JP2018121024A - Substrate processing apparatus, dummy dispensing method and computer readable storage medium - Google Patents

Substrate processing apparatus, dummy dispensing method and computer readable storage medium Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve downsizing of a process unit while inhibiting liquid splatter to a discharge port of a nozzle.SOLUTION: A liquid process unit U1 comprises: a rotation holding part 20 for rotating a wafer W while holding the wafer W; a process liquid supply part 40 formed to supply a process liquid L1 from a nozzle N1 to a surface Wa of the wafer W; a cup 30 which surrounds a circumference of the wafer W held by the rotation holding part 20 and receives the process liquid L1 supplied by the process liquid supply part 40; and a controller 10. The cup 30 has an external wall 32 for preventing scattering of a liquid shook off by the wafer W which is rotated while being held by the rotation holding part 20. The controller 10 performs processing for causing the nozzle N1 to dummy dispense the process liquid L1 to an inner region R between the external wall 32 and the rotation holding part 20.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。   The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a dummy dispensing method, and a computer-readable recording medium.

現在、基板(例えば、半導体ウエハ)を微細加工して半導体デバイスを製造するにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターンを基板に形成することが広く行われている。例えば、基板に凹凸パターンを形成する工程は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、このレジスト膜を所定のパターンに沿って露光することと、露光後のレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成することと、レジストパターンを介して基板をエッチングすることを含む。   At present, when a semiconductor device is manufactured by finely processing a substrate (for example, a semiconductor wafer), a concavo-convex pattern is widely formed on the substrate using a photolithography technique. For example, the step of forming a concavo-convex pattern on a substrate includes forming a resist film on the surface of the substrate, exposing the resist film along a predetermined pattern, and developing the exposed resist film with a developer. Forming a resist pattern and etching the substrate through the resist pattern.

このように、基板を微細加工する際には、基板に種々の処理液がノズルから供給される。一方、ノズルから基板に処理液が供給されていない待機中には、ノズルから処理液がダミーディスペンスされる。ダミーディスペンスとは、例えばノズル内に処理液が滞留して劣化してしまうことを抑制するために、待機中にノズルから処理液をノズルから適宜吐出させる処理である。   Thus, when the substrate is finely processed, various processing liquids are supplied to the substrate from the nozzle. On the other hand, during the standby state in which the processing liquid is not supplied from the nozzle to the substrate, the processing liquid is dispensed from the nozzle. The dummy dispensing is a process of appropriately discharging the processing liquid from the nozzle during standby, for example, in order to prevent the processing liquid from staying in the nozzle and deteriorating.

特許文献1は、基板を保持するように構成された基板保持機構と、基板保持機構に保持された基板に対してノズルから処理液を供給するように構成された供給部と、基板保持機構と隣り合うように配置されたノズルバスとを含む処理ユニットを備える基板処理装置を開示している。当該処理ユニットにおいては、基板に処理液が供給されていない待機中に、ノズルバスの上方にノズルを位置させた状態でノズルからダミーディスペンスが行われる。   Patent Document 1 discloses a substrate holding mechanism configured to hold a substrate, a supply unit configured to supply a processing liquid from a nozzle to a substrate held by the substrate holding mechanism, and a substrate holding mechanism. A substrate processing apparatus including a processing unit including a nozzle bus arranged so as to be adjacent to each other is disclosed. In the processing unit, dummy dispensing is performed from the nozzle in a state where the nozzle is positioned above the nozzle bath while the processing liquid is not supplied to the substrate.

特開2016−042565号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2006-042565

しかしながら、一般的にノズルバスは小型なので、ノズルバス内にノズルから処理液を吐出すると、ノズルバスの壁面に衝突した処理液がノズルに跳ね返って、跳ね返った処理液がノズルの吐出口近傍に付着する懸念があった。この場合、ノズルの吐出口近傍に付着した処理液が基板の処理時に基板に落下して、処理された基板に欠陥が生ずる可能性が考えられる。   However, since the nozzle bath is generally small, there is a concern that when the processing liquid is discharged from the nozzle into the nozzle bath, the processing liquid that has collided with the wall surface of the nozzle bath will bounce back to the nozzle, and the bounced processing liquid may adhere to the vicinity of the nozzle outlet. there were. In this case, there is a possibility that the processing liquid adhering to the vicinity of the discharge port of the nozzle falls on the substrate during the processing of the substrate and a defect occurs in the processed substrate.

また、基板処理装置は複数の処理モジュールを備えることが一般的である。この場合、処理ユニットは基板保持機構のみならずノズルバスを含むので、処理ユニットのサイズが大型化する傾向にある。そのため、基板の処理量を高めるために基板処理装置に多数の処理ユニットを搭載した場合、基板処理装置も大型化し、コストの増加に繋がる懸念があった。   In general, the substrate processing apparatus includes a plurality of processing modules. In this case, since the processing unit includes not only the substrate holding mechanism but also the nozzle bath, the size of the processing unit tends to increase. For this reason, when a large number of processing units are mounted on the substrate processing apparatus in order to increase the processing amount of the substrate, there is a concern that the size of the substrate processing apparatus is increased, leading to an increase in cost.

そこで、本開示は、ノズルの吐出口への液跳ねを抑制しつつ処理ユニットの小型化を図ることが可能な基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。   Thus, the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a dummy dispensing method, and a computer-readable recording medium that can reduce the size of a processing unit while suppressing liquid splashing to the discharge port of a nozzle.

[1]本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、基板の表面に上側ノズルから液体を供給するように構成された第1の供給部と、回転保持部によって保持される基板の周囲を取り囲むと共に第1の供給部から供給される液体を受けるカップと、制御部とを備える。カップは、回転保持部によって保持されつつ回転される基板から振り切られた液体の飛散を防止する外周壁を有する。制御部は、上側ノズルから処理液を傾斜面にダミーディスペンスさせる処理を実行する。   [1] A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a rotation holding unit that rotates while holding a substrate, and a first supply unit configured to supply liquid from an upper nozzle to the surface of the substrate. And a cup that surrounds the periphery of the substrate held by the rotation holding unit and receives the liquid supplied from the first supply unit, and a control unit. The cup has an outer peripheral wall that prevents scattering of the liquid shaken off from the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit. The control unit executes a process of performing dummy dispensing of the processing liquid on the inclined surface from the upper nozzle.

本開示の一つの観点に係る基板処理装置では、制御部は、第1の供給部を制御して、上側ノズルから液体を傾斜面にダミーディスペンスさせている。カップ内の空間は従来のノズルバスと比較して広いので、上側ノズルから液体を吐出しても、カップ内から跳ね返った液体が上側ノズルに届き難い。そのため、上側ノズルへの液跳ねを抑制することが可能となる。従って、処理された基板に欠陥が生じ難くなる。また、本開示の一つの観点に係る基板処理装置では、上側ノズルからカップ内にダミーディスペンスされる。そのため、ダミーディスペンスのためのノズルバスが不要となる。従って、処理ユニットの小型化を図ることが可能となる。   In the substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure, the control unit controls the first supply unit to cause the upper nozzle to perform a dummy dispense of the liquid on the inclined surface. Since the space in the cup is larger than that of the conventional nozzle bath, even if the liquid is ejected from the upper nozzle, the liquid splashed from the cup hardly reaches the upper nozzle. Therefore, it is possible to suppress liquid splash to the upper nozzle. Accordingly, defects are less likely to occur in the processed substrate. In addition, in the substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure, dummy dispensing is performed from the upper nozzle into the cup. This eliminates the need for a nozzle bath for dummy dispensing. Therefore, it is possible to reduce the size of the processing unit.

[2]上記第1項の装置において、制御部は、第1の供給部を制御して、カップの上端よりも下方か又は回転保持部のチャックの基板支持面よりも下方に上側ノズルの吐出口が位置した状態で、上側ノズルから液体をダミーディスペンスさせる処理を実行してもよい。この場合、上側ノズルから吐出された液体がカップ内の物体に衝突する勢いが弱まる。そのため、液体がミスト状に変化し難いので、当該ミストの周囲への飛散を抑制することが可能となる。特に、上側ノズルの吐出口が回転保持部のチャックの基板支持面よりも下方に位置していると、発生したミストがチャックの基板支持面に付着し難くなる。そのため、当該ミストによる基板の汚染を抑制することが可能となる。   [2] In the apparatus of the first item, the control unit controls the first supply unit to discharge the upper nozzle below the upper end of the cup or below the substrate support surface of the chuck of the rotation holding unit. In a state where the outlet is positioned, a process of performing dummy dispensing of liquid from the upper nozzle may be executed. In this case, the momentum of the liquid ejected from the upper nozzle colliding with the object in the cup is weakened. Therefore, since the liquid is difficult to change into a mist shape, it is possible to suppress scattering of the mist around the mist. In particular, if the discharge port of the upper nozzle is positioned below the substrate support surface of the chuck of the rotation holding unit, the generated mist is difficult to adhere to the substrate support surface of the chuck. Therefore, it becomes possible to suppress the contamination of the substrate by the mist.

[3]上記第1項又は第2項の装置において、カップの外周面には、上方において上側ノズルが待機可能な液受部が設けられていてもよい。この場合、上側ノズルがカップ内に液体を吐出しない待機状態において、上側ノズルが液受部の上方の待機位置で待機する。そのため、待機状態の上側ノズルから液体が滴っても、滴下した液体が液受部で受け止められるので、液体によるカップの外部の汚染を抑制することが可能となる。また、液受部の一部がカップの外周面で構成されているので、液受部自体を小型化できる。そのため、処理ユニットのさらなる小型化を図ることが可能となる。   [3] In the apparatus according to the first or second item, a liquid receiving portion in which the upper nozzle can wait on the upper side may be provided on the outer peripheral surface of the cup. In this case, in a standby state where the upper nozzle does not discharge liquid into the cup, the upper nozzle stands by at a standby position above the liquid receiving portion. For this reason, even if the liquid drops from the upper nozzle in the standby state, the dropped liquid is received by the liquid receiving portion, so that contamination of the outside of the cup due to the liquid can be suppressed. Moreover, since a part of liquid receiving part is comprised by the outer peripheral surface of the cup, liquid receiving part itself can be reduced in size. For this reason, it is possible to further reduce the size of the processing unit.

[4]上記第1項〜第3項のいずれか一項の装置は、カップ内を排気するように構成された排気部をさらに備え、第1の供給部は、基板の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、基板の表面に対して洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、処理液ノズルが設けられた第1のアームを移動させる第1の駆動部と、洗浄液ノズルが設けられた第2のアームを移動させる第2の駆動部とを有し、制御部は、第1の供給部及び排気部を制御して、排気部によりカップ内を排気しつつ、第1の駆動部により第1のアームを移動させることで、処理液ノズルを内側領域に位置させる第1の処理と、第2の駆動部により第2のアームを移動させることで、洗浄液ノズルを内側領域に位置させる第2の処理と、第1及び第2の処理の後に、処理液ノズル及び洗浄液ノズルからそれぞれ処理液及び洗浄液をダミーディスペンスさせる第3の処理とを実行してもよい。この場合、処理液ノズル及び洗浄液ノズルからのダミーディスペンスが、カップ内を排気した状態で行われる。そのため、処理液ノズル及び洗浄液ノズルからそれぞれ吐出された処理液及び洗浄液がカップ内の物体に衝突し、これらがミスト状に変化した場合でも、当該ミストがカップ内から排気される。従って、ミストが周囲に拡がらないので、処理液ノズル又は洗浄液ノズルに対するミストの付着を抑制することが可能となる。その結果、ノズルの表面においてミストが凝集して液滴となり、当該液滴が基板の処理時に基板に落下することが抑制されるので、処理された基板に欠陥が生じ難くなる。   [4] The apparatus according to any one of [1] to [3] further includes an exhaust unit configured to exhaust the inside of the cup, and the first supply unit treats the surface of the substrate. A cleaning liquid nozzle for supplying a liquid, a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate, a first drive unit for moving a first arm provided with the processing liquid nozzle, and a cleaning liquid nozzle are provided. A second drive unit that moves the second arm, and the control unit controls the first supply unit and the exhaust unit to exhaust the inside of the cup by the exhaust unit, and the first drive unit By moving the first arm, the first processing for positioning the processing liquid nozzle in the inner region, and by moving the second arm by the second driving unit, the first nozzle for positioning the cleaning liquid nozzle in the inner region. 2 and the first and second treatments, the treatment liquid nozzle and And a third process of each treatment liquid and cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle dummy dispense may execute. In this case, dummy dispensing from the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle is performed in a state where the inside of the cup is exhausted. Therefore, even when the processing liquid and the cleaning liquid discharged from the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle respectively collide with an object in the cup and change into a mist shape, the mist is exhausted from the cup. Accordingly, since the mist does not spread around, it is possible to suppress the mist from adhering to the processing liquid nozzle or the cleaning liquid nozzle. As a result, mist aggregates on the surface of the nozzle to form droplets, and the droplets are prevented from falling onto the substrate during processing of the substrate, so that the processed substrate is less likely to be defective.

[5]上記第4項の装置において、制御部は、第1の処理において、第1の駆動部により第1のアームを移動させることで、処理液ノズルを前記内側領域のうち所定の第1の領域に位置させ、第2の処理において、第2の駆動部により前記第2のアームを移動させることで、洗浄液ノズルを内側領域のうち第1の領域とは回転保持部を間において反対側の第2の領域に位置させてもよい。この場合、処理液ノズル及び洗浄液ノズルからのダミーディスペンスの際に、処理液ノズルと洗浄液ノズルとが回転保持部を間において向かい合うように位置する。そのため、跳ね返った液が相互に付着し難くなる。従って、両ノズルに対する液跳ねを抑制しつつ両ノズルから同時にダミーディスペンスすることが可能となる。その結果、ダミーディスペンスの処理時間が短縮化されるので、スループットの向上を図ることが可能となる。   [5] In the apparatus according to the fourth item, in the first process, the control unit moves the first arm by the first driving unit to move the processing liquid nozzle to a predetermined first in the inner region. In the second process, the second arm is moved by the second drive unit in the second process, so that the cleaning liquid nozzle is opposite to the first region in the inner region with the rotation holding unit in between. It may be located in the second region. In this case, at the time of dummy dispensing from the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle, the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle are positioned so as to face each other with the rotation holding portion therebetween. For this reason, the rebounded liquids hardly adhere to each other. Accordingly, it is possible to perform dummy dispensing simultaneously from both nozzles while suppressing liquid splashing with respect to both nozzles. As a result, the processing time for dummy dispensing is shortened, so that the throughput can be improved.

[6]上記第5項の装置において、第1の領域は、内側領域のうち回転保持部よりも処理液ノズル及び洗浄液ノズルがカップ外で待機する待機位置寄りの領域であり、第2の領域は、内側領域のうち回転保持部よりも待機位置とは離れた側の領域であってもよい。この場合、処理液ノズルからダミーディスペンスされるにあたり、処理液ノズルが回転保持部を超えない。そのため、処理液ノズルの移動中に処理液ノズルから処理液が滴っても、回転保持部に処理液が付着し難くなる。従って、処理液による回転保持部の汚染を抑制することが可能となる。   [6] In the apparatus according to item 5, the first area is an area closer to the standby position where the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle stand by outside the cup than the rotation holding portion in the inner area, and the second area. May be a region on the side farther from the standby position than the rotation holding portion in the inner region. In this case, when the dummy dispensing is performed from the processing liquid nozzle, the processing liquid nozzle does not exceed the rotation holding portion. Therefore, even if the processing liquid drops from the processing liquid nozzle during the movement of the processing liquid nozzle, the processing liquid does not easily adhere to the rotation holding unit. Therefore, it is possible to suppress contamination of the rotation holding unit with the processing liquid.

[7]上記第4項〜第6項のいずれか一項の装置において、第1の供給部は、基板の表面に乾燥ガスを供給すると共に第2のアームに設けられたガスノズルを有し、制御部は、回転保持部及び第1の供給部を制御して、回転保持部のチャックを回転させた状態で、ガスノズルがチャックの上方を通過するように第2のアームを第2の駆動部により移動させつつガスノズルから乾燥ガスをチャックに供給させる第4の処理を実行してもよい。この場合、回転中のチャックにガスノズルから乾燥ガスが供給されるので、チャックに付着しているパーティクル等の異物が除去される。そのため、チャックによる基板の吸着力が維持される。このように、人手によらずガスノズルにより機械的にチャックのクリーニングが完了するので、クリーニング処理の自動化及び短時間化することが可能となる。   [7] In the apparatus according to any one of Items 4 to 6, the first supply unit includes a gas nozzle provided on the second arm while supplying a dry gas to the surface of the substrate, The control unit controls the rotation holding unit and the first supply unit, and rotates the chuck of the rotation holding unit to move the second arm to the second driving unit so that the gas nozzle passes above the chuck. You may perform the 4th process which supplies a dry gas to a chuck | zipper from a gas nozzle, moving by. In this case, since the dry gas is supplied from the gas nozzle to the rotating chuck, foreign matters such as particles adhering to the chuck are removed. For this reason, the chucking force of the substrate by the chuck is maintained. Thus, since the cleaning of the chuck is mechanically completed by the gas nozzle regardless of the manual operation, the cleaning process can be automated and shortened.

