JP2018148354A - Antenna device - Google Patents

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頌平 石川
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洋二 大橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antenna device in which radiation characteristics are improved.SOLUTION: An antenna device includes: a first isolation layer; a rectangle or circular patch antenna which includes a first feeding point and a second feeding point to which a high frequency power that is provided on a first surface of the first isolation layer, is arranged to a first end part and a second end prat in a plan view, and includes a phase difference of 90 degrees, and discharges a circular polarization electric wave; a layering passive element which is arranged in the second surface of the first isolation layer so as to be overlapped with a part of or all or two sides near from the first and second feeding points from four sides of the rectangle patch antenna in the plan view, or is arranged so as to be overlapped with the first and second feeding points from a center of the circular patch antenna in an arc and the plan view; a second isolation layer provided on the side opposite to the first isolation layer to the passive element; and a ground layer provided on the side opposite to the passive element to the second isolation layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、アンテナ装置に関する。   The present invention relates to an antenna device.

従来より、誘電体板と、該誘電体板の一面側に配置された金属基板と、前記誘電体板の他面側に配置された第１の金属板とを備えた円偏波マイクロストリップアンテナがある。前記第１の金属板を楕円形状とし、前記誘電体内に第２の楕円形状金属板を少なくとも１個さらに備えて、前記第１の楕円形状金属板又は少なくとも１個の前記第２の楕円形状金属板の一つに前記金属基板から前記誘電体板を介して給電するように構成したことを特徴とする（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a circularly polarized microstrip antenna comprising a dielectric plate, a metal substrate disposed on one surface side of the dielectric plate, and a first metal plate disposed on the other surface side of the dielectric plate. There is. The first metal plate has an elliptical shape, the dielectric body further includes at least one second elliptical metal plate, and the first elliptical metal plate or at least one second elliptical metal plate. One of the plates is configured to be fed with power from the metal substrate through the dielectric plate (see, for example, Patent Document 1).

特開昭５７−９１００３号公報JP-A-57-91003

ところで、従来のアンテナ装置は、第１の金属板が放射する円偏波の電波に分布が生じても、第２の楕円形状金属板は、平面視で第１の金属板と同心楕円状に配置されているため、電波の分布を矯正することができない。電波の分布を矯正できない場合には、アンテナ装置としての放射特性が低下する。   By the way, in the conventional antenna device, even if distribution occurs in the circularly polarized radio wave radiated from the first metal plate, the second elliptical metal plate is concentrically elliptical with the first metal plate in plan view. Because it is arranged, the distribution of radio waves cannot be corrected. If the distribution of radio waves cannot be corrected, the radiation characteristics of the antenna device will deteriorate.

そこで、放射特性を改善したアンテナ装置を提供することを目的とする。   Therefore, an object is to provide an antenna device with improved radiation characteristics.

本発明の実施の形態のアンテナ装置は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられ、平面視における第１端部及び第２端部にそれぞれ配置され、９０度の位相差を有する高周波電力が給電される第１給電点及び第２給電点を有し、円偏波の電波を放射する、矩形又は円形のパッチアンテナと、前記第１絶縁層の第２面において、前記矩形のパッチアンテナの四辺のうちの前記第１給電点及び前記第２給電点に近い二辺の一部若しくは全部と平面視で重なるように配置される、又は、前記円形のパッチアンテナの中心よりも前記第１給電点及び前記第２給電点側の円弧と平面視で重なるように配置される、層状の無給電素子と、前記無給電素子に対して前記第１絶縁層とは反対側に設けられる第２絶縁層と、前記第２絶縁層に対して前記無給電素子とは反対側に設けられるグランド層とを含む。   An antenna device according to an embodiment of the present invention is provided on a first insulating layer and a first surface of the first insulating layer, and is disposed at a first end and a second end in a plan view, respectively, A rectangular or circular patch antenna that has a first feeding point and a second feeding point to which high-frequency power having a phase difference is fed and radiates circularly polarized radio waves, and a second surface of the first insulating layer The rectangular patch antenna is arranged so as to overlap part or all of the two sides close to the first feeding point and the second feeding point of the four sides of the rectangular patch antenna, or the circular patch antenna A layered parasitic element disposed so as to overlap the arc on the first feeding point side and the second feeding point side from the center in plan view, and the first insulating layer is opposite to the parasitic element A second insulating layer provided on a side of the second insulating layer; The parasitic element and a ground provided on the side opposite layer.

放射特性を改善したアンテナ装置を提供することができる。   An antenna device with improved radiation characteristics can be provided.

実施の形態のアンテナ装置１００を示す図である。It is a figure which shows the antenna device 100 of embodiment. 図１のＡ１−Ａ２矢視断面図である。It is A1-A2 arrow sectional drawing of FIG. 図１のＡ１−Ｂ矢視断面図である。It is A1-B arrow sectional drawing of FIG. パッチアンテナ１３０に生じる電流分布を示す図である。It is a figure which shows the electric current distribution which arises in the patch antenna. パッチアンテナ１３０に生じる電流分布を示す図である。It is a figure which shows the electric current distribution which arises in the patch antenna. 実施の形態のアンテナ装置１００における円偏波の軸比の周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of the axial ratio of the circularly polarized wave in the antenna device 100 of embodiment. 比較用のアンテナ装置における円偏波の軸比の周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of the axial ratio of a circularly polarized wave in the antenna apparatus for a comparison. 実施の形態の変形例のアンテナ装置１００Ａを示す図である。It is a figure which shows 100 A of antenna apparatuses of the modification of embodiment. 実施の形態の変形例のアンテナ装置１００Ｂを示す図である。It is a figure which shows the antenna apparatus 100B of the modification of embodiment. 実施の形態の変形例のアンテナ装置３００を示す図である。It is a figure which shows the antenna apparatus 300 of the modification of embodiment.

以下、本発明のアンテナ装置を適用した実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments to which the antenna device of the present invention is applied will be described.

＜実施の形態＞
図１は、実施の形態のアンテナ装置１００を示す図である。図２は、図１のＡ１−Ａ２矢視断面図である。図３は、図１のＡ１−Ｂ矢視断面図である。ここでは、ＸＹＺ座標系を用いて説明する。 <Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating an antenna device 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along arrow A1-A2 of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along arrow A1-B in FIG. Here, description will be made using the XYZ coordinate system.

