JP2018534786A5 - - Google Patents

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発光ダイオード(LED)デバイスであって、
複数の発光素子を有するLEDダイであり、前記複数の発光素子の各々がそれに結合された一対のボンドパッドを含み、前記ボンドパッドの各々が、4つの直交エッジを持つ矩形形状を有し、各対の前記ボンドパッドの少なくとも一方が、少なくとも1つの切り取られたコーナーを持ち、前記切り取られたコーナーの各々が追加の非直交エッジを形成している、ダイ
を有し、
前記複数の発光素子は、少なくとも2つの斜向かいのボンドパッドが、切り取られて、且つ互いに面する非直交エッジを有するように、前記ダイの中に配置されている、
デバイス
A light emitting diode (LED) device ,
A LED die having a plurality of light emitting elements includes a pair of bond pads, each coupled thereto of the plurality of light emitting elements, each of the bond pads have a rectangular shape with four orthogonal edges, each A die wherein at least one of the pair of bond pads has at least one cut-out corner, each cut-off corner forming an additional non-orthogonal edge;
Have
Wherein the plurality of light emitting elements, the bond pads of the at least two oblique faces is taken Ri off, and to have a non-orthogonal edges facing one another and disposed in said die,
Device .
当該デバイスは更に、前記ダイがマウントされた基板を有し、該基板は単一の相互接続層を有し、前記複数の発光素子は4つの発光素子を有し、前記ボンドパッドは、前記基板上の前記単一の相互接続層を用いた、3、6、又は12ボルトの公称動作電圧の選択、を可能にするように構成されている、請求項1に記載のデバイス The device further includes a substrate on which the die is mounted, the substrate includes a single interconnect layer, the plurality of light emitting elements includes four light emitting elements, and the bond pad includes the substrate. The device of claim 1, wherein the device is configured to allow selection of a nominal operating voltage of 3, 6 or 12 volts using the single interconnect layer above . 前記4つの発光素子は2×2アレイに配列されている、請求項に記載のデバイスThe four light emitting elements are arranged in a 2 × 2 array, the device according to claim 2. 前記4つの発光素子は1×4アレイに配列されている、請求項に記載のデバイスThe four light emitting elements are arranged in a 1 × 4 array device of claim 2. 前記切り取られたボンドパッドの各々は、前記4つの直交エッジと1つの非直交エッジとを含む5つのエッジを有する、請求項1に記載のデバイスThe device of claim 1, wherein each of the cut bond pads has five edges including the four orthogonal edges and a non-orthogonal edge. 前記切り取られたボンドパッドのうちの少なくとも1つは、前記4つの直交エッジと2つの非直交エッジとを含む6つのエッジを有する、請求項1に記載のデバイスThe device of claim 1, wherein at least one of the cut bond pads has six edges including the four orthogonal edges and two non-orthogonal edges. 当該デバイスは更に、前記ダイがマウントされた基板を有し、該基板は単一の相互接続層を有し、前記ボンドパッドは、前記単一の相互接続層を用いた、前記複数の発光素子の全ての直列接続への外部結合、を可能にするように構成されている、請求項1に記載のデバイス The device further comprises a substrate on which the die is mounted, the substrate has a single interconnect layer, wherein the bond pads, using the single interconnect layer, wherein the plurality of light emitting elements The device of claim 1, wherein the device is configured to allow external coupling to all series connections. 当該デバイスは更に、前記ダイがマウントされた基板を有し、該基板は単一の相互接続層を有し、前記ボンドパッドは、前記基板上の前記単一の相互接続層を用いた、前記複数の発光素子の全ての並列接続への外部結合、を可能にするように構成されている、請求項に記載のデバイス The device further comprises a substrate on which the die is mounted, the substrate has a single interconnect layer, wherein the bond pads, using the single interconnect layer on the substrate, wherein external binding to all of the parallel connection of a plurality of light emitting elements, and is configured to allow device of claim 1. 前記ボンドパッドは、前記基板上の前記単一の相互接続層を用いた、前記複数の発光素子の全ての直並列接続への外部結合、を可能にするように構成されている、請求項に記載のデバイスThe bond pads, using the single interconnect layer on the substrate, all are configured to allow the external coupling, to series-parallel connection of the plurality of light emitting elements, according to claim 8 Device described in. 前記ダイは、三対以上のボンドパッドを含み、各対の各ボンドパッドが、少なくとも1つの切り取られたコーナーを、対応する非直交エッジとともに持ち、前記複数の発光素子の各々が、各ボンドパッドが斜向かいのボンドパッドの非直交エッジに面する少なくとも1つの非直交エッジを持つように配置されている、請求項8に記載のデバイス。