JP2018137894A - 双方向絶縁型dc/dcコンバータ - Google Patents

双方向絶縁型dc/dcコンバータ Download PDF

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Abstract

【課題】従来と同じハードウェア構成でありながら、順方向動作および逆方向動作が自動的に切り替わることがない双方向絶縁型DC/DCコンバータを提供する。
【解決手段】本発明に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータは、1次巻線および2次巻線を有する絶縁トランスと、1次巻線に接続された1次側フルブリッジ回路と、2次巻線に接続された2次側フルブリッジ回路と、1次側フルブリッジ回路および2次側フルブリッジ回路を制御する制御部とを備える。制御部は、(1)順方向動作において、2次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該2次側フルブリッジ回路を制御し、(2)逆方向動作において、1次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該1次側フルブリッジ回路を制御する。
【選択図】図2

Description

本発明は、1次側から2次側に電力を伝達する順方向動作と、2次側から1次側に電力を伝達する逆方向動作とを行う双方向絶縁型DC/DCコンバータに関する。
近年、太陽光発電システム、家庭用蓄電システム、およびバッテリを搭載した電動車等の分野において、双方向に動作可能な様々なタイプのDC/DCコンバータが使用されている。特に、位相シフト制御が行われる双方向絶縁型DC/DCコンバータは、効率が良く、しかも幅広い電圧に対応できるため、好んで使用されている。
これに関し、特許文献1には、位相シフト制御される電圧型のフルブリッジ回路からなる1次側回路と、電流型の同期整流回路からなる2次側回路とを備えた絶縁型DC/DCコンバータが開示されている。また、特許文献2には、電圧型のフルブリッジ回路からなる1次側回路と、同期整流制御される電流型のフルブリッジ回路からなる2次側回路とを備えた絶縁型双方向DC/DCコンバータが開示されている。さらに、これらを組み合わせてなる双方向絶縁型DC/DCコンバータも従来から種々検討されている。
図13に、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの一例として、制御部103によって位相シフト制御される1次側回路101、制御部103によって同期整流制御される2次側回路102、および絶縁トランスTR等を備えた双方向絶縁型DC/DCコンバータ100を示す。同図に示すように、1次側回路101は、第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のフルブリッジ回路からなり、第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のそれぞれは、逆並列接続されたダイオード(第1〜第4ダイオードD1〜D4)を有する。同様に、2次側回路102は、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のフルブリッジ回路からなり、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のそれぞれは、逆並列接続されたダイオード(第5〜第8ダイオードD5〜D8)を有する。第1〜第8ダイオードD1〜D8は、第1〜第8スイッチ素子Q1〜Q8に内蔵された寄生ダイオード、または第1〜第8スイッチ素子Q1〜Q8に外付けされたダイオードである。
順方向動作において、制御部103は、例えば、図14に示すタイミングチャートにしたがって第1〜第8スイッチ素子Q1〜Q8を制御し、状態1〜状態4を作り出す。順方向動作では、第1スイッチ素子Q1および第4スイッチ素子Q4の両方がオン状態とされた状態1、および第2スイッチ素子Q2および第3スイッチ素子Q3の両方がオン状態とされた状態3において、1次側から2次側に電力が伝達される。なお、図14中のΔTは、位相シフト量である。制御部103は、外部からもたらされるフィードバック情報(主に、入出力端T2,T2’の電圧。以下、「2次側電圧」という)に基づいて位相シフト量ΔTを決定する。具体的には、制御部103は、2次側電圧が目標電圧値をどの程度下回っているのかに応じて位相シフト量ΔTを決定する。2次側電圧が目標電圧値を大きく下回っている場合、位相シフト量ΔTは相対的に大きくなる。一方、2次側電圧が目標電圧値に接近している場合、位相シフト量ΔTは相対的に小さくなる。ただし、位相シフト量ΔTは、予め定められた最小位相シフト量ΔTminよりも小さくなることはない。
図16および図17に、順方向動作の各状態における電流経路を示す。
