JP2018527742A - 光子を放射し検出するためのデバイスおよびそれを製造する方法 - Google Patents

光子を放射し検出するためのデバイスおよびそれを製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018527742A
JP2018527742A JP2017567242A JP2017567242A JP2018527742A JP 2018527742 A JP2018527742 A JP 2018527742A JP 2017567242 A JP2017567242 A JP 2017567242A JP 2017567242 A JP2017567242 A JP 2017567242A JP 2018527742 A JP2018527742 A JP 2018527742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
active material
layer
mode
examples
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017567242A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6595014B2 (ja
Inventor
クリス バウアー
クリス バウアー
ピアーズ アンドリュー
ピアーズ アンドリュー
リチャード ホワイト
リチャード ホワイト
Original Assignee
ノキア テクノロジーズ オーユー
ノキア テクノロジーズ オーユー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ノキア テクノロジーズ オーユー, ノキア テクノロジーズ オーユー filed Critical ノキア テクノロジーズ オーユー
Publication of JP2018527742A publication Critical patent/JP2018527742A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6595014B2 publication Critical patent/JP6595014B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/125Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/0059Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons using light, e.g. diagnosis by transillumination, diascopy, fluorescence
    • A61B5/0077Devices for viewing the surface of the body, e.g. camera, magnifying lens
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • A61B5/024Detecting, measuring or recording pulse rate or heart rate
    • A61B5/02416Detecting, measuring or recording pulse rate or heart rate using photoplethysmograph signals, e.g. generated by infrared radiation
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/74Details of notification to user or communication with user or patient ; user input means
    • A61B5/7475User input or interface means, e.g. keyboard, pointing device, joystick
    • A61B5/748Selection of a region of interest, e.g. using a graphics tablet
    • A61B5/7485Automatic selection of region of interest
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/028Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • H01L33/0041Devices characterised by their operation characterised by field-effect operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0054Processes for devices with an active region comprising only group IV elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/34Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2562/00Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
    • A61B2562/02Details of sensors specially adapted for in-vivo measurements
    • A61B2562/0233Special features of optical sensors or probes classified in A61B5/00
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2576/00Medical imaging apparatus involving image processing or analysis
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/145Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
    • A61B5/1455Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters
    • GPHYSICS
    • G16INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
    • G16HHEALTHCARE INFORMATICS, i.e. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR THE HANDLING OR PROCESSING OF MEDICAL OR HEALTHCARE DATA
    • G16H30/00ICT specially adapted for the handling or processing of medical images
    • G16H30/40ICT specially adapted for the handling or processing of medical images for processing medical images, e.g. editing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cardiology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physiology (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

好適な実施形態の一例は、半導電層と導電層との間に位置する活性材料を有し、半導電層と導電層とは、第1動作モードにおいては活性材料が光子放射器として機能し第2動作モードにおいては活性材料が光子検出器として機能するように、構成される。【選択図】図2

Description

本開示の例は、光子を放射し検出するための装置およびその装置を提供する方法に関する。特に、それらは、設定可能なアレイの中で提供され得る光子を放射し検出するための装置およびその装置を提供する方法に関する。
背景
