JP2018142631A - Support substrate for temporary fixing of wafer and temporary fixing processing method for wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハを加工するためのサポート基板及びこのサポート基板を使用したウェーハの仮止め処理方法に関するものである。 The present invention relates to a support substrate for processing a wafer and a method for temporarily fixing a wafer using the support substrate.
近年、各種デバイスの技術革新や軽薄短小化によってスマートフォンを始めとする通信機器の性能が大きく向上してきており、様々な機器がインターネットと繋がったり、センサーで制御されるようになっている。
こうしたことを可能にしているのは、ウェーハの薄化の加工技術や、印刷による回路形成技術などを利用した新しい基本設計技術に基づくアッセンブリやパッケイジングの進化がある。
In recent years, the performance of communication devices such as smartphones has greatly improved due to technological innovations and miniaturization of various devices, and various devices are connected to the Internet or controlled by sensors.
This is made possible by the evolution of assembly and packaging based on a new basic design technology using wafer thinning processing technology and printed circuit formation technology.
上記ウェーハの薄化加工においてはウェーハの裏面を研削するが、その際にウェーハの表面側をサポート基板に仮止めする必要がある。
こうした仮止めは、予め加熱しておいたサポート基板に棒状の固形ワックスを擦り付けるようにして溶かしながら全面に塗布し、これにウェーハを載せて接着することによって行われたり、作業の自動化に向けてワックスを溶剤に溶かしたリキッドタイプのものをスピンコートなどによってサポート基板に塗布することによって行なわれている。
また、接着テープを使用して仮止めすることも行われている。
In the wafer thinning process, the back surface of the wafer is ground. At this time, it is necessary to temporarily fix the front surface side of the wafer to the support substrate.
Such temporary fixing is performed by applying a stick-shaped solid wax to a support substrate that has been heated in advance by rubbing it and applying it to the entire surface, placing the wafer on it and bonding it, or for automating the work. A liquid type in which wax is dissolved in a solvent is applied to a support substrate by spin coating or the like.
Further, temporary fixing using an adhesive tape is also performed.
こうしてサポート基板に仮止めされたウェーハは、その裏面を安定的に研削してウェーハの薄化を行うことができ、更に必要に応じてウェーハの裏面の蒸着処理、アニール処理その他の処理などを行う。
そして、こうした処理が行われた後で、ウェーハは仮止めされているサポート基板から剥される。
The wafer temporarily fixed to the support substrate can be thinned by stably grinding the back surface of the wafer, and further, vapor deposition processing, annealing processing, and other processing of the back surface of the wafer are performed as necessary. .
Then, after such processing is performed, the wafer is peeled off from the temporarily fixed support substrate.
サポート基板からのウェーハの剥離は、加熱によって上記ワックスを溶融してウェーハをスライドさせることによって剥がしたり、サポート基板とウェーハの間にスクレパーを差入れて剥がしたり、サポート基板側からレーザー光を照射してワックスを剥したりする方法が知られているが、ウェーハが仮止めされているサポート基板を溶剤中に浸漬してワックスを溶かすことでウェーハを剥がす方法も多用されている。 The wafer is peeled off from the support substrate by melting the wax by heating and sliding the wafer, inserting a scraper between the support substrate and the wafer, or irradiating the support substrate with laser light. A method of peeling off the wax is known, but a method of peeling off the wafer by immersing a support substrate on which the wafer is temporarily fixed in a solvent to dissolve the wax is often used.
上記溶剤中に浸漬する方法において、溶剤はサポート基板とウェーハの間のワックスの周端面にしかアクセスできないが、このウェーハはガラス板、セラミック板などで形成されたサポート基板に密着しており仮止め用のワックスも極く薄くなっているものであるから、周端面から徐々にワックスを溶かすことしかできず、ウェーハの剥ぎ取りに長い時間を必要としていた。 In the method of immersing in the above solvent, the solvent can only access the peripheral edge surface of the wax between the support substrate and the wafer, but this wafer is in close contact with the support substrate formed of a glass plate, ceramic plate, etc. Since the wax for use is extremely thin, the wax can only be gradually melted from the peripheral end face, and it takes a long time to remove the wafer.
