JP2018133411A - Piezoelectric device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device in which output is less likely to be attenuated even when a load applied state is maintained.SOLUTION: A piezoelectric device 1 includes: a power storage element part 11; and a piezoelectric element part 12 overlaid on the power storage element part 11. In the power storage element part 11, plural dielectric films 2 which are disposed between a first conductive layer 31 and a second conductive layer 32 are laminated. In the piezoelectric element part 12, plural piezoelectric body films 4 which are disposed between a third conductive layer 33 and a fourth conductive layer 34 are laminated. The first conductive layer 31 and the third conductive layer 33 are electrically connected to each other, and the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34 are electrically connected to each other.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、圧電体フィルムを備える圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device including a piezoelectric film.

延伸を施したポリ乳酸フィルムなどの圧電体フィルムを備える圧電デバイスとして、例えば特許文献1では、機械的な振動を電圧に変換して検出するセンサ、電極に信号電圧を加えることにより発生する振動を利用した圧電スピーカなどが、提案されている。このような圧電デバイスは、自身に生じた変位の加速度に応じて電圧を出力する。そのため、例えば、圧電デバイスに瞬間的に大きな荷重が加えられると、圧電デバイスは大きな電圧を出力する。   As a piezoelectric device including a piezoelectric film such as a stretched polylactic acid film, for example, in Patent Document 1, a sensor that converts mechanical vibration into a voltage and detects the vibration, and vibration generated by applying a signal voltage to an electrode are disclosed. A piezoelectric speaker that has been used has been proposed. Such a piezoelectric device outputs a voltage according to the acceleration of displacement generated in itself. Therefore, for example, when a large load is momentarily applied to the piezoelectric device, the piezoelectric device outputs a large voltage.

特開2014−27038号公報JP 2014-27038 A

従来の圧電デバイスが出力する電圧は速やかに減衰し、その後は荷重が維持されても圧電デバイスは電圧を出力しなくなる。そのため、荷重が維持されていることを、圧電デバイスを利用して検知することは難しい。   The voltage output by the conventional piezoelectric device is quickly attenuated, and thereafter, the piezoelectric device does not output voltage even if the load is maintained. Therefore, it is difficult to detect that the load is maintained using a piezoelectric device.

本発明の目的は、荷重が加えられた状態が維持されても出力が減衰しにくい圧電デバイスを提供することである。   An object of the present invention is to provide a piezoelectric device in which an output is not easily attenuated even when a state where a load is applied is maintained.

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、蓄電素子部と、前記蓄電素子部に重なる圧電素子部とを備える。前記蓄電素子部には、第一導電層と第二導電層の間に挟まれた誘電体フィルムが複数積層されている。前記圧電素子部には、第三導電層と第四導電層の間に挟まれた圧電体フィルムが複数積層されている。前記第一導電層と前記第三導電層とは電気的に接続され、前記第二導電層と前記第四導電層とは電気的に接続されている。   A piezoelectric device according to one embodiment of the present invention includes a power storage element portion and a piezoelectric element portion that overlaps the power storage element portion. A plurality of dielectric films sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer are laminated on the power storage element portion. A plurality of piezoelectric films sandwiched between the third conductive layer and the fourth conductive layer are laminated on the piezoelectric element portion. The first conductive layer and the third conductive layer are electrically connected, and the second conductive layer and the fourth conductive layer are electrically connected.

本発明の一態様によれば、荷重が加えられた状態が維持されても出力が減衰しにくい圧電デバイスを得ることができる。   According to one embodiment of the present invention, it is possible to obtain a piezoelectric device in which output is hardly attenuated even when a state where a load is applied is maintained.

本発明の一実施形態に係る圧電デバイスを示す概略の断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a piezoelectric device according to an embodiment of the present invention. 図1に示す圧電デバイスを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the piezoelectric device shown in FIG.

以下、本発明の一実施形態について、図1及び図2を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

本実施形態に係る圧電デバイス1は、蓄電素子部11と、蓄電素子部11に重なる圧電素子部12とを備える。   The piezoelectric device 1 according to the present embodiment includes a power storage element unit 11 and a piezoelectric element unit 12 that overlaps the power storage element unit 11.

蓄電素子部11には、第一導電層31と第二導電層32の間に挟まれた誘電体フィルム2が複数積層されている。圧電素子部12には、第三導電層33と第四導電層34の間に挟まれた圧電体フィルム4が複数積層されている。   A plurality of dielectric films 2 sandwiched between the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 are stacked on the power storage element portion 11. A plurality of piezoelectric films 4 sandwiched between the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34 are laminated on the piezoelectric element portion 12.

例えば、図1において、蓄電素子部11は、積層している複数の誘電体フィルム2と、誘電体フィルム2の各々に重ねられている第一導電層31及び第二導電層32とを備える。なお、第一導電層31及び第二導電層32は、誘電体フィルム2の積層方向の最外に位置する誘電体フィルム2を除いた誘電体フィルム2の各々に重ねられていれば、最外に位置する誘電体フィルム2は第一導電層31及び第二導電層32のうちのいずれか一方と重なっているだけでもよい。この場合の「積層している」とは、蓄電素子部11内で複数の誘電体フィルム2が、その厚み方向に並んでいることを意味し、この場合、誘電体フィルム2同士が直接接していなくてもよい。   For example, in FIG. 1, the power storage element unit 11 includes a plurality of laminated dielectric films 2, and a first conductive layer 31 and a second conductive layer 32 that are stacked on each of the dielectric films 2. In addition, if the 1st conductive layer 31 and the 2nd conductive layer 32 are piled up on each of the dielectric films 2 except the dielectric film 2 located in the outermost direction of the lamination direction of the dielectric film 2, they are the outermost. The dielectric film 2 positioned at the position may only overlap one of the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32. “Laminated” in this case means that a plurality of dielectric films 2 are arranged in the thickness direction in the electricity storage element portion 11, and in this case, the dielectric films 2 are in direct contact with each other. It does not have to be.