また、逆方向動作において、制御部103は、例えば、図15に示すタイミングチャートにしたがって第1〜第8スイッチ素子Q1〜Q8を制御し、状態1〜状態4を作り出す。逆方向動作では、第1スイッチ素子Q1および第3スイッチ素子Q3の両方がオン状態とされた状態2、および第2スイッチ素子Q2および第4スイッチ素子Q4の両方がオン状態とされた状態4において、チョークコイルL2に電力が蓄積される。そして、第1スイッチ素子Q1および第4スイッチ素子Q4の両方がオン状態とされた状態1、および第2スイッチ素子Q2および第3スイッチ素子Q3の両方がオン状態とされた状態3において、チョークコイルL2に蓄積された電力が1次側に伝達される。なお、逆方向動作における位相シフト量ΔTは、ΔTminに等しい。
図18および図19に、逆方向動作の各状態における電流経路を示す。
順方向動作および逆方向動作は、自動的に切り替わる。すなわち、順方向動作において、制御部103が位相シフト量ΔTをΔTminまで小さくしても2次側電圧が目標電圧値を超えている場合は、逆方向動作に自動的に切り替わり、2次側から1次側への電力の伝達が始まる。また、逆方向動作中に2次側電圧が目標電圧値を下回ると、順方向動作に自動的に切り替わり、1次側から2次側への電力の伝達が始まる。このようにして、2次側電圧は目標電圧値に維持される。
なお、図14および図15では、簡単のためにデッドタイムの図示が省略されている。
特許第4013995号公報 特開2002−165448号公報
ところで、例えば、電動車の車載バッテリを充放電させるV2H(Vehicle to Home)システムは、意図しない充放電を行ってはならないとされている。すなわち、V2Hシステムには、ユーザの指令により開始された車載バッテリの充電中に当該充電を勝手に中止して放電を開始させないことと、ユーザの指令により開始された車載バッテリの放電中に当該放電を勝手に中止して充電を開始させないことが求められている。しかしながら、上記の通り、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100は、順方向動作および逆方向動作が自動的に切り替わるように構成されている。したがって、この双方向絶縁型DC/DCコンバータ100でV2Hシステムを構成すると、順方向動作による充電と逆方向動作による放電が勝手に切り替わってしまうおそれがある。
これを防ぐための手法としては、片方向にしか動作し得ないように双方向絶縁型DC/DCコンバータ100のハードウェア構成を大幅に変更することが考えられるが、これには多大な労力がかかる。また、この手法だと、他の双方向絶縁型DC/DCコンバータとの部品の共通化が図れなくなり、製造コストが増大するおそれもある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その課題とするところは、従来と同じハードウェア構成でありながら、順方向動作および逆方向動作が自動的に切り替わることがない双方向絶縁型DC/DCコンバータを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータは、1次側から2次側に電力を伝達する順方向動作と、2次側から1次側に電力を伝達する逆方向動作とを行う双方向絶縁型DC/DCコンバータであって、1次巻線および2次巻線を有する絶縁トランスと、1次巻線に接続された1次側フルブリッジ回路と、2次巻線に接続された2次側フルブリッジ回路と、2次側フルブリッジ回路と2次側の入出力端との間に設けられたLC回路と、1次側フルブリッジ回路および2次側フルブリッジ回路を制御する制御部とを備え、制御部は、(1)順方向動作において、2次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該2次側フルブリッジ回路を制御し、(2)逆方向動作において、1次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該1次側フルブリッジ回路を制御することを特徴とする。
この構成では、順方向動作において、2次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオード(順方向にバイアスがかけられるダイオード)が含まれる。したがって、この構成によれば、当該経路を逆向きに電流が流れようとしたときに、順方向ダイオードが逆方向ダイオードとなって当該電流の流れを阻止するので、順方向動作から逆方向動作への自動的な切り替わりを防ぐことができる。
さらに、この構成では、逆方向動作において、1次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれる。したがって、この構成によれば、当該経路を逆向きに電流が流れようとしたときに、順方向ダイオードが逆方向ダイオードとなって当該電流の流れを阻止するので、逆方向動作から順方向動作への自動的な切り替わりを防ぐことができる。
上記双方向絶縁型DC/DCコンバータは、例えば、1次側フルブリッジ回路が第1レグおよび第2レグを有し、2次側フルブリッジ回路が第3レグおよび第4レグを有し、第1レグ、第2レグ、第3レグおよび第4レグを構成するスイッチ素子が逆並列接続されたダイオードを有する構成をとることができる。
