JP2019028421A - 光学フィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】所望の光学性能を簡素な構成で発揮できる光学フィルタを提供する。【解決手段】光学フィルタ１ａは、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を備え、０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、（ｉ）〜（ｖ）の特性を有する。（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率、（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率、（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率、（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率及び波長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在する第一ＩＲカットオフ波長、並びに（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率、及び波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する第一ＵＶカットオフ波長。【選択図】図１Ａ
Description
本発明は、光学フィルタに関する。
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semicon
ductor）等の撮像素子を用いた撮像装置において、良好な色再現性を有する画像を得るた
めに様々な光学フィルタが撮像素子の前面に配置されている。一般的に、撮像素子は紫外
線領域から赤外線領域に至る広い波長範囲で分光感度を有する。一方、人間の視感度は可
視光の領域にのみに存在する。このため、撮像装置における撮像素子の分光感度を人間の
視感度に近づけるために、撮像素子の前面に赤外線又は紫外線を遮蔽する光学フィルタを
配置する技術が知られている。
ductor）等の撮像素子を用いた撮像装置において、良好な色再現性を有する画像を得るた
めに様々な光学フィルタが撮像素子の前面に配置されている。一般的に、撮像素子は紫外
線領域から赤外線領域に至る広い波長範囲で分光感度を有する。一方、人間の視感度は可
視光の領域にのみに存在する。このため、撮像装置における撮像素子の分光感度を人間の
視感度に近づけるために、撮像素子の前面に赤外線又は紫外線を遮蔽する光学フィルタを
配置する技術が知られている。
光学フィルタとしては、誘電体多層膜を有する光学フィルタのように光の反射を利用す
る光学フィルタと、所定の波長の光を吸収可能な光吸収剤を含有している膜を有する光学
フィルタのように光の吸収を利用する光学フィルタとがある。後者は、入射光の入射角度
に対して変動しにくい分光特性を有する点で望ましい。
る光学フィルタと、所定の波長の光を吸収可能な光吸収剤を含有している膜を有する光学
フィルタのように光の吸収を利用する光学フィルタとがある。後者は、入射光の入射角度
に対して変動しにくい分光特性を有する点で望ましい。
例えば、特許文献１には、近赤外線吸収剤及び樹脂から形成される近赤外線吸収フィル
タが記載されている。近赤外線吸収剤は、所定のホスホン酸化合物と、所定のリン酸エス
テル化合物と、銅塩とから得られる。所定のホスホン酸化合物は、リン原子Ｐに結合した
−ＣＨ2ＣＨ2−Ｒ11で表される一価の基Ｒ1を有する。Ｒ11は水素原子、炭素数１〜２０
のアルキル基、又は炭素数１〜２０のフッ素化アルキル基である。
タが記載されている。近赤外線吸収剤は、所定のホスホン酸化合物と、所定のリン酸エス
テル化合物と、銅塩とから得られる。所定のホスホン酸化合物は、リン原子Ｐに結合した
−ＣＨ2ＣＨ2−Ｒ11で表される一価の基Ｒ1を有する。Ｒ11は水素原子、炭素数１〜２０
のアルキル基、又は炭素数１〜２０のフッ素化アルキル基である。
特許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタは、波長８００ｎｍ〜１２００ｎｍにおける
光を有効に吸収できているものの、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜８
００ｎｍにおいて望ましい光吸収特性を有しているとは言い難い。そこで、本発明は、特
許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタのみでは実現困難な所望の光学性能を簡素な構成
で発揮できる光学フィルタを提供する。
光を有効に吸収できているものの、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜８
００ｎｍにおいて望ましい光吸収特性を有しているとは言い難い。そこで、本発明は、特
許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタのみでは実現困難な所望の光学性能を簡素な構成
で発揮できる光学フィルタを提供する。
本発明は、
赤外線及び紫外線を吸収可能なＵＶ‐ＩＲ吸収層を備え、
０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率を有し、
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率を有
するとともに、波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＩＲ
カットオフ波長が波長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在し、
（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率を有
するとともに、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＵＶ
カットオフ波長が波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する、
光学フィルタを提供する。
赤外線及び紫外線を吸収可能なＵＶ‐ＩＲ吸収層を備え、
０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率を有し、
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率を有
するとともに、波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＩＲ
カットオフ波長が波長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在し、
（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率を有
するとともに、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＵＶ
カットオフ波長が波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する、
光学フィルタを提供する。
上記の光学フィルタは、所望の光学性能を簡素な構成で発揮できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明は、
本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。
本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。
光学フィルタは、波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの光を透過させ、かつ、波長３００ｎｍ
〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜１１００ｎｍの光をカットする特性を有することが望
ましい場合がある。しかし、例えば、特許文献１に記載の光学フィルタは、波長３５０ｎ
ｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜８００ｎｍにおいて十分な光吸収特性を有しておら
ず、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの光及び波長６５０ｎｍ〜８００ｎｍの光をカットする
ために、別の光吸収層又は光反射膜を必要とする。このように、簡素な構成（例えば、単
一の層）で上記の望ましい特性を有する光学フィルタを実現することは容易なことではな
い。実際に、本発明者は、簡素な構成で上記の望ましい特性を有する光学フィルタを実現
するために試行錯誤を何度も重ねた。その結果、本発明者は、ついに本発明に係る光学フ
ィルタを案出した。
〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜１１００ｎｍの光をカットする特性を有することが望
ましい場合がある。しかし、例えば、特許文献１に記載の光学フィルタは、波長３５０ｎ
ｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜８００ｎｍにおいて十分な光吸収特性を有しておら
ず、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの光及び波長６５０ｎｍ〜８００ｎｍの光をカットする
ために、別の光吸収層又は光反射膜を必要とする。このように、簡素な構成（例えば、単
一の層）で上記の望ましい特性を有する光学フィルタを実現することは容易なことではな
い。実際に、本発明者は、簡素な構成で上記の望ましい特性を有する光学フィルタを実現
するために試行錯誤を何度も重ねた。その結果、本発明者は、ついに本発明に係る光学フ
ィルタを案出した。
図１Ａに示す通り、光学フィルタ１ａは、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を備えている。ＵＶ‐
ＩＲ吸収層１０は、赤外線及び紫外線を吸収可能な層である。光学フィルタ１ａは、０°
の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、下記（ｉ）〜（ｖ
）の光学性能を発揮する。
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率
（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率及び波
長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在する第一ＩＲカットオフ波長
（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率及び波
長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する第一ＵＶカットオフ波長
ＩＲ吸収層１０は、赤外線及び紫外線を吸収可能な層である。光学フィルタ１ａは、０°
の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、下記（ｉ）〜（ｖ
）の光学性能を発揮する。
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率
（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率及び波
長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在する第一ＩＲカットオフ波長
（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率及び波
長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する第一ＵＶカットオフ波長
本明細書において、「分光透過率」とは、特定の波長の入射光が試料等の物体に入射す
るときの透過率であり、「平均透過率」とは、所定の波長範囲内の分光透過率の平均値で
あり、「最大透過率」とは、所定の波長範囲内の分光透過率の最大値である。また、本明
細書において、「透過率スペクトル」とは所定の波長範囲内の各波長における分光透過率
を波長の順に並べたものである。
るときの透過率であり、「平均透過率」とは、所定の波長範囲内の分光透過率の平均値で
あり、「最大透過率」とは、所定の波長範囲内の分光透過率の最大値である。また、本明
細書において、「透過率スペクトル」とは所定の波長範囲内の各波長における分光透過率
を波長の順に並べたものである。
本明細書において、「ＩＲカットオフ波長」とは、光学フィルタに波長３００ｎｍ〜１
２００ｎｍの光を、所定の入射角度で入射させたときに、６００ｎｍ以上の波長範囲にお
いて５０％の分光透過率を示す波長を意味する。「第一ＩＲカットオフ波長」は、０°の
入射角度で光学フィルタに光を入射させたときのＩＲカットオフ波長である。また、「Ｕ
Ｖカットオフ波長」とは、光学フィルタに波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を、所定の
入射角度で入射させたときに、４５０ｎｍ以下の波長範囲において、５０％の分光透過率
を示す波長を意味する。「第一ＵＶカットオフ波長」は、０°の入射角度で光学フィルタ
に光を入射させたときのＵＶカットオフ波長である。
２００ｎｍの光を、所定の入射角度で入射させたときに、６００ｎｍ以上の波長範囲にお
いて５０％の分光透過率を示す波長を意味する。「第一ＩＲカットオフ波長」は、０°の
入射角度で光学フィルタに光を入射させたときのＩＲカットオフ波長である。また、「Ｕ
Ｖカットオフ波長」とは、光学フィルタに波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を、所定の
入射角度で入射させたときに、４５０ｎｍ以下の波長範囲において、５０％の分光透過率
を示す波長を意味する。「第一ＵＶカットオフ波長」は、０°の入射角度で光学フィルタ
に光を入射させたときのＵＶカットオフ波長である。
光学フィルタ１ａが上記の（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を発揮することにより、光学フィ
ルタ１ａにおいて波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの光の透過量が多く、かつ、波長３００ｎ
ｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜１１００ｎｍの光を効果的にカットできる。このた
め、光学フィルタ１ａの透過スペクトルは、特許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタの
透過スペクトルに比べて、人間の視感度により適合している。しかも、光学フィルタ１ａ
は、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０以外の層を備えていなくても、上記の（ｉ）〜（ｖ）の光学性
能を発揮できる。
ルタ１ａにおいて波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの光の透過量が多く、かつ、波長３００ｎ
ｍ〜４００ｎｍ及び波長６５０ｎｍ〜１１００ｎｍの光を効果的にカットできる。このた
め、光学フィルタ１ａの透過スペクトルは、特許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタの
透過スペクトルに比べて、人間の視感度により適合している。しかも、光学フィルタ１ａ
は、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０以外の層を備えていなくても、上記の（ｉ）〜（ｖ）の光学性
能を発揮できる。
上記（ｉ）に関し、光学フィルタ１ａは、波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて、望ま
しくは８０％以上の平均透過率を有し、より望ましくは８２％以上の平均透過率を有する
。
しくは８０％以上の平均透過率を有し、より望ましくは８２％以上の平均透過率を有する
。
上記（iii）に関し、光学フィルタ１ａは、望ましくは、波長３００ｎｍ〜３６０ｎｍ
において１％以下の分光透過率を有する。これにより、光学フィルタ１ａは、紫外線領域
の光をより効果的にカットできる。
において１％以下の分光透過率を有する。これにより、光学フィルタ１ａは、紫外線領域
の光をより効果的にカットできる。
上記（iv）に関し、第一ＩＲカットオフ波長（５０％の分光透過率を示す波長）は、望
ましくは、波長６３０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内に存在する。これにより、光学フィルタ
１ａの透過スペクトルが人間の視感度により適合する。
ましくは、波長６３０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内に存在する。これにより、光学フィルタ
１ａの透過スペクトルが人間の視感度により適合する。
上記（ｖ）に関し、第一ＵＶカットオフ波長（５０％の分光透過率を示す波長）は、望
ましくは、波長３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲内に存在する。これにより、光学フィルタ
１ａの透過スペクトルが人間の視感度により適合する。
ましくは、波長３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲内に存在する。これにより、光学フィルタ
１ａの透過スペクトルが人間の視感度により適合する。
光学フィルタ１ａは、望ましくは、０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの
光を入射させたときに、下記（vi）の光学性能を発揮する。これにより、比較的長い波長
（波長１０００〜１１００ｎｍ）を有する赤外線を遮蔽することができる。従来、この波
長の光をカットするためには誘電体多層膜からなる光反射膜が用いられることが多い。し
かし、光学フィルタ１ａによれば、このような誘電体多層膜を用いなくともこの波長の光
を効果的にカットできる。誘電体多層膜からなる光反射膜が必要であったとしても、光反
射膜に要求される反射性能のレベルを低くできるので、光反射膜における誘電体の積層数
を低減でき、光反射膜の形成に要するコストを低減できる。
（vi）波長１０００〜１１００ｎｍにおいて３％以下の分光透過率
光を入射させたときに、下記（vi）の光学性能を発揮する。これにより、比較的長い波長
（波長１０００〜１１００ｎｍ）を有する赤外線を遮蔽することができる。従来、この波
長の光をカットするためには誘電体多層膜からなる光反射膜が用いられることが多い。し
かし、光学フィルタ１ａによれば、このような誘電体多層膜を用いなくともこの波長の光
を効果的にカットできる。誘電体多層膜からなる光反射膜が必要であったとしても、光反
射膜に要求される反射性能のレベルを低くできるので、光反射膜における誘電体の積層数
を低減でき、光反射膜の形成に要するコストを低減できる。
（vi）波長１０００〜１１００ｎｍにおいて３％以下の分光透過率
光学フィルタ１ａは、望ましくは、０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの
光を入射させたときに、下記（vii）の光学性能を発揮する。この場合、より長い波長（
１１００〜１２００ｎｍ）を有する赤外線をカットできる。これにより、誘電体多層膜を
用いなくとも又は誘電体多層膜における誘電体の積層数が少なくても、光学フィルタ１ａ
がこの波長の光を効果的にカットできる。
（vii）波長１１００〜１２００ｎｍにおいて１５％以下の分光透過率
光を入射させたときに、下記（vii）の光学性能を発揮する。この場合、より長い波長（
１１００〜１２００ｎｍ）を有する赤外線をカットできる。これにより、誘電体多層膜を
用いなくとも又は誘電体多層膜における誘電体の積層数が少なくても、光学フィルタ１ａ
がこの波長の光を効果的にカットできる。
（vii）波長１１００〜１２００ｎｍにおいて１５％以下の分光透過率
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第二ＩＲカットオフ波長と、第一ＩＲカットオフ
波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である（光学性能（viii））。第二ＩＲカットオフ波
長は、光学フィルタ１ａに４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射
させたときのＩＲカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａの第一ＩＲカット
オフ波長付近の透過率特性は、光学フィルタ１ａに入射する光の入射角度に対して変動し
にくい。その結果、光学フィルタ１ａが撮像素子の前方に配置された撮像装置によって得
られた画像の中心部及び周辺部において異なる色味が発生することを抑制できる。
波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である（光学性能（viii））。第二ＩＲカットオフ波
長は、光学フィルタ１ａに４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射
させたときのＩＲカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａの第一ＩＲカット
オフ波長付近の透過率特性は、光学フィルタ１ａに入射する光の入射角度に対して変動し
にくい。その結果、光学フィルタ１ａが撮像素子の前方に配置された撮像装置によって得
られた画像の中心部及び周辺部において異なる色味が発生することを抑制できる。
光学フィルタ１ａにおいて、第二ＩＲカットオフ波長と、第一ＩＲカットオフ波長との
差の絶対値は、望ましくは５ｎｍ以下である。
差の絶対値は、望ましくは５ｎｍ以下である。
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第三ＩＲカットオフ波長と、第一ＩＲカットオフ
波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である（光学性能（ix））。第三ＩＲカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＩＲカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａに入射する光の入射
角度が大きく変化しても、光学フィルタ１ａの第一ＩＲカットオフ波長付近の透過率特性
の変化を抑制できる。その結果、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学
フィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である（光学性能（ix））。第三ＩＲカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＩＲカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａに入射する光の入射
角度が大きく変化しても、光学フィルタ１ａの第一ＩＲカットオフ波長付近の透過率特性
の変化を抑制できる。その結果、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学
フィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第四ＩＲカットオフ波長と、第一ＩＲカットオフ
波長との差の絶対値が２０ｎｍ以下である。第四ＩＲカットオフ波長は、光学フィルタ１
