JP2018124471A - Display device and method for driving display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様は、電子機器、表示装置、表示部、およびその動作方法に関する。本発明の一態様は、半導体装置、およびその動作方法に関する。本発明の一態様は、電子機器、およびその動作方法に関する。 One embodiment of the present invention relates to an electronic device, a display device, a display portion, and an operation method thereof. One embodiment of the present invention relates to a semiconductor device and an operation method thereof. One embodiment of the present invention relates to an electronic device and a method for operating the electronic device.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、電子機器、表示装置、表示モジュール、半導体装置、発光装置、蓄電装置、蓄電池、記憶装置、照明装置、入力装置(例えば、タッチセンサなど)、入出力装置(例えば、タッチパネルなど)、入出力パネル、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。 Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. Technical fields of one embodiment of the present invention include electronic devices, display devices, display modules, semiconductor devices, light-emitting devices, power storage devices, storage batteries, storage devices, lighting devices, input devices (eg, touch sensors), input / output devices Examples thereof include an input / output panel (for example, a touch panel), a driving method thereof, or a manufacturing method thereof.
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。 Note that in this specification and the like, a semiconductor device refers to any device that can function by utilizing semiconductor characteristics. A transistor, a semiconductor circuit, an arithmetic device, a memory device, or the like is one embodiment of a semiconductor device. In addition, an imaging device, an electro-optical device, a power generation device (including a thin film solar cell, an organic thin film solar cell, and the like) and an electronic device may include a semiconductor device.
表示装置を有する電子機器等に表示される画像をカメラ等の撮影装置で不正に撮影し、流通することによる経済的な影響が問題視されている。映像が不正に撮像されることを防ぎ、該映像が有する画像コンテンツを保護する例として、特許文献1に示すように映像に赤外光を重ねあわせることが行われている。
An economic effect caused by illegally photographing and distributing an image displayed on an electronic device or the like having a display device with a photographing device such as a camera is regarded as a problem. As an example of preventing an image from being illegally captured and protecting the image content of the image, as shown in
本発明の一態様は、複写禁止の画像の撮像を妨害する表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、操作性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力が低減された表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な電子機器を提供することを課題の一とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device that interferes with capturing of copy-prohibited images. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with high operability. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with low power consumption. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a novel display device. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a novel electronic device.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。 Note that the description of these problems does not disturb the existence of other problems. One embodiment of the present invention does not necessarily have to solve all of these problems. Issues other than these can be extracted from the description, drawings, and claims.
本発明の一態様は、配列された複数の画素と、を有し、配列されたそれぞれの画素は、第1の副画素と、第2の副画素と、を有し、第1の副画素は赤外光を発光する機能を有し、第2の副画素は、第1の表示領域よりも短い波長の光を発光する機能を有する表示装置である。また上記構成において、第2の副画素は、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を発光する機能を有することが好ましい。また上記構成において、第2の副画素は、カラーフィルタを有し、カラーフィルタは、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を透過する機能を有することが好ましい。また上記構成において、カラーフィルタは、第2の副画素に設けられ、第1の副画素には設けられないことが好ましい。また上記構成において、第2の副画素は有機EL素子を有し、有機EL素子は、タンデム型の構造を有することが好ましい。また上記構成において、第1の副画素は、有機EL素子を有し、有機EL素子は、赤外光を発光する機能を有することが好ましい。また上記構成において、センサーを有し、センサーは照度を検知する機能、表示部の向きを検知する機能、または音を検知する機能のうち一以上を有することが好ましい。 One embodiment of the present invention includes a plurality of pixels arranged, and each of the arranged pixels includes a first subpixel and a second subpixel, and the first subpixel Has a function of emitting infrared light, and the second subpixel is a display device having a function of emitting light having a wavelength shorter than that of the first display region. In the above structure, the second subpixel preferably has a function of emitting at least one of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue. In the above structure, the second subpixel includes a color filter, and the color filter transmits at least one of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue. It is preferable to have the function of In the above structure, the color filter is preferably provided in the second subpixel and is not provided in the first subpixel. In the above structure, the second subpixel preferably includes an organic EL element, and the organic EL element preferably has a tandem structure. In the above structure, the first subpixel preferably includes an organic EL element, and the organic EL element preferably has a function of emitting infrared light. In the above structure, the sensor preferably includes a sensor, and the sensor preferably has one or more of a function of detecting illuminance, a function of detecting the orientation of the display unit, and a function of detecting sound.
または、本発明の一態様は、表示部を有し、表示部は、赤外光を発光する機能を有するn個の副画素を有し、n個の副画素のうち、k個の副画素がオン状態であり、(n−k)個の副画素がオフ状態である第1のステップと、n個の副画素がオフ状態である第2のステップと、を有し、k個の副画素は、表示部において、第1の領域を形成し、第1の領域は矩形状である表示装置の駆動方法である。また上記構成において、kはnの10%より多く50%より少ないことが好ましい。また上記構成において、可視光を発光する機能を有するn個の副画素は、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を発光する機能を有することが好ましい。 Alternatively, one embodiment of the present invention includes a display portion, and the display portion includes n subpixels having a function of emitting infrared light, and among the n subpixels, k subpixels are provided. Has a first step in which (n−k) subpixels are in an off state and a second step in which n subpixels are in an off state, and has k subpixels. The pixel is a method for driving a display device in which a first region is formed in the display portion, and the first region is rectangular. In the above configuration, k is preferably more than 10% and less than 50% of n. In the above structure, the n sub-pixels having a function of emitting visible light emit light of at least one of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue. It is preferable to have.
または本発明の一態様は、赤外光を発光する機能を有するn個の副画素を有し、n個の副画素のうち、b個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−b)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とする第1のステップと、n個の副画素のうち、c個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−c)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とし、c個の副画素のうち、b個の副画素と一致しない個数は、c個の30%より多い第2のステップと、赤外光を発光する機能を有するn個の副画素の全てにおいて、全階調の半分以下の低い階調値とする第3のステップと、を有する表示装置の駆動方法である。 Alternatively, one embodiment of the present invention includes n subpixels having a function of emitting infrared light, and among the n subpixels, b subpixels have a gradation value higher than half of all gradations. A first step in which (n−b) subpixels have gradation values equal to or less than half of all gradations, and c subpixels out of half of all gradations among n subpixels. The (n−c) subpixels are set to a gradation value equal to or less than half of all the gradations, and the number of c subpixels that do not match the b subpixels is c. A display having a second step of more than 30% and a third step in which all of the n sub-pixels having a function of emitting infrared light have a gradation value lower than half of all gradations. It is a drive method of an apparatus.
または本発明の一態様は、表示部を有し、表示部は赤外光を発光する機能を有するn個の副画素を有し、表示部に複写禁止のコンテンツが表示される第1のステップと、センサーを作動させる第2のステップと、センサーが入力を検知し、n個の副画素のうち、a個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−b)個の副画素を全階調の半分より低い階調値とする第3のステップと、n個の副画素のうち、c個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−c)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とし、c個の副画素のうち、b個の副画素と一致しない個数はc個の30%よりも多い第4のステップと、第3のステップにおいてセンサーが検知した入力が終了し、n個の副画素の全てにおいて、全階調の半分以下の階調値とする第5のステップと、を有する表示装置の駆動方法である。また上記構成において、センサーは照度を検知する機能、表示部の向きを検知する機能、または音を検知する機能、の一以上を有することが好ましい。 Alternatively, according to one embodiment of the present invention, the display device includes a display portion, the display portion includes n sub-pixels having a function of emitting infrared light, and a copy-prohibited content is displayed on the display portion. A second step of activating the sensor, the sensor detects an input, and among the n subpixels, a subpixels are set to a gradation value higher than half of all gradations, and (n−b) A third step of setting the number of subpixels to a gradation value lower than half of all gradations, and of the n subpixels, c subpixels are set to a gradation value higher than half of all gradations, nc) the sub-pixels have a gradation value equal to or less than half of all gradations, and among the c sub-pixels, the number that does not match the b sub-pixels is greater than 30% of the fourth number. The input detected by the sensor in the step and the third step is completed, and the gradation value is less than half of all gradations in all n sub-pixels. A fifth step of a method of driving a display device having a. In the above structure, the sensor preferably has one or more of a function of detecting illuminance, a function of detecting the orientation of the display unit, and a function of detecting sound.
本発明の一態様により、複写禁止の画像の撮像を妨害する表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、操作性の高い表示装置を提供するができる。また、本発明の一態様により、消費電力が低減された表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供するができる。また、本発明の一態様により、新規な電子機器を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, a display device that interferes with capturing of copy-prohibited images can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device with high operability can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device with reduced power consumption can be provided. According to one embodiment of the present invention, a novel display device can be provided. According to one embodiment of the present invention, a novel electronic device can be provided.
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。 Note that the description of these effects does not disturb the existence of other effects. One embodiment of the present invention need not necessarily have all of these effects. Effects other than these can be extracted from the description, drawings, and claims.
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it will be easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
また、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用した装置であり、半導体素子(トランジスタ、ダイオード等)を含む回路、同回路を有する装置等をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップは、半導体装置の一例である。また、記憶装置、表示装置、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器等は、それ自体が半導体装置である場合があり、又は半導体装置を有している場合がある。 In this specification and the like, a semiconductor device refers to a device using semiconductor characteristics, and includes a circuit including a semiconductor element (a transistor, a diode, or the like), a device including the circuit, or the like. In addition, it refers to all devices that can function by utilizing semiconductor characteristics. For example, an integrated circuit and a chip including the integrated circuit are examples of a semiconductor device. In addition, a memory device, a display device, a light-emitting device, a lighting device, a display device, an electronic device, or the like may be a semiconductor device or may have a semiconductor device.
また、本明細書等において、XとYとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。 In addition, in this specification and the like, when it is explicitly described that X and Y are connected, X and Y are electrically connected, and X and Y function. And the case where X and Y are directly connected are disclosed in this specification and the like. Therefore, it is not limited to a predetermined connection relationship, for example, the connection relationship shown in the figure or text, and anything other than the connection relation shown in the figure or text is also described in the figure or text. X and Y are objects (for example, devices, elements, circuits, wirings, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.).
トランジスタは、ゲート、ソース、およびドレインと呼ばれる3つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御ノードとして機能するノードである。ソースまたはドレインとして機能する2つの入出力ノードは、トランジスタの型及び各端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合がある。 The transistor has three terminals called gate, source, and drain. The gate is a node that functions as a control node for controlling the conduction state of the transistor. One of the two input / output nodes functioning as a source or a drain serves as a source and the other serves as a drain depending on the type of the transistor and the potential applied to each terminal. Therefore, in this specification and the like, the terms source and drain can be used interchangeably. In this specification and the like, two terminals other than the gate may be referred to as a first terminal and a second terminal.
ノードは、回路構成やデバイス構造等に応じて、端子、配線、電極、導電層、導電体、不純物領域等と言い換えることが可能である。また、端子、配線等をノードと言い換えることが可能である。 A node can be restated as a terminal, a wiring, an electrode, a conductive layer, a conductor, an impurity region, or the like depending on a circuit configuration, a device structure, or the like. Further, a terminal, a wiring, or the like can be referred to as a node.
電圧は、ある電位と、基準の電位(例えば接地電位(GND)またはソース電位)との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。なお、電位とは、相対的なものである。よって、接地電位と記載されていても、必ずしも、0Vを意味しない場合もある。 In many cases, the voltage indicates a potential difference between a certain potential and a reference potential (for example, a ground potential (GND) or a source potential). Thus, a voltage can be rephrased as a potential. Note that the potential is relative. Therefore, even if it is described as a ground potential, it may not necessarily mean 0V.
本明細書等において、「膜」という言葉と「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。 In this specification and the like, the terms “film” and “layer” can be interchanged with each other depending on the case or circumstances. For example, it may be possible to change the term “conductive layer” to the term “conductive film”. For example, the term “insulating film” may be changed to the term “insulating layer” in some cases.
本明細書等において、“第1”、“第2”、“第3”という序数詞は構成要素の混同を避けるために付す場合があり、その場合は数的に限定するものではなく、また順序を限定するものでもない。 In this specification and the like, the ordinal numbers “first”, “second”, and “third” may be added to avoid confusion between components, in which case the numerical order is not limited and the order is not limited. It is not intended to limit.
図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。 In the drawings, the size, layer thickness, or region may be exaggerated for clarity. Therefore, it is not necessarily limited to the scale. The drawings schematically show an ideal example, and are not limited to the shapes or values shown in the drawings. For example, variation in signal, voltage, or current due to noise, variation in signal, voltage, or current due to timing shift can be included.
本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている場合がある。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。 In this specification, terms and phrases such as “above” and “below” may be used for convenience in describing the positional relationship between components with reference to the drawings. Moreover, the positional relationship between components changes suitably according to the direction which draws each structure. Therefore, the present invention is not limited to the words and phrases described in the specification, and can be appropriately rephrased depending on the situation.
図面に記載したブロック図の各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定するものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合もある。また各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するものであり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。 The layout of each circuit block in the block diagram shown in the drawing specifies the positional relationship for the sake of explanation. Even if it is shown that different functions are realized by different circuit blocks, the same circuit is used in the actual circuit block. In some cases, different functions are provided in the block. Also, the function of each circuit block is to specify the function for explanation, and even if it is shown as one circuit block, the processing performed in one circuit block is performed in a plurality of circuit blocks in the actual circuit block. In some cases, it is provided.
本明細書等において、金属酸化物(metal oxide)とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)、酸化物半導体(Oxide Semiconductorまたは単にOSともいう)などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶことができる。また、OSトランジスタと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。 In this specification and the like, a metal oxide is a metal oxide in a broad expression. Metal oxides are classified into oxide insulators, oxide conductors (including transparent oxide conductors), oxide semiconductors (also referred to as oxide semiconductors or simply OS), and the like. For example, in the case where a metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the metal oxide may be referred to as an oxide semiconductor. In other words, when a metal oxide has at least one of an amplifying function, a rectifying function, and a switching function, the metal oxide can be referred to as a metal oxide semiconductor, or OS for short. In the case of describing as an OS transistor, it can be said to be a transistor including a metal oxide or an oxide semiconductor.
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物(metal oxide)と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物(metal oxynitride)と呼称してもよい。 In this specification and the like, metal oxides containing nitrogen may be collectively referred to as metal oxides. Further, a metal oxide containing nitrogen may be referred to as a metal oxynitride.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a display device of one embodiment of the present invention will be described.
本発明の一態様の表示装置は、赤外光を発する機能を有することが好ましい。 The display device of one embodiment of the present invention preferably has a function of emitting infrared light.
また、本発明の一態様の表示装置は、赤外光を発する領域を有することが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置は、赤外光を発する第1の領域と、赤色を発する第2の領域と、緑色を発する第3の領域と、青色を発する第4の領域と、を有することが好ましい。 The display device of one embodiment of the present invention preferably includes a region that emits infrared light. The display device of one embodiment of the present invention includes a first region that emits infrared light, a second region that emits red, a third region that emits green, and a fourth region that emits blue. It is preferable to have.
また、本発明の一態様の表示装置は複数の画素を有することが好ましく、該複数の画素のそれぞれは、赤外光を発する第1の副画素と、赤色を発する第2の副画素と、緑色を発する第3の副画素と、青色を発する第4の副画素と、を有することが好ましい。 The display device of one embodiment of the present invention preferably includes a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes a first sub-pixel that emits infrared light, a second sub-pixel that emits red light, It is preferable to have a third sub-pixel emitting green and a fourth sub-pixel emitting blue.
それぞれの副画素は、表示素子を有することが好ましい。 Each subpixel preferably has a display element.
表示素子として例えば自発発光素子を用いることができる。本発明の一態様の表示装置は、赤外光を発する領域を有することが好ましく、該赤外光を発する領域は自発発光素子を有し、該自発発光素子は、赤外光を発光することが好ましい。また、該自発発光素子は、有機EL素子であることが好ましい。 For example, a spontaneous light emitting element can be used as the display element. The display device of one embodiment of the present invention preferably includes a region that emits infrared light, the region that emits infrared light includes a spontaneous light-emitting element, and the spontaneous light-emitting element emits infrared light. Is preferred. The spontaneous light emitting element is preferably an organic EL element.
また、本発明の一態様の表示装置は、赤外光を発する領域を有することが好ましく、該赤外光はピーク波長が700nmより大きく1200nmより小さいことが好ましく、700nmより大きく1100nmより小さいことが好ましく、720nmより大きく950nmより小さいことが好ましい。 The display device of one embodiment of the present invention preferably includes a region that emits infrared light, and the infrared light preferably has a peak wavelength of greater than 700 nm and less than 1200 nm, and greater than 700 nm and less than 1100 nm. Preferably, it is larger than 720 nm and smaller than 950 nm.
複写が禁止された画像コンテンツの不正撮像により該画像コンテンツが不正に流通し、経済的な損失が生じる場合がある。本発明の一態様の表示装置により、画像コンテンツの不正撮像を抑制することができる。 There is a case where the image content is illegally distributed due to illegal imaging of the copy-prohibited image content, resulting in an economic loss. With the display device of one embodiment of the present invention, unauthorized imaging of image content can be suppressed.
本発明の一態様の表示装置では例えば、表示装置に表示される画像が撮像装置により不正に撮像される場合に、画質が低い画像が撮像される。 In the display device of one embodiment of the present invention, for example, when an image displayed on the display device is illegally captured by the imaging device, an image with low image quality is captured.
撮像装置としては例えば、スキャナも含まれる。スキャナは例えば、紙、あるいは表示装置の表示部に光を照射し、紙、あるいは表示装置の表部上の画像情報の読み取りを行う。 Examples of the imaging device include a scanner. For example, the scanner irradiates light on a display unit of paper or a display device, and reads image information on the front part of the paper or display device.
表示装置に表示される画像コンテンツは、可視光を主として構成される。赤外光は、人間の眼には視認されづらいため、視認される画像コンテンツの画質を、顕著に低下させることはない。一方で、表示装置を視認する者の眼と比較して、撮像装置の受光部において赤外光の感度が顕著に高い場合がある。このような場合には、赤外光が撮像装置に撮像される。表示装置に表示される画像コンテンツが複写が禁止される著作物である場合において、画像コンテンツの少なくとも一部の領域に重ねて赤外光を発することにより、撮像装置には画像コンテンツと赤外光の画像とが重ねて撮像される。よって、撮像装置に撮像される画像の質を低下させることができる。 The image content displayed on the display device is mainly composed of visible light. Infrared light is difficult to be visually recognized by human eyes, so that the image quality of the visually recognized image content is not significantly reduced. On the other hand, the sensitivity of infrared light may be significantly higher in the light receiving unit of the imaging device than the eyes of a person viewing the display device. In such a case, infrared light is imaged by the imaging device. When the image content displayed on the display device is a copyrighted work, copying the image content and the infrared light to the imaging device by emitting infrared light over at least a part of the image content. The image is overlaid on the other image. Therefore, the quality of the image imaged by the imaging device can be reduced.
表示装置の表示部において、複数の画素が配列されている。各画素は赤外を発する領域を有することが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する場合、一部の画素のみにおいて赤外を発してもよい。例えば、表示部のうち複写が禁止される画像を表示する領域のみにおいて、赤外を発すればよい。また表示装置が発する赤外光を文字情報の表示、あるいはパターンの表示とすることにより、赤外を発するために駆動させる画素の数を少なくできる場合があり、消費電力の抑制に繋がる。 In the display unit of the display device, a plurality of pixels are arranged. Each pixel preferably has a region that emits infrared light. Further, when the display device emits infrared light, only some of the pixels may emit infrared light. For example, infrared light may be emitted only in a region of the display unit that displays an image for which copying is prohibited. In addition, by using infrared light emitted from the display device as character information display or pattern display, the number of pixels driven to emit infrared light may be reduced, which leads to reduction in power consumption.
また、表示する画像のフレーム毎に赤外光のパターン表示を変化させてもよい。詳細については後述する。例えば、第1のフレームにおいて、第1のパターンを表示し、第2のフレームにおいて、第2のパターンを表示する。撮像装置による撮像が第1のパターンと第2のパターンをまたがる場合には、第1のパターンと第2のパターンの重ね合わせの赤外線の画像が撮像される。 Further, the pattern display of the infrared light may be changed for each frame of the image to be displayed. Details will be described later. For example, the first pattern is displayed in the first frame, and the second pattern is displayed in the second frame. When the image pickup by the image pickup device straddles the first pattern and the second pattern, an infrared image superimposed on the first pattern and the second pattern is picked up.
また、赤外光の表示は、複数のフレームにおいて書き換えを行わず、画像信号が保持されてもよい。書き換え頻度を小さくすることができるため、駆動回路及び画素の消費電力を低くすることができる。 In addition, in the infrared light display, image signals may be held without rewriting in a plurality of frames. Since the frequency of rewriting can be reduced, the power consumption of the driver circuit and the pixel can be reduced.
表示装置は、画像コンテンツを表示させる第1の駆動回路と、赤外光を発する第2の駆動回路と、を有することが好ましい。 The display device preferably includes a first drive circuit that displays image content and a second drive circuit that emits infrared light.
本発明の一態様の表示装置は、表示される画像コンテンツが複写禁止著作物である場合に、赤外光を発すればよい。 The display device of one embodiment of the present invention may emit infrared light when the displayed image content is a copy-prohibited work.
ここで本発明の一態様の表示装置はセンサーを有することが好ましい。該センサーは例えば、撮像装置の撮像時に信号を検出することが好ましい。表示される画像コンテンツが複写禁止著作物である場合においても例えば、該センサーが信号を検知しない場合には赤外光を発せず、該センサーが信号を検知する場合にのみ赤外光を発する構成とすることにより、赤外光を発する時間をより短くすることができる。そのため、消費電力をより低くすることができる。 Here, the display device of one embodiment of the present invention preferably includes a sensor. For example, the sensor preferably detects a signal at the time of imaging by the imaging device. Even when the displayed image content is a copy-prohibited copyrighted work, for example, a configuration in which infrared light is not emitted when the sensor does not detect a signal and infrared light is emitted only when the sensor detects a signal By doing so, the time for emitting infrared light can be further shortened. Therefore, power consumption can be further reduced.
撮像装置を用いて、表示装置を撮像する場合には例えば、撮像装置が光を発する場合がある。撮像装置が発する光とは例えば、イメージスキャナが有する光源からの光を指す。あるいは、撮像装置が発する光とは例えば、カメラのフラッシュライトを指す。 When imaging a display device using an imaging device, for example, the imaging device may emit light. The light emitted from the imaging device refers to, for example, light from a light source included in the image scanner. Or the light which an imaging device emits points out the flashlight of a camera, for example.
よって本発明の一態様の表示装置は、照度センサーを有することが好ましい。照度センサーは、光の照度を検出する機能を有する。撮像装置が発する光を検出した場合に例えば、表示装置が撮像装置に撮像されたとみなし、画像コンテンツが複写禁止著作物である場合に、表示装置が赤外光を発すればよい。 Therefore, the display device of one embodiment of the present invention preferably includes an illuminance sensor. The illuminance sensor has a function of detecting the illuminance of light. When the light emitted from the imaging device is detected, for example, the display device may be regarded as having been imaged by the imaging device, and the display device may emit infrared light when the image content is a copy-prohibited work.
また、表示装置がイメージスキャナにより撮像される場合には例えば、表示装置の表示面を下に向けてスキャニングされる場合がある。 When the display device is imaged by an image scanner, for example, the display device may be scanned with the display surface facing downward.
よって本発明の一態様の表示装置は、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、等を有することが好ましい。これらのセンサを有することにより例えば、表示面の向きを検知することができる。表示面が下を向く場合に例えば、表示装置が撮像装置に撮像されたとみなし、表示される画像コンテンツが複写禁止著作物である場合に、表示装置が赤外光を発すればよい。 Therefore, the display device of one embodiment of the present invention preferably includes a gyro sensor, an acceleration sensor, a geomagnetic sensor, and the like. By having these sensors, for example, the orientation of the display surface can be detected. When the display surface is facing down, for example, the display device is regarded as being imaged by the imaging device, and the display device may emit infrared light when the displayed image content is a copy-prohibited work.
