JP2018514868A5 - - Google Patents
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本方法のさらなる実施形態によると、専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、宛先アドレスは、命令の実行後、自動インクリメントされる。本方法のさらなる実施形態によると、専用命令の実行に応じて、情報ワードは、不揮発性メモリからバッファの中に転送され、情報は、バッファから揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる。本方法のさらなる実施形態によると、方法はさらに、該専用命令をループ内で繰り返すステップを含んでもよい。本方法のさらなる実施形態によると、集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する。本方法のさらなる実施形態によると、第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、命令の実行後、自動インクリメントされることができる。本方法のさらなる実施形態によると、方法はさらに、マスタ処理コアによって、不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行するステップを含んでもよい。本方法のさらなる実施形態によると、さらなる命令は、第1の情報をバッファの中に転送させ、バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される。本方法のさらなる実施形態によると、さらなる命令は、不揮発性メモリに適用され、第1の情報を出力する、第1のアドレスと、揮発性メモリに適用され、第2の情報を出力する、第2のアドレスとを備える。本方法のさらなる実施形態によると、さらなる命令はさらに、第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する。本方法のさらなる実施形態によると、不揮発性メモリと関連付けられたECCは、不揮発性メモリから読み取られることができ、ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される。本方法のさらなる実施形態によると、第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、保護スキームの設定に依存するコード保護を有する。本方法のさらなる実施形態によると、保護スキームは、不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、保護スキーム内に保護設定を有する。本方法のさらなる実施形態によると、不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する。本方法のさらなる実施形態によると、保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する。本方法のさらなる実施形態によると、揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である。本方法のさらなる実施形態によると、レジスタが、不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する。本方法のさらなる実施形態によると、不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される。本方法のさらなる実施形態によると、セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない。本方法のさらなる実施形態によると、セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る。本方法のさらなる実施形態によると、所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する。本方法のさらなる実施形態によると、不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える。本方法のさらなる実施形態によると、不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
集積回路であって、
不揮発性メモリと結合される中央処理ユニットを有する、マスタ処理コアと、
前記マスタ処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される中央処理ユニットを有する、スレーブ処理コアと、
を備え、
マスタ中央処理ユニットは、プログラム命令を前記スレーブ処理コアの不揮発性メモリの中に転送するように構成され、
前記プログラム命令の転送は、前記マスタ処理コアの中央処理ユニット内で専用命令を実行することによって行われる、
集積回路。
(項目2)
前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
前記専用命令は、情報ワードをバッファの中に転送させ、前記情報は、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、項目1または項目2に記載の集積回路。
(項目4)
前記命令は、前記不揮発性メモリに前記情報を出力させ、それに応じて、前記情報は、前記バッファによって捕捉される、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目5)
前記情報は、24ビットワードである、項目3に記載の集積回路。
(項目6)
前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目7)
前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、項目2−6のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目8)
前記ソースアドレスは、前記マスタ処理コアと関連付けられた周辺デバイスの特殊機能レジスタである、項目2−7のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目9)
前記周辺デバイスは、シリアル通信周辺機器である、項目8に記載の集積回路。
(項目10)
前記周辺デバイスは、パラレル入力ポートである、項目8に記載の集積回路。
(項目11)
前記マスタ処理コアは、前記不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行するようにさらに動作可能である、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目12)
前記さらなる命令は、第1の情報を前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される、項目11に記載の集積回路。
(項目13)
前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、項目11または項目12に記載の集積回路。
(項目14)
前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、項目11−13のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目15)
前記不揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記不揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、項目14に記載の集積回路。
(項目16)
第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目17)
前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、項目16に記載の集積回路。
(項目18)
前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、項目17に記載の集積回路。
(項目19)
前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、項目16−18のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目20)