光子検出器は広範な用途に使用される。例えば、光子検出器は、吸収測定を行い、あるいは光信号の妨害を検出するために使用され得る。幾つかの例では、光子検出器は、その検出器の他に光子放出器を必要とし得る。そのような例において、これは2つの別々のコンポーネント、光子放射器および光子検出器、を必要とし、これらは別々に実装される。このことは、そのような光子検出器のアレイの分解能に対する制約を生じさせるであろう。
改善された光子検出デバイスを提供することが有益である。
摘要
必ずしも全ての例を挙げているわけではないが、本開示の種々の例によれば、装置が提供され得、その装置は半導電層と導電層との間に位置する活性材料を有し、半導電層および導電層は、第1動作モードにおいては活性材料が光子放射器として機能し、第2動作モードにおいては活性材料が光子検出器として機能するように、構成される。
幾つかの例では、第1動作モードでは半導電層と導電層との間に電場が加えられ得る。
幾つかの例では、第2動作モードにおいて半導電層が電界効果トランジスタ内にチャネルを提供するように半導電層はソース電極およびドレイン電極に接続され得る。
幾つかの例では、半導電層および導電層は、装置が第1時点で第1動作モードに設定され、第2の、異なる時点で第2動作モードに設定され得るように、構成され得る。
幾つかの例では、活性材料は量子ドットを有し得る。
幾つかの例では、半導電層はグラフェンを有し得る。グラフェンは、グラフェン電界効果トランジスタを形成し得る。
幾つかの例では、活性材料と導電層との間に誘電体層が設けられ得る。
幾つかの例では、活性材料と半導電層との間に正孔輸送層が設けられ得る。
幾つかの例では、活性材料と導電層との間に電子輸送層が設けられ得る。
幾つかの例では、装置は、隣接する装置からの照明を妨げるように構成されたバリアを有し得る。
幾つかの例では、装置は、隣接する装置からの照明を妨げるように構成されたマイクロレンズ・アレイまたは光ファイバ・フェースプレートを有し得る。
幾つかの例では、装置は、装置の動作モードを制御するように構成された制御回路を有し得る。
必ずしも全ての例を挙げているわけではないが、本開示の種々の例によれば、複数の上記の様な装置を有するアレイが提供され得る。
幾つかの例では、複数の装置のうちの第1サブセットは第1動作モードに設定され得、複数の装置のうちの第2サブセットは第2動作モードに設定され得る。
幾つかの例では、少なくとも1つの装置は、異なる時点で異なるサブセット内に配置され得る。
必ずしも全ての例を挙げているわけではないが、本開示の種々の例によれば、方法が提供され得、その方法は、半導電層と導電層との間に活性材料を設けることと、第1動作モードにおいては活性材料が光子放射器として機能し第2動作モードにおいては活性材料が光子検出器として機能するように半導電層および導電層を構成することと、を有する。
幾つかの例では、第1動作モードにおいて半導電層と導電層との間に電場が加えられ得る。
幾つかの例では、半導電層は、第2動作モードで半導電層が電界効果トランジスタ内にチャネルを提供するように、ソース電極およびドレイン電極に接続され得る。
幾つかの例では、この方法は、活性材料を第1時点では第1動作モードに設定し第2の、異なる時点では第2動作モードに設定することを有し得る。
幾つかの例では、活性材料は量子ドットを有し得る。
幾つかの例では、半導電層はグラフェンを有し得る。グラフェンはグラフェン電界効果トランジスタを形成し得る。
幾つかの例では、この方法は、活性材料と導電層との間に誘電体層を設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、活性材料と半導電層との間に正孔輸送層を設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、活性材料と導電層との間に電子輸送層を設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、隣接する装置からの照明を妨げるように構成されたバリアを設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、隣接する装置からの照明を妨げるように構成されたマイクロレンズ・アレイまたは光ファイバ・フェースプレートを設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、活性材料の動作モードを制御するように制御回路を構成することを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、複数の上記のような装置を有するアレイを設けることを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、複数の装置のうちの第1サブセットが第1動作モードに設定され複数の装置のうちの第2サブセットが第2動作モードに設定されるように設定することを有し得る。
幾つかの例では、この方法は、少なくとも1つの装置を異なる時点で異なるサブセット内に設定することを有し得る。
必ずしも全ての例を挙げているわけではないが、本開示の種々の例によれば、添付されている請求項に記載された例が提供され得る。
詳細な説明を理解するうえで役に立つ種々の例のより良い理解のために、ここで単なる例として添付図面が参照される。
例示的装置を示す。 例示的装置を示す。 例示的装置を示す。 複数の装置を有する例示的デバイスを示す。 例示的アレイを示す。 例示的アレイを示す。 方法を示す。
詳細説明
図は、半導電層3と導電層7との間に位置する活性材料5を有する装置1を示し、半導電層3と導電層7とは、第1動作モードでは活性材料5は光子放射器として機能し第2動作モードでは活性材料5は光子検出器として機能するように、構成される。
装置1は、統合光子放射器光子兼検出器を提供し得る。装置1は、複数の他の装置を有するアレイ43を成すように配置され得る。アレイ43は、改善された画像化を可能にし得る高い分解能を有し得る。アレイ43は、同様に改善された画像化を可能にし得る光子放射器および光子検出器の設定可能なパターンを有し得る。幾つかの例では、装置1は生物測定パラメータを観察可能とするために使用され得る。
図1は、例示的装置1を概略的に示す。装置1は、半導電層3、活性材料5および導電層7を有する。
活性材料5は、半導電層3と導電層7との間に位置する。活性材料5は、光子放射および光子検出の両方に設定され得る任意の材料を有し得る。装置1は、活性材料5が第1時点では光子を放射し、第2の、異なる時点では光子を検出するように整えられるように、整えられ得る。活性材料5が光子を放射するように設定されるか光子を検出するように設定されるかは、半導電層3および導電層7がどのように活性化されるかにより決定され得る。
幾つかの例では、活性材料5は量子ドットを有し得る。量子ドットは、第1動作モードでは光子発生源として、第2動作モードでは光子検出器として、機能し得る。
本開示の他の例では他の材料が活性材料5として使用され得る。例えば、他の例では、活性材料5は発光ポリマー、J凝集体染料または他の任意の適切な材料を有し得るであろう。
活性材料5は、半導電層3を覆うように設けられ得る。半導電層3は、任意の導電性材料を有し得る。幾つかの例では、半導電層3は、グラフェン、グラフェンオキシド、カーボンナノチューブのような炭素ベースの材料、または他の任意の適切な材料を有し得る。
半導電層3は、半導電層3と活性材料5との間での電荷移送を可能にするように構成され得る。半導電層3は、活性材料5内で入射光子により生じた電荷が半導電層3に移送されるように構成され得る。これらの電荷は、半導電層3の導電率を変化させ得る。
幾つかの例では、活性材料5は、半導電層3と活性材料5との間に介在する材料が存在しないように、半導電層3を直に覆うように設けられ得る。他の例では、半導電層3と活性材料5との間に1つ以上の層を設けることができる。例えば、或る装置1では、半導電層3と活性材料5との間に正孔注入層を設けることができる。正孔注入層は、半導電層3と活性材料5との間での正電荷の移送を可能にし得る。
導電層7は、活性材料5を覆うように設けられる。導電層7は、酸化インジウム錫(ITO:indium tin oxide)、フッ素ドープ酸化錫(FTO:fluorine doped tin oxide)、アルミニウム・ドープ酸化亜鉛(AlZno:aluminium doped zinc oxide)のような透明な導電性材料を有し得る。他の例では、透明な導電性材料は、ポリ(2、3−ジヒドロチエノ−1、4−ダイオキシン)−ポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS:poly(2,3−dihydrothieno−1,4−dioxin)−poly(styrenesulfonate))、ポリピロール(Ppy:polypyrrole)、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、その複合物を含むグラフェン・ベースの材料、グラフェンまたは他の任意の適切な材料を有し得る。導電層7は、光子が活性材料5によって検出され放射され得るように、透明であり得る。