ａに６０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときのＩＲカッ
トオフ波長である。この場合、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学フ
ィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
波長との差の絶対値が２０ｎｍ以下である。第四ＩＲカットオフ波長は、光学フィルタ１
ａに６０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときのＩＲカッ
トオフ波長である。この場合、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学フ
ィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第二ＵＶカットオフ波長と、第一ＵＶカットオフ
波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である（光学性能（ｘ））。第二ＵＶカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＵＶカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａの第一ＵＶカットオ
フ波長付近の透過率特性は、光学フィルタ１ａに入射する光の入射角度に対して変動しに
くい。その結果、光学フィルタ１ａが撮像素子の前方に配置された撮像装置によって得ら
れた画像の中心部及び周辺部において異なる色味が発生することを抑制できる。
波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である（光学性能（ｘ））。第二ＵＶカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＵＶカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａの第一ＵＶカットオ
フ波長付近の透過率特性は、光学フィルタ１ａに入射する光の入射角度に対して変動しに
くい。その結果、光学フィルタ１ａが撮像素子の前方に配置された撮像装置によって得ら
れた画像の中心部及び周辺部において異なる色味が発生することを抑制できる。
光学フィルタ１ａにおいて、第二ＵＶカットオフ波長と、第一ＵＶカットオフ波長との
差の絶対値は、望ましくは５ｎｍ以下である。
差の絶対値は、望ましくは５ｎｍ以下である。
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第三ＵＶカットオフ波長と、第一ＵＶカットオフ
波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である（光学性能（xi））。第三ＵＶカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＵＶカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａに入射する光の入射
角度が大きく変化しても、光学フィルタ１ａの第一ＵＶカットオフ波長付近の透過率特性
の変化を抑制できる。その結果、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学
フィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である（光学性能（xi））。第三ＵＶカットオフ波長
は、光学フィルタ１ａに５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射さ
せたときのＵＶカットオフ波長である。この場合、光学フィルタ１ａに入射する光の入射
角度が大きく変化しても、光学フィルタ１ａの第一ＵＶカットオフ波長付近の透過率特性
の変化を抑制できる。その結果、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学
フィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
例えば、光学フィルタ１ａにおいて、第四ＵＶカットオフ波長と、第一ＵＶカットオフ
波長との差の絶対値が２０ｎｍ以下である。第四ＵＶカットオフ波長は、光学フィルタ１
ａに６０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときのＵＶカッ
トオフ波長である。この場合、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学フ
ィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
波長との差の絶対値が２０ｎｍ以下である。第四ＵＶカットオフ波長は、光学フィルタ１
ａに６０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときのＵＶカッ
トオフ波長である。この場合、広い画角で撮像可能な撮像装置の撮像素子の前方に光学フ
ィルタ１ａを配置しても、良質な画像が得られやすい。
光学フィルタ１ａは、望ましくは、０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの
光を入射させたときに、下記（xii）の光学性能を発揮する。
（xii）波長８００〜９５０ｎｍにおいて０.５％以下の分光透過率、より望ましくは０．
１％以下の分光透過率
光を入射させたときに、下記（xii）の光学性能を発揮する。
（xii）波長８００〜９５０ｎｍにおいて０.５％以下の分光透過率、より望ましくは０．
１％以下の分光透過率
光学フィルタ１ａは、望ましくは、０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの
光を入射させたときに、下記（xiii）の光学性能をさらに発揮する。
（xiii）波長８００〜１０００ｎｍにおいて０.５％以下の分光透過率、より望ましくは
０．１％以下の分光透過率
光を入射させたときに、下記（xiii）の光学性能をさらに発揮する。
（xiii）波長８００〜１０００ｎｍにおいて０.５％以下の分光透過率、より望ましくは
０．１％以下の分光透過率
撮像装置に使用されているＲＧＢに対応した各カラーフィルタは、各ＲＧＢに対応した
波長範囲の光を透過させるだけではなく波長８００ｎｍ以上の光をも透過させることがあ
る。このため、撮像装置に用いられる赤外線カットフィルタの上記の波長範囲における分
光透過率がある程度低くないと、上記の波長範囲の光が撮像素子の画素に入射し、その画
素から信号が出力されてしまう。このような撮像装置を用いてデジタル画像を取得した場
合に、可視光領域の光量が十分に強いときは、低光量の赤外線がカラーフィルタを透過し
て撮像素子の画素が受光しても得られたデジタル画像に大きな影響は出ない。しかし、可
視光領域の光量が小さいとき又は画像の暗部においては、そのような赤外線の影響を受け
やすくなり、ときには青系又は赤系などの色味がそれらの画像に混ざることがある。
波長範囲の光を透過させるだけではなく波長８００ｎｍ以上の光をも透過させることがあ
る。このため、撮像装置に用いられる赤外線カットフィルタの上記の波長範囲における分
光透過率がある程度低くないと、上記の波長範囲の光が撮像素子の画素に入射し、その画
素から信号が出力されてしまう。このような撮像装置を用いてデジタル画像を取得した場
合に、可視光領域の光量が十分に強いときは、低光量の赤外線がカラーフィルタを透過し
て撮像素子の画素が受光しても得られたデジタル画像に大きな影響は出ない。しかし、可
視光領域の光量が小さいとき又は画像の暗部においては、そのような赤外線の影響を受け
やすくなり、ときには青系又は赤系などの色味がそれらの画像に混ざることがある。
このように、ＣＭＯＳ及びＣＣＤなどの撮像素子とともに用いられているカラーフィル
タは、波長８００〜９５０ｎｍまたは８００〜１０００ｎｍの範囲における光を透過させ
る場合がある。光学フィルタ１ａが上記の（xii）及び（xiii）の光学性能を有すること
により、このような画像の不具合を防止できる。
タは、波長８００〜９５０ｎｍまたは８００〜１０００ｎｍの範囲における光を透過させ
る場合がある。光学フィルタ１ａが上記の（xii）及び（xiii）の光学性能を有すること
により、このような画像の不具合を防止できる。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０は、上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を光学フィルタ１ａが発揮で
きるように、赤外線及び紫外線を吸収する限り特に制限されないが、例えば、ホスホン酸
と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含んでいる。
きるように、赤外線及び紫外線を吸収する限り特に制限されないが、例えば、ホスホン酸
と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含んでいる。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０がホスホン酸と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤
を含む場合、そのホスホン酸は、例えば、アリール基を有する第一ホスホン酸を含む。第
一ホスホン酸においてアリール基はリン原子に結合している。これにより、光学フィルタ
１ａが上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を発揮しやすい。
を含む場合、そのホスホン酸は、例えば、アリール基を有する第一ホスホン酸を含む。第
一ホスホン酸においてアリール基はリン原子に結合している。これにより、光学フィルタ
１ａが上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を発揮しやすい。
第一ホスホン酸が有するアリール基は、例えば、フェニル基、ベンジル基、トルイル基
、ニトロフェニル基、ヒドロキシフェニル基、フェニル基における少なくとも１つの水素
原子がハロゲン原子に置換されているハロゲン化フェニル基、又はベンジル基のベンゼン
環における少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されているハロゲン化ベンジ
ル基である。望ましくは、第一ホスホン酸は、その一部において、ハロゲン化フェニル基
を有する。この場合、より確実に、光学フィルタ１ａが上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を
発揮しやすい。
、ニトロフェニル基、ヒドロキシフェニル基、フェニル基における少なくとも１つの水素
原子がハロゲン原子に置換されているハロゲン化フェニル基、又はベンジル基のベンゼン
環における少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されているハロゲン化ベンジ
ル基である。望ましくは、第一ホスホン酸は、その一部において、ハロゲン化フェニル基
を有する。この場合、より確実に、光学フィルタ１ａが上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を
発揮しやすい。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０がホスホン酸と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤
を含む場合、そのホスホン酸は、望ましくは、アルキル基を有する第二ホスホン酸をさら
に含む。第二ホスホン酸において、アルキル基はリン原子に結合している。
を含む場合、そのホスホン酸は、望ましくは、アルキル基を有する第二ホスホン酸をさら
に含む。第二ホスホン酸において、アルキル基はリン原子に結合している。
第二ホスホン酸が有するアルキル基は、例えば、６個以下の炭素原子を有するアルキル
基である。このアルキル基は、直鎖及び分岐鎖のいずれを有していてもよい。
基である。このアルキル基は、直鎖及び分岐鎖のいずれを有していてもよい。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０がホスホン酸と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤
を含む場合、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０は、望ましくは、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤を分散させるリン
酸エステルと、マトリクス樹脂とをさらに含む。
を含む場合、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０は、望ましくは、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤を分散させるリン
酸エステルと、マトリクス樹脂とをさらに含む。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に含有されているリン酸エステルは、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤を適切に
分散できる限り特に制限されないが、例えば、下記式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステ
ル及び下記式（ｃ２）で表されるリン酸モノエステルの少なくとも一方を含む。下記式（
ｃ１）及び下記式（ｃ２）において、Ｒ21、Ｒ22、及びＲ3は、それぞれ、−（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）nＲ4で表される１価の官能基であり、ｎは、１〜２５の整数であり、Ｒ4は、炭素数
６〜２５のアルキル基を示す。Ｒ21、Ｒ22、及びＲ3は、互いに同一又は異なる種類の官
能基である。
分散できる限り特に制限されないが、例えば、下記式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステ
ル及び下記式（ｃ２）で表されるリン酸モノエステルの少なくとも一方を含む。下記式（
ｃ１）及び下記式（ｃ２）において、Ｒ21、Ｒ22、及びＲ3は、それぞれ、−（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）nＲ4で表される１価の官能基であり、ｎは、１〜２５の整数であり、Ｒ4は、炭素数
６〜２５のアルキル基を示す。Ｒ21、Ｒ22、及びＲ3は、互いに同一又は異なる種類の官
能基である。
リン酸エステルは、特に制限されないが、例えば、プライサーフＡ２０８Ｎ：ポリオキ
シエチレンアルキル（Ｃ１２、Ｃ１３）エーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２０８
Ｆ：ポリオキシエチレンアルキル（Ｃ８）エーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２０
８Ｂ：ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２１９Ｂ：
ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡＬ：ポリオキシエ
チレンスチレン化フェニルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２１２Ｃ：ポリオキ
シエチレントリデシルエーテルリン酸エステル、又はプライサーフＡ２１５Ｃ：ポリオキ
シエチレントリデシルエーテルリン酸エステルであり得る。これらはいずれも第一工業製
薬社製の製品である。また、リン酸エステルは、ＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−２：ポリオキシ
エチレンアルキルエーテルリン酸エステル、ＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−４：ポリオキシエチ
レンアルキルエーテルリン酸エステル、又はＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−６：ポリオキシエチ
レンアルキルエーテルリン酸エステルであり得る。これらは、いずれも日光ケミカルズ社
製の製品である。
シエチレンアルキル（Ｃ１２、Ｃ１３）エーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２０８
Ｆ：ポリオキシエチレンアルキル（Ｃ８）エーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２０
８Ｂ：ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２１９Ｂ：
ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡＬ：ポリオキシエ
チレンスチレン化フェニルエーテルリン酸エステル、プライサーフＡ２１２Ｃ：ポリオキ
シエチレントリデシルエーテルリン酸エステル、又はプライサーフＡ２１５Ｃ：ポリオキ
シエチレントリデシルエーテルリン酸エステルであり得る。これらはいずれも第一工業製
薬社製の製品である。また、リン酸エステルは、ＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−２：ポリオキシ
エチレンアルキルエーテルリン酸エステル、ＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−４：ポリオキシエチ
レンアルキルエーテルリン酸エステル、又はＮＩＫＫＯＬ ＤＤＰ−６：ポリオキシエチ
レンアルキルエーテルリン酸エステルであり得る。これらは、いずれも日光ケミカルズ社
製の製品である。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に含まれるマトリクス樹脂は、例えば、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤を分散
させることができ、熱硬化又は紫外線硬化が可能な樹脂である。さらに、マトリクス樹脂
として、その樹脂によって０．１ｍｍの樹脂層を形成した場合に、その樹脂層の波長３５
０ｎｍ〜９００ｎｍに対する透過率が例えば７０％以上であり、望ましくは７５％以上で
あり、より望ましくは８０％以上である樹脂を用いることができる。ホスホン酸の含有量
は、例えば、マトリクス樹脂１００質量部に対して３〜１８０質量部である。
させることができ、熱硬化又は紫外線硬化が可能な樹脂である。さらに、マトリクス樹脂
として、その樹脂によって０．１ｍｍの樹脂層を形成した場合に、その樹脂層の波長３５
０ｎｍ〜９００ｎｍに対する透過率が例えば７０％以上であり、望ましくは７５％以上で
あり、より望ましくは８０％以上である樹脂を用いることができる。ホスホン酸の含有量
は、例えば、マトリクス樹脂１００質量部に対して３〜１８０質量部である。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に含まれるマトリクス樹脂は、上記の特性を満足する限り特に限
定されないが、例えば（ポリ）オレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホ
ン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシリコーン
樹脂である。マトリクス樹脂は、フェニル基等のアリール基を含んでいてもよく、望まし
くはフェニル基等のアリール基を含んでいるシリコーン樹脂である。ＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０が硬い（リジッドである）と、そのＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みが増すにつれて、光学
フィルタ１ａの製造工程中に硬化収縮によりクラックが生じやすい。マトリクス樹脂がア
リール基を含むシリコーン樹脂であるとＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が良好な耐クラック性を有
しやすい。また、アリール基を含むシリコーン樹脂を用いると、上記のホスホン酸と銅イ
オンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含有する場合にＵＶ‐ＩＲ吸収剤が凝集し
にくい。さらに、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０のマトリクス樹脂がアリール基を含むシリコーン
樹脂である場合に、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に含まれるリン酸エステルが式（ｃ１）又は式
（ｃ２）で表されるリン酸エステルのようにオキシアルキル基等の柔軟性を有する直鎖有
機官能基を有することが望ましい。なぜなら、上記のホスホン酸と、アリール基を含むシ
リコーン樹脂と、オキシアルキル基等の直鎖有機官能基を有するリン酸エステルとの組合
せに基づく相互作用により、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤が凝集しにくく、かつ、ＵＶ‐ＩＲ吸収層
に良好な剛性及び良好な柔軟性をもたらすことができるからである。マトリクス樹脂とし
て使用されるシリコーン樹脂の具体例としては、ＫＲ−２５５、ＫＲ−３００、ＫＲ−２
６２１−１、ＫＲ−２１１、ＫＲ−３１１、ＫＲ−２１６、ＫＲ−２１２、及びＫＲ−２
５１を挙げることができる。これらはいずれも信越化学工業社製のシリコーン樹脂である
。
定されないが、例えば（ポリ）オレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホ
ン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシリコーン
樹脂である。マトリクス樹脂は、フェニル基等のアリール基を含んでいてもよく、望まし
くはフェニル基等のアリール基を含んでいるシリコーン樹脂である。ＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０が硬い（リジッドである）と、そのＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みが増すにつれて、光学
フィルタ１ａの製造工程中に硬化収縮によりクラックが生じやすい。マトリクス樹脂がア
リール基を含むシリコーン樹脂であるとＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が良好な耐クラック性を有
しやすい。また、アリール基を含むシリコーン樹脂を用いると、上記のホスホン酸と銅イ
オンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含有する場合にＵＶ‐ＩＲ吸収剤が凝集し
にくい。さらに、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０のマトリクス樹脂がアリール基を含むシリコーン
樹脂である場合に、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に含まれるリン酸エステルが式（ｃ１）又は式
（ｃ２）で表されるリン酸エステルのようにオキシアルキル基等の柔軟性を有する直鎖有
機官能基を有することが望ましい。なぜなら、上記のホスホン酸と、アリール基を含むシ
リコーン樹脂と、オキシアルキル基等の直鎖有機官能基を有するリン酸エステルとの組合
せに基づく相互作用により、ＵＶ‐ＩＲ吸収剤が凝集しにくく、かつ、ＵＶ‐ＩＲ吸収層
に良好な剛性及び良好な柔軟性をもたらすことができるからである。マトリクス樹脂とし
