JP2018137473A - Light-emitting device and manufacturing method therefor - Google Patents

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耕治 阿部
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林  正樹
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a light-emitting device of which the luminescent chromaticity is corrected in accordance with a principle different from the prior arts or of a light-emitting device of which the luminescent chromaticity can be corrected in accordance with a principle different from the prior arts.SOLUTION: A light-emitting device comprises: a light-emitting element (10) which emits a visible light; a phosphor (27) for emitting a visible light that is excited by the light of the light-emitting element (10); a translucent member (20) which is located on the light-emitting element (10) and provided on the phosphor (27) or while including the phosphor (27) and includes a translucent base material (25); and a coating (40) that is provided on a top face of the translucent member (20) and configured by coagulating nanoparticles (30) of which the refraction factor is different from that of the base material (21).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関し、特に発光素子を備える発光装置及びその
製造方法に関するものである。
The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light emitting device including a light emitting element and a method for manufacturing the same.

従来、発光ダイオードなどの発光装置として、1次光を発光する発光素子と、その1次
光に励起されて1次光とは異なる波長の2次光を発光する蛍光体と、を備えたものがある
。また、別の発光装置として、赤色、緑色、青色など発光色の異なる複数の発光素子を備
えたものもある。
Conventionally, as a light emitting device such as a light emitting diode, a light emitting device that emits primary light and a phosphor that is excited by the primary light and emits secondary light having a wavelength different from that of the primary light There is. Another light-emitting device includes a plurality of light-emitting elements having different emission colors such as red, green, and blue.

このような発光装置の製造において、発光素子の発光波長のばらつき、蛍光体の粒径や
含有量のばらつき等により、発光色度にばらつきが発生する。そして、発光色度が規定の
範囲に入っていない製品は、通常、商品として採用されない。
In the manufacture of such a light-emitting device, variations in emission chromaticity occur due to variations in the emission wavelength of the light-emitting elements, variations in the particle size and content of the phosphor, and the like. A product whose emission chromaticity is not within the specified range is not usually adopted as a product.

例えば特許文献1には、発光ダイオード素子を封止するシリコーン樹脂の表面のほぼ全
面に、顔料粒子、染料によって着色された粒子、蛍光体粒子のいずれか1つを含む、平均
粒径1〜20μmの微粒子を、単独で、或いは着色していない微粒子と混合して、付着さ
せることで、発光ダイオード装置の発光色の色補正を行うことが記載されている。
For example, Patent Document 1 discloses that an average particle diameter of 1 to 20 μm including any one of pigment particles, particles colored with a dye, and phosphor particles on almost the entire surface of a silicone resin that seals a light emitting diode element. It is described that the color correction of the luminescent color of the light emitting diode device is performed by adhering these fine particles alone or mixed with fine particles that are not colored.

特開2009−141051号公報JP 2009-141051 A

しかしながら、特許文献1に記載の発光ダイオード装置では、シリコーン樹脂の封止樹
脂表面のほぼ全面に付着させる微粒子が、顔料粒子、染料によって着色された粒子、蛍光
体粒子のいずれか1つを含むものでなければ、発光色の色補正の効果を発揮しない。
However, in the light emitting diode device described in Patent Document 1, the fine particles attached to almost the entire surface of the silicone resin sealing resin include any one of pigment particles, particles colored with a dye, and phosphor particles. Otherwise, the effect of color correction of the emission color is not exhibited.

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、従来とは異なる原理によ
り発光色度の補正がなされた発光装置、又は従来とは異なる原理により発光色度の補正が
可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and a light emitting device in which emission chromaticity is corrected by a principle different from the conventional one, or light emission in which emission chromaticity can be corrected by a principle different from the conventional one. An object is to provide a method for manufacturing a device.

上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、可視発光の発光素子と、前記発光素
子の光により励起される可視発光の蛍光体と、前記発光素子上であって、前記蛍光体上に
又は前記蛍光体を含んで設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、前記透光部材の上
面に設けられた、前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が凝集してなる被膜と、を備える
ことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a light-emitting device of the present invention includes a visible light-emitting element, a visible light-emitting phosphor excited by light of the light-emitting element, and the light-emitting element on the phosphor. Or a translucent member including a translucent base material provided including the phosphor, and nanoparticles having a different refractive index from the base material provided on the upper surface of the translucent member are aggregated. And a coating film.

また、本発明の別の発光装置は、発光色の異なる複数の発光素子と、前記複数の発光素
子上に設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、前記透光部材の上面に設けられた、
前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が凝集してなる被膜と、を備えることを特徴とする
Another light-emitting device of the present invention includes a plurality of light-emitting elements having different emission colors, a light-transmitting member including a light-transmitting base material provided on the plurality of light-emitting elements, and the light-transmitting member. Provided on the top surface,
The base material includes a coating formed by agglomerating nanoparticles having different refractive indexes.

さらに、本発明の発光装置の製造方法は、可視発光の発光素子と、前記発光素子の光に
より励起される可視発光の蛍光体と、前記発光素子上であって、前記蛍光体上に又は前記
蛍光体を含んで設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、を備える発光装置の製造方
法であって、前記透光部材の上面に、前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が凝集してな
る被膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
Furthermore, the manufacturing method of the light emitting device of the present invention includes a visible light emitting element, a visible light emitting phosphor excited by light of the light emitting element, and the light emitting element, on the phosphor or the A light-emitting device manufacturing method comprising a light-transmitting member including a light-transmitting base material provided including a phosphor, and having a refractive index different from that of the base material on an upper surface of the light-transmitting member. It comprises a step of forming a film formed by aggregation of nanoparticles.

また、本発明の別の発光装置の製造方法は、発光色の異なる複数の発光素子と、前記複
数の発光素子上に設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、を備える発光装置の製造
方法であって、前記透光部材の上面に、前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が凝集して
なる被膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light emitting device, comprising: a plurality of light emitting elements having different emission colors; and a light transmitting member including a light transmitting base material provided on the plurality of light emitting elements. A method for manufacturing a light emitting device, comprising a step of forming a film formed by agglomerating nanoparticles having a refractive index different from that of the base material on an upper surface of the translucent member.

本発明の発光装置によれば、発光色度が好適に補正された発光装置を得ることができる
。また、本発明の発光装置の製造方法によれば、発光色度を好適に補正可能な発光装置の
製造方法を提供することができる。
According to the light emitting device of the present invention, it is possible to obtain a light emitting device in which the light emission chromaticity is suitably corrected. Moreover, according to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a light emitting device capable of suitably correcting the light emission chromaticity.

本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図(a)と、そのA−A断面における概略断面図(b)である。It is the schematic top view (a) of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention, and the schematic sectional drawing (b) in the AA cross section. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の発光色度の補正の原理を説明する概略図(a),(b)である。It is the schematic (a), (b) explaining the principle of correction | amendment of the light emission chromaticity of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明する概略図(a),(b)である。It is the schematic (a), (b) explaining an example of the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図(a)と、そのB−B断面における概略断面図(b)である。It is the schematic top view (a) of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention, and the schematic sectional drawing (b) in the BB cross section. 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図(a)と、そのC−C断面における概略断面図(b)である。It is the schematic top view (a) of the light-emitting device which concerns on one embodiment of this invention, and the schematic sectional drawing (b) in the CC cross section.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する
発光装置及びその製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定
的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例
において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。なお、各図面が
示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light-emitting device and the manufacturing method thereof described below are for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. The contents described in one embodiment and example are applicable to other embodiments and examples. In addition, the size, positional relationship, and the like of members illustrated in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.

<実施の形態1>
図1(a)は、実施の形態1に係る発光装置の概略上面図であり、図1(b)は、図1
(a)におけるA−A断面を示す概略断面図である。図1に示すように、発光装置100
は、発光素子10と、透光部材20と、被膜40と、を備えている。また、発光装置10
0は、発光素子10が実装される実装基体50を備えている。実装基体50は、包囲体7
0を含む。発光素子10は、可視発光である。透光部材20は、透光性の母材25を含む
。透光部材20は、蛍光体27を含み、発光素子10上に設けられている。蛍光体27は
、発光素子10の光により励起される、可視発光のものである。被膜40は、透光部材2
0の上面に設けられている。被膜40は、透光部材の母材25とは屈折率の異なるナノ粒
子30が凝集してなっている。
<Embodiment 1>
FIG. 1A is a schematic top view of the light-emitting device according to Embodiment 1, and FIG.
It is a schematic sectional drawing which shows the AA cross section in (a). As shown in FIG.
Includes a light emitting element 10, a translucent member 20, and a coating 40. Further, the light emitting device 10
0 includes a mounting substrate 50 on which the light emitting element 10 is mounted. The mounting substrate 50 includes the enclosure 7
Contains zero. The light emitting element 10 emits visible light. The translucent member 20 includes a translucent base material 25. The translucent member 20 includes a phosphor 27 and is provided on the light emitting element 10. The phosphor 27 is a material that emits visible light and is excited by light from the light emitting element 10. The coating 40 is formed of the translucent member 2.
0 is provided on the upper surface. The coating 40 is formed by agglomerating nanoparticles 30 having a refractive index different from that of the base material 25 of the translucent member.

より詳細には、実装基体50は、正負一対のリードフレームが、樹脂成形体である包囲
体70によって一体的に保持されてなるパッケージである。発光素子10は、包囲体70
の凹部内に収容されている。発光素子10は、一方のリードフレーム上に接着され、両方
のリードフレームとワイヤで接続されている。透光部材20は、包囲体70の凹部に充填
されて、発光素子10を被覆している。透光部材の母材25は、硬化樹脂である。
More specifically, the mounting substrate 50 is a package in which a pair of positive and negative lead frames are integrally held by an enclosure 70 that is a resin molded body. The light emitting element 10 includes the enclosure 70.
In the recess. The light emitting element 10 is bonded on one lead frame and connected to both lead frames by wires. The translucent member 20 is filled in the concave portion of the enclosure 70 and covers the light emitting element 10. The base material 25 of the translucent member is a cured resin.

なお、「ナノ粒子」とは、例えば、粒径が1nm以上100nm以下の粒子である、と
定義することができる。また、粒子の「粒径」は、平均粒径又は中心粒径で定義すること
ができる。より詳細には、一次粒子径は顕微鏡観察やBET法など、二次粒子径は動的光
散乱法、拡散法、回折法などにより測定することができる。
The “nanoparticle” can be defined as a particle having a particle size of 1 nm to 100 nm, for example. The “particle size” of the particles can be defined by an average particle size or a center particle size. More specifically, the primary particle size can be measured by microscopic observation or BET method, and the secondary particle size can be measured by dynamic light scattering method, diffusion method, diffraction method or the like.