導電層7は、半導電層3と導電層7との間に電場を与え得るように構成され得る。活性材料5は、その電場の中に位置し得る。
幾つかの例では、活性材料5と導電層7との間に1つ以上の層を設けることができる。例えば、幾つかの装置1において、活性材料5を不動態化するために活性材料5を覆う誘電体材料を設けることができる。幾つかの装置1において、活性材料5と導電層7との間での負電荷の移送を可能にするために電子輸送層を設けることができる。
図2は、例示的装置1をより詳しく示す。例示的装置1は、基板21、電界効果トランジスタ23および被覆電極25を有する。
基板21は、装置1のコンポーネントを支持する手段を提供し得る。装置1のコンポーネントは、基板21上に印刷され得る。幾つかの例では、基板21は可撓性材料を有し得る。
基板21は、任意の適切な材料から作られ得る。幾つかの例では、基板21は絶縁性材料を有し得る。例えば、基板21は、ガラス、シリコン、クオーツ、ポリエチレン2,6−ナフタレート(PEN:polyethylene 2,6−naphthalate)、ポリエチレンテレフタレート(PET:polyethylene terephthalate)、ポリイミド(PI:polyimide)、ポリカーボネート(PC:polycarbonate)、ポリエチレン(PE:polyethylene)、ポリウレタン(PU:polyurethane)、ポリメチルメタクリレート(PMMA:polymethylmethacrylate)、ポリスチレン(PS:polystyrene)、天然ゴム、例えば、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリクロロプレン、ポリイソブチレン、ニトリルブタジエンおよびスチレンブタジエン、飽和エラストマー材料、例えば、ポリジメチルシロキサン(PDMS:polydimethylsiloxane)、シリコーンゴム、フルオロシリコーンゴム、フルオロエラストマー、ペルフルオロエラストマー、エチレンビニルアセテート(EVA:ethylene vinyl acetate)熱可塑性エラストマー、例えば、スチレンブロックコポリマー、熱可塑性ポリオレフィン、熱可塑性加硫ゴム、熱可塑性ポリウレタン(TPU:thermoplastic polyurethane)熱可塑性コポリエステル、溶融加工可能なゴムまたは他の任意の適切な材料を有し得る。
他の例では、基板21は金属箔などの導電性材料を有し得るであろう。その金属箔は、平面化された金属箔を有し得る。電界効果トランジスタ23は、この金属箔上に作られ得る。
図2の例では装置1は1つだけ示されているが、他の例では複数の装置1を同じ基板21上に設け得ることが認識されるべきである。
図2の例示的装置1は同様に電界効果トランジスタ23を有する。電界効果トランジスタ23は、装置1が光子を検出することを可能にするように構成され得る。電界効果トランジスタは、基板21上に設けられ得る。電界効果トランジスタ23は、薄膜トランジスタ、グラフェン電界効果トランジスタまたは他の任意の適切なタイプのトランジスタであり得る。
電界効果トランジスタ23は、ソース電極11、ゲート電極13およびドレイン電極15を有する。図2の例では、電極11、13、15は平坦化層27内に設けられる。平坦化層27は、任意の適切な絶縁材料から作られ得る。電極11、13、15は、任意の適切な導電性材料から作られ得る。
半導電層3は、電界効果トランジスタ23内にチャネルを与えるためにソース電極11とドレイン電極15とを接続する。半導電層3は、装置1が検出動作モードであるときに半導電層3の抵抗率が活性材料5により検出される光子に依存するように、活性材料5に結合される。半導電層3は、グラフェン、グラフェンオキシドまたはカーボンナノチューブなどのカーボンベースの材料の層を有し得る。本開示の他の例では他の材料が使用され得る。
図2の例では、平坦化層27と半導電層3との間に誘電体層19が設けられる。誘電体層19は、ゲート電極13と半導電層3との間に設けられ得る。誘電体層19は、SiO、LiF、Si、アルミナ、チタニア、酸化ハフニウムなどの絶縁性酸化物材料または他の任意の適切な材料を有し得る。
半導電層3を覆う活性材料5の層が設けられる。活性材料5は、1つの波長範囲内の光子を検出し放射するように調整され得る。例えば、装置1が生物測定パラメータを監視するために使用されている場合、装置1は赤外線周波数範囲内の光子を検出し放射するように調整され得る。
幾つかの例では、活性材料5の層は、量子ドットの層を有し得る。量子ドットは、半導電層3上に堆積され得る。
量子ドットは、入射光子に応答して電荷を生じさせるように構成され得るナノ結晶を有し得る。量子ドットは、量子ドットに移送された電荷または量子ドットに加えられた電場に応答して光子を放射するようにも構成され得る。
量子ドットは、非常に薄い層の中に設けられ得る。幾つかの例では、量子ドット層は、単分子層であり得、従って実際上2次元であり得る。幾つかの例では、量子ドット層の厚さは約200mmであり得る。薄い層を持てば、量子ドットと半導電層3との間での最適な電荷移送が可能となり得る。
量子ドットは、特定周波数の電磁放射に対して鋭敏であるように構成され得る。幾つかの例では、量子ドットは、赤外線に対して鋭敏であるように構成され得る。そのような例では、量子ドットのために使用される材料は、CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnO、ZnS、CZTS、CuS、Bi、AgS、HgTe、CdTe、CdHgTe、HgZnTe、CdZnTe、InAs、InSb、Ge、CIS、CIGSまたは他の任意の適切な材料を有し得る。
使用される量子ドットのサイズは、使用される材料と、検出されるべき光の波長とにより得る。
幾つかの例では、量子ドット同士を接続するためにリガンドを設けることができる。リガンドは、量子ドットを半導電層3に接続するようにも構成され得る。リガンドは、量子ドットが導電性固体を形成するように量子ドット同士を架橋結合するように構成され得る。リガンドは、エタンジチオール、エチレンジアミン、エタンチオール、プロパンチオール、ベンゼンジチオール、チオグリセロール、ジチオグリセリン、ヒドラジン、蟻酸、蓚酸、酢酸、もしくは、SnS、PbBr、PbI、PbClなどの無機部分または他の適切な材料などの、任意の適切な材料または材料の組み合わせを含み得る。
量子ドットの半導電層3への結合は、量子ドット内に発生したエキシトンが電子−正孔対に分離されることを可能にして、正孔または電子は半導電層3に移送される。
幾つかの例では、量子ドット活性材料5は、付加的な感光性の半導体材料を含み得る。その付加的な感光性半導体材料は、量子ドット活性材料5の光電感度性を高めることができる。付加的な感光性半導体材料は、共役ポリマーもしくは染料または他の任意の適切な材料を有し得る。
量子ドット活性材料5は、非常に高いレベルの量子効率を有し得る。特に赤外線波長における、量子効率量子ドット活性材料5は、低電力入力で大面積にわたって測定を行うことを可能にする。
活性材料5を覆うさらなる誘電体層17が設けられる。このさらなる誘電体層17は、活性材料5のためにパッシベーション層を提供するように構成され得る。さらなる誘電体層17は、任意の適切な材料、例えば、SiOのような絶縁性酸化物材料、Si、LiF、アルミナ、チタニア、酸化ハフニウム、または他の任意の適切な材料を含み得る。
さらなる誘電体層17を覆う導電層7が設けられる。導電層7は被覆電極25を提供し得る。被覆電極25は、透明な導電性材料を含み得る。幾つかの例では、透明な導電性材料は、導電性金属酸化物、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、アルミニウム・ドープ酸化亜鉛(AlZnO)、を含み得る。他の例において、透明な導電性材料は、ポリ(2、3−ジヒドロチエノ−1、4−ダイオキシン)−ポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS)、ポリピロール(Ppy)、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、その複合物を含むグラフェン・ベースの材料、グラフェンまたは他の任意の適切な材料を含み得る。
半導電層3と導電層7との間に電場を加え得るように、導電層7は電源29に接続される。これにより、活性材料5に電場を加えることができる。