そうしたことから、サポート基板の表面から裏面に至る厚さ方向に複数の貫通孔を設けることによって、溶剤のワックスへのアクセスを増して、ウェーハを剥がし易くすることが提案されている。（特許文献１）
こうした貫通孔は直径が３００μｍ程度で、その孔間距離が５００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下程度のものであり、比較的大きな孔であるから仮止め用のワックス（接着剤）がこうした貫通孔に深く侵入して孔を埋めてしまうこともあって、更なる改良が望まれていた。
Therefore, it has been proposed to provide a plurality of through holes in the thickness direction from the front surface to the back surface of the support substrate, thereby increasing the access to the solvent wax and making it easier to peel off the wafer. (Patent Document 1)
Such a through hole has a diameter of about 300 μm and a distance between the holes of 500 μm or less, preferably about 200 μm or less. Since these are relatively large holes, a temporary fixing wax (adhesive) is deep in these through holes. Further intrusion and filling the hole has led to further improvements.
本発明は、ウェーハをサポート基板に確実に仮止めすることができると共に、溶剤に浸漬して仮止めしたサポート基板からウェーハを剥がすときに、迅速にワックスを溶かしてウェーハを容易に剥がすことができるようにしようとするものである。 The present invention can surely temporarily fix the wafer on the support substrate, and when removing the wafer from the support substrate temporarily immersed in a solvent, the wafer can be easily removed by quickly dissolving the wax. Is something to try to do.
本発明は、ウェーハを仮止めするために使用する基板を、連続気泡性の気孔を有する多孔質セラミックで形成し、この基板の気孔径を５〜５０μｍとし、かつその全気孔率を４０％を超え７０％以下にしてウェーハの仮止め用サポート基板とするものである。また、好ましくは上記基板の気孔径を５〜４０μｍとし、全気孔率を５０〜６０％とする。
この仮止め用サポート基板には、ウェーハの一面に仮止め用ワックスを塗布して対向させ、該サポート基板及びウェーハの両面から加熱し加圧して仮止めし、この仮止め状態でウェーハを適宜に加工し、加工後にこの仮止め体を溶剤に浸漬し、上記サポート基板の連続性気泡を浸透する溶剤によって仮止め用ワックスを溶解して、ウェーハの仮止め状態を解くようにする。
In the present invention, a substrate used for temporarily fixing a wafer is formed of a porous ceramic having open-celled pores, the substrate has a pore diameter of 5 to 50 μm, and a total porosity of 40%. The support substrate for temporarily fixing the wafer is made to exceed 70% and below. Preferably, the substrate has a pore diameter of 5 to 40 μm and a total porosity of 50 to 60%.
This temporary fixing support substrate is coated with a temporary fixing wax on one side of the wafer so as to face the heating substrate, and heated and pressurized from both sides of the support substrate and the wafer to temporarily fix the wafer. After the processing, the temporary fixing body is dipped in a solvent, and the temporary fixing wax is dissolved by the solvent that permeates the continuous bubbles of the support substrate, thereby releasing the temporary fixing state of the wafer.
本発明によれば、サポート基板に形成されている気孔は、連続気泡性の気孔であり、その気孔径も５〜５０μｍと小さいが、その全気孔率は４０％を超え７０％以下としているので、ウェーハをサポート基板に仮止めするときに仮止め用のワックスが余り気孔内に侵入することもなく、サポート基板にウェーハを密着状態に仮止めすることができる。
サポート基板に仮止めした状態でウェーハに対する加工処理が終わったら、これを溶剤中に浸漬すると、溶剤はサポート基板に網目状に形成されている気孔に侵入し、この気孔を通ってサポート基板とウェーハの間にある仮止め用のワックスに到達してこれを溶解するようになるので、仮止め用ワックスはその全面から溶解されるようになって、早期にウェーハを安全に剥がすことができる。
According to the present invention, the pores formed in the support substrate are open-celled pores, and the pore diameter is as small as 5 to 50 μm, but the total porosity is more than 40% and not more than 70%. When the wafer is temporarily fixed to the support substrate, the temporary fixing wax does not enter the pores, and the wafer can be temporarily fixed to the support substrate in close contact.
After processing the wafer with the support substrate temporarily fixed, when the wafer is immersed in a solvent, the solvent enters the pores formed in a mesh pattern on the support substrate, and the support substrate and the wafer pass through the pores. Since the temporary fixing wax reaches and dissolves, the temporary fixing wax is dissolved from the entire surface, and the wafer can be safely peeled off at an early stage.