[8]上記第7項の装置において、制御部は、第4の処理において、チャックを回転させた状態で、ガスノズル及び洗浄液ノズルが共にチャックの中央部から周縁部に向けて移動するように第2のアームを第2の駆動部により移動させつつ、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの中央部の上方を通過する際には、ガスノズルから乾燥ガスをチャックの中央部に供給させるが、洗浄液ノズルからは洗浄液を供給させないことと、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの中央部と周縁部との間である中間領域の上方を通過する際には、ガスノズル及び洗浄液ノズルからそれぞれ乾燥ガス及び洗浄液をチャックの中間領域に供給させることと、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの周縁部の上方を通過する際には、ガスノズルから乾燥ガスをチャックの周縁部に供給させるが、洗浄液ノズルからは洗浄液を供給させないこととを実行してもよい。この場合、乾燥ガスのみならず洗浄液をチャックに供給しているので、チャックをより清浄化することが可能となる。また、洗浄液がチャックの中央部に供給されていないので、チャックの中央部に位置する吸引孔に洗浄液が入り込み難くなる。そのため、チャックによる基板の吸着能力の低下を抑制することが可能となる。さらに、チャックの周縁部には、ガスノズルから乾燥ガスが供給される一方で洗浄液ノズルから洗浄液が供給されないので、遠心力によってチャックの周縁部に拡がった洗浄液が乾燥ガスによって吹き飛ばされる。そのため、チャックに洗浄液が残存することが抑制される。従って、チャックを洗浄液及び乾燥ガスによってクリーニングしつつ、チャックの洗浄液による汚染を抑制することが可能となる。   [8] In the apparatus according to item 7, in the fourth process, the control unit moves the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle so that both the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle move from the central portion toward the peripheral portion with the chuck rotated. When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the central part of the chuck while moving the two arms by the second driving unit, the dry gas is supplied from the gas nozzle to the central part of the chuck. When the cleaning nozzle is not supplied and when the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the intermediate area between the central portion and the peripheral edge of the chuck, the dry gas and the cleaning liquid are respectively supplied from the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle to the intermediate area of the chuck. And when the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the peripheral edge of the chuck, The but is supplied to the peripheral portion of the chuck, from the cleaning liquid nozzles may execute and that does not supply the cleaning liquid. In this case, since the cleaning liquid is supplied to the chuck as well as the dry gas, the chuck can be further cleaned. In addition, since the cleaning liquid is not supplied to the central portion of the chuck, the cleaning liquid is difficult to enter the suction hole located in the central portion of the chuck. For this reason, it is possible to suppress a decrease in the adsorption capacity of the substrate by the chuck. Furthermore, since the drying gas is supplied from the gas nozzle to the peripheral edge of the chuck, the cleaning liquid is not supplied from the cleaning liquid nozzle, so that the cleaning liquid that has spread to the peripheral edge of the chuck by the centrifugal force is blown off by the dry gas. Therefore, it is possible to prevent the cleaning liquid from remaining on the chuck. Therefore, it is possible to suppress contamination of the chuck with the cleaning liquid while cleaning the chuck with the cleaning liquid and the dry gas.

[9]上記第4項〜第8項のいずれか一項の装置は、カップ内に位置する下側ノズルから基板の裏面に対して洗浄液を供給するように構成された第2の供給部をさらに備え、制御部は、第1及び第2の供給部を制御して、下側ノズルから洗浄液を第1又は第2のアームに供給する第5の処理を実行してもよい。この場合、処理液ノズルから吐出された処理液がカップ内の物体に衝突して跳ね返り、第1又は第2のアームの下面に付着したとしても、下側ノズルから第1又は第2のアームに供給される洗浄液によって第1又は第2のアームから処理液が除去される。そのため、基板の処理時に第1又は第2のアームから処理液が基板に落下することが抑制できる。従って、処理された基板に欠陥がいっそう生じ難くなる。   [9] The apparatus according to any one of items 4 to 8 includes a second supply unit configured to supply a cleaning liquid from a lower nozzle located in the cup to the back surface of the substrate. The controller may further include a fifth process of controlling the first and second supply units to supply the cleaning liquid from the lower nozzle to the first or second arm. In this case, even if the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle collides with an object in the cup and bounces off and adheres to the lower surface of the first or second arm, the lower nozzle moves from the first nozzle to the first or second arm. The processing liquid is removed from the first or second arm by the supplied cleaning liquid. Therefore, it can suppress that a process liquid falls on a board | substrate from the 1st or 2nd arm at the time of the process of a board | substrate. Accordingly, defects are less likely to occur in the processed substrate.

[10]上記第7項又は第8項の装置は、カップ内に位置する下側ノズルから基板の裏面に対して洗浄液を供給するように構成された第2の供給部をさらに備え、制御部は、第1及び第2の供給部を制御して、下側ノズルから洗浄液を吐出させて回転保持部よりも外方において第1又は第2のアームに洗浄液を供給すると共に、ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、下側ノズルから吐出された洗浄液が第1又は第2のアームに供給される位置よりも回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する第6の処理を実行してもよい。この場合、ガスノズルからの乾燥ガスの気流は、連続的に又は所定のタイミングで、下側ノズルから吐出された洗浄液が第1又は第2のアームに供給される位置よりも回転保持部側に形成される。そのため、下側ノズルから吐出された洗浄液が第1又は第2のアームに衝突して跳ね返ったりミスト状になったりしても、跳ね返った洗浄液又はミスト状の洗浄液が回転保持部側に流れることが乾燥ガスによって抑制される。従って、洗浄液又はそのミストがチャックの基板支持面に付着し難くなる。その結果、洗浄液又はそのミストによる基板の汚染を抑制することが可能となる。   [10] The apparatus according to item 7 or 8 further includes a second supply unit configured to supply a cleaning liquid to a back surface of the substrate from a lower nozzle located in the cup, and a control unit Controls the first and second supply sections to discharge the cleaning liquid from the lower nozzle to supply the cleaning liquid to the first or second arm outside the rotation holding section and to dry gas from the gas nozzle. And a sixth process of forming a dry gas stream on the rotation holding unit side of the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the first or second arm may be executed. . In this case, the air flow of the dry gas from the gas nozzle is formed on the rotation holding unit side from the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the first or second arm continuously or at a predetermined timing. Is done. Therefore, even if the cleaning liquid discharged from the lower nozzle collides with the first or second arm and bounces or becomes a mist, the bounced cleaning liquid or the mist-like cleaning liquid may flow to the rotation holding unit side. Suppressed by dry gas. Therefore, it becomes difficult for the cleaning liquid or its mist to adhere to the substrate support surface of the chuck. As a result, it is possible to suppress contamination of the substrate by the cleaning liquid or its mist.

[11]本開示の他の観点に係るダミーディスペンス方法は、回転保持部に保持されると共にカップに周囲を取り囲まれた基板の表面に液体を供給する上側ノズルにおけるダミーディスペンスする方法である。カップは、回転保持部によって保持されつつ回転される基板から振り切られた液体の飛散を防止する外周壁を有する。本開示の他の観点に係るダミーディスペンス方法は、上側ノズルから液体を外周壁と回転保持部との間の内側領域にダミーディスペンスする工程を含む。この場合、上記第1項の装置と同様の作用効果を奏する。   [11] A dummy dispensing method according to another aspect of the present disclosure is a dummy dispensing method in an upper nozzle that supplies liquid to the surface of a substrate that is held by a rotation holding unit and surrounded by a cup. The cup has an outer peripheral wall that prevents scattering of the liquid shaken off from the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit. A dummy dispensing method according to another aspect of the present disclosure includes a step of performing dummy dispensing of liquid from an upper nozzle to an inner region between the outer peripheral wall and the rotation holding unit. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the first item are obtained.

[12]上記第11項の方法において、上記工程では、カップの上端よりも下方か又は回転保持部のチャックの基板支持面よりも下方に上側ノズルの吐出口が位置した状態で、上側ノズルから処理液をダミーディスペンスしてもよい。この場合、上記第2項の装置と同様の作用効果を奏する。   [12] In the method described in [11] above, in the step, the upper nozzle discharge port is positioned below the upper end of the cup or below the substrate support surface of the chuck of the rotation holding unit. The treatment liquid may be dummy dispensed. In this case, the same effect as the apparatus of the second item is obtained.

[13]上記第11項又は第12項の方法において、ダミーディスペンスが行われていないときに、カップの外周面に設けられた液受部の上方で上側ノズルを待機させてもよい。この場合、上記第3項の装置と同様の作用効果を奏する。   [13] In the method of the above item 11 or 12, when the dummy dispensing is not performed, the upper nozzle may be made to wait above the liquid receiving portion provided on the outer peripheral surface of the cup. In this case, the same effect as the apparatus of the third item is obtained.

[14]上記第11項〜第13項のいずれか一項の方法は、本開示の他の観点に係るダミーディスペンス方法は、基板の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルが設けられた第1のアームを移動して、処理液ノズルを内側領域に位置させる第1の工程と、基板の表面に対して洗浄液を供給する洗浄液ノズルが設けられた第2のアームを移動して、待機位置にある洗浄液ノズルを傾斜面の上方に位置させる第2の工程と、第1及び第2の工程の後に、処理液ノズル及び洗浄液ノズルからそれぞれ処理液及び洗浄液をダミーディスペンスする第3の工程とを含み、カップ内を排気しつつ第1〜第3の工程を実施してもよい。この場合、上記第4項の装置と同様の作用効果を奏する。   [14] In the method according to any one of Items 11 to 13, the dummy dispensing method according to another aspect of the present disclosure is provided with a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to the surface of the substrate. Moving the first arm and moving the second arm provided with the cleaning liquid nozzle for supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate, the first step of positioning the processing liquid nozzle in the inner region, A second step of positioning the cleaning liquid nozzle in the standby position above the inclined surface; and a third step of performing dummy dispensing of the processing liquid and the cleaning liquid from the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle, respectively, after the first and second steps. The first to third steps may be performed while exhausting the inside of the cup. In this case, the same function and effect as the apparatus of the fourth item can be obtained.

[15]上記第14項の方法において、第1の工程では、処理液ノズルを内側領域のうち所定の第1の領域に位置させ、第2の工程では、洗浄液ノズルを内側領域のうち第1の領域とは回転保持部を間において反対側の第2の領域に位置させてもよい。この場合、上記第5項の装置と同様の作用効果を奏する。   [15] In the method of item 14, in the first step, the processing liquid nozzle is positioned in a predetermined first area of the inner area, and in the second process, the cleaning liquid nozzle is positioned in the first area of the inner area. The rotation holding portion may be positioned in the second region opposite to the region. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the fifth item are obtained.

[16]上記第15項の方法において、第1の領域は、内側領域のうち回転保持部よりも処理液ノズル及び洗浄液ノズルがカップ外で待機する待機位置寄りの領域であり、第2の領域は、内側領域のうち回転保持部よりも待機位置とは離れた側の領域であってもよい。この場合、上記第6項の装置と同様の作用効果を奏する。   [16] In the method of the fifteenth item, the first area is an area closer to the standby position where the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle stand by outside the cup than the rotation holding portion in the inner area, and the second area. May be a region on the side farther from the standby position than the rotation holding portion in the inner region. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the sixth item are obtained.

[17]上記第14項〜第16項のいずれか一項の方法は、回転保持部のチャックを回転させた状態で、第2のアームに設けられたガスノズルがチャックの上方を通過するように第2のアームを移動しつつガスノズルから乾燥ガスをチャックに供給する第4の工程をさらに含んでもよい。この場合、上記第7項の装置と同様の作用効果を奏する。   [17] In the method according to any one of items 14 to 16, the gas nozzle provided on the second arm passes above the chuck while the chuck of the rotation holding unit is rotated. A fourth step of supplying dry gas from the gas nozzle to the chuck while moving the second arm may be further included. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the seventh item are obtained.

[18]上記第17項の方法において、第4の工程では、チャックを回転させた状態で、ガスノズル及び洗浄液ノズルが共にチャックの中央部から周縁部に向けて移動するように第2のアームを移動しつつ、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの中央部の上方を通過する際には、ガスノズルから乾燥ガスをチャックの中央部に供給するが、洗浄液ノズルからは洗浄液を供給しないことと、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの中央部と周縁部との間である中間領域の上方を通過する際には、ガスノズル及び洗浄液ノズルからそれぞれ乾燥ガス及び洗浄液をチャックの中間領域に供給することと、ガスノズル及び洗浄液ノズルがチャックの周縁部の上方を通過する際には、ガスノズルから乾燥ガスをチャックの周縁部に供給するが、洗浄液ノズルからは洗浄液を供給しないこととを含んでもよい。この場合、上記第8項の装置と同様の作用効果を奏する。   [18] In the method of item 17, in the fourth step, the second arm is moved so that both the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle move from the central portion toward the peripheral portion while the chuck is rotated. When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the central part of the chuck while moving, the dry gas is supplied from the gas nozzle to the central part of the chuck, but the cleaning liquid is not supplied from the cleaning liquid nozzle. When the nozzle passes above the intermediate region between the central portion and the peripheral portion of the chuck, the dry gas and the cleaning liquid are supplied from the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle to the intermediate region of the chuck, respectively, and the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle As the gas passes over the periphery of the chuck, dry gas is supplied from the gas nozzle to the periphery of the chuck. It may include a not to supply the cleaning liquid from the liquid nozzle. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the eighth item are obtained.

[19]上記第14項〜第18項のいずれか一項の方法は、カップ内に位置する下側ノズルから洗浄液を第1又は第2のアームに供給する第5の工程をさらに含んでもよい。この場合、上記第9項の装置と同様の作用効果を奏する。   [19] The method according to any one of items 14 to 18 may further include a fifth step of supplying the cleaning liquid to the first or second arm from the lower nozzle located in the cup. . In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the ninth item are achieved.

[20]上記第17項又は第18項の方法は、カップ内に位置する下側ノズルから洗浄液を吐出させて回転保持部よりも外方において第1又は第2のアームに洗浄液を供給すると共に、ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、下側ノズルから吐出された洗浄液が第1又は第2のアームに供給される位置よりも回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する第6の工程をさらに含んでもよい。この場合、上記第10項の装置と同様の作用効果を奏する。   [20] In the method of the above item 17 or 18, the cleaning liquid is discharged from the lower nozzle located in the cup to supply the cleaning liquid to the first or second arm outside the rotation holding unit. A sixth step of discharging the dry gas from the gas nozzle to form a dry gas stream on the rotation holding unit side of the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the first or second arm. Further, it may be included. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the above item 10 are obtained.

[21]本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記第11項〜第20項のいずれか一項のダミーディスペンス方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体では、上記のダミーディスペンス方法と同様に、ノズルの吐出口への液跳ねを抑制しつつ処理ユニットの小型化を図ることが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体(non-transitory computer recordingmedium)(例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置)や、伝播信号(transitory computer recording medium)(例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号)が含まれる。   [21] A computer-readable recording medium according to another aspect of the present disclosure records a program for causing a substrate processing apparatus to execute the dummy dispensing method according to any one of Items 11 to 20 above. Yes. In the computer-readable recording medium according to another aspect of the present disclosure, it is possible to reduce the size of the processing unit while suppressing the liquid splash to the nozzle outlet, as in the above-described dummy dispensing method. In the present specification, a computer-readable recording medium includes a non-transitory computer recording medium (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices) and a propagation signal (transitory computer recording medium). (For example, a data signal that can be provided via a network).

[22]本開示の他の観点に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、基板の表面に対して上方から液体を供給するように構成された上側ノズルと、記基板の表面に対して上方から乾燥ガスを供給するガスノズルと、基板の裏面に対して下方から洗浄液を供給するように構成された下側ノズルと、制御部とを備える。制御部は、各ノズルの動作を制御して、下側ノズルから洗浄液を吐出させて、回転保持部よりも外方において上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームに洗浄液を供給すると共に、ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、下側ノズルから吐出された洗浄液が上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームに供給される位置よりも回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する処理を実行する。この場合、上記第10項の装置と同様の作用効果を奏する。   [22] A substrate processing apparatus according to another aspect of the present disclosure includes a rotation holding unit that rotates while holding a substrate, an upper nozzle that is configured to supply liquid from above to the surface of the substrate, and A gas nozzle that supplies a dry gas from above to the front surface of the substrate, a lower nozzle that is configured to supply a cleaning liquid from below to the back surface of the substrate, and a control unit. The control unit controls the operation of each nozzle, discharges the cleaning liquid from the lower nozzle, and supplies the cleaning liquid to the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle outside the rotation holding unit, A process in which a dry gas is discharged from the gas nozzle, and a flow of the dry gas is formed on the rotation holding unit side from the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle. Execute. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the above item 10 are obtained.

