JP2018123368A - プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の容器の内面に成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置におけるコストの低減。
【解決手段】高周波電源３１と、高周波電源３１に電気的に接続された自動整合器２３と、自動整合器２３に電気的に接続された切替器２２と、切替器２２に電気的に接続された第１の電極３及び第２の電極３３と、第１の電極３の内側に配置された第１の容器７と、第２の電極３３の内側に配置された第２の容器と、前記第１の容器内及び前記第２の容器内に原料ガスを供給するガス供給機構１９と、第１の容器７内及び前記第２の容器内を真空排気する真空排気機構２１と、を具備し、切替器２２は、自動整合器２３と第１の電極３とを電気的に接続する第１の経路と、自動整合器２３と第２の電極３３とを電気的に接続する第２の経路を有するプラズマＣＶＤ装置。
【選択図】図３

Description

本発明は、プラズマＣＶＤ装置及び成膜方法に関する。

ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）等からなるプラスチック容器はガスバリア性が缶と比較して劣る。そのため、プラスチック容器の内面に硬質炭素膜であるＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜をコーティングすることで、プラスチック容器におけるガスバリア性を向上させる方法が知られている。プラスチック容器の外側に外部電極を配置し、プラスチック容器の内側に原料ガス導入管を兼ねた内部電極を配置し、容器内に原料ガスとしてアセチレンガスを供給した状態で、高周波電源から自動整合器を介して外部電極に高周波電圧を印加する。これにより、原料ガスがプラズマ化され、プラスチック容器の内面にＤＬＣ膜が成膜される（例えば特許文献１参照)。

上述したプラスチック容器の内面にＤＬＣ膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置では、１つの外部電極に対して１つの自動整合器を用いて１つのプラスチック容器の内面にＤＬＣ膜を成膜している。そのため、複数のプラスチック容器に同時にＤＬＣ膜を成膜する場合は、プラスチック容器の数だけ自動整合器を必要とする。自動整合器は高価なものであるため、装置コストが増大する要因となっていた。なお、自動整合器は外部電極にほぼ隣接した状態で配置され、外部電極と自動整合器とは銅板によって電気的に接続されている。

特許２７８８４１２号公報

本発明の一態様は、複数の容器の内面に成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置のコストを低減することを課題とする。

以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］高周波電源と、
前記高周波電源に電気的に接続された自動整合器と、
前記自動整合器に電気的に接続された切替器と、
前記切替器に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極の内側に配置された第１の容器と、
前記第２の電極の内側に配置された第２の容器と、
前記第１の容器内及び前記第２の容器内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記第１の容器内及び前記第２の容器内を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［２］高周波電源と、
前記高周波電源に電気的に接続された自動整合器と、
前記自動整合器に電気的に接続された切替器と、
前記切替器に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極に配置された第１の容器と、
前記第２の電極に配置された第２の容器と、
前記第１の容器の外面及び前記第２の容器の外面に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記第１の容器の外側及び前記第２の容器の外側を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［３］上記［１］または［２］において、
前記第１の電極と前記切替器との間及び前記第２の電極と前記切替器との間それぞれは、０．５ｍ以上離れていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
なお、前記第１の電極と前記切替器との間及び前記第２の電極と前記切替器との間それぞれは、プラズマＣＶＤ装置の全体構成によって異なるため、１．５ｍ以上離れていることもあり、３ｍ以上離れていることもあり、５ｍ以上離れていていることもある。

［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記切替器は第１のケーブルによって電気的に接続され、前記第２の電極と前記切替器は第２のケーブルによって電気的に接続されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［５］上記［１］乃至［４］のいずれか一項において、
前記自動整合器と前記切替器は一体的に形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［６］上記［１］において、
前記切替器に電気的に接続された第３の電極と、
前記第３の電極の内側に配置された第３の容器と、
を有し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第３の電極とを電気的に接続する第３の経路を有し、
前記ガス供給機構は、前記第３の容器内に原料ガスを供給することができ、
前記真空排気機構は、前記第３の容器内を真空排気することができることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［７］上記［２］において、
前記切替器に電気的に接続された第３の電極と、
前記第３の電極に配置された第３の容器と、
を有し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第３の電極とを電気的に接続する第３の経路を有し、
前記ガス供給機構は、前記第３の容器の外面に原料ガスを供給することができ、
前記真空排気機構は、前記第３の容器の外側を真空排気することができることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［８］上記［１］乃至［７］のいずれか一項において、
前記高周波電源の周波数は、１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下（好ましくは１ＭＨｚ以上１３．５６ＭＨｚ以下、より好ましくは３ＭＨｚ以上９ＭＨ以下、更に好ましくは５ＭＨｚ以上７ＭＨｚ以下）であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

［９］第１の容器内を真空排気する工程（ａ）と、
第２の容器内を真空排気する工程（ｂ）と、
前記第１の容器内に第１の原料ガスを供給する工程（ｃ）と、
前記第２の容器内に第２の原料ガスを供給する工程（ｄ）と、
高周波電源から高周波出力を自動整合器に供給し、前記自動整合器から切替器を介して高周波出力を第１の電極に供給し、前記第１の電極の内側に配置された前記第１の容器内に前記第１の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第１の容器内に膜を成膜する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後に、前記高周波電源から前記高周波出力を前記自動整合器に供給し、前記自動整合器から前記切替器を介して高周波出力を第２の電極に供給し、前記第２の電極の内側に配置された前記第２の容器内に前記第２の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第２の容器内に膜を成膜する工程（ｆ）と、
を具備し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とする成膜方法。