本発明は、ウェーハを仮止めするために使用するサポート基板をセラミックで形成しており、このセラミックには連続気泡性の気孔が全体に形成され、この気孔が基板全体に亘って網目状に形成されている。
この気孔の気孔径は５〜５０μｍであり、こうした気孔が基板の全体に占める割合（全気孔率）は４０％を超え７０％以下とされている。
In the present invention, a support substrate used for temporarily fixing a wafer is formed of ceramic, and open-celled pores are formed in the entire ceramic, and the pores are formed in a mesh shape over the entire substrate. Has been.
The pore diameter of these pores is 5 to 50 μm, and the ratio of these pores to the whole substrate (total porosity) is more than 40% and 70% or less.
上記気孔について、好ましくは気孔径が５〜４０μｍであり、全気孔率が５０〜６０％のものである。
上記気孔径が５μｍより小さい場合には、溶剤が通過し難いし、５０μｍを超えるものでは、仮止め用のワックスの気孔内への侵入が多くなる。
また、全気孔率が４０％より少ない場合には、仮止め用のワックスの溶解の速度が遅くなり、７０％を超えるとウェーハとの接着性が弱くなる傾向となる。
The pores are preferably those having a pore diameter of 5 to 40 μm and a total porosity of 50 to 60%.
When the pore diameter is smaller than 5 μm, the solvent is difficult to pass through. When the pore diameter exceeds 50 μm, the temporary fixing wax enters the pores more often.
Further, when the total porosity is less than 40%, the speed of dissolution of the temporary fixing wax is slow, and when it exceeds 70%, the adhesion to the wafer tends to be weakened.
上記ウェーハをサポート基板に仮止めするワックスには熱可塑性を有する樹脂が使用されるが、例えば、テルペンフェノール樹脂、ロジンその他のアビエチン酸に代表される三員環化合物を主成分とする樹脂、これらの樹脂の誘導体、変性物などの他、接着して各種の加工処理を行った後、溶剤に浸漬して剥離して、これを除去することができるような適宜の熱可塑性の樹脂が使用される。 Resin having thermoplasticity is used as the wax for temporarily fixing the wafer to the support substrate. For example, terpene phenol resin, rosin and other resins mainly composed of three-membered ring compounds represented by abietic acid, these In addition to resin derivatives, modified products, etc., an appropriate thermoplastic resin that can be removed after being immersed in a solvent and peeled off after various processing treatments by bonding is used. The
このウェーハの上記サポート基板への仮止めは、ワックスを溶剤に溶かして液状し、これをスピンコートによって塗布することによって仮止めすることができるが、この場合、ウェーハの表面に液状ワックスをスピンコートし、これを加熱した上記サポート基板に加圧することによって仮止めするとよい。
こうすると、ワックスが気孔内に過剰に侵入することがないし、充分な貼付けを行うことができる。
Temporarily fixing the wafer to the support substrate can be temporarily fixed by dissolving the wax in a solvent and applying it by spin coating. In this case, the liquid wax is spin-coated on the surface of the wafer. Then, it may be temporarily fixed by pressurizing the heated support substrate.
In this way, the wax does not excessively enter the pores, and sufficient sticking can be performed.
また、出願人が別途提供する熱可塑性樹脂で形成したタブレット状の固形ワックスをウェーハとサポート基板の間に介在させ、ウェーハとサポート基板を加熱しつつ加圧することによって、タブレット状のワックスを溶融してウェーハの全面に展延させるようにしてウェーハをサポート基板に仮止めすることもできる。 In addition, a tablet-shaped solid wax formed of a thermoplastic resin provided separately by the applicant is interposed between the wafer and the support substrate, and the tablet-shaped wax is melted by applying pressure while heating the wafer and the support substrate. Then, the wafer can be temporarily fixed to the support substrate so as to spread over the entire surface of the wafer.
図示するものでは、ウェーハ１のバンプ２を有する表面にスピンコート３によって液状のワックス４を塗布し、これを加熱プレス板５によって加熱（ベーキング）し、サポート基板６も加熱プレス板７によって加熱する。上記両加熱プレス板５、７によって加熱しながら加圧してウェーハ１をサポート基板６に貼り付けて、冷却し、サポート基板６にウェーハ１を仮止めしている。 In the figure, a liquid wax 4 is applied to the surface of the wafer 1 having the bumps 2 by spin coating 3 and heated (baked) by a heating press plate 5, and the support substrate 6 is also heated by the heating press plate 7. . The wafer 1 is attached to the support substrate 6 by applying pressure while being heated by the two heating press plates 5 and 7, cooled, and the wafer 1 is temporarily fixed to the support substrate 6.
