JP2018515339A5 - - Google Patents

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さらに、本発明による触媒は、ASTM規格E986:04に従って電子鏡検法(SEM)によって測定して、1〜100μm、好ましくは5〜80μm、最も好ましくは10〜60μmの間の粒径を好ましくは有する。
さらにより好ましくは、本発明による触媒は、ASTM規格E986:04に従って電子鏡検法(SEM)によって測定して、15〜40μm、より好ましくは17〜35μm、最も好ましくは20〜30μmの間の粒径を有する。
本発明のさらに好ましい実施形態では、触媒は、ASTM規格D6556:10に従ってブルナウアー−エメット−テラー法(BET)によって測定して、60〜400m/g、好ましくは100〜350m/g、最も好ましくは150〜300m/gの間の表面積を有する。
触媒の還元温度は、通常はAg及びCuの塩であるAg及びCuの前駆体が、金属の形態のAg及びCuに変換される温度である。
最終的に、本発明の触媒の金属分散度は、パルス法水素化学吸着によって測定して、好ましくは2%〜20%、より好ましくは4%〜15%、最も好ましくは5%〜12%である。
さらに、上で記述する第1の好ましい実施形態の方法によって得ることができる触媒は、ASTM規格D6556:10によるブルナウアー−エメット−テラー法(BET)に従って測定して、好ましくは150〜300m/g、より好ましくは160〜270m/g、最も好ましくは170〜250m/gの表面積を有する。
最終的に、上で記述する第1の好ましい実施形態の方法によって得ることができる触媒の金属分散度は、パルス法水素化学吸着によって測定して、好ましくは5%〜10%、より好ましくは5.5%〜9%、最も好ましくは6%〜8%である。
上で記述する第2の好ましい実施形態の方法によって得ることができる触媒は、ASTM規格D6556:10に従ってブルナウアー−エメット−テラー法(BET)によって測定して、好ましくは150〜300m/g、好ましくは160〜270m/g、最も好ましくは170〜250m/gの表面積を有する。
最終的に、第2の好ましい実施形態の方法によって得ることができる触媒の金属分散度は、パルス法水素化学吸着によって測定して、好ましくは5%〜20%、より好ましくは7%〜15%、最も好ましくは8%〜12%である。
測定方法
a)表面積
全表面積は、多層ガス吸着挙動のブルナウアー、エメット、及びテラー(B.E.T)理論に基づく方法により、多点法を使用して決定した。この記述した方法は、ASTM規格D6556:10(カーボンブラックの標準試験方法−窒素吸着による全表面積及び外表面積)に従う。
触媒の表面積及び細孔径分布は、それぞれブルナウアー、エメット、及びテラー(B.E.T)法並びにバレット−ジョイナー−ハレンダ(B.J.H.)法を使用して決定した。触媒の窒素吸脱着は、Bel JapanのBelsorp−max装置で、−196℃にて測定した。
c)粒径
触媒の粒径は、電子顕微鏡(SEM)による形態画像を測定した。さらに触媒の形態を決定するために、走査電子鏡検法(SEM、JSM−6301F、JEOL)を使用した。試料を金でコーティングした金属のスタブ上に接着剤(カーボンタップ)により取付け、次に顕微鏡で観察した。記述した方法は、ASTM規格E986:04(走査電子顕微鏡ビームサイズ特性決定の標準的実行)に従う。
e)金属分散度
担持された金属触媒の金属分散の度合いは、パルス法水素化学吸着によって決定される。この方法の一般的な記述は、「M.Alves Fortunato、D.Aubert、C.Capdeillayre、C.Daniel、A.Hadjar、A.Princivalle、C.Guizard、P.Vernoux、Dispersion measurement of platinum supported on Yttria−Stabilised Zirconia by pulse H chemisorption(パルス法水素化学吸着による、イットリアで安定化されたジルコニア上に担持された白金の分散度測定)、Applied Catalysis A:General、Volume403、Issues 1−2、2011、18〜24頁」に見出すことができる。