装置1は、第1動作モードでまたは第2動作モードで操作され得る。装置1は、第1動作モードまたは第2動作モードで動作し得るように制御され得る。装置1は、第1時点では第1動作モードで、第2の異なる時点では第2動作モードで動作し得るように、異なる動作モード間で切り替わるように制御され得る。
第1動作モードでは、半導電層3と導電層7との間に電場が加えられる。加えられる電場は、交番電場であり得る。ソース電極11とドレイン電極15とは短絡され得る。幾つかの例では、加えられる電場は、半導電層3と導電層7との間に活性材料5を通して電流を流すことを可能にし得る。加えられる電場は、活性材料5によって光子が放射されることを可能にし得る。
第2動作モードでは、半導電層3が電界効果トランジスタ23内にチャネルを与えるように、半導電層3はソース電極11およびドレイン電極15に接続される。光子が活性材料5に入射すると、活性材料5は光子を吸収して電荷を半導電層3に移送させる。これにより、検出された光子に依存する抵抗を有するチャネルが与えられる。
第2動作モードでは、導電層7によって電場が供給されないように、導電層7は電源29から切り離され得る。
従って、装置1の中の半導電層3と導電層7との構成に依存して、装置1は光子検出器または光子放射器として使用され得る。
図2の例示的装置に対して改変および変形を成し得ることが認識されるべきである。例えば、幾つかの例示的装置1において、誘電体層17、19は正孔注入層および電子輸送層に置き換えられ得る。幾つかの例では、正孔注入層は活性材料5と半導電層3との間に設けられ、電子輸送層は活性材料5と導電層7との間に設けられ得る。正孔注入層および電子輸送層として使用される材料は、量子ドットおよび半導電層3の仕事関数により得る。幾つかの例では、正孔注入層および電子輸送層は、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)ポリスチレンスルホン酸)(poly(3,4−ethylenedioxythiophene)polystyrene sulfonate)、PVK(poly N−vinyl carbazole(ポリN−ビニルカルバゾール))、ZnOナノ粒子などの材料または他の任意の適切な材料を含み得るであろう。そのような例では、装置1が第1動作モードで半導電層3と導電層7との間に電場が加えられているときには正孔注入層および電子輸送層はデバイスを通して電流を流れさせ得るであろう。
幾つかの例では、装置1内にバイアスを生じさせるために装置1内に正孔注入層および/または電子輸送層を設けることができる。例えば、幾つかの装置1において、活性材料5は、検出された光子に応答して正孔を半導電層3に移送することができる。そのような装置1は、PbS量子ドットを含む活性材料5と、グラフェン含む半導電層3とを有し得る。そのような装置1では、活性材料5を覆うパッシベーション層として電子輸送層を設けることができる。この電子輸送層は、装置1が光子を検出しているとき活性材料5から負電荷を除去するのに役立ち得る。
上記の例示的装置1では、活性材料は量子ドットを含む。他の例では他の材料が使用され得ることが認識されるべきである。例えば、幾つかの例では、活性材料5はポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、有機遷移金属錯体または他の任意の適切な材料などの材料を含み得る。幾つかの例では、活性材料5は有機光起電力層を含み得る。有機光起電力層は、n型材料、またはp型材料、またはn型およびp型材料の両方の混合物を含み得る。使用され得るp型材料の例は、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンを含む。使用され得るn型材料の例は、フラーレン、ジチエノ[3,2−b:2',3'−d]ピロール(DTP)(dithieno[3,2−b:2',3'−d]pyrrole)、ポリ(置換ジチエノ[3,2−b:2',3'−d]ピロール(PDTP:poly(substituted dithieno[3,2−b:2',3'−d]pyrrole))を含む。
幾つかの例では、装置1を覆うマイクロレンズが設けられ得るであろう。それらのマイクロレンズは、装置1が放射動作モードであるときに光を装置1の表面にほぼ垂直に向けるように構成され得る。それらのマイクロレンズは、装置が検出動作モードであるときに光を装置1の中心の方へ向けるようにも構成され得る。
複数の装置1が設けられる例では、複数の装置1を覆う光ファイバ・フェースプレートを設けることができる。光ファイバ・フェースプレートは、マイクロレンズと同じまたは類似の仕方で光を向けるであろう。光ファイバ・フェースプレートは、さらに、隣接するピクセルへの光の横方向の広がりを妨げ、従って、隣接する放射ピクセルと検出ピクセルとの間のクロストークを減らすことができる。
装置1は小型であり得る。幾つかの例では、装置1は10〜100μm程度の横寸法を持ち得る。複数のそのような装置1同士を結合させて、以下に記載されるようにアレイ43を形成することができる。アレイ43は、非常に高い空間分解能を与えるように構成され得る。
図3は、互いに隣接して位置する2つの例示的装置1を示す。例示的装置1は、各々、上記のようであり得る半導電層3と活性材料5と導電層7とを有する。装置1は基板21上に取り付けられている。装置1は、複数の同一のおよび/または類似の装置1を有するアレイ43の一部を形成し得る。
図3の例では、隣接する装置1同士の間にバリア31が設けられる。図3の例では、バリア31は導電層7の高さより上へ伸びる。バリア31は、第1装置1から放射された光が第2装置1に干渉を引き起こすのを防止するように構成され得る。
図3の例では、バリア31は、ソース電極11およびドレイン電極15から形成され得る。このような例では各装置1は、装置1の両側にバリア31を有し得る。このことにより、各々の隣接する装置1の対の間に2つのバリア31が与えられ得る。幾つかの例では、1つの電極11、15が隣接する装置1の間で共有され得る。
図3の例示的装置では、光子の検出を可能にするとともに装置1同士の干渉を防止するためにも電極11、15を使用し得る。複数の機能を実行するために同じコンポーネントを使用することにより、装置1のサイズを小さくし得る。このことにより、さらに、隣接する装置1間の間隔を小さくすることも可能になるであろう。このことは、高空間分解能イメージングを提供するように装置1のアレイ43を構成することを可能にし得る。このことは、さらに、アレイ43内の隣接する装置1同士のクロストークを低減し得る。
図4は、複数の装置1を有する例示的デバイス41を示す。例示的デバイス41は、複数の装置1を有するアレイ43と制御回路45とを有する。
アレイ43は、複数の装置1を有する。アレイ43内の複数の装置1は、上記のようであり得る。アレイ43内の装置1の動作モードは、制御回路45により制御され得る。
複数の装置1は、様々なサブセットに配置され得る。複数の装置1の第1サブセットは、第1サブセットが光子放射器として機能するように第1動作モードに設定され得る。これにより、アレイ43の第1部分は放射器として機能し得る。複数の装置1の第2サブセットは、装置1の第2サブセットが光子検出器として機能するように第2動作モードに設定され得る。これにより、アレイ43の第2部分は検出器として機能し得るであろう。制御回路45は、装置1が異なる時点で異なるサブセット内に配置され得るように、アレイ43を制御し得る。第1時点で装置1は光子放射器として機能し得て、第2時点で装置1は光子検出器として機能し得る。これにより、アレイ43の異なる部分が異なる時点で検出器および放射器として機能することを可能にし得る。
図5A〜6Bは、例示的アレイ43と、これらのアレイのためのいろいろな構成を示す。
図4の例示的デバイス41では、制御回路45は、アレイ43内の任意の装置1をアドレス指定してどの装置1が第1動作モードに設定されどの装置1が第2動作モードに設定されるかを制御するように構成され得る。
制御回路45は、処理回路47およびメモリ回路49を有し得る。処理回路47は、メモリ回路49から読み出し、メモリ回路49に書き込むように構成され得る。処理回路47は1つ以上のプロセッサを有し得る。処理回路47は、データおよび/またはコマンドが処理回路47により出力される出力インターフェースと、データおよび/またはコマンドが処理回路47に入力される入力インターフェースも有し得る。
メモリ回路49は、処理回路47にロードされたときアレイ43内の装置1の動作を制御するコンピュータ・プログラム命令(コンピュータ・プログラム・コード53)を含むコンピュータ・プログラム51をストアするように構成され得る。処理回路47は、メモリ回路49を読むことにより、コンピュータ・プログラム51をロードし実行することができる。