て使用されるシリコーン樹脂の具体例としては、ＫＲ−２５５、ＫＲ−３００、ＫＲ−２
６２１−１、ＫＲ−２１１、ＫＲ−３１１、ＫＲ−２１６、ＫＲ−２１２、及びＫＲ−２
５１を挙げることができる。これらはいずれも信越化学工業社製のシリコーン樹脂である
。
図１Ａに示す通り、光学フィルタ１ａは、例えば透明誘電体基板２０をさらに備え、透
明誘電体基板２０の一方の主面の少なくとも一部がＵＶ‐ＩＲ吸収層１０によって覆われ
ている。透明誘電体基板２０は、４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて高い平均透過率（例え
ば、８０％以上）を有する誘電体基板である限り、特に制限されない。場合によっては、
透明誘電体基板２０は、紫外線領域又は赤外線領域に吸収能を有していてもよい。
明誘電体基板２０の一方の主面の少なくとも一部がＵＶ‐ＩＲ吸収層１０によって覆われ
ている。透明誘電体基板２０は、４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて高い平均透過率（例え
ば、８０％以上）を有する誘電体基板である限り、特に制限されない。場合によっては、
透明誘電体基板２０は、紫外線領域又は赤外線領域に吸収能を有していてもよい。
透明誘電体基板２０は、例えば、ガラス製又は樹脂製である。透明誘電体基板２０がガ
ラス製である場合、そのガラスは、例えば、Ｄ２６３等のホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰
ガラス（青板）、Ｂ２７０等の白板ガラス、無アルカリガラス、又は銅を含有しているリ
ン酸塩ガラス若しくは銅を含有しているフツリン酸塩ガラス等の赤外線吸収性ガラスであ
る。透明誘電体基板２０が、銅を含有しているリン酸塩ガラス又は銅を含有しているフツ
リン酸塩ガラス等の赤外線吸収性ガラスである場合、透明誘電体基板２０が有する赤外線
吸収性能とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が有する赤外線吸収性能との組み合わせによって光学フ
ィルタ１ａに必要な赤外線吸収性能を実現できる。このため、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に要
求される赤外線吸収性能のレベルを下げることができる。このような赤外線吸収性ガラス
は、例えば、ショット社製のＢＧ−６０、ＢＧ−６１、ＢＧ−６２、ＢＧ−６３、若しく
はＢＧ−６７であり、日本電気硝子社製の５００ＥＸＬであり、又はＨＯＹＡ社製のＣＭ
５０００、ＣＭ５００、Ｃ５０００、若しくはＣ５００Ｓである。また、赤外線吸収性ガ
ラスは紫外線吸収特性を有していてもよい。
ラス製である場合、そのガラスは、例えば、Ｄ２６３等のホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰
ガラス（青板）、Ｂ２７０等の白板ガラス、無アルカリガラス、又は銅を含有しているリ
ン酸塩ガラス若しくは銅を含有しているフツリン酸塩ガラス等の赤外線吸収性ガラスであ
る。透明誘電体基板２０が、銅を含有しているリン酸塩ガラス又は銅を含有しているフツ
リン酸塩ガラス等の赤外線吸収性ガラスである場合、透明誘電体基板２０が有する赤外線
吸収性能とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が有する赤外線吸収性能との組み合わせによって光学フ
ィルタ１ａに必要な赤外線吸収性能を実現できる。このため、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０に要
求される赤外線吸収性能のレベルを下げることができる。このような赤外線吸収性ガラス
は、例えば、ショット社製のＢＧ−６０、ＢＧ−６１、ＢＧ−６２、ＢＧ−６３、若しく
はＢＧ−６７であり、日本電気硝子社製の５００ＥＸＬであり、又はＨＯＹＡ社製のＣＭ
５０００、ＣＭ５００、Ｃ５０００、若しくはＣ５００Ｓである。また、赤外線吸収性ガ
ラスは紫外線吸収特性を有していてもよい。
透明誘電体基板２０は、酸化マグネシウム、サファイア、又は石英などの透明性を有す
る結晶性の基板であってもよい。例えば、サファイアは高硬度であるので、傷がつきにく
い。このため、板状のサファイアは、耐擦傷性の保護材料（プロテクトフィルタ）として
、スマートフォン及び携帯電話等の携帯端末に備えられているカメラモジュール又はレン
ズの前面に配置される場合がある。このような板状のサファイア上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０が形成されることにより、カメラモジュール及びレンズの保護とともに、紫外線又は赤
外線を遮蔽できる。これにより、紫外線又は赤外線の遮蔽性を備える光学フィルタをＣＣ
ＤやＣＭＯＳなどの撮像素子の周辺又はカメラモジュールの内部に配置する必要がなくな
る。このため、板状のサファイア上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を形成すれば、カメラモジュ
ールの低背位化に貢献できる。
る結晶性の基板であってもよい。例えば、サファイアは高硬度であるので、傷がつきにく
い。このため、板状のサファイアは、耐擦傷性の保護材料（プロテクトフィルタ）として
、スマートフォン及び携帯電話等の携帯端末に備えられているカメラモジュール又はレン
ズの前面に配置される場合がある。このような板状のサファイア上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０が形成されることにより、カメラモジュール及びレンズの保護とともに、紫外線又は赤
外線を遮蔽できる。これにより、紫外線又は赤外線の遮蔽性を備える光学フィルタをＣＣ
ＤやＣＭＯＳなどの撮像素子の周辺又はカメラモジュールの内部に配置する必要がなくな
る。このため、板状のサファイア上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を形成すれば、カメラモジュ
ールの低背位化に貢献できる。
透明誘電体基板２０が、樹脂製である場合、その樹脂は、例えば、（ポリ）オレフィン
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である。
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である。
図１Ａに示す通り、光学フィルタ１ａにおいて、例えば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０は、単
一の層として形成されている。この場合、光学フィルタ１ａの構造が簡素である。
一の層として形成されている。この場合、光学フィルタ１ａの構造が簡素である。
光学フィルタ１ａは、例えば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を形成するための組成物（ＵＶ‐
ＩＲ吸収性組成物）を透明誘電体基板２０の一方の主面に塗布して塗膜を形成し、その塗
膜を乾燥させることによって製造できる。ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が、ホスホン酸と銅イオ
ンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含む場合を例に、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の
調製方法及び光学フィルタ１ａの製造方法を説明する。
ＩＲ吸収性組成物）を透明誘電体基板２０の一方の主面に塗布して塗膜を形成し、その塗
膜を乾燥させることによって製造できる。ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が、ホスホン酸と銅イオ
ンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含む場合を例に、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の
調製方法及び光学フィルタ１ａの製造方法を説明する。
まず、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の調製方法の一例を説明する。酢酸銅一水和物などの銅
塩をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの所定の溶媒に添加して撹拌し、銅塩の溶液を得
る。次に、この銅塩の溶液に、式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステル又は式（ｃ２）で
表されるリン酸モノエステルなどのリン酸エステル化合物を加えて撹拌し、Ａ液を調製す
る。また、第一ホスホン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えて撹拌し、Ｂ液を調製する。
第一ホスホン酸として複数種類のホスホン酸を用いる場合、ホスホン酸をＴＨＦなどの所
定の溶媒に加えたうえで撹拌して、ホスホン酸の種類ごとに調製した複数の予備液を混合
してＢ液を調製してもよい。望ましくは、Ｂ液の調製においてアルコキシシランモノマー
が加えられる。
塩をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの所定の溶媒に添加して撹拌し、銅塩の溶液を得
る。次に、この銅塩の溶液に、式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステル又は式（ｃ２）で
表されるリン酸モノエステルなどのリン酸エステル化合物を加えて撹拌し、Ａ液を調製す
る。また、第一ホスホン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えて撹拌し、Ｂ液を調製する。
第一ホスホン酸として複数種類のホスホン酸を用いる場合、ホスホン酸をＴＨＦなどの所
定の溶媒に加えたうえで撹拌して、ホスホン酸の種類ごとに調製した複数の予備液を混合
してＢ液を調製してもよい。望ましくは、Ｂ液の調製においてアルコキシシランモノマー
が加えられる。
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物にアルコキシシランモノマーが加えられると、ＵＶ‐ＩＲ吸収
剤の粒子同士が凝集することを防止できるので、リン酸エステルの含有量を低減しても、
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物においてＵＶ‐ＩＲ吸収剤が良好に分散する。また、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を用いて光学フィルタ１ａを製造する場合に、アルコキシシランモノマーの
加水分解反応及び縮重合反応が十分に起こるように処理することにより、シロキサン結合
(−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−)が形成され、光学フィルタ１ａが良好な耐湿性を有する。加えて、
光学フィルタ１ａが良好な耐熱性を有する。なぜなら、シロキサン結合は、−Ｃ−Ｃ−結
合及び−Ｃ−Ｏ−結合等の結合よりも結合エネルギーが高く化学的に安定しており、耐熱
性及び耐湿性に優れているからである。
剤の粒子同士が凝集することを防止できるので、リン酸エステルの含有量を低減しても、
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物においてＵＶ‐ＩＲ吸収剤が良好に分散する。また、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を用いて光学フィルタ１ａを製造する場合に、アルコキシシランモノマーの
加水分解反応及び縮重合反応が十分に起こるように処理することにより、シロキサン結合
(−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−)が形成され、光学フィルタ１ａが良好な耐湿性を有する。加えて、
光学フィルタ１ａが良好な耐熱性を有する。なぜなら、シロキサン結合は、−Ｃ−Ｃ−結
合及び−Ｃ−Ｏ−結合等の結合よりも結合エネルギーが高く化学的に安定しており、耐熱
性及び耐湿性に優れているからである。
次に、Ａ液を撹拌しながら、Ａ液にＢ液を加えて所定時間撹拌する。次に、この溶液に
トルエンなどの所定の溶媒を加えて撹拌し、Ｃ液を得る。次に、Ｃ液を加温しながら所定
時間脱溶媒処理を行って、Ｄ液を得る。これにより、ＴＨＦなどの溶媒及び酢酸（沸点：
約１１８℃）などの銅塩の解離により発生する成分が除去され、第一ホスホン酸と銅イオ
ンとによってＵＶ‐ＩＲ吸収剤が生成される。Ｃ液を加温する温度は、銅塩から解離した
除去されるべき成分の沸点に基づいて定められている。なお、脱溶媒処理においては、Ｃ
液を得るために用いたトルエン（沸点：約１１０℃）などの溶媒も揮発する。この溶媒は
、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物においてある程度残留していることが望ましいので、この観点
から溶媒の添加量及び脱溶媒処理の時間が定められているとよい。なお、Ｃ液を得るため
にトルエンに代えてｏ‐キシレン（沸点：約１４４℃）を用いることもできる。この場合
、ｏ‐キシレンの沸点はトルエンの沸点よりも高いので、添加量をトルエンの添加量の４
分の１程度に低減できる。
トルエンなどの所定の溶媒を加えて撹拌し、Ｃ液を得る。次に、Ｃ液を加温しながら所定
時間脱溶媒処理を行って、Ｄ液を得る。これにより、ＴＨＦなどの溶媒及び酢酸（沸点：
約１１８℃）などの銅塩の解離により発生する成分が除去され、第一ホスホン酸と銅イオ
ンとによってＵＶ‐ＩＲ吸収剤が生成される。Ｃ液を加温する温度は、銅塩から解離した
除去されるべき成分の沸点に基づいて定められている。なお、脱溶媒処理においては、Ｃ
液を得るために用いたトルエン（沸点：約１１０℃）などの溶媒も揮発する。この溶媒は
、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物においてある程度残留していることが望ましいので、この観点
から溶媒の添加量及び脱溶媒処理の時間が定められているとよい。なお、Ｃ液を得るため
にトルエンに代えてｏ‐キシレン（沸点：約１４４℃）を用いることもできる。この場合
、ｏ‐キシレンの沸点はトルエンの沸点よりも高いので、添加量をトルエンの添加量の４
分の１程度に低減できる。
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物が第二ホスホン酸をさらに含んでいる場合、例えば、以下のよ
うにしてＨ液がさらに調製される。まず、酢酸銅一水和物などの銅塩をテトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）などの所定の溶媒に添加して撹拌し、銅塩の溶液を得る。次に、この銅塩の
溶液に、式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステル又は式（ｃ２）で表されるリン酸モノエ
ステルなどのリン酸エステル化合物を加えて撹拌し、Ｅ液を調製する。また、第二ホスホ
ン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えて撹拌し、Ｆ液を調製する。第二ホスホン酸として
複数種類のホスホン酸を用いる場合、第二ホスホン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えた
うえで撹拌して第二ホスホン酸の種類ごとに調製した複数の予備液を混合してＦ液を調製
してもよい。Ｅ液を撹拌しながら、Ｅ液にＦ液を加えて所定時間撹拌する。次に、この溶
液にトルエンなどの所定の溶媒を加えて撹拌し、Ｇ液を得る。次に、Ｇ液を加温しながら
所定時間脱溶媒処理を行って、Ｈ液を得る。これにより、ＴＨＦなどの溶媒及び酢酸など
の銅塩の解離により発生する成分が除去され、第二ホスホン酸と銅イオンとによって別の
ＵＶ‐ＩＲ吸収剤が生成される。Ｇ液を加温する温度はＣ液と同様に決定され、Ｇ液を得
るための溶媒もＣ液と同様に決定される。
うにしてＨ液がさらに調製される。まず、酢酸銅一水和物などの銅塩をテトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）などの所定の溶媒に添加して撹拌し、銅塩の溶液を得る。次に、この銅塩の
溶液に、式（ｃ１）で表されるリン酸ジエステル又は式（ｃ２）で表されるリン酸モノエ
ステルなどのリン酸エステル化合物を加えて撹拌し、Ｅ液を調製する。また、第二ホスホ
ン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えて撹拌し、Ｆ液を調製する。第二ホスホン酸として
複数種類のホスホン酸を用いる場合、第二ホスホン酸をＴＨＦなどの所定の溶媒に加えた
うえで撹拌して第二ホスホン酸の種類ごとに調製した複数の予備液を混合してＦ液を調製
してもよい。Ｅ液を撹拌しながら、Ｅ液にＦ液を加えて所定時間撹拌する。次に、この溶
液にトルエンなどの所定の溶媒を加えて撹拌し、Ｇ液を得る。次に、Ｇ液を加温しながら
所定時間脱溶媒処理を行って、Ｈ液を得る。これにより、ＴＨＦなどの溶媒及び酢酸など
の銅塩の解離により発生する成分が除去され、第二ホスホン酸と銅イオンとによって別の
ＵＶ‐ＩＲ吸収剤が生成される。Ｇ液を加温する温度はＣ液と同様に決定され、Ｇ液を得
るための溶媒もＣ液と同様に決定される。
Ｄ液にシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂を加えて撹拌してＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を
調製できる。また、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物が第二ホスホン酸と銅イオンとによって形成
されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含有している場合、Ｄ液にシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂
を加えて撹拌して得られたＩ液に、さらにＨ液を加えて撹拌することにより、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を調製できる。
調製できる。また、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物が第二ホスホン酸と銅イオンとによって形成
されたＵＶ‐ＩＲ吸収剤を含有している場合、Ｄ液にシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂
を加えて撹拌して得られたＩ液に、さらにＨ液を加えて撹拌することにより、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を調製できる。
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明誘電体基板２０の一方の主面に塗布して塗膜を形成する
。例えば、液状のＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物をスピンコーティング又はディスペンサによる
塗布により、透明誘電体基板２０の一方の主面に塗布して塗膜を形成する。次に、この塗
膜に対して所定の加熱処理を行って塗膜を硬化させる。例えば、５０℃〜２００℃の温度
の環境にこの塗膜を曝す。必要に応じて、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物に含有されているアル
コキシシランモノマーを十分に加水分解させるために塗膜に加湿処理を施す。例えば、４
０℃〜１００℃の温度及び４０％〜１００％の相対湿度の環境に硬化後の塗膜を曝す。こ
れにより、シロキサン結合のくり返し構造(Ｓｉ−Ｏ)nが形成される。このようにして、
光学フィルタ１ａを製造できる。なお、一般的にはモノマーを含むアルコキシシランの加
水分解及び縮重合反応においては、アルコキシシランと水とを液状組成物内に併存させて
これらの反応を行わせる場合がある。しかし、光学フィルタを作製するときに予めＵＶ‐
ＩＲ吸収性組成物に水を添加しておくと、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の形成の過程でリン酸エステ
ル又はＵＶ‐ＩＲ吸収剤が劣化してしまい、ＵＶ‐ＩＲ吸収性能が低下したり、光学フィ
ルタの耐久性を損ねたりする可能性がある。このため、所定の加熱処理により塗膜を硬化
させた後に加湿処理を行うことが望ましい。
。例えば、液状のＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物をスピンコーティング又はディスペンサによる
塗布により、透明誘電体基板２０の一方の主面に塗布して塗膜を形成する。次に、この塗
膜に対して所定の加熱処理を行って塗膜を硬化させる。例えば、５０℃〜２００℃の温度
の環境にこの塗膜を曝す。必要に応じて、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物に含有されているアル
コキシシランモノマーを十分に加水分解させるために塗膜に加湿処理を施す。例えば、４
０℃〜１００℃の温度及び４０％〜１００％の相対湿度の環境に硬化後の塗膜を曝す。こ
れにより、シロキサン結合のくり返し構造(Ｓｉ−Ｏ)nが形成される。このようにして、
光学フィルタ１ａを製造できる。なお、一般的にはモノマーを含むアルコキシシランの加
水分解及び縮重合反応においては、アルコキシシランと水とを液状組成物内に併存させて
これらの反応を行わせる場合がある。しかし、光学フィルタを作製するときに予めＵＶ‐
ＩＲ吸収性組成物に水を添加しておくと、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の形成の過程でリン酸エステ
ル又はＵＶ‐ＩＲ吸収剤が劣化してしまい、ＵＶ‐ＩＲ吸収性能が低下したり、光学フィ
ルタの耐久性を損ねたりする可能性がある。このため、所定の加熱処理により塗膜を硬化
させた後に加湿処理を行うことが望ましい。
透明誘電体基板２０がガラス基板である場合、透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層
１０との付着性を向上させるために、シランカップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基
板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との間に形成してもよい。
１０との付着性を向上させるために、シランカップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基
板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との間に形成してもよい。
＜変形例＞
光学フィルタ１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、光学フィルタ１ａは、
図１Ｂ〜図１Ｆに示す光学フィルタ１ｂ〜１ｆにそれぞれ変更されてもよい。光学フィル
タ１ｂ〜１ｆは、特に説明する場合を除き、光学フィルタ１ａと同様に構成されている。
光学フィルタ１ａの構成要素と同一又は対応する光学フィルタ１ｂ〜１ｆの構成要素には
同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。光学フィルタ１ａに関する説明は、技術的に
矛盾しない限り光学フィルタ１ｂ〜１ｆにも当てはまる。
光学フィルタ１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、光学フィルタ１ａは、
図１Ｂ〜図１Ｆに示す光学フィルタ１ｂ〜１ｆにそれぞれ変更されてもよい。光学フィル
タ１ｂ〜１ｆは、特に説明する場合を除き、光学フィルタ１ａと同様に構成されている。