圧電素子部12は、積層している複数の圧電体フィルム4と、圧電体フィルム4の各々に重ねられている第三導電層33及び第四導電層34とを備える。なお、第三導電層33及び第四導電層34は、圧電体フィルム4の積層方向の最外に位置する圧電体フィルム4を除いた圧電体フィルム4の各々に重ねられていれば、最外に位置する圧電体フィルム4は第三導電層33及び第四導電層34のうちのいずれか一方と重なっているだけでも良い。この場合の「積層している」とは、圧電素子部12内で複数の圧電体フィルム4が、その厚み方向に並んでいることを意味し、この場合、圧電体フィルム4同士が直接接していなくてもよい。   The piezoelectric element unit 12 includes a plurality of stacked piezoelectric films 4 and a third conductive layer 33 and a fourth conductive layer 34 that are stacked on each of the piezoelectric films 4. If the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34 are stacked on each of the piezoelectric films 4 excluding the piezoelectric film 4 positioned at the outermost position in the stacking direction of the piezoelectric films 4, The piezoelectric film 4 positioned at the position may overlap only with one of the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34. In this case, “laminated” means that a plurality of piezoelectric films 4 are arranged in the thickness direction in the piezoelectric element portion 12. In this case, the piezoelectric films 4 are in direct contact with each other. It does not have to be.

第一導電層31と第三導電層33とは電気的に接続され、第二導電層32と第四導電層34とは電気的に接続されている。   The first conductive layer 31 and the third conductive layer 33 are electrically connected, and the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34 are electrically connected.

本実施形態によると、圧電素子部12が荷重によって変形すると、圧電素子部12において、圧電体フィルム4の変位に起因する圧電効果によって電圧が生じる。そのため圧電デバイス1は荷重に応じた電圧を出力できる。   According to the present embodiment, when the piezoelectric element portion 12 is deformed by a load, a voltage is generated in the piezoelectric element portion 12 due to the piezoelectric effect caused by the displacement of the piezoelectric film 4. Therefore, the piezoelectric device 1 can output a voltage corresponding to the load.

また、圧電素子部12で生じた電荷は蓄電素子部11に供給されて蓄電される。このため、圧電デバイス1にかけられた荷重が維持されても、圧電デバイス1が出力する電圧は減衰しにくい。また、圧電デバイス1にかけられる荷重が徐々に大きくなる場合のように、圧電体フィルム4の変位の加速度が小さい場合であっても、圧電デバイス1は十分に大きな電圧を出力できる。   The electric charge generated in the piezoelectric element unit 12 is supplied to the electric storage element unit 11 and stored therein. For this reason, even if the load applied to the piezoelectric device 1 is maintained, the voltage output from the piezoelectric device 1 is not easily attenuated. Further, even when the acceleration of displacement of the piezoelectric film 4 is small, such as when the load applied to the piezoelectric device 1 gradually increases, the piezoelectric device 1 can output a sufficiently large voltage.

したがって、本実施形態では、荷重が維持されていることを、圧電デバイス1を利用して検知することができる。また、荷重が徐々に大きくなる場合であっても荷重を検知することもできる。さらに、本実施形態では、圧電デバイス1内で、圧電効果を発揮する圧電素子部12と、圧電効果によって生じた電荷を蓄電する蓄電素子部11とが積層しているので、上記の機能を発揮する圧電デバイス1をコンパクト化できるとともに、他の回路や検出器を要することなく、圧電デバイス1を利用して、荷重が維持されていることや、徐々に大きくなる荷重などを、検知することができる。また、圧電デバイス1を発電に利用することもできる。   Therefore, in the present embodiment, it can be detected using the piezoelectric device 1 that the load is maintained. Even when the load gradually increases, the load can be detected. Furthermore, in this embodiment, since the piezoelectric element portion 12 that exhibits the piezoelectric effect and the power storage element portion 11 that stores the charge generated by the piezoelectric effect are stacked in the piezoelectric device 1, the above functions are exhibited. The piezoelectric device 1 can be made compact, and the piezoelectric device 1 can be used to detect a load being maintained or a gradually increasing load without using other circuits or detectors. it can. The piezoelectric device 1 can also be used for power generation.

このような本実施形態の圧電デバイス1は、例えばトラフィックセンサ、タイヤ空気圧センサなどの交通分野、侵入検知、盗難警戒などのセキュリティ分野、音響ピックアップ、魚群探知機、ソナーなどの音響・超音波の分野、超音診断などの医療分野、床発電の分野など、種々の分野に適用可能である。   The piezoelectric device 1 according to this embodiment includes, for example, traffic fields such as traffic sensors and tire pressure sensors, security fields such as intrusion detection and theft alarm, acoustic and ultrasonic fields such as acoustic pickups, fish finders, and sonars. It can be applied to various fields such as the medical field such as ultrasonic diagnosis and the field of floor power generation.

圧電デバイス1の構成について、更に詳しく説明する。   The configuration of the piezoelectric device 1 will be described in more detail.

まず蓄電素子部11について説明する。蓄電素子部11は、一般的な積層型のフィルムコンデンサと同様の構造を有することができる。   First, the power storage element unit 11 will be described. The power storage element unit 11 can have the same structure as a general laminated film capacitor.

本実施形態では、蓄電素子部11は、複数の誘電体フィルム2と、複数の導電層3とを備える。誘電体フィルム2と導電層3とは交互に並んでいる。導電層3は第一導電層31と第二導電層32とを含み、第一導電層31と第二導電層32は交互に並んでいる。すなわち、蓄電素子部11内では、第一導電層31、誘電体フィルム2、第二導電層32、誘電体フィルム2、第一導電層31、誘電体フィルム2…、というように、要素が繰り返し並んで積層している。これにより、蓄電素子部11は、積層している複数の誘電体フィルム2と、誘電体フィルム2の各々に接して重ねられている第一導電層31及び第二導電層32とを備え、誘電体フィルム2の各々は、第一導電層31と第二導電層32との間に挟まれている。   In the present embodiment, the power storage element unit 11 includes a plurality of dielectric films 2 and a plurality of conductive layers 3. Dielectric films 2 and conductive layers 3 are arranged alternately. The conductive layer 3 includes a first conductive layer 31 and a second conductive layer 32, and the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 are arranged alternately. That is, in the electric storage element unit 11, the elements are repeated such as the first conductive layer 31, the dielectric film 2, the second conductive layer 32, the dielectric film 2, the first conductive layer 31, the dielectric film 2, and so on. They are stacked side by side. As a result, the storage element unit 11 includes a plurality of laminated dielectric films 2, and a first conductive layer 31 and a second conductive layer 32 that are stacked in contact with each of the dielectric films 2, and a dielectric Each of the body films 2 is sandwiched between the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32.

