JP2018190915A - Electronic component and manufacturing method of the same - Google Patents

Electronic component and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
JP2018190915A
JP2018190915A JP2017094578A JP2017094578A JP2018190915A JP 2018190915 A JP2018190915 A JP 2018190915A JP 2017094578 A JP2017094578 A JP 2017094578A JP 2017094578 A JP2017094578 A JP 2017094578A JP 2018190915 A JP2018190915 A JP 2018190915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
terminals
terminal
conductor patterns
laminate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017094578A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
武史 小坂
Takeshi Kosaka
武史 小坂
天野 崇
Takashi Amano
崇 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2017094578A priority Critical patent/JP2018190915A/en
Publication of JP2018190915A publication Critical patent/JP2018190915A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To miniaturize a laminate body and uniform a thickness of a terminal.SOLUTION: A diplexer 100 comprises: a laminate body 10 to which a plurality of dielectric layers is laminated and which has an upper surface and a lower surface; a plurality of conductive patterns provided into the laminate body; a first terminal that is included in a plurality of terminals 20 provided onto the lower surface of the laminate body, and includes a first metal layer and a second metal layer provided to the side opposite to the laminate body of the first metal layer; third metal layers that are included in the plurality of terminals, that are provided so as not to be conducted in a DC current with another terminal of the plurality of terminals through any of the conductive patterns and conducted in the DC current with each other through at least one of the plurality of conductive patterns, and each of which is thinner than the first metal layer; a fourth metal layer that is provided to the side opposite to the laminate body of the third metal layer, and is thicker than the second metal layer and is made of the material similar to the second metal layer; and a plurality of second terminals of which an area of a sum is larger than that of the first terminal.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、例えば複数の誘電体層が積層された電子部品およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component and a manufacturing method thereof, for example, an electronic component in which a plurality of dielectric layers are stacked and a manufacturing method thereof.

スマートホンや携帯電話等の無線通信端末等に用いられる電子部品として、内部に複数の導電体パターンを有し誘電体層を積層した積層体を有する電子部品が知られている。電子部品の小型化のため、積層体の下面に端子(ランド電極)を有するLGA(Land Grid Array)を用いることが知られている。端子の厚さを均一化するため、端子の一部と直流(DC:Direct Current)的に接続されたメッキ用電極を積層体の表面に設けることが知られている(例えば特許文献1)。   2. Description of the Related Art As electronic parts used for wireless communication terminals such as smart phones and mobile phones, electronic parts having a laminate in which a plurality of conductive patterns are laminated and dielectric layers are laminated are known. It is known to use an LGA (Land Grid Array) having a terminal (land electrode) on the lower surface of a laminated body for downsizing of electronic components. In order to make the thickness of the terminal uniform, it is known that a plating electrode connected to a part of the terminal in a direct current (DC) manner is provided on the surface of the laminate (for example, Patent Document 1).

特開2016−39334号公報JP 2016-39334 A

しかしながら、メッキ用電極は、周辺の導電体パターンと高周波的に干渉する。このような干渉を抑制しようとすると、メッキ用電極と導電体パターンとの間にスペースを確保することになる。これにより、電子部品が大型化する。   However, the plating electrode interferes with the surrounding conductor pattern at a high frequency. In order to suppress such interference, a space is secured between the plating electrode and the conductor pattern. This increases the size of the electronic component.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、積層体の小型化および端子の厚さの均一化を目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and aims to reduce the size of the laminate and make the thickness of the terminals uniform.

本発明は、複数の誘電体層が積層され、上面および下面を有する積層体と、前記積層体内に設けられた複数の導電体パターンと、前記積層体の前記下面に設けられた複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通しないように設けられ、第1金属層と、前記第1金属層の前記積層体と反対側に設けられた第2金属層と、を備える第1端子と、前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられ、各々、前記第1金属層より薄い第3金属層と、前記第3金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第2金属層と同じ材料からなる第4金属層と、を備え、合計の面積が前記第1端子の面積より大きい複数の第2端子と、を具備する電子部品である。   The present invention provides a laminate having a plurality of dielectric layers laminated, having an upper surface and a lower surface, a plurality of conductor patterns provided in the laminate, and a plurality of terminals provided on the lower surface of the laminate. The first metal layer and the laminate of the first metal layer are provided so as not to be electrically connected to other terminals among the plurality of terminals through a direct current through any of the plurality of conductor patterns. And a second metal layer provided on the opposite side of the first terminal, and the second terminal included in the plurality of terminals, and the other terminal among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns A third metal layer that is not conductive by a direct current and is conductive by a direct current through at least one of the plurality of conductor patterns, each being thinner than the first metal layer; and the third metal layer Provided on the opposite side of the laminate, and A fourth metal layer thicker than two metal layers and made of the same material as the second metal layer, and a plurality of second terminals having a total area larger than the area of the first terminal. .

上記構成において、前記第2金属層および前記第4金属層は、前記第1金属層および前記第3金属層より融点の低い金属層を含む構成とすることができる。   In the above configuration, the second metal layer and the fourth metal layer may include a metal layer having a melting point lower than that of the first metal layer and the third metal layer.

上記構成において、前記第1端子と前記第2端子との厚さの差は、前記第2金属層と前記第4金属層との厚さの差より小さい構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The difference of the thickness of the said 1st terminal and the said 2nd terminal can be set as the structure smaller than the difference of the thickness of the said 2nd metal layer and the said 4th metal layer.

上記構成において、前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子に直流電流で導通しないように設けられ、複数のとき前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられ、各々、前記第1金属層より薄く前記第3金属層より厚い第5金属層と、前記第5金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第4金属層より薄く前記第2金属層および前記第4金属層と同じ材料からなる第6金属層と、を備え、合計の面積が前記第1端子の面積より大きく前記複数の第2端子の合計の面積より小さい1または複数の第3端子を具備する構成とすることができる。   In the above-described configuration, it is included in the plurality of terminals, and is provided so as not to be conducted with a direct current to other terminals among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns. A fifth metal layer that is provided so as to conduct with a direct current through at least one of the conductor patterns, each being thinner than the first metal layer and thicker than the third metal layer, and the laminated layer of the fifth metal layer A sixth metal layer which is provided on the opposite side of the body and is thicker than the second metal layer and thinner than the fourth metal layer and made of the same material as the second metal layer and the fourth metal layer, and has a total area Can be configured to include one or more third terminals that are larger than the area of the first terminals and smaller than the total area of the plurality of second terminals.

上記構成において、前記複数の導電体パターンの少なくとも1つから形成された1または複数のインダクタと、前記複数の導電体パターンの少なくとも1つから形成された1または複数のキャパシタと、を具備し、前記第1端子および前記複数の第2端子の少なくとも一方の端子は、前記1または複数のキャパシタの少なくとも1つを介し前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通しないように設けられ、前記複数の第2端子は、前記1または複数のインダクタの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられている構成とすることができる。   In the above-mentioned configuration, it comprises one or more inductors formed from at least one of the plurality of conductor patterns, and one or more capacitors formed from at least one of the plurality of conductor patterns, At least one terminal of the first terminal and the plurality of second terminals is provided so as not to be electrically connected to other terminals of the plurality of terminals by direct current through at least one of the one or more capacitors, The plurality of second terminals may be configured to be electrically connected to each other with a direct current through at least one of the one or more inductors.

上記構成において、前記1または複数のインダクタの少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタの少なくとも1つを有するフィルタを具備する構成とすることができる。   In the above configuration, a filter having at least one of the one or more inductors and at least one of the one or more capacitors may be provided.

上記構成において、前記1または複数のインダクタのうち少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタのうち少なくとも1つを有する第1フィルタと、前記1または複数のインダクタのうち別の少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタのうち別の少なくとも1つを有する第2フィルタと、を含むマルチプレクサを具備する構成とすることができる。   In the above configuration, a first filter having at least one of the one or more inductors and at least one of the one or more capacitors, at least one other of the one or more inductors and the 1 Or it can be set as the structure provided with the multiplexer containing the 2nd filter which has another at least 1 among several capacitors.

上記構成において、前記積層体は、直方体形状であり、前記直方体のうち最も大きい面の短辺および長辺は、それぞれ0.8mm以下および1.6mm以下である構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The said laminated body is a rectangular parallelepiped shape, The short side and long side of the largest surface among the said rectangular parallelepiped can be set as the structure which is 0.8 mm or less and 1.6 mm or less, respectively.

上記構成において、前記積層体の前記上面には他の電子部品を実装する端子は設けられていない構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: It can be set as the structure by which the terminal which mounts another electronic component is not provided in the said upper surface of the said laminated body.

本発明は、上面および下面を有する積層体内に複数の導電体パターンが設けられ、複数の誘電体層が積層された前記積層体を形成する工程と、前記積層体の前記下面に設けられる複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流が導通しないように設けられた第1端子の一部である第1金属層と、前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流が導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流が導通するように設けられ、合計の面積が前記第1端子の面積より大きい複数の第2端子の一部であり、前記第1金属層より薄い第3金属層を形成する工程と、前記第1金属層および前記第3金属層を形成した後、前記第1金属層の前記積層体と反対側に第2金属層と、前記第3金属層の前記積層体の反対側に前記第2金属層より厚い第4金属層と、を同時に、バレルメッキ法を用い形成する工程と、を含む電子部品の製造方法である。   The present invention includes a step of forming the laminate in which a plurality of conductor patterns are provided in a laminate having an upper surface and a lower surface, and a plurality of dielectric layers are laminated, and a plurality of layers provided on the lower surface of the laminate. A first metal layer that is included in the terminal and is a part of a first terminal provided so that a direct current is not conducted to other terminals among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns; , Included in the plurality of terminals, through which any of the plurality of conductor patterns does not conduct direct current to other terminals of the plurality of terminals and through at least one of the plurality of conductor patterns. Forming a third metal layer that is provided so that direct currents are conducted to each other, the total area being a part of a plurality of second terminals larger than the area of the first terminal, and being thinner than the first metal layer; The first metal layer and the front After forming the third metal layer, a second metal layer on the opposite side of the stacked body of the first metal layer, and a fourth thicker than the second metal layer on the opposite side of the stacked body of the third metal layer. Forming a metal layer at the same time using a barrel plating method.