[23]本開示の他の観点に係るアーム洗浄方法は、回転保持部に保持された基板の表面に対して上方から液体を供給するように構成された上側ノズルを保持するアーム又は回転保持部に保持された基板の表面に対して上方から乾燥ガスを供給するガスノズルを保持するアームに対して、回転保持部に保持された基板の裏面に対して下方から洗浄液を供給するように構成された下側ノズルから洗浄液を供給することにより、上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームを洗浄する工程を含む。上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームを洗浄する工程では、下側ノズルから洗浄液を吐出させて、回転保持部よりも外方において上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームに洗浄液を供給すると共に、ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、下側ノズルから吐出された洗浄液が上側ノズルを保持するアーム又はガスノズルを保持するアームに供給される位置よりも回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する。この場合、上記第22項の装置と同様の作用効果を奏する。   [23] An arm cleaning method according to another aspect of the present disclosure includes an arm or a rotation holding unit configured to hold an upper nozzle configured to supply liquid from above to a surface of a substrate held by the rotation holding unit. The cleaning liquid is supplied from below to the back surface of the substrate held by the rotation holding unit with respect to the arm that holds the gas nozzle that supplies the dry gas from above to the surface of the substrate held on the substrate. A step of cleaning the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle by supplying the cleaning liquid from the lower nozzle is included. In the step of cleaning the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle, the cleaning liquid is discharged from the lower nozzle, and the cleaning liquid is applied to the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle outside the rotation holding unit. And at the rotation holding portion side of the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the arm holding the upper nozzle or the arm holding the gas nozzle. Create an air flow. In this case, the same function and effect as those of the apparatus of the twenty-second item are achieved.

[24]本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記第23項のダミーディスペンス方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、上記第23項の方法と同様の作用効果を奏する。   [24] A computer-readable recording medium according to another aspect of the present disclosure records a program for causing a substrate processing apparatus to execute the dummy dispensing method of the above item 23. In this case, the same effect as the method of the above item 23 is obtained.

本開示に係る基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、ノズルの吐出口への液跳ねを抑制しつつ処理ユニットの小型化を図ることが可能となる。   According to the substrate processing apparatus, the dummy dispensing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it is possible to reduce the size of the processing unit while suppressing liquid splashing to the nozzle outlet.

図1は、基板処理システムを概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing system. 図2は、図1のII−II線断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 図3は、図2のIII−III線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図4は、液処理ユニットを側方から見たときの模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram when the liquid processing unit is viewed from the side. 図5は、カップの近傍を上方から見たときの模式図である。FIG. 5 is a schematic view when the vicinity of the cup is viewed from above. 図6は、基板処理システムを示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating the substrate processing system. 図7は、コントローラのハードウェア構成を中心に示す概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram centering on the hardware configuration of the controller. 図8は、ダミーディスペンスの手順を説明するためのフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart for explaining the procedure of dummy dispensing. 図9は、ダミーディスペンスの手順を説明するための図であり、カップの近傍を上方から見たときの模式図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the procedure of dummy dispensing, and is a schematic diagram when the vicinity of the cup is viewed from above. 図10は、チャックのクリーニング手順(第1の手順)を説明するためのフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart for explaining a chuck cleaning procedure (first procedure). 図11は、チャックのクリーニング手順(第1の手順)を説明するための図であり、カップを中心に側方から見たときの模式図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the chuck cleaning procedure (first procedure), and is a schematic view when viewed from the side centering on the cup. 図12は、チャックのクリーニング手順(第2の手順)を説明するためのフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart for explaining a chuck cleaning procedure (second procedure). 図13は、チャックのクリーニング手順(第2の手順)を説明するための図であり、カップを中心に側方から見たときの模式図である。FIG. 13 is a diagram for explaining the chuck cleaning procedure (second procedure), and is a schematic diagram when viewed from the side centering on the cup. 図14は、アームのクリーニング手順を説明するための図であり、カップを中心に側方から見たときの模式図である。FIG. 14 is a view for explaining the arm cleaning procedure, and is a schematic view when seen from the side centering on the cup.

以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。   Since the embodiment according to the present disclosure described below is an example for explaining the present invention, the present invention should not be limited to the following contents. In the following description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.

[基板処理システム]
図1に示されるように、基板処理システム1(基板処理装置)は、塗布現像装置2(基板処理装置)と、コントローラ10(制御部)とを備える。基板処理システム1には、露光装置3が併設されている。露光装置3は、基板処理システム1のコントローラ10と通信可能なコントローラ(図示せず)を備える。露光装置3は、塗布現像装置2との間でウエハW(基板)を授受して、ウエハWの表面Wa(図4等参照)に形成された感光性レジスト膜の露光処理(パターン露光)を行うように構成されている。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線、又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
[Substrate processing system]
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 (substrate processing apparatus) includes a coating and developing apparatus 2 (substrate processing apparatus) and a controller 10 (control unit). The substrate processing system 1 is provided with an exposure apparatus 3. The exposure apparatus 3 includes a controller (not shown) that can communicate with the controller 10 of the substrate processing system 1. The exposure apparatus 3 exchanges the wafer W (substrate) with the coating and developing apparatus 2 and performs exposure processing (pattern exposure) of the photosensitive resist film formed on the surface Wa (see FIG. 4 and the like) of the wafer W. Configured to do. Specifically, an energy ray is selectively irradiated to the exposure target portion of the photosensitive resist film (photosensitive coating) by a method such as immersion exposure. Examples of the energy rays include ArF excimer laser, KrF excimer laser, g-line, i-line, and extreme ultraviolet (EUV).

塗布現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、感光性レジスト膜を含む種々の塗布膜Cf(図4参照)をウエハWの表面Waに形成する処理を行う。塗布現像装置2は、露光装置3による感光性レジスト膜の露光処理後に、当該感光性レジスト膜の現像処理を行う。   The coating and developing apparatus 2 performs a process of forming various coating films Cf (see FIG. 4) including a photosensitive resist film on the surface Wa of the wafer W before the exposure process by the exposure apparatus 3. The coating and developing apparatus 2 performs development processing of the photosensitive resist film after the exposure processing of the photosensitive resist film by the exposure device 3.

ウエハWは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハWは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ(U字形、V字形等の溝)であってもよいし、直線状に延びる直線部(いわゆる、オリエンテーション・フラット)であってもよい。ウエハWは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)基板その他の各種基板であってもよい。ウエハWの直径は、例えば200mm〜450mm程度であってもよい。   The wafer W may have a disk shape, or may have a plate shape other than a circle such as a polygon. The wafer W may have a notch partly cut away. The notch may be, for example, a notch (a U-shaped groove, a V-shaped groove, etc.) or a straight line portion (so-called orientation flat) extending linearly. The wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or other various substrates. The diameter of the wafer W may be about 200 mm to 450 mm, for example.

図1〜図3に示されるように、塗布現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インターフェースブロック6とを備える。キャリアブロック4、処理ブロック5及びインターフェースブロック6は、水平方向に並んでいる。   As shown in FIGS. 1 to 3, the coating and developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, and an interface block 6. The carrier block 4, the processing block 5, and the interface block 6 are arranged in the horizontal direction.

キャリアブロック4は、図1及び図3に示されるように、キャリアステーション12と、搬入搬出部13とを有する。キャリアステーション12は複数のキャリア11を支持する。キャリア11は、少なくとも一つのウエハWを密封状態で収容する。キャリア11の側面11aには、ウエハWを出し入れするための開閉扉(図示せず)が設けられている。キャリア11は、側面11aが搬入搬出部13側に面するように、キャリアステーション12上に着脱自在に設置される。   As shown in FIGS. 1 and 3, the carrier block 4 includes a carrier station 12 and a carry-in / carry-out unit 13. The carrier station 12 supports a plurality of carriers 11. The carrier 11 accommodates at least one wafer W in a sealed state. On the side surface 11a of the carrier 11, an opening / closing door (not shown) for taking in and out the wafer W is provided. The carrier 11 is detachably installed on the carrier station 12 so that the side surface 11a faces the loading / unloading unit 13 side.

搬入搬出部13は、キャリアステーション12及び処理ブロック5の間に位置している。搬入搬出部13は、複数の開閉扉13aを有する。キャリアステーション12上にキャリア11が載置される際には、キャリア11の開閉扉が開閉扉13aに面した状態とされる。開閉扉13a及び側面11aの開閉扉を同時に開放することで、キャリア11内と搬入搬出部13内とが連通する。搬入搬出部13は、受け渡しアームA1を内蔵している。受け渡しアームA1は、キャリア11からウエハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウエハWを受け取ってキャリア11内に戻す。   The carry-in / carry-out unit 13 is located between the carrier station 12 and the processing block 5. The carry-in / carry-out unit 13 includes a plurality of opening / closing doors 13a. When the carrier 11 is placed on the carrier station 12, the opening / closing door of the carrier 11 faces the opening / closing door 13a. By opening the open / close door 13a and the open / close door on the side surface 11a at the same time, the inside of the carrier 11 and the inside of the carry-in / out unit 13 are communicated. The carry-in / carry-out unit 13 incorporates a delivery arm A1. The transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and transfers it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it to the carrier 11.

処理ブロック5は、図1及び図2に示されるように、単位処理ブロック14〜17を有する。単位処理ブロック14〜17は、床面側から単位処理ブロック17、単位処理ブロック14、単位処理ブロック15、単位処理ブロック16の順に並んでいる。単位処理ブロック14〜17は、図3に示されるように、液処理ユニットU1(基板処理装置)と、熱処理ユニットU2とを有する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the processing block 5 includes unit processing blocks 14 to 17. The unit processing blocks 14 to 17 are arranged in the order of the unit processing block 17, the unit processing block 14, the unit processing block 15, and the unit processing block 16 from the floor side. As shown in FIG. 3, the unit processing blocks 14 to 17 include a liquid processing unit U1 (substrate processing apparatus) and a heat treatment unit U2.

液処理ユニットU1は、各種の処理液又はガスをウエハWの表面Wa又は裏面Wb(図4参照)に供給するように構成されている。熱処理ユニットU2は、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。   The liquid processing unit U1 is configured to supply various processing liquids or gases to the front surface Wa or the rear surface Wb (see FIG. 4) of the wafer W. The heat treatment unit U2 is configured to heat the wafer W by, for example, a hot plate, and to perform the heat treatment by cooling the heated wafer W by, for example, a cooling plate.

単位処理ブロック14は、ウエハWの表面Wa上に下層膜を形成するように構成された下層膜形成ブロック(BCTブロック)である。単位処理ブロック14は、各ユニットU1,U2にウエハWを搬送する搬送アームA2を内蔵している(図2参照)。単位処理ブロック14の液処理ユニットU1は、下層膜形成用の塗布液(処理液)をウエハWの表面Waに塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック14の熱処理ユニットU2は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止(SiARC)膜が挙げられる。   The unit processing block 14 is a lower layer film forming block (BCT block) configured to form a lower layer film on the surface Wa of the wafer W. The unit processing block 14 includes a transfer arm A2 for transferring the wafer W in each unit U1, U2 (see FIG. 2). The liquid processing unit U1 of the unit processing block 14 applies a coating liquid (processing liquid) for forming a lower layer film to the surface Wa of the wafer W to form a coating film. The heat treatment unit U2 of the unit processing block 14 performs various heat treatments accompanying the formation of the lower layer film. Specific examples of the heat treatment include heat treatment for curing the coating film to form a lower layer film. Examples of the lower layer film include an antireflection (SiARC) film.

単位処理ブロック15は、下層膜上に中間膜を形成するように構成された中間膜(ハードマスク)形成ブロック(HMCTブロック)である。単位処理ブロック15は、各ユニットU1,U2にウエハWを搬送する搬送アームA3を内蔵している(図2参照)。単位処理ブロック15の液処理ユニットU1は、中間膜形成用の塗布液(処理液)を下層膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック15の熱処理ユニットU2は、中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、SOC(Spin On Carbon)膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。   The unit processing block 15 is an intermediate film (hard mask) forming block (HMCT block) configured to form an intermediate film on the lower layer film. The unit processing block 15 includes a transfer arm A3 for transferring the wafer W in each unit U1, U2 (see FIG. 2). The liquid processing unit U1 of the unit processing block 15 applies a coating liquid (processing liquid) for forming an intermediate film on the lower layer film to form a coating film. The heat treatment unit U2 of the unit processing block 15 performs various heat treatments accompanying the formation of the intermediate film. Specific examples of the heat treatment include heat treatment for curing the coating film to form an intermediate film. Examples of the intermediate film include an SOC (Spin On Carbon) film and an amorphous carbon film.

単位処理ブロック16は、熱硬化性を有するレジスト膜を中間膜上に形成するように構成されたレジスト膜形成ブロック(COTブロック)である。単位処理ブロック16は、各ユニットU1,U2にウエハWを搬送する搬送アームA4を内蔵している(図2参照)。単位処理ブロック16の液処理ユニットU1は、レジスト膜形成用の塗布液(処理液)を中間膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック16の熱処理ユニットU2は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理(PAB:Pre Applied Bake)が挙げられる。なお、レジスト膜としては、感光性レジスト膜及び非感光性レジスト膜が含まれる。   The unit processing block 16 is a resist film forming block (COT block) configured to form a thermosetting resist film on the intermediate film. The unit processing block 16 includes a transfer arm A4 for transferring the wafer W in each unit U1, U2 (see FIG. 2). The liquid processing unit U1 of the unit processing block 16 forms a coating film by coating a coating liquid (processing liquid) for forming a resist film on the intermediate film. The heat treatment unit U2 of the unit processing block 16 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film. A specific example of the heat treatment includes a heat treatment (PAB: Pre Applied Bake) for curing the coating film to form a resist film. Note that the resist film includes a photosensitive resist film and a non-photosensitive resist film.

単位処理ブロック17は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成された現像処理ブロック(DEVブロック)である。単位処理ブロック17は、各ユニットU1,U2にウエハWを搬送する搬送アームA5と、これらのユニットを経ずにウエハWを搬送する直接搬送アームA6とを内蔵している(図2参照)。単位処理ブロック17の液処理ユニットU1は、露光後のレジスト膜に現像液(処理液)を供給してレジスト膜を現像する。単位処理ブロック17の液処理ユニットU1は、現像後のレジスト膜に洗浄液(リンス液)を供給して、レジスト膜の溶解成分を現像液と共に洗い流す。洗浄液としては、例えば純水(DIW:deionized water)が挙げられる。これにより、レジスト膜が部分的に除去され、レジストパターンが形成される。単位処理ブロック16の熱処理ユニットU2は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。   The unit processing block 17 is a development processing block (DEV block) configured to perform development processing of the exposed resist film. The unit processing block 17 includes a transfer arm A5 that transfers the wafer W to each unit U1, U2, and a direct transfer arm A6 that transfers the wafer W without passing through these units (see FIG. 2). The liquid processing unit U1 of the unit processing block 17 supplies a developing solution (processing solution) to the resist film after exposure to develop the resist film. The liquid processing unit U1 of the unit processing block 17 supplies a cleaning liquid (rinsing liquid) to the developed resist film and rinses away the dissolved components of the resist film together with the developing liquid. An example of the cleaning liquid is pure water (DIW: deionized water). Thereby, the resist film is partially removed, and a resist pattern is formed. The heat treatment unit U2 of the unit processing block 16 performs various heat treatments associated with the development processing. Specific examples of the heat treatment include a heat treatment before development processing (PEB: Post Exposure Bake), a heat treatment after development processing (PB: Post Bake), and the like.

処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には、図2及び図3に示されるように、棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、床面から単位処理ブロック15にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降アームA7が設けられている。昇降アームA7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウエハWを昇降させる。   As shown in FIGS. 2 and 3, a shelf unit U <b> 10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5. The shelf unit U10 is provided from the floor surface to the unit processing block 15, and is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction. An elevating arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The raising / lowering arm A7 raises / lowers the wafer W between the cells of the shelf unit U10.

処理ブロック5内におけるインターフェースブロック6側には、棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は床面から単位処理ブロック17の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。   A shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5. The shelf unit U11 is provided from the floor to the upper part of the unit processing block 17, and is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction.

インターフェースブロック6は、受け渡しアームA8を内蔵しており、露光装置3に接続される。受け渡しアームA8は、棚ユニットU11のウエハWを取り出して露光装置3に渡し、露光装置3からウエハWを受け取って棚ユニットU11に戻すように構成されている。   The interface block 6 incorporates a delivery arm A8 and is connected to the exposure apparatus 3. The delivery arm A8 is configured to take out the wafer W of the shelf unit U11 and deliver it to the exposure apparatus 3, and to receive the wafer W from the exposure apparatus 3 and return it to the shelf unit U11.

コントローラ10は、基板処理システム1を部分的又は全体的に制御する。コントローラ10は、露光装置3のコントローラとの間で信号の送受信が可能であり、各コントローラの連携により基板処理システム1及び露光装置3が制御される。コントローラ10の詳細については後述する。   The controller 10 controls the substrate processing system 1 partially or entirely. The controller 10 can transmit and receive signals to and from the controller of the exposure apparatus 3, and the substrate processing system 1 and the exposure apparatus 3 are controlled by the cooperation of the controllers. Details of the controller 10 will be described later.