[表示装置]
図1は本発明の一態様の表示装置を示すブロック図である。表示装置100は、表示部101と、駆動回路102と、駆動回路103と、制御回路104と、センサ105と、を有する。駆動回路102は例えば、ゲートドライバとして機能することが好ましい。駆動回路103は例えば、ソースドライバとして機能することが好ましい。制御回路104は、ディスプレイコントローラを有することが好ましい。センサ105は照度センサ、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、等を有することが好ましい。以下では一例として、センサ105が照度センサおよび加速度センサを有する場合について説明する。表示部101は画素880を複数、有する。
[Display device]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a display device of one embodiment of the present invention. The
<画素>
表示部101は、配列された複数の画素880を有する。該画素は、副画素を有することが好ましい。該画素が有する副画素は例えばそれぞれ、赤外、赤色、緑色、および青色に対応する。あるいは該画素が有する副画素は例えばそれぞれ、赤外、赤色、緑色、青色、および黄色に対応する。あるいは該画素が有する副画素は例えばそれぞれ、赤外、赤色、緑色、青色、および白色に対応する。
<Pixel>
The
図2(A)は画素880の上面図の一例を示す。図2(A)に示す画素880は、副画素881Rと、副画素881Gと、副画素881Bと、副画素881Wと、副画素881Iと、を有する。副画素881Rは赤色に、副画素881Gは緑色に、副画素881Bは青色に、副画素881Wは白色に、副画素881Iは赤外に、それぞれ対応する。副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881W、および副画素881Iは発光素子であってもよいし、光の透過を利用して階調表示する機能を有する素子であってもよい。
FIG. 2A illustrates an example of a top view of the
本発明の一態様の表示装置は、発光素子と、光の反射を利用して階調表示する機能を有する素子と、を有してもよい。この場合には例えば、図2(B)に示すように、画素880は電極882を有し、電極882は反射電極として機能し、副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881W、および副画素881Iは発光素子である。
The display device of one embodiment of the present invention may include a light-emitting element and an element having a function of performing grayscale display using light reflection. In this case, for example, as illustrated in FIG. 2B, the
副画素の配置として、ストライプ配置、デルタ配置、ベイヤー配置、等の配置を用いることができる。 As the sub-pixel arrangement, an arrangement such as a stripe arrangement, a delta arrangement, a Bayer arrangement, or the like can be used.
副画素881Iは例えば、赤外領域に対応する発光素子を有する。 The subpixel 881I includes, for example, a light emitting element corresponding to the infrared region.
あるいは、副画素881は例えば、赤外光を発する光源の光を透過する機能を有する。例えば、赤外光を発する光源をバックライトとして用いた液晶素子の構成とすればよい。 Alternatively, the sub-pixel 881 has a function of transmitting light from a light source that emits infrared light, for example. For example, a liquid crystal element using a light source that emits infrared light as a backlight may be used.
また副画素881Iは例えば、赤外領域に対応するフィルターを有する構成としてもよい。 The subpixel 881I may have a filter corresponding to the infrared region, for example.
表示部101が有する画素の全てが副画素881Iを有する。あるいは、副画素881Iを有する画素と、副画素881Iを有さない画素と、がともに存在してもよい。その場合には例えば、表示101が有する画素数の合計数に対して、20%より大きく100%より小さい、あるいは30%より大きく70%より小さい数の画素が副画素881Iを有する。
All of the pixels included in the
副画素881Iを有する画素と有さない画素とはストライプ状に交互に配置されてもよいし、格子状に配置されてもよい。 The pixels having the sub-pixel 881I and the pixels not having the sub-pixel 881I may be alternately arranged in a stripe shape, or may be arranged in a lattice shape.
表示部101は、主に可視光で構成されるコンテンツである画像111と、主に赤外光で構成される画像112と、を表示する機能を有する。画像112は表示装置100の操作者には視認されなくてもよい。図3(A)には画像111の例を、図3(B)には画像112の例をそれぞれ示す。
The
<画像111>
画像111は、視聴者が閲覧するコンテンツを有する。画像111には例えば、写真、絵、文字、パターン、等が表示される。
<
The
<画像112と画像113>
画像112は、画像111が不正に撮像される場合に、画像111に重ねあわせて表示されることにより撮像される画像の画質を低下させることができる。図3(B)には画像112として例えば、全面を白表示する例を示す。
<
When the
画像113は画像111と、画像112とが重ねあわせて表示される画像である。図3(C)には画像113として、図3(A)に示す画像111と、図3(B)に示す画像112とを重ねあわせた画像を示す。
The
なお、表示装置100を視認する者には、画像113のうち、赤外光により構成される画像112は視認されない場合がある。一方、撮像装置により撮像された画像には、画像112も撮像されるため、画像111と比較して、画質を低下させることができる。
Note that, among the
画像112として例えば、文字、パターン、等が表示してもよい。図3(D)には、画像112として文字情報を表示し、画像111と重ねあわせる例を示す。
For example, characters, patterns, and the like may be displayed as the
また、画像112として図4(A)に示すように線を組み合わせたパターンを表示してもよい。図4(A)の画像112と、図3(A)の画像111を重ねあわせた画像が図4(B)に示す画像113である。
Further, a pattern in which lines are combined may be displayed as the
画像112として文字、パターン、等を表示することにより、黒表示部を多くすることができる。黒表示部においては例えば、副画素881Iに流れる電流をより小さくすることができる。黒表示部の副画素881Iは、副画素881Iの全数に対して例えば50%以上90%以下である。
By displaying characters, patterns, and the like as the
また、画像112は図4(C)に示すように、画像111のうち、複写が禁止される領域に重なり合う領域である、領域114のみを表示してもよい。図4(C)の画像112と、図3(A)の画像111を重ねあわせた画像が図4(D)に示す画像113である。
Further, as shown in FIG. 4C, the
表示部101が有する副画素881Iの個数をnとする。該n個の副画素881Iのうち、領域114に含まれる副画素881Iのみをオン状態とすればよい。
The number of subpixels 881I included in the
表示部101において、k個の副画素がオン状態であり、(n−k)個の副画素がオン状態であるとする。kはnの10%より多く、50%より少ないことが好ましい。オフ状態の副画素を多くすることにより、表示装置100の消費電力を低くすることができる。
In the
領域114は例えば、表示部101において矩形状の領域である。
For example, the
また、画像112はフレーム毎に表示させる画像を変化させる、すなわち動画を表示してもよい。ここでフレームとは例えば、動画の書き換え周波数がA[Hz]であれば、1/A[s]毎の期間で区切られた時間を指す。
Further, the
第1の期間の画像112の例を図5(A)に、第2の期間の画像112の例を図5(B)に、それぞれ示す。第1の期間の画像111の例を図5(C)に、第2の期間の画像111の例を図5(D)に示す。
An example of the
撮像装置による撮像が、第1の期間の一部と第2の期間の一部に渡って行われる場合に撮像される画像の例を図6に示す。撮像される画像には、2つの区間においてそれぞれ表示される画像112の重ね合わせが表示される。画像112において、区間あたりの黒表示の副画素を増やすことができるため、表示装置100の消費電力を低減できる。
FIG. 6 illustrates an example of an image that is captured when imaging by the imaging apparatus is performed over part of the first period and part of the second period. In the captured image, an overlay of the
画像112として二値の画像を表示する例について説明する。例えば第1の期間の画像112では、白表示となる副画素881Iがb個とする。第2の期間の画像112では、白表示となる副画素881Iがc個とする。c個の副画素881Iのうち、第1の期間で白表示となるb個の副画素881Iと一致しない個数は例えば、c個の30%よりも多い。
An example of displaying a binary image as the
画像112が二値ではなく、3以上の階調を有する画像である例について説明する。例えば第1の期間の画像112では、全階調の半分より高い階調値となる副画素881Iがb個とする。第2の期間の画像112では、全階調の半分より高い階調値となる副画素881Iがc個とする。c個の副画素881Iのうち、第1の期間で全階調の半分より高い階調値となるb個の副画素881Iと一致しない個数は例えば、c個の30%よりも多い。
An example in which the
<駆動回路>
制御回路104が有するディスプレイコントローラは、画像111および画像112を表示するための画像信号を、駆動回路102および駆動回路103に与える。制御回路104は、画像111が有するコンテンツに付与される複写禁止(コピーガードと呼ぶ場合がある)の信号を検知する。また、制御回路104には、センサ105からの入力が与えられる。
<Drive circuit>
A display controller included in the
図7には表示装置100において、駆動回路103、表示部101、等のさらに詳細な構成の一例を示す。
FIG. 7 illustrates an example of a more detailed configuration of the
図7では、表示部101中にマトリクス状に配置された複数の画素880を示している。
In FIG. 7, a plurality of
駆動回路103は、ソースドライバとして機能することが好ましい。駆動回路103は、シフトレジスタSR、データラッチD−Latch、レベルシフタLS、パストランジスタロジックPTL、電圧生成回路V−gene、及びアンプAMPを有する。駆動回路103は、複数のソース線SLにアナログの画像データを出力する機能を有する。また、ドライバICで駆動回路103を作製してもよい。
The
シフトレジスタSRは、例えばソースクロックSCLK、ソーススタートパルスSSPが入力される。シフトレジスタSRはサンプリングパルスを生成し、データラッチD−Latchに出力する。 For example, a source clock SCLK and a source start pulse SSP are input to the shift register SR. The shift register SR generates a sampling pulse and outputs it to the data latch D-Latch.
データラッチD−Latchは、上述したサンプリングパルスの他、デジタルの画像データであるデータ信号DATA[0]乃至DATA[k−1]が入力される。データラッチD−Latchでは、データ信号DATA[0]乃至DATA[k−1]がサンプリングパルスに従ってラッチされる。データラッチD−Latchは、ラッチしたデータ信号DATA[0]乃至DATA[k−1]をレベルシフタLSに出力する。 The data latch D-Latch receives data signals DATA [0] to DATA [k−1], which are digital image data, in addition to the sampling pulse described above. In the data latch D-Latch, the data signals DATA [0] to DATA [k−1] are latched according to the sampling pulse. The data latch D-Latch outputs the latched data signals DATA [0] to DATA [k−1] to the level shifter LS.
レベルシフタLSは、入力されるデータ信号DATA[0]乃至DATA[k−1]を昇圧し、信号DECPB[0]乃至DECPB[k−1]にして出力する。 The level shifter LS boosts the input data signals DATA [0] to DATA [k−1] and outputs them as signals DECPB [0] to DECPB [k−1].
すなわちパストランジスタロジックPTLは、昇圧された信号DECPB[0]乃至DECPB[k−1]に従ってトランジスタの導通状態を制御し、電圧生成回路V−geneで生成される電圧V[0]乃至V[j−1]に応じたアナログ信号である出力信号PTL_OUTを出力する。 That is, the pass transistor logic PTL controls the conduction state of the transistors according to the boosted signals DECPB [0] to DECPB [k−1], and the voltages V [0] to V [j generated by the voltage generation circuit V-gene. -1] is output as an output signal PTL_OUT that is an analog signal.
アンプAMPは、入力される出力信号PTL_OUTの電流を大きくし、データ信号Vdataとして出力する。 The amplifier AMP increases the current of the input output signal PTL_OUT and outputs it as the data signal Vdata.
アンプAMPで得られるデータ信号Vdataは、複数のソース線SLに出力されるアナログ信号となる。 The data signal Vdata obtained by the amplifier AMP is an analog signal output to the plurality of source lines SL.
駆動回路102はゲートドライバとして機能することが好ましい。駆動回路102は、一例としては、シフトレジスタ、バッファ等を有する。駆動回路102は、ゲートスタートパルス、ゲートクロック等が入力され、パルス信号を出力する。駆動回路102を構成する回路は、駆動回路103と同様にIC化してもよいし、表示部101の画素880が有するトランジスタと同じトランジスタを用いてもよい。
The
駆動回路102は、複数のゲート線GLに走査信号を出力する。なお、駆動回路102を複数設け、複数の駆動回路102により、複数のゲート線GLを分割して制御してもよい。
The
表示部101は、複数のゲート線GL、及び複数のソース線SLが概略直交するように設けられている。ゲート線GLとソース線SLの交差部には、画素880が設けられる。なお表示部101における画素880の配置は、カラー表示であれば、RGB(赤緑青)の各色に対応した画素が順に設けられる。なお、RGBの画素の配列は、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列等適宜用いることができる。またRGBに限らず、白あるいは黄といった色を追加してカラー表示を行う構成としてもよい。
The
画像111を表示するための画像信号には主に、可視光で構成される画像が含まれる。また、画像112を表示するための画像信号には主に、赤外光で構成される画像が含まれる。
The image signal for displaying the
画像112は、画質を低下させるための画像であり、階調数が少なくてもよい。例えば画像112は2値のデータで構成されてもよい。画像112の階調数を少なくすることにより、駆動回路103等、表示装置100が有する回路の回路規模を小さくできる場合がある。すなわち回路面積を小さくできる場合がある。あるいは、回路の消費電力を小さくできる場合がある。
The
図8(A)に示すように、駆動回路103が、画像111を表示する駆動回路103vと、画像112を生成するための駆動回路103iと、を有してもよい。
As shown in FIG. 8A, the
駆動回路103vより信号が出力されるソース線SLvは、画素880が有する副画素のうち可視光、例えば赤色、緑色、青色、黄色、白色、等を発する画素に電気的に接続される。例えば、副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881W、等に電気的に接続される。図8(A)においてはソース線SLvが副画素881Rに電気的に接続される例を示す。
The source line SLv from which a signal is output from the
また駆動回路103iより信号が出力されるソース線SLiは、画素880が有する副画素のうち赤外光を発する画素、例えば図8(A)においては副画素881Iに電気的に接続される。
A source line SLi from which a signal is output from the
また図8(A)に示すように、駆動回路102が、画像111を表示する駆動回路102vと、画像112を生成するための駆動回路102iと、を有してもよい。
As shown in FIG. 8A, the
駆動回路102vより信号が出力されるゲート線GLvは、画素880が有する副画素のうち可視光、例えば赤色、緑色、青色、黄色、白色、等を発する画素に電気的に接続される。例えば、副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881W、等に電気的に接続される。図8(A)においてはゲート線GLvが副画素881Rに電気的に接続される例を示す。
The gate line GLv from which a signal is output from the
また駆動回路102iより信号が出力されるゲート線GLiは、画素880が有する副画素のうち赤外光を発する画素、例えば図8(A)においては副画素881Iに電気的に接続される。
The gate line GLi from which a signal is output from the
画像112は階調数が少なくてもよく、また書き換え頻度(リフレッシュ頻度)が低くてもよい。よって例えば駆動回路103iに入力されるデータ信号のビット数kを小さくすることができる。信号のビット数を減らすことにより、配線数などを減らすことができ、回路規模を縮小することができる。
The
画素880が有する副画素同士がゲート線およびソース線を共有することにより、配線数を減らせる。図8(B)に示す例においては、副画素881Rと、副画素881Iには同一のゲート線GLが電気的に接続され、図8(A)と比較して配線数を減らせる。図8(C)に示す例においては、副画素881Rと、副画素881Iには同一のソース線GLが電気的に接続される。
The number of wirings can be reduced because the sub-pixels included in the
[表示装置の動作例]
以下に、本発明の一態様の表示装置の動作例について説明する。
[Operation example of display device]
The operation example of the display device of one embodiment of the present invention is described below.
<動作例1>
図9のフロー図を用いて表示装置100の動作例を説明する。
<Operation example 1>
An operation example of the
まずステップS001において、表示装置100を起動する。
First, in step S001, the
次にステップS002において、画像111として表示するコンテンツを選択する画面、例えば、ホーム画面に相当する画面が表示される。
Next, in step S002, a screen for selecting content to be displayed as the
ステップS003において、表示するコンテンツを選択する。 In step S003, the content to be displayed is selected.
ステップS004において、ステップS003で選択されたコンテンツに、複写禁止のコンテンツが含まれるかを判断する。YES、すなわち複写禁止のコンテンツが含まれる場合はステップS006へ進む。NO、すなわち複写禁止のコンテンツが含まれない場合はステップS005へ進む。 In step S004, it is determined whether the content selected in step S003 includes copy-prohibited content. If YES, that is, if copy-prohibited content is included, the process proceeds to step S006. If NO, that is, if copy-prohibited content is not included, the process proceeds to step S005.
ステップS005において、ステップS003で選択されたコンテンツを有する画像111を表示する。
In step S005, the
ステップS006において、センサ105を起動させ、検知を開始する。
In step S006, the
ステップS007において、ステップS003で選択されたコンテンツを有する画像111を表示する。
In step S007, the
ステップS008において、複写禁止のコンテンツが撮像装置に撮像される場合には、ステップS009に進むことが好ましい。ここではセンサ105が信号106を検知する場合に、撮像装置に撮像された可能性がある、とみなしてステップS008の動作を行う。
In step S008, when the copy-prohibited content is imaged by the imaging device, it is preferable to proceed to step S009. Here, when the
ステップS008において、センサ105の信号検知の有無を判断し、YES、すなわちセンサ105が信号106を検知したら、ステップS009へ進み、NO、すなわちセンサ105が信号106を検知しない場合はステップS007に戻る。
In step S008, it is determined whether or not the signal of the
ステップS009では画像111に重ねて、画像112を表示する。センサ105、およびセンサ105が検知する信号106については後述する。
In step S009, the
センサ105が信号106を検知しなくなったら、ステップS010へ進む。
When the
ステップS010では画像112の表示を停止させる。その後、ステップS007に戻り、ステップS003で選択されたコンテンツの表示を継続する。
In step S010, the display of the
ここで画像112の表示を停止させる、とは例えば、画像112を表示するための信号の表示部101への供給を停止することを指す。例えば、表示部101が有する画素において、副画素881Iが有する表示素子へ電流あるいは電圧を与えるスイッチング素子(例えばトランジスタ)をオフ状態にすることを指す。あるいは、画像112における赤外光の強度をある値より小さくすることを指す。
Here, the display of the
ステップS005乃至ステップS010において、ステップS003で選択されたコンテンツの表示を終了したら、ステップS002に戻る。 When the display of the content selected in step S003 is completed in steps S005 to S010, the process returns to step S002.
<動作例2>
ステップS009において、表示部101に画像111および画像112を表示する動作をより詳細なステップに分けて述べる。図10には、ステップS009が、ステップS101、ステップS102、ステップS103を有する例を示す。
<Operation example 2>
In step S009, the operation of displaying the
画像112において、y階調より高い階調値となる副画素881Iの個数をxとする。ここでyは例えば、全階調の半分の階調値である。
In the
ステップS101において、画像111と、画像112とが表示される。ここでは画像112において、x=bとする。
In step S101, an
ステップS102において、画像111と、画像112が表示される。ここでは画像112において、x=cとする。
In step S102, an
c個の副画素881Iのうち、ステップS101において全階調の半分より高い階調値となるb個の副画素881Iと一致しない個数は例えば、c個の30%よりも多い。 Of the c sub-pixels 881I, the number that does not match the b sub-pixels 881I having a gradation value higher than half of all gradations in step S101 is, for example, more than 30% of c.
ステップS103において、画像111と、画像112が表示される。ここでは画像112において、x=dとする。
In step S103, an
d個の副画素881Iのうち、ステップS102において全階調の半分より高い階調値となるc個の副画素881Iと一致しない個数は例えば、d個の30%よりも多い。 Of the d sub-pixels 881I, the number that does not match the c sub-pixels 881I having a gradation value higher than half of all the gradations in step S102 is, for example, more than 30% of d.
ステップS101、ステップS102、ステップS103は例えば第1のフレーム、第2のフレーム、第3のフレームに対応する。 Steps S101, S102, and S103 correspond to, for example, a first frame, a second frame, and a third frame.
<センサー>
センサ105は例えば、照度センサ、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、タッチセンサ、から選ばれる一以上を有することが好ましい。
<Sensor>
The
以下に、センサ105が検知する信号の例を示す。
Below, examples of signals detected by the
センサ105が有する照度センサが例えば、ある値以上の照度を検知した場合、信号106を検知した、とみなす。また、ある値より小さい照度を検知した場合、あるいは照度が検出下限以下となった場合には信号106の検知がされなくなった、とみなす。
For example, when the illuminance sensor included in the
センサ105が有するセンサにより、表示装置100が有する表示部101が下に向いた場合には、信号106を検知した、とみなす。下に向くとは例えば、地面に平行な面から30°以内の面に平行に面することを指す。
When the
あるいは、センサ105が有するセンサが検知しない場合において、信号106を検知した、とみなしてもよい。例えば、センサ105が有するタッチセンサが検知しない場合に、画像111が撮像装置に撮像される可能性がある、として画像112を表示してもよい。
Alternatively, when the sensor included in the
<プログラム>
制御回路104は、図9および図10に示すステップを本発明の一態様の表示装置に実行させる機能を有するプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を有することが好ましい。
<Program>
The
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態2)
本実施の形態では、表示装置が有する画素の構成例について説明する。また図11および図12には図示しない場合においても、画素880は白色に対応する副画素や、黄色に対応する副画素を有してもよい。
(Embodiment 2)
In this embodiment, an example of a structure of a pixel included in the display device will be described. 11 and 12, the
図11(A)は画素880の一例を示す回路図である。画素880は副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881Iを有する。それぞれの副画素はトランジスタ65、トランジスタ66および表示素子72を有する。表示素子72は例えば自発発光素子である。自発発光素子として有機EL素子を用いることができる。トランジスタ65のソースおよびドレインの一方には、表示素子72の一方の電極、例えばアノードが電気的に接続され、他方にはそれぞれの副画素に対応するアノード線が接続される。トランジスタ66のソースおよびドレインの一方には、トランジスタ65のゲートが電気的に接続され、他方にはそれぞれの副画素に対応するソース線が接続される。それぞれの副画素に対応するソース線には、表示素子72に対応した画像信号が供給される。
FIG. 11A is a circuit diagram illustrating an example of the
トランジスタ65は、表示素子72に供給する電流を制御する機能を有する。トランジスタ66は、トランジスタ65のゲートへの電位の供給を制御する機能を有する。
The
ゲート線GL1、ゲート線GL2、アノード線AL1およびアノード線AL2、は駆動回路102より信号が供給される配線である。図11(A)に示す例では、可視光、すなわち赤色、緑色、および青色に対応する副画素881R、副画素881G、および副画素881Bへ電気的に接続されるゲート線およびアノード線は共通化され、ゲート線GL1およびアノード線AL1が電気的に接続される。赤外光に対応する副画素881Iへはゲート線GL2およびアノード線AL2が電気的に接続される。また副画素881R、副画素881G、副画素881B、および副画素881Iにはそれぞれソース線SL1、ソース線SL2、ソース線SL3、およびソース線SL4が電気的に接続される。ソース線SL1、ソース線SL2、ソース線SL3、およびソース線SL4は駆動回路103より信号が供給される配線である。
The gate line GL1, the gate line GL2, the anode line AL1, and the anode line AL2 are wirings to which signals are supplied from the driving
図11(B)は画素880の一例を示す回路図である。画素880は副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881Iを有する。それぞれの副画素はトランジスタ63および表示素子71を有する。表示素子71は例えば液晶素子である。液晶素子は、2つの電極(画素電極とコモン電極)と、これらに挟まれた液晶を有する。透過型の液晶素子を用いる場合には、表示装置100は光源、例えばバックライトを有する。反射型の液晶素子を用いることにより表示装置100の消費電力を低くすることができる。トランジスタ63のソースおよびドレインの一方には、表示素子71の一方の電極が電気的に接続される。トランジスタ63は、表示素子71に印加する電圧を制御する機能を有する。
FIG. 11B is a circuit diagram illustrating an example of the
ここで、画素880において、副画素881Iを画素毎に駆動せず、全画素を一括でオン、オフしてもよい。このような場合には画素毎に駆動を制御するトランジスタを設けなくてもよい。すなわち、全画素を一括でオンすることにより、画面全体をベタ表示すればよい。あるいは、複数の画素を一括でオン、オフしてもよい。例えば、表示部の一部の領域において、全ての画素を一括でオン、オフしてもよい。
Here, in the
トランジスタ63、トランジスタ65およびトランジスタ66は例えば、シリコンを用いたトランジスタである。シリコンとして、非晶質シリコンを用いることができる。またシリコンとして、多結晶シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコン、等の結晶性を有するシリコンを用いることができる。
The
非晶質シリコンを用いたトランジスタは、多結晶シリコンを用いたトランジスタ等に比べ、工程が簡単で、コストが安い。また大型の基板で作製しやすいといった利点がある。なお、一般に、トランジスタに用いる非晶質シリコンは水素を多く含む。このため、水素を多く含む非晶質シリコンを「水素化アモルファスシリコン」または「a−Si:H」という場合がある。また、非晶質シリコンは、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、作製工程中の最高温度を下げることができる。よって、基板、導電層、および絶縁層などに、耐熱性の低い材料を用いることができる。このように、非晶質シリコンは生産性が極めて高い。本発明の一態様の表示装置を大型のディスプレイに用いる場合には特に、非晶質シリコンを用いることが好ましい。 A transistor using amorphous silicon is simpler and less expensive than a transistor using polycrystalline silicon. In addition, there is an advantage that it is easy to manufacture with a large substrate. Note that in general, amorphous silicon used for a transistor contains a large amount of hydrogen. For this reason, amorphous silicon containing a large amount of hydrogen may be referred to as “hydrogenated amorphous silicon” or “a-Si: H”. Further, since amorphous silicon can be formed at a lower temperature than polycrystalline silicon, the maximum temperature during the manufacturing process can be lowered. Therefore, a material having low heat resistance can be used for the substrate, the conductive layer, the insulating layer, and the like. Thus, amorphous silicon has extremely high productivity. In particular, when the display device of one embodiment of the present invention is used for a large display, amorphous silicon is preferably used.
