JP2018160557A - Solid abrasive and polishing method using solid abrasive - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the burden of transportation and management and reduce manufacturing cost of a device.SOLUTION: In a polishing method for polishing a plate-like object (W), a solid abrasive (39) obtained by compressing and molding an alkaline powder solid at room temperature is dissolved in a predetermined amount of solvent to produce a slurry having a predetermined concentration while the slurry is supplied to the surface of the plate-like object, and the surface of the plate-like object is polished with a polishing pad (22) with an abrasive grain fixed. As a result, the solid abrasive can be carried as it is while the solid abrasive can be managed by the number without management by quantity or weight like a liquid or a powder.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、板状物を研磨に用いられる固形研磨剤及び固形研磨剤を使用した研磨方法に関する。   The present invention relates to a solid abrasive used for polishing a plate-like material and a polishing method using the solid abrasive.

半導体ウェーハの製造過程では、インゴットがスライスされて板状物が取り出され、板状物の両面が研削盤又はラッピング装置によって平坦化された後、更にポリッシング装置で鏡面研磨されることで集積回路が形成可能な表面状態にされている。また、板状物の表面に対する集積回路の形成工程では、多層配線の形成時の層間絶縁膜の平坦化、金属プラグの形成、埋め込み金属配線の形成等において、ポリッシング装置におる研磨が実施される。このように、ポリッシング装置は、半導体ウェーハの加工において欠かすことのできない重要な装置である。   In the manufacturing process of a semiconductor wafer, an ingot is sliced to take out a plate-like material, and both surfaces of the plate-like material are flattened by a grinding machine or a lapping device, and then mirror-polished by a polishing device, whereby an integrated circuit is obtained. It is in a surface state that can be formed. Further, in the integrated circuit formation process on the surface of the plate-like material, polishing in the polishing apparatus is performed in the flattening of the interlayer insulating film, the formation of the metal plug, the formation of the embedded metal wiring, etc. when forming the multilayer wiring . As described above, the polishing apparatus is an important apparatus indispensable in the processing of semiconductor wafers.

ポリッシング装置では、シリカ等の砥粒を含む砥粒液に、過酸化水素水等の酸化剤又はアンモニア等のアルカリ剤の液状の添加剤を加えたスラリーが使用される。研磨パッドにスラリーが供給され、研磨パッドと板状物の相対運動によって添加剤の化学的作用及び砥粒の機械的作用によって板状物が研磨される。スラリー生成時には、砥粒液に添加剤が所定の割合で撹拌混合されて一時的に貯留されるため、タンク内で反応が促進されてスラリーの特性が経時的に変化する場合がある。このため、砥粒液と添加剤を個別に貯留して、使用直前に両者を混合する装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In a polishing apparatus, a slurry is used in which a liquid additive such as an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or an alkaline agent such as ammonia is added to an abrasive liquid containing abrasive grains such as silica. Slurry is supplied to the polishing pad, and the plate is polished by the chemical action of the additive and the mechanical action of the abrasive grains by the relative movement of the polishing pad and the plate. At the time of slurry generation, the additive is stirred and mixed in the abrasive liquid at a predetermined ratio and temporarily stored. Therefore, the reaction is promoted in the tank, and the characteristics of the slurry may change with time. For this reason, the apparatus which stores an abrasive liquid and an additive separately and mixes both just before use is proposed (for example, refer to patent documents 1).

特開2000−202774号公報JP 2000-202774 A

しかしながら、特許文献1に記載の装置では、砥粒液と液状の添加剤をタンク等の容器に収容した状態で輸送及び管理するため、輸送コストや管理コストがかかってデバイスの製造コストが増大するという問題があった。   However, in the apparatus described in Patent Document 1, since the abrasive liquid and the liquid additive are transported and managed in a state where they are contained in a container such as a tank, the transportation cost and the management cost increase, and the device manufacturing cost increases. There was a problem.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、輸送や管理の負担を減らしてデバイスの製造コストを低減することができる固形研磨剤及び固形研磨剤を使用した研磨方法を提供することを目的の1つとする。   The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a solid abrasive capable of reducing the manufacturing cost of a device by reducing the burden of transportation and management and a polishing method using the solid abrasive. One of them.

本発明の一態様の固形研磨剤は、常温で固体のアルカリ性粉体を圧縮成形して形成される。   The solid abrasive of one embodiment of the present invention is formed by compression molding a solid alkaline powder at room temperature.

この構成によれば、使用直前に所定量の溶媒に固形研磨剤を溶解させることで、所定濃度の研磨溶液(スラリー)を生成することができるので、研磨溶液の反応が過度に促進されることがなく特性の経時的な変化が抑えられる。また、固形研磨剤は固体のままで持ち運ぶことができ、液体や粉体のように量や重さで管理するのではなく、固形研磨剤を個数で管理することができるため、輸送や管理の負担を軽減してデバイスの製造コストを低減することができる。   According to this configuration, by dissolving the solid abrasive in a predetermined amount of solvent immediately before use, a polishing solution (slurry) having a predetermined concentration can be generated, so that the reaction of the polishing solution is excessively promoted. No change in characteristics over time. In addition, solid abrasives can be carried as solids, and can be managed by the number of solid abrasives, rather than by volume or weight like liquids and powders. The burden can be reduced and the manufacturing cost of the device can be reduced.