上記構成において、前記第1金属層および前記第3金属層を形成する工程の後、前記積層体を個片化する工程と、前記個片化する工程の後、前記積層体を焼成する工程と、を含み、前記第2金属層および前記第4金属層を形成する工程は、個片化された積層体に前記焼成する工程の焼成温度より融点の低い金属層を含む前記第2金属層および前記第4金属層を同時にバレルメッキ法を用い形成する工程である構成とすることができる。   In the above configuration, after the step of forming the first metal layer and the third metal layer, the step of dividing the laminate, and the step of firing the laminate after the step of dividing And the step of forming the second metal layer and the fourth metal layer includes the second metal layer including a metal layer having a melting point lower than the firing temperature of the step of firing the separated laminate. The fourth metal layer can be formed at the same time using a barrel plating method.

本発明は、複数の誘電体層が積層され、上面および下面を有する積層体と、前記積層体内に設けられた複数の導電体パターンと、前記積層体の前記下面に設けられた複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するよう設けられ、各々、第1金属層と、前記第1金属層の前記積層体と反対側に設けられた第2金属層と、を備える複数の第1端子と、前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するよう設けられ、各々、前記第1金属層より薄い第3金属層と、前記第3金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第2金属層と同じ材料からなる第4金属層と、を備え、合計の面積が前記複数の第1端子の合計の面積より大きい複数の第2端子と、を具備する電子部品である。   The present invention provides a laminate having a plurality of dielectric layers laminated, having an upper surface and a lower surface, a plurality of conductor patterns provided in the laminate, and a plurality of terminals provided on the lower surface of the laminate. Included, and does not conduct with other DC terminals among the plurality of terminals by DC current through any of the plurality of conductor patterns, and conducts by DC current with each other through at least one of the plurality of conductor patterns. A plurality of first terminals each including a first metal layer and a second metal layer provided on the opposite side of the stacked body of the first metal layer, and included in the plurality of terminals. The conductive patterns are not connected to the other terminals of the plurality of terminals by a direct current through any of the plurality of conductive patterns, and are connected to each other by a direct current through at least one of the plurality of conductive patterns. Each of the above A third metal layer that is thinner than the metal layer, and a fourth metal layer that is provided on the opposite side of the laminate of the third metal layer and that is thicker than the second metal layer and made of the same material as the second metal layer. And a plurality of second terminals having a total area larger than a total area of the plurality of first terminals.

本発明によれば、積層体の小型化および端子の厚さの均一化が可能となる。   According to the present invention, it is possible to reduce the size of the laminate and make the thickness of the terminals uniform.

図1は、実施例1に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a diplexer according to the first embodiment. 図2(a)および図2(b)は、実施例1に係るダイプレクサの斜視図およびB−B断面図である。FIG. 2A and FIG. 2B are a perspective view and a BB cross-sectional view of the diplexer according to the first embodiment. 図3は、実施例1における積層体の解体斜視図(その1)である。FIG. 3 is a disassembled perspective view (No. 1) of the laminate in the first embodiment. 図4は、実施例1における積層体の解体斜視図(その2)である。FIG. 4 is a disassembled perspective view (No. 2) of the laminate in the first embodiment. 図5は、実施例1に係るダイプレクサの製造方法を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating the manufacturing method of the diplexer according to the first embodiment. 図6(a)および図6(b)は、比較例1に係るダイプレクサの断面図である。6A and 6B are cross-sectional views of a diplexer according to Comparative Example 1. FIG. 図7(a)および図7(b)は、実施例1に係るダイプレクサの断面図である。FIG. 7A and FIG. 7B are cross-sectional views of the diplexer according to the first embodiment. 図8(a)から図8(c)は、実施例1における金属層21の形成方法を示す断面図である。FIG. 8A to FIG. 8C are cross-sectional views illustrating a method for forming the metal layer 21 in the first embodiment. 図9(a)から図9(c)は、実施例1における金属層21の別の形成方法を示す断面図である。FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views showing another method for forming the metal layer 21 in the first embodiment. 図10は、実施例2に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram of a diplexer according to the second embodiment. 図11は、実施例2に係るダイプレクサの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of the diplexer according to the second embodiment. 図12(a)および図12(b)は、実施例2に係るダイプレクサの断面図である。12A and 12B are cross-sectional views of the diplexer according to the second embodiment. 図13は、実施例3に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram of a diplexer according to the third embodiment. 図14は、実施例3に係るダイプレクサの斜視図である。FIG. 14 is a perspective view of the diplexer according to the third embodiment.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

電子部品としてダイプレクサを例に説明する。図1は、実施例1に係るダイプレクサの回路図である。図1に示すように、ダイプレクサ100において共通端子Taと端子T1との間にLPF(ローパスフィルタ)24が接続されている。共通端子Taと端子T2との間にHPF(ハイパスフィルタ)26が接続されている。LPF24およびHPF26のグランド側はグランド端子Tgに接続されている。   A diplexer will be described as an example of the electronic component. FIG. 1 is a circuit diagram of a diplexer according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, in the diplexer 100, an LPF (low-pass filter) 24 is connected between a common terminal Ta and a terminal T1. An HPF (High Pass Filter) 26 is connected between the common terminal Ta and the terminal T2. The ground sides of the LPF 24 and the HPF 26 are connected to the ground terminal Tg.

LPF24はインダクタL11およびL12とキャパシタC11からC13を備えている。インダクタL11およびL12は共通端子Taと端子T1との間に直列に接続されている。キャパシタC11はインダクタL12に並列に接続されている。キャパシタC12およびC13は、それぞれノードN1とグランド端子Tgとの間およびノードN2とグランド端子Tgとの間にそれぞれ接続されている。   The LPF 24 includes inductors L11 and L12 and capacitors C11 to C13. The inductors L11 and L12 are connected in series between the common terminal Ta and the terminal T1. The capacitor C11 is connected in parallel with the inductor L12. The capacitors C12 and C13 are respectively connected between the node N1 and the ground terminal Tg and between the node N2 and the ground terminal Tg.

HPF26は、インダクタL21およびキャパシタC21からC23を備えている。キャパシタC21およびC23は共通端子Taと端子T2との間に直列に接続されている。キャパシタC22およびインダクタL21はキャパシタC21とC23との間のノードN3とグランド端子Tgとの間に直列に接続されている。   The HPF 26 includes an inductor L21 and capacitors C21 to C23. The capacitors C21 and C23 are connected in series between the common terminal Ta and the terminal T2. The capacitor C22 and the inductor L21 are connected in series between the node N3 between the capacitors C21 and C23 and the ground terminal Tg.

各インダクタのインダクタンスは、例えば以下である。
L11:7nH、L12:4nH、L21:6nH
各キャパシタのキャパシタンスは以下である。
C11:2pF、C12:4pF、C13:2.5pF
C21:2.5pF、C22:5pF、C23:3pF
各フィルタの通過帯域は、例えば以下の周波数帯域を含むように設定されている。
LPF24:669MHz〜960MHz
HPF26:1710MHz〜2690MHz
For example, the inductance of each inductor is as follows.
L11: 7nH, L12: 4nH, L21: 6nH
The capacitance of each capacitor is as follows.
C11: 2pF, C12: 4pF, C13: 2.5pF
C21: 2.5 pF, C22: 5 pF, C23: 3 pF
The pass band of each filter is set to include the following frequency bands, for example.
LPF24: 669MHz to 960MHz
HPF26: 1710MHz-2690MHz

LPF24は、共通端子Ta(または端子T1)に入力する高周波信号のうち通過帯域内の信号を端子T1(または共通端子Ta)に通過させHPF26の通過帯域の信号を抑圧する。HPF26は、共通端子Ta(または端子T2)に入力する高周波信号のうち通過帯域内の信号を端子T2(または共通端子Ta)に通過させLPF24の通過帯域の信号を抑圧する。共通端子Taには例えばアンテナが接続される。端子T1およびT2には例えば高周波スイッチ等を介してそれぞれ低周波帯域用および高周波帯域用のデュプレクサが接続される。   The LPF 24 suppresses the signal in the pass band of the HPF 26 by passing the signal in the pass band among the high-frequency signals input to the common terminal Ta (or terminal T1) to the terminal T1 (or common terminal Ta). The HPF 26 passes a signal in the pass band of the high-frequency signal input to the common terminal Ta (or terminal T2) to the terminal T2 (or common terminal Ta), and suppresses the signal in the pass band of the LPF 24. For example, an antenna is connected to the common terminal Ta. For example, a low frequency band duplexer and a high frequency band duplexer are connected to the terminals T1 and T2 through high frequency switches, for example.