この場合、逆並列接続されたダイオードは、スイッチ素子に内蔵されたダイオードであってもよいし、スイッチ素子に外付けされたダイオードであってもよい。後者は、前者よりもオン抵抗が小さいので、損失の点で有利である。
また、この場合、制御部は、(1)順方向動作において、第3レグおよび第4レグを構成するスイッチ素子のいずれかをオフさせることにより、当該オフさせられたスイッチ素子に逆並列接続されたダイオードを電流の経路に含めてもよいし、(2)逆方向動作において、第1レグおよび第2レグを構成するスイッチ素子のいずれかをオフさせることにより、オフさせられたスイッチ素子に逆並列接続されたダイオードを電流の経路に含めてもよい。
本発明によれば、従来と同じハードウェア構成でありながら、順方向動作および逆方向動作が自動的に切り替わることがない双方向絶縁型DC/DCコンバータを提供することができる。
本発明の第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの回路図である。 第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータに含まれるスイッチ素子の順方向動作における動作タイミングを示すタイミングチャートである。 第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータに含まれるスイッチ素子の逆方向動作における動作タイミングを示すタイミングチャートである。 順方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 順方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 本発明の第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの回路図である。 順方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 順方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの回路図である。 従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータに含まれるスイッチ素子の順方向動作における動作タイミングを示すタイミングチャートである。 従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータに含まれるスイッチ素子の逆方向動作における動作タイミングを示すタイミングチャートである。 順方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 順方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態1および(B)状態2における、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。 逆方向動作の(A)状態3および(B)状態4における、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータの電流経路を示す図である。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの実施例について説明する。
[第1実施例]
図1に、本発明の第1実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aを示す。双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aは、1次巻線TR1および2次巻線TR2を有する絶縁トランスTRを備え、1次側(1次巻線TR1側)から2次側(2次巻線TR2側)に電力を伝達する順方向動作と、2次側から1次側に電力を伝達する逆方向動作とを行う。順方向動作により、1次側の入出力端T1,T1’から供給された電力が、2次側の入出力端T2,T2’に接続された負荷回路等に出力される。例えば、入出力端T2,T2’に蓄電池が接続されている場合、当該蓄電池は順方向動作により充電される。一方、逆方向動作により、2次側の入出力端T2,T2’から供給された電力が、1次側の入出力端T1,T1’に接続された負荷回路等に供給される。例えば、入出力端T1,T1’に直流電源が接続されている場合、入出力端T2,T2’から供給された電力は、逆方向動作により当該直流電源に回生される。
双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aは、1次側フルブリッジ回路11と、2次側フルブリッジ回路12と、制御部13と、上記絶縁トランスTRと、コイルL1と、コンデンサC9と、チョークコイルL2およびコンデンサC10からなるLC回路とを備えている。