本発明の一態様の研磨方法は、板状物を研磨する研磨方法であって、上記の固形研磨剤を所定量の溶媒に溶解して所定濃度の研磨溶液を生成する研磨溶液生成ステップと、該研磨溶液生成ステップを実施した後に、板状物表面に該研磨溶液を供給しつつ、砥粒を含有した研磨パッドで板状物表面を研磨する研磨ステップと、から構成される。   A polishing method according to one embodiment of the present invention is a polishing method for polishing a plate-like object, and includes a polishing solution generation step in which the solid abrasive is dissolved in a predetermined amount of solvent to generate a predetermined concentration of polishing solution After performing this polishing solution production | generation step, it comprises the grinding | polishing step which grind | polishes a plate-shaped object surface with the polishing pad containing an abrasive grain, supplying this polishing solution to a plate-shaped object surface.

本発明によれば、固形研磨剤を固体のまま持ち運ぶことができ、固形研磨剤を個数で管理できるため、輸送や管理の負担を減らしてデバイスの製造コストを低減することができる。   According to the present invention, since the solid abrasive can be carried in a solid state, and the number of solid abrasives can be managed, the burden of transportation and management can be reduced and the manufacturing cost of the device can be reduced.

本実施の形態の研磨装置の模式図である。It is a mimetic diagram of the polish device of this embodiment. 本実施の形態の固形研磨剤の斜視図である。It is a perspective view of the solid abrasive | polishing agent of this Embodiment. 本実施の形態の固形研磨剤を使用した研磨方法の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the grinding | polishing method using the solid abrasive | polishing agent of this Embodiment. 変形例の研磨装置の模式図である。It is a schematic diagram of the grinding | polishing apparatus of a modification.

以下、添付の図面を参照して、本実施の形態の研磨装置について説明する。図1は、本実施の形態の研磨装置の模式図である。なお、研磨装置は、本実施の形態のように、板状物にスラリーを供給可能な構造を備えていればよく、図1に示す構成に限定されない。   Hereinafter, the polishing apparatus of the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a polishing apparatus according to the present embodiment. Note that the polishing apparatus is not limited to the configuration shown in FIG. 1 as long as it has a structure capable of supplying slurry to a plate-like object as in the present embodiment.

図1に示すように、研磨装置1は、チャックテーブル10上の板状物Wに研磨パッド22を押し当てて、研磨溶液としてスラリーを供給しながらチャックテーブル10と研磨パッド22を相対回転させるように構成されている。このようなCMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨では、スラリーの化学成分によって板状物Wがエッチングされ、研磨パッド22に分散された砥粒によって板状物Wが機械的に研磨される。これにより、板状物Wの研磨速度を向上させることができると共に、研磨後に残る板状物Wの表面の微細な傷を減らして鏡面を得ることが可能になっている。   As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 presses the polishing pad 22 against the plate-like object W on the chuck table 10 and relatively rotates the chuck table 10 and the polishing pad 22 while supplying slurry as a polishing solution. It is configured. In such CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing, the plate-like object W is etched by the chemical components of the slurry, and the plate-like object W is mechanically polished by the abrasive grains dispersed on the polishing pad 22. As a result, the polishing rate of the plate-like object W can be improved, and it is possible to obtain a mirror surface by reducing fine scratches on the surface of the plate-like object W remaining after polishing.

チャックテーブル10は、ポーラス材によって保持面11が形成されており、保持面11に生じる負圧によって板状物Wを吸引保持している。チャックテーブル10の下部にはモータ12が連結されており、モータ駆動によってチャックテーブル10が回転駆動される。チャックテーブル10の上方にはスピンドル20が位置付けられており、スピンドル20のマウント21に研磨パッド22が貼着されている。スピンドル20にはモータ23及び昇降機構24が連結されており、モータ駆動によって研磨パッド22が回転されると共に昇降機構24によって研磨パッド22が板状物Wに離接される。   The chuck table 10 has a holding surface 11 formed of a porous material, and sucks and holds the plate-like object W by a negative pressure generated on the holding surface 11. A motor 12 is connected to the lower part of the chuck table 10, and the chuck table 10 is rotationally driven by driving the motor. A spindle 20 is positioned above the chuck table 10, and a polishing pad 22 is attached to a mount 21 of the spindle 20. A motor 23 and an elevating mechanism 24 are connected to the spindle 20. The polishing pad 22 is rotated by driving the motor, and the polishing pad 22 is separated from and connected to the plate-like object W by the elevating mechanism 24.

研磨パッド22は、ウレタン等のパッド面に砥粒を分散させたものであり、砥粒としてはシリカ、アルミナ、ジルコニア、二酸化マンガン、セリア、クロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、ベーマイト、バイヤライト、ダイヤモンド等が用いられている。研磨パッド22は、ウレタン素材等に所定の割合で砥粒を混入させて製造されており、研磨パッド22に砥粒が固定されている。すなわち、本実施の形態では、砥粒が混合されたスラリーを使用する代わりに、砥粒が固定された研磨パッド22を用いて研磨溶液だけを供給するようにしている。   The polishing pad 22 is obtained by dispersing abrasive grains on a pad surface such as urethane, and the abrasive grains are silica, alumina, zirconia, manganese dioxide, ceria, cidal silica, fumed silica, boehmite, bayerite, diamond. Etc. are used. The polishing pad 22 is manufactured by mixing abrasive grains at a predetermined ratio with a urethane material or the like, and the abrasive grains are fixed to the polishing pad 22. That is, in this embodiment, instead of using the slurry in which the abrasive grains are mixed, only the polishing solution is supplied using the polishing pad 22 to which the abrasive grains are fixed.