［１０］第１の容器の外側を真空排気する工程（ａ）と、
第２の容器の外側を真空排気する工程（ｂ）と、
前記第１の容器の外面に第１の原料ガスを供給する工程（ｃ）と、
前記第２の容器の外面に第２の原料ガスを供給する工程（ｄ）と、
高周波電源から高周波出力を自動整合器に供給し、前記自動整合器から切替器を介して高周波出力を第１の電極に供給し、前記第１の電極に配置された前記第１の容器内に前記第１の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第１の容器の外面に膜を成膜する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後に、前記高周波電源から前記高周波出力を前記自動整合器に供給し、前記自動整合器から前記切替器を介して高周波出力を第２の電極に供給し、前記第２の電極に配置された前記第２の容器の外側に前記第２の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第２の容器の外面に膜を成膜する工程（ｆ）と、
を具備し、
前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とする成膜方法。

なお、前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスは同じガスでもよい。
また、前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）を同時に行ってもよいし、前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）を同時に行ってもよい。

本発明の一態様によれば、複数の容器の内面に成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置のコストを低減することができる。

本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。 本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。 図１及び図２に示す第１の外部電極３及びその周囲を詳細に示す断面図である。 本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す構成図である。 図４に示すプラズマＣＶＤ装置の第１の上部電極を、一部を分解して示す斜視図である。

以下では、本発明の実施形態及び実施例について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容及び実施例に限定して解釈されるものではない。

［第１の実施形態］
図１、図２及び図３は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。

図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置はＲＦ電源（高周波電源）３１を有し、このＲＦ電源３１の周波数は１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下（好ましくは１ＭＨｚ以上１３．５６ＭＨｚ以下、より好ましくは３ＭＨｚ以上９ＭＨ以下、更に好ましくは５ＭＨｚ以上７ＭＨｚ以下）であるとよい。ＲＦ電源３１は自動整合器２３に電気的に接続されている。自動整合器２３は切替器２２に電気的に接続されている。自動整合器２３と切替器２２は一体的に形成されているとよい。

また、自動整合器２３と切替器２２とは銅板３２（図２参照）によって電気的に接続されているとよいが、自動整合器２３と切替器２２とは同軸ケーブルまたは同軸ケーブル以外のケーブルによって電気的に接続されていてもよい。銅板３２のサイズは、例えば幅３０ｍｍ、厚み２ｍｍである。このような銅板３２を用いることで、自動整合器２３と切替器２２との間の抵抗を低減することができる。特に高周波電流の多くは銅板３２の表面を流れるため、ケーブルや同軸ケーブル等の配線に比べて抵抗を低くすることができる。

切替器２２は第１の外部電極（第１の電極ともいう）３、第２の外部電極（第２の電極ともいう）３３及び第３の外部電極（第３の電極ともいう）３４に電気的に接続されている。詳細には、切替器２２と第１の外部電極３とは第１の同軸ケーブル３５によって電気的に接続されているとよく、切替器２２と第２の外部電極３３とは第２の同軸ケーブル３６によって電気的に接続されているとよく、切替器２２と第３の外部電極３４とは第３の同軸ケーブル３７によって電気的に接続されているとよい。このように第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７によって接続する理由は、図１に示すプラズマＣＶＤ装置の切替器２２と第１〜第３の外部電極３，３３，３４が図２に示すような位置関係を有するからである。

つまり、図２に示すように第１〜第３の外部電極３，３３，３４が円周上に配置され、その円の内側に切替器２２が配置されているため、切替器２２と第１〜第３の外部電極３，３３，３４それぞれとの距離は、短くても円の半径程度となる。また、上記の円を含む平面上に切替器２２を配置できるとは限らず、当該平面の上方に切替器２２を配置する場合は、切替器２２と第１〜第３の外部電極３，３３，３４それぞれとの距離が円の半径より長くなる。そのため、円の半径が例えば１．５ｍであるとすると、第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７の少なくとも一つは１．５ｍ以上の長さが必要となる。なお、円の半径が１．５ｍより長かったり、切替器２２の位置が円を含む平面から離れている距離によっては、第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７の少なくとも一つが３ｍ以上の長さであることもあるし、５ｍ以上の長さであることもある。また、装置構成によっては円の半径が１．５ｍより短い場合、例えば円の半径が０．５ｍの場合も考えられ、その場合は第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７の少なくとも一つは０．５ｍ以上の長さが必要となる。また、第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７の長さは、切替器２２と第１〜第３の外部電極３，３３，３４それぞれとが離れている距離に言い換えてもよい。

また、第１〜第３の外部電極３，３３，３４が円周上に配置される理由は、図２に示すように円周上に合計３０個の外部電極を配置できるように構成されているからである。つまり、１つのＲＦ電源３１と１つの自動整合器２３と１つの切替器２２と第１〜第３の外部電極３，３３，３４を１組とし、これを１０組配置することで、図２に示す円周上に３０個の外部電極を配置することができる。