1次側フルブリッジ回路11は、第1スイッチ素子Q1と、第2スイッチ素子Q2と、第3スイッチ素子Q3と、第4スイッチ素子Q4とを含んでいる。第1スイッチ素子Q1は第1レグの上アームを構成し、第2スイッチ素子Q2は第1レグの下アームを構成する。第3スイッチ素子Q3は第2レグの上アームを構成し、第4スイッチ素子Q4は第2レグの下アームを構成する。第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2の接続点は、コイルL1を介して1次巻線TR1の一端に接続され、第3スイッチ素子Q3および第4スイッチ素子Q4の接続点は、1次巻線TR1の他端に接続されている。コイルL1は、後述する第1〜第4コンデンサC1〜C4と合わせてゼロボルトスイッチング(Zero Voltage Switching,ZVS)を実現するための共振コイルとして機能する。コイルL1は、絶縁トランスTRの漏れインダクタンスであってもよいし、これとは別のコイルであってもよい。また、コイルL1は、上記漏れインダクタンスと別のコイルとを合成したものであってもよい。
第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4は、制御部13の制御下でスイッチング(ターンオン/ターンオフ)する。第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4としては、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、シリコン製のパワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、シリコンカーバイド製のパワーMOSFET等のパワー半導体素子を用いることができる。
第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のそれぞれには、第1〜第4ダイオードD1〜D4が逆並列接続されている。本実施例では、第1〜第4ダイオードD1〜D4は、第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のそれぞれに寄生する(内蔵された)寄生ダイオードである。
第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のそれぞれには、さらに、第1〜第4コンデンサC1〜C4が並列接続されている。第1〜第4コンデンサC1〜C4は、第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4のそれぞれに寄生する(内蔵された)寄生容量であってもよいし、外付けのコンデンサ素子であってもよい。
上アームを構成する第1スイッチ素子Q1および第3スイッチ素子Q3は、高電位側の入出力端T1に接続され、下アームを構成する第2スイッチ素子Q2および第4スイッチ素子Q4は、低電位側の入出力端T1’に接続されている。また、コンデンサC9は、入出力端T1,T1’の間に接続されている。
2次側フルブリッジ回路12は、第5スイッチ素子Q5と、第6スイッチ素子Q6と、第7スイッチ素子Q7と、第8スイッチ素子Q8とを含んでいる。第5スイッチ素子Q5は第3レグの上アームを構成し、第6スイッチ素子Q6は第3レグの下アームを構成する。第7スイッチ素子Q7は第4レグの上アームを構成し、第8スイッチ素子Q8は第4レグの下アームを構成する。第5スイッチ素子Q5および第6スイッチ素子Q6の接続点は、2次巻線TR2の一端に接続され、第7スイッチ素子Q7および第8スイッチ素子Q8の接続点は、2次巻線TR2の他端に接続されている。
第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4と同様、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8は、制御部13の制御下でスイッチングする。第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8としては、IGBT、シリコン製のパワーMOSFET、シリコンカーバイド製のパワーMOSFET等のパワー半導体素子を用いることができる。
第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のそれぞれには、第5〜第8ダイオードD5〜D8が逆並列接続されている。本実施例では、第5〜第8ダイオードD5〜D8は、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のそれぞれに寄生する(内蔵された)寄生ダイオードである。
第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のそれぞれには、さらに、第5〜第8コンデンサC5〜C8が並列接続されている。第5〜第8コンデンサC5〜C8は、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8のそれぞれに寄生する(内蔵された)寄生容量であってもよいし、外付けのコンデンサ素子であってもよい。