多結晶シリコンを用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して、電界効果移動度をより高くすることができる。よって、トランジスタに接続される負荷が大きい場合においても、高い駆動周波数で動作させることができる。 A transistor using polycrystalline silicon can have higher field-effect mobility than a transistor using amorphous silicon. Therefore, even when the load connected to the transistor is large, the transistor can be operated at a high driving frequency.
多結晶シリコンは例えば、非晶質シリコンをレーザを用いて結晶化させるにより作製することができる。また、非晶質シリコンの一部の領域のみを結晶化させてもよい。 Polycrystalline silicon can be produced, for example, by crystallizing amorphous silicon using a laser. Further, only a partial region of amorphous silicon may be crystallized.
トランジスタ63、トランジスタ65およびトランジスタ66として、OSトランジスタを用いてもよい。OSトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して、電界効果移動度をより高くすることができる。よって、トランジスタに接続される負荷が大きい場合においても、高い駆動周波数で動作させることができる。また、OSトランジスタは、生産性が高く、大型の基板で作成しやすいといった利点がある。またOSトランジスタはオフ電流が極めて低く、OSトランジスタを用いた表示装置は消費電力を低減できる場合がある。
An OS transistor may be used as the
またトランジスタ63、トランジスタ65およびトランジスタ66はバックゲートを有してもよい。
Further, the
トランジスタ63としてオフ電流が低いトランジスタ、ここでは例えばOSトランジスタを用いることで、表示画面を書き換える必要がない場合(すなわち静止画を表示する場合)、一時的に駆動回路を停止することができる(以下、「アイドリングストップ」、もしくは「IDS駆動」と呼ぶ。)。IDS駆動によって、表示装置100の消費電力を低減することができる。
By using a transistor having a low off-state current as the
トランジスタ63、トランジスタ65およびトランジスタ66のうち一以上をシリコンを用いたトランジスタとし、一以上をOSトランジスタとしてもよい。
One or more of the
なお、液晶素子においてIDS駆動を行う場合、誘電率の異方性を2以上3.8以下とし、液晶層の抵抗率を1.0×1014(Ω・cm)以上1.0×1015(Ω・cm)以下とすることが好ましい。 Note that in the case of performing IDS driving in a liquid crystal element, the anisotropy of the dielectric constant is set to 2 to 3.8 and the resistivity of the liquid crystal layer is set to 1.0 × 10 14 (Ω · cm) to 1.0 × 10 15. (Ω · cm) or less is preferable.
液晶層の誘電率の異方性が高いと、電界との相互作用が大きく、液晶層の挙動が速くなるため、表示パネルの高速動作が可能である。なお、液晶層の誘電率の異方性が3.8を超えると、液晶中の不純物の精製が困難となる。この不純物が液晶層に残留することで、液晶層の導電率が増大してしまい、IDS駆動の場合に、画素に書き込んだ電圧を保持することが困難になる。 When the anisotropy of the dielectric constant of the liquid crystal layer is high, the interaction with the electric field is large, and the behavior of the liquid crystal layer is accelerated, so that the display panel can be operated at high speed. Note that if the anisotropy of the dielectric constant of the liquid crystal layer exceeds 3.8, it becomes difficult to purify the impurities in the liquid crystal. When these impurities remain in the liquid crystal layer, the conductivity of the liquid crystal layer increases, and in the case of IDS driving, it is difficult to maintain the voltage written in the pixel.
一方、液晶層の誘電率の異方性が低いと、液晶層中の不純物の量を低減することができるため、液晶層の導電率を低減できる。なお、液晶層の誘電率の異方性が2未満であると、電界との相互作用が小さく、液晶層の挙動が遅いため、高速動作を促すために駆動電圧を高く設定しなければならず、消費電力の低減が困難である。 On the other hand, when the dielectric constant anisotropy of the liquid crystal layer is low, the amount of impurities in the liquid crystal layer can be reduced, so that the conductivity of the liquid crystal layer can be reduced. If the anisotropy of the dielectric constant of the liquid crystal layer is less than 2, since the interaction with the electric field is small and the behavior of the liquid crystal layer is slow, the drive voltage must be set high to promote high-speed operation. It is difficult to reduce power consumption.
これらのことから、液晶層の誘電率の異方性を2以上3.8以下とし、液晶層の抵抗率を1.0×1014(Ω・cm)以上1.0×1015(Ω・cm)以下とすることで、IDS駆動化可能であり、表示パネルの消費電力を低減することができる。 Therefore, the anisotropy of the dielectric constant of the liquid crystal layer is 2 or more and 3.8 or less, and the resistivity of the liquid crystal layer is 1.0 × 10 14 (Ω · cm) or more and 1.0 × 10 15 (Ω · cm) or less, IDS driving is possible, and power consumption of the display panel can be reduced.
ゲート線GL3、ゲート線GL4、は駆動回路102より信号が供給される配線である。図11(B)に示す例においては可視光、すなわち赤色、緑色、および青色に対応する副画素881R、副画素881G、および副画素881Bへ電気的に接続されるゲート線は共通化され、ゲート線GL3が電気的に接続される。赤外光に対応する副画素881Iへはゲート線GL4が電気的に接続される。また副画素881R、副画素881G、副画素881B、および副画素881Iにはそれぞれソース線SL5、ソース線SL6、ソース線SL7、およびソース線SL8が電気的に接続される。ソース線SL5、ソース線SL6、ソース線SL7、およびソース線SL8は駆動回路103より信号が供給される配線である。
The gate lines GL3 and GL4 are wirings to which signals are supplied from the
光源として例えば、可視から赤外までの波長域の発光を有するバックライトを用いればよい。それぞれの副画素にはそれぞれの色に対応するカラーフィルタ、例えば、赤色、緑色、青色、赤外、等に対応する波長域の光を透過するフィルタを設ける。 For example, a backlight having light emission in a wavelength range from visible to infrared may be used as the light source. Each subpixel is provided with a color filter corresponding to each color, for example, a filter that transmits light in a wavelength range corresponding to red, green, blue, infrared, and the like.
図12は、画素880が表示素子71と表示素子72を有する回路図の一例を示す。図12に示す画素880は副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881I、および副画素881Wを有する。図12に示す副画素881R、副画素881G、および副画素881Bは、表示素子72、トランジスタ65およびトランジスタ66を有し、駆動回路102より信号が供給されるゲート線GL1が、電気的に接続される。また図12に示す画素880は、副画素881Iを有する。図12に示す副画素881Iは、表示素子72、トランジスタ65およびトランジスタ66を有し、駆動回路102より信号が供給されるゲート線GL2が電気的に接続される。また図12に示す画素880は、副画素881Wを有する。図12に示す副画素881Wは、トランジスタ63および表示素子71を有し、駆動回路102より信号が供給されるゲート線GL3が電気的に接続される。
FIG. 12 illustrates an example of a circuit diagram in which the
また、副画素881R、副画素881G、副画素881B、副画素881R、および副画素881Iにはそれぞれ、駆動回路103より信号が供給されるソース線SL1、ソース線SL2、ソース線SL3、ソース線SL4、およびソース線SL5が電気的に接続される。
In addition, the sub-pixel 881R, the sub-pixel 881G, the sub-pixel 881B, the sub-pixel 881R, and the sub-pixel 881I are supplied with signals from the
図12に示す画素880において例えば、表示素子71として反射型の液晶素子を用いればよい。反射型の液晶素子はバックライト等の光源が不要であるため、消費電力を低くすることができる。また、表示素子71は白色に対応する副画素に含まれるため、表示素子71はグレー表示、あるいは白黒表示に用いればよい。例えば画像111において、文字表示を行う領域は表示素子71を用い、画像表示を行う領域は表示素子72を用いる。表示素子71を表示部の部分的、あるいは全面で用いることにより、消費電力を低くできる場合がある。
In the
あるいは、表示装置100を使用するエリアの照度が高い場合には、表示素子71を用い、照度が低い場合には、表示素子72を用いればよい。
Alternatively, the
図13は、画素880が表示素子71と表示素子72を有する回路図の一例を示す。図13に示す画素880は副画素881R、副画素881G、副画素881B、および副画素881Iを有する。図13に示す副画素881R、副画素881G、および副画素881Bは、表示素子72と、表示素子72にソースおよびドレインの一方が電気的に接続されるトランジスタ65、トランジスタ65のゲートにソースおよびドレインの一方が電気的に接続されるトランジスタ66、表示素子71、および表示素子71にソースおよびドレインの一方が電気的に接続されるトランジスタ63を有する。図13に示す副画素881R、副画素881G、および副画素881Bは表示素子71と表示素子72の両方を有するため、それぞれの副画素を表示する際に、表示素子71と表示素子72の両方を駆動させてもよいし、いずれか一方のみを駆動させてもよい。
FIG. 13 illustrates an example of a circuit diagram in which the
例えば表示装置100を使用するエリアの照度が高い場合には、表示素子71のみ、あるいは表示素子71および表示素子72を用いて画像111を表示させて消費電力を低減し、照度が低い場合には、表示素子72を用いる。消費電力を低減することにより、表示装置100が有する蓄電池の持続時間を長くすることができる。
For example, when the illuminance of the area where the
表示素子71と表示素子72の両方を表示させることにより得られる表示を、ハイブリッド表示とよぶ場合がある。
A display obtained by displaying both the
ハイブリッド表示とは、1つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字または画像を表示する方法である。または、ハイブリッド表示とは、同一画素または同一副画素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字及び/または画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみると、複数の表示素子のいずれか一を用いて表示される画素または副画素と、複数の表示素子の二以上を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。 Hybrid display is a method of displaying characters or images on one panel by using reflected light and self-light emission in combination with each other to complement color tone or light intensity. Alternatively, the hybrid display is a method for displaying characters and / or images using light from a plurality of display elements in the same pixel or the same sub-pixel. However, when a hybrid display that performs hybrid display is viewed locally, the display is performed using a pixel or sub-pixel displayed using any one of a plurality of display elements and two or more of the plurality of display elements. A pixel or a sub-pixel.
なお、本明細書等において、上記構成のいずれか1つまたは複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。 Note that in this specification and the like, a display that satisfies any one or a plurality of expressions of the above configuration is referred to as a hybrid display.
ハイブリッド表示とすることにより、独特の質感を有する画像が得られる場合がある。 By using a hybrid display, an image having a unique texture may be obtained.
また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方または双方を用いて、文字及び/または画像を表示する機能を有する。 The hybrid display has a plurality of display elements in the same pixel or the same sub-pixel. Examples of the plurality of display elements include a reflective element that reflects light and a self-luminous element that emits light. Note that the reflective element and the self-luminous element can be controlled independently. The hybrid display has a function of displaying characters and / or images in the display unit using either or both of reflected light and self-light emission.
OSトランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などを用いることができる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。 As a semiconductor material used for the OS transistor, a metal oxide having an energy gap of 2 eV or more, preferably 2.5 eV or more, more preferably 3 eV or more can be used. Typically, an oxide semiconductor containing indium can be used. A transistor using an oxide semiconductor with a wider band gap and lower carrier density than silicon can hold charge accumulated in a capacitor connected in series with the transistor for a long time due to its low off-state current. Is possible.
半導体層は、例えばインジウム、亜鉛及びM(アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属)を含むIn−M−Zn系酸化物、In−M系酸化物、M−Zn系酸化物、又はIn−Zn酸化物で表記される膜とすることができる。 The semiconductor layer includes, for example, an In-M-Zn-based oxide including In, M, and M (metal such as aluminum, titanium, gallium, germanium, yttrium, zirconium, lanthanum, cerium, tin, neodymium, or hafnium), In-M. A film represented by a series oxide, an M-Zn series oxide, or an In-Zn oxide can be used.
半導体層を構成する酸化物半導体がIn−M−Zn系酸化物の場合、In−M−Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。 In the case where the oxide semiconductor included in the semiconductor layer is an In-M-Zn-based oxide, the atomic ratio of the metal elements of the sputtering target used for forming the In-M-Zn oxide is In ≧ M, Zn It is preferable to satisfy ≧ M. As the atomic ratio of the metal elements of such a sputtering target, In: M: Zn = 1: 1: 1, In: M: Zn = 1: 1: 1.2, In: M: Zn = 3: 1: 2, In: M: Zn = 4: 2: 3, In: M: Zn = 4: 2: 4.1, In: M: Zn = 5: 1: 6, In: M: Zn = 5: 1: 7, In: M: Zn = 5: 1: 8 etc. are preferable. Note that the atomic ratio of the semiconductor layer to be formed includes a variation of plus or minus 40% of the atomic ratio of the metal element contained in the sputtering target.
また、上記材料等で形成した金属酸化物は、不純物や酸素欠損などを制御することで透光性を有する導電体として作用させることができる。したがって、上述した半導体層に加え、トランジスタの他の構成要素であるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極などを透光性を有する導電体で形成することで、透光性を有するトランジスタを構成することができる。当該透光性を有するトランジスタを表示装置の画素に用いることで、表示素子を透過又は発するが当該トランジスタを透過することができるため、開口率を向上させることができる。 In addition, a metal oxide formed using the above materials or the like can serve as a light-transmitting conductor by controlling impurities, oxygen vacancies, and the like. Therefore, in addition to the semiconductor layer described above, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, and the like, which are other components of the transistor, are formed using a light-transmitting conductor, thereby forming a light-transmitting transistor. Can do. By using the light-transmitting transistor for a pixel of the display device, the display element can be transmitted or emitted, but the transistor can be transmitted, so that the aperture ratio can be improved.
また、OSトランジスタに、CAC−OSまたはCAC−metal oxideを用いることができる。CAC−OSまたはCAC−metal oxideとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、CAC−OSまたはCAC−metal oxideを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子(またはホール)を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC−OSまたはCAC−metal oxideに付与することができる。CAC−OSまたはCAC−metal oxideにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。CAC−OSまたはCAC−metal oxideは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。また、CAC−OSまたはCAC−metal oxideにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ0.5nm以上10nm以下、好ましくは0.5nm以上3nm以下のサイズで材料中に分散している場合がある。また、CAC−OSまたはCAC−metal oxideは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、CAC−OSまたはCAC−metal oxideは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記CAC−OSまたはCAC−metal oxideをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。すなわち、CAC−OSまたはCAC−metal oxideは、マトリックス複合材(matrix composite)、または金属マトリックス複合材(metal matrix composite)と呼称することもできる。 In addition, a CAC-OS or a CAC-metal oxide can be used for the OS transistor. The CAC-OS or the CAC-metal oxide has a conductive function in part of the material and an insulating function in part of the material, and the whole material has a function as a semiconductor. Note that in the case where CAC-OS or CAC-metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the conductive function is a function of flowing electrons (or holes) serving as carriers, and the insulating function is an electron serving as carriers. It is a function that does not flow. By performing the conductive function and the insulating function in a complementary manner, a switching function (function to turn on / off) can be given to the CAC-OS or the CAC-metal oxide. In CAC-OS or CAC-metal oxide, by separating each function, both functions can be maximized. The CAC-OS or the CAC-metal oxide has a conductive region and an insulating region. The conductive region has the above-described conductive function, and the insulating region has the above-described insulating function. In the material, the conductive region and the insulating region may be separated at the nanoparticle level. In addition, the conductive region and the insulating region may be unevenly distributed in the material, respectively. In addition, the conductive region may be observed with the periphery blurred and connected in a cloud shape. In CAC-OS or CAC-metal oxide, the conductive region and the insulating region are each dispersed in a material with a size of 0.5 nm to 10 nm, preferably 0.5 nm to 3 nm. There is. Further, CAC-OS or CAC-metal oxide is composed of components having different band gaps. For example, CAC-OS or CAC-metal oxide includes a component having a wide gap caused by an insulating region and a component having a narrow gap caused by a conductive region. In the case of the configuration, when the carrier flows, the carrier mainly flows in the component having the narrow gap. In addition, the component having a narrow gap acts in a complementary manner to the component having a wide gap, and the carrier flows through the component having the wide gap in conjunction with the component having the narrow gap. Therefore, when the CAC-OS or the CAC-metal oxide is used for a channel region of a transistor, high current driving capability, that is, high on-state current and high field-effect mobility can be obtained in the on-state of the transistor. That is, CAC-OS or CAC-metal oxide can also be referred to as a matrix composite or a metal matrix composite.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構造の一例について説明する。図14および図15(A)には表示装置100の断面を示す。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an example of the structure of the display device of one embodiment of the present invention will be described. 14 and 15A show a cross section of the
図14(A)に示す表示装置100は、基板853と、基板865と、基板853および基板865に挟まれた素子871と、素子872と、を有する。本発明の一態様の表示装置は素子871を有さない構造としてもよい。
A
図14(A)に示す素子871は液晶素子を有する。素子871は基板853と絶縁層858に挟まれるように配置される。
An
素子871は、表示素子856と、着色層855と、反射電極857と、を有する。素子871は液晶層に電圧を印加するトランジスタを有することが好ましい。表示素子856は、液晶層と、液晶層を挟んで反射電極857の反対側に位置する電極と、配向膜と、を有する。配向膜は例えば、液晶層を挟むように配置される。着色層は、カラーフィルタと呼ばれる場合がある。
The
絶縁層854は、基板853と絶縁層858の間に位置する。絶縁層854は接着層として機能してもよい。例えば、絶縁層854により基板853と、素子871とが接着されてもよい。
The insulating
基板853において、素子871と反対側の面に、光学フィルム851が設けられてもよい。
In the
図14(A)に示す素子872は発光素子を有する。発光素子としては、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型等がある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。ここでは素子872が有機EL素子を有する例について説明する。素子872が基板865と絶縁層858に挟まれるように配置される。
An
素子871は、トランジスタ層861と、表示素子862と、トランジスタ層863と、表示素子864と、着色層860と、を有する。トランジスタ層861およびトランジスタ層863が有するトランジスタとして、先の実施の形態に示すトランジスタ63を参照することができる。
The
表示素子862は、EL層と、EL層を挟むように配置される二以上の電極と、を有する。EL層は少なくとも発光層を有する。EL層については後の実施の形態で詳述する。表示素子862が有するEL層は、可視光を主とした波長域において発光する機能を有する。表示素子862が有する電極の少なくとも一は、トランジスタ層861が有するトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続される。
The
表示素子864は、EL層と、EL層を挟むように配置される二以上の電極と、を有する。表示素子864が有するEL層は、赤外領域において発光する機能を有する。表示素子864が有する電極の少なくとも一は、トランジスタ層863が有するトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続される。
The
絶縁層859は、基板865と絶縁層858の間に位置する。絶縁層859は接着層として機能してもよい。例えば、絶縁層859により基板865と、素子872とが接着されてもよい。
The insulating
表示装置100は図14(B)に示す一例のように、素子871を有さなくてもよい図14(B)に示す表示装置100は、素子872を有し、素子871は基板865と基板853に挟まれるように配置される。表示装置100は基板865上のトランジスタ層863と、トランジスタ層863上の表示素子864と、表示素子864上のトランジスタ層861と、トランジスタ層861上の表示素子862と、表示素子862上の着色層860と、を有する。
The
図15(A)は有機EL素子の発光波長の一例を示す。横軸は波長(Wave Length)、縦軸は発光強度(Emission Intensity)である。該発光波長が赤色から赤外である場合に、赤外領域の光を選択して、表示素子より射出してもよい。図15(A)に示す発光スペクトルは、D[nm]にピークを有する。Dは例えば570nm以上750nm以下である。例えば、図15(A)においてはE[nm]以上の波長域の光を透過する着色層を用い、領域Fを表示素子より射出させる。Eは例えば650以上800以下の値を有する。 FIG. 15A shows an example of the emission wavelength of the organic EL element. The horizontal axis represents wavelength (Wave Length), and the vertical axis represents emission intensity (Emission Intensity). When the emission wavelength is from red to infrared, infrared light may be selected and emitted from the display element. The emission spectrum illustrated in FIG. 15A has a peak at D [nm]. D is, for example, not less than 570 nm and not more than 750 nm. For example, in FIG. 15A, a colored layer that transmits light in a wavelength region of E [nm] or more is used, and the region F is emitted from the display element. E has a value of 650 or more and 800 or less, for example.
図15(B)に示す表示装置100は図14(A)と比較して、光源866を有する点が異なる。光源866は赤外光を発する機能を有する。
A
図15(B)に示す表示装置100では光源866により赤外光を発することができる。よって、図15(B)に示す素子872は図14(A)と比較して、赤外領域において発光する機能を有する表示素子864とトランジスタ層863を有さなくてもよい。
In the
図16(A)では、図14(B)に示す表示装置100について、より詳しく述べる。また図16に示す構成の一部は図14(A)の素子872にも適用することができる。表示素子862は電極862a、EL層862b、および電極862cを有する。また表示素子862は半透過電極862dを有してもよい。それぞれの副画素において、半透過電極862dの厚さは異なってもよい。
In FIG. 16A, the
図16(A)に示す構成において、それぞれの副画素が有する半透過電極862dの厚さを変えることにより、電極862aの表面から電極862cまでの距離、および860Rが有するEL層861bの発光層と電極862aの表面との距離を調整することができる。したがって、マイクロキャビティ方式を適用して、発光層が発する光を増幅することができる。例えば、発光層から得られる光の波長λに対して、電極862aの表面から電極862cまでの距離がmλ/2(ただし、mは自然数)近傍となるように調整するのが好ましい。
In the structure illustrated in FIG. 16A, by changing the thickness of the
また、発光層1113から得られる所望の光(波長:λ)を増幅させるために、電極862aの表面から発光層の所望の光が得られる領域(発光領域)までの光学距離と、電極862cから発光層1113の所望の光が得られる領域(発光領域)までの光学距離と、をそれぞれ(2m’+1)λ/4(ただし、m’は自然数)近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層1113における正孔(ホール)と電子との再結合領域を示す。
Further, in order to amplify desired light (wavelength: λ) obtained from the light emitting layer 1113, an optical distance from the surface of the
このような光学調整を行うことにより、発光層から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。 By performing such optical adjustment, the spectrum of specific monochromatic light obtained from the light emitting layer can be narrowed, and light emission with good color purity can be obtained.
透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、40%以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、20%以上80%以下、好ましくは40%以上70%以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が1×10−2Ωcm以下とするのが好ましい。また電極が反射性を有する電極(反射電極)である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、40%以上100%以下、好ましくは70%以上100%以下とする。また、この電極は、抵抗率が1×10−2Ωcm以下とするのが好ましい。 When the light-transmitting electrode is a transparent electrode, the transparent electrode has a visible light transmittance of 40% or more. In the case of a semi-transmissive / semi-reflective electrode, the visible light reflectance of the semi-transmissive / semi-reflective electrode is 20% to 80%, preferably 40% to 70%. These electrodes preferably have a resistivity of 1 × 10 −2 Ωcm or less. In the case where the electrode is a reflective electrode (reflective electrode), the visible light reflectance of the reflective electrode is 40% to 100%, preferably 70% to 100%. The electrode preferably has a resistivity of 1 × 10 −2 Ωcm or less.