切替器２２は、自動整合器２３と第１の外部電極３とを電気的に接続する第１の経路と、自動整合器２３と第２の外部電極３３とを電気的に接続する第２の経路と、自動整合器２３と第３の外部電極３４とを電気的に接続する第３の経路を有する。つまり、ＲＦ電源３１から高周波出力を自動整合器２３に供給し、この自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第１の外部電極３に供給することができ、自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第２の外部電極３３に供給することができ、自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第３の外部電極３４に供給することができる。

図３は、図１及び図２に示す第１の外部電極３及びその周囲を詳細に示す断面図である。図３に示すように、第１の外部電極３の内側には第１の容器７が配置されており、第１の容器７としては種々の容器を用いることができ、例えば飲料用容器、食料品用容器、医薬品用容器、薬剤用容器、日用品用容器または化学品用容器などである。また、第１の容器７の例としてはペットボトル等のプラスチック容器が挙げられる。

プラスチック容器を成形する際に使用する樹脂は、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート系コポリエステル樹脂（ポリエステルのアルコール成分にエチレングリコールの代わりに、シクロヘキサンディメタノールを使用したコポリマーをＰＥＴＧと呼んでいる、イーストマン製）、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、シクロオレフィンコポリマー樹脂（ＣＯＣ、環状オレフィン共重合）、アイオノマ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリスチレン樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、又は、４弗化エチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、を例示することができる。この中で、ＰＥＴが特に好ましい。

図１及び図２に示す第２の外部電極３３及び第３の外部電極３４それぞれは、図３に示す第１の外部電極３と同様の構造を有している。第２の外部電極３３の内側には第２の容器（図示せず）が配置されており、第３の外部電極３４の内側には第３の容器（図示せず）が配置されている。第２の容器及び第３の容器それぞれは第１の容器７と同様のものである。

また、プラズマＣＶＤ装置は、第１の容器７内に原料ガスを供給する第１のガス供給機構と、第１の容器７内を真空排気する第１の真空排気機構を有する。また、プラズマＣＶＤ装置は、第２の容器内に原料ガスを供給する第２のガス供給機構と、第３の容器内に原料ガスを供給する第３のガス供給機構と、第２の容器内を真空排気する第２の真空排気機構と、第３の容器内を真空排気する第３の真空排気機構を有する。第２及び第３のガス供給機構それぞれは第１のガス供給機構と同様のものであり、第２及び第３の真空排気機構それぞれは第１の真空排気機構と同様のものである。

なお、本実施形態では、第１の容器７内に第１のガス供給機構によって原料ガスを供給し、第２の容器内に第２のガス供給機構によって原料ガスを供給し、第３の容器内に第３のガス供給機構によって原料ガスを供給する構成としているが、第１〜第３の容器それぞれの内部に一つのガス供給機構によって原料ガスを供給する構成としてもよい。

また、本実施形態では、第１の容器７内を第１の真空排気機構によって真空排気し、第２の容器内を第２の真空排気機構によって真空排気し、第３の容器内を第３の真空排気機構によって真空排気する構成としているが、第１〜第３の容器それぞれの内部を一つの真空排気機構によって真空排気する構成としてもよい。
また、本実施形態では、第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７を用いているが、ＲＦ電源３１の周波数が５０ｋＨｚ以下ならば、必ずしも同軸ケーブルを用いる必要はなく、同軸ケーブル以外のケーブルを用いてもよい。自動整合器２３と切替器２２とを接続するケーブルについても同様である。
また、本実施形態では、複数の外部電極が円周上に配置される方式を用いているが、これに限定されるものではなく、複数の外部電極が直線上に配置される方式を用いてもよい。

以下にプラズマＣＶＤ装置について図３を参照しつつ説明する。
プラズマＣＶＤ装置は真空チャンバー６を有し、この真空チャンバー６は、導電性の蓋部５、絶縁部材４及び第１の外部電極３から構成されている。蓋部５の下には絶縁部材４が配置されており、この絶縁部材４の下には第１の外部電極３が配置されている。第１の外部電極３は、上部電極２と下部電極１からなり、上部電極２の下部に下部電極１の上部がＯリング８を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されている。また、第１の外部電極３は絶縁部材４によって蓋部５と絶縁されている。

第１の外部電極３の内部には空間が形成されており、この空間はコーティング対象の第１の容器７を収容するためのものである。第１の外部電極３内の空間は、そこに収容される第１の容器７の外形よりも僅かに大きくなるように形成されている。すなわち、第１の外部電極３は第１の容器７の外側を囲むように配置されている。絶縁部材４及び蓋部５には、第１の外部電極３内の空間につながる開口部が設けられている。また、蓋部５の内部には空間が設けられており、この空間は上記開口部を介して第１の外部電極３内の空間につながっている。第１の外部電極３内の空間は、上部電極２と下部電極１の間に配置されたＯリング８によって外部から密閉されている。

第１の外部電極３の下部電極１は第１の同軸ケーブル３５を介して切替器２２に電気的に接続されており、切替器２２は銅板３２を介して自動整合器２３に電気的に接続されている。自動整合器２３はＲＦ電源３１に電気的に接続されている。

蓋部５の上部から蓋部５内の空間、蓋部５と絶縁部材４の開口部を通して、第１の外部電極３内の空間に第１の内部電極９が差し込まれている。即ち、第１の内部電極９の基端は蓋部５の上部に配置され、第１の内部電極９の先端は第１の外部電極３内の空間であって第１の外部電極３内に収容された第１の容器７の内部に配置される。

第１の内部電極９は、その内部が中空からなる管形状を有している。第１の内部電極９の先端にはガス吹き出し口９ａが設けられている。第１の内部電極９の基端には配管１０の一方側が接続されており、この配管１０の他方側は真空バルブ１６を介してマスフローコントローラー１９の一方側に接続されている。マスフローコントローラー１９の他方側は配管１１を介して原料ガス発生源２０に接続されている。この原料ガス発生源２０は炭化水素ガス等を発生させるものである。第１の内部電極９の内部は第１の容器７内に原料ガスを供給するガス供給経路を有している。

第１の内部電極９は蓋部５を介して接地されている。蓋部５内の空間は配管１２の一方側に接続されており、配管１２の他方側は真空バルブ１７を介して大気開放状態とされている。また、蓋部５内の空間は配管１３の一方側に接続されており、配管１３の他方側は真空バルブ１８を介して真空ポンプ２１に接続されている。この真空ポンプ２１は排気側に接続されている。配管１３は第１の容器７内を真空排気する排気経路を有している。

次に、図１〜図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて第１の容器７、第２の容器及び第３の容器それぞれの内面にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。

まず、真空バルブ１７を開いて真空チャンバー６内を大気開放する。これにより、配管１２を通して空気が蓋部５内の空間、第１の外部電極３内の空間に入り、真空チャンバー６内を大気圧にする。同様に、第２の外部電極３３の真空チャンバー内及び第３の外部電極３４の真空チャンバー内も大気圧にする。次に、第１の外部電極３の下部電極１を上部電極２から取り外し、上部電極２の下側から上部電極２内の空間に第１の容器７を差し込み、設置する。これにより、第１の容器７の外側を第１の外部電極３で囲む。この際、第１の内部電極９は第１の容器７内に挿入された状態になる。同様に、第２の容器の外側を第２の外部電極３３で囲み、第３の容器の外側を第３の外部電極３４で囲む。この際も同様に、第２の内部電極は第２の容器内に挿入された状態になり、第３の内部電極は第３の容器内に挿入された状態となる。次に、下部電極１を上部電極２の下部に装着し、第１の外部電極３はＯリング８によって密閉される。同様に、第２の外部電極３３及び第３の外部電極３４それぞれもＯリングによって密閉される。

この後、真空バルブ１７を閉じた後、真空バルブ１８を開き、真空ポンプ２１を作動させる。これにより、第１の容器７内を含む真空チャンバー６内（第１の外部電極３内の空間及び蓋部５内の空間）が配管１３を通して排気され、第１の外部電極３内を真空引きする。同様に、第２の外部電極３３内及び第３の外部電極３４内それぞれを真空引きする。

次に、真空バルブ１６を開き、原料ガス発生源２０において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガスを配管１１内に導入し、マスフローコントローラー１９によって流量制御された炭化水素ガスを配管１０及びアース電位の第１の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから吹き出す。これにより、炭化水素ガスが第１の容器７内に導入される。そして、真空チャンバー６内と第１の容器７内を、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保つ。同様に、第２の容器内及び第３の容器内それぞれも、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保つ。

この後、ＲＦ電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第１の外部電極３に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。これにより、第１の外部電極３と第１の内部電極９間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第１の外部電極３と第１の内部電極９のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第１の容器７内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第１の容器７の内面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

次に、切替器２２によって高周波電流の経路を切り替え、ＲＦ電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第２の外部電極３３に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。これにより、第２の外部電極３３と第２の内部電極間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第２の外部電極３３と第２の内部電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第２の容器内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第２の容器の内面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

次に、切替器２２によって高周波電流の経路を切り替え、ＲＦ電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第３の外部電極３４に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。これにより、第３の外部電極３４と第３の内部電極間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第３の外部電極３４と第３の内部電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第３の容器内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第３の容器の内面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

なお、本実施形態では、第１〜第３の外部電極３，３３，３４に供給する高周波出力を連続波としているが、これに限定されるものではなく、第１〜第３の外部電極３，３３，３４に供給する高周波出力を所定の周期及びＤＵＴＹ比のパルス状のものとしてもよい。

次に、ＲＦ電源３１からの高周波出力を停止し、真空バルブ１６を閉じて原料ガスの供給を停止する。この後、真空バルブ１８を開き、真空チャンバー６内及び第１の容器７内の炭化水素ガスを真空ポンプ２１によって排気する。その後、真空バルブ１８を閉じ、真空ポンプ２１を停止する。このときの真空チャンバー６内の真空度は５×１０^-3 Torr〜５×１０^-2 Torrである。この後、真空バルブ１７を開いて真空チャンバー６内を大気開放する。同様に、第２の容器内及び第３の容器内それぞれの炭化水素ガスを真空ポンプによって排気し、真空チャンバー内を大気開放する。

次に、前述した成膜方法を繰り返すことにより、多数の容器内にＤＬＣ膜を成膜することができる。

上記実施形態によれば、第１〜第３の外部電極３，３３，３４と自動整合器２３との間に切替器２２を配置し、この切替器２２によってＲＦ電源３１からの高周波電流の経路を切り替える構成とする。これにより、１つの自動整合器２３によってＲＦ電源３１からの高周波出力を複数の外部電極に供給することが可能となる。このように高価な自動整合器２３の数を少なくすることができるため、複数の容器の内面に成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置のコストを低減することが可能となる。