コンピュータ・プログラム51は、任意の適切なデリバリ・メカニズムを介してデバイス41に到達し得る。デリバリ・メカニズムは、例えば、非一時的コンピュータ可読記憶媒体、コンピュータ・プログラム製品、メモリ・デバイス、記録媒体、例えばコンパクトディスク読み出し専用メモリ(CD−ROM:compact disc read−only memory)もしくはデジタル多用途ディスク(DVD:digital versatile disc)、または、コンピュータ・プログラムを具体的に表現する製造物品であり得る。デリバリ・メカニズムは、コンピュータ・プログラム51を確実に転送するように構成された信号であり得る。装置は、コンピュータ・プログラム51をコンピュータ・データ信号として伝播させまたは送信することができる。幾つかの例では、コンピュータ・プログラム・コード53は、無線プロトコル、例えばブルートゥース(登録商標)、ブルートゥース・ロー・エナジー(Bluetooth Low Energy)、ブルートゥース・スマート(Bluetooth Smart)、6LoWPan(低消費電力パーソナル・エリア・ネットワークでのIPv6)、ZigBee(登録商標)、ANT+、ニアー・フィールド・コミュニケーション(NFC:near field communication)、無線周波数アイデンティフィケーション(Radio frequency identification)、無線ローカル・エリア・ネットワーク(wireless LAN)または他の任意の適切なプロトコル、を用いてデバイス61に送信され得る。
メモリ回路49は図において単一のコンポーネントとして示されているが、メモリ回路49は、その一部または全部が、統合型/リムーバルであり得および/または永久/半永久/ダイナミック/キャッシュ記憶を提供し得る1つ以上の別々のコンポーネントとして実装され得ることが認識されるべきである。
処理回路47は図において単一のコンポーネントとして示されているが、処理回路47は、その一部または全部が統合型/リムーバルであり得る1つ以上の別々のコンポーネントとして実装され得ることが認識されるべきである。
"コンピュータ可読記憶媒体"、"コンピュータ・プログラム製品"、"具体的に表現されたコンピュータ・プログラム"など、または"コントローラ"、"コンピュータ"、"プロセッサ"などへの言及は、様々なアーキテクチャ、例えばシングル/マルチ・プロセッサ・アーキテクチャ、縮小命令セット・コンピューティング(RISC:Reduced Instruction Set Computing)およびシーケンシャル(フォン・ノイマン)/パラレル・アーキテクチャ、を有するコンピュータだけではなくて、専用回路、例えばフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(FPGA:field−programmable gate array)、特定用途向け集積回路(ASIC:application−specific integrated circuit)、信号処理デバイスおよび他の処理回路、をも包含すると理解されるべきである。コンピュータ・プログラム、命令、コードなどへの言及は、プログラマブルなプロセッサのためのソフトウェアまたはファームウェア、例えば、プロセッサのための命令であれ、固定機能デバイス、ゲート・アレイもしくはプログラマブルな論理デバイス等のための設定値であれ、ハードウェア・デバイスのプログラマブルなコンテンツ、を含むと理解されるべきである。
本出願で用いられるとき、"回路"という用語は下記の全てを指す:
(a)ハードウェアのみの回路実装(例えば、アナログおよび/またはデジタル回路だけでの実装)および
(b)回路およびソフトウェア(および/またはファームウェア)の組み合わせ、例えば(該当するとき):(i)1つまたは複数のプロセッサの組み合わせ、または(ii)1つまたは複数のプロセッサ/ソフトウェアの部分(協同して携帯電話もしくはサーバ等の装置に種々の機能を実行させる1つもしくは複数のデジタル信号処理装置、ソフトウェア、または1つもしくは複数のメモリを含む)および
(c)たとえそのソフトウェアまたはファームウェアが物理的に存在しなくても、動作するためにソフトウェアまたはファームウェアを必要とする回路、例えば1つもしくは複数のマイクロプロセッサまたは1つもしくは複数のマイクロプロセッサの部分。
"回路"のこの定義は、どの請求項における使用をも含めて本出願においてはこの用語のあらゆる使用に当てはまる。さらなる例として、本出願で使用されるとき、"回路"という用語は、単なる1つのプロセッサ(または複数のプロセッサ)もしくは1つのプロセッサの部分ならびにそれに(もしくは、それらに)付随するソフトウェアおよび/またはファームウェアの実装をも含むであろう。"回路"という用語は、例えば、特定の請求項要素に当てはまるならば、携帯電話用のベースバンド集積回路もしくはアプリケーション・プロセッサ集積回路、または、サーバ、セルラ・ネットワーク・デバイス、もしくは他のネットワーク・デバイス内の類似する集積回路をも含むであろう。
例示的デバイス41は図4に示されていない他の特徴を有し得、例えば、幾つかの例では、デバイス41はユーザに着用されるように構成され得るウェアラブル・デバイスであり得る。そのような例では、デバイス41はユーザの生物測定パラメータを監視するように構成され得る。そのような例では、デバイス41は、デバイス41をユーザの身体に確保することを可能にし得る取り付け手段をも有し得る。そのような例では、デバイス41は、デバイス41がユーザの身体に取り付けられるとアレイ43がユーザの肌に隣接するように、構成され得る。このことは、ユーザの身体の一部分を照明し、その部分により吸収される光を測定するためにアレイ内の装置1を使用することを可能にし得る。
図5Aおよび5Bは、幾つかの例示的デバイス41において使用され得る例示的アレイ43を示す。図5Aおよび5Bの例では、放射動作モードに設定されている装置1は暗めに網掛けされており、検出モードに設定されている装置1は明るめに網掛けされている。
図5Aおよび5Bの例示的アレイ43は、矩形アレイ43に配置された複数の装置1を有する。アレイ43は、複数の行と、これらの行に対して垂直な複数の列とを有する。
図5Aおよび5Bは、2つの異なる時点での同じ例示的アレイ43を示す。図5Aの例では、全ての装置1が検出器として設定される。制御回路5は、全ての装置1を検出動作モードに設定する制御信号を提供することができる。
異なる時点で、全ての装置1は、図5Bに示されているように、放射器として設定される。制御回路5は、全ての装置を放射動作モードに設定する制御信号を提供することができる。
図5Aおよび5Bの例示的配置は、非常に高い分解能を持つアレイ43を提供することができる。全ての装置1が検出器として設定され得るので。検出する装置1の間に放射する装置1を設ける必要はない。このことは、検出する装置1同士の間に小さくされた離隔距離を与えることができて、アレイ43の分解能を高めることができる。さらに、全ての装置1が放射器として使用され得るので、このことは、増やされた量の光を提供することができる。このことは、アレイ43の効率および精度を改善することができる。
図6Aおよび6Bは、異なる設定の類似アレイ43を示す。図6Aおよび6Bの例では、アレイ43は光子放射器および光子検出器の両方を同時に提供するように設定される。制御回路45は、どの装置1が放射モードに設定されどの装置1が検出モードに設定されるかを制御する制御信号をアレイ43に提供するように構成される。
図6Aの例では、アレイ43は、第1行が検出する装置1のみを有するように設定される。第1行に隣接する第2行は、交互の放射する装置1および検出する装置1を有する。このパターンはアレイ43全体にわたって繰り返される。これは、アレイ43の全体にわたって放射器および検出器の規則的パターンを提供する。これは、アレイ43の全体にわたって一様な照明および検出を提供することができる。
図6Bは、異なる設定のアレイ43を示す。アレイ43は、異なる時点での図6Aの同じアレイであり得る。図6Bの例では、装置1は、光子の放射を特定の位置に集中させるように配置される。
図6Bにおいて、アレイ43は第1放射部分61を有する。第1放射部分61は、装置群を有し、指定された領域が照明されることを可能にし得る。アレイ43は、第2放射部分63も有する。第2放射部分63は、照明されるべき特徴に対応するように形成され得る。その特徴は、静脈や動脈などの、ユーザの生物測定特徴を含み得る。
異なる特徴を監視しまたは照明するために同じアレイ43が使用され得るように、放射部分61、63の形状および配置は異なる時点で変化し得る。