The die includes three or more pairs of bond pads, each bond pad of each pair having at least one cut-out corner with a corresponding non-orthogonal edge, and each of the plurality of light emitting elements is associated with each bond pad. 9. The device of claim 8, wherein is arranged to have at least one non-orthogonal edge facing the non-orthogonal edge of the diagonally opposite bond pad. 少なくとも1つのボンドパッドが、当該少なくとも1つのボンドパッドの少なくとも1つの非直交エッジが2つの別々のボンドパッドの2つの非直交エッジに面するように、前記ダイの中に配置されている、請求項10に記載のデバイス。At least one bond pad is disposed in the die such that at least one non-orthogonal edge of the at least one bond pad faces two non-orthogonal edges of two separate bond pads. Item 11. The device according to Item 10. 各対のボンドパッドが、対応する発光素子のp層に結合されたp型ボンドパッドと、対応する発光素子のn層に結合されたn型ボンドパッドとを含む、請求項10に記載のデバイス。The device of claim 10, wherein each pair of bond pads includes a p-type bond pad coupled to the p-layer of the corresponding light-emitting element and an n-type bond pad coupled to the n-layer of the corresponding light-emitting element. . 複数のLEDデバイスが上に配置された基板を更に有し、該基板は、A plurality of LED devices further comprises a substrate disposed thereon, the substrate comprising:
電圧源の負ノードへの外部接続のための、複数の前記p型ボンドパッドの全てに電気的に結合された第1の導電セグメントと、A first conductive segment electrically coupled to all of the plurality of p-type bond pads for external connection to a negative node of a voltage source;
前記電圧源の正ノードへの外部接続のための、複数の前記n型ボンドパッドの全てに電気的に結合された第2の導電セグメントと、A second conductive segment electrically coupled to all of the plurality of n-type bond pads for external connection to a positive node of the voltage source;
を有する、請求項12に記載のデバイス。The device of claim 12, comprising:
複数のLEDデバイスが上に配置された基板を更に有し、該基板は、A plurality of LED devices further comprises a substrate disposed thereon, the substrate comprising:
電圧源の負ノードへの少なくとも1つのn型ボンドパッドの電気結合用に構成された第1の導電セグメントと、A first conductive segment configured for electrical coupling of at least one n-type bond pad to the negative node of the voltage source;
前記電圧源の正ノードへの少なくとも1つのp型ボンドパッドの電気結合用に構成された第2の導電セグメントと、A second conductive segment configured for electrical coupling of at least one p-type bond pad to the positive node of the voltage source;
ある発光素子のn型ボンドパッドと別の発光素子のp型ボンドパッドとの間に直に結合された少なくとも1つの第3の導電セグメントと、At least one third conductive segment coupled directly between an n-type bond pad of one light emitting device and a p-type bond pad of another light emitting device;
を有する、請求項12に記載のデバイス。The device of claim 12, comprising:
複数のLEDデバイスが上に配置された基板を更に有し、該基板は、A plurality of LED devices further comprises a substrate disposed thereon, the substrate comprising:
電圧源の正ノードへの少なくとも1つのn型ボンドパッドの電気結合用に構成された少なくとも1つの第1の導電セグメントと、At least one first conductive segment configured for electrical coupling of at least one n-type bond pad to the positive node of the voltage source;
前記電圧源の負ノードへの少なくとも1つのn型ボンドパッドの電気結合用に構成された少なくとも1つの第2の導電セグメントと、At least one second conductive segment configured for electrical coupling of at least one n-type bond pad to a negative node of the voltage source;
全ての他のp型及びn型ボンドパッドに電気的に結合された第3の導電セグメントと、A third conductive segment electrically coupled to all other p-type and n-type bond pads;
を有する、請求項12に記載のデバイス。The device of claim 12, comprising:
前記ボンドパッドは、前記複数の発光素子がマウントされる基板上の相互接続パターンに対する製造公差を受け入れる離隔距離を置いて位置付けられている、請求項1に記載のデバイス。The device of claim 1, wherein the bond pads are positioned at a separation distance that accepts manufacturing tolerances for an interconnect pattern on a substrate on which the plurality of light emitting elements are mounted.
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