図2(a)および図2(b)は、実施例1に係るダイプレクサの斜視図およびB−B断面図である。図2(a)は、積層体10を透過して端子電極20を図示している。以下の斜視図も同様である。図2(a)および図2(b)に示すように、積層体10の下面に端子電極20が設けられている。端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2およびグランド端子Tgを含む。端子電極20はLGAのランド電極であり、図2(b)のように、マザーボード30(回路基板または配線基板)に接続するための端子である。このため、全ての端子が積層体10の下面に設けられている。端子電極20は、積層体10の下面に設けられた金属層21と、金属層21の積層体10と反対側に設けられた金属層22と、を有する。   FIG. 2A and FIG. 2B are a perspective view and a BB cross-sectional view of the diplexer according to the first embodiment. FIG. 2A shows the terminal electrode 20 through the laminate 10. The same applies to the following perspective views. As shown in FIGS. 2A and 2B, the terminal electrode 20 is provided on the lower surface of the laminate 10. The terminal electrode 20 includes a common terminal Ta, terminals T1 and T2, and a ground terminal Tg. The terminal electrode 20 is an LGA land electrode and is a terminal for connection to a mother board 30 (circuit board or wiring board) as shown in FIG. For this reason, all the terminals are provided on the lower surface of the laminate 10. The terminal electrode 20 includes a metal layer 21 provided on the lower surface of the stacked body 10 and a metal layer 22 provided on the opposite side of the stacked body 10 of the metal layer 21.

端子電極20の大きさおよび面積は、例えば以下である。
共通端子Ta:180μm×125μm、22500μm
端子T1:180μm×400μm、72000μm
端子T2:180μm×400μm、72000μm
グランド端子Tg:180μm×125μm、22500μm
The size and area of the terminal electrode 20 are as follows, for example.
Common terminal Ta: 180 μm × 125 μm, 22,500 μm 2
Terminal T1: 180 μm × 400 μm, 72000 μm 2
Terminal T2: 180 μm × 400 μm, 72000 μm 2
Ground terminal Tg: 180 μm × 125 μm, 22,500 μm 2

共通端子Taと端子T1とは図1のようにインダクタL11およびL12を介し直流的に接続されている(図2(a)の実線52)。端子T2およびグランド端子Tgは、他の端子との間にキャパシタC12、C13またはC22が接続されており、他の端子と直流的に接続されていない。   The common terminal Ta and the terminal T1 are connected in a DC manner via inductors L11 and L12 as shown in FIG. 1 (solid line 52 in FIG. 2A). The capacitor C12, C13, or C22 is connected between the terminal T2 and the ground terminal Tg between the other terminals, and is not connected to the other terminals in a direct current manner.

図3および図4は、実施例1における積層体の解体斜視図である。図3および図4に示すように、複数の誘電体層11aから11iが積層されている。誘電体層11bから11iの間に導電体パターン12bから12iが形成されている。誘電体層11iの下面に端子電極20が形成されている。端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2およびグランド端子Tgに対応する。   3 and 4 are exploded perspective views of the laminated body in Example 1. FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of dielectric layers 11a to 11i are stacked. Conductor patterns 12b to 12i are formed between the dielectric layers 11b to 11i. A terminal electrode 20 is formed on the lower surface of the dielectric layer 11i. The terminal electrode 20 corresponds to the common terminal Ta, the terminals T1 and T2, and the ground terminal Tg.

導電体パターン12bから12iはインダクタのコイル14およびキャパシタの電極15を形成する。導電体パターン12bから12i間はビア配線13により接続される。ビア配線13の接続は垂直方向の破線で示す。この例では、導電体パターン12bおよび12cにより、インダクタL11およびL21が形成され、導電体パターン12dおよび12eによりインダクタL12が形成される。導電体パターン12fおよび12gによりキャパシタC11およびC22が形成される。導電体パターン12fから12hによりキャパシタC12が形成される。導電体パターン12gから12iによりキャパシタC21およびC23が形成される。導電体パターン12hおよび12iによりキャパシタC13が形成される。   The conductor patterns 12b to 12i form an inductor coil 14 and a capacitor electrode 15. The conductor patterns 12b to 12i are connected by a via wiring 13. Connection of the via wiring 13 is indicated by a vertical broken line. In this example, the inductors L11 and L21 are formed by the conductor patterns 12b and 12c, and the inductor L12 is formed by the conductor patterns 12d and 12e. Capacitors C11 and C22 are formed by conductor patterns 12f and 12g. The capacitor C12 is formed by the conductor patterns 12f to 12h. Capacitors C21 and C23 are formed by conductor patterns 12g to 12i. A capacitor C13 is formed by the conductor patterns 12h and 12i.

LPF24に含まれるキャパシタの電極15およびコイル14と、HPF26に含まれるキャパシタの電極15およびコイル14と、は平面視において重なっていない。これにより、LPF24とHPF26との干渉を抑制することができる。   The capacitor electrode 15 and the coil 14 included in the LPF 24 and the capacitor electrode 15 and the coil 14 included in the HPF 26 do not overlap in plan view. Thereby, interference with LPF24 and HPF26 can be suppressed.

各誘電体層11aから11iの膜厚は、例えば、35μm、15μm、80μm、15μm、75μm、10μm、10μm、10μmおよび35μmである。   The film thicknesses of the dielectric layers 11a to 11i are, for example, 35 μm, 15 μm, 80 μm, 15 μm, 75 μm, 10 μm, 10 μm, 10 μm, and 35 μm.

図5は、実施例1に係るダイプレクサの製造方法を示すフローチャートである。図5に示すように、シート状の誘電体層11を形成する(ステップS10)。誘電体層11は例えばドクターブレード法を用い作製する。誘電体層11は、例えばAl、Siおよび/またはCa等の酸化物を含むセラミックス材料である。   FIG. 5 is a flowchart illustrating the manufacturing method of the diplexer according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, a sheet-like dielectric layer 11 is formed (step S10). The dielectric layer 11 is produced using, for example, a doctor blade method. The dielectric layer 11 is a ceramic material containing an oxide such as Al, Si and / or Ca.

誘電体層11を貫通するビア配線13を形成する(ステップS12)。例えば誘電体層11を貫通するビアホールをレーザ光照射により形成する。スキージ法等を用いビアホール内にビア配線13を形成する。   A via wiring 13 penetrating the dielectric layer 11 is formed (step S12). For example, a via hole penetrating the dielectric layer 11 is formed by laser light irradiation. Via wiring 13 is formed in the via hole using a squeegee method or the like.

誘電体層11の表面に導電体パターン12を形成する(ステップS14)。導電体パターン12は例えばスクリーン印刷法または転写法を用い形成する。導電体パターン12およびビア配線13は、例えばAg、Pd、Pt、Cu、Ni、Au、Au−Pd合金またはAg−Pt合金等の金属層である。   Conductive pattern 12 is formed on the surface of dielectric layer 11 (step S14). The conductor pattern 12 is formed using, for example, a screen printing method or a transfer method. The conductor pattern 12 and the via wiring 13 are metal layers such as Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, Au, Au—Pd alloy, or Ag—Pt alloy.

誘電体層11のうち最も下層の誘電体層11iの下面に端子電極20のうち金属層21を形成する(ステップS16)。金属層21は例えばスクリーン印刷法または転写法を用い形成する。金属層21は、例えばAg、CuまたはAu等の金属層である。   The metal layer 21 of the terminal electrode 20 is formed on the lower surface of the lowermost dielectric layer 11i of the dielectric layers 11 (step S16). The metal layer 21 is formed using, for example, a screen printing method or a transfer method. The metal layer 21 is a metal layer such as Ag, Cu, or Au.

誘電体層11を積層し圧着する(ステップS18)。誘電体層11の積層には例えば熱加圧または接着剤を用いる。これにより、積層体が形成される。   The dielectric layer 11 is laminated and pressure-bonded (step S18). For the lamination of the dielectric layer 11, for example, heat pressing or an adhesive is used. Thereby, a laminated body is formed.

積層体をカットし個片化する(ステップS20)。積層体のカットは、例えばブレードを用いた押し切りにより行う。積層体は焼成の前のため容易に押し切りすることができる。   The laminate is cut into individual pieces (step S20). The laminated body is cut by, for example, pressing using a blade. Since the laminate is before firing, it can be easily cut off.

積層体を焼成する(ステップS22)。焼成温度は、700℃以上である。これにより、誘電体層11が焼結体となる。焼成温度は、導電体パターン12および金属層21の融点より低いため、導電体パターン12および金属層21が溶融することはない。   The laminate is fired (step S22). The firing temperature is 700 ° C. or higher. Thereby, the dielectric layer 11 becomes a sintered body. Since the firing temperature is lower than the melting point of the conductor pattern 12 and the metal layer 21, the conductor pattern 12 and the metal layer 21 are not melted.

メッキ法を用い金属層21の下面に金属層22を形成する(ステップS24)。金属層22の形成には例えばバレルメッキ法を用いる。バレルメッキ法では、積層体10と導電性の金属粒(メディア)をメッキ液に浸す。メッキ液を攪拌しながらメッキ液に電流を流す。これにより、金属層21の表面にメッキ金属が析出する。電流は、メディアが積層体10の電極に接触したときに流れメッキ金属が析出する。金属層21の面積が大きいと、金属層21がメディアに接触する確率が高くなる。これにより、メッキ金属の析出量が多くなる。このように、メッキ金属の析出量は、金属層21の面積に依存する。金属層22は、例えば金属層21側からNi膜およびSn膜である。Sn膜は、電子部品をマザーボード等に実装するための半田層であり、Ni膜は、半田層と金属層21との間の相互拡散を抑制するためのバリア層である。   A metal layer 22 is formed on the lower surface of the metal layer 21 using a plating method (step S24). For example, barrel plating is used to form the metal layer 22. In the barrel plating method, the laminate 10 and conductive metal particles (media) are immersed in a plating solution. An electric current is passed through the plating solution while stirring the plating solution. Thereby, the plating metal is deposited on the surface of the metal layer 21. The current flows when the media contacts the electrode of the laminate 10, and the plated metal is deposited. When the area of the metal layer 21 is large, the probability that the metal layer 21 contacts the media increases. This increases the amount of plating metal deposited. As described above, the amount of plating metal deposited depends on the area of the metal layer 21. The metal layer 22 is, for example, a Ni film and a Sn film from the metal layer 21 side. The Sn film is a solder layer for mounting electronic components on a mother board or the like, and the Ni film is a barrier layer for suppressing mutual diffusion between the solder layer and the metal layer 21.