[液処理ユニットの構成]
続いて、図4及び図5を参照して、液処理ユニットU1についてさらに詳しく説明する。ここでは、一例として、単位処理ブロック17内の液処理ユニットU1について説明する。液処理ユニットU1は、図4に示されるように、回転保持部20と、カップ30と、処理液供給部40(第1の供給部)と、気液供給部50(第1の供給部)と、洗浄液供給部60(第2の供給部)と、排気部70と、ブロアBとを備える。
[Configuration of liquid processing unit]
Subsequently, the liquid processing unit U1 will be described in more detail with reference to FIG. 4 and FIG. Here, as an example, the liquid processing unit U1 in the unit processing block 17 will be described. As shown in FIG. 4, the liquid processing unit U1 includes a rotation holding unit 20, a cup 30, a processing liquid supply unit 40 (first supply unit), and a gas-liquid supply unit 50 (first supply unit). A cleaning liquid supply unit 60 (second supply unit), an exhaust unit 70, and a blower B.

回転保持部20は、回転部21と、シャフト22と、保持部23(チャック)とを有する。回転部21は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、シャフト22を回転させる。回転部21は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部23は、シャフト22の先端部に設けられている。保持部23上にはウエハWが配置される。保持部23は、例えば吸着等によりウエハWを略水平に保持するように構成された吸着チャックである。すなわち、回転保持部20は、ウエハWの姿勢が略水平の状態で、ウエハWの表面Waに対して垂直な軸(回転軸)周りでウエハWを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハWの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図4に示されるように、回転保持部20は、上方から見て時計回りにウエハWを所定の回転数で回転させる。ウエハWの回転数は、例えば、10rpm〜2000rpm程度であってもよい。   The rotation holding unit 20 includes a rotation unit 21, a shaft 22, and a holding unit 23 (chuck). The rotating unit 21 operates based on an operation signal from the controller 10 and rotates the shaft 22. The rotating unit 21 is a power source such as an electric motor. The holding part 23 is provided at the tip of the shaft 22. A wafer W is disposed on the holding unit 23. The holding unit 23 is a suction chuck configured to hold the wafer W substantially horizontally, for example, by suction. That is, the rotation holding unit 20 rotates the wafer W around an axis (rotation axis) perpendicular to the surface Wa of the wafer W in a state in which the posture of the wafer W is substantially horizontal. In the present embodiment, since the rotation axis passes through the center of the wafer W having a circular shape, it is also the center axis. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the rotation holding unit 20 rotates the wafer W at a predetermined number of rotations clockwise as viewed from above. The rotation speed of the wafer W may be, for example, about 10 rpm to 2000 rpm.

カップ30は、回転保持部20の周囲に設けられている。カップ30は、ウエハWの処理のためにウエハWに供給された液体と、ダミーディスペンスによりカップ30内に吐出された液体とを受け止める集液容器として機能する。カップ30は、例えば、ポリプロピレン(PP:polypropylene)、ポリ塩化ビニル(PVC: polyvinyl chloride)、ポリフェニレンサルファイド(PPS:Poly Phenylene Sulfide)樹脂等で形成されていてもよい。カップ30は、底壁31と、外周壁32と、内周壁33と、仕切壁34と、排液管35と、排気管36と、斜壁37(内壁部)と、仕切壁38とを有する。   The cup 30 is provided around the rotation holding unit 20. The cup 30 functions as a liquid collection container that receives the liquid supplied to the wafer W for processing the wafer W and the liquid discharged into the cup 30 by the dummy dispense. The cup 30 may be made of, for example, polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), poly phenylene sulfide (PPS) resin, or the like. The cup 30 includes a bottom wall 31, an outer peripheral wall 32, an inner peripheral wall 33, a partition wall 34, a drainage pipe 35, an exhaust pipe 36, an oblique wall 37 (inner wall part), and a partition wall 38. .

底壁31は、回転保持部20を取り囲む円環状を呈している。外周壁32は、回転保持部20に保持されたウエハW及び内周壁33を取り囲む円筒状を呈している。外周壁32は、底壁31の外周縁から鉛直上方に向けて延びている。外周壁32は、回転保持部20に保持されたウエハWの周縁よりも外側に位置する。そのため、外周壁32は、回転保持部20によって保持されつつ回転されるウエハWから振り切られた液体の飛散を防止する機能を有する。外周壁32の上端32a側の部分は、上方に向かうにつれて内側(回転保持部20側)に傾斜した傾斜壁32bである。   The bottom wall 31 has an annular shape surrounding the rotation holding unit 20. The outer peripheral wall 32 has a cylindrical shape surrounding the wafer W and the inner peripheral wall 33 held by the rotation holding unit 20. The outer peripheral wall 32 extends vertically upward from the outer peripheral edge of the bottom wall 31. The outer peripheral wall 32 is located outside the periphery of the wafer W held by the rotation holding unit 20. Therefore, the outer peripheral wall 32 has a function of preventing scattering of the liquid shaken off from the wafer W rotated while being held by the rotation holding unit 20. The portion on the upper end 32a side of the outer peripheral wall 32 is an inclined wall 32b that is inclined inward (rotation holding unit 20 side) as it goes upward.

外周壁32の外周面には、当該外周面から外側に張り出す液受部39が設けられている。液受部39は、外周壁32の外周面と共に液体を受け止める集液容器として機能する。液受部39の下端側で且つ外周壁32の外周面には、カップ30の内外を連通する貫通孔32cが設けられている。液受部39が受け止めた液体は、貫通孔32cを通じてカップ30内に流入する。   A liquid receiver 39 is provided on the outer peripheral surface of the outer peripheral wall 32 so as to project outward from the outer peripheral surface. The liquid receiver 39 functions as a liquid collection container that receives the liquid together with the outer peripheral surface of the outer peripheral wall 32. A through hole 32 c that communicates the inside and outside of the cup 30 is provided on the lower end side of the liquid receiving portion 39 and on the outer peripheral surface of the outer peripheral wall 32. The liquid received by the liquid receiving part 39 flows into the cup 30 through the through hole 32c.

内周壁33は、回転保持部20を取り囲む円筒状を呈している。内周壁33は、底壁31の内周縁から鉛直上方に向けて延びている。内周壁33は、回転保持部20に保持されたウエハWの周縁よりも内側に位置する。内周壁33の上端部には、仕切壁38により閉塞されている。仕切壁38の中央部には貫通孔が設けられており、当該貫通孔内にシャフト22が挿通されている。   The inner peripheral wall 33 has a cylindrical shape surrounding the rotation holding unit 20. The inner peripheral wall 33 extends vertically upward from the inner peripheral edge of the bottom wall 31. The inner peripheral wall 33 is positioned inside the peripheral edge of the wafer W held by the rotation holding unit 20. The upper end portion of the inner peripheral wall 33 is closed by a partition wall 38. A through hole is provided in the center of the partition wall 38, and the shaft 22 is inserted into the through hole.

仕切壁34は、円筒状を呈している。仕切壁34は、底壁31のうち外周壁32と内周壁33との間から鉛直上方に向けて延びている。すなわち、仕切壁34は、内周壁33を囲んでいる。   The partition wall 34 has a cylindrical shape. The partition wall 34 extends vertically upward from between the outer peripheral wall 32 and the inner peripheral wall 33 of the bottom wall 31. That is, the partition wall 34 surrounds the inner peripheral wall 33.

排液管35は、底壁31のうち外周壁32と仕切壁34との間に形成された液体排出孔31aと接続されている。排気管36は、底壁31のうち仕切壁34と内周壁33との間の部分に形成された気体排出孔31bと接続されている。   The drainage pipe 35 is connected to a liquid discharge hole 31 a formed between the outer peripheral wall 32 and the partition wall 34 in the bottom wall 31. The exhaust pipe 36 is connected to a gas exhaust hole 31 b formed in a portion of the bottom wall 31 between the partition wall 34 and the inner peripheral wall 33.

斜壁37は、仕切壁34よりも外側に張り出すように、内周壁33の上端部に取り付けられている。斜壁37は、上方に向けて突出する傘状(山型状)を呈している。すなわち、斜壁37は、回転保持部20の回転軸の径方向において外方に向かうにつれて下方に傾斜する傾斜面Sを含んでいる。傾斜面Sは、回転保持部20に保持されたウエハWのうち周縁部と対向している。そのため、ウエハWから外側に振り切られて落下した液体は、傾斜面Sを流れて外周壁32と仕切壁34との間に導かれ、液体排出孔31a及び排液管35を通じて排出される。   The inclined wall 37 is attached to the upper end portion of the inner peripheral wall 33 so as to protrude outward from the partition wall 34. The inclined wall 37 has an umbrella shape (mountain shape) protruding upward. That is, the inclined wall 37 includes an inclined surface S that is inclined downward as it goes outward in the radial direction of the rotation axis of the rotation holding unit 20. The inclined surface S faces the peripheral edge portion of the wafer W held by the rotation holding unit 20. Therefore, the liquid that has been shaken off from the wafer W and dropped, flows through the inclined surface S, is guided between the outer peripheral wall 32 and the partition wall 34, and is discharged through the liquid discharge hole 31 a and the drainage pipe 35.

処理液供給部40は、ウエハWの表面Waに処理液L1を供給するように構成されている。処理液L1は、例えば現像液であってもよい。処理液供給部40は、液源41と、ポンプ42と、バルブ43と、アーム44(第1のアーム)と、配管45と、駆動機構46(第1の駆動部)と、ノズルN1(処理液ノズル、上側ノズル)とを有する。   The processing liquid supply unit 40 is configured to supply the processing liquid L1 to the surface Wa of the wafer W. The processing liquid L1 may be a developer, for example. The processing liquid supply unit 40 includes a liquid source 41, a pump 42, a valve 43, an arm 44 (first arm), a pipe 45, a driving mechanism 46 (first driving unit), and a nozzle N1 (processing). Liquid nozzle, upper nozzle).

液源41は、処理液L1の供給源として機能する。ポンプ42は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、液源41から処理液L1を吸引し、配管45及びバルブ43を介してノズルN1に送り出す。バルブ43は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ43の前後において配管45を開放及び閉塞させる。   The liquid source 41 functions as a supply source of the processing liquid L1. The pump 42 operates based on an operation signal from the controller 10, sucks the processing liquid L <b> 1 from the liquid source 41, and sends it out to the nozzle N <b> 1 through the pipe 45 and the valve 43. The valve 43 operates based on an operation signal from the controller 10 and opens and closes the pipe 45 before and after the valve 43.

アーム44には、ノズルN1及び駆動機構46が設けられている。図5に示されるように、アーム44には、吐出流量、吐出方向等が互いに異なる複数のノズルN1が設けられていてもよい。配管45は、上流側から順に、液源41、ポンプ42、バルブ43及びノズルN1を接続している。駆動機構46は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、アーム44を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構46は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、アーム44の移動速度及び移動位置を制御してもよい。   The arm 44 is provided with a nozzle N1 and a drive mechanism 46. As shown in FIG. 5, the arm 44 may be provided with a plurality of nozzles N1 having different discharge flow rates, discharge directions, and the like. The pipe 45 connects the liquid source 41, the pump 42, the valve 43, and the nozzle N1 in order from the upstream side. The drive mechanism 46 operates based on an operation signal from the controller 10 and moves the arm 44 in the horizontal direction and the vertical direction. The drive mechanism 46 is a servo motor with an encoder, for example, and may control the moving speed and moving position of the arm 44.

ノズルN1は、吐出口がウエハWの表面Wa又は液受部39に向かうように、ウエハWの上方と液受部39の上方との間を駆動機構46によって移動可能である。ノズルN1は、ポンプ42から送り出された処理液L1を下方に向けて吐出可能である。   The nozzle N <b> 1 can be moved by the driving mechanism 46 between the upper side of the wafer W and the upper side of the liquid receiving unit 39 such that the discharge port faces the surface Wa of the wafer W or the liquid receiving unit 39. The nozzle N1 can discharge the processing liquid L1 sent out from the pump 42 downward.

気液供給部50は、ウエハWの表面Waに洗浄液L2及び乾燥ガスGを供給するように構成されている。洗浄液L2は、例えば純水であってもよい。乾燥ガスGは、各種の不活性ガスであってもよく、例えば窒素ガス(Nガス)であってもよい。気液供給部50は、液源51Aと、ガス源51Bと、ポンプ52A,52Bと、バルブ53A,53Bと、アーム54(第2のアーム)と、配管55A,55Bと、駆動機構56(第2の駆動部)と、ノズルN2(上側ノズル)とを有する。 The gas-liquid supply unit 50 is configured to supply the cleaning liquid L2 and the dry gas G to the surface Wa of the wafer W. The cleaning liquid L2 may be pure water, for example. The dry gas G may be various inert gases, for example, nitrogen gas (N 2 gas). The gas-liquid supply unit 50 includes a liquid source 51A, a gas source 51B, pumps 52A and 52B, valves 53A and 53B, an arm 54 (second arm), pipes 55A and 55B, and a drive mechanism 56 (first 2 drive unit) and a nozzle N2 (upper nozzle).

液源51Aは、洗浄液L2の供給源として機能する。ガス源51Bは、乾燥ガスGの供給源として機能する。ポンプ52Aは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、液源51Aから洗浄液L2を吸引し、配管55A及びバルブ53Aを介してノズルN2に送り出す。ポンプ52Bは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、ガス源51Bから乾燥ガスGを吸引し、配管55B及びバルブ53Bを介してノズルN2に送り出す。バルブ53Aは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ53Aの前後において配管55Aを開放及び閉塞させる。バルブ53Bは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ53Bの前後において配管55Bを開放及び閉塞させる。   The liquid source 51A functions as a supply source of the cleaning liquid L2. The gas source 51B functions as a supply source of the dry gas G. The pump 52A operates based on the operation signal from the controller 10, sucks the cleaning liquid L2 from the liquid source 51A, and sends it out to the nozzle N2 via the pipe 55A and the valve 53A. The pump 52B operates based on the operation signal from the controller 10, sucks the dry gas G from the gas source 51B, and sends it to the nozzle N2 via the pipe 55B and the valve 53B. The valve 53A operates based on an operation signal from the controller 10, and opens and closes the pipe 55A before and after the valve 53A. The valve 53B operates based on an operation signal from the controller 10, and opens and closes the pipe 55B before and after the valve 53B.

アーム54には、ノズルN2及び駆動機構56が取り付けられている。図5に示されるように、アーム54には、洗浄液L2が吐出される複数のノズルN2a(洗浄液ノズル)と、乾燥ガスGが吐出されるノズルN2b(ガスノズル)とが設けられていてもよい。複数のノズルN2aは、吐出流量、吐出方向等が互いに異なっていてもよい。   A nozzle N2 and a drive mechanism 56 are attached to the arm 54. As shown in FIG. 5, the arm 54 may be provided with a plurality of nozzles N2a (cleaning liquid nozzles) from which the cleaning liquid L2 is discharged and nozzles N2b (gas nozzles) from which the dry gas G is discharged. The plurality of nozzles N2a may have different discharge flow rates, discharge directions, and the like.

配管55Aは、上流側から順に、液源51A、ポンプ52A、バルブ53A及びノズルN2aを接続している。配管55Bは、上流側から順に、ガス源51B、ポンプ52B、バルブ53B及びノズルN2bを接続している。駆動機構56は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、アーム54を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構56は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、アーム54の移動速度及び移動位置を制御してもよい。   The pipe 55A connects a liquid source 51A, a pump 52A, a valve 53A, and a nozzle N2a in order from the upstream side. The pipe 55B connects a gas source 51B, a pump 52B, a valve 53B, and a nozzle N2b in order from the upstream side. The drive mechanism 56 operates based on an operation signal from the controller 10 and moves the arm 54 in the horizontal direction and the vertical direction. The drive mechanism 56 is a servo motor with an encoder, for example, and may control the moving speed and moving position of the arm 54.

ノズルN2a,N2bは、吐出口がウエハWの表面Wa又は液受部39に向かうように、ウエハWの上方と液受部39の上方との間を駆動機構56によって移動可能である。ノズルN2aは、ポンプ52Aから送り出された洗浄液L2を下方に向けて吐出可能である。ノズルN2bは、ポンプ52Bから送り出された乾燥ガスGを下方に向けて吐出可能である。   The nozzles N <b> 2 a and N <b> 2 b can be moved between the upper side of the wafer W and the upper side of the liquid receiving unit 39 by the driving mechanism 56 so that the discharge port faces the surface Wa of the wafer W or the liquid receiving unit 39. The nozzle N2a can discharge the cleaning liquid L2 sent out from the pump 52A downward. The nozzle N2b can discharge the dry gas G sent from the pump 52B downward.

洗浄液供給部60は、ウエハWの裏面Wbに洗浄液L3を供給するように構成されている。洗浄液L3は、例えば純水であってもよい。洗浄液供給部60は、液源61と、ポンプ62と、バルブ63と、配管65と、ノズルN3(洗浄液ノズル、下側ノズル)とを有する。   The cleaning liquid supply unit 60 is configured to supply the cleaning liquid L3 to the back surface Wb of the wafer W. The cleaning liquid L3 may be pure water, for example. The cleaning liquid supply unit 60 includes a liquid source 61, a pump 62, a valve 63, a pipe 65, and a nozzle N3 (cleaning liquid nozzle, lower nozzle).