このような構成を有する発光装置100は、以下に説明する原理により、発光色度が好
適に補正されたものである。
In the light emitting device 100 having such a configuration, the light emission chromaticity is suitably corrected according to the principle described below.

図2(a),(b)は其々、実施の形態1に係る発光装置の発光色度の補正の原理を説
明する概略図である。まず、図2(a)に示すように、被膜40の屈折率n40が透光部
材の母材25の屈折率n25より大きい場合、被膜40と空気の界面における1次光L
の反射光成分は、透光部材の母材25と空気の界面におけるそれよりも増大する。そして
、その透光部材20中に戻った1次光Lの反射光成分の一部は、蛍光体27によって2
次光Lに変換される。1次光Lより波長の長い2次光Lは、1次光Lに比べて被
膜40を透過しやすい。したがって、発光装置100から発せられる光は、1次光L
対して2次光Lの割合が相対的に増え、発光色度を長波長側に補正することができる。
一方、図2(b)に示すように、被膜40の屈折率n40が透光部材の母材25の屈折率
25より小さい場合、被膜40と空気の界面における1次光Lの反射光成分は、透光
部材の母材25と空気の界面におけるそれよりも減少する。それにより、被膜40を透過
する1次光Lの割合が増大し、1次光Lの蛍光体27による2次光Lへの変換が減
少する。したがって、発光装置100から発せられる光は、2次光Lに対して1次光L
の割合が相対的に増え、発光色度を短波長側に補正することができる。
FIGS. 2A and 2B are schematic diagrams for explaining the principle of correction of the light emission chromaticity of the light emitting device according to the first embodiment. First, as shown in FIG. 2A, when the refractive index n 40 of the coating 40 is larger than the refractive index n 25 of the base material 25 of the translucent member, the primary light L 1 at the interface between the coating 40 and the air.
The reflected light component is increased more than that at the interface between the base material 25 of the translucent member and the air. A part of the reflected light component of the primary light L 1 that has returned into the translucent member 20 is 2 by the phosphor 27.
It is converted into the following light L 2. Primary light L long secondary light L 2 having a wavelength from 1 easily transmitted through the film 40 as compared with the first-order light L 1. Accordingly, the ratio of the secondary light L 2 to the light emitted from the light emitting device 100 is relatively increased with respect to the primary light L 1 , and the light emission chromaticity can be corrected to the long wavelength side.
On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the refractive index n 40 of the coating 40 is smaller than the refractive index n 25 of the base material 25 of the translucent member, the primary light L 1 is reflected at the interface between the coating 40 and the air. The light component is reduced more than that at the interface between the base material 25 of the translucent member and the air. Thereby, the ratio of the primary light L 1 passing through the coating 40 is increased, conversion into secondary light L 2 is reduced due to the phosphor 27 of the primary light L 1. Therefore, light emitted from the light emitting device 100, the secondary light L 2 to the primary light L
The ratio of 1 is relatively increased, and the emission chromaticity can be corrected to the short wavelength side.

なお、被膜40がナノ粒子30により構成されることで、被膜40の透光部材20上面
への高い密着性が得られ、また粒子による光の反射や散乱を抑え、高い光の取り出し効率
を維持することができる。
In addition, since the coating film 40 is composed of the nanoparticles 30, high adhesion of the coating film 40 to the upper surface of the translucent member 20 is obtained, and reflection and scattering of light by the particles are suppressed, and high light extraction efficiency is maintained. can do.

図3(a),(b)は其々、実施の形態1に係る発光装置の製造方法の一例を説明する
概略図である。発光装置100の製造方法は、透光部材20の上面に、透光部材の母材2
5とは屈折率の異なるナノ粒子が凝集してなる被膜40を形成する工程(被膜形成工程)
を具備する。なお、発光装置仕掛品99とは、発光装置100を製造する過程の途中段階
にあるものであって、例えば発光素子10の封止工程(本実施形態では発光素子10上へ
の透光部材20の形成)を終えた段階のものが挙げられる。
FIGS. 3A and 3B are schematic views for explaining an example of the method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. The manufacturing method of the light-emitting device 100 includes the base material 2 of the translucent member on the upper surface of the translucent member 20.
5 is a process of forming a film 40 formed by agglomerating nanoparticles having different refractive indexes (film forming process).
It comprises. Note that the light-emitting device work-in-process 99 is in the middle of the process of manufacturing the light-emitting device 100. For example, the light-emitting element 10 is sealed (in this embodiment, the translucent member 20 on the light-emitting element 10). At the stage where the formation of the above is completed.

被膜形成工程では、例えば、図3(a)に示すように、ナノ粒子30を揮発性の液体又
は樹脂に分散させた分散液90に、透光部材20の上面を浸漬することにより、被膜40
を形成することができる。これにより、透光部材20の上面に被膜40を簡便に形成する
ことができ、発光装置100の発光色度の補正を量産性良く行うことができる。なお、こ
こで分散液90に浸漬するのは、少なくとも透光部材20の上面であればよいが、図示す
るように、発光装置仕掛品99の全体を分散液90に浸漬してもよい。また、発光装置1
00が発光素子10及び透光部材20の周囲を包囲する包囲体70を備える場合、分散液
90に包囲体70を浸漬することが好ましい。これにより、被膜40を包囲体70上にも
設けることができる。
In the film forming step, for example, as shown in FIG. 3A, the upper surface of the translucent member 20 is immersed in a dispersion liquid 90 in which the nanoparticles 30 are dispersed in a volatile liquid or resin.
Can be formed. Thereby, the film 40 can be easily formed on the upper surface of the translucent member 20, and the light emission chromaticity of the light emitting device 100 can be corrected with high productivity. Here, the immersion in the dispersion 90 may be at least the upper surface of the translucent member 20, but the entire work-in-process item 99 of the light emitting device may be immersed in the dispersion 90 as illustrated. In addition, the light emitting device 1
When 00 includes a surrounding body 70 that surrounds the light emitting element 10 and the translucent member 20, it is preferable to immerse the surrounding body 70 in the dispersion 90. Thereby, the film 40 can also be provided on the enclosure 70.

また、被膜形成工程では、例えば、図3(b)に示すように、ナノ粒子30を揮発性の
液体又は樹脂に分散させた分散液90を透光部材20の上面に塗布することにより、被膜
40を形成することができる。これにより、透光部材20の上面に被膜40を制御性良く
形成することができ、発光装置100の発光色度の補正を精度良く行うことができる。分
散液90を透光部材20の上面に塗布する具体的な方法としては、ディスペンサによるポ
ッティング、インクジェット又はスプレーによる吹き付け、刷毛又はスポンジによる塗布
などが挙げられる。
Further, in the film forming step, for example, as shown in FIG. 3B, the dispersion liquid 90 in which the nanoparticles 30 are dispersed in a volatile liquid or resin is applied to the upper surface of the translucent member 20. 40 can be formed. Thereby, the film 40 can be formed on the upper surface of the translucent member 20 with good controllability, and the light emission chromaticity of the light emitting device 100 can be corrected with high accuracy. Specific methods for applying the dispersion 90 to the upper surface of the translucent member 20 include potting with a dispenser, spraying with an ink jet or spray, application with a brush or sponge, and the like.

なお、ナノ粒子30を樹脂に分散させる場合、この樹脂は、導電部材(リードフレーム
、配線、突起電極など)の導電性を阻害しない程度の量であることが好ましい。また、発
光装置100が発光素子10及び透光部材20の周囲を包囲する包囲体70を備える場合
、分散液90を包囲体70にも塗布することが好ましい。これにより、被膜40を包囲体
70上にも設けることができる。
When the nanoparticles 30 are dispersed in the resin, the amount of the resin is preferably an amount that does not hinder the conductivity of the conductive member (lead frame, wiring, protruding electrode, etc.). In addition, when the light emitting device 100 includes the surrounding body 70 that surrounds the light emitting element 10 and the translucent member 20, it is preferable to apply the dispersion 90 to the surrounding body 70. Thereby, the film 40 can also be provided on the enclosure 70.

被膜40は、透光部材20を発光素子10上に設けた後に形成することが好ましい。こ
れにより、発光装置100全体(発光する要素の複合体)としての発光色度を調整しやす
く、発光色度の補正を簡便に行うことができる。また逆に、被膜40は、透光部材20を
発光素子10上に設ける前に形成してもよい。この場合には、被膜40を透光部材20に
対して個別に形成するので、発光装置100の意図しない部位への被膜40の形成を避け
ることができる。
The coating 40 is preferably formed after the translucent member 20 is provided on the light emitting element 10. Thereby, it is easy to adjust the light emission chromaticity as the whole light emitting device 100 (a complex of light emitting elements), and the light emission chromaticity can be easily corrected. Conversely, the coating 40 may be formed before the translucent member 20 is provided on the light emitting element 10. In this case, since the coating 40 is individually formed with respect to the translucent member 20, formation of the coating 40 in the unintended part of the light-emitting device 100 can be avoided.

被膜40を形成する工程以前に、透光部材20から発光される光の色度を測定する工程
(発光色度予備測定工程)を具備することが好ましい。これにより、発光装置100の発
光色度を所望の値に補正しやすい。さらに、発光装置100、特に被膜40及び透光部材
20、のナノ粒子30の含有量は、(発光色度予備測定工程において)測定された色度と
、所望の色度と、の差に基づいて決定されることが好ましい。これにより、発光装置10
0の発光色度を精度良く補正することができる。なお、発光装置100のナノ粒子30の
含有量は、分散液90に浸漬する場合は分散液90の濃度及び/又は浸漬時間など、分散
液90を塗布する場合は分散液90の濃度及び/又は塗布回数など、により制御すること
ができる。
Before the step of forming the coating film 40, it is preferable to include a step of measuring the chromaticity of light emitted from the translucent member 20 (preliminary emission chromaticity measurement step). Thereby, it is easy to correct the emission chromaticity of the light emitting device 100 to a desired value. Further, the content of the nanoparticles 30 of the light emitting device 100, particularly the coating film 40 and the translucent member 20, is based on the difference between the measured chromaticity (in the preliminary emission chromaticity measurement step) and the desired chromaticity. Is preferably determined. Thus, the light emitting device 10
The emission chromaticity of 0 can be corrected with high accuracy. The content of the nanoparticles 30 of the light emitting device 100 is the concentration of the dispersion 90 and / or the immersion time when immersed in the dispersion 90, such as the concentration of the dispersion 90 and / or when the dispersion 90 is applied. The number of times of application can be controlled.