誘電体フィルム2は、誘電体からなるフィルムであればよい。誘電体フィルム2は、例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリスチレンといった、プラスチックから作製される。すなわち、誘電体フィルム2は、例えばプラスチックフィルムである。本実施形態では、誘電体フィルム2は圧電性を有さず、すなわち誘電体フィルム2の圧電定数は好ましくは0である。   The dielectric film 2 may be a film made of a dielectric. The dielectric film 2 is made of a plastic such as polyester, polycarbonate, polypropylene, or polystyrene. That is, the dielectric film 2 is, for example, a plastic film. In the present embodiment, the dielectric film 2 does not have piezoelectricity, that is, the piezoelectric constant of the dielectric film 2 is preferably zero.

蓄電素子部11における導電層3は、導電体からなる層であればよい。導電層3は、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも一種の金属、又は少なくとも一種の金属の酸化物から、作製される。   The conductive layer 3 in the power storage element unit 11 may be a layer made of a conductor. The conductive layer 3 is, for example, at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, copper, palladium, and tungsten, or at least It is made from a kind of metal oxide.

蓄電素子部11の作製方法としては、一般的な積層型のフィルムコンデンサの作製方法を採用できる。例えば、まず誘電体フィルム2の一面上に、必要に応じて密着性向上のためのコーティングを施してから、蒸着法、スパッタリング法などの方法で導電層3を作製する。これにより、誘電体フィルム2と導電層3とを備える金属化フィルムを作製する。続いて、複数の金属化フィルムを積層することで、蓄電素子部11を作製できる。なお、蒸着法及びスパッタリング法のほか、例えば誘電体フィルム2の一面上に導電ペーストを塗布したり、導電性接着剤を塗布したり、金属箔などの導電性シートを重ねたりすることによって、導電層3を作製してもよい。   As a method for producing the power storage element portion 11, a general method for producing a laminated film capacitor can be employed. For example, first, a coating for improving adhesion is applied on one surface of the dielectric film 2 as necessary, and then the conductive layer 3 is formed by a method such as vapor deposition or sputtering. Thereby, a metallized film provided with the dielectric film 2 and the conductive layer 3 is produced. Then, the electrical storage element part 11 can be produced by laminating | stacking a some metallized film. In addition to the vapor deposition method and the sputtering method, for example, by applying a conductive paste on one surface of the dielectric film 2, applying a conductive adhesive, or stacking a conductive sheet such as a metal foil, Layer 3 may be produced.

これまでの説明では、第一誘電体フィルム21の片面上に第一導電層31を形成し、第二誘電体フィルム21の片面上に第二導電層32を形成したが、これに限定されない。例えば、第一誘電体フィルム21の一方の主面上に第一導電層31を、他方の主面上に第二導電層32を形成し、これと、導電層3を形成していない第二誘電体フィルム22とを積層しても良い。   In the description so far, the first conductive layer 31 is formed on one side of the first dielectric film 21, and the second conductive layer 32 is formed on one side of the second dielectric film 21, but the present invention is not limited to this. For example, the first conductive layer 31 is formed on one main surface of the first dielectric film 21, the second conductive layer 32 is formed on the other main surface, and the second conductive layer 3 is not formed. A dielectric film 22 may be laminated.

蓄電素子部11内の誘電体フィルム2の数は、例えば20〜1000の範囲内であるが、これに制限されない。   Although the number of the dielectric films 2 in the electrical storage element part 11 exists in the range of 20-1000, for example, it is not restrict | limited to this.

次に、圧電素子部12について説明する。   Next, the piezoelectric element unit 12 will be described.

本実施形態では、圧電素子部12は、複数の圧電体フィルム4と、複数の絶縁フィルム8と、複数の導電層3とを備える。圧電体フィルム4と絶縁フィルム8とは、交互に並んでいる。隣合う圧電体フィルム4と絶縁フィルム8との間には導電層3が介在している。圧電素子部12における導電層3は第三導電層33と第四導電層34とを含み、第三導電層33と第四導電層34は交互に並んでいる。すなわち、圧電素子部12内では、第三導電層33、圧電体フィルム4、第四導電層34、絶縁フィルム8、第三導電層33、圧電体フィルム4…、というように、要素が繰り返し並んで積層している。これにより、圧電素子部12は、積層している複数の圧電体フィルム4と、圧電体フィルム4の各々に接して重ねられている第三導電層33及び第四導電層34とを備え、圧電体フィルム4の各々は、第三導電層33と第四導電層34との間に挟まれている。   In the present embodiment, the piezoelectric element unit 12 includes a plurality of piezoelectric films 4, a plurality of insulating films 8, and a plurality of conductive layers 3. The piezoelectric films 4 and the insulating films 8 are alternately arranged. The conductive layer 3 is interposed between the adjacent piezoelectric film 4 and the insulating film 8. The conductive layer 3 in the piezoelectric element portion 12 includes a third conductive layer 33 and a fourth conductive layer 34, and the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34 are alternately arranged. That is, in the piezoelectric element portion 12, the elements are repeatedly arranged such as the third conductive layer 33, the piezoelectric film 4, the fourth conductive layer 34, the insulating film 8, the third conductive layer 33, the piezoelectric film 4,. Are stacked. As a result, the piezoelectric element portion 12 includes a plurality of stacked piezoelectric films 4, and a third conductive layer 33 and a fourth conductive layer 34 stacked in contact with each of the piezoelectric films 4. Each of the body films 4 is sandwiched between the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34.

換言すれば、本実施形態では、圧電素子部12は、第三導電層33と第四導電層34とこれらの間に挟まれている圧電体フィルム4とからなる圧電素子9と、絶縁フィルム8とを、それぞれ複数備え、圧電素子9と絶縁フィルム8とは交互に並んで積層している。   In other words, in this embodiment, the piezoelectric element portion 12 includes the piezoelectric element 9 including the third conductive layer 33, the fourth conductive layer 34, and the piezoelectric film 4 sandwiched therebetween, and the insulating film 8. Are provided, and the piezoelectric elements 9 and the insulating films 8 are alternately stacked.