液源61は、洗浄液L3の供給源として機能する。ポンプ62は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、液源61から洗浄液L3を吸引し、配管65及びバルブ63を介してノズルN3に送り出す。バルブ63は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ63の前後において配管65を開放及び閉塞させる。   The liquid source 61 functions as a supply source of the cleaning liquid L3. The pump 62 operates based on an operation signal from the controller 10, sucks the cleaning liquid L <b> 3 from the liquid source 61, and sends it out to the nozzle N <b> 3 through the pipe 65 and the valve 63. The valve 63 operates based on an operation signal from the controller 10 and opens and closes the pipe 65 before and after the valve 63.

配管65は、上流側から順に、液源61、ポンプ62、バルブ63及びノズルN3を接続している。ノズルN3は、吐出口がウエハWの裏面Wbのうち周縁部に向かうように配置されている。ノズルN3は、ポンプ62から送り出された洗浄液L3を斜め上方に向けて吐出可能である。   The pipe 65 connects a liquid source 61, a pump 62, a valve 63, and a nozzle N3 in order from the upstream side. The nozzle N3 is disposed such that the discharge port faces the peripheral edge portion of the back surface Wb of the wafer W. The nozzle N3 can discharge the cleaning liquid L3 sent from the pump 62 obliquely upward.

排気部70は、液処理ユニットU1内又はカップ30内を排気するように構成されている。排気部70は、吸気口71と、ポンプ72と、バルブ73A,73Bと、配管75A〜75Cとを有する。吸気口71は、液処理ユニットU1内に位置しており、液処理ユニットU1内の気体の吸引が行われる。   The exhaust unit 70 is configured to exhaust the liquid processing unit U1 or the cup 30. The exhaust unit 70 includes an intake port 71, a pump 72, valves 73A and 73B, and pipes 75A to 75C. The intake port 71 is located in the liquid processing unit U1, and suction of gas in the liquid processing unit U1 is performed.

ポンプ72は、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、配管75Cを通じて気体の吸引を行う。バルブ73Aは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ73Aの前後において配管75Aを開放及び閉塞させる。バルブ73Bは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、バルブ73Bの前後において配管75Bを開放及び閉塞させる。   The pump 72 operates based on an operation signal from the controller 10 and sucks gas through the pipe 75C. The valve 73A operates based on an operation signal from the controller 10, and opens and closes the pipe 75A before and after the valve 73A. The valve 73B operates based on an operation signal from the controller 10, and opens and closes the pipe 75B before and after the valve 73B.

配管75Aは、吸気口71に接続されている。配管75Bは、カップ30の排気管36に接続されている。配管75Cは、配管75A,75Bと接続されており、液処理ユニットU1外まで延びている。そのため、バルブ73Aが開放状態で且つバルブ73Bが閉鎖状態のときにポンプ72が動作すると、液処理ユニットU1内の排気が行われる。具体的には、液処理ユニットU1内の気体が吸気口71から吸引され、配管75A,75Cを通じて液処理ユニットU1外に排出される。一方、バルブ73Aが閉鎖状態で且つバルブ73Bが開放状態のときにポンプ72が動作すると、カップ30内の排気が行われる。具体的には、カップ30の気体が斜壁37と仕切壁34との間から排気管36内に流入して、配管75B,75Cを通じて液処理ユニットU1外に排出される。   The pipe 75 </ b> A is connected to the intake port 71. The pipe 75 </ b> B is connected to the exhaust pipe 36 of the cup 30. The pipe 75C is connected to the pipes 75A and 75B and extends to the outside of the liquid processing unit U1. Therefore, if the pump 72 operates when the valve 73A is open and the valve 73B is closed, the liquid processing unit U1 is exhausted. Specifically, the gas in the liquid processing unit U1 is sucked from the intake port 71 and discharged out of the liquid processing unit U1 through the pipes 75A and 75C. On the other hand, if the pump 72 operates when the valve 73A is closed and the valve 73B is opened, the exhaust in the cup 30 is performed. Specifically, the gas in the cup 30 flows into the exhaust pipe 36 from between the inclined wall 37 and the partition wall 34 and is discharged out of the liquid processing unit U1 through the pipes 75B and 75C.

ブロアBは、液処理ユニットU1内の上方に配置されている。ブロアBは、コントローラ10からの動作信号に基づいて動作し、カップ30に向けてダウンフローを形成する。   The blower B is disposed above the liquid processing unit U1. The blower B operates based on an operation signal from the controller 10 and forms a downflow toward the cup 30.

[コントローラの構成]
コントローラ10は、図6に示されるように、機能モジュールとして、読取部M1と、記憶部M2と、処理部M3と、指示部M4とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ10の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ10を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路(例えば論理回路)、又は、これを集積した集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)により実現されるものであってもよい。
[Controller configuration]
As illustrated in FIG. 6, the controller 10 includes a reading unit M1, a storage unit M2, a processing unit M3, and an instruction unit M4 as functional modules. These functional modules are merely the functions of the controller 10 divided into a plurality of modules for convenience, and do not necessarily mean that the hardware constituting the controller 10 is divided into such modules. Each functional module is not limited to that realized by executing a program, but is realized by a dedicated electric circuit (for example, a logic circuit) or an integrated circuit (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) in which this is integrated. May be.

読取部M1は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体RMからプログラムを読み取る。記録媒体RMは、基板処理システム1の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体RMとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。   The reading unit M1 reads a program from a computer-readable recording medium RM. The recording medium RM records a program for operating each part of the substrate processing system 1. As the recording medium RM, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or a magneto-optical recording disk may be used.

記憶部M2は、種々のデータを記憶する。記憶部M2は、例えば、読取部M1において記録媒体RMから読み出したプログラム、ウエハWを処理する際の各種データ(いわゆる処理レシピ)、外部入力装置(図示せず)を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。   The storage unit M2 stores various data. The storage unit M2 is inputted by an operator via, for example, a program read from the recording medium RM in the reading unit M1, various data (so-called processing recipe) when processing the wafer W, and an external input device (not shown). Stores setting data and the like.

処理部M3は、各種データを処理する。処理部M3は、例えば、記憶部M2に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットU1(例えば、回転保持部20、ポンプ42,52A,52B,62,72、バルブ43,53A,53B,63,73A,73B、駆動機構46,56、ブロアB等)及び熱処理ユニットU2を動作させるための動作信号を生成する。   The processing unit M3 processes various data. The processing unit M3, for example, based on various data stored in the storage unit M2, the liquid processing unit U1 (for example, the rotation holding unit 20, pumps 42, 52A, 52B, 62, 72, valves 43, 53A, 53B). , 63, 73A, 73B, drive mechanisms 46, 56, blower B, etc.) and heat treatment unit U2 are generated.

指示部M4は、処理部M3において生成された動作信号を各種装置に送信する。   The instruction unit M4 transmits the operation signal generated in the processing unit M3 to various devices.

コントローラ10のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ10は、ハードウェア上の構成として、例えば図7に示される回路10Aを有する。回路10Aは、電気回路要素(circuitry)で構成されていてもよい。回路10Aは、具体的には、プロセッサ10Bと、メモリ10C(記憶部)と、ストレージ10D(記憶部)と、ドライバ10Eと、入出力ポート10Fとを有する。プロセッサ10Bは、メモリ10C及びストレージ10Dの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート10Fを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリ10C及びストレージ10Dは、記憶部M2として機能する。ドライバ10Eは、基板処理システム1の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート10Fは、ドライバ10Eと基板処理システム1の各種装置(例えば、回転保持部20、ポンプ42,52A,52B,62,72、バルブ43,53A,53B,63,73A,73B、駆動機構46,56、ブロアB等)との間で、信号の入出力を行う。   The hardware of the controller 10 is configured by one or a plurality of control computers, for example. The controller 10 includes, for example, a circuit 10A illustrated in FIG. 7 as a hardware configuration. The circuit 10A may be composed of electric circuit elements (circuitry). Specifically, the circuit 10A includes a processor 10B, a memory 10C (storage unit), a storage 10D (storage unit), a driver 10E, and an input / output port 10F. The processor 10B executes the program in cooperation with at least one of the memory 10C and the storage 10D, and executes the input / output of signals through the input / output port 10F, thereby configuring each functional module described above. The memory 10C and the storage 10D function as the storage unit M2. The driver 10 </ b> E is a circuit that drives various devices of the substrate processing system 1. The input / output port 10F includes a driver 10E and various devices of the substrate processing system 1 (for example, the rotation holding unit 20, pumps 42, 52A, 52B, 62, 72, valves 43, 53A, 53B, 63, 73A, 73B, drive mechanism) 46, 56, blower B, etc.).

本実施形態では、基板処理システム1は、一つのコントローラ10を備えているが、複数のコントローラ10で構成されるコントローラ群(制御部)を備えていてもよい。基板処理システム1がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ10によって実現されていてもよいし、2個以上のコントローラ10の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ10が複数のコンピュータ(回路10A)で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ(回路10A)によって実現されていてもよいし、2つ以上のコンピュータ(回路10A)の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ10は、複数のプロセッサ10Bを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ10Bによって実現されていてもよいし、2つ以上のプロセッサ10Bの組み合わせによって実現されていてもよい。   In the present embodiment, the substrate processing system 1 includes one controller 10, but may include a controller group (control unit) including a plurality of controllers 10. When the substrate processing system 1 includes a controller group, each of the functional modules may be realized by a single controller 10 or may be realized by a combination of two or more controllers 10. . When the controller 10 is composed of a plurality of computers (circuit 10A), each of the above functional modules may be realized by one computer (circuit 10A), or two or more computers (circuit 10A). ) May be realized. The controller 10 may have a plurality of processors 10B. In this case, each of the functional modules may be realized by one processor 10B, or may be realized by a combination of two or more processors 10B.

[ダミーディスペンス方法]
続いて、図4、図5、図8及び図9を参照して、ノズルN1,N2からダミーディスペンスする方法を説明する。ダミーディスペンス処理の初期状態では、回転保持部20にウエハWが保持されておらず、ノズルN1,N2は液受部39の上方で待機している(図9参照)。すなわち、液受部39の上方は、ノズルN1,N2から液体又はガスの吐出が行われていない場合にノズルN1,N2が待機する待機位置として機能する。
[Dummy dispensing method]
Subsequently, a method of performing dummy dispensing from the nozzles N1 and N2 will be described with reference to FIGS. In the initial state of the dummy dispensing process, the wafer W is not held by the rotation holding unit 20, and the nozzles N1 and N2 stand by above the liquid receiving unit 39 (see FIG. 9). That is, the upper part of the liquid receiving part 39 functions as a standby position where the nozzles N1 and N2 stand by when no liquid or gas is discharged from the nozzles N1 and N2.

続いて、初期状態から、コントローラ10は、ブロアB、バルブ73B及びポンプ72を制御して、ブロアBを動作させると共にカップ30内の排気を行う(図8のステップS10参照)。これにより、液処理ユニットU1内にダウンブロー(下降流)が生じ、液処理ユニットU1内の気体がカップ30内及び排気管36を通じて液処理ユニットU1外に排出される状態が継続される。   Subsequently, from the initial state, the controller 10 controls the blower B, the valve 73B and the pump 72 to operate the blower B and exhaust the cup 30 (see step S10 in FIG. 8). Thereby, a down blow (downflow) is generated in the liquid processing unit U1, and the state in which the gas in the liquid processing unit U1 is discharged out of the liquid processing unit U1 through the cup 30 and the exhaust pipe 36 is continued.

続いて、コントローラ10は、駆動機構46を制御して、ノズルN1を待機位置から外周壁32と回転保持部20との間の内側領域R(図4参照)に移動させる(第1の処理;第1の工程;図8のステップS11参照)。本実施形態では、ノズルN1は、傾斜面Sの上方に移動される。具体的には、ノズルN1は、図5に示されるように、傾斜面Sのうち回転保持部20よりも待機位置側(液受部39側)の領域R1(図5の右上がり斜線で示される領域;第1の領域)上に位置する。   Subsequently, the controller 10 controls the drive mechanism 46 to move the nozzle N1 from the standby position to the inner region R (see FIG. 4) between the outer peripheral wall 32 and the rotation holding unit 20 (first process; First step; see step S11 in FIG. In the present embodiment, the nozzle N1 is moved above the inclined surface S. Specifically, as shown in FIG. 5, the nozzle N <b> 1 has a region R <b> 1 (indicated by a right-upward oblique line in FIG. 5) on the inclined surface S on the standby position side (liquid receiving unit 39 side) relative to the rotation holding unit 20. The first region).

続いて、コントローラ10は、駆動機構56を制御して、ノズルN2を待機位置から外周壁32と回転保持部20との間の内側領域R(図4参照)に移動させる(第2の処理;第2の工程;図8のステップS12参照)。本実施形態では、ノズルN2は、傾斜面Sの上方に移動される。具体的には、ノズルN2は、図5に示されるように、傾斜面Sのうち回転保持部20よりも待機位置(液受部39)とは離れた側の領域R2(図5の右下がり斜線で示される領域;第2の領域)上に位置する。   Subsequently, the controller 10 controls the drive mechanism 56 to move the nozzle N2 from the standby position to the inner region R (see FIG. 4) between the outer peripheral wall 32 and the rotation holding unit 20 (second process; Second step; see step S12 in FIG. 8). In the present embodiment, the nozzle N2 is moved above the inclined surface S. Specifically, as shown in FIG. 5, the nozzle N <b> 2 has a region R <b> 2 (lower right in FIG. 5) on the side of the inclined surface S that is farther from the standby position (liquid receiver 39) than the rotation holding unit 20. It is located on the area | region shown with a diagonal line; 2nd area | region).

続いて、コントローラ10は、ポンプ42及びバルブ43を制御して、ノズルN1から処理液L1を傾斜面Sの領域R1に吐出させる(第3の処理;第3の工程;図8のステップS13参照)。これにより、ノズルN1においてダミーディスペンス処理が行われる。なお、アーム44に複数のノズルN1が設けられている場合、各ノズルN1から同種の又は異種の処理液L1を同時に吐出させてもよいし、各ノズルN1から同種の又は異種の処理液L1を異なるタイミングで吐出させてもよい。   Subsequently, the controller 10 controls the pump 42 and the valve 43 to discharge the processing liquid L1 from the nozzle N1 to the region R1 of the inclined surface S (third process; third process; see step S13 in FIG. 8). ). Thereby, the dummy dispensing process is performed in the nozzle N1. When a plurality of nozzles N1 are provided on the arm 44, the same kind or different kinds of processing liquids L1 may be discharged simultaneously from each nozzle N1, or the same kind or different kinds of processing liquids L1 may be discharged from each nozzle N1. You may make it discharge at a different timing.

続いて、コントローラ10は、ポンプ52A,52B及びバルブ53A,53Bを制御して、ノズルN2から洗浄液L2及び乾燥ガスGを傾斜面Sの領域R2に吐出させる(第3の処理;第3の工程;図8のステップS14参照)。これにより、ノズルN2においてダミーディスペンス処理が行われる。なお、アーム54に複数のノズルN2aが設けられている場合、各ノズルN2aから同種の又は異種の洗浄液L2を同時に吐出させてもよいし、各ノズルN2aから同種の又は異種の洗浄液L2を異なるタイミングで吐出させてもよい。また、ノズルN2a,N2bから、洗浄液L2及び乾燥ガスGを同時に吐出させてもよいし、洗浄液L2及び乾燥ガスGを異なるタイミングで吐出させてもよい。   Subsequently, the controller 10 controls the pumps 52A and 52B and the valves 53A and 53B to discharge the cleaning liquid L2 and the dry gas G from the nozzle N2 to the region R2 of the inclined surface S (third process; third step). ; See step S14 in FIG. 8). Thereby, the dummy dispensing process is performed in the nozzle N2. When a plurality of nozzles N2a are provided on the arm 54, the same kind or different kinds of cleaning liquids L2 may be simultaneously discharged from each nozzle N2a, or the same kind or different kinds of cleaning liquids L2 may be discharged from each nozzle N2a at different timings. May be discharged. Further, the cleaning liquid L2 and the dry gas G may be discharged simultaneously from the nozzles N2a and N2b, or the cleaning liquid L2 and the dry gas G may be discharged at different timings.

続いて、コントローラ10は、駆動機構46を制御して、ノズルN1を傾斜面S(領域R1)の上方から待機位置に移動させる(図8のステップS15参照)。同様に、コントローラ10は、駆動機構56を制御して、ノズルN2を傾斜面S(領域R2)の上方から待機位置に移動させる(図8のステップS16参照)。   Subsequently, the controller 10 controls the drive mechanism 46 to move the nozzle N1 from above the inclined surface S (region R1) to the standby position (see step S15 in FIG. 8). Similarly, the controller 10 controls the drive mechanism 56 to move the nozzle N2 from above the inclined surface S (region R2) to the standby position (see step S16 in FIG. 8).