以下、発光装置100の好ましい形態について説明する。   Hereinafter, a preferable embodiment of the light emitting device 100 will be described.

図1に示すように、発光装置100において、ナノ粒子30が透光部材の母材25中に
含浸している。より詳細には、ナノ粒子30は、透光部材の母材25中の上面側に含浸し
ている。このような構成は、例えば、ナノ粒子30を透光部材20の上面側から母材25
中に含浸させることで得られる。この透光部材の母材25中にあるナノ粒子30により、
被膜40による発光色度の補正機能を補うことができる。これは、ナノ粒子30の存在に
よって、光の散乱がなされること、及び/又は透光部材20の実効的な屈折率が変化する
ことによるものと考えることができる。
As shown in FIG. 1, in the light emitting device 100, the nanoparticles 30 are impregnated in the base material 25 of the translucent member. More specifically, the nanoparticles 30 are impregnated on the upper surface side in the base material 25 of the translucent member. Such a configuration includes, for example, the nanoparticle 30 from the upper surface side of the translucent member 20 to the base material 25.
It is obtained by impregnating inside. Due to the nanoparticles 30 in the base material 25 of the translucent member,
The function of correcting the emission chromaticity by the coating 40 can be supplemented. It can be considered that this is because light is scattered and / or the effective refractive index of the translucent member 20 is changed due to the presence of the nanoparticles 30.

ナノ粒子30の粒径は、発光素子10(発光素子が複数ある場合は、そのうちの少なく
とも1つ)からの光(1次光)をレイリー散乱させ得る粒径であってもよい。具体的には
、ナノ粒子30のレイリー散乱させ得る粒径とは、例えば光の波長の1/10以下の粒径
として定義することができる。光は、波長が短いほど、粒子により散乱されやすい傾向が
ある。すなわち、波長の比較的短い発光素子からの1次光は粒子により散乱されやすく、
波長の比較的長い蛍光体からの2次光は粒子を透過しやすい。特に、ナノ粒子30の粒径
がレイリー散乱させ得る粒径である場合には、その傾向が顕著に現れる。したがって、そ
の場合には、選択的に、短波長の光はナノ粒子30により散乱させ、長波長の光はナノ粒
子30を通過させる、といった制御が可能になる。特に、ナノ粒子30の屈折率が透光部
材の母材25の屈折率より高い場合には、ナノ粒子30による光の散乱強度を高めること
ができる。そして、それにより、発光装置100の発光色度の補正量を増大させることが
できる。
The particle size of the nanoparticles 30 may be a particle size that allows Rayleigh scattering of light (primary light) from the light emitting device 10 (at least one of the light emitting devices when there are a plurality of light emitting devices). Specifically, the particle size of the nanoparticles 30 that can be Rayleigh scattered can be defined as a particle size that is 1/10 or less of the wavelength of light, for example. Light tends to be scattered by particles as the wavelength is shorter. That is, primary light from a light emitting element having a relatively short wavelength is easily scattered by particles,
Secondary light from a phosphor having a relatively long wavelength tends to pass through the particles. In particular, when the particle size of the nanoparticles 30 is a particle size that can be Rayleigh scattered, the tendency appears remarkably. Therefore, in this case, it is possible to selectively control such that the short wavelength light is scattered by the nanoparticles 30 and the long wavelength light passes through the nanoparticles 30. In particular, when the refractive index of the nanoparticles 30 is higher than the refractive index of the base material 25 of the translucent member, the light scattering intensity by the nanoparticles 30 can be increased. Accordingly, the correction amount of the light emission chromaticity of the light emitting device 100 can be increased.

ナノ粒子30の屈折率が透光部材の母材25の屈折率より大きい場合には、上述のよう
に、被膜40の屈折率が透光部材の母材25の屈折率より大きくなり、発光装置100の
発光色度を長波長側に補正することができる。この場合、ナノ粒子30は、例えば酸化チ
タンを用いることができる。逆に、ナノ粒子30の屈折率が透光部材の母材25の屈折率
より小さい場合には、上述のように、被膜40の屈折率が透光部材の母材25の屈折率よ
り小さくなり、発光装置100の発光色度を短波長側に補正することができる。また、透
光部材20と空気層との間の屈折率の変化を緩やかにして光の取り出し効率を高め、光束
を高めることができる。この場合、ナノ粒子30は、例えば酸化ケイ素を用いることがで
きる。
When the refractive index of the nanoparticles 30 is larger than the refractive index of the base material 25 of the translucent member, as described above, the refractive index of the coating 40 becomes larger than the refractive index of the base material 25 of the translucent member, and the light emitting device. The emission chromaticity of 100 can be corrected to the long wavelength side. In this case, the nanoparticle 30 can use, for example, titanium oxide. Conversely, when the refractive index of the nanoparticles 30 is smaller than the refractive index of the base material 25 of the translucent member, as described above, the refractive index of the coating 40 becomes smaller than the refractive index of the base material 25 of the translucent member. The emission chromaticity of the light emitting device 100 can be corrected to the short wavelength side. Moreover, the change of the refractive index between the translucent member 20 and the air layer can be moderated, the light extraction efficiency can be increased, and the luminous flux can be increased. In this case, for example, silicon oxide can be used for the nanoparticles 30.

図1に示すように、発光装置100は、発光素子10が実装される実装基体50を備え
ている。実装基体50は、銀含有膜60を表面に有している。そして、透光部材20は、
銀含有膜60を被覆している。このように、被膜40が透光部材20の上面に設けられて
いることにより、硫黄含有ガス等の腐食性ガスが透光部材20を透過することを抑制し、
銀含有膜60の変色を抑制することができる。特に、透光部材の母材25中の上面側にナ
ノ粒子30が含浸している場合には、透光部材20のガスバリア性が高められるので、よ
り好ましい。
As shown in FIG. 1, the light emitting device 100 includes a mounting substrate 50 on which the light emitting element 10 is mounted. The mounting substrate 50 has a silver-containing film 60 on the surface. And the translucent member 20 is
A silver-containing film 60 is covered. Thus, by providing the coating film 40 on the upper surface of the translucent member 20, the corrosive gas such as the sulfur-containing gas is prevented from passing through the translucent member 20,
Discoloration of the silver-containing film 60 can be suppressed. In particular, when the nanoparticles 30 are impregnated on the upper surface side of the base material 25 of the translucent member, the gas barrier property of the translucent member 20 is improved, which is more preferable.

図1に示すように、発光装置100は、発光素子10及び透光部材20の周囲を包囲す
る包囲体70を備えている。そして、被膜40は、包囲体70上にも設けられている。こ
れにより、被膜40が包囲体70の保護膜として機能し、包囲体70の変色などの劣化を
抑制することができる。
As shown in FIG. 1, the light emitting device 100 includes a surrounding body 70 that surrounds the periphery of the light emitting element 10 and the translucent member 20. The coating 40 is also provided on the enclosure 70. Thereby, the coating film 40 functions as a protective film of the enclosure 70, and deterioration of the enclosure 70 such as discoloration can be suppressed.

発光装置100の発光色度の補正量は、被膜40及び透光部材20のナノ粒子30の含
有量に依存しており、好ましくはほぼ比例関係にある。通常、製品となる発光装置の発光
色度は、各発光装置間の発光色度の差が小さくなる又はなくなるように補正される。この
ため、被膜40及び透光部材20のナノ粒子30の含有量は、当該発光装置100の発光
色度の補正量に依存していることが好ましい。
The correction amount of the light emission chromaticity of the light emitting device 100 depends on the content of the nanoparticles 30 in the coating film 40 and the light transmitting member 20, and is preferably in a substantially proportional relationship. Usually, the light emission chromaticity of the light emitting device as a product is corrected so that the difference in light emission chromaticity between the light emitting devices is reduced or eliminated. For this reason, it is preferable that the content of the nanoparticles 30 of the coating 40 and the translucent member 20 depends on the correction amount of the emission chromaticity of the light emitting device 100.

<実施の形態2>
図4は、実施の形態2に係る発光装置の概略断面図である。図4に示すように、発光装
置200は、発光素子11と、透光部材21と、被膜40と、を備えている。発光装置2
00は、発光素子11が実装される実装基体を備えていない。発光装置200は、所謂、
チップ・サイズ・パッケージ(CSP)などと呼ばれるものである。発光装置200は、
発光素子11を包囲する包囲体71を含む。包囲体71は、発光素子11の側方と下方に
接して設けられている。また、発光装置200は、発光素子11に接続された突起電極8
0を備えている。発光素子11は、可視発光である。透光部材21は、透光性の母材25
を含む。透光部材21は、蛍光体27を含み、発光素子11上に設けられている。蛍光体
27は、発光素子11の光により励起される、可視発光のものである。被膜40は、透光
部材21の上面に設けられている。被膜40は、透光部材の母材25とは屈折率の異なる
ナノ粒子30が凝集してなっている。
<Embodiment 2>
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the second embodiment. As shown in FIG. 4, the light emitting device 200 includes a light emitting element 11, a translucent member 21, and a coating 40. Light emitting device 2
00 does not include a mounting substrate on which the light emitting element 11 is mounted. The light emitting device 200 is a so-called so-called
This is called a chip size package (CSP). The light emitting device 200 is
A surrounding body 71 surrounding the light emitting element 11 is included. The enclosure 71 is provided in contact with the side and the lower side of the light emitting element 11. In addition, the light emitting device 200 includes the protruding electrode 8 connected to the light emitting element 11.
0 is provided. The light emitting element 11 emits visible light. The translucent member 21 includes a translucent base material 25.
including. The translucent member 21 includes a phosphor 27 and is provided on the light emitting element 11. The phosphor 27 is a material that emits visible light and is excited by light from the light emitting element 11. The coating 40 is provided on the upper surface of the translucent member 21. The coating 40 is formed by agglomerating nanoparticles 30 having a refractive index different from that of the base material 25 of the translucent member.

