JP2018153037A - Dc conversion device - Google Patents

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匠 植村
Takumi Uemura
匠 植村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a DC conversion device capable of preventing application of an excessive voltage between a gate and a source of a switching element.SOLUTION: Provided is a DC conversion device in which a first terminal of a first switching element and a control terminal of a second switching element are connected with a first end of a secondary winding of a transformer, and a first terminal of the second switching element and a control terminal of the first switching element are connected with a second end of the secondary winding of the transformer. A second terminal of the first switching element and a second terminal of the second switching element are connected with each other. The DC conversion device comprises: a first voltage restriction element connected between the control terminal and the second terminal of the first switching element; and a second voltage restriction element connected between the control terminal and the second terminal of the second switching element.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、直流変換装置に関する。   The present invention relates to a DC converter.

直流電圧を変換するDC/DCコンバータが産業用機器及び車載装置に用いられている。DC/DCコンバータは、トランスを介して一次側と二次側とが絶縁され、トランスの二次巻線側に整流ダイオードを設けている。また、整流ダイオードの電力損失が多いため、整流ダイオードに代えて同期整流MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)が用いられ、MOSFETを駆動するゲートドライバ回路に代えてトランスの2次巻線に誘起する電圧を用いている場合がある(特許文献1参照)。   A DC / DC converter that converts a DC voltage is used in industrial equipment and in-vehicle devices. In the DC / DC converter, a primary side and a secondary side are insulated via a transformer, and a rectifier diode is provided on the secondary winding side of the transformer. Further, since the power loss of the rectifier diode is large, a synchronous rectifier MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is used instead of the rectifier diode, and induced in the secondary winding of the transformer instead of the gate driver circuit for driving the MOSFET. A voltage may be used (see Patent Document 1).

特開平11−262263号公報JP-A-11-262263

しかし、特許文献1のような従来のDC/DCコンバータ(直流変換装置)では、出力電圧が比較的高圧になると、トランスの二次巻線に誘起する電圧も高圧になり、同期整流用のMOSFETに印加される電圧(ゲート電圧)が高くなる。このため、MOSFET(スイッチング素子)のゲート・ソース間に定格電圧を超える電圧が印加され、MOSFETが破損する可能性がある。   However, in a conventional DC / DC converter (direct current converter) such as Patent Document 1, when the output voltage becomes relatively high, the voltage induced in the secondary winding of the transformer also becomes high, and the MOSFET for synchronous rectification The voltage (gate voltage) applied to is increased. For this reason, a voltage exceeding the rated voltage is applied between the gate and source of the MOSFET (switching element), and the MOSFET may be damaged.

本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、スイッチング素子のゲート・ソース間に過大な電圧が印加されることを防止することができる直流変換装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a DC converter capable of preventing an excessive voltage from being applied between the gate and the source of a switching element.

本発明の実施の形態に係る直流変換装置は、トランスと、該トランスの二次側に設けられ、二つの端子及び該二つの端子間の導通を制御する制御端子を有する同期整流用の第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子とを備える直流変換装置であって、前記トランスの二次巻線の第1端に前記第1のスイッチング素子の第1端子及び前記第2のスイッチング素子の制御端子を接続し、前記トランスの二次巻線の第2端に前記第2のスイッチング素子の第1端子及び前記第1のスイッチング素子の制御端子を接続し、前記第1のスイッチング素子の第2端子と前記第2のスイッチング素子の第2端子とを接続し、前記第1のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第1の電圧制限素子と、前記第2のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第2の電圧制限素子とを備える。   A DC converter according to an embodiment of the present invention is a first for synchronous rectification having a transformer, a secondary terminal of the transformer, and two terminals and a control terminal for controlling conduction between the two terminals. A switching device and a second switching device, wherein the first terminal of the first switching device and the second switching device are controlled at the first end of the secondary winding of the transformer. A first terminal of the second switching element and a control terminal of the first switching element are connected to a second end of the secondary winding of the transformer, and a second terminal of the first switching element is connected. A first voltage limiting element connected between the terminal and the second terminal of the second switching element, and connected between the control terminal and the second terminal of the first switching element; and the second switching element. Elementary A control terminal of the second voltage limiting element connected between the second terminal.

本発明によれば、スイッチング素子のゲート・ソース間に過大な電圧が印加されることを防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent an excessive voltage from being applied between the gate and the source of the switching element.

本実施の形態の直流変換装置の回路構成の第1例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st example of the circuit structure of the DC converter of this Embodiment. 本実施の形態の直流変換装置の各部の波形の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the waveform of each part of the direct-current converter of this Embodiment. バイパス回路を具備しない場合の各部の波形の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the waveform of each part when not having a bypass circuit. バイパス回路を具備する場合の各部の波形の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the waveform of each part in the case of comprising a bypass circuit. 本実施の形態の直流変換装置の回路構成の第2例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd example of the circuit structure of the DC converter of this Embodiment.