光学フィルタ１ａの構成要素と同一又は対応する光学フィルタ１ｂ〜１ｆの構成要素には
同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。光学フィルタ１ａに関する説明は、技術的に
矛盾しない限り光学フィルタ１ｂ〜１ｆにも当てはまる。
図１Ｂに示す通り、本発明の別の一例に係る光学フィルタ１ｂは、透明誘電体基板２０
の両方の主面上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が形成されている。これにより、１つのＵＶ‐Ｉ
Ｒ吸収層１０によってではなく、２つのＵＶ‐ＩＲ吸収層１０によって、光学フィルタ１
ｂが上記の（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を発揮できる。透明誘電体基板２０の両方の主面上
におけるＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みは同一であってもよいし、異なっていてもよい。す
なわち、光学フィルタ１ｂが所望の光学特性を得るために必要なＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の
厚みが均等に又は不均等に分配されるように、透明誘電体基板２０の両方の主面上にＵＶ
‐ＩＲ吸収層１０が形成されている。これにより、透明誘電体基板２０の両方の主面上に
形成された各ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みが比較的小さい。これにより、塗膜の内部圧力
が低くクラックの発生を防止できる。また、液状のＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布する時
間を短縮でき、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の塗膜を硬化させるための時間を短縮できる。透
明誘電体基板２０が薄い場合、透明誘電体基板２０の一方の主面上のみにＵＶ‐ＩＲ吸収
層１０を形成すると、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物からＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を形成する場合
に生じる収縮に伴う応力によって、光学フィルタが反る可能性がある。しかし、透明誘電
体基板２０の両方の主面上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が形成されていることにより、透明誘
電体基板２０が薄い場合でも、光学フィルタ１ｂにおいて反りが抑制される。この場合も
、透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との付着性を向上させるために、シランカ
ップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との間に形成し
てもよい。
の両方の主面上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が形成されている。これにより、１つのＵＶ‐Ｉ
Ｒ吸収層１０によってではなく、２つのＵＶ‐ＩＲ吸収層１０によって、光学フィルタ１
ｂが上記の（ｉ）〜（ｖ）の光学性能を発揮できる。透明誘電体基板２０の両方の主面上
におけるＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みは同一であってもよいし、異なっていてもよい。す
なわち、光学フィルタ１ｂが所望の光学特性を得るために必要なＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の
厚みが均等に又は不均等に分配されるように、透明誘電体基板２０の両方の主面上にＵＶ
‐ＩＲ吸収層１０が形成されている。これにより、透明誘電体基板２０の両方の主面上に
形成された各ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０の厚みが比較的小さい。これにより、塗膜の内部圧力
が低くクラックの発生を防止できる。また、液状のＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布する時
間を短縮でき、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の塗膜を硬化させるための時間を短縮できる。透
明誘電体基板２０が薄い場合、透明誘電体基板２０の一方の主面上のみにＵＶ‐ＩＲ吸収
層１０を形成すると、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物からＵＶ‐ＩＲ吸収層１０を形成する場合
に生じる収縮に伴う応力によって、光学フィルタが反る可能性がある。しかし、透明誘電
体基板２０の両方の主面上にＵＶ‐ＩＲ吸収層１０が形成されていることにより、透明誘
電体基板２０が薄い場合でも、光学フィルタ１ｂにおいて反りが抑制される。この場合も
、透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との付着性を向上させるために、シランカ
ップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との間に形成し
てもよい。
図１Ｃに示す通り、本発明の別の一例に係る光学フィルタ１ｃは、反射防止膜３０を備
えている。反射防止膜３０は、光学フィルタ１ｃと空気との界面をなすように形成された
、可視光領域の光の反射を低減するための膜である。反射防止膜３０は、例えば、樹脂、
酸化物、及びフッ化物等の誘電体によって形成された膜である。反射防止膜３０は、屈折
率の異なる二種類以上の誘電体を積層して形成された多層膜であってもよい。特に、反射
防止膜３０は、ＳｉＯ2等の低屈折率材料とＴｉＯ2又はＴａ2Ｏ5等の高屈折率材料とから
なる誘電体多層膜であってもよい。この場合、光学フィルタ１ｃと空気との界面における
フレネル反射が低減され、光学フィルタ１ｃの可視光領域の光量を増大させることができ
る。この場合も、透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との付着性を向上させるた
めに、シランカップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０
との間に形成してもよい。場合によっては、反射防止膜３０の付着性を向上させるために
、シランカップリング剤を含む樹脂層をＵＶ‐ＩＲ吸収層１０と反射防止膜３０との間に
形成してもよい。反射防止膜３０は、光学フィルタ１ｃの両方の主面に配置されていても
よいし、片方の主面にのみ配置されていてもよい。
えている。反射防止膜３０は、光学フィルタ１ｃと空気との界面をなすように形成された
、可視光領域の光の反射を低減するための膜である。反射防止膜３０は、例えば、樹脂、
酸化物、及びフッ化物等の誘電体によって形成された膜である。反射防止膜３０は、屈折
率の異なる二種類以上の誘電体を積層して形成された多層膜であってもよい。特に、反射
防止膜３０は、ＳｉＯ2等の低屈折率材料とＴｉＯ2又はＴａ2Ｏ5等の高屈折率材料とから
なる誘電体多層膜であってもよい。この場合、光学フィルタ１ｃと空気との界面における
フレネル反射が低減され、光学フィルタ１ｃの可視光領域の光量を増大させることができ
る。この場合も、透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０との付着性を向上させるた
めに、シランカップリング剤を含む樹脂層を透明誘電体基板２０とＵＶ‐ＩＲ吸収層１０
との間に形成してもよい。場合によっては、反射防止膜３０の付着性を向上させるために
、シランカップリング剤を含む樹脂層をＵＶ‐ＩＲ吸収層１０と反射防止膜３０との間に
形成してもよい。反射防止膜３０は、光学フィルタ１ｃの両方の主面に配置されていても
よいし、片方の主面にのみ配置されていてもよい。
図１Ｄに示す通り、本発明の別の一例に係る光学フィルタ１ｄは、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０のみによって構成されている。光学フィルタ１ｄは、例えば、ガラス基板、樹脂基板、
金属基板（例えば、スチール基板又はステンレス基板）等の所定の基板にＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を硬化させた後に基板から剥離させることに
よって製造できる。光学フィルタ１ｄは、溶融成形法によって製造されてもよい。光学フ
ィルタ１ｄは、透明誘電体基板２０を備えていないので薄い。このため、光学フィルタ１
ｄは、撮像素子及び光学系の低背位化に貢献できる。
０のみによって構成されている。光学フィルタ１ｄは、例えば、ガラス基板、樹脂基板、
金属基板（例えば、スチール基板又はステンレス基板）等の所定の基板にＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を硬化させた後に基板から剥離させることに
よって製造できる。光学フィルタ１ｄは、溶融成形法によって製造されてもよい。光学フ
ィルタ１ｄは、透明誘電体基板２０を備えていないので薄い。このため、光学フィルタ１
ｄは、撮像素子及び光学系の低背位化に貢献できる。
図１Ｅに示す通り、本発明の別の一例に係る光学フィルタ１ｅは、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０と、その両面に配置された一対の反射防止膜３０とを備えている。この場合、光学フィ
ルタ１ｅは、撮像素子及び光学系の低背位化に貢献でき、かつ、光学フィルタ１ｄに比べ
て可視光領域の光量を増大させることができる。
０と、その両面に配置された一対の反射防止膜３０とを備えている。この場合、光学フィ
ルタ１ｅは、撮像素子及び光学系の低背位化に貢献でき、かつ、光学フィルタ１ｄに比べ
て可視光領域の光量を増大させることができる。
図１Ｆに示す通り、本発明の別の一例に係る光学フィルタ１ｆは、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１
０と、その一方の主面に配置された、赤外線及び／又は紫外線を反射する反射膜４０とを
備えている。反射膜４０は、例えば、アルミニウム等の金属を蒸着することにより形成さ
れた膜、又は、高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層とが交互に積層された
誘電体多層膜である。高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｚ
ｎＯ、及びＩｎ2Ｏ3等の１．７〜２．５の屈折率を有する材料が用いられる。低屈折率材
料としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及びＭｇＦ2等の１．２〜１．６の屈折率を有する材料
が用いられる。誘電体多層膜を形成する方法は、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、ス
パッタ法、又は真空蒸着法である。また、このような反射膜が光学フィルタの両方の主面
をなすように形成されてもよい(図示省略)。光学フィルタの両方の主面に反射膜が形成さ
れていると、光学フィルタの表裏両面で応力がバランスし、光学フィルタが反りにくいと
いうメリットが得られる。
０と、その一方の主面に配置された、赤外線及び／又は紫外線を反射する反射膜４０とを
備えている。反射膜４０は、例えば、アルミニウム等の金属を蒸着することにより形成さ
れた膜、又は、高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層とが交互に積層された
誘電体多層膜である。高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｚ
ｎＯ、及びＩｎ2Ｏ3等の１．７〜２．５の屈折率を有する材料が用いられる。低屈折率材
料としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及びＭｇＦ2等の１．２〜１．６の屈折率を有する材料
が用いられる。誘電体多層膜を形成する方法は、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、ス
パッタ法、又は真空蒸着法である。また、このような反射膜が光学フィルタの両方の主面
をなすように形成されてもよい(図示省略)。光学フィルタの両方の主面に反射膜が形成さ
れていると、光学フィルタの表裏両面で応力がバランスし、光学フィルタが反りにくいと
いうメリットが得られる。
光学フィルタ１ａ〜１ｆは、それぞれ、必要に応じて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０とは別に
、赤外線吸収膜（図示省略）を備えるように変更されてもよい。赤外線吸収膜は、例えば
、シアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、ジインモニウム系、及びアゾ系等
の有機系の赤外線吸収剤又は金属錯体からなる赤外線吸収剤を含有している。赤外線吸収
膜は、例えば、これらの赤外線吸収剤から選ばれる１つ又は複数の赤外線吸収剤を含有し
ている。この有機系の赤外線吸収剤は、吸収可能な光の波長範囲（吸収バンド）が小さく
、特定の範囲の波長の光を吸収するのに適している。
、赤外線吸収膜（図示省略）を備えるように変更されてもよい。赤外線吸収膜は、例えば
、シアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、ジインモニウム系、及びアゾ系等
の有機系の赤外線吸収剤又は金属錯体からなる赤外線吸収剤を含有している。赤外線吸収
膜は、例えば、これらの赤外線吸収剤から選ばれる１つ又は複数の赤外線吸収剤を含有し
ている。この有機系の赤外線吸収剤は、吸収可能な光の波長範囲（吸収バンド）が小さく
、特定の範囲の波長の光を吸収するのに適している。
光学フィルタ１ａ〜１ｆは、それぞれ、必要に応じて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層１０とは別に
、紫外線吸収膜（図示省略）を備えるように変更されてもよい。紫外線吸収膜は、例えば
、ベンゾフェノン系、トリアジン系、インドール系、メロシアニン系、及びオキサゾール
系等の紫外線吸収剤を含有している。紫外線吸収膜は、例えば、これらの紫外線吸収剤か
ら選ばれる１つ又は複数の紫外線吸収剤を含有している。これらの紫外線吸収剤は、例え
ば３００ｎｍ〜３４０ｎｍ付近の紫外線を吸収し、吸収した波長よりも長い波長の光（蛍
光）を発し、蛍光剤又は蛍光増白剤として機能するものも含まれうるが、紫外線吸収膜に
より、樹脂等の光学フィルタに使用されている材料の劣化をもたらす紫外線の入射を低減
できる。
、紫外線吸収膜（図示省略）を備えるように変更されてもよい。紫外線吸収膜は、例えば
、ベンゾフェノン系、トリアジン系、インドール系、メロシアニン系、及びオキサゾール
系等の紫外線吸収剤を含有している。紫外線吸収膜は、例えば、これらの紫外線吸収剤か
ら選ばれる１つ又は複数の紫外線吸収剤を含有している。これらの紫外線吸収剤は、例え
ば３００ｎｍ〜３４０ｎｍ付近の紫外線を吸収し、吸収した波長よりも長い波長の光（蛍
光）を発し、蛍光剤又は蛍光増白剤として機能するものも含まれうるが、紫外線吸収膜に
より、樹脂等の光学フィルタに使用されている材料の劣化をもたらす紫外線の入射を低減
できる。
上記の赤外線吸収剤又は紫外線吸収剤は、樹脂製の透明誘電体基板２０に予め含有させ
てもよい。赤外線吸収膜や紫外線吸収膜は、例えば、赤外線吸収剤又は紫外線吸収剤を含
有している樹脂を成膜することによって形成できる。この場合、樹脂は、赤外線吸収剤又
は紫外線吸収剤を適切に溶解又は分散させることができ、かつ、透明であることが必要で
ある。このような樹脂として、（ポリ）オレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブ
チラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテ
ルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、及びシ
リコーン樹脂を例示できる。
てもよい。赤外線吸収膜や紫外線吸収膜は、例えば、赤外線吸収剤又は紫外線吸収剤を含
有している樹脂を成膜することによって形成できる。この場合、樹脂は、赤外線吸収剤又
は紫外線吸収剤を適切に溶解又は分散させることができ、かつ、透明であることが必要で
ある。このような樹脂として、（ポリ）オレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブ
チラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテ
ルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、（変性）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、及びシ
リコーン樹脂を例示できる。
光学フィルタ１ａ〜１ｆは、それぞれ、必要に応じて、赤外線及び／又は紫外線を反射
する反射膜をさらに備えるように変更されてもよい。このような反射膜としては、例えば
、アルミニウム等の金属を蒸着することにより形成された膜、又は、高屈折率材料からな
る層と低屈折率材料からなる層とが交互に積層された誘電体多層膜を用いることができる
。このような反射膜は光学フィルタの両方の主面をなすように形成されてもよく、光学フ
ィルタの片方の主面をなすように形成されてもよい。前者のように反射膜が形成されてい
ると、光学フィルタの表裏両面で応力がバランスし、光学フィルタが反りにくい。反射膜
が誘電体多層膜である場合、例えば、高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5
、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ、及びＩｎ2Ｏ3等の１．７〜２．５の屈折率を有する材料が用いられ
、低屈折率材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及びＭｇＦ2等の１．２〜１．６の屈折率を
有する材料が用いられる。誘電体多層膜を形成する方法は、例えば、化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法、スパッタ法、又は真空蒸着法である。
する反射膜をさらに備えるように変更されてもよい。このような反射膜としては、例えば
、アルミニウム等の金属を蒸着することにより形成された膜、又は、高屈折率材料からな
る層と低屈折率材料からなる層とが交互に積層された誘電体多層膜を用いることができる
。このような反射膜は光学フィルタの両方の主面をなすように形成されてもよく、光学フ
ィルタの片方の主面をなすように形成されてもよい。前者のように反射膜が形成されてい
ると、光学フィルタの表裏両面で応力がバランスし、光学フィルタが反りにくい。反射膜
が誘電体多層膜である場合、例えば、高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5
、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ、及びＩｎ2Ｏ3等の１．７〜２．５の屈折率を有する材料が用いられ
、低屈折率材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及びＭｇＦ2等の１．２〜１．６の屈折率を
有する材料が用いられる。誘電体多層膜を形成する方法は、例えば、化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法、スパッタ法、又は真空蒸着法である。
光学フィルタ１ａ〜１ｆは、例えば、撮像装置における撮像素子の分光感度を人間の視
感度に近づけるために、撮像装置の内部のＣＣＤ又はＣＭＯＳ等の撮像素子の前面（被写
体に近い側）に配置される。
感度に近づけるために、撮像装置の内部のＣＣＤ又はＣＭＯＳ等の撮像素子の前面（被写
体に近い側）に配置される。
また、図２に示す通り、例えば、光学フィルタ１ａを用いたカメラモジュール１００を
提供できる。カメラモジュール１００は、光学フィルタ１ａに加え、例えば、レンズ系２
、ローパスフィルタ３、撮像素子４、回路基板５、光学フィルタ支持筐体７、及び光学系
筐体８を備えている。光学フィルタ１ａの周縁は、例えば、光学フィルタ支持筐体７の中
央に形成された開口に接する環状の凹部に嵌められている。光学フィルタ支持筐体７は、
光学系筐体８に固定されている。光学系筐体８の内部には、レンズ系２、ローパスフィル
タ３、及び撮像素子４が光軸に沿ってこの順番で配置されている。撮像素子４は、例えば
、ＣＣＤ又はＣＭＯＳである。被写体からの光は、光学フィルタ１ａによって、紫外線及
び赤外線がカットされた後、レンズ系２によって集光され、さらにローパスフィルタ３を
通過して撮像素子４に入る。撮像素子４によって生成された電気信号は回路基板５によっ
てカメラモジュール１００の外部に送られる。
提供できる。カメラモジュール１００は、光学フィルタ１ａに加え、例えば、レンズ系２
、ローパスフィルタ３、撮像素子４、回路基板５、光学フィルタ支持筐体７、及び光学系
筐体８を備えている。光学フィルタ１ａの周縁は、例えば、光学フィルタ支持筐体７の中
央に形成された開口に接する環状の凹部に嵌められている。光学フィルタ支持筐体７は、
光学系筐体８に固定されている。光学系筐体８の内部には、レンズ系２、ローパスフィル
タ３、及び撮像素子４が光軸に沿ってこの順番で配置されている。撮像素子４は、例えば
、ＣＣＤ又はＣＭＯＳである。被写体からの光は、光学フィルタ１ａによって、紫外線及
び赤外線がカットされた後、レンズ系２によって集光され、さらにローパスフィルタ３を
通過して撮像素子４に入る。撮像素子４によって生成された電気信号は回路基板５によっ
てカメラモジュール１００の外部に送られる。
カメラモジュール１００において、光学フィルタ１ａはレンズ系２を保護するカバー（
プロテクトフィルタ）としての機能も果たしている。この場合、望ましくは、光学フィル
タ１ａにおける透明誘電体基板２０としてサファイア基板が使用される。サファイア基板
は高い耐擦傷性を有するので、例えばサファイア基板が外側（撮像素子４の側とは反対側
）に配置されることが望ましい。これにより、光学フィルタ１ａは、外部からの接触等に
対して高い耐擦傷性を有するとともに上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能（望ましくはさらに
（vi）〜（xiii）の光学性能）を有する。これにより、撮像素子４の近くに赤外線又は紫
外線をカットするための光学フィルタを配置する必要がなくなり、カメラモジュール１０
０を低背位化しやすい。なお、図２に示すカメラモジュール１００は、各部品の配置等を
例示するための概略図であり、光学フィルタ１ａがプロテクトフィルタとして用いられる
態様を説明するものである。光学フィルタ１ａがプロテクトフィルタとしての機能を果た
す限り、光学フィルタ１ａを用いたカメラモジュールは、図２で表したものに限定されず
、必要に応じて、ローパスフィルタ３は省略されてもよいし、他のフィルタを備えていて
もよい。
プロテクトフィルタ）としての機能も果たしている。この場合、望ましくは、光学フィル
タ１ａにおける透明誘電体基板２０としてサファイア基板が使用される。サファイア基板
は高い耐擦傷性を有するので、例えばサファイア基板が外側（撮像素子４の側とは反対側
）に配置されることが望ましい。これにより、光学フィルタ１ａは、外部からの接触等に
対して高い耐擦傷性を有するとともに上記（ｉ）〜（ｖ）の光学性能（望ましくはさらに
（vi）〜（xiii）の光学性能）を有する。これにより、撮像素子４の近くに赤外線又は紫
外線をカットするための光学フィルタを配置する必要がなくなり、カメラモジュール１０