チョークコイルL2およびコンデンサC10からなるLC回路は、2次側フルブリッジ回路12と2次側の入出力端T2,T2’との間に接続されている。より詳しくは、コンデンサC10は、高電位側の入出力端T2に一端が接続され、低電位側の入出力端T2’並びに下アームを構成する第6スイッチ素子Q6および第8スイッチ素子Q8に他端が接続されている。また、チョークコイルL2は、上アームを構成する第5スイッチ素子Q5および第7スイッチ素子Q7に一端が接続され、高電位側の入出力端T2に他端が接続されている。
制御部13は、マイコンやFPGA(Field-Programmable Gate Array)等の制御用ICによって構成されている。制御部13は、通常、2次側の入出力端T2,T2’の電圧(2次側電圧)等のフィードバック情報に基づき、1次側フルブリッジ回路11および2次側フルブリッジ回路12を制御する。
続いて、図2を参照しながら、制御部13による、順方向動作における第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4の制御の一例について説明する。この制御により、順方向動作中の双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aは、状態1〜状態4のいずれかの状態をとる。
制御部13は、第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2を逆位相でスイッチングさせる。図示を省略しているが、制御部13は、第2スイッチ素子Q2のオフ時間が第1スイッチ素子Q1のオン時間よりも若干長くなるように両者を制御することにより、第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2の両方がオフ状態になる期間を設けることができる。このような期間をデッドタイムという。
同様に、制御部13は、第3スイッチ素子Q3および第4スイッチ素子Q4を逆位相でスイッチングさせる。制御部13は、第3スイッチ素子Q3および第4スイッチ素子Q4についても、デッドタイムを設けることができる。
また、制御部13は、第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2の位相に対して、第3スイッチ素子Q3および第4スイッチ素子Q4の位相をシフトさせる。制御部13は、外部からもたらされるフィードバック情報に基づいて位相シフト量ΔTを決定する。具体的には、制御部103は、2次側電圧が目標電圧値をどの程度下回っているのかに応じて位相シフト量ΔTを決定する。2次側電圧が目標電圧値を大きく下回っている場合、制御部13は、位相シフト量ΔTを相対的に大きくする。一方、2次側電圧が目標電圧値に接近している場合、制御部13は、位相シフト量ΔTを相対的に小さくする。ただし、制御部13は、位相シフト量ΔTを予め定められた最小位相シフト量ΔTminよりも小さくすることはない。
次に、制御部13による、順方向動作における第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8の制御の一例について説明する。
制御部13は、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8をオフ状態とし続ける。特に、制御部13は、1次側から2次側への電力の伝達がなされる状態1において、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100ではオン状態とされる第5スイッチ素子Q5および第8スイッチ素子Q8をオフ状態とする(図2および図14参照)。また、制御部13は、同じく1次側から2次側への電力の伝達がなされる状態3において、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100ではオン状態とされる第6スイッチ素子Q6および第7スイッチ素子Q7をオフ状態とする(図2および図14参照)。
続いて、図3を参照しながら、制御部13による、逆方向動作における第1〜第4スイッチ素子Q1〜Q4の制御の一例について説明する。この制御により、逆方向動作中の双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aは、状態1〜状態4のいずれかの状態をとる。
制御部13は、第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2を逆位相でスイッチングさせる。図示を省略しているが、制御部13は、第2スイッチ素子Q2のオフ時間が第1スイッチ素子Q1のオン時間よりも若干長くなるように両者を制御することにより、デッドタイムを設けることができる。
一方、制御部13は、第3スイッチ素子Q3および第4スイッチ素子Q4をオフ状態とし続ける。特に、制御部13は、2次側から1次側への電力の伝達がなされる状態1において、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100ではオン状態とされる第4スイッチ素子Q4をオフ状態とする(図3および図15参照)。また、制御部13は、同じく2次側から1次側への電力の伝達がなされる状態3において、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100ではオン状態とされる第3スイッチ素子Q3をオフ状態とする(図3および図15参照)。
