JP2018128963A - Video server, broadcasting system, and method for memory control - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、ビデオサーバ、放送システム、及びメモリ制御方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a video server, a broadcasting system, and a memory control method.
近年、フラッシュメモリを備えたビデオサーバが知られている。従来のビデオサーバでは、素材データなどのコンテンツデータの収録及び再生のためのスループットを高める必要があり、複数のフラッシュメモリを含むメモリユニットに対して、例えば、同期信号の1クロック内で、データの書き込みと読み出しとを行っていた。
しかしながら、フラッシュメモリが、例えば、MLC(Multi Level Cell)型NAND(ナンド)フラッシュメモリである場合には、リードリトライ処理を行う頻度が高くなるため、従来のビデオサーバでは、スループットが低下する場合があった。
In recent years, video servers equipped with flash memory are known. In a conventional video server, it is necessary to increase the throughput for recording and reproduction of content data such as material data. For example, within one clock of a synchronization signal, data of a data unit is included in a memory unit including a plurality of flash memories. Writing and reading were performed.
However, when the flash memory is, for example, an MLC (Multi Level Cell) NAND (Nand) flash memory, the frequency of performing the read retry process is high, so that the throughput may decrease in the conventional video server. there were.
本発明が解決しようとする課題は、スループットの低下を低減することができるビデオサーバ、放送システム、及びメモリ制御方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a video server, a broadcasting system, and a memory control method capable of reducing a decrease in throughput.
実施形態のビデオサーバは、メモリ装置と、取得部と、サーバ制御部と、出力部とを持つ。メモリ装置は、複数のメモリユニットを有する。取得部は、コンテンツデータを取得する。サーバ制御部は、前記取得部によって取得した前記コンテンツデータを前記メモリ装置が有する前記メモリユニットに記録させるとともに、前記メモリユニットに記録された前記コンテンツデータを前記メモリユニットから読み出す。出力部は、前記サーバ制御部によって前記メモリ装置から読み出された前記コンテンツデータを出力する。前記複数のメモリユニットのそれぞれは、複数の半導体メモリと、メモリ制御部とを持つ。複数の半導体メモリは、異なるデータバスに少なくとも接続された第1のエリア及び第2のエリアであって、前記異なるデータバスによって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能な第1のエリア及び第2のエリアに分割されている。メモリ制御部は、前記メモリユニットにデータを書き込む際に、前記第1のエリアと前記第2のエリアとを交互に割り当て、所定の基準期間において、前記第1のエリア及び前記第2のエリアのうちの一方のエリアに、前記書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出す。 The video server according to the embodiment includes a memory device, an acquisition unit, a server control unit, and an output unit. The memory device has a plurality of memory units. The acquisition unit acquires content data. The server control unit records the content data acquired by the acquisition unit in the memory unit included in the memory device, and reads the content data recorded in the memory unit from the memory unit. The output unit outputs the content data read from the memory device by the server control unit. Each of the plurality of memory units has a plurality of semiconductor memories and a memory control unit. The plurality of semiconductor memories are at least a first area and a second area connected to different data buses, and transfer of write data and transfer of read data can be executed in parallel by the different data buses. It is divided into a first area and a second area. The memory control unit alternately assigns the first area and the second area when writing data to the memory unit, and sets the first area and the second area in a predetermined reference period. In parallel with transferring the write data to one of the areas, read data is read from the other area.
以下、実施形態のビデオサーバ、放送システム、及びメモリ制御方法を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a video server, a broadcasting system, and a memory control method according to embodiments will be described with reference to the drawings.
図1は、本実施形態の放送システム1及びビデオサーバ10の一例を示すブロック図である。
図1に示すように、放送システム1は、操作端末2と、カメラ装置3と、再生デッキ4と、編集装置5と、放送設備6と、モニタ装置7と、ビデオサーバ10とを備える。
放送システム1は、例えば、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5などの外部装置から送信された映像データなどのコンテンツデータ(素材データ)を記録するとともに、記録したコンテンツデータを放送設備6などに出力する。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a broadcast system 1 and a
As shown in FIG. 1, the broadcast system 1 includes an
For example, the broadcast system 1 records content data (material data) such as video data transmitted from an external device such as the
操作端末2は、例えば、上位制御装置、保守端末などであり、ユーザによる操作に応じて、各種データをビデオサーバ10に送信する。ここで、各種データは、例えば、制御コマンド、再生リストなどである。また、制御コマンドは、例えば、再生するコンテンツデータを選択するための指示、再生開始指示(オンエア指示)、又は、終了指示(例えば、再生終了指示)などである。
The
カメラ装置3は、ユーザによる操作に基づいて映像の撮影を行うとともに、マイク(不図示)を介して、音声を収録する。カメラ装置3は、撮像した画像データ(映像データ)と、収録した音声データとを対応付けて(同期させて)、コンテンツデータを生成する。カメラ装置3は、ユーザによる操作に基づいて、生成したコンテンツデータを、ビデオサーバ10に送信する。
The
再生デッキ4は、ユーザによる操作に基づいて、各種の記録媒体(記録メディア)に記録されたコンテンツデータを、ビデオサーバ10に送信する。ここで、各種の記録媒体は、例えば、フラッシュメモリ(半導体素子メモリ)、テープメディア、又はハードディスクなどである。また、各種の記録媒体は、例えば、映画フィルム又はオーディオカセットでもよい。また、再生デッキ4は、コンテンツデータを、例えば、ベースバンド信号によりビデオサーバ10に送信してもよい。
The
編集装置5は、ユーザによる操作に基づいて、編集したコンテンツデータをビデオサーバ10に送信(転送)する。編集装置5は、コンテンツデータを、例えば、MXF(Material eXchange Format)ファイルの形式により送信してもよい。
なお、本実施形態において、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5は、コンテンツデータをビデオサーバ10に送信する送信装置の一例である。
The
In the present embodiment, the
ビデオサーバ10は、例えば、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5などの送信装置からオンエア用放送番組のコンテンツデータを記録(収録)し、オンエア指示にしたがって該当するコンテンツデータを選択的に再生(送出)する。ビデオサーバ10は、ユーザの操作に基づく指示にしたがい、コンテンツデータの書き込み制御、又は読み出し制御を行う。
また、ビデオサーバ10は、取得部11と、メモリ装置12と、出力部13と、サーバ制御部14とを備える。
For example, the
The
取得部11は、例えば、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5などから送られてくる映像信号などのコンテンツデータを取得し、取得したコンテンツデータを符号化する収録処理を実行する。取得部11は、後述するサーバ制御部14の制御に基づいて、この収録処理を実行し、符号化されたコンテンツデータをメモリ装置12に出力する。ここで、コンテンツデータには、例えば、映像データ、音声データなどが含まれる。
For example, the