０を低背位化しやすい。なお、図２に示すカメラモジュール１００は、各部品の配置等を
例示するための概略図であり、光学フィルタ１ａがプロテクトフィルタとして用いられる
態様を説明するものである。光学フィルタ１ａがプロテクトフィルタとしての機能を果た
す限り、光学フィルタ１ａを用いたカメラモジュールは、図２で表したものに限定されず
、必要に応じて、ローパスフィルタ３は省略されてもよいし、他のフィルタを備えていて
もよい。
実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定され
ない。まず、実施例及び比較例に係る光学フィルタの評価方法を説明する。
ない。まず、実施例及び比較例に係る光学フィルタの評価方法を説明する。
＜光学フィルタの透過率スペクトル測定＞
波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を実施例及び比較例に係る光学フィルタに入射させ
たときの透過率スペクトルを、紫外線可視分光光度計（日本分光社製、製品名：Ｖ−６７
０）を用いて測定した。光学フィルタに対する入射光の入射角度を０°から６５°まで５
°刻みで変化させてそれぞれの角度における透過率スペクトルを測定した。
波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を実施例及び比較例に係る光学フィルタに入射させ
たときの透過率スペクトルを、紫外線可視分光光度計（日本分光社製、製品名：Ｖ−６７
０）を用いて測定した。光学フィルタに対する入射光の入射角度を０°から６５°まで５
°刻みで変化させてそれぞれの角度における透過率スペクトルを測定した。
＜ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みの測定＞
実施例及び比較例に係る光学フィルタの厚みをデジタルマイクロメータで測定した。実
施例及び比較例に係る光学フィルタのうちガラス等の透明誘電体基板を有する光学フィル
タについては、デジタルマイクロメータで測定した光学フィルタの厚みからガラス基板の
厚みを差し引いて光学フィルタにおけるＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを決定した。
実施例及び比較例に係る光学フィルタの厚みをデジタルマイクロメータで測定した。実
施例及び比較例に係る光学フィルタのうちガラス等の透明誘電体基板を有する光学フィル
タについては、デジタルマイクロメータで測定した光学フィルタの厚みからガラス基板の
厚みを差し引いて光学フィルタにおけるＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを決定した。
＜実施例１＞
酢酸銅一水和物（（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｕ・Ｈ2Ｏ）１．１２５ｇとテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）６０ｇとを混合して、３時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅
溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｎ（第一工業製薬社製）を０
．４１２ｇ加えて３０分間撹拌し、Ａ液を得た。フェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ5ＰＯ（ＯＨ
）2）（日産化学工業社製）０．４４１ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−
１液を得た。４‐ブロモフェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ4ＢｒＰＯ（ＯＨ）2）（東京化成工
業社製）０．６６１ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−２液を得た。次に、
Ｂ−１液とＢ−２液とを混ぜて１分間撹拌し、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＳ：Ｃ
Ｈ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3）（信越化学工業社製）１．９３４ｇとテトラエトキシシラン（Ｔ
ＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）（キシダ化学社製 特級）０．６３４ｇを加えてさらに１
分間撹拌し、Ｂ液を得た。Ａ液を撹拌しながらＡ液にＢ液を加え、室温で１分間撹拌した
。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｃ液を得た。この
Ｃ液をフラスコに入れてオイルバス（東京理化器械社製、型式：ＯＳＢ−２１００）で加
温しながら、ロータリーエバポレータ（東京理化器械社製、型式：Ｎ−１１１０ＳＦ）に
よって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、
フラスコの中から脱溶媒処理後のＤ液を取り出した。フェニルホスホン酸銅及び４‐ブロ
モフェニルホスホン酸銅を含むフェニル系ホスホン酸銅（吸収剤）の微粒子の分散液であ
るＤ液は透明であり、微粒子が良好に分散していた。
酢酸銅一水和物（（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｕ・Ｈ2Ｏ）１．１２５ｇとテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）６０ｇとを混合して、３時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅
溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｎ（第一工業製薬社製）を０
．４１２ｇ加えて３０分間撹拌し、Ａ液を得た。フェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ5ＰＯ（ＯＨ
）2）（日産化学工業社製）０．４４１ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−
１液を得た。４‐ブロモフェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ4ＢｒＰＯ（ＯＨ）2）（東京化成工
業社製）０．６６１ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−２液を得た。次に、
Ｂ−１液とＢ−２液とを混ぜて１分間撹拌し、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＳ：Ｃ
Ｈ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3）（信越化学工業社製）１．９３４ｇとテトラエトキシシラン（Ｔ
ＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）（キシダ化学社製 特級）０．６３４ｇを加えてさらに１
分間撹拌し、Ｂ液を得た。Ａ液を撹拌しながらＡ液にＢ液を加え、室温で１分間撹拌した
。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｃ液を得た。この
Ｃ液をフラスコに入れてオイルバス（東京理化器械社製、型式：ＯＳＢ−２１００）で加
温しながら、ロータリーエバポレータ（東京理化器械社製、型式：Ｎ−１１１０ＳＦ）に
よって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、
フラスコの中から脱溶媒処理後のＤ液を取り出した。フェニルホスホン酸銅及び４‐ブロ
モフェニルホスホン酸銅を含むフェニル系ホスホン酸銅（吸収剤）の微粒子の分散液であ
るＤ液は透明であり、微粒子が良好に分散していた。
酢酸銅一水和物０．２２５ｇとＴＨＦ３６ｇとを混合して３時間撹拌し酢酸銅溶液を得
た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｎ
を０．１２９ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（Ｃ4
Ｈ9ＰＯ（ＯＨ）2）（日本化学工業社製）０．１４４ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間
撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹拌した。次
に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た。このＧ液
をフラスコに入れてオイルバスで加温しながら、ロータリーエバポレータによって、脱溶
媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フラスコの中
から脱溶媒処理後のＨ液を取り出した。ブチルホスホン酸銅の微粒子の分散液であるＨ液
は透明であり、微粒子が良好に分散していた。
た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｎ
を０．１２９ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（Ｃ4
Ｈ9ＰＯ（ＯＨ）2）（日本化学工業社製）０．１４４ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間
撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹拌した。次
に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た。このＧ液
をフラスコに入れてオイルバスで加温しながら、ロータリーエバポレータによって、脱溶
媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フラスコの中
から脱溶媒処理後のＨ液を取り出した。ブチルホスホン酸銅の微粒子の分散液であるＨ液
は透明であり、微粒子が良好に分散していた。
Ｄ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を２．２００ｇ添
加し３０分間撹拌して、Ｉ液を得た。Ｈ液をＩ液に加えて３０分間撹拌し、実施例１に係
るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物（Ｊ液）を得た。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物（Ｊ
液）について、各成分の質量基準の含有量を表１に示し、各成分の物質量基準の含有量及
び各ホスホン酸の物質量基準の含有率を表２に示す。各ホスホン酸の含有率は、小数第２
位を四捨五入して求めているため、合計が１００ｍｏｌ％にならない場合がある。
加し３０分間撹拌して、Ｉ液を得た。Ｈ液をＩ液に加えて３０分間撹拌し、実施例１に係
るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物（Ｊ液）を得た。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物（Ｊ
液）について、各成分の質量基準の含有量を表１に示し、各成分の物質量基準の含有量及
び各ホスホン酸の物質量基準の含有率を表２に示す。各ホスホン酸の含有率は、小数第２
位を四捨五入して求めているため、合計が１００ｍｏｌ％にならない場合がある。
７６ｍｍ×７６ｍｍ×０．２１ｍｍの寸法を有するホウケイ酸ガラスでできた透明ガラ
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布して塗
膜を形成した。光学フィルタの波長７００〜７３０ｎｍにおける平均透過率が約１％にな
るように試行錯誤を行って塗膜の厚みを決定した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス
基板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を
有する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。塗布液の量を調節することで
、目標の厚みの塗膜を得た。次に、未乾燥の塗膜を有する透明ガラス基板をオーブンに入
れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。その後、温度８５℃及び相対
湿度８５％に設定された恒温恒湿槽内に、上記の塗膜が形成された透明ガラス基板を２０
時間置いて加湿処理を行い、透明ガラス基板上にＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１
に係る光学フィルタを得た。加湿処理は、透明ガラス基板上に塗布されたＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物に含まれるアルコキシシランの加水分解及び縮重合を促進させ、ＵＶ‐ＩＲ吸収
層において硬質で緻密なマトリクスを形成するために行った。実施例１に係る光学フィル
タのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みは１７０μｍであった。実施例１に係る光学フィルタの、入
射角度が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、
５０°、及び６０°における透過率スペクトルを図３に示す。実施例１に係る光学フィル
タの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す
。表８における「透過率７８％以上の波長範囲」は、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍにおい
て７８％以上の分光透過率を示す波長範囲である。表８における赤外線領域特性に関する
「透過率１％以下の波長範囲」は、波長７００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて１％以下の分
光透過率を示す波長範囲である。表８における赤外線領域特性に関する「透過率０．１％
以下の波長範囲」は、波長７００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて０．１％以下の分光透過率
を示す波長範囲である。表８における紫外線領域特性に関する「透過率１％以下の波長範
囲」は、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を示す波長範囲であ
る。表８における紫外線領域特性に関する「透過率０．１％以下の波長範囲」は、波長３
００ｎｍ〜４００ｎｍにおいて０．１％以下の分光透過率を示す波長範囲である。このこ
とは、表１０、表１２、表１４、表１６、表１８、及び表２０においても当てはまる。さ
らに、実施例１に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）に
おける透過率スペクトルから看取した結果（入射角度：０°〜６５°）を表１１及び表１
２に示す。
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布して塗
膜を形成した。光学フィルタの波長７００〜７３０ｎｍにおける平均透過率が約１％にな
るように試行錯誤を行って塗膜の厚みを決定した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス
基板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を
有する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。塗布液の量を調節することで
、目標の厚みの塗膜を得た。次に、未乾燥の塗膜を有する透明ガラス基板をオーブンに入
れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。その後、温度８５℃及び相対
湿度８５％に設定された恒温恒湿槽内に、上記の塗膜が形成された透明ガラス基板を２０
時間置いて加湿処理を行い、透明ガラス基板上にＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１
に係る光学フィルタを得た。加湿処理は、透明ガラス基板上に塗布されたＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物に含まれるアルコキシシランの加水分解及び縮重合を促進させ、ＵＶ‐ＩＲ吸収
層において硬質で緻密なマトリクスを形成するために行った。実施例１に係る光学フィル
タのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みは１７０μｍであった。実施例１に係る光学フィルタの、入
射角度が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、
５０°、及び６０°における透過率スペクトルを図３に示す。実施例１に係る光学フィル
タの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す
。表８における「透過率７８％以上の波長範囲」は、波長４００ｎｍ〜６００ｎｍにおい
て７８％以上の分光透過率を示す波長範囲である。表８における赤外線領域特性に関する
「透過率１％以下の波長範囲」は、波長７００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて１％以下の分
光透過率を示す波長範囲である。表８における赤外線領域特性に関する「透過率０．１％
以下の波長範囲」は、波長７００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて０．１％以下の分光透過率
を示す波長範囲である。表８における紫外線領域特性に関する「透過率１％以下の波長範
囲」は、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を示す波長範囲であ
る。表８における紫外線領域特性に関する「透過率０．１％以下の波長範囲」は、波長３
００ｎｍ〜４００ｎｍにおいて０．１％以下の分光透過率を示す波長範囲である。このこ
とは、表１０、表１２、表１４、表１６、表１８、及び表２０においても当てはまる。さ
らに、実施例１に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）に
おける透過率スペクトルから看取した結果（入射角度：０°〜６５°）を表１１及び表１
２に示す。
＜実施例２〜１５＞
各化合物の添加量を表１に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして、実施例
２〜１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製した。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物の代わりに、実施例２〜１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸
収層の厚みを表１に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして、それぞれ、実施
例２〜１５に係る光学フィルタを作製した。各ホスホン酸の物質量基準の含有量及び含有
率を表２に示す。各ホスホン酸の含有率は、小数第２位を四捨五入して求めているため、
合計が１００ｍｏｌ％にならない場合がある。実施例２に係る光学フィルタの、入射角度
が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°
及び６０°における透過率スペクトルを図４に示す。実施例２に係る光学フィルタの、入
射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。さらに
、実施例２に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）におけ
る透過率スペクトルから看取した結果を表１３及び表１４に示す。また、実施例３〜１５
に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表
７及び表８に示す。
各化合物の添加量を表１に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして、実施例
２〜１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製した。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物の代わりに、実施例２〜１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸
収層の厚みを表１に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして、それぞれ、実施
例２〜１５に係る光学フィルタを作製した。各ホスホン酸の物質量基準の含有量及び含有
率を表２に示す。各ホスホン酸の含有率は、小数第２位を四捨五入して求めているため、
合計が１００ｍｏｌ％にならない場合がある。実施例２に係る光学フィルタの、入射角度
が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°
及び６０°における透過率スペクトルを図４に示す。実施例２に係る光学フィルタの、入
射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。さらに
、実施例２に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）におけ
る透過率スペクトルから看取した結果を表１３及び表１４に示す。また、実施例３〜１５
に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表
７及び表８に示す。
＜実施例１６＞
７６ｍｍ×７６ｍｍ×０．２１ｍｍの寸法を有するホウケイ酸ガラスでできた透明ガラ
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布して所
定の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス基板に塗布するときに
塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を有する枠を透明ガラス
基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗膜を有する透明ガラス基板をオー
ブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。その後、この塗膜を
透明ガラス基板から剥離させた。温度８５℃及び相対湿度８５％に設定された恒温恒湿槽
内に、剥離させた塗膜を２０時間置いて加湿処理を行い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層のみから構成
された実施例１６に係る光学フィルタを得た。デジタルマイクロメータによる計測は、光
吸収層のみの厚みを測定した。その結果、実施例１６に係る光学フィルタの厚みは１３２
μｍであった。実施例１６に係る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°における透過
率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°、及び６０°における透過率
スペクトルを図５に示す。実施例１６に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透