電極材料として以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、In−Sn酸化物(ITOともいう)、In−Si−Sn酸化物(ITSOともいう)、In−Zn酸化物、In−W−Zn酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、イットリウム(Y)、ネオジム(Nd)などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第1族または第2族に属する元素(例えば、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
The following materials can be used in appropriate combination as the electrode material. For example, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, and the like can be used as appropriate. Specifically, an In—Sn oxide (also referred to as ITO), an In—Si—Sn oxide (also referred to as ITSO), an In—Zn oxide, and an In—W—Zn oxide can be given. In addition, aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), gallium (Ga), zinc (Zn ), Indium (In), tin (Sn), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), palladium (Pd), gold (Au), platinum (Pt), silver (Ag), yttrium (Y ), A metal such as neodymium (Nd), and an alloy containing an appropriate combination thereof. In addition, elements belonging to
表示装置100は、画素880を有し、画素880は副画素881R、副画素881G、副画素881Bおよび副画素881Iを有する。図16(A)において副画素881R、副画素881Gおよび副画素881Bは、EL層862bを共有する。副画素881R、副画素881G、および副画素881Bはそれぞれの色に対応する着色層(着色層860R、着色層860G、および着色層860B)を有する。
The
表示素子として、一対の電極の間に、電荷発生層を挟んでEL層を複数有する構造の発光素子(以下、タンデム型発光素子という)を用いてもよい。例えば電極861aと電極861cとの間に、複数のEL層と、該EL層の間の電荷発生層と、を設けてもよい。 As the display element, a light-emitting element having a structure in which a plurality of EL layers are interposed between a pair of electrodes with a charge generation layer interposed therebetween (hereinafter referred to as a tandem light-emitting element) may be used. For example, a plurality of EL layers and a charge generation layer between the EL layers may be provided between the electrodes 861a and 861c.
表示素子864は電極864a、EL層864b、および電極864cを有する。また表示素子864は半透過電極864dを有してもよい。
The
図16(A)においてEL層862bとEL層863bは重なる領域を有する。図16(A)には、EL863層bから発光し、基板853の外側に射出される光891を示す。光891は、EL層862bおよび電極862cを透過して基板853の外側に射出される場合がある。
In FIG. 16A, the
図16(B)には、EL層862bとEL層864bが横に並ぶ例を示す。EL層862bとEL層864bはマスクを用いて塗り分けを行うことにより作製することができる。なお、EL層862bとEL層864bを同じ構成とする場合には、塗り分けが不要となる。
FIG. 16B illustrates an example in which the
また、EL層862にて赤色、緑色、青色にそれぞれ対応する副画素において塗り分けを行い、EL層864として、EL層862のうち赤色に対応する副画素の領域と共通のEL層を用いてもよい。この場合には、L層862のうち赤色に対応する副画素の領域と、EL層864との塗り分けが不要となる。
In addition, the
図16(A)においてEL層862bとEL層864bは重なる領域を有するため、図16(B)に比べて画素880の面積を小さくすることができる。また、EL層864bの面積が広いため、EL層864bに流れる電流を小さくできる場合があり、表示装置100の消費電力を低くできる場合がある。なお図16において、トランジスタ861の下層に、赤外領域を遮光する層、例えば金属層を設けてもよい。
In FIG. 16A, since the
図16(A)および(B)において、電極862b(電極864b)が陽極である場合、電極上にEL層862bの正孔注入層1、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、が順次積層形成され、その後、電極862c(電極864b)が形成される。
16A and 16B, when the
基板851、基板865、等の基板の一例として、半導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
As examples of the substrate such as the
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。 Note that examples of the glass substrate include barium borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, and soda lime glass. Examples of flexible substrates, bonded films, base films, etc. are synthetic materials such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyether sulfone (PES), acrylic, etc. Examples thereof include resin, polypropylene, polyester, polyvinyl fluoride, or polyvinyl chloride, polyamide, polyimide, aramid, epoxy, an inorganic vapor deposition film, and papers.
光学フィルムには例えば、偏光板、位相差板、光拡散層(拡散フィルム等)、反射防止層(「Anti Reflection層」または「AR層」ともいう。)、防眩層(「Anti Glare層」または「AG層」ともいう。)および集光フィルム等が設けられる。また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜等が設けられてもよい。また上記部材を組み合わせて用いてもよい。例えば、直線偏光板と位相差板を組み合わせた円偏光板を用いてもよい。 Examples of the optical film include a polarizing plate, a retardation plate, a light diffusion layer (diffusion film, etc.), an antireflection layer (also referred to as “Anti Reflection layer” or “AR layer”), and an antiglare layer (“Anti Glare layer”). Alternatively, it is also referred to as “AG layer”) and a light collecting film or the like. Further, an antistatic film that suppresses adhesion of dust, a water-repellent film that makes it difficult to adhere dirt, a hard coat film that suppresses generation of scratches due to use, and the like may be provided. Moreover, you may use combining the said member. For example, you may use the circularly-polarizing plate which combined the linearly-polarizing plate and the phase difference plate.
AR層は、光の干渉作用を利用して、外光の正反射(鏡面反射)を低減する機能を有する。AR層を用いる場合、AR層は、基板361の屈折率と異なる屈折率を有する材料で形成される。AR層は、例えば、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化シリコン等の材料を用いて形成することができる。
The AR layer has a function of reducing regular reflection (specular reflection) of external light by utilizing light interference action. When the AR layer is used, the AR layer is formed using a material having a refractive index different from that of the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態4)
本実施の形態では、先の実施の形態に示すEL層、および液晶素子について詳細を述べる。
(Embodiment 4)
In this embodiment, the details of the EL layer and the liquid crystal element described in the above embodiment will be described.
本発明の一態様の有機EL素子が有するEL層について説明する。EL層は少なくとも発光層を有する。EL層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質(電子輸送性および正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。 An EL layer included in the organic EL element of one embodiment of the present invention will be described. The EL layer has at least a light emitting layer. The EL layer is a layer other than the light-emitting layer, such as a substance having a high hole-injecting property, a substance having a high hole-transporting property, a hole blocking material, a substance having a high electron-transporting property, a substance having a high electron-injecting property, A layer including a substance (a substance having a high electron transporting property and a high hole transporting property) or the like may be further included.
それぞれの副画素の発光色は、EL層を構成する材料によって、白、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、赤外等に変化させることができる。 The emission color of each sub-pixel can be changed to white, red, green, blue, cyan, magenta, yellow, infrared, or the like depending on the material constituting the EL layer.
カラー表示を実現する方法としては、発光色が白色の表示素子と着色層を組み合わせて行う方法と、副画素毎に発光色の異なる表示素子を設ける方法がある。前者の方法は後者の方法よりも生産性が高い。一方、後者の方法では、前者の方法よりも色純度の高い発光色を得ることができる。さらに、後者の方法では、前者の方法より、着色層による光の吸収が抑制されるので、表示装置の消費電力を低減することができる。後者の方法に加えて、表示素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。 As a method for realizing color display, there are a method in which a display element having a white emission color and a colored layer are combined, and a method in which a display element having a different emission color is provided for each sub-pixel. The former method is more productive than the latter method. On the other hand, in the latter method, it is possible to obtain an emission color with higher color purity than in the former method. Furthermore, in the latter method, since light absorption by the colored layer is suppressed as compared with the former method, the power consumption of the display device can be reduced. In addition to the latter method, the color purity can be further increased by providing the display element with a microcavity structure.
EL層には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。EL層を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。 In the EL layer, either a low molecular compound or a high molecular compound can be used, and an inorganic compound may be included. The layers constituting the EL layer can be formed by a method such as a vapor deposition method (including a vacuum vapor deposition method), a transfer method, a printing method, an ink jet method, or a coating method.
EL層は、量子ドット等の無機化合物を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。量子ドットは、数nmサイズの半導体ナノ結晶であり、1×103個から1×106個程度の原子から構成されている。量子ドットはサイズに依存してエネルギーシフトするため、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波長が異なり、用いる量子ドットのサイズを変更することによって容易に発光波長を調整することができる。 The EL layer may have an inorganic compound such as a quantum dot. For example, a quantum dot can be used for a light emitting layer to function as a light emitting material. A quantum dot is a semiconductor nanocrystal having a size of several nm, and is composed of about 1 × 10 3 to 1 × 10 6 atoms. Quantum dots shift their energy depending on their size, so even if the quantum dots are made of the same material, the emission wavelength differs depending on the size, and the emission wavelength can be easily adjusted by changing the size of the quantum dots used be able to.
また、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭いため、色純度のよい発光を得ることができる。さらに、量子ドットの理論的な外部量子効率はほぼ100%であると言われており、蛍光発光を呈する有機化合物の25%を大きく上回り、燐光発光を呈する有機化合物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによって発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機化合物である量子ドットはその本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得ることができる。 In addition, since the quantum dot has a narrow emission spectrum peak width, light emission with good color purity can be obtained. Furthermore, the theoretical external quantum efficiency of quantum dots is said to be almost 100%, which is much higher than 25% of organic compounds that exhibit fluorescence and is equivalent to organic compounds that exhibit phosphorescence. For this reason, a light-emitting element with high emission efficiency can be obtained by using quantum dots as a light-emitting material. In addition, since the quantum dot which is an inorganic compound is excellent in the essential stability, a preferable light-emitting element can be obtained from the viewpoint of life.
量子ドットを構成する材料としては、周期表第14族元素、周期表第15族元素、周期表第16族元素、複数の周期表第14族元素からなる化合物、周期表第4族から周期表第14族に属する元素と周期表第16族元素との化合物、周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物、周期表第13族元素と周期表第15族元素との化合物、周期表第13族元素と周期表第17族元素との化合物、周期表第14族元素と周期表第15族元素との化合物、周期表第11族元素と周期表第17族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスター等を挙げることができる。 Materials constituting the quantum dot include periodic table group 14 element, periodic table group 15 element, periodic table group 16 element, compound composed of a plurality of periodic table group 14 elements, periodic table group 4 to periodic table. Compound of group 14 element and periodic table group 16 element, periodic table group 2 element and periodic table group 16 element, periodic table group 13 element and periodic table group 15 element A compound of a periodic table group 13 element and a periodic table group 17 element, a compound of a periodic table group 14 element and a periodic table group 15 element, a periodic table group 11 element and a periodic table group 17 element Examples thereof include compounds, iron oxides, titanium oxides, chalcogenide spinels, and various semiconductor clusters.
具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バリウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、四酸化三鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレンと亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅とインジウムと硫黄の化合物およびこれらの組合せ等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ドットを用いても良い。例えば、カドミウムとセレンと硫黄の合金型量子ドットは、元素の含有比率を変化させることで発光波長を変えることができるため、青色発光を得るには有効な手段の一つである。 Specifically, cadmium selenide, cadmium sulfide, cadmium telluride, zinc selenide, zinc oxide, zinc sulfide, zinc telluride, mercury sulfide, mercury selenide, mercury telluride, indium arsenide, indium phosphide, gallium arsenide , Gallium phosphide, indium nitride, gallium nitride, indium antimonide, gallium phosphide, aluminum arsenide, aluminum arsenide, aluminum antimonide, lead selenide, lead telluride, lead sulfide, indium selenide, indium telluride, sulfide Indium, gallium selenide, arsenic sulfide, arsenic selenide, arsenic telluride, antimony sulfide, antimony selenide, antimony telluride, bismuth sulfide, bismuth selenide, bismuth telluride, silicon, silicon carbide, germanium, tin, selenium, Tellurium, Hou , Carbon, phosphorus, boron nitride, boron phosphide, boron arsenide, aluminum nitride, aluminum sulfide, barium sulfide, barium selenide, barium telluride, calcium sulfide, calcium selenide, calcium telluride, beryllium sulfide, beryllium selenide, Beryllium telluride, magnesium sulfide, magnesium selenide, germanium sulfide, germanium selenide, germanium telluride, tin sulfide, tin selenide, tin telluride, lead oxide, copper fluoride, copper chloride, copper bromide, copper iodide , Copper oxide, copper selenide, nickel oxide, cobalt oxide, cobalt sulfide, triiron tetroxide, iron oxide, manganese oxide, molybdenum sulfide, vanadium oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, silicon nitride, nitride Germanium, aluminum oxide Barium titanate, selenium, zinc and cadmium compound, indium, arsenic and phosphorus compound, cadmium, selenium and sulfur compound, cadmium, selenium and tellurium compound, indium, gallium and arsenic compound, indium, gallium and selenium compound Examples thereof include, but are not limited to, compounds of indium, selenium and sulfur, compounds of copper, indium and sulfur, and combinations thereof. Moreover, you may use what is called an alloy type quantum dot whose composition is represented by arbitrary ratios. For example, an alloy type quantum dot of cadmium, selenium, and sulfur is one of effective means for obtaining blue light emission because the emission wavelength can be changed by changing the content ratio of elements.
量子ドットの構造としては、コア型、コア−シェル型、コア−マルチシェル型等があり、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボンドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコア−シェル型やコア−マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材料の例としては、硫化亜鉛や酸化亜鉛が挙げられる。 The structure of the quantum dot includes a core type, a core-shell type, a core-multishell type, and any of them may be used, but the shell is covered with another inorganic material that covers the core and has a wider band gap. By forming, the influence of defects and dangling bonds existing on the nanocrystal surface can be reduced. Thereby, in order to greatly improve the quantum efficiency of light emission, it is preferable to use a core-shell type or core-multishell type quantum dot. Examples of the shell material include zinc sulfide and zinc oxide.
また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりやすい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることが好ましい。当該保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることによって、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的安定性を向上させることも可能である。保護剤(または保護基)としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、トリ(n−ヘキシル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン、トリ(n−デシル)アミン等の第3級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデシルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、また、ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィド等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エステル類、脂肪酸変性ポリエステル類、3級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイミン類等が挙げられる。 In addition, since the quantum dots have a high ratio of surface atoms, they are highly reactive and tend to aggregate. Therefore, it is preferable that a protective agent is attached to the surface of the quantum dot or a protective group is provided. Aggregation can be prevented and solubility in a solvent can be increased by attaching the protective agent or providing a protective group. It is also possible to reduce the reactivity and improve the electrical stability. Examples of the protective agent (or protecting group) include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, tripropylphosphine, tributylphosphine, trihexylphosphine, Trialkylphosphines such as octylphosphine, polyoxyethylene alkylphenyl ethers such as polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, tri (n-hexyl) amine, tri (n-octyl) Tertiary amines such as amine, tri (n-decyl) amine, tripropylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine oxide, trioctylphosphine Organic phosphorus compounds such as oxyoxide, tridecylphosphine oxide, polyethylene glycol diesters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate, and organic nitrogen compounds such as nitrogen-containing aromatic compounds such as pyridine, lutidine, collidine and quinolines , Hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine and other amino alkanes, dibutyl sulfide and other dialkyl sulfides, dimethyl sulfoxide and dibutyl sulfoxide and other dialkyl sulfoxides, and thiophene Organic sulfur compounds such as sulfur-containing aromatic compounds, higher fatty acids such as palmitic acid, stearic acid and oleic acid, alcohols, sorbitan fatty acid esters , Fatty acid-modified polyesters, tertiary amine modified polyurethanes and polyethylene imines, and the like.
量子ドットは、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波長の光が得られるようにそのサイズを適宜調節する。結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトするため、量子ドットのサイズを変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長領域にわたって、その発光波長を調節することができる。量子ドットのサイズ(直径)は0.5nm乃至20nm、好ましくは1nm乃至10nmの範囲のものが通常良く用いられる。なお、量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、より発光スペクトルが狭線化し、色純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。なお、棒状の量子ドットである量子ロッドはc軸方向に偏光した指向性を有する光を呈するため、量子ロッドを発光材料として用いることにより、より外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。 Since the quantum dot has a band gap that increases as the size decreases, the size of the quantum dot is appropriately adjusted so that light having a desired wavelength can be obtained. As the crystal size decreases, the emission of quantum dots shifts to the blue side, that is, to the higher energy side, so changing the size of the quantum dots changes the wavelength of the spectrum in the ultraviolet, visible, and infrared regions. The emission wavelength can be adjusted over a region. The size (diameter) of the quantum dots is usually 0.5 nm to 20 nm, preferably 1 nm to 10 nm. In addition, as the quantum dot has a narrower size distribution, the emission spectrum becomes narrower and light emission with good color purity can be obtained. The shape of the quantum dots is not particularly limited, and may be spherical, rod-shaped, disk-shaped, or other shapes. In addition, since the quantum rod which is a rod-shaped quantum dot exhibits the light which has the directivity polarized in the c-axis direction, the light emitting element with more favorable external quantum efficiency can be obtained by using a quantum rod as a luminescent material. .
また、EL素子では多くの場合、発光材料をホスト材料に分散することによって発光効率を高めるが、ホスト材料は発光材料以上の一重項励起エネルギーまたは三重項励起エネルギーを有する物質であることが必要である。特に青色の燐光材料を用いる場合においては、それ以上の三重項励起エネルギーを有する材料であり、かつ、寿命の観点で優れたホスト材料の開発は困難を極めている。一方で、量子ドットはホスト材料を用いずに量子ドットのみで発光層を構成しても発光効率を保つことができるため、この点でも寿命という観点から好ましい発光素子を得ることができる。量子ドットのみで発光層を形成する場合には、量子ドットはコア−シェル構造(コア−マルチシェル構造を含む)であることが好ましい。 In many cases, EL elements increase luminous efficiency by dispersing a light emitting material in a host material, but the host material needs to be a substance having a singlet excitation energy or triplet excitation energy higher than that of the light emitting material. is there. In particular, in the case of using a blue phosphorescent material, it is extremely difficult to develop a host material having a triplet excitation energy higher than that and having an excellent lifetime. On the other hand, since the quantum dots can maintain the light emission efficiency even if the light emitting layer is composed of only the quantum dots without using a host material, a light emitting element that is preferable from this point of view can also be obtained. When the light emitting layer is formed only with quantum dots, the quantum dots preferably have a core-shell structure (including a core-multishell structure).
以下にはEL層が有する各材料についてさらに説明する。 Hereinafter, each material of the EL layer will be further described.
<正孔注入層および正孔輸送層>
正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(略称:CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス{4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、またはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PEDOT/PSS)等の高分子等を用いることができる。
<Hole injection layer and hole transport layer>
Examples of the material having a high hole injection property include transition metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, and manganese oxide. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (abbreviation: CuPC), 4,4′-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl ( Abbreviation: DPAB), N, N′-bis {4- [bis (3-methylphenyl) amino] phenyl} -N, N′-diphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine ( An aromatic amine compound such as abbreviation (DNTPD) or a polymer such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (abbreviation: PEDOT / PSS) can be used.
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層で正孔が発生し、正孔輸送層に正孔が注入される。なお、正孔注入層は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。 As a material having a high hole-injecting property, a composite material including a hole-transporting material and an acceptor material (electron-accepting material) can also be used. In this case, electrons are extracted from the hole transporting material by the acceptor material, holes are generated in the hole injection layer, and holes are injected into the hole transport layer. Note that the hole injecting layer may be formed as a single layer made of a composite material including a hole transporting material and an acceptor material (electron accepting material), but the hole transporting material and the acceptor material (electrons) And a receptive material) may be formed by laminating them in separate layers.
正孔注入層に用いるアクセプター性材料としては、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用いることができる。具体的には、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称:HAT−CN)等を用いることができる。 As the acceptor material used for the hole-injecting layer, an oxide of a metal belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be used. Specific examples include molybdenum oxide, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide. Among these, molybdenum oxide is especially preferable because it is stable in the air, has a low hygroscopic property, and is easy to handle. In addition, organic acceptors such as quinodimethane derivatives, chloranil derivatives, and hexaazatriphenylene derivatives can be used. Specifically, 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, 2,3,6,7,10,11 -Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (abbreviation: HAT-CN) or the like can be used.
正孔注入層および正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料としては、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。 As the hole transporting material used for the hole injecting layer and the hole transporting layer, a substance having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or more is preferable. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons can be used.
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物(例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体)や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4−フェニル−3’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:mBPAFLP)、4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、3−[4−(9−フェナントリル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPPn)、N−(4−ビフェニル)−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCBiF)、N−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(略称:PCBBiF)4,4’−ジフェニル−4’’−(9−フェニル−9−H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4−(1−ナフチル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4、4’−ジ(1−ナフチル)−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、9,9−ジメチル−N−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]フルオレン−2−アミン(略称:PCBAF)、N−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−アミン(略称:PCBASF)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン骨格を有する化合物、1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、3,6−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)−9−フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、3,3’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)(略称:PCCP)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)などのカルバゾール骨格を有する化合物、4,4’,4’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称:DBT3P−II)、2,8−ジフェニル−4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−III)、4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]−6−フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−IV)などのチオフェン骨格を有する化合物、4,4’,4’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P−II)、4−{3−[3−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi−II)などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。 As the hole transporting material, a π-electron rich heteroaromatic compound (for example, a carbazole derivative or an indole derivative) or an aromatic amine compound is preferable. As a specific example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) is preferable. ) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 '-Diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis [N- (spiro-9,9'-bifluoren-2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), 4-phenyl-4 '-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFLP), 4-phenyl-3'-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: m BPAFLP), 4-phenyl-4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBA1BP), 3- [4- (9-phenanthryl) -phenyl] -9-phenyl- 9H-carbazole (abbreviation: PCPPn), N- (4-biphenyl) -N- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -9-phenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCBiF) ), N- (1,1′-biphenyl-4-yl) -N- [4- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) phenyl] -9,9-dimethyl-9H-fluorene-2- Amine (abbreviation: PCBBiF) 4,4′-diphenyl-4 ″-(9-phenyl-9-H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBBi1BP) 4- (1-naphthyl) -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) -triphenylamine (abbreviation: PCBBANB), 4,4′-di (1-naphthyl) -4 ″ -(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBNBB), 9,9-dimethyl-N-phenyl-N- [4- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) ) Phenyl] fluoren-2-amine (abbreviation: PCBAF), N-phenyl-N- [4- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) phenyl] spiro-9,9′-bifluoren-2-amine (Abbreviation: PCBASF), 4,4 ′, 4 ″ -tris (carbazol-9-yl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl) Amino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′- Compound having an aromatic amine skeleton such as bis [N- (spiro-9,9′-bifluoren-2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), 1,3-bis (N-carbazolyl) Benzene (abbreviation: mCP), 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 3,6-bis (3,5-diphenylphenyl) -9-phenylcarbazole (abbreviation: CzTP), 3 , 3′-bis (9-phenyl-9H-carbazole) (abbreviation: PCCP), 3- [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9 -Phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3- [N- ( 1-naphthyl) -N- (9-phenylcarbazol-3-yl) amino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1), 1,3,5-tris [4- (N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation) : TCPB), 9- [4- (10-phenyl-9-anthracenyl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA) and other compounds having a carbazole skeleton, 4,4 ′, 4 ″-(benzene-1 , 3,5-triyl) tri (dibenzothiophene) (abbreviation: DBT3P-II), 2,8-diphenyl-4- [4- (9- Enyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] dibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP-III), 4- [4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] -6-phenyldibenzothiophene (abbreviation) : DBTFLP-IV) and other compounds having a thiophene skeleton, 4,4 ′, 4 ″-(benzene-1,3,5-triyl) tri (dibenzofuran) (abbreviation: DBF3P-II), 4- {3- And compounds having a furan skeleton such as [3- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] phenyl} dibenzofuran (abbreviation: mmDBFFLBi-II).
さらに、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物を用いることもできる。 Further, poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly [N- (4- {N ′-[4- (4-diphenylamino)] Phenyl] phenyl-N′-phenylamino} phenyl) methacrylamide] (abbreviation: PTPDMA) poly [N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine] (abbreviation: Poly High molecular compounds such as -TPD) can also be used.
<発光層>
発光層は、発光物質を含む層である。なお、発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、複数の発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成(例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光)とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造であっても良い。
<Light emitting layer>
The light emitting layer is a layer containing a light emitting substance. Note that as the light-emitting substance, a substance exhibiting a luminescent color such as blue, purple, blue-violet, green, yellow-green, yellow, orange, or red is appropriately used. In addition, by using different light-emitting substances for the plurality of light-emitting layers, a configuration in which different light emission colors are exhibited (for example, white light emission obtained by combining light emission colors having a complementary color relationship) can be obtained. Furthermore, a stacked structure in which one light emitting layer includes different light emitting substances may be used.
また、発光層は、発光物質(ゲスト材料)に加えて、1種または複数種の有機化合物(ホスト材料、アシスト材料)を有していても良い。また、1種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子輸送性材料の一方または両方を用いることができる。 In addition to the light emitting substance (guest material), the light emitting layer may have one or more organic compounds (host material, assist material). As the one or more kinds of organic compounds, one or both of a hole transporting material and an electron transporting material described in this embodiment can be used.