アンテナ装置１００は、絶縁層１１０、１２０、パッチアンテナ１３０、無給電素子１４０、及びグランド層１５０を含む。アンテナ装置１００は、２層の絶縁層（絶縁層１１０、１２０）と３層の金属層（パッチアンテナ１３０、無給電素子１４０、及びグランド層１５０）とを含む配線基板によって実現される。   The antenna device 100 includes insulating layers 110 and 120, a patch antenna 130, a parasitic element 140, and a ground layer 150. The antenna device 100 is realized by a wiring board including two insulating layers (insulating layers 110 and 120) and three metal layers (patch antenna 130, parasitic element 140, and ground layer 150).

配線基板は、一例として、ＦＲ−４(Flame Retardant type 4)規格の多層型のビルドアップ型の配線基板である。２層の絶縁層と３層の金属層を含む配線基板は、重ね合わせた状態で熱硬化されることによって作製される。なお、多層型とは、２層以上の絶縁層と、３層以上の金属層とを含む意味である。ここでは、２層の絶縁層と３層の金属層を含む配線基板を用いる形態について説明するが、さらに多くの絶縁層及び／又は金属層を含んでもよい。   The wiring board is, for example, a FR-4 (Flame Retardant type 4) standard multilayer build-up type wiring board. A wiring board including two insulating layers and three metal layers is manufactured by being thermoset in a superposed state. Note that the multilayer type includes two or more insulating layers and three or more metal layers. Here, a mode in which a wiring board including two insulating layers and three metal layers is used will be described, but more insulating layers and / or metal layers may be included.

また、図１に示すように、アンテナ装置１００には、ＲＦ(Radio Frequency：高周波)送受信機１６０が接続されている。図２及び図３では、ＲＦ送受信機１６０を省略する。   As shown in FIG. 1, an RF (Radio Frequency) transceiver 160 is connected to the antenna device 100. 2 and 3, the RF transceiver 160 is omitted.

絶縁層１１０、１２０は、配線基板の絶縁層として用いられるコア層又はプリプレグ層である。一例として、ここでは、絶縁層１１０がプリプレグ層であり、絶縁層１２０がコア層である。絶縁層１１０、１２０は、それぞれ、第１絶縁層、第２絶縁層の一例である。なお、絶縁層１１０、１２０は、配線基板の絶縁層として用いられる層であれば、コア層又はプリプレグ層ではなくてもよい。   The insulating layers 110 and 120 are a core layer or a prepreg layer used as an insulating layer of a wiring board. As an example, here, the insulating layer 110 is a prepreg layer, and the insulating layer 120 is a core layer. The insulating layers 110 and 120 are examples of a first insulating layer and a second insulating layer, respectively. The insulating layers 110 and 120 do not have to be core layers or prepreg layers as long as they are layers used as insulating layers of the wiring board.

絶縁層１１０のＺ軸正方向側の面にはパッチアンテナ１３０が配設され、絶縁層１１０と１２０の間には、無給電素子１４０が配置され、絶縁層１１０のＺ軸負方向側の面にはグランド層１５０が配設される。絶縁層１１０のＺ軸正方向側の面は、第１面の一例であり、絶縁層１１０のＺ軸負方向側の面は、第２面の一例である。   A patch antenna 130 is disposed on the surface of the insulating layer 110 on the Z-axis positive direction side, a parasitic element 140 is disposed between the insulating layers 110 and 120, and the surface of the insulating layer 110 on the Z-axis negative direction side. Is provided with a ground layer 150. The surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 110 is an example of a first surface, and the surface on the Z-axis negative direction side of the insulating layer 110 is an example of a second surface.

パッチアンテナ１３０は、絶縁層１２１のＺ軸正方向側の面に設けられており、辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と頂点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とを有する平面視で正方形状の金属層である。パッチアンテナ１３０は、例えば、銅箔によって作製することができる。パッチアンテナ１３０は、２つの給電点１３１、１３２を有する。パッチアンテナ１３０は、円偏波の電波をＺ軸方向に放射する。パッチアンテナ１３０の辺の長さは、一例として、アンテナ装置１００の通信周波数における波長の電気長λの１／２（λ／２）である。   The patch antenna 130 is provided on the surface on the positive side of the Z-axis of the insulating layer 121, and has a square metal layer in plan view having sides S1, S2, S3, S4 and vertices P1, P2, P3, P4. It is. The patch antenna 130 can be made of, for example, copper foil. The patch antenna 130 has two feeding points 131 and 132. The patch antenna 130 radiates circularly polarized radio waves in the Z-axis direction. For example, the length of the side of the patch antenna 130 is ½ (λ / 2) of the electrical length λ of the wavelength at the communication frequency of the antenna device 100.

給電点１３１、１３２は、それぞれ、隣り合う辺Ｓ１、Ｓ２の中点の近傍に設けられている。給電点１３１、１３２は、それぞれ、第１給電点、第２給電点の一例である。給電点１３１、１３２を辺Ｓ１、Ｓ２の近傍に設けるのは、パッチアンテナ１３０の端（辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に沿った部分）は、電流が多く流れる部位であり、給電点１３１、１３２のインピーダンスを小さくすることができるからである。   The feeding points 131 and 132 are provided in the vicinity of the midpoints of the adjacent sides S1 and S2, respectively. The feed points 131 and 132 are examples of a first feed point and a second feed point, respectively. The feed points 131 and 132 are provided in the vicinity of the sides S1 and S2. The ends of the patch antenna 130 (portions along the sides S1, S2, S3, and S4) are portions where a large amount of current flows. This is because the impedance of 132 can be reduced.