圧電体フィルム4は、圧電体からなるフィルムであればよい。圧電体フィルム4は、例えばポリフッ化ビニリデン(PVDF)から作製される。また、圧電体フィルム4は、フッ化ビニリデン−三フッ化エチレン共重合体(VDF/TrFE)、フッ化ビニリデン−四フッ化エチレン共重合体(VDF/TeFE)、シアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体(VDCN/VAc)、ナイロン11、ポリ乳酸、ポリ尿素といった、圧電性を有するプラスチックから作製されてもよい。すなわち、圧電体フィルム4は、例えば圧電性を有するプラスチックフィルムである。   The piezoelectric film 4 may be a film made of a piezoelectric body. The piezoelectric film 4 is made of, for example, polyvinylidene fluoride (PVDF). The piezoelectric film 4 is made of vinylidene fluoride-trifluoride ethylene copolymer (VDF / TrFE), vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene copolymer (VDF / TeFE), vinylidene cyanide-vinyl acetate copolymer. You may produce from the plastics which have piezoelectricity, such as unification (VDCN / VAc), nylon 11, polylactic acid, and polyurea. That is, the piezoelectric film 4 is a plastic film having piezoelectricity, for example.

なお、圧電体フィルム4がポリ乳酸を含有する場合、ポリ乳酸は生分解性を有することから、圧電デバイス1を廃棄する場合の環境への負荷を軽減できる。ポリ乳酸は、例えばポリL−乳酸又はポリD−乳酸であり、特に延伸されたポリL−乳酸又は延伸されたポリD−乳酸であることが好ましい。この場合、その厚み方向と直交する方向に沿った変位に応じて、厚み方向に分極する性質を有する圧電体フィルム4を得ることができる。ポリ乳酸の光学純度は80モル%以上であることが好ましく、90モル%以上であればより好ましく、95モル%以上であれば特に好ましく、98モル%以上であれば最も好ましい。ポリ乳酸は、その分子構造中に乳酸由来以外の単位を含んでいてもよいが、乳酸由来の単位と乳酸由来以外の単位の合計に対する乳酸由来以外の単位の割合は10モル%以下であることが好ましく、5モル%以下であればより好ましく、2モル%以下であれば特に好ましい。   In addition, when the piezoelectric film 4 contains polylactic acid, since polylactic acid has biodegradability, the burden on the environment when discarding the piezoelectric device 1 can be reduced. The polylactic acid is, for example, poly L-lactic acid or poly D-lactic acid, and particularly preferably stretched poly L-lactic acid or stretched poly D-lactic acid. In this case, it is possible to obtain the piezoelectric film 4 having a property of being polarized in the thickness direction according to the displacement along the direction orthogonal to the thickness direction. The optical purity of polylactic acid is preferably 80 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, particularly preferably 95 mol% or more, and most preferably 98 mol% or more. Polylactic acid may contain units other than lactic acid in its molecular structure, but the ratio of units other than lactic acid to the total of units derived from lactic acid and units other than lactic acid is 10 mol% or less. Is preferably 5 mol% or less, more preferably 2 mol% or less.

絶縁フィルム8は、電気絶縁性を有するフィルムであればよい。絶縁フィルム8は、例えば、2軸延伸ポリプロピレンなどのポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエチレン系樹脂といった、電気絶縁性を有するプラスチックから作製される。すなわち、絶縁フィルム8は、例えば電気絶縁性を有するプラスチックフィルムである。絶縁フィルム8の厚みは、例えば1〜20μmの範囲内であり、好ましくは3〜9μmの範囲内である。   The insulating film 8 may be a film having electrical insulation. The insulating film 8 is made of an electrically insulating plastic such as a polypropylene resin such as biaxially stretched polypropylene or a polyethylene resin such as polyethylene terephthalate (PET). That is, the insulating film 8 is a plastic film having electrical insulation, for example. The thickness of the insulating film 8 is, for example, in the range of 1 to 20 μm, and preferably in the range of 3 to 9 μm.

圧電素子部12における導電層3は、導電体からなる層であればよい。導電層3は、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも一種の金属、又は少なくとも一種の金属の酸化物から、作製される。   The conductive layer 3 in the piezoelectric element portion 12 may be a layer made of a conductor. The conductive layer 3 is, for example, at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, copper, palladium, and tungsten, or at least It is made from a kind of metal oxide.

圧電素子部12の作製方法としては、一般的な積層型のフィルムコンデンサの作製方法に準じた方法を採用できる。例えば、まず圧電体フィルム4の一面上に、必要に応じて密着性向上のためのコーティングを施してから、蒸着法、スパッタリング法などの方法で導電層3を作製する。これにより、圧電体フィルム4と導電層3とを備える第一の金属化フィルムを作製する。また、絶縁フィルム8の一面上に、必要に応じて密着性向上のためのコーティングを施してから、蒸着法、スパッタリング法などの方法で導電層3を作製する。これにより、絶縁フィルム8と導電層3とを備える第二の金属化フィルムを作製する。続いて、複数の第一の金属化フィルムと複数の第二の金属化フィルムとを、交互に積層することで、圧電素子部12を作製できる。なお、蒸着法及びスパッタリング法のほか、例えば圧電体フィルム4又は絶縁フィルム8の一面上に導電ペーストを塗布したり、導電性接着剤を塗布したり、金属箔などの導電性シートを重ねたりすることによって、導電層3を作製してもよい。   As a manufacturing method of the piezoelectric element portion 12, a method according to a general manufacturing method of a multilayer film capacitor can be adopted. For example, first, a coating for improving adhesion is applied on one surface of the piezoelectric film 4 as necessary, and then the conductive layer 3 is produced by a method such as vapor deposition or sputtering. Thereby, the 1st metallized film provided with the piezoelectric material film 4 and the conductive layer 3 is produced. In addition, after applying a coating for improving adhesion on one surface of the insulating film 8 as necessary, the conductive layer 3 is formed by a method such as vapor deposition or sputtering. Thereby, the 2nd metallized film provided with the insulating film 8 and the conductive layer 3 is produced. Then, the piezoelectric element part 12 can be produced by alternately laminating a plurality of first metallized films and a plurality of second metallized films. In addition to the vapor deposition method and the sputtering method, for example, a conductive paste is applied on one surface of the piezoelectric film 4 or the insulating film 8, a conductive adhesive is applied, or a conductive sheet such as a metal foil is stacked. By doing so, the conductive layer 3 may be fabricated.

