アルゴリムにおいてオフセットを供給する必要があるもののみとして定義される。
[0040] 図3は、成形されたタッチ・センサ36の平面図である。この図は、中央スパイン32を示すと共に、行40の均一な間隔および列42のアーチ状のものを見ることをより容易にする。
[0041] 図4は、第1実施例の平面タッチ・センサ30の上面図である。しかしながら、テイル・コネクタ46が平面型タッチ・センサ30に結合するように現在示されている。テイル・コネクタは、平面型タッチ・センサ30に対し、全ての行および列電極の接続点となる。
[0042] 図5は、本発明の第2実施形態の斜視図である。同一のタッチ・センサの2つの画像が図5に示されている。第1の画像は、平面基板上に製造された平面型タッチ・センサ50である。第2のイメージは、平面基板から切り離されて3次元オブジェクトにわたり配置された後の、成形されたタッチ・センサ56である。ここでは、3次元オブジェクトは、尚も図2Aおよび2Bのような半球状の形状としている。
[0043] なお、平面型タッチ・センサ50が基板から切り離されるときに、切り離しはタッチ・センサの輪郭に沿って行われることが理解されるべきである。3次元オブジェクトにわたって配置されるときにタッチ・センサ・ブランチが纏められるために、切り離しは、タッチ・センサ・ブランチ54の輪郭に適合させる必要がある。
[0044] 平面型タッチ・センサ50および成形されたタッチ・センサ56は、中央スパイン52および複数のタッチ・センサ・ブランチ54を含む。平面型タッチ・センサ50の1つの特徴は、平面構成で示されると、タッチ・センサ・ブランチ54が直線形状を有しているように見えるということである。しかしながら、タッチ・センサ・ブランチ34が等しい幅を有するものの、全て異なる量だけ湾曲されるという図2Aおよび図2Bとは異なり、図3のタッチ・センサ・ブランチ54は、両端が狭く、中央が一番広く、そして、均一の形状を有している。タッチ・センサ・ブランチ54の当該形状は、成形されたタッチ・センサ56がタッチ・センサ・ブランチ間で適切な間隔を有するために必要となる。タッチ・センサ・ブランチ54間の間隔は変化し、また、間隔が広くなる程、タッチ・センサ・ブランチは中央スパイン52から離れることになることが留意される。
[0045] 平面型タッチ・センサ50が3次元の半球状オブジェクトに適合するように曲げられると、タッチ・センサ・ブランチ54間の間隔は、再度、第1実施形態のように変化する。成形されたタッチ・センサ56は、3次元の半球状オブジェクトの周りに配置されるときにタッチ・センサ・ブランチ54間で均一な間隔を示している。
[0046] タッチ・センサ・ブランチ54の各アームが、タッチ・センサ50,56の容量測定ノードにおける行60と説明されるものと認めることによって、命名規則が選択される。その結果、異なるタッチ・センサ・ブランチ44は、つまり、タッチ・センサ50,56の容量測定ノードの列62を形成する。
[0047] しかしながら、第1実施形態におけるように、行40の全ての間の均一な間隔および列42間の不均一な間隔に替えて、第2実施形態では、行60が不均一な間隔を有し、列62が均一な間隔となる。つまり、第2実施形態の容量測定ノードは、行が不均一な間隔となり、列が均一な間隔となる。
[0048] したがって、第2実施形態の一態様は、成形されたタッチ・センサ56の設計が、常に、適合すべく設計された3次元半球オブジェクトの表面に配置された後にのみ、行60および列62において所望の直線形を有するというものである。したがって、平面型タッチ・センサのための既存の検出および追跡のタッチ・センサ・アルゴリズムが、実質的な修正なしで使用することができる。
[0049] 本文書において、第2実施形態について「実質的な修正なし」との語句は、行60および列62が実質的に直線状であるということを補償するのではなく、行60における容量測定ノード間の不均一な間隔を補償するために、検出および追跡アルゴリムにおいてオフセットを供給する必要があるもののみとして定義される。
[0050] 図6は、成形されたタッチ・センサ56の平面図である。この図は、中央スパイン52を示すと共に、行60の均一な間隔および列62のアーチ状のものを見るのをより容易にする。
[0051] 図7は、本発明の第3実施形態の平面図である。この第3実施形態では、平面型タッチ・センサ70は平面図で示されている。第3実施形態の平面型タッチ・センサ70と、第1および第2実施形態の平面型タッチ・センサ30,50との間には幾らかの重要な違いがある。
[0052] 第1に、平面構成において、また、平面型タッチ・センサ70が3次元オブジェクトの周りに配置されたときの成形された構成において、行72および列74は両方とも均一な間隔となる。第2に、タッチ・センサ・ブランチ76間の間隔は、第1または第2実施形態よりも非常に広くなる。第3に、列72および行74の容量測定ノードの数は、もはや一定でない。
[0053] その結果は、平面型タッチ・センサ70が3次元半球状オブジェクトに配置された場合に、列72および行74は共に均一な間隔のままとなり、また、行74間の間隔は一定のままとすることができる。したがって、本発明の第3実施形態のためにオフセットを使用する必要がなく、また、検出および追跡アルゴリズムは絶対的に修正されない。
[0054] 当該新規の実施形態は、単一軸の湾曲された表面の適用に限定されない。個々のセンサ素子がまた、共通の制御回路またはケーブル・バス接続に接続され、共通の制御回路に配線される(distributed)。
[0055] 本発明の実施形態の全ては、平面型および成形されたタッチ・センサにおいてレリーフ用開口、切れ目、タブ付けされたセンサ素子またはスロットの組合せを含んでもよい。タッチ・センサは、平面型タッチ・センサが3次元表面に適用されるときにオブジェクトの検出および追跡が達成可能となるのを維持するように、曲げられ、折り曲げられまた動かされる。別個の物理ゾーンは、ワイヤ、ケーブルまたはフレックス回路素子を通じて接続される。別個の物理的なゾーンはまた、相互に隣接され、連続的な可撓性センサによって、1つの表面から別のものへと曲げられて接続されるのを可能にする。
[0056] 図8は、本発明の第4実施形態である。中央スパインの替わりに、この第4実施形態は、反対の手法を用いる。図8は、3次元オブジェクト上に配置される、成形されたタッチ・センサ80の平面図である。成形されたタッチ・センサ80は、複数の相互係止(interlocking)フィンガ82を含む。相互係止フィンガ82は、接触することなく相互に向けて到達する。この第4実施形態は、相互の対向側のスパイン84を用いて、図7の平面型タッチ・センサ70と同様に、或いは、平面型タッチ・センサ30,50のように構成される。