[本願発明の実施形態の説明]
本実施の形態に係る直流変換装置は、トランスと、該トランスの二次側に設けられ、二つの端子及び該二つの端子間の導通を制御する制御端子を有する同期整流用の第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子とを備える直流変換装置であって、前記トランスの二次巻線の第1端に前記第1のスイッチング素子の第1端子及び前記第2のスイッチング素子の制御端子を接続し、前記トランスの二次巻線の第2端に前記第2のスイッチング素子の第1端子及び前記第1のスイッチング素子の制御端子を接続し、前記第1のスイッチング素子の第2端子と前記第2のスイッチング素子の第2端子とを接続し、前記第1のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第1の電圧制限素子と、前記第2のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第2の電圧制限素子とを備える。
[Description of Embodiment of Present Invention]
The DC converter according to the present embodiment includes a transformer and a first switching for synchronous rectification that is provided on the secondary side of the transformer and includes two terminals and a control terminal that controls conduction between the two terminals. A DC conversion device including an element and a second switching element, wherein a first terminal of the first switching element and a control terminal of the second switching element are provided at a first end of a secondary winding of the transformer. And connecting the first terminal of the second switching element and the control terminal of the first switching element to the second end of the secondary winding of the transformer, and the second terminal of the first switching element; A first voltage limiting element connected between the second terminal of the second switching element and connected between the control terminal and the second terminal of the first switching element; and System And a second voltage limiting element connected between the terminal and the second terminal.

トランスの二次巻線の第1端に第1のスイッチング素子の第1端子及び第2のスイッチング素子の制御端子を接続し、トランスの二次巻線の第2端に第2のスイッチング素子の第1端子及び第1のスイッチング素子の制御端子を接続してある。第1のスイッチング素子の第2端子と第2のスイッチング素子の第2端子とを接続してある。スイッチング素子は、例えば、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であり、第1端子はドレイン、第2端子はソース、制御端子はゲートとすることができる。   The first terminal of the first switching element and the control terminal of the second switching element are connected to the first end of the secondary winding of the transformer, and the second switching element is connected to the second end of the secondary winding of the transformer. The first terminal and the control terminal of the first switching element are connected. The second terminal of the first switching element and the second terminal of the second switching element are connected. The switching element is, for example, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). The first terminal can be a drain, the second terminal can be a source, and the control terminal can be a gate.

第1のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に第1の電圧制限素子を接続し、第2のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に第2の電圧制限素子を接続してある。電圧制限素子は、例えば、ツェナーダイオードとすることができる。   A first voltage limiting element is connected between the control terminal and the second terminal of the first switching element, and a second voltage limiting element is connected between the control terminal and the second terminal of the second switching element. It is. The voltage limiting element can be a Zener diode, for example.

トランスの2次巻線には、例えば、正極の電圧(例えば、第1端に対して第2端が高い電圧)と負極の電圧(例えば、第2端に対して第1端が高い電圧)とが交互に誘起する。正極の電圧が誘起している場合、第1のスイッチング素子がオンとなり、第1のスイッチング素子を介して負荷電流が流れる。また、負極の電圧が誘起している場合、第2のスイッチング素子がオンとなり、第2のスイッチング素子を介して負荷電流が流れる。   The secondary winding of the transformer has, for example, a positive voltage (for example, a voltage at which the second end is higher than the first end) and a negative voltage (for example, a voltage at which the first end is higher than the second end). And induce alternately. When the voltage of the positive electrode is induced, the first switching element is turned on, and a load current flows through the first switching element. In addition, when a negative voltage is induced, the second switching element is turned on, and a load current flows through the second switching element.

第1のスイッチング素子がオフからオンする直前には、第1のスイッチング素子の制御端子と第2端子間には、二次巻線の電圧が印加されるが、制御端子と第2端子との間に第1の電圧制限素子を接続してあるので、制御端子と第2端子との間に印加される電圧は、第1の電圧制限素子によって制限され、スイッチング素子(例えば、MOSFET)のゲート・ソース間に印加される電圧が定格電圧を超えないようにすることができ、過大な電圧が印加されることを防止することができる。   Immediately before the first switching element is turned on, the voltage of the secondary winding is applied between the control terminal and the second terminal of the first switching element. Since the first voltage limiting element is connected between them, the voltage applied between the control terminal and the second terminal is limited by the first voltage limiting element, and the gate of the switching element (eg, MOSFET) The voltage applied between the sources can be prevented from exceeding the rated voltage, and an excessive voltage can be prevented from being applied.

第2のスイッチング素子がオフからオンする直前には、第2のスイッチング素子の制御端子と第2端子間には、二次巻線の電圧が印加されるが、制御端子と第2端子との間に第2の電圧制限素子を接続してあるので、制御端子と第2端子との間に印加される電圧は、第2の電圧制限素子によって制限され、定格電圧を超えないようにすることができ、スイッチング素子(例えば、MOSFET)のゲート・ソース間に過大な電圧が印加されることを防止することができる。   Immediately before the second switching element is turned on from off, the voltage of the secondary winding is applied between the control terminal and the second terminal of the second switching element. Since the second voltage limiting element is connected between them, the voltage applied between the control terminal and the second terminal is limited by the second voltage limiting element so as not to exceed the rated voltage. It is possible to prevent an excessive voltage from being applied between the gate and source of the switching element (eg, MOSFET).

本実施の形態に係る直流変換装置は、前記二次巻線の第2端と前記第1のスイッチング素子の制御端子との間の電路に設けられた第1の抵抗と、前記二次巻線の第1端と前記第2のスイッチング素子の制御端子との間の電路に設けられた第2の抵抗とを備える。   The DC converter according to the present embodiment includes a first resistor provided on an electric circuit between a second end of the secondary winding and a control terminal of the first switching element, and the secondary winding. And a second resistor provided in an electric circuit between the first end of the second switching element and the control terminal of the second switching element.

二次巻線の第2端と第1のスイッチング素子の制御端子との間の電路に第1の抵抗を設け、二次巻線の第1端と第2のスイッチング素子の制御端子との間の電路に第2の抵抗を設けている。   A first resistor is provided in the electrical path between the second end of the secondary winding and the control terminal of the first switching element, and between the first end of the secondary winding and the control terminal of the second switching element. A second resistor is provided in the electric circuit.