Figure 2018515339
マイクロシリカとしても知られるヒュームドシリカ(CAS番号112945−52−5)は、二酸化ケイ素(シリカ)の非晶質(非結晶)多形である。これは、ケイ素及びフェロシリコン合金製造の副生成物として集められ、球状粒子からなる超微細粉末である。ヒュームドシリカは、約7nmの粒径、及び約370〜420m/gの表面積を有する。ナノサイズ酸化マグネシウム(CAS番号1309−48−4)は、粒径が50nm以下であるナノ粉末である。
担体の種類及びその粒径の影響を比較するために、例えば従来の酸化マグネシウム(MgO、IE11)及び従来のシリカ(SiO、IE9)、並びにヒュームドシリカ(IE10)及びナノサイズ酸化マグネシウム(IE12)などの、異なる担体を備えた触媒も調製した。後者はもともと小さい粒径を示すが、その表面積は混合されたMgO/SiO担体に匹敵する(161m/g及び173m/g)(表1、IE10及びIE12)。従来のMgOのみ、及び従来のSiOのみの担体(IE9及びIE11)は、82〜71m/gの範囲の著しく小さい粒径を示す。
e)一般的な触媒の試験手順
エタノールの1,3−ブタジエンへの接触転化を、固定床ステンレス鋼反応器中で実行した。反応は、大気圧下350〜400℃で実施した。典型的には、1gの触媒を使用した。反応器内でのエタノールの熱分解を回避するために、以下の手順を適用した:石英ウールの層を反応管の底に配置した。続いて、触媒を1:2の重量比を使用して炭化ケイ素(SiC、Aldrich製200〜450メッシュ粒径)と混合した。反応温度で、触媒の無い空試験を行った。これらの試験中に有意なレベルの転化は検出されなかった(エタノールの熱分解による少量のアセトアルデヒドが観察された)。一定温度に維持したエバポレーター中にエタノールを保持し、キャリアガスとしての窒素とともに反応器に導入した。生成物を、Sigma Aldrich(登録商標)製Porapak(商標)Qカラム、並びに水素炎イオン化検出器(FID)及び熱伝導度検出器(TCD)を使用するメタネーターを装備した、オンラインのガスクロマトグラフ(GC)によって20分毎に分析した。1,3−ブタジエンに加えて、いくらかの量のエチレン、アセトアルデヒド、及び他のC〜C含酸素化合物が副生物として見出された。添加した炭素の総量で割った、分析した生成物中の総炭素量として、炭素収支を計算した。炭素収支は、概して9
5%より良好であった。
g)触媒担体の粒径による触媒活性/失活
Figure 2018515339
ヒュームドシリカ(IE10)及びナノサイズ酸化マグネシウム(IE12)などの、より小さな粒径の触媒担体は、触媒のより良好な性能及び安定性をもたらす。シリカ(SiO)及び酸化マグネシウム(MgO)の混合物は、これらの性質をさらに向上させる(IE1)。

Claims (19)

  1. 担体を含む、エタノールを1,3−ブタジエンへ転化するための触媒であって、
    銀(Ag)及び銅(Cu)が前記担体上に金属の形態で存在し、
    前記担体が第1の金属酸化物を含み、前記担体の前記第1の金属酸化物がシリカであり、
    前記担体が前記第1の金属酸化物と異なる第2の金属酸化物をさらに含み、且つ、前記第2の金属酸化物が酸化マグネシウムである
    ことを特徴とする触媒。
  2. 前記担体の前記シリカがヒュームドシリカである、請求項1に記載の触媒。
  3. 前記酸化マグネシウムがナノサイズ酸化マグネシウムである、請求項1に記載の触媒。
  4. 前記担体中の前記第1の金属酸化物と前記第2の金属酸化物との重量比が、100:1〜1:100の範囲にある、請求項1又は3に記載の触媒。
  5. 前記担体上の銀(Ag)と銅(Cu)との重量比が、10:1〜1:10の範囲にある、請求項1〜4のいずれか一項に記載の触媒。