電子部品の特性を検査する(ステップS26)。以上により、実施例1に係るダイプレクサが完成する。   The characteristics of the electronic component are inspected (step S26). Thus, the diplexer according to the first embodiment is completed.

ステップS20の積層体をカットし個片化する工程はステップS22の焼成工程の前が好ましい。積層体を焼成すると積層体が硬くなるため押し切りができず、高価なダイシング工程等を行うことになるためである。ステップS24の金属層22の形成はステップS22の焼成工程の後が好ましい。金属層22として焼成温度より融点の低い半田等を用いると、焼成工程で溶融してしまうためである。ステップS24では、個片化した積層体10に金属層22を形成するため、バレルメッキ法を用いる。   The step of cutting and stacking the laminate in step S20 is preferably before the firing step in step S22. This is because, when the laminate is fired, the laminate becomes hard and cannot be cut off, and an expensive dicing process or the like is performed. The formation of the metal layer 22 in step S24 is preferably after the firing step in step S22. This is because if a solder having a melting point lower than the firing temperature is used as the metal layer 22, it will melt in the firing step. In step S <b> 24, barrel plating is used to form the metal layer 22 on the separated laminate 10.

図2(a)のように、共通端子Taおよびグランド端子Tgは端子T1およびT2の面積より小さい。共通端子Taおよびグランド端子Tgが小さいのは小型化のためである。端子電極20内で面積を異ならせるのは、マザーボード30に実装するときの要求による。特に、端子電極20をLGAとすると、端子電極20は、積層体10の面のうち下面にのみ設けられることになる。ダイプレクサを小型化しようとすると、積層体10の下面の面積が小さくなる。よって、端子電極20の配置に制約ができ、端子電極20のうち一部の面積が小さくなる。   As shown in FIG. 2A, the common terminal Ta and the ground terminal Tg are smaller than the areas of the terminals T1 and T2. The reason why the common terminal Ta and the ground terminal Tg are small is to reduce the size. The different areas within the terminal electrode 20 are due to requirements when mounted on the mother board 30. In particular, when the terminal electrode 20 is an LGA, the terminal electrode 20 is provided only on the lower surface of the surface of the multilayer body 10. When trying to reduce the size of the diplexer, the area of the lower surface of the laminate 10 is reduced. Therefore, the arrangement of the terminal electrode 20 can be restricted, and a part of the terminal electrode 20 is reduced in area.

図5のステップS24において、メッキ金属の析出量は、端子電極20(すなわち金属層21)の面積にほぼ比例する。すなわち、金属層22の膜厚は端子電極20の面積にほぼ比例する。導電体パターンを介し直流的に接続されている端子電極20における金属層22の膜厚は、接続された端子電極20の合計の面積に比例する。例えば、共通端子Taおよび端子T1は、インダクタL11およびL12を介し(導電体パターン12bから12iを介し)直流的に接続されている。このため、バレルメッキを行なうときの共通端子Taおよび端子T1の実質的な面積は、共通端子Taと端子T1の合計の面積となる。   In step S24 in FIG. 5, the amount of plating metal deposited is substantially proportional to the area of the terminal electrode 20 (ie, the metal layer 21). That is, the thickness of the metal layer 22 is substantially proportional to the area of the terminal electrode 20. The film thickness of the metal layer 22 in the terminal electrode 20 connected in a direct current manner via the conductor pattern is proportional to the total area of the connected terminal electrodes 20. For example, the common terminal Ta and the terminal T1 are connected in a direct current manner via inductors L11 and L12 (via conductor patterns 12b to 12i). For this reason, the substantial area of the common terminal Ta and the terminal T1 when performing barrel plating is the total area of the common terminal Ta and the terminal T1.

図6(a)および図6(b)は、比較例1に係るダイプレクサ110の断面図である。図6(a)および図6(b)は、それぞれ図2(a)のA−A断面およびB−B断面に相当する。図6(a)および図6(b)に示すように、金属層21の膜厚t1は、一定とし、例えば10μmとする。端子T1、T2、共通端子Taおよびグランド端子Tgにおける金属層22の膜厚をそれぞれt12,t22、ta2およびtg2とする。   6A and 6B are cross-sectional views of the diplexer 110 according to the first comparative example. 6A and 6B correspond to the AA cross section and the BB cross section of FIG. 2A, respectively. As shown in FIGS. 6A and 6B, the film thickness t1 of the metal layer 21 is constant, for example, 10 μm. The film thicknesses of the metal layers 22 at the terminals T1, T2, the common terminal Ta, and the ground terminal Tg are t12, t22, ta2, and tg2, respectively.

比較例1におけるダイプレクサ110の各端子における金属層22の膜厚は各端子の面積(直流的に接続されている場合、接続された端子の面積の合計)に比例する。金属層22の最低の膜厚を3μmとしたとき、各端子電極20の実質的な面積(直流的に接続された端子電極20の合計の面積)および金属層22の膜厚は例えば以下となる。
共通端子Ta:94500μm、ta2=12.6μm
端子T1:94500μm、t12=12.6μm
端子T2:72000μm、t22=9.6μm
グランド端子Tg:22500μm、tg2=3μm
The film thickness of the metal layer 22 at each terminal of the diplexer 110 in Comparative Example 1 is proportional to the area of each terminal (when connected in a direct current manner, the total area of the connected terminals). When the minimum film thickness of the metal layer 22 is 3 μm, the substantial area of each terminal electrode 20 (the total area of the terminal electrodes 20 connected in a DC manner) and the film thickness of the metal layer 22 are, for example, as follows. .
Common terminal Ta: 94500 μm 2 , ta2 = 12.6 μm
Terminal T1: 94500 μm 2 , t12 = 12.6 μm
Terminal T2: 72000 μm 2 , t22 = 9.6 μm
Ground terminal Tg: 22500 μm 2 , tg2 = 3 μm

端子T2およびグランド端子Tgは共通端子Taおよび端子T1より薄くなってしまう。これにより、ダイプレクサ110のコプラナリティが悪化する。よって、ダイプレクサ110をマザーボード30に実装したときに、端子T1およびグランド端子Tgとマザーボード30との接合が弱くなってしまう可能性がある。   The terminal T2 and the ground terminal Tg are thinner than the common terminal Ta and the terminal T1. Thereby, the coplanarity of the diplexer 110 is deteriorated. Therefore, when the diplexer 110 is mounted on the mother board 30, there is a possibility that the connection between the terminal T1 and the ground terminal Tg and the mother board 30 is weakened.

図7(a)および図7(b)は、実施例1に係るダイプレクサの断面図である。図7(a)および図7(b)は、それぞれ図2(a)のA−A断面およびB−B断面に相当する。実施例1のダイプレクサ100では、金属層21の膜厚を端子ごとに異ならせる。端子T1、T2、共通端子Taおよびグランド端子Tgにおける金属層21の膜厚をそれぞれt11,t21、ta1およびtg1とする。各端子電極20の金属層21および22の膜厚は例えば以下となる。
共通端子Ta:ta1=10μm、ta2=12.6μm
端子T1:t11=10μm、t12=12.6μm
端子T2:t21=13μm、t22=9.6μm
グランド端子Tg:tg1=19.6μm、tg2=3μm
以上により、各端子電極20の膜厚はほぼ22.6μmとなる。このように、端子電極20の膜厚を均一化でき、コプラナリティを向上できる。
FIG. 7A and FIG. 7B are cross-sectional views of the diplexer according to the first embodiment. FIG. 7A and FIG. 7B correspond to the AA and BB sections in FIG. 2A, respectively. In the diplexer 100 of the first embodiment, the film thickness of the metal layer 21 is varied for each terminal. The film thicknesses of the metal layers 21 at the terminals T1, T2, the common terminal Ta, and the ground terminal Tg are t11, t21, ta1, and tg1, respectively. The film thickness of the metal layers 21 and 22 of each terminal electrode 20 is, for example, as follows.
Common terminal Ta: ta1 = 10 μm, ta2 = 12.6 μm
Terminal T1: t11 = 10 μm, t12 = 12.6 μm
Terminal T2: t21 = 13 μm, t22 = 9.6 μm
Ground terminal Tg: tg1 = 19.6 μm, tg2 = 3 μm
As a result, the film thickness of each terminal electrode 20 is approximately 22.6 μm. Thus, the film thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform, and coplanarity can be improved.