ところで、一般に研磨装置で用いられるスラリーは、液体の状態で輸送や管理がされている。工場に向けてスラリーを車両で輸送する際には、液体のスラリーの積載重量やタンクの積載スペースによって輸送コストが増大する。また、スラリーが液体の状態では、測定設備が整っていたとしても、スラリーを量(体積)や重さで管理しなければならない。さらに、現場ではスラリーの交換時に重量物の運搬や薬液取扱いによる労災リスクがある。   By the way, the slurry generally used in the polishing apparatus is transported and managed in a liquid state. When the slurry is transported to the factory by a vehicle, the transportation cost increases depending on the load weight of the liquid slurry and the load space of the tank. In addition, when the slurry is in a liquid state, the slurry must be managed in terms of volume (volume) and weight even if measurement equipment is in place. Furthermore, there is a risk of occupational accidents due to transportation of heavy objects and handling of chemicals when exchanging slurries at the site.

そこで、本実施の形態では、スラリーの輸送時の不具合や液体のスラリーの管理し難さに着目して、液状のスラリーのアルカリ成分を固形化した固形研磨剤を生成し、研磨加工時に固形研磨剤を溶媒に溶かして使用するようにしている。これにより、スラリーを固形化して持ち運び易くすると共に、スラリーの固形化によって固形研磨剤の個数で容易に管理することが可能になっている。スラリーの持ち運びや管理が容易になることで、輸送コスト及び管理コストを含めたデバイスの全体的な製造コストを低減することが可能になっている。   Therefore, in the present embodiment, paying attention to troubles during transportation of the slurry and difficulty in managing the liquid slurry, a solid abrasive obtained by solidifying the alkaline component of the liquid slurry is generated, and solid polishing is performed during the polishing process. The agent is dissolved in a solvent for use. As a result, the slurry is solidified for easy carrying and can be easily managed by the number of solid abrasives by solidifying the slurry. By making the slurry easy to carry and manage, it is possible to reduce the overall manufacturing cost of the device, including transportation and management costs.

なお、一般的な研磨装置では、砥粒が加えられたスラリーが使用されており、スラリーが固形化する際に砥粒が凝集してしまい、スクラッチの原因になる。このため、本実施の形態では、砥粒が入ったスラリーを使用せずに、上記したように研磨パッド22に砥粒を固定させて、研磨パッド22にスラリーだけを供給するようにしている。スラリーに砥粒が含まれないため、砥粒が邪魔になることがなく、スラリーのアルカリ成分だけを固形化させて固形研磨剤を生成することが可能になっている。   Note that in a general polishing apparatus, a slurry to which abrasive grains are added is used, and when the slurry is solidified, the abrasive grains aggregate to cause scratches. For this reason, in this embodiment, without using a slurry containing abrasive grains, the abrasive grains are fixed to the polishing pad 22 as described above, and only the slurry is supplied to the polishing pad 22. Since the abrasive grains are not included in the slurry, the abrasive grains do not get in the way, and it is possible to produce a solid abrasive by solidifying only the alkaline component of the slurry.

図1に戻り、チャックテーブル10の上方には、板状物Wに対してスラリーを供給する供給装置30が設けられている。供給装置30には、溶媒が貯留された溶媒タンク31と、多数の固形研磨剤39が収容された供給ケース32と、溶媒に固形研磨剤39を混合する混合タンク33とが設けられている。溶媒タンク31には溶媒として純水が貯留されており、開閉バルブ34を介して溶媒タンク31から混合タンク33に定期的に溶媒が供給される。供給ケース32には複数の固形研磨剤39が縦並びに収容されており、一番下の固形研磨剤39から順番に混合タンク33に供給される。   Returning to FIG. 1, a supply device 30 for supplying slurry to the plate-like object W is provided above the chuck table 10. The supply device 30 is provided with a solvent tank 31 in which a solvent is stored, a supply case 32 in which a large number of solid abrasives 39 are accommodated, and a mixing tank 33 that mixes the solid abrasive 39 with the solvent. Pure water is stored as a solvent in the solvent tank 31, and the solvent is periodically supplied from the solvent tank 31 to the mixing tank 33 via the opening / closing valve 34. In the supply case 32, a plurality of solid abrasives 39 are accommodated vertically, and are supplied to the mixing tank 33 in order from the bottom solid abrasive 39.

混合タンク33には撹拌機35が取り付けられており、溶媒タンク31から供給された溶媒と供給ケース32から供給された固形研磨剤39が撹拌機35によって混合タンク33内で混合される。このとき、固形研磨剤39は所定量の溶媒に対応した分量毎に固形化されており、混合タンク33内で固形研磨剤39が所定量の溶媒に溶解することで所定濃度のスラリー(研磨溶液)が生成される。混合タンク33には供給ノズル36が取り付けられており、混合タンク33内のスラリーが供給ノズル36からチャックテーブル10上の板状物Wの上面に少しずつ供給される。   A stirrer 35 is attached to the mixing tank 33, and the solvent supplied from the solvent tank 31 and the solid abrasive 39 supplied from the supply case 32 are mixed in the mixing tank 33 by the stirrer 35. At this time, the solid abrasive 39 is solidified in an amount corresponding to a predetermined amount of solvent, and the solid abrasive 39 is dissolved in the predetermined amount of solvent in the mixing tank 33, so that a slurry having a predetermined concentration (polishing solution) ) Is generated. A supply nozzle 36 is attached to the mixing tank 33, and the slurry in the mixing tank 33 is supplied little by little from the supply nozzle 36 to the upper surface of the plate-like object W on the chuck table 10.