前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、項目17−19のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目21)
レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、項目17−20のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目22)
前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、項目18−21のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目23)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、項目17−22のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目24)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、項目17−23のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目25)
前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、項目24に記載の集積回路。
(項目26)
前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、項目17−25のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目27)
前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、項目17−26のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目28)
不揮発性メモリと結合される第1の中央処理ユニットを有する、第1の処理コアと、前記第1の処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される第2の中央処理ユニットを有する、第2の処理コアとを備える、マルチコア集積回路処理デバイス内の処理コアのためのファームウェアを提供するための方法であって、
データをスレーブ処理コアの不揮発性メモリの中に書き込ませる、前記第1の中央処理ユニット内の専用命令を実行するステップ
を含む、方法。
(項目29)
前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、項目28に記載の方法。
(項目30)
前記専用命令の実行に応じて、情報ワードは、前記不揮発性メモリからバッファの中に転送され、前記情報は、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、項目28または項目29に記載の方法。
(項目30)
前記専用命令をループ内で繰り返すステップをさらに含む、項目28−30のいずれか1項に記載の方法。
(項目31)
前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、項目28−30のいずれか1項に記載の方法。
(項目32)
前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、項目29−31のいずれか1項に記載の方法。
(項目33)
前記マスタ処理コアによって、前記不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行するステップをさらに含む、項目28−32のいずれか1項に記載の方法。
(項目34)
前記さらなる命令は、第1の情報を前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される、項目33に記載の方法。
(項目35)
前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、項目33または34に記載の方法。
(項目36)
前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、項目33−35のいずれか1項に記載の方法。
(項目37)
前記不揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記不揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、項目36に記載の方法。
(項目38)
前記第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、項目28−37のいずれか1項に記載の方法。
(項目39)
前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、項目38に記載の方法。
(項目40)
前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、項目38または項目39に記載の方法。
(項目41)
前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、項目39または項目40に記載の方法。
(項目42)
前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、項目39−41のいずれか1項に記載の方法。
(項目43)
レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、項目42に記載の方法。
(項目44)
前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、項目40−43のいずれか1項に記載の方法。
(項目45)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、項目39−44のいずれか1項に記載の方法。
(項目46)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、項目39−45のいずれか1項に記載の方法。
(項目47)
前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、項目46に記載の方法。
(項目48)
前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、項目28−47のいずれか1項に記載の方法。
(項目49)
前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、項目28−48のいずれか1項に記載の方法。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
集積回路であって、
不揮発性メモリと結合される中央処理ユニットを有する、マスタ処理コアと、
前記マスタ処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される中央処理ユニットを有する、スレーブ処理コアと、
を備え、
マスタ中央処理ユニットは、プログラム命令を前記スレーブ処理コアの不揮発性メモリの中に転送するように構成され、
前記プログラム命令の転送は、前記マスタ処理コアの中央処理ユニット内で専用命令を実行することによって行われる、
集積回路。
(項目2)
前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
前記専用命令は、情報ワードをバッファの中に転送させ、前記情報は、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、項目1または項目2に記載の集積回路。
(項目4)
前記命令は、前記不揮発性メモリに前記情報を出力させ、それに応じて、前記情報は、前記バッファによって捕捉される、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目5)
前記情報は、24ビットワードである、項目3に記載の集積回路。
(項目6)
前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目7)
前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、項目2−6のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目8)