  6. 前記触媒の粒径が、ASTM規格E986:04に従って電子鏡検法(SEM)によって測定して、1〜100μmの間である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の触媒。
  7. 前記担体上に存在するAg及びCuの組み合わせ重量(金属担持量)が、ASTM規格D4326:04に従って蛍光X線(XRF)法によって測定して、前記触媒の総重量に対して1%〜30%の範囲にある、請求項1〜6のいずれか一項に記載の触媒。
  8. 前記触媒の表面積が、ASTM規格D6556:10に従ってブルナウアー−エメット−テラー法(BET)によって測定して、60〜400m/gの範囲にある、請求項1〜7のいずれか一項に記載の触媒。
  9. 前記触媒の還元温度が、昇温還元法(TPR)によって決定して、200〜280℃である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の触媒。
  10. 前記担体上のAg及びCu金属の分散度が、パルス法水素化学吸着によって測定して、2%〜20%の範囲にある、請求項1〜9のいずれか一項に記載の触媒。
  11. エタノールを1,3−ブタジエンに転化するための触媒を調製する方法であって、
    a)担体をか焼する工程;
    b)前記か焼された担体に銀(Ag)及び銅(Cu)金属の前駆体を含浸する工程;及び
    c)金属の形態の銀(Ag)及び銅(Cu)が前記担体上に存在するように、前記含侵された触媒前駆体を還元して触媒を生じさせる工程
    を含み、
    前記担体が第1の金属酸化物を含み、前記第1の金属酸化物がシリカであり、前記担体の前記シリカがヒュームドシリカであり、
    前記担体が前記第1の金属酸化物とは異なる第2の金属酸化物をさらに含み、そして
    前記方法が、担体をか焼する工程a)の前に、
    a’)前記第1の金属酸化物及び前記第2の金属酸化物を湿式混練して、中間担体を生じさせる工程、及び
    b’)前記中間担体を乾燥させる工程
    を含み、
    且つ、前記第2の金属酸化物が酸化マグネシウム(MgO)であり、前記酸化マグネシウムがナノサイズ酸化マグネシウムである、
    方法。
  12. 前記担体中の前記第1の金属酸化物と前記第2の金属酸化物との重量比が、100:1〜1:100の範囲である、請求項11に記載の方法。
  13. 前記担体上のAgとCuとの重量比が10:1〜1:10の間である、請求項11又は12に記載の方法。
  14. 含侵工程b)の後で還元工程c)の前に、
    a’’)前記含浸された触媒前駆体をろ過する工程;
    b’’)前記ろ過された含浸された触媒前駆体を洗浄する工程;
    c’’)前記洗浄された触媒前駆体を乾燥させる工程;及び
    d’’)前記乾燥された触媒前駆体をか焼する工程
    をさらに含む、請求項11〜13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 含侵工程b)の後で還元工程c)の前に、
    a’’)前記含浸された触媒前駆体をろ過する工程;
    b’’)前記ろ過された含浸された触媒前駆体を洗浄する工程;
    c’’’)前記洗浄された触媒前駆体をマイクロ波処理する工程;及び
    d’’’)前記マイクロ波処理された触媒前駆体をか焼する工程
    をさらに含む、請求項11〜13のいずれか一項に記載の方法。
  16. Ag及びCu金属の前記前駆体が、Ag及びCuの塩である、請求項11〜15のいずれか一項に記載の方法。
  17. Ag及びCu金属の前記前駆体が、Ag及びCuの塩化物、又はAg及びCuの窒化物である、請求項16に記載の方法。
  18. エタノールを1,3−ブタジエンへ転化するための、請求項1〜10のいずれか一項に記載の触媒の使用。
  19. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の触媒を利用することを特徴とする、エタノールの1,3−ブタジエンへの接触転化の方法。
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