JP2019004171A - 基板をボンディングする方法および装置 - Google Patents
基板をボンディングする方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019004171A JP2019004171A JP2018159266A JP2018159266A JP2019004171A JP 2019004171 A JP2019004171 A JP 2019004171A JP 2018159266 A JP2018159266 A JP 2018159266A JP 2018159266 A JP2018159266 A JP 2018159266A JP 2019004171 A JP2019004171 A JP 2019004171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- substrate
- bonding
- heating surface
- substrate stack
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 301
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 203
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001122315 Polites Species 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】ボンディング装置6は、第1の基板と第2の基板の接触面において位置合わせされた基板スタック14を第1の加熱面15と第2の加熱面19との間に配置し、第1の加熱面15を、第1の接触面とは反対側の第1の表面に向けて配置し、第2の加熱面19を、第2の接触面とは反対側の第2の表面に向けて配置した間隔Aと、第2の表面と第2の加熱面19との間に存在する間隔Bを、加熱面15,19を加熱して間隔AおよびBを0μmに減じることにより加熱面15、19に基板スタック14を接近させ、押圧負荷によって、第1の接触面と第2の接触面との間にボンディング結合部を形成する。
【選択図】図6
Description
2 弁
3 シールリング
4,4’ 真空搬送室
5 真空搬送区間
6 ボンディング装置
6o 室開口
6s スリット
7 支持構造体
8 位置アクチュエータ
9 力アクチュエータ
10 ボンディング室
11 固定装置
14 基板スタック
15,15’ 第1の加熱面
16 ポンプ
17 放射熱
18 収容装置、特に基板支持体
19,19’ 第2の加熱面
20 シール
21 ローディングピン
21p 調節プレート
22 調節駆動装置、特にローディングピンアクチュエータ
23 支持構造体
24 ロック駆動装置
25 第2の押圧板
26 第2の、特に下側の加熱装置
27 弁
28 ロックシール
29 第1の押圧板
30 第1の、特に下側の加熱装置
31 シール
32 流路
34 ロボット、特にプロセスロボット
35 第1の、特に上側の基板
35k 第1の接触面
35o 第1の表面
36 第2の、特に下側の基板
36k 第2の接触面
36o 第2の表面
37 突子
38,38’ ユニット、特に真空クラスタ、好ましくは、高真空クラスタ
39 ロック
40 ウェブ
41 貫通路
42,42’ 突子付押圧板
A 間隔
B 間隔
E 支持平面
H 突子高さ
Claims (12)
- 第1の基板(35)の第1の接触面(35k)と第2の基板(36)の第2の接触面(36k)とを、以下のステップ、特に以下のシーケンスでボンディングする方法であって、すなわち、
- 前記第1の基板(35)と前記第2の基板(36)とから形成されていて前記接触面(35k,36k)において位置合わせされた基板スタック(14)を、第1の加熱装置(30)の第1の加熱面(15)と第2の加熱装置(26)の第2の加熱面(19)との間に配置し、このとき
a)前記第1の加熱面(15)を、前記第1の基板(35)の、前記第1の接触面(35k)とは反対側の第1の表面(35o)に向けて配置し、
b)前記第2の加熱面(19)を、前記第2の基板(36)の、前記第2の接触面(36k)とは反対側の第2の表面(36o)に向けて配置し、
c)前記第1の表面(35o)と前記第1の加熱面(15)との間に、0μmよりも大きな間隔Aが存在し、かつ
d)前記第2の表面(36o)と前記第2の加熱面(19)との間に、0μmよりも大きな間隔Bが存在し、
- 前記加熱面(15,19)を加熱し、前記間隔AおよびBを0μmに減じることにより前記加熱面(15,19)に前記基板スタック(14)を接近させ、
- 前記表面(35o,36o)における前記基板スタック(14)への押圧負荷によって、前記第1の接触面(35k)と前記第2の接触面(36k)との間にボンディング結合部を形成する
ことを特徴とする、基板をボンディングする方法。 - 前記加熱面(15,19)への接近を、前記基板スタック(14)に対して対称に、特に前記表面(35o,36o)に対して対称におよび/または前記接触面(35k,36k)に対して対称に、および/または前記加熱面(15,19)の等しい温度で行う、請求項1記載の方法。
- 前記加熱面(15,19)はそれぞれ、前記基板スタック(14)の、該加熱面(15,19)にそれぞれ向けられた表面(35o,36o)に比べて大きい、請求項1または2記載の方法。
- 前記第1の加熱面(15)または前記第2の加熱面(19)を、接近時に移動させない、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記加熱装置(30,26)を加熱時および接近時に、少なくとも大部分の接近期間中に、前記第1の基板(35)の平均温度と前記第2の基板(36)の平均温度との差が、5℃未満、特に1℃未満、好ましくは0.5℃未満、さらに好ましくは0.1℃未満であるように、制御する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記基板スタック(14)を、前記加熱面(15,19)の間に配置する前に予加熱し、特に、前記加熱装置(30,26)を、ボンディング装置(6)の、特に真空化可能に、取り囲むボンディング室(10)の外で、予加熱する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記加熱面(15,19)の間における前記基板スタック(14)の配置および/または加熱および/または接近および/または持続的なボンディング結合部の形成を、真空内において行う、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 前記加熱装置(30,26)を加熱時および接近時に、前記第1の加熱面(15)の、前記第1の表面(35o)において生じる放射エネルギ(17)が接近中に、前記第2の加熱面(19)の、前記第2の表面(36o)において生じる放射エネルギ(17)と同じであるように、制御する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 第1の基板(35)の第1の接触面(35k)と第2の基板(36)の第2の接触面(36k)とをボンディングする装置であって、
- 前記第1の基板(35)と前記第2の基板(36)とから形成されていて前記接触面(35k,36k)において位置合わせされた基板スタック(14)を収納する、第1の加熱装置(30)の第1の加熱面(15)と第2の加熱装置(26)の第2の加熱面(19)との間に配置された収容装置(18)が設けられていて、該収容装置(18)は次のように、すなわち、
a)前記第1の加熱面(15)が、前記第1の基板(35)の、前記第1の接触面(35k)とは反対側の第1の表面(35o)に向けて配置され、