[0057] 図9は、本発明の第5実施形態である。中央スパインの替わりに、この第5実施形態は、タッチ・センサの一方側のみにスパインを有する。図9は、3次元オブジェクト上に配置される、成形されたタッチ・センサ90の平面図である。成形されたタッチ・センサ90は複数のフィンガ92を含む。フィンガ92は、3次元オブジェクトの離れた側に向けて、単一のスパイン94から延伸して到達する。この第5実施形態は、一方側のみのスパインを用いて、図7の平面型タッチ・センサと同様に、或いは平面型タッチ・センサ30,50のように構成される。
[0058] 本発明の第1実施形態の概要として、本発明は、3次元タッチ・センサを動作させる方法を例示するフローチャートとして、図10に説明される。本方法は、平面基板材料を設けるステップと、平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、第1部分が中央直線状スパイン(central linear spine)を含み、複数のタッチ・センサ・ブランチが中央直線状スパインから反対方向に延伸し、複数のタッチ・センサ・ブランチが曲線状であり、複数の電極がタッチ・センサを形成する、ステップと、を含む。
[0059] 次のステップは、第1位置の何れをも収容しない、平面基板材料の第2部分を除去するものである。次いで、3次元オブジェクトにわたり平面基板材料の第1部分が配置される。その結果、第1部分を通じてギャップが存在することなく、第1部分が複数の列および行を有するタッチ・センサを形成するように、第1部分を3次元オブジェクトの表面に適合させる。
[0060] 最後に、本実施形態は、平面型タッチ・センサで使用されるのと実質的に同一の検出および追跡アルゴリズムとするために、幾らかのオフセット電圧のみを必要とするように設計されるので、アルゴリズムは、平面基板材料の第1部分上の1つ以上のオブジェクトを検出および/または追跡することができる。
[0061] 本方法はまた、平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、列および行を形成するために複数の電極がどこでも相互に交差して、容量感知ノードが形成される、ステップを含む。
[0062] 容量感知ノードは、各行において等距離の間隔となるものの、異なる行は、各行における容量感知ノードの間で異なる間隔を有する。
[0063] 本方法はまた、容量感知ノード間の異なる間隔を補償するために、検出および追跡アルゴリズムにおいてオフセットを供給するステップを含む。
[0064] これら実施形態は、平面型タッチ・センサにより使用されるものから実質的に変更のない検出および追跡アルゴリズムを使用可能にするが、当該検出および追跡アルゴリズムはまた、特定の性能レベルを達成するために修正されてもよいことが留意される。
[0065] 幾つかの例示の実施形態のみを上述してきたが、当業者であれば、本発明から具体的に逸脱することなく、多くの変更態様が例示の実施形態で可能であることを容易に理解するであろう。したがって、このような全ての変更態様は、次の特許請求の範囲に規定される本開示の範囲内に含まれることを意図したものである。特許請求の範囲が「するための手段(means for)」の記載をそれに関連する機能と共に明示的に用いたものを除き、本願の如何なる請求項における如何なる限定に対しても、35 U.S.C. 第112条第6パラグラフを適用させないことが、本出願人の明確な意図である。

Claims (19)

  1. 3次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
    平面基板材料を設けるステップと、
    前記平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、
    前記第1部分が中央直線状スパインで構成され、
    複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、前記複数のタッチ・センサ・ブランチが曲線状であり、
    前記複数の電極がタッチ・センサを形成する、ステップと、
    前記第1位置の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第2部分を除去するステップと、
    3次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第1部分を配置するステップであって、前記第1部分を通じてギャップが存在することなく、前記第1部分が複数の列および行を有する前記タッチ・センサを形成するように、前記第1部分を前記3次元オブジェクトの表面に適合させる、ステップと、
    平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第1部分における1つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
    を含む、方法。
  2. 請求項1記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
  3. 請求項2記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが各前記行において等距離の間隔となるものの、異なる行は、各行における前記容量感知ノードの間で異なる間隔を有するように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
  4. 請求項3記載の方法であって、更に、前記容量感知ノード間の異なる間隔を補償するために、前記検出および追跡アルゴリズムにおいてオフセットを供給するステップを含む、方法。
  5. 請求項4記載の方法であって、更に、前記平面型タッチ・センサ用のアルゴリズムとは実質的に異なるように、前記検出および追跡アルゴリズムを変更するステップを含む、方法。
  6. 3次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
    平面基板材料を設けるステップと、
    前記平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、
    前記第1部分が中央直線状スパインで構成され、
    複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、前記複数のタッチ・センサ・ブランチが直線状であり、
    前記複数の電極がタッチ・センサを形成する、ステップと、
    前記第1位置の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第2部分を除去するステップと、
    3次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第1部分を配置するステップであって、前記第1部分を通じてギャップが存在することなく、前記第1部分が複数の列および行を有する前記タッチ・センサを形成するように、前記第1部分を前記3次元オブジェクトの表面に適合させる、ステップと、