その後、コントローラ10は、バルブ73A,73Bを制御して、バルブ73Aを開放させ且つバルブ73Bを閉鎖させる(図8のステップS17参照)。これにより、吸気口71から液処理ユニットU1内の気体を排気させる。以上により、ノズルN1,N2におけるダミーディスペンス処理が完了する。   Thereafter, the controller 10 controls the valves 73A and 73B to open the valve 73A and close the valve 73B (see step S17 in FIG. 8). Accordingly, the gas in the liquid processing unit U1 is exhausted from the intake port 71. Thus, the dummy dispensing process at the nozzles N1 and N2 is completed.

[作用]
以上のような本実施形態では、コントローラ10は、処理液供給部40を制御して、ノズルN1から処理液L1を内側領域Rにダミーディスペンスさせている。カップ30内の空間は従来のノズルバスと比較して広いので、カップ30内に位置する斜壁37の傾斜面Sに対してノズルN1から処理液L1を吐出しても、カップ30内から跳ね返った処理液L1が上側ノズルに届き難い。従って、処理されたウエハWに欠陥が生じ難くなる。また、本実施形態では、ノズルN1からカップ30内にダミーディスペンスされる。そのため、ダミーディスペンスのためのノズルバスが不要となる。従って、液処理ユニットU1の小型化を図ることが可能となる。
[Action]
In the present embodiment as described above, the controller 10 controls the processing liquid supply unit 40 to perform the dummy dispensing of the processing liquid L1 from the nozzle N1 to the inner region R. Since the space in the cup 30 is larger than that of the conventional nozzle bath, even if the processing liquid L1 is ejected from the nozzle N1 to the inclined surface S of the inclined wall 37 located in the cup 30, it rebounds from the cup 30. It is difficult for the processing liquid L1 to reach the upper nozzle. Accordingly, defects are less likely to occur in the processed wafer W. Further, in the present embodiment, dummy dispensing is performed from the nozzle N1 into the cup 30. This eliminates the need for a nozzle bath for dummy dispensing. Therefore, the liquid processing unit U1 can be downsized.

本実施形態では、外周壁32と回転保持部20との間で且つカップ30内に位置する斜壁37を有し、コントローラ10は、処理液供給部40を制御して、ノズルN1から処理液L1を斜壁37にダミーディスペンスさせている。そのため、ノズルN1から処理液L1が確実にカップ30内に吐出される。従って、ノズルN1への液跳ねをより抑制することが可能となる。   In the present embodiment, the controller 10 has a slant wall 37 located between the outer peripheral wall 32 and the rotation holding unit 20 and in the cup 30, and the controller 10 controls the processing liquid supply unit 40 to control the processing liquid from the nozzle N <b> 1. L1 is dummy-dispensed on the inclined wall 37. Therefore, the processing liquid L1 is reliably discharged from the nozzle N1 into the cup 30. Therefore, it is possible to further suppress the liquid splash to the nozzle N1.

本実施形態では、コントローラ10は、処理液供給部40を制御して、ノズルN1から処理液L1を内側領域Rのうち特に傾斜面Sにダミーディスペンスさせている。そのため、傾斜面Sから跳ね返った処理液L1がノズルN1に向かい難い。従って、ノズルN1への液跳ねをいっそう抑制することが可能となる。   In the present embodiment, the controller 10 controls the processing liquid supply unit 40 to perform the dummy dispensing of the processing liquid L1 from the nozzle N1 particularly on the inclined surface S in the inner region R. Therefore, it is difficult for the processing liquid L1 that has bounced off the inclined surface S toward the nozzle N1. Therefore, it is possible to further suppress the liquid splash to the nozzle N1.

本実施形態では、カップ30の外周面に液受部39が設けられており、液受部39の上方においてノズルN1,N2が待機可能である。そのため、ノズルN1,N2がカップ30内に処理液L1又は洗浄液L2を吐出しない待機状態において、ノズルN1,N2が液受部39の上方の待機位置で待機する。従って、待機状態のノズルN1,N2から処理液L1又は洗浄液L2が滴っても、滴下した液体が液受部39によって受け止められるので、処理液L1又は洗浄液L2によるカップ30の外部の汚染を抑制することが可能となる。また、液受部39の一部がカップ30の外周面で構成されているので、液受部39自体を小型化できる。そのため、液処理ユニットU1のさらなる小型化を図ることが可能となる。   In the present embodiment, a liquid receiving portion 39 is provided on the outer peripheral surface of the cup 30, and the nozzles N <b> 1 and N <b> 2 can stand by above the liquid receiving portion 39. Therefore, in a standby state where the nozzles N1 and N2 do not discharge the processing liquid L1 or the cleaning liquid L2 into the cup 30, the nozzles N1 and N2 stand by at a standby position above the liquid receiving unit 39. Therefore, even if the processing liquid L1 or the cleaning liquid L2 drops from the nozzles N1 and N2 in the standby state, the dropped liquid is received by the liquid receiving unit 39, so that contamination of the outside of the cup 30 by the processing liquid L1 or the cleaning liquid L2 is suppressed. It becomes possible. In addition, since a part of the liquid receiving part 39 is constituted by the outer peripheral surface of the cup 30, the liquid receiving part 39 itself can be miniaturized. Therefore, the liquid processing unit U1 can be further downsized.

本実施形態では、ノズルN1,N2からのダミーディスペンスが、カップ30内を排気した状態で行われる。そのため、ノズルN1,N2からそれぞれ吐出された処理液L1及び洗浄液L2がカップ30内の物体に衝突し、これらがミスト状に変化した場合でも、当該ミストがカップ30内から排気される。従って、ミストが周囲に拡がらないので、ノズルN1,N2に対するミストの付着を抑制することが可能となる。その結果、ノズルN1,N2の表面においてミストが凝集して液滴となり、当該液滴がウエハWの処理時にウエハWに落下することが抑制されるので、処理されたウエハWに欠陥が生じ難くなる。   In the present embodiment, dummy dispensing from the nozzles N1 and N2 is performed in a state where the inside of the cup 30 is exhausted. Therefore, even when the processing liquid L1 and the cleaning liquid L2 respectively discharged from the nozzles N1 and N2 collide with objects in the cup 30 and change into a mist shape, the mist is exhausted from the cup 30. Accordingly, since the mist does not spread around, it is possible to suppress the mist from adhering to the nozzles N1 and N2. As a result, mist aggregates on the surfaces of the nozzles N1 and N2 to form droplets, and the droplets are prevented from dropping onto the wafer W during the processing of the wafer W, so that the processed wafer W is less likely to be defective. Become.

本実施形態では、ノズルN1,N2からのダミーディスペンスの際に、ノズルN1とノズルN2とが回転保持部20を間において向かい合うように位置する。そのため、跳ね返った液が相互に付着し難くなる。従って、両ノズルN1,N2に対する液跳ねを抑制しつつ両ノズルN1,N2から同時にダミーディスペンスすることが可能となる。そのため、ダミーディスペンスの処理時間が短縮化されるので、スループットの向上を図ることが可能となる。   In the present embodiment, the nozzle N1 and the nozzle N2 are positioned so as to face each other with the rotation holding unit 20 therebetween when performing dummy dispensing from the nozzles N1 and N2. For this reason, the rebounded liquids hardly adhere to each other. Therefore, it is possible to perform dummy dispensing from both nozzles N1 and N2 at the same time while suppressing liquid splashing with respect to both nozzles N1 and N2. As a result, the processing time for dummy dispensing is shortened, and the throughput can be improved.

本実施形態では、ノズルN1からの処理液L1のダミーディスペンスが傾斜面Sのうち領域R1に対して行われる。そのため、ノズルN1におけるダミーディスペンス処理に際して、ノズルN1が回転保持部20を超えない。従って、ノズルN1の移動中にノズルN1から処理液L1が滴っても、回転保持部20(保持部23)に処理液L1が付着し難くなる。その結果、処理液L1による回転保持部20(保持部23)の汚染を抑制することが可能となる。   In the present embodiment, dummy dispensing of the processing liquid L1 from the nozzle N1 is performed on the region R1 in the inclined surface S. Therefore, the nozzle N1 does not exceed the rotation holding unit 20 during the dummy dispensing process in the nozzle N1. Therefore, even if the processing liquid L1 drops from the nozzle N1 during the movement of the nozzle N1, the processing liquid L1 is difficult to adhere to the rotation holding unit 20 (holding unit 23). As a result, it is possible to suppress contamination of the rotation holding unit 20 (holding unit 23) with the processing liquid L1.

[他の実施形態]
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。
[Other Embodiments]
As mentioned above, although embodiment concerning this indication was described in detail, you may add various deformation | transformation to said embodiment within the range of the summary of this invention.

(変形例1)
例えば、ノズルN2から吐出される乾燥ガスGを利用して回転保持部20の保持部23をクリーニングしてもよい。この変形例1について、図10及び図11を参照して具体的に説明する。まず、上述のステップS10と同様に、初期状態においてカップ30内の排気を行う(図10のステップS20参照)。
(Modification 1)
For example, the holding unit 23 of the rotation holding unit 20 may be cleaned using the dry gas G discharged from the nozzle N2. Modification 1 will be specifically described with reference to FIGS. 10 and 11. First, similarly to the above-described step S10, the exhaust in the cup 30 is performed in the initial state (see step S20 in FIG. 10).

続いて、コントローラ10は、駆動機構56を制御して、ノズルN2の吐出口が保持部23の中央部の上方に位置するようにノズルN2を移動させる(図10のステップS21及び図11参照)。続いて、コントローラ10は、回転保持部20を制御して、保持部23を回転部21により回転させる(図10のステップS22及び図11参照)。   Subsequently, the controller 10 controls the drive mechanism 56 to move the nozzle N2 so that the discharge port of the nozzle N2 is located above the central portion of the holding unit 23 (see step S21 in FIG. 10 and FIG. 11). . Subsequently, the controller 10 controls the rotation holding unit 20 to rotate the holding unit 23 by the rotation unit 21 (see step S22 in FIG. 10 and FIG. 11).

続いて、保持部23が回転している状態で、コントローラ10は、ポンプ52B及びバルブ53Bを制御して、ノズルN2bから乾燥ガスGを保持部23の中央部に供給させる(第4の処理;第4の工程;図10のステップS23及び図11参照)。また、コントローラ10は、駆動機構56を制御して、回転保持部20の中心軸の径方向において外方(保持部23の周縁側)に向けてノズルN2を移動させる(同参照)。   Subsequently, in a state where the holding unit 23 is rotating, the controller 10 controls the pump 52B and the valve 53B to supply the dry gas G from the nozzle N2b to the central part of the holding unit 23 (fourth process; Fourth step; see step S23 in FIG. 10 and FIG. 11). Further, the controller 10 controls the drive mechanism 56 to move the nozzle N2 toward the outside (periphery side of the holding portion 23) in the radial direction of the central axis of the rotation holding portion 20 (see the same).

ノズルN2が保持部23の周縁に到達すると、コントローラ10は、ポンプ52B及びバルブ53Bを制御して、ノズルN2bからの乾燥ガスGの吐出を停止させる(図10のステップS24参照)。また、コントローラ10は、回転保持部20を制御して、保持部23の回転を停止させる(同参照)。   When the nozzle N2 reaches the periphery of the holding unit 23, the controller 10 controls the pump 52B and the valve 53B to stop the discharge of the dry gas G from the nozzle N2b (see step S24 in FIG. 10). Further, the controller 10 controls the rotation holding unit 20 to stop the rotation of the holding unit 23 (see the same).

続いて、上述のステップS16,S17と同様に、ノズルN2を待機位置に移動させると共に(図10のステップS25参照)、液処理ユニットU1内の気体を排気させる(図10のステップS26参照)。   Subsequently, the nozzle N2 is moved to the standby position (see step S25 in FIG. 10), and the gas in the liquid processing unit U1 is exhausted (see step S26 in FIG. 10), as in steps S16 and S17 described above.

以上に述べた変形例1によれば、回転中の保持部23にノズルN2bから乾燥ガスGが供給される。そのため、保持部23に付着しているパーティクル等の異物が除去される。特に、保持部23の中央部においては、保持部23が回転しても異物に遠心力が作用し難いので、乾燥ガスGの保持部23への吹き付けにより異物が効果的に除去される。従って、保持部23によるウエハWの吸着力が維持される。このように、人手によらずノズルN2bにより機械的に保持部23のクリーニングが完了するので、クリーニング処理の自動化及び短時間化することが可能となる。   According to the modified example 1 described above, the dry gas G is supplied from the nozzle N2b to the rotating holding unit 23. Therefore, foreign matters such as particles adhering to the holding unit 23 are removed. In particular, in the central portion of the holding portion 23, since the centrifugal force hardly acts on the foreign matter even when the holding portion 23 rotates, the foreign matter is effectively removed by spraying the dry gas G onto the holding portion 23. Accordingly, the suction force of the wafer W by the holding unit 23 is maintained. As described above, since the cleaning of the holding unit 23 is mechanically completed by the nozzle N2b regardless of the manual operation, the cleaning process can be automated and shortened.

(変形例2)
例えば、ノズルN2から吐出される乾燥ガスG及び洗浄液L2を利用して回転保持部20の保持部23をクリーニングしてもよい。この形態について、図12及び図13を参照して具体的に説明する。まず、上述のステップS20〜S22と同様の処理を行う。具体的には、初期状態においてカップ30内の排気を行う(図12のステップS30参照)。次に、ノズルN2の吐出口が保持部23の中央部の上方に位置するようにノズルN2を移動させる(図12のステップS31及び図13(a)参照)。次に、保持部23を回転させる(図12のステップS32及び図13(a)参照)。
(Modification 2)
For example, the holding unit 23 of the rotation holding unit 20 may be cleaned using the dry gas G and the cleaning liquid L2 discharged from the nozzle N2. This form will be specifically described with reference to FIGS. First, the same processing as in steps S20 to S22 described above is performed. Specifically, the exhaust in the cup 30 is performed in the initial state (see step S30 in FIG. 12). Next, the nozzle N2 is moved so that the discharge port of the nozzle N2 is positioned above the central portion of the holding unit 23 (see step S31 in FIG. 12 and FIG. 13A). Next, the holding unit 23 is rotated (see step S32 in FIG. 12 and FIG. 13A).

続いて、保持部23が回転している状態で、コントローラ10は、ポンプ52B及びバルブ53Bを制御して、ノズルN2bから乾燥ガスGを保持部23の中央部に供給させる(第4の処理;第4の工程;図12のステップS33及び図13(a)参照)。また、コントローラ10は、駆動機構56を制御して、回転保持部20の中心軸の径方向において外方(保持部23の周縁側)に向けてノズルN2を移動させる(同参照)。このとき、ノズルN2は、回転保持部20の中心軸と、当該中心軸から所定距離だけ離れた第1の地点との間の第1の区間を移動する。第1の地点は、保持部23によってウエハWを吸着するために保持部23の中央部に設けられている吸引孔(図示せず)よりも外側であってもよい。すなわち、第1の地点は、例えば、吸引孔から5mm程度外方の地点であってもよく、中心軸から15mm程度の地点であってもよい。   Subsequently, in a state where the holding unit 23 is rotating, the controller 10 controls the pump 52B and the valve 53B to supply the dry gas G from the nozzle N2b to the central part of the holding unit 23 (fourth process; Fourth step; see step S33 in FIG. 12 and FIG. 13A). Further, the controller 10 controls the drive mechanism 56 to move the nozzle N2 toward the outside (periphery side of the holding portion 23) in the radial direction of the central axis of the rotation holding portion 20 (see the same). At this time, the nozzle N2 moves in a first section between the central axis of the rotation holding unit 20 and a first point that is a predetermined distance away from the central axis. The first point may be outside a suction hole (not shown) provided in the central portion of the holding unit 23 in order to suck the wafer W by the holding unit 23. That is, the first point may be, for example, a point about 5 mm outward from the suction hole, or a point about 15 mm from the central axis.

ノズルN2が第1の地点に到達すると、ノズルN2bから乾燥ガスGが吐出されたままの状態で、コントローラ10は、ポンプ52A及びバルブ53Aを制御して、ノズルN2aから洗浄液L2を保持部の中間領域(中央部と周縁部との間)に供給させる(第4の処理;第4の工程;図12のステップS34及び図13(b)参照)。このとき、ノズルN2は、第1の地点と、回転保持部20の中心軸から第2の地点よりもさらに離れた第2の地点との間の第2の区間を移動する。第2の地点は、保持部23の周縁部よりも内側に位置する。第2の地点は、例えば、保持部23の周縁から10mm程度内方の地点であってもよく、中心軸から55mm程度の地点であってもよい。   When the nozzle N2 reaches the first point, the controller 10 controls the pump 52A and the valve 53A while the dry gas G is being discharged from the nozzle N2b, so that the cleaning liquid L2 from the nozzle N2a is in the middle of the holding unit. It is made to supply to an area | region (between a center part and a peripheral part) (4th process; 4th process; Refer FIG.12 S34 and FIG.13 (b)). At this time, the nozzle N2 moves in a second section between the first point and a second point further away from the central point of the rotation holding unit 20 than the second point. The second point is located inside the peripheral edge of the holding part 23. The second point may be, for example, a point about 10 mm inward from the periphery of the holding unit 23 or a point about 55 mm from the central axis.