特許文献1の方法では、コプラナリティは向上するものの、導電体パターンと接続されるメッキ用電極を積層体の表面に設ける。これにより、他の導電体パターンと高周波的に干渉してしまう。干渉を抑制しようとすると、メッキ用電極と導電体パターンとの配置の関係が制限される。これにより、電子部品が大型化してしまう。実施例1では、このような導電体パターンの配置の制限がないため、電子部品を小型化できる。   In the method of Patent Document 1, although coplanarity is improved, a plating electrode connected to the conductor pattern is provided on the surface of the laminate. Thereby, it interferes with other conductor patterns in high frequency. If it is going to suppress interference, the relationship of arrangement | positioning of the electrode for plating and a conductor pattern will be restrict | limited. Thereby, an electronic component will enlarge. In Example 1, since there is no restriction | limiting of such arrangement | positioning of a conductor pattern, an electronic component can be reduced in size.

図5のステップS24における金属層22の形成方法の例を説明する。図8(a)から図8(c)は、実施例1における金属層21の形成方法を示す断面図である。図8(a)に示すように、誘電体層11上(積層体の下面に相当する)に金属層21aを形成する。図8(b)に示すように、誘電体層11上に金属層21bを形成する。図8(c)に示すように、誘電体層11上に金属層21cを形成する。金属層21aから21cは、例えばスクリーン印刷法または転写法を用い形成する。このように、金属層21aから21cの厚さをそれぞれ異ならせて形成してもよい。金属層21aから21cを形成する順番は問わないが、金属層21aから21cのうち薄い金属層21aから順に形成することが好ましい。これにより、前に形成された金属層が後の金属層の形成工程の障害となることを抑制できる。   The example of the formation method of the metal layer 22 in step S24 of FIG. 5 is demonstrated. FIG. 8A to FIG. 8C are cross-sectional views illustrating a method for forming the metal layer 21 in the first embodiment. As shown in FIG. 8A, a metal layer 21a is formed on the dielectric layer 11 (corresponding to the lower surface of the laminate). As shown in FIG. 8B, a metal layer 21 b is formed on the dielectric layer 11. As shown in FIG. 8C, a metal layer 21 c is formed on the dielectric layer 11. The metal layers 21a to 21c are formed using, for example, a screen printing method or a transfer method. In this way, the metal layers 21a to 21c may be formed with different thicknesses. The order of forming the metal layers 21a to 21c is not limited, but it is preferable to form the metal layers 21a to 21c in order from the thin metal layer 21a. Thereby, it can suppress that the metal layer formed previously becomes an obstacle of the formation process of the subsequent metal layer.

図9(a)から図9(c)は、実施例1における金属層21の別の形成方法を示す断面図である。図9(a)に示すように、誘電体層11上に金属層21bおよび21cの一部となる金属層21dを形成する。図9(b)に示すように、誘電体層11上に金属層21cの一部となる金属層21eを形成する。図9(c)に示すように、誘電体層11上に金属層21aから21cの一部となる金属層21fを形成する。金属層21fにより金属層21aが形成される。金属層21dおよび21fにより金属層21bが形成される。金属層21dから21fにより金属層21cが形成される。金属層21dから21fは、例えばスクリーン印刷法または転写法を用い形成する。   FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views showing another method for forming the metal layer 21 in the first embodiment. As shown in FIG. 9A, a metal layer 21 d that is a part of the metal layers 21 b and 21 c is formed on the dielectric layer 11. As shown in FIG. 9B, a metal layer 21 e that becomes a part of the metal layer 21 c is formed on the dielectric layer 11. As shown in FIG. 9C, a metal layer 21 f that is a part of the metal layers 21 a to 21 c is formed on the dielectric layer 11. A metal layer 21a is formed by the metal layer 21f. A metal layer 21b is formed by the metal layers 21d and 21f. A metal layer 21c is formed by the metal layers 21d to 21f. The metal layers 21d to 21f are formed using, for example, a screen printing method or a transfer method.

金属層21aから21cは、スクリーン印刷法および転写法以外に、インクジェット法を用い形成してもよい。   The metal layers 21a to 21c may be formed using an inkjet method other than the screen printing method and the transfer method.

このように、1または複数の金属層21dから21fを積層することにより金属層21aから21cを形成してもよい。金属層21aから21cを形成する順番は問わないが、金属層21dから21fのうち薄い金属層21dから順に形成することが好ましい。これにより、前に形成された金属層が後の金属層の形成工程の障害となることを抑制できる。金属層21bおよび21cの膜厚が、スクリーン印刷法または転写法を用い一度に形成できる膜厚を越えている場合、図9(a)から図9(c)の金属層21の形成方法を用いることが好ましい。   Thus, the metal layers 21a to 21c may be formed by laminating one or a plurality of metal layers 21d to 21f. The order in which the metal layers 21a to 21c are formed is not limited, but it is preferable to form the metal layers 21d to 21f in order from the thin metal layer 21d. Thereby, it can suppress that the metal layer formed previously becomes an obstacle of the formation process of the subsequent metal layer. When the film thickness of the metal layers 21b and 21c exceeds the film thickness that can be formed at a time using the screen printing method or the transfer method, the method for forming the metal layer 21 shown in FIGS. 9A to 9C is used. It is preferable.

図10は、実施例2に係るダイプレクサの回路図である。図10に示すように、ダイプレクサ102では、グランド端子Tgが3つ設けられている。その他の構成は実施例1の図1と同じであり説明を省略する。   FIG. 10 is a circuit diagram of a diplexer according to the second embodiment. As shown in FIG. 10, in the diplexer 102, three ground terminals Tg are provided. Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

図11は、実施例2に係るダイプレクサの斜視図である。図11に示すように、ダイプレクサ102では、積層体10の下面に端子電極20が設けられている。端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2および3つのグランド端子Tgを含む。端子電極20の大きさは互いに同じであり、端子電極20の1つ当たりの大きさは180μm×125μm、面積は22500μmである。 FIG. 11 is a perspective view of the diplexer according to the second embodiment. As shown in FIG. 11, in the diplexer 102, the terminal electrode 20 is provided on the lower surface of the multilayer body 10. The terminal electrode 20 includes a common terminal Ta, terminals T1 and T2, and three ground terminals Tg. The terminal electrodes 20 have the same size, and each terminal electrode 20 has a size of 180 μm × 125 μm and an area of 22,500 μm 2 .

共通端子Taと端子T1とは図10のようにインダクタL11およびL12を介し直流的に接続されている(図11の実線52)。3つのグランド端子Tgは直流的に接続されている(図15の点線54)。端子T2は、他の端子との間にキャパシタC23が接続されており、他の端子と直流的に接続されていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。   The common terminal Ta and the terminal T1 are connected in a DC manner via inductors L11 and L12 as shown in FIG. 10 (solid line 52 in FIG. 11). The three ground terminals Tg are connected in a direct current manner (dotted line 54 in FIG. 15). The capacitor C23 is connected between the terminal T2 and another terminal, and is not connected to the other terminal in a direct current manner. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

図12(a)および図12(b)は、実施例2に係るダイプレクサの断面図である。図12(a)および図12(b)は、それぞれ図11のA−A断面およびB−B断面に相当する。実施例2のダイプレクサ102では、共通端子Taと端子T1が直流的に接続され、3つのグランド端子Tgが直流的に接続されている。よって、共通端子Taおよび端子T1と端子T2と3つのグランド端子Tgとの実質的な面積比は2:1:3である。   12A and 12B are cross-sectional views of the diplexer according to the second embodiment. FIG. 12A and FIG. 12B correspond to the AA cross section and the BB cross section of FIG. 11, respectively. In the diplexer 102 according to the second embodiment, the common terminal Ta and the terminal T1 are connected in a DC manner, and the three ground terminals Tg are connected in a DC manner. Therefore, the substantial area ratio of the common terminal Ta and the terminals T1, T2, and the three ground terminals Tg is 2: 1: 3.

金属層22の最低の膜厚を4μmとしたとき、各端子電極20の金属層21および22の膜厚を、例えば以下とする。
共通端子Ta:ta1=14μm、ta2=8μm
端子T1:t11=14μm、t12=8μm
端子T2:t21=18μm、t22=4μm
グランド端子Tg:tg1=10μm、tg2=12μm
各端子電極20の膜厚はほぼ22μmとなる。このように、端子電極20の膜厚を均一化でき、コプラナリティを向上できる。
When the minimum film thickness of the metal layer 22 is 4 μm, the film thicknesses of the metal layers 21 and 22 of each terminal electrode 20 are, for example, as follows.
Common terminal Ta: ta1 = 14 μm, ta2 = 8 μm
Terminal T1: t11 = 14 μm, t12 = 8 μm
Terminal T2: t21 = 18 μm, t22 = 4 μm
Ground terminal Tg: tg1 = 10 μm, tg2 = 12 μm
The film thickness of each terminal electrode 20 is approximately 22 μm. Thus, the film thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform, and coplanarity can be improved.

図13は、実施例3に係るダイプレクサの回路図である。図13に示すように、ダイプレクサ104では、グランド端子Tgが2つ設けられている。インダクタおよびキャパシタに接続されていないダミー端子Tdが設けられている。その他の構成は実施例2の図10と同じであり説明を省略する。   FIG. 13 is a circuit diagram of a diplexer according to the third embodiment. As shown in FIG. 13, in the diplexer 104, two ground terminals Tg are provided. A dummy terminal Td that is not connected to the inductor and the capacitor is provided. Other configurations are the same as those of the second embodiment shown in FIG.

図14は、実施例3に係るダイプレクサの斜視図である。図14に示すように、ダイプレクサ104では、端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2、2つのグランド端子Tgおよびダミー端子Tdを含む。ダミー端子Tdは積層体10内の導電体パターンとは電気的に接続されておらず、マザーボード30と機械的に接続するための端子である。   FIG. 14 is a perspective view of the diplexer according to the third embodiment. As shown in FIG. 14, in the diplexer 104, the terminal electrode 20 includes a common terminal Ta, terminals T1 and T2, two ground terminals Tg, and a dummy terminal Td. The dummy terminal Td is not electrically connected to the conductor pattern in the stacked body 10 and is a terminal for mechanically connecting to the mother board 30.