また、本実施形態によるプラズマＣＶＤ装置を用いてプラスチック容器の内面にＤＬＣ膜を成膜し、その成膜したＤＬＣ膜のガスバリア性を検査した。また従来のプラズマＣＶＤ装置（即ち１つの外部電極に対して１つの自動整合器を用いて１つのプラスチック容器の内面にＤＬＣ膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置）を用いてプラスチック容器の内面にＤＬＣ膜を成膜し、その成膜したＤＬＣ膜のガスバリア性を検査した。その結果、本実施形態によるプラズマＣＶＤ装置によって成膜したＤＬＣ膜のガスバリア性は、従来のプラズマＣＶＤ装置によって成膜したＤＬＣ膜に比べて１０％程度低下していたことが確認された。１０％程度のガスバリア性の低下であれば容器に入れる液体によっては十分に実用に耐えることができる。なお、この１０％程度のガスバリア性の低下の原因は、切替器と外部電極との間の電力ロスによるものであると考えられる。

なお、本実施形態では、１つの自動整合器２３を切替器２２によって３つの外部電極に接続しているが、これに限定されるものではなく、１つの自動整合器を切替器によって２つまたは４つ以上の外部電極に接続することも可能である。

［第２の実施形態］
図４は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す構成図であり、図５は、図４に示すプラズマＣＶＤ装置の第１の上部電極を、一部を分解して示す斜視図である。図４及び図５において図１〜図３と同一部分には同一符号を付す。図４に示す第１の上部電極１１０に電気的に接続された切替器２２、自動整合器２３及びＲＦ電源３１は、図１及び図２と同一構造を有している。図４は、図３に対応する図である。

本実施形態によるプラズマＣＶＤ装置は、図１及び図２に示すＲＦ電源（高周波電源）３１と、ＲＦ電源３１に電気的に接続された自動整合器２３と、自動整合器２３に電気的に接続された切替器２２を有している。この切替器２２は、図４に示すように第１の上部電極（第１の電極ともいう）１１０、第２の上部電極（第２の電極ともいう）１３３及び第３の上部電極（第３の電極ともいう）１３４に電気的に接続されている。詳細には、切替器２２と第１の上部電極１１０とは第１の同軸ケーブル３５によって電気的に接続されているとよく、切替器２２と第２の上部電極１３３とは第２の同軸ケーブル３６によって電気的に接続されているとよく、切替器２２と第３の上部電極１３４とは第３の同軸ケーブル３７によって電気的に接続されているとよい。このように第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７によって接続する理由は、図１に示すプラズマＣＶＤ装置の切替器２２と第１〜第３の上部電極１１０，１３３，１３４が図２に示すような位置関係を有するからである。

切替器２２は、自動整合器２３と第１の上部電極１１０とを電気的に接続する第１の経路と、自動整合器２３と第２の上部電極１３３とを電気的に接続する第２の経路と、自動整合器２３と第３の上部電極１３４とを電気的に接続する第３の経路を有する。つまり、ＲＦ電源３１から高周波出力を自動整合器２３に供給し、この自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第１の上部電極１１０に供給することができ、自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第２の上部電極１３３に供給することができ、自動整合器２３から切替器２２を介して高周波出力を第３の上部電極１３４に供給することができる。

図４は、図１及び図２に示す第１の上部電極１１０及びその周囲を詳細に示す断面図である。図４に示すプラズマＣＶＤ装置はＤＬＣ膜を第１の容器７の外面に成膜する装置である。第１の容器７としては第１の実施形態と同様の容器を用いることができ、例えば薬品ボトル（バイアル）やプラスチック容器を用いることができる。

図４に示す第２の上部電極１３３及び第３の上部電極１３４それぞれは、図４に示す第１の上部電極１１０と同様の構造を有している。第２の上部電極１３３には第２の容器（図示せず）が配置されており、第３の上部電極１３４には第３の容器（図示せず）が配置されている。第２の容器及び第３の容器それぞれは第１の容器７と同様のものである。

また、プラズマＣＶＤ装置は、第１の容器７の外面に原料ガスを供給する第１のガス供給機構と、第１の容器７の外側を真空排気する第１の真空排気機構を有する。また、プラズマＣＶＤ装置は、第２の容器の外面に原料ガスを供給する第２のガス供給機構と、第３の容器の外面に原料ガスを供給する第３のガス供給機構と、第２の容器の外側を真空排気する第２の真空排気機構と、第３の容器の外側を真空排気する第３の真空排気機構を有する。第２及び第３のガス供給機構それぞれは第１のガス供給機構と同様のものであり、第２及び第３の真空排気機構それぞれは第１の真空排気機構と同様のものである。

なお、本実施形態では、第１の容器７の外面に第１のガス供給機構によって原料ガスを供給し、第２の容器の外面に第２のガス供給機構によって原料ガスを供給し、第３の容器の外面に第３のガス供給機構によって原料ガスを供給する構成としているが、第１〜第３の容器それぞれの外面に一つのガス供給機構によって原料ガスを供給する構成としてもよい。

また、本実施形態では、第１の容器７の外側を第１の真空排気機構によって真空排気し、第２の容器の外側を第２の真空排気機構によって真空排気し、第３の容器の外側を第３の真空排気機構によって真空排気する構成としているが、第１〜第３の容器それぞれの外側を一つの真空排気機構によって真空排気する構成としてもよい。