次に、制御部13による、逆方向動作における第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8の制御の一例について説明する。
制御部13は、第5スイッチ素子Q5および第6スイッチ素子Q6を逆位相でスイッチングさせる。ただし、制御部13は、第1スイッチ素子Q1および第2スイッチ素子Q2の位相に対して、第5スイッチ素子Q5および第6スイッチ素子Q6の位相を最小位相シフト量ΔTminだけシフトさせる。制御部13は、第5スイッチ素子Q5および第6スイッチ素子Q6についても、デッドタイムを設けることができる。
同様に、制御部13は、第7スイッチ素子Q7および第8スイッチ素子Q8を逆位相でスイッチングさせる。ただし、制御部13は、第7スイッチ素子Q7を第6スイッチ素子Q6と同相でスイッチングさせ、第8スイッチ素子Q8を第5スイッチ素子Q5と同相でスイッチングさせる。制御部13は、第7スイッチ素子Q7および第8スイッチ素子Q8についても、デッドタイムを設けることができる。
図4に、順方向動作の状態1および状態2における双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの電流経路を示す。上記の通り、状態1において、第5スイッチ素子Q5および第8スイッチ素子Q8はオフ状態とされる。このため、状態1における2次側の電流経路は、「入出力端T2’→第8ダイオードD8→2次巻線TR2→第5ダイオードD5→チョークコイルL2→入出力端T2」となる。
すなわち、2次側の電流経路には、順方向ダイオードとして機能する第5ダイオードD5および第8ダイオードD8が含まれる。このため、2次側電圧の上昇により双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの動作が順方向動作から逆方向動作に切り替わろうとしても、第5ダイオードD5および第8ダイオードD8が逆方向ダイオードとして機能して入出力端T2から入出力端T2’に向かう逆向きの電流を阻止するので、実際には逆方向動作への切り替わりは起こらない。
これに対し、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100では、順方向動作の状態1における2次側の電流経路が「入出力端T2’→第8スイッチ素子Q8→2次巻線TR2→第5スイッチ素子Q5→チョークコイルL2→入出力端T2」(図16(A)参照)となり、電流経路に順方向ダイオードが含まれないので、逆方向動作への切り替わりが容易に起こり得る。
図5に、順方向動作の状態3および状態4における双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの電流経路を示す。上記の通り、状態3において、第6スイッチ素子Q6および第7スイッチ素子Q7はオフ状態とされる。このため、状態3における2次側の電流経路は、「入出力端T2’→第6ダイオードD6→2次巻線TR2→第7ダイオードD7→チョークコイルL2→入出力端T2」となる。
すなわち、2次側の電流経路には、順方向ダイオードとして機能する第6ダイオードD6および第7ダイオードD7が含まれる。このため、2次側電圧の上昇により双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの動作が順方向動作から逆方向動作に切り替わろうとしても、第6ダイオードD6および第7ダイオードD7が逆方向ダイオードとして機能して入出力端T2から入出力端T2’に向かう逆向きの電流を阻止するので、実際には逆方向動作への切り替わりは起こらない。
これに対し、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100では、順方向動作の状態3における2次側の電流経路が「入出力端T2’→第6スイッチ素子Q6→2次巻線TR2→第7スイッチ素子Q7→チョークコイルL2→入出力端T2」(図17(A)参照)となり、電流経路に順方向ダイオードが含まれないので、逆方向動作への切り替わりが容易に起こり得る。
図6に、逆方向動作の状態1および状態2における双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの電流経路を示す。上記の通り、状態1において、第4スイッチ素子Q4はオフ状態とされる。このため、状態1における1次側の電流経路は、「入出力端T1’→第4ダイオードD4→1次巻線TR1→コイルL1→第1スイッチ素子Q1→入出力端T1」となる。