より詳細には、発光素子11は、基板を有しておらず、主として半導体の素子構造の薄
膜により構成されているが、基板を有するものでもよい。発光素子11は、その下方に正
負の突起電極80が接続されている。包囲体71は、樹脂成形体であって、発光素子11
と突起電極80を一体的に被覆している。包囲体71は、その上面が発光素子11の上面
と略同一面であり、その下面が突起電極80の下面と略同一面である。透光部材21は、
板状又は薄膜状であって、発光素子11の上面と包囲体71の上面を被覆している。透光
部材の母材25は、硬化樹脂である。透光部材21の側面と包囲体71の側面は略同一面
であって、この側面にも被膜40が設けられている。
More specifically, the light-emitting element 11 does not have a substrate and is mainly composed of a thin film having a semiconductor element structure, but may have a substrate. The light emitting element 11 has a positive and negative protruding electrode 80 connected to the lower side thereof. The surrounding body 71 is a resin molded body, and includes the light emitting element 11.
And the protruding electrode 80 are integrally covered. The upper surface of the envelope 71 is substantially the same as the upper surface of the light emitting element 11, and the lower surface is substantially the same as the lower surface of the protruding electrode 80. The translucent member 21 is
It is plate-shaped or thin-film-shaped, and covers the upper surface of the light emitting element 11 and the upper surface of the enclosure 71. The base material 25 of the translucent member is a cured resin. The side surface of the translucent member 21 and the side surface of the enclosure 71 are substantially the same surface, and the coating film 40 is also provided on this side surface.

このような構成を有する発光装置200もまた、被膜40により、発光色度が好適に補
正されたものである。その発光色度の補正の原理は、実施の形態1で説明したものと同様
である。また、発光装置200における被膜40は、実施の形態1で説明した工程により
形成することができる。
The light emitting device 200 having such a configuration also has the light emission chromaticity suitably corrected by the coating 40. The principle of correcting the emission chromaticity is the same as that described in the first embodiment. Further, the coating 40 in the light emitting device 200 can be formed by the process described in the first embodiment.

<実施の形態3>
図5は、実施の形態3に係る発光装置の概略断面図である。図5に示すように、発光装
置250は、発光素子12と、透光部材21と、被膜40と、を備えている。発光装置2
50は、発光素子12が実装される実装基体、及び包囲体を備えていない。発光装置25
0もまた、所謂、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)などと呼ばれるものである。ま
た、発光装置250は、発光素子12に接続された突起電極80を備えている。発光素子
12は、可視発光である。透光部材21は、透光性の母材25を含む。透光部材21は、
蛍光体27を含み、発光素子12上に設けられている。蛍光体27は、発光素子12の光
により励起される、可視発光のものである。被膜40は、透光部材21の上面に設けられ
ている。被膜40は、透光部材の母材25とは屈折率の異なるナノ粒子30が凝集してな
っている。
<Embodiment 3>
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the third embodiment. As shown in FIG. 5, the light emitting device 250 includes the light emitting element 12, the translucent member 21, and the coating 40. Light emitting device 2
50 does not include a mounting substrate on which the light emitting element 12 is mounted and an enclosure. Light emitting device 25
0 is also called a so-called chip size package (CSP). In addition, the light emitting device 250 includes a protruding electrode 80 connected to the light emitting element 12. The light emitting element 12 emits visible light. The translucent member 21 includes a translucent base material 25. The translucent member 21 is
The phosphor 27 is included and provided on the light emitting element 12. The phosphor 27 is a visible light emitting material that is excited by light from the light emitting element 12. The coating 40 is provided on the upper surface of the translucent member 21. The coating 40 is formed by agglomerating nanoparticles 30 having a refractive index different from that of the base material 25 of the translucent member.

より詳細には、発光素子12は、導電性の基板を有し、その上方に半導体の素子構造を
有している。また、発光素子12は、素子構造の上方に正負のいずれか一方の極性の突起
電極80が接続されている。透光部材21は、板状又は薄膜状であって、発光素子12の
上面を被覆している。透光部材の母材25は、硬化樹脂である。透光部材21の上面は、
突起電極80の上面と略同一面である。発光素子12と透光部材21の側面は略同一面で
あって、この側面にも被膜40が設けられている。
More specifically, the light-emitting element 12 has a conductive substrate, and has a semiconductor element structure above it. Further, the light emitting element 12 has a protruding electrode 80 having either positive or negative polarity connected above the element structure. The translucent member 21 has a plate shape or a thin film shape and covers the upper surface of the light emitting element 12. The base material 25 of the translucent member is a cured resin. The upper surface of the translucent member 21 is
It is substantially flush with the upper surface of the protruding electrode 80. The side surfaces of the light emitting element 12 and the translucent member 21 are substantially the same surface, and the coating 40 is also provided on these side surfaces.

このような構成を有する発光装置250もまた、被膜40により、発光色度が好適に補
正されたものである。その発光色度の補正の原理は、実施の形態1で説明したものと同様
である。また、発光装置250における被膜40は、実施の形態1で説明した工程により
形成することができる。
The light emitting device 250 having such a configuration also has a light emission chromaticity suitably corrected by the coating 40. The principle of correcting the emission chromaticity is the same as that described in the first embodiment. Further, the coating film 40 in the light emitting device 250 can be formed by the process described in the first embodiment.

図5に示すように、発光装置250において、被膜40は、発光素子12を被覆してい
る。これにより、被膜40が発光素子12の保護膜として機能し、半導体の端面の劣化を
抑制することができる。
As shown in FIG. 5, in the light emitting device 250, the coating 40 covers the light emitting element 12. Thereby, the coating film 40 functions as a protective film of the light emitting element 12, and deterioration of the end face of the semiconductor can be suppressed.

<実施の形態4>
図6(a)は、実施の形態4に係る発光装置の概略上面図であり、図6(b)は、図6
(a)におけるB−B断面を示す概略断面図である。図6に示すように、発光装置300
は、発光素子13と、透光部材22と、被膜40と、を備えている。また、発光装置30
0は、発光素子13が実装される実装基体51を備えている。発光素子13は、可視発光
である。発光素子13上には、蛍光体28が設けられている。透光部材22は、透光性の
母材25を含む。透光部材22は、発光素子10上であり且つ蛍光体28上に設けられて
いる。蛍光体28は、発光素子13の光により励起される、可視発光のものである。被膜
40は、透光部材22の上面に設けられている。被膜40は、透光部材の母材25とは屈
折率の異なるナノ粒子30が凝集してなっている。
<Embodiment 4>
FIG. 6A is a schematic top view of the light-emitting device according to Embodiment 4, and FIG.
It is a schematic sectional drawing which shows the BB cross section in (a). As shown in FIG.
Includes a light emitting element 13, a translucent member 22, and a coating 40. The light emitting device 30
0 includes a mounting substrate 51 on which the light emitting element 13 is mounted. The light emitting element 13 emits visible light. A phosphor 28 is provided on the light emitting element 13. The translucent member 22 includes a translucent base material 25. The translucent member 22 is provided on the light emitting element 10 and the phosphor 28. The phosphor 28 is a material that emits visible light and is excited by light from the light emitting element 13. The coating 40 is provided on the upper surface of the translucent member 22. The coating 40 is formed by agglomerating nanoparticles 30 having a refractive index different from that of the base material 25 of the translucent member.

より詳細には、実装基体50は、基板と配線を有する配線基板である。発光素子13は
、正負の電極が各々実装基体50の上面の配線に導電性の接着剤で接着されている。蛍光
体28は、樹脂に配合されていてもよいし、樹脂が含浸していてもよい。透光部材22は
、発光素子13と蛍光体28の上方及び側方を覆って、実装基体50の上面に設けられて
いる。透光部材22は、上面が凸面に形成された凸状部と、凸状部の周囲に延在する上面
が略平坦な薄膜部と、を有する。透光部材の母材25は、硬化樹脂である。透光部材22
は、蛍光体を実質的に含んでいないが、蛍光体を含ませてもよい。
More specifically, the mounting substrate 50 is a wiring substrate having a substrate and wiring. In the light emitting element 13, positive and negative electrodes are bonded to the wiring on the upper surface of the mounting substrate 50 with a conductive adhesive. The phosphor 28 may be blended in a resin or may be impregnated with a resin. The translucent member 22 is provided on the upper surface of the mounting substrate 50 so as to cover the upper side and the side of the light emitting element 13 and the phosphor 28. The translucent member 22 includes a convex portion whose upper surface is formed as a convex surface, and a thin film portion whose upper surface extending around the convex portion is substantially flat. The base material 25 of the translucent member is a cured resin. Translucent member 22
Does not substantially contain a phosphor, but may contain a phosphor.

このような構成を有する発光装置300もまた、被膜40により、発光色度が好適に補
正されたものである。その発光色度の補正の原理は、実施の形態1で説明したものと同様
である。また、発光装置300における被膜40は、実施の形態1で説明した工程により
形成することができる。
The light emitting device 300 having such a configuration also has the light emission chromaticity appropriately corrected by the coating 40. The principle of correcting the emission chromaticity is the same as that described in the first embodiment. Further, the coating film 40 in the light emitting device 300 can be formed by the process described in the first embodiment.

<実施の形態5>
図7(a)は、実施の形態5に係る発光装置の概略上面図であり、図7(b)は、図7
(a)におけるC−C断面を示す概略断面図である。図7に示すように、発光装置400
は、複数の発光素子14a,14b,14cと、透光部材23と、被膜40と、を備えて
いる。また、発光装置400は、複数の発光素子14a,14b,14cが実装される実
装基体52を備えている。実装基体52は、包囲体72を含む。複数の発光素子14a,
14b,14cは其々、発光色が異なっている。透光部材23は、透光性の母材25を含
む。透光部材23は、複数の発光素子14a,14b,14c上に設けられている。被膜
40は、透光部材23の上面に設けられている。被膜40は、透光部材の母材25とは屈
折率の異なるナノ粒子30が凝集してなっている。
<Embodiment 5>
FIG. 7A is a schematic top view of the light emitting device according to Embodiment 5, and FIG.
It is a schematic sectional drawing which shows CC cross section in (a). As shown in FIG.
Comprises a plurality of light emitting elements 14a, 14b, 14c, a translucent member 23, and a coating 40. The light emitting device 400 includes a mounting substrate 52 on which the plurality of light emitting elements 14a, 14b, and 14c are mounted. The mounting substrate 52 includes an enclosure 72. A plurality of light emitting elements 14a,
14b and 14c have different emission colors. The translucent member 23 includes a translucent base material 25. The translucent member 23 is provided on the plurality of light emitting elements 14a, 14b, and 14c. The coating 40 is provided on the upper surface of the translucent member 23. The coating 40 is formed by agglomerating nanoparticles 30 having a refractive index different from that of the base material 25 of the translucent member.