第1の抵抗及び第2の抵抗を設けることにより、第1の電圧制限素子及び第2の電圧制限素子に流れる電流を制限することができるので、第1の電圧制限素子及び第2の電圧制限素子の損失を低減することができる。   By providing the first resistor and the second resistor, it is possible to limit the current flowing through the first voltage limiting element and the second voltage limiting element, and thus the first voltage limiting element and the second voltage limiting element. The loss of the element can be reduced.

本実施の形態に係る直流変換装置は、前記第1の抵抗に並列に接続され、該第1の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、前記第1のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする第1のバイパス回路と、前記第2の抵抗に並列に接続され、該第2の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、前記第2のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする第2のバイパス回路とを備える。   The direct-current converter according to the present embodiment is connected in parallel to the first resistor, has a resistance smaller than the first resistance, and flows out from the control terminal of the first switching element. A first bypass circuit for bypassing current and a resistor connected in parallel to the second resistor, having a resistance value smaller than that of the second resistor, and flowing out from the control terminal of the second switching element A second bypass circuit that bypasses the current.

第1のバイパス回路は、第1の抵抗に並列に接続され、第1の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、第1のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする。第2のバイパス回路は、第2の抵抗に並列に接続され、第2の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、第2のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする。   The first bypass circuit is connected in parallel to the first resistor, has a resistance smaller than the first resistance, and bypasses the current flowing out from the control terminal of the first switching element. The second bypass circuit is connected in parallel to the second resistor, has a resistance smaller than the second resistance, and bypasses the current flowing out from the control terminal of the second switching element.

第1のスイッチング素子をオンからオフにする場合、第1のスイッチング素子に蓄積された電荷を制御端子から引き抜く必要がある。第1の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有することにより、第1のスイッチング素子がオンからオフになるターンオフ時間を短くすることができ、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子とが同時にオンとなる状態を防止することができる。   When the first switching element is turned off from on, it is necessary to draw out the electric charge accumulated in the first switching element from the control terminal. By having a resistance whose resistance value is smaller than that of the first resistance, the turn-off time during which the first switching element is turned off can be shortened, and the first switching element and the second switching element can be simultaneously A state of being turned on can be prevented.

また、第2のスイッチング素子をオンからオフにする場合、第2のスイッチング素子に蓄積された電荷を制御端子から引き抜く必要がある。第2の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有することにより、第2のスイッチング素子がオンからオフになるターンオフ時間を短くすることができ、第2のスイッチング素子と第1のスイッチング素子とが同時にオンとなる状態を防止することができる。   In addition, when the second switching element is turned off from on, it is necessary to draw out the electric charge accumulated in the second switching element from the control terminal. By having a resistance whose resistance value is smaller than that of the second resistance, the turn-off time during which the second switching element is turned off can be shortened, and the second switching element and the first switching element can be simultaneously A state of being turned on can be prevented.

本実施の形態に係る直流変換装置は、前記第1のバイパス回路及び前記第2のバイパス回路それぞれは、前記抵抗と直列に接続されたダイオードを有する。   In the DC converter according to the present embodiment, each of the first bypass circuit and the second bypass circuit has a diode connected in series with the resistor.

第1のバイパス回路及び第2のバイパス回路それぞれは、抵抗と直列に接続されたダイオードを有する。これにより、第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子がオフからオンするときは、ダイオードによって抵抗に流れる電流を遮断して、第1の抵抗及び第2の抵抗に電流が流れるようにして、比較的大きな第1の抵抗及び第2の抵抗によって第1の電圧制限素子及び第2の電圧制限素子の損失を低減することができる。   Each of the first bypass circuit and the second bypass circuit has a diode connected in series with a resistor. Thereby, when the first switching element and the second switching element are turned on from off, the current flowing through the resistor is cut off by the diode so that the current flows through the first resistor and the second resistor, Losses of the first voltage limiting element and the second voltage limiting element can be reduced by the relatively large first resistance and second resistance.

第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子がオンからオフになるときは、ダイオードによって第1の抵抗及び第2の抵抗に流れる電流を抵抗にバイパスして、第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子のターンオフ時間を短くすることによって第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子が同時にオンとなる状態を防止することができる。   When the first switching element and the second switching element are turned from ON to OFF, the current flowing through the first resistor and the second resistor is bypassed to the resistor by the diode, and the first switching element and the second switching element are bypassed. By shortening the turn-off time of the switching element, it is possible to prevent the first switching element and the second switching element from being turned on simultaneously.

[本願発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は本実施の形態の直流変換装置100の回路構成の第1例を示す説明図である。本実施の形態の直流変換装置100は、入力側の端子A及びB、出力側の端子C及びDを備え、入力側の端子A及びBには、直流電源(不図示)が接続され、出力側の端子C及びDには負荷が接続される。直流変換装置100は、例えば、降圧変換装置である。
[Details of the embodiment of the present invention]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a first example of a circuit configuration of the DC converter 100 of the present embodiment. The DC converter 100 according to the present embodiment includes terminals A and B on the input side and terminals C and D on the output side. A DC power source (not shown) is connected to the terminals A and B on the input side, and outputs A load is connected to the terminals C and D on the side. The DC converter 100 is, for example, a step-down converter.