これまでの説明では、圧電体フィルム4の片面上に導電層3を形成し、絶縁フィルム8の片面上に導電層3を形成したが、これに限定されない。例えば、圧電体フィルム4と絶縁フィルム8のうち、一方の両主面上に導電層3を形成し、他方の両主面上には導電層3を形成せず、その後、圧電体フィルム4と絶縁フィルム8とを積層しても良い。   In the above description, the conductive layer 3 is formed on one side of the piezoelectric film 4 and the conductive layer 3 is formed on one side of the insulating film 8, but the present invention is not limited to this. For example, the conductive layer 3 is formed on one main surface of the piezoelectric film 4 and the insulating film 8, and the conductive layer 3 is not formed on the other main surface. An insulating film 8 may be laminated.

圧電素子部12内の圧電体フィルム4の数は、例えば400〜1000の範囲内であるが、特にこれに制限されない。   The number of piezoelectric films 4 in the piezoelectric element portion 12 is, for example, in the range of 400 to 1000, but is not particularly limited thereto.

圧電素子部12の厚みは、蓄電素子部11の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、蓄電素子部11よりも圧電素子部12の方が変形しやすいため、荷重を受けた場合の圧電素子部12の変位が大きくなり、それにより、圧電デバイス1の出力を向上できる。具体的には、蓄電素子部11の厚みは0.5〜25mmの範囲内であることが好ましく、これに対して、圧電素子部12の厚みは、0.1〜20mmの範囲内であることが好ましい。また、圧電素子部12の厚みは、蓄電素子部11の厚みの10〜90%の範囲内であることも好ましい。   The thickness of the piezoelectric element portion 12 is preferably smaller than the thickness of the electricity storage element portion 11. In this case, since the piezoelectric element unit 12 is more easily deformed than the power storage element unit 11, the displacement of the piezoelectric element unit 12 when subjected to a load is increased, thereby improving the output of the piezoelectric device 1. Specifically, the thickness of the electricity storage element portion 11 is preferably in the range of 0.5 to 25 mm, while the thickness of the piezoelectric element portion 12 is in the range of 0.1 to 20 mm. Is preferred. The thickness of the piezoelectric element portion 12 is preferably in the range of 10 to 90% of the thickness of the electricity storage element portion 11.

圧電体フィルム4の厚みは、誘電体フィルム2の厚みよりも大きいことが好ましく、すなわち、誘電体フィルム2の厚みは、圧電体フィルム4の厚みよりも小さいことが好ましい。一般に、圧電性を有するプラスチックフィルムの強度は弱いため、圧電体フィルム4の厚みが小さいと荷重によって圧電体フィルム4が破断されるなどして損傷されやすく、その結果、圧電デバイス1の出力が低下してしまうおそれがある。しかし、圧電体フィルム4の厚みが大きいと、圧電体フィルム4の損傷を抑制できる。また、誘電体フィルム2の厚みが小さいと、蓄電素子部11の静電容量が大きくなり、その結果、荷重が維持された場合の圧電デバイス1の出力の減衰がより抑制される。   The thickness of the piezoelectric film 4 is preferably larger than the thickness of the dielectric film 2, that is, the thickness of the dielectric film 2 is preferably smaller than the thickness of the piezoelectric film 4. In general, since the strength of a plastic film having piezoelectricity is weak, if the thickness of the piezoelectric film 4 is small, the piezoelectric film 4 is easily damaged by a load, and as a result, the output of the piezoelectric device 1 decreases. There is a risk of it. However, when the thickness of the piezoelectric film 4 is large, damage to the piezoelectric film 4 can be suppressed. Moreover, if the thickness of the dielectric film 2 is small, the electrostatic capacitance of the electrical storage element part 11 will become large, As a result, attenuation | damping of the output of the piezoelectric device 1 when a load is maintained will be suppressed more.

具体的には、圧電体フィルム4の厚みは3〜200μmの範囲内であることが好ましく、5〜50μmの範囲内であることが更に好ましい。また、誘電体フィルム2の厚みは1〜20μmの範囲内であることが好ましく、2〜9μmの範囲内であれば更に好ましい。また、圧電体フィルム4の厚みは、誘電体フィルム2の厚みの110%〜10000%の範囲内であることも好ましい。   Specifically, the thickness of the piezoelectric film 4 is preferably in the range of 3 to 200 μm, and more preferably in the range of 5 to 50 μm. Moreover, it is preferable that the thickness of the dielectric film 2 exists in the range of 1-20 micrometers, and if it exists in the range of 2-9 micrometers, it is still more preferable. The thickness of the piezoelectric film 4 is also preferably in the range of 110% to 10000% of the thickness of the dielectric film 2.

なお、圧電体フィルム4の厚みを小さくすると、圧電素子部12の静電容量が大きくなることで、荷重が維持された場合に出力が減衰しにくくなることは期待できるものの、上記の通り圧電体フィルム4が損傷しやすくなってしまう。圧電体フィルム4の数を多くすることで圧電素子部12の静電容量を大きくすることもできるが、その場合は圧電素子部12の厚みが大きくなってしまって、荷重に対する圧電素子部12の変位量が小さくなってしまう。一方、本実施形態では、蓄電素子部11に圧電素子部12が重なっているため、圧電体フィルム4の厚み及び数にかかわらず、荷重が維持された場合の圧電デバイス1からの出力を減衰しにくくできる。   Note that when the thickness of the piezoelectric film 4 is reduced, the capacitance of the piezoelectric element portion 12 is increased, so that it can be expected that the output is less likely to be attenuated when the load is maintained. The film 4 is easily damaged. Increasing the number of piezoelectric films 4 can increase the capacitance of the piezoelectric element portion 12, but in this case, the thickness of the piezoelectric element portion 12 is increased, and the piezoelectric element portion 12 with respect to the load is increased. The amount of displacement will be small. On the other hand, in this embodiment, since the piezoelectric element portion 12 overlaps the power storage element portion 11, the output from the piezoelectric device 1 when the load is maintained is attenuated regardless of the thickness and number of the piezoelectric films 4. It can be difficult.