メモリ装置12は、サーバ制御部14の制御に基づいて、コンテンツデータを収録(記憶)する記憶装置である。メモリ装置12は、メモリ管理部120と、複数のメモリユニット100(100−1、100−2、・・・、100−M)とを備える。なお、メモリユニット100−1、メモリユニット100−2、・・・、メモリユニット100−Mは、同一の構成であり、ビデオサーバ10又はメモリ装置12が備える任意のメモリユニットを示す場合、又は特に区別しない場合には、メモリユニット100として説明する。
The
メモリ管理部120は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などを含むプロセッサであり、メモリ装置12を統括的に制御する。メモリ管理部120は、例えば、メモリ装置12に入力されたコンテンツデータを当該コンテンツデータ及び誤り訂正符号を含む記録用データに変換し、変換した記録用データをメモリユニット100に記憶させる。ここで、誤り訂正符号は、例えば、リードソロモン符号などの誤り訂正のための冗長データである。
The
また、メモリ管理部120は、例えば、サーバ制御部14の制御に基づいて、メモリユニット100から記録用データを読み出し、読み出した記録用データをコンテンツデータに変換する。メモリ管理部120は、読み出した(変換した)コンテンツデータを出力部13に出力する。
なお、メモリユニット100の構成については、図2を参照して後述する。
For example, the
The configuration of the
出力部13は、メモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを復号し、復号したコンテンツデータ(例えば、映像信号など)を出力する再生処理を実行する。このように、出力部13は、メモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを出力する。出力部13は、サーバ制御部14によってメモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを、例えば、ファイルとして出力するようにしてもよい。
The
サーバ制御部14は、例えば、CPUなどを含むプロセッサであり、ビデオサーバ10を統括的に制御する。サーバ制御部14は、取得部11によって取得したコンテンツデータをメモリ装置12が有するメモリユニット100に記録させるとともに、メモリユニット100に記録されたコンテンツデータをメモリユニット100から読み出す。
The
サーバ制御部14は、例えば、コンテンツデータを収録する場合に、取得部11に対してコンテンツデータの取得を指示するとともに、取得したコンテンツデータを符号化させる指示をする。そして、サーバ制御部14は、メモリ装置12に対してコンテンツデータの書き込みを指示する。これにより、サーバ制御部14は、取得部11によって取得したコンテンツデータをメモリ装置12が有するメモリユニット100に記録させる。
また、サーバ制御部14は、例えば、コンテンツデータを再生する場合に、メモリ装置12に対してコンテンツデータの読み出しを指示するとともに、出力部13に対して、読み出したコンテンツデータを符号化されたデータから復号して、復号したコンテンツデータを出力させる指示をする。
For example, when recording the content data, the
Further, for example, when reproducing the content data, the
放送設備6は、再生されたコンテンツデータをビデオサーバ10の出力部13から受信する。放送設備6は、再生されたコンテンツデータを放送する。また、放送設備6は、有線及び無線のいずれによりコンテンツデータを放送してもよい。
The
モニタ装置7は、再生されたコンテンツデータを、ビデオサーバ10の出力部13から受信する。モニタ装置7は、コンテンツデータとしての画像を、画面にプレビュー表示する。また、モニタ装置7は、コンテンツデータとしての音声を、スピーカ(不図示)から出力してもよい。
The monitor device 7 receives the reproduced content data from the
次に、図2を参照して、メモリユニット100の構成について説明する。
図2は、本実施形態のメモリユニット100の一例を示すブロック図である。
図2に示すように、メモリユニット100は、複数のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N、及び、112−1、112−2、・・・、112−N)と、メモリコントローラ130とを備える。なお、フラッシュメモリ111−1、フラッシュメモリ111−2、・・・、フラッシュメモリ111−N、及び、フラッシュメモリ112−1、フラッシュメモリ112−2、・・・、フラッシュメモリ112−Nは、同一の構成であり、メモリユニット100が備える任意のフラッシュメモリを示す場合、又は特に区別しない場合には、フラッシュメモリ110として説明する。
Next, the configuration of the
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of the
As shown in FIG. 2, the
フラッシュメモリ110は、例えば、MLC型のNANDフラッシュメモリLSI(large Scale Integration)である。ここで、MLC型とは、例えば、1つのメモリセルに複数レベルを記憶するタイプのことである。なお、本実施形態において、フラッシュメモリ110は、半導体メモリの一例である。
また、複数のフラッシュメモリ110は、エリアA1(第1のエリア)及びエリアA2(第2のエリア)に分割されている。
The
The plurality of
エリアA1は、内部アドレスバスBS11及び内部データバスBS21(データバスの一例)に接続されているN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)を有している。また、フラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)には、エリアA1のフラッシュメモリ110の書き込み及び読み出しを制御するR/W制御信号を供給する制御信号線SL11が接続されている。ここで、Nは、2以上の整数である。例えば、フラッシュメモリ110が8ビットのデータ幅のデータであり、Nが“4”である場合に、内部データバスBS21は、32ビット幅のデータバスであり、32ビットのうちの各8ビットのデータ線が、各フラッシュメモリ110に接続されている。この内部データバスBS21及び内部アドレスバスBS11によって、4個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−4)は、並列に(同時に)書き込み及び読み出しが可能である。
The area A1 has N flash memories 110 (111-1, 111-2,..., 111-N) connected to the internal address bus BS11 and the internal data bus BS21 (an example of a data bus). ing. Further, the control signal line SL11 that supplies an R / W control signal for controlling writing and reading of the
エリアA2は、内部アドレスバスBS12及び内部データバスBS22(データバスの一例)に接続されているN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)を有している。また、フラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)には、エリアA2のフラッシュメモリ110の書き込み及び読み出しを制御するR/W制御信号を供給する制御信号線SL12が接続されている。ここで、Nは、2以上の整数である。例えば、フラッシュメモリ110が8ビットのデータ幅のデータであり、Nが“4”である場合に、内部データバスBS22は、32ビット幅のデータバスであり、32ビットのうちの各8ビットのデータ線が、各フラッシュメモリ110に接続されている。この内部データバスBS22及び内部アドレスバスBS12によって、4個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−4)は、並列に(同時に)書き込み及び読み出しが可能である。
The area A2 includes N flash memories 110 (112-1, 112-2,..., 112-N) connected to the internal address bus BS12 and the internal data bus BS22 (an example of a data bus). ing. Further, the control signal line SL12 that supplies an R / W control signal for controlling writing and reading of the
なお、内部アドレスバスBS11と内部アドレスバスBS12とは、同一の構成であり、メモリユニット100が備える任意の内部アドレスバスを示す場合、又は特に区別しない場合には、内部アドレスバスBS10として説明する。また、内部データバスBS21と内部データバスBS22とは、同一の構成であり、メモリユニット100が備える任意の内部データバスを示す場合、又は特に区別しない場合には、内部データバスBS20として説明する。また、制御信号線SL11と制御信号線SL12とは、同一の構成であり、メモリユニット100が備える任意の制御信号線を示す場合、又は特に区別しない場合には、制御信号線SL10として説明する。
また、図2に示す例では、説明の都合上、エリアA1と、エリアA2との1つの組を記載しているが、フラッシュメモリ110は、エリアA1とエリアA2と同様の組を複数備えているものとする。
Note that the internal address bus BS11 and the internal address bus BS12 have the same configuration, and will be described as the internal address bus BS10 when indicating an arbitrary internal address bus provided in the
In the example shown in FIG. 2, for convenience of explanation, one set of area A1 and area A2 is described. However, the
上述したように、複数のフラッシュメモリ110(半導体メモリ)は、異なる内部データバスBS20(BS21、BS22)に少なくとも接続されたエリアA1(第1のエリア)及びエリアA2(第2のエリア)に分割されている。このエリアA1及びエリアA2は、異なる内部データバスBS20(BS21、BS22)によって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能である。 As described above, the plurality of flash memories 110 (semiconductor memories) are divided into an area A1 (first area) and an area A2 (second area) connected to at least different internal data buses BS20 (BS21, BS22). Has been. In areas A1 and A2, the transfer of write data and the transfer of read data can be executed in parallel by different internal data buses BS20 (BS21, BS22).