より詳細には、実装基体52は、正負一対のリードフレームが3組、樹脂成形体である
包囲体72によって一体的に保持されてなるパッケージである。複数の発光素子14a,
14b,14cは、包囲体72の凹部内に収容されている。発光素子14a,14b,1
4cは其々、1組のリードフレームにおける、一方のリードフレーム上に接着され、両方
のリードフレームとワイヤで接続されている。透光部材23は、包囲体72の凹部に充填
されて、複数の発光素子14a,14b,14cを被覆している。透光部材の母材25は
、硬化樹脂である。
More specifically, the mounting base 52 is a package in which three pairs of positive and negative lead frames are integrally held by an enclosure 72 that is a resin molded body. A plurality of light emitting elements 14a,
14 b and 14 c are accommodated in the recesses of the enclosure 72. Light emitting elements 14a, 14b, 1
4c is bonded to one lead frame in one set of lead frames and connected to both lead frames by wires. The translucent member 23 is filled in the concave portion of the enclosure 72 and covers the plurality of light emitting elements 14a, 14b, and 14c. The base material 25 of the translucent member is a cured resin.

このような構成を有する発光装置400もまた、被膜40により、発光色度が好適に補
正されたものである。また、発光装置400における被膜40は、実施の形態1で説明し
た工程により形成することができる。
The light emitting device 400 having such a configuration also has the light emission chromaticity appropriately corrected by the coating 40. Further, the film 40 in the light-emitting device 400 can be formed by the process described in Embodiment 1.

本実施の形態の発光装置400の発光色度の補正の原理は、例えば以下のように説明す
ることができる。通常、光の媒質の屈折率の変化は、(例えば可視波長域において)短波
長側のほうが長波長側より大きい。言い換えれば、光は、長波長側よりも短波長側におい
て、屈折率の変化の影響を受けやすい。このため、被膜40の屈折率が透光部材の母材2
5の屈折率より大きい場合、被膜40と空気の界面における1次光の反射光成分は、透光
部材の母材25と空気の界面におけるそれよりも増大するが、この増大幅は長波長側より
も短波長側のほうが大きい。したがって、この場合、発光装置400から発せられる光は
、短波長の1次光に対して長波長の1次光の割合が相対的に増え、発光色度を長波長側に
補正することができる。逆に、被膜40の屈折率が透光部材の母材25の屈折率より小さ
い場合、被膜40と空気の界面における1次光の反射光成分は、透光部材の母材25と空
気の界面におけるそれよりも減少するが、この減少幅は長波長側よりも短波長側のほうが
大きい。したがって、この場合、発光装置400から発せられる光は、長波長の1次光に
対して短波長の1次光の割合が相対的に増え、発光色度を短波長側に補正することができ
る。
The principle of correction of emission chromaticity of the light emitting device 400 of the present embodiment can be described as follows, for example. Usually, the change in the refractive index of the light medium is larger on the short wavelength side (for example, in the visible wavelength range) than on the long wavelength side. In other words, light is more susceptible to changes in refractive index on the short wavelength side than on the long wavelength side. For this reason, the refractive index of the coating film 40 is the base material 2 of the translucent member.
When the refractive index is larger than 5, the reflected light component of the primary light at the interface between the coating 40 and the air increases more than that at the interface between the base material 25 of the light transmitting member and the air. The shorter wavelength side is larger than that. Therefore, in this case, the ratio of the long-wavelength primary light to the short-wavelength primary light in the light emitted from the light-emitting device 400 is relatively increased, and the emission chromaticity can be corrected to the long-wavelength side. . On the contrary, when the refractive index of the coating 40 is smaller than the refractive index of the base material 25 of the translucent member, the reflected light component of the primary light at the interface between the coating 40 and the air is the interface between the base material 25 of the translucent member and the air. This decrease is larger on the short wavelength side than on the long wavelength side. Therefore, in this case, the ratio of the short-wavelength primary light to the long-wavelength primary light in the light emitted from the light-emitting device 400 is relatively increased, and the emission chromaticity can be corrected to the short-wavelength side. .

なお、図示する例の発光装置400においては、透光部材23は、蛍光体を実質的に含
有していない。但し、本実施の形態の発光装置においても、透光部材に蛍光体を含有させ
ることができる。その場合には、本実施の形態5と実施の形態1の中間的な発光装置とし
て、各実施の形態において記述した事項の組み合わせにて考えることができる。
In the illustrated light emitting device 400, the translucent member 23 does not substantially contain a phosphor. However, also in the light-emitting device of this embodiment, the light-transmitting member can contain a phosphor. In that case, an intermediate light-emitting device between the fifth embodiment and the first embodiment can be considered by combining the items described in each embodiment.

以下、本発明の発光装置及びその製造方法における各構成要素について説明する。   Hereafter, each component in the light-emitting device of this invention and its manufacturing method is demonstrated.

(発光素子10,11,12,13,14a,14b,14c)
発光素子は、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)素子や半導体レーザ(
Laser Diode:LD)素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子の上面
視形状は、四角形、特に正方形又は長手/短手方向を有する矩形であることが好ましいが
、その他の形状であってもよい。発光素子の側面は、上面に対して、略垂直であってもよ
いし、内側又は外側に傾斜していてもよい。発光素子の厚さは、例えば0.02mm以上
1mm以下であり、発光素子の強度や発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上
0.5mm以下であることが好ましい。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造
と、正負一対の電極と、が設けられているものであればよい。特に、蛍光体を効率良く励
起可能な窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)
の発光素子が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導
体の発光素子でもよい。白色系発光の発光装置とする場合には、蛍光体から出射される波
長変換光との混色関係を考慮すると、発光素子の発光波長は400nm以上530nm以
下であることが好ましく、420nm以上490nm以下であることがより好ましい。発
光素子は、通常、素子構造が設けられる基板を有している。基板は、素子構造を構成する
半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であってもよいし、結晶成長用基板から分離し
た素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。結晶成長用基板の母材としては、サ
ファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム
砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドな
どが挙げられる。接合用基板の母材としては、シリコン、炭化珪素、窒化アルミニウム、
銅、銅−タングステンなどが挙げられる。但し、基板は省略することもできる。正負一対
の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、その実装形態は、各電極がワイヤで
実装基体の導電部材と接続されるフェイスアップ実装でもよいし、各電極が導電性接着剤
で実装基体の導電部材と接続されるフェイスダウン(フリップチップ)実装でもよい。正
負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下
面電極が導電性接着剤で実装基体の導電部材に接続され、上面電極がワイヤで実装基体の
導電部材と接続される。発光素子の実装面側に、銀やアルミニウムなどの金属層や誘電体
反射膜が設けられることで、光の取り出し効率を高めることができる。1つの発光装置に
実装される発光素子の個数は1つでも複数でもよく、その大きさや形状、発光波長も任意
に選べばよい。例えば、1つの発光装置に、赤色、緑色、青色発光の発光素子が実装され
てもよい。複数の発光素子は、不規則に配置されてもよいが、行列や同心円状など規則的
又は周期的に配置されることで、好ましい配光が得られやすい。また、複数の発光素子は
、実装基体の導電部材やワイヤにより直列又は並列に接続できる。
(Light emitting elements 10, 11, 12, 13, 14a, 14b, 14c)
Light emitting elements include light emitting diode (LED) elements and semiconductor lasers (
A semiconductor light emitting element such as a laser diode (LD) element can be used. The top view shape of the light emitting element is preferably a quadrangle, particularly a square or a rectangle having a longitudinal / short direction, but may be other shapes. The side surface of the light emitting element may be substantially perpendicular to the upper surface, or may be inclined inward or outward. The thickness of the light emitting element is, for example, 0.02 mm or more and 1 mm or less, and is preferably 0.05 mm or more and 0.5 mm or less from the viewpoint of the strength of the light emitting element or the thickness of the light emitting device. The light emitting element may be any element provided with an element structure composed of various semiconductors and a pair of positive and negative electrodes. In particular, a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1-xy N, 0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) capable of efficiently exciting the phosphor.
The light emitting element is preferable. In addition, a gallium arsenide-based or gallium phosphorus-based semiconductor light emitting element emitting green to red light may be used. In the case of a white light emitting device, the light emission wavelength of the light emitting element is preferably 400 nm or more and 530 nm or less, and 420 nm or more and 490 nm or less in consideration of the color mixing relationship with the wavelength converted light emitted from the phosphor. More preferably. The light emitting element usually has a substrate on which an element structure is provided. The substrate may be a crystal growth substrate capable of growing a semiconductor crystal constituting the element structure, or may be a bonding substrate bonded to an element structure separated from the crystal growth substrate. Examples of the base material of the substrate for crystal growth include sapphire, spinel, gallium nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, gallium arsenide, gallium phosphide, indium phosphide, zinc sulfide, zinc oxide, zinc selenide, diamond and the like. As a base material for the bonding substrate, silicon, silicon carbide, aluminum nitride,
Examples thereof include copper and copper-tungsten. However, the substrate can be omitted. In the case of a light emitting device in which a pair of positive and negative electrodes are provided on the same surface side, the mounting form may be face-up mounting in which each electrode is connected to a conductive member of a mounting base with a wire, or each electrode is conductively bonded It may be face-down (flip chip) mounting connected to the conductive member of the mounting substrate with an agent. In the case of a light emitting device having a counter electrode structure in which a pair of positive and negative electrodes are provided on opposite surfaces, the lower electrode is connected to the conductive member of the mounting substrate with a conductive adhesive, and the upper electrode is connected to the conductive member of the mounting substrate with a wire. Connected to the member. By providing a metal layer such as silver or aluminum or a dielectric reflection film on the mounting surface side of the light emitting element, light extraction efficiency can be increased. The number of light-emitting elements mounted on one light-emitting device may be one or more, and the size, shape, and emission wavelength may be arbitrarily selected. For example, red, green, and blue light emitting elements may be mounted on one light emitting device. The plurality of light emitting elements may be irregularly arranged, but a preferable light distribution can be easily obtained by arranging regularly or periodically such as a matrix or a concentric circle. Further, the plurality of light emitting elements can be connected in series or in parallel by a conductive member or a wire of the mounting substrate.

(透光部材20,21,22,23)
透光部材は、発光素子上に設けられ、発光素子及び/又は蛍光体からの光を透過させる
部材である。透光部材は、少なくとも透光性の母材を含むものであり、その母材中に蛍光
体を含むものでもよい。透光部材は、発光素子に接して設けられてもよいし、発光素子か
ら離間して設けられてもよい。透光部材は、例えば、封止部材の形態や、板状又は各種レ
ンズ状の窓部材であってよい。
(Translucent members 20, 21, 22, 23)
The translucent member is a member that is provided on the light emitting element and transmits light from the light emitting element and / or the phosphor. The translucent member includes at least a translucent base material, and the base material may include a phosphor. The translucent member may be provided in contact with the light emitting element or may be provided apart from the light emitting element. The translucent member may be, for example, a sealing member, a plate-shaped or various lens-shaped window member.