圧電体フィルム4の誘電正接は、誘電体フィルム2の誘電正接よりも大きいことが好ましい。すなわち、誘電体フィルム2の誘電正接は、圧電体フィルム4の誘電正接よりも小さいことが好ましい。誘電体フィルム2の誘電正接が小さいと、蓄電素子部11における合成誘電正接を小さくできる。そのため、蓄電素子部11における充放電時の発熱を抑制できる。   The dielectric loss tangent of the piezoelectric film 4 is preferably larger than the dielectric loss tangent of the dielectric film 2. That is, the dielectric loss tangent of the dielectric film 2 is preferably smaller than the dielectric loss tangent of the piezoelectric film 4. When the dielectric loss tangent of the dielectric film 2 is small, the composite dielectric loss tangent in the power storage element unit 11 can be reduced. Therefore, heat generation at the time of charge / discharge in the electricity storage element unit 11 can be suppressed.

具体的には、圧電体フィルム4の誘電正接は0.04〜0.2の範囲内であることが好ましい。また、誘電体フィルム2の誘電正接は0.0005〜0.015の範囲内であることが好ましく、この値が小さいほど好ましい。   Specifically, the dielectric loss tangent of the piezoelectric film 4 is preferably in the range of 0.04 to 0.2. The dielectric loss tangent of the dielectric film 2 is preferably in the range of 0.0005 to 0.015, and the smaller the value, the better.

圧電素子部12における第三導電層33及び第四導電層34の各々の厚みは、蓄電素子部11における第一導電層31及び第二導電層32のいずれの厚みよりも、大きいことが好ましい。第三導電層33及び第四導電層34の厚みが大きいと、圧電素子部12内の内部抵抗を低減でき、また、荷重を受けて変形する部位である圧電素子部12の強度向上に寄与できる。   The thicknesses of the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34 in the piezoelectric element portion 12 are preferably larger than the thicknesses of the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 in the power storage element portion 11. If the thicknesses of the third conductive layer 33 and the fourth conductive layer 34 are large, the internal resistance in the piezoelectric element portion 12 can be reduced, and the strength of the piezoelectric element portion 12 that is a portion that deforms under a load can be improved. .

第一導電層31、第二導電層32、第三導電層33及び第四導電層34の厚みは、これらの導電層3の表面抵抗値の抑制、蓄電素子部11及び圧電素子部12の製造性、蓄電素子部11内及び圧電素子部12内の層間強度の維持、これらの導電層3を作製する際のダメージ抑制なども考慮して決定されることが好ましい。   The thicknesses of the first conductive layer 31, the second conductive layer 32, the third conductive layer 33, and the fourth conductive layer 34 are used to suppress the surface resistance value of these conductive layers 3, and to manufacture the power storage element unit 11 and the piezoelectric element unit 12. It is preferably determined in consideration of the properties, maintenance of interlayer strength in the electricity storage element portion 11 and the piezoelectric element portion 12, and damage suppression when the conductive layer 3 is manufactured.

具体的には、第一導電層31及び第二導電層32の厚みは、10nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。また、第三導電層33及び第四導電層34の厚みは、10nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。   Specifically, the thickness of the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 is preferably in the range of 10 nm to 5 μm. Moreover, it is preferable that the thickness of the 3rd conductive layer 33 and the 4th conductive layer 34 exists in the range of 10 nm-5 micrometers.

上記の通り、圧電素子部12は、蓄電素子部11に重ねられる。この場合、蓄電素子部11における誘電体フィルム2の積層方向、圧電素子部12における圧電体フィルム4の積層方向、及び蓄電素子部11と圧電素子部12の積層方向が、いずれも一致している。   As described above, the piezoelectric element portion 12 is overlaid on the power storage element portion 11. In this case, the stacking direction of the dielectric film 2 in the power storage element unit 11, the stacking direction of the piezoelectric film 4 in the piezoelectric element unit 12, and the stacking direction of the power storage element unit 11 and the piezoelectric element unit 12 are all the same. .

圧電素子部12と蓄電素子部11とは、圧電素子部12の蓄電素子部11と対向する面と、蓄電素子部11の圧電素子9と対向する面との間が、電気的に絶縁されるように、積層される。本実施形態において、圧電デバイス1は、蓄電素子部11と圧電素子部12との間に介在する弾性部材13を備える。すなわち、蓄電素子部11と圧電素子部12との間に、弾性部材13が介在している。この弾性部材13により、絶縁がなされうる。また、圧電デバイス1が弾性部材13を備えると、圧電素子部12が荷重により変形した場合、それに追随して弾性部材13が変形しやすく、そのため圧電素子部12が蓄電素子部11に重なっていても、圧電素子部12は変形しやすい。そのため、荷重に応じて圧電素子部12で発生する電圧が大きくなり、その結果、荷重に対する圧電デバイス1の出力が向上する。   The piezoelectric element unit 12 and the storage element unit 11 are electrically insulated from the surface of the piezoelectric element unit 12 that faces the storage element unit 11 and the surface of the storage element unit 11 that faces the piezoelectric element 9. So that they are laminated. In the present embodiment, the piezoelectric device 1 includes an elastic member 13 interposed between the electricity storage element unit 11 and the piezoelectric element unit 12. That is, the elastic member 13 is interposed between the power storage element portion 11 and the piezoelectric element portion 12. The elastic member 13 can be insulated. In addition, when the piezoelectric device 1 includes the elastic member 13, when the piezoelectric element portion 12 is deformed by a load, the elastic member 13 easily deforms following the deformation, and thus the piezoelectric element portion 12 overlaps the power storage element portion 11. However, the piezoelectric element portion 12 is easily deformed. Therefore, the voltage generated in the piezoelectric element portion 12 in accordance with the load increases, and as a result, the output of the piezoelectric device 1 with respect to the load is improved.