メモリコントローラ130は、メモリユニット100が有する複数のフラッシュメモリ110に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。メモリコントローラ130は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Array)などの集積回路である。メモリコントローラ130とメモリ管理部120との間には、外部アドレスバスBS30及び外部データバスBS40が接続されている、また、メモリコントローラ130には、メモリ管理部120から同期信号(例えば、CLK(クロック)信号)が供給される。なお、本実施形態において、メモリコントローラ130は、メモリ制御部の一例である。
The
メモリコントローラ130は、例えば、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当て、所定の基準期間において、エリアA1及びエリアA2のうちの一方のエリア(例えば、エリアA1)に、書き込みデータを転送する。また、メモリコントローラ130は、一方のエリア(例えば、エリアA1)に、書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリア(例えば、エリアA2)から読み出しデータを読み出す。ここで、所定の基準期間とは、上述した同期信号の1周期期間(1CLK期間)である。
For example, when writing data to the
例えば、メモリコントローラ130は、メモリ管理部120から記録用データを取得し、当該記録用データをN個のデータに分割し、分割したN個のデータをエリアA1又はエリアA2のN個のフラッシュメモリ110に記憶させる。メモリコントローラ130は、例えば、エリアA1のフラッシュメモリ110に記録用データを記憶させた場合に、次回の書き込みにおいて、エリアA2のフラッシュメモリ110に次の記録用データを記憶させる。また、メモリコントローラ130は、例えば、エリアA2のフラッシュメモリ110に記録用データを記憶させた場合に、次回の書き込みにおいて、エリアA1のフラッシュメモリ110に次の記録用データを記憶させる。このように、メモリコントローラ130は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当てる。
For example, the
また、メモリコントローラ130は、例えば、エリアA1のフラッシュメモリ110に記録用データを記憶させている間に平行して、エリアA2のフラッシュメモリ110から記録用データを読み出すことが可能である。また、メモリコントローラ130は、例えば、エリアA2のフラッシュメモリ110に記録用データを記憶させている間に平行して、エリアA1のフラッシュメモリ110から記録用データを読み出すことが可能である。
また、メモリコントローラ130は、所定の基準期間(例えば、1CLK期間)において、読み出した読み出しデータ(例えば、記録用データ)に誤り訂正不可能な誤りがある場合に、読み出しと同一の所定の基準期間内に、読み出しデータを再度読み出すリードリトライ処理を実行する。
For example, the
In addition, the
メモリコントローラ130は、リードライト制御処理部131と、誤り訂正処理部132と、リードリトライ処理部133とを備える。なお、メモリコントローラ130は、同一の所定の基準期間内に、読み出し処理、誤り判定処理、誤り訂正処理、及びリードリトライ処理を実行するために、同期信号(CLK信号)を逓倍するPLL(Phase Locked Loop)回路を備えていてもよい。
The
リードライト制御処理部131は、メモリ管理部120から外部アドレスバスBS30及び外部データバスBS40を介して記録用データを取得し、当該記録用データをN個のデータに分割する。リードライト制御処理部131は、分割したN個の分割データをエリアA1又はエリアA2のN個のフラッシュメモリ110に記憶させる。リードライト制御処理部131は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当てる。
The read / write
また、リードライト制御処理部131は、一方のエリアに、書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから分割データを読み出す。リードライト制御処理部131は、読み出した分割データを統合して記録用データを生成する。リードライト制御処理部131は、記録用データを後述する誤り訂正処理部132に供給して、読み出した記録用データに誤りがあるか否か、及び記録用データが誤り訂正可能であるか否かの判定結果を誤り訂正処理部132から取得する。
Further, the read / write
リードライト制御処理部131は、読み出した記録用データに誤りがない場合には、当該記録用データを、外部データバスBS40を介してメモリ管理部120に出力する。また、リードライト制御処理部131は、記録用データが誤り訂正可能である場合には、訂正された記録用データを誤り訂正処理部132から取得し、取得した当該記録用データを、外部データバスBS40を介してメモリ管理部120に出力する。また、リードライト制御処理部131は、記録用データが誤り訂正不可能である場合には、後述するリードリトライ処理部133がリードリトライ処理を実行して読み出した分割データを統合した記録用データを、外部データバスBS40を介してメモリ管理部120に出力する。
なお、リードライト制御処理部131は、外部データバスBS40を介して、例えば、所定の基準期間の前半期間で、書き込み用の記録用データを取得し、当該所定の基準期間の後半期間で、読み出した記録用データをメモリ管理部120に出力する。
If there is no error in the read recording data, the read / write
The read / write
誤り訂正処理部132は、リードライト制御処理部131から取得した記録用データに誤りがあるか否かを判定する。誤り訂正処理部132は、例えば、記録用データに含まれるコンテンツデータ及び誤り訂正符号に基づいて、取得した記録用データに誤りがあるか否かを判定する。また、誤り訂正処理部132は、取得した記録用データに誤りがある場合には、当該記録用データが誤り訂正可能であるか否を判定する。誤り訂正処理部132は、記録用データが誤り訂正可能である場合には、誤り訂正した記録用データを、当該判定結果とともに、リードライト制御処理部131に出力する。
The error
また、誤り訂正処理部132は、記録用データが誤り訂正不可能である場合には、当該判定結果をリードライト制御処理部131に出力するとともに、リードリトライ処理部133にリードリトライ処理を実行させる。
また、誤り訂正処理部132は、取得した記録用データに誤りがない場合に、当該判定結果をリードライト制御処理部131に出力する。
Further, if the recording data cannot be corrected, the error
Further, the error
リードリトライ処理部133は、誤り訂正処理部132によって、記録用データが誤り訂正不可能であると判定された場合に、記録用データを再読み出しするリードリトライ処理を実行する。リードリトライ処理部133は、前回読み出したエリア及びアドレスと同一のエリア及びアドレスに対応する分割データを再読み出しする。リードリトライ処理部133は、例えば、再読み出しした分割データを統合して記録用データを生成し、当該記録用データをリードライト制御処理部131に供給する。
The read retry
次に、図面を参照して、本実施形態によるビデオサーバ10の動作について説明する。
図3は、本実施形態のビデオサーバ10の動作の一例を示すフローチャートである。
図3において、ビデオサーバ10は、まず、コンテンツデータを受信する(ステップS101)。ビデオサーバ10の取得部11は、例えば、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5などから送られてくる映像信号などのコンテンツデータを取得し、取得したコンテンツデータを符号化する収録処理を実行する。
Next, the operation of the
FIG. 3 is a flowchart showing an example of the operation of the
In FIG. 3, the
次に、ビデオサーバ10のサーバ制御部14は、コンテンツデータをメモリ装置12に記憶させる(ステップS102)。メモリ装置12のメモリ管理部120は、例えば、メモリ装置12に取得部11から入力された符号化されたコンテンツデータを、当該コンテンツデータ及び誤り訂正符号を含む記録用データに変換し、変換した記録用データをメモリユニット100に記憶させる。なお、メモリ管理部120は、例えば、複数のメモリユニット100(100−1、100−2、・・・、100−M)のうちの1つのメモリユニット100に記録用データを記憶させる。
Next, the
次に、サーバ制御部14は、操作端末2から再生リストを受信する(ステップS103)。ここで、再生リストは、例えば、再生するコンテンツデータの識別情報と、再生開始時刻情報とを対応付けた情報を含む。
Next, the
次に、サーバ制御部14は、操作端末2から取得した再生リストに基づいて、コンテンツデータをメモリ装置12から読み出す(ステップS104)。メモリ装置12のメモリ管理部120は、例えば、サーバ制御部14の再生リストにしたがった制御に基づいて、メモリユニット100から記録用データを再生開始時刻情報に応じて読み出し、読み出した記録用データをコンテンツデータに変換する。メモリ管理部120は、読み出した(変換した)コンテンツデータを出力部13に出力する。
Next, the
次に、ビデオサーバ10の出力部13は、コンテンツデータを再生する(ステップS105)。出力部13は、メモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを復号し、復号したコンテンツデータ(例えば、映像信号など)を出力する再生処理を実行する。出力部13は、メモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを、例えば、放送設備6に出力する。また、ステップS105の処理後に、サーバ制御部14は処理を終了する。
Next, the
なお、上述した図3に示す例では、ビデオサーバ10が、コンテンツデータをメモリ装置12に記憶させた後に、再生リストに基づいて、メモリ装置12からコンテンツデータを読み出し、当該コンテンツデータを出力する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ビデオサーバ10は、コンテンツデータをメモリ装置12に記憶させながら、メモリ装置12からコンテンツデータを読み出す処理を実行してもよい。すなわち、メモリ装置12は、コンテンツデータの書き込み処理と、読み出し処理を、並列に実行する場合があるものとする。
In the example shown in FIG. 3 described above, the
次に、図4を参照して、メモリユニット100の書き込み処理について説明する。
図4は、本実施形態のメモリユニット100の書き込み処理の一例を示すフローチャートである。
図4に示すように、メモリユニット100のメモリコントローラ130は、まず、外部データバスBS40から記録用データを取得する(ステップS201)。すなわち、メモリコントローラ130は、外部データバスBS40を介して、メモリ装置12のメモリ管理部120から記録用データを取得する。
Next, the writing process of the
FIG. 4 is a flowchart showing an example of the writing process of the
As shown in FIG. 4, the
次に、メモリコントローラ130は、記録用データをN個の分割データに分割し、第1のエリア(例えば、エリアA1)と第2のエリア(例えば、エリアA2)とで交互に割り当てて、N個の分割データを、フラッシュメモリ110に書き込む(ステップS202)。すなわち、メモリコントローラ130のリードライト制御処理部131は、メモリ管理部120から外部アドレスバスBS30及び外部データバスBS40を介して記録用データを取得し、当該記録用データをN個の分割データに分割する。リードライト制御処理部131は、分割したN個の分割データをエリアA1又はエリアA2のN個のフラッシュメモリ110に記憶させる。リードライト制御処理部131は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当てる。
Next, the
例えば、リードライト制御処理部131は、エリアA1のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)にN個の分割データを記憶させた場合に、次回の書き込みにおいて、エリアA2のフラッシュメモリ110に次の記録用データを記憶させる。すなわち、この場合、リードライト制御処理部131は、例えば、次回の所定の基準期間(1CLK期間)において、エリアA2のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)に次の記録用データを記憶させる。
For example, when the read / write
また、リードライト制御処理部131は、エリアA2のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)にN個の分割データを記憶させた場合に、次回の書き込みにおいて、エリアA1のフラッシュメモリ110に次の記録用データを記憶させる。すなわち、この場合、リードライト制御処理部131は、例えば、次回の所定の基準期間(1CLK期間)において、エリアA1のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)に次の記録用データを記憶させる。
このように、メモリコントローラ130(リードライト制御処理部131)は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当て、コンテンツデータの全データの記録(収録)完了まで、記録用データを記憶させる処理を繰り返す。ステップS202の処理後に、リードライト制御処理部131は、メモリユニット100の書き込み処理を終了する。
In addition, the read / write
As described above, when writing data to the
次に、図5を参照して、メモリユニット100の読み出し処理について説明する。
図5は、本実施形態のメモリユニット100の読み出し処理の一例を示すフローチャートである。
図5に示すように、メモリユニット100のメモリコントローラ130は、まず、外部アドレスバスBS30に対応するN個の分割データを読み出す(ステップS301)。すなわち、メモリコントローラ130のリードライト制御処理部131は、取得したアドレスに対応するエリアを選択し、選択した当該エリアの内部アドレスバスBS10に対応するアドレスを出力し、内部アドレスバスBS10を介して、N個の分割データをN個のフラッシュメモリ110から読み出す。
Next, the reading process of the
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a read process of the
As shown in FIG. 5, the
次に、リードライト制御処理部131は、N個の分割データを統合して記録用データを生成する(ステップS302)。リードライト制御処理部131は、N個の分割データを統合した記録用データを誤り訂正処理部132に出力する。
Next, the read / write
次に、メモリコントローラ130の誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがあるか否かを判定する(ステップS303)。誤り訂正処理部132は、例えば、記録用データに含まれるコンテンツデータ及び誤り訂正符号に基づいて、記録用データに誤りがあるか否かを判定する。誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがある場合(ステップS303:YES)に、処理をステップS304に進める。また、誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがない場合(ステップS303:NO)に、処理をステップS307に進める。
Next, the error
ステップS304において、誤り訂正処理部132は、記録用データの誤りが訂正可能であるか否かを判定する。誤り訂正処理部132は、例えば、誤りの数が所定の数以上である場合に、記録用データの誤りが訂正可能であると判定する。誤り訂正処理部132は、記録用データの誤りが訂正可能である場合(ステップS304:YES)に、処理をステップS305に進める。また、誤り訂正処理部132は、記録用データの誤りが訂正可能でない場合(ステップS304:NO)に、処理をステップS306に進める。
In step S304, the error
ステップS305において、誤り訂正処理部132は、記録用データを誤り訂正する。誤り訂正処理部132は、例えば、リードソロモン符号などの誤り訂正手法を利用して、記録用データを誤り訂正する。誤り訂正処理部132は、誤り訂正した記録用データを、当該判定結果とともに、リードライト制御処理部131に出力する。ステップS305の処理後に、誤り訂正処理部132は、処理をステップS307に進める。
In step S305, the error
ステップS306において、メモリコントローラ130のリードリトライ処理部133は、リードリトライ処理を実行する。すなわち、リードリトライ処理部133は、誤り訂正処理部132によって、記録用データが誤り訂正不可能であると判定された場合に、記録用データを再読み出しするリードリトライ処理を実行する。リードリトライ処理部133は、前回読み出したエリア及びアドレスと同一のエリア及びアドレスに対応する分割データを再読み出しする。リードリトライ処理部133は、例えば、再読み出しした分割データを統合して記録用データを生成し、当該記録用データをリードライト制御処理部131に出力する。
In step S306, the read retry
次に、リードライト制御処理部131は、記録用データを外部データバスBS40から出力する(ステップS307)。すなわち、リードライト制御処理部131は、フラッシュメモリ110から読み出した記録用データを、外部データバスBS40を介して、メモリ装置12のメモリ管理部120に出力する。
Next, the read / write
次に、リードライト制御処理部131は、次の記録用データがあるか否かを判定する(ステップS308)。リードライト制御処理部131は、次の記録用データがある場合(ステップS308:YES)に、処理をステップS301に戻して、ステップS301からステップS307の処理を繰り返す。また、リードライト制御処理部131は、次の記録用データがない場合(ステップS308:NO)に、処理を終了する。
Next, the read / write
なお、メモリコントローラ130は、上述したステップS301からステップS307までの処理を、同期信号の1周期期間(1CLK期間)内に実行する。
また、メモリコントローラ130は、上述した図4に示すメモリユニット100の書き込み処理と、図5に示すメモリユニット100の読み出し処理とを並列に実行する場合がある。
Note that the
Further, the
次に、図6及び図7を参照して、メモリユニット100の書き込み処理と、読み出し処理とが並列に実行される場合の動作について詳細に説明する。
図6は、本実施形態のメモリユニット100の動作の一例を示すタイミングチャートである。図6に示す例は、書き込み処理と、読み出し処理とが並列に実行され、読み出し処理において、リードリトライ処理が発生しない場合の一例を示している。
Next, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, the operation when the writing process and the reading process of the
FIG. 6 is a timing chart showing an example of the operation of the
図6において、タイミングチャートの項目は、上から順に、「同期信号(CLK)」(波形W1)、「エリアA1のリードライト制御処理」、「内部データバスBS21」、「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」、「エリアA2のリードライト制御処理」、「内部データバスBS22」、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」、及び「外部データバスBS40」を示している。 In FIG. 6, items in the timing chart are “synchronization signal (CLK)” (waveform W1), “read / write control processing of area A1”, “internal data bus BS21”, “error determination of area A1, And “retry processing”, “read / write control processing of area A2”, “internal data bus BS22”, “error determination and retry processing of area A2”, and “external data bus BS40”.
「内部データバスBS21」は、内部データバスBS21の値を示し、「内部データバスBS22」は、内部データバスBS22の値を示している。また、「外部データバスBS40」は、外部データバスBS40の値を示している。
また、「エリアA1のリードライト制御処理」及び「エリアA2のリードライト制御処理」は、メモリコントローラ130が、各エリアに対して、読み出し処理と書き込み処理とのうちのいずれを実行しているのかを示している。
“Internal data bus BS21” indicates the value of the internal data bus BS21, and “Internal data bus BS22” indicates the value of the internal data bus BS22. “External data bus BS40” indicates the value of the external data bus BS40.
In addition, in the “read / write control process for area A1” and the “read / write control process for area A2,” which of the read process and the write process is executed by the
また、「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」は、エリアA1に対する誤り訂正処理部132による判定結果、及び、リードリトライ処理部133によって、リードリトライ処理が実行されたか否かを示している。また、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」は、エリアA2に対する誤り訂正処理部132による判定結果、及び、リードリトライ処理部133によって、リードリトライ処理が実行されたか否かを示している。「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」と、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」とにおいて、“P”は、読み出した記録用データに誤りがない、又は訂正可能な誤りであることを示している。
“Error determination and retry processing in area A1” indicates the determination result by the error
時刻T0において、同期信号(CLK信号)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、外部データバスBS40から取得した記録用データ(WD1、WD2、・・・、WDN)を、エリアA1の内部データバスBS21に出力する。また、リードライト制御処理部131は、エリアA1のR/W制御信号を、書き込み処理を示す状態にするため、「エリアA1のリードライト制御処理」は、“書き込み処理”となる。これにより、エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)のそれぞれは、例えば、時刻T1における同期信号(CLK)の立下りで、記録用データの分割データ(WD1、WD2、・・・、WDN)を取得し、当該分割データを記憶する。すなわち、フラッシュメモリ111−1が、分割データWD1を記憶し、フラッシュメモリ111−2が、分割データWD2を記憶し、フラッシュメモリ111−Nが、分割データWDNを記憶する。
When the synchronization signal (CLK signal) rises at time T0, the read / write
また、並列して時刻T0において、同期信号(CLK信号)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、エリアA2のR/W制御信号を、読み出し処理を示す状態にする。これにより、「エリアA2のリードライト制御処理」は、“読み出し処理”である。エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1、RD2、・・・、RDN)をエリアA2の内部データバスBS22に出力する。また、誤り訂正処理部132は、読み出した分割データを統合した記録用データに誤りがあるか否か、及び、誤りがある場合に訂正可能であるか否かを判定する。ここでは、誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがない、又は、訂正可能であると判定する場合の一例であるため、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」は、“P”となる。
When the synchronization signal (CLK signal) rises in parallel at time T0, the read / write
次に、時刻T1において、同期信号(CLK信号)が立ち下がると、リードライト制御処理部131は、エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)から読み出した分割データを統合した記録用データ(RD1、RD2、・・・、RDN)を、外部データバスBS40に出力する。
Next, when the synchronization signal (CLK signal) falls at time T1, the read / write
時刻T2において、同期信号(CLK信号)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、外部データバスBS40から取得した記録用データ(WD1、WD2、・・・、WDN)を、エリアA2の内部データバスBS22に出力する。また、リードライト制御処理部131は、エリアA2のR/W制御信号を、書き込み処理を示す状態にするため、「エリアA2のリードライト制御処理」は、“書き込み処理”となる。これにより、エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)のそれぞれは、例えば、時刻T3における同期信号(CLK)の立下りで、記録用データの分割データ(WD1、WD2、・・・、WDN)を取得し、当該分割データを記憶する。すなわち、フラッシュメモリ112−1が、分割データWD1を記憶し、フラッシュメモリ112−2が、分割データWD2を記憶し、フラッシュメモリ112−Nが、分割データWDNを記憶する。
When the synchronization signal (CLK signal) rises at time T2, the read / write
また、並列して時刻T3において、同期信号(CLK)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、エリアA1のR/W制御信号を、読み出し処理を示す状態にする。これにより、「エリアA1のリードライト制御処理」は、“読み出し処理”である。エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1、RD2、・・・、RDN)をエリアA1の内部データバスBS21に出力する。また、誤り訂正処理部132は、読み出した分割データを統合した記録用データに誤りがあるか否か、及び、誤りがある場合に訂正可能であるか否かを判定する。ここでは、誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがない、又は、訂正可能であると判定する場合の一例であるため、「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」は、“P”となる。
When the synchronization signal (CLK) rises in parallel at time T3, the read / write
次に、時刻T3において、同期信号(CLK)が立ち下がると、リードライト制御処理部131は、エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)から読み出した分割データを統合した記録用データ(RD1、RD2、・・・、RDN)を、外部データバスBS40に出力する。
Next, when the synchronization signal (CLK) falls at time T3, the read / write
続く時刻T4から時刻T6までの処理は、上述した時刻T0から時刻T2までの処理と同様であるため、ここではその説明を省略する。このように、リードライト制御処理部131は、書き込み処理において、エリアA1とエリアとを交互に割り当てる。
また、時刻T6から時刻T7は、時刻T2から時刻T4までの処理と時刻T0から時刻T2までの処理とを交互に繰り返し、時刻T7から時刻T9までの処理は、例えば、時刻T2から時刻T4までの処理と同様である。
The subsequent processing from time T4 to time T6 is the same as the processing from time T0 to time T2 described above, and therefore description thereof is omitted here. As described above, the read / write
Also, from time T6 to time T7, the processing from time T2 to time T4 and the processing from time T0 to time T2 are alternately repeated, and the processing from time T7 to time T9 is, for example, from time T2 to time T4. This is the same as the process.
また、メモリユニット100は、時刻T0から時刻T9までの処理(書き込み処理)を、エリアA1及びエリアA2のフラッシュメモリ110の記憶領域がなくなるまで繰り返す。そして、メモリユニット100は、エリアA1及びエリアA2のフラッシュメモリ110の記憶領域がなくなった場合に、エリアA1とエリアA2と同様の組(例えば、エリアA3及びエリアA4の組など)に対して、エリアA1とエリアA2と同様の処理を実行する。
In addition, the
例えば、複数のフラッシュメモリ110が、エリアA1からエリアA6の6個のエリアに分割される場合には、エリアA1、エリアA3、及びエリアA5が第1のエリアであり、エリアA2、エリアA4、及びエリアA6が第2のエリアである。すなわち、この場合、メモリユニット100は、第1のエリアと第2のエリアとの組を、3組持つことになる。この場合、メモリユニット100(メモリコントローラ130)は、上述した時刻T0から時刻T9までの処理(書き込み処理)を、例えば、エリアA1とエリアA2との組、エリアA3とエリアA4との組、エリアA5とエリアA6との組の順に実行する。
For example, when the plurality of
図7は、本実施形態のメモリユニット100のリードリトライ処理を含む動作の一例を示すタイミングチャートである。図7に示す例は、書き込み処理と、読み出し処理とが並列に実行され、読み出し処理において、リードリトライ処理が発生する場合の一例を示している。
FIG. 7 is a timing chart showing an example of an operation including a read retry process of the
図7において、タイミングチャートの項目は、図6と同様であえるのでここではその説明を省略する。なお、「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」と、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」とにおいて、“E”は、訂正不可能な誤りある場合を示している。また、“Retry”は、リードリトライ処理を示している。 In FIG. 7, the items in the timing chart can be the same as those in FIG. It should be noted that “E” in “area A1 error determination and retry processing” and “area A2 error determination and retry processing” indicates a case where there is an uncorrectable error. “Retry” indicates a read retry process.