こうしてサポート基板６に仮止めされたウェーハ１は、確実にサポート基板に保持された状態に保たれ、研削機８によってその裏面９を研削（バックグラインド）することによって薄化することができる。
薄化されたウェーハは、サポート基板に仮止めされた状態で、必要に応じてウェーハの裏面に蒸着膜を形成する裏面蒸着処理１１や、加熱源を用いたアニール処理１２、その他の処理など、ウェーハの用途によって適宜の処理を行うことができる。
The wafer 1 temporarily fixed to the support substrate 6 in this manner is surely held in the state supported by the support substrate, and can be thinned by grinding (back grinding) the back surface 9 thereof by the grinding machine 8.
The thinned wafer is temporarily fixed to the support substrate, and if necessary, a backside deposition process 11 for forming a deposited film on the backside of the wafer, an annealing process 12 using a heating source, and other processes, An appropriate process can be performed depending on the use of the wafer.
上記の如きウェーハのサポート基板への仮止め状態での加工処理が終わった後に、仮止め状態のものは溶剤１３中に浸漬されて仮止め状態のウェーハ１をサポート基板６から剥がすようにする。 After the processing of the wafer in the temporarily fixed state to the support substrate as described above is finished, the temporarily fixed wafer is immersed in the solvent 13 so that the temporarily fixed wafer 1 is peeled off from the support substrate 6.
上記仮止め状態からのウェーハの剥離は、ウェーハとサポート基板の間に介在しているワックスの樹脂の除去することによって行われる。これに使用する溶剤としては、例えば、ワックス樹脂の種類に応じてトルエンなどの芳香族炭化水素、アセトン、低級アルコールなどの極性溶媒、強酸又は強アルカリと過酸化水素の混合溶液である酸化性洗浄剤などを使用することができる。
また、上記したロジン系の樹脂では、アルカノールアミン、アミルアルコール、水溶性アミン類などの有機アルカリ、カセイソーダやカセイカリなどの無機アルカリ、珪酸塩や炭酸塩などの無機アルカリ塩などの水溶性溶液を使用することができる。
The wafer is peeled off from the temporarily fixed state by removing the wax resin interposed between the wafer and the support substrate. Examples of the solvent used for this include, for example, an aromatic hydrocarbon such as toluene, a polar solvent such as acetone and lower alcohol, a strong acid or a mixed solution of strong alkali and hydrogen peroxide, depending on the type of wax resin. An agent or the like can be used.
In addition, the above rosin resins use water-soluble solutions such as organic alkalis such as alkanolamines, amyl alcohol, and water-soluble amines, inorganic alkalis such as caustic soda and caustic potash, and inorganic alkali salts such as silicates and carbonates. can do.
サポート基板に仮止めされているウェーハを、上記溶剤の中に浸漬すると、溶剤はサポート基板に形成されている細かな気孔を通ってサポート基板とウェーハの間のワックスに達し、このワックスを溶かし、更に気孔の側方に位置するワックスにも拡がって行くようになる。
こうしたワックスの溶解作用はサポート基板に散在している各気孔の夫々において行われるので、ウェーハとサポート基板の間に位置するワックスは迅速に溶かされて、ウェーハを剥がすことができる。
When the wafer temporarily fixed to the support substrate is immersed in the solvent, the solvent reaches the wax between the support substrate and the wafer through fine pores formed in the support substrate, and dissolves this wax. Furthermore, it spreads to the wax located on the side of the pores.
Since the wax is dissolved in each of the pores scattered on the support substrate, the wax located between the wafer and the support substrate can be quickly dissolved to peel off the wafer.
また、ウェーハ側の気孔の表面は仮止め用のワックスによって覆われて塞がれているが、この気孔は３次元の網目構造のようになっていので、気孔内に侵入してきた溶剤と塞がれた気孔内に存在する空気は、この気孔に繋がっている他の気孔を通じて逃されるようになるので、通常の貫通孔（筒孔）のように侵入した溶剤によって筒内の空気が圧縮され、圧縮された空気によってそれ以上の溶剤の侵入が妨げられるというようなことがなく、溶剤は各気孔を通ってスムーズにワックスに到達し、ウェーハに塗布されているワックスの全面で作用するようになるので、効率的に、短時間で、ワックスを溶解することができる。
また、上記ワックスの除去に当って適宜に超音波振動などを併用すれば、更に効果的に除去することができる。
In addition, the surface of the pores on the wafer side is covered and closed by temporary fixing wax, but the pores have a three-dimensional network structure, so that the solvent and clogs that have entered the pores are blocked. Since the air existing in the pores is released through other pores connected to the pores, the air in the cylinder is compressed by the intruding solvent like a normal through hole (cylinder hole), Compressed air does not prevent further solvent intrusion, and the solvent smoothly reaches the wax through each pore and acts on the entire surface of the wax applied to the wafer. Therefore, the wax can be dissolved efficiently and in a short time.