すなわち、1次側の電流経路には、順方向ダイオードとして機能する第4ダイオードD4が含まれる。このため、2次側電圧の低下により双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの動作が逆方向動作から順方向動作に切り替わろうとしても、第4ダイオードD4が逆方向ダイオードとして機能して入出力端T1から入出力端T1’に向かう逆向きの電流を阻止するので、実際には順方向動作への切り替わりは起こらない。
これに対し、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100では、逆方向動作の状態1における1次側の電流経路が「入出力端T1’→第4スイッチ素子Q4→1次巻線TR1→コイルL1→第1スイッチ素子Q1→入出力端T1」(図18(A)参照)となり、電流経路に順方向ダイオードが含まれないので、順方向動作への切り替わりが容易に起こり得る。
図7に、逆方向動作の状態3および状態4における双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの電流経路を示す。上記の通り、状態3において、第3スイッチ素子Q3はオフ状態とされる。このため、状態3における1次側の電流経路は、「入出力端T1’→第2スイッチ素子Q2→コイルL1→1次巻線TR1→第3ダイオードD3→入出力端T1」となる。
すなわち、1次側の電流経路には、順方向ダイオードとして機能する第3ダイオードD3が含まれる。このため、2次側電圧の低下により双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Aの動作が逆方向動作から順方向動作に切り替わろうとしても、第3ダイオードD3が逆方向ダイオードとして機能して入出力端T1から入出力端T1’に向かう逆向きの電流を阻止するので、実際には順方向動作への切り替わりは起こらない。
これに対し、従来の双方向絶縁型DC/DCコンバータ100では、逆方向動作の状態3における1次側の電流経路が「入出力端T1’→第2スイッチ素子Q2→コイルL1→1次巻線TR1→第3スイッチ素子Q3→入出力端T1」(図19(A)参照)となり、電流経路に順方向ダイオードが含まれないので、順方向動作への切り替わりが容易に起こり得る。
[第2実施例]
図8に、本発明の第2実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Bを示す。双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Bは、1次側フルブリッジ回路11と、2次側フルブリッジ回路12と、制御部13と、絶縁トランスTRと、コイルL1と、コンデンサC9と、チョークコイルL2およびコンデンサC10からなるLC回路とを備えている。これらは、第1実施例と同じ構成を有している。
双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Bは、第9〜第12ダイオードD9〜D12からなるダイオードブリッジ回路14をさらに備えている。ダイオードブリッジ回路14は、2次側フルブリッジ回路12に対して並列に設けられている。より詳しくは、第9ダイオードD9は第5スイッチ素子Q5および第5ダイオードD5に並列に接続され、第10ダイオードD10は第6スイッチ素子Q6および第6ダイオードD6に並列に接続され、第11ダイオードD11は第7スイッチ素子Q7および第7ダイオードD7に並列に接続され、第12ダイオードD12は第8スイッチ素子Q8および第8ダイオードD8に並列に接続されている。
上記の通り、第5〜第8ダイオードD5〜D8は、第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8の寄生ダイオードである。これに対し、第9〜第12ダイオードD9〜D12は、寄生ダイオードよりも小さなオン抵抗を有する外付けのダイオードである。また、第9〜第12ダイオードD9〜D12は、第5〜第8ダイオードD5〜D8に対して並列に接続されている。したがって、本実施例では、第1実施例において第5〜第8ダイオードD5〜D8を流れていた電流が、第5〜第8ダイオードD5〜D8ではなく第9〜第12ダイオードD9〜D12を流れることになる。
例えば、第1実施例の順方向動作の状態1(図4(A)参照)では、第8ダイオードD8および第5ダイオードD5に電流が流れるが、本実施例の順方向動作の状態1(図9(A)参照)では、第12ダイオードD12および第9ダイオードD9に電流が流れる。また、第1実施例の順方向動作の状態3(図5(A)参照)では、第6ダイオードD6および第7ダイオードD7に電流が流れるが、本実施例の順方向動作の状態3(図10(A)参照)では、第10ダイオードD10および第11ダイオードD11に電流が流れる。
したがって、本実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Bによれば、2次側のダイオードにおける損失を低減することができる。
また、本実施例に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータ10Bによれば、寄生ダイオードを有さないIGBTで第5〜第8スイッチ素子Q5〜Q8を構成することができる。