直流変換装置100は、トランス20、トランス20の一次巻線21側に設けられたFET11、FET12、FET11に並列に接続されたキャパシタ13、FET12に直列に接続されたキャパシタ14などを備えるとともに、トランス20の二次巻線22側に設けられた同期整流用の第1のスイッチング素子としてのFET31、第2のスイッチング素子としてのFET32、第1の電圧制限素子としてのツェナーダイオード41、第2の電圧制限素子としてのツェナーダイオード42、第1の抵抗51、第2の抵抗52、抵抗611及びダイオード612で構成される第1のバイパス回路61、抵抗621及びダイオード622で構成される第2のバイパス回路62、インダクタ71(出力側のチョークコイル)、キャパシタ72などを備える。   The DC converter 100 includes a transformer 20, a FET 11, a FET 12, a capacitor 13 connected in parallel to the FET 11, a capacitor 14 connected in series to the FET 12, and the like provided on the primary winding 21 side of the transformer 20. FET 31 as a first switching element for synchronous rectification, FET 32 as a second switching element, Zener diode 41 as a first voltage limiting element, second voltage provided on the secondary winding 22 side of 20 Zener diode 42 as a limiting element, first resistor 51, second resistor 52, first bypass circuit 61 composed of resistor 611 and diode 612, second bypass circuit composed of resistor 621 and diode 622 62, inductor 71 (choke coil on the output side), capacitor 72 Equipped with a.

なお、第1の抵抗51、第2の抵抗52、第1のバイパス回路61及び第2のバイパス回路62は、必須の構成ではなく、具備しなくてもよい場合がある。また、FET11、FET12、FET31、FET32は、それぞれボディダイオードを有する。なお、本明細書では、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)をFETと称する。   Note that the first resistor 51, the second resistor 52, the first bypass circuit 61, and the second bypass circuit 62 are not essential components and may not be provided. Each of the FET 11, FET 12, FET 31, and FET 32 has a body diode. In this specification, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is referred to as an FET.

端子Aには、トランス20の1次巻線21の一端が接続されている。1次巻線21の他端には、FET11のドレインが接続されている。FET11のソースは、端子Bに接続されている。FET11のドレイン・ソース間には、キャパシタ13(共振用のキャパシタ)が接続されている。   One end of the primary winding 21 of the transformer 20 is connected to the terminal A. The other end of the primary winding 21 is connected to the drain of the FET 11. The source of the FET 11 is connected to the terminal B. A capacitor 13 (resonance capacitor) is connected between the drain and source of the FET 11.

1次巻線21の両端には、FET12とキャパシタ14との直列回路が接続されている。FET12とキャパシタ22との直列回路は、アクティブクランプ回路を構成する。   A series circuit of the FET 12 and the capacitor 14 is connected to both ends of the primary winding 21. A series circuit of the FET 12 and the capacitor 22 constitutes an active clamp circuit.

図1の例では、1次巻線21の一端にキャパシタ14の一端が接続され、キャパシタ14の他端にはFET12のドレインが接続されている。FET12のソースは、1次巻線21の他端に接続されている。   In the example of FIG. 1, one end of the capacitor 14 is connected to one end of the primary winding 21, and the drain of the FET 12 is connected to the other end of the capacitor 14. The source of the FET 12 is connected to the other end of the primary winding 21.

不図示の制御部(例えば、ゲートドライバなど)によって、FET11、FET12は、それぞれ所定のデューティ比でオン/オフ制御される。なお、FET11、FET12がオンする直前には、FET11、FET12の両方がオフするデッドタイムが設けられている。   The FET 11 and FET 12 are ON / OFF controlled at a predetermined duty ratio by a control unit (not shown) (for example, a gate driver). Note that a dead time during which both the FET 11 and the FET 12 are turned off is provided immediately before the FET 11 and the FET 12 are turned on.

トランス20の二次巻線22の第1端22aにFET31のドレイン(第1端子)及びFET32のゲート(制御端子)が接続されている。トランス20の二次巻線22の第2端22bにFET32のドレイン(第1端子)及びFET31のゲート(制御端子)が接続されている。FET31のソース(第2端子)とFET32のソース(第2端子)とが接続されている。FET31及びFET32のソースは端子D(接地レベル)に接続されている。   The drain (first terminal) of the FET 31 and the gate (control terminal) of the FET 32 are connected to the first end 22 a of the secondary winding 22 of the transformer 20. The drain (first terminal) of the FET 32 and the gate (control terminal) of the FET 31 are connected to the second end 22 b of the secondary winding 22 of the transformer 20. The source (second terminal) of the FET 31 and the source (second terminal) of the FET 32 are connected. The sources of the FET 31 and FET 32 are connected to the terminal D (ground level).

FET32のドレインと二次巻線22の第2端22bとの接続点には、インダクタ71の一端が接続され、インダクタ71の他端は、端子Cに接続されている。端子C、D間には、キャパシタ72が接続されている。   One end of the inductor 71 is connected to the connection point between the drain of the FET 32 and the second end 22 b of the secondary winding 22, and the other end of the inductor 71 is connected to the terminal C. A capacitor 72 is connected between the terminals C and D.

FET31のゲート及びソース間には、ツェナーダイオード41が接続されている。ツェナーダイオード41のアノードがFET31のソースに接続され、ツェナーダイオード41のカソードがFET31のゲートに接続されている。   A Zener diode 41 is connected between the gate and source of the FET 31. The anode of the Zener diode 41 is connected to the source of the FET 31, and the cathode of the Zener diode 41 is connected to the gate of the FET 31.

FET32のゲート及びソース間には、ツェナーダイオード42が接続されている。ツェナーダイオード42のアノードがFET32のソースに接続され、ツェナーダイオード42のカソードがFET32のゲートに接続されている。   A Zener diode 42 is connected between the gate and source of the FET 32. The anode of the Zener diode 42 is connected to the source of the FET 32, and the cathode of the Zener diode 42 is connected to the gate of the FET 32.