共通端子Taおよび端子T1と端子T2と2つのグランド端子Tgとダミー端子Tdとの実質的な面積比は2:1:2:1である。実施例1および2と同様に、金属層21の膜厚を各端子電極20で異ならせる。これにより、端子電極20の膜厚を均一化でき、コプラナリティを向上できる。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。   The substantial area ratio of the common terminal Ta, the terminal T1, the terminal T2, the two ground terminals Tg, and the dummy terminal Td is 2: 1: 2: 1. Similar to the first and second embodiments, the thickness of the metal layer 21 is made different for each terminal electrode 20. Thereby, the film thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform, and coplanarity can be improved. Other configurations are the same as those of the second embodiment, and the description thereof is omitted.

以下に実施例1から3をまとめる。積層体10の下面に設けられた複数の端子電極20を、複数の端子群AからCに分けて考える。積層体10内の導電体パターン12bから12iのいずれを介しても他の端子電極20に直流電流が導通しないように設けられておらず、複数の導電体パターン12bから12iの少なくとも1つを介し互いに直流電流が導通するように設けられた1または複数の端子電極20を端子群AからCとする。   Examples 1 to 3 are summarized below. A plurality of terminal electrodes 20 provided on the lower surface of the multilayer body 10 are divided into a plurality of terminal groups A to C and considered. No direct current is conducted to the other terminal electrode 20 through any of the conductor patterns 12b to 12i in the laminated body 10, and at least one of the plurality of conductor patterns 12b to 12i is not provided. One or a plurality of terminal electrodes 20 provided so that direct currents are conducted to each other are defined as terminal groups A to C.

表1は実施例1における端子群AからCをまとめた表である。実施例1では、表1および図2(a)のように、端子T1と共通端子Taが端子群Aであり、グランド端子Tgは端子群B、端子T2は端子群Cである。

Figure 2018190915
Table 1 summarizes the terminal groups A to C in the first embodiment. In Example 1, the terminal T1 and the common terminal Ta are the terminal group A, the ground terminal Tg is the terminal group B, and the terminal T2 is the terminal group C as shown in Table 1 and FIG.
Figure 2018190915

表2は実施例2における端子群AからCをまとめた表である。実施例2では、表2および図11のように、3つのグランド端子Tgが端子群Aであり、端子T1と共通端子Taが端子群Bであり、端子T2は端子群Cである。

Figure 2018190915
Table 2 summarizes the terminal groups A to C in the second embodiment. In Example 2, as shown in Table 2 and FIG. 11, the three ground terminals Tg are the terminal group A, the terminal T1 and the common terminal Ta are the terminal group B, and the terminal T2 is the terminal group C.
Figure 2018190915

表1および表2に示すように、端子群Aが最も合計の面積が大きく金属層22が最も厚くなる。このため、端子群Aの金属層21を最も薄くする。端子群Cが最も合計の面積が小さく金属層22が最も薄くなる。このため、端子群Cの金属層21を最も厚くする。端子群Bにおける合計の面積は端子群Aより小さく端子群Cより大きい。端子群Bの金属層22は、端子群Aより薄く端子群Cより厚くなる。このため、端子群Bの金属層21を、端子群Aより厚く端子群Cより薄くする。   As shown in Tables 1 and 2, the terminal group A has the largest total area and the metal layer 22 has the largest thickness. For this reason, the metal layer 21 of the terminal group A is made the thinnest. The terminal group C has the smallest total area and the metal layer 22 is the thinnest. For this reason, the metal layer 21 of the terminal group C is made thickest. The total area in the terminal group B is smaller than the terminal group A and larger than the terminal group C. The metal layer 22 of the terminal group B is thinner than the terminal group A and thicker than the terminal group C. For this reason, the metal layer 21 of the terminal group B is made thicker than the terminal group A and thinner than the terminal group C.

例えば、端子群A(1または複数の第2端子)の合計の面積は端子群B(1または複数の第1端子)より大きい。このとき、端子群Aの金属層21(第3金属層)は、端子群Bの金属層21(第1金属層)より薄い。端子群Aの金属層22(第4金属層)は、端子群Bの金属層22(第2金属層)より厚い。端子群Aと端子群Cとの関係、および端子群Bと端子群Cとの関係も上記端子群Aと端子群Bとの関係と同様である。   For example, the total area of the terminal group A (one or more second terminals) is larger than the terminal group B (one or more first terminals). At this time, the metal layer 21 (third metal layer) of the terminal group A is thinner than the metal layer 21 (first metal layer) of the terminal group B. The metal layer 22 (fourth metal layer) of the terminal group A is thicker than the metal layer 22 (second metal layer) of the terminal group B. The relationship between the terminal group A and the terminal group C and the relationship between the terminal group B and the terminal group C are the same as the relationship between the terminal group A and the terminal group B.

このように、合計面積の大きい端子群Aの金属層22が端子群Bより厚くなっても、端子群Aの金属層21を端子群Bより薄くする。これにより、端子電極20の厚さを均一化することができる。特許文献1のように導電体パターンの一部と接続されたメッキ用電極を形成すると、導電体パターンとメッキ用電極との干渉を抑制するため積層体10が大型化する。実施例1から3では、導電体パターン12bから12iと接続されたメッキ用電極を設けなくてもよいため、積層体10の小型化が可能となる。   Thus, even if the metal layer 22 of the terminal group A having a large total area is thicker than the terminal group B, the metal layer 21 of the terminal group A is made thinner than the terminal group B. Thereby, the thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform. When the electrode for plating connected to a part of the conductor pattern is formed as in Patent Document 1, the laminate 10 is enlarged in order to suppress interference between the conductor pattern and the electrode for plating. In Examples 1 to 3, since it is not necessary to provide a plating electrode connected to the conductor patterns 12b to 12i, the stacked body 10 can be downsized.

端子群Aと端子群Bとの端子電極20の厚さの差は、端子群Aの金属層22と端子群Bの金属層22との厚さの差より小さい。このように、金属層21の厚さを調整することで、端子電極20の厚さを均一化することができる。端子群AからCの端子電極20の厚さは、互いに略同じであることが好ましい。   The difference in thickness of the terminal electrode 20 between the terminal group A and the terminal group B is smaller than the difference in thickness between the metal layer 22 of the terminal group A and the metal layer 22 of the terminal group B. Thus, the thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform by adjusting the thickness of the metal layer 21. The thicknesses of the terminal electrodes 20 of the terminal groups A to C are preferably substantially the same.

実施例2の端子群Aと端子群Bのように、1または複数の第1端子および1または複数の第2端子はいずれも複数でもよい。実施例1の端子群Aと端子群B、実施例2の端子群Aと端子群Cまたは端子群Bと端子群Cとのように、1または複数の第1端子および1または複数の第2端子のいずれか一方の端子は複数であり、他方の端子は1であってもよい。実施例1の端子群Bおよび端子群Cのように、1または複数の第1端子および1または複数の第2端子はいずれも1でもよい。   As in the terminal group A and the terminal group B of the second embodiment, one or more first terminals and one or more second terminals may be plural. As in the terminal group A and terminal group B of the first embodiment, the terminal group A and terminal group C or the terminal group B and terminal group C of the second embodiment, one or more first terminals and one or more second terminals. One of the terminals may be plural, and the other terminal may be 1. As in the terminal group B and the terminal group C of the first embodiment, each of the one or more first terminals and the one or more second terminals may be one.

端子群Aを1または複数の第1端子とし、端子群Cを1または複数の第2端子としてもよい。端子群Bを1または複数の第3端子としてもよい。端子群Bの合計の面積は端子群Cの合計の面積より大きく端子群Aの合計の面積より小さくなる。このとき、端子群Bの金属層21は端子群Aの金属層21より厚く端子群Cの金属層21より薄い。端子群Bの金属層22は端子群Aの金属層21より薄く端子群Cの金属層21より厚い。このように、端子電極20は、3以上の端子群を有してもよい。   The terminal group A may be one or more first terminals, and the terminal group C may be one or more second terminals. The terminal group B may be one or more third terminals. The total area of the terminal group B is larger than the total area of the terminal group C and smaller than the total area of the terminal group A. At this time, the metal layer 21 of the terminal group B is thicker than the metal layer 21 of the terminal group A and thinner than the metal layer 21 of the terminal group C. The metal layer 22 of the terminal group B is thinner than the metal layer 21 of the terminal group A and thicker than the metal layer 21 of the terminal group C. Thus, the terminal electrode 20 may have three or more terminal groups.

実施例1および2のように、端子電極20は全て導電体パターン12bから12iの少なくとも1つに接続されていてもよい。実施例3のダミー端子Tdのように、端子電極20の一部の端子電極20は、導電体パターン12bから12iのいずれとも接続されていなくてもよい。実装に影響せず、コプラナリティが問題とならない端子電極20は、金属層21の膜厚を調整しなくてもよい。   As in the first and second embodiments, all the terminal electrodes 20 may be connected to at least one of the conductor patterns 12b to 12i. Like the dummy terminal Td of the third embodiment, some of the terminal electrodes 20 of the terminal electrode 20 may not be connected to any of the conductor patterns 12b to 12i. For the terminal electrode 20 that does not affect the mounting and the coplanarity is not a problem, the film thickness of the metal layer 21 may not be adjusted.