なお、本実施例の逆方向動作における2次側の電流経路は、第1実施例と同じである(図6、図7、図11および図12参照)。
[変形例]
以上、本発明に係る双方向絶縁型DC/DCコンバータの実施例について説明してきたが、本発明の構成は実施例の構成に限定されるものではなく、種々の変形例が存在することは言うまでもない。
例えば、各実施例では、順方向動作の状態1において、第5スイッチ素子Q5および第8スイッチ素子Q8の両方をオフ状態としたが、オフ状態とするのは、第5スイッチ素子Q5のみであってもよいし、第8スイッチ素子Q8のみであってもよい。オフ状態とするスイッチ素子の数を減らすことにより、損失を改善することができる。一方、逆方向動作への切り替わりを確実に防ぐという観点からは、両方のスイッチ素子をオフ状態とすることが好ましい。
順方向動作の状態3についても同様である。
また、上記各実施例では、逆方向動作の状態1において、第4スイッチ素子Q4をオフ状態としたが、オフ状態とするのは、第1スイッチ素子Q1および第4スイッチ素子Q4の両方であってもよいし、第1スイッチ素子Q1のみであってもよい。オフ状態とするスイッチ素子の数を増やすことにより、順方向動作への切り替わりをより確実に防ぐことができる。一方、損失の観点からは、いずれか一方のみをオフ状態とすることが好ましい。
逆方向動作の状態3についても同様である。
また、順方向動作の状態2および状態4の制御(図2参照)、並びに逆方向動作の状態2および状態4の制御(図3参照)は、従来の制御(図14、図15参照)と同一であってもよい。
また、各実施例では、入出力端T2,T2’の電圧(2次側電圧)と目標電圧値との関係に基づいて位相シフト量ΔTを制御するが、入出力端T2,T2’に接続された負荷回路等の負荷電流をフィードバック情報とし、負荷電流と目標電流値との関係に基づいて位相シフト量ΔTを制御してもよい。
10A 双方向絶縁型DC/DCコンバータ(第1実施例)
10B 双方向絶縁型DC/DCコンバータ(第2実施例)
11 1次側フルブリッジ回路
12 2次側フルブリッジ回路
13 制御部
14 ダイオードブリッジ回路
C1〜C10 コンデンサ
D1〜D12 ダイオード
Q1〜Q8 スイッチ素子
L1 コイル
L2 チョークコイル
TR 絶縁トランス
TR1 1次巻線
TR2 2次巻線
T1,T1’ 入出力端(1次側)
T2,T2’ 入出力端(2次側)

Claims (5)

  1. 1次側から2次側に電力を伝達する順方向動作と、前記2次側から前記1次側に電力を伝達する逆方向動作とを行う双方向絶縁型DC/DCコンバータであって、
    1次巻線および2次巻線を有する絶縁トランスと、
    前記1次巻線に接続された1次側フルブリッジ回路と、
    前記2次巻線に接続された2次側フルブリッジ回路と、
    前記2次側フルブリッジ回路と前記2次側の入出力端との間に設けられたLC回路と、
    前記1次側フルブリッジ回路および前記2次側フルブリッジ回路を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、(1)前記順方向動作において、前記2次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該2次側フルブリッジ回路を制御し、(2)前記逆方向動作において、前記1次側フルブリッジ回路を流れる電流の経路に少なくとも1つの順方向ダイオードが含まれるように当該1次側フルブリッジ回路を制御する
    ことを特徴とする双方向絶縁型DC/DCコンバータ。
  2. 前記1次側フルブリッジ回路は、第1レグおよび第2レグを有し、
    前記2次側フルブリッジ回路は、第3レグおよび第4レグを有し、
    前記第1レグ、第2レグ、第3レグおよび第4レグを構成するスイッチ素子は、逆並列接続されたダイオードを有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の双方向絶縁型DC/DCコンバータ。
  3. 前記逆並列接続されたダイオードは、前記スイッチ素子に内蔵されている
    ことを特徴とする請求項2に記載の双方向絶縁型DC/DCコンバータ。
  4. 前記逆並列接続されたダイオードは、前記スイッチ素子に外付けされている
    ことを特徴とする請求項2に記載の双方向絶縁型DC/DCコンバータ。
  5. 前記制御部は、(1)前記順方向動作において、前記第3レグおよび第4レグを構成する前記スイッチ素子のいずれかをオフさせることにより、当該オフさせられた前記スイッチ素子に逆並列接続された前記ダイオードを前記電流の経路に含め、(2)前記逆方向動作において、前記第1レグおよび第2レグを構成する前記スイッチ素子のいずれかをオフさせることにより、当該オフさせられた前記スイッチ素子に逆並列接続された前記ダイオードを前記電流の経路に含める
    ことを特徴とする請求項2に記載の双方向絶縁型DC/DCコンバータ。
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