二次巻線22の第2端22bとFET31のゲートとの間の電路に抵抗51を設け、二次巻線22の第1端22aとFET32のゲートとの間の電路に抵抗52を設けている。   A resistor 51 is provided in the electrical path between the second end 22b of the secondary winding 22 and the gate of the FET 31, and a resistor 52 is provided in the electrical path between the first end 22a of the secondary winding 22 and the gate of the FET 32. Yes.

第1のバイパス回路61は、抵抗51に並列に接続され、抵抗51よりも抵抗値が小さい抵抗611を有し、FET31のゲートから流出する電流をバイパスする。また、第2のバイパス回路62は、抵抗52に並列に接続され、抵抗52よりも抵抗値が小さい抵抗621を有し、FET32のゲートから流出する電流をバイパスする。   The first bypass circuit 61 is connected in parallel to the resistor 51, has a resistor 611 having a smaller resistance value than the resistor 51, and bypasses the current flowing out from the gate of the FET 31. The second bypass circuit 62 is connected in parallel to the resistor 52, has a resistor 621 having a resistance value smaller than that of the resistor 52, and bypasses the current flowing out from the gate of the FET 32.

より具体的には、第1のバイパス回路61は、抵抗611と直列に接続されたダイオード612を有する。ダイオード612のアノードは、抵抗611を介してFET31のゲートに接続され、ダイオード612のカソードは、二次巻線22の第2端22bに接続されている。   More specifically, the first bypass circuit 61 includes a diode 612 connected in series with the resistor 611. The anode of the diode 612 is connected to the gate of the FET 31 via the resistor 611, and the cathode of the diode 612 is connected to the second end 22 b of the secondary winding 22.

第2のバイパス回路62は、抵抗621と直列に接続されたダイオード622を有する。ダイオード622のアノードは、抵抗621を介してFET32のゲートに接続され、ダイオード622のカソードは、二次巻線22の第1端22aに接続されている。   The second bypass circuit 62 has a diode 622 connected in series with the resistor 621. The anode of the diode 622 is connected to the gate of the FET 32 via the resistor 621, and the cathode of the diode 622 is connected to the first end 22 a of the secondary winding 22.

次に、本実施の形態の直流変換装置100の動作について説明する。   Next, the operation of the DC converter 100 according to the present embodiment will be described.

図2は本実施の形態の直流変換装置100の各部の波形の一例を示す模式図である。図中、横軸は時間を示す。上段の図はトランス20の2次巻線22の電圧Vtr(誘起電圧)を示し、中段の図はFET31のゲート電圧Vgs1(ゲート・ソース間電圧)を示し、下段の図はFET32のゲート電圧Vgs2(ゲート・ソース間電圧)を示す。なお、電圧Vtr、Vgs1及びVgs2は、便宜上、図1中に示す矢印の向きを正とする。なお、図2に示す波形は、便宜上模式的に示すものであり、実際の波形とは異なる場合がある。   FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of the waveform of each part of the DC converter 100 of the present embodiment. In the figure, the horizontal axis indicates time. The upper diagram shows the voltage Vtr (induced voltage) of the secondary winding 22 of the transformer 20, the middle diagram shows the gate voltage Vgs1 (gate-source voltage) of the FET 31, and the lower diagram shows the gate voltage Vgs2 of the FET 32. (Gate-source voltage). Note that the voltages Vtr, Vgs1, and Vgs2 are positive in the direction of the arrows shown in FIG. The waveform shown in FIG. 2 is schematically shown for convenience, and may be different from the actual waveform.

FET11、FET12が交互にオン/オフすることにより、トランス20の2次巻線22には、図2の上段の図に示すような電圧が誘起する。   When the FETs 11 and 12 are alternately turned on / off, a voltage as shown in the upper diagram of FIG. 2 is induced in the secondary winding 22 of the transformer 20.

すなわち、トランス20の2次巻線22には、例えば、正極の電圧(例えば、第1端22aに対して第2端22bが高い電圧V1)と負極の電圧(例えば、第2端22bに対して第1端22aが高い電圧V2)とが交互に誘起する。正極の電圧V1が誘起している場合、FET31がオンとなり、FET31、インダクタ71を介して負荷電流が流れる。また、負極の電圧V2が誘起している場合、FET32がオンとなり、インダクタ71に蓄積されたエネルギーがFET32を介して負荷電流が流れる。   That is, the secondary winding 22 of the transformer 20 includes, for example, a positive voltage (for example, a voltage V1 having a higher second end 22b than the first end 22a) and a negative voltage (for example, the second end 22b). Thus, the first end 22a is alternately induced with a high voltage V2). When the positive voltage V <b> 1 is induced, the FET 31 is turned on, and a load current flows through the FET 31 and the inductor 71. When the negative voltage V <b> 2 is induced, the FET 32 is turned on, and a load current flows through the FET 32 as energy stored in the inductor 71.

FET31がオフからオンする時点t1の直前には、FET31のゲート及びソース間には、二次巻線22の電圧V1が印加されるが、FET31のゲートとソースとの間にツェナーダイオード41を接続してあるので、FET31のゲートとソースとの間に印加される電圧は、ツェナーダイオード41によって制限されてVzとなり、FET31のゲート・ソース間の定格電圧Vhを超えないようにすることができ、過大な電圧が印加されることを防止することができる。   The voltage V1 of the secondary winding 22 is applied between the gate and the source of the FET 31 immediately before the time t1 when the FET 31 is turned on, but the Zener diode 41 is connected between the gate and the source of the FET 31. Therefore, the voltage applied between the gate and the source of the FET 31 is limited by the Zener diode 41 to Vz, so that the rated voltage Vh between the gate and the source of the FET 31 cannot be exceeded. It is possible to prevent an excessive voltage from being applied.