前記ソースアドレスは、前記マスタ処理コアと関連付けられた周辺デバイスの特殊機能レジスタである、項目2−7のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目9)
前記周辺デバイスは、シリアル通信周辺機器である、項目8に記載の集積回路。
(項目10)
前記周辺デバイスは、パラレル入力ポートである、項目8に記載の集積回路。
(項目11)
前記マスタ処理コアは、前記不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行するようにさらに動作可能である、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目12)
前記さらなる命令は、第1の情報を前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される、項目11に記載の集積回路。
(項目13)
前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、項目11または項目12に記載の集積回路。
(項目14)
前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、項目11−13のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目15)
前記不揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記不揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、項目14に記載の集積回路。
(項目16)
第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、前記項目のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目17)
前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、項目16に記載の集積回路。
(項目18)
前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、項目17に記載の集積回路。
(項目19)
前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、項目16−18のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目20)
前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、項目17−19のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目21)
レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、項目17−20のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目22)
前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、項目18−21のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目23)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、項目17−22のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目24)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、項目17−23のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目25)
前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、項目24に記載の集積回路。
(項目26)
前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、項目17−25のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目27)
前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、項目17−26のいずれか1項に記載の集積回路。
(項目28)
不揮発性メモリと結合される第1の中央処理ユニットを有する、第1の処理コアと、前記第1の処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される第2の中央処理ユニットを有する、第2の処理コアとを備える、マルチコア集積回路処理デバイス内の処理コアのためのファームウェアを提供するための方法であって、
データをスレーブ処理コアの不揮発性メモリの中に書き込ませる、前記第1の中央処理ユニット内の専用命令を実行するステップ
を含む、方法。
(項目29)
前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、項目28に記載の方法。
(項目30)
前記専用命令の実行に応じて、情報ワードは、前記不揮発性メモリからバッファの中に転送され、前記情報は、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、項目28または項目29に記載の方法。
(項目30)
前記専用命令をループ内で繰り返すステップをさらに含む、項目28−30のいずれか1項に記載の方法。
(項目31)
前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、項目28−30のいずれか1項に記載の方法。
(項目32)
前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、項目29−31のいずれか1項に記載の方法。
(項目33)
前記マスタ処理コアによって、前記不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行するステップをさらに含む、項目28−32のいずれか1項に記載の方法。
(項目34)
前記さらなる命令は、第1の情報を前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される、項目33に記載の方法。
(項目35)
前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、項目33または34に記載の方法。
(項目36)
前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、項目33−35のいずれか1項に記載の方法。
(項目37)
前記不揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記不揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、項目36に記載の方法。
(項目38)
前記第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、項目28−37のいずれか1項に記載の方法。
(項目39)
前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、項目38に記載の方法。
(項目40)
前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、項目38または項目39に記載の方法。
(項目41)
前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、項目39または項目40に記載の方法。
(項目42)
前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、項目39−41のいずれか1項に記載の方法。
(項目43)
レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、項目42に記載の方法。
(項目44)
前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、項目40−43のいずれか1項に記載の方法。
(項目45)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、項目39−44のいずれか1項に記載の方法。
(項目46)
セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、項目39−45のいずれか1項に記載の方法。
(項目47)
前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、項目46に記載の方法。
(項目48)
前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、項目28−47のいずれか1項に記載の方法。
(項目49)
前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、項目28−48のいずれか1項に記載の方法。
Claims (54)
- 集積回路であって、
不揮発性メモリと結合される中央処理ユニットを有する、マスタ処理コアと、
前記マスタ処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される中央処理ユニットを有する、スレーブ処理コアと
を備え、
マスタ中央処理ユニットは、プログラム命令を前記スレーブ処理コアの揮発性メモリの中に直接に転送するように構成され、
前記プログラム命令の転送は、前記マスタ処理コアの中央処理ユニット内で専用命令を実行することによってのみ行われることができる、集積回路。 - 前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、請求項1に記載の集積回路。
- 前記専用命令は、それらを実行しているマスタプロセッサのデータ幅より広いデータを移動させるように構成される、請求項1に記載の集積回路。
- 前記スレーブ処理コアの前記揮発性メモリは、少なくとも2つのパネルを有し、1つのパネルのみは、前記スレーブ処理コアに対してアクティブであり、前記マスタ処理コアは、プログラム命令のみを非アクティブパネルの中に転送するように構成される、請求項1に記載の集積回路。
- 前記専用命令は、情報ワードをバッファの中に転送させ、前記情報ワードは、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、請求項1に記載の集積回路。
- 前記命令は、前記不揮発性メモリに前記情報ワードを出力させ、それに応じて、前記情報ワードは、前記バッファによって捕捉される、請求項5に記載の集積回路。
- 前記情報は、24ビットワードである、請求項5に記載の集積回路。
- 前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、前記請求項のいずれか1項に記載の集積回路。
- 前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、請求項2に記載の集積回路。
- 前記ソースアドレスは、前記マスタ処理コアと関連付けられた周辺デバイスの特殊機能レジスタ内に記憶される、請求項2に記載の集積回路。
- 前記周辺デバイスは、シリアル通信周辺機器である、請求項10に記載の集積回路。
- 前記周辺デバイスは、パラレル入力ポートである、請求項10に記載の集積回路。
- 前記マスタ処理コアは、前記揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報ワードを検証するさらなる命令を実行するようにさらに動作可能である、前記請求項のいずれか1項に記載の集積回路。
- 前記さらなる命令は、第1の情報ワードを前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報ワードと比較される、請求項13に記載の集積回路。
- 前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、請求項13に記載の集積回路。
- 前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報ワードと関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、請求項13に記載の集積回路。
- 前記揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、請求項16に記載の集積回路。
- 第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、前記請求項のいずれか1項に記載の集積回路。
- 前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、請求項18に記載の集積回路。
- 前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、請求項19に記載の集積回路。
- 前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、請求項18に記載の集積回路。
- 前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、請求項19に記載の集積回路。
- レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、請求項19に記載の集積回路。
- 前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、請求項20に記載の集積回路。
- セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、請求項19に記載の集積回路。
- セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、請求項19に記載の集積回路。
- 前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、請求項26に記載の集積回路。
- 前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、請求項19に記載の集積回路。
- 前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、請求項19に記載の集積回路。
- 不揮発性メモリと結合される第1の中央処理ユニットを有する、第1の処理コアと、前記第1の処理コアから独立して動作し、揮発性プログラムメモリと結合される第2の中央処理ユニットを有する、第2の処理コアとを備える、マルチコア集積回路処理デバイス内の処理コアのためのファームウェアを提供するための方法であって、前記方法は、
データをスレーブ処理コアの揮発性メモリの中に書き込ませる、前記第1の中央処理ユニット内の専用命令を実行することを含む、方法。 - 前記専用命令は、ソースアドレスを定義する第1のオペランドと、宛先アドレスを定義する第2のオペランドとを有し、前記宛先アドレスは、前記命令の実行後、自動インクリメントされる、請求項30に記載の方法。
- 前記専用命令は、それらを実行しているマスタプロセッサのデータ幅より広いデータを移動させるように構成される、請求項30に記載の方法。
- 前記スレーブ処理コアの前記揮発性メモリは、少なくとも2つのパネルを有し、1つのパネルのみは、前記スレーブ処理コアに対してアクティブであり、マスタ処理コアは、プログラム命令のみを非アクティブパネルの中に転送するように構成される、請求項30に記載の方法。
- 前記専用命令の実行に応じて、情報ワードは、前記不揮発性メモリからバッファの中に転送され、前記情報は、前記バッファから前記揮発性プログラムメモリの中に書き込まれる、請求項30に記載の方法。
- 前記専用命令をループ内で繰り返すことをさらに含む、請求項30に記載の方法。
- 前記集積回路は、複数のスレーブ処理コアを備え、前記専用命令は、標的スレーブ処理ユニットを定義する第3のオペランドを有する、請求項30に記載の方法。
- 前記第1のオペランド内に記憶されるソースアドレスは、随意に、前記命令の実行後、自動インクリメントされることができる、請求項31に記載の方法。
- マスタ処理コアによって、前記不揮発性プログラムメモリ内に記憶される情報を検証するさらなる命令を実行することをさらに含む、請求項30に記載の方法。
- 前記さらなる命令は、第1の情報を前記バッファの中に転送させ、前記バッファのコンテンツは、揮発性メモリ内に記憶される第2の情報と比較される、請求項38に記載の方法。
- 前記さらなる命令は、前記不揮発性メモリに適用されて前記第1の情報を出力する第1のアドレスと、揮発性メモリに適用されて前記第2の情報を出力する第2のアドレスとを備える、請求項38に記載の方法。