このように構成された研磨装置1では、チャックテーブル10上の板状物Wに研磨パッド22が押し当てられ、供給ノズル36からスラリーが供給されながら板状物Wと研磨パッド22が相対回転されることでCMP研磨される。また、供給装置30で溶媒に固形研磨剤39を溶かしてスラリーが生成されているため、スラリーを液体の状態で保管しておく必要がない。固形研磨剤39は、小さく且つ軽く成形されているため持ち運びが容易であり、さらにスラリーの1回の生成に必要な分量毎にアルカリ成分が固形化されているため管理が容易になっている。   In the polishing apparatus 1 configured as described above, the polishing pad 22 is pressed against the plate-like object W on the chuck table 10, and the plate-like object W and the polishing pad 22 are relatively rotated while the slurry is supplied from the supply nozzle 36. Thus, CMP polishing is performed. In addition, since the slurry is generated by dissolving the solid abrasive 39 in the solvent by the supply device 30, it is not necessary to store the slurry in a liquid state. Since the solid abrasive 39 is small and lightly molded, it is easy to carry. Furthermore, since the alkali component is solidified for each amount required for one generation of slurry, management is easy.

以下、図2を参照して、固形研磨剤について説明する。図2は、本実施の形態の固形研磨剤の斜視図である。   Hereinafter, the solid abrasive will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a perspective view of the solid abrasive according to the present embodiment.

図2に示すように、固形研磨剤39は、常温で固体のアルカリ性粉体を圧縮成形して扁平形状に形成されている。固形研磨剤39が溶媒に投入されると、固形研磨剤39のアルカリ性粉体が溶媒に溶解される。このとき、固形研磨剤39が扁平形状であるため、表面積が大きく溶媒に溶け易くなっていると共に、水に触れることで崩れ易くなっている。よって、溶媒に対して固形研磨剤39を良好に溶かすことができ、短時間でスラリーを生成することが可能になっている。固形研磨剤39は、単に固形化して輸送や管理の利便性を考慮するだけでなく、生産性を考慮して溶媒に溶け易い形状に成形されている。   As shown in FIG. 2, the solid abrasive 39 is formed into a flat shape by compression molding a solid alkaline powder at room temperature. When the solid abrasive 39 is charged into the solvent, the alkaline powder of the solid abrasive 39 is dissolved in the solvent. At this time, since the solid abrasive 39 has a flat shape, it has a large surface area and is easily dissolved in a solvent, and is easily broken by contact with water. Therefore, the solid abrasive 39 can be dissolved well in the solvent, and a slurry can be generated in a short time. The solid abrasive 39 is formed into a shape that is easily solidified and easily dissolved in a solvent in consideration of productivity as well as considering convenience of transportation and management.

このように、固形研磨剤39は厚みよりも幅を優先させた扁平形状に成形されている。固形研磨剤39の厚みよりも幅(面積)を広げることで強度は低下するが、少なくとも輸送中に崩れない程度の強度を持つように押し固められている。ここで、固形研磨剤39は取扱い場面が限られており、不特定多数の消費者に雑に扱われることも想定され難いため、可能な限り薄く成形して溶け易さを重視した形状になっている。また、固形研磨剤39は工場に出荷されるものであり、小売店等に陳列されるものではないため、幅広に形成されても設置スペースの問題が生じることがない。   Thus, the solid abrasive 39 is formed into a flat shape in which the width is given priority over the thickness. Although the strength is reduced by increasing the width (area) beyond the thickness of the solid abrasive 39, the strength is at least strong enough not to collapse during transportation. Here, the handling situation of the solid abrasive 39 is limited, and it is difficult to assume that the solid abrasive 39 is handled by an unspecified number of consumers. Therefore, the solid abrasive 39 is shaped as thinly as possible to make it easy to melt. ing. Further, since the solid abrasive 39 is shipped to a factory and is not displayed at a retail store or the like, there is no problem of installation space even if it is formed wide.

なお、固形研磨剤39は、扁平形状ではなく錠剤形状に成形されていてもよい。この場合、扁平形状と比較して溶媒に溶け難くなるため、アルカリ性粉体に炭酸水素ナトリウム等の炭酸ガスを発生させる粉体を加えて成形するようにしてもよい。溶媒内で固形研磨剤39から炭酸ガスが発泡することで、固形研磨剤39の錠剤形状が溶媒内で崩れてアルカリ性粉体が溶媒に溶け易くなっている。これによって、固形研磨剤39に厚みを持たせて強度を確保する一方で、炭酸ガスの発泡によって固形研磨時39を崩れ易くして溶媒に対する溶け易さを向上させている。   The solid abrasive 39 may be formed into a tablet shape instead of a flat shape. In this case, since it becomes difficult to dissolve in a solvent as compared with the flat shape, a powder that generates carbon dioxide gas such as sodium hydrogen carbonate may be added to the alkaline powder and molded. Since the carbon dioxide gas is foamed from the solid abrasive 39 in the solvent, the tablet shape of the solid abrasive 39 collapses in the solvent and the alkaline powder is easily dissolved in the solvent. As a result, the solid abrasive 39 is thickened to ensure strength, while the solid polishing 39 is easily broken by foaming of carbon dioxide gas, thereby improving the solubility in the solvent.