また、本実施形態では、第１〜第３の同軸ケーブル３５〜３７を用いているが、ＲＦ電源３１の周波数が５０ｋＨｚ以下ならば、必ずしも同軸ケーブルを用いる必要はなく、同軸ケーブル以外のケーブルを用いてもよい。自動整合器２３と切替器２２とを接続するケーブルについても同様である。

また、本実施形態では、複数の上部電極が円周上に配置される方式を用いているが、これに限定されるものではなく、複数の上部電極が直線上に配置される方式を用いてもよい。

以下にプラズマＣＶＤ装置について図４及び図５を参照しつつ説明する。
このプラズマＣＶＤ装置は図示しない真空チャンバーを有しており、この真空チャンバーは図示しないリーク弁及び真空ポンプ等を含む第１の真空排気機構に接続している。真空ポンプと真空チャンバーの間には図示しない真空バルブが取り付けられている。

真空チャンバーの内部には、図４に示すように、第１の上部電極１１０及び第１の対向アース電極（下部電極）１２０が配置されている。第１の上部電極１１０と第１の対向アース電極１２０の間隔は０ｍｍ〜９０ｍｍの範囲で調整可能である。第１の上部電極１１０は第１の同軸ケーブル３５を介して切替器２２に電気的に接続されており、切替器２２は銅板３２によって自動整合器２３に電気的に接続されている。自動整合器２３は高周波電源３１に電気的に接続されている。第１の対向アース電極１２０は接地されており、また第１のガス供給機構のシャワーヘッド（図示せず）が取り付けられている。このシャワーヘッドからは、第１の上部電極１１０と第１の対向アース電極１２０の間の空間に原料ガスがシャワー状に供給され、これにより原料ガスが第１の容器７の外面近傍に供給される。なお上記した第１のガス供給機構は、シャワーヘッドの他に、シャワーヘッドに原料ガスを導入する配管１２２、真空チャンバー外部の図示しないマスフローコントローラー及び原料ガス供給源を有している。原料ガスとしてはトルエンが好適である。

図４及び図５に示すように、第１の上部電極１１０は、切替器２２に接続されているＲＦ印加電極１１２を備えている。ＲＦ印加電極１１２は略円板状の部分を有している。この部分のうち第１の対向アース電極１２０と対向する面には外周電極１１４及び内部電極１１６それぞれが取り付けられている。なおＲＦ印加電極１１２には、外周電極１１４が取り付けられている面とは反対側の面及び側面に、ＲＦシールド１１９が絶縁材１１９ａを介して取り付けられている。

外周電極１１４は第１の容器７の外側面を囲むための電極であり、ボルト１１５によりＲＦ印加電極１１２に着脱可能に取り付けられている。外周電極１１４の平面形状はＲＦ印加電極１１２の略円板状の部分と略同じである。
また外周電極１１４における第１の対向アース電極１２０と向き合う面には略円柱状の貫通穴１１４ａが複数設けられている。貫通穴１１４ａは内部電極１１６、容器固定リング１１７及び第１の容器７を内部に配置するためのものであり、その深さは第１の容器７の高さより例えば５０ｍｍほど深く、また水平方向の断面の大きさは第１の容器７の横断面より大きい。

内部電極１１６は第１の容器７の内部に挿入される電極であり、第１の容器７の口及び首部７ａならびにその近傍に位置している。内部電極１１６の側面は、第１の容器７の口及び首部７ａならびにその近傍の内面に略沿う形状を有している。すなわち、第１の容器７の口及び首部７ａならびにその近傍の内面から略等距離の表面を有する。内部電極１１６の表面は第１の容器７の口及び首部７ａならびにその近傍の内面形状に略相似形であっても良い。
なお内部電極１１６は内部電極１１６の底面及びＲＦ印加電極１１２それぞれに形成されている雌ネジ孔（図示せず）にビスを通すことにより、ＲＦ印加電極１１２に固定されている。

容器固定リング１１７は、中心部に位置する空洞部１１７ｂに第１の容器７の首部７ａを嵌め込んだ状態で、貫通穴１１４ａ内部に差し込まれてＲＦ印加電極１１２に取り付けられる。詳細には、図５に示すように、容器固定リング１１７は２つのリング分割材１１７ａから構成される。それぞれのリング分割材１１７ａはリングを略２等分した形状であるが、２つのリング分割材１１７ａを組み合わせたときにはリングを形成しつつ該リングの側面に隙間１１７ｃが形成されるようになっている。この隙間１１７ｃを介して空洞部１１７ｂは容器固定リング１１７側面から外部に開放されている。

またリング分割材１１７ａの内周面には凸部１１７ｄが設けられている。リング分割材１１７ａの内周面が第１の容器７を挟み込む際、凸部１１７ｄは首部７ａに嵌る。このため、第１の容器７は貫通穴１１４ａから抜けなくなる。なおリング分割材１１７ａをＲＦ印加電極１１２に取り付ける際にはボルト１１８を用いている。

次に、図４に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて第１の容器７、第２の容器及び第３の容器それぞれの外面にＤＬＣ膜を成膜する方法の一例について説明する。本例において第１の上部電極１１０の外周電極１１４と第１の対向アース電極１２０の間隔は例えば３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。