(母材25)
透光部材の母材は、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。特に、ガラス転移温度が室温
以下のものであれば、常温で軟質であり、ナノ粒子を透光部材の内部へ含浸させやすい。
透光部材の母材は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、若しくは軟質又
は硬質のシリコーン樹脂、硬質シリコーンレジン、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シ
リコーン樹脂の単独又は2種類以上の組成物よりなるケイ素含有樹脂等を用いるのが好ま
しい。但し、その他のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂でもよ
い。
(Base material 25)
It is preferable to use a thermosetting resin as the base material of the translucent member. In particular, when the glass transition temperature is not more than room temperature, the glass transition temperature is soft at room temperature, and the nanoparticles are easily impregnated into the translucent member.
The base material of the translucent member is an epoxy resin containing a triazine derivative epoxy resin, or a silicon-containing material composed of a soft or hard silicone resin, a hard silicone resin, an epoxy-modified silicone resin, a modified silicone resin alone or two or more kinds of compositions. It is preferable to use a resin or the like. However, other epoxy resins, silicone resins, urethane resins, and fluororesins may be used.

(蛍光体27,28)
蛍光体は、発光素子から出射される1次光の少なくとも一部を吸収して、1次光とは異
なる波長の2次光を出射する。これにより、可視波長の1次光及び2次光の混色光(例え
ば白色系)を出射する発光装置とすることができる。蛍光体は、例えば、ユーロピウム、
セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、
より具体的には、ユーロピウムで賦活されたα又はβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ
土類金属窒化シリケート蛍光体、ユーロピウム等のランタノイド系元素、マンガン等の遷
移金属系元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカ
リ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属
ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸
塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケ
イ素、ゲルマン酸塩、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン
酸塩、希土類ケイ酸塩又はユーロピウム等のランタノイド系元素で主に賦活される有機物
及び有機錯体等が挙げられる。また、上記以外でも同様の性能、効果を有する蛍光体を使
用することができる。なお、蛍光体は、実装基体の凹部底面側又は発光素子側に偏在して
いてもよいし、凹部内において分散していてもよい。
(Phosphor 27, 28)
The phosphor absorbs at least part of the primary light emitted from the light emitting element and emits secondary light having a wavelength different from that of the primary light. Thereby, it can be set as the light-emitting device which radiate | emits the mixed color light (for example, white type | system | group) of the primary light and secondary light of visible wavelength. The phosphor is, for example, europium,
Nitride-based phosphors and oxynitride-based phosphors mainly activated with lanthanoid elements such as cerium,
More specifically, α or β sialon type phosphors activated with europium, various alkaline earth metal nitride silicate phosphors, lanthanoid elements such as europium, alkalis mainly activated by transition metal elements such as manganese Earth metal halogen apatite phosphor, alkaline earth halosilicate phosphor, alkaline earth metal silicate phosphor, alkaline earth metal borate phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth metal Rare earth aluminates, rare earth silicates or europium mainly activated by lanthanoid elements such as acid salts, alkaline earth metal sulfides, alkaline earth metal thiogallate, alkaline earth metal silicon nitride, germanate, cerium Examples thereof include organic substances and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as. In addition to the above, a phosphor having similar performance and effects can be used. The phosphor may be unevenly distributed on the bottom surface side of the recess or the light emitting element side of the mounting substrate, or may be dispersed in the recess.

(ナノ粒子30,被膜40)
ナノ粒子は、酸化ケイ素(シリカ)、酸化アルミニウム(アルミナ)、窒化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化カルシウ
ム、ホウ酸、ホウ酸亜鉛、酸化セリウム、酸化インジウム、酸化錫、水酸化アルミニウム
、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、ケイ酸カルシ
ウム、チタン酸バリウム、ダイヤモンド、タルク、カオリン、マイカ、粘土鉱物、金、銀
などが好ましい。高屈折率材料を用いることで発光色度を長波長へシフトさせやすく、例
として酸化チタンが好ましい。また、低屈折率材料を用いることで発光色度を短波長へシ
フトさせやすく、また光束も上がりやすく、例として酸化ケイ素が好ましい。ナノ粒子は
、これらに限定されず、また必要であれば他の種類の材料を併用することもできる。ナノ
粒子の形状は、球状、多面体状、針状、板状などが挙げられる。針状や板状のナノ粒子で
あれば、透光部材のガスバリア性を高めやすい。
(Nanoparticle 30, coating 40)
Nanoparticles include silicon oxide (silica), aluminum oxide (alumina), aluminum nitride, magnesium oxide, antimony oxide, titanium oxide, zirconium oxide, calcium oxide, boric acid, zinc borate, cerium oxide, indium oxide, tin oxide, Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, barium carbonate, calcium silicate, barium titanate, diamond, talc, kaolin, mica, clay mineral, gold, silver and the like are preferable. By using a high refractive index material, the emission chromaticity can be easily shifted to a long wavelength, and titanium oxide is preferable as an example. Further, by using a low refractive index material, the emission chromaticity can be easily shifted to a short wavelength, and the luminous flux can be easily increased. For example, silicon oxide is preferable. The nanoparticles are not limited to these, and other types of materials can be used together if necessary. Examples of the shape of the nanoparticles include a spherical shape, a polyhedral shape, a needle shape, and a plate shape. If it is a needle-shaped or plate-shaped nanoparticle, it is easy to improve the gas barrier property of a translucent member.

(実装基体50,銀含有膜60)
実装基体は、発光素子が載置される台座となる部材である。実装基体は、主として、発
光素子に電力を供給するための導電部材と、この導電部材を保持する母材と、により構成
される。実装基体は、例えば、リードフレームと成形体を含むパッケージの形態や、基板
と配線を含む配線基板の形態が挙げられる。また、実装基体は、成形体を成形後に鍍金な
どにより配線を設けたり、予め配線を設けた薄板を積層したり、することでも作製するこ
とができる。実装基体は、凹部(カップ部)を備えた形態のほか、凹部(側壁)を備えな
い平板状の形態でもよい。凹部を有するものは装置前方への光度を高めやすく、平板状の
ものは発光素子を実装しやすい。実装基体の素子載置面の形状は、例えば矩形状、多角形
状、トラック形状(矩形の両側に半円形が付いたような形状)、円形状、楕円形状などが
挙げられる。また、実装基体の素子載置面は、例えば発光素子が載置される部位の近隣な
ど、一部が幅広に形成されてもよい。
(Mounting substrate 50, silver-containing film 60)
The mounting substrate is a member serving as a base on which the light emitting element is placed. The mounting substrate is mainly composed of a conductive member for supplying power to the light emitting element and a base material for holding the conductive member. Examples of the mounting substrate include a form of a package including a lead frame and a molded body, and a form of a wiring board including a substrate and wiring. The mounting substrate can also be produced by providing a wiring by plating after forming the molded body, or by laminating a thin plate provided with a wiring in advance. The mounting substrate may be in the form of a plate having no recess (side wall) in addition to the form having a recess (cup part). Those having recesses are likely to increase the luminous intensity toward the front of the apparatus, and those having a flat shape are easy to mount light emitting elements. Examples of the shape of the element mounting surface of the mounting substrate include a rectangular shape, a polygonal shape, a track shape (a shape in which a semicircle is attached to both sides of the rectangle), a circular shape, and an elliptical shape. In addition, the element mounting surface of the mounting substrate may be partially formed with a wide width, for example, in the vicinity of a portion where the light emitting element is mounted.

リードフレームの母材としては、銅、鉄、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロ
ム、アルミニウム、銀、金、チタン又はそれらの合金が挙げられる。特に、放熱性の観点
においては銅又は銅合金、発光素子との接合信頼性においては鉄又は鉄合金が好ましい。
なかでも、銅又は鉄入り銅は、放熱性が高く、好ましい。リードフレームは、これらの金
属板にプレスやエッチングなどの加工を施すことで作製することができる。また、リード
フレームの表面には、銀、ニッケル、パラジウム、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム、又
はこれらの合金、若しくは酸化銀や銀合金の酸化物などの被膜が形成されていてもよい。
特に、リードフレームの発光素子が接合される部位の表面が銀で被覆されていてもよい。
これらの被膜は、鍍金、蒸着、スパッタ、印刷、塗布などにより形成することができる。
Examples of the lead frame base material include copper, iron, nickel, palladium, tungsten, chromium, aluminum, silver, gold, titanium, and alloys thereof. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation, and iron or an iron alloy is preferable for bonding reliability with the light emitting element.
Of these, copper or iron-containing copper is preferable because of its high heat dissipation. The lead frame can be manufactured by subjecting these metal plates to processing such as pressing and etching. Further, a film of silver, nickel, palladium, platinum, tin, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof, or an oxide of silver oxide or silver alloy may be formed on the surface of the lead frame.
In particular, the surface of the part where the light emitting element of the lead frame is joined may be coated with silver.
These coatings can be formed by plating, vapor deposition, sputtering, printing, coating, or the like.

成形体の母材は、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂
、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂などの熱
可塑性樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリ
コーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、などの熱硬
化性樹脂が挙げられる。また、これらの母材中に、充填剤又は着色顔料として、ガラス、
シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、ワラストナイト、
マイカ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、酸化ア
ルミニウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化鉄
、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を混入させることが
できる。このほか、成形体は、ガラス、セラミックスなどで形成することもできる。成形
体の成形方法としては、インサート成形、射出成形、押出成形、トランスファ成形などを
用いることができる。
The base material of the molded body is aliphatic polyamide resin, semi-aromatic polyamide resin, polyethylene terephthalate, polycyclohexane terephthalate, liquid crystal polymer, polycarbonate resin, syndiotactic polystyrene, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, polyether sulfone resin, polyether ketone. Thermosetting resins such as thermoplastic resins such as resins and polyarylate resins, polybismaleimide triazine resins, epoxy resins, silicone resins, silicone modified resins, silicone modified resins, polyimide resins, and polyurethane resins. Further, in these base materials, glass,
Silica, titanium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate, wollastonite,
Mica, zinc oxide, barium titanate, potassium titanate, aluminum borate, aluminum oxide, zinc oxide, silicon carbide, antimony oxide, zinc stannate, zinc borate, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, carbon black, etc. Particles or fibers can be incorporated. In addition, the molded body can be formed of glass, ceramics, or the like. As a molding method of the molded body, insert molding, injection molding, extrusion molding, transfer molding and the like can be used.