また、固形研磨剤39は外面に水溶性樹脂等によってコーティングされてもよい。固形研磨剤39の外面をコーティングすることで、固形研磨剤39の強度を高めることができる。固形研磨剤39を扁平形状にして薄く形成しても、コーティングによって十分な強度を確保することができる。また、溶媒に固形研磨剤39を投入してコーティング膜を溶かすことで、固形研磨剤39が溶媒内で崩れてアルカリ性粉体が溶媒に溶け易くなっている。なお、コーティング剤は、溶媒に溶けるものであればよく、上記した水溶性樹脂に限らず、溶媒の種類に応じて適宜変更されてもよい。   The solid abrasive 39 may be coated on the outer surface with a water-soluble resin or the like. By coating the outer surface of the solid abrasive 39, the strength of the solid abrasive 39 can be increased. Even if the solid abrasive 39 is made flat and thin, sufficient strength can be secured by coating. Further, by introducing the solid abrasive 39 into the solvent and dissolving the coating film, the solid abrasive 39 collapses in the solvent and the alkaline powder is easily dissolved in the solvent. The coating agent is not limited to the water-soluble resin described above as long as it is soluble in the solvent, and may be appropriately changed according to the type of the solvent.

なお、アルカリ性粉体は、溶媒に溶けたときにアルカリ性を示すものであればよく、例えば、酢酸カリウム、塩化カリウム、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、1,4−エチレンピペラジン、イミダゾール、ピラゾール、ピラジンが用いられてもよい。また、固形研磨剤39は、1種類のアルカリ性粉体から形成される構成に限らず、2種類以上のアルカリ性粉体から形成されてもよい。   The alkaline powder is not particularly limited as long as it exhibits alkalinity when dissolved in a solvent. For example, potassium acetate, potassium chloride, anhydrous piperazine, piperazine hexahydrate, potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium carbonate, Potassium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, 1,4-ethylene piperazine, imidazole, pyrazole, and pyrazine may be used. Further, the solid abrasive 39 is not limited to a configuration formed from one type of alkaline powder, and may be formed from two or more types of alkaline powder.

また、固形研磨剤39には、アルカリ性粉体だけでなく、粉状の添加剤を加えて成形されてもよい。添加剤は、例えば、界面活性剤、キレート剤、崩壊剤、結合剤、賦型剤が用いられてもよい。固形研磨剤39には、1種類の添加剤だけでなく、2種類以上の添加剤が加えられてもよい。   Further, the solid abrasive 39 may be molded by adding not only the alkaline powder but also a powdery additive. As the additive, for example, a surfactant, a chelating agent, a disintegrant, a binder, and an excipient may be used. Not only one type of additive but also two or more types of additives may be added to the solid abrasive 39.

溶媒は、固形研磨剤39と混合されてアルカリ性を示すものであればよく、純水の他、アルコール等の極性溶媒が用いられてもよい。溶媒と固形研磨剤の割合は、スラリーがpH10−pH12.5になるように調整されていることが好ましく、pH12.5になるように調整されていることがさらに好ましい。また、溶媒は、溶媒タンク31から混合タンク33に供給される構成にしたが、この構成に限定されない。溶媒が純水の場合には、工場内の純水設備から配管を通じて直に混合タンク33に供給されてもよい。   The solvent is not particularly limited as long as it is mixed with the solid abrasive 39 and exhibits alkalinity. In addition to pure water, a polar solvent such as alcohol may be used. The ratio of the solvent to the solid abrasive is preferably adjusted so that the slurry has a pH of 10 to 12.5, and more preferably adjusted to a pH of 12.5. In addition, the solvent is supplied from the solvent tank 31 to the mixing tank 33, but is not limited to this structure. When the solvent is pure water, it may be supplied directly from the pure water equipment in the factory to the mixing tank 33 through a pipe.

さらに、固形研磨剤39は、アルカリ性粉体を圧縮成形することでペレット状に形成される構成にしたが、この構成に限定されない。固形研磨剤39は、アルカリ性粉体を集塊して形成される構成であればよく、例えば、造粒成形で顆粒状に形成されてもよい(図4参照)。この場合、常温で固体のアルカリ性粉体だけで固形研磨剤39を形成する場合には、圧縮成形で固形研磨剤39をペレット状に形成してもよいし、乾式造粒成形で固形研磨剤39を顆粒状に形成してもよい。   Furthermore, although the solid abrasive | polishing agent 39 was set as the structure formed in a pellet form by compressing alkaline powder, it is not limited to this structure. The solid abrasive 39 may be configured to be formed by agglomerating alkaline powder, and may be formed into granules by granulation (see FIG. 4), for example. In this case, in the case where the solid abrasive 39 is formed only with the alkaline powder that is solid at room temperature, the solid abrasive 39 may be formed into a pellet by compression molding, or the solid abrasive 39 by dry granulation molding. May be formed into granules.

また、固形研磨剤39は、常温で液体のアルカリ性溶液を含んでいてもよい。常温で固体のアルカリ性粉体と常温で液体のアルカリ性溶液で固形研磨剤39を形成する場合には湿式造粒成形で固形研磨剤39を顆粒状に形成してもよいし、湿式造粒成形後に圧縮成形して固形研磨剤39をペレット状に形成してもよい。湿式造粒成形では、固形研磨剤39に対するアルカリ性溶液の含有量は30%以下であることが好ましい。また、アルカリ性溶液の種類は特に限定されず、固形研磨剤39に2種類以上のアルカリ性溶液が含まれていてもよい。   Further, the solid abrasive 39 may contain an alkaline solution that is liquid at room temperature. In the case where the solid abrasive 39 is formed from an alkaline powder that is solid at normal temperature and an alkaline solution that is liquid at normal temperature, the solid abrasive 39 may be formed into granules by wet granulation, or after wet granulation. The solid abrasive 39 may be formed into a pellet by compression molding. In the wet granulation molding, the content of the alkaline solution with respect to the solid abrasive 39 is preferably 30% or less. Moreover, the kind of alkaline solution is not specifically limited, The solid abrasive | polishing agent 39 may contain 2 or more types of alkaline solutions.