In addition, if the ultrasonic vibration or the like is appropriately used in combination with the removal of the wax, it can be more effectively removed.
下記に示す実施例と比較例のサポート基板を用意した。
（実施例１）
連続気泡性の気孔を有するアルミナで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は５〜３０μｍの範囲にあり、全気孔率が５５％のサポート基板。
（実施例２）
連続気泡性の気孔を有するアルミナで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は５〜４０μｍの範囲にあり、全気孔率が５０％のサポート基板。
（実施例３）
連続気泡性の気孔を有するアルミナで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は５〜４０μｍの範囲にあり、全気孔率が６０％のサポート基板。
Support substrates for Examples and Comparative Examples shown below were prepared.
Example 1
A support made of alumina with open-celled pores with a diameter of 6 inches (15 cm), a thickness of 0.2 cm, a pore diameter in the range of 5-30 μm, and a total porosity of 55% substrate.
(Example 2)
A support made of alumina with open-celled pores with a diameter of 6 inches (15 cm), a thickness of 0.2 cm, a pore diameter in the range of 5-40 μm, and a total porosity of 50% substrate.
(Example 3)
A support made of alumina with open-celled pores with a diameter of 6 inches (15 cm), a thickness of 0.2 cm, a pore diameter in the range of 5-40 μm, and a total porosity of 60% substrate.
（比較例１）
連続気泡性の気孔を有する炭化ケイ素で形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は５〜３０μｍの範囲にあり、全気孔率が４０％のサポート基板。
（比較例２）
連続気泡性の気孔を有するアルミナで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は５５〜１００μｍの範囲にあり、全気孔率が４０％のサポート基板。
（比較例３）
連続気泡性の気孔を有するアルミナで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.２ｃｍのもので、その気孔径は３００〜１０００μｍの範囲にあり、全気孔率が４３％のサポート基板。
（比較例４）
気孔を有しない耐熱ガラスで形成された直径が６インチ（１５ｃｍ）、厚さが０.１ｃｍのサポート基板。
（比較例５）
サファイアガラスで形成された直径３インチ（７.５ｃｍ）、厚さが０.１ｃｍのもので、表面から裏面に直径８００μｍの貫通孔を、各孔間の間隔を１.８ｍｍとして千鳥状に設けたサポート基板。
(Comparative Example 1)
The diameter is 6 inches (15 cm), the thickness is 0.2 cm, the pore diameter is in the range of 5 to 30 μm, and the total porosity is 40%. Support board.
(Comparative Example 2)
A support made of alumina with open-celled pores with a diameter of 6 inches (15 cm), a thickness of 0.2 cm, a pore diameter in the range of 55-100 μm, and a total porosity of 40% substrate.
(Comparative Example 3)
A support made of alumina with open-celled pores with a diameter of 6 inches (15 cm), a thickness of 0.2 cm, a pore diameter in the range of 300-1000 μm, and a total porosity of 43% substrate.
(Comparative Example 4)
A support substrate made of heat-resistant glass having no pores and having a diameter of 6 inches (15 cm) and a thickness of 0.1 cm.
(Comparative Example 5)
It is made of sapphire glass with a diameter of 3 inches (7.5 cm) and a thickness of 0.1 cm. Through holes with a diameter of 800 μm are provided from the front surface to the back surface in a staggered manner with an interval between each hole of 1.8 mm. Support board.
上記実施例、比較例に示すサポート基板の気孔径（μｍ）および全気孔率（％）は、下記方法によって求めたものである。
（気孔径の測定）
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の撮影画像によって計測した。
（全気孔率の測定）
〔１〕；サポート基板の試料をアルキメデス法にて嵩密度を算出する。
〔２〕；上記〔１〕で得られた嵩密度の値を材質の理論密度で除算し相対密度を算出する。
〔３〕；１００から上記〔２〕の相対密度を１００倍した値を除算した値を、全気孔率とする。
The pore diameter (μm) and the total porosity (%) of the support substrate shown in the above examples and comparative examples are obtained by the following methods.