なお、辺Ｓ１の中点の近傍とは、辺Ｓ１の中点から対辺である辺Ｓ３側にオフセットした位置である。また、辺Ｓ２の中点の近傍とは、辺Ｓ２の中点から対辺である辺Ｓ４側にオフセットした位置である。すなわち、給電点１３１は、パッチアンテナ１３０のＸ軸方向の幅の中央に位置し、給電点１３２は、パッチアンテナ１３０のＹ軸方向の幅の中央に位置する。なお、オフセットの量は、ゼロであってもよい。この場合には、給電点１３１、１３２が辺Ｓ１、Ｓ２上に位置することになる。   Note that the vicinity of the midpoint of the side S1 is a position offset from the midpoint of the side S1 to the side S3 that is the opposite side. The vicinity of the midpoint of the side S2 is a position offset from the midpoint of the side S2 to the side S4 that is the opposite side. That is, the feeding point 131 is located at the center of the width of the patch antenna 130 in the X-axis direction, and the feeding point 132 is located at the center of the width of the patch antenna 130 in the Y-axis direction. The amount of offset may be zero. In this case, the feeding points 131 and 132 are located on the sides S1 and S2.

給電点１３１、１３２は、絶縁層１１０、１２０を厚さ方向に貫通する貫通孔の内部に形成されるビア１３３、１３４に接続されている。ビア１３３、１３４のＺ軸負方向側の端部は、グランド層１５０に設けられる開口部１５１、１５２から表出する。なお、開口部１５１、１５２は、ビア１３３、１３４のＺ軸負方向側の端部を避けており、互いに絶縁されている。   The feeding points 131 and 132 are connected to vias 133 and 134 formed inside through holes that penetrate the insulating layers 110 and 120 in the thickness direction. The ends of the vias 133 and 134 on the Z axis negative direction side are exposed from openings 151 and 152 provided in the ground layer 150. Note that the openings 151 and 152 avoid the ends of the vias 133 and 134 on the Z axis negative direction side and are insulated from each other.

ビア１３３、１３４は、同軸ケーブル１６１、１６２を介してＲＦ送受信機１６０が接続されている。同軸ケーブル１６２の途中には、９０度位相器１６２Ａが挿入されている。ＲＦ送受信機１６０から出力される高周波の電力は、同軸ケーブル１６１を介して（さらにビア１３３を介して）給電点１３１に供給されるとともに、同軸ケーブル１６２を介して（さらにビア１３４を介して）給電点１３２に供給される。   The RF transceiver 160 is connected to the vias 133 and 134 via coaxial cables 161 and 162. A 90-degree phase shifter 162A is inserted in the middle of the coaxial cable 162. The high frequency power output from the RF transceiver 160 is supplied to the feeding point 131 via the coaxial cable 161 (further via the via 133) and via the coaxial cable 162 (further via the via 134). It is supplied to the feeding point 132.

同軸ケーブル１６２を介して給電点１３２に供給される高周波は、９０度位相器１６２Ａで位相が９０度遅延されるため、給電点１３２に供給される高周波は、給電点１３１に供給される高周波よりも９０度位相が遅れている。これにより、パッチアンテナ１３０は、円偏波の高周波を放射する。なお、高周波の周波数は、一例として、６０ＧＨｚであり、所謂ミリ波である。   Since the phase of the high frequency supplied to the feeding point 132 via the coaxial cable 162 is delayed by 90 degrees by the 90-degree phase shifter 162A, the high frequency supplied to the feeding point 132 is higher than the high frequency supplied to the feeding point 131. Also, the phase is delayed by 90 degrees. Thereby, the patch antenna 130 radiates a circularly polarized high frequency wave. In addition, the frequency of a high frequency is 60 GHz as an example, and is what is called a millimeter wave.

無給電素子１４０は、絶縁層１２１と１２２との間に設けられている平面視で矩形状の金属層であり、一例として、パッチアンテナ１３０よりも小さいサイズを有する。無給電素子１４０は、辺Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４と頂点Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４とを有する。ここで、パッチアンテナ１３０の中心１３０Ａと、頂点Ｐ２及びＰ４とを通る直線をＬ１とする。また、無給電素子１４０の中心を１４０Ａとする。直線Ｌ１は、給電点１３１と１３２の対称軸である。   The parasitic element 140 is a rectangular metal layer provided between the insulating layers 121 and 122 in a plan view, and has a size smaller than that of the patch antenna 130 as an example. The parasitic element 140 has sides S11, S12, S13, S14 and vertices P11, P12, P13, P14. Here, a straight line passing through the center 130A of the patch antenna 130 and the apexes P2 and P4 is defined as L1. The center of the parasitic element 140 is 140A. The straight line L1 is an axis of symmetry between the feeding points 131 and 132.

無給電素子１４０の中心１４０Ａは、パッチアンテナ１３０の中心１３０Ａに対して、直線Ｌ１に沿って、頂点Ｐ２側にオフセットした位置にある。無給電素子１４０の頂点Ｐ１２及びＰ１４は、直線Ｌ１上に位置する。   The center 140A of the parasitic element 140 is at a position offset from the center 130A of the patch antenna 130 toward the vertex P2 along the straight line L1. The vertices P12 and P14 of the parasitic element 140 are located on the straight line L1.

無給電素子１４０の辺Ｓ１１は、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１よりもＹ軸負方向側に位置し、辺Ｓ１２は、辺Ｓ２よりもＸ軸正方向側に位置し、辺Ｓ１３は、給電点１３２よりもＹ軸負方向側に位置し、辺Ｓ１４は、給電点１３１よりもＸ軸正方向側に位置する。   The side S11 of the parasitic element 140 is located on the Y axis negative direction side of the side S1 of the patch antenna 130, the side S12 is located on the X axis positive direction side of the side S2, and the side S13 is a feeding point 132. The side S14 is located closer to the X-axis positive direction side than the feeding point 131.

このため、無給電素子１４０は、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１の給電点１３１よりもＸ軸正方向側の部分、及び、辺Ｓ２の給電点１３２よりもＹ軸負方向側の部分と重複し、かつ、辺Ｓ１、Ｓ２を越えてパッチアンテナ１３０からはみ出すように配置されている。   Therefore, the parasitic element 140 overlaps the portion on the X axis positive direction side with respect to the feeding point 131 on the side S1 of the patch antenna 130 and the portion on the Y axis negative direction side with respect to the feeding point 132 on the side S2. And it arrange | positions so that it may protrude from the patch antenna 130 over edge | side S1, S2.