b)前記第2の加熱面(19)が、前記第2の基板(36)の、前記第2の接触面(36k)とは反対側の第2の表面(36o)に向けて配置され、
c)前記第1の表面(35o)と前記第1の加熱面(15)との間に、0μmよりも大きな間隔Aが存在し、かつ
d)前記第2の表面(36o)と前記第2の加熱面(19)との間に、0μmよりも大きな間隔Bが存在するように、
配置可能および制御可能であり、
- 前記加熱面(15,19)を加熱する加熱装置(26,30)と、前記間隔AおよびBを0μmに減じることにより前記加熱面(15,19)に前記基板スタック(14)を接近させる駆動手段が設けられ、
- 前記表面(35o,36o)における前記基板スタック(14)への押圧負荷によって、前記第1の接触面(35k)と前記第2の接触面(36k)との間にボンディング結合部を形成するボンディング手段が、設けられている
ことを特徴とする、基板をボンディングする装置。 - 前記第1の加熱面(15)および/または前記第2の加熱面(19)は、複数の突子(37)によって形成されていて、該突子(37)の間を、ガスを供給する、特にガスを貫流させる流路(32)が延びている、請求項9記載の装置。
- 前記流路(32)は、前記第1の基板(35)および/または前記第2の基板(36)に対して前記流路(32)をシールする1つの、特にリング形状のウェブ(40)によって、取り囲まれ、特に取り囲まれて閉鎖されている、請求項10記載の装置。
- 前記ウェブ(40)は、ガスをコントロールして流出させる開口(41)を有している、請求項11記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018159266A JP6692396B2 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 基板をボンディングする方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018159266A JP6692396B2 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 基板をボンディングする方法および装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016549744A Division JP6395847B2 (ja) | 2014-02-03 | 2014-02-03 | 基板をボンディングする方法および装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020072513A Division JP2020145438A (ja) | 2020-04-14 | 2020-04-14 | 基板をボンディングする方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019004171A true JP2019004171A (ja) | 2019-01-10 |
JP6692396B2 JP6692396B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=65006336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018159266A Active JP6692396B2 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 基板をボンディングする方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6692396B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102448582B1 (ko) * | 2021-10-14 | 2022-09-29 | 대한전열공업(주) | 중계기용 유로형성 링의 조립장치 |
-
2018
- 2018-08-28 JP JP2018159266A patent/JP6692396B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6692396B2 (ja) | 2020-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6395847B2 (ja) | 基板をボンディングする方法および装置 | |
US10424557B2 (en) | Substrate bonding apparatus and substrate bonding method | |
US8899289B2 (en) | Joint method, joint apparatus and joint system | |
JP5091296B2 (ja) | 接合装置 | |
KR20120125361A (ko) | 접합 시스템, 접합 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
US20190027462A1 (en) | Substrate bonding apparatus and substrate bonding method | |
JP2012039089A (ja) | 半導体デバイス製造装置 | |
JP5314607B2 (ja) | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20160148477A (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
WO2020008295A4 (en) | Covalently bonded semiconductor interfaces | |
KR20130105875A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 지지구 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20140136878A (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
WO2000072364A1 (fr) | Appareil de durcissement de resist | |
US8691706B2 (en) | Reducing substrate warpage in semiconductor processing | |
US8669540B2 (en) | System and method for gas leak control in a substrate holder | |
JP6692396B2 (ja) | 基板をボンディングする方法および装置 | |
KR101211551B1 (ko) | 진공처리장치 및 진공처리방법 | |
JP2020145438A (ja) | 基板をボンディングする方法および装置 | |
JP2007242776A (ja) | 水蒸気アニール用治具、水蒸気アニール方法及び基板移載装置 | |
TWI630048B (zh) | Bonding device, bonding system, bonding method, and computer memory medium | |
KR20120120102A (ko) | 진공처리장치 및 진공처리방법 | |
WO2024043143A1 (ja) | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190805 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6692396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |