JP2018126516A - 組織厚さの見積もり - Google Patents

Abstract

【課題】 アブレーションのパラメータの測定を行うこと。【解決手段】 プローブ遠位端にある電極を使用して初期アブレーションを実施し、第１の電力を組織に印加することと、第１の電力を印加しながら、遠位端の温度変化を測定することと、を含む、方法。この方法はまた、測定された温度変化に応じて、組織の厚さを見積もることと、見積もられた厚さに応じて、組織のアブレーションを完了させるために、必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、を含む。この方法は、第２の電力及びアブレーションの時間のうちの計算された少なくとも１つを使用して、組織の後続のアブレーションを実施することを更に含む。【選択図】 図１

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、参照により本明細書に組み込まれる２０１７年２月１０日出願の米国特許仮出願第６２／４５７，２６６号の利益を主張するものである。

（発明の分野）
本発明は、概ね組織のアブレーションに、特にアブレーションのパラメータの測定に関する。

心拍と同様、電極電位の波は、約１秒に１回心臓を通り、心臓が正常に動作しているとき、心臓は洞律動にあると言われる。心房細動が発生している場合など、異常な事例では、心臓は洞律動ではなくなる。細動は、心臓を介した電位電極の波の不正確な運動によって生じる。

本特許出願に参照により組み込まれる文献は、いずれかの用語がこれらの組み込まれた文献において、本明細書に明確に又は暗示的になされる定義と矛盾する形で定義されている場合には、本明細書中の定義のみが考慮されるべきである点を除いて、本出願の一部とみなされるものとする。

本発明の実施形態は方法を提供するものであり、方法は、
プローブ遠位端にある電極を使用して組織の初期アブレーションを実施し、第１の電力を組織に印加することと、
第１の電力を印加しながら、遠位端の温度変化を測定することと、
測定された温度変化に応じて、組織の厚さを見積もることと、
見積もられた厚さに応じて、組織のアブレーションを完了するために必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、
第２の電力及びアブレーションの時間のうちの計算された少なくとも１つを使用して、組織の後続のアブレーションを実施することと、を含む。

開示されている実施形態では、この方法は、遠位端の温度変化と組織の厚さとの間の関係を判別することと、組織の厚さを見積もる際にその関係を使用することと、を含む。一般に、この方法は、初期アブレーションを実施する前に関係を判別することも含む。代替的に、又は追加的に、この方法は、組織に印加された注入電力と、組織を潅注するための潅注量と、に応じた関係を判別することを、更に含む。

更なる開示されている実施形態では、この方法は、初期アブレーションが既定の見積もられた損傷深さまで組織をアブレーションするように、第１の電力を選択することを含む。典型的に、この方法は、組織の見積もられた厚さと既定の見積もられた損傷深さとの差に応じて、必要とされる第２の電力及び時間のうちの少なくとも１つを計算することを含む。

なお更に開示されている実施形態では、この方法は、アブレーション指数を使用して、第１の電力及び第２の電力のうちの少なくとも１つを判別することを含む。

本発明の更なる実施形態によると、
方法であって、プローブ遠位端にある電極を使用して組織のアブレーションを実施し、組織に電力を印加することと、
電力を印加しながら遠位端の温度変化を測定することと、
測定された温度変化に応じて、組織の厚さを見積もることと、を含む、方法も提供されている。

代替の実施形態では、この方法は、アブレーションを実行する手術者に、組織の見積もられた厚さの値を表示することを含む。

本発明のなお更なる実施形態によると、装置であって、
遠位端を有するプローブと、
遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
プロセッサと、を含み、プロセッサが、
電極を用いて第１の電力を組織に印加することにより、組織の初期アブレーションを実施することと、
第１の電力を印加しながら、少なくとも１つの温度センサを使用して、遠位端の温度変化を測定することと、
測定された温度変化に応じて、組織の厚さを見積もることと、
見積もられた厚さに応じて、組織のアブレーションを完了するために、必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、
第２の電力及びアブレーションの時間のうちの計算された少なくとも１つを使用して、組織の後続のアブレーションを実行することと、を行うように構成されている、装置も提供されている。

本発明の別の実施形態によると、装置であって、
遠位端を有するプローブと、
遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
プロセッサと、を含み、プロセッサが、
電極を用いて第１の電力を組織に印加することにより、組織の初期アブレーションを実施することと、
第１の電力を印加しながら、少なくとも１つの温度センサを使用して、遠位端の温度変化を測定することと、
測定された温度変化に応じて、組織の厚さを見積もることと、を行うように構成されている、装置も提供されている。

以下の本開示の実施形態の詳細な説明を図面と併せ読むことで本開示のより完全な理解が得られるであろう。

本発明の実施形態による、装置を用いた侵襲性医療処置の概略図である。 本発明の実施形態による、装置で使用されるプローブの遠位端の概略図である。 本発明の一実施形態による、処置を実施する際に専門家がたどる工程のフローチャートである。

概要
心房細動を治療するための既知の処置は、心筋の選択された部分の高周波アブレーションである。アブレーションは、心筋に損傷を生成し、損傷は、心筋を通る電位電極の波の不正確な運動を補正するために、その波に対する電気的インピーダンスとして機能する。

アブレーションの量、すなわち、損傷を生成するのに使用されるエネルギーは、慎重に制御されなければならない。アンダーアブレーションとは典型的に、生成されたインピーダンスが波の運動を補正するのに不十分であることを意味し、オーバーアブレーションは、心臓に不可逆性外傷をもたらし得る。ただし、必要とされるアブレーションの量は、アブレーションされる組織の特性によって異なる。これらの特性としては、心筋を介して変化する異なる組織タイプ、並びに組織の厚さが挙げられる。

アブレーションされる組織の厚さは、典型的にアブレーションの前に獲得されるＭＲＩ（磁気共鳴像）像などの、心臓の像から推測され得るが、このデータは、アブレーションを実施する専門家には利用できない場合がある。この像が使用可能であったとしても、厚さを十分な精度にし得ないか、又は像を獲得してから厚さが変化した可能性がある。

本発明の実施形態は、アブレーション処置が実施されている間に、アブレーションされる組織の厚さの個々の測定を提供することによって、この問題を克服する。測定は、組織のアブレーション時に、所定の潅注量及び所定のアブレーション電力に対し、アブレーションを実施するプローブの遠位端によって測定される温度が、アブレーションされる組織の厚さとして直接変化するという、発明者による発見に依存する。すなわち、組織が厚いほど、遠位端で測定される温度は高くなる。

このように、典型的なアブレーション処置では、プローブの遠位端がアブレーションされる組織に近接して挿入され、組織の初期アブレーションは、典型的には１０秒〜２０秒の時間、遠位端によって印加される第１の電力を用いて実施される。電力が印加されている間、遠位端の温度、典型的には遠位端内の複数のセンサから計算される平均温度が測定される。アブレーションされる組織の厚さは、次いで、測定された温度から見積もられ、見積もられた厚さの値は、アブレーションを実施する手術者に表示され得る。見積もりは典型的に、遠位端の温度と、組織の厚さと、組織への注入電力と、組織を潅注するための潅注量と、の間の関係を使用することを含む。関係は典型的に、初期アブレーションを実施する前に判別される。

組織の厚さが見積もられると、初期電力が厚さを反映するように調節され得、アブレーション処置は、調節された電力を用いて完了される。

（詳細な説明）
図１は、本発明の一実施形態による、装置１２を用いた侵襲性医療処置の概略図であり、図２は、本発明の一実施形態による、その装置で使用されるプローブ２０の遠位端２２の概略図である。処置は、装置１２の手術者１４によって実施される。以下の説明では、手術者１４は医療専門家であることが想定され、本明細書では医療専門家１４と称される。後記の説明では、処置は、ヒト患者１８の心臓の心筋１６の組織１５の一部分のアブレーションを含むことが想定されている。

検査を行うために、専門家１４はプローブ２０を、患者の内腔に事前に配置されたシース２１に挿入する。シース２１の位置は、プローブの遠位端２２が患者の心臓に入るように設けられている。遠位端２２は、遠位端の位置及び向きが追跡されることを可能にする位置センサ２４と、遠位端が心筋に接触したときに遠位端によって印加される力を測定する力センサ２６と、遠位端のそれぞれの位置で温度を測定する１つ又は２つ以上の温度センサ２８と、を含む。遠位端２２はまた、心筋をアブレーションするため、心筋１６に高周波アブレーション電力を送達するのに使用される、電極３０を含む。電極３０はまた、以下に示すとおり、心筋から電極電位を獲得するのに使用され得る。

装置１２は、装置の操作コンソール４８内に位置するシステムプロセッサ４６により制御される。コンソール４８は制御装置４９を含み、専門家１４はこの制御装置４９を使用してプロセッサと通信する。プロセッサ４６用のソフトウェアは、例えば、ネットワークを介して電子形式でプロセッサにダウンロードされ得る。代替的に、又は追加的に、ソフトウェアは、例えば、光学的、磁気的、又は電子的記憶媒体のような非一時的有形媒体上で提供され得る。遠位端２２の追跡は典型的に、スクリーン６１上に表示される患者１８の心臓の三次元表現６０上に表示される。

装置１２を操作するために、プロセッサ４６は、装置を操作するためにプロセッサにより使用される幾つかのモジュールを有するモジュールバンク５０と通信する。したがって、バンク５０は、電極３０からの信号を獲得及び分析する心電計（ＥＣＧ）モジュール５６と、位置センサ２４からの信号を受信及び分析し、信号分析を使用して遠位端２２の位置及び向きを生成する、追跡モジュール５８と、を含む。幾つかの実施形態では、センサ２４は、コイルを通る磁界に応じてセンサ信号を提供する、１つ又は２つ以上のコイルを含む。これらの実施形態では、センサ２４から信号を受信及び分析することに加えて、追跡モジュール５８は、センサ２４を通る磁界を放射する放射器３２、３４、及び３６も制御する。放射器が心筋１６に近接して配置されていて、心筋に近接する領域内に交番磁界を放射するように構成されている。Ｃａｒｔｏ（登録商標）システム（製造元は、Ｂｉｏｓｅｎｓｅ Ｗｅｂｓｔｅｒ、３３ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｒｉｖｅ、Ｉｒｖｉｎｅ、ＣＡ ９２６１８）では、このような磁気追跡システムを用いている。

バンク５０はまた、力モジュール６０、電力モジュール６２、潅注モジュール６４、及び温度モジュール６６を含む。これらモジュールの機能を、以下に説明する。

力モジュール６０は、力センサ２６からの信号を受信し、その信号から、遠位端２２によって組織１５上に与えられる力の大きさ（本明細書ではグラム単位で測定されることが想定されている）を生成する。幾つかの実施形態では、力センサ２６は、力センサ２６がモジュール６６に提供する信号によって、モジュールが、遠位端により組織１５上に与えられる力の方向を評価することを可能にするように構成される。

電力モジュール６２は、電極３０に伝達され、組織１５をアブレーションするために電極によって印加される、高周波電力を生成する。以下により詳細に説明されるように、プロセッサ４６及びモジュール６２は、電極によって送達される電力レベルＰ（本明細書ではワット単位で測定されることが想定されている）を調節することができる。

潅注モジュール６４は、遠位端２２に供給される潅注液、典型的には正常食塩溶液の流量Ｖ（本明細書ではｃｍ^３／分（ｍＬ／分）単位で測定されることが想定されている）を制御する。潅注液は、遠位端にある潅注孔８０から放出される。

温度モジュール６６は、１つ又は２つ以上の温度センサ２８から信号を受信し、それぞれのセンサによって登録された温度を判別する。典型的に、複数センサ２８の事例では、モジュールは遠位端２２の平均温度Ｔを判別する。加えて、複数センサの場合、モジュールは遠位端の温度分布のマップを作製し得る。

発明者は、アブレーション処置時に、アブレーションされる組織１５の全体的な厚さＤが、１つ又は２つ以上のセンサ２８によって測定される平均温度変化ΔＴに影響することを発見した。とりわけ、所定の時間にわたって印加される所定の電力Ｐに対する、及び遠位端を介した液体の所定の潅注量Ｖに対する温度変化ΔＴは、Ｄが大きい値の場合は大きく、Ｄが小さい値の場合は小さくなる。この関係は、アブレーションの初期の非定常状態でも、定常アブレーション状態でも保たれる。発明者は、温度変化ΔＴと全体的な厚さＤとの間のこの関係は、組織によって保持される熱エネルギーによるものである信じている。すなわち、大きいＤを有する組織は、小さいＤを有する組織よりも大きい熱エネルギーを保持する。

この関係は、以下の方程式によって、第１の近似値に定量化され得る。
Ｄ＝Ｋ_１・ΔＴ （１）
ここで、Ｄ及びΔＴは、上に定義されたとおりであり、Ｋ_１は、とりわけ、Ｐ（電力）及びＶ（潅注量）の値によって異なる定数である。

遠位端２２は、実質的に一定の熱容量を有するため、ΔＴの実際値は、電力Ｐが増加するにつれて増加し、潅注量Ｖが増加するにつれて減少する。

加えて、方程式（１）の関係はまた、遠位端によって印加される力Ｆに依存し、そのため、Ｄに関するより一般的な式が方程式（２）によって与えられる。
Ｄ＝ｆ（Ｖ，Ｐ，ＣＦ，ΔＴ） （２）
ここで、Ｆは、係数である。
Ｖは、潅注量である。
Ｐは、印加される電力である。
ＣＦは、遠位端によって印加される接触力である。
ΔＴは、遠位端の温度増加である。

一実施形態では、方程式（２）は、方程式（３）として書き換えることができる。

ここで、Ｋ_２は定数であり、Ｄ、ΔＴ、Ｖ、ＣＦ、及びＰは上に定義されたとおりである。

方程式（１）及び（３）では、定数Ｋ_１及びＫ_２が範囲を有すること、また、それらの定数は遠位端２２の熱容量によって異なるため、それらの値は使用されている遠位端のタイプによって異なることを理解されよう。

方程式（１）及び（３）の考察は、プロセッサ４６が正規化されたＰ、ＣＦ、及びＶの値を使用する場合、ＤがΔＴとして変化することを示している。

本発明の実施形態では、専門家１４は、測定された値Ｄ、ΔＴ、Ｐ、ＣＦ、及びＶを使用して、上に言及された関係の定量化に対応するＫ_１及び／又はＫ_２の値を、所定の時間の組織のアブレーションによって判別し得る。代替的に、又は追加的に、専門家１４は、ルックアップテーブル内に測定されたＤ、ΔＴ、Ｐ、ＣＦ、及びＶの値を格納することにより、また、外挿及び／又は内挿を使用してルックアップテーブルにないＤ、ΔＴ、Ｐ、ＣＦ、及びＶの値を導出することによって、関係を定量化し得る。典型的に、値Ｋ_１及び／若しくはＫ_２を判別すること、並びに／又はＤ、ΔＴ、Ｐ、ＣＦ、及びＶの値をルックアップテーブルに格納することによる、上記のような関係の定量化は、上に言及された処置を実施する前に実行される。

図３は、本発明の一実施形態による、処置を実施する際に専門家１４がたどる工程のフローチャートである。準備工程１００では、Ｄ、ΔＴ、Ｐ、ＣＦ、及びＶの間の関係が判別される。この関係は、上記のとおり、例えば、Ｋ_１を評価することによる方程式（１）のとおり、又はＫ_２を評価することによる方程式（３）のとおり、又はルックアップテーブルのとおりになり得る。遠位端２２に類似の遠位端を有するプローブは、評価を実施するため、及び／又はルックアップテーブルを生成するために使用される。簡略化のために、以下の説明では、この関係は方程式（１）であることが想定されているが、当業者は、方程式（２）又は方程式（３）又はルックアップテーブルが使用される事例では、この説明を適合させることができるであろう。

初期アブレーション工程１０２では、専門家１４は遠位端２２を挿入し、それによって、電極３０は心筋１６の組織１５の選択された部分に接触し、力モジュール６０及びプロセッサ４６は力センサ２６によって感知された接触力ＣＦを記録する。いったん組織１５に接触すると、専門家は遠位端への潅注の流量Ｖを設定し、また、組織に印加される電力Ｐの初期値を選択する。典型的に、Ｖの値は、１０〜２０ｃｍ^３／分（１０〜２０ｍＬ／分）の範囲内に設定され、Ｐの値は２０〜３０Ｗで設定されるが、Ｖ及びＰの両方ともこれらの範囲外の値を有し得る。

幾つかの実施形態では、専門家１４は、組織１５に形成される損傷に対して目標とされるアブレーション指数値に基づいてＰを選択し得る。当該技術分野において周知であるように、アブレーション指数は係数であり、アブレーションが進行するにつれて変化する値を有し、既知のタイプの組織のアブレーションによって生成される損傷の大きさの見積もりを提供する。指数によって提供される見積もりは、アブレーション時に、並びにアブレーショの期間に測定される接触力ＣＦ及び電力Ｐの値によって異なる。アブレーション指数は、２０１６ Ｈｅａｒｔ Ｒｈｙｔｈｍ Ｃｏｎｇｒｅｓｓで公開された、Ｈｓｓｅｉｎ ｅｔ ａｌ．による「Ａｂｌａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ−ｇｕｉｄｅｄ Ｐｕｌｍｏｎａｒｙ Ｖｅｉｎ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ａｔｒｉａｌ Ｆｉｂｒｉｌｌａｔｉｏｎ ｍａｙ Ｉｍｐｒｏｖｅ Ｃｌｉｎｉｃａｌ Ｏｕｔｃｏｍｅｓ ｉｎ Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｔｏ Ｃｏｎｔａｃｔ Ｆｏｒｃｅ−ｇｕｉｄｅｄ Ａｂｌａｔｉｏｎ」と題する記事に、及びＢａｒ−Ｔａｌ ｅｔ ａｌ．による米国特許出願第２０１７／００１４１８１号に記載されている。いずれの文書も、参照により本明細書に組み込まれる。

下の方程式（４）は、アブレーション指数に関する式を与える。

ここで、Ｃは、アブレーションされる組織のタイプによって異なる値を有する定数であり、一実施形態では、Ｃは、０．００２の近似値を有する。
αは、典型的に０．６〜０．８の範囲内の値を有する指数である。
βは、典型的に１．４〜１．８の範囲内の値を有する指数である。
δは、近似値０．３５を有する指数である。
Ｄ_ｅｓｔは、時間ｔの間にアブレーションすることによって得られる損傷の深さの見積もりであり、瞬間的定力ＣＦ（τ）及び瞬間的電力Ｐ（τ）を用い、ここでτは時間変数を示す。

接触力及び電力が一定であり、時間ｔを取るアブレーション処置時に対応の値

を有すると想定される場合、方程式（４）は方程式（５）として書き換えられてもよい。

方程式（５）の右側は、専門家１４が、力ＣＦの測定値、アブレーションの時間ｔの想定値、組織１５の厚さの見積もりＤ_ｅｓｔ、及び見積もりＣを使用して、

に関する方程式を解くことによって、電力Ｐの初期値を設定するのに使用することができる、アブレーション指数である。専門家は、ＭＲＩスキャンから又は組織１５の位置の知識からなど、以前に獲得した組織１５の像に基づいて、Ｄ_ｅｓｔを見積もることができる。専門家は、アブレーションされる組織のタイプに基づいて、Ｃを見積もることができる。

明確化及び簡略化のために、初期アブレーション工程１０２では、専門家は、使用される初期電力Ｐを見積もるために、方程式（５）のアブレーション指数を使用することが想定されている。加えて、フローチャートの残りの説明では、特に明記しない限り、プロセッサ４６は、方程式（５）のアブレーション指数を使用して、アブレーションが実行されている間に得られたアブレーションの深さの見積もりＤ_ｅｓｔを専門家に提供することが想定されている。当業者であれば、必要に応じて、異なるアブレーション指数の事例に対してこの説明を適合させることが可能となろう。

初期アブレーション工程１０２は最初に、比較的短時間、典型的には約１０秒〜２０秒の間、実施される。工程１０２の終わりに、プロセッサは、初期アブレーションで形成される損傷の見積もり深さである値Ｄ_ｅｓｔを格納する。フローチャートはその後、プロセッサが組織１５の厚さを見積もる、組織の厚さ見積もり工程１０４に進む。

工程１０４では、プロセッサは、１つ又は２つ以上の温度センサ２８を使用して、値ΔＴを判別する。プロセッサは次に、準備工程１００で発見された関係、例えば方程式（１）を使用して、組織１５の全体的な組織の厚さＤを評価する。

この段階では、プロセッサは、工程１０２の終わりに見られるように、損傷の深さの見積もりＤ_ｅｓｔと、組織１５の全体的な厚さの見積もりＤを有する。典型的に、値Ｄ_ｅｓｔ及びＤは、スクリーン６１で専門家１４に示される。

調節工程１０６では、プロセッサは、損傷の見積もり深さであるＤ_ｅｓｔと、組織１５の全体的な厚さＤの値との値を比較する。差（Ｄ−Ｄ_ｅｓｔ）は、組織１５が完全にアブレーションされるように、どのくらいの組織がアブレーション対象として残されているかを示す数値見積もりをプロセッサに提供する。

（Ｄ−Ｄ_ｅｓｔ）の値を使用すると、専門家は、組織１５の完全なアブレーションを得るため、プロセッサを使用して、アブレーションの時間ｔ及び／若しくは印加される電力Ｐなどの、アブレーション指数内の係数の値を調節する又は未調節のままにすることができる。

終結の工程１０８では、専門家は、組織１５が完全にアブレーションされるまで、工程１０８で決定されたアブレーション指数の係数の値を印加する。

フローチャートの工程に関する上の説明では、専門家１４は、アブレーション処置時に印加される電力の値を決定する際に、アブレーション指数を使用することを想定している。アブレーション指数は、専門家が、アブレーションの電力及び時間など、アブレーション処置時に使用されるパラメータの値を決める際の助けとなる。ただし、専門家は、なお、組織の厚さの見積もり工程１０４の説明を使用して、アブレーションされる組織の厚さを見積もりながら、かかるパラメータの値を決める際にアブレーション指数を使用しない場合があり、かかる事例では、必要に応じて、フローチャートの説明を適合させ得ることが理解されよう。このことから、本発明の範囲は、アブレーション指数が使用されない事例を含むことが理解されよう。

更に、上に述べた実施形態は例として挙げたものであり、本発明は上記に具体的に示し、説明したものに限定されない点が理解されよう。むしろ、本発明の範囲は、上述されている種々の特徴の組み合わせ及び部分的組み合わせの両方、並びに前述の説明を読むことで当業者が想起するであろう、先行技術に開示されていないそれらの変形及び修飾を含む。

〔実施の態様〕
（１） 方法であって、
プローブ遠位端にある電極を使用して組織の初期アブレーションを実施し、第１の電力を前記組織に印加することと、
前記第１の電力を印加しながら、前記遠位端の温度変化を測定することと、
前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、
前記見積もられた厚さに応じて、前記組織のアブレーションを完了するために、必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、
前記第２の電力及び前記アブレーションの時間のうちの前記計算された少なくとも１つを使用して、前記組織の後続のアブレーションを実施することと、を含む、方法。
（２） 前記遠位端の前記温度変化と前記組織の前記厚さとの間の関係を判別することと、前記組織の前記厚さを見積もる際に前記関係を使用することと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（３） 前記初期アブレーションを実施する前に前記関係を判別することを含む、実施態様２に記載の方法。
（４） 前記組織に印加される注入電力と、前記組織を潅注するための潅注量とに応じて、前記関係を判別することを含む、実施態様２に記載の方法。
（５） 前記初期アブレーションが前記組織を既定の見積もられた損傷深さまでアブレーションするように、前記第１の電力を選択することを含む、実施態様１に記載の方法。

（６） 前記組織の前記見積もられた厚さと前記既定の見積もられた損傷深さとの間の差に応じて、必要とされる前記第２の電力及び前記時間のうちの前記少なくとも１つを計算することを含む、実施態様５に記載の方法。
（７） アブレーション指数を使用して、前記第１の電力及び前記第２の電力のうちの少なくとも１つを判別することを含む、実施態様１に記載の方法。
（８） 方法であって、
プローブ遠位端にある電極を使用して組織のアブレーションを実施し、電力を前記組織に印加することと、
前記電力を印加しながら、前記遠位端の温度変化を測定することと、
前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、を含む、方法。
（９） 前記組織の前記見積もられた厚さの値を、前記アブレーションを実施する手術者に表示することを含む、実施態様８に記載の方法。
（１０） 装置であって、
遠位端を有するプローブと、
前記遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
前記遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
プロセッサと、を含み、前記プロセッサが、
前記電極を用いて第１の電力を前記組織に印加することにより、前記組織の初期アブレーションを実施することと、
前記第１の電力を印加しながら、前記少なくとも１つの温度センサを使用して、前記遠位端の温度変化を測定することと、
前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、
前記見積もられた厚さに応じて、前記組織のアブレーションを完了するために、必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、
前記第２の電力及び前記アブレーショの時間のうちの前記計算された少なくとも１つを使用して、前記組織の後続のアブレーションを実施することと、を、行うように構成されている、装置。

（１１） 前記プロセッサが、前記遠位端の前記温度変化と前記組織の前記厚さとの間の関係を判別し、前記組織の前記厚さを見積もる際に前記関係を使用するように構成されている、実施態様１０に記載の装置。
（１２） 前記プロセッサが、前記初期アブレーションを実施する前に、前記関係を判別するように構成されている、実施態様１１に記載の装置。
（１３） 前記プロセッサが、前記組織に印加される注入電力と、前記組織を潅注するための潅注量に応じて、前記関係を判別するように構成されている、実施態様１１に記載の装置。
（１４） 前記初期アブレーションが既定の見積もられた損傷深さまで前記組織をアブレーションするよう、前記プロセッサが前記第１の電力を選択するように構成されている、実施態様１０に記載の装置。
（１５） 前記組織の前記見積もられた厚さと前記既定の見積もられた損傷深さとの間の差に応じて、必要とされる前記第２の電力及び前記時間のうちの前記少なくとも１つを計算することを含む、実施態様１４に記載の装置。

（１６） 前記プロセッサが、アブレーション指数を使用して前記第１の電力及び前記第２の電力のうちの少なくとも１つを判別するように構成されている、実施態様１０に記載の装置。
（１７） 装置であって、
遠位端を有するプローブと、
前記遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
前記遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
プロセッサと、を含み、前記プロセッサが、
前記電極を用いて第１の電力を前記組織に印加することにより、前記組織の初期アブレーションを実施することと、
前記第１の電力を印加しながら、前記少なくとも１つの温度センサを使用して、前記遠位端の温度変化を測定することと、
前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、を、行うように構成されている、装置。
（１８） 前記組織の前記見積もられた厚さの値を、前記アブレーションを実施する手術者に表示するように構成されているスクリーンを含む、実施態様１７に記載の装置。

Claims (9)

1. 装置であって、
   遠位端を有するプローブと、
   前記遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
   前記遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
   プロセッサと、を含み、前記プロセッサが、
   前記電極を用いて第１の電力を前記組織に印加することにより、前記組織の初期アブレーションを実施することと、
   前記第１の電力を印加しながら、前記少なくとも１つの温度センサを使用して、前記遠位端の温度変化を測定することと、
   前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、
   前記見積もられた厚さに応じて、前記組織のアブレーションを完了するために、必要とされる第２の電力及びアブレーションの時間のうちの少なくとも１つを計算することと、
   前記第２の電力及び前記アブレーショの時間のうちの前記計算された少なくとも１つを使用して、前記組織の後続のアブレーションを実施することと、を、行うように構成されている、装置。
2. 前記プロセッサが、前記遠位端の前記温度変化と前記組織の前記厚さとの間の関係を判別し、前記組織の前記厚さを見積もる際に前記関係を使用するように構成されている、請求項１に記載の装置。
3. 前記プロセッサが、前記初期アブレーションを実施する前に、前記関係を判別するように構成されている、請求項２に記載の装置。
4. 前記プロセッサが、前記組織に印加される注入電力と、前記組織を潅注するための潅注量に応じて、前記関係を判別するように構成されている、請求項２に記載の装置。
5. 前記初期アブレーションが既定の見積もられた損傷深さまで前記組織をアブレーションするよう、前記プロセッサが前記第１の電力を選択するように構成されている、請求項１に記載の装置。
6. 前記組織の前記見積もられた厚さと前記既定の見積もられた損傷深さとの間の差に応じて、必要とされる前記第２の電力及び前記時間のうちの前記少なくとも１つを計算することを含む、請求項５に記載の装置。
7. 前記プロセッサが、アブレーション指数を使用して前記第１の電力及び前記第２の電力のうちの少なくとも１つを判別するように構成されている、請求項１に記載の装置。
8. 装置であって、
   遠位端を有するプローブと、
   前記遠位端に位置し、組織と接触する電極と、
   前記遠位端にある少なくとも１つの温度センサと、
   プロセッサと、を含み、前記プロセッサが、
   前記電極を用いて第１の電力を前記組織に印加することにより、前記組織の初期アブレーションを実施することと、
   前記第１の電力を印加しながら、前記少なくとも１つの温度センサを使用して、前記遠位端の温度変化を測定することと、
   前記測定された温度変化に応じて、前記組織の厚さを見積もることと、を、行うように構成されている、装置。
9. 前記組織の前記見積もられた厚さの値を、前記アブレーションを実施する手術者に表示するように構成されているスクリーンを含む、請求項８に記載の装置。

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