過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。さらに、実施例１６に係る光学
フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）における透過率スペクトルか
ら看取した結果を表１５及び表１６に示す。
７６ｍｍ×７６ｍｍ×０．２１ｍｍの寸法を有するホウケイ酸ガラスでできた透明ガラ
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布して所
定の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス基板に塗布するときに
塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を有する枠を透明ガラス
基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗膜を有する透明ガラス基板をオー
ブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。その後、この塗膜を
透明ガラス基板から剥離させた。温度８５℃及び相対湿度８５％に設定された恒温恒湿槽
内に、剥離させた塗膜を２０時間置いて加湿処理を行い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層のみから構成
された実施例１６に係る光学フィルタを得た。デジタルマイクロメータによる計測は、光
吸収層のみの厚みを測定した。その結果、実施例１６に係る光学フィルタの厚みは１３２
μｍであった。実施例１６に係る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°における透過
率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°、及び６０°における透過率
スペクトルを図５に示す。実施例１６に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透
過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。さらに、実施例１６に係る光学
フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）における透過率スペクトルか
ら看取した結果を表１５及び表１６に示す。
＜実施例１７＞
７６ｍｍ×７６ｍｍ×０．２１ｍｍの寸法を有するホウケイ酸ガラスでできた透明ガラ
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布し、実
施例２における塗膜の厚みの約半分の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を
透明ガラス基板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当
する開口を有する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗
膜を有する透明ガラス基板をオーブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を
硬化させた。次に、透明ガラス基板の他方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０ｍｍの範囲に
ディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布し、実施例２におけ
る塗膜の厚みの約半分の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス基
板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を有
する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗膜を有する透
明ガラス基板をオーブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。
次に、温度８５℃及び相対湿度８５％に設定された恒温恒湿槽内に、両主面に上記の塗膜
が形成された透明ガラス基板を２０時間置いて加湿処理を行い、透明ガラス基板の両面に
ＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１７に係る光学フィルタを得た。透明ガラス基板の
両面に形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収層の合計の厚みは１９３μｍであった。実施例１７に係
る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射
角度が０°、４０°、５０°及び６０°における透過率スペクトルを図６に示す。実施例
１７に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果
を表７及び表８に示す。実施例１７に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６
５°（５°刻み）における透過率スペクトルから看取した結果を表１７及び表１８に示す
。
７６ｍｍ×７６ｍｍ×０．２１ｍｍの寸法を有するホウケイ酸ガラスでできた透明ガラ
ス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、製品名：Ｄ２６３）の一方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０
ｍｍの範囲にディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布し、実
施例２における塗膜の厚みの約半分の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を
透明ガラス基板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当
する開口を有する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗
膜を有する透明ガラス基板をオーブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を
硬化させた。次に、透明ガラス基板の他方の主面の中心部の３０ｍｍ×３０ｍｍの範囲に
ディスペンサを用いて実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を塗布し、実施例２におけ
る塗膜の厚みの約半分の厚みの塗膜を形成した。ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を透明ガラス基
板に塗布するときに塗布液が流れ出さないように、塗布液の塗布範囲に相当する開口を有
する枠を透明ガラス基板上に置いて塗布液をせき止めた。次に、未乾燥の塗膜を有する透
明ガラス基板をオーブンに入れて、８５℃で６時間加熱処理を行い、塗膜を硬化させた。
次に、温度８５℃及び相対湿度８５％に設定された恒温恒湿槽内に、両主面に上記の塗膜
が形成された透明ガラス基板を２０時間置いて加湿処理を行い、透明ガラス基板の両面に
ＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１７に係る光学フィルタを得た。透明ガラス基板の
両面に形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収層の合計の厚みは１９３μｍであった。実施例１７に係
る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°における透過率スペクトルを測定した。入射
角度が０°、４０°、５０°及び６０°における透過率スペクトルを図６に示す。実施例
１７に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果
を表７及び表８に示す。実施例１７に係る光学フィルタの、入射角度が０°、３０°〜６
５°（５°刻み）における透過率スペクトルから看取した結果を表１７及び表１８に示す
。
＜実施例１８＞
実施例１７で用いた透明ガラス基板の代わりに、０．０７ｍｍの厚みを有する実施例１
７で用いた透明ガラス基板と同一種類の透明ガラス基板を用いた以外は、実施例１７と同
様にして、透明ガラス基板の両面にＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１８に係る光学
フィルタを作製した。透明ガラス基板の両面に形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収層の合計の厚み
は１８３μｍであった。実施例１８に係る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°にお
ける透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°及び６０°における
透過率スペクトルを図７に示す。実施例１８に係る光学フィルタの、入射角度が０°のと
きの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。実施例１８に係る光学フ
ィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）における透過率スペクトルから
看取した結果を表１９及び表２０に示す。
実施例１７で用いた透明ガラス基板の代わりに、０．０７ｍｍの厚みを有する実施例１
７で用いた透明ガラス基板と同一種類の透明ガラス基板を用いた以外は、実施例１７と同
様にして、透明ガラス基板の両面にＵＶ‐ＩＲ吸収層が形成された実施例１８に係る光学
フィルタを作製した。透明ガラス基板の両面に形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収層の合計の厚み
は１８３μｍであった。実施例１８に係る光学フィルタの、入射角度が０°〜６５°にお
ける透過率スペクトルを測定した。入射角度が０°、４０°、５０°及び６０°における
透過率スペクトルを図７に示す。実施例１８に係る光学フィルタの、入射角度が０°のと
きの透過率スペクトルから看取した結果を表７及び表８に示す。実施例１８に係る光学フ
ィルタの、入射角度が０°、３０°〜６５°（５°刻み）における透過率スペクトルから
看取した結果を表１９及び表２０に示す。
＜実施例１９＞
リン酸エステル化合物として、プライサーフＡ２０８Ｎの代わりに、プライサーフＡ２
０８Ｆ（第一工業製薬社製）を用い、各化合物の添加量を表１に示す通りに調節した以外
は、実施例１と同様にして、実施例１９に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製した。実施
例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、実施例１９に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９８μｍに調節した以外は、実施例１と同様にし
て、実施例１９に係る光学フィルタを作製した。実施例１９に係る光学フィルタの透過率
スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７
及び表８に示す。
リン酸エステル化合物として、プライサーフＡ２０８Ｎの代わりに、プライサーフＡ２
０８Ｆ（第一工業製薬社製）を用い、各化合物の添加量を表１に示す通りに調節した以外
は、実施例１と同様にして、実施例１９に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製した。実施
例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、実施例１９に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９８μｍに調節した以外は、実施例１と同様にし
て、実施例１９に係る光学フィルタを作製した。実施例１９に係る光学フィルタの透過率
スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７
及び表８に示す。
＜実施例２０＞
４‐ブロモフェニルホスホン酸の代わりに、４‐フルオロフェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ4
ＦＰＯ（ＯＨ）2）（東京化成工業社製）を用い、各化合物の添加量を表１に示す通り調
節した以外は、実施例１と同様にして、実施例２０に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製
した。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、実施例２０に係るＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１６８μｍに調節した以外は、実施例１
と同様にして、実施例２０に係る光学フィルタを作製した。実施例２０に係る光学フィル
タの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した
結果を表７及び表８に示す。
４‐ブロモフェニルホスホン酸の代わりに、４‐フルオロフェニルホスホン酸（Ｃ6Ｈ4
ＦＰＯ（ＯＨ）2）（東京化成工業社製）を用い、各化合物の添加量を表１に示す通り調
節した以外は、実施例１と同様にして、実施例２０に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を調製
した。実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、実施例２０に係るＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１６８μｍに調節した以外は、実施例１
と同様にして、実施例２０に係る光学フィルタを作製した。実施例２０に係る光学フィル
タの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した
結果を表７及び表８に示す。
＜実施例２１＞
実施例２で用いた透明ガラス基板の代わりに、１００μｍの厚みを有する赤外線吸収ガ
ラス基板を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを７６μｍに調節した以外は、実施例２と同様
にして実施例２１に係る光学フィルタを作製した。この赤外線吸収ガラス基板は銅を含有
しており、図８Ａに示す透過率スペクトルを有していた。実施例２１に係る光学フィルタ
の、入射角度が０°における透過率スペクトルを測定した。その結果を図８Ｂに示す。ま
た、実施例２１に係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルから看
取した結果を表７及び表８に示す。
実施例２で用いた透明ガラス基板の代わりに、１００μｍの厚みを有する赤外線吸収ガ
ラス基板を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを７６μｍに調節した以外は、実施例２と同様
にして実施例２１に係る光学フィルタを作製した。この赤外線吸収ガラス基板は銅を含有
しており、図８Ａに示す透過率スペクトルを有していた。実施例２１に係る光学フィルタ
の、入射角度が０°における透過率スペクトルを測定した。その結果を図８Ｂに示す。ま
た、実施例２１に係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルから看
取した結果を表７及び表８に示す。
＜実施例２２〜実施例３７＞
乾燥された塗膜の加湿処理の条件を表３に示す通りに変更し、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚み
を表３に示す通りに調節した以外は、実施例２と同様にして、実施例２２〜３７に係る光
学フィルタをそれぞれ作製した。実施例２２〜２４に係る光学フィルタの、入射角度が０
°における透過率スペクトルを測定した。その結果をそれぞれ図９〜図１１に示す。また
、実施例２２〜２４に係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルか
ら看取した結果を表７及び表８に示す。実施例２５〜３７に係る光学フィルタの透過率ス
ペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及
び表８に示す。
乾燥された塗膜の加湿処理の条件を表３に示す通りに変更し、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚み
を表３に示す通りに調節した以外は、実施例２と同様にして、実施例２２〜３７に係る光
学フィルタをそれぞれ作製した。実施例２２〜２４に係る光学フィルタの、入射角度が０
°における透過率スペクトルを測定した。その結果をそれぞれ図９〜図１１に示す。また
、実施例２２〜２４に係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルか
ら看取した結果を表７及び表８に示す。実施例２５〜３７に係る光学フィルタの透過率ス
ペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表７及
び表８に示す。
＜実施例３８＞
実施例２で用いた透明ガラス基板の代わりに、０．３ｍｍの厚みを有するサファイア基
板を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１６８μｍに調節した以外は、実施例２と同様にし
て実施例３８に係る光学フィルタを作製した。実施例３８に係る光学フィルタの、入射角
度が０°における透過率スペクトルを測定した。その結果を図１２に示す。実施例３８に
係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルから看取した結果を表７
及び表８に示す。
実施例２で用いた透明ガラス基板の代わりに、０．３ｍｍの厚みを有するサファイア基
板を用い、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１６８μｍに調節した以外は、実施例２と同様にし
て実施例３８に係る光学フィルタを作製した。実施例３８に係る光学フィルタの、入射角
度が０°における透過率スペクトルを測定した。その結果を図１２に示す。実施例３８に
係る光学フィルタの、入射角度が０°における透過率スペクトルから看取した結果を表７
及び表８に示す。
＜比較例１＞
各化合物の添加量を表４及び表５に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして
、比較例１に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散液）を調製した。比較例
１に係るＤ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を２．２０
０ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。実施例１
に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用
いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１２６μｍに調節した以外は、実施例１と同様にして比
較例１に係る光学フィルタを作製した。比較例１に係る光学フィルタの透過率スペクトル
を測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１
０に示す。また、比較例１に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペク
トル測定の結果に基づいて、比較例１に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを２
００μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから看取
できる結果を表９及び表１０に比較計算例１として示す。
各化合物の添加量を表４及び表５に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして
、比較例１に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散液）を調製した。比較例
１に係るＤ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を２．２０
０ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。実施例１
に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用
いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１２６μｍに調節した以外は、実施例１と同様にして比
較例１に係る光学フィルタを作製した。比較例１に係る光学フィルタの透過率スペクトル
を測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１
０に示す。また、比較例１に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペク
トル測定の結果に基づいて、比較例１に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを２
００μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから看取
できる結果を表９及び表１０に比較計算例１として示す。
＜比較例２＞
各化合物の添加量を表４及び表５に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして
、比較例２に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散液）をそれぞれ調製した
。比較例２に係るＤ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを２１７μｍに調節し、塗膜を硬化させるための
加熱処理及び加湿処理の条件を表６に示す通りに変更した以外は、実施例１と同様にして
比較例２に係る光学フィルタを作製した。比較例２に係る光学フィルタの透過率スペクト
ルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表
１０に示す。また、比較例２に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペ
クトル測定の結果に基づいて、比較例２に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを
３４７μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから看
取できる結果を表９及び表１０に比較計算例２として示す。
各化合物の添加量を表４及び表５に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして
、比較例２に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散液）をそれぞれ調製した
。比較例２に係るＤ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを２１７μｍに調節し、塗膜を硬化させるための