まず真空ポンプと真空チャンバーの間に位置する真空バルブを閉じ、リーク弁を開くことにより真空チャンバーを大気開放する。次いでボルト１１８及び容器固定リング１１７をＲＦ印加電極１１２から取り外す。そして容器固定リング１１７のリング分割材１１７ａの内側面で第１の容器７を挟み込み、第１の容器７の首部７ａに凸部１１７ｄを嵌め込んだ状態で、容器固定リング１１７及びボルト１１８をＲＦ印加電極１１２に取り付ける。このとき内部電極１１６は空洞部１１７ｂに挿通され、第１の容器７の内部に挿入され、口及び首部７ａならびにその近傍に位置する。

次いでリーク弁を閉じて真空バルブを開くことにより、真空チャンバーの内部を排気する。このとき容器固定リング１１７の隙間１１７ｃを介して空洞部１１７ｂ及び第１の容器７の内部も排気される。そして、真空チャンバー内部が０．２Torr程度の真空状態になったとき、原料ガスであるトルエンを気化させ、この気化したトルエンをマスフローコントローラーによって流量制御して配管１２２及び第１の対向アース電極１２０のシャワーヘッドに流す。これにより、外周電極１１４と第１の対向アース電極１２０の間にトルエンが導入され、第１の容器７の外面近傍にトルエンが供給される。そして真空チャンバー内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、数秒程度で定常状態となり、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０５〜０．２Torr程度）に保たれる。

この後、高周波電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第１の上部電極１１０のＲＦ印加電極１１２に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。高周波出力は例えば５００Ｗ以上２０００Ｗ以下である。この高周波出力はＲＦ印加電極１１２から外周電極１１４及び内部電極１１６に伝達する。これにより、外周電極１１４及び内部電極１１６と第１の対向アース電極１２０の間の空間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第１の上部電極１１０と第１の対向アース電極１２０のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第１の容器７の外側に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第１の容器７の外面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

次に、切替器２２によって高周波電流の経路を切り替え、ＲＦ電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第２の上部電極１３３に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。高周波出力は例えば５００Ｗ以上２０００Ｗ以下である。この高周波出力はＲＦ印加電極から外周電極及び内部電極に伝達する。これにより、第２の上部電極１３３の外周電極及び内部電極と第２の対向アース電極の間の空間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第２の上部電極１３３と第２の対向アース電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第２の容器の外側に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第２の容器の外面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

次に、切替器２２によって高周波電流の経路を切り替え、ＲＦ電源３１から自動整合器２３及び切替器２２を介して第３の上部電極１３４に１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下の高周波出力を供給する。高周波出力は例えば５００Ｗ以上２０００Ｗ以下である。この高周波出力はＲＦ印加電極から外周電極及び内部電極に伝達する。これにより、第３の上部電極１３４の外周電極及び内部電極と第３の対向アース電極の間の空間にプラズマを着火する。このとき、自動整合器２３は、第３の上部電極１３４と第３の対向アース電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、第３の容器の外側に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜が第３の容器の外面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。

なお、本実施形態では、第１〜第３の上部電極１１０，１３３，１３４に供給する高周波出力を連続波としているが、これに限定されるものではなく、第１〜第３の上部電極１１０，１３３，１３４に供給する高周波出力を所定の周期及びＤＵＴＹ比のパルス状のものとしてもよい。

次に、ＲＦ電源３１からの高周波出力を停止し、真空バルブを閉じて原料ガスの供給を停止する。この後、真空バルブを開き、真空チャンバー内及び第１の容器７の外側の炭化水素ガスを真空ポンプによって排気する。その後、真空バルブを閉じ、真空ポンプを停止する。このときの真空チャンバー内の真空度は５×１０^-3 Torr〜５×１０^-2 Torrである。この後、リーク弁を開いて真空チャンバー内を大気開放する。同様に、第２の容器内及び第３の容器内それぞれの炭化水素ガスを真空ポンプによって排気し、真空チャンバー内を大気開放する。

次に、前述した成膜方法を繰り返すことにより、多数の容器の外面にＤＬＣ膜を成膜することができる。

本実施形態によれば、第１〜第３の上部電極１１０，１３３，１３４と自動整合器２３との間に切替器２２を配置し、この切替器２２によってＲＦ電源３１からの高周波電流の経路を切り替える構成とする。これにより、１つの自動整合器２３によってＲＦ電源３１からの高周波出力を複数の上部電極に供給することが可能となる。このように高価な自動整合器２３の数を少なくすることができるため、複数の容器の外面に成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置のコストを低減することが可能となる。

なお、本実施形態では、１つの自動整合器２３を切替器２２によって３つの上部電極に接続しているが、これに限定されるものではなく、１つの自動整合器を切替器によって２つまたは４つ以上の上部電極に接続することも可能である。

また、外周電極１１４及び内部電極１１６それぞれと第１の容器７の距離が近すぎると第１の容器７にバイアスがかかりすぎるため、ＤＬＣ膜は硬くなって剥がれやすくなる。また、内部電極１１６と第１の容器７の距離が遠すぎると第１の容器７にバイアスがかかりにくくなるため、ＤＬＣ膜の遮光性は低下する。このため外周電極１１４及び内部電極１１６それぞれと第１の容器７の距離は適宜調節するのが好ましい。例えば外周電極１１４と第１の容器７の距離は、例えば１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下が好ましい。