図3および図4のように、1または複数のインダクタが複数の導電体パターン12bから12iの少なくとも1つから形成され、1または複数のキャパシタが複数の導電体パターン12bから12iの少なくとも一部から形成されている。図1および図10のように、各端子群AからCは、1または複数のキャパシタの少なくとも1つを介し他の端子と直流電流が導通しないように設けられている。また、同じ端子群AからはC内の複数の端子電極20は、1または複数のインダクタの少なくとも1つを介し互いに直流電流が導通する。このように、導電体パターン12bから12iにより、インダクタおよびキャパシタが形成されていてもよい。   As shown in FIGS. 3 and 4, one or more inductors are formed from at least one of the plurality of conductor patterns 12b to 12i, and one or more capacitors are formed from at least a part of the plurality of conductor patterns 12b to 12i. Is formed. As shown in FIGS. 1 and 10, each of the terminal groups A to C is provided so that a direct current does not conduct with other terminals via at least one of one or a plurality of capacitors. Further, from the same terminal group A, a plurality of terminal electrodes 20 in C are connected to each other through a direct current through at least one of one or a plurality of inductors. Thus, the inductor and the capacitor may be formed by the conductor patterns 12b to 12i.

図1および図10のように、積層体10には、1または複数のインダクタの少なくとも1つおよび1または複数のキャパシタの少なくとも1つを有するフィルタ(LPF24およびHPF26)が形成されていてもよい。各フィルタ内のキャパシタおよびインダクタの個数および接続関係は任意に設計できる。また、フィルタは、バンドパスフィルタまたはバンドストップフィルタでもよい。積層体10にはカップラが形成されていてもよい。   As shown in FIGS. 1 and 10, the multilayer body 10 may be formed with a filter (LPF 24 and HPF 26) having at least one of one or more inductors and at least one of one or more capacitors. The number and connection relationship of capacitors and inductors in each filter can be arbitrarily designed. The filter may be a band pass filter or a band stop filter. A coupler may be formed in the laminate 10.

LPF24(第1フィルタ)は、1または複数のインダクタのうち少なくとも1つおよび1または複数のキャパシタのうち少なくとも1つを有する。HPF26(第2フィルタ)は、1または複数のインダクタのうち別の少なくとも1つおよび1または複数のキャパシタのうち別の少なくとも1つを有する。電子部品はLPF24とHPF26を有するマルチプレクサでもよい。マルチプレクサとしてはダイプレクサ以外に、デュプレクサ、トライプレクサまたはクワッドプレクサ等でもよい。   The LPF 24 (first filter) has at least one of one or more inductors and at least one of one or more capacitors. The HPF 26 (second filter) has at least another one of one or more inductors and at least one other of one or more capacitors. The electronic component may be a multiplexer having LPF 24 and HPF 26. In addition to the diplexer, the multiplexer may be a duplexer, a triplexer, a quadplexer, or the like.

金属層22は、バレルメッキ法を用い形成される。バレルメッキ法を用いると合計の面積が大きい端子群Aの金属層22が端子群Bより厚くなる。よって、端子群Aの金属層21を端子群Bより薄くすることが好ましい。これにより、端子電極20の厚さを均一化することができる。   The metal layer 22 is formed using a barrel plating method. When the barrel plating method is used, the metal layer 22 of the terminal group A having a large total area becomes thicker than the terminal group B. Therefore, it is preferable to make the metal layer 21 of the terminal group A thinner than the terminal group B. Thereby, the thickness of the terminal electrode 20 can be made uniform.

図5のステップS16において金属層21を形成した後、ステップS20のように積層体10を個片化する。これにより、個片化工程を押し切り等の簡易な方法で行うことができる。個片化後、ステップS24のように、個片化された積層体10に焼成温度より融点の低い金属層を含む端子群Aと端子群Bとの金属層22を同時にバレルメッキ法を用い形成する。バレルメッキ法により、焼成温度より融点の低い金属層22を個片化された積層体10に形成できる。   After forming the metal layer 21 in step S16 of FIG. 5, the laminated body 10 is separated into pieces as in step S20. Thereby, the singulation process can be performed by a simple method such as pressing. After the separation, as in step S24, the metal layer 22 of the terminal group A and the terminal group B including the metal layer having a melting point lower than the firing temperature is simultaneously formed on the separated laminated body 10 using the barrel plating method. To do. The metal layer 22 having a melting point lower than the firing temperature can be formed on the separated laminate 10 by barrel plating.

実施例1から3では、積層体10の上面に他の電子部品を実装する端子が設けられていない誘電体フィルタを例に説明したが、積層体10は回路基板であり、積層体10上に他の電子部品が実装されていてもよい。積層体10を誘電体フィルタとして用いる場合、積層体10の直方体形状のうち最も大きい面の短辺および長辺は、それぞれ0.8mm以下および1.6mm以下であることが好ましい。短辺および長辺は0.7mm以下および1.5以下がより好ましい。   In the first to third embodiments, the dielectric filter in which the terminals for mounting other electronic components are not provided on the upper surface of the multilayer body 10 has been described as an example. However, the multilayer body 10 is a circuit board, Other electronic components may be mounted. When using the laminated body 10 as a dielectric filter, it is preferable that the short side and the long side of the largest surface among the rectangular parallelepiped shapes of the laminated body 10 are 0.8 mm or less and 1.6 mm or less, respectively. The short side and the long side are more preferably 0.7 mm or less and 1.5 or less.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

10 積層体
11、11a−11i 誘電体層
12、12b−12j 導電体パターン
13、13a、13b ビア配線
14 コイル
15 電極
20 端子電極
24 LPF
26 HPF
10 Laminated body 11, 11a-11i Dielectric layer 12, 12b-12j Conductor pattern 13, 13a, 13b Via wiring 14 Coil 15 Electrode 20 Terminal electrode 24 LPF
26 HPF

Claims (12)