    平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第1部分における1つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
    を含む、方法。
  7. 請求項6記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
  8. 請求項7記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行のそれぞれにおいて等距離の間隔となるものの、異なる行は、前記容量感知ノードの間で異なる間隔を有するように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
  9. 請求項8記載の方法であって、更に、前記容量感知ノード間の異なる間隔を補償するために、前記検出および追跡アルゴリズムにおいてオフセットを供給するステップを含む、方法。
  10. 請求項6記載の方法であって、更に、前記平面型タッチ・センサ用のアルゴリズムとは実質的に異なるように、前記検出および追跡アルゴリズムを変更するステップを含む、方法。
  11. 3次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
    平面基板材料を設けるステップと、
    前記平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、
    前記第1部分が中央直線状スパインで構成され、
    複数のタッチ・センサ・ブランチが前記中央直線状スパインから反対方向に延伸し、
    前記複数のタッチ・センサ・ブランチが直線状であり、
    前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
    前記第1位置の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第2部分を除去するステップと、
    3次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第1部分を配置するステップであって、前記第1部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記3次元オブジェクトの表面に前記第1部分を適合させて、前記第1部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
    平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第1部分における1つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
    を含む、方法。
  12. 請求項9記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
  13. 請求項10記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
  14. 3次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
    平面基板材料を設けるステップと、
    前記平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、
    前記第1部分が2つのスパインから相互に向けて延伸する2つのセットの互いに組み合った(interdigitated)フィンガで構成され、
    前記2つのセットの互いに組み合ったフィンガが直線状であり、
    前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
    前記第1位置の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第2部分を除去するステップと、
    3次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第1部分を配置するステップであって、前記第1部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記3次元オブジェクトの表面に前記第1部分を適合させて、前記第1部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
    平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第1部分における1つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
    を含む、方法。
  15. 請求項14記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
  16. 請求項15記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
  17. 3次元タッチ・センサを動作させる方法であって、
    平面基板材料を設けるステップと、
    前記平面基板材料の第1部分上に複数の電極を配置するステップであって、
    前記第1部分が、円形外部縁のまわりに少なくとも部分的に延伸するスパインで構成され、
    複数のフィンガが平行であり、前記スパインから外部に延伸し、
    前記複数のフィンガが直線状であり、
    前記複数の電極が、相互に直角となる複数の行および列を有するタッチ・センサを形成する、ステップと、
    前記第1位置の何れをも収容しない、前記平面基板材料の第2部分を除去するステップと、
    3次元オブジェクトにわたり前記平面基板材料の第1部分を配置するステップであって、前記第1部分を通じて実質的なギャップを設けながら前記3次元オブジェクトの表面に前記第1部分を適合させて、前記第1部分が前記タッチ・センサを形成する、ステップと、
    平面型タッチ・センサ用に使用されるのと同一の検出および追跡アルゴリズムを実質的に使用して、前記平面基板材料の第1部分における1つ以上のオブジェクトの検出および追跡を実行するステップと、
    を含む、方法。
  18. 請求項17記載の方法であって、更に、前記平面基板材料の第1部分上に複数の容量感知ノードを形成するステップであって、前記列および前記行を形成するために前記複数の電極がどこでも相互に交差して、前記容量感知ノードが形成される、ステップを含む、方法。
  19. 請求項18記載の方法であって、更に、前記容量感知ノードが前記行および前記列のそれぞれにおいて等距離の間隔となるように前記容量感知ノードを形成するステップを含む、方法。
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