弾性部材13は、蓄電素子部11よりも高い弾性限界歪みを有する部材であれば特に制限されない。弾性部材13は、例えばニトリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ノルボルネンゴム、ラテックス、及び熱可塑性エラストマーからなる群から選択される少なくとも一種の材料から作製される、シートあるいは発泡シートである。弾性部材13の厚みは例えば0.5〜5mmの範囲内である。   The elastic member 13 is not particularly limited as long as it is a member having an elastic limit strain higher than that of the power storage element portion 11. The elastic member 13 includes, for example, nitrile rubber, fluorine rubber, silicone rubber, natural rubber, isoprene rubber, butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, ethylene propylene rubber, epichlorohydrin rubber, styrene butadiene rubber, butadiene rubber, norbornene rubber, latex, and heat. It is a sheet or a foamed sheet made from at least one material selected from the group consisting of plastic elastomers. The thickness of the elastic member 13 is in the range of 0.5 to 5 mm, for example.

圧電デバイス1は、上記のような弾性部材13を備えなくてもよい。その場合には、例えば圧電素子部12における導電層3と蓄電素子部11における誘電体フィルム2とが接して重なり、又は圧電素子部12における圧電体フィルム4或いは絶縁フィルム8と蓄電素子部11における導電層3とが接して重なり、又は圧電素子部12における圧電体フィルム4或いは絶縁フィルム8と蓄電素子部11における誘電体フィルム2とが接して重なることで、圧電素子部12の蓄電素子部11と対向する面と、蓄電素子部11の圧電素子9と対向する面との間が、電気的に絶縁される。また、圧電素子部12と蓄電素子部11との間に、弾性部材13以外の電気絶縁性を有する部材を介在させてもよい。   The piezoelectric device 1 may not include the elastic member 13 as described above. In that case, for example, the conductive layer 3 in the piezoelectric element section 12 and the dielectric film 2 in the power storage element section 11 are in contact with each other, or the piezoelectric film 4 or the insulating film 8 in the piezoelectric element section 12 and the power storage element section 11 are overlapped. The conductive layer 3 contacts and overlaps, or the piezoelectric film 4 or the insulating film 8 in the piezoelectric element portion 12 and the dielectric film 2 in the energy storage element portion 11 contact and overlap each other, whereby the power storage element portion 11 of the piezoelectric element portion 12. Is electrically insulated from the surface facing the piezoelectric element 9 of the electricity storage element portion 11. Further, a member having electrical insulation other than the elastic member 13 may be interposed between the piezoelectric element portion 12 and the power storage element portion 11.

本実施形態では、圧電デバイス1は、第一外部電極61及び第二外部電極62を備える。これらの構成について説明する。   In the present embodiment, the piezoelectric device 1 includes a first external electrode 61 and a second external electrode 62. These configurations will be described.

上記の通り、第一導電層31と第三導電層33とは電気的に接続され、第二導電層32と第四導電層34とは電気的に接続されている。本実施形態では、圧電デバイス1は第一端部51と、第一端部51とは反対側にある第二端部52とを有し、第一端部51に第一外部電極61を、第二端部52に第二外部電極62を、それぞれ備える。第一外部電極61は、第一導電層31及び第三導電層33のいずれにも電気的に接続していることで、第一導電層31と第三導電層33とを電気的に接続している。また、第二外部電極62は、第二導電層32及び第四導電層34のいずれにも電気的に接続していることで、第二導電層32と第四導電層34とを電気的に接続している。この第一外部電極61及び第二外部電極62から、圧電デバイス1の出力を取り出すことができる。   As described above, the first conductive layer 31 and the third conductive layer 33 are electrically connected, and the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34 are electrically connected. In the present embodiment, the piezoelectric device 1 has a first end 51 and a second end 52 on the opposite side of the first end 51, and the first external electrode 61 is provided on the first end 51. A second external electrode 62 is provided at the second end 52. The first external electrode 61 is electrically connected to both the first conductive layer 31 and the third conductive layer 33 to electrically connect the first conductive layer 31 and the third conductive layer 33. ing. In addition, the second external electrode 62 is electrically connected to both the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34, thereby electrically connecting the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34. Connected. From the first external electrode 61 and the second external electrode 62, the output of the piezoelectric device 1 can be taken out.

第一端部51は、本実施形態では、圧電デバイス1における、蓄電素子部11と圧電素子部12の積層方向(誘電体フィルム2の積層方向、又は圧電体フィルム4の積層方向ともいえる)と直交する方向の、一端部である。第二端部52は、この第一端部51とは反対側の端部である。   In the present embodiment, the first end portion 51 is, in the piezoelectric device 1, a stacking direction of the power storage element unit 11 and the piezoelectric element unit 12 (also referred to as a stacking direction of the dielectric film 2 or a stacking direction of the piezoelectric film 4). It is one end part of the direction orthogonal to. The second end 52 is an end opposite to the first end 51.

本実施形態では、蓄電素子部11における第一端部51側の面では第一導電層31が露出し、圧電素子部12における第一端部51側の面では第三導電層33が露出している。第一外部電極61は、蓄電素子部11における第一端部51側の面及び圧電素子部12における第一端部51側の面に接しており、これにより、第一外部電極61は、第一導電層31及び第三導電層33のいずれにも接している。このため、第一外部電極61は、第一導電層31及び第三導電層33のいずれにも電気的に接続している。   In the present embodiment, the first conductive layer 31 is exposed on the surface on the first end portion 51 side of the power storage element portion 11, and the third conductive layer 33 is exposed on the surface on the first end portion 51 side of the piezoelectric element portion 12. ing. The first external electrode 61 is in contact with the surface on the first end portion 51 side of the power storage element portion 11 and the surface on the first end portion 51 side of the piezoelectric element portion 12. It is in contact with both the one conductive layer 31 and the third conductive layer 33. For this reason, the first external electrode 61 is electrically connected to both the first conductive layer 31 and the third conductive layer 33.