配線は、基板の少なくとも上面に形成され、基板の内部、下面や側面にも形成されてい
てもよい。また、配線は、発光素子が接合されるランド(ダイパッド)部、外部接続用の
端子部、これらを接続する引き出し配線部などを有するものでもよい。配線の材料として
は、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、アルミニウム、銀、金
又はそれらの合金が挙げられる。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい
。配線の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム、又はこれらの合金、若しくは
酸化銀や銀合金の酸化物などの被膜が形成されていてもよい。特に、配線の発光素子が接
合される部位の表面が銀で被覆されていてもよい。これらの配線や被膜は、コファイア法
、ポストファイア法、鍍金、蒸着、スパッタ、印刷、塗布などにより形成することができ
る。
The wiring is formed on at least the upper surface of the substrate, and may be formed on the inside, the lower surface, and the side surface of the substrate. Further, the wiring may have a land (die pad) portion to which the light emitting element is bonded, a terminal portion for external connection, a lead-out wiring portion for connecting them, and the like. Examples of the wiring material include copper, nickel, palladium, tungsten, chromium, titanium, aluminum, silver, gold, and alloys thereof. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation. A film of silver, platinum, tin, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof, or an oxide of silver oxide or silver alloy may be formed on the surface of the wiring. In particular, the surface of the part where the light emitting element of the wiring is joined may be covered with silver. These wirings and coatings can be formed by a cofire method, a postfire method, plating, vapor deposition, sputtering, printing, coating, or the like.

基板は、その母材が電気的絶縁性のものでもよいし、導電性の母材であっても、絶縁膜
などを介することで配線と電気的に絶縁させることができる。基板の母材としては、酸化
アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、
窒化チタン又はこれらの混合物を含むセラミックスや、銅、鉄、ニッケル、クロム、アル
ミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含む金属や、エポキシ樹脂、BTレジン、
ポリイミド樹脂などの樹脂又はこれらの繊維強化樹脂(強化材はガラスやアルミナなど)
が挙げられる。可撓性基板(フレキシブル基板)でもよい。母材の樹脂には、発光素子か
らの光を効率良く反射させるために、酸化チタンなどの白色顔料を配合してもよい。
The base material of the substrate may be an electrically insulating base material or a conductive base material, and can be electrically insulated from the wiring through an insulating film or the like. As the base material of the substrate, aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide,
Ceramics containing titanium nitride or a mixture thereof, metals containing copper, iron, nickel, chromium, aluminum, silver, gold, titanium or alloys thereof, epoxy resin, BT resin,
Resin such as polyimide resin or fiber reinforced resin of these (Reinforcement material is glass or alumina)
Is mentioned. A flexible substrate (flexible substrate) may be used. In order to efficiently reflect light from the light emitting element, a white pigment such as titanium oxide may be blended in the base resin.

(包囲体70,71)
包囲体は、発光素子の周囲(側方)を包囲する部材である。包囲体は、パッケージの成
形体の形態、発光素子を直接的に被覆する被覆部材の形態、及び配線基板上に設けられる
枠体の形態などがある。包囲体は、上述の成形体と同様の材料を用いて構成することがで
きる。特に、包囲体は、例えば白色の樹脂など、光反射性の樹脂で構成されることが好ま
しい。
(Enclosures 70 and 71)
The enclosure is a member that surrounds the periphery (side) of the light emitting element. The envelope includes a form of a package, a form of a covering member that directly covers the light emitting element, and a form of a frame provided on the wiring board. The envelope body can be configured using the same material as that of the above-described molded body. In particular, the enclosure is preferably made of a light-reflective resin such as a white resin.

(突起電極80)
突起電極は、発光素子の電極と電気的に接続されており、外部回路と接続するための外
部接続用電極である。突起電極としては、例えばバンプとも呼ばれるものが挙げられる。
突起電極は、Au、Cu、Ni、Pd、Ag又はこれらの金属を含む合金の単層膜、又は
これらの多層膜を用いることができる。Auは、電気抵抗及び接触抵抗が低く好ましいが
、安価なSnとの合金であるAuSn合金を用いてもよい。突起電極は、単層構造の場合
、前記した材料の線材を用いて、ワイヤボンダにより形成することができる。また、突起
電極は、単層構造又は多層構造の場合、電解メッキや無電解メッキなどのメッキ処理によ
り形成することもできる。
(Projection electrode 80)
The protruding electrode is electrically connected to the electrode of the light emitting element, and is an external connection electrode for connecting to an external circuit. As the protruding electrode, for example, a so-called bump is cited.
As the protruding electrode, a single layer film of Au, Cu, Ni, Pd, Ag, or an alloy containing these metals, or a multilayer film thereof can be used. Au is preferable because it has low electrical resistance and contact resistance, but an AuSn alloy that is an inexpensive alloy with Sn may be used. In the case of a single layer structure, the protruding electrode can be formed by a wire bonder using the wire material described above. In the case of a single layer structure or a multilayer structure, the protruding electrode can also be formed by a plating process such as electrolytic plating or electroless plating.

(分散液90)
ナノ粒子を分散させる液体は、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、トルエ
ン、ヘキサン、プロパノール、石油ベンジン、ガソリン、キシレン、ベンゼン、四塩化炭
素、1,1,1−トリクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、
テトラクロロエチレン、ジクロロメタン、クロロホルム、メタノール、エチルエーテル、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、二硫化炭素、アセ
トニトリル、ジエチルアミン、ニトロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、N−メチルピロリドンなどが好ましい。特に、透光部材の母材を膨潤させる作用の
ある液体を用いることで、ナノ粒子を透光部材の母材の内部に含浸させやすい。
(Dispersion 90)
The liquid in which the nanoparticles are dispersed is, for example, ethanol, isopropyl alcohol, toluene, hexane, propanol, petroleum benzine, gasoline, xylene, benzene, carbon tetrachloride, 1,1,1-trichloroethane, 1,2-dichloroethylene, trichloroethylene,
Tetrachloroethylene, dichloromethane, chloroform, methanol, ethyl ether,
Acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, carbon disulfide, acetonitrile, diethylamine, nitrobenzene, tetrahydrofuran, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone and the like are preferable. In particular, it is easy to impregnate the inside of the base material of the translucent member by using a liquid having an action of swelling the base material of the translucent member.

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに
限定されないことは言うまでもない。
Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.

<実施例1>
実施例1の発光装置は、図1に示す例の構造を有する、外形が縦(実装時の厚さ)0.
8mm、横2.8mm、厚さ1.0mmの側面発光型でSMD式のLEDである。
<Example 1>
The light emitting device of Example 1 has the structure of the example shown in FIG.
The LED is a side-emitting type SMD type LED of 8 mm, width 2.8 mm, and thickness 1.0 mm.

実装基体は、2つのリードフレームと、それを一体的に保持する樹脂成形体の包囲体と
、を有し、その上面の略中央に、縦0.66mm、横2.2mm、深さ0.3mmの凹部
を備えたパッケージである。2つのリードフレームは、表面に銀の鍍金が施された銅合金
製であって、その一部が凹部底面を構成し、且つ包囲体の外に延出している。包囲体は、
酸化チタンとワラストナイトを含有するポリフタルアミド樹脂により形成されている。
The mounting substrate has two lead frames and an enclosure of a resin molded body that integrally holds the lead frame, and is approximately 0.66 mm long, 2.2 mm wide, and a depth of 0. It is a package with a 3 mm recess. The two lead frames are made of a copper alloy with silver plating on the surface, part of which constitutes the bottom of the recess and extends out of the enclosure. The enclosure is
It is formed of a polyphthalamide resin containing titanium oxide and wollastonite.

発光素子は、サファイア基板上に、窒化物半導体のn型層、活性層、p型層が順次積層
された、青色(中心波長約460nm)発光可能な、縦0.3mm、横0.7mm、厚さ
0.1mmの略直方体の発光ダイオードチップである。発光素子の電極は、上面(半導体
層)側に設けられ、ボンディング用のパッド電極と、そのパッド電極から延伸した延伸電
極と、を備えている。この発光素子は、実装基体の凹部内において、一方(負極側)のリ
ードフレーム上に透光性シリコーン樹脂である接着剤で接着され、その各パッド電極が金
のワイヤにより正負両極のリードフレームと各々接続されている。
The light-emitting element has a nitride semiconductor n-type layer, an active layer, and a p-type layer sequentially stacked on a sapphire substrate, and can emit blue light (center wavelength of about 460 nm). This is a light emitting diode chip having a substantially rectangular parallelepiped thickness of 0.1 mm. The electrode of the light emitting element is provided on the upper surface (semiconductor layer) side, and includes a bonding pad electrode and a stretched electrode extending from the pad electrode. This light emitting element is bonded to one (negative electrode side) lead frame with an adhesive, which is a translucent silicone resin, in the recess of the mounting substrate, and each pad electrode is connected to a positive and negative lead frame by a gold wire. Each is connected.

透光部材は、実装基体の凹部内に、発光素子及びワイヤを被覆するように充填されてい
る。透光部材の上面は、包囲体の上面と略同一面(硬化収縮により若干の凹面)となって
いる。透光部材は、波長589nmにおける屈折率が1.52である軟質のシリコーン樹
脂を母材とし、その中にYAG:Ceの蛍光体を含有するものである。蛍光体は、透光部
材の母材中において、発光素子の上方及び周囲に分散している。
The translucent member is filled in the concave portion of the mounting base so as to cover the light emitting element and the wire. The upper surface of the translucent member is substantially flush with the upper surface of the enclosure (slightly concave due to curing shrinkage). The translucent member uses a soft silicone resin having a refractive index of 1.52 at a wavelength of 589 nm as a base material, and contains a YAG: Ce phosphor therein. The phosphor is dispersed above and around the light emitting element in the base material of the translucent member.

そして、透光部材の上面には、波長589nmにおける屈折率が2.62、中心粒径3
6nmの酸化チタンのナノ粒子が凝集してなる、膜厚50nm〜1μmの被膜が設けられ
ている。また、この被膜は、実装基体上にも設けられている。この被膜は、トルエンであ
る溶媒にナノ粒子を分散させた分散液(ナノ粒子の濃度0.1〜0.4wt%)に発光装
置仕掛品を10秒程度浸漬させた後、乾燥させることにより、形成したものである。
On the upper surface of the translucent member, the refractive index at a wavelength of 589 nm is 2.62, the center particle size is 3
A film having a film thickness of 50 nm to 1 μm formed by aggregation of 6 nm titanium oxide nanoparticles is provided. Moreover, this film is also provided on the mounting substrate. This coating is obtained by immersing the work in progress of the light-emitting device for about 10 seconds in a dispersion (nanoparticle concentration 0.1 to 0.4 wt%) in which nanoparticles are dispersed in a solvent that is toluene, and then drying. Formed.