(Measurement of pore diameter)
It measured by the picked-up image of a scanning electron microscope (SEM).
(Measurement of total porosity)
[1]: The bulk density of the support substrate sample is calculated by the Archimedes method.
[2]; The relative density is calculated by dividing the bulk density value obtained in [1] above by the theoretical density of the material.
[3]: A value obtained by dividing the value obtained by multiplying the relative density of [2] by 100 from 100 is defined as the total porosity.
上記実施例と比較例の性状、性能を見るために以下の試験を行った。
（溶剤浸込み試験）
上記実施例、比較例に示した各サポート基板と同じ材質のもので、縦・横が各３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの直方体の試験片を用意した。
この試験片を約２３℃のアセトン及びイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の溶剤中に浸漬し、試験片に浸み込んで保持されている溶剤量を試験片の１ｃｍ３当たりの量（ｍｌ／ｃｍ３）で計測、表示した。
The following tests were conducted in order to see the properties and performance of the examples and comparative examples.
(Solvent penetration test)
A rectangular parallelepiped test piece having the same material as each support substrate shown in the above-mentioned Examples and Comparative Examples, each having a length and width of 30 mm and a thickness of 5 mm was prepared.
This test piece is immersed in a solvent of acetone and isopropyl alcohol (IPA) at about 23 ° C., and the amount of the solvent soaked and held in the test piece is the amount per 1 cm 3 of the test piece (ml / cm 3 ). Measured and displayed.
（接着試験）
直径６インチ（１５ｃｍ）のシリコーンウェーハに、テルペンフェノール樹脂をエチル-３-エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、酢酸ｎ-ブチル、シクロヘキサンの混合溶剤に６０質量％の濃度で溶解した液状のワックス（スペースリキッドＴＲ２−６０４８２：日化精工株式会社製）をスピンコーターによって５００ｒｐｍで塗布し、１４０℃に加熱したホットプレート上に置いて、５分間加熱する。
実施例、比較例のサポート基板を予め１７０℃に加熱しておき、上記シリコーンウェーハをワックスの塗布面側から重ねて、３.７ｋｇの加重で加圧して、ウェーハをサポート基板に貼り合せて、冷却した。
接着試験の評価は次の基準によった。
ウェーハがサポート基板に確実に接着されている・・・・・・・・・・・・・◎
ウェーハがサポート基板に接着されているが、剥がれが一部に見られる・・・○
ウェーハがサポート基板に一部接着されているが、剥がれが多く見られる・・△
ウェーハがサポート基板に接着されていない・・・・・・・・・・・・・・・×
(Adhesion test)
A liquid wax (space) in which a terpene phenol resin is dissolved in a mixed solvent of ethyl-3-ethoxypropionate (EEP), n-butyl acetate, and cyclohexane at a concentration of 60% by mass on a 6 inch (15 cm) diameter silicone wafer. Liquid TR2-60482 (manufactured by Nikka Seiko Co., Ltd.) is applied by a spin coater at 500 rpm, placed on a hot plate heated to 140 ° C., and heated for 5 minutes.
Example, the support substrate of the comparative example is heated to 170 ° C. in advance, the silicone wafer is overlapped from the wax application surface side, and pressurized with a load of 3.7 kg, the wafer is bonded to the support substrate, Cooled down.
The evaluation of the adhesion test was based on the following criteria.
The wafer is securely bonded to the support substrate ...
The wafer is bonded to the support substrate, but some peeling is seen ...
The wafer is partially bonded to the support substrate, but there are many peelings.
The wafer is not bonded to the support substrate ...
（剥離時間試験１）
上記接着試験においてサポート基板にウェーハを貼り合せたものを、約２３℃のアセトン溶剤中に浸漬し、１分間隔で、３０分を経過した後は１０分間隔で、貼り合せ状態を確認し、ウェーハがサポート基板から剥がれるまでの剥離時間（分）（剥離時間１）を計測した。
（剥離時間試験２）
実施例２については、溶剤として約１００℃のテトラエチレングリコールジメチルエーテルを使用し、他は剥離試験１と同様にしてウェーハがサポート基板から剥がれるまでの剥離時間（剥離時間２）を計測した。
（剥離時間試験３）
また、実施例２については、溶剤として約１００℃のポリエチレングリコールジメチルエーテルを使用し、他は剥離試験１と同様にしてウェーハがサポート基板から剥がれるまでの剥離時間（剥離時間３）を計測した。
(Peeling time test 1)
In the above adhesion test, the wafer bonded to the support substrate is immersed in an acetone solvent at about 23 ° C., and the bonding state is confirmed at intervals of 1 minute and at intervals of 10 minutes after 30 minutes. The peeling time (minute) (peeling time 1) until the wafer was peeled from the support substrate was measured.