また、FET32がオフからオンする時点t2の直前には、FET32のゲート及びソース間には、二次巻線22の電圧V2が印加されるが、FET32のゲートとソースとの間にツェナーダイオード42を接続してあるので、FET32のゲートとソースとの間に印加される電圧は、ツェナーダイオード42によって制限されてVzとなり、FET32のゲート・ソース間の定格電圧Vhを超えないようにすることができ、過大な電圧が印加されることを防止することができる。   Further, immediately before the time point t2 when the FET 32 is turned on from off, the voltage V2 of the secondary winding 22 is applied between the gate and the source of the FET 32, but a Zener diode 42 is provided between the gate and the source of the FET 32. Therefore, the voltage applied between the gate and the source of the FET 32 is limited by the Zener diode 42 to Vz, so that the rated voltage Vh between the gate and the source of the FET 32 is not exceeded. It is possible to prevent an excessive voltage from being applied.

抵抗51を設けることにより、ツェナーダイオード41に流れる電流を制限することができるので、ツェナーダイオード41の損失を低減することができる。また、抵抗52を設けることにより、ツェナーダイオード42に流れる電流を制限することができるので、ツェナーダイオード42の損失を低減することができる。なお、ツェナーダイオード41、42の損失が許容範囲内であれば、抵抗51、52の抵抗値を比較的小さい値にしてもよい。   By providing the resistor 51, the current flowing through the Zener diode 41 can be limited, so that the loss of the Zener diode 41 can be reduced. In addition, since the resistor 52 is provided, the current flowing through the Zener diode 42 can be limited, so that the loss of the Zener diode 42 can be reduced. If the losses of the Zener diodes 41 and 42 are within an allowable range, the resistance values of the resistors 51 and 52 may be set to a relatively small value.

次に、バイパス回路61、62の動作について説明する。まず、バイパス回路61、62を具備しない場合について説明する。   Next, the operation of the bypass circuits 61 and 62 will be described. First, a case where the bypass circuits 61 and 62 are not provided will be described.

図3はバイパス回路61、62を具備しない場合の各部の波形の一例を示す模式図である。図中、横軸は時間を示す。上段の図はFET31のゲート電圧を示し、中段の図はFET32のゲート電圧を示し、下段の図はFET32の電流を示す。   FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the waveform of each part when the bypass circuits 61 and 62 are not provided. In the figure, the horizontal axis indicates time. The upper diagram shows the gate voltage of the FET 31, the middle diagram shows the gate voltage of the FET 32, and the lower diagram shows the current of the FET 32.

時点t11において、二次巻線22の電圧V1が0となると、FET31はオン状態からオフ状態へ向かう(ただし、時点t11以降でも、FET31のオン状態がしばらく継続する)。この場合、FET31のゲートに接続されている抵抗51の抵抗値が比較的大きい場合には、FET31に蓄積された電荷がゲートから外部へ放電する時定数が大きくなり、いわゆるターンオフ時間が遅くなる。このため、デッドタイムが設けられている場合でも、時点t12でFET32のゲート電圧が閾値電圧Vthを越えてFET32がオンするときに、FET31がオフになっていないため、FET31とFET32とが同時にオンとなる状態が発生し、FET32には比較的大きな電流が流れる。FET31がオンする場合も同様である。   When the voltage V1 of the secondary winding 22 becomes 0 at time t11, the FET 31 goes from the on state to the off state (however, the on state of the FET 31 continues for a while after time t11). In this case, when the resistance value of the resistor 51 connected to the gate of the FET 31 is relatively large, the time constant for discharging the charge accumulated in the FET 31 from the gate to the outside becomes large, so-called turn-off time is delayed. Therefore, even when the dead time is provided, when the gate voltage of the FET 32 exceeds the threshold voltage Vth at the time t12 and the FET 32 is turned on, the FET 31 is not turned off, so that the FET 31 and the FET 32 are simultaneously turned on. And a relatively large current flows through the FET 32. The same applies when the FET 31 is turned on.

そこで、FET32に流れる電流が許容範囲を超える場合には、バイパス回路61、62を備えればよい。   Therefore, when the current flowing through the FET 32 exceeds the allowable range, the bypass circuits 61 and 62 may be provided.

図4はバイパス回路61、62を具備する場合の各部の波形の一例を示す模式図である。バイパス回路61は、抵抗51よりも抵抗値が小さい抵抗611を有することにより、FET31がオンからオフになるターンオフ時間を短くすることができ、FET31とFET32とが同時にオンとなる状態を防止することができる。これにより、FET32がオンするときにFET32に流れる電流を抑制することができる。   FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the waveform of each part when the bypass circuits 61 and 62 are provided. By including the resistor 611 having a resistance value smaller than that of the resistor 51, the bypass circuit 61 can shorten the turn-off time in which the FET 31 is turned off from the on state, and prevent the FET 31 and the FET 32 from being turned on at the same time. Can do. Thereby, the current flowing through the FET 32 when the FET 32 is turned on can be suppressed.

また、バイパス回路62は、抵抗52よりも抵抗値が小さい抵抗621を有することにより、図示していないが、FET32がオンからオフになるターンオフ時間を短くすることができ、FET32とFET31とが同時にオンとなる状態を防止することができる。これにより、FET31がオンするときにFET31に流れる電流を抑制することができる。   Although the bypass circuit 62 includes the resistor 621 having a resistance value smaller than that of the resistor 52, the turn-off time during which the FET 32 is turned off can be shortened, and the FET 32 and the FET 31 are simultaneously connected. A state of being turned on can be prevented. Thereby, the current flowing through the FET 31 when the FET 31 is turned on can be suppressed.