換言すれば、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１とＳ３の中点同士を通る直線と、辺Ｓ２とＳ４の中点同士を通る直線とで、パッチアンテナ１３０を４つの正方形の領域に分割して考えると、無給電素子１４０は、４つの正方形のうち、Ｘ軸正方向側かつＹ軸負方向側に位置する正方形の一部分と重複し、かつ、辺Ｓ１、Ｓ２を越えてパッチアンテナ１３０からはみ出すように配置されている。   In other words, when patch antenna 130 is divided into four square areas, a straight line passing through the midpoints of sides S1 and S3 of patch antenna 130 and a straight line passing through the midpoints of sides S2 and S4 are considered. The parasitic element 140 overlaps a part of the four squares located on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side, and protrudes from the patch antenna 130 beyond the sides S1 and S2. Has been placed.

また、さらに換言すれば、無給電素子１４０は、パッチアンテナ１３０のうちの２つの給電点１３１、１３２によって挟まれた領域（給電点１３１、１３２の間にある領域）と重複し、かつ、辺Ｓ１、Ｓ２を越えてパッチアンテナ１３０からはみ出すように配設されている。   Further, in other words, the parasitic element 140 overlaps with an area between the two feeding points 131 and 132 of the patch antenna 130 (an area between the feeding points 131 and 132), and the side It is arranged so as to protrude from the patch antenna 130 beyond S1 and S2.

このように、無給電素子１４０は、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１及びＳ２の一部と平面視で重複し、かつ、辺Ｓ１及びＳ２の一部を跨ぐように配置されている。無給電素子１４０が辺Ｓ１及びＳ２の一部と平面視で重複し、かつ、辺Ｓ１及びＳ２の一部を跨ぐとは、無給電素子１４０が辺Ｓ１及びＳ２の一部と平面視で重複し、かつ、辺Ｓ１及びＳ２の一部の両側に連続的に位置することをいう。無給電素子１４０をこのように配置する理由については、図４乃至図７を用いて後述する。   Thus, the parasitic element 140 is disposed so as to overlap a part of the sides S1 and S2 of the patch antenna 130 in plan view and straddle a part of the sides S1 and S2. The parasitic element 140 overlaps a part of the sides S1 and S2 in plan view and straddles part of the sides S1 and S2. The parasitic element 140 overlaps a part of the sides S1 and S2 in plan view. In addition, it means that they are continuously located on both sides of a part of the sides S1 and S2. The reason why the parasitic element 140 is arranged in this way will be described later with reference to FIGS.

グランド層１５０は、パッチアンテナ１３０からＺ軸負方向側に放射される電波をＺ軸正方向側に反射する反射層として絶縁層１２２のＺ軸負方向側の面に設けられている。パッチアンテナ１３０の放射効率を向上させるためである。   The ground layer 150 is provided on the surface of the insulating layer 122 on the Z-axis negative direction side as a reflection layer that reflects radio waves radiated from the patch antenna 130 to the Z-axis negative direction side to the Z-axis positive direction side. This is for improving the radiation efficiency of the patch antenna 130.

図４及び図５は、パッチアンテナ１３０に生じる電流分布を示す図である。図４では、電流の向きを矢印で示す。矢印の長さは電流量に比例するものとして示す。   4 and 5 are diagrams showing a current distribution generated in the patch antenna 130. FIG. In FIG. 4, the direction of current is indicated by an arrow. The length of the arrow is shown as being proportional to the amount of current.

パッチアンテナ１３０では、中心１３０Ａ側よりも辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の側に電流が集中して流れる。   In the patch antenna 130, current flows more concentrated on the sides S1, S2, S3, and S4 than on the center 130A side.

図４に示すように、ある時刻（ｔ＝０）では、給電点１３１に供給される高周波電力によってパッチアンテナ１３０の辺Ｓ２、Ｓ４に沿ってＹ軸正方向の電流が流れる。辺Ｓ２には給電点１３２があり、辺Ｓ４に比べると電流の流れが妨げられるため、辺Ｓ２に沿って流れる電流は、辺Ｓ４に沿って流れる電流よりも少なくなる。このため、辺Ｓ２に沿った矢印を辺Ｓ４に沿った矢印よりも短く示す。   As shown in FIG. 4, at a certain time (t = 0), a high-frequency power supplied to the feeding point 131 causes a current in the Y-axis positive direction to flow along the sides S <b> 2 and S <b> 4 of the patch antenna 130. Since the side S2 has a feeding point 132 and the current flow is hindered compared to the side S4, the current flowing along the side S2 is smaller than the current flowing along the side S4. For this reason, the arrow along the side S2 is shown shorter than the arrow along the side S4.

また、時刻ｔ＝０から高周波電力の周期の１／４（π／２）が経過した時刻（ｔ＝π／２）では、給電点１３２に供給される高周波電力によってパッチアンテナ１３０の辺Ｓ１、Ｓ３に沿ってＸ軸負方向の電流が流れる。辺Ｓ１には給電点１３１があり、辺Ｓ３に比べると電流の流れが妨げられるため、辺Ｓ１に沿って流れる電流は、辺Ｓ３に沿って流れる電流よりも少なくなる。このため、辺Ｓ１に沿った矢印を辺Ｓ３に沿った矢印よりも短く示す。   Further, at time (t = π / 2) when ¼ (π / 2) of the period of the high-frequency power has elapsed from time t = 0, the side S1 of the patch antenna 130 by the high-frequency power supplied to the feeding point 132, A current in the negative direction of the X-axis flows along S3. Since there is a feeding point 131 on the side S1 and the flow of current is hindered compared to the side S3, the current flowing along the side S1 is less than the current flowing along the side S3. For this reason, the arrow along the side S1 is shown shorter than the arrow along the side S3.

給電点１３１、１３２に供給される高周波電力がπ／２の位相差で交互に最大値又は最小値を取ることにより、パッチアンテナ１３０には、Ｙ軸正方向、Ｘ軸負方向、Ｙ軸負方向、Ｘ軸正方向に順番に電流が流れ、円偏波の電波がＺ軸方向に放射される。   The high-frequency power supplied to the feeding points 131 and 132 alternately takes the maximum value or the minimum value with a phase difference of π / 2, so that the patch antenna 130 has a Y-axis positive direction, an X-axis negative direction, and a Y-axis negative direction. Current flows in the direction of the direction and the positive direction of the X axis, and circularly polarized radio waves are radiated in the Z axis direction.