時刻T10から時刻T12における処理は、上述した図6に示す時刻T0から時刻T2における処理と同様であるため、ここではその説明を省略する。
また、時刻T12から時刻T14におけるエリアA2に対する書き込み処理は、上述した図6に示す時刻T2から時刻T4におけるエリアA2に対する書き込み処理と同様であるため、ここではその説明を省略する。
Since the process from time T10 to time T12 is the same as the process from time T0 to time T2 shown in FIG. 6 described above, the description thereof is omitted here.
Further, the writing process for the area A2 from the time T12 to the time T14 is the same as the writing process for the area A2 from the time T2 to the time T4 shown in FIG.
また、並列して時刻T12において、同期信号(CLK信号)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、エリアA1のR/W制御信号を、読み出し処理を示す状態にする。これにより、「エリアA1のリードライト制御処理」は、“読み出し処理”である。エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1E、RD2E、・・・、RDNE)をエリアA1の内部データバスBS21に出力する。ここで、分割データ(RD1E、RD2E、・・・、RDNE)は、誤りを含んだ分割データである。また、誤り訂正処理部132は、読み出した分割データを統合した記録用データに誤りがあるか否か、及び、誤りがある場合に訂正可能であるか否かを判定する。ここでは、誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがあり、且つ、訂正不可能であると判定する場合の一例であるため、「エリアA1のエラー判定、及びリトライ処理」は、“E”となる。
When the synchronization signal (CLK signal) rises in parallel at time T12, the read / write
また、この場合、例えば、時刻T13おいて、リードリトライ処理部133がリードリトライ処理を実行する。リードリトライ処理部133は、エリアA1の同一のアドレスに対応する分割データを再読み出しする。すなわち、エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1、RD2、・・・、RDN)をエリアA1の内部データバスBS21に出力する。
In this case, for example, the read retry
また、時刻T13において、同期信号(CLK信号)が立ち下がると、リードライト制御処理部131は、リードリトライ処理によって、エリアA1のN個のフラッシュメモリ110(111−1、111−2、・・・、111−N)から再読み出した分割データを統合した記録用データ(RD1、RD2、・・・、RDN)を、外部データバスBS40に出力する。
Also, at time T13, when the synchronization signal (CLK signal) falls, the read / write
次に、時刻T14から時刻T16におけるエリアA1に対する書き込み処理は、上述した図6に示す時刻T4から時刻T6におけるエリアA1に対する書き込み処理と同様であるため、ここではその説明を省略する。 Next, the writing process on the area A1 from the time T14 to the time T16 is the same as the writing process on the area A1 from the time T4 to the time T6 shown in FIG.
また、並列して時刻T14において、同期信号(CLK信号)が立ち上がると、リードライト制御処理部131は、エリアA2のR/W制御信号を、読み出し処理を示す状態にする。これにより、「エリアA2のリードライト制御処理」は、“読み出し処理”である。エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1E、RD2E、・・・、RDNE)をエリアA2の内部データバスBS22に出力する。ここで、分割データ(RD1E、RD2E、・・・、RDNE)は、誤りを含んだ分割データである。また、誤り訂正処理部132は、読み出した分割データを統合した記録用データに誤りがあるか否か、及び、誤りがある場合に訂正可能であるか否かを判定する。ここでは、誤り訂正処理部132は、記録用データに誤りがあり、且つ、訂正不可能であると判定する場合の一例であるため、「エリアA2のエラー判定、及びリトライ処理」は、“E”となる。
Further, when the synchronization signal (CLK signal) rises in parallel at time T14, the read / write
また、この場合、例えば、時刻T15おいて、リードリトライ処理部133がリードリトライ処理を実行する。リードリトライ処理部133は、エリアA2の同一のアドレスに対応する分割データを再読み出しする。すなわち、エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)は、記憶されている分割データを読み出し、読み出した分割データ(RD1、RD2、・・・、RDN)をエリアA2の内部データバスBS22に出力する。
In this case, for example, at time T15, the read retry
また、時刻T15において、同期信号(CLK信号)が立ち下がると、リードライト制御処理部131は、リードリトライ処理によって、エリアA2のN個のフラッシュメモリ110(112−1、112−2、・・・、112−N)から再読み出した分割データを統合した記録用データ(RD1、RD2、・・・、RDN)を、外部データバスBS40に出力する。
また、時刻T16から時刻T19までの処理は、上述した図6に示す時刻T6から時刻T9までの処理と同様であるため、ここではその説明を省略する。
Further, when the synchronization signal (CLK signal) falls at time T15, the read / write
Further, the processing from time T16 to time T19 is the same as the processing from time T6 to time T9 shown in FIG.