より具体的には、FET31がオフからオンするときは、ダイオード612によって抵抗611に流れる電流を遮断して、抵抗51に電流が流れるようにして、比較的大きな抵抗51によってツェナーダイオード41の損失を低減することができる。また、FET32がオフからオンするときは、ダイオード622によって抵抗621に流れる電流を遮断して、抵抗52に電流が流れるようにして、比較的大きな抵抗52によってツェナーダイオード41の損失を低減することができる。   More specifically, when the FET 31 is turned on from OFF, the current flowing through the resistor 611 is cut off by the diode 612 and the current flows through the resistor 51, and the loss of the Zener diode 41 is reduced by the relatively large resistor 51. Can be reduced. Further, when the FET 32 is turned on from off, the current flowing through the resistor 621 is cut off by the diode 622 and the current flows through the resistor 52, and the loss of the Zener diode 41 can be reduced by the relatively large resistor 52. it can.

FET31がオンからオフになるときは、ダイオード612によって抵抗51に流れる電流を抵抗値がより小さい抵抗611にバイパスして、FET31のターンオフ時間を短くすることによってFET31及びFET32が同時にオンとなる状態を防止することができる。   When the FET 31 is turned off from on, the current flowing in the resistor 51 by the diode 612 is bypassed to the resistor 611 having a smaller resistance value, and the turn-off time of the FET 31 is shortened so that the FET 31 and the FET 32 are simultaneously turned on. Can be prevented.

また、FET32がオンからオフになるときは、ダイオード622によって抵抗52に流れる電流を抵抗値がより小さい抵抗621にバイパスして、FET32のターンオフ時間を短くすることによってFET31及びFET32が同時にオンとなる状態を防止することができる。   Further, when the FET 32 is turned off from on, the current flowing in the resistor 52 by the diode 622 is bypassed to the resistor 621 having a smaller resistance value, and the turn-off time of the FET 32 is shortened so that the FET 31 and the FET 32 are simultaneously turned on. A state can be prevented.

電流変換装置100の構成は、図1に示すような構成に限定されるものではない。以下に他の構成について説明する。   The configuration of the current conversion device 100 is not limited to the configuration shown in FIG. Other configurations will be described below.

図5は本実施の形態の直流変換装置100の回路構成の第2例を示す説明図である。図1に示す第1例との相違は、トランス20が、いわゆるセンタータップ方式である。図5に示すように、インダクタ71の一端が、2次巻線22のセンタータップ(第3端)22cに接続されている。なお、他の構成は、第1例と同様であるので、説明は省略する。   FIG. 5 is an explanatory diagram showing a second example of the circuit configuration of the DC converter 100 of the present embodiment. The difference from the first example shown in FIG. 1 is that the transformer 20 is a so-called center tap system. As shown in FIG. 5, one end of the inductor 71 is connected to the center tap (third end) 22 c of the secondary winding 22. Since other configurations are the same as those of the first example, description thereof is omitted.

第2例においても、FET31、FET32のゲート及びソース間に過大な電圧が印加されることを防止することができる。   Also in the second example, it is possible to prevent an excessive voltage from being applied between the gates and the sources of the FETs 31 and 32.

また、第2例においても、抵抗51を設けることにより、ツェナーダイオード41に流れる電流を制限することができるので、ツェナーダイオード41の損失を低減することができる。また、抵抗52を設けることにより、ツェナーダイオード42に流れる電流を制限することができるので、ツェナーダイオード42の損失を低減することができる。   Also in the second example, by providing the resistor 51, the current flowing through the Zener diode 41 can be limited, so that the loss of the Zener diode 41 can be reduced. In addition, since the resistor 52 is provided, the current flowing through the Zener diode 42 can be limited, so that the loss of the Zener diode 42 can be reduced.

バイパス回路61は、抵抗51よりも抵抗値が小さい抵抗611を有することにより、FET31がオンからオフになるターンオフ時間を短くすることができ、FET31とFET32とが同時にオンとなる状態を防止することができる。これにより、FET32がオンするときにFET32に流れる電流を抑制することができる。バイパス回路62についても同様である。   By including the resistor 611 having a resistance value smaller than that of the resistor 51, the bypass circuit 61 can shorten the turn-off time in which the FET 31 is turned off from the on state, and prevent the FET 31 and the FET 32 from being turned on at the same time. Can do. Thereby, the current flowing through the FET 32 when the FET 32 is turned on can be suppressed. The same applies to the bypass circuit 62.

より具体的には、FET31がオフからオンするときは、ダイオード612によって抵抗611に流れる電流を遮断して、抵抗51に電流が流れるようにして、比較的大きな抵抗51によってツェナーダイオード41の損失を低減することができる。また、FET32がオフからオンするときは、ダイオード622によって抵抗621に流れる電流を遮断して、抵抗52に電流が流れるようにして、比較的大きな抵抗52によってツェナーダイオード41の損失を低減することができる。FET32についても同様である。   More specifically, when the FET 31 is turned on from OFF, the current flowing through the resistor 611 is cut off by the diode 612 and the current flows through the resistor 51, and the loss of the Zener diode 41 is reduced by the relatively large resistor 51. Can be reduced. Further, when the FET 32 is turned on from off, the current flowing through the resistor 621 is cut off by the diode 622 and the current flows through the resistor 52, and the loss of the Zener diode 41 can be reduced by the relatively large resistor 52. it can. The same applies to the FET 32.