ここで、パッチアンテナ１３０には、辺Ｓ１よりも辺Ｓ３側で多くの電流が流れ、辺Ｓ２よりも辺Ｓ４側で多くの電流が流れるため、無給電素子１４０が存在しない状態では、パッチアンテナ１３０によって放射される電波の強度は、パッチアンテナ１３０の中心１３０Ａよりも頂点Ｐ４側で強くなり、頂点Ｐ２側で弱くなる。このように、電波の強度に分布が生じる。   Here, since a larger amount of current flows through the patch antenna 130 on the side S3 side than the side S1 and a larger amount of current flows on the side S4 side than the side S2, the patch antenna 130 is present in a state where the parasitic element 140 is not present. The intensity of the radio wave radiated by 130 becomes stronger on the vertex P4 side and weaker on the vertex P2 side than the center 130A of the patch antenna 130. In this way, distribution occurs in the intensity of radio waves.

無給電素子１４０を図１に示すように配置すると、パッチアンテナ１３０と無給電素子１４０との間に静電容量が生じるため、パッチアンテナ１３０の静電容量は、頂点Ｐ２がある側において増大し、平面視で無給電素子１４０と重複している部分における電波の放射量が増大する。   When the parasitic element 140 is arranged as shown in FIG. 1, an electrostatic capacity is generated between the patch antenna 130 and the parasitic element 140. Therefore, the electrostatic capacity of the patch antenna 130 increases on the side where the vertex P2 is present. In addition, the amount of radiation of radio waves in a portion overlapping the parasitic element 140 in plan view increases.

すなわち、無給電素子１４０を図１に示すように配置することにより、パッチアンテナ１３０が放射する円偏波の電波の分布は、頂点Ｐ４側で強く、かつ、頂点Ｐ２側で弱い状態が矯正され、頂点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４の間で均等化される。   That is, by disposing the parasitic element 140 as shown in FIG. 1, the distribution of the circularly polarized radio wave radiated from the patch antenna 130 is corrected on the vertex P4 side and weak on the vertex P2 side. , Vertices P1, P2, P3, P4 are equalized.

以上のような理由から、電波の分布を均等に矯正するために、無給電素子１４０を上述のように配置する。   For the above reasons, the parasitic element 140 is arranged as described above in order to evenly correct the radio wave distribution.

図６及び図７は、円偏波の軸比(Axial Ratio)の周波数特性を示す図である。図６及び図７に示す特性は、シミュレーションで求めたものであり、図６は、無給電素子１４０を含むアンテナ装置１００のパッチアンテナ１３０の円偏波の軸比の周波数特性を示し、図７は、比較用に、無給電素子１４０を含まないアンテナ装置のパッチアンテナ１３０の円偏波の軸比の周波数特性を示す。なお、パッチアンテナ１３０に給電する高周波電力の周波数は、６０ＧＨｚである。   6 and 7 are diagrams showing the frequency characteristics of the axial ratio of circularly polarized waves. The characteristics shown in FIGS. 6 and 7 are obtained by simulation, and FIG. 6 shows the frequency characteristics of the axial ratio of the circular polarization of the patch antenna 130 of the antenna device 100 including the parasitic element 140. FIG. These show the frequency characteristics of the axial ratio of the circularly polarized wave of the patch antenna 130 of the antenna device not including the parasitic element 140 for comparison. Note that the frequency of the high-frequency power supplied to the patch antenna 130 is 60 GHz.

図６では、６０ＧＨｚにおいて軸比が約０．９ｄＢであり、図７では、６０ＧＨｚにおいて軸比が約３．６ｄＢである。軸比が低いほど真円に近い形状の円偏波が得られていることを表す。   In FIG. 6, the axial ratio is about 0.9 dB at 60 GHz, and in FIG. 7, the axial ratio is about 3.6 dB at 60 GHz. This indicates that the lower the axial ratio, the more circular polarization having a shape close to a perfect circle is obtained.

このため、無給電素子１４０を設けることにより、円偏波が真円に矯正されていることが分かる。これは、無給電素子１４０を設けることにより、パッチアンテナ１３０が放射する円偏波の電波の分布が均等化されたことによる効果である。   For this reason, it can be seen that the circularly polarized wave is corrected to a perfect circle by providing the parasitic element 140. This is an effect obtained by equalizing the distribution of circularly polarized radio waves radiated from the patch antenna 130 by providing the parasitic element 140.

以上より、実施の形態によれば、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１の給電点１３１よりもＸ軸正方向側の部分、及び、辺Ｓ２の給電点１３２よりもＹ軸負方向側の部分と重複し、かつ、辺Ｓ１、Ｓ２を越えてパッチアンテナ１３０からはみ出すように配置される無給電素子１４０を設けたことにより、円偏波の電波の分布を均等化することができる。   As described above, according to the embodiment, the portion of the patch antenna 130 on the X axis positive direction side from the feeding point 131 of the side S1 and the portion of the side S2 on the Y axis negative direction side from the feeding point 132 overlap. In addition, by providing the parasitic element 140 disposed so as to protrude beyond the patch antenna 130 beyond the sides S1 and S2, the distribution of circularly polarized radio waves can be equalized.

円偏波の電波の分布を均等化されるのは、パッチアンテナ１３０の電流が少ない辺Ｓ１及びＳ２と平面視で重複し、かつ、辺Ｓ１及びＳ２を跨ぐように配置する無給電素子１４０を設けたからである。パッチアンテナ１３０では、辺Ｓ１〜Ｓ４に沿って流れる電流が支配的になるが、インピーダンスの低い辺Ｓ１とＳ２の近傍に給電点１３１、１３２を設けると、辺Ｓ１、Ｓ２に沿って流れる電流が、それぞれ、辺Ｓ３、Ｓ４に沿って流れる電流よりも少なくなる。辺Ｓ１、Ｓ２に沿った部分は、電流が少ないため、電波の放射量が辺Ｓ３、Ｓ４に沿った部分よりも少なくなる。   The distribution of the circularly polarized radio wave is equalized because the parasitic element 140 is arranged so as to overlap the sides S1 and S2 where the current of the patch antenna 130 is small in a plan view and straddle the sides S1 and S2. It is because it provided. In the patch antenna 130, the current flowing along the sides S1 to S4 becomes dominant. However, when the feeding points 131 and 132 are provided in the vicinity of the sides S1 and S2 having low impedance, the current flowing along the sides S1 and S2 is increased. , Less than the current flowing along sides S3 and S4, respectively. Since the portions along the sides S1 and S2 have a small current, the amount of radio wave radiation is smaller than the portions along the sides S3 and S4.