図5A〜6Bの例では、アレイ43は線形である。他の例では非線形アレイ43を使用し得ることが認識されるべきである。そのような例では、装置1は、螺旋形、同心円、曲線形配置または他の任意の適切な配置など、非線形配置に配置され得る。幾つかの例では、装置1の形状は、覆われる領域を最大化するように配置され得る。例えば、図5A〜6Bの線形アレイでは装置1は矩形である。非線形配置では、装置1は円形、三角形、6角形、菱形、矩形または他の任意の形状であり得る。幾つかの例では、アレイ43内の全ての装置1が同じ波長の光子を放射しおよび/または検出するように構成され得る。他の例では、異なる装置1が異なる波長の光子を放射しおよび/または検出するように構成され得る。
図7は、方法を示す。この方法は、上記の装置1およびデバイス41を用いて実行され得る。この方法は、ブロック71で、半導電層3と導電層7との間に活性材料5を設けることを含む。この方法は、ブロック73で、第1動作モードにおいては活性材料5が光子放射器として機能し第2動作モードにおいては活性材料5が光子検出器として機能するように、半導電層3と導電層7とを構成することも含む。
本開示の例は、光子放射器および光子検出器の両方として設定され得る装置1を提供する。装置1は、異なる時点で検出器または放射器として動作するように設定され得る。このことは、装置1が必要に応じて異なる動作モード間で切り替えられることを可能にし得る。このことは、放射器および検出器の任意の適切な配置に設定され得る装置1のアレイを提供し得る。
幾つかの例では、アレイ43は、ユーザの生物測定特徴を監視しおよび/または特定することを可能にするように設定され得る。例えば、アレイ43は、心拍数、心拍数変動度、血液酸素化レベル、血圧または人の組織の他の散在光学特性を測定するために使用され得るであろう。アレイ43内の装置1は放射器または光子検出器として容易に再設定され得るので、このことにより、アレイをユーザの生物測定特徴に関連するように設定することを可能にし得る。幾つかの例では、生物測定特徴は、ユーザの生物測定パラメータを監視することを可能にし得る。幾つかの例では、生物測定特徴は、血管、静脈、動脈もしくは毛細血管、または健全な組織もしくはメラノーマもしくは創傷のような傷ついた組織の特定の領域を含み得る。
幾つかの例では、デバイス41は、第1間隔を置いた第1照明点の系列と、この系列に続く、第2間隔を置いた第2照明点の系列とを提供するように設定され得る。このような構成は、ユーザの脈拍における時間遅れを測定するために使用され得るであろう。そのような測定を用いてユーザの血圧を計算し得るであろう。
幾つかの例では、光線療法または他の、ユーザに対する療法を提供するためにデバイス41を使用し得るであろう。アレイ43は設定可能であって高い分解能も持ち得るので、このことは、ユーザの処置を必要とする領域、例えば創傷または病変、の方へ光線療法を向けることを可能にし得る。
例示的装置1およびデバイス41は上記以外の用途に使用され得ることが認識されるべきである。特に、装置1は、生物測定パラメータの測定または監視以外の用途に使用され得るであろう。
この文書において"有する、含む(comprise)"という用語は排他的ではなくて包括的意味で使用される。すなわち、Yを有するもしくは含むXへの全ての言及は、Xが唯一のYを有し得るもしくは含み得ることまたは2つ以上のYを有し得るもしくは含み得るということを意味する。排他的意味で"有する、含む"を使用することを意図している場合には、そのことは、"唯一の・・・を有するもしくは含む(comprising only one・・・)"ことに言及することにより、または"成る(consisting)"を用いることによって、文脈において明らかにされるであろう。
この詳細な説明において、種々の例が言及されている。1つの例と関連する特徴または機能についての説明は、それらの特徴または機能がその例に存在することを意味する。本文における"例(example)"もしくは"例えば(for example)"もしくは"し得る(may)"という用語の使用は、明示的に述べられていてもいなくても、そのような特徴または機能が、例として記載されていてもいなくても、少なくとも記載された例に存在すること、ならびに、そのような特徴または機能が、必ずしもそうとは限らないが、他の例のうちの幾つかもしくは全てに存在し得ることを意味する。従って、"例"、"例えば"または"し得る"は、複数の例の集合のうちの1つの特定の実例を指す。その実例の属性は、その実例のみの属性、または、その集合の属性、もしくはその集合の、全ての実例ではなくて一部の実例を含む部分集合の属性であり得る。従って、1つの例に関連して記載されているが他の1つの例に関連しては記載されていない特徴は、可能な場合、その他の1つの例で使用され得るけれども必ずしもその他の1つの例で使用されなくてもよいということが暗に開示されている。
本発明の実施態様が前の段落で種々の例に関して記載されているけれども、請求項に記載されている本発明の範囲から逸脱することなく、与えられた例に対する改変を成し得ることが認識されるべきである。
前の説明に記載されている特徴は、明示的に記載された組み合わせ以外の組み合わせで使用され得る。
或る特徴に関して機能が記載されているけれども、それらの機能は、記載されているか否かに関わらず、他の特徴によっても実行可能であり得る。
或る実施態様に関して特徴が記載されているけれども、それらの特徴は、記載されているか否かに関わらず、他の実施態様にも存在し得る。
本明細書において本発明の特に重要であると思われる特徴に注意を引き寄せるべく努力しているが、出願人は、上で言及されおよび/または図に示されている特許性のある特徴または特徴の組み合わせに関して、それらが特別に強調されているか否かに関わらず、保護を要求していることが理解されるべきである。

Claims (15)

  1. 半導電層と導電層との間に位置する活性材料を有する装置であって、
    前記半導電層と前記導電層とは、第1動作モードにおいては前記活性材料が光子放射器として機能し第2動作モードにおいては前記活性材料が光子検出器として機能するように構成される、
    装置。
  2. 前記第1動作モードにおいて前記半導電層と前記導電層との間に電場が加えられる、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  3. 前記第2動作モードにおいて前記半導電層が電界効果トランジスタ内にチャネルを提供するように前記半導電層はソース電極およびドレイン電極に接続される、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  4. 前記半導電層および前記導電層は、前記装置が第1時点で前記第1動作モードに設定され、第2の、異なる時点で前記第2動作モードに設定され得るように、構成される、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  5. 前記活性材料は量子ドットを有する、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  6. 前記半導電層はグラフェンを有し、前記グラフェンはグラフェン電界効果トランジスタを形成する、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  7. 誘電体層が前記活性材料と前記導電層との間に設けられる、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  8. 前記活性材料と前記半導電層との間に正孔輸送層が設けられる、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  9. 前記活性材料と前記導電層との間に電子輸送層が設けられる、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  10. 隣接する装置からの照明を妨げるように構成されたバリア、マイクロレンズ・アレイまたは光ファイバ・フェースプレートのうちの少なくとも1つを有する、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  11. 前記装置の動作モードを制御するように構成された制御回路を有する、先行するいずれかの請求項に記載の装置。
  12. 先行するいずれかの請求項に記載の複数の装置を有するアレイ。
  13. 前記複数の装置の第1サブセットは前記第1動作モードに設定され、前記複数の装置の第2サブセットは前記第2動作モードに設定される、請求項12に記載のアレイ。
  14. 少なくとも1つの装置は、異なる時点で異なるサブセット内に配置され得る、請求項13に記載のアレイ。
  15. 半導電層と導電層との間に活性材料を設けることと、