加熱処理及び加湿処理の条件を表６に示す通りに変更した以外は、実施例１と同様にして
比較例２に係る光学フィルタを作製した。比較例２に係る光学フィルタの透過率スペクト
ルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表
１０に示す。また、比較例２に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率スペ
クトル測定の結果に基づいて、比較例２に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを
３４７μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから看
取できる結果を表９及び表１０に比較計算例２として示す。
＜比較例３＞
酢酸銅一水和物１．１２５ｇとＴＨＦ６０ｇとを混合して、３時間撹拌し酢酸銅溶液を
得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、プライサーフＡ２０８Ｆ（第一工業製薬社製）を０
．６２４ｇ加えて３０分間撹拌し、Ａ液を得た。フェニルホスホン酸（日産化学工業社製
）０．８３２ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−１液を得た。Ｂ−１液に、
ＭＴＥＳ（信越化学工業社製）１．２７４ｇとＴＥＯＳ（キシダ化学社製 特級）１．０
１２ｇを加えてさらに１分間撹拌し、Ｂ液を得た。Ａ液を撹拌しながらＡ液にＢ液を加え
、室温で１分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹
拌し、Ｃ液を得た。このＣ液をフラスコに入れてオイルバス（東京理化器械社製、型式：
ＯＳＢ−２１００）で加温しながら、ロータリーエバポレータ（東京理化器械社製、型式
：Ｎ−１１１０ＳＦ）によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５
℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の比較例３に係るＤ液を取り出し
た。比較例３に係るＤ液（フェニルホスホン酸銅の微粒子の分散液）は透明であり、微粒
子が良好に分散していた。
酢酸銅一水和物１．１２５ｇとＴＨＦ６０ｇとを混合して、３時間撹拌し酢酸銅溶液を
得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、プライサーフＡ２０８Ｆ（第一工業製薬社製）を０
．６２４ｇ加えて３０分間撹拌し、Ａ液を得た。フェニルホスホン酸（日産化学工業社製
）０．８３２ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｂ−１液を得た。Ｂ−１液に、
ＭＴＥＳ（信越化学工業社製）１．２７４ｇとＴＥＯＳ（キシダ化学社製 特級）１．０
１２ｇを加えてさらに１分間撹拌し、Ｂ液を得た。Ａ液を撹拌しながらＡ液にＢ液を加え
、室温で１分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹
拌し、Ｃ液を得た。このＣ液をフラスコに入れてオイルバス（東京理化器械社製、型式：
ＯＳＢ−２１００）で加温しながら、ロータリーエバポレータ（東京理化器械社製、型式
：Ｎ−１１１０ＳＦ）によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５
℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の比較例３に係るＤ液を取り出し
た。比較例３に係るＤ液（フェニルホスホン酸銅の微粒子の分散液）は透明であり、微粒
子が良好に分散していた。
比較例３に係るＤ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９８μｍに調節し、塗膜を硬化させるための
加熱処理の条件を表６に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして比較例３に係
る光学フィルタを作製した。比較例３に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、
入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表９及び表１０に示す。ま
た、比較例３に係る光学フィルタの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例３に
係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを３０３μｍに変化させた場合の透過率スペ
クトルを計算し、この透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算
例３として示す。
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
実施例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９８μｍに調節し、塗膜を硬化させるための
加熱処理の条件を表６に示す通りに調節した以外は、実施例１と同様にして比較例３に係
る光学フィルタを作製した。比較例３に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、
入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取した結果を表９及び表１０に示す。ま
た、比較例３に係る光学フィルタの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例３に
係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを３０３μｍに変化させた場合の透過率スペ
クトルを計算し、この透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算
例３として示す。
＜比較例４＞
酢酸銅一水和物１．１２５ｇとＴＨＦ６０ｇとを混合して３時間撹拌し酢酸銅溶液を得
た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｆ
を０．８９１ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（日本
化学工業社製）０．６７０ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液
を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン２
５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た。このＧ液をフラスコに入れてオイル
バスで加温しながら、ロータリーエバポレータによって、脱溶媒処理を行った。オイルバ
スの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の比較例
４に係るＨ液を取り出した。ブチルホスホン酸銅の微粒子の分散液であるＨ液は透明であ
り、微粒子が良好に分散していた。
酢酸銅一水和物１．１２５ｇとＴＨＦ６０ｇとを混合して３時間撹拌し酢酸銅溶液を得
た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフＡ２０８Ｆ
を０．８９１ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（日本
化学工業社製）０．６７０ｇにＴＨＦ１０ｇを加えて３０分間撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液
を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン２
５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た。このＧ液をフラスコに入れてオイル
バスで加温しながら、ロータリーエバポレータによって、脱溶媒処理を行った。オイルバ
スの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の比較例
４に係るＨ液を取り出した。ブチルホスホン酸銅の微粒子の分散液であるＨ液は透明であ
り、微粒子が良好に分散していた。
比較例４に係るＨ液にシリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１００２μｍに調節し、塗膜の加湿処理を行わ
なかった以外は、比較例２と同様にして比較例４に係る光学フィルタを作製した。比較例
４に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペ
クトルから看取できる結果を表９及び表１０に示す。また、比較例４に係る光学フィルタ
の、入射角度が０°のときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例４に係る光
学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１２１６μｍ及び３８５μｍに変化させた場合の
透過率スペクトルをそれぞれ計算し、これらの透過率スペクトルから看取できる結果を表
９及び表１０に比較計算例４−Ａ及び比較計算例４−Ｂとしてそれぞれ示す。
４．４００ｇ添加し３０分間撹拌して、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得た。
比較例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の代わりに、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組
成物を用いて、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１００２μｍに調節し、塗膜の加湿処理を行わ
なかった以外は、比較例２と同様にして比較例４に係る光学フィルタを作製した。比較例
４に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペ
クトルから看取できる結果を表９及び表１０に示す。また、比較例４に係る光学フィルタ
の、入射角度が０°のときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例４に係る光
学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１２１６μｍ及び３８５μｍに変化させた場合の
透過率スペクトルをそれぞれ計算し、これらの透過率スペクトルから看取できる結果を表
９及び表１０に比較計算例４−Ａ及び比較計算例４−Ｂとしてそれぞれ示す。
＜比較例５＞
ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９１μｍに調節し、塗膜の加湿処理を行わなかった以外は
、実施例２と同様にして比較例５に係る光学フィルタを作製した。比較例５に係る光学フ
ィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取
できる結果を表９及び表１０に示す。比較例５に係る光学フィルタの、入射角度が０°の
ときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例５に係る光学フィルタのＵＶ‐Ｉ
Ｒ吸収層の厚みを１４８μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率
スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例５として示す。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１９１μｍに調節し、塗膜の加湿処理を行わなかった以外は
、実施例２と同様にして比較例５に係る光学フィルタを作製した。比較例５に係る光学フ
ィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のときの透過率スペクトルから看取
できる結果を表９及び表１０に示す。比較例５に係る光学フィルタの、入射角度が０°の
ときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例５に係る光学フィルタのＵＶ‐Ｉ
Ｒ吸収層の厚みを１４８μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率
スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例５として示す。
＜比較例６及び７＞
ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを表９に示す通りに調節し、塗膜の加湿処理を表６に示す通り
調節した以外は、実施例２と同様にして比較例６及び７に係る光学フィルタを作製した。
比較例６及び７に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のとき
の透過率スペクトルから看取した結果を表９及び表１０に示す。比較例６に係る光学フィ
ルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例６に係
る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１５５μｍに変化させた場合の透過率スペク
トルを計算し、この透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例
６として示す。また、比較例７に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率ス
ペクトル測定の結果に基づいて、比較例７に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚み
を１６１μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから
看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例７として示す。
ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを表９に示す通りに調節し、塗膜の加湿処理を表６に示す通り
調節した以外は、実施例２と同様にして比較例６及び７に係る光学フィルタを作製した。
比較例６及び７に係る光学フィルタの透過率スペクトルを測定し、入射角度が０°のとき
の透過率スペクトルから看取した結果を表９及び表１０に示す。比較例６に係る光学フィ
ルタの、入射角度が０°のときの透過率スペクトル測定の結果に基づいて、比較例６に係
る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを１５５μｍに変化させた場合の透過率スペク
トルを計算し、この透過率スペクトルから看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例
６として示す。また、比較例７に係る光学フィルタの、入射角度が０°のときの透過率ス
ペクトル測定の結果に基づいて、比較例７に係る光学フィルタのＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚み
を１６１μｍに変化させた場合の透過率スペクトルを計算し、この透過率スペクトルから
看取できる結果を表９及び表１０に比較計算例７として示す。
＜比較例８＞
比較例１と同様にして、比較例８に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散
液）を調製した。酢酸銅一水和物０．２２５ｇとＴＨＦ３６ｇとを混合して３時間撹拌し
酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサ
ーフＡ２０８Ｆ（第一工業製薬社製）を０．１７８ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た
。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（日本化学工業社製）０．１３４ｇにＴＨＦ１０ｇを加え
て３０分間撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹
拌した。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た
。このＧ液をフラスコに入れてオイルバスで加温しながら、ロータリーエバポレータによ
って、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フ
ラスコの中から脱溶媒処理後の比較例８に係るＨ液を取り出した。比較例８に係るＤ液に
シリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を２．２００ｇ添加し３０
分間撹拌して、比較例８に係るＩ液を得た。比較例８に係るＨ液を比較例８に係るＩ液に
加えて撹拌したが、ホスホン酸銅粒子の凝集が生じ、高い透明性を有するＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物を得ることはできなかった。
比較例１と同様にして、比較例８に係るＤ液（フェニル系ホスホン酸銅の微粒子の分散
液）を調製した。酢酸銅一水和物０．２２５ｇとＴＨＦ３６ｇとを混合して３時間撹拌し
酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサ
ーフＡ２０８Ｆ（第一工業製薬社製）を０．１７８ｇ加えて３０分間撹拌し、Ｅ液を得た
。また、ｎ‐ブチルホスホン酸（日本化学工業社製）０．１３４ｇにＴＨＦ１０ｇを加え
て３０分間撹拌し、Ｆ液を得た。Ｅ液を撹拌しながらＥ液にＦ液を加え、室温で１分間撹
拌した。次に、この溶液にトルエン２５ｇを加えた後、室温で１分間撹拌し、Ｇ液を得た
。このＧ液をフラスコに入れてオイルバスで加温しながら、ロータリーエバポレータによ
って、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、１０５℃に調整した。その後、フ
ラスコの中から脱溶媒処理後の比較例８に係るＨ液を取り出した。比較例８に係るＤ液に
シリコーン樹脂（信越化学工業社製、製品名：ＫＲ−３００）を２．２００ｇ添加し３０
分間撹拌して、比較例８に係るＩ液を得た。比較例８に係るＨ液を比較例８に係るＩ液に
加えて撹拌したが、ホスホン酸銅粒子の凝集が生じ、高い透明性を有するＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物を得ることはできなかった。
＜比較例９＞
表４に示す分量でホスホン酸としてｎ‐ブチルホスホン酸のみを含み、アルコキシシラ
ンモノマーを含まないＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の調製を試みたが、ホスホン酸銅粒子の凝
集が生じてしまい、高い透明性を有する均質なＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得ることはでき
なかった。
表４に示す分量でホスホン酸としてｎ‐ブチルホスホン酸のみを含み、アルコキシシラ
ンモノマーを含まないＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の調製を試みたが、ホスホン酸銅粒子の凝
集が生じてしまい、高い透明性を有する均質なＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を得ることはでき
なかった。
表７によれば、実施例１〜３８に係る光学フィルタは、上記（ｉ）〜（vii）の光学性
能を有していた。また、表１１、表１３、表１５、表１７、及び表１９によれば、実施例
１、２、１６〜１８に係る光学フィルタは、上記（viii）〜（xi）の光学性能をさらに有
していた。また、実施例３〜１５及び実施例１９〜３８に係る光学フィルタに関する透過
率スペクトル測定の別の結果（入射角度：０°〜６５°、図示省略）によれば、これらの
実施例に係る光学フィルタも上記（viii）〜（xi）の光学性能をさらに有していた。
能を有していた。また、表１１、表１３、表１５、表１７、及び表１９によれば、実施例
１、２、１６〜１８に係る光学フィルタは、上記（viii）〜（xi）の光学性能をさらに有
していた。また、実施例３〜１５及び実施例１９〜３８に係る光学フィルタに関する透過
率スペクトル測定の別の結果（入射角度：０°〜６５°、図示省略）によれば、これらの
実施例に係る光学フィルタも上記（viii）〜（xi）の光学性能をさらに有していた。
表９によれば、比較例１に係る光学フィルタは、上記（ii）、（vi）、及び（vii）の
光学性能を有しておらず、赤外線領域において所望の特性を有していなかった。また、比
較計算例１によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを大きくすることにより、赤外線領域にお
ける特性を向上させることができるものの、第一ＩＲカットオフ波長が短くなって（iv）
の光学性能を実現できないことが示唆された。このように、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸
収性組成物を用いても、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを
作製できないことが示唆された。同様に、表９における比較例２及び比較計算例２並びに
比較例３及び比較計算例３の結果によれば、比較例２及び３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物を用いても、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製でき
ないことが示唆された。
光学性能を有しておらず、赤外線領域において所望の特性を有していなかった。また、比
較計算例１によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを大きくすることにより、赤外線領域にお
ける特性を向上させることができるものの、第一ＩＲカットオフ波長が短くなって（iv）
の光学性能を実現できないことが示唆された。このように、比較例１に係るＵＶ‐ＩＲ吸
収性組成物を用いても、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを
作製できないことが示唆された。同様に、表９における比較例２及び比較計算例２並びに
比較例３及び比較計算例３の結果によれば、比較例２及び３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物を用いても、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製でき
ないことが示唆された。
表９によれば、比較例４に係る光学フィルタは、上記（iii）及び（ｖ）の光学性能を
有しておらず、紫外線領域において所望の特性を有していなかった。また、比較計算例４
−Ａによれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを大きくすることにより、上記（iii）及び（ｖ
）の光学性能を実現できるものの、上記（ｉ）の光学性能を実現することが難しいことが
示唆された。また、比較計算例４−Ｂによれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくするこ
とにより、上記（ｉ）の光学性能は向上するものの、上記（iii）及び（ｖ）の光学性能
がさらに悪化し、加えて、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加すること