そこで、辺Ｓ１、Ｓ２の一部と平面視で重複し、かつ、辺Ｓ１、Ｓ２の一部を跨ぐように無給電素子１４０を配置することにより、辺Ｓ１、Ｓ２のうち、平面視で無給電素子１４０に重複している部分の静電容量を増大させる。   Therefore, by disposing the parasitic element 140 so as to overlap a part of the sides S1 and S2 in a plan view and straddle a part of the sides S1 and S2, a side of the sides S1 and S2 is not seen in a plan view. The capacitance of the portion overlapping the power feeding element 140 is increased.

パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１、Ｓ２に沿った部分の静電容量を増大させれば、辺Ｓ１、Ｓ２に沿った部分の電流を増大させることができるので、パッチアンテナ１３０が放射する円偏波の電波の分布を均等化することができる。   If the capacitance of the portion along the sides S1 and S2 of the patch antenna 130 is increased, the current in the portion along the sides S1 and S2 can be increased. Therefore, the circularly polarized wave radiated from the patch antenna 130 can be increased. The distribution of radio waves can be equalized.

従って、放射特性を改善したアンテナ装置１００を提供することができる。   Therefore, the antenna device 100 with improved radiation characteristics can be provided.

図８は、実施の形態の変形例のアンテナ装置１００Ａを示す図である。アンテナ装置１００Ａは、図１に示す矩形状のパッチアンテナ１３０を円形のパッチアンテナ２３０に変えたものである。パッチアンテナ２３０は、パッチアンテナ１３０の給電点１３１、１３２と同様の位置に、給電点２３１、２３２を有する。給電点２３１、２３２には、それぞれ、ビア２３３、２３４が接続されている。   FIG. 8 is a diagram illustrating an antenna device 100A according to a modification of the embodiment. The antenna device 100A is obtained by replacing the rectangular patch antenna 130 shown in FIG. The patch antenna 230 has feed points 231 and 232 at the same positions as the feed points 131 and 132 of the patch antenna 130. Vias 233 and 234 are connected to the feeding points 231 and 232, respectively.

このようなアンテナ装置１００Ａにおいても、アンテナ装置１００と同様に、無給電素子１４０は、パッチアンテナ２３０の給電点１３１よりもＸ軸正方向側の部分、及び、辺Ｓ２の給電点１３２よりもＹ軸負方向側の部分と重複し、かつ、パッチアンテナ２３０からはみ出すように配置されている。   In such an antenna device 100A as well, like the antenna device 100, the parasitic element 140 has a portion closer to the X-axis positive direction than the feeding point 131 of the patch antenna 230 and the feeding point 132 of the side S2. It is arranged so as to overlap with the portion on the negative axis side and to protrude from the patch antenna 230.

換言すれば、パッチアンテナ２３０の中心２３０Ａよりも給電点２３１、２３２側に位置する一部分と重複し、かつ、パッチアンテナ１３０からはみ出すように配置されている。   In other words, the patch antenna 230 is arranged so as to overlap with a part located closer to the feeding points 231 and 232 than the center 230A of the patch antenna 230 and to protrude from the patch antenna 130.

また、さらに換言すれば、無給電素子１４０は、パッチアンテナ２３０のうちの２つの給電点２３１、２３２によって挟まれた領域と重複し、かつ、パッチアンテナ１３０からはみ出すように配設されている。   Further, in other words, the parasitic element 140 is disposed so as to overlap the region sandwiched between the two feeding points 231 and 232 of the patch antenna 230 and to protrude from the patch antenna 130.

従って、円形のパッチアンテナ２３０の円周のうち、給電点２３１、２３２に近い側の一部（円弧）と平面視で重複し、かつ、給電点２３１、２３２に近い側の一部（円弧）を跨ぐように無給電素子１４０を配置することにより、平面視で無給電素子１４０と重複している円弧の部分の静電容量を増大させることができる。   Therefore, part of the circumference of the circular patch antenna 230 on the side close to the feed points 231 and 232 (arc) overlaps in plan view and part on the side close to the feed points 231 and 232 (arc) By disposing the parasitic element 140 so as to straddle the line, it is possible to increase the capacitance of the arc portion overlapping the parasitic element 140 in plan view.

このようにパッチアンテナ２３０の給電点２３１、２３２に近い側の円弧の部分の静電容量を増大させれば、円弧の部分の電流を増大させることができるので、パッチアンテナ２３０が放射する円偏波の電波の分布を均等化することができる。給電点２３１、２３２に近い側の円弧とは、中心２３０Ａから見て、給電点２３１、２３２に近い側に位置する円弧である。   In this way, if the capacitance of the arc portions closer to the feeding points 231 and 232 of the patch antenna 230 is increased, the current in the arc portion can be increased, so that the circular deviation radiated by the patch antenna 230 is increased. The distribution of radio waves can be equalized. The arcs closer to the feeding points 231 and 232 are arcs located closer to the feeding points 231 and 232 when viewed from the center 230A.

従って、放射特性を改善したアンテナ装置１００Ａを提供することができる。   Therefore, the antenna device 100A with improved radiation characteristics can be provided.

図９は、実施の形態の変形例のアンテナ装置１００Ｂを示す図である。アンテナ装置１００Ｂは、図１に示す矩形状の無給電素子１４０を、より大きな無給電素子２４０に変えたものである。   FIG. 9 is a diagram illustrating an antenna device 100B according to a modification of the embodiment. The antenna device 100B is obtained by replacing the rectangular parasitic element 140 shown in FIG. 1 with a larger parasitic element 240.