複数の誘電体層が積層され、上面および下面を有する積層体と、
前記積層体内に設けられた複数の導電体パターンと、
前記積層体の前記下面に設けられた複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通しないように設けられ、第1金属層と、前記第1金属層の前記積層体と反対側に設けられた第2金属層と、を備える第1端子と、
前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられ、各々、前記第1金属層より薄い第3金属層と、前記第3金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第2金属層と同じ材料からなる第4金属層と、を備え、合計の面積が前記第1端子の面積より大きい複数の第2端子と、
を具備する電子部品。
A laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated and having an upper surface and a lower surface;
A plurality of conductor patterns provided in the laminate;
Included in a plurality of terminals provided on the lower surface of the multilayer body, and provided so as not to be electrically connected to other terminals of the plurality of terminals by a direct current through any of the plurality of conductor patterns; A first terminal comprising: one metal layer; and a second metal layer provided on the opposite side of the laminate of the first metal layer;
The plurality of terminals are included in the plurality of conductor patterns and do not conduct with other terminals among the plurality of terminals with a direct current and are connected to each other via at least one of the plurality of conductor patterns. A third metal layer thinner than the first metal layer, and provided on the opposite side of the stacked body of the third metal layer, and thicker than the second metal layer. A fourth metal layer made of the same material as the two metal layers, and a plurality of second terminals having a total area larger than the area of the first terminal;
An electronic component comprising:
前記第2金属層および前記第4金属層は、前記第1金属層および前記第3金属層より融点の低い金属層を含む請求項1記載の電子部品。   The electronic component according to claim 1, wherein the second metal layer and the fourth metal layer include a metal layer having a melting point lower than that of the first metal layer and the third metal layer. 前記第1端子と前記第2端子との厚さの差は、前記第2金属層と前記第4金属層との厚さの差より小さい請求項1または2記載の電子部品。   The electronic component according to claim 1, wherein a difference in thickness between the first terminal and the second terminal is smaller than a difference in thickness between the second metal layer and the fourth metal layer. 前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子に直流電流で導通しないように設けられ、複数のとき前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられ、各々、前記第1金属層より薄く前記第3金属層より厚い第5金属層と、前記第5金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第4金属層より薄く前記第2金属層および前記第4金属層と同じ材料からなる第6金属層と、を備え、合計の面積が前記第1端子の面積より大きく前記複数の第2端子の合計の面積より小さい1または複数の第3端子を具備する請求項1から4のいずれか一項記載の電子部品。   It is included in the plurality of terminals, and is provided so as not to conduct with a direct current to other terminals among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns. A fifth metal layer that is thinner than the first metal layer and thicker than the third metal layer, and is opposite to the stacked body of the fifth metal layer. And a sixth metal layer that is thicker than the second metal layer and thinner than the fourth metal layer and made of the same material as the second metal layer and the fourth metal layer, and has a total area of the first metal layer 5. The electronic component according to claim 1, further comprising one or a plurality of third terminals that are larger than a terminal area and smaller than a total area of the plurality of second terminals. 前記複数の導電体パターンの少なくとも1つから形成された1または複数のインダクタと、
前記複数の導電体パターンの少なくとも1つから形成された1または複数のキャパシタと、
を具備し、
前記複数の第2端子は、前記1または複数のキャパシタの少なくとも1つを介し前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通しないように設けられ、
前記第1端子および前記複数の第2端子の少なくとも一方の複数の端子は、前記1または複数のインダクタの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するように設けられている請求項1から4のいずれか一項記載の電子部品。
One or more inductors formed from at least one of the plurality of conductor patterns;
One or more capacitors formed from at least one of the plurality of conductor patterns;
Comprising
The plurality of second terminals are provided so as not to be electrically connected to other terminals among the plurality of terminals through a direct current through at least one of the one or more capacitors.
The plurality of terminals of at least one of the first terminal and the plurality of second terminals are provided so as to be electrically connected to each other by a direct current through at least one of the one or the plurality of inductors. The electronic component as described in any one.
前記1または複数のインダクタの少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタの少なくとも1つを有するフィルタを具備する請求項5記載の電子部品。   The electronic component according to claim 5, further comprising a filter having at least one of the one or more inductors and at least one of the one or more capacitors. 前記1または複数のインダクタのうち少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタのうち少なくとも1つを有する第1フィルタと、
前記1または複数のインダクタのうち別の少なくとも1つおよび前記1または複数のキャパシタのうち別の少なくとも1つを有する第2フィルタと、を含むマルチプレクサを具備する請求項7記載の電子部品。
A first filter having at least one of the one or more inductors and at least one of the one or more capacitors;
The electronic component according to claim 7, further comprising: a multiplexer that includes at least one other of the one or more inductors and a second filter having at least one other of the one or more capacitors.
前記積層体は、直方体形状であり、前記直方体のうち最も大きい面の短辺および長辺は、それぞれ0.8mm以下および1.6mm以下である請求項1から7のいずれか一項記載の電子部品。   8. The electron according to claim 1, wherein the stacked body has a rectangular parallelepiped shape, and a short side and a long side of the largest surface of the rectangular parallelepiped are 0.8 mm or less and 1.6 mm or less, respectively. parts. 前記積層体の前記上面には他の電子部品を実装する端子は設けられていない請求項1から9のいずれか一項記載の電子部品。   The electronic component according to any one of claims 1 to 9, wherein a terminal for mounting another electronic component is not provided on the upper surface of the stacked body. 上面および下面を有する積層体内に複数の導電体パターンが設けられ、複数の誘電体層が積層された前記積層体を形成する工程と、
前記積層体の前記下面に設けられる複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流が導通しないように設けられた第1端子の一部である第1金属層と、前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流が導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流が導通するように設けられ、合計の面積が前記第1端子の面積より大きい複数の第2端子の一部であり、前記第1金属層より薄い第3金属層を形成する工程と、
前記第1金属層および前記第3金属層を形成した後、前記第1金属層の前記積層体と反対側に第2金属層と、前記第3金属層の前記積層体の反対側に前記第2金属層より厚い第4金属層と、を同時に、バレルメッキ法を用い形成する工程と、
を含む電子部品の製造方法。
Forming a laminate in which a plurality of conductor patterns are provided in a laminate having an upper surface and a lower surface, and a plurality of dielectric layers are laminated;
A first terminal that is included in the plurality of terminals provided on the lower surface of the multilayer body, and is configured so that a direct current is not conducted to another terminal among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns; The first metal layer that is a part of the terminal, and included in the plurality of terminals, the direct current is not conducted to other terminals among the plurality of terminals through any of the plurality of conductor patterns, and The first metal layer is provided such that direct currents are conducted to each other through at least one of the plurality of conductor patterns, the total area being a part of the plurality of second terminals larger than the area of the first terminal, Forming a thinner third metal layer;
After forming the first metal layer and the third metal layer, the second metal layer on the opposite side of the stacked body of the first metal layer and the second metal layer on the opposite side of the stacked body of the third metal layer. Forming a fourth metal layer thicker than two metal layers simultaneously using a barrel plating method;
Of electronic parts including
前記第1金属層および前記第3金属層を形成する工程の後、前記積層体を個片化する工程と、
前記個片化する工程の後、前記積層体を焼成する工程と、
を含み、
前記第2金属層および前記第4金属層を形成する工程は、個片化された積層体に前記焼成する工程の焼成温度より融点の低い金属層を含む前記第2金属層および前記第4金属層を同時にバレルメッキ法を用い形成する工程である請求項10記載の電子部品の製造方法。
After the step of forming the first metal layer and the third metal layer, the step of separating the laminate;
After the step of dividing into pieces, a step of firing the laminate,
Including
In the step of forming the second metal layer and the fourth metal layer, the second metal layer and the fourth metal including a metal layer having a melting point lower than a firing temperature of the firing step in the singulated laminate. The method of manufacturing an electronic component according to claim 10, wherein the layer is a step of simultaneously forming a layer using a barrel plating method.
複数の誘電体層が積層され、上面および下面を有する積層体と、
前記積層体内に設けられた複数の導電体パターンと、
前記積層体の前記下面に設けられた複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するよう設けられ、各々、第1金属層と、前記第1金属層の前記積層体と反対側に設けられた第2金属層と、を備える複数の第1端子と、
前記複数の端子に含まれ、前記複数の導電体パターンのいずれを介しても前記複数の端子のうち他の端子と直流電流で導通せずかつ前記複数の導電体パターンの少なくとも1つを介し互いに直流電流で導通するよう設けられ、各々、前記第1金属層より薄い第3金属層と、前記第3金属層の前記積層体と反対側に設けられ、前記第2金属層より厚く前記第2金属層と同じ材料からなる第4金属層と、を備え、合計の面積が前記複数の第1端子の合計の面積より大きい複数の第2端子と、
を具備する電子部品。

A laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated and having an upper surface and a lower surface;
A plurality of conductor patterns provided in the laminate;
The plurality of terminals are included in the plurality of terminals provided on the lower surface of the multilayer body, and do not conduct with other terminals among the plurality of terminals with a direct current through any of the plurality of conductor patterns, and the plurality of conductors. A first metal layer and a second metal layer provided on a side of the first metal layer opposite to the stacked body, the first metal layer and the second metal layer provided on the opposite side of the stacked body. A plurality of first terminals;
The plurality of terminals are included in the plurality of conductor patterns and do not conduct with other terminals among the plurality of terminals with a direct current and are connected to each other via at least one of the plurality of conductor patterns. The second metal layer is provided so as to be conductive by a direct current, and is provided on the opposite side of the third metal layer from the first metal layer and the stacked body of the third metal layer, and is thicker than the second metal layer. A fourth metal layer made of the same material as the metal layer, and a plurality of second terminals having a total area larger than the total area of the plurality of first terminals,
An electronic component comprising:

JP2017094578A 2017-05-11 2017-05-11 Electronic component and manufacturing method of the same Pending JP2018190915A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017094578A JP2018190915A (en) 2017-05-11 2017-05-11 Electronic component and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017094578A JP2018190915A (en) 2017-05-11 2017-05-11 Electronic component and manufacturing method of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018190915A true JP2018190915A (en) 2018-11-29

Family

ID=64480164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017094578A Pending JP2018190915A (en) 2017-05-11 2017-05-11 Electronic component and manufacturing method of the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018190915A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023084942A1 (en) * 2021-11-11 2023-05-19 株式会社村田製作所 Electronic component

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03192705A (en) * 1989-12-22 1991-08-22 Taiyo Yuden Co Ltd Laminated ic chip part and manufacture thereof
WO2013005483A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 株式会社村田製作所 Electronic component and method for producing same
JP2014236470A (en) * 2013-06-05 2014-12-15 太陽誘電株式会社 Communication device
JP2016039334A (en) * 2014-08-11 2016-03-22 太陽誘電株式会社 Multilayer electronic component
JP2016149425A (en) * 2015-02-12 2016-08-18 Tdk株式会社 Stack penetration capacitor
WO2016194943A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic component

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03192705A (en) * 1989-12-22 1991-08-22 Taiyo Yuden Co Ltd Laminated ic chip part and manufacture thereof
WO2013005483A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 株式会社村田製作所 Electronic component and method for producing same
JP2014236470A (en) * 2013-06-05 2014-12-15 太陽誘電株式会社 Communication device
JP2016039334A (en) * 2014-08-11 2016-03-22 太陽誘電株式会社 Multilayer electronic component
JP2016149425A (en) * 2015-02-12 2016-08-18 Tdk株式会社 Stack penetration capacitor
WO2016194943A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic component

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023084942A1 (en) * 2021-11-11 2023-05-19 株式会社村田製作所 Electronic component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9412509B2 (en) Multilayer electronic component having conductive patterns and board having the same
US8947175B2 (en) Low-pass filter
JP6566455B2 (en) Coil component and manufacturing method thereof
US8593247B2 (en) Chip-type coil component
US20110285494A1 (en) Multilayer type inductor
JPWO2018168653A1 (en) High frequency module
US9843299B2 (en) Multilayer electronic component
US20150287514A1 (en) Chip coil component and board for mounting the same
US20150287516A1 (en) Multilayer electronic component and manufacturing method thereof
US20150187486A1 (en) Multilayer electronic component and manufacturing method thereof
US9444424B2 (en) Polar-type low pass filter and demultiplexer equipped therewith
US9893703B2 (en) Multilayer electronic component
JP2019153798A (en) Inductor
JP2010034272A (en) Multilayer capacitor and method for adjusting equivalent series resistance value of multilayer capacitor
US10726999B2 (en) Composite electronic component and board having the same
JP6466690B2 (en) Multilayer capacitor
JP2010027899A (en) Multilayer ceramic electronic component, and method of manufacturing the same
JP2015170845A (en) Chip-type coil component and mounting board thereof
JP2018190915A (en) Electronic component and manufacturing method of the same
US9948263B2 (en) Multilayer electronic component
JP6538008B2 (en) Multiplexer and method of manufacturing the same
JP6363444B2 (en) Multilayer capacitor
CN109155196B (en) Multilayer capacitor
JP3925771B2 (en) High frequency switch module
JP2010232695A (en) Multilayer ceramic capacitor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200430

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210430

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210928