ノズルN2が第2の地点に到達すると、ノズルN2bから乾燥ガスGが吐出されたままの状態で、コントローラ10は、ポンプ52A及びバルブ53Aを制御して、ノズルN2aからの洗浄液L2の吐出を停止させる(第4の処理;第4の工程;図12のステップS35及び図13(c)参照)。このとき、ノズルN2は、第2の地点と保持部23の周縁との間の第3の区間を移動する。   When the nozzle N2 reaches the second point, the controller 10 controls the pump 52A and the valve 53A to stop the discharge of the cleaning liquid L2 from the nozzle N2a while the dry gas G is being discharged from the nozzle N2b. (Fourth process; fourth step; see step S35 in FIG. 12 and FIG. 13 (c)). At this time, the nozzle N <b> 2 moves in the third section between the second point and the periphery of the holding unit 23.

続いて、上述のステップS24〜S26と同様に、ノズルN2bからの乾燥ガスGの吐出を停止させると共に保持部23の回転を停止させ(図12のステップS36参照)、ノズルN2を待機位置に移動させた後(図12のステップS37参照)、液処理ユニットU1内の気体を排気させる(図12のステップS38参照)。   Subsequently, similarly to steps S24 to S26 described above, the discharge of the dry gas G from the nozzle N2b is stopped and the rotation of the holding unit 23 is stopped (see step S36 in FIG. 12), and the nozzle N2 is moved to the standby position. After that (see step S37 in FIG. 12), the gas in the liquid processing unit U1 is exhausted (see step S38 in FIG. 12).

以上に述べた変形例2によれば、変形例1と同様の作用効果を奏する。また、変形例2によれば、乾燥ガスGのみならず洗浄液L2を保持部23に供給しているので、保持部23をより清浄化することが可能となる。また、洗浄液L2が保持部23の中央部に供給されていないので、保持部23の中央部に位置する吸引孔に洗浄液L2が入り込み難くなる。そのため、保持部23によるウエハWの吸着能力の低下を抑制することが可能となる。さらに、保持部23の周縁部には、ノズルN2bから乾燥ガスGが供給される一方でノズルN2aから洗浄液L2が供給されないので、遠心力によって保持部23の周縁部に拡がった洗浄液L2が乾燥ガスGによって吹き飛ばされる。そのため、保持部23に洗浄液L2が残存することが抑制される。従って、保持部23を洗浄液L2及び乾燥ガスGによってクリーニングしつつ、保持部23の洗浄液L2による汚染を抑制することが可能となる。なお、ノズルN2bがノズルN2aよりもアーム54の進行方向において後方に位置していると、ノズルN2bから吐出される乾燥ガスGがノズルN2aから吐出される洗浄液L2を常に外方に向けて吹き飛ばすので、保持部23の表面に洗浄液L2が残り難くなる。   According to Modification 2 described above, the same operational effects as Modification 1 can be obtained. Moreover, according to the modified example 2, since not only the dry gas G but also the cleaning liquid L2 is supplied to the holding unit 23, the holding unit 23 can be further cleaned. Further, since the cleaning liquid L2 is not supplied to the central part of the holding part 23, the cleaning liquid L2 is difficult to enter the suction hole located in the central part of the holding part 23. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the wafer W adsorption capability by the holding unit 23. Furthermore, since the drying gas G is supplied from the nozzle N2b to the peripheral portion of the holding unit 23 while the cleaning liquid L2 is not supplied from the nozzle N2a, the cleaning liquid L2 that has spread to the peripheral portion of the holding unit 23 by the centrifugal force is the dry gas. B blown away by G. For this reason, the cleaning liquid L <b> 2 is suppressed from remaining in the holding unit 23. Therefore, it is possible to suppress contamination of the holding unit 23 with the cleaning liquid L2 while cleaning the holding unit 23 with the cleaning liquid L2 and the dry gas G. If the nozzle N2b is located behind the nozzle N2a in the advancing direction of the arm 54, the dry gas G discharged from the nozzle N2b always blows the cleaning liquid L2 discharged from the nozzle N2a outward. The cleaning liquid L2 hardly remains on the surface of the holding unit 23.

(変形例3)
例えば、図14に示されるように、ウエハWの裏面Wbに洗浄液L3を供給するノズルN3を利用して、アーム44,54のクリーニングを行ってもよい(第5の処理;第5の工程)。すなわち、まず、コントローラ10は、ポンプ62及びバルブ63を制御して、ノズルN3から洗浄液L3を吐出させる。この状態で、コントローラ10は、駆動機構46又は駆動機構56をさらに制御して、アーム44,54の下面がノズルN3から吐出されている洗浄液L3に当たるようにアーム44,54を移動させる。この場合、ノズルN1から吐出された処理液L1が傾斜面Sに衝突して跳ね返り、アーム44,54の下面に付着したとしても、ノズルN3からアーム44,54に供給される洗浄液L3によってアーム44,54から処理液L1が除去される。そのため、ウエハWの処理時にアーム44,54から処理液L1がウエハWに落下することが抑制できる。従って、処理されたウエハWに欠陥がいっそう生じ難くなる。なお、アーム44,54の下面が傾斜していてもよい。この場合、アーム44,54の下面から洗浄液L3が流れやすくなり、アーム44,54に洗浄液L3が残存し難くなる。
(Modification 3)
For example, as shown in FIG. 14, the arms 44 and 54 may be cleaned using a nozzle N3 that supplies a cleaning liquid L3 to the back surface Wb of the wafer W (fifth process; fifth process). . That is, first, the controller 10 controls the pump 62 and the valve 63 to discharge the cleaning liquid L3 from the nozzle N3. In this state, the controller 10 further controls the drive mechanism 46 or the drive mechanism 56 to move the arms 44 and 54 so that the lower surfaces of the arms 44 and 54 come into contact with the cleaning liquid L3 discharged from the nozzle N3. In this case, even if the processing liquid L1 discharged from the nozzle N1 collides with the inclined surface S and rebounds and adheres to the lower surfaces of the arms 44 and 54, the arm 44 is washed by the cleaning liquid L3 supplied from the nozzle N3 to the arms 44 and 54. , 54, the processing liquid L1 is removed. Therefore, it is possible to suppress the processing liquid L1 from dropping from the arms 44 and 54 to the wafer W during the processing of the wafer W. Therefore, defects are less likely to occur in the processed wafer W. The lower surfaces of the arms 44 and 54 may be inclined. In this case, the cleaning liquid L3 easily flows from the lower surfaces of the arms 44 and 54, and the cleaning liquid L3 hardly remains in the arms 44 and 54.

図14に示されるように、ノズルN3から吐出される洗浄液L3によってアーム44,54の下面を洗浄する際に、ノズルN2から乾燥ガスGを吐出してもよい(第6の処理;第6の工程)。具体的には、ノズルN2から吐出される乾燥ガスGによって回転保持部20(保持部23)の外方において気流カーテンを形成した状態で、回転保持部20(保持部23)よりも外方においてノズルN3からの洗浄液L3でアーム44,54の下面を洗浄する際に、ノズルN2から乾燥ガスGを吐出させて、洗浄液L3がアーム44,54に供給される位置よりも回転保持部20側において乾燥ガスGの気流を形成してもよい。この場合、ノズルN2からの乾燥ガスGの気流は、連続的に又は所定のタイミングで、洗浄液L3がアーム44,54に供給される位置よりも回転保持部20(保持部23)側に形成される。そのため、ノズルN3から吐出された洗浄液L3がアーム44,54に衝突して跳ね返ったりミスト状になったりしても、跳ね返った洗浄液L3又はミスト状の洗浄液L3が回転保持部20側に流れることが乾燥ガスGによって抑制される。従って、洗浄液L3又はそのミストが保持部23の基板支持面に付着し難くなる。その結果、洗浄液L3又はそのミストによるウエハWの汚染を抑制することが可能となる。   As shown in FIG. 14, when the lower surfaces of the arms 44 and 54 are cleaned by the cleaning liquid L3 discharged from the nozzle N3, the dry gas G may be discharged from the nozzle N2 (sixth process; sixth Process). Specifically, in a state where an airflow curtain is formed outside the rotation holding unit 20 (holding unit 23) by the dry gas G discharged from the nozzle N2, the outer side than the rotation holding unit 20 (holding unit 23). When the lower surfaces of the arms 44 and 54 are cleaned with the cleaning liquid L3 from the nozzle N3, the drying gas G is discharged from the nozzle N2, and the position where the cleaning liquid L3 is supplied to the arms 44 and 54 is closer to the rotation holding unit 20 side. An air flow of the dry gas G may be formed. In this case, the airflow of the dry gas G from the nozzle N2 is formed on the rotation holding unit 20 (holding unit 23) side from the position where the cleaning liquid L3 is supplied to the arms 44 and 54 continuously or at a predetermined timing. The Therefore, even if the cleaning liquid L3 discharged from the nozzle N3 collides with the arms 44 and 54 and bounces back or becomes a mist, the bounced cleaning liquid L3 or the mist-like cleaning liquid L3 flows to the rotation holding unit 20 side. It is suppressed by the dry gas G. Therefore, it becomes difficult for the cleaning liquid L3 or its mist to adhere to the substrate support surface of the holding unit 23. As a result, contamination of the wafer W by the cleaning liquid L3 or its mist can be suppressed.

変形例3におけるアーム44,54のクリーニング処理にあたり、ノズルN3から吐出される洗浄液L3は、回転保持部20の回転軸の径方向において回転保持部20よりも外方で、アーム44,54に供給されていればよく、ノズルN3自体の位置は特に限定されず、任意の位置にノズルN3を配置しうる。また、変形例3におけるアーム44,54のクリーニング処理にあたり、ノズルN2からの乾燥ガスGの気流は、洗浄液L3がアーム44,54に供給される位置よりも回転保持部20(保持部23)側に形成されていればよく、ノズルN2自体の位置は特に限定されず、任意の位置にノズルN2を配置しうる。   In the cleaning process of the arms 44 and 54 in the third modification, the cleaning liquid L3 discharged from the nozzle N3 is supplied to the arms 44 and 54 outside the rotation holding unit 20 in the radial direction of the rotation axis of the rotation holding unit 20. The position of the nozzle N3 itself is not particularly limited, and the nozzle N3 can be arranged at an arbitrary position. Further, in the cleaning process of the arms 44 and 54 in the modified example 3, the airflow of the dry gas G from the nozzle N2 is closer to the rotation holding unit 20 (holding unit 23) than the position where the cleaning liquid L3 is supplied to the arms 44 and 54. The position of the nozzle N2 itself is not particularly limited, and the nozzle N2 can be arranged at an arbitrary position.

変形例3におけるアーム44,54のクリーニング処理は、ダミーディスペンス処理の前後又は途中で行われてもよいし、ダミーディスペンス処理と関連せずに独立して行われてもよい。   The cleaning process of the arms 44 and 54 in the third modification may be performed before, during or during the dummy dispensing process, or may be performed independently without being related to the dummy dispensing process.

(変形例4)
ダミーディスペンスの際に、ノズルN1,N2の吐出口は、カップ30の内方に位置していてもよいし、カップ30の外方に位置していてもよい。すなわち、ダミーディスペンスの際に、傾斜面SからのノズルN1,N2の吐出口の高さは、上端32aよりも低くてもよいし、上端32aよりも高くてもよい。ノズルN1,N2の吐出口がカップ30の内方に位置していると、ノズルN1,N2から吐出された液体がカップ30内の物体に衝突する勢いが弱まる。そのため、液体がミスト状に変化し難いので、当該ミストの周囲への飛散を抑制することが可能となる。また、ノズルN1,N2から吐出された液体が傾斜面Sで跳ね返っても、跳ね返り液がカップ30の外方に飛散し難くなる。特に、ノズルN1,N2の吐出口が回転保持部20の保持部23の基板支持面よりも下方に位置していると、発生したミストが保持部23の基板支持面に付着し難くなる。そのため、当該ミストによるウエハWの汚染を抑制することが可能となる。一方、ノズルN1,N2の吐出口がカップ30の外方に位置していると、ノズルN1,N2から吐出された液体が傾斜面Sで跳ね返っても、跳ね返り液がノズルN1,N2に付着し難くなる。
(Modification 4)
During dummy dispensing, the discharge ports of the nozzles N1 and N2 may be located inside the cup 30 or may be located outside the cup 30. That is, at the time of dummy dispensing, the height of the discharge ports of the nozzles N1 and N2 from the inclined surface S may be lower than the upper end 32a or higher than the upper end 32a. If the discharge ports of the nozzles N1 and N2 are positioned inward of the cup 30, the momentum at which the liquid discharged from the nozzles N1 and N2 collides with an object in the cup 30 is weakened. Therefore, since the liquid is difficult to change into a mist shape, it is possible to suppress scattering of the mist around the mist. Further, even if the liquid discharged from the nozzles N1 and N2 bounces off the inclined surface S, the bounce liquid does not easily splash outside the cup 30. In particular, when the discharge ports of the nozzles N <b> 1 and N <b> 2 are positioned below the substrate support surface of the holding unit 23 of the rotation holding unit 20, the generated mist is difficult to adhere to the substrate support surface of the holding unit 23. For this reason, contamination of the wafer W by the mist can be suppressed. On the other hand, when the discharge ports of the nozzles N1 and N2 are located outside the cup 30, even if the liquid discharged from the nozzles N1 and N2 rebounds on the inclined surface S, the rebound liquid adheres to the nozzles N1 and N2. It becomes difficult.

(変形例5)
傾斜面Sのうち少なくとも領域R1,R2に対して、液体の接触角が小さくなる表面処理が施されていてもよい。この場合、これらの領域R1,R2における液体の接触角が小さいと、ダミーディスペンスの際にノズルN1,N2からの液体が領域R1,R2に衝突した場合に、液跳ねが生じ難くなる。当該表面処理としては、例えば、ブラスト処理が挙げられる。あるいは、当該表面処理に代えて、傾斜面Sのうち少なくとも領域R1,R2に、ディンプル加工が施されていてもよいし、回転保持部20の中心軸の径方向に延びる複数の溝が形成されていてもよい。
(Modification 5)
A surface treatment that reduces the liquid contact angle may be applied to at least the regions R1 and R2 of the inclined surface S. In this case, if the contact angle of the liquid in these regions R1 and R2 is small, liquid splash is unlikely to occur when the liquid from the nozzles N1 and N2 collides with the regions R1 and R2 during dummy dispensing. Examples of the surface treatment include blast treatment. Alternatively, instead of the surface treatment, dimple processing may be performed on at least the regions R1 and R2 of the inclined surface S, and a plurality of grooves extending in the radial direction of the central axis of the rotation holding unit 20 are formed. It may be.

(変形例6)
斜壁37は、上記実施形態のように他の壁31〜34と別体であってもよいし、カップ30を構成するいずれかの壁31〜34と一体化されていてもよい。
(Modification 6)
The oblique wall 37 may be separate from the other walls 31 to 34 as in the above embodiment, or may be integrated with any of the walls 31 to 34 constituting the cup 30.

(変形例7)
ノズルN1,N2からのダミーディスペンスは、カップ30内であって回転保持部20と外周壁32との間に位置していれば、斜壁37以外の部材に対して行われてもよい。
(Modification 7)
The dummy dispensing from the nozzles N1 and N2 may be performed on members other than the inclined wall 37 as long as it is located in the cup 30 and between the rotation holding unit 20 and the outer peripheral wall 32.

(変形例8)
ノズルN1によるダミーディスペンスの位置が領域R2であり、ノズルN2によるダミーディスペンスの位置が領域R1であってもよい。あるいは、ノズルN1,N2によるダミーディスペンスの位置は、領域R1,R2に限られず、内側領域Rであればよい。
(Modification 8)
The position of the dummy dispense by the nozzle N1 may be the region R2, and the position of the dummy dispense by the nozzle N2 may be the region R1. Alternatively, the position of the dummy dispense by the nozzles N1 and N2 is not limited to the regions R1 and R2, but may be the inner region R.