無給電素子２４０は、辺Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４と、頂点Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４とを有する矩形状の金属層である。無給電素子２４０は、頂点Ｐ２４がパッチアンテナ１３０の頂点Ｐ４と一致し、辺Ｓ２１がパッチアンテナ１３０の辺Ｓ１よりもＹ軸負方向側に位置し、辺Ｓ２２がパッチアンテナ１３０の辺Ｓ２よりもＸ軸正方向側に位置し、辺Ｓ２３、Ｓ２４がそれぞれパッチアンテナ１３０の辺Ｓ３、Ｓ４と重なるとともに、辺Ｓ２３のＸ軸正方向側の一部と、辺Ｓ２４のＹ軸負方向側の一部とは、パッチアンテナ１３０からはみ出すように配置されている。   The parasitic element 240 is a rectangular metal layer having sides S21, S22, S23, and S24 and vertices P21, P22, P23, and P24. In the parasitic element 240, the vertex P24 coincides with the vertex P4 of the patch antenna 130, the side S21 is located on the Y axis negative direction side with respect to the side S1 of the patch antenna 130, and the side S22 is more than the side S2 of the patch antenna 130. Located on the X axis positive direction side, the sides S23 and S24 respectively overlap the sides S3 and S4 of the patch antenna 130, and a part of the side S23 on the X axis positive direction side and one side of the side S24 on the Y axis negative direction side. The part is arranged so as to protrude from the patch antenna 130.

このようなアンテナ装置１００Ｂでは、パッチアンテナ１３０の全体が無給電素子２４０と重複し、かつ、無給電素子２４０が辺Ｓ１、Ｓ２を越えてパッチアンテナ１３０からはみ出すように配置されている。すなわち、辺Ｓ１とＳ２の全体が平面視で無給電素子２４０と重複し、かつ、無給電素子２４０が辺Ｓ１とＳ２の全体を跨ぐように位置している。   In such an antenna device 100B, the entire patch antenna 130 overlaps with the parasitic element 240, and the parasitic element 240 is disposed so as to protrude from the patch antenna 130 beyond the sides S1 and S2. That is, the entire sides S1 and S2 overlap the parasitic element 240 in plan view, and the parasitic element 240 is positioned so as to straddle the entire sides S1 and S2.

従って、パッチアンテナ１３０の辺Ｓ１、Ｓ２に沿った部分の静電容量を増大させることができ、辺Ｓ１、Ｓ２に沿った部分の電流を増大させることができるので、パッチアンテナ１３０が放射する円偏波の電波の分布を均等化することができる。   Accordingly, the capacitance of the portion along the sides S1 and S2 of the patch antenna 130 can be increased, and the current of the portion along the sides S1 and S2 can be increased. The distribution of polarized radio waves can be equalized.

従って、放射特性を改善したアンテナ装置１００Ｂを提供することができる。   Therefore, the antenna device 100B with improved radiation characteristics can be provided.

図１０は、実施の形態の変形例のアンテナ装置３００を示す図である。アンテナ装置３００は、２行３列に配置した６個のアンテナ装置１００を含む。このようなアンテナ装置３００は、配線基板を用いれば、６個のアンテナ装置１００を同時に作製することができる。   FIG. 10 is a diagram illustrating an antenna device 300 according to a modification of the embodiment. The antenna device 300 includes six antenna devices 100 arranged in 2 rows and 3 columns. In such an antenna device 300, if a wiring board is used, six antenna devices 100 can be manufactured simultaneously.

例えば、６個のアンテナ装置１００から放射するミリ波の位相に分布を持たせることにより、６個のアンテナ装置１００から放射されるミリ波が合成された１つのビームの仰角及び方位角を制御することができる。なお、ここでは、２行３列に配置した６個のアンテナ装置１００を含むアンテナ装置３００について説明したが、アンテナ装置１００の数は複数であれば幾つであってもよい。   For example, by giving a distribution to the phases of the millimeter waves radiated from the six antenna devices 100, the elevation angle and the azimuth angle of one beam synthesized from the millimeter waves radiated from the six antenna devices 100 are controlled. be able to. Here, the antenna device 300 including the six antenna devices 100 arranged in 2 rows and 3 columns has been described, but the number of antenna devices 100 may be any number as long as it is plural.

以上、本発明の例示的な実施の形態のアンテナ装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられ、平面視における第１端部及び第２端部にそれぞれ配置され、９０度の位相差を有する高周波電力が給電される第１給電点及び第２給電点を有し、円偏波の電波を放射する、矩形又は円形のパッチアンテナと、
前記第１絶縁層の第２面において、前記矩形のパッチアンテナの四辺のうちの前記第１給電点及び前記第２給電点に近い二辺の一部若しくは全部と平面視で重なり、かつ、前記二辺の一部若しくは全部を跨ぐように配置される、又は、前記円形のパッチアンテナの中心よりも前記第１給電点及び前記第２給電点側の円弧と平面視で重なり、かつ、前記円弧を跨ぐように配置される、層状の無給電素子と、
前記無給電素子に対して前記第１絶縁層とは反対側に設けられる第２絶縁層と、
前記第２絶縁層に対して前記無給電素子とは反対側に設けられるグランド層と
を含む、アンテナ装置。
（付記２）
前記第１絶縁層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置において厚さ方向にそれぞれ貫通する２つの第１貫通孔を有し、
前記第２絶縁層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置において厚さ方向にそれぞれ貫通し、前記２つの第１貫通孔に連通する２つの第２貫通孔を有し、
前記グランド層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置にそれぞれ配置され、前記２つの第２貫通孔に連通する２つの開口部を有し、
前記２つの開口部、前記２つの第２貫通孔、及び前記２つの第１貫通孔の内部に挿通され、前記グランド層及び前記無給電素子から絶縁される、２つのビアをさらに含み、
前記パッチアンテナは、前記２つのビアを介して前記第１給電点及び前記第２給電点において９０度の位相差を有する高周波電力が給電される、付記１記載のアンテナ装置。
（付記３）
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、第１金属層、第２金属層、及び第３金属層と、前記第１金属層、前記第２金属層、及び前記第３金属層の間に設けられる２つの絶縁層とを有する配線基板に含まれる前記２つの絶縁層であり、
前記パッチアンテナは、前記第１金属層に配置され、前記無給電素子は、第２金属層に配置され、前記グランド層は、前記第３金属層に配置される、付記１又は２記載のアンテナ装置。 The antenna device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the specifically disclosed embodiment, and does not depart from the scope of the claims. Various modifications and changes are possible.
Regarding the above embodiment, the following additional notes are disclosed.
(Appendix 1)
A first insulating layer;
A first feeding point and a second feeding point, which are provided on the first surface of the first insulating layer and are respectively disposed at a first end and a second end in a plan view, to which high frequency power having a phase difference of 90 degrees is fed. A rectangular or circular patch antenna having a feeding point and radiating circularly polarized radio waves;
On the second surface of the first insulating layer, overlaps in plan view with part or all of the two sides near the first feeding point and the second feeding point of the four sides of the rectangular patch antenna, and It is arranged so as to straddle part or all of two sides, or overlaps the arc of the first feeding point and the second feeding point side from the center of the circular patch antenna in plan view, and the arc A layered parasitic element arranged so as to straddle,
A second insulating layer provided on the opposite side of the parasitic element from the first insulating layer;
An antenna device comprising: a ground layer provided on a side opposite to the parasitic element with respect to the second insulating layer.
(Appendix 2)
The first insulating layer has two first through holes penetrating in the thickness direction at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view,
The second insulating layer penetrates in the thickness direction at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view, and is connected to the two first through holes. Has a through hole,
The ground layer is disposed at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view, and has two openings that communicate with the two second through holes,
And further including two vias that are inserted into the two openings, the two second through holes, and the two first through holes and insulated from the ground layer and the parasitic element,
The antenna apparatus according to appendix 1, wherein the patch antenna is fed with high-frequency power having a phase difference of 90 degrees at the first feeding point and the second feeding point through the two vias.
(Appendix 3)
The first insulating layer and the second insulating layer are between the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer, and the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer. The two insulating layers included in the wiring board having two insulating layers provided on
The antenna according to claim 1 or 2, wherein the patch antenna is disposed on the first metal layer, the parasitic element is disposed on the second metal layer, and the ground layer is disposed on the third metal layer. apparatus.