FET31がオンからオフになるときは、ダイオード612によって抵抗51に流れる電流を抵抗値がより小さい抵抗611にバイパスして、FET31のターンオフ時間を短くすることによってFET31及びFET32が同時にオンとなる状態を防止することができる。FET32についても同様である。   When the FET 31 is turned off from on, the current flowing in the resistor 51 by the diode 612 is bypassed to the resistor 611 having a smaller resistance value, and the turn-off time of the FET 31 is shortened so that the FET 31 and the FET 32 are simultaneously turned on. Can be prevented. The same applies to the FET 32.

スイッチング素子はMOSFETに限定されるものではなく、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのデバイスであってもよい。本実施の形態のように、スイッチング素子が、MOSFETの場合には、ドレイン・ソース間には等価的に内蔵されたボディダイオードが存在する。また、スイッチング素子として、バイポーラトランジスタを用いる場合には、トランジスタのコレクタ・エミッタ間にダイオードを逆並列に接続すればよい。   The switching element is not limited to a MOSFET, and may be a device such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). In the case where the switching element is a MOSFET as in the present embodiment, there is an equivalently incorporated body diode between the drain and source. When a bipolar transistor is used as the switching element, a diode may be connected in antiparallel between the collector and emitter of the transistor.

本実施の形態では、電源装置として、図1、図5に示したようなDC/DCコンバータの構成を例に挙げて説明したが、DC/DCコンバータの構成は図1及び図5に例示した構成に限定されるものではない。   In the present embodiment, the configuration of the DC / DC converter as shown in FIGS. 1 and 5 has been described as an example of the power supply device. However, the configuration of the DC / DC converter is illustrated in FIGS. 1 and 5. The configuration is not limited.

本実施の形態において、ダイオード612、622に代えてFETを用いてもよい。   In this embodiment, FETs may be used instead of the diodes 612 and 622.

以上に開示された実施の形態及び実施例は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態及び実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての修正や変形を含むものと意図される。   The embodiments and examples disclosed above should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments and examples but by the scope of claims, and is intended to include all modifications and variations within the meaning and scope equivalent to the scope of claims. .

11、12、31、32 FET
13、14、72 キャパシタ
20 トランス
21 1次巻線
22 2次巻線
41、42 ツェナーダイオード
61、62 バイパス回路
51、52、611、621 抵抗
612、622 ダイオード
71 インダクタ
11, 12, 31, 32 FET
13, 14, 72 Capacitor 20 Transformer 21 Primary winding 22 Secondary winding 41, 42 Zener diode 61, 62 Bypass circuit 51, 52, 611, 621 Resistance 612, 622 Diode 71 Inductor

Claims (4)

トランスと、該トランスの二次側に設けられ、二つの端子及び該二つの端子間の導通を制御する制御端子を有する同期整流用の第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子とを備える直流変換装置であって、
前記トランスの二次巻線の第1端に前記第1のスイッチング素子の第1端子及び前記第2のスイッチング素子の制御端子を接続し、
前記トランスの二次巻線の第2端に前記第2のスイッチング素子の第1端子及び前記第1のスイッチング素子の制御端子を接続し、
前記第1のスイッチング素子の第2端子と前記第2のスイッチング素子の第2端子とを接続し、
前記第1のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第1の電圧制限素子と、
前記第2のスイッチング素子の制御端子と第2端子との間に接続された第2の電圧制限素子と
を備える直流変換装置。
DC including a transformer, and a first switching element and a second switching element for synchronous rectification that are provided on the secondary side of the transformer and have two terminals and a control terminal that controls conduction between the two terminals. A conversion device,
Connecting the first terminal of the first switching element and the control terminal of the second switching element to the first end of the secondary winding of the transformer;
Connecting the first terminal of the second switching element and the control terminal of the first switching element to the second end of the secondary winding of the transformer;
Connecting the second terminal of the first switching element and the second terminal of the second switching element;
A first voltage limiting element connected between a control terminal and a second terminal of the first switching element;
A DC converter comprising: a second voltage limiting element connected between a control terminal and a second terminal of the second switching element.
前記二次巻線の第2端と前記第1のスイッチング素子の制御端子との間の電路に設けられた第1の抵抗と、
前記二次巻線の第1端と前記第2のスイッチング素子の制御端子との間の電路に設けられた第2の抵抗と
を備える請求項1に記載の直流変換装置。
A first resistor provided in an electric circuit between a second end of the secondary winding and a control terminal of the first switching element;
The DC converter according to claim 1, further comprising: a second resistor provided on an electric circuit between a first end of the secondary winding and a control terminal of the second switching element.
前記第1の抵抗に並列に接続され、該第1の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、前記第1のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする第1のバイパス回路と、
前記第2の抵抗に並列に接続され、該第2の抵抗よりも抵抗値が小さい抵抗を有し、前記第2のスイッチング素子の制御端子から流出する電流をバイパスする第2のバイパス回路と
を備える請求項2に記載の直流変換装置。
A first bypass circuit connected in parallel to the first resistor, having a resistance smaller than the first resistance, and bypassing a current flowing out from a control terminal of the first switching element;
A second bypass circuit connected in parallel to the second resistor, having a resistance smaller than the second resistance, and bypassing a current flowing out from a control terminal of the second switching element; The direct-current converter according to claim 2 provided.
前記第1のバイパス回路及び前記第2のバイパス回路それぞれは、
前記抵抗と直列に接続されたダイオードを有する請求項3に記載の直流変換装置。
Each of the first bypass circuit and the second bypass circuit is:
The DC converter according to claim 3, further comprising a diode connected in series with the resistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020137283A (en) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社豊田自動織機 Insulation type step-down dc-dc converter
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