(Peeling time test 2)
For Example 2, tetraethylene glycol dimethyl ether at about 100 ° C. was used as the solvent, and in the same manner as in the peeling test 1, the peeling time until the wafer peeled from the support substrate (peeling time 2) was measured.
(Peeling time test 3)
Moreover, about Example 2, about 100 degreeC polyethyleneglycol dimethyl ether was used as a solvent, and others carried out similarly to the peeling test 1, and measured peeling time (peeling time 3) until a wafer peels from a support substrate.
試験の結果を表１に示す。 The test results are shown in Table 1.
（考察）
実施例１のものは、ウェーハのサポート基板に対する接着状態が確実であり、サポート基板からのウェーハの剥離も８分と短くて良好な結果が得られている。
実施例２のものも、ウェーハのサポート基板に対する接着状態が確実であり、サポート基板からのウェーハの剥離も１３分と短いし、溶剤を変更した剥離時間２においては２０分、剥離時間３においては１４分と、充分な結果が得られている。
(Discussion)
In Example 1, the wafer is securely adhered to the support substrate, and the peeling of the wafer from the support substrate is as short as 8 minutes, and good results are obtained.
In Example 2, the wafer is securely adhered to the support substrate, and the wafer peeling from the support substrate is as short as 13 minutes. In the peeling time 2 when the solvent is changed, 20 minutes and in the peeling time 3 A satisfactory result was obtained at 14 minutes.
実施例３では、ウェーハのサポート基板に対する接着状態において、一部に剥がれが見られたが接着は充分になされていた。サポート基板からのウェーハの剥離は６分と短くて良好な結果が得られている。 In Example 3, in the adhesion state of the wafer to the support substrate, some peeling was observed, but the adhesion was sufficiently achieved. The peeling of the wafer from the support substrate was as short as 6 minutes, and good results were obtained.
比較例１のものは、ウェーハのサポート基板に対する接着状態が悪くなっていて、適合しないので、剥離試験は省略した。
比較例２、３は、サポート基板の気孔径が大きすぎてウェーハのサポート基板に対する接着状態が充分ではなかった。そのために剥離試験は省略した。
比較例４は、サポート基板に気孔が存在しないものであるが、ウェーハのサポート基板に対する接着状態は良好であったが、剥離試験において１８０分という長時間でも剥離しなかった。
比較例５のものは、サポート基板に貫通孔を設けたものであり、接着状態はほぼ良好であったが、剥離時間は比較例４に比べると短くなっていたが、未だ６０分でも充分に剥離せず、良好な結果が得られていないことが判る。
In Comparative Example 1, the adhesion state of the wafer to the support substrate was deteriorated and was not compatible, so the peel test was omitted.
In Comparative Examples 2 and 3, the pore size of the support substrate was too large, and the adhesion state of the wafer to the support substrate was not sufficient. Therefore, the peel test was omitted.
In Comparative Example 4, no pores were present in the support substrate, but the adhesion state of the wafer to the support substrate was good, but it did not peel even after a long time of 180 minutes in the peel test.
In Comparative Example 5, the support substrate was provided with a through hole, and the adhesion state was almost good, but the peeling time was shorter than that of Comparative Example 4, but still 60 minutes was sufficient. It turns out that it does not peel and the favorable result is not obtained.
１ ウェーハ
２ ウェーハのバンプ
４ 仮止め用ワックス
５、７ 加熱プレス板
６ サポート基板
８ 研削機
９ ウェーハの裏面
１１ 裏面蒸着処理
１２ アニール処理
１３ 溶剤
１４ 剥離処理
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Wafer bump 4 Temporarily fixing wax 5, 7 Heating press plate 6 Support substrate 8 Grinding machine 9 Wafer back surface 11 Back surface deposition treatment 12 Annealing treatment 13 Solvent 14 Peeling treatment
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