以上説明したように、本実施形態によるビデオサーバ10は、メモリ装置12と、取得部11と、サーバ制御部14と、出力部13とを備える。メモリ装置12は、複数のメモリユニット100を有する。取得部11は、コンテンツデータを取得する。サーバ制御部14は、取得部11によって取得したコンテンツデータをメモリ装置12が有するメモリユニット100に記録させるとともに、メモリユニット100に記録されたコンテンツデータをメモリユニット100から読み出す。出力部13は、サーバ制御部14によってメモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを出力する。また、複数のメモリユニット100のそれぞれは、複数のフラッシュメモリ110(半導体メモリ)と、メモリコントローラ130(メモリ制御部)とを備える。複数のフラッシュメモリ110は、異なる内部データバスBS20(データバス)に少なくとも接続された第1のエリア(例えば、エリアA1)及び第2のエリア(例えば、エリアA2)であって、異なる内部データバスBS20によって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能な第1のエリア及び第2のエリアに分割されている。メモリコントローラ130は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、第1のエリアと第2のエリアとを交互に割り当て、所定の基準期間(例えば、1CLK期間)において、第1のエリア及び第2のエリアのうちの一方のエリアに、書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出す。
As described above, the
これにより、本実施形態によるビデオサーバ10は、第1のエリアと第2のエリアとを利用して、メモリ装置12に対して、コンテンツデータの書き込み処理と、コンテンツデータの読み出し処理とを並列して実行することができる。そのため、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、所定の基準期間に、通常の読み出し処理と再読み出しのリードリトライ処理との両方を実行することが可能である。例えば、本実施形態によるビデオサーバ10は、メモリ装置12にMLC型NANDフラッシュメモリを使用した場合であっても、リードリトライ処理によるスループットの低下を低減することができる。よって、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、メモリ装置12にMLC型NANDフラッシュメモリを使用した場合におけるスループット及び信頼性を高めることができる。
Accordingly, the
また、本実施形態によるビデオサーバ10は、リードリトライ処理が発生してもスループットの低下を低減することができるため、例えば、放送設備6に、コンテンツデータを送信する場合でも、送信が間に合わずに再生停止になることがない。
また、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、特定のメモリユニット100が故障して、メモリユニット100を交換する場合に、データを再構築するリビルト処理(再構築処理)のためのデータ転送においても同様に、スループットの低下を低減することができる。そのため、本実施形態によるビデオサーバ10は、メモリ装置12が故障した際の復旧までの期間を低減することができる。
また、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、異なる系統の記憶装置、ビデオサーバなどにデータを転送するマイグレーション処理においても同様に、スループットの低下を低減することができる。
In addition, since the
In addition, the
In addition, the
また、本実施形態では、メモリコントローラ130は、所定の基準期間(例えば、1CLK期間)において、読み出した読み出しデータに誤り訂正不可能な誤りがある場合に、読み出しと同一の所定の基準期間内に、読み出しデータを再度読み出すリトライ処理(リードリトライ処理)を実行する。
これにより、本実施形態によるビデオサーバ10は、所定の基準期間に、通常の読み出し処理と再読み出しのリードリトライ処理との両方を実行することができるため、スループットの低下を低減することができる。
Further, in the present embodiment, the
As a result, the
また、本実施形態では、複数のメモリユニット100のそれぞれは、第1のエリアと第2のエリアとの組を複数備える。
これにより、本実施形態によるビデオサーバ10は、第1のエリアと第2のエリアとの組を複数備えることで、スループットの低下を低減させずに、メモリユニット100の高容量化を容易に行うことができる。
In the present embodiment, each of the plurality of
As a result, the
また、本実施形態では、出力部13は、サーバ制御部14によってメモリ装置12から読み出されたコンテンツデータをファイルとして出力してもよい。
これにより、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、ファイルを外部に出力する場合であっても、リードリトライ処理によるスループットの低下を低減することができる。また、本実施形態によるビデオサーバ10は、例えば、他系統のビデオサーバに応じたファイルにより、スループットの低下させずに他系統のビデオサーバに出力することができる。
In the present embodiment, the
Thereby, the
また、本実施形態による放送システム1は、上述したビデオサーバ10と、コンテンツデータをビデオサーバ10に送信する送信装置(例えば、カメラ装置3、再生デッキ4、及び編集装置5など)と、ビデオサーバ10から出力されたコンテンツデータを放送する放送設備6とを備える。
これにより、本実施形態による放送システム1は、上述したビデオサーバ10と同様の効果を奏し、リードリトライ処理によるスループットの低下を低減することができる。
In addition, the broadcasting system 1 according to the present embodiment includes the
Thereby, the broadcasting system 1 according to the present embodiment has the same effect as the
また、本実施形態によるメモリ制御方法は、複数のメモリユニット100を有するメモリ装置12と、コンテンツデータを取得する取得部11と、取得部11によって取得したコンテンツデータをメモリ装置12が有するメモリユニット100に記録させるとともに、メモリユニット100に記録されたコンテンツデータをメモリユニット100から読み出すサーバ制御部14と、サーバ制御部14によってメモリ装置12から読み出されたコンテンツデータを出力する出力部13と、を備えるビデオサーバ10のメモリ制御方法であって、メモリ制御ステップを含む。複数のメモリユニット100のそれぞれは、複数のフラッシュメモリ110を備えている。複数のフラッシュメモリ110は、異なる内部データバスBS20に少なくとも接続された第1のエリア及び第2のエリアであって、異なる内部データバスBS20によって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能な第1のエリア及び第2のエリアに分割されている。そして、メモリ制御ステップにおいて、ビデオサーバ10は、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当て、所定の基準期間において、エリアA1及びエリアA2のうちの一方のエリアに、書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出す。
これにより、本実施形態による放送システム1は、上述したビデオサーバ10と同様の効果を奏し、リードリトライ処理によるスループットの低下を低減することができる。
In addition, the memory control method according to the present embodiment includes a
Thereby, the broadcasting system 1 according to the present embodiment has the same effect as the
上記の実施形態において、メモリコントローラ130は、読み出した記録用データに誤りがあるか否かを判定し、誤りがある場合に、誤りを訂正する処理を実行する例を説明したが、誤り訂正の処理を行わない形態であってもよい。また、この場合、記録用データに含まれる冗長データは、パリティやCRC(Cyclic Redundancy Check)などの誤り検出のためのデータであってもよい。
また、上記の実施形態において、リードリトライ処理部133は、1回のリードリトライ処理を実行する例を説明したが、リードリトライ処理を複数回実行するようにしてもよい。
In the above embodiment, the
In the above-described embodiment, the read retry
また、上記の実施形態において、誤り訂正処理部132は、リードソロモン符号による誤り訂正手法を適用する一例について説明したが、これに限定されるものではない。誤り訂正符号には、例えば、巡回符号、ハミング符号、BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)符号などを適用してもよいし、他の誤り訂正符号を適用してもよい。
In the above-described embodiment, the error
また、上記の実施形態において、メモリコントローラ130が、記録用データを分割して、分割データを生成する例を説明したが、メモリ管理部120が分割してもよい。このように、メモリコントローラ130が実行する処理の一部を、メモリ管理部120が実行してもよい。また、メモリ管理部120の処理の一部をメモリコントローラ130が実行するようにしてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態において、メモリ管理部120は、複数のメモリユニット100(100−1、100−2、・・・、100−M)のうちの1つのメモリユニット100に記録用データを記憶させる例を説明したが、これに限定されるものではない。メモリ管理部120は、例えば、記録用データを分割させた分割データを、複数のメモリユニット100に記憶させるようにしてもよい。
また、上記の実施形態において、メモリ管理部120及び複数のメモリユニット100(100−1、100−2、・・・、100−M)をメモリ基板(メモリセット)として、メモリ装置12は、複数のメモリ基板(メモリセット)を備えるようにしてもよい。
In the above embodiment, the
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態において、ビデオサーバ10は、放送設備6及びモニタ装置7にコンテンツデータを送信(出力)する例を説明したが、他系統のビデオサーバなどの他の装置に、コンテンツデータを送信するようにしてもよい。
また、上記の実施形態において、取得部11は、取得した映像信号などのコンテンツデータを符号化する機能を含む場合について説明したが、符号化されたコンテンツデータを取得してもよい。また、出力部13は、メモリ装置12から読み出されたコンテンツデータ(例えば、映像データ)を復号する機能を含む場合について説明したが、符号化されたコンテンツデータを出力してもよい。
In the above embodiment, the
Further, in the above-described embodiment, the case where the
また、上記の実施形態において、メモリユニット100が備える半導体メモリの一例として、フラッシュメモリ110が、MLC型NANDフラッシュメモリである例を説明したが、これに限定されるものではない。メモリユニット100が備える半導体メモリは、SLC(Single Level Cell)型のフラッシュメモリや、他の書き換え可能な半導体メモリ(例えば、EEPROM、RAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)など)であってもよい。
In the above-described embodiment, an example in which the
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、異なる内部データバスBS20に少なくとも接続されたエリアA1(第1のエリア)及びエリアA2(第2のエリア)であって、異なる内部データバスBS20によって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能なエリアA1及びエリアA2に分割された複数のフラッシュメモリ110と、メモリユニット100にデータを書き込む際に、エリアA1とエリアA2とを交互に割り当て、所定の基準期間において、エリアA1及びエリアA2のうちの一方のエリアに、書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出すメモリコントローラ130とを持つことにより、スループットの低下を低減することができる。
According to at least one embodiment described above, the area A1 (first area) and the area A2 (second area) connected at least to different internal data buses BS20, and different internal data buses BS20, A plurality of
なお、実施形態におけるビデオサーバ10が備える各構成の機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより上述したビデオサーバ10が備える各構成における処理を行ってもよい。ここで、「記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行する」とは、コンピュータシステムにプログラムをインストールすることを含む。ここでいう「コンピュータシステム」とは、OSや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。
また、「コンピュータシステム」は、インターネットやWAN、LAN、専用回線等の通信回線を含むネットワークを介して接続された複数のコンピュータ装置を含んでもよい。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。このように、プログラムを記憶した記録媒体は、CD−ROM等の非一過性の記録媒体であってもよい。
Note that a program for realizing the function of each component included in the
Further, the “computer system” may include a plurality of computer devices connected via a network including a communication line such as the Internet, WAN, LAN, and dedicated line. The “computer-readable recording medium” refers to a storage device such as a flexible medium, a magneto-optical disk, a portable medium such as a ROM and a CD-ROM, and a hard disk incorporated in a computer system. As described above, the recording medium storing the program may be a non-transitory recording medium such as a CD-ROM.