また、本実施形態では、蓄電素子部11における第二端部52側の面では第二導電層32が露出し、圧電素子部12における第二端部52側の面では第四導電層34が露出している。第二外部電極62は、蓄電素子部11における第二端部52側の面及び圧電素子部12における第二端部52側の面に接しており、これにより、第二外部電極62は、第二導電層32及び第四導電層34のいずれにも接している。このため、第二外部電極62は、第二導電層32及び第四導電層34のいずれにも電気的に接続している。   In the present embodiment, the second conductive layer 32 is exposed on the surface on the second end 52 side of the power storage element portion 11, and the fourth conductive layer 34 is exposed on the surface on the second end 52 side of the piezoelectric element portion 12. Exposed. The second external electrode 62 is in contact with the surface on the second end 52 side of the electricity storage element portion 11 and the surface on the second end 52 side of the piezoelectric element portion 12, whereby the second external electrode 62 is It is in contact with both the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34. For this reason, the second external electrode 62 is electrically connected to both the second conductive layer 32 and the fourth conductive layer 34.

第一外部電極61及び第二外部電極62は、例えばアルミニウム、亜鉛、錫、鉛、ニッケル、鉄、銅、及び真鍮、並びにこれらのうち二種以上の金属の合金からなる群から選択される、少なくとも一種の材料から作製される。第一外部電極61及び第二外部電極62は、例えばメタリコン、めっき、蒸着といった方法で作製される。第一外部電極61及び第二外部電極62は、導電性ゴムなどの変形容易な材料で作製されてもよい。第一外部電極61及び第二外部電極62は、導電性ペースト、導電性接着剤といった材料を塗布したり、導電性シートを接着したりすることで作製されてもよい。   The first external electrode 61 and the second external electrode 62 are selected from the group consisting of, for example, aluminum, zinc, tin, lead, nickel, iron, copper, and brass, and an alloy of two or more of these metals. Made from at least one material. The 1st external electrode 61 and the 2nd external electrode 62 are produced by methods, such as metallicon, plating, and vapor deposition, for example. The first external electrode 61 and the second external electrode 62 may be made of an easily deformable material such as conductive rubber. The first external electrode 61 and the second external electrode 62 may be manufactured by applying a material such as a conductive paste or a conductive adhesive, or by bonding a conductive sheet.

圧電デバイス1は、図2に示すように四角柱形状を有することが好ましい。この場合、圧電デバイス1がコンパクトな形状を有することで、圧電デバイス1を種々の用途に適用しやすい。   The piezoelectric device 1 preferably has a quadrangular prism shape as shown in FIG. In this case, since the piezoelectric device 1 has a compact shape, the piezoelectric device 1 can be easily applied to various applications.

1 圧電デバイス
11 蓄電素子部
12 圧電素子部
13 弾性部材
2 誘電体フィルム
31 第一導電層
32 第二導電層
33 第三導電層
34 第四導電層
4 圧電体フィルム
51 第一端部
52 第二端部
61 第一外部電極
62 第二外部電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric device 11 Power storage element part 12 Piezoelectric element part 13 Elastic member 2 Dielectric film 31 1st conductive layer 32 2nd conductive layer 33 3rd conductive layer 34 4th conductive layer 4 Piezoelectric film 51 1st end part 52 2nd End 61 First external electrode 62 Second external electrode

Claims (9)

蓄電素子部と、前記蓄電素子部に重なる圧電素子部とを備え、
前記蓄電素子部には、第一導電層と第二導電層の間に挟まれた誘電体フィルムが複数積層されており、
前記圧電素子部には、第三導電層と第四導電層の間に挟まれた圧電体フィルムが複数積層されており、
前記第一導電層と前記第三導電層とは電気的に接続され、前記第二導電層と前記第四導電層とは電気的に接続されている、
圧電デバイス。
A power storage element part, and a piezoelectric element part overlapping the power storage element part,
A plurality of dielectric films sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer are laminated on the power storage element portion,
In the piezoelectric element portion, a plurality of piezoelectric films sandwiched between a third conductive layer and a fourth conductive layer are laminated,
The first conductive layer and the third conductive layer are electrically connected, and the second conductive layer and the fourth conductive layer are electrically connected.
Piezoelectric device.
前記圧電素子部の厚みは、前記蓄電素子部の厚みよりも小さい、
請求項1に記載の圧電デバイス。
The thickness of the piezoelectric element portion is smaller than the thickness of the electricity storage element portion,
The piezoelectric device according to claim 1.
前記圧電体フィルムの厚みは、前記誘電体フィルムの厚みよりも大きい、
請求項1又は2に記載の圧電デバイス。
The thickness of the piezoelectric film is larger than the thickness of the dielectric film,
The piezoelectric device according to claim 1 or 2.
前記圧電体フィルムの誘電正接は、前記誘電体フィルムの誘電正接よりも大きい、
請求項1から3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
The dielectric loss tangent of the piezoelectric film is larger than the dielectric loss tangent of the dielectric film,
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 3.
第一端部と、前記第一端部とは反対側にある第二端部とを有し、
前記第一端部に第一外部電極を、前記第二端部に第二外部電極を、それぞれ備え、
前記第一外部電極は、前記第一導電層及び前記第三導電層のいずれにも電気的に接続していることで、前記第一導電層と前記第三導電層とを電気的に接続し、
前記第二外部電極は、前記第二導電層及び前記第四導電層のいずれにも電気的に接続していることで、前記第二導電層と前記第四導電層とを電気的に接続している、
請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
Having a first end and a second end opposite to the first end;
A first external electrode at the first end, and a second external electrode at the second end,
The first external electrode is electrically connected to both the first conductive layer and the third conductive layer, thereby electrically connecting the first conductive layer and the third conductive layer. ,
The second external electrode is electrically connected to both the second conductive layer and the fourth conductive layer, thereby electrically connecting the second conductive layer and the fourth conductive layer. ing,
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 4.
前記第三導電層及び前記第四導電層の各々の厚みは、前記第一導電層及び前記第二導電層のいずれの厚みよりも大きい、
請求項1から5のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
Each thickness of the third conductive layer and the fourth conductive layer is larger than any thickness of the first conductive layer and the second conductive layer,
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 5.
前記蓄電素子部と前記圧電素子部との間に介在する弾性部材を備える、
請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
An elastic member interposed between the electricity storage element portion and the piezoelectric element portion;
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 6.
前記複数の圧電体フィルムは、ポリ乳酸を含有する、
請求項1から7のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
The plurality of piezoelectric films contain polylactic acid,
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 7.
四角柱形状を有する、
請求項1から8のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
Having a quadrangular prism shape,
The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 8.
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