が示唆された。このため、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用いても、上記（ｉ
）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。
有しておらず、紫外線領域において所望の特性を有していなかった。また、比較計算例４
−Ａによれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを大きくすることにより、上記（iii）及び（ｖ
）の光学性能を実現できるものの、上記（ｉ）の光学性能を実現することが難しいことが
示唆された。また、比較計算例４−Ｂによれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくするこ
とにより、上記（ｉ）の光学性能は向上するものの、上記（iii）及び（ｖ）の光学性能
がさらに悪化し、加えて、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加すること
が示唆された。このため、比較例４に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物を用いても、上記（ｉ
）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。
表９によれば、比較例５に係る光学フィルタは、上記（ｉ）及び（iv）の光学性能を有
していなかった。比較計算例５によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることによ
り、波長４５０〜６００ｎｍにおける平均透過率は高まるものの、ＩＲカットオフ波長は
ほとんど変化せず、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加することが示唆
された。このため、比較例５に係る光学フィルタの作製方法では、上記（ｉ）〜（ｖ）の
すべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。ＵＶ‐ＩＲ吸
収性組成物に含まれるアルコキシシランモノマーの加水分解及び縮重合が加湿処理により
促進され、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の硬化が進むことに加えて、加湿処理が光学フィルタの透過
率スペクトルにも影響を及ぼすことが示唆された。
していなかった。比較計算例５によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることによ
り、波長４５０〜６００ｎｍにおける平均透過率は高まるものの、ＩＲカットオフ波長は
ほとんど変化せず、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加することが示唆
された。このため、比較例５に係る光学フィルタの作製方法では、上記（ｉ）〜（ｖ）の
すべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。ＵＶ‐ＩＲ吸
収性組成物に含まれるアルコキシシランモノマーの加水分解及び縮重合が加湿処理により
促進され、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の硬化が進むことに加えて、加湿処理が光学フィルタの透過
率スペクトルにも影響を及ぼすことが示唆された。
表９によれば、比較例６に係る光学フィルタは、上記（iv）の光学性能を有していなか
った。比較計算例６によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることにより、ＩＲカ
ットオフ波長が増加するものの、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加す
ることが示唆された。このため、比較例６に係る光学フィルタの作製方法では、上記（ｉ
）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。
特に、比較例６における加湿処理の条件が十分でないことが示唆された。
った。比較計算例６によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることにより、ＩＲカ
ットオフ波長が増加するものの、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過率も増加す
ることが示唆された。このため、比較例６に係る光学フィルタの作製方法では、上記（ｉ
）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示唆された。
特に、比較例６における加湿処理の条件が十分でないことが示唆された。
表９によれば、比較例７に係る光学フィルタは、上記（ｉ）及び（iv）の光学性能を有
していなかった。比較計算例７によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることによ
り、ＩＲカットオフ波長が増加するものの、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過
率も増加することが示唆された。このため、比較例７に係る光学フィルタの作製方法では
、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示
唆された。特に、比較例７における加湿処理の条件が十分でないことが示唆された。
していなかった。比較計算例７によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを小さくすることによ
り、ＩＲカットオフ波長が増加するものの、波長７５０〜１０８０ｎｍにおける最大透過
率も増加することが示唆された。このため、比較例７に係る光学フィルタの作製方法では
、上記（ｉ）〜（ｖ）のすべての光学性能を有する光学フィルタを作製できないことが示
唆された。特に、比較例７における加湿処理の条件が十分でないことが示唆された。
表２に示す通り、実施例３〜５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物において、実施例３に係
るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も高く、実施例５に係る
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も低い。このことと、表８
によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物におけるアルキル系ホスホン酸の含有率が高くなると
、波長７００〜１２００ｎｍにおいて分光透過率が１％以下である波長範囲及び分光透過
率が０.１％以下である波長範囲が長波長側に向けて拡大することが示唆された。実施例
６〜８、実施例９及び実施例１０、並びに実施例１１〜１５においても同じことがいえた
。
るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も高く、実施例５に係る
ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も低い。このことと、表８
によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物におけるアルキル系ホスホン酸の含有率が高くなると
、波長７００〜１２００ｎｍにおいて分光透過率が１％以下である波長範囲及び分光透過
率が０.１％以下である波長範囲が長波長側に向けて拡大することが示唆された。実施例
６〜８、実施例９及び実施例１０、並びに実施例１１〜１５においても同じことがいえた
。
表２に示す通り、実施例１１〜１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物において、実施例１
１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も高く、実施例１
２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が二番目に高く、実施
例１３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が三番目に高く、
実施例１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も低い。
表７における実施例１１〜１５の結果によれば、光学フィルタの波長１０００〜１１００
ｎｍにおける最大透過率及び光学フィルタの波長１１００〜１２００ｎｍにおける最大透
過率は、実施例１１において最も低く、実施例１２において２番目に低く、実施例１３に
おいて３番目に低く、実施例１５において最も高い。これにより、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物において所定の範囲でアルキル系スルホン酸の含有率を高めることにより、赤外線領域
の波長の遮蔽性が向上することが示唆された。
１に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も高く、実施例１
２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が二番目に高く、実施
例１３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が三番目に高く、
実施例１５に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物のｎ‐ブチルホスホン酸の含有率が最も低い。
表７における実施例１１〜１５の結果によれば、光学フィルタの波長１０００〜１１００
ｎｍにおける最大透過率及び光学フィルタの波長１１００〜１２００ｎｍにおける最大透
過率は、実施例１１において最も低く、実施例１２において２番目に低く、実施例１３に
おいて３番目に低く、実施例１５において最も高い。これにより、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成
物において所定の範囲でアルキル系スルホン酸の含有率を高めることにより、赤外線領域
の波長の遮蔽性が向上することが示唆された。
表２に示す通り、実施例７、１０、及び１３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物において、
実施例７に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有率が最も
高く、実施例１３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有
率が最も低い。表７における実施例７、１０、及び１３の結果によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有率が高いほどＵＶカットオフ波長が大き
くなっている。これにより、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の
含有率を調節することにより、光学フィルタの光学性能の最適化が可能であることが示唆
された。
実施例７に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有率が最も
高く、実施例１３に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有
率が最も低い。表７における実施例７、１０、及び１３の結果によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収
性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の含有率が高いほどＵＶカットオフ波長が大き
くなっている。これにより、ＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物の４‐ブロモフェニルホスホン酸の
含有率を調節することにより、光学フィルタの光学性能の最適化が可能であることが示唆
された。
実施例２２〜３７並びに比較例５〜７に係る光学フィルタを作製するためのＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物は、実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物と同様に調製されているものの
、表７〜表１０に示す通り、これらの実施例及びこれらの比較例に係る光学フィルタは、
実施例２に係る光学フィルタとは異なる光学性能を有していた。上記の通り、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物に含まれる、アルコキシシランの加水分解及び縮重合を促進させる目的で加
湿処理が行われてはいるが、加湿処理の態様により、これらの実施例及びこれらの比較例
に係る光学フィルタにおいて、波長４５０〜６００ｎｍにおける平均透過率及びＩＲカッ
トオフ波長について差異が生じた。
吸収性組成物は、実施例２に係るＵＶ‐ＩＲ吸収性組成物と同様に調製されているものの
、表７〜表１０に示す通り、これらの実施例及びこれらの比較例に係る光学フィルタは、
実施例２に係る光学フィルタとは異なる光学性能を有していた。上記の通り、ＵＶ‐ＩＲ
吸収性組成物に含まれる、アルコキシシランの加水分解及び縮重合を促進させる目的で加
湿処理が行われてはいるが、加湿処理の態様により、これらの実施例及びこれらの比較例
に係る光学フィルタにおいて、波長４５０〜６００ｎｍにおける平均透過率及びＩＲカッ
トオフ波長について差異が生じた。
表９における比較計算例５〜７の結果によれば、ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みを変えること
でＵＶカットオフ波長を調節できるものの、比較例５〜７に係る光学フィルタの作製方法
によれば、（ｉ）〜（xi）の他の光学性能を満たしながら、ＩＲカットオフ波長を所望の
範囲に収めることは困難である。そこで、各実施例及び一部の比較例の加湿処理において
被処理物品が晒される環境における水蒸気量（曝露水蒸気量）を下記の通り求めた。結果
を表３及び表６に示す。温度ｔ［℃］の時の飽和水蒸気圧ｅ［ｈＰａ］を、Tetensの近似
式：ｅ＝６．１１×１０(7.5t/(t+237.3))により求めた。飽和水蒸気圧ｅ［ｈＰａ］と相
対湿度φ［％］から、水蒸気密度ρｖ［ｇ／ｍ3］をρｖ＝２１７×ｅ×φ/（ｔ＋２７３
．１５）の式より求めた。水蒸気量×時間［ｍｏｌ／ｍ3・時間］を曝露水蒸気量として
定義した。表３及び表６に示す通り、加湿処理において、温度が６０℃以上の場合、相対
湿度は７０％以上で処理時間１時間以上のときに良好な光学性能が得られることが示唆さ
れた。この処理条件は、５．０［ｍｏｌ／ｍ3・時間］以上の曝露水蒸気量の条件に相当
するが、加湿処理での温度が４０℃と低く相対湿度が７０％である場合、及び、加湿処理
での温度が６０℃で相対湿度が４０％と低い場合でも、処理時間を延ばして同程度の曝露
水蒸気量とすることで良好な光学性能が得られることが示唆された。これらの結果から、
６０℃以上の温度及び７０％以上の相対湿度の環境において短時間の加湿処理を行うこと
が、良好な光学性能を効率良く光学フィルタにもたらす観点から望ましいことが示唆され
た。
でＵＶカットオフ波長を調節できるものの、比較例５〜７に係る光学フィルタの作製方法
によれば、（ｉ）〜（xi）の他の光学性能を満たしながら、ＩＲカットオフ波長を所望の
範囲に収めることは困難である。そこで、各実施例及び一部の比較例の加湿処理において
被処理物品が晒される環境における水蒸気量（曝露水蒸気量）を下記の通り求めた。結果
を表３及び表６に示す。温度ｔ［℃］の時の飽和水蒸気圧ｅ［ｈＰａ］を、Tetensの近似
式：ｅ＝６．１１×１０(7.5t/(t+237.3))により求めた。飽和水蒸気圧ｅ［ｈＰａ］と相
対湿度φ［％］から、水蒸気密度ρｖ［ｇ／ｍ3］をρｖ＝２１７×ｅ×φ/（ｔ＋２７３
．１５）の式より求めた。水蒸気量×時間［ｍｏｌ／ｍ3・時間］を曝露水蒸気量として
定義した。表３及び表６に示す通り、加湿処理において、温度が６０℃以上の場合、相対
湿度は７０％以上で処理時間１時間以上のときに良好な光学性能が得られることが示唆さ
れた。この処理条件は、５．０［ｍｏｌ／ｍ3・時間］以上の曝露水蒸気量の条件に相当
するが、加湿処理での温度が４０℃と低く相対湿度が７０％である場合、及び、加湿処理
での温度が６０℃で相対湿度が４０％と低い場合でも、処理時間を延ばして同程度の曝露
水蒸気量とすることで良好な光学性能が得られることが示唆された。これらの結果から、
６０℃以上の温度及び７０％以上の相対湿度の環境において短時間の加湿処理を行うこと
が、良好な光学性能を効率良く光学フィルタにもたらす観点から望ましいことが示唆され
た。
１ａ〜１ｆ 光学フィルタ
２ レンズ系
３ ローパスフィルタ
４ 撮像素子
５ 回路基板
７ 光学フィルタ支持筐体
８ 光学系筐体
１０ ＵＶ‐ＩＲ吸収層
２０ 透明誘電体基板
３０ 反射防止膜
４０ 反射膜
１００ カメラモジュール
２ レンズ系
３ ローパスフィルタ
４ 撮像素子
５ 回路基板
７ 光学フィルタ支持筐体
８ 光学系筐体
１０ ＵＶ‐ＩＲ吸収層
２０ 透明誘電体基板
３０ 反射防止膜
４０ 反射膜
１００ カメラモジュール
特許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタは、波長８００ｎｍ〜１２００ｎｍにおける光を有効に吸収できているものの、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍにおいて望ましい光吸収特性を有しているとは言い難い。そこで、本発明は、特許文献１に記載の近赤外線吸収フィルタのみでは実現困難な所望の光学性能を簡素な構成で発揮できる光学フィルタを提供する。
本発明は、
赤外線及び紫外線を吸収可能なＵＶ‐ＩＲ吸収層を備え、
０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率を有し、
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
前記ＵＶ−ＩＲ吸収層によって（ｉ）の条件、（ii）の条件、及び（iii）の条件を満たし、
前記ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みが１３２μｍ〜２１５μｍである、
光学フィルタを提供する。
赤外線及び紫外線を吸収可能なＵＶ‐ＩＲ吸収層を備え、
０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率を有し、
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
前記ＵＶ−ＩＲ吸収層によって（ｉ）の条件、（ii）の条件、及び（iii）の条件を満たし、
前記ＵＶ‐ＩＲ吸収層の厚みが１３２μｍ〜２１５μｍである、
光学フィルタを提供する。
Claims (12)
- 赤外線及び紫外線を吸収可能なＵＶ‐ＩＲ吸収層を備え、
０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（ｉ）波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍにおいて７８％以上の平均透過率を有し、
（ii）波長７５０ｎｍ〜１０８０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iii）波長３００ｎｍ〜３５０ｎｍにおいて１％以下の分光透過率を有し、
（iv）波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い減少する分光透過率を有
するとともに、波長６００ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＩＲ
カットオフ波長が波長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内に存在し、
（ｖ）波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて波長の増加に伴い増加する分光透過率を有
するとともに、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第一ＵＶ
カットオフ波長が波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内に存在する、
光学フィルタ。 - ０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（vi）波長１０００〜１１００ｎｍにおいて３％以下の分光透過率を有する、
請求項１に記載の光学フィルタ。 - ０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに、
（vii）波長１１００〜１２００ｎｍにおいて１５％以下の分光透過率を有する、
請求項１又は２に記載の光学フィルタ。 - ４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに波長６００
ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第二ＩＲカットオフ波長と、前記第
一ＩＲカットオフ波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１
項に記載の光学フィルタ。 - ５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに波長６００
ｎｍ〜７５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第三ＩＲカットオフ波長と、前記第
一ＩＲカットオフ波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１
項に記載の光学フィルタ。 - ４０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに波長３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第二ＵＶカットオフ波長と、前記第
一ＵＶカットオフ波長との差の絶対値が１０ｎｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１
項に記載の光学フィルタ。 - ５０°の入射角度で波長３００ｎｍ〜１２００ｎｍの光を入射させたときに波長３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍにおいて分光透過率が５０％を示す第三ＵＶカットオフ波長と、前記第
一ＵＶカットオフ波長との差の絶対値が１５ｎｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１
項に記載の光学フィルタ。 - 前記ＵＶ‐ＩＲ吸収層は、ホスホン酸と銅イオンとによって形成されたＵＶ‐ＩＲ吸収
剤を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学フィルタ。 - 前記ホスホン酸は、アリール基を有する第一ホスホン酸を含む、請求項８に記載の光学
フィルタ。 - 前記第一ホスホン酸は、その一部において、フェニル基における少なくとも１つの水素
原子がハロゲン原子に置換されているハロゲン化フェニル基を有する、請求項９に記載の
光学フィルタ。 - 前記ホスホン酸は、アルキル基を有する第二ホスホン酸をさらに含む、請求項９又は１
０に記載の光学フィルタ。 - 前記ＵＶ‐ＩＲ吸収層は、単一の層として形成されている、請求項１〜１１のいずれか
１項に記載の光学フィルタ。
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