発光物質としては、蛍光を発する物質(蛍光材料)が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス〔3−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル〕ピレン−1,6−ジアミン(1,6mMemFLPAPrn)、(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ピレン−1,6−ジアミン)(1,6FLPAPrn)、N,N’−ビス(ジベンゾフラン−2−イル)−N,N’−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(1,6FrAPrn)、N,N’−ビス(ジベンゾチオフェン−2−イル)−N,N’−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(1,6ThAPrn)、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン)−6−アミン](略称:1,6BnfAPrn)、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−02)、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(6,N−ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−03)などが挙げられる。 Examples of luminescent substances include substances that emit fluorescence (fluorescent materials). For example, pyrene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, fluorene derivatives, carbazole derivatives, dibenzothiophene derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzoquinoxaline derivatives, quinoxaline derivatives, pyridine derivatives , Pyrimidine derivatives, phenanthrene derivatives, naphthalene derivatives and the like. In particular, a pyrene derivative is preferable because of its high emission quantum yield. Specific examples of the pyrene derivative include N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis [3- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] pyrene-1,6. -Diamine (1,6mMemFLPAPrn), (N, N'-diphenyl-N, N'-bis [4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] pyrene-1,6-diamine) (1 , 6FLPAPrn), N, N′-bis (dibenzofuran-2-yl) -N, N′-diphenylpyrene-1,6-diamine (1,6FrAPrn), N, N′-bis (dibenzothiophen-2-yl) ) -N, N′-diphenylpyrene-1,6-diamine (1,6ThAPrn), N, N ′-(pyrene-1,6-diyl) bis [(N-phenylbenzo [b] naphtho [1,2 -D] Lan) -6-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn), N, N '-(pyrene-1,6-diyl) bis [(N-phenylbenzo [b] naphtho [1,2-d] furan)- 8-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn-02), N, N ′-(pyrene-1,6-diyl) bis [(6, N-diphenylbenzo [b] naphtho [1,2-d] furan) -8-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn-03).
その他にも、5,6−ビス[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−2,2’−ビピリジン(略称:PAP2BPy)、5,6−ビス[4’−(10−フェニル−9−アントリル)ビフェニル−4−イル]−2,2’−ビピリジン(略称:PAPP2BPy)、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)、4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPBA)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(略称:TBP)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPPA)、N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)等を用いることができる。 In addition, 5,6-bis [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -2,2′-bipyridine (abbreviation: PAP2BPy), 5,6-bis [4 ′-(10-phenyl-) 9-anthryl) biphenyl-4-yl] -2,2′-bipyridine (abbreviation: PAPP2BPy), N, N′-bis [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-diphenyl Stilbene-4,4′-diamine (abbreviation: YGA2S), 4- (9H-carbazol-9-yl) -4 ′-(10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4- ( 9H-carbazol-9-yl) -4 ′-(9,10-diphenyl-2-anthryl) triphenylamine (abbreviation: 2YGAPPA), N, 9-diphenyl-N- [4- (10 Phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), 4- (10-phenyl-9-anthryl) -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) Triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), 4- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBAPBA) Perylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBP), N, N ″-(2-tert-butylanthracene-9,10-diyldi-4,1-phenylene) bis [N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N, 9-diphenyl-N- [4- (9 10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPPA), N- [4- (9,10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -N, N ′, N ′ -Triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPPA) or the like can be used.
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質(燐光材料)や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光(Thermally activated delayed fluorescence:TADF)材料が挙げられる。 Examples of the light-emitting substance that converts triplet excitation energy into light emission include a substance that emits phosphorescence (phosphorescent material) and a thermally activated delayed fluorescence (TADF) material that exhibits thermally activated delayed fluorescence. .
燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体(白金錯体)、希土類金属錯体等が挙げられる。これらは、物質ごとに異なる発光色(発光ピーク)を示すため、必要に応じて適宜選択して用いる。 Examples of phosphorescent materials include organometallic complexes, metal complexes (platinum complexes), and rare earth metal complexes. Since these exhibit different emission colors (emission peaks) for each substance, they are appropriately selected and used as necessary.
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が450nm以上570nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。 Examples of phosphorescent materials that exhibit blue or green color and whose emission spectrum peak wavelength is 450 nm or more and 570 nm or less include the following substances.
例えば、トリス[2−{5−(2−メチルフェニル)−4−(2,6−ジメチルフェニル)−4H−1,2,4−トリアゾール−3−イル−κN2}フェニル−κC]イリジウム(III)(略称:[Ir(mpptz−dmp)3])、トリス(5−メチル−3,4−ジフェニル−4H−1,2,4−トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(Mptz)3])、トリス[4−(3−ビフェニル)−5−イソプロピル−3−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrptz−3b)3])トリス[3−(5−ビフェニル)−5−イソプロピル−4−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:Ir(iPr5btz)3])、のような4H−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス[3−メチル−1−(2−メチルフェニル)−5−フェニル−1H−1,2,4−トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Mptz1−mp)3])、トリス(1−メチル−2−フェニル−4−プロピル−1H−1,2,4−トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(Prptz1−Me)3])のような1H−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、fac−トリス[(2,6−ジイソプロピルフェニル)−2−フェニル−1H−イミダゾール]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrpmi)3])、トリス[3−(2,6−ジメチルフェニル)−7−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナントリジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(dmpimpt−Me)3])のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス[2−(3’,5’−ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:[Ir(CF3ppy)2(pic)])、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。 For example, tris [2- {5- (2-methylphenyl) -4- (2,6-dimethylphenyl) -4H-1,2,4-triazol-3-yl-κN2} phenyl-κC] iridium (III ) (Abbreviation: [Ir (mpppz-dmp) 3 ]), tris (5-methyl-3,4-diphenyl-4H-1,2,4-triazolato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (Mptz) 3 ], Tris [4- (3-biphenyl) -5-isopropyl-3-phenyl-4H-1,2,4-triazolate] iridium (III) (abbreviation: [Ir (iPrptz-3b) 3 ]) Tris [ 3- (5-biphenyl) -5-isopropyl-4-phenyl-4H-1,2,4-triazolato] iridium (III) (abbreviation: Ir (iPr5btz) 3]) , 4 such as An organometallic complex having a triazole skeleton, tris [3-methyl-1- (2-methylphenyl) -5-phenyl-1H-1,2,4-triazolato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (Mptz1- mp) 3 ]), tris (1-methyl-2-phenyl-4-propyl-1H-1,2,4-triazolate) iridium (III) (abbreviation: [Ir (Prptz1-Me) 3 ]) Organometallic complex having 1H-triazole skeleton, fac-tris [(2,6-diisopropylphenyl) -2-phenyl-1H-imidazole] iridium (III) (abbreviation: [Ir (iPrpmi) 3 ]), tris [3 -(2,6-Dimethylphenyl) -7-methylimidazo [1,2-f] phenanthridinato] iridium (III) (abbreviation: [I (Dmpimpt-Me) 3] an organometallic complex having an imidazole skeleton, such as), bis [2- (4 ', 6'-difluorophenyl) pyridinato -N, C 2'] iridium (III) tetrakis (1-pyrazolyl ) Borate (abbreviation: FIr6), bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) picolinate (abbreviation: FIrpic), bis [2- (3 ′, 5 '-Bistrifluoromethylphenyl) pyridinato-N, C 2' ] iridium (III) picolinate (abbreviation: [Ir (CF 3 ppy) 2 (pic)]), bis [2- (4 ', 6'-difluorophenyl) ) pyridinato -N, C 2 '] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FIracac Fenirupi having an electron withdrawing group such as) The derivative include organic metal complexes having a ligand.
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が495nm以上590nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。 Examples of the phosphorescent material which exhibits green or yellow and has an emission spectrum peak wavelength of 495 nm or more and 590 nm or less include the following substances.
例えば、有機イリジウム錯体を用いることができる。例えば、トリス(4−メチル−6−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppm)3])、トリス(4−t−ブチル−6−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)3])、(アセチルアセトナト)ビス(6−メチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppm)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(6−tert−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[6−(2−ノルボルニル)−4−フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(nbppm)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[5−メチル−6−(2−メチルフェニル)−4−フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(mpmppm)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス{4,6−ジメチル−2−[6−(2,6−ジメチルフェニル)−4−ピリミジニル−κN3]フェニル−κC}イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm−dmp)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)2(acac)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−Me)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−iPr)2(acac)])のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppy)3])、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(ppy)2(acac)])、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bzq)2(acac)])、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(bzq)3])、トリス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(pq)3])、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(pq)2(acac)])のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(dpo)2(acac)])、ビス{2−[4’−(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(p−PF−ph)2(acac)])、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bt)2(acac)])などの有機金属錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:[Tb(acac)3(Phen)])のような希土類金属錯体が挙げられる。 For example, an organic iridium complex can be used. For example, tris (4-methyl-6-phenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppm) 3 ]), tris (4-t-butyl-6-phenylpyrimidinato) iridium (III) (Abbreviation: [Ir (tBupppm) 3 ]), (acetylacetonato) bis (6-methyl-4-phenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppm) 2 (acac)]), ( Acetylacetonato) bis (6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (tBupppm) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis [6- (2- Norbornyl) -4-phenylpyrimidinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (nbppm) 2 (acac)]), (acetylacetona G) Bis [5-methyl-6- (2-methylphenyl) -4-phenylpyrimidinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (mpmppm) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis { 4,6-dimethyl-2- [6- (2,6-dimethylphenyl) -4-pyrimidinyl-κN3] phenyl-κC} iridium (III) (abbreviation: [Ir (dmppm-dmp) 2 (acac)]) , (Acetylacetonato) bis (4,6-diphenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (dppm) 2 (acac)]), an organometallic iridium complex having a pyrimidine skeleton, isocyanatomethyl) bis (3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppr-Me) 2 (acac ]), (Acetylacetonato) bis (5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppr-iPr) pyrazine skeleton, such as 2 (acac)]) , Tris (2-phenylpyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) (abbreviation: [Ir (ppy) 3 ]), bis (2-phenylpyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (ppy) 2 (acac)]), bis (benzo [h] quinolinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (bzq) 2 ( acac)]), tris (benzo [h] quinolinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (bzq) 3] ), tris (2-Fenirukinori DOO -N, C 2 ') iridium (III) (abbreviation: [Ir (pq) 3] ), bis (2-phenylquinolinato--N, C 2') iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (Pq) 2 (acac)]), an organometallic iridium complex having a pyridine skeleton, bis (2,4-diphenyl-1,3-oxazolate-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation) : [Ir (dpo) 2 (acac)]), bis {2- [4 ′-(perfluorophenyl) phenyl] pyridinato-N, C 2 ′ } iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (p -PF-ph) 2 (acac) ]), bis (2-phenyl-benzothiazyl Zola DOO -N, C 2 ') iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (bt 2 (acac)]) other organometallic complexes such as tris (acetylacetonato) (monophenanthroline) terbium (III) (abbreviation: [Tb (acac) 3 ( Phen)]) include rare earth metal complex such as It is done.
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が570nm以上750nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。 Examples of the phosphorescent material which exhibits yellow or red and has an emission spectrum peak wavelength of 570 nm or more and 750 nm or less include the following substances.
例えば、(ジイソブチリルメタナト)ビス[4,6−ビス(3−メチルフェニル)ピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(5mdppm)2(dibm)])、ビス[4,6−ビス(3−メチルフェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(5mdppm)2(dpm)])、ビス[4,6−ジ(ナフタレン−1−イル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(d1npm)2(dpm)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)2(acac)])、ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)2(dpm)])、ビス{4,6−ジメチル−2−[3−(3,5−ジメチルフェニル)−5−フェニル−2−ピラジニル−κN]フェニル−κC}(2,6−ジメチル−3,5−ヘプタンジオナト−κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmdppr−P)2(dibm)])、ビス{4,6−ジメチル−2−[5−(4−シアノ−2,6−ジメチルフェニル)−3−(3,5−ジメチルフェニル)−2−ピラジニル−κN]フェニル−κC}(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト−κ2O,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmdppr−dmCP)2(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビス[2−メチル−3−フェニルキノキサリナト−N,C2’]イリジウム(III)(略称:[Ir(mpq)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3−ジフェニルキノキサリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dpq)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Fdpq)2(acac)])のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(piq)3])、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(piq)2(acac)])のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:[PtOEP])のような白金錯体、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(DBM)3(Phen)])、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(TTA)3(Phen)])のような希土類金属錯体が挙げられる。 For example, (diisobutyrylmethanato) bis [4,6-bis (3-methylphenyl) pyrimidinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (5 mdppm) 2 (divm)]), bis [4,6-bis ( 3-methylphenyl) pyrimidinato] (dipivaloylmethanato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (5 mdppm) 2 (dpm)]), bis [4,6-di (naphthalen-1-yl) pyrimidinato] ( An organometallic complex having a pyrimidine skeleton such as dipivaloylmethanato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (d1npm) 2 (dpm)]), (acetylacetonato) bis (2,3,5-triphenyl) Pirajinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (tppr) 2 ( acac)]), bis (2,3,5-triphenylpyrazinato (Dipivaloylmethanato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (tppr) 2 ( dpm)]), bis {4,6-dimethyl-2- [3- (3,5-dimethylphenyl) -5- Phenyl-2-pyrazinyl-κN] phenyl-κC} (2,6-dimethyl-3,5-heptanedionato-κ 2 O, O ′) iridium (III) (abbreviation: [Ir (dmdppr-P) 2 (divm) ], Bis {4,6-dimethyl-2- [5- (4-cyano-2,6-dimethylphenyl) -3- (3,5-dimethylphenyl) -2-pyrazinyl-κN] phenyl-κC} (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κ 2 O, O ′) iridium (III) (abbreviation: [Ir (dmdppr-dmCP) 2 (dpm)]), (acetylacetonato ) Screw [2 -Methyl-3-phenylquinoxalinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) (abbreviation: [Ir (mpq) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis (2,3-diphenylquinoxalinato -N, C2 ' ) iridium (III) (abbreviation: [Ir (dpq) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (Abbreviation: [Ir (Fdpq) 2 (acac)]) or an organometallic complex having a pyrazine skeleton, or tris (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) (abbreviation: [Ir (Piq) 3 ]), bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (piq) 2 (aca c)])) of an organometallic complex having a pyridine skeleton, 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: [PtOEP]) Platinum complexes such as tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: [Eu (DBM) 3 (Phen)]), tris [1- (2 -Thenoyl) -3,3,3-trifluoroacetonato] (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: [Eu (TTA) 3 (Phen)]).
発光層に用いる有機化合物(ホスト材料、アシスト材料)としては、発光物質(ゲスト材料)のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。 As the organic compound (host material or assist material) used for the light emitting layer, one or more kinds of substances having an energy gap larger than that of the light emitting substance (guest material) may be selected and used.
発光物質が蛍光材料である場合、ホスト材料としては一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、3−[4−(1−ナフチル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPN)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、7−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−7H−ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)、6−[3−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン(略称:2mBnfPPA)、9−フェニル−10−{4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)−ビフェニル−4’−イル}−アントラセン(略称:FLPPA)、5,12−ジフェニルテトラセン、5,12−ビス(ビフェニル−2−イル)テトラセンなどが挙げられる。 When the light-emitting substance is a fluorescent material, it is preferable to use an organic compound having a large singlet excited state energy level and a small triplet excited state energy level as the host material. For example, it is preferable to use an anthracene derivative or a tetracene derivative. Specifically, 9-phenyl-3- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: PCzPA), 3- [4- (1-naphthyl) -phenyl] -9 -Phenyl-9H-carbazole (abbreviation: PCPN), 9- [4- (10-phenyl-9-anthracenyl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 7- [4- (10-phenyl-9- Anthryl) phenyl] -7H-dibenzo [c, g] carbazole (abbreviation: cgDBCzPA), 6- [3- (9,10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -benzo [b] naphtho [1,2-d ] Furan (abbreviation: 2 mBnfPPA), 9-phenyl-10- {4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) -biphenyl-4'-yl} -anthra Emissions (abbreviation: FLPPA), 5,12 diphenyltetracene, 5,12-bis (biphenyl-2-yl) tetracene, and the like.
発光物質が燐光材料である場合、ホスト材料としては、発光物質の三重項励起エネルギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、この場合には、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等を用いることができる。 When the light-emitting substance is a phosphorescent material, an organic compound having a triplet excitation energy larger than the triplet excitation energy (energy difference between the ground state and the triplet excited state) of the light-emitting substance may be selected as the host material. In this case, in addition to zinc and aluminum-based metal complexes, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzimidazole derivatives, quinoxaline derivatives, dibenzoquinoxaline derivatives, dibenzothiophene derivatives, dibenzofuran derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, pyridine derivatives In addition to bipyridine derivatives and phenanthroline derivatives, aromatic amines and carbazole derivatives can be used.
ホスト材料として、より具体的には、例えば以下の正孔輸送性材料および電子輸送性材料を用いることができる。 More specifically, for example, the following hole transporting materials and electron transporting materials can be used as the host material.
これら正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、N,N’−ジ(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス{4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等の芳香族アミン化合物を挙げることができる。 Examples of these host materials having a high hole transporting property include N, N′-di (p-tolyl) -N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DTDPPA), 4,4′-bis [ N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), N, N′-bis {4- [bis (3-methylphenyl) amino] phenyl} -N, N′-diphenyl -(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] benzene (abbreviation: DPA3B) An aromatic amine compound such as
また、3−[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA1)、3,6−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA2)、3,6−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−(1−ナフチル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzTPN2)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等のカルバゾール誘導体を挙げることができる。また、カルバゾール誘導体としては、他に、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用いることもできる。 In addition, 3- [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA1), 3,6-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenyl Amino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA2), 3,6-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N- (1-naphthyl) amino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzTPN2), 3 -[N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis [N- (9-phenylcarbazol-3-yl)- N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3- [N- (1-naphthyl) -N- (9 Phenyl-3-yl) amino] phenyl carbazole (abbreviation: PCzPCNl) can be mentioned carbazole derivatives such. As other carbazole derivatives, 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris [4- (N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: TCPB) ), 1,4-bis [4- (N-carbazolyl) phenyl] -2,3,5,6-tetraphenylbenzene and the like can also be used.
また、正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1’−TNATA)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:m−MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4−フェニル−3’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:mBPAFLP)、N−(9,9f−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−N−{9,9−ジメチル−2−[N’−フェニル−N’−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ]−9H−フルオレン−7−イル}フェニルアミン(略称:DFLADFL)、N−(9,9−ジメチル−2−ジフェニルアミノ−9H−フルオレン−7−イル)ジフェニルアミン(略称:DPNF)、2−[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:DPASF)、4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、4,4’−ジフェニル−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4−(1−ナフチル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4,4’−ジ(1−ナフチル)−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、4−フェニルジフェニル−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)アミン(略称:PCA1BP)、N,N’−ビス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N,N’−ジフェニルベンゼン−1,3−ジアミン(略称:PCA2B)、N,N’,N’’−トリフェニル−N,N’,N’’−トリス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)ベンゼン−1,3,5−トリアミン(略称:PCA3B)、N−(4−ビフェニル)−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCBiF)、N−(1,1’−ビフェニル−4−イル)−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(略称:PCBBiF)、9,9−ジメチル−N−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]フルオレン−2−アミン(略称:PCBAF)、N−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−アミン(略称:PCBASF)、2−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:PCASF)、2,7−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:DPA2SF)、N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−(4−フェニル)フェニルアニリン(略称:YGA1BP)、N,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、3−[4−(1−ナフチル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPN)、3−[4−(9−フェナントリル)−フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPPn)、3,3’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)(略称:PCCP)、1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、3,6−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)−9−フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、4−{3−[3−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi−II)、4,4’,4’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P−II)、1,3,5−トリ(ジベンゾチオフェン−4−イル)−ベンゼン(略称:DBT3P−II)、2,8−ジフェニル−4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−III)、4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]−6−フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−IV)、4−[3−(トリフェニレン−2−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:mDBTPTp−II)等のカルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。 As a host material having a high hole-transport property, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N, N ′ -Bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4 ', 4 "-tris (carbazole- 9-yl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: 1′-TNATA), 4 , 4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino ] Triphenylamine (abbreviation m-MTDATA), 4,4′-bis [N- (spiro-9,9′-bifluoren-2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), 4-phenyl-4 ′-(9 -Phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFLP), 4-phenyl-3 '-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: mBPAFLP), N- (9,9f- Dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -N- {9,9-dimethyl-2- [N′-phenyl-N ′-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) amino] -9H -Fluoren-7-yl} phenylamine (abbreviation: DFLADFL), N- (9,9-dimethyl-2-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl) diphenylamine (abbreviation: DPNF), 2- [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] spiro-9,9′-bifluorene (abbreviation: DPASF), 4-phenyl-4 ′-(9-phenyl-9H-carbazole) -3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBA1BP), 4,4′-diphenyl-4 ″-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBBi1BP), 4- ( 1-naphthyl) -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBBANB), 4,4′-di (1-naphthyl) -4 ″-(9-phenyl) -9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBNBB), 4-phenyldiphenyl- (9-phenyl-9H-carbazole-3- ) Amine (abbreviation: PCA1BP), N, N′-bis (9-phenylcarbazol-3-yl) -N, N′-diphenylbenzene-1,3-diamine (abbreviation: PCA2B), N, N ′, N ″ -triphenyl-N, N ′, N ″ -tris (9-phenylcarbazol-3-yl) benzene-1,3,5-triamine (abbreviation: PCA3B), N- (4-biphenyl)- N- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -9-phenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCBiF), N- (1,1′-biphenyl-4-yl)- N- [4- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) phenyl] -9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (abbreviation: PCBBiF), 9,9-dimethyl-N-phenyl- N- [ -(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) phenyl] fluoren-2-amine (abbreviation: PCBAF), N-phenyl-N- [4- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) phenyl ] Spiro-9,9′-bifluoren-2-amine (abbreviation: PCBASF), 2- [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] spiro-9,9′-bifluorene (abbreviation) : PCASF), 2,7-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] -spiro-9,9'-bifluorene (abbreviation: DPA2SF), N- [4- (9H-carbazole- 9-yl) phenyl] -N- (4-phenyl) phenylaniline (abbreviation: YGA1BP), N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl An aromatic amine compound such as —N, N′-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2,7-diamine (abbreviation: YGA2F) can be used. 3- [4- (1-naphthyl) -phenyl] -9-phenyl-9H-carbazole (abbreviation: PCPN), 3- [4- (9-phenanthryl) -phenyl] -9-phenyl-9H-carbazole (Abbreviation: PCPPn), 3,3′-bis (9-phenyl-9H-carbazole) (abbreviation: PCCP), 1,3-bis (N-carbazolyl) benzene (abbreviation: mCP), 3,6-bis ( 3,5-diphenylphenyl) -9-phenylcarbazole (abbreviation: CzTP), 4- {3- [3- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] phenyl} dibenzofuran (abbreviation: mmDBFFLBi-II) ), 4,4 ′, 4 ″-(benzene-1,3,5-triyl) tri (dibenzofuran) (abbreviation: DBF3P-II), 1,3,5-tri (di) Nzothiophen-4-yl) -benzene (abbreviation: DBT3P-II), 2,8-diphenyl-4- [4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] dibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP-III) ), 4- [4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl] -6-phenyldibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP-IV), 4- [3- (triphenylene-2-yl) phenyl] A carbazole compound such as dibenzothiophene (abbreviation: mDBTPTp-II), a thiophene compound, a furan compound, a fluorene compound, a triphenylene compound, a phenanthrene compound, or the like can be used.
電子輸送性の高いホスト材料としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等である。また、この他ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CO11)のようなオキサジアゾール誘導体や、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)のようなトリアゾール誘導体や、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]−1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBIm−II)のようなイミダゾール骨格を有する化合物(特にベンゾイミダゾール誘導体)や、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)などのオキサゾール骨格を有する化合物(特にベンゾオキサゾール誘導体)や、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2,9−ビス(ナフタレン−2−イル)−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(略称:NBphen)などのフェナントロリン誘導体や、2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq−II)、2−[3’−(ジベンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq−II)、2−[3’−(9H−カルバゾール−9−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mCzBPDBq)、2−[4−(3,6−ジフェニル−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq−III)、7−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mDBTPDBq−II)、及び6−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq−II)、4,6−ビス[3−(フェナントレン−9−イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mPnP2Pm)、4,6−ビス[3−(4−ジベンゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mDBTP2Pm−II)、4,6−ビス[3−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mCzP2Pm)などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、2−{4−[3−(N−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−9H−カルバゾール−9−イル]フェニル}−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PCCzPTzn)などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、3,5−ビス[3−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ピリジン(略称:35DCzPPy)、1,3,5−トリ[3−(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmPyPB)などのピリジン骨格を有する複素環化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5−ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。 Examples of the host material having a high electron transporting property include tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (abbreviation: Alq), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (abbreviation: Almq 3 ), and bis. (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (II) (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (III) (abbreviation: BAlq), bis ( Metal complexes having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as 8-quinolinolato) zinc (II) (abbreviation: Znq). In addition, bis [2- (2-benzoxazolyl) phenolato] zinc (II) (abbreviation: ZnPBO), bis [2- (2-benzothiazolyl) phenolato] zinc (II) (abbreviation: ZnBTZ), etc. A metal complex having an oxazole-based or thiazole-based ligand can also be used. In addition to metal complexes, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5 -(P-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 9- [4- (5-phenyl-1,3,4-oxa) Oxadiazole derivatives such as diazol-2-yl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CO11), and 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl)- Triazole derivatives such as 1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ) and 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-benzenetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (Abbreviation: TPBI 2- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl] -1-phenyl-1H-benzimidazole (abbreviation: mDBTBIm-II), a compound having an imidazole skeleton (particularly a benzimidazole derivative), Compounds having an oxazole skeleton such as 4′-bis (5-methylbenzoxazol-2-yl) stilbene (abbreviation: BzOs) (particularly benzoxazole derivatives), bathophenanthroline (abbreviation: Bphen), bathocuproin (abbreviation: BCP) Phenanthroline derivatives such as 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: NBphen), and 2- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl ] Dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2mDB) PDBq-II), 2- [3 ′-(dibenzothiophen-4-yl) biphenyl-3-yl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2mDBTBPDBq-II), 2- [3 ′-(9H-carbazole) -9-yl) biphenyl-3-yl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2mCzBPDBq), 2- [4- (3,6-diphenyl-9H-carbazol-9-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2CzPDBq-III), 7- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 7mDBTPDBq-II), and 6- [3- (dibenzothiophene) -4-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 6mDBTPDBq-II), 4,6-bis [ 3- (phenanthrene-9-yl) phenyl] pyrimidine (abbreviation: 4,6mPnP2Pm), 4,6-bis [3- (4-dibenzothienyl) phenyl] pyrimidine (abbreviation: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6 A heterocyclic compound having a diazine skeleton such as -bis [3- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] pyrimidine (abbreviation: 4,6mCzP2Pm), 2- {4- [3- (N-phenyl-9H- A heterocyclic compound having a triazine skeleton such as carbazol-3-yl) -9H-carbazol-9-yl] phenyl} -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (abbreviation: PCCzPTzn); -Bis [3- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] pyridine (abbreviation: 35DCzPPy), 1,3,5-tri [3- ( - pyridyl) phenyl] benzene (abbreviation: TmPyPB) can also be used a heterocyclic compound having a pyridine skeleton such. In addition, poly (2,5-pyridinediyl) (abbreviation: PPy), poly [(9,9-dihexylfluorene-2,7-diyl) -co- (pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF -Py), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,2′-bipyridine-6,6′-diyl)] (abbreviation: PF-BPy) Molecular compounds can also be used.
また、ホスト材料として、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、YGAPA、PCAPA、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPBA)2PCAPA、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセン、DBC1、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、1,3,5−トリ(1−ピレニル)ベンゼン(略称:TPB3)などを用いることができる。 Examples of the host material include condensed polycyclic aromatic compounds such as anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, and dibenzo [g, p] chrysene derivatives. Specifically, 9,10-diphenylanthracene ( Abbreviations: DPAnth), N, N-diphenyl-9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: CzA1PA), 4- (10-phenyl-9- Anthryl) triphenylamine (abbreviation: DPhPA), YGAPA, PCAPA, N, 9-diphenyl-N- {4- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] phenyl} -9H-carbazol-3-amine (Abbreviation: PCAPBA) 2PCAPA, 6,12-dimethoxy-5,11-diphenyl Sen, DBC1, 9- [4- (10-phenyl-9-anthracenyl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 3,6-diphenyl-9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) Phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: DPCzPA), 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 2 -Tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9'-bianthryl (abbreviation: BANT), 9,9 '-(stilbene-3,3'-diyl ) Diphenanthrene (abbreviation: DPNS), 9,9 ′-(stilbene-4,4′-diyl) diphenanthrene (abbreviation: DPNS2), 1, 3, 5 Tri (1-pyrenyl) benzene (abbreviation: TPB3), or the like can be used.
また、発光層に有機化合物を複数用いる場合、励起錯体を形成する2種類の化合物(第1の化合物および第2の化合物)と有機金属錯体とを混合して用いることが好ましい。この場合、様々な有機化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物(正孔輸送性材料)と、電子を受け取りやすい化合物(電子輸送性材料)とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現できる。 In the case where a plurality of organic compounds are used in the light-emitting layer, it is preferable to use a mixture of two types of compounds (a first compound and a second compound) that form an exciplex and an organometallic complex. In this case, various organic compounds can be used in appropriate combination. However, in order to efficiently form an exciplex, a compound that easily receives holes (hole transporting material) and a compound that easily receives electrons (electrons) A combination with a transportable material) is particularly preferred. Note that as specific examples of the hole-transport material and the electron-transport material, the materials described in this embodiment can be used. With this configuration, high efficiency, low voltage, and long life can be realized simultaneously.
TADF材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート(逆項間交差)が可能で、一重項励起状態からの発光(蛍光)を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が0eV以上0.2eV以下、好ましくは0eV以上0.1eV以下であることが挙げられる。また、TADF材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、10−6秒以上、好ましくは10−3秒以上である。 TADF material is a material that can up-convert triplet excited state to singlet excited state with a little thermal energy (interverse crossing) and efficiently emits light (fluorescence) from singlet excited state. is there. As a condition for efficiently obtaining thermally activated delayed fluorescence, the energy difference between the triplet excited level and the singlet excited level is 0 eV or more and 0.2 eV or less, preferably 0 eV or more and 0.1 eV or less. Can be mentioned. In addition, delayed fluorescence in the TADF material refers to light emission having a remarkably long lifetime while having the same spectrum as normal fluorescence. The lifetime is 10 −6 seconds or longer, preferably 10 −3 seconds or longer.
TADF材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、スズ(Sn)、白金(Pt)、インジウム(In)、もしくはパラジウム(Pd)等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(Proto IX))、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(Meso IX))、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(Hemato IX))、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(Copro III−4Me))、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(OEP))、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(Etio I))、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体(略称:PtCl2OEP)等が挙げられる。 Examples of the TADF material include fullerene and derivatives thereof, acridine derivatives such as proflavine, and eosin. In addition, metal-containing porphyrins including magnesium (Mg), zinc (Zn), cadmium (Cd), tin (Sn), platinum (Pt), indium (In), palladium (Pd), and the like can be given. Examples of the metal-containing porphyrin include a protoporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Proto IX)), a mesoporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Meso IX)), and hematoporphyrin-tin fluoride. Complex (abbreviation: SnF 2 (Hemato IX)), coproporphyrin tetramethyl ester-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Copro III-4Me)), octaethylporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (OEP) )), Etioporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Etio I)), octaethylporphyrin-platinum chloride complex (abbreviation: PtCl 2 OEP), and the like.
その他にも、1−ビフェニル−4,6−ビス(11−フェニルインドロ[1,3−a]カルバゾール−11−イル)−1,3,5−トリアジン(略称:PIC−TRZ)、1,4−ジフェニル−6−[3−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)カルバゾール−9−イル]フェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PCCzPTzn)、1−フェノキサジン−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PXZ−TRZ)、3−[4−(5−フェニル−5,10−ジヒドロフェナジン)フェニル]−4,5−ジフェニル−1,1,4−トリアゾール(略称:PPZ−3TPT)、3−[9,9−ジメチルアクリジン−10(9H)−イル)]−9H−キサンテン−9−オン(略称:ACRXTN)、ビス[4−(9,9−ジメチル−9,10−ジヒドロアクリジン)フェニル]スルフホン(略称:DMAC−DPS)、10−フェニル−10H,10’H−スピロ[アクリジン−9,9’−アントラセン]−10’−オン(略称:ACRSA)、等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。 In addition, 1-biphenyl-4,6-bis (11-phenylindolo [1,3-a] carbazol-11-yl) -1,3,5-triazine (abbreviation: PIC-TRZ), 1, 4-diphenyl-6- [3- (9-phenylcarbazol-3-yl) carbazol-9-yl] phenyl-1,3,5-triazine (abbreviation: PCCzPTzn), 1-phenoxazine-4,6-diphenyl -1,3,5-triazine (abbreviation: PXZ-TRZ), 3- [4- (5-phenyl-5,10-dihydrophenazine) phenyl] -4,5-diphenyl-1,1,4-triazole ( Abbreviations: PPZ-3TPT), 3- [9,9-dimethylacridin-10 (9H) -yl)]-9H-xanthen-9-one (abbreviation: ACRXTN), bis [4- (9,9-dimethyl) Ru-9,10-dihydroacridine) phenyl] sulfon (abbreviation: DMAC-DPS), 10-phenyl-10H, 10′H-spiro [acridine-9,9′-anthracene] -10′-one (abbreviation: ACRSA) A heterocyclic compound having a π-electron rich heteroaromatic ring and a π-electron deficient heteroaromatic ring, such as In addition, a substance in which a π-electron rich heteroaromatic ring and a π-electron deficient heteroaromatic ring are directly bonded increases both the donor property of the π-electron rich heteroaromatic ring and the acceptor property of the π-electron deficient heteroaromatic ring. This is particularly preferable because the energy difference between the singlet excited state and the triplet excited state becomes small.
なお、TADF材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。特に、TADF材料と、有機金属錯体とを混合して発光層を形成することが好ましい。この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現できる。 In addition, when using TADF material, it can also be used in combination with another organic compound. In particular, it is preferable to form a light-emitting layer by mixing a TADF material and an organometallic complex. With this configuration, high efficiency, low voltage, and long life can be realized simultaneously.
<電子輸送層>
電子輸送層は、電子注入層によって、第2の電極1102から注入された電子を発光層に輸送する層である。なお、電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層に用いる電子輸送性材料は、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
<Electron transport layer>
The electron transport layer is a layer that transports electrons injected from the second electrode 1102 to the light emitting layer by the electron injection layer. Note that the electron transport layer is a layer containing an electron transport material. The electron transporting material used for the electron transporting layer is preferably a substance having an electron mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more electrons than holes can be used.
電子輸送性材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いることもできる。 Examples of electron transporting materials include metal complexes having quinoline ligand, benzoquinoline ligand, oxazole ligand, or thiazole ligand, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, pyridine derivatives, bipyridine derivatives, etc. Is mentioned. In addition, a π-electron deficient heteroaromatic compound such as a nitrogen-containing heteroaromatic compound can also be used.
具体的には、Alq3、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、BAlq、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、OXD−7、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)などの複素芳香族化合物、2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq−II)、2−[3’−(ジベンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq−II)、2−[4−(3,6−ジフェニル−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq−III)、7−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mDBTPDBq−II)、6−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq−II)等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。 Specifically, Alq 3 , tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), BAlq, bis [2 Metal complexes such as-(2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), OXD-7, 3- (4-tert-butylphenyl) -4 -Phenyl-5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4- Ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: Bphen), bathocuproin (abbreviation: BCP), 4,4′-bis (5 -Heteroaromatic compounds such as methylbenzoxazol-2-yl) stilbene (abbreviation: BzOs), 2- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2mDBTPDBq-II) ), 2- [3 ′-(dibenzothiophen-4-yl) biphenyl-3-yl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2mDBTBPDBq-II), 2- [4- (3,6-diphenyl-9H) -Carbazole-9-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2CzPDBq-III), 7 [3- (Dibenzothiophen-4-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 7mDBTPDBq-II), 6- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl] dibenzo [f, h] quinoxaline A quinoxaline or dibenzoquinoxaline derivative such as (abbreviation: 6mDBTPDBq-II) can be used.
また、ポリ(2,5−ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。 In addition, poly (2,5-pyridinediyl) (abbreviation: PPy), poly [(9,9-dihexylfluorene-2,7-diyl) -co- (pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF -Py), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,2′-bipyridine-6,6′-diyl)] (abbreviation: PF-BPy) Molecular compounds can also be used.
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が2層以上積層した構造であってもよい。 Further, the electron-transporting layer is not limited to a single layer, and may have a structure in which two or more layers made of the above substances are stacked.
<電子注入層>
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF3)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層を構成する物質を用いることもできる。
<Electron injection layer>
The electron injection layer is a layer containing a substance having a high electron injection property. The electron injection layer includes an alkali metal such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ), lithium oxide (LiO x ), or the like, or an alkaline earth metal thereof. Compounds can be used. Alternatively, a rare earth metal compound such as erbium fluoride (ErF 3 ) can be used. Moreover, you may use an electride for an electron injection layer. Examples of the electride include a substance obtained by adding a high concentration of electrons to a mixed oxide of calcium and aluminum. In addition, the substance which comprises the electron carrying layer mentioned above can also be used.
また、電子注入層に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層に用いる電子輸送性材料(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。 Alternatively, a composite material obtained by mixing an organic compound and an electron donor (donor) may be used for the electron injection layer. Such a composite material is excellent in electron injecting property and electron transporting property because electrons are generated in the organic compound by the electron donor. In this case, the organic compound is preferably a material excellent in transporting the generated electrons, and specifically, for example, an electron transporting material (metal complex, heteroaromatic compound, etc.) used in the above-described electron transport layer. Can be used. The electron donor may be any substance that exhibits an electron donating property to the organic compound. Specifically, alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth metals are preferable, and lithium, cesium, magnesium, calcium, erbium, ytterbium, and the like can be given. Alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides are preferable, and lithium oxide, calcium oxide, barium oxide, and the like can be given. A Lewis base such as magnesium oxide can also be used. Alternatively, an organic compound such as tetrathiafulvalene (abbreviation: TTF) can be used.
電荷発生層において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。 In the case where the charge generation layer has a structure in which an electron acceptor is added to a hole transporting material, the material described in this embodiment can be used as the hole transporting material. Examples of the electron acceptor include 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, and the like. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specific examples include vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide.
電荷発生層において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第2、第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、イッテルビウム(Yb)、インジウム(In)、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。 In the case where the charge generation layer has a structure in which an electron donor is added to an electron transporting material, the material described in this embodiment can be used as the electron transporting material. As the electron donor, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a metal belonging to Groups 2 and 13 of the periodic table, or an oxide or carbonate thereof can be used. Specifically, lithium (Li), cesium (Cs), magnesium (Mg), calcium (Ca), ytterbium (Yb), indium (In), lithium oxide, cesium carbonate, or the like is preferably used. An organic compound such as tetrathianaphthacene may be used as an electron donor.
<液晶素子>
次に、本発明の一態様の表示装置が有する液晶素子について説明する。液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
<Liquid crystal element>
Next, a liquid crystal element included in the display device of one embodiment of the present invention is described. As the liquid crystal element, for example, a liquid crystal element to which a vertical alignment (VA: Vertical Alignment) mode is applied can be used. As the vertical alignment mode, an MVA (Multi-Domain Vertical Alignment) mode, a PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, an ASV (Advanced Super View) mode, or the like can be used.
液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばVAモードのほかに、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro−cell)モード、OCB(Optically Compensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる。 As the liquid crystal element, liquid crystal elements to which various modes are applied can be used. For example, in addition to the VA mode, a TN (Twisted Nematic) mode, an IPS (In-Plane-Switching) mode, an FFS (Fringe Field Switching) mode, an ASM (Axially Symmetrical Aligned Micro-cell) mode Further, a liquid crystal element to which an FLC (Ferroelectric Liquid Crystal) mode, an AFLC (Antiferroelectric Liquid Crystal) mode, or the like is applied can be used.
液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む)によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。 The liquid crystal element is an element that controls transmission or non-transmission of light by an optical modulation action of liquid crystal. The optical modulation action of the liquid crystal is controlled by an electric field applied to the liquid crystal (including a horizontal electric field, a vertical electric field, or an oblique electric field). As the liquid crystal used in the liquid crystal element, a thermotropic liquid crystal, a low-molecular liquid crystal, a polymer liquid crystal, a polymer dispersed liquid crystal (PDLC), a ferroelectric liquid crystal, an antiferroelectric liquid crystal, or the like can be used. . These liquid crystal materials exhibit a cholesteric phase, a smectic phase, a cubic phase, a chiral nematic phase, an isotropic phase, and the like depending on conditions.
液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。 As the liquid crystal material, either a positive type liquid crystal or a negative type liquid crystal may be used, and an optimal liquid crystal material may be used according to an applied mode or design.
液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。 In order to control the alignment of the liquid crystal, an alignment film can be provided. Note that in the case of employing a horizontal electric field mode, liquid crystal exhibiting a blue phase for which an alignment film is unnecessary may be used. The blue phase is one of the liquid crystal phases. When the temperature of the cholesteric liquid crystal is increased, the blue phase appears immediately before the transition from the cholesteric phase to the isotropic phase. Since the blue phase appears only in a narrow temperature range, a liquid crystal composition mixed with several percent by weight or more of a chiral agent is used for the liquid crystal in order to improve the temperature range. A liquid crystal composition containing a liquid crystal exhibiting a blue phase and a chiral agent has a short response speed and is optically isotropic. In addition, a liquid crystal composition including a liquid crystal exhibiting a blue phase and a chiral agent does not require alignment treatment and has a small viewing angle dependency. Further, since it is not necessary to provide an alignment film, a rubbing process is not required, so that electrostatic breakdown caused by the rubbing process can be prevented, and defects or breakage of the liquid crystal display device during the manufacturing process can be reduced. .
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。 In the case of using a reflective liquid crystal element, a polarizing plate is provided on the display surface side. Separately from this, it is preferable to arrange a light diffusing plate on the display surface side because the visibility can be improved.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様に係る電子機器の具体例を示す。
(Embodiment 5)
In this embodiment, specific examples of electronic devices according to one embodiment of the present invention are described.
図17(A)は携帯電話5900であり、曲面を有する筐体5901に、表示部5902及び駆動回路等を有する表示装置、マイク5907、スピーカ5904、カメラ5903、外部接続部5906、操作用のボタン5905、照度センサ5910が設けられている。携帯電話5900は例えば筐体5901の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、等を有することが好ましい。また、表示部5902の表面近傍にはタッチセンサが設けられることが好ましい。携帯電話5900が有する表示装置、表示部、等は先の実施の形態を参照することができる。
FIG. 17A illustrates a
図17(B)は腕時計型の携帯情報端末5200であり、筐体5201、表示部5202及び駆動回路等を有する表示装置、ベルト5203、スイッチ5205等を有する。筐体5201において、表示部5202の周辺に位置する領域5204には照度センサ、カメラ、等が設けられる。携帯情報端末5200は例えば筐体5201の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、等を有することが好ましい。また、表示部5202の表面近傍にはタッチセンサが設けられることが好ましい。携帯情報端末5200が有する表示装置、表示部、等は先の実施の形態を参照することができる。携帯情報端末5200は例えば、ベルト5203により使用者の腕などに装着される。
FIG. 17B illustrates a wristwatch-type
図17(C)はタブレット型のパーソナルコンピュータ5300であり、筐体5301、筐体5302、表示部5303及び駆動回路等を有する表示装置、照度センサ5305、スイッチ5306等を有する。表示部5303は、筐体5301及び筐体5302によって支持されている。そして、表示部5303は可撓性を有する基板を用いて形成されているため形状をフレキシブルに曲げることができる機能を有する。筐体5301と筐体5302の間の角度をヒンジ5307及び5308において変更することで、筐体5301と筐体5302が重なるように、表示部5303を折りたたむことができる。パーソナルコンピュータ53000は例えば筐体の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、等を有することが好ましい。また、表示部5303の表面近傍にはタッチセンサが設けられることが好ましい。パーソナルコンピュータ5300が有する表示装置、表示部、等は先の実施の形態を参照することができる。
FIG. 17C illustrates a tablet
図17(D)は腕時計型の携帯情報端末5700であり、曲面を有する筐体5701、表示部5702及び駆動回路等を有する表示装置、照度センサ5704、等を有する。表示装置に可撓性を有する基板を用いることで、曲面を有する筐体5701に表示部5303等を支持させることができ、フレキシブルかつ軽くて使い勝手の良い腕時計型の携帯情報端末を提供することができる。携帯情報端末5700は例えば筐体5701の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、等を有することが好ましい。また、表示部5702の表面近傍にはタッチセンサが設けられることが好ましい。携帯情報端末5700が有する表示装置、表示部、等は先の実施の形態を参照することができる。携帯情報端末5700の少なくとも一部は例えば、使用者の腕に接して使用される。
FIG. 17D illustrates a wristwatch-type
図17(E)に示す電子機器920は、筐体921a、筐体921b、ヒンジ923、表示部922及び駆動回路等を有する表示装置、スタイラス925等を有する。表示部922は筐体921a及び筐体921bに、組み込まれている。また電子機器920は筐体921aにカメラ928、および照度センサ929が組み込まれている。電子機器920は例えば筐体の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ、地磁気センサ、音を検知する機能を有するセンサ、等を有することが好ましい。また、表示部922の表面近傍にはタッチセンサが設けられることが好ましい。電子機器920が有する表示装置、表示部、等は先の実施の形態を参照することができる。
An
筐体921aと筐体921bとは、ヒンジ923で回転可能に連結されている。電子機器920は、筐体921aと筐体921bとが閉じた状態と、図14(E)に示すように開いた状態と、に変形することができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用するときには大きな表示領域により、視認性に優れる。
The
また、ヒンジ923は、筐体921aと筐体921bとを開いたときに、これらの角度が所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例えば、ロックがかかる(それ以上に開かない)角度は、90度以上180度未満であることが好ましく、代表的には、90度、120度、135度、または150度、175度などとすることができる。これにより、利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる。
Further, the
表示部922は、タッチパネルとして機能し、指やスタイラス925などにより操作することができる。
The
筐体921aまたは筐体921bのいずれか一には、無線通信モジュールが設けられ、インターネットやLAN(Local Area Network)、Wi−Fi(登録商標)などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。
One of the
表示部922には、一つのフレキシブルディスプレイで構成されていることが好ましい。これにより、筐体921aと筐体921bの間で途切れることのない連続した表示を行うことができる。なお、筐体921aと筐体921bのそれぞれに、ディスプレイが設けられる構成としてもよい。
It is preferable that the
筐体921aと筐体921bとを開いたときに、表示部922が大きく湾曲した形態で保持されている。例えば、曲率半径を1mm以上50mm以下、好ましくは5mm以上30mm以下の状態で、表示部922が保持された状態とすることができる。表示部922の一部は、筐体921aから筐体921bにかけて、連続的に画素が配置され、曲面状の表示を行うことができる。
When the
ヒンジ923は、上述したロック機構を有しているため、表示部922に無理な力がかかることなく、表示部922が破損することを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い電子機器を実現できる。
Since the
図18には、タブレット型のパーソナルコンピュータ5300において、図9に示すフローに基づき表示部に表示を行う場合の一例を示す。
FIG. 18 shows an example of display on the display unit based on the flow shown in FIG. 9 in the tablet
図18(A)は表示部5303において、図9のステップS002、すなわちコンテンツを選択する画面を表示する例を示す。図18(A)に示す例では表示部5303にパーソナルコンピュータ5300が有する書籍の一覧が表示されている。
FIG. 18A shows an example in which the
図18(A)の表示部5303に示す画面においてコンテンツ、ここでは閲覧する書籍を選択すると、図9のステップS007に基づき、画像111、ここでは書籍の内容が表示部5303に表示される(図18(B)参照。)。
When a content, here a book to be browsed, is selected on the screen shown in the
次に、図9のステップS009に基づき、画像111に重ねて画像112を表示する例について説明する。画像112が表示部5303の全体に表示される場合には例えば、撮像装置によりパーソナルコンピュータ5300を撮像すると図18(C)に示すように画像111は画像112に妨害され、表示部5303において画像111を認識しづらくなる。あるいは領域5309が複写禁止のコンテンツの場合には、領域5309のみを妨害すればよい(図18(D)参照。)。
Next, an example in which the
本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、4K2K、8K4K、16K8K、又はそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表示部の画面サイズとしては、対角20インチ以上、又は対角30インチ以上、又は対角50インチ以上、対角60インチ以上、又は対角70インチ以上とすることもできる。 The display portion of the electronic device of one embodiment of the present invention can display an image having a resolution of, for example, full high vision, 4K2K, 8K4K, 16K8K, or higher. Further, the screen size of the display unit may be 20 inches or more diagonal, 30 inches or more diagonal, 50 inches diagonal, 60 inches diagonal, or 70 inches diagonal.
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。 Examples of electronic devices include relatively large screens such as television devices, desktop or notebook personal computers, monitors for computers, digital signage (digital signage), and large game machines such as pachinko machines. In addition to the electronic devices provided, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone, a portable game machine, a portable information terminal, a sound reproduction device, and the like can be given.
本発明の一態様の電子機器又は照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。 The electronic device or the lighting device of one embodiment of the present invention can be incorporated along an inner wall or an outer wall of a house or a building, or a curved surface of an interior or exterior of an automobile.
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。 The electronic device of one embodiment of the present invention may include an antenna. By receiving a signal with an antenna, video, information, and the like can be displayed on the display unit. In the case where the electronic device has an antenna and a secondary battery, the antenna may be used for non-contact power transmission.
本発明の一態様の電子機器は、センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)を有していてもよい。 The electronic device of one embodiment of the present invention includes a sensor (force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, sound, time, hardness, electric field, current, It may have a function of measuring voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor, or infrared).
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プログラム)を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。 The electronic device of one embodiment of the present invention can have a variety of functions. For example, a function for displaying various information (still images, moving images, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a function for displaying a calendar, date or time, a function for executing various software (programs), and wireless communication It can have a function, a function of reading a program or data recorded in a recording medium, and the like.
図19(A)にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7103により筐体7101を支持した構成を示している。
FIG. 19A illustrates an example of a television set. In the
表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
The display device of one embodiment of the present invention can be applied to the
図19(A)に示すテレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7111により行うことができる。又は、表示部7000にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作してもよい。リモコン操作機7111は、当該リモコン操作機7111から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7111が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映像を操作することができる。
Operation of the
なお、テレビジョン装置7100は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
Note that the
図19(B)に、ノート型パーソナルコンピュータ7200を示す。ノート型パーソナルコンピュータ7200は、筐体7211、キーボード7212、ポインティングデバイス7213、外部接続ポート7214等を有する。筐体7211に、表示部7000が組み込まれている。
FIG. 19B illustrates a laptop
表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
The display device of one embodiment of the present invention can be applied to the
図19(C)、(D)に、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)の一例を示す。 FIGS. 19C and 19D show examples of digital signage (digital signage).
図19(C)に示すデジタルサイネージ7300は、筐体7301、表示部7000、及びスピーカ7303等を有する。さらに、LEDランプ、操作キー(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
A
また、図19(D)は円柱状の柱7401に取り付けられたデジタルサイネージ7400である。デジタルサイネージ7400は、柱7401の曲面に沿って設けられた表示部7000を有する。
FIG. 19D illustrates a
図19(C)、(D)において、表示部7000に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
19C and 19D, the display device of one embodiment of the present invention can be applied to the
表示部7000が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部7000が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。また表示部7000は、タッチパネルを備えていることが好ましい。利用者は、表示部7000の一部をタッチ操作することで、表示部7000の一部に表示領域7001を用いて利用者に詳細な情報を提供することができる。
The wider the
表示部7000にタッチパネルを適用することで、表示部7000に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
By applying a touch panel to the
また、図19(C)、(D)に示すように、デジタルサイネージ7300又はデジタルサイネージ7400は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機7311又は情報端末機7411と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部7000に表示される広告の情報を、情報端末機7311又は情報端末機7411の画面に表示させることができる。また、情報端末機7311又は情報端末機7411を操作することで、表示部7000の表示を切り替えることができる。
Further, as shown in FIGS. 19C and 19D, the
また、デジタルサイネージ7300又はデジタルサイネージ7400に、情報端末機7311又は情報端末機7411の画面を操作手段(コントローラ、もしくはタッチパネル)としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
In addition, the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置である表示パネル300について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a
<表示パネルの構成例>
図20は、本発明の一態様の表示パネル300の斜視概略図である。表示パネル300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図20では、基板361を破線で明示している。
<Configuration example of display panel>
FIG. 20 is a schematic perspective view of a
表示パネル300は、表示部362、回路364、配線365等を有する。基板351には、例えば回路364、配線365、及び画素電極として機能する導電層311b等が設けられる。また図20では基板351上にIC373とFPC372が実装されている例を示している。そのため、図20に示す構成は、表示パネル300とFPC372及びIC373を有する表示モジュールということもできる。
The
回路364は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
As the
配線365は、表示部や回路364に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、FPC372を介して外部、又はIC373から配線365に入力される。
The
また、図20では、COG(Chip On Glass)方式等により、基板351にIC373が設けられている例を示している。IC373は、例えば走査線駆動回路、又は配線駆動回路などとしての機能を有するICを適用できる。なお表示パネル300が走査線駆動回路及び配線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や配線駆動回路として機能する回路を外部に設け、FPC372を介して表示パネル300を駆動するための信号を入力する場合などでは、IC373を設けない構成としてもよい。また、IC373を、COF(Chip On Film)方式等により、FPC372に実装してもよい。
20 illustrates an example in which the
図20には、表示部362の一部の拡大図を示している。表示部362には、複数の表示素子が有する導電層311bがマトリクス状に配置されている。導電層311bは、可視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子340の反射電極として機能する。
FIG. 20 shows an enlarged view of a part of the
また、図20に示すように、導電層311bは開口を有する。さらに導電層311bよりも基板351側に、発光素子360を有する。発光素子360からの光は、導電層311bの開口を介して基板361側に射出される。
As shown in FIG. 20, the
また、基板361上には入力装置366を設けることができる。例えば、シート状の静電容量方式のタッチセンサを表示部362に重ねて設ける構成とすればよい。又は、基板361と基板351との間にタッチセンサを設けてもよい。基板361と基板351との間にタッチセンサを設ける場合は、静電容量方式のタッチセンサのほか、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。
An
<断面構成例1>
図21に、図20で例示した表示パネル300の、FPC372を含む領域の一部、回路364を含む領域の一部及び表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
<Cross-section configuration example 1>
FIG. 21 illustrates an example of a cross section of the
ここで、図21に示す表示パネル300は層701と、層702と、を有する。層701はトランジスタおよび発光素子360を有する。層702は液晶素子340を有する。
Here, the
本発明の一態様の表示パネルは、層702を有さない構成としてもよい。その場合には、層701のトランジスタのうち、液晶素子340を駆動するトランジスタを有さない構成とすればよい。
The display panel of one embodiment of the present invention may have a structure without the
また発光素子360は、先の実施の形態に示す表示素子862および表示素子864に適用することができる。また図21、および後述する図22と図23に示す構成に加えて、発光素子360より上層にさらに、トランジスタを有する層、および発光素子を有する層、を設けてもよい。
The light-emitting
表示パネルは、基板351と基板361の間に、絶縁層220を有する。また基板351と絶縁層220の間に、発光素子360、トランジスタ201、トランジスタ205、トランジスタ206、着色層134等を有する。また絶縁層220と基板361の間に、液晶素子340、着色層135等を有する。また基板361と絶縁層220は接着層143を介して接着され、基板351と絶縁層220は接着層142を介して接着されている。
The display panel includes an insulating
トランジスタ206は、液晶素子340と電気的に接続し、トランジスタ205は、発光素子360と電気的に接続する。トランジスタ205とトランジスタ206は、いずれも絶縁層220の基板351側の面上に形成されているため、これらを同一の工程を用いて作製することができる。
The
基板361には、着色層135、遮光層136、絶縁層125、及び液晶素子340の共通電極として機能する導電層313、配向膜133b、絶縁層117等が設けられている。絶縁層117は、液晶素子340のセルギャップを保持するためのスペーサとして機能する。
The
絶縁層220の基板351側には、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214、絶縁層215等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層212、絶縁層213、及び絶縁層214は、各トランジスタを覆って設けられている。また絶縁層214を覆って絶縁層215が設けられている。絶縁層214及び絶縁層215は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ等を覆う絶縁層として、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214の3層を有する場合について示しているが、これに限られず4層以上であってもよいし、単層、又は2層であってもよい。また平坦化層として機能する絶縁層214は、不要であれば設けなくてもよい。
On the
また、トランジスタ201、トランジスタ205、及びトランジスタ206は、一部がゲートとして機能する導電層221、一部がソース又はドレインとして機能する導電層222、半導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。
The
液晶素子340は反射型の液晶素子である。液晶素子340は、導電層370、液晶312、導電層313が積層された積層構造を有する。また、導電層370の基板351側に接して、可視光を反射する導電層311bが設けられている。導電層311bは開口251を有する。また、導電層370及び導電層313は可視光を透過する材料を含む。また、液晶312と導電層370の間に配向膜133aが設けられ、液晶312と導電層313の間に配向膜133bが設けられている。
The
基板361の外側の面には、光拡散板129及び偏光板140を配置する。偏光板140としては直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と1/4波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、外光反射を抑制するために光拡散板129が設けられる。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子340に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
A
液晶素子340において、導電層311bは可視光を反射する機能を有し、導電層313は可視光を透過する機能を有する。基板361側から入射した光は、偏光板140により偏光され、導電層313、液晶312を透過し、導電層311bで反射する。そして、液晶312及び導電層313を再度透過して、偏光板140に達する。このとき、導電層311bと導電層313の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板140を介して射出される光の強度を制御することができる。また光は着色層135によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
In the
発光素子360は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子360は、絶縁層220側から導電層191、EL層192、及び導電層193bの順に積層された積層構造を有する。また導電層193bを覆って導電層193aが設けられている。導電層193bは可視光を反射する材料を含み、導電層191及び導電層193aは可視光を透過する材料を含む。発光素子360が発する光は、着色層134、絶縁層220、開口251、導電層313等を介して、基板361側に射出される。
The
ここで、図21に示すように、開口251には可視光を透過する導電層370が設けられていることが好ましい。これにより、開口251と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様に液晶312が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図しない光が漏れてしまうことを抑制できる。
Here, as shown in FIG. 21, a conductive layer 370 that transmits visible light is preferably provided in the
導電層191の端部を覆う絶縁層216上には、絶縁層217が設けられている。絶縁層217は、絶縁層220と基板351が必要以上に接近することを抑制するスペーサとしての機能を有する。またEL層192や導電層193aを遮蔽マスク(メタルマスク)を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制するための機能を有していてもよい。なお、絶縁層217は不要であれば設けなくてもよい。
An insulating
トランジスタ205のソース又はドレインの一方は、導電層224を介して発光素子360の導電層191と電気的に接続されている。
One of a source and a drain of the
トランジスタ206のソース又はドレインの一方は、接続部207を介して導電層311bと電気的に接続されている。導電層311bと導電層370は接して設けられ、これらは電気的に接続されている。ここで、接続部207は、絶縁層220に設けられた開口を介して、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。
One of a source and a drain of the
基板351と基板361が重ならない領域には、接続部204が設けられている。接続部204は、接続層242を介してFPC372と電気的に接続されている。接続部204は接続部207と同様の構成を有している。接続部204の上面は、導電層370と同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部204とFPC372とを接続層242を介して電気的に接続することができる。
A
接着層143が設けられる一部の領域には、接続部252が設けられている。接続部252において、導電層370と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層313の一部が、接続体243により電気的に接続されている。したがって、基板361側に形成された導電層313に、基板351側に接続されたFPC372から入力される信号又は電位を、接続部252を介して供給することができる。
A
接続体243としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体243として、弾性変形、又は塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体243は、図21に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体243と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
As the
接続体243は、接着層143に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層143に接続体243を分散させておけばよい。
The
図21では、回路364の例としてトランジスタ201が設けられている例を示している。
FIG. 21 illustrates an example in which the
図21では、トランジスタ201及びトランジスタ205の例として、チャネルが形成される半導体層231を2つのゲートで挟持する構成が適用されている。一方のゲートは導電層221により、他方のゲートは絶縁層212を介して半導体層231と重なる導電層223により構成されている。このような構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。このとき、2つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示パネルを大型化、又は高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
In FIG. 21, as an example of the
なお、回路364が有するトランジスタと、表示部362が有するトランジスタは、同じ構造であってもよい。また回路364が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部362が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。
Note that the transistor included in the
各トランジスタを覆う絶縁層212、絶縁層213のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層212又は絶縁層213はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示パネルを実現できる。
At least one of the insulating
基板361側において、着色層135、遮光層136を覆って絶縁層125が設けられている。絶縁層125は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層125により、導電層313の表面を概略平坦にできるため、液晶312の配向状態を均一にできる。
On the
<断面構成例2>
図22に示す表示パネルは、図21に示す構成において各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。
<Cross-section configuration example 2>
The display panel shown in FIG. 22 is an example in which a top-gate transistor is applied to each transistor in the structure shown in FIG. In this manner, by applying a top-gate transistor, parasitic capacitance can be reduced, so that a display frame frequency can be increased.
本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。なお、トランジスタの構造は特に限定されない。 The transistor included in the display device of one embodiment of the present invention functions as a conductive layer functioning as a gate electrode, a semiconductor layer, a conductive layer functioning as a source electrode, a conductive layer functioning as a drain electrode, and a gate insulating layer. And an insulating layer. Note that there is no particular limitation on the structure of the transistor.
例えば、図23に示す断面構成例1の変形例のように、トランジスタ205、206及び接続部207を構成する要素が、透光性を有する導電体で形成することができる。断面構成例1から、さらに導電層311bを省くことで発光素子360から発する光は、トランジスタ205、206及び接続部207の一部又は全体を透過することができる。また、基板361側から入射し、液晶312を透過した光は、導電層311bで反射させることができる。なお、トランジスタ205、206の信頼性を向上させるため、ゲート電極として作用する導電層及びバックゲート電極として作用する導電層の一方又は両方は、金属などの透光性を有さない層で形成してもよい。
For example, as in the modification example of the cross-sectional configuration example 1 illustrated in FIG. 23, the elements included in the
各絶縁層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spectrometry)等を用いて測定することができる。 Each insulating layer is made of aluminum nitride, aluminum oxide, aluminum nitride oxide, aluminum oxynitride, magnesium oxide, silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, gallium oxide, germanium oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide A material selected from neodymium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, aluminum silicate, or the like is used as a single layer or a stacked layer. Alternatively, a material obtained by mixing a plurality of materials among oxide materials, nitride materials, oxynitride materials, and nitride oxide materials may be used. Note that in this specification, a nitrided oxide refers to a compound having a higher nitrogen content than oxygen. Further, oxynitride refers to a compound having a higher oxygen content than nitrogen. The content of each element can be measured using, for example, Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS).
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様のテレビジョン装置について、図24を用いて説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment, a television device of one embodiment of the present invention is described with reference to FIGS.
図24(A)に、テレビジョン装置600のブロック図を示す。 FIG. 24A shows a block diagram of a television device 600.
なお、本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。 In the drawings attached to the present specification, the components are classified by function and the block diagram is shown as an independent block. However, it is difficult to completely separate actual components by function. A component may be involved in multiple functions.
テレビジョン装置600は、制御部601、記憶部602、通信制御部603、画像処理回路604、デコーダ回路605、映像信号受信部606、タイミングコントローラ607、ソースドライバ608、ゲートドライバ609、表示パネル620等を有する。
The television apparatus 600 includes a
本発明の一態様の表示装置は、図24(A)における表示パネル620に適用することができる。これにより、大型かつ高解像度であって、高い表示品位を有するテレビジョン装置600を実現できる。 The display device of one embodiment of the present invention can be applied to the display panel 620 in FIG. Accordingly, it is possible to realize a television device 600 that is large and has high resolution and high display quality.
制御部601は、例えば中央演算装置(CPU:Central Processing Unit)として機能することができる。例えば制御部601は、システムバス630を介して記憶部602、通信制御部603、画像処理回路604、デコーダ回路605、及び映像信号受信部606等のコンポーネントを制御する機能を有する。
The
制御部601と各コンポーネントとは、システムバス630を介して信号の伝達が行われる。また制御部601は、システムバス630を介して接続された各コンポーネントから入力される信号を処理する機能、各コンポーネントへ出力する信号を生成する機能等を有し、これによりシステムバス630に接続された各コンポーネントを統括的に制御することができる。
A signal is transmitted between the
記憶部602は、制御部601及び画像処理回路604がアクセス可能なレジスタ、キャッシュメモリ、メインメモリ、二次メモリなどとして機能する。
The storage unit 602 functions as a register, a cache memory, a main memory, a secondary memory, or the like that can be accessed by the
二次メモリとして用いることのできる記憶装置としては、例えば書き換え可能な不揮発性の記憶素子が適用された記憶装置を用いることができる。例えば、フラッシュメモリ、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)、PRAM(Phase change RAM)、ReRAM(Resistance RAM)、FeRAM(Ferroelectric RAM)などを用いることができる。 As a storage device that can be used as the secondary memory, for example, a storage device to which a rewritable nonvolatile storage element is applied can be used. For example, a flash memory, an MRAM (Magnetostatic Random Access Memory), a PRAM (Phase change RAM), a ReRAM (Resistivity RAM), an FeRAM (Ferroelectric RAM), or the like can be used.
また、レジスタ、キャッシュメモリ、メインメモリなどの一時メモリとして用いることのできる記憶装置としては、DRAM(Dynamic RAM)や、SRAM(Static Random Access Memory)等の揮発性の記憶素子を用いてもよい。 In addition, as a storage device that can be used as a temporary memory such as a register, a cache memory, or a main memory, a volatile storage element such as a DRAM (Dynamic RAM) or an SRAM (Static Random Access Memory) may be used.
例えば、メインメモリに設けられるRAMとしては、例えばDRAMが用いられ、制御部601の作業空間として仮想的にメモリ空間が割り当てられ利用される。記憶部602に格納されたオペレーティングシステム、アプリケーションプログラム、プログラムモジュール、プログラムデータ等は、実行のためにRAMにロードされる。RAMにロードされたこれらのデータやプログラム、プログラムモジュールは、制御部601に直接アクセスされ、操作される。
For example, as a RAM provided in the main memory, for example, a DRAM is used, and a memory space is virtually allocated and used as a work space of the
一方、ROMには書き換えを必要としないBIOS(Basic Input/Output System)やファームウェア等を格納することができる。ROMとしては、マスクROMや、OTPROM(One Time Programmable Read Only Memory)、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)等を用いることができる。EPROMとしては、紫外線照射により記憶データの消去を可能とするUV−EPROM(Ultra−Violet Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)、フラッシュメモリなどが挙げられる。 On the other hand, the ROM can store BIOS (Basic Input / Output System), firmware and the like that do not require rewriting. As the ROM, a mask ROM, an OTPROM (One Time Programmable Read Only Memory), an EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory), or the like can be used. Examples of EPROM include UV-EPROM (Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory) and EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) capable of erasing stored data by ultraviolet irradiation.
また、記憶部602の他に、取り外し可能な記憶装置を接続可能な構成としてもよい。例えばストレージデバイスとして機能するハードディスクドライブ(Hard Disk Drive:HDD)やソリッドステートドライブ(Solid State Drive:SSD)などの記録メディアドライブ、フラッシュメモリ、ブルーレイディスク、DVDなどの記録媒体と接続する端子を有することが好ましい。これにより、映像を記録することができる。 In addition to the storage unit 602, a removable storage device may be connected. For example, it has a terminal for connecting to a recording medium drive such as a hard disk drive (HDD) or a solid state drive (SSD) that functions as a storage device, a recording medium such as a flash memory, a Blu-ray disc, or a DVD. Is preferred. Thereby, a video can be recorded.
通信制御部603は、コンピュータネットワークを介して行われる通信を制御する機能を有する。例えば、制御部601からの命令に応じてコンピュータネットワークに接続するための制御信号を制御し、当該信号をコンピュータネットワークに発信する。これによって、World Wide Web(WWW)の基盤であるインターネット、イントラネット、エクストラネット、PAN(Personal Area Network)、LAN(Local Area Network)、CAN(Campus Area Network)、MAN(Metropolitan Area Network)、WAN(Wide Area Network)、GAN(Global Area Network)等のコンピュータネットワークに接続し、通信を行うことができる。
The communication control unit 603 has a function of controlling communication performed via a computer network. For example, the control signal for connecting to the computer network is controlled in accordance with a command from the
また、通信制御部603は、Wireless Fidelity(Wi−Fi(登録商標))、Bluetooth(登録商標)、ZigBee(登録商標)等の通信規格を用いてコンピュータネットワークまたは他の電子機器と通信する機能を有していてもよい。 In addition, the communication control unit 603 has a function of communicating with a computer network or other electronic devices using a communication standard such as Wireless Fidelity (Wi-Fi (registered trademark)), Bluetooth (registered trademark), ZigBee (registered trademark), or the like. You may have.
通信制御部603は、無線により通信する機能を有していてもよい。例えばアンテナと高周波回路(RF回路)を設け、RF信号の送受信を行えばよい。高周波回路は、各国法制により定められた周波数帯域の電磁信号と電気信号とを相互に変換し、当該電磁信号を用いて無線で他の通信機器との間で通信を行うための回路である。実用的な周波数帯域として数10kHz〜数10GHzが一般に用いられている。アンテナと接続される高周波回路には、複数の周波数帯域に対応した高周波回路部を有し、高周波回路部は、増幅器(アンプ)、ミキサ、フィルタ、DSP、RFトランシーバ等を有する構成とすることができる。 The communication control unit 603 may have a function of communicating wirelessly. For example, an antenna and a high frequency circuit (RF circuit) may be provided to transmit and receive an RF signal. The high-frequency circuit is a circuit for mutually converting an electromagnetic signal and an electric signal in a frequency band determined by the legislation of each country and performing communication with other communication devices wirelessly using the electromagnetic signal. Several tens of kHz to several tens of GHz is generally used as a practical frequency band. The high-frequency circuit connected to the antenna includes a high-frequency circuit unit corresponding to a plurality of frequency bands, and the high-frequency circuit unit includes an amplifier (amplifier), a mixer, a filter, a DSP, an RF transceiver, and the like. it can.
映像信号受信部606は、例えばアンテナ、復調回路、及びA−D変換回路(アナログ−デジタル変換回路)等を有する。復調回路は、アンテナから入力した信号を復調する機能を有する。またA−D変換回路は、復調されたアナログ信号をデジタル信号に変換する機能を有する。映像信号受信部606で処理された信号は、デコーダ回路605に送られる。
The video
デコーダ回路605は、映像信号受信部606から入力されるデジタル信号に含まれる映像データを、送信される放送規格の仕様に従ってデコードし、画像処理回路に送信する信号を生成する機能を有する。例えば8K放送における放送規格としては、H.265 | MPEG−H High Efficiency Video Coding(略称:HEVC)などがある。
The
映像信号受信部606が有するアンテナにより受信できる放送電波としては、地上波、または衛星から送信される電波などが挙げられる。またアンテナにより受信できる放送電波として、アナログ放送、デジタル放送などがあり、また映像及び音声、または音声のみの放送などがある。例えばUHF帯(約300MHz〜3GHz)またはVHF帯(30MHz〜300MHz)のうちの特定の周波数帯域で送信される放送電波を受信することができる。また例えば、複数の周波数帯域で受信した複数のデータを用いることで、転送レートを高くすることができ、より多くの情報を得ることができる。これによりフルハイビジョンを超える解像度を有する映像を、表示パネル620に表示させることができる。例えば、4K2K、8K4K、16K8K、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
Examples of broadcast radio waves that can be received by the antenna included in the video
また、映像信号受信部606及びデコーダ回路605は、コンピュータネットワークを介したデータ伝送技術により送信された放送のデータを用いて、画像処理回路604に送信する信号を生成する構成としてもよい。このとき、受信する信号がデジタル信号の場合には、映像信号受信部606は復調回路及びA−D変換回路等を有していなくてもよい。
Further, the video
画像処理回路604は、デコーダ回路605から入力される映像信号に基づいて、タイミングコントローラ607に出力する映像信号を生成する機能を有する。
The
タイミングコントローラ607は、画像処理回路604が処理を施した映像信号等に含まれる同期信号を基に、ゲートドライバ609及びソースドライバ608に出力する信号(クロック信号、スタートパルス信号などの信号)を生成する機能を有する。また、タイミングコントローラ607は、上記信号に加え、ソースドライバ608に出力するビデオ信号を生成する機能を有する。
The timing controller 607 generates a signal (a signal such as a clock signal or a start pulse signal) to be output to the
表示パネル620は、複数の画素621を有する。各画素621は、ゲートドライバ609及びソースドライバ608から供給される信号により駆動される。ここでは、画素数が7680×4320である、8K4K規格に応じた解像度を有する表示パネルの例を示している。なお、表示パネル620の解像度はこれに限られず、フルハイビジョン(画素数1920×1080)または4K2K(画素数3840×2160)等の規格に応じた解像度であってもよい。
The display panel 620 includes a plurality of pixels 621. Each pixel 621 is driven by signals supplied from the
図24(A)に示す制御部601や画像処理回路604としては、例えばプロセッサを有する構成とすることができる。例えば、制御部601は、CPUとして機能するプロセッサを用いることができる。また、画像処理回路604として、例えばDSP(Digital Signal Processor)、GPU(Graphics Processing Unit)等の他のプロセッサを用いることができる。また制御部601や画像処理回路604に、上記プロセッサをFPGA(Field Programmable Gate Array)やFPAA(Field Programmable Analog Array)といったPLD(Programmable Logic Device)によって実現した構成としてもよい。
As the
プロセッサは、種々のプログラムからの命令を解釈し実行することで、各種のデータ処理やプログラム制御を行う。プロセッサにより実行しうるプログラムは、プロセッサが有するメモリ領域に格納されていてもよいし、別途設けられる記憶装置に格納されていてもよい。 The processor performs various data processing and program control by interpreting and executing instructions from various programs. The program that can be executed by the processor may be stored in a memory area of the processor, or may be stored in a storage device provided separately.