１００、１００Ａ、１００Ｂ、３００ アンテナ装置
１１０、１２０ 絶縁層
１３０、２３０ パッチアンテナ
１３０Ａ 中心
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ 辺
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ 頂点
１４０、２４０ 無給電素子
Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４ 辺
Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４ 頂点
１５０ グランド層 100, 100A, 100B, 300 Antenna device 110, 120 Insulating layer 130, 230 Patch antenna 130A Center S1, S2, S3, S4 Sides P1, P2, P3, P4 Vertex 140, 240 Parasitic element S11, S12, S13, S14 Side P11, P12, P13, P14 Vertex 150 Ground layer

Claims (3)

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられ、平面視における第１端部及び第２端部にそれぞれ配置され、９０度の位相差を有する高周波電力が給電される第１給電点及び第２給電点を有し、円偏波の電波を放射する、矩形又は円形のパッチアンテナと、
前記第１絶縁層の第２面において、前記矩形のパッチアンテナの四辺のうちの前記第１給電点及び前記第２給電点に近い二辺の一部若しくは全部と平面視で重なり、かつ、前記二辺の一部若しくは全部を跨ぐように配置される、又は、前記円形のパッチアンテナの中心よりも前記第１給電点及び前記第２給電点側の円弧と平面視で重なり、かつ、前記円弧を跨ぐように配置される、層状の無給電素子と、
前記無給電素子に対して前記第１絶縁層とは反対側に設けられる第２絶縁層と、
前記第２絶縁層に対して前記無給電素子とは反対側に設けられるグランド層と
を含む、アンテナ装置。 A first insulating layer;
A first feeding point and a second feeding point, which are provided on the first surface of the first insulating layer and are respectively disposed at a first end and a second end in a plan view, to which high frequency power having a phase difference of 90 degrees is fed. A rectangular or circular patch antenna having a feeding point and radiating circularly polarized radio waves;
On the second surface of the first insulating layer, overlaps in plan view with part or all of the two sides near the first feeding point and the second feeding point of the four sides of the rectangular patch antenna, and It is arranged so as to straddle part or all of two sides, or overlaps the arc of the first feeding point and the second feeding point side from the center of the circular patch antenna in plan view, and the arc A layered parasitic element arranged so as to straddle,
A second insulating layer provided on the opposite side of the parasitic element from the first insulating layer;
An antenna device comprising: a ground layer provided on a side opposite to the parasitic element with respect to the second insulating layer. 前記第１絶縁層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置において厚さ方向にそれぞれ貫通する２つの第１貫通孔を有し、
前記第２絶縁層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置において厚さ方向にそれぞれ貫通し、前記２つの第１貫通孔に連通する２つの第２貫通孔を有し、
前記グランド層は、平面視で前記第１給電点及び前記第２給電点に対応する２つの位置にそれぞれ配置され、前記２つの第２貫通孔に連通する２つの開口部を有し、
前記２つの開口部、前記２つの第２貫通孔、及び前記２つの第１貫通孔の内部に挿通され、前記グランド層及び前記無給電素子から絶縁される、２つのビアをさらに含み、
前記パッチアンテナは、前記２つのビアを介して前記第１給電点及び前記第２給電点において９０度の位相差を有する高周波電力が給電される、請求項１記載のアンテナ装置。 The first insulating layer has two first through holes penetrating in the thickness direction at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view,
The second insulating layer penetrates in the thickness direction at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view, and is connected to the two first through holes. Has a through hole,
The ground layer is disposed at two positions corresponding to the first feeding point and the second feeding point in plan view, and has two openings that communicate with the two second through holes,
And further including two vias that are inserted into the two openings, the two second through holes, and the two first through holes and insulated from the ground layer and the parasitic element,
The antenna device according to claim 1, wherein the patch antenna is fed with high-frequency power having a phase difference of 90 degrees at the first feeding point and the second feeding point through the two vias. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、第１金属層、第２金属層、及び第３金属層と、前記第１金属層、前記第２金属層、及び前記第３金属層の間に設けられる２つの絶縁層とを有する配線基板に含まれる前記２つの絶縁層であり、
前記パッチアンテナは、前記第１金属層に配置され、前記無給電素子は、第２金属層に配置され、前記グランド層は、前記第３金属層に配置される、請求項１又は２記載のアンテナ装置。
The first insulating layer and the second insulating layer are between the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer, and the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer. The two insulating layers included in the wiring board having two insulating layers provided on
3. The patch antenna according to claim 1, wherein the patch antenna is disposed in the first metal layer, the parasitic element is disposed in the second metal layer, and the ground layer is disposed in the third metal layer. Antenna device.
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