1…基板処理システム(基板処理装置)、2…塗布現像装置(基板処理装置)、10…コントローラ(制御部)、20…回転保持部、23…保持部(チャック)、30…カップ、32…外周壁、32a…上端、37…斜壁(内壁部)、40…処理液供給部(第1の供給部)、44…アーム(第1のアーム)、46…駆動機構(第1の駆動部)、50…気液供給部(第1の供給部)、54…アーム(第2のアーム)、56…駆動機構(第2の駆動部)、60…洗浄液供給部(第2の供給部)、70…排気部、G…乾燥ガス、L1…処理液、L2,L3…洗浄液、N1…ノズル(処理液ノズル、上側ノズル)、N2…ノズル(上側ノズル)、N2a…ノズル(洗浄液ノズル)、N2b…ノズル(ガスノズル)、N3…ノズル(洗浄液ノズル、下側ノズル)、R…内側領域、R1…領域(第1の領域)、R2…領域(第2の領域)、RM…記録媒体、S…傾斜面、U1…液処理ユニット(基板処理装置)、W…ウエハ(基板)、Wa…表面、Wb…裏面。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing system (substrate processing apparatus), 2 ... Coating and developing apparatus (substrate processing apparatus), 10 ... Controller (control part), 20 ... Rotation holding part, 23 ... Holding part (chuck), 30 ... Cup, 32 ... Outer peripheral wall, 32a ... upper end, 37 ... inclined wall (inner wall part), 40 ... treatment liquid supply part (first supply part), 44 ... arm (first arm), 46 ... drive mechanism (first drive part) ), 50... Gas / liquid supply unit (first supply unit), 54... Arm (second arm), 56... Drive mechanism (second drive unit), 60 .. Cleaning liquid supply unit (second supply unit) 70 ... exhaust part, G ... dry gas, L1 ... processing liquid, L2, L3 ... cleaning liquid, N1 ... nozzle (processing liquid nozzle, upper nozzle), N2 ... nozzle (upper nozzle), N2a ... nozzle (cleaning liquid nozzle), N2b ... Nozzle (gas nozzle), N3 ... Nozzle (cleaning liquid nozzle, lower side) , R ... inner region, R1 ... region (first region), R2 ... region (second region), RM ... recording medium, S ... inclined surface, U1 ... liquid processing unit (substrate processing apparatus), W ... wafer (substrate), Wa ... front surface, Wb ... back surface.

Claims (21)

基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
前記基板の表面に上側ノズルから液体を供給するように構成された第1の供給部と、
前記回転保持部によって保持される前記基板の周囲を取り囲むと共に前記第1の供給部から供給される液体を受けるカップと、
制御部とを備え、
前記カップは、前記回転保持部によって保持されつつ回転される前記基板から振り切られた液体の飛散を防止する外周壁を有し、
前記制御部は、前記第1の供給部を制御して、前記上側ノズルから処理液を前記外周壁と前記回転保持部との間の内側領域にダミーディスペンスさせる処理を実行する、基板処理装置。
A rotation holding unit that rotates while holding the substrate;
A first supply unit configured to supply liquid from an upper nozzle to the surface of the substrate;
A cup that surrounds the periphery of the substrate held by the rotation holding unit and receives the liquid supplied from the first supply unit;
A control unit,
The cup has an outer peripheral wall that prevents scattering of the liquid spun off from the substrate rotated while being held by the rotation holding unit,
The said control part is a substrate processing apparatus which controls the said 1st supply part and performs the process which carries out the dummy dispensing of the process liquid to the inner area | region between the said outer peripheral wall and the said rotation holding part from the said upper nozzle.
前記制御部は、前記第1の供給部を制御して、前記カップの上端よりも下方か又は前記回転保持部のチャックの基板支持面よりも下方に前記上側ノズルの吐出口が位置した状態で、前記上側ノズルから液体をダミーディスペンスさせる処理を実行する、請求項1に記載の装置。   The control unit controls the first supply unit so that a discharge port of the upper nozzle is positioned below the upper end of the cup or below the substrate support surface of the chuck of the rotation holding unit. The apparatus according to claim 1, wherein a process of performing dummy dispensing of liquid from the upper nozzle is performed. 前記カップの外周面には、上方において前記上側ノズルが待機可能な液受部が設けられている、請求項1又は2に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein a liquid receiving portion in which the upper nozzle can stand by is provided above the outer peripheral surface of the cup. 前記カップ内を排気するように構成された排気部をさらに備え、
前記第1の供給部は、
前記基板の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板の表面に対して洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記処理液ノズルが設けられた第1のアームを移動させる第1の駆動部と、
前記洗浄液ノズルが設けられた第2のアームを移動させる第2の駆動部とを有し、
前記制御部は、前記第1の供給部及び前記排気部を制御して、前記排気部により前記カップ内を排気しつつ、
前記第1の駆動部により前記第1のアームを移動させることで、前記処理液ノズルを前記内側領域に位置させる第1の処理と、
前記第2の駆動部により前記第2のアームを移動させることで、前記洗浄液ノズルを前記内側領域に位置させる第2の処理と、
前記第1及び第2の処理の後に、前記処理液ノズル及び前記洗浄液ノズルからそれぞれ処理液及び洗浄液をダミーディスペンスさせる第3の処理とを実行する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。
An exhaust unit configured to exhaust the inside of the cup;
The first supply unit includes:
A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to the surface of the substrate;
A cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate;
A first drive unit that moves a first arm provided with the treatment liquid nozzle;
A second drive unit that moves the second arm provided with the cleaning liquid nozzle,
The control unit controls the first supply unit and the exhaust unit, and exhausts the inside of the cup by the exhaust unit,
A first process of moving the first arm by the first drive unit to position the processing liquid nozzle in the inner region;
A second process of moving the second arm by the second drive unit to position the cleaning liquid nozzle in the inner region;
4. The third process according to claim 1, wherein after the first process and the second process, a third process of performing dummy dispense of the process liquid and the cleaning liquid from the process liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle, respectively, is performed. Equipment.
前記制御部は、
前記第1の処理において、前記第1の駆動部により前記第1のアームを移動させることで、前記処理液ノズルを前記内側領域のうち所定の第1の領域に位置させ、
前記第2の処理において、前記第2の駆動部により前記第2のアームを移動させることで、前記洗浄液ノズルを前記内側領域のうち前記第1の領域とは前記回転保持部を間において反対側の第2の領域に位置させる、請求項4に記載の装置。
The controller is
In the first process, the processing liquid nozzle is positioned in a predetermined first area of the inner area by moving the first arm by the first driving unit,
In the second process, the second arm is moved by the second driving unit, so that the cleaning liquid nozzle is opposite to the first region in the inner region with the rotation holding unit in between. The apparatus according to claim 4, wherein the apparatus is located in the second region of the device.
前記第1の領域は、前記内側領域のうち前記回転保持部よりも前記処理液ノズル及び前記洗浄液ノズルが前記カップ外で待機する待機位置寄りの領域であり、
前記第2の領域は、前記内側領域のうち前記回転保持部よりも前記待機位置とは離れた側の領域である、請求項5に記載の装置。
The first area is an area closer to a standby position where the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle stand by outside the cup than the rotation holding unit in the inner area,
The apparatus according to claim 5, wherein the second region is a region on the side farther from the standby position than the rotation holding portion in the inner region.
前記第1の供給部は、前記基板の表面に乾燥ガスを供給すると共に前記第2のアームに設けられたガスノズルを有し、
前記制御部は、前記回転保持部及び前記第1の供給部を制御して、前記回転保持部のチャックを回転させた状態で、前記ガスノズルが前記チャックの上方を通過するように前記第2のアームを前記第2の駆動部により移動させつつ前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックに供給させる第4の処理を実行する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の装置。
The first supply unit has a gas nozzle provided on the second arm while supplying a dry gas to the surface of the substrate,
The control unit controls the rotation holding unit and the first supply unit to rotate the chuck of the rotation holding unit so that the gas nozzle passes above the chuck. The apparatus according to any one of claims 4 to 6, wherein a fourth process of supplying a dry gas from the gas nozzle to the chuck while moving an arm by the second drive unit is performed.
前記制御部は、前記第4の処理において、前記チャックを回転させた状態で、前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが共に前記チャックの中央部から周縁部に向けて移動するように前記第2のアームを前記第2の駆動部により移動させつつ、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの中央部の上方を通過する際には、前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックの中央部に供給させるが、前記洗浄液ノズルからは洗浄液を供給させないことと、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの中央部と周縁部との間である中間領域の上方を通過する際には、前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルからそれぞれ乾燥ガス及び洗浄液を前記チャックの中間領域に供給させることと、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの周縁部の上方を通過する際には、前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックの周縁部に供給させるが、前記洗浄液ノズルからは洗浄液を供給させないこととを実行する、請求項7に記載の装置。
In the fourth process, the control unit moves the second arm so that both the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle move from the central portion toward the peripheral portion of the chuck while the chuck is rotated. While being moved by the second drive unit,
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the central part of the chuck, dry gas is supplied from the gas nozzle to the central part of the chuck, but no cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle;
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above an intermediate area between the central portion and the peripheral edge of the chuck, dry gas and cleaning liquid are respectively supplied from the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle to the intermediate area of the chuck. To supply,
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the peripheral edge of the chuck, the dry gas is supplied from the gas nozzle to the peripheral edge of the chuck, but the cleaning liquid is not supplied from the cleaning liquid nozzle. The apparatus of claim 7.
前記カップ内に位置する下側ノズルから前記基板の裏面に対して洗浄液を供給するように構成された第2の供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記第1及び第2の供給部を制御して、前記下側ノズルから洗浄液を前記第1又は第2のアームに供給する第5の処理を実行する、請求項4〜8のいずれか一項に記載の装置。
A second supply unit configured to supply a cleaning liquid to the back surface of the substrate from a lower nozzle located in the cup;
The said control part controls the said 1st and 2nd supply part, and performs the 5th process which supplies a washing | cleaning liquid to the said 1st or 2nd arm from the said lower nozzle. The apparatus as described in any one of.
前記カップ内に位置する下側ノズルから前記基板の裏面に対して洗浄液を供給するように構成された第2の供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記第1及び第2の供給部を制御して、前記下側ノズルから洗浄液を吐出させて前記回転保持部よりも外方において前記第1又は第2のアームに洗浄液を供給すると共に、前記ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、前記下側ノズルから吐出された洗浄液が前記第1又は第2のアームに供給される位置よりも前記回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する第6の処理を実行する、請求項7又は8に記載の装置。
A second supply unit configured to supply a cleaning liquid to the back surface of the substrate from a lower nozzle located in the cup;
The control unit controls the first and second supply units to discharge the cleaning liquid from the lower nozzle and supply the cleaning liquid to the first or second arm outside the rotation holding unit. In addition, a dry gas is discharged from the gas nozzle, and a dry gas flow is formed on the rotation holding unit side from the position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the first or second arm. The apparatus according to claim 7 or 8, wherein the sixth process is executed.
回転保持部に保持されると共にカップに周囲を取り囲まれた基板の表面に液体を供給する上側ノズルからダミーディスペンスする方法であって、
前記カップは、前記回転保持部によって保持されつつ回転される前記基板から振り切られた液体の飛散を防止する外周壁を有し、
前記上側ノズルから液体を前記外周壁と前記回転保持部との間の内側領域にダミーディスペンスする工程を含む、ダミーディスペンス方法。
A method of performing dummy dispensing from an upper nozzle that supplies liquid to the surface of a substrate that is held by a rotation holding unit and is surrounded by a cup,
The cup has an outer peripheral wall that prevents scattering of the liquid spun off from the substrate rotated while being held by the rotation holding unit,
A dummy dispensing method including a step of performing dummy dispensing of liquid from the upper nozzle to an inner region between the outer peripheral wall and the rotation holding unit.
前記工程では、前記カップの上端よりも下方か又は前記回転保持部のチャックの基板支持面よりも下方に前記上側ノズルの吐出口が位置した状態で、前記上側ノズルから液体をダミーディスペンスする、請求項11に記載の方法。   In the step, dummy dispensing of liquid from the upper nozzle is performed in a state where the discharge port of the upper nozzle is positioned below the upper end of the cup or below the substrate support surface of the chuck of the rotation holding unit. Item 12. The method according to Item 11. ダミーディスペンスが行われていないときに、前記カップの外周面に設けられた液受部の上方で前記上側ノズルを待機させる、請求項11又は12に記載の方法。   The method according to claim 11 or 12, wherein when the dummy dispensing is not performed, the upper nozzle is made to wait above a liquid receiving portion provided on an outer peripheral surface of the cup. 前記基板の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルが設けられた第1のアームを移動して、前記処理液ノズルを前記内側領域に位置させる第1の工程と、
前記基板の表面に対して洗浄液を供給する洗浄液ノズルが設けられた第2のアームを移動して、前記洗浄液ノズルを前記内側領域に位置させる第2の工程と、
前記第1及び第2の工程の後に、前記処理液ノズル及び前記洗浄液ノズルからそれぞれ処理液及び洗浄液をダミーディスペンスする第3の工程とを含み、
前記カップ内を排気しつつ前記第1〜第3の工程を実行する、請求項11〜13のいずれか一項に記載の方法。
A first step of moving a first arm provided with a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to the surface of the substrate to position the processing liquid nozzle in the inner region;
A second step of moving a second arm provided with a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to position the cleaning liquid nozzle in the inner region;
After the first and second steps, a third step of performing dummy dispensing of the processing liquid and the cleaning liquid from the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle, respectively,
The method according to any one of claims 11 to 13, wherein the first to third steps are performed while exhausting the inside of the cup.
前記第1の工程では、前記処理液ノズルを前記内側領域のうち所定の第1の領域に位置させ、
前記第2の工程では、前記洗浄液ノズルを前記内側領域のうち前記第1の領域とは前記回転保持部を間において反対側の第2の領域に位置させる、請求項14に記載の方法。
In the first step, the processing liquid nozzle is positioned in a predetermined first region of the inner region,
The method according to claim 14, wherein, in the second step, the cleaning liquid nozzle is positioned in a second region opposite to the first region in the inner region, the rotation holding unit being opposite to the first region.
前記第1の領域は、前記内側領域のうち前記回転保持部よりも前記処理液ノズル及び前記洗浄液ノズルが前記カップ外で待機する待機位置寄りの領域であり、
前記第2の領域は、前記内側領域のうち前記回転保持部よりも前記待機位置とは離れた側の領域である、請求項15に記載の方法。
The first area is an area closer to a standby position where the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle stand by outside the cup than the rotation holding unit in the inner area,
The method according to claim 15, wherein the second region is a region on the side farther from the standby position than the rotation holding portion in the inner region.
前記回転保持部のチャックを回転させた状態で、前記第2のアームに設けられたガスノズルが前記チャックの上方を通過するように前記第2のアームを移動しつつ前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックに供給する第4の工程をさらに含む、請求項14〜16のいずれか一項に記載の方法。   In a state where the chuck of the rotation holding unit is rotated, the gas nozzle provided on the second arm moves the second arm so that the gas nozzle passes above the chuck, and dry gas is discharged from the gas nozzle to the chuck. The method according to any one of claims 14 to 16, further comprising a fourth step of supplying to the device. 前記第4の工程では、前記チャックを回転させた状態で、前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが共に前記チャックの中央部から周縁部に向けて移動するように前記第2のアームを移動しつつ、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの中央部の上方を通過する際には、前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックの中央部に供給するが、前記洗浄液ノズルからは洗浄液を供給しないことと、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの中央部と周縁部との間である中間領域の上方を通過する際には、前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルからそれぞれ乾燥ガス及び洗浄液を前記チャックの中間領域に供給することと、
前記ガスノズル及び前記洗浄液ノズルが前記チャックの周縁部の上方を通過する際には、前記ガスノズルから乾燥ガスを前記チャックの周縁部に供給するが、前記洗浄液ノズルからは洗浄液を供給しないこととを含む、請求項17に記載の方法。
In the fourth step, with the chuck rotated, while moving the second arm so that the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle are both moved from the central part toward the peripheral part of the chuck,
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the central part of the chuck, dry gas is supplied from the gas nozzle to the central part of the chuck, but no cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle;
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above an intermediate area between the central portion and the peripheral edge of the chuck, dry gas and cleaning liquid are respectively supplied from the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle to the intermediate area of the chuck. Supplying,
When the gas nozzle and the cleaning liquid nozzle pass above the peripheral edge of the chuck, a dry gas is supplied from the gas nozzle to the peripheral edge of the chuck, but no cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle. The method of claim 17.
前記カップ内に位置する下側ノズルから洗浄液を前記第1又は第2のアームに供給する第5の工程をさらに含む、請求項14〜18のいずれか一項に記載の方法。   The method according to any one of claims 14 to 18, further comprising a fifth step of supplying cleaning liquid to the first or second arm from a lower nozzle located in the cup. 前記カップ内に位置する下側ノズルから洗浄液を吐出させて前記回転保持部よりも外方において前記第1又は第2のアームに洗浄液を供給すると共に、前記ガスノズルから乾燥ガスを吐出させて、前記下側ノズルから吐出された洗浄液が前記第1又は第2のアームに供給される位置よりも前記回転保持部側において乾燥ガスの気流を形成する第6の工程をさらに含む、請求項17又は18に記載の方法。   The cleaning liquid is discharged from the lower nozzle located in the cup to supply the cleaning liquid to the first or second arm outside the rotation holding unit, and the drying gas is discharged from the gas nozzle, The method further comprises a sixth step of forming a dry gas stream on the side of the rotation holding unit from a position where the cleaning liquid discharged from the lower nozzle is supplied to the first or second arm. The method described in 1. 請求項11〜20のいずれか一項に記載のダミーディスペンス方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。   A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for causing a substrate processing apparatus to execute the dummy dispensing method according to any one of claims 11 to 20.
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