- 前記さらなる命令はさらに、前記第1および第2の情報と関連付けられたエラー補正コード(ECC)を検証する、請求項38に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリと関連付けられたECCは、前記不揮発性メモリから読み取られることができ、前記ソースと関連付けられたECCは、別個に生成される、請求項41に記載の方法。
- 前記第1の処理コアの不揮発性メモリは、保護スキームによって定義されたコード保護を備え、スレーブ処理ユニットの揮発性プログラムメモリは、前記保護スキームの設定に依存するコード保護を有する、請求項30に記載の方法。
- 前記保護スキームは、前記不揮発性メモリの複数のセグメントを定義し、各セグメントは、前記保護スキーム内に保護設定を有する、請求項43に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリのための各保護設定は、読取動作のための設定と、プログラムまたは消去動作のための設定とを有する、請求項43に記載の方法。
- 前記保護スキームは、所定の数のセキュリティレベルを提供し、各セキュリティレベルは、セグメント毎に保護設定を定義する、請求項44に記載の方法。
- 前記揮発性プログラムメモリのためのコード保護は、前記不揮発性メモリのセグメントのうちの1つのためのコード保護と同一である、請求項44に記載の方法。
- レジスタが、前記不揮発性メモリのどのセグメントが揮発性メモリのためのコード保護設定を提供するように選択されるかを記憶する、請求項47に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリの読取動作のための設定は、揮発性メモリの読取および書込動作に適用される、請求項45に記載の方法。
- セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される命令は、異なるセグメント上で動作し得ない、請求項44に記載の方法。
- セグメントが保護されるとき、保護設定に応じて、1つのセグメントから実行される読取命令は、異なるセグメントの所定のエリア上のみで動作し得る、請求項44に記載の方法。
- 前記所定のエリアは、インタラプトベクトルを記憶する、請求項51に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリは、ブートセグメントと、一般セグメントとを備える、請求項30に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリはさらに、試験セグメントを備える、請求項30に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562154927P | 2015-04-30 | 2015-04-30 | |
US62/154,927 | 2015-04-30 | ||
US201562195692P | 2015-07-22 | 2015-07-22 | |
US62/195,692 | 2015-07-22 | ||
PCT/US2016/030159 WO2016176593A1 (en) | 2015-04-30 | 2016-04-29 | Central processing unit with enhanced instruction set |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018514868A JP2018514868A (ja) | 2018-06-07 |
JP2018514868A5 true JP2018514868A5 (ja) | 2019-05-23 |
Family
ID=55963480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017554326A Pending JP2018514868A (ja) | 2015-04-30 | 2016-04-29 | 改良された命令セットを有する中央処理ユニット |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10983931B2 (ja) |
EP (1) | EP3289442B1 (ja) |
JP (1) | JP2018514868A (ja) |
KR (1) | KR20170140225A (ja) |
CN (1) | CN107548492B (ja) |
TW (1) | TW201706856A (ja) |
WO (1) | WO2016176593A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10019314B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-07-10 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
CN111679787B (zh) | 2016-04-27 | 2023-07-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法 |
EP3536740A4 (en) | 2016-11-04 | 2019-11-13 | LG Chem, Ltd. | THERMOSETTING COMPOSITION |
DE112018000842T5 (de) * | 2017-06-12 | 2019-12-24 | Sandisk Technologies Llc | Mehrkern-on-die-speichermikrocontroller |
KR102032146B1 (ko) | 2018-04-11 | 2019-10-15 | 경희대학교 산학협력단 | 소자 결점을 보완하기 위한 구간 선형 정류 유닛을 사용하는 인공신경망 시스템 |
CN111382429B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-12-27 | 华为技术有限公司 | 指令的执行方法、装置及存储介质 |
CN109886416A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-06-14 | 京微齐力(北京)科技有限公司 | 集成人工智能模块的系统芯片及机器学习方法 |
CN109870921B (zh) * | 2019-03-26 | 2022-04-01 | 广东美的制冷设备有限公司 | 驱动控制电路与家电设备 |
TWI715371B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-01-01 | 新唐科技股份有限公司 | 一次性可編程記憶體裝置及其容錯方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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RU2580016C1 (ru) * | 2014-10-17 | 2016-04-10 | Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского" | Способ передачи управления между областями памяти |
-
2016
- 2016-04-29 US US15/141,823 patent/US10983931B2/en active Active
- 2016-04-29 EP EP16722012.8A patent/EP3289442B1/en active Active
- 2016-04-29 KR KR1020177030823A patent/KR20170140225A/ko unknown
- 2016-04-29 CN CN201680024293.4A patent/CN107548492B/zh active Active
- 2016-04-29 WO PCT/US2016/030159 patent/WO2016176593A1/en unknown
- 2016-04-29 JP JP2017554326A patent/JP2018514868A/ja active Pending
- 2016-05-02 TW TW105113680A patent/TW201706856A/zh unknown
-
2019
- 2019-01-17 US US16/250,274 patent/US10776292B2/en active Active
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