続いて、図3を参照して、固形研磨剤を使用した研磨方法について説明する。図3は、本実施の形態の固形研磨剤を使用した研磨方法の動作説明図である。   Next, a polishing method using a solid abrasive will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an operation explanatory view of a polishing method using the solid abrasive according to the present embodiment.

図3Aに示すように、研磨加工の開始前に研磨溶液生成ステップが実施される。研磨溶液生成ステップでは、供給装置30で溶媒タンク31から混合タンク33に溶媒が所定量だけ供給されると共に、供給ケース32から混合タンク33に固形研磨剤39が供給される。混合タンク33内の撹拌機35によって溶媒が撹拌され、固形研磨剤39が所定量の溶媒に溶解されて所定濃度のスラリー(研磨溶液)が生成される。固形研磨剤39は、所定量の溶媒に応じた分量で成形されているため、溶媒やアルカリ性粉体の分量を測定せずにスラリーが正確な濃度で生成される。   As shown in FIG. 3A, a polishing solution generation step is performed before the start of the polishing process. In the polishing solution generation step, a predetermined amount of solvent is supplied from the solvent tank 31 to the mixing tank 33 by the supply device 30, and the solid abrasive 39 is supplied from the supply case 32 to the mixing tank 33. The solvent is stirred by the stirrer 35 in the mixing tank 33, and the solid abrasive 39 is dissolved in a predetermined amount of solvent to generate a slurry (polishing solution) having a predetermined concentration. Since the solid abrasive 39 is molded in an amount corresponding to a predetermined amount of solvent, a slurry is generated at an accurate concentration without measuring the amount of the solvent or alkaline powder.

このとき、固形研磨剤39が扁平形状に形成されているため、溶媒に対して固形研磨剤39が溶け易く、短時間でスラリーを生成することが可能になっている。なお、本実施の形態では、所定量の溶媒に対して1つの固形研磨剤39を溶かして所定濃度のスラリーを生成する構成にしたが、所定量の溶媒に対して複数の固形研磨剤39を溶かして所定濃度のスラリーを生成してもよい。すなわち、固形研磨剤39を小さく成形して、複数の固形研磨剤39によってスラリーの濃度を調整してもよい。これにより、各固形研磨剤39が小さくなった分だけ溶解速度が速くなって、より短時間でスラリーを生成することができる。   At this time, since the solid abrasive 39 is formed in a flat shape, the solid abrasive 39 is easily dissolved in the solvent, and the slurry can be generated in a short time. In the present embodiment, one solid abrasive 39 is dissolved in a predetermined amount of solvent to generate a slurry having a predetermined concentration. However, a plurality of solid abrasives 39 are added to a predetermined amount of solvent. It may be melted to produce a slurry having a predetermined concentration. That is, the concentration of the slurry may be adjusted with a plurality of solid abrasives 39 by forming the solid abrasive 39 small. As a result, the dissolution rate is increased by the amount of each solid abrasive 39 and the slurry can be generated in a shorter time.

図3Bに示すように、研磨溶液生成ステップを実施した後に研磨ステップが実施される。研磨ステップでは、板状物Wを保持したチャックテーブル10が回転されると共に、スピンドル20に設けられた研磨パッド22が回転される。チャックテーブル10に対して研磨パッド22が近づけられ、供給装置30の供給ノズル36から板状物Wの表面にスラリーが供給される。板状物Wの表面にスラリーが供給されながら、砥粒を含有した研磨パッド22の研磨面で板状物Wの表面がCMP研磨される。これにより、スラリーの化学的作用と研磨パッド22の機械的作用によって板状物Wの表面が良好に仕上げられる。   As shown in FIG. 3B, the polishing step is performed after the polishing solution generation step is performed. In the polishing step, the chuck table 10 holding the plate-like object W is rotated, and the polishing pad 22 provided on the spindle 20 is rotated. The polishing pad 22 is brought closer to the chuck table 10, and the slurry is supplied from the supply nozzle 36 of the supply device 30 to the surface of the plate-like object W. While the slurry is supplied to the surface of the plate-like object W, the surface of the plate-like object W is subjected to CMP polishing on the polishing surface of the polishing pad 22 containing abrasive grains. Thereby, the surface of the plate-like object W is satisfactorily finished by the chemical action of the slurry and the mechanical action of the polishing pad 22.

以上のように、本実施の形態の研磨装置1によれば、使用直前に所定量の溶媒に固形研磨剤39を溶解させることで、所定濃度の研磨溶液(スラリー)を生成することができるので、研磨溶液の反応が過度に促進されることがなく特性の経時的な変化が抑えられる。また、固形研磨剤39は固体のままで持ち運ぶことができ、液体や粉体のように量や重さで管理するのではなく、固形研磨剤39を個数で管理することができるため、輸送や管理の負担を軽減してデバイスの製造コストを低減することができる。   As described above, according to the polishing apparatus 1 of the present embodiment, a polishing solution (slurry) having a predetermined concentration can be generated by dissolving the solid abrasive 39 in a predetermined amount of solvent immediately before use. The reaction of the polishing solution is not excessively promoted, and the change in characteristics over time can be suppressed. Further, since the solid abrasive 39 can be carried in a solid state, it can be managed by the number of solid abrasives 39 instead of being managed by the amount or weight like a liquid or powder. Management burden can be reduced and device manufacturing costs can be reduced.