また、制御部601、記憶部602、通信制御部603、画像処理回路604、デコーダ回路605、及び映像信号受信部606、及びタイミングコントローラ607のそれぞれが有する機能のうち、2つ以上の機能を1つのICチップに集約させ、システムLSIを構成してもよい。例えば、プロセッサ、デコーダ回路、チューナ回路、A−D変換回路、DRAM、及びSRAM等を有するシステムLSIとしてもよい。
In addition, two or more functions among the functions of the
なお、制御部601や、他のコンポーネントが有するIC等に、チャネル形成領域に酸化物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することもできる。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、当該トランジスタを記憶素子として機能する容量素子に流入した電荷(データ)を保持するためのスイッチとして用いることで、データの保持期間を長期にわたり確保することができる。この特性を制御部601等のレジスタやキャッシュメモリに用いることで、必要なときだけ制御部601を動作させ、他の場合には直前の処理の情報を当該記憶素子に待避させることにより、ノーマリーオフコンピューティングが可能となる。これにより、テレビジョン装置600の低消費電力化を図ることができる。
Note that a transistor in which an oxide semiconductor is used for a channel formation region and an extremely low off-state current is realized can be used for the
なお、図24(A)のテレビジョン装置600の構成は一例であり、全ての構成要素を含む必要はない。テレビジョン装置600は、図24(A)に示す構成要素のうち必要な構成要素を有していればよい。また、テレビジョン装置600は、図24(A)に示す構成要素以外の構成要素を有していてもよい。 Note that the structure of the television device 600 in FIG. 24A is just an example, and it is not necessary to include all of the components. The television device 600 only needs to include necessary components from among the components illustrated in FIG. In addition, the television device 600 may include a component other than the components illustrated in FIG.
例えば、テレビジョン装置600は、図24(A)に示す構成のほか、外部インターフェース、音声出力部、タッチパネルユニット、センサユニット、カメラユニットなどを有していてもよい。例えば外部インターフェースとしては、例えばUSB(Universal Serial Bus)端子、LAN(Local Area Network)接続用端子、電源受給用端子、音声出力用端子、音声入力用端子、映像出力用端子、映像入力用端子などの外部接続端子、赤外線、可視光、紫外線などを用いた光通信用の送受信機、筐体に設けられた物理ボタンなどがある。また、例えば音声入出力部としては、サウンドコントローラ、マイクロフォン、スピーカなどがある。 For example, the television device 600 may include an external interface, an audio output unit, a touch panel unit, a sensor unit, a camera unit, and the like in addition to the configuration illustrated in FIG. For example, as an external interface, for example, a USB (Universal Serial Bus) terminal, a LAN (Local Area Network) connection terminal, a power receiving terminal, an audio output terminal, an audio input terminal, an image output terminal, an image input terminal, etc. External connection terminals, transceivers for optical communication using infrared rays, visible light, ultraviolet rays, etc., physical buttons provided on the housing, and the like. For example, the sound input / output unit includes a sound controller, a microphone, a speaker, and the like.
以下では、画像処理回路604についてより詳細な説明を行う。
Hereinafter, the
画像処理回路604は、デコーダ回路605から入力される映像信号に基づいて、画像処理を実行する機能を有することが好ましい。
The
画像処理としては、例えばノイズ除去処理、階調変換処理、色調補正処理、輝度補正処理などが挙げられる。色調補正処理や輝度調整処理としては、例えばガンマ補正などがある。 Examples of image processing include noise removal processing, gradation conversion processing, color tone correction processing, and luminance correction processing. Examples of color tone correction processing and luminance adjustment processing include gamma correction.
また、画像処理回路604は、解像度のアップコンバートに伴う画素間補間処理や、フレーム周波数のアップコンバートに伴うフレーム間補間などの処理などの処理を実行する機能を有していることが好ましい。
The
例えば、ノイズ除去処理としては、文字などの輪郭の周辺に生じるモスキートノイズ、高速の動画で生じるブロックノイズ、ちらつきを生じるランダムノイズ、解像度のアップコンバートにより生じるドットノイズなどのさまざまなノイズを除去する。 For example, as noise removal processing, various noises such as mosquito noise generated around the outline of characters, block noise generated in high-speed moving images, flickering random noise, and dot noise generated by resolution up-conversion are removed.
階調変換処理は、画像の階調を表示パネル620の出力特性に対応した階調へ変換する処理である。例えば階調数を大きくする場合、小さい階調数で入力された画像に対して、各画素に対応する階調値を補間して割り当てることで、ヒストグラムを平滑化する処理を行うことができる。また、ダイナミックレンジを広げる、ハイダミックレンジ(HDR)処理も、階調変換処理に含まれる。 The gradation conversion process is a process for converting the gradation of an image into a gradation corresponding to the output characteristics of the display panel 620. For example, when the number of gradations is increased, a process for smoothing the histogram can be performed by interpolating and assigning gradation values corresponding to each pixel to an image input with a small number of gradations. Further, the dynamic range (HDR) process for expanding the dynamic range is also included in the gradation conversion process.
また、画素間補間処理は、解像度をアップコンバートした際に、本来存在しないデータを補間する。例えば、目的の画素の周囲の画素を参照し、それらの中間色を表示するようにデータを補間する。 The inter-pixel interpolation process interpolates data that does not originally exist when the resolution is up-converted. For example, referring to pixels around the target pixel, the data is interpolated so as to display the intermediate colors.
また、色調補正処理は、画像の色調を補正する処理である。また輝度補正処理は、画像の明るさ(輝度コントラスト)を補正する処理である。例えば、テレビジョン装置600が設けられる空間の照明の種類や輝度、または色純度などを検知し、それに応じて表示パネル620に表示する画像の輝度や色調が最適となるように補正する。または、表示する画像と、あらかじめ保存してある画像リスト内の様々な場面の画像と、を照合し、最も近い場面の画像に適した輝度や色調に表示する画像を補正する機能を有していてもよい。 The color tone correction process is a process for correcting the color tone of an image. The brightness correction process is a process for correcting the brightness (brightness contrast) of the image. For example, the type, brightness, or color purity of the illumination in the space where the television apparatus 600 is provided is detected, and the brightness and color tone of the image displayed on the display panel 620 are corrected accordingly. Or, it has a function to compare the image to be displayed with the images of various scenes in the image list stored in advance, and to correct the image displayed with brightness and color tone suitable for the image of the closest scene. May be.
フレーム間補間は、表示する映像のフレーム周波数を増大させる場合に、本来存在しないフレーム(補間フレーム)の画像を生成する。例えば、ある2枚の画像の差分から2枚の画像の間に挿入する補間フレームの画像を生成する。または2枚の画像の間に複数枚の補間フレームの画像を生成することもできる。例えばデコーダ回路605から入力される映像信号のフレーム周波数が60Hzであったとき、複数枚の補間フレームを生成することで、タイミングコントローラ607に出力する映像信号のフレーム周波数を、2倍の120Hz、または4倍の240Hz、または8倍の480Hzなどに増大させることができる。
Interframe interpolation generates an image of a frame (interpolation frame) that does not originally exist when the frame frequency of a video to be displayed is increased. For example, an interpolation frame image to be inserted between two images is generated from the difference between two images. Alternatively, an image of a plurality of interpolation frames can be generated between two images. For example, when the frame frequency of the video signal input from the
また、画像処理回路604は、ニューラルネットワークを利用して、画像処理を実行する機能を有していることが好ましい。図24(A)では、画像処理回路604がニューラルネットワーク610を有している例を示している。
The
例えば、ニューラルネットワーク610により、例えば映像に含まれる画像データから特徴抽出を行うことができる。また画像処理回路604は、抽出された特徴に応じて最適な補正方法を選択することや、または補正に用いるパラメータを選択することができる。
For example, the
または、ニューラルネットワーク610自体に画像処理を行う機能を持たせてもよい。すなわち、画像処理を施す前の画像データをニューラルネットワーク610に入力することで、画像処理が施された画像データを出力させる構成としてもよい。
Alternatively, the
また、ニューラルネットワーク610に用いる重み係数のデータは、データテーブルとして記憶部602に格納される。当該重み係数を含むデータテーブルは、例えば通信制御部603により、コンピュータネットワークを介して最新のものに更新することができる。または、画像処理回路604が学習機能を有し、重み係数を含むデータテーブルを更新可能な構成としてもよい。
In addition, weight coefficient data used for the
図24(B)に、画像処理回路604が有するニューラルネットワーク610の概略図を示す。
FIG. 24B shows a schematic diagram of a
なお、本明細書等においてニューラルネットワークとは、生物の神経回路網を模し、学習によってニューロンどうしの結合強度を決定し、問題解決能力を持たせるモデル全般を指す。ニューラルネットワークは入力層、中間層(隠れ層ともいう)、出力層を有する。ニューラルネットワークのうち、2層以上の中間層を有するものをディープラーニング(またはディープニューラルネットワーク(DNN))という。 In this specification and the like, a neural network refers to a general model that imitates a biological neural network, determines the connection strength between neurons by learning, and has problem solving ability. The neural network has an input layer, an intermediate layer (also referred to as a hidden layer), and an output layer. A neural network having two or more intermediate layers is called deep learning (or deep neural network (DNN)).
また、本明細書等において、ニューラルネットワークについて述べる際に、既にある情報からニューロンとニューロンの結合強度(重み係数とも言う)を決定することを「学習」と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、学習によって得られた結合強度を用いてニューラルネットワークを構成し、そこから新たな結論を導くことを「推論」と呼ぶ場合がある。 In this specification and the like, when describing a neural network, determining the connection strength (also referred to as a weighting factor) between neurons from existing information may be referred to as “learning”. Further, in this specification and the like, there is a case where “inference” refers to constructing a neural network using the connection strength obtained by learning and deriving a new conclusion therefrom.
ニューラルネットワーク610は、入力層611、1つ以上の中間層612、及び出力層613を有する。入力層611には入力データが入力される。出力層613からは出力データが出力される。
The
入力層611、中間層612、及び出力層613は、それぞれニューロン615を有する。ここでニューロン615は、積和演算を実現しうる回路素子(積和演算素子)を指す。図24では、2つの層が有する2つのニューロン615間におけるデータの入出力方向を矢印で示している。
The
それぞれの層における演算処理は、前層が有するニューロン615の出力と重み係数との積和演算により実行される。例えば、入力層の第i番目のニューロンの出力をxiとし、出力xiと次の中間層612の第jニューロンとの結合強度(重み係数)をwjiとすると、当該中間層の第jニューロンの出力はyj=f(Σwji・xi)である。なお、i、jは1以上の整数とする。ここで、f(x)は活性化関数でシグモイド関数、閾値関数などを用いることができる。以下同様に、各層のニューロン615の出力は、前段層のニューロン615の出力と重み係数の積和演算結果に活性化関数を演算した値となる。また、層と層との結合は、全てのニューロン同士が結合する全結合としてもよいし、一部のニューロン同士が結合する部分結合としてもよい。
Arithmetic processing in each layer is executed by a product-sum operation between the output of the
図24(B)では、3つの中間層612を有する例を示している。なお、中間層612の数はこれに限られず、1つ以上の中間層を有していればよい。また、1つの中間層612が有するニューロンの数も、仕様に応じて適宜変更すればよい。例えば1つの中間層612が有するニューロン615の数は、入力層611または出力層613が有するニューロン615の数よりも多くてもよいし、少なくてもよい。
FIG. 24B illustrates an example having three
ニューロン615同士の結合強度の指標となる重み係数は、学習によって決定される。学習は、テレビジョン装置600が有するプロセッサにより実行してもよいが、専用サーバーやクラウドなどの演算処理能力の優れた計算機で実行することが好ましい。学習により決定された重み係数は、テーブルとして上記記憶部602に格納され、画像処理回路604により読み出されることにより使用される。また、当該テーブルは、必要に応じてコンピュータネットワークを介して更新することができる。
A weighting factor that is an index of the strength of connection between the
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
AL1 アノード線
AL2 アノード線
GL1 ゲート線
GL2 ゲート線
GL3 ゲート線
GL4 ゲート線
SL1 ソース線
SL2 ソース線
SL3 ソース線
SL4 ソース線
SL5 ソース線
SL6 ソース線
SL7 ソース線
SL8 ソース線
63 トランジスタ
65 トランジスタ
66 トランジスタ
71 表示素子
72 表示素子
100 表示装置
101 表示
101 表示部
102 表示部
102i 駆動回路
102v 駆動回路
103 駆動回路
103i 駆動回路
103v 駆動回路
104 制御回路
105 センサ
106 信号
111 画像
112 画像
113 画像
114 領域
117 絶縁層
125 絶縁層
129 光拡散板
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 着色層
136 遮光層
140 偏光板
142 接着層
143 接着層
191 導電層
192 EL層
193a 導電層
193b 導電層
201 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
300 表示パネル
311b 導電層
312 液晶
313 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
366 入力装置
370 導電層
372 FPC
373 IC
600 テレビジョン装置
601 制御部
602 記憶部
603 通信制御部
604 画像処理回路
605 デコーダ回路
606 映像信号受信部
607 タイミングコントローラ
608 ソースドライバ
609 ゲートドライバ
610 ニューラルネットワーク
611 入力層
612 中間層
613 出力層
615 ニューロン
620 表示パネル
621 画素
630 システムバス
701 層
702 層
851 光学フィルム
853 基板
854 絶縁層
855 着色層
856 表示素子
857 反射電極
858 絶縁層
859 絶縁層
860 着色層
860B 着色層
860G 着色層
860R 着色層
861 トランジスタ層
861a 電極
861b EL層
861c 電極
862 表示素子
862a 電極
862b EL層
862c 電極
862d 半透過電極
863 トランジスタ層
863b EL層
864 表示素子
864a 電極
864b EL層
864c 電極
864d 半透過電極
865 基板
866 光源
871 素子
872 素子
880 画素
881 副画素
881B 副画素
881G 副画素
881I 副画素
881R 副画素
882 電極
891 光
920 電子機器
921a 筐体
921b 筐体
922 表示部
923 ヒンジ
925 スタイラス
928 カメラ
929 照度センサ
5200 携帯情報端末
5201 筐体
5202 表示部
5203 ベルト
5204 領域
5205 スイッチ
5300 パーソナルコンピュータ
5301 筐体
5302 筐体
5303 表示部
5305 照度センサ
5306 スイッチ
5307 ヒンジ
5309 領域
5700 携帯情報端末
5701 筐体
5702 表示部
5704 照度センサ
5900 携帯電話
5901 筐体
5902 表示部
5903 カメラ
5904 スピーカ
5905 ボタン
5906 外部接続部
5907 マイク
5910 照度センサ
7000 表示部
7001 表示領域
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 ノート型パーソナルコンピュータ
7211 筐体
7212 キーボード
7213 ポインティングデバイス
7214 外部接続ポート
7300 デジタルサイネージ
7301 筐体
7303 スピーカ
7311 情報端末機
7400 デジタルサイネージ
7401 柱
7411 情報端末機
53000 パーソナルコンピュータ
AL1 Anode line AL2 Anode line GL1 Gate line GL2 Gate line GL3 Gate line GL4 Gate line SL1 Source line SL2 Source line SL3 Source line SL4 Source line SL5 Source line SL6 Source line
373 IC
600 Television apparatus 601 Control unit 602 Storage unit 603 Communication control unit 604 Image processing circuit 605 Decoder circuit 606 Video signal reception unit 607 Timing controller 608 Source driver 609 Gate driver 610 Neural network 611 Input layer 612 Intermediate layer 613 Output layer 615 Neuron 620 Display panel 621 Pixel 630 System bus 701 Layer 702 Layer 851 Optical film 853 Substrate 854 Insulating layer 855 Colored layer 856 Display element 857 Reflective electrode 858 Insulating layer 859 Insulating layer 860 Colored layer 860B Colored layer 860G Colored layer 860R Colored layer 861 Transistor layer 861a Electrode 861b EL layer 861c Electrode 862 Display element 862a Electrode 862b EL layer 862c Electrode 862d Transflective electrode 863 Transistor layer 863 EL layer 864 Display element 864a Electrode 864b EL layer 864c Electrode 864d Transflective electrode 865 Substrate 866 Light source 871 Element 872 Element 880 Pixel 881 Subpixel 881B Subpixel 881G Subpixel 881I Subpixel 881R Subpixel 882 Electrode 920 Light 920 Electronic device 921a Body 921b Housing 922 Display unit 923 Hinge 925 Stylus 928 Camera 929 Illuminance sensor 5200 Portable information terminal 5201 Housing 5202 Display unit 5203 Belt 5204 Area 5205 Switch 5300 Personal computer 5301 Housing 5302 Housing 5303 Display unit 5305 Illuminance sensor 5306 Switch 5307 Hinge 5309 Area 5700 Portable information terminal 5701 Case 5702 Display unit 5704 Illuminance sensor 5900 Mobile phone 5901 Case 5902 Display unit 5903 Camera 5904 Speaker 5905 Button 5906 External connection unit 5907 Microphone 5910 Illuminance sensor 7000 Display unit 7001 Display area 7100 Television device 7101 Case 7103 Stand 7111 Remote control device 7200 Notebook personal computer 7211 Case 7212 Keyboard 7213 Pointing device 7214 External connection port 7300 Digital signage 7301 Case 7303 Speaker 7311 Information terminal 7400 Digital signage 7401 Pillar 7411 Information terminal 53000 Personal computer
Claims (13)
前記配列されたそれぞれの画素は、第1の副画素と、第2の副画素と、を有し、
前記第1の副画素は赤外光を発光する機能を有し、
前記第2の副画素は、第1の表示領域よりも短い波長の光を発光する機能を有する表示装置。 A plurality of pixels arranged, and
Each of the arranged pixels has a first subpixel and a second subpixel,
The first sub-pixel has a function of emitting infrared light;
The second subpixel is a display device having a function of emitting light having a wavelength shorter than that of the first display region.
前記第2の副画素は、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を発光する機能を有する表示装置。 In claim 1,
The second sub-pixel is a display device having a function of emitting one or more of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue.
前記第2の副画素は、カラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を透過する機能を有する表示装置。 In claim 2,
The second subpixel includes a color filter,
The color filter is a display device having a function of transmitting at least one of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue.
前記第1の副画素と、前記第2の副画素と、はEL層を共有し、
前記第2の副画素が有する前記カラーフィルタは、赤色に対応する光を透過する機能を有し、
前記第1の副画素は、カラーフィルタを有し、
前記第1の副画素が有するカラーフィルタは、前記第2の副画素が有するカラーフィルタよりも長い波長の光を透過する機能を有する表示装置。 In claim 3,
The first subpixel and the second subpixel share an EL layer;
The color filter included in the second subpixel has a function of transmitting light corresponding to red,
The first sub-pixel includes a color filter;
The color filter included in the first subpixel has a function of transmitting light having a longer wavelength than the color filter included in the second subpixel.
前記第2の副画素は有機EL素子を有し、
前記有機EL素子は、タンデム型の構造を有する表示装置。 In claim 3 or claim 4,
The second subpixel includes an organic EL element,
The organic EL element is a display device having a tandem structure.
前記第1の副画素は、有機EL素子を有し、
前記有機EL素子は、赤外光を発光する機能を有する表示装置。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
The first subpixel includes an organic EL element,
The organic EL element is a display device having a function of emitting infrared light.
センサーを有し、
前記センサーは照度を検知する機能、表示部の向きを検知する機能、または音を検知する機能のうち一以上を有する表示装置。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
Have a sensor,
The sensor is a display device having at least one of a function of detecting illuminance, a function of detecting the orientation of the display unit, and a function of detecting sound.
前記表示部は、赤外光を発光する機能を有するn個の副画素を有し、
前記n個の副画素のうち、k個の副画素がオン状態であり、(n−k)個の副画素がオフ状態である第1のステップと、
前記n個の副画素がオフ状態である第2のステップと、を有し、
前記k個の副画素は、前記表示部において、第1の領域を形成し、
前記第1の領域は矩形状である表示装置の駆動方法。 Having a display,
The display unit includes n sub-pixels having a function of emitting infrared light,
A first step in which, among the n subpixels, k subpixels are in an on state and (n−k) subpixels are in an off state;
A second step in which the n sub-pixels are in an off state,
The k sub-pixels form a first region in the display unit,
The display device driving method, wherein the first region is rectangular.
kはnの10%より多く50%より少ない表示装置の駆動方法。 In claim 8,
k is a driving method of a display device in which n is larger than 10% and smaller than 50%.
可視光を発光する機能を有する前記n個の副画素は、赤色に対応する光、緑色に対応する光、または青色に対応する光、のいずれか一以上の光を発光する機能を有する表示装置の駆動方法。 In claim 9,
The n sub-pixels having a function of emitting visible light have a function of emitting at least one of light corresponding to red, light corresponding to green, and light corresponding to blue. Driving method.
前記n個の副画素のうち、b個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−b)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とする第1のステップと、
前記n個の副画素のうち、c個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−c)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とし、前記c個の副画素のうち、前記b個の副画素と一致しない個数は、c個の30%より多い第2のステップと、
前記赤外光を発光する機能を有する前記n個の副画素の全てにおいて、全階調の半分以下の低い階調値とする第3のステップと、
を有する表示装置の駆動方法。 N sub-pixels having a function of emitting infrared light,
Among the n sub-pixels, b sub-pixels have a gradation value higher than half of all gradations, and (n−b) sub-pixels have gradation values less than half of all gradations. 1 step,
Among the n sub-pixels, c sub-pixels have a gradation value higher than half of all gradations, (n−c) sub-pixels have gradation values less than half of all gradations, and The number of c subpixels that do not match the b subpixels is greater than 30% of the c second step,
A third step of setting all of the n sub-pixels having a function of emitting infrared light to have a low gradation value of half or less of all gradations;
A driving method of a display device having
前記表示部は
赤外光を発光する機能を有するn個の副画素を有し、
前記表示部に複写禁止のコンテンツが表示される第1のステップと、
前記センサーを作動させる第2のステップと、
前記センサーが入力を検知し、前記n個の副画素のうち、a個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−b)個の副画素を全階調の半分より低い階調値とする第3のステップと、
前記n個の副画素のうち、c個の副画素を全階調の半分より高い階調値とし、(n−c)個の副画素を全階調の半分以下の階調値とし、前記c個の副画素のうち、前記b個の副画素と一致しない個数はc個の30%よりも多い第4のステップと、
第3のステップにおいてセンサーが検知した入力が終了し、前記n個の副画素の全てにおいて、全階調の半分以下の階調値とする第5のステップと、
を有する表示装置の駆動方法。 Having a display,
The display unit includes n sub-pixels having a function of emitting infrared light,
A first step in which copy-prohibited content is displayed on the display unit;
A second step of activating the sensor;
The sensor detects an input, among the n subpixels, a subpixels are set to a gradation value higher than half of all gradations, and (n−b) subpixels are half of all gradations. A third step for lower gradation values;
Among the n sub-pixels, c sub-pixels have a gradation value higher than half of all gradations, (n−c) sub-pixels have gradation values less than half of all gradations, and a fourth step in which the number of c subpixels that does not match the b subpixels is greater than 30% of c,
A fifth step in which the input detected by the sensor in the third step is terminated, and in all the n sub-pixels, the gradation value is equal to or less than half of all gradations;
A driving method of a display device having
前記センサーは照度を検知する機能、表示部の向きを検知する機能、または音を検知する機能、の一以上を有する表示装置の駆動方法。 In claim 12,
The method for driving a display device, wherein the sensor has one or more of a function of detecting illuminance, a function of detecting a direction of a display unit, and a function of detecting sound.
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