<実施例2>
実施例2の発光装置は、ナノ粒子を波長589nmにおける屈折率が1.46、中心粒
径25nmの酸化ケイ素とすること以外、実施例1の発光装置と同様に作製されたもので
ある。
<Example 2>
The light-emitting device of Example 2 was fabricated in the same manner as the light-emitting device of Example 1, except that the nanoparticles were silicon oxide having a refractive index of 1.46 at a wavelength of 589 nm and a center particle size of 25 nm.

<評価1>
実施例1の発光装置は、被膜形成前後の比較において、発光色度がイエローシフトし、
光束維持率が99%であることを確認できる。また、実施例2の発光装置は、被膜形成前
後の比較において、発光色度がブルーシフトし、光束維持率が101%であることを確認
できる。
<Evaluation 1>
In the light emitting device of Example 1, in the comparison before and after the film formation, the emission chromaticity shifted yellow,
It can be confirmed that the luminous flux maintenance factor is 99%. In the light emitting device of Example 2, it can be confirmed that the emission chromaticity is blue-shifted and the luminous flux maintenance factor is 101% in the comparison before and after the film formation.

<評価2>
実施例1,2の発光装置をIPAに浸漬し、よく振り、溶剤で洗い流して、粒子の脱落
が起きるかを確認する試験においては、実施例1,2の発光装置の外観に変化は無く、発
光色度の変化も無いことから、粒子の脱落は殆ど無いことを確認できる。さらに、実施例
1,2の発光装置を容器に100個程度入れ、よく振って発光装置同士を接触させ、物理
的な外力により、粒子の脱落が起こるかを確認する試験においても、実施例1,2の発光
装置の外観に変化は無く、発光色度の変化も無いことから、粒子の脱落は殆ど無いことを
確認できる。
<Evaluation 2>
In the test in which the light-emitting devices of Examples 1 and 2 were immersed in IPA, shaken well, washed with a solvent, and confirmed whether particles were dropped, the appearance of the light-emitting devices of Examples 1 and 2 was not changed. Since there is no change in emission chromaticity, it can be confirmed that there is almost no dropout of particles. Further, even in a test in which about 100 light emitting devices of Examples 1 and 2 were put in a container and shaken well to bring the light emitting devices into contact with each other and whether or not particles fall off due to a physical external force was confirmed. , 2 has no change in the appearance and no change in emission chromaticity, so it can be confirmed that there is almost no dropout of particles.

<評価3>
実施例1,2の発光装置の耐硫化性を確認する試験においては、被膜を形成していない
発光装置に比べて、光束の低下が少なく、耐硫化性に効果があることを確認できる。
<Evaluation 3>
In the test for confirming the sulfidation resistance of the light emitting devices of Examples 1 and 2, it can be confirmed that there is little decrease in the luminous flux and the sulfidation resistance is effective compared to the light emitting device having no coating.

本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型
ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、
ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利
用することができる。
The light-emitting device according to the present invention includes a backlight light source of a liquid crystal display, various lighting fixtures, a large display, various display devices such as advertisements and destination guides, a digital video camera,
It can be used for an image reading apparatus, a projector apparatus, etc. in a facsimile, a copier, a scanner, and the like.

10,11,12,13,14a,14b,14c…発光素子
20,21,22,23…透光部材
25…母材
27,28…蛍光体
30…ナノ粒子
40…被膜
50,51,52…実装基体
60…銀含有膜
70,71,72…包囲体
80…突起電極
90…分散液
99…発光装置仕掛品
100,200,250,300,400…発光装置
10, 11, 12, 13, 14a, 14b, 14c ... Light-emitting element 20, 21, 22, 23 ... Translucent member 25 ... Base material 27, 28 ... Phosphor 30 ... Nanoparticle 40 ... Coating 50, 51, 52 ... Mounting substrate 60 ... Silver-containing film 70,71,72 ... Enclosure 80 ... Projection electrode 90 ... Dispersion liquid 99 ... Light emitting device work in progress 100,200,250,300,400 ... Light emitting device

Claims (12)

可視発光の発光素子と、
前記発光素子の光により励起される可視発光の蛍光体と、
前記発光素子上であって、前記蛍光体上に又は前記蛍光体を含んで設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、
前記透光部材の上面に設けられた、前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が配置されてなる被膜とを備え、
前記ナノ粒子は粒径が1nm以上100nm以下であり、
前記被膜は、膜厚が50nm〜1μmであり、
前記ナノ粒子の屈折率は、前記母材の屈折率より小さい発光装置。
A visible light emitting element;
A visible light emitting phosphor excited by light of the light emitting element;
A translucent member including a translucent base material provided on the phosphor or on the phosphor or including the phosphor;
Provided with an upper surface of the translucent member, and a film in which nanoparticles having a different refractive index from the base material are disposed,
The nanoparticles have a particle size of 1 nm to 100 nm,
The coating has a thickness of 50 nm to 1 μm,
The light emitting device has a refractive index of the nanoparticles smaller than that of the base material.
発光色の異なる複数の発光素子と、
前記複数の発光素子上に設けられた、透光性の母材を含む透光部材と、
前記透光部材の上面に設けられた、前記母材とは屈折率の異なるナノ粒子が配置されてなる被膜とを備え、
前記ナノ粒子は粒径が1nm以上100nm以下であり、
前記被膜は、膜厚が50nm〜1μmであり、
前記ナノ粒子の屈折率は、前記母材の屈折率より小さい発光装置。
A plurality of light emitting elements having different emission colors;
A translucent member including a translucent base material provided on the plurality of light emitting elements;
Provided with an upper surface of the translucent member, and a film in which nanoparticles having a different refractive index from the base material are disposed,
The nanoparticles have a particle size of 1 nm to 100 nm,
The coating has a thickness of 50 nm to 1 μm,
The light emitting device has a refractive index of the nanoparticles smaller than that of the base material.
前記母材は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーンレジン、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂から選択される少なくとも1種である請求項1又は2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the base material is at least one selected from an epoxy resin, a silicone resin, a hard silicone resin, an epoxy-modified silicone resin, and a modified silicone resin. 前記ナノ粒子は、酸化チタンであり、前記母材は、シリコーン樹脂である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the nanoparticles are titanium oxide, and the base material is a silicone resin. 前記ナノ粒子は、酸化ケイ素であり、前記母材は、シリコーン樹脂である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the nanoparticles are silicon oxide, and the base material is a silicone resin. 実装基体に発光素子を実装する工程と、
蛍光体と母材とを含有する透光部材により前記発光素子を覆う工程と、
前記透光部材の表面に、粒径が1nm以上100nm以下であり、かつ屈折率が、前記母材の屈折率より小さいナノ粒子を配置し、膜厚が50nm〜1μmの前記ナノ粒子が凝集した被膜を形成する工程とを有し、
前記ナノ粒子を配置する工程は、溶媒に前記ナノ粒子が分散されている分散液を、前記透光部材の表面に塗布し、前記分散剤を乾燥する工程を含む発光装置の製造方法。
Mounting the light emitting element on the mounting substrate;
Covering the light-emitting element with a translucent member containing a phosphor and a base material;
Nanoparticles having a particle size of 1 nm or more and 100 nm or less and a refractive index smaller than the refractive index of the base material are arranged on the surface of the translucent member, and the nanoparticles having a film thickness of 50 nm to 1 μm are aggregated. Forming a film,
The step of arranging the nanoparticles includes a step of applying a dispersion liquid in which the nanoparticles are dispersed in a solvent to the surface of the translucent member and drying the dispersant.
実装基体に蛍光体が設けられた発光素子を実装する工程と、
母材を含有する透光部材により前記蛍光体及び前記発光素子を覆う工程と、
前記透光部材の表面に、粒径が1nm以上100nm以下であり、屈折率が、前記母材の屈折率より小さいナノ粒子を配置し、膜厚が50nm〜1μmの前記ナノ粒子が凝集した被膜を形成する工程とを有し、
前記ナノ粒子を配置する工程は、溶媒に前記ナノ粒子が分散されている分散液を、前記透光部材の表面に塗布し、前記分散剤を乾燥する工程を含む発光装置の製造方法。
Mounting a light emitting element provided with a phosphor on a mounting substrate;
A step of covering the phosphor and the light emitting element with a translucent member containing a base material;
A film in which nanoparticles having a particle diameter of 1 nm or more and 100 nm or less and a refractive index smaller than the refractive index of the base material are arranged on the surface of the translucent member, and the nanoparticles having a film thickness of 50 nm to 1 μm are aggregated. Forming a step,
The step of arranging the nanoparticles includes a step of applying a dispersion liquid in which the nanoparticles are dispersed in a solvent to the surface of the translucent member and drying the dispersant.
前記ナノ粒子を配置する工程は、ディスペンサによるポッティング、インクジェット又はスプレーによる吹き付け、刷毛又はスポンジによる塗布である請求項6又は7に記載の発光装置の製造方法。   The method of manufacturing a light emitting device according to claim 6 or 7, wherein the step of arranging the nanoparticles is potting with a dispenser, spraying with an ink jet or spray, or application with a brush or a sponge. 前記実装基体は、2つのリードフレームと、前記リードフレームを保持する樹脂成形体の包囲体と、を有するパッケージを備え、前記リードフレームと前記樹脂成形体とにより凹部を形成しており、前記発光素子は前記凹部内に収容されている請求項6から8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。   The mounting substrate includes a package having two lead frames and an enclosure of a resin molded body that holds the lead frame, and the lead frame and the resin molded body form a recess, and the light emission The method for manufacturing a light emitting device according to claim 6, wherein the element is accommodated in the recess. 前記透光部材により前記発光素子を覆う工程は、前記凹部の上面まで前記透光部材を配置し、
前記ナノ粒子を配置する工程は、前記透光部材の表面から前記凹部の上面までを覆う請求項6から9のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
The step of covering the light emitting element with the light transmissive member arranges the light transmissive member up to the upper surface of the recess,
10. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 6, wherein the step of arranging the nanoparticles covers a surface from a surface of the translucent member to an upper surface of the recess.
透光部材により発光素子を覆う工程において、前記発光素子は、蛍光体が設けられている請求項6から10のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to claim 6, wherein in the step of covering the light emitting element with a light transmissive member, the light emitting element is provided with a phosphor. 前記ナノ粒子を配置する工程は、溶媒に前記ナノ粒子が分散されている分散液に、前記透光部材の表面を浸漬する請求項6から11のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。   The method for producing a light-emitting device according to claim 6, wherein the step of arranging the nanoparticles includes immersing the surface of the translucent member in a dispersion in which the nanoparticles are dispersed in a solvent. .
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