なお、本実施の形態の研磨装置では、アルカリ性粉体を圧縮成形したペレットタイプの固形研磨剤を混合タンクに供給してスラリーを生成する構成にしたが、この構成に限定されない。図4に示すように、変形例の研磨装置では、アルカリ性粉体を造粒成形した顆粒タイプの固形研磨剤42を混合タンク33に供給してスラリーを生成してもよい。この場合、供給装置40には、細径の供給ケース41に顆粒状の固形研磨剤42が収容され、一番下の固形研磨剤42から所定量ずつ混合タンク33に供給される。   In the polishing apparatus according to the present embodiment, the pellet type solid abrasive obtained by compression molding alkaline powder is supplied to the mixing tank to generate the slurry. However, the present invention is not limited to this configuration. As shown in FIG. 4, in the polishing apparatus according to the modification, a granule type solid abrasive 42 obtained by granulating alkaline powder may be supplied to the mixing tank 33 to generate a slurry. In this case, in the supply device 40, a granular solid abrasive 42 is accommodated in a small-diameter supply case 41, and a predetermined amount is supplied to the mixing tank 33 from the bottom solid abrasive 42.

また、本実施の形態の研磨溶液生成ステップでは、撹拌機によって溶媒を撹拌することによって、溶媒に固形研磨剤を溶解させる構成にしたが、この構成に限定されない。研磨溶液生成ステップでは、溶媒に固形研磨剤を溶解させることができればよく、例えば、溶媒の超音波振動によって溶媒に固形研磨剤を溶解させるようにしてもよい。   Moreover, in the polishing solution production | generation step of this Embodiment, although it was set as the structure which dissolves a solid abrasive | polishing agent in a solvent by stirring a solvent with an agitator, it is not limited to this structure. In the polishing solution generation step, it is only necessary that the solid abrasive can be dissolved in the solvent. For example, the solid abrasive may be dissolved in the solvent by ultrasonic vibration of the solvent.

また、本実施の形態の研磨ステップでは、板状物よりも小径の研磨パッドを用いて板状物を研磨する構成にしたが、この構成に限定されない。研磨パッドは板状物よりも大径に形成されていてもよい。この場合、研磨パッドによって板状物全体が覆われるため、スピンドル及び研磨パッドの回転軸にスラリーの供給路を形成して、研磨パッドに対してスラリーを内側から供給できるような構成にする。   In the polishing step of the present embodiment, the plate-like object is polished using a polishing pad having a smaller diameter than that of the plate-like object. However, the present invention is not limited to this configuration. The polishing pad may be formed with a larger diameter than the plate-like material. In this case, since the entire plate-like object is covered by the polishing pad, a slurry supply path is formed on the spindle and the rotating shaft of the polishing pad so that the slurry can be supplied to the polishing pad from the inside.

また、本実施の形態の研磨ステップでは、チャックテーブルの上方に研磨パッドを位置づけて、研磨パッドをチャックテーブル上の板状物に対して上側から接触させる構成にしたが、この構成に限定されない。チャックテーブルと研磨パッドを上下反転させて、チャックテーブルの保持面を下向きにすると共に、研磨パッドの研磨面を上向きにして、研磨パッドをチャックテーブルの板状物に対して下側から接触させてもよい。   In the polishing step of the present embodiment, the polishing pad is positioned above the chuck table, and the polishing pad is brought into contact with the plate-like object on the chuck table from the upper side. However, the present invention is not limited to this configuration. Turn the chuck table and polishing pad upside down so that the holding surface of the chuck table faces downward, and the polishing surface of the polishing pad faces upward, and the polishing pad is brought into contact with the chuck table plate from below. Also good.

また、本実施の形態では、研磨溶液としてスラリーを例示して説明したが、この構成に限定されない。研磨溶液は、研磨加工時に板状物に供給される液体であればよく、例えば、金属の付着防止や洗浄能力を向上させるための液体であってよい。すなわち、本実施の研磨加工はCMP研磨に限られず、他のウェット研磨を含んでいる。   In the present embodiment, the slurry is exemplified as the polishing solution. However, the present invention is not limited to this configuration. The polishing solution may be any liquid that is supplied to the plate-like material during the polishing process. For example, the polishing solution may be a liquid for preventing metal adhesion and improving cleaning ability. That is, the polishing process of the present embodiment is not limited to CMP polishing, but includes other wet polishing.

また、本実施の形態では、切削装置として被加工物を個片化する研磨装置を例示して説明したが、この構成に限定されない。本発明は、研磨処理を実施する他の加工装置に適用可能であり、研磨装置を備えたクラスター装置等の他の加工装置に適用されてもよい。   In the present embodiment, a polishing apparatus that separates a workpiece as an example of the cutting apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this configuration. The present invention can be applied to other processing apparatuses that perform a polishing process, and may be applied to other processing apparatuses such as a cluster apparatus including a polishing apparatus.