    第1動作モードにおいては前記活性材料が光子放射器として機能し第2動作モードにおいては前記活性材料が光子検出器として機能するように前記半導電層および前記導電層を構成することと、
    を有する方法。
JP2017567242A 2015-06-24 2016-05-18 光子を放射し検出するためのデバイスおよびそれを製造する方法 Active JP6595014B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15173574.3A EP3109907B1 (en) 2015-06-24 2015-06-24 Device for emitting and detecting photons and method of producing the same
EP15173574.3 2015-06-24
PCT/FI2016/050332 WO2016207483A1 (en) 2015-06-24 2016-05-18 Device for emitting and detecting photons and method of producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018527742A true JP2018527742A (ja) 2018-09-20
JP6595014B2 JP6595014B2 (ja) 2019-10-23

Family

ID=53491302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017567242A Active JP6595014B2 (ja) 2015-06-24 2016-05-18 光子を放射し検出するためのデバイスおよびそれを製造する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10347785B2 (ja)
EP (1) EP3109907B1 (ja)
JP (1) JP6595014B2 (ja)
WO (1) WO2016207483A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020121710A1 (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 光センサ
JPWO2021002114A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10454016B2 (en) * 2017-05-19 2019-10-22 Raytheon Bbn Technologies Corp. Number-resolving photon detector with graphene-insulating-superconducting junction
US11177411B2 (en) 2017-10-26 2021-11-16 Emberion Oy Photosensitive field-effect transistor

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247193A (en) * 1991-02-01 1993-09-21 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor insulated gate device with four electrodes
EP1840983A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-03 Interuniversitair Microelektronica Centrum Organic semiconductor photo-detecting device
JP2010153793A (ja) * 2008-11-26 2010-07-08 Hitachi Ltd グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
JP2011168473A (ja) * 2010-01-21 2011-09-01 Hitachi Ltd グラフェン膜が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
JP2012138451A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Hitachi Ltd グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
JP2013129548A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ナノワイヤの作製方法
JP2014522117A (ja) * 2011-08-02 2014-08-28 フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス 炭素系伝導体と量子ドットとを有するフォトトランジスタ
US20140264275A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 The Regents Of The University Of Michigan Photodetectors based on double layer heterostructures

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391896A (en) * 1992-09-02 1995-02-21 Midwest Research Institute Monolithic multi-color light emission/detection device
US6987259B2 (en) 2002-05-30 2006-01-17 Dmetrix, Inc. Imaging system with an integrated source and detector array
KR20040076330A (ko) * 2003-02-25 2004-09-01 삼성전자주식회사 실리콘 광소자 및 이를 적용한 광신호 입출력장치
GB0408960D0 (en) 2004-04-22 2004-05-26 Cambridge Display Tech Ltd Displays, drivers and related methods
US7598949B2 (en) 2004-10-22 2009-10-06 New York University Multi-touch sensing light emitting diode display and method for using the same
KR100836425B1 (ko) 2007-02-05 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그 구동방법
US20100065834A1 (en) 2008-09-16 2010-03-18 Plextronics, Inc. Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device
KR101594471B1 (ko) 2009-02-10 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
GB2473240A (en) 2009-09-04 2011-03-09 Cambridge Display Tech Ltd A touch screen device using correlated emitter-detector pairs
US8410474B2 (en) 2010-01-21 2013-04-02 Hitachi, Ltd. Graphene grown substrate and electronic/photonic integrated circuits using same
US8320423B2 (en) 2010-08-24 2012-11-27 Alvin Gabriel Stern Compact, all solid-state, avalanche photodiode emitter-detector pixel with electronically selectable, passive or active detection mode, for large-scale, high resolution, imaging focal plane arrays