また、記録媒体には、当該プログラムを配信するために配信サーバからアクセス可能な内部又は外部に設けられた記録媒体も含まれる。なお、プログラムを複数に分割し、それぞれ異なるタイミングでダウンロードした後にビデオサーバ10が備える各構成で合体される構成や、分割されたプログラムのそれぞれを配信する配信サーバが異なっていてもよい。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、ネットワークを介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ(RAM)のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また、上記プログラムは、上述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であってもよい。
The recording medium also includes a recording medium provided inside or outside that is accessible from the distribution server in order to distribute the program. It should be noted that the program may be divided into a plurality of parts and downloaded at different timings, and the composition of the constituents of the
また、上述した機能の一部又は全部を、LSI(Large Scale Integration)等の集積回路として実現してもよい。上述した各機能は個別にプロセッサ化してもよいし、一部、又は全部を集積してプロセッサ化してもよい。また、集積回路化の手法はLSIに限らず専用回路、又は汎用プロセッサで実現してもよい。また、半導体技術の進歩によりLSIに代替する集積回路化の技術が出現した場合、当該技術による集積回路を用いてもよい。 Moreover, you may implement | achieve part or all of the function mentioned above as integrated circuits, such as LSI (Large Scale Integration). Each function described above may be individually made into a processor, or a part or all of them may be integrated into a processor. Further, the method of circuit integration is not limited to LSI, and may be realized by a dedicated circuit or a general-purpose processor. In addition, when an integrated circuit technology that replaces LSI appears due to the advancement of semiconductor technology, an integrated circuit based on the technology may be used.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1…放送システム、2…操作端末、3…カメラ装置、4…再生デッキ、5…編集装置、6…放送設備、7…モニタ装置、10…ビデオサーバ、11…取得部、12…メモリ装置、13…出力部、14…サーバ制御部、100,100−1,100−2,100−M…メモリユニット、110,111−1,111−2,111−N,112−1,112−2,112−N…フラッシュメモリ、120…メモリ管理部、130…メモリコントローラ、131…リードライト制御処理部、132…誤り訂正処理部、133…リードリトライ処理部、A1,A2…エリア、BS10,BS11,BS12…内部アドレスバス、BS20,BS21,BS22…内部データバス、BS30…外部アドレスバス、BS40…外部データバス、SL10,SL11,SL12…制御信号線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Broadcasting system, 2 ... Operation terminal, 3 ... Camera apparatus, 4 ... Playback deck, 5 ... Editing apparatus, 6 ... Broadcast equipment, 7 ... Monitor apparatus, 10 ... Video server, 11 ... Acquisition part, 12 ... Memory apparatus, DESCRIPTION OF
Claims (6)
コンテンツデータを取得する取得部と、
前記取得部によって取得した前記コンテンツデータを前記メモリ装置が有する前記メモリユニットに記録させるとともに、前記メモリユニットに記録された前記コンテンツデータを前記メモリユニットから読み出すサーバ制御部と、
前記サーバ制御部によって前記メモリ装置から読み出された前記コンテンツデータを出力する出力部と
を備え、
前記複数のメモリユニットのそれぞれは、
異なるデータバスに少なくとも接続された第1のエリア及び第2のエリアであって、前記異なるデータバスによって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能な第1のエリア及び第2のエリアに分割された複数の半導体メモリと、
前記メモリユニットにデータを書き込む際に、前記第1のエリアと前記第2のエリアとを交互に割り当て、所定の基準期間において、前記第1のエリア及び前記第2のエリアのうちの一方のエリアに、前記書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出すメモリ制御部と
を備える、ビデオサーバ。 A memory device having a plurality of memory units;
An acquisition unit for acquiring content data;
A server control unit that records the content data acquired by the acquisition unit in the memory unit included in the memory device and reads the content data recorded in the memory unit;
An output unit that outputs the content data read from the memory device by the server control unit,
Each of the plurality of memory units is
A first area and a second area which are at least connected to different data buses, wherein the first data area and the second data bus are capable of executing write data transfer and read data transfer in parallel by the different data bus; A plurality of semiconductor memories divided into a second area;
When writing data to the memory unit, the first area and the second area are alternately assigned, and one of the first area and the second area is assigned in a predetermined reference period. And a memory control unit for reading out the read data from the other area in parallel with the transfer of the write data.
所定の基準期間において、読み出した前記読み出しデータに誤り訂正不可能な誤りがある場合に、前記読み出しと同一の前記所定の基準期間内に、前記読み出しデータを再度読み出すリトライ処理を実行する
請求項1に記載のビデオサーバ。 The memory control unit
The retry process for reading the read data again is performed within the predetermined reference period that is the same as the reading when there is an error that cannot be corrected in the read data that has been read in the predetermined reference period. Video server as described in
前記第1のエリアと前記第2のエリアとの組を複数備える
請求項1又は請求項2に記載のビデオサーバ。 Each of the plurality of memory units is
The video server according to claim 1, comprising a plurality of sets of the first area and the second area.
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のビデオサーバ。 The video server according to any one of claims 1 to 3, wherein the output unit outputs the content data read from the memory device by the server control unit as a file.
前記コンテンツデータをビデオサーバに送信する送信装置と、
前記ビデオサーバから出力された前記コンテンツデータを放送する放送設備と
を備える、放送システム。 The video server according to any one of claims 1 to 4,
A transmission device for transmitting the content data to a video server;
A broadcasting system for broadcasting the content data output from the video server.
前記複数のメモリユニットのそれぞれは、異なるデータバスに少なくとも接続された第1のエリア及び第2のエリアであって、前記異なるデータバスによって、書き込みデータの転送と、読み出しデータの転送とを並列して実行可能な第1のエリア及び第2のエリアに分割された複数の半導体メモリを備えており、
前記メモリユニットにデータを書き込む際に、前記第1のエリアと前記第2のエリアとを交互に割り当て、所定の基準期間において、前記第1のエリア及び前記第2のエリアのうちの一方のエリアに、前記書き込みデータを転送するのと並列に、もう一方のエリアから読み出しデータを読み出すメモリ制御ステップを含む、メモリ制御方法。 A memory device having a plurality of memory units; an acquisition unit for acquiring content data; and the content data acquired by the acquisition unit is recorded in the memory unit of the memory device, and the recorded in the memory unit A memory control method for a video server, comprising: a server control unit that reads content data from the memory unit; and an output unit that outputs the content data read from the memory device by the server control unit,
Each of the plurality of memory units is a first area and a second area that are at least connected to different data buses, and transfer of write data and transfer of read data are performed in parallel by the different data buses. A plurality of semiconductor memories divided into a first area and a second area that can be executed,
When writing data to the memory unit, the first area and the second area are alternately assigned, and one of the first area and the second area is assigned in a predetermined reference period. And a memory control step of reading the read data from the other area in parallel with the transfer of the write data.
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