また、加工対象のワークとして、加工の種類に応じて、例えば、半導体デバイスウェーハ、光デバイスウェーハ、パッケージ基板、半導体基板、無機材料基板、酸化物ウェーハ、生セラミックス基板、圧電基板等の各種ワークが用いられてもよい。半導体デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のシリコンウェーハや化合物半導体ウェーハが用いられてもよい。光デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のサファイアウェーハやシリコンカーバイドウェーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはCSP(Chip Size Package)基板、半導体基板としてはシリコンやガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。さらに、酸化物ウェーハとしては、デバイス形成後又はデバイス形成前のリチウムタンタレート、リチウムナイオベートが用いられてもよい。   In addition, as workpieces to be processed, various workpieces such as, for example, semiconductor device wafers, optical device wafers, package substrates, semiconductor substrates, inorganic material substrates, oxide wafers, raw ceramic substrates, piezoelectric substrates, etc. May be used. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer after device formation may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or silicon carbide wafer after device formation may be used. Further, a CSP (Chip Size Package) substrate may be used as the package substrate, silicon or gallium arsenide may be used as the semiconductor substrate, and sapphire, ceramics, glass, or the like may be used as the inorganic material substrate. Furthermore, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate after device formation or before device formation may be used.

また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。   Moreover, although this Embodiment and the modified example were demonstrated, what combined the said embodiment and modified example entirely or partially as another embodiment of this invention may be sufficient.

また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。   The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various changes, substitutions, and modifications may be made without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by technological advancement or another derived technique, the method may be used. Accordingly, the claims cover all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.

また、本実施の形態では、本発明を研磨装置に適用した構成について説明したが、研磨溶液の供給が必要な他の加工装置に適用することも可能である。   In the present embodiment, the configuration in which the present invention is applied to a polishing apparatus has been described. However, the present invention can also be applied to other processing apparatuses that require supply of a polishing solution.

以上説明したように、本発明は、輸送や管理の負担を減らしてデバイスの製造コストを低減することができるという効果を有し、特に、スラリーを供給しながら板状物を研磨する研磨装置に有用である。   As described above, the present invention has the effect that the burden of transportation and management can be reduced and the manufacturing cost of the device can be reduced. In particular, the polishing apparatus polishes a plate-like object while supplying slurry. Useful.

1 研磨装置
10 チャックテーブル
22 研磨パッド
36 供給ノズル
39、49 固形研磨剤
W 板状物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing apparatus 10 Chuck table 22 Polishing pad 36 Supply nozzle 39, 49 Solid abrasive | polishing agent W Plate-shaped object

Claims (2)

常温で固体のアルカリ性粉体を圧縮成形又は造粒成形して形成される固形研磨剤。   A solid abrasive formed by compression molding or granulating a solid alkaline powder at room temperature. 板状物を研磨する研磨方法であって、
請求項1記載の固形研磨剤を所定量の溶媒に溶解して所定濃度の研磨溶液を生成する研磨溶液生成ステップと、
該研磨溶液生成ステップを実施した後に、板状物表面に該研磨溶液を供給しつつ、砥粒を含有した研磨パッドで板状物表面を研磨する研磨ステップと、
から構成される固形研磨剤を使用した研磨方法。
A polishing method for polishing a plate-like object,
A polishing solution generating step of dissolving the solid abrasive according to claim 1 in a predetermined amount of solvent to generate a predetermined concentration of polishing solution;
A polishing step of polishing the plate-like object surface with a polishing pad containing abrasive grains while supplying the polishing solution to the plate-like object surface after performing the polishing solution generation step;
A polishing method using a solid abrasive comprising:
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1133903A (en) * 1997-07-15 1999-02-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Method and device for supplying micro-capsuled abrasive
JPH11279283A (en) * 1998-03-31 1999-10-12 Dainippon Ink & Chem Inc Production of resin powder and resin powder
JP2000202774A (en) * 1999-01-18 2000-07-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Supplying device for slurry
JP2003532516A (en) * 2000-05-08 2003-11-05 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド Oil filter
JP2004031772A (en) * 2002-06-27 2004-01-29 Yasuhiro Tani Chemical mechanical polishing pad and its manufacturing method
JP2005205544A (en) * 2004-01-22 2005-08-04 Ebara Corp Method of manufacturing grinding wheel, grinding wheel and polishing device having this grinding wheel
JP2011009746A (en) * 2009-06-24 2011-01-13 Siltronic Ag Method of manufacturing epitaxially coated semiconductor wafer
JP2014518914A (en) * 2011-05-11 2014-08-07 コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ Self-dispersing nanoparticles

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1133903A (en) * 1997-07-15 1999-02-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Method and device for supplying micro-capsuled abrasive
JPH11279283A (en) * 1998-03-31 1999-10-12 Dainippon Ink & Chem Inc Production of resin powder and resin powder
JP2000202774A (en) * 1999-01-18 2000-07-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Supplying device for slurry
JP2003532516A (en) * 2000-05-08 2003-11-05 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド Oil filter
JP2004031772A (en) * 2002-06-27 2004-01-29 Yasuhiro Tani Chemical mechanical polishing pad and its manufacturing method
JP2005205544A (en) * 2004-01-22 2005-08-04 Ebara Corp Method of manufacturing grinding wheel, grinding wheel and polishing device having this grinding wheel
JP2011009746A (en) * 2009-06-24 2011-01-13 Siltronic Ag Method of manufacturing epitaxially coated semiconductor wafer
JP2014518914A (en) * 2011-05-11 2014-08-07 コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ Self-dispersing nanoparticles

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