KR101481000B1 (ko) * 2013-05-13 2015-01-14 경희대학교 산학협력단 그래핀 양자점 광 검출기 및 이의 제조 방법
JP2014224904A (ja) 2013-05-16 2014-12-04 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 電気光学装置およびその駆動方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247193A (en) * 1991-02-01 1993-09-21 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor insulated gate device with four electrodes
EP1840983A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-03 Interuniversitair Microelektronica Centrum Organic semiconductor photo-detecting device
JP2010153793A (ja) * 2008-11-26 2010-07-08 Hitachi Ltd グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
JP2011168473A (ja) * 2010-01-21 2011-09-01 Hitachi Ltd グラフェン膜が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
JP2012138451A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Hitachi Ltd グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
JP2014522117A (ja) * 2011-08-02 2014-08-28 フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス 炭素系伝導体と量子ドットとを有するフォトトランジスタ
JP2013129548A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ナノワイヤの作製方法
US20140264275A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 The Regents Of The University Of Michigan Photodetectors based on double layer heterostructures

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020121710A1 (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 光センサ
US11777050B2 (en) 2018-12-14 2023-10-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical sensor
JPWO2021002114A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07
WO2021002114A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサ
JP7348283B2 (ja) 2019-07-01 2023-09-20 富士フイルム株式会社 光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP3109907B1 (en) 2023-08-23
EP3109907A1 (en) 2016-12-28
US10347785B2 (en) 2019-07-09
US20180190854A1 (en) 2018-07-05
WO2016207483A1 (en) 2016-12-29
JP6595014B2 (ja) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6595014B2 (ja) 光子を放射し検出するためのデバイスおよびそれを製造する方法
Ouyang et al. Photocurrent polarity controlled by light wavelength in self-powered ZnO nanowires/SnS photodetector system
US10374115B2 (en) Microfluidic system and method for driving the same
US10311316B2 (en) Apparatus, method and computer program for identifying biometric features
JP6532175B2 (ja) 装置からの情報の読み取りを可能にする装置、方法、およびコンピュータプログラム
US11233098B2 (en) Display array substrate, method for manufacturing the same and display including the same
JP2024103516A (ja) 表示装置
EP3410490A3 (en) Display device
US20190051681A1 (en) A quantum dot photodetector apparatus and associated methods
CA3005818C (en) A quantum dot photodetector apparatus and associated methods
JPWO2020075009A5 (ja) センサ装置
Anabestani et al. Advances in flexible organic photodetectors: Materials and applications
Bilgaiyan et al. Enhancing small-molecule organic photodetector performance for reflectance-mode photoplethysmography sensor applications
Li et al. Photo-triggered logic circuits assembled on integrated illuminants and resonant nanowires
KR20180018688A (ko) 방사선 감지 디바이스
Li et al. Solution-processed organic–inorganic semiconductor heterostructures for advanced hybrid phototransistors
Prevot et al. An all-organic active pixel photosensor featuring ion-gel transistors
Chen et al. Artificial multisensory system with optical feedback for multimodal perceptual imaging
JP2019134030A (ja) 光検出器
US20240260340A1 (en) Display apparatus and electronic device
Devnath et al. Ultralow-Power Circuit and Sensing Applications Based on Subthermionic Threshold Switching Transistors
JP2023030471A (ja) 検出装置
KR20210066098A (ko) 생체신호 감지 시스템
JP2020058645A (ja) Ct装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190909

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190925

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6595014

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250