１ 下部電極
２ 上部電極
３ 第１の外部電極
４ 絶縁部材
５ 蓋部
６ 真空チャンバー
７ 第１の容器
７ａ 首部
８ Ｏリング
９ 第１の内部電極
９ａ ガス吹き出し口
１０，１１，１２，１３ 配管
１６ 真空バルブ
１７，１８ 真空バルブ
１９ マスフローコントローラー
２０ 原料ガス発生源
２１ 真空ポンプ
２２ 切替器
２３ 自動整合器
３１ ＲＦ電源
３２ 銅板
３３ 第２の外部電極
３４ 第３の外部電極
３５ 第１の同軸ケーブル
３６ 第２の同軸ケーブル
３７ 第３の同軸ケーブル
１１０ 上部電極
１１２ ＲＦ印加電極
１１４ 外周電極
１１４ａ 貫通穴
１１５ ボルト
１１６ 内部電極
１１７ 容器固定リング
１１７ａ リング分割材
１１７ｂ 空洞部
１１７ｃ 隙間
１１７ｄ 凸部
１１８ ボルト
１１９ ＲＦシールド
１１９ａ 絶縁材
１２０ 対向アース電極（下部電極）
１２２ 配管

Claims (10)

1. 高周波電源と、
   前記高周波電源に電気的に接続された自動整合器と、
   前記自動整合器に電気的に接続された切替器と、
   前記切替器に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極の内側に配置された第１の容器と、
   前記第２の電極の内側に配置された第２の容器と、
   前記第１の容器内及び前記第２の容器内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
   前記第１の容器内及び前記第２の容器内を真空排気する真空排気機構と、
   を具備し、
   前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
2. 高周波電源と、
   前記高周波電源に電気的に接続された自動整合器と、
   前記自動整合器に電気的に接続された切替器と、
   前記切替器に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極に配置された第１の容器と、
   前記第２の電極に配置された第２の容器と、
   前記第１の容器の外面及び前記第２の容器の外面に原料ガスを供給するガス供給機構と、
   前記第１の容器の外側及び前記第２の容器の外側を真空排気する真空排気機構と、
   を具備し、
   前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の電極と前記切替器との間及び前記第２の電極と前記切替器との間それぞれは、０．５ｍ以上離れていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の電極と前記切替器は第１のケーブルによって電気的に接続され、前記第２の電極と前記切替器は第２のケーブルによって電気的に接続されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記自動整合器と前記切替器は一体的に形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
6. 請求項１において、
   前記切替器に電気的に接続された第３の電極と、
   前記第３の電極の内側に配置された第３の容器と、
   を有し、
   前記切替器は、前記自動整合器と前記第３の電極とを電気的に接続する第３の経路を有し、
   前記ガス供給機構は、前記第３の容器内に原料ガスを供給することができ、
   前記真空排気機構は、前記第３の容器内を真空排気することができることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
7. 請求項２において、
   前記切替器に電気的に接続された第３の電極と、
   前記第３の電極に配置された第３の容器と、
   を有し、
   前記切替器は、前記自動整合器と前記第３の電極とを電気的に接続する第３の経路を有し、
   前記ガス供給機構は、前記第３の容器の外面に原料ガスを供給することができ、
   前記真空排気機構は、前記第３の容器の外側を真空排気することができることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記高周波電源の周波数は、１０ｋＨｚ以上２７．１２ＭＨｚ以下であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
9. 第１の容器内を真空排気する工程（ａ）と、
   第２の容器内を真空排気する工程（ｂ）と、
   前記第１の容器内に第１の原料ガスを供給する工程（ｃ）と、
   前記第２の容器内に第２の原料ガスを供給する工程（ｄ）と、
   高周波電源から高周波出力を自動整合器に供給し、前記自動整合器から切替器を介して高周波出力を第１の電極に供給し、前記第１の電極の内側に配置された前記第１の容器内に前記第１の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第１の容器内に膜を成膜する工程（ｅ）と、
   前記工程（ｅ）の後に、前記高周波電源から前記高周波出力を前記自動整合器に供給し、前記自動整合器から前記切替器を介して高周波出力を第２の電極に供給し、前記第２の電極の内側に配置された前記第２の容器内に前記第２の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第２の容器内に膜を成膜する工程（ｆ）と、
   を具備し、
   前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とする成膜方法。
10. 第１の容器の外側を真空排気する工程（ａ）と、
    第２の容器の外側を真空排気する工程（ｂ）と、
    前記第１の容器の外面に第１の原料ガスを供給する工程（ｃ）と、
    前記第２の容器の外面に第２の原料ガスを供給する工程（ｄ）と、
    高周波電源から高周波出力を自動整合器に供給し、前記自動整合器から切替器を介して高周波出力を第１の電極に供給し、前記第１の電極に配置された前記第１の容器内に前記第１の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第１の容器の外面に膜を成膜する工程（ｅ）と、
    前記工程（ｅ）の後に、前記高周波電源から前記高周波出力を前記自動整合器に供給し、前記自動整合器から前記切替器を介して高周波出力を第２の電極に供給し、前記第２の電極に配置された前記第２の容器の外側に前記第２の原料ガスのプラズマを生成することで、前記第２の容器の外面に膜を成膜する工程（ｆ）と、
    を具備し、
    前記切替器は、前記自動整合器と前記第１の電極とを電気的に接続する第１の経路と、前記自動整合器と前記第２の電極とを電気的に接続する第２の経路